KR20160069823A - Conductive structure body and method for manufacturing the same - Google Patents

Conductive structure body and method for manufacturing the same Download PDF

Info

Publication number
KR20160069823A
KR20160069823A KR1020140175916A KR20140175916A KR20160069823A KR 20160069823 A KR20160069823 A KR 20160069823A KR 1020140175916 A KR1020140175916 A KR 1020140175916A KR 20140175916 A KR20140175916 A KR 20140175916A KR 20160069823 A KR20160069823 A KR 20160069823A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
metal layer
less
metal
conductive structure
Prior art date
Application number
KR1020140175916A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
송두훈
윤정환
장성호
박진우
김기환
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Priority to KR1020140175916A priority Critical patent/KR20160069823A/en
Publication of KR20160069823A publication Critical patent/KR20160069823A/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports

Abstract

The present invention relates to a conductive structure which can be chemically and physically stable and can provide the fine width while having excellent electric conductivity, and a manufacturing method thereof. The conductive structure comprises: a transparent conductive layer; a metal layer provided on the transparent conductive layer; and a passivation layer provided on the metal layer.

Description

전도성 구조체 및 이의 제조방법{CONDUCTIVE STRUCTURE BODY AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a conductive structure,

본 명세서는 전도성 구조체 및 이의 제조방법에 관한 것이다.The present disclosure relates to a conductive structure and a method of manufacturing the same.

일반적으로, 터치 패널은 신호의 검출 방식에 따라 다음과 같이 분류할 수 있다. 즉, 직류 전압을 인가한 상태에서 압력에 의해 눌려진 위치를 전류 또는 전압 값의 변화를 통해 감지하는 저항막 방식(resistive type)과, 교류 전압을 인가한 상태에서 캐패시턴스 커플링(capacitance coupling)을 이용하는 정전 용량 방식(capacitive type)과, 자계를 인가한 상태에서 선택된 위치를 전압의 변화로서 감지하는 전자 유도 방식(electromagnetic type) 등이 있다.Generally, the touch panel can be classified as follows according to the signal detection method. That is, a resistive type in which a position depressed by a pressure in a state where a direct current voltage is applied is sensed through a change in a current or a voltage value, and a resistive type in which a capacitance coupling is used in a state in which an alternating voltage is applied There is a capacitive type and an electromagnetic type in which a selected position is sensed as a change in voltage while a magnetic field is applied.

터치 패널의 화면부에는 통상 투명 전극이 사용되고, 배선 전극으로 Ag과 같은 금속이 사용되었다. 최근 터치 패널의 화면의 대형화 요구가 커짐에 따라, 터치 패널의 크기가 동일한 경우 화면이 대형화되기 위하여는 상대적으로 베젤의 폭이 좁아지게 되었다. 따라서, 좁은 폭의 베젤 크기에 부합하는 화면부 전극 및 배선 전극의 개발이 요구되었다.A transparent electrode is usually used for the screen portion of the touch panel, and a metal such as Ag is used for the wiring electrode. In recent years, as the size of the touch panel has increased, the width of the bezel has become relatively narrow in order to enlarge the screen. Therefore, it has been required to develop a screen electrode and a wiring electrode that meet the narrow bezel size.

한국 특허출원 공개 제2010-0070939호Korean Patent Application Publication No. 2010-0070939

본 명세서가 해결하려는 과제는, 전기 전도도가 우수하면서도 화학적 및 물리적으로 안정하고 미세 선폭의 구현이 가능한 전도성 구조체를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a conductive structure which is excellent in electrical conductivity and chemically and physically stable and can realize a fine line width.

본 명세서의 일 실시상태는, 투명 전도성층; 상기 투명 전도성층 상에 구비된 금속층; 및 상기 금속층 상에 구비된 부동태층을 포함하고, 상기 부동태층은 구리-니켈 산화물을 포함하는 전도성 구조체를 제공한다. One embodiment of the present disclosure includes a transparent conductive layer; A metal layer provided on the transparent conductive layer; And a passivation layer disposed on the metal layer, wherein the passivation layer provides a conductive structure comprising copper-nickel oxide.

본 명세서의 일 실시상태는, 투명 전도성층을 준비하는 단계; 상기 투명 전도성층 상에 금속층을 형성하는 단계; 및 상기 금속층 상에 부동태층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 부동태층은 구리-니켈 산화물을 포함하는 상기 전도성 구조체의 제조방법을 제공한다. One embodiment of the present disclosure provides a method of manufacturing a light emitting device, comprising: preparing a transparent conductive layer; Forming a metal layer on the transparent conductive layer; And forming a passivation layer on the metal layer, wherein the passivation layer comprises copper-nickel oxide.

본 명세서의 일 실시상태는, 상기 전도성 구조체를 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다. One embodiment of the present invention provides a display device including the conductive structure.

본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체는 전기 전도도가 우수하면서도 화학적 및 물리적으로 안정한 장점이 있다. The conductive structure according to one embodiment of the present invention has an advantage of being excellent in electric conductivity and being chemically and physically stable.

본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체는 디스플레이 장치와 같은 전자 소자에 적용하는 경우, 공정 환경에 따른 전도성 구조체의 전기 전도도의 하락을 최소화할 수 있는 장점이 있다. When the conductive structure according to one embodiment of the present invention is applied to an electronic device such as a display device, there is an advantage that a decrease in the electrical conductivity of the conductive structure according to the process environment can be minimized.

본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체는 미세 선폭의 구현이 가능하여 디스플레이 장치의 베젤 영역의 배선부에 적용이 가능하여 베젤 영역을 줄일 수 있는 장점이 있다. The conductive structure according to one embodiment of the present invention is advantageous in that the bezel region can be reduced because it can be applied to a wiring portion of a bezel region of a display device because a fine line width can be realized.

도 1 및 도 3은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 적층 구조를 도시한 것이다.
도 2 및 도 4는 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체를 패턴화한 경우의 적층 구조를 도시한 것이다.
도 5는 실시예 1에 따른 전도성 구조체의 내염수 테스트의 전과 후의 상태를 나타낸 것이다.
도 6은 비교예 2에 따른 전도성 구조체의 내염수 테스트의 전과 후의 상태를 나타낸 것이다.
도 7은 실험예 1에 따른 테스트 전과 후의 실시예 및 비교예의 광투과율 변화를 나타낸 것이다.
도 8은 실험예 2에 따른 테스트 전과 후의 실시예 및 비교예의 광반사율의 변화를 나타낸 것이다.
도 9는 실험예 3에 따른 테스트 전과 후의 실시예 및 비교예의 광반사율의 변화를 나타낸 것이다.1 and 3 show a laminated structure of a conductive structure according to an embodiment of the present invention.
Figs. 2 and 4 show a laminated structure in the case of patterning a conductive structure according to an embodiment of the present invention.
Fig. 5 shows the state before and after the salt resistance test of the conductive structure according to Example 1. Fig.
Fig. 6 shows the state before and after the salt-resistance test of the conductive structure according to Comparative Example 2. Fig.
Fig. 7 shows changes in light transmittance of Examples and Comparative Examples before and after the test according to Experimental Example 1. Fig.
Fig. 8 shows changes in the optical reflectance of Examples and Comparative Examples before and after the test according to Experimental Example 2. Fig.
FIG. 9 shows changes in the optical reflectance of Examples and Comparative Examples before and after the test according to Experimental Example 3.

본 명세서에서 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.When a member is referred to herein as being "on " another member, it includes not only a member in contact with another member but also another member between the two members.

본 명세서에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. Whenever a component is referred to as "comprising ", it is to be understood that the component may include other components as well, without departing from the scope of the present invention.

이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

본 명세서의 일 실시상태는, 투명 전도성층; 상기 투명 전도성층 상에 구비된 금속층; 및 상기 금속층 상에 구비된 부동태층을 포함하고, 상기 부동태층은 구리-니켈 산화물을 포함하는 전도성 구조체를 제공한다. One embodiment of the present disclosure includes a transparent conductive layer; A metal layer provided on the transparent conductive layer; And a passivation layer disposed on the metal layer, wherein the passivation layer provides a conductive structure comprising copper-nickel oxide.

도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 적층 구조를 도시한 것이다. 구체적으로, 도 1에 따르면, 상기 전도성 구조체는 투명 전도성층(100) 상에 순차적으로 금속층(200) 및 부동태층(300)이 구비된다. 다만, 도 1의 구조에 한정되지 않고, 추가의 층이 더 구비될 수 있다. 1 shows a laminated structure of a conductive structure according to an embodiment of the present invention. Specifically, referring to FIG. 1, the conductive structure includes a metal layer 200 and a passivation layer 300 sequentially on a transparent conductive layer 100. However, the present invention is not limited to the structure shown in Fig. 1, and an additional layer may be further provided.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 구리-니켈 산화물은 CuxNiyOz로 표시되고, x는 1 이상 3 이하이며, y는 2 이상 4 이하이고, z는 4 이상 6 이하이며, x, y 및 z는 각 원소의 원자 함량일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the copper-nickel oxide is represented by Cu x Ni y O z , x is 1 or more and 3 or less, y is 2 or more and 4 or less, z is 4 or more and 6 or less, x , y and z may be the atomic content of each element.

상기 부동태층은 상기 금속층의 물리적 손상 또는 화학적 손상을 방지할 수 있다. 구체적으로, 상기 부동태층은 상기 전도성 구조체의 최외각에 구비되어, 상기 금속층의 부식을 방지하여 상기 전도성 구조체의 전기 전도도의 저하를 방지할 수 있다. The passivation layer can prevent physical damage or chemical damage to the metal layer. Specifically, the passivation layer is provided at an outermost portion of the conductive structure to prevent corrosion of the metal layer, thereby preventing a decrease in the electrical conductivity of the conductive structure.

상기 전도성 구조체를 디스플레이 장치 등의 전자 소자에 적용하는 경우, 상기 전도성 구조체는 고온 다습한 공정 환경에 노출될 수 있는 바, 이와 같은 환경에서 상기 부동태층은 상기 전도성 구조체의 성능 저하를 효과적으로 방지할 수 있는 장점이 있다. When the conductive structure is applied to an electronic device such as a display device, the conductive structure can be exposed to a high-temperature and high-humidity process environment. In this environment, the passive layer effectively prevents deterioration of the conductive structure There is an advantage.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 부동태층의 두께는 10 ㎚ 이상 80 ㎚ 이하일 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 부동태층의 두께는 20 ㎚ 이상 50 ㎚ 이하일 수 있다. According to one embodiment of the present disclosure, the thickness of the passivation layer may be 10 nm or more and 80 nm or less. Specifically, according to one embodiment of the present disclosure, the thickness of the passivation layer may be 20 nm or more and 50 nm or less.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 부동태층의 두께가 상기 범위 이내인 경우 상기 금속층의 부식을 방지하는 효과가 우수하고, 균일한 선폭 및 두께로 패턴화 하기에 용이하다. 상기 부동태층의 두께가 10 ㎚ 미만인 경우, 상기 금속층의 물리적, 화학적 손상을 충분하게 방지하리 못하는 문제가 발생할 수 있다. 또한, 상기 부동태층의 두께가 80 ㎚ 초과인 경우, 상기 부동태층을 패턴화하기 곤란한 문제가 발생할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, when the thickness of the passivation layer is within the above range, the effect of preventing corrosion of the metal layer is excellent, and it is easy to pattern with a uniform line width and thickness. If the thickness of the passivation layer is less than 10 nm, physical and chemical damage of the metal layer may not be sufficiently prevented. In addition, when the thickness of the passivation layer is more than 80 nm, it may be difficult to pattern the passivation layer.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 부동태층은 25 ℃, 5 질량%의 NaCl 용액의 분무 분위기에서 12 시간 경과시, 상기 부동태층의 광투과율은 600 ㎚ 파장에서 10 % 이내일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the passive layer may have a light transmittance of 10% or less at a wavelength of 600 nm when passed for 12 hours in a spray atmosphere of a 5% by mass NaCl solution at 25 ° C.

상기 부동태층의 광투과율은 상기 금속층과 상기 부동태층의 광투과율일 수 있으며, 광투과율의 측정시 상기 부동태층으로부터 상기 금속층의 방향으로 측정된 것일 수 있다. The light transmittance of the passive layer may be a light transmittance of the metal layer and the passive layer and may be measured in the direction of the passive layer to the metal layer when measuring the light transmittance.

상기 NaCl 용액의 분무 분위기는 상기 부동태층의 내염성을 측정하기 위한 것이며, 상기 과정을 거친 후의 광투과율이 10 % 를 초과하여 상승하는 것은 부동태층의 성질이 크게 변화하여 금속층의 부식을 효과적으로 방지하지 못하는 것을 의미할 수 있다. The spraying atmosphere of the NaCl solution is for measuring the salt resistance of the passive layer. If the light transmittance after the above process exceeds 10%, the property of the passive layer is greatly changed and the corrosion of the metal layer is not effectively prevented It can mean something.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 부동태층은 85 ℃, 상대습도 85 %의 고온-다습의 분위기에서 10일 경과시, 상기 부동태층의 전기 전도도의 변화율은 10 % 이하일 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 부동태층은 상기 고온-다습 분위기에서 10일 경과시, 면저항의 증가율이 10 % 이하일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the passivity layer may have a rate of change of the electrical conductivity of the passive layer of 10% or less at 10 days in a high-temperature and high-humidity atmosphere of 85 ° C and 85% relative humidity. Specifically, according to one embodiment of the present disclosure, the rate of increase of the sheet resistance can be 10% or less at the passage of 10 days in the high-temperature and high-humidity atmosphere.

상기 고온-다습의 분위기는 상기 전도성 구조체의 습기에 대한 내구성을 측정하기 위한 것이며, 상기 고온 다습한 분위기에서 상기 부동태층은 전기 전도도의 변화율이 10 % 를 초과하여 변화하는 것은 부동태층의 성질이 크게 변화하여 금속층의 부식을 효과적으로 방지하지 못하는 것을 의미할 수 있다.The high-temperature and high-humidity atmosphere is for measuring the durability of the conductive structure with respect to humidity. In the high-temperature and high-humidity atmosphere, the rate of change of the electrical conductivity of the passive layer changes by more than 10% And may not effectively prevent corrosion of the metal layer.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 부동태층은 150 ℃의 고온 분위기에서 3시간 경과시, 상기 부동태층의 전기 전도도의 변화율은 10 % 이하일 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 부동태층은 상기 고온 분위기에서 3시간 경과시, 면저항의 증가율이 10 % 이하일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the passivation layer may have a rate of change of the electrical conductivity of the passive layer of 10% or less after 3 hours in a high temperature atmosphere of 150 캜. Specifically, according to one embodiment of the present disclosure, the passivation layer may have an increase rate of sheet resistance of 10% or less at the elapse of 3 hours in the high temperature atmosphere.

상기 고온 분위기는 일반적인 박스 오븐(box oven)을 이용할 수 있으며, 이 때의 상대 습도는 20 % 내외일 수 있다. The high-temperature atmosphere may be a general box oven, and the relative humidity may be about 20%.

상기 고온 분위기는 상기 전도성 구조체의 열에 대한 내구성을 측정하기 위한 것이며, 상기 고온 다습한 분위기에서 상기 부동태층은 전기 전도도의 변화율이 10 % 를 초과하여 변화하는 것은 부동태층의 성질이 크게 변화하여 금속층의 부식을 효과적으로 방지하지 못하는 것을 의미할 수 있다. The high temperature atmosphere is for measuring the durability of the conductive structure to heat, and in the high temperature and high humidity atmosphere, the change rate of the electrical conductivity of the passive layer is changed by more than 10% It may mean that it does not effectively prevent corrosion.

상기와 같은 고온 분위기는 투명 전극층이 ITO 필름인 경우, 투명 전극층을 결정화하는 과정과 동일할 수 있으며, 이와 같은 조건 하에서 상기 금속은 상기 부동태층에 의하여 산화가 억제되어 상기 금속의 면저항 값은 크게 저하되지 않을 수 있다. When the transparent electrode layer is an ITO film, the above-described high-temperature atmosphere may be the same as the crystallization process of the transparent electrode layer. Under these conditions, the metal is inhibited from oxidation by the passivation layer, .

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속은 상기 부동태층과 물리적으로 접하여 구비될 수 있다. 구체적으로, 상기 금속층과 상기 부동태층이 물리적으로 접하여 구비되는 경우, 고온의 환경에서 상기 금속층이 산화되는 것을 상기 부동태층이 방지하여 금속층의 우수한 전기 전도도를 유지시킬 수 있다. According to one embodiment of the present disclosure, the metal may be provided in physical contact with the passive layer. In particular, when the metal layer and the passivation layer are physically in contact with each other, the passivation layer prevents the metal layer from being oxidized in a high temperature environment, thereby maintaining excellent electrical conductivity of the metal layer.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속층은 1 이상의 전도성 라인을 포함하는 금속 패턴층일 수 있다. 구체적으로, 상기 금속 패턴층은 상기 패턴화된 금속층일 수 있다. According to one embodiment of the present disclosure, the metal layer may be a metal pattern layer including at least one conductive line. Specifically, the metal pattern layer may be the patterned metal layer.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 부동태층은 상기 전도성 라인의 적어도 일면 상에 구비되는 것일 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속층이 금속 패턴층인 경우 상기 부동태층은 상기 금속 패턴층의 전도성 라인 상에 구비될 수 있다. 보다 구제적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 부동태층은 상기 금속 패턴층 상에 구비된 부동태 패턴층일 수 있다. According to one embodiment of the present disclosure, the passivation layer may be provided on at least one surface of the conductive line. More specifically, according to an embodiment of the present invention, when the metal layer is a metal pattern layer, the passivation layer may be provided on a conductive line of the metal pattern layer. More reliably, according to one embodiment of the present disclosure, the passivation layer may be a passivation pattern layer provided on the metal pattern layer.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속 패턴층 및 부동태 패턴층은 규칙적 패턴 또는 불규칙적인 패턴을 형성할 수 있다. 구체적으로, 상기 금속 패턴층 및 부동태 패턴층은 패터닝 과정을 통하여 상기 투명 전도성층 상에서 패턴을 형성하며 구비될 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the metal pattern layer and the passivation pattern layer may form a regular pattern or an irregular pattern. Specifically, the metal pattern layer and the passivation pattern layer may be formed by patterning the transparent conductive layer through a patterning process.

구체적으로, 상기 패턴은 삼각형, 사각형 등의 다각형, 원, 타원형 또는 무정형의 형태가 될 수 있다. 상기 삼각형은 정삼각형 또는 직각삼각형 등이 될 수 있고, 상기 사각형은 정사각형, 직사각형 또는 사다리꼴 등이 될 수 있다.Specifically, the pattern may be in the form of a polygon such as a triangle, a rectangle, etc., a circle, an ellipse or an amorphous form. The triangle may be an equilateral triangle or a right triangle, and the rectangle may be a square, a rectangle, a trapezoid, or the like.

상기 규칙적인 패턴으로는 메쉬 패턴 등 당 기술분야의 패턴 형태가 사용될 수 있다. 상기 불규칙 패턴으로는 특별히 한정되지 않으나, 보로노이 다이어그램을 이루는 도형들의 경계선 형태일 수도 있다. 본 출원에서 불규칙 패턴을 사용하는 경우, 불규칙 패턴에 의하여 지향성이 있는 조명에 의한 반사광의 회절 패턴을 제거할 수도 있고, 상기 금속 질화물 패턴층에 의하여 빛의 산란에 의한 영향을 최소화할 수 있어 시인성에 있어서의 문제점을 최소화할 수 있다.As the regular pattern, a pattern form of the related art such as a mesh pattern can be used. The irregular pattern is not particularly limited, but may be a boundary line shape of the Voronoi diagram. When the irregular pattern is used in the present application, the diffraction pattern of the reflected light due to the illumination having the directivity by the irregular pattern can be removed, and the influence of light scattering can be minimized by the metal nitride pattern layer, Thereby minimizing the problem in the case.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 부동태층은 상기 전도성 라인이 상기 투명 전도성층에 인접하는 면의 반대면 상에 구비될 수 있다. According to one embodiment of the present disclosure, the passivation layer may be provided on the opposite side of the surface where the conductive line is adjacent to the transparent conductive layer.

도 2는 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체를 패턴화한 경우의 적층 구조를 도시한 것이다. 구체적으로, 도 2에 따르면, 상기 전도성 구조체는 투명 전도성층(100) 상에 순차적으로 패턴화된 금속층(210) 및 패턴화된 부동태층(310)이 구비된다. 다만, 도 2의 구조에 한정되지 않고, 추가의 층이 더 구비될 수 있다.Fig. 2 shows a laminated structure obtained by patterning a conductive structure according to an embodiment of the present invention. 2, the conductive structure is provided with a metal layer 210 and a patterned passivation layer 310 sequentially patterned on the transparent conductive layer 100. However, the present invention is not limited to the structure shown in Fig. 2, and a further layer may be further provided.

도 2에서 a는 패턴층의 선폭을 의미하고, b는 패턴층의 인접하는 전도성 라인간의 선간격을 의미한다. In Fig. 2, a denotes the line width of the pattern layer, and b denotes the line spacing between adjacent conductive lines of the pattern layer.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속 패턴층의 선폭은 0.1 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하일 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속 패턴층의 선폭은 0.1 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하일 수 있고, 0.1 ㎛ 이상 30 ㎛ 이하일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 상기 금속 패턴층의 선폭은 상기 전도성 구조체의 최종 용도에 따라 설계될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the line width of the metal pattern layer may be 0.1 mu m or more and 100 mu m or less. Specifically, according to one embodiment of the present invention, the line width of the metal pattern layer may be 0.1 μm or more and 50 μm or less, and may be 0.1 μm or more and 30 μm or less, but the present invention is not limited thereto. The line width of the metal pattern layer may be designed according to the end use of the conductive structure.

상기 선폭이 0.1 ㎛ 미만이면 패턴의 구현이 어려울 수 있고, 100 ㎛ 초과이면 폭이 좁은 베젤부에 적용하기에 어려움이 있다. 상기 선폭이 30 ㎛ 이하인 것이 폭이 좁은 베젤부에서 채널 수를 늘릴 수 있어서 화면의 대형화 및 고해상도화에 유리하다.If the line width is less than 0.1 탆, it may be difficult to implement the pattern. If the line width is more than 100 탆, it is difficult to apply the narrow bezel portion. The number of channels can be increased in the narrow bezel portion having a line width of 30 mu m or less, which is advantageous for enlarging the screen and increasing the resolution.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속 패턴층의 선폭은 상기 부동태 패턴층의 선폭에 대하여 80 % 내지 120 % 일 수 있다. 상기 부동태 패턴층의 선폭이 상기 금속 패턴층의 선폭과 동일하거나 그보다 큰 경우, 상기 금속 패턴층의 산화나 부식 방지의 효과를 높일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the line width of the metal pattern layer may be 80% to 120% of the line width of the passivation pattern layer. When the line width of the passivation pattern layer is equal to or larger than the line width of the metal pattern layer, the effect of preventing oxidation or corrosion of the metal pattern layer can be enhanced.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속 패턴층의 인접하는 전도성 라인간의 선간격은 0.1 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하일 수 있다. 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 선간격은 0.1 ㎛ 이상일 수 있고, 더욱 구체적으로 10 ㎛ 이상일 수 있으며, 더욱 더 구체적으로 20 ㎛ 이상일 수 있다. 또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 선간격은 100 ㎛ 이하일 수 있으며, 더욱 구체적으로 30 ㎛ 이하일 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the line spacing between adjacent conductive lines of the metal pattern layer may be 0.1 μm or more and 100 μm or less. According to one embodiment of the present disclosure, the line spacing may be at least 0.1 占 퐉, more specifically at least 10 占 퐉, and even more specifically at least 20 占 퐉. Also, according to one embodiment of the present disclosure, the line spacing may be 100 占 퐉 or less, more specifically 30 占 퐉 or less.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속 패턴층 및 상기 부동태 패턴층은 미세 선폭의 패턴으로 구현될 수 있으므로, 좁은 베젤 영역 내에서 보다 많은 채널을 구현할 수 있는 장점이 있다. According to one embodiment of the present invention, since the metal pattern layer and the passivation pattern layer can be embodied by a fine line width pattern, more channels can be realized in a narrow bezel region.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속층은 구리, 알루미늄, 은, 네오디뮴, 몰리브덴, 니켈, 이들 중 2 이상을 포함하는 합금, 이들 중 1 이상을 포함하는 산화물 및 이들 중 1 이상을 포함하는 질화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함할 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속층은 구리를 포함할 수 있다. 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속 층은 구리로 이루어진 것일 수 있다. 또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속층은 구리를 주성분으로 포함하는 것일 수 있다. 다만, 제조 공정상 불순물을 일부 포함할 수 있다. According to one embodiment of the present disclosure, the metal layer may comprise at least one of copper, aluminum, silver, neodymium, molybdenum, nickel, an alloy comprising at least two of the foregoing, an oxide comprising at least one of the foregoing, ≪ RTI ID = 0.0 > and / or < / RTI > Specifically, according to one embodiment of the present disclosure, the metal layer may comprise copper. According to one embodiment of the present disclosure, the metal layer may be made of copper. According to an embodiment of the present invention, the metal layer may include copper as a main component. However, some impurities may be contained in the manufacturing process.

구리는 전기 전도성이 우수하고 저항이 작아서 투명 전극층의 상부에 배선 전극으로 사용될 수 있다. 그러나, 구리는 활성화 에너지가 낮아서 중성 금속으로 환원되려면 매우 큰 전위값을 가지므로 전자를 얻어 산화되려는 경향이 높다. 그러므로, 투명 전극층의 상부에 구리층만 위치하는 경우 구리층이 산화되거나 부식될 수 있어서 고온 고습의 환경에서 면저항이 높아질 수 있는 문제가 있다. 또한, 투명 전극층에 대한 부착력도 낮고, 표면 강도도 낮아서 기계적인 물성도 좋지 않다.Copper has excellent electrical conductivity and small resistance, so it can be used as a wiring electrode on top of the transparent electrode layer. However, since copper has a very low activation energy and therefore has a very large potential value to be reduced to a neutral metal, there is a high tendency to get electrons to be oxidized. Therefore, if only the copper layer is located on the upper part of the transparent electrode layer, the copper layer may be oxidized or corroded, which may raise the sheet resistance in an environment of high temperature and high humidity. Also, the adhesion to the transparent electrode layer is low and the surface strength is low, and the mechanical properties are also poor.

이와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체는, 구리를 포함하는 금속층과 구리-니켈 산화물을 포함하는 부동태층을 함께 구비하여, 상기 금속층의 산화나 부식을 방지할 수 있다. 그러므로, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체는 화학적인 내구성이 우수하다. 나아가, 상기 전도성 구조체는 기계적인 물성도 우수한 장점이 있다.In order to solve such a problem, a conductive structure according to an embodiment of the present invention includes a metal layer including copper and a passivation layer including copper-nickel oxide to prevent oxidation or corrosion of the metal layer have. Therefore, the conductive structure according to one embodiment of the present specification is excellent in chemical durability. Furthermore, the conductive structure has an advantage of excellent mechanical properties.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속층은 당 기술분야에 알려진 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 예를 들어, 증착(evaporation), 스퍼터링(sputtering), 습식 코팅, 증발, 전해 도금 또는 무전해 도금, 금속박의 라미네이션 등의 방법에 의하여 형성할 수 있다.According to one embodiment of the present disclosure, the metal layer may be formed using methods known in the art. For example, it can be formed by a method such as evaporation, sputtering, wet coating, evaporation, electrolytic plating or electroless plating, and lamination of metal foil.

또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속층을 인쇄방법에 의하여 형성할 수도 있다. 상기 금속층을 인쇄방법에 의하여 형성하는 경우, 금속을 포함하는 잉크 또는 페이스트를 이용할 수 있으며, 상기 페이스트는 금속 이외에, 바인더 수지, 용매, 글래스 프릿 등을 더 포함할 수도 있다.According to an embodiment of the present invention, the metal layer may be formed by a printing method. When the metal layer is formed by a printing method, an ink or a paste containing a metal may be used. In addition to the metal, the paste may further include a binder resin, a solvent, a glass frit, and the like.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속층의 두께는 100 nm 이상일 수 있고, 더욱 구체적으로 150 nm 이상일 수 있다. 또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속층의 두께는 500 nm 이하일 수 있고, 더욱 구체적으로 200 nm 이하일 수 있다. 상기 금속층은 전기 전도도가 두께에 의존하므로 매우 얇으면 연속적인 두께가 형성되지 않아서 비저항 값이 증가하는 문제가 있을 수 있다. 그러므로, 100 nm 이상의 두께인 것이 바람직하다. 또한, 상기 전도성 필름을 터치 패널 등의 내로우 베젤(narrow bezel) 용도로 사용할 경우에도, 상기 금속층의 두께는 100 nm 이상인 것이 바람직하다. According to one embodiment of the present disclosure, the thickness of the metal layer may be 100 nm or more, more specifically 150 nm or more. Further, according to one embodiment of the present invention, the thickness of the metal layer may be 500 nm or less, more specifically 200 nm or less. Since the electrical conductivity of the metal layer depends on the thickness of the metal layer, if the thickness of the metal layer is very thin, the thickness of the metal layer may not be continuously formed. Therefore, it is preferable that the thickness is 100 nm or more. Also, when the conductive film is used for a narrow bezel such as a touch panel, the thickness of the metal layer is preferably 100 nm or more.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 투명 전도성층과 상기 금속층 사이에 추가의 금속층을 더 포함할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, an additional metal layer may be further included between the transparent conductive layer and the metal layer.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 추가의 금속층은 구리, 알루미늄, 네오디뮴, 몰리브덴, 티타늄, 및 니켈로 이루어진 군에서 선택되는 2 이상의 금속을 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 추가의 금속층은 Cu-Ni을 포함할 수 있다. According to one embodiment of the present disclosure, the further metal layer may comprise two or more metals selected from the group consisting of copper, aluminum, neodymium, molybdenum, titanium, and nickel. In particular, the further metal layer may comprise Cu-Ni.

상기 추가의 금속층은 상기 전도성 구조체의 전기 전도도의 저하를 최소화하며, 상기 투명 전도성층과 상기 금속층 간의 부착력을 향상시키는 역할을 할 수 있다.The additional metal layer minimizes deterioration of the electrical conductivity of the conductive structure and may improve the adhesion between the transparent conductive layer and the metal layer.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 구조체의 면저항은 0.1 Ω/□ 이상 1 Ω/□ 이하일 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 구조체의 면저항은 0.1 Ω/□ 이상 0.5 Ω/□ 이하일 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the sheet resistance of the conductive structure may be 0.1? /? And 1? /? Or less. Specifically, according to one embodiment of the present invention, the sheet resistance of the conductive structure may be 0.1? /? And 0.5? /? Or less.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 구조체는 터치 패널 센서, 또는 디스플레이 장치의 베젤부에 적용되는 배선부의 전도성 라인 등에 적용할 수 있다. 최근 터치센서 모듈이 대형화되며, 베젤부의 폭이 좁아지는 경향이 있으므로, 보다 미세하고 전도도가 높은 전도성 패턴층이 필요한 실정이다. 그러므로, 상기 전도성 구조체의 면저항이 상기 범위를 만족하는 경우, 상기 전도성 필름을 소자에 적용하는 경우, 우수한 효력을 발휘할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the conductive structure may be applied to a touch panel sensor or a conductive line of a wiring portion applied to a bezel portion of a display device. Recently, since the touch sensor module becomes larger and the width of the bezel portion tends to be narrower, a conductive pattern layer that is finer and has higher conductivity is required. Therefore, when the sheet resistance of the conductive structure satisfies the above range, it is possible to exert an excellent effect when the conductive film is applied to the device.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 구조체는 기재를 더 포함할 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 투명 전도성층은 상기 기재 상에 구비될 수 있다. According to one embodiment of the present disclosure, the conductive structure may further include a substrate. Specifically, according to one embodiment of the present disclosure, the transparent conductive layer may be provided on the substrate.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 투명 전도성층으로는 투명 전도성 산화물층이 사용될 수 있다. 상기 투명 전도성 산화물로는 인듐 산화물, 아연 산화물, 인듐주석 산화물, 인듐아연 산화물, 인듐아연주석 산화물 및 비결정성 투명 전도성 고분자 등을 사용할 수 있으며, 이들 중 1 종 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 투명 전도성층은 인듐주석산화물층일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, a transparent conductive oxide layer may be used as the transparent conductive layer. As the transparent conductive oxide, indium oxide, zinc oxide, indium tin oxide, indium zinc oxide, indium zinc tin oxide and amorphous transparent conductive polymer may be used. One or more of these may be used together, But is not limited thereto. According to one embodiment of the present disclosure, the transparent conductive layer may be an indium tin oxide layer.

본 명세서의 "투명"이란 가시광선의 투과율이 70 % 이상 또는 80 % 이상인 것을 의미한다.As used herein, the term " transparent "means that the transmittance of a visible ray is 70% or more or 80% or more.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 투명 전도성층의 두께는 15 ㎚ 이상 20 ㎚ 이하일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 상기 투명 전도성층은 전술한 투명 전도성층용 재료를 이용하여 증착 공정 또는 인쇄 공정을 이용하여 형성될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the thickness of the transparent conductive layer may be 15 nm or more and 20 nm or less, but the present invention is not limited thereto. The transparent conductive layer may be formed using a deposition process or a printing process using the material for the transparent conductive layer described above.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 기재는 특별히 한정되지 않으며, 당 기술분야에 알려진 재료를 이용할 수 있다. 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 기재는 투명 기재이면 어느 것이든 무방하며, 예를 들어, 유리 또는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리카보네이트(PC) 또는 폴리아미드(PA)일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the substrate is not particularly limited, and materials known in the art can be used. According to one embodiment of the present disclosure, the substrate may be any transparent substrate, for example, glass or polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), or polyamide (PA).

본 명세서의 일 실시상태는, 투명 전도성층을 준비하는 단계; 상기 투명 전도성층 상에 금속층을 형성하는 단계; 및 상기 금속층 상에 부동태층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 부동태층은 구리-니켈 산화물을 포함하는 상기 전도성 구조체의 제조방법을 제공한다. One embodiment of the present disclosure provides a method of manufacturing a light emitting device, comprising: preparing a transparent conductive layer; Forming a metal layer on the transparent conductive layer; And forming a passivation layer on the metal layer, wherein the passivation layer comprises copper-nickel oxide.

본 명세서의 일 실시상태에 따른 제조방법에 있어서, 상기 금속층 및 상기 부동태층 중 적어도 하나를 패터닝하는 단계를 더 포함할 수 있다. The manufacturing method according to one embodiment of the present invention may further include patterning at least one of the metal layer and the passivation layer.

상기 금속층 및 상기 부동태층을 패턴화하는 방법은 당 기술분야에 알려져 있는 방법을 이용할 수 있으며, 특별히 한정되지 않는다. 예컨대, 금속층의 패턴화를 위하여 포토레지스트 방법을 이용할 수 있다. 구체적으로, 상기 금속층 상에 포토레지스트 패턴을 선택적 노광 및 현상에 의하여 형성하거나, 레지스트 패턴을 인쇄방법에 의하여 형성하고, 레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 레지스트 패턴에 의하여 도포되지 않은 금속층을 선택적으로 식각하는 방법을 이용할 수 있다.The metal layer and the passivation layer may be patterned by any method known in the art without any particular limitation. For example, a photoresist method can be used for patterning the metal layer. Specifically, a photoresist pattern is formed on the metal layer by selective exposure and development, a resist pattern is formed by a printing method, and a metal layer not coated with the resist pattern is selectively etched using the resist pattern as a mask Method can be used.

본 명세서의 일 실시상태에 따른 제조방법에 있어서, 상기 금속층과 상기 부동태층을 동시에 패터닝하는 단계를 더 포함할 수 있다. The manufacturing method according to one embodiment of the present invention may further include patterning the metal layer and the passivation layer simultaneously.

본 명세서의 일 실시상태에 따른 제조방법에 있어서, 상기 동시에 패터닝하는 단계는 에칭액을 이용하여 일괄 에칭하는 것일 수 있다. In the manufacturing method according to one embodiment of the present disclosure, the step of patterning at the same time may be a step of collectively etching using an etchant.

본 명세서의 일 실시상태에 따른 제조방법에 있어서, 상기 금속층이 구리를 포함하는 경우, 상기 금속층과 상기 부동태층은 동일한 에천트를 이용하여 식각을 할 수 있으므로, 상기 금속 질화물 패턴층과 상기 금속 패턴층을 일괄 에칭할 수 있는 장점 또한 가지고 있다. 구체적으로, 상기 에칭액은 Cu 에천트일 수 있으며, 당업계에서 일반적으로 사용되는 Cu 에칭액은 는 제한 없이 사용될 수 있다. In the manufacturing method according to one embodiment of the present invention, when the metal layer includes copper, the metal layer and the passivation layer can be etched using the same etchant, so that the metal nitride pattern layer and the metal pattern It also has the advantage of batch-etching the layer. Specifically, the etchant may be Cu etchant, and a Cu etchant commonly used in the art may be used without limitation.

본 명세서의 일 실시상태는, 상기 전도성 구조체를 포함하는 전자 소자를 제공한다. 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전자 소자는 터치 패널, 발광 유리, 발광 소자, 태양 전지 또는 트랜지스터일 수 있다.One embodiment of the present disclosure provides an electronic device comprising the conductive structure. According to an embodiment of the present invention, the electronic device may be a touch panel, a light emitting glass, a light emitting device, a solar cell, or a transistor.

상기 터치 패널, 발광 유리, 발광 소자, 태양 전지 및 트랜지스터는 당업계에 일반적으로 알려져 있는 것일 수 있으며, 전극을 본 명세서의 투명전극으로 사용한 것일 수 있다. The touch panel, the light emitting glass, the light emitting device, the solar cell, and the transistor may be commonly known in the art, and the electrode may be used as the transparent electrode of the present invention.

본 명세서의 일 실시상태는, 전도성 구조체를 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다.One embodiment of the present disclosure provides a display device comprising a conductive structure.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 구조체는 베젤 영역의 배선부일 수 있다. According to one embodiment of the present disclosure, the conductive structure may be a wiring portion of a bezel region.

본 명세서에서, 디스플레이 장치란 TV나 컴퓨터용 모니터 등을 통틀어 일컫는 말로서, 화상을 형성하는 디스플레이 소자 및 디스플레이 소자를 지지하는 케이스를 포함한다.In this specification, the term " display device " refers to a television, a computer monitor, or the like, and includes a display element for forming an image and a case for supporting the display element.

상기 디스플레이 소자로는 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP), 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display, LCD), 전기영동 디스플레이 (Electrophoretic display) 및 음극선관(Cathode-Ray Tube, CRT), OLED 디스플레이 등을 예로 들 수 있다. 디스플레이 소자에는 화상 구현을 위한 RGB 화소 패턴 및 추가적인 광학 필터가 구비되어 있을 수 있다.Examples of the display device include a plasma display panel (PDP), a liquid crystal display (LCD), an electrophoretic display, a cathode ray tube (CRT), and an OLED display . The display element may be provided with an RGB pixel pattern for image implementation and an additional optical filter.

본 명세서의 일 실시상태는, 상기 전도성 구조체를 포함하는 터치 패널을 제공한다. 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 터치 패널에서 상기 전도성 구조체는 베젤부의 센서 전극으로 사용될 수 있다. 상기 터치 패널은 저항막 방식, 정전 용량 방식 및 전자 유도 방식을 모두 포함할 수 있다. One embodiment of the present disclosure provides a touch panel including the conductive structure. According to an embodiment of the present invention, the conductive structure of the touch panel may be used as a sensor electrode of the bezel. The touch panel may include both a resistive type, a capacitive type, and an electromagnetic induction type.

이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, the present invention will be described in detail by way of examples with reference to the drawings. However, the embodiments according to the present disclosure can be modified in various other forms, and the scope of the present specification is not construed as being limited to the embodiments described below. Embodiments of the present disclosure are provided to more fully describe the present disclosure to those of ordinary skill in the art.

[실시예 1][Example 1]

폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 기재 상에 스퍼터링을 이용하여 20 ㎚ 두께로 형성된 ITO를 준비하였다. 2 mTorr의 아르곤 분위기 하에서 CuNi를 소스 물질로 하여 상기 투명 전도성층 상에 20 ㎚ 두께의 추가의 금속층을 형성하고, 2 mTorr의 아르곤 분위기 하에서 Cu를 소스 물질로 하여 상기 추가의 금속층 상에 100 ㎚ 두께의 금속층을 형성하였다. 나아가, 2 mTorr의 아르곤 및 산소 분위기(산소 40 %) 하에서 CuNi를 소스 물질로 하여 40 ㎚ 두께의 구리-니켈 산화물로 이루어진 부동태층을 형성하여 전도성 구조체를 제조하였다. ITO formed to a thickness of 20 nm was prepared on a polyethylene terephthalate (PET) substrate by sputtering. Forming an additional metal layer of 20 nm thickness on the transparent conductive layer using CuNi as a source material under an argon atmosphere of 2 mTorr and using Cu as a source material under an argon atmosphere of 2 mTorr to form a 100 nm thick Of a metal layer. Further, a passivation layer made of copper-nickel oxide of 40 nm thickness was formed using CuNi as a source material under argon and oxygen atmosphere (oxygen 40%) of 2 mTorr to prepare a conductive structure.

[비교예 1] [Comparative Example 1]

금속층 상에 부동태층을 형성하는 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 전도성 구조체를 제조하였다. A conductive structure was prepared in the same manner as in Example 1, except that a passivation layer was formed on the metal layer.

[비교예 2][Comparative Example 2]

부동태층을 CuNi를 이용하여 40 ㎚ 두께로 형성한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 전도성 구조체를 제조하였다. A conductive structure was prepared in the same manner as in Example 1, except that the passivation layer was formed to a thickness of 40 nm using CuNi.

[실험예 1] - 내염수 테스트 [Experimental Example 1] - Salt water test

상기 실시예 1 및 비교예 2에 따라 제조된 전조성 구조체를 각각 25 ℃, 5 질량%의 NaCl 용액의 분무 분위기에서 12 시간 경과시킨 후의 상태를 측정하였다. The total composition structures prepared according to Example 1 and Comparative Example 2 were measured for 12 hours after spraying in a spraying atmosphere of 5% by mass NaCl solution at 25 캜.

도 5는 실시예 1에 따른 전도성 구조체의 내염수 테스트의 전과 후의 상태를 나타낸 것이다. Fig. 5 shows the state before and after the salt resistance test of the conductive structure according to Example 1. Fig.

도 6은 비교예 2에 따른 전도성 구조체의 내염수 테스트의 전과 후의 상태를 나타낸 것이다.Fig. 6 shows the state before and after the salt-resistance test of the conductive structure according to Comparative Example 2. Fig.

도 5에 따르면, 실시예 1에 따른 전도성 구조체는 내염수 테스트 후에도 부동층 표면의 형상 변화가 거의 나타나지 않는 것을 알 수 있다. 이에 반하여, 도 6에 따르면, 비교예 2에 따른 전도성 구조체는 부동태층의 부재로 인하여 금속층 표면의 부식이 진행되어 표면에 구멍이 뚫린 것을 확인할 수 있다. 이와 같은 결과는 도 7에 따른 광투과율의 변화를 통하여 보다 구체적으로 확인이 가능하다. 5, it can be seen that the conductive structure according to Example 1 shows almost no change in the shape of the surface of the passive layer even after the salt water test. On the contrary, FIG. 6 shows that the conductive structure according to the comparative example 2 is corroded on the surface of the metal layer due to the absence of the passive layer, and thus holes are formed on the surface. This result can be confirmed more specifically through the change of the light transmittance according to FIG.

도 7은 실험예 1에 따른 테스트 전과 후의 실시예 및 비교예의 광투과율 변화를 나타낸 것이다. 구체적으로, 도 7의 결과에 따르면, 실시예 1에 따른 전도성 구조체의 광투과율 변화는 비교예 2에 따른 전도성 구조체의 광투과율 변화에 비하여 현저하게 낮은 것을 알 수 있다. 이와 같은 결과는 실시예 1에 따른 전도성 구조체의 부동태층의 상태의 변화가 적은 것을 의미하며, 이는 부동태층이 금속층의 부식을 보다 효과적으로 방지할 수 있는 것을 의미한다. Fig. 7 shows changes in light transmittance of Examples and Comparative Examples before and after the test according to Experimental Example 1. Fig. Specifically, according to the results of FIG. 7, it can be seen that the change in light transmittance of the conductive structure according to Example 1 is significantly lower than the change in light transmittance of the conductive structure according to Comparative Example 2. This means that the change of the state of the passivation layer of the conductive structure according to Example 1 is small, which means that the passivation layer can more effectively prevent the corrosion of the metal layer.

[실험예 2] - 항온 항습 테스트 [Experimental Example 2] - Constant temperature and humidity test

상기 실시예 1 및 비교예 1, 2에 따라 제조된 전조성 구조체를 각각 85 ℃, 상대습도 85 %의 고온-다습의 분위기에서 10일 경과시킨 후의 상태를 측정하였다. The precondensate structures prepared according to Example 1 and Comparative Examples 1 and 2 were measured for 10 days in a high-temperature and high-humidity atmosphere at 85 ° C and 85% relative humidity, respectively.

구체적으로, 실시예 1에 따른 전도성 구조체의 경우, 상기 테스트 후의 전기 전도도는 10 % 이내로 하락하였다. 또한, 비교예 1에 따른 전도성 구조체의 경우, 상기 테스트 후의 전기 전도도는 50 % 가량 하락하였고, 비교예 2에 따른 전도성 구조체의 경우, 상기 테스트 후의 전기 전도도는 10 % 가량 하락하였다. Specifically, in the case of the conductive structure according to Example 1, the electric conductivity after the test was reduced to within 10%. In the case of the conductive structure according to Comparative Example 1, the electrical conductivity after the test was reduced by about 50%, and in the case of the conductive structure according to Comparative Example 2, the electrical conductivity after the test was reduced by about 10%.

도 8은 실험예 2에 따른 테스트 전과 후의 실시예 및 비교예의 광반사율의 변화를 나타낸 것이다. 구체적으로, 도 8의 결과에 따르면, 부동태층이 구비되지 않은 비교예 1에 따른 전도성 구조체는 광반사율의 변화폭이 매우 큰 것으로 나타나며, 이는 금속층의 물성이 변화하여 전기 전도도가 크게 하락한 것을 의미할 수 있다. 또한, 실시예 1 및 비교예 2에 따른 전도성 구조체의 경우, 광반사율의 변화 정도가 비슷한 정도로 측정되었으며, 이는 상기 전기 전도도의 하락폭이 유사한 것과 관련이 있는 것으로 판단할 수 있다. Fig. 8 shows changes in the optical reflectance of Examples and Comparative Examples before and after the test according to Experimental Example 2. Fig. Specifically, according to the results shown in FIG. 8, the conductive structure according to Comparative Example 1 in which the passivation layer is not provided shows a large change in the light reflectance, which means that the electrical conductivity of the metal layer is greatly decreased have. Further, in the case of the conductive structures according to Example 1 and Comparative Example 2, the degree of change in the light reflectance was measured to a similar degree, which can be judged to be related to the decrease in the electric conductivity.

[실험예 3] - 내열 테스트[Experimental Example 3] Heat resistance test

상기 실시예 1 및 비교예 1, 2에 따라 제조된 전조성 구조체를 각각 150 ℃의 고온 분위기에서 3시간 경과시킨 후의 상태를 측정하였다. The precondensate structures prepared according to Example 1 and Comparative Examples 1 and 2 were measured for 3 hours in a high-temperature atmosphere at 150 ° C, respectively.

구체적으로, 실시예 1에 따른 전도성 구조체의 경우, 상기 테스트 후의 전기 전도도는 10 % 이내로 하락하였다. 또한, 비교예 1에 따른 전도성 구조체의 경우, 상기 테스트 후의 전기 전도도는 100 % 가량 하락하였고, 비교예 2에 따른 전도성 구조체의 경우, 상기 테스트 후의 전기 전도도는 10 % 가량 하락하였다.Specifically, in the case of the conductive structure according to Example 1, the electric conductivity after the test was reduced to within 10%. In the case of the conductive structure according to Comparative Example 1, the electrical conductivity after the test was reduced by about 100%, and in the case of the conductive structure according to Comparative Example 2, the electrical conductivity after the test was reduced by about 10%.

도 9는 실험예 3에 따른 테스트 전과 후의 실시예 및 비교예의 광반사율의 변화를 나타낸 것이다. 구체적으로, 도 9의 결과에 따르면, 부동태층이 구비되지 않은 비교예 1에 따른 전도성 구조체는 광반사율의 변화폭이 매우 큰 것으로 나타나며, 이는 금속층의 물성이 변화하여 전기 전도도가 크게 하락한 것을 의미할 수 있다. 또한, 실시예 1 및 비교예 2에 따른 전도성 구조체의 경우, 광반사율의 변화 정도가 비슷한 정도로 측정되었으며, 이는 상기 전기 전도도의 하락폭이 유사한 것과 관련이 있는 것으로 판단할 수 있다.FIG. 9 shows changes in the optical reflectance of Examples and Comparative Examples before and after the test according to Experimental Example 3. Specifically, according to the results shown in FIG. 9, the conductive structure according to Comparative Example 1 in which the passivation layer is not provided shows a large change in the light reflectance, which means that the electrical conductivity of the metal layer is greatly changed have. Further, in the case of the conductive structures according to Example 1 and Comparative Example 2, the degree of change in the light reflectance was measured to a similar degree, which can be judged to be related to the decrease in the electric conductivity.

100: 투명 전도성층
200: 금속층
210: 패턴화된 금속층
300: 부동태층
310: 패턴화된 부동태층
400: 추가의 금속층
410: 패턴화된 추가의 금속층100: transparent conductive layer
200: metal layer
210: patterned metal layer
300: passive layer
310: patterned passivation layer
400: additional metal layer
410: patterned additional metal layer

Claims (19)

투명 전도성층; 상기 투명 전도성층 상에 구비된 금속층; 및 상기 금속층 상에 구비된 부동태층을 포함하고,
상기 부동태층은 구리-니켈 산화물을 포함하는 전도성 구조체. Transparent conductive layer; A metal layer provided on the transparent conductive layer; And a passivation layer provided on the metal layer,
Wherein the passivation layer comprises a copper-nickel oxide. 청구항 1에 있어서,
상기 구리-니켈 산화물은 CuxNiyOz로 표시되고,
x는 1 이상 3 이하이며, y는 2 이상 4 이하이고, z는 4 이상 6 이하이며,
x, y 및 z는 각 원소의 원자 함량인 것인 전도성 구조체.The method according to claim 1,
Wherein the copper-nickel oxide is represented by Cu x Ni y O z ,
x is 1 or more and 3 or less, y is 2 or more and 4 or less, z is 4 or more and 6 or less,
x, y, and z are the atomic content of each element. 청구항 1에 있어서,
상기 부동태층의 두께는 10 ㎚ 이상 50 ㎚ 이하인 것인 전도성 구조체. The method according to claim 1,
Wherein the thickness of the passivation layer is 10 nm or more and 50 nm or less. 청구항 1에 있어서,
상기 부동태층은 25 ℃, 5 질량%의 NaCl 용액의 분무 분위기에서 12 시간 경과시, 상기 부동태층의 광투과율은 600 ㎚ 파장에서 10 % 이내인 것인 전도성 구조체.The method according to claim 1,
Wherein the passive layer has a light transmittance of 10% or less at a wavelength of 600 nm when passed for 12 hours in a spray atmosphere of a 5% by mass NaCl solution at 25 캜. 청구항 1에 있어서,
상기 부동태층은 85 ℃, 상대습도 85 %의 고온-다습의 분위기에서 10일 경과시, 상기 부동태층의 전기 전도도의 변화율은 10 % 이하인 것인 전도성 구조체. The method according to claim 1,
Wherein the passivation layer has a change rate of the electrical conductivity of the passive layer of 10% or less after 10 days in a high-temperature and high-humidity atmosphere at 85 캜 and 85% relative humidity. 청구항 1에 있어서,
상기 부동태층은 150 ℃의 고온 분위기에서 3시간 경과시, 상기 부동태층의 전기 전도도의 변화율은 10 % 이하인 것인 전도성 구조체. The method according to claim 1,
Wherein the passivation layer has a rate of change of the electrical conductivity of the passive layer of 10% or less after 3 hours in a high temperature atmosphere of 150 캜. 청구항 1에 있어서,
상기 금속층은 1 이상의 전도성 라인을 포함하는 금속 패턴층인 것인 전도성 구조체. The method according to claim 1,
Wherein the metal layer is a metal pattern layer comprising at least one conductive line. 청구항 7에 있어서,
상기 부동태층은 상기 전도성 라인의 적어도 일면 상에 구비되는 것인 전도성 구조체. The method of claim 7,
Wherein the passivation layer is provided on at least one side of the conductive line. 청구항 7에 있어서,
상기 금속 패턴층의 선폭은 0.1 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하인 것인 전도성 구조체. The method of claim 7,
Wherein the line width of the metal pattern layer is 0.1 占 퐉 or more and 100 占 퐉 or less. 청구항 7에 있어서,
상기 금속 패턴층의 인접하는 전도성 라인간의 선간격은 0.1 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하인 것인 전도성 구조체. The method of claim 7,
Wherein a line interval between adjacent conductive lines of the metal pattern layer is 0.1 占 퐉 or more and 100 占 퐉 or less. 청구항 1에 있어서,
상기 금속층은 구리, 알루미늄, 은, 네오디뮴, 몰리브덴, 니켈, 이들 중 2 이상을 포함하는 합금, 이들 중 1 이상을 포함하는 산화물 및 이들 중 1 이상을 포함하는 질화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인 전도성 구조체.The method according to claim 1,
Wherein the metal layer comprises at least one selected from the group consisting of copper, aluminum, silver, neodymium, molybdenum, nickel, an alloy comprising at least two of the foregoing, an oxide comprising at least one of the foregoing, ≪ / RTI > 청구항 1에 있어서,
상기 투명 전도성층과 상기 금속층 사이에 추가의 금속층을 더 포함하는 것인 전도성 구조체. The method according to claim 1,
And a further metal layer between the transparent conductive layer and the metal layer. 청구항 12에 있어서,
상기 추가의 금속층은 구리, 알루미늄, 네오디뮴, 몰리브덴, 티타늄, 및 니켈로 이루어진 군에서 선택되는 1 또는 2 이상의 금속을 포함하는 것인 전도성 구조체. The method of claim 12,
Wherein the additional metal layer comprises one or more metals selected from the group consisting of copper, aluminum, neodymium, molybdenum, titanium, and nickel. 청구항 1에 있어서,
상기 전도성 구조체의 면저항은 0.1 Ω/□ 이상 1 Ω/□ 이하인 것인 전도성 구조체. The method according to claim 1,
Wherein the sheet resistance of the conductive structure is 0.1? /? To 1? /?. 투명 전도성층을 준비하는 단계;
상기 투명 전도성층 상에 금속층을 형성하는 단계; 및
상기 금속층 상에 부동태층을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 부동태층은 구리-니켈 산화물을 포함하는
청구항 1 내지 14 중 어느 한 항에 따른 전도성 구조체의 제조방법.Preparing a transparent conductive layer;
Forming a metal layer on the transparent conductive layer; And
Forming a passivation layer on the metal layer,
Wherein the passivation layer comprises copper-nickel oxide
A method for manufacturing a conductive structure according to any one of claims 1 to 14. 청구항 15에 있어서,
상기 금속층과 상기 부동태층을 동시에 패터닝하는 단계를 더 포함하는 것인 전도성 구조체의 제조방법.16. The method of claim 15,
And simultaneously patterning the metal layer and the passivation layer. 청구항 16에 있어서,
상기 동시에 패터닝하는 단계는 에칭액을 이용하여 일괄 에칭하는 것인 전도성 구조체의 제조방법.18. The method of claim 16,
Wherein the step of patterning at the same time is a batch etching using an etchant. 청구항 1 내지 14 중 어느 한 항에 따른 전도성 구조체를 포함하는 디스플레이 장치.A display device comprising a conductive structure according to any one of claims 1 to 14. 청구항 18에 있어서,
상기 전도성 구조체는 베젤 영역의 배선부인 것인 디스플레이 장치. 19. The method of claim 18,
Wherein the conductive structure is a wiring portion of a bezel region.
KR1020140175916A 2014-12-09 2014-12-09 Conductive structure body and method for manufacturing the same KR20160069823A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140175916A KR20160069823A (en) 2014-12-09 2014-12-09 Conductive structure body and method for manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140175916A KR20160069823A (en) 2014-12-09 2014-12-09 Conductive structure body and method for manufacturing the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20160069823A true KR20160069823A (en) 2016-06-17

Family

ID=56343873

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140175916A KR20160069823A (en) 2014-12-09 2014-12-09 Conductive structure body and method for manufacturing the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20160069823A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108242276A (en) * 2016-12-27 2018-07-03 日立金属株式会社 Wiring membrane and its manufacturing method and Mo alloy sputtering targets is laminated

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100070939A (en) 2008-12-18 2010-06-28 한국전자통신연구원 Touch panel film and method for preparing the same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100070939A (en) 2008-12-18 2010-06-28 한국전자통신연구원 Touch panel film and method for preparing the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108242276A (en) * 2016-12-27 2018-07-03 日立金属株式会社 Wiring membrane and its manufacturing method and Mo alloy sputtering targets is laminated

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9686859B2 (en) Patterned conductive substrate and method for manufacturing same
US9345130B2 (en) Conductive substrate comprising conductive pattern and touch panel comprising same
KR101683373B1 (en) Conductive structure body and method for manufacturing the same
KR101711260B1 (en) Conductive film, method for manufacturing the same and display device comprising the same
KR101849449B1 (en) Conductive structure body and method for manufacturing the same
JP5683035B2 (en) Conductive substrate, electronic element and display device
US10512160B2 (en) Conductive structure and manufacturing method therefor
KR20160069823A (en) Conductive structure body and method for manufacturing the same
KR101940757B1 (en) Conductive structure body and method for manufacturing the same
KR101947604B1 (en) Conductive structure body and method for manufacturing the same
KR20160090670A (en) Conductive structure body and method for manufacturing the same
KR20140062382A (en) Touch panel and method of fabricating the same
KR20150142222A (en) Conductive structure body and method for manufacturing the same

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination