KR20160075022A - 몰리브덴 합금막 및 인듐 산화막 식각액 조성물 및 그 조성물을 사용하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 - Google Patents
몰리브덴 합금막 및 인듐 산화막 식각액 조성물 및 그 조성물을 사용하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 Download PDFInfo
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-
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Abstract
본 발명은 조성물 총 중량에 대하여, A) 과산화수소(H2O2) 5 내지 25중량%; B) 함불소화합물 0.1 내지 2중량%; C) 비시날 디올을 함유하는 카르복시산 화합물 0.5 내지 5중량%; D) 술폰산계 화합물 0.01 내지 5중량%; E) 부식방지제 0.1 내지 3중량%; 및 F) 물 잔량을 포함하는 것을 특징으로 하는 몰리브덴 합금막, 인듐 산화막, 또는 몰리브덴 합금막과 인듐 산화막의 다중막용 식각액 조성물 및 상기 조성물을 이용한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법을 제공한다.
Description
본 발명은 초박막 액정표시장치(TFT-LCD)의 화소전극에 사용되는 몰리브덴 합금막, 인듐 산화막 또는 몰리브덴 합금막과 인듐 산화막의 다중막의 식각 공정 시 사용되는 식각액 조성물 및 상기 식각액 조성물을 사용하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것이다.
반도체 장치 및 TFT-LCD 등의 액정표시장치의 화소전극에는 몰리브덴 합금막 및 인듐 산화막의 단일막 또는 몰리브덴 합금막과 인듐 산화막의 다중막이 사용된다. 상기 화소전극은 일반적으로 스퍼터링 등의 방법을 통해 기판상에 적층시키고, 그 위에 포토레지스트를 균일하게 도포한 다음, 패턴이 새겨진 마스크를 통하여 빛을 조사한 후 현상을 통하여 원하는 패턴의 포토레지스트를 형성시킨 다음, 건식 또는 습식 식각으로 포토레지스트 하부에 있는 금속막에 패턴을 전사한 후, 필요없는 포토레지스트를 박리 공정에 의해 제거하는, 일련의 리소그래피(lithography) 공정을 거쳐 완성된다.
상기 몰리브덴 합금막 및 인듐 산화막의 식각을 동일한 식각액으로 실시하는 경우 제조 공정을 간소화시킬 수 있으나, 일반적으로 몰리브덴 합금막은 내화학성이 우수하여 습식 식각이 용이하지 않다는 문제점이 있으며, 또한 인듐 산화막을 식각하기 위한 옥살산 계열의 식각액으로는 몰리브덴 합금막을 식각하지 못한다는 문제점이 있다.
종래 기술로서 대한민국 공개특허 제10-2014-0025817호는 과산화수소 5 내지 25중량%; 불소화합물 0.1 내지 2 중량%; 술폰산기를 갖는 화합물 0.001 내지 2 중량%; 부식방지제 0.1 내지 2 중량%; 보조산화제 0.01 내지 1 중량%; 과수안정제 0.1 내지 5 중량% 및 전체 조성물 총 중량이 100중량%가 되도록 물을 포함하는 몰리브덴 합금막, 인듐 산화막 또는 몰리브덴 합금막과 인듐 산화막의 다중막용 식각액 조성물을 개시하고 있다. 그러나 상기 조성물은 몰리브덴 합금막과 인듐 산화막에 대한 식각속도가 충분하지 못하다는 단점을 갖는다.
대한민국 공개특허 제10-2014-0025817호
본 발명은 종래기술의 상기와 같은 문제를 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 몰리브덴 합금막과 인듐 산화막에 대한 식각속도가 우수하며, 하부의 구리계 금속막을 어텍하지 않는 몰리브덴 합금막, 인듐 산화막, 또는 몰리브덴 합금막과 인듐 산화막의 다중막용 식각액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 몰리브덴 합금막과 인듐 산화막의 다중막을 일괄식각이 가능한 몰리브덴 합금막, 인듐 산화막, 또는 몰리브덴 합금막과 인듐 산화막의 다중막용 식각액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 상기 식각액 조성물을 사용하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 조성물 총 중량에 대하여,
A) 과산화수소(H2O2) 5 내지 25중량%;
B) 함불소화합물 0.1 내지 2중량%;
C) 비시날 디올을 함유하는 카르복시산 화합물 0.5 내지 5중량%;
D) 술폰산계 화합물 0.01 내지 5중량%;
E) 부식방지제 0.1 내지 3중량%; 및
F) 물 잔량을 포함하는 것을 특징으로 하는 몰리브덴 합금막, 인듐 산화막, 또는 몰리브덴 합금막과 인듐 산화막의 다중막용 식각액 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은
a)기판 상에 게이트 배선을 형성하는 단계;
b)상기 게이트 배선을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;
c)상기 게이트 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계;
d)상기 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및
e)상기 드레인 전극에 연결된 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 있어서,
상기 e)단계는 기판 상에 몰리브덴 합금막, 인듐 산화막, 또는 몰리브덴 합금막과 인듐 산화막의 다중막을 형성하고 상기 형성된 막을 상기 본 발명의 식각액 조성물로 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은
상기 본 발명의 식각액 조성물을 사용하여 식각된 화소전극을 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판을 제공한다.
본 발명의 식각액 조성물은 몰리브덴 합금막과 인듐 산화막에 대한 식각속도가 우수하며, 하부의 구리계 금속막을 어텍하지 않으므로 화소전극의 형성에 유용하게 사용될 수 있다.
또한, 본 발명의 몰리브덴 합금막, 인듐 산화막, 또는 몰리브덴 합금막과 인듐 산화막의 다중막용 식각액 조성물은 몰리브덴 합금막과 인듐 산화막의 다중막을 일괄식각할 수 있기 때문에 화소전극의 형성시 공정효율을 크게 향상시키는 효과를 제공한다.
본 발명은 조성물 총 중량에 대하여, A) 과산화수소(H2O2) 5 내지 25중량%; B) 함불소화합물 0.1 내지 2중량%; C) 비시날 디올(vicinal diol)을 함유하는 카르복시산 화합물 0.5 내지 5중량%; D) 술폰산계 화합물 0.01 내지 5중량%; E) 부식방지제 0.1 내지 3중량%; 및 F) 물 잔량을 포함하는 것을 특징으로 하는 몰리브덴 합금막, 인듐 산화막, 또는 몰리브덴 합금막과 인듐 산화막의 다중막용 식각액 조성물에 관한 것이다.
본 발명에 있어서, 상기 몰리브덴 합금막은 예컨대, 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 크롬(Cr), 니켈(Ni) 및 네오디늄(Nd) 등으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상과 몰리브덴의 합금막을 의미한다. 구체적으로 몰리브덴-티타늄 합금막 또는 몰리브덴-코발트 합금막을 들 수 있다. 상기 인듐 산화막으로는 투명전도막으로서 인듐아연산화막(IZO) 또는 인듐주석산화막(ITO)을 들 수 있다.
상기 몰리브덴 합금막과 인듐 산화막의 다중막은 몰리브덴 합금막과 인듐 산화막으로 이루어지는 이중막 이상의 막을 의미한다.
본 발명에서 있어서, 상기 A) 과산화수소는 주 산화제로 작용한다. 상기 과산화수소는 조성물의 총 중량에 대하여 5 내지 25중량% 포함될 수 있으며, 바람직하게는 10 내지 20중량%, 보다 바람직하게는 12 내지 18중량%로 포함된다.
과산화수소가 5 중량% 미만으로 포함될 경우 몰리브덴 합금의 산화력이 충분하지 못하여 식각이 이루어지지 않을 수 있고, 25중량%를 초과하여 포함되는 경우 화소전극 하부막 등에 과도한 식각을 발생시킬 수 있으며, 식각속도가 너무 빨라져 공정상 제어가 어려워져 바람직하지 못하다.
상기 B) 함불소화합물은 몰리브덴 합금막, 인듐 산화막 또는 몰리브덴 합금막과 인듐 산화막의 다중막에 대해 주 식각제로서 작용하며 식각 속도 증가 및 잔사 제거의 작용을 한다.
상기 함불소화합물은 해리되어 F-나 HF2 -를 낼 수 있는 화합물이며, 예컨대, HF, NaF, KF, AlF3, HBF4, NH4F, NH4HF2, NaHF2, KHF2 및 NH4BF4 등으로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으며, 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
상기 함불소화합물은 조성물의 총 중량에 대하여 0.1 내지 2중량%로 포함될수 있으며, 바람직하게는 0.1 내지 1.5중량%로 포함된다. 함불소화합물이 0.1중량% 미만으로 포함되는 경우 식각 속도가 느려지고 식각 후 몰리브덴 합금막, 인듐 산화막, 또는 몰리브덴 합금막과 인듐 산화막의 다중막의 잔사가 발생할 수 있고, 2 중량%를 초과하여 포함되는 경우 하부막인 절연막 및 소스 드레인 전극을 이루는 구리막에 대해 과도하게 식각 작용을 할 수 있으므로 바람직하지 못하다.
상기 C) 비시날 디올을 함유하는 카르복시산 화합물은 몰리브덴 합금막, 인듐 산화막, 또는 몰리브덴 합금막과 인듐 산화막의 다중막의 식각속도를 향상시키는 기능을 한다.
상기 비시날 디올을 함유하는 카르복시산 화합물은 조성물 총 중량에 대하여 0.5 내지 5중량%로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 1 내지 3중량%로 포함될 수 있다. 상기 비시날 디올을 함유하는 카르복시산 화합물이 0.5중량% 미만으로 포함되는 경우, 몰리브덴 합금막, 인듐 산화막, 또는 몰리브덴 합금막과 인듐 산화막의 다중막의 식각속도 증가를 기대하기 어려우며, 5중량%를 초과하여 포함되는 경우는 인듐산화막의 식각속도가 지나치게 증가하여 패턴균일성을 확보하기 어려운 문제가 야기될 수 있어 바람직하지 않다.
상기 C) 비시날 디올을 함유하는 카르복시산 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물일 수 있다:
[화학식 1]
상기 식에서
n은 1~6의 정수이다.
구체적으로, 상기 화학식 1의 화합물은 하기 화학식들로부터 선택되는 어느 하나일 수 있다:
상기 D) 술폰산계 화합물은 몰리브덴 합금막, 인듐합금막, 구리막 및 글라스의 식각속도를 향상시키는 역할을 하나, 구리막 및 글라스 대비, 상대적으로 몰리브덴 합금막 및 인듐합금막의 식각속도를 보다 향상시키는 역할을 수행한다.
상기 술폰산계 화합물로는 알킬술폰산, 알킬디술폰산, 알킬벤젠술폰산, 알킬페닐에테르디술폰산, 알킬나프탈렌술폰산, 나프탈렌술폰산, 나프탈렌디술폰산, 포름알데히드와 나프탈렌 술폰산의 중합체, 아크릴아미도메틸프로판술폰산의 중합체, 아크릴산과 아크릴아미도메틸프로판술폰산의 공중합체 및 비닐벤젠술폰산중합체로부터 선택되는 술폰산기 또는 그 염을 갖고 있는 화합물을 들 수 있으며, 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상의 조합으로 사용될 수 있다. 상기 술폰산계 화합물중에서, 조성물내의 안정성, 식각 성능 및 경제적인 면에서 파라톨루엔술폰산 및 메탄술폰산이 바람직하다.
상기 술폰산계 화합물은 0.01 내지 5중량%로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 0.1 내지 3중량%로 포함될 수 있다. 상기 술폰산계 화합물이 0.01중량% 미만으로 포함되는 경우에는 몰리브덴 합금막의 식각속도가 충분히 향상되지 못하며, 5중량%를 초과하는 경우는 인듐산화막의 지나친 식각에 의해 패턴 균일성 확보가 곤란해질 수 있어 바람직하지 않다.
상기 E) 부식방지제는 화소전극 식각 공정 중에서 화소전극과 소스/드레인 전극의 컨택홀과 절연막의 크랙에 의해서 발생할 수 있는, 소스/ 드레인 전극 등 하부막으로 사용되는 구리막의 식각을 방지하는 작용을 한다.
상기 부식방지제로는 고리 헤테로 방향족 화합물, 고리 헤테로 지방족 화합물, 방향족 다가알콜 및 직쇄구조 다가알콜류로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 들 수 있으며, 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상의 조합으로 사용될 수 있다.
상기 고리 헤테로 방향족 화합물로는 퓨란, 티오펜, 피롤, 옥사졸, 티아졸, 이미다졸, 피라졸, 트리아졸, 테트라졸, 벤조퓨란, 벤조티오펜, 인돌, 벤조티아졸, 벤조이미다졸, 벤조피라졸, 아미노테트라졸, 메틸테트라졸, 톨루트리아졸, 하이드로톨루트리아졸, 하이드록시톨루트리아졸 등을 들 수 있으며; 상기 고리 헤테로 지방족 화합물로는 피페라진, 메틸피페라진, 하이드록실에틸피페라진, 피롤리딘, 알록산 등을 들 수 있다.
상기 방향족 다가알코올로는 갈산, 메틸갈레이트, 에틸갈레이트, 프로필갈레이트, 부틸갈레이트 등을 들 수 있으며, 상기 직쇄구조 다가알코올로는 글리세롤, 에리스리톨, 솔비톨, 마니톨, 자일리톨 등을 들 수 있다.
상기 부식방지제는 조성물 총 중량에 대하여, 0.1 내지 3중량%로 포함될 수일 수있으며, 바람직하게는 0.5 내지 1.5 중량%로 포함될 수 있다. 부식방지제가 0.1 중량% 미만으로 포함될 경우 구리막에 대한 부식방지 성능이 충분하지 않아 하부 구리막의 부식을 막기 어렵고, 3중량%를 초과하여 포함되는 경우 구리막에 대한 부식방지 성능은 우수하나 화소전극을 이루는 몰리브덴 합금막, 인듐 산화막, 또는 몰리브덴합금막과 인듐 산화막의 다중막에 대한 식각 속도가 저하될 수 있다.
본 발명에서 부식방지제로는 이미다졸, 피라졸, 트리아졸, 테트라졸, 벤조퓨란, 벤조티오펜, 인돌, 벤조티아졸, 벤조이미다졸, 벤조트리아졸, 벤조피라졸, 아미노테트라졸, 메틸테트라졸, 톨루트리아졸, 하이드로톨루트리아졸 및 하이드록시톨루트리아졸로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 아졸계 화합물이 바람직하게 사용될 수 있다. 특히, 구리의 부식방지성, 용해성, 식각균일성, 조성물의 안정성을 고려할 때, 벤조트리아졸 및 그의 유도체가 가장 바람직하게 사용될 수 있다.
상기 E)물은 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 잔량으로 포함된다. 상기 물은 특별히 한정되지 않으나, 탈이온수를 이용하는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 물은 물속에 이온이 제거된 정도를 보여주는 물의 비저항값이 18㏁·㎝ 이상인 탈이온수를 이용하는 것이 좋다.
본 발명의 식각액 조성물은 전술한 성분 외에 G) 인산을 더 포함할 수 있다. 상기 인산은 몰리브덴 합금 및 인듐산화막의 식각 속도를 향상시켜주는 기능을 수행한다. 상기 인산은 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 2중량%로 포함될 수 있다. 인산이 0.1중량% 미만으로 포함되는 경우에는 목적하는 효과를 얻기 어려우며, 2중량%를 초과하여 포함되는 경우에는 몰리브덴 합금 및 인듐산화막의 식각 속도는 추가로 향상시키지 못하는 반면, 부작용으로 PH를 낮추어 글라스의 식각속도가 향상될 수 있어 바람직하지 않다.
본 발명에 따른 식각액 조성물에는 전술한 성분 이외에 통상의 첨가제를 더 첨가할 수 있으며, 첨가제로는 금속이온 봉쇄제, 계면활성제 등을 들 수 있다. 또한, 상기 첨가제는 이에만 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 효과를 더욱 양호하게 하기 위하여, 당 업계에 공지되어 있는 여러 다른 첨가제들을 선택하여 첨가할 수도 있다.
본 발명에서 사용되는 A) 과산화수소(H2O2), B) 함불소화합물, C) 비시날 디올을 함유하는 카르복시산 화합물, D) 술폰산계 화합물, E) 부식방지제 등은 통상적으로 공지된 방법에 의해서 제조가 가능하며, 본 발명의 식각액 조성물은 반도체 공정용의 순도를 가지는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 몰리브덴 합금막, 인듐 산화막, 또는 몰리브덴 합금막과 인듐 산화막의 다중막용 식각액 조성물은 몰리브덴 합금막, 인듐 산화막, 및 몰리브덴 합금막과 인듐 산화막의 다중막을 일괄 식각할 수 있다.
또한, 본 발명은,
a)기판 상에 게이트 배선을 형성하는 단계;
b)상기 게이트 배선을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;
c)상기 게이트 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계;
d)상기 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및
e)상기 드레인 전극에 연결된 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 있어서,
상기 e)단계는 기판 상에 몰리브덴 합금막, 인듐 산화막, 또는 몰리브덴 합금막과 인듐 산화막의 다중막을 형성하고 상기 형성된 막을 상기 본 발명의 식각액 조성물로 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법을 제공한다.
상기 액정표시장치용 어레이 기판은 박막트랜지스터(TFT) 어레이 기판일 수 있다.
또한, 본 발명은
식각액 조성물을 사용하여 식각된 화소전극을 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판을 제공한다.
이하에서, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 하기의 실시예는 본 발명의 범위 내에서 당업자에 의해 적절히 수정, 변경될 수 있다.
실시예
1 내지
실시예
4 및
비교예
1 내지
비교예
7:
식각액
조성물의 제조
하기 표 1에 나타낸 조성에 따라 실시예 1 내지 4, 비교예 1 내지 7의 식각액 조성물을 제조하였다.
유리기판(100mmⅩ100mm)상에 몰리브덴합금막(Mo-Ti)을 증착시키고 상기 몰리브덴합금막 상에 포토리소그래피(photolithography) 공정을 통하여 소정의 패턴을 가진 포토레지스트가 형성되게 하였다.
실시예 1 내지 4, 비교예 1 내지 7의 조성물을 각각 사용하여 몰리브덴합금막에 대하여 식각공정을 실시하였다. 분사식 식각 방식의 실험장비(모델명 : ETCHER(TFT), SEMES사)를 이용하였고, 식각공정시 식각액 조성물의 온도는 약 35℃로 하고, 72초 간 식각을 진행하였다. 육안으로 EPD(End Point Detection, 금속 식각 시점)를 측정하여 시간에 따른 식각 속도(etching rate)를 평가하였다.
또한, 유리기판(100mmⅩ100mm)상에 구리막을 증착시킨 후, 상기 구리막상에 포토리소그래피(photolithography) 공정을 통하여 소정의 패턴을 가진 포토레지스트를 형성하고 상기와 동일한 식각 방법으로 식각하여 구리막의 손상을 SEM(Hitachi사 제품, 모델명 S-4700)을 사용하여 검사하고, side etch 길이/72sec로 계산하여 그 결과를 하기 표 1에 기재하였다.
| 과수 | AF | BTA | PTSA | 화학식 1 | 화학식 2 | 화학식 3 | 인산 | 물 | Mo-Ti 식각 속도 | Cu 손상 | |
| 실시예 1 | 10 | 1 | 1 | 3 | 3 | - | 잔량 | ○ | ○ | ||
| 실시예 2 | 10 | 1 | 1 | 3 | 3 | 1 | 잔량 | ◎ | ○ | ||
| 실시예 3 | 10 | 1 | 1 | 3 | 1 | - | 잔량 | ○ | ○ | ||
| 실시예 4 | 10 | 1 | 1 | 3 | - | 3 | - | 잔량 | ○ | ○ | |
| 비교예 1 | - | 1 | 1 | 3 | 3 | - | 잔량 | × | ◎ | ||
| 비교예 2 | 10 | - | 1 | 3 | 3 | - | 잔량 | × | ○ | ||
| 비교예 3 | 10 | 1 | - | 3 | 3 | - | 잔량 | ○ | × | ||
| 비교예 4 | 10 | 1 | 1 | - | 3 | - | 잔량 | △ | ○ | ||
| 비교예 5 | 10 | 1 | 1 | 3 | - | - | - | 잔량 | △ | ○ | |
| 비교예 6 | 10 | 1 | 1 | 3 | - | 3 | - | 잔량 | × | ○ | |
| 비교예 7 | 10 | 1 | 1 | - | - | - | - | 잔량 | × | ○ |
(단위:중량%)
주)
AF: 불화암모늄
BTA: 벤조트리아졸
PTSA: 파라톨루엔술폰산
[화학식 2]
[화학식 3]
[화학식 4]
<
Mo
-
Ti
식각속도
평가 기준 >
◎: 35℃ 72초 간 식각에 의한 side etch가 0.3um이상
○: 35℃ 72초 간 식각에 의한 side etch가 0.2~0.3um.
△: 35℃ 72초 간 식각에 의한 side etch가 0.1~0.2um.
Х: 35℃ 72초 간 식각에 의한 side etch가 0.1um이하
<
Cu
막 손상 평가 기준 >
◎:구리막 식각속도가 2 Å/sec 미만
○: 구리막 식각속도가 2~5 미만 2 Å/sec
△: 구리막 식각속도가 5~10 미만 2 Å/sec
Х: 구리막 식각속도가 10 2 Å/sec 초과
상기 표 1에서 확인되는 바와 같이, 비시날 디올을 함유하는 카르복시산 화합물을 포함한 본 발명의 식각액 조성물은 모두 몰리브덴합금막(Mo-Ti)의 식각속도가 우수하였으며, 하부막인 구리막의 어텍 방지력도 우수하였다. 반면, 인용발명의 식각액 조성물들은 모두 몰리브덴합금막(Mo-Ti)의 식각속도 또는 구리막의 어텍 면에서 부족한 특성을 보였다.
Claims (11)
- 조성물 총 중량에 대하여,
A) 과산화수소(H2O2) 5 내지 25중량%;
B) 함불소화합물 0.1 내지 2중량%;
C) 비시날 디올을 함유하는 카르복시산 화합물 0.5 내지 5중량%;
D) 술폰산계 화합물 0.01 내지 5중량%;
E) 부식방지제 0.1 내지 3중량%; 및
F) 물 잔량을 포함하는 것을 특징으로 하는 몰리브덴 합금막, 인듐 산화막, 또는 몰리브덴 합금막과 인듐 산화막의 다중막용 식각액 조성물. - 청구항 1에 있어서,
상기 C) 비시날 디올을 함유하는 카르복시산 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 몰리브덴 합금막, 인듐 산화막, 또는 몰리브덴 합금막과 인듐 산화막의 다중막용 식각액 조성물:
[화학식 1]
상기 식에서
n은 1~6의 정수이다. - 청구항 1에 있어서,
상기 화학식 1의 화합물은 하기 화학식들로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 몰리브덴 합금막, 인듐 산화막, 또는 몰리브덴 합금막과 인듐 산화막의 다중막용 식각액 조성물:
- 청구항 1에 있어서,
상기 B) 함불소화합물은 HF, NaF, KF, AlF3, HBF4, NH4F, NH4HF2, NaHF2, KHF2 및 NH4BF4로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 것인 것을 특징으로 하는 몰리브덴 합금막, 인듐 산화막, 또는 몰리브덴 합금막과 인듐 산화막의 다중막용 식각액 조성물. - 청구항 1에 있어서,
상기 D) 술폰산계 화합물은 알킬술폰산, 알킬디술폰산, 알킬벤젠술폰산, 알킬페닐에테르디술폰산, 알킬나프탈렌술폰산, 나프탈렌술폰산, 나프탈렌디술폰산, 포름알데히드와 나프탈렌 술폰산의 중합체, 아크릴아미도메틸프로판술폰산의 중합체, 아크릴산과 아크릴아미도메틸프로판술폰산의 공중합체 및 비닐벤젠술폰산중합체로부터 선택되는 술폰산기 또는 그 염을 갖고 있는 1종 이상의 화합물인 것을 특징으로 하는 몰리브덴 합금막, 인듐 산화막, 또는 몰리브덴 합금막과 인듐 산화막의 다중막용 식각액 조성물. - 청구항 1에 있어서,
상기 E) 부식방지제는 고리 헤테로 방향족 화합물, 고리 헤테로 지방족 화합물, 방향족 다가알콜 및 직쇄구조 다가알콜류로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 것인 것을 특징으로 하는 몰리브덴 합금막, 인듐 산화막, 또는 몰리브덴 합금막과 인듐 산화막의 다중막용 식각액 조성물. - 청구항 6에 있어서,
상기 고리 헤테로 방향족 화합물은 이미다졸, 피라졸, 트리아졸, 테트라졸, 벤조퓨란, 벤조티오펜, 인돌, 벤조티아졸, 벤조이미다졸, 벤조트리아졸, 벤조피라졸, 아미노테트라졸, 메틸테트라졸, 톨루트리아졸, 하이드로톨루트리아졸 및 하이드록시톨루트리아졸로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 아졸계 화합물인 것을 특징으로 하는 몰리브덴 합금막, 인듐 산화막, 또는 몰리브덴 합금막과 인듐 산화막의 다중막용 식각액 조성물. - 청구항 1에 있어서,
G) 인산 0.1 내지 2중량%를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 몰리브덴 합금막, 인듐 산화막, 또는 몰리브덴 합금막과 인듐 산화막의 다중막용 식각액 조성물. - a)기판 상에 게이트 배선을 형성하는 단계;
b)상기 게이트 배선을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;
c)상기 게이트 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계;
d)상기 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및
e)상기 드레인 전극에 연결된 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 있어서,
상기 e)단계는 기판 상에 몰리브덴 합금막, 인듐 산화막, 또는 몰리브덴 합금막과 인듐 산화막의 다중막을 형성하고 상기 형성된 막을 청구항 1 내지 8 중의 어느 한 항의 식각액 조성물로 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법. - 청구항 9에 있어서,
상기 액정표시장치용 어레이 기판이 박막트랜지스터(TFT) 어레이 기판인 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법. - 청구항 1의 식각액 조성물을 사용하여 식각된 화소전극을 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판.
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| KR20130016068A (ko) * | 2011-08-04 | 2013-02-14 | 동우 화인켐 주식회사 | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 |
| KR20140025817A (ko) | 2012-08-22 | 2014-03-05 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 몰리브덴 합금막 및 인듐 산화막 식각액 조성물 |
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