KR20160077497A - multi-composited DLC coating method - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a method to manufacture a multi-component composite DLC. According to the method, a thin film is formed on a substrate installed in a first stage by a sputtering apparatus comprising: the first stage prepared in a chamber; a magnetic force generation part having a first magnet prepared on a center of a second stage installed by being separated from the first stage to face the first stage, and is mounted with a sputtering target and a second magnet separated from the first magnet while having a different polarity from the first magnet; a bias applying part applying a bias to the second stage; and a gas supply part supplying an argon gas into the chamber. The sputtering target has an additive material layer formed with an additive material on a part opposite to an area between the first magnet and the second magnet, and a part except the additive material layer is formed with a carbon material. By the method to manufacturing the multi-component composite DLC in accordance with the present invention, provided is an advantage of being able to manufacture the thin film wherein the additive material adjusting desired physical properties such as hardness, adhesion, and infrared ray transmissivity is included in carbon.

Description

다성분계 복합 DLC 제조방법{multi-composited DLC coating method}Multicomponent DLC coating method [0002]

본 발명은 다성분계 복합 DLC 제조방법에 관한 것으로서, 상세하게는 첨가물질을 함유하는 DLC(Diamond Like Carbon) 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method for producing a multi-component complex DLC, and more particularly, to a method for producing a DLC (Diamond Like Carbon) containing an additive.

다이아몬드상 카본(Diamomd-like carbon, 이하 DLC라 한다)은 높은 경도, 내마모성, 윤활성, 표면조도 등의 뛰어난 기계적 특성과 전기절연성, 화학적 안정성 및 높은 광학적 투과성을 갖고 있어 산업적으로 다양하게 사용되고 있다.Diamond-like carbon (hereinafter referred to as DLC) is widely used industrially because of its excellent mechanical properties such as high hardness, abrasion resistance, lubricity and surface roughness, electrical insulation, chemical stability and high optical transparency.

현재까지 대부분의 탄소계 박막은 반응기체로서 탄화수소계를 사용하는 RF-CVD 및 이온빔 증착 공정이 주를 이루고 있고, 아르곤과 아세틸렌 가스를 이용하여 DLC를 코팅하는 장치가 국내 공개특허 제10-2011-0115291호에 게시되어 있다.Most of the carbon-based thin films have been mainly composed of RF-CVD and ion beam deposition processes using a hydrocarbon as a reactive gas. A device for coating DLC using argon and acetylene gas is disclosed in Korean Patent Laid- 0115291.

그런데, 이러한 DLC 증착 방식은 증착시 수소의 영향에 의한 박막의 물성변화로, 최근에는 고체상의 카본을 이용한 하여 마그네트론 스퍼터링, 진공 아크법 등 다양한 방법이 보고되고 있다.However, in the DLC deposition method, a variety of methods such as magnetron sputtering and a vacuum arc method have been reported using solid carbon in recent years due to changes in physical properties of thin films due to the influence of hydrogen during deposition.

한편, 마그네트론 스퍼터링의 경우 발생된 이온의 기판으로로의 집속효율은 높아지나 스퍼터링 타겟체의 자력이 집중되는 부분의 마모가 상대적으로 심해 스퍼터링 타겟체의 이용효율이 떨어지는 단점이 있다.On the other hand, in the case of magnetron sputtering, the focusing efficiency of the generated ions to the substrate is high, but the abrasion of the portion where the magnetic force of the sputtering target body is concentrated is relatively deep and the use efficiency of the sputtering target body is low.

또한, 카본 이외의 첨가물질에 의해 원하는 물리적 특성을 갖는 박막이 요구되고 있다.In addition, a thin film having desired physical properties is desired by an additive material other than carbon.

본 발명은 상기와 같은 요구사항을 해결하기 위한 것으로서, 카본에 첨가물질이 첨가된 다성분계 복합 DLC 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a multicomponent composite DLC in which a substance added to carbon is added.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 다성분계 복합 DLC 제조방법은 챔버와, 상기 챔버 내에 마련된 제1스테이지와, 상기 제1스테이지와 이격되어 대향되게 설치되며 스퍼터링 타겟체가 장착되는 제2스테이지와, 상기 제2스테이지의 중앙에 마련된 제1자석과, 상기 제1자석과 이격되되 상기 제1자석과 극성이 다른 제2자석이 형성된 자력발생부와, 상기 제2스테이지에 바이어스를 인가하는 바이어스 인가부 및 상기 챔버내에 아르곤가스를 공급하는 가스 공급부를 갖는 스퍼터링 장비에 의해 상기 제1스테이지에 장착된 기판위에 박막을 형성하는 방법에 있어서, 상기 스퍼터링 타겟체는 상기 제1자석과 제2자석의 사이영역에 대향되는 부분에 첨가물질로 된 첨가물질층이 형성되어 있고, 상기 첨가물질층 이외의 부분은 카본소재로 형성된 것을 적용한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a multi-component complex DLC comprising a chamber, a first stage provided in the chamber, a second stage opposed to the first stage and mounted with a sputtering target, A magnetic force generating unit having a first magnet provided at the center of the second stage and a second magnet spaced apart from the first magnet and different in polarity from the first magnet; A method for forming a thin film on a substrate mounted on the first stage by a sputtering apparatus having a gas supply part for supplying argon gas into the chamber and a gas supply part for supplying argon gas into the chamber is characterized in that the sputtering target body is provided between the first magnet and the second magnet And a portion other than the additive material layer is formed of a carbon material To be applied.

본 발명의 일 측면에 따르면, 상기 첨가물질층은 경도 향상을 위해 Ti, Ni, Fe, Cr 중 어느 하나의 소재로 형성된다.According to an aspect of the present invention, the additive material layer is formed of any one of Ti, Ni, Fe, and Cr to improve the hardness.

본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 상기 기판은 Wc, SUS(steel use stainless), Si, 칼코지나이드(Chalcogenide) 중 어느 하나가 형성된 것이 적용되고, 상기 첨가물질층은 접촉력 강화를 위해 Cu, SiO2, Cr 중 어느 하나의 소재로 형성다.According to another aspect of the present invention, the substrate is formed of one of Wc, SUS, Si, Chalcogenide, and the additive material layer includes Cu, SiO 2 and Cr, respectively.

또 다르게는 광학용으로 사용하기 위해 상기 기판은 칼코지나이드(Chalcogenide)로 형성된 것이 적용되고, 상기 첨가물질층은 적외선 투과율을 높일 수 있는 Se, Sb, Ge, ZnS, ZnSe 중 어느 하나의 소재로 형성된다.Alternatively, the substrate may be formed of chalcogenide, and the additive material layer may be formed of any one of Se, Sb, Ge, ZnS, and ZnSe that can increase the infrared transmittance .

또한, 상기 스퍼터링 타겟체의 중앙을 중심으로 상기 첨가물질층은 동일 이격 거리에 원궤도 상에 상호 이격되게 복수개 형성될 수 있다.The plurality of additive material layers may be spaced apart from each other on a circular orbit at the same distance from the center of the sputtering target body.

본 발명에 따른 다성분계 복합 DLC 제조방법에 의하면, 경도, 밀착력, 적외선 투과율 등 원하는 물리적 특성을 조정하는 첨가물질이 카본에 포함된 박막을 제조할 수 있는 장점을 제공한다.According to the method for producing a multi-component complex DLC according to the present invention, an additive material for adjusting desired physical properties such as hardness, adhesive force, and infrared transmittance can be manufactured.

도 1은 본 발명에 따른 다성분계 복합 DLC 제조방법을 수행하는 장비를 개략적으로 나타내 보인 도면이고,
도 2는 도 1에 적용되는 스퍼터링 타켓체의 평면도이고,
도 3은 도 2의 스퍼터링 타켓체의 단면도이고,
도 4는 도 2의 스퍼터링 타겟체의 사용경과에 따른 식각부위를 설명하기 위한 단면도이고,
도 5는 도 2의 스퍼터링 타겟체의 제조과정을 설명하기 위한 소결장비를 나타내 보인 단면도이고,
도 6은 도 5의 상부 및 하부 펀치를 나타내 보인 사시도이고,
도 7은 도 5의 소결장비에 의해 1차로 형성된 소결체를 나타내 보인 사시도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a schematic view showing an apparatus for carrying out a method for producing a multi-component complex DLC according to the present invention,
Fig. 2 is a plan view of the sputtering target body applied to Fig. 1,
3 is a cross-sectional view of the sputtering target body of FIG. 2,
FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining an etching site according to the progress of use of the sputtering target body of FIG. 2,
FIG. 5 is a sectional view showing a sintering apparatus for explaining the manufacturing process of the sputtering target body of FIG. 2,
FIG. 6 is a perspective view showing the upper and lower punches of FIG. 5,
7 is a perspective view showing a sintered body formed by the sintering equipment of FIG.

이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 다성분계 복합 DLC 제조방법을 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, a method for producing a multicomponent composite DLC according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 다성분계 복합 DLC 제조방법을 수행하는 장비를 개략적으로 나타내 보인 도면이고, 도 2는 도 1에 적용되는 스퍼터링 타켓체의 평면도이고, 도 3은 도 2의 스퍼터링 타켓체의 단면도이다.2 is a plan view of a sputtering target body applied to FIG. 1, FIG. 3 is a cross-sectional view of the sputtering target body of FIG. 2, and FIG. Sectional view.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명에 적용되는 스퍼터링 장비(100)는 챔버(110), 제1스테이지(120), 제2스테이지(130), 제1 및 제2자석(141)(142), 바이어스 인가부(150), 가스공급부(160)를 구비한다.1 to 3, a sputtering apparatus 100 according to the present invention includes a chamber 110, a first stage 120, a second stage 130, first and second magnets 141 and 142 A bias applying unit 150, and a gas supply unit 160.

챔버(110)는 내부공간을 진공화 할 수 있게 배기기 가능한 펌프(미도시)가 결합되어 있다.The chamber 110 is coupled with an evacuable pump (not shown) to evacuate the internal space.

제1스테이지(120)는 챔버(110) 내의 하부에 마련되어 박막을 형성하고자 하는 기판(10)이 장착된다.The first stage 120 is mounted on a lower portion of the chamber 110 to which a substrate 10 for forming a thin film is to be mounted.

제2스테이지(130)는 제1스테이지(120)와 이격되어 대향되게 설치되며 스퍼터링 타겟체(170)가 기판(10)에 대향되게 장착된다.The second stage 130 is disposed opposite to the first stage 120 so as to be opposite to the first stage 120, and the sputtering target body 170 is mounted opposite to the substrate 10.

자력발생부는 제2스테이지(130)의 스퍼터링 타겟체(170)가 장착되는 부분 반대편 중앙에 설치된 제1자석(141)과, 제1자석(141)과 이격되어 설치되며 제1자석(141)과 극성이 다른 제2자석(142)으로 되어 있다.The magnetic force generating unit includes a first magnet 141 disposed at a center of the second stage 130 opposite to a portion where the sputtering target body 170 is mounted and a second magnet 141 disposed apart from the first magnet 141, And a second magnet 142 having a different polarity.

바이어스 인가부(150)는 제2스테이지(130)에 바이어스를 인가한다.The bias application unit 150 applies a bias to the second stage 130.

바이어스 인가부(150)는 제2스테이지(130)의 가장자리 일부를 에어싸게 돌출된 제1전극단(151)에 대해 제2스테이지(130)와 연결되며 제1전극단(151)과는 절연층(153)을 통해 절연된 제2전극단(155)이 음의 바이어스가 인가되게 결선되어 있다.The bias applying unit 150 is connected to the second stage 130 with respect to the first electrode terminal 151 protruding at a part of the edge of the second stage 130, And the second electrode terminal 155 insulated through the second electrode 153 is connected to be negatively biased.

가스 공급부(160)는 챔버(110) 내부에 반응용 아르곤가스(Ar)와, 박막 형성후 후처리용 질소(N2)가스를 공급할 수 있도록 되어 있다.The gas supply unit 160 is capable of supplying argon gas (Ar) for reaction and nitrogen (N 2 ) gas for post-treatment after forming the thin film into the chamber 110.

이러한 스퍼러링 장비(100)에 의해 다성분계 복합 DLC 막(30)을 형성하는 과정을 이하에서 설명한다.The process of forming the multi-component complex DLC film 30 by the sparging apparatus 100 will be described below.

먼저, 제2스테이지(130)에 장착되는 스퍼터링 타겟체(170)는 원판형으로 형성되 메인바디(171) 중 제1자석(141)과 제2자석(142)의 사이영역에 대향되는 부분에 첨가물질로 된 첨가물질층(173)이 형성되어 있다.The sputtering target body 170 mounted on the second stage 130 is formed in a disk shape and is formed by adding to the portion of the main body 171 facing the area between the first magnet 141 and the second magnet 142 An additive material layer 173 made of a material is formed.

즉, 메인바디(171)의 첨가물질층(173) 이외의 부분은 카본(C)소재로 형성되어 있다.That is, portions of the main body 171 other than the additive material layer 173 are formed of carbon (C).

첨가물질층(173)은 스퍼터링 타겟체(170)의 메인바디(171)의 중앙을 중심으로 동일 이격 거리에 점선으로 표기된 원궤도(175) 상에 상호 이격되게 복수개 형성되어 있다.A plurality of additive material layers 173 are spaced apart from each other on a circular orbit 175 indicated by a dotted line at the same distance from the center of the main body 171 of the sputtering target body 170.

여기서 원궤도 영역(175)은 제1자석(141)과 제2자석(142)의 사이 영역에 해당하는 부분이다.Here, the circular track region 175 is a portion corresponding to a region between the first magnet 141 and the second magnet 142.

더욱 바람직하게는 첨가물질층(173)의 중심은 제1자석(141)과 제2자석(142)의 중심 위치에 대응되게 적용한다.More preferably, the center of the additive material layer 173 is applied corresponding to the center position of the first magnet 141 and the second magnet 142.

첨가물질층(173)의 원궤도(175) 상에서의 점유비율은 카본과의 혼합비율에 대응되기 때문에 적용하고자 하는 첨가물질의 혼합비율에 따라 첨가물질층(173)의점유 영역을 적절하게 적용하면 된다. The occupation ratio of the additive material layer 173 on the circular trajectory 175 corresponds to the mixing ratio with the carbon, so that the occupied area of the additive material layer 173 may be appropriately applied according to the mixing ratio of the additive material to be applied .

이러한 스퍼터링 타겟체(170)는 스터터링 과정에서 도 4에 도시된 바와 같이 제1자석(141)과 제2자석(142)의 자력선 분포 영역 중 자력이 가장 집중되는 제1자석(141)과 제2자석(142)의 중간 부분의 식각이 가장 빠르게 진행되기 때문에 첨가물질층(173)과 카본과의 혼합 비율에 대한 조정이 보다 정밀하게 이루어질 수 있다.4, in the stuttering process, the sputtering target body 170 is divided into a first magnet 141 and a second magnet 142, in which magnetic force is most concentrated among magnetic force line distribution regions of the first magnet 141 and the second magnet 142, Since the etching of the intermediate portion of the two-magnets 142 is the fastest, the adjustment of the mixing ratio of the additive material layer 173 and the carbon can be made more precisely.

첨가물질층(173)은 경도를 강화하기 위해 Ti, Ni, Fe, Cr 중 어느 하나의 소재로 형성될 수 있다.The additive material layer 173 may be formed of any one of Ti, Ni, Fe, and Cr to enhance the hardness.

또 다르게는 기판(10)은 Wc, SUS(steel use stainless), Si, 칼코지나이드(Chalcogenide) 중 어느 하나가 형성된 것이 적용되고, 기판(10)과의 접착력을 높이기 위해 첨가물질층은 Cu, SiO2, Cr 중 어느 하나의 소재로 형성될 수 있다.Alternatively, the substrate 10 may be formed of any one of Wc, SUS, Si, and Chalcogenide. In order to increase adhesion with the substrate 10, the additive material layer may include Cu, SiO 2 , and Cr.

또한, 광학용으로 사용하기 위해 적외선 투과율을 높이기 위해 기판(10)은 칼코지나이드(Chalcogenide)로 형성된 것이 적용되고, 첨가물질층(173)은 Se, Sb, Ge, ZnS, ZnSe 중 어느 하나의 소재로 형성될 수 있다.Further, the substrate 10 is formed of chalcogenide, and the additive material layer 173 is formed of any one of Se, Sb, Ge, ZnS, and ZnSe to increase the infrared transmittance for use in optical applications. As shown in FIG.

이러한 스퍼터링 타겟체(170)는 국내 공개특허 제10-2011-0101732호에 게시된 소결장치를 적용하고, 도 5에 도시된 몰드(210)에 진입되는 상부 및 하부 펀치(220)(230) 중 어느 한 측에 첨가물질층(173) 형성영역에 대응되는 관통핀(240)을 장착하고, 몰드(210) 내에 카본 소재를 장착하여 1차 소결과정을 거쳐 도 6에 도시된 1차 소결체(340)를 형성한 다음, 1차 소결체(340)의 관통핀(240)에 대응되게 형성된 관통홀(342) 내에 적용하고자 하는 첨가물질을 투입하여 2차 소결과정을 거쳐 형성된 것을 적당한 크기로 잘라 사용하면된다.The sintering apparatus disclosed in the Japanese Patent Laid-Open No. 10-2011-0101732 is applied to the sputtering target body 170 and the upper and lower punches 220 and 230 that enter the mold 210 shown in FIG. A through hole 240 corresponding to a region where the additive material layer 173 is formed is mounted on either side and a carbon material is mounted in the mold 210 to perform a first sintering process to obtain a first sintered body 340 And then the additive material to be applied is put into the through hole 342 formed corresponding to the through-fin 240 of the first sintered body 340. The second material is sintered and cut to an appropriate size do.

바람직하게는 스퍼터링 타겟체(170)의 직경은 3인치이고, 제1스테이지(110)와 제2스테이지(130)의 이격거리는 9 내지 11인치가 적용된다.Preferably, the diameter of the sputtering target body 170 is 3 inches, and the distance between the first stage 110 and the second stage 130 is 9 to 11 inches.

더욱 바람직하게는 제1스테이지(110)와 제2스테이지(130)의 이격거리는 10인치가 적용된다.More preferably, the distance between the first stage 110 and the second stage 130 is 10 inches.

또한, 제2스테이지(130)에 인가되는 바이어스 전압은 150 내지 200V가 적용된다.In addition, a bias voltage applied to the second stage 130 is 150 to 200V.

제조과정에서는 기판(10)을 장착 후 기판(10)에 부착된 산화막을 제거하거나 세정하기 위해 아르곤을 51 Sccm, 바이어스 인가전압을 1200V로 유지한 상태에서 150초 동안 초기 세정과정을 거친 후, 아르곤을 200 Sccm, 챔버 내부를 3.5밀리 토르(Torr), 바이어스 인가전압을 150 내지 200V로 유지한 상태에서 복합 DLC막(30)을 형성하면 된다. 또한, 챔버(110) 내부는 상온에서 400℃ 범위 내에서 적절한 온도를 적용하면 된다.In order to remove or clean the oxide film adhered to the substrate 10 after the substrate 10 is mounted, the substrate is subjected to an initial cleaning process with 150 Sccm of argon and a bias voltage of 1200 V for 150 seconds, The mixed DLC film 30 may be formed in a state in which the inside of the chamber is maintained at 3.5 milliTorr (Torr) and the bias applied voltage is maintained at 150-200V. The inside of the chamber 110 may be suitably applied within a range of room temperature to 400 ° C.

이러한 제조과정을 거치면, 기판(10) 위에 적용하고자 하는 첨가원소가 함유된 DLC 박막(30)이 형성된다. Through such a manufacturing process, the DLC thin film 30 containing the additive element to be applied is formed on the substrate 10.

이상에서 설명된 다성분계 복합 DLC 제조방법에 의하면, 경도, 밀착력, 적외선 투과율 등 원하는 물리적 특성을 조정하는 첨가물질이 카본에 포함된 박막을 제조할 수 있는 장점을 제공한다.According to the method for producing a multi-component complex DLC described above, an additive material for adjusting desired physical properties such as hardness, adhesion, infrared transmittance and the like can be produced.

110: 챔버 120: 제1스테이지
130: 제2스테이지 141: 제1자석
142: 제2자석 150: 바이어스 인가부
160: 가스공급부110: chamber 120: first stage
130: second stage 141: first magnet
142: second magnet 150: bias applying section
160: gas supply unit

Claims (7)

챔버와, 상기 챔버 내에 마련된 제1스테이지와, 상기 제1스테이지와 이격되어 대향되게 설치되며 스퍼터링 타겟체가 장착되는 제2스테이지와, 상기 제2스테이지의 중앙에 마련된 제1자석과, 상기 제1자석과 이격되되 상기 제1자석과 극성이 다른 제2자석이 형성된 자력발생부와, 상기 제2스테이지에 바이어스를 인가하는 바이어스 인가부 및 상기 챔버내에 아르곤가스를 공급하는 가스 공급부를 갖는 스퍼터링 장비에 의해 상기 제1스테이지에 장착된 기판위에 박막을 형성하는 방법에 있어서,
상기 스퍼터링 타겟체는 상기 제1자석과 제2자석의 사이영역에 대향되는 부분에 첨가물질로 된 첨가물질층이 형성되어 있고, 상기 첨가물질층 이외의 부분은 카본소재로 형성된 것을 적용하는 것을 특징으로 하는 다성분계 복합 DLC 제조방법.A sputtering apparatus comprising: a chamber; a first stage provided in the chamber; a second stage opposed to the first stage and mounted with a sputtering target body; a first magnet provided at the center of the second stage; By a sputtering device having a magnetic force generating portion which is separated from the first magnet and has a polarity different from that of the first magnet, a bias applying portion for applying a bias to the second stage, and a gas supplying portion for supplying argon gas into the chamber A method of forming a thin film on a substrate mounted on a first stage,
The sputtering target body is formed with an additive material layer made of an additive material at a portion facing the region between the first magnet and the second magnet and a portion other than the additive material layer made of a carbon material By weight. 제1항에 있어서, 상기 첨가물질층은 Ti, Ni, Fe, Cr 중 어느 하나의 소재로 형성된 것을 특징으로 하는 다성분계 복합 DLC 제조방법.The method of claim 1, wherein the additive material layer is formed of any one of Ti, Ni, Fe, and Cr. 제1항에 있어서, 상기 기판은 Wc, SUS(steel use stainless), Si, 칼코지나이드(Chalcogenide) 중 어느 하나가 형성된 것이 적용되고, 상기 첨가물질층은 Cu, SiO2, Cr 중 어느 하나의 소재로 형성된 것을 특징으로 하는 다성분계 복합 DLC 제조방법.The method of claim 1, wherein the substrate is formed of one of Wc, SUS, Si, and Chalcogenide, and the additive material layer is one of Cu, SiO 2 , and Cr Wherein the multi-component complex DLC film is formed of a material having a specific gravity. 제1항에 있어서, 상기 기판은 칼코지나이드(Chalcogenide)로 형성된 것이 적용되고, 상기 첨가물질층은 Se, Sb, Ge, ZnS, ZnSe 중 어느 하나의 소재로 형성된 것을 특징으로 하는 다성분계 복합 DLC 제조방법.The multi-component complex DLC according to claim 1, wherein the substrate is formed of chalcogenide, and the additive material layer is formed of any one of Se, Sb, Ge, ZnS and ZnSe. Gt; 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 스퍼터링 타겟체의 직경은 3인치이고, 상기 제1스테이지와 상기 제2스테이지의 이격거리는 9 내지 11인치인 것을 특징으로 하는 다성분계 복합 DLC 제조방법.The multi-component complex DLC according to any one of claims 1 to 4, wherein the diameter of the sputtering target body is 3 inches, and the distance between the first stage and the second stage is 9 to 11 inches. Way. 제5항에 있어서, 상기 제2스테이지에 인가되는 바이어스 전압은 150 내지 200V인 것을 특징으로 하는 다성분계 복합 DLC 제조방법.6. The method of claim 5, wherein the bias voltage applied to the second stage is between 150 and 200V. 제6항에 있어서, 상기 스퍼터링 타겟체의 중앙을 중심으로 상기 첨가물질층은 동일 이격 거리에 원궤도 상에 상호 이격되게 복수개 형성된 것을 특징으로 하는 다성분계 복합 DLC 제조방법.


7. The method of claim 6, wherein a plurality of the additive material layers are spaced apart from each other on the circular orbital at the same distance from the center of the sputtering target body.


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