KR20160072558A - Optical storage apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 빛을 저장하는 소자로 보다 상세하게는 레이저 저항을 저장하는 멤리스터(Memristor) 특성과 빛을 발광하는 다이오드(Laser Diode)가 액티브레이어(Active layer)되어 연계된 반도체 레이어 섹션에 전원 공급 제어를 통해 기존의 스위치를 사용하지 않고도 광 저장이 가능한 소자를 제공하고자 한다.[0001] The present invention relates to a device for storing light, more specifically, a MEMRIER which stores a laser resistance, and a laser diode which emits light, is an active layer, And to provide a device capable of optical storage without using a conventional switch through control.
최근 세계적인 관심사로 떠오르고 있는 메모리 저항 혹은 저항성 메모리의 합성어로 멤리스터(menristor, memory + resistor)가 차세대 기억 소자, 회로 등에 응용되고 있다.Recently, memristors (memory + resistors) have been applied to next-generation memory devices and circuits as a compound word of memory resistors or resistive memories, which is becoming a global concern.
이러한 멤리스터는 전류가 오프된 상태에서도 일련의 사건을 기억하고 저장하는 능력을 이용하여 테라비트 메모리, 신경망 회로 구성에 의한 결함 인정 소자 등 새로운 논리회로 구성을 가능하게 하는 신 개념 소자로서 높은 잠재력 때문에 많은 관심을 받고 있다.This memristor is a new concept device that can construct new logic circuit such as terabits memory and defect recognition device by neural network circuit structure by using the ability to store and store a series of events even when the current is off. I am getting a lot of attention.
그러나, 멤리스터는 전원을 턴온(Turn on) 상태 라인 이상으로 걸어주면 멤리스터는 Ron의 곡선으로 낮은 저항으로 특성화되고, 턴오프(Turn off) 상태 라인 이하로 전원을 걸어 주면 Roff의 곡선으로 높은 저항으로 특성화되고, 다이오드는 항상 양의 전원에서만 동작을 하기 때문에 직렬로 구성되어 제어 포트와 전원 포트 두 개를 만들어 제어와 소스전원을 각각 인가해 주어야 되는 문제점이 있다.However, if the memristor is turned on above the turn-on state line, the memristor is characterized by a low resistance with the curve of Ron, and when the power is applied below the turn off state line, Because the diode is always characterized by a resistor and the diode always operates only on a positive power supply, there is a problem that the control and the source power need to be separately made by making two control ports and power ports by serial configuration.
또한, 유기 발광 다이오드(OLED)와 같은 에너지 절약형 소자에서 유용한 진전이 있지만, 더 나은 가공성 및 성능을 제공하는 데 있어서는 아직도 추가의 개선이 필요하다. 예를 들어, 유기물이 발광하는 OLED에 전기를 통하게 하여 기존의 OLED의 색을 원하는 색으로 바꾸어 반도체 및 디스플레이 제품에서 다양한 색 재현을 용이하게 실행하고자 하는 것이다.There is also useful progress in energy saving devices such as organic light emitting diodes (OLEDs), but further improvements are still needed in providing better processability and performance. For example, it is intended to easily perform various color reproduction in semiconductors and display products by switching the color of an existing OLED to a desired color by passing electricity through an organic light emitting OLED.
본 발명은 Ru(bpy)3]2+(PF6)2, poly(methyl methacrylate), Acetonitrile, N-N Dimethylformalehye 및 주석 아연(Zinc Stannate)를 혼합한 잉크를 이용하여 인쇄전자 기법으로 멤리스터Memristor)와 다이오드(diode) 기능을 동시에 수행하는 단일 액티브 레이어(Active layer)의 반도체 레이어 섹션이 적층된 소자를 통해 별도의 스위치의 스위칭 동작 없이 전원 공급 기반 스위칭을 통해 멤리스터(Memristor) 소자의 동작 전압을 제어하여 광을 저장함으로써 기존의 스위치를 사용하지 않고도 전원 공급 제어를 통해 광을 저장하는 단일 액티브 레이어를 가지는 소자 제작이 수월한 병렬 구조의 광 저장 소자 기술을 제공하고자 한다.The present invention relates to a process for producing an ink composition comprising a mixture of Ru (bpy) 3] 2+ (PF 6 ) 2, poly (methyl methacrylate), Acetonitrile, NN Dimethylformalehye and Zinc Stannate, The semiconductor layer section of a single active layer that simultaneously performs a diode function controls the operating voltage of a memristor element through power supply-based switching without switching operation of a separate switch through a stacked element The present invention provides a parallel-structured optical storage device technology capable of easily fabricating a device having a single active layer storing light through power supply control without using a conventional switch by storing light.
또한, 본 발명은 색 재현 특성이 우수한 양자점(quantum dot, QD) 소재를 이용하여 적응적으로 원하는 색을 픽셀별로 구현 가능한 기술을 제공하고자 한다.In addition, the present invention provides a technology capable of adapting a desired color pixel by pixel using a quantum dot (QD) material having excellent color reproduction characteristics.
본 발명의 일 견지에 따르면, 기판, 상기 기판상에 형성되어 멤리스터Memristor)와 상기 멤리스터의 온(on) 혹은 오프(off) 상태에 따라 광 방출이 제어되는 다이오드(diode)가 연계되어 단일 액티브 레이어(Active layer)된 반도체 레이어 섹션 및 상기 반도체 레이어 섹션 상에 배치된 전극층을 포함하고, 상기 다이오드는 광별 다수의 양자점을 포함함을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display comprising a substrate, a MEMRIER formed on the substrate, and a diode controlled to emit light according to an on or off state of the MEMRIER, A semiconductor layer section that is an active layer, and an electrode layer that is disposed on the semiconductor layer section, and the diode includes a plurality of quantum dots per light.
본 발명은 기존의 스위치를 사용하지 않고도 전원 공급 스위칭 제어를 통해 광 저장이 가능하여 소자 제작이 수월한 광 저장 소자를 제공하는 효과가 있다.The present invention has an effect of providing an optical storage device capable of optical storage through power supply switching control without using a conventional switch, thereby facilitating fabrication of the device.
또한, 본 발명은 본 발명의 멤리스터 기반 소자를 어레이로 구성할 경우 제어블록 없이 원하는 도트 단위로 발광 특성을 저장할 수 있는 플렉시블(flexible) 디스플레이로 사용 가능한 효과가 있다.In addition, the present invention can be used as a flexible display capable of storing light emission characteristics in a desired dot unit without a control block when the memristor-based device of the present invention is configured as an array.
그리고, 본 발명의 멤리스터 기반 소자를 매우 작게 하고 발광지점에 실리콘 웨이브가이드(Silicon Waveguide)를 올리면 광 메모리 등으로 사용이 가능하고, 양자점 소재를 이용하여 기존의 OLED 색을 픽셀별 원하는 색으로 구현 가능한 효과가 있다.The present invention can be used as an optical memory when a silicon waveguide is placed on a light-emitting point with a very small size of a memristor-based device, and a conventional OLED color is converted into a desired color by a pixel using a quantum dot material There is a possible effect.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 광 저장 장치 기반 소자의 구조를 개략적으로 도시한 도면.
도 2는 본 발명의 일 실시 예가 적용되어 제작된 소자를 보인 예시도.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 광 저장 장치 기반 소자의 I-V 특성 곡선을 보인 그래프.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 빛 저장 소자의 Intensity와 Voltage 및 Current의 특성을 보인 그래프.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 광 저장 장치 기반 등가 회로 모델의 예시도.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 광 저장 장치 기반 컬러 SMOLED 제작을 보인 예시도.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 광 저장 장치에 있어서 한 픽셀에 구현하는 RGB SMOLED의 색 저장에 따른 발광 빛 색의 변화를 보인 예시도.
도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 광 저장 장치 기반 소자의 디스플레이 응용의 예시도.1 schematically illustrates a structure of an optical storage device based device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 illustrates an example of a device manufactured by applying one embodiment of the present invention. FIG.
3 is a graph showing an IV characteristic curve of an optical storage device based device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a graph showing characteristics of intensity, voltage, and current of a light storage device according to an exemplary embodiment of the present invention.
5 is an illustration of an optical storage device based equivalent circuit model in accordance with an embodiment of the present invention.
FIG. 6 illustrates an example of fabricating an optical storage device-based color SMOLED according to an embodiment of the present invention; FIG.
FIG. 7 is a diagram illustrating a change in light emission color according to color storage of an RGB SMOLED implemented in one pixel in an optical storage device according to an embodiment of the present invention; FIG.
8 is an illustration of a display application of an optical storage device based device in accordance with an embodiment of the present invention.
이하 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 하기 설명에서는 구체적인 구성 소자 등과 같은 특정 사항들이 나타나고 있는데 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐 이러한 특정 사항들이 본 발명의 범위 내에서 소정의 변형이나 혹은 변경이 이루어질 수 있음은 이 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 자명하다 할 것이다.
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It will be appreciated that those skilled in the art will readily observe that certain changes in form and detail may be made therein without departing from the spirit and scope of the present invention as defined by the appended claims. To those of ordinary skill in the art.
본 발명은 광 저장에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 별도의 스위치의 스위칭 동작 없이 전원 공급 기반 스위칭을 통해 멤리스터(Memristor) 특성과 같은 방법으로 광 방출을 제어하기 위해 멤리스터Memristor)와 다이오드(diode)의 특성이 동시에 존재하는 물질로 프린팅하여 연계된 반도체 레이어 섹션에 있어서, n형 반도체 산화물인 주석 아연(Zinc Stannate) 혼합을 통해 기설정된 전압보다 낮은 전압에서 발광하지 않는 광 저장 특성을 갖는 기존의 스위치를 사용하지 않고도 전원 공급 제어를 통해 광 저장이 가능한 소자를 제공하고자 한다.The present invention relates to an optical storage device, and more particularly, to a light emitting diode (OLED) device, and more particularly, to a light emitting diode ) In a semiconductor layer section which is formed by printing with a material having the same characteristics as that of the n-type semiconductor oxide, and which has an optical storage property that does not emit light at a voltage lower than a predetermined voltage through a zinc- It is desired to provide a device capable of optical storage through power supply control without using a switch.
또한, 본 발명은 발광 특성과 멤리스터 특성을 모두 가지는 물질과 소자에 관한 것으로, 본 발명이 적용된 소자는 인쇄전자 기법으로 제작되어 SMOLED(State Memorizable Organic Light Emitting Device)라고 하고, 반도체 공법으로 만든 경우에는 SMLED(Memorizable Light Emitting Device)라고 정의한다.
The present invention relates to a material and a device having both a luminescent characteristic and a memorizer characteristic. The device to which the present invention is applied is called a state memorizable organic light emitting device (SMOLED) manufactured by a printing electronic technique, Is defined as SMLED (Memorizable Light Emitting Device).
이하, 본 발명의 일 실시 예에 따른 광 저장 장치 기반 소자의 구조를 도 1 및 도 2를 참조하여 자세히 살펴보기로 한다.Hereinafter, a structure of an optical storage device based on an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 2. FIG.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 광 저장 장치 기반 소자의 구조를 개략적으로 도시한 것으로, 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 광 저장 장치 기반 소자는 ITO 코팅판(Glass 또는 PET, 110)에 멤리스터와 LED의 기능을 수행하는 물질이 프린팅(Active layer)된 레이어 섹션(114) 그 위에 전극(electrode, 116)를 만들어 광 저장 장치 기반 소자(112)를 구성한다.FIG. 1 schematically illustrates a structure of an optical storage device based on an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, an optical storage device based device according to an embodiment of the present invention includes an ITO coated substrate Based
이때, 상기 광 저장 장치 기반 소자(112)는, 상술한 바와 같이 인쇄전자 기법으로 제작되어 SMOLED(State Memorizable Organic Light Emitting Devece)라고 하거나, 혹은 반도체 공법으로 제작된 경우 SMLED(State Memorizable Light Emitting Device)라고 정의된다.In this case, the optical storage device-based
더욱 상세하게는, 도 2를 참조하면, 도 2는 본 발명의 일 실시 예가 적용되어 제작된 소자를 보인 것으로, 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 광 저장 장치 기반 소자는, 기판(210), 상기 기판상에 형성되어 복수의 화합물 반도체층을 포함하는 반도체 레이어 섹션(212) 및 상기 반도체 레이어 섹션(212) 상에 배치된 전극층(214)을 포함한다.2, the optical storage device-based device of the present invention includes a substrate 210 (e.g., a
여기서, 상기 반도체 레이어 섹션(212)은 멤리스터Memristor)와 다이오드(diode)가 연계되어 액티브 레이어(Active layer)되고, Ru(bpy)3]2+(PF6)2, poly(methyl methacrylate), Acetonitrile, N-N Dimethylformalehye 및 주석산 아연(zinc stannate) 이 혼합되어 제작된다.Here, the
상기 다이오드는, 광별 다수의 양자점을 포함하고, 발광 다이오드(Light Emitting Device, LED) 혹은 레이저 다이오드(Laser Diode, LD)를 포함하는 유기 전자 소자이다.The diode is an organic electronic device including a plurality of quantum dots for each light and including a light emitting diode (LED) or a laser diode (LD).
또한, 상기 다이오드는 n형 반도체로 주석산 아연(zinc stannate) 산화물을 혼합하여 제작되는 것으로, 상기 주석산 아연은 높은 전도도를 낮추어 우수한 광학적 및 내화학성 특성을 가지도록 한다.In addition, the diode is manufactured by mixing zinc stannate oxide with an n-type semiconductor, and the zinc stannate has high optical and chemical resistance due to its low conductivity.
상기 다수의 양자점은, 적색광 발산 양자점(RED QDs), 황색광 발산 양자점(Yellow QDs) 및 녹색광 발산 양자점(Green QDs)을 포함하고, 본 발명이 적용된 실시 예에서는 양자점 소재를 이용하여 다이오드의 색을 원하는 색으로 바꾸어 제작한다.The plurality of quantum dots includes red light emitting quantum dots (RED QDs), yellow light emitting dienergetic quantum dots (Green QDs), and green light emitting diverging quantum dots (Green QDs). In the embodiment of the present invention, the color of a diode Make the desired color.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 광 저장 장치 기반 컬러 SMOLED 제작을 보인 예시도로서, 도 6에 도시된 바와 같이 기존의 SMOLED 제작을 위한 재료에 양자점(QDs)을 첨가하여 소자를 제작한다.FIG. 6 is a view showing an example of manufacturing an optical storage device-based color SMOLED according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 6, a device is manufactured by adding quantum dots QDs to a material for manufacturing an existing SMOLED .
이와 같이 제작된 컬러 SMOLED를 제작하여 하나의 픽셀에 세 개의 다른 색의 SMOLED를 넣어 제작을 하면 저장된 빛의 색에 따라 원하는 색을 저장할 수 있다.When the color SMOLED manufactured as described above is fabricated by adding three different color SMOLEDs to one pixel, the desired color can be stored according to the stored light color.
즉, 본 발명이 적용된 다이오드는 픽셀별 첨가된 양장점 소재의 해당 광에 따라 적응적으로 색을 저장 및 발산하는 것으로, 도 7에 도시된 바와 같이, 하나의 픽셀에 원하는 색을 구현할 수 있는 양자점 소재를 첨가하여 구현한 세 개의 SMOLED를 구성하여 각각 저장된 색에 따라 생성되는 빛의 색을 나타낸다.That is, the diode to which the present invention is applied is adapted to store and emit colors adaptively according to the light of the color material added to each pixel, and as shown in FIG. 7, a quantum dot material And the color of light generated according to the stored color is displayed.
이때, 상기 양자점은 크기에 따라 광흡수 파장이 제어되어 색이 변한다.At this time, the quantum dots are controlled in light absorption wavelength according to their sizes, and their colors change.
그리고, 상기 다이오드는, 상기 멤리스터와 전기적으로 연계되어 상기 멤리스터의 저항 상태에 따라 제어되는 것으로, 상기 전극층(214)에 기설정된 이상의 전압이 인가되는 경우 턴온(turn on)상태를 저장하여 상기 다이오드로부터 광이 방출되도록 제어하고, 상기 전극층(214)에 기설정된 이하의 전압이 인가되는 경우 턴오프(turn off)상태를 저장하여 상기 다이오드로부터 광 방출이 차단되도록 제어한다.The diode is electrically connected to the memristor and is controlled according to the resistance state of the memristor. When the predetermined voltage is applied to the
더욱 상세하게는, 도 3을 참조하면, 도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 멤리스터 기반 소자의 I-V 특성 곡선을 보인 것으로, 도 3에 도시된 바와 같이, 4V이상의 전원을 걸어 주면 멤리스터는 Turn on 상태를 저장하여 전원이 0 < Voltage < 4V로 인가되면 항상 멤리스터 기반 소자는 도 4(a)와 같이 일정한 사인파의 전압을 걸어 주었을 때 변화하는 전류에 대해 도 4(b)와 같이 빛을 저장할 수 있다.More specifically, referring to FIG. 3, FIG. 3 shows IV characteristic curves of a MEMSister-based device according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 3, 4 (a), when the power source is applied with 0 <Voltage <4 V, the memristor-based device always changes the turn-on state of the sine wave as shown in FIG. 4 Can save light.
그리고 전원을 -4V이하를 인가하면 멤리스터는 Turn off 상태로 저장되고 전원이 0 < Voltage < 4V로 인가되어도 소자는 발광하지 않는 광 저장 특성을 갖는다.
When the power is applied below -4V, the memristor is stored in the turn off state, and the device does not emit light even if the power is applied at 0 <Voltage <4V.
한편, 도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 광 저장 장치 기반 등가 회로 모델을 도시한 것으로, 멤리스터가 온 특성을 가지면 내부 Ron 저항이 커져 발광 다이오드 쪽으로 전류가 흘러 빛을 발광하고, 오프 특성을 가질 때믄 Roff는 커지지만 Ron은 상대적으로 작아져 전류가 저항 쪽으로 흘러 빛이 발광하지 않는다.Meanwhile, FIG. 5 illustrates an equivalent circuit model of an optical storage device according to an embodiment of the present invention. When the memristor has an ON characteristic, the internal Ron resistance increases to cause a current to flow toward the LED, , Roff becomes larger, but Ron becomes relatively smaller, so that the current flows toward the resistor and the light does not emit light.
더불어, 도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 광 저장 장치 기반 소자가 적용된 디스플레이 응용의 예를 보인 것으로, 도 8에 도시된 바와 같이 본 발명의 멤리스터 기반 소자를 어레이로 구성할 경우 플렉시블(flexible) 디스플레이로 사용 가능하며, 특히 제어블록 없이 원하는 도트 단위로 발광 특성을 저장할 수 있다.8 illustrates an example of a display application to which an optical storage device based device according to an exemplary embodiment of the present invention is applied. When the MEMSR based device of the present invention is configured as an array as shown in FIG. 8, flexible display. In particular, it is possible to store emission characteristics in desired dot units without a control block.
또한, 본 발명의 멤리스터 기반 소자를 매우 작게 하고 발광지점에 실리콘 웨이브가이드(Silicon Waveguide)를 올리면 광 메모리 등으로 사용이 가능하다.In addition, if the MEMS-based device of the present invention is made very small and a silicon waveguide is placed at a light emitting point, it can be used as an optical memory or the like.
그리고 플렉시블 면조명으로 현수막, 벽지 등 다양한 조명 장치로 사용 가능하다.
And it can be used for various lighting devices such as banners and wallpaper by flexible surface lighting.
상기와 같이 본 발명에 따른 광 저장 장치에 관한 동작이 이루어질 수 있으며, 한편 상기한 본 발명의 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나 여러 가지 변형이 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 실시될 수 있다. 따라서 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 의하여 정할 것이 아니고 청구범위와 청구범위의 균등한 것에 의하여 정하여져야 할 것이다.
As described above, the operation of the optical storage device according to the present invention can be performed. While the embodiments of the present invention have been described in detail, it should be understood that various changes and modifications may be made without departing from the scope of the present invention. Accordingly, the scope of the present invention should not be limited by the illustrated embodiments, but should be determined by equivalents of the claims and the claims.
210: 기판 212: 반도체 레이어 섹션
214: 전극층210: substrate 212: semiconductor layer section
214: electrode layer
Claims (8)
상기 기판상에 형성되어 멤리스터Memristor)와 상기 멤리스터의 온(on) 혹은 오프(off) 상태에 따라 광 방출이 제어되는 다이오드(diode)가 연계되어 단일 액티브 레이어(Active layer)된 반도체 레이어 섹션 및
상기 반도체 레이어 섹션 상에 배치된 전극층을 포함하고,
상기 다이오드는 광별 다수의 양자점을 포함함을 특징으로 하는 광 저장 장치.Board,
A semiconductor layer section formed on the substrate and formed of a single active layer in association with a MEMSistor and a diode controlled to emit light according to an on or off state of the MEMSistor, And
And an electrode layer disposed on the semiconductor layer section,
Wherein the diode comprises a plurality of quantum dots per light.
Ru(bpy)3]2+(PF6)2, poly(methyl methacrylate), Acetonitrile과 N-N Dimethylformalehye 이 혼합되어 제작됨을 특징으로 하는 광 저장 장치.The semiconductor device according to claim 1,
Ru (bpy) 3] 2+ (PF 6 ) 2, poly (methyl methacrylate), Acetonitrile and NN Dimethylformalehye.
발광 다이오드(Light Emitting Device, LED) 혹은 레이저 다이오드(Laser Diode, LD)를 포함하는 것으로, 상기 멤리스터와 전기적으로 연계되어 상기 멤리스터의 저항 상태와 같이 제어됨을 특징으로 하는 광 저장 장치.2. The device of claim 1,
Wherein the light emitting diode includes a light emitting diode (LED) or a laser diode (LD), and is electrically connected to the memristor so as to be controlled in a resistance state of the memristor.
주석산 아연(zinc stannate) 산화물이 혼합되어 제작됨을 특징으로 하는 광 저장 장치.2. The device of claim 1,
And zinc stannate oxide are mixed with each other.
상기 전극층에 기설정된 이상의 전압이 인가되는 경우 턴온(turn on)상태를 저장하여 상기 다이오드로부터 광이 방출되도록 제어함을 특징으로 하는 광 저장 장치.The apparatus of claim 1, wherein the memristor includes:
And controls the diode to emit light by storing a turn-on state when a predetermined voltage or more is applied to the electrode layer.
상기 전극층에 기설정된 이하의 전압이 인가되는 경우 턴오프(turn off)상태를 저장하여 상기 다이오드로부터 광 방출이 차단되도록 제어함을 특징으로 하는 광 저장 장치.The apparatus of claim 1, wherein the memristor includes:
Wherein the controller controls the diode to stop light emission by storing a turn off state when a predetermined voltage or less is applied to the electrode layer.
적색광 발산 양자점(Red QDs), 황색광 발산 양자점(Yellow QDs) 및 녹색광 발산 양자점(Green QDs)을 포함하고, 크기에 따라 광흡수 파장이 제어됨을 특징으로 하는 광 저장 장치.The method of claim 1, wherein the plurality of quantum dots include:
Wherein the red light emitting diode has red light emitting diodes (Red QDs), yellow light emitting diodes (Yellow QDs) and green light emitting diodes (Green QDs), and the light absorption wavelength is controlled according to the size thereof.
픽셀별 첨가된 양자점 소재의 해당 광에 따라 적응적으로 색을 저장 및 발산 가능함을 특징으로 하는 광 저장 장치.2. The device of claim 1,
Wherein the color is adaptively stored and diverged according to the light of the quantum dot material added per pixel.
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| KR101353146B1 (en) * | 2012-10-08 | 2014-01-22 | 제주대학교 산학협력단 | Apparatus for saving hybrid light using nanostructures |
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-
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| Organic Electrics 11(2010)150-153.* * |
| 물리학과 첨단기술 NOVEMBER 2014, 33-39.* * |
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