KR20160069045A - Brightness enhancing layer and organic Light Emitting Diode Display Device including the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 유기발광다이오드 표시장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 유기발광층으로부터의 광 투과량을 증가시킬 수 있는 휘도 향상층 및 이를 포함하여 휘도가 향상되는 유기발광다이오드 표시장치에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display, and more particularly, to a brightness enhancement layer capable of increasing light transmission from an organic emission layer and an organic light emitting diode display having improved brightness including the same.
평판표시장치(flat panel display: FPD) 중 하나인 유기발광다이오드(organic light emitting diode: OLED) 표시장치는 높은 휘도와 낮은 동작 전압 특성을 갖는다. An organic light emitting diode (OLED) display device, which is one of a flat panel display (FPD), has high luminance and low operating voltage characteristics.
그리고, 스스로 빛을 내는 자체 발광형이기 때문에 대조비(contrast ratio)가 크고, 초박형 디스플레이의 구현이 가능하며, 응답시간이 수 마이크로초(㎲) 정도로 동화상 구현이 쉽고, 시야각의 제한이 없으며 저온에서도 안정적이고, 직류 5 내지 15V의 낮은 전압으로 구동하므로 구동회로의 제작 및 설계가 용이하다.In addition, since it is a self-luminous type that emits light by itself, it has a large contrast ratio, can realize an ultra-thin display, can realize a moving image with a response time of several microseconds (μs), has no viewing angle limit, And it is driven with a low voltage of 5 to 15 V direct current, so that it is easy to manufacture and design a driving circuit.
또한, 유기발광다이오드 표시장치의 제조공정은 증착(deposition) 및 인캡슐레이션(encapsulation)이 전부라고 할 수 있기 때문에, 제조공정이 매우 단순하다.
In addition, since the manufacturing process of the organic light emitting diode display device is all of deposition and encapsulation, the manufacturing process is very simple.
이러한 유기발광다이오드 표시장치는 다수의 화소영역을 포함하는데, 다수의 화소영역에는 스위칭 박막트랜지스터 및 구동 박막트랜지스터가 형성된다.Such an organic light emitting diode display device includes a plurality of pixel regions, and a switching thin film transistor and a driving thin film transistor are formed in a plurality of pixel regions.
일반적으로 박막트랜지스터는 주로 비정질 실리콘(amorphous silicon) 등과 같은 반도체 물질을 이용하여 제작된다. Generally, a thin film transistor is manufactured using a semiconductor material such as amorphous silicon.
최근 대면적 및 고해상도의 표시장치가 요구됨에 따라, 보다 빠른 신호처리속도와 함께 안정된 작동 및 내구성이 확보된 박막트랜지스터의 필요성이 대두되고 있으나, 비정질 실리콘 박막트랜지스터는 전하 이동도(charge mobility)가 1cm2/Vsec 이하 이므로, 대면적 및 고해상도의 표시장치에 사용되기에 부족한 면이 부각되었다.Recently, a large-area and high-resolution display device is required, and a need for a thin film transistor having stable operation and durability with a faster signal processing speed is required. However, the amorphous silicon thin film transistor has a charge mobility of 1 cm 2 / Vsec or less, a surface which is insufficient to be used for a large-area and high-resolution display device is highlighted.
이에 따라, 이동도 및 오프전류 등의 전기적 특성이 우수한 산화물 반도체 물질로 활성층을 형성하는 산화물 박막트랜지스터에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. Accordingly, studies have been actively made on an oxide thin film transistor which forms an active layer with an oxide semiconductor material excellent in electrical characteristics such as mobility and off current.
도 1은 종래 유기발광다이오드 표시장치를 개략적으로 도시한 단면도이다. 1 is a cross-sectional view schematically showing a conventional OLED display.
도 1에 도시한 바와 같이, 종래의 유기발광다이오드 표시장치(10)는, 제 1 기판(10)과, 제 1 기판(10)과 마주하는 제 2 기판(미도시)과, 제1기판(10) 상부에 순차적으로 형성되는 구동 박막트랜지스터(Td) 및 발광다이오드(D)를 포함한다. 1, a conventional organic light emitting
서로 마주보며 이격되는 제 1 기판(10)과 제 2 기판(미도시)은 다수의 화소영역(미도시)을 포함하는데, 제 1 기판(10)은 하판, TFT기판 또는 백플레인(backplane)으로 불리기도 하고, 제2기판(미도시)은 인캡슐레이션 기판으로 불리기도 한다.The
구동 박막트랜지스터(Td)는, 반도체층(12)과, 게이트 전극(30)과, 소스 전극(52) 및 드레인 전극(54)을 포함한다.The driving thin film transistor Td includes a
구체적으로, 반도체층(12)은 제 1 기판(10) 상에 위치한다. 예를 들어, 반도체층(12)은 산화물 반도체 물질로 이루어질 수 있다.Specifically, the
반도체층(12)을 덮으며 제 1 기판(10) 전면에 게이트 절연막(22)이 형성된다. 게이트 절연막(22)은 산화실리콘 또는 질화실리콘과 같은 무기 절연물질로 이루어진다.A
게이트 전극(30)은 게이트 절연막(22) 상에 위치하며 반도체층(12)과 중첩한다. The
반도체층(12)의 양측을 노출하는 제 1 및 제 2 반도체층 컨택홀(42, 44)을 갖는 층간 절연막(40)이 게이트 전극(30)을 덮으며 형성된다. 층간 절연막(40)은 포토아크릴과 같은 유기 절연물질로 이루어진다. An
소스 전극(52)과 드레인 전극(54)은 층간 절연막(40) 상에 형성되며, 제 1 및 제 2 반도체층 컨택홀(42, 44)을 통해 반도체층(12)의 양측과 각각 접촉한다.The
평탄한 표면을 제공하고 드레인 전극(54)을 노출하는 드레인 컨택홀(62)을 갖는 평탄화막(60)이 구동 박막트랜지스터(Td)를 덮으며 형성된다. 평탄화막(60)은 유기절연물질로 형성된다.A
발광다이오드(D)는 평탄화막(60) 상부에 위치하며, 드레인 컨택홀(62)을 통해 구동 박막트랜지스터(Td)에 전기적으로 연결된다. 발광다이오드(D)는 순차 적층되는 제 1 전극(70)과, 유기발광층(74) 및 제 2 전극(76)을 포함한다.The light emitting diode D is located on the
제 1 전극(70)은 평탄화막(60) 상에 형성되며 드레인 컨택홀(62)을 통해 구동 박막트랜지스터(Td)의 드레인 전극(54)에 연결된다. 제 1 전극(70)은 화소 영역별로 형성된다. 제 1 전극(70) 상에는, 그 가장자리를 덮는 뱅크(72)가 형성된다. 뱅크(72)는 화소영역의 경계를 따라 형성되며 제 1 전극(70)의 중앙부에 대응하여 개구를 갖는다.The
유기발광층(74)은 제 1 전극(70)과 접촉하며 뱅크(72)의 개구에 형성되고, 제 2 전극(76)은 유기발광층(74)의 상부면과 접촉하며 제 1 기판(10)의 전면에 형성된다.The organic
제 1 전극(70)은 애노드이며 일함수 값이 비교적 큰 도전성 물질로 이루어지고, 제 2 전극(76)은 캐소드이며 일함수 값이 비교적 작은 도전성 물질로 이루어진다. 예를 들어, 제 1 전극(70)은 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide, ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(indium-zinc-oxide, IZO)와 같은 투명 도전성 물질로 이루어지고, 제 2 전극(76)은 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 알루미늄-마그네슘 합금(AlMg)으로 이루어진다.The
발광다이오드(D)에서는, 제 1 전극(70)으로부터 주입된 정공과 제 2 전극(76)으로부터 주입된 전자가 유기발광층(74)에서 결합되어 엑시톤(exciton)을 형성하고, 엑시톤이 여기상태에서 기저상태로 천이되면서 유기발광층(74)으로부터 빛이 발하게 된다.In the light emitting diode D, holes injected from the
예를 들어, 유기발광다이오드 표시장치가 하부발광 방식인 경우, 유기발광층(74)으로부터의 빛은 제 1 전극(70)과 평탄화막(60)과, 층간 절연막(40)과, 게이트 절연막(22)과, 제 1 기판(10)을 통과하여 영상을 표시하게 된다.For example, when the organic light emitting diode display device is a bottom emission type, light from the organic
그러나, 종래 유기발광다이오드 표시장치에서는, 유기발광층(74)으로부터 방출된 빛의 일부만이 제 1 기판(10)을 통과하며, 이에 따라 유기발광다이오드 표시장치는 낮은 휘도를 갖는다. 유기발광다이오드의 휘도를 증가시키기 위해서는, 구동 전압이 증가하는 문제가 발생한다.
However, in the conventional organic light emitting diode display device, only a part of the light emitted from the organic
본 발명은, 유기발광층으로부터 방출된 빛의 손실을 최소화하고자 한다.The present invention aims at minimizing the loss of light emitted from the organic light emitting layer.
즉, 유기발광다이오드 표시장치의 휘도 감소와 구동 전압 증가의 문제를 해결하고자 한다.
That is, the organic light emitting diode display device is intended to solve the problem of reduction in luminance and increase in driving voltage.
위와 같은 과제의 해결을 위해, 본 발명은, 유기 바인더와, 오픈된 탄소 나노 튜브를 포함하는 휘도 향상층을 제공한다.In order to solve the above problems, the present invention provides an organic binder and a brightness enhancement layer including open carbon nanotubes.
본 발명의 휘도 향상층에 있어서, 상기 오픈된 탄소 나노 튜브는 동일 방향으로 배열된다.
In the brightness enhancement layer of the present invention, the open carbon nanotubes are arranged in the same direction.
다른 관점에서, 본 발명은, 기판과, 상기 기판 상부에 위치하는 박막트랜지스터와, 상기 박막트랜지스터 상부에 위치하며 상기 박막트랜지스터에 연결되는 발광다이오드와, 상기 박막트랜지스터와 상기 발광다이오드 사이에 위치하고 제 1 오픈된 탄소 나노 튜브를 포함하는 제 1 휘도 향상층을 포함하는 유기발광다이오드 표시장치를 제공한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a thin film transistor comprising: a substrate; a thin film transistor disposed on the substrate; a light emitting diode disposed on the thin film transistor and connected to the thin film transistor; And an organic light emitting diode display device including a first brightness enhancement layer including open carbon nanotubes.
본 발명의 유기발광다이오드 표시장치에 있어서, 상기 제 1 오픈된 탄소 나노 튜브는 상기 기판에 대하여 수직하게 배열된다.In the organic light emitting diode display of the present invention, the first open carbon nanotube is arranged perpendicular to the substrate.
본 발명의 유기발광다이오드 표시장치에 있어서, 상기 제 1 휘도 향상층은 상기 박막트랜지스터의 전극을 노출하는 컨택홀을 포함하고, 상기 발광다이오드는 상기 컨택홀을 통해 상기 박막트랜지스터에 연결된다.In the organic light emitting diode display of the present invention, the first brightness enhancement layer includes a contact hole exposing an electrode of the thin film transistor, and the light emitting diode is connected to the thin film transistor through the contact hole.
본 발명의 유기발광다이오드 표시장치에 있어서, 상기 발광다이오드는, 상기 박막트랜지스터에 연결되는 제 1 전극과, 상기 제 1 전극 상부의 유기발광층과, 상기 유기발광층 상부의 제 2 전극을 포함하고, 상기 유기발광층으로부터의 빛은 상기 제 1 휘도 향상층과 상기 기판을 통과하여 영상이 표시된다.In the organic light emitting diode display of the present invention, the light emitting diode may include a first electrode connected to the thin film transistor, an organic light emitting layer on the first electrode, and a second electrode on the organic light emitting layer, Light from the organic light emitting layer passes through the first brightness enhancement layer and the substrate, and an image is displayed.
본 발명의 유기발광다이오드 표시장치에 있어서, 상기 박막트랜지스터는, 반도체층과, 상기 반도체층 상의 게이트 절연막과, 상기 게이트 절연막 상의 게이트 전극과, 상기 게이트 전극을 덮는 제 2 휘도 향상층과, 상기 제 2 휘도 향상층 상에서 서로 이격하고 상기 반도체층과 각각 접촉하는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 제 2 휘도 향상층은 제 2 오픈된 탄소 나노 튜브를 포함한다.In the organic light emitting diode display device of the present invention, the thin film transistor includes a semiconductor layer, a gate insulating film on the semiconductor layer, a gate electrode on the gate insulating film, a second brightness enhancement layer covering the gate electrode, And a source electrode and a drain electrode spaced apart from each other on the second brightness enhancement layer and in contact with the semiconductor layer, respectively, and the second brightness enhancement layer includes a second open carbon nanotube.
본 발명의 유기발광다이오드 표시장치에 있어서, 상기 제 2 오픈된 탄소 나노 튜브는 상기 기판에 대하여 수직하게 배열된다.
In the organic light emitting diode display of the present invention, the second open carbon nanotube is arranged perpendicular to the substrate.
또 다른 관점에서, 본 발명은, 기판과, 상기 기판 상부에 위치하는 박막트랜지스터와, 상기 박막트랜지스터 상부에 위치하며 상기 박막트랜지스터에 연결되는 발광다이오드와, 상기 발광다이오드를 덮고 오픈된 탄소 나노 튜브를 포함하는 휘도 향상층을 포함하는 유기발광다이오드 표시장치를 제공한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a thin film transistor comprising: a substrate; a thin film transistor disposed on the substrate; a light emitting diode disposed on the thin film transistor and connected to the thin film transistor; And an organic electroluminescent display device including the brightness enhancement layer.
본 발명의 유기발광다이오드 표시장치에 있어서, 상기 오픈된 탄소 나노 튜브는 상기 기판에 대하여 수직하게 배열된다.In the organic light emitting diode display of the present invention, the open carbon nanotubes are arranged perpendicular to the substrate.
본 발명의 유기발광다이오드 표시장치에 있어서, 상기 발광다이오드는, 상기 박막트랜지스터에 연결되는 제 1 전극과, 상기 제 1 전극 상부의 유기발광층과, 상기 유기발광층 상부의 제 2 전극을 포함하고, 상기 유기발광층으로부터의 빛은 상기 제 2 전극과 상기 휘도 향상층을 통과하여 영상이 표시된다.In the organic light emitting diode display of the present invention, the light emitting diode may include a first electrode connected to the thin film transistor, an organic light emitting layer on the first electrode, and a second electrode on the organic light emitting layer, Light from the organic light emitting layer passes through the second electrode and the brightness enhancement layer to display an image.
본 발명의 유기발광다이오드 표시장치에 있어서, 상기 제 1 전극은 투명 도전성 전극층과 반사층을 포함한다.
In the organic light emitting diode display of the present invention, the first electrode includes a transparent conductive electrode layer and a reflective layer.
본 발명은, 절연막의 내부에 오픈된 탄소 나노 카본 튜브를 포함시켜, 광 투과량이 증가하는 휘도 향상층을 제공한다.The present invention provides a brightness enhancement layer including an open carbon nanocarbon tube inside an insulating film to increase light transmittance.
따라서, 오픈된 탄소 나노 카본 튜브를 포함하는 휘도향상층을 발광다이오드의 상부 또는 하부에 형성시키는 경우, 발광다이오드의 유기발광층으로부터 방출된 빛이 영상 표시면으로 투과하는 양을 증가시킬 수 있다. 즉, 유기발광다이오드 표시장치의 휘도가 증가하고 구동 전압이 감소하는 효과를 갖는다.Therefore, when the brightness enhancement layer including the open carbon nano-carbon tube is formed on the upper or lower portion of the light emitting diode, the amount of light emitted from the organic light emitting layer of the light emitting diode can be increased to the image display surface. That is, the luminance of the organic light emitting diode display device is increased and the driving voltage is reduced.
또한, 오픈된 탄소 나노 카본 튜브를 포함하는 휘도 향상층이 절연특성을 갖기 때문에, 어레이기판의 절연층으로 이용할 수 있다. 따라서, 구성 추가 또는 공정의 추가 없이 유기발광다이오드 표시장치의 휘도를 증가시킬 수 있다.
Further, since the brightness enhancing layer including the opened carbon nano-carbon tube has the insulating property, it can be used as the insulating layer of the array substrate. Therefore, the brightness of the organic light emitting diode display can be increased without adding a configuration or adding a process.
도 1은 종래 유기발광다이오드 표시장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 개략적인 회로도이다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 개략적인 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 구동 박막트랜지스터 구조와 휘도 향상층을 보여주는 단면도이다.
도 5는 Si 기판 위에 수직 배향된 탄소 나노 튜브(CNT)를 보여주는 개략적인 도면이다.
도 6은 휘도 향상층에서의 빛 경로를 보여주는 개략적인 사시도이다.
도 7은 본 발명의 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 개략적인 단면도이다.
도 8은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 개략적인 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a conventional OLED display.
2 is a schematic circuit diagram of an organic light emitting diode display device according to an embodiment of the present invention.
3 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting diode display device according to a first embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view illustrating a structure of a driving thin film transistor and a luminance enhancement layer of an organic light emitting diode display according to a first embodiment of the present invention.
5 is a schematic view showing carbon nanotubes (CNTs) vertically aligned on a Si substrate.
6 is a schematic perspective view showing a light path in the brightness enhancement layer.
7 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting diode display device according to a second embodiment of the present invention.
8 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting diode display device according to a third embodiment of the present invention.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법을 설명한다.Hereinafter, an organic light emitting diode display device and a method of manufacturing the same according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
전술한 바와 같이, 종래 유기발광다이오드 표시장치에서는, 유기절연물질, 예를 들어 포토아크릴(phto-acryl)과 같은 물질로 이루어지는 평탄화막(60)이 발광다이오드(D)와 구동 박막트랜지스터(Td) 사이에 위치하고 있다.As described above, in the conventional organic light emitting diode display device, the
이와 같은 구조의 유기발광다이오드 표시장치에서, 유기발광층(74)으로부터 방출된 빛은 평탄화막(60)을 통과하여 기판(10)의 배면을 통해 표시되는데, 유기발광층(74)으로부터의 빛이 평탄화막(60)의 표면 또는 이를 통과하면서 전반사 또는 난반사가 일어난다. 따라서, 유기발광층(74)으로부터의 빛 중 기판(10)을 통과하는 빛의 양이 감소하며, 이에 따라 유기발광다이오드 표시장치의 휘도가 감소하게 된다.In the organic light emitting diode display device having such a structure, the light emitted from the organic
본 발명에서는, 평탄화막(60) 등 유기발광다이오드 표시장치에 적층된 층에 의해 휘도가 감소하는 문제를 해결할 수 있는 유기발광다이오드 표시장치에 대하여 설명한다.
In the present invention, an organic light emitting diode display device capable of solving the problem of luminance reduction due to a layer stacked on an organic light emitting diode display device such as the
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 개략적인 회로도이다.2 is a schematic circuit diagram of an organic light emitting diode display device according to an embodiment of the present invention.
도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 서로 교차하여 화소 영역(P)을 정의하는 게이트 배선(GL)과 데이터 배선(DL)을 포함하고, 각각의 화소 영역(P)에는 스위칭 박막트랜지스터(Ts)와 구동 박막트랜지스터(Td), 스토리지 캐패시터(Cst), 그리고 발광다이오드(D)가 형성된다. 2, the organic light emitting diode display device according to the first embodiment of the present invention includes a gate line GL and a data line DL that define a pixel region P intersecting with each other, A switching thin film transistor Ts, a driving thin film transistor Td, a storage capacitor Cst, and a light emitting diode D are formed in the pixel region P of the organic EL element.
보다 상세하게, 스위칭 박막트랜지스터(Ts)의 게이트 전극은 게이트 배선(GL)에 연결되고 소스 전극은 데이터 배선(DL)에 연결된다. 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트 전극은 스위칭 박막트랜지스터(Ts)의 드레인 전극에 연결되고, 소스 전극은 고전위 전압(VDD)에 연결된다. 발광다이오드(D)의 애노드(anode)는 구동 박막트랜지스터(Td)의 드레인 전극에 연결되고, 발광다이오드(D)의 캐소드(cathode)는 저전위 전압(VSS)에 연결된다. 스토리지 캐패시터(Cst)는 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트 전극과 드레인 전극에 연결된다. More specifically, the gate electrode of the switching thin film transistor Ts is connected to the gate wiring GL and the source electrode thereof is connected to the data wiring DL. The gate electrode of the driving thin film transistor Td is connected to the drain electrode of the switching thin film transistor Ts, and the source electrode thereof is connected to the high potential voltage VDD. The anode of the light emitting diode D is connected to the drain electrode of the driving thin film transistor Td and the cathode of the light emitting diode D is connected to the low potential voltage VSS. The storage capacitor Cst is connected to the gate electrode and the drain electrode of the driving thin film transistor Td.
이러한 유기발광다이오드 표시장치의 영상표시 동작을 살펴보면, 게이트 배선(GL)을 통해 인가된 게이트 신호에 따라 스위칭 박막트랜지스터(Ts)가 턴-온(turn-on) 되고, 이때, 데이터 배선(DL)으로 인가된 데이터 신호가 스위칭 박막트랜지스터(Ts)를 통해 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트 전극과 스토리지 캐패시터(Cst)의 일 전극에 인가된다. The switching TFTs turn on according to the gate signal applied through the gate line GL and the data line DL is turned on at this time. Is applied to the gate electrode of the driving thin film transistor Td and one electrode of the storage capacitor Cst through the switching thin film transistor Ts.
구동 박막트랜지스터(Td)는 데이터 신호에 따라 턴-온 되어 발광다이오드(D)를 흐르는 전류를 제어하여 영상을 표시한다. 발광다이오드(D)는 구동 박막트랜지스터(Td)를 통하여 전달되는 고전위 전압(VDD)의 전류에 의하여 발광한다.The driving thin film transistor Td is turned on according to the data signal to control the current flowing through the light emitting diode D to display an image. The light emitting diode D emits light by a current of a high potential voltage (VDD) transmitted through the driving thin film transistor Td.
즉, 발광다이오드(D)를 흐르는 전류의 양은 데이터신호의 크기에 비례하고, 발광다이오드(D)가 방출하는 빛의 세기는 발광다이오드(D)를 흐르는 전류의 양에 비례하므로, 화소영역(P)은 데이터 신호의 크기에 따라 상이한 계조를 표시하고, 그 결과 유기발광다이오드 표시장치는 영상을 표시한다. That is, since the amount of current flowing through the light emitting diode D is proportional to the size of the data signal and the intensity of light emitted by the light emitting diode D is proportional to the amount of current flowing through the light emitting diode D, ) Displays different gradations according to the size of the data signal, and as a result, the organic light emitting diode display displays an image.
스토리지 캐패시터(Cst)는 데이터 신호에 대응되는 전하를 일 프레임(frame) 동안 유지하여 발광다이오드(D)를 흐르는 전류의 양을 일정하게 하고 발광다이오드(D)가 표시하는 계조를 일정하게 유지시키는 역할을 한다.
The storage capacitor Cst maintains the charge corresponding to the data signal for one frame to keep the amount of current flowing through the light emitting diode D constant and to maintain the gradation displayed by the light emitting diode D constant .
-제 1 실시예-- First Embodiment -
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 개략적인 단면도이다. 본 발명의 휘도 향상층에 대하여 유기발광다이오드 표시장치와 함께 설명한다.3 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting diode display device according to a first embodiment of the present invention. The brightness enhancement layer of the present invention will be described together with an organic light emitting diode display device.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(100)는, 구동 박막트랜지스터(Td)와, 구동 박막트랜지스터(Td)를 덮는 휘도 향상층(160)과, 휘도 향상층(160) 상에 위치하며 구동 박막트랜지스터(Td)에 연결되는 발광다이오드(D)를 포함한다.3, the organic light emitting
본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 구동 박막트랜지스터 구조와 휘도 향상층을 보여주는 단면도인 도 4를 참조하면, 구동 박막트랜지스터(Td)는, 반도체층(112)과, 게이트 전극(130)과, 소스 전극(152)과, 드레인 전극(154)을 포함한다.4, which is a cross-sectional view illustrating a structure of a driving thin film transistor and a luminance improving layer of an organic light emitting diode display according to a first embodiment of the present invention, a driving thin film transistor Td includes a
구체적으로, 유리 또는 플라스틱으로 이루어지는 기판(110) 상부에 반도체층(112)이 형성된다. 예를 들어, 반도체층(112)은 산화물 반도체 물질로 이루어질 수 있다. 이 경우 반도체층(112) 하부에는 차광패턴(도시하지 않음)과 버퍼층(도시하지 않음)이 형성될 수 있으며, 차광패턴은 반도체층(112)으로 빛이 입사되는 것을 방지하여 반도체층(112)이 빛에 의해 열화되는 것을 방지한다. 이와 달리, 반도체층(112)은 다결정 실리콘으로 이루어질 수도 있으며, 이 경우 반도체층(112)의 양 가장자리에 불순물이 도핑되어 있을 수 있다. Specifically, a
반도체층(112) 상부에는 절연물질로 이루어진 게이트 절연막(122)이 기판(110) 전면에 형성된다. 게이트 절연막(122)은 산화 실리콘 또는 질화 실리콘과 같은 무기절연물질로 이루어질 수 있다.A
게이트 절연막(122) 상부에는 금속과 같은 도전성 물질로 이루어진 게이트 전극(130)이 반도체층(112)의 중앙에 대응하여 형성된다. 또한, 게이트 절연막(122) 상부에는 게이트 배선(도시하지 않음)과 제1 캐패시터 전극(도시하지 않음)이 형성될 수 있다. 게이트 배선은 제1방향을 따라 연장되고, 제1 캐패시터 전극은 게이트 전극(130)에 연결될 수 있다.A
한편, 본 발명의 제 1 실시예에서는 게이트 절연막(122)이 기판(110) 전면에 형성되어 있으나, 게이트 절연막(122)은 게이트전극(130)과 동일한 모양으로 패터닝될 수도 있다. In the first embodiment of the present invention, the
게이트전극(130) 상부에는 절연물질로 이루어진 층간 절연막(140)이 기판(110) 전면에 형성된다. 층간 절연막(140)은 산화 실리콘이나 질화 실리콘과 같은 무기 절연물질로 형성되거나, 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene)이나 포토 아크릴(photo-acryl)과 같은 유기 절연물질로 형성될 수 있다. An interlayer insulating
층간 절연막(140)은 반도체층(112)의 양측 상면을 노출하는 제 1 및 제 2 컨택홀(142, 144)을 갖는다. 제 1 및 제 2 컨택홀(142, 144)은 게이트 전극(130)의 양측에 게이트 전극(130)과 이격되어 위치한다. 여기서, 제 1 및 제 2 컨택홀(142, 144)은 게이트 절연막(122) 내에도 형성된다. 이와 달리, 게이트 절연막(122)이 게이트 전극(130)과 동일한 모양으로 패터닝될 경우, 제 1 및 제 2 컨택홀(142, 144)은 층간 절연막(140) 내에만 형성된다. The
층간 절연막(140) 상부에는 금속과 같은 도전성 물질로 소스 전극(152)과 드레인 전극(154)이 형성된다. 또한, 층간 절연막(140) 상부에는 제 2 방향을 따라 연장되는 데이터 배선(도시하지 않음)과 전원 배선(도시하지 않음) 및 제 2 캐패시터 전극(도시하지 않음)이 형성될 수 있다. A
소스 전극(152)과 드레인 전극(154)은 게이트 전극(130)을 중심으로 이격되어 위치하며, 각각 제 1 및 제 2 컨택홀(142, 144)을 통해 반도체층(112)의 양측과 접촉한다. 도시하지 않았지만, 데이터 배선은 제 2 방향을 따라 연장되고 게이트 배선과 교차하여 화소영역(P)을 정의하며, 고전위 전압을 공급하는 전원 배선은 데이터 배선과 이격되어 위치한다. 제 2 캐패시터 전극은 드레인 전극(154)과 연결되고 제 1 캐패시터 전극과 중첩함으로써, 제 1 및 제 2 캐패시터 전극 사이의 층간 절연막(140)을 유전체층으로 하여 스토리지 캐패시터를 이룬다. The
한편, 반도체층(112)과, 게이트전극(130), 소스 전극(152), 드레인전극(154)은 구동 박막트랜지스터(Td)를 이루는데, 구동 박막트랜지스터(Td)는 반도체층(112)의 상부에 게이트 전극(130), 소스 전극(152) 및 드레인 전극(154)이 위치하는 코플라나(coplanar) 구조를 가진다.The
이와 달리, 구동 박막트랜지스터(Td)는 반도체층의 하부에 게이트 전극이 위치하고 반도체층의 상부에 소스 전극과 드레인 전극이 위치하는 역 스태거드(inverted staggered) 구조를 가질 수 있다. 이 경우, 반도체층은 비정질 실리콘으로 이루어질 수 있다. Alternatively, the driving thin film transistor Td may have an inverted staggered structure in which a gate electrode is located below the semiconductor layer and a source electrode and a drain electrode are located above the semiconductor layer. In this case, the semiconductor layer may be made of amorphous silicon.
또한, 구동 박막트랜지스터(Td)와 실질적으로 동일한 구조의 스위칭 박막트랜지스터(도 2의 Ts)가 기판(110) 상에 더 형성된다. 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트 전극(130)은 스위칭 박막트랜지스터(Ts)의 드레인 전극(도시하지 않음)에 연결되고 구동 박막트랜지스터(Td)의 소스 전극(152)은 전원 배선(도시하지 않음)에 연결된다. 또한, 스위칭 박막트랜지스터(Ts)의 게이트 전극(도시하지 않음)과 소스 전극(도시하지 않음)은 게이트 배선 및 데이터 배선과 각각 연결된다.Further, a switching thin film transistor (Ts in Fig. 2) having substantially the same structure as the driving thin film transistor Td is further formed on the
소스 전극(152)과 드레인 전극(154) 상부에는 오픈된 탄소 나노 튜브(opened carbon nano-tube, 162)를 포함하는 휘도 향상층(160)이 기판(110) 전면에 형성된다. 휘도 향상층(160)은 상면이 평탄하며, 구동 박막트랜지스터(Td)의 드레인 전극(154)을 노출하는 드레인 컨택홀(164)을 갖는다. 여기서, 드레인 컨택홀(164)은 제 2 컨택홀(144) 바로 위에 형성된 것으로 도시되어 있으나, 제 2 컨택홀(144)과 이격되어 형성될 수도 있다. A
휘도 향상층(160)은 유기 바인더(미도시)와 오프된 탄소 나노 튜브(162)를 포함하며, 발광다이오드(D)로부터 방출된 빛의 가이드 역할과 함께 절연층의 역할을 한다. 오픈된 탄소 나노 튜브(162)는 Si 기판 위에 수직 배향된 탄소 나노 튜브를 보여주는 개략적인 도면인 도 5에서 보여진다. 도 5는 Si 기판 위에 수직 배향된 탄소 나노 튜브를 보여주는 개략적인 도면이다.The
유기 바인더는 에폭시 아크릴레이트 수지, 우레탄 아크릴레이트 수지, 폴리에스터 아크릴레이트 수지, 실리콘 아크릴레이트 수지, 아미노 아크릴레이트 수지, 에폭시 메타아크릴레이트 수지, 우레탄 메타아크릴레이트 수지, 폴리에스터 메타아크릴레이트 수지, 실리콘 메타아크릴레이트 수지 및 아미노 메타아크릴레이트 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리올레틴 수지, 폴리실록산 수지, 실리콘 변성 폴리이미드 수지 중에서 선택될 수 있다.The organic binder may be selected from the group consisting of an epoxy acrylate resin, a urethane acrylate resin, a polyester acrylate resin, a silicone acrylate resin, an aminoacrylate resin, an epoxy methacrylate resin, a urethane methacrylate resin, a polyester methacrylate resin, Acrylate resins and aminomethacrylate resins, polyester resins, polyoletine resins, polysiloxane resins, and silicone modified polyimide resins.
또한, 휘도 향상층(160)은 모노머, 실란커플링제인 첨가제, 용매, 광개시제를 더 포함할 수 있다.Further, the
발광다이오드(D)는 휘도 향상층(160) 상에 위치하며 구동 박막트랜지스터(Td)의 드레인 전극(154)에 연결되는 제 1 전극(170)과, 제 1 전극(170) 상에 순차 적층되는 유기발광층(174) 및 제 2 전극(176)을 포함한다. The light emitting diode D includes a
제 1 전극(170)은 일함수 값이 비교적 큰 도전성 물질로 이루어지며 각 화소 영역(도 2의 P) 별로 분리되어 형성된다. 예를 들어, 제 1 전극(170)은 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide, ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(indium-zinc-oxide, IZO)와 같은 투명 도전성 물질로 이루어질 수 있다. The
유기발광층(174)은 발광물질층(emitting material layer)의 단일층 구조를 갖거나, 정공주입층(hole injection layer), 정공수송층(hole transporting layer), 발광물질층, 전자수송층(electron transporting layer), 전자주입층(electron injection layer)의 다층 구조를 가질 수 있다.The organic
제 2 전극(176)은 일함수 값이 비교적 큰 물질로 이루어지며, 다수의 화소 영역(P)을 포함하는 표시영역 전면에 대하여 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제 2 전극(176)은 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 알루미늄-마그네슘 합금(AlMg) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.The
또한, 제 1 전극(170)의 가장자리를 덮고 제 1 전극(170)의 중앙부를 노출하는 개구를 갖는 뱅크(172)가 휘도 향상층(160) 상에 더 형성될 수 있다.A
제 1 전극(170)으로부터의 정공과 제 2 전극(176)으로부터의 전자가 유기발광층(174)에서 결합되어 엑시톤(exciton)이 생성되고, 엑시톤이 여기상태에서 바닥상태로 떨어지면서 발광다이오드(D), 즉 유기발광층(174)이 발광하게 된다.The holes from the
본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(100)에서는, 유기발광층(174)으로부터의 빛이 휘도 향상층(160)과 기판(110)을 통과하여 영상을 표시하게 된다. 즉, 하부 발광 방식(bottom emission type) 유기발광다이오드 표시장치이다. 이때, 유기발광층(174)으로부터의 빛은 휘도 향상층(160)의 오픈된 탄소 나노 튜브(162)에 의해 가이드됨으로써 유기발광다이오드 표시장치(100)의 휘도가 증가한다.In the organic light emitting
즉, 휘도 향상층에서의 빛 경로를 보여주는 개략적인 사시도인 도 6을 참조하면, 발광다이오드(D)로부터의 빛은 휘도 향상층(도 3의 160)의 오픈된 탄소 나노 튜브(162)의 일단을 통해 내부 공간으로 유입되고, 오픈된 탄소 나노 튜브(162)의 타단을 통해 기판(도 3의 110) 방향으로 가이드되기 때문에, 기판(110) 방향으로의 직진성이 증가한다. 따라서, 발광다이오드(D)로부터의 빛이 전반사 또는 난반사되는 양이 감소하고, 기판(110)을 향하는 빛의 양이 증가함으로써, 유기발광다이오드 표시장치(100)의 휘도가 증가한다.6, which is a schematic perspective view showing a light path in the brightness enhancing layer, light from the light emitting diode D is emitted from one end of the
도 3 및 도 4에서는, 오픈된 탄소 나노 튜브(162) 모두가 기판(110)에 대하여 수직하게 배열된 것이 도시되고 있다. 즉, 오픈된 탄소 나노 튜브(162)는 빛의 진행 방향에 평행하게 배열되고 있다. 다시 말해, 오픈된 탄소 나노 튜브(162)는 동일 방향으로 배열된다. 이와 달리, 오픈된 탄소 나노 튜브(162)는 무질서하게 배열될 수도 있다. 오픈된 탄소 나노 튜브(162)가 무질서하게 배열되더라도, 이중 일부는 기판(110)에 대하여 수직하게 또는 비스듬하게 배열되기 때문에 빛의 경로 역할을 하게 된다. In FIGS. 3 and 4, it is shown that all of the
오픈된 탄소 나노 튜브(162)는 내부가 비어 있고 양단이 오픈된 상태를 갖는다. 즉, 빛이 오픈된 탄소 나노 튜브(162)의 오픈된 일단으로 유입되어 내부 공간을 진행하고 오픈된 탄소 나노 튜브(162)의 오픈된 타단으로 빠져나오게 되어, 빛의 직진성이 증가한다. 이때, 오픈된 탄소 나노 튜브(162)는 단층 또는 이중층 쉘을 가져 내부 공간을 형성한다. The opened carbon nanotubes (162) are empty and both ends are open. That is, the light enters the open end of the opened
오픈된 탄소 나노 튜브(162)는 실리콘 기판 상에 내부가 비어 있는 탄소 나노 튜브를 성장시키고 기판 반대측의 탄소 나노 튜브 끝을 식각함으로써 얻어질 수 있다. The opened
즉, 탄소 나노 튜브는 기판면과 접촉하는 끝은 오픈된 상태를 가지나, 반대측 끝은 폐쇄된 상태로 성장된다. 따라서, 탄소 나노 튜브의 폐쇄된 끝을 제거하여야만 본 발명에서와 같이 오픈되어 빛의 경로를 제공할 수 있는 오픈된 탄소 나노 튜브(162)를 얻을 수 있다. 예를 들어, 플라즈마 처리에 의해 탄소 나노 튜브의 폐쇄된 끝을 식각하여 오픈시킬 수 있다.That is, the carbon nanotube has an open end in contact with the substrate surface, while the opposite end is grown in a closed state. Accordingly, when the closed end of the carbon nanotube is removed, it is possible to obtain an
이러한 휘도 향상층(160)은, 종래의 평탄화층(도 1의 60) 대신에 형성되기 때문에, 별도의 공정을 요구하지 않는다. 따라서, 공정 추가 또는 추가적인 층 없이 유기발광다이오드 표시장치(100)의 휘도를 증가시킬 수 있다.
Since the
전술한 제 1 실시예의 유기발광다이오드 표시장치에서, 종래 평탄화막을 이용하는 경우(비교예)와 본 발명에 따라 휘도 향상층을 이용하는 경우(실험예)에서의 광학 특성을 표1에 기재하였다.Table 1 shows the optical characteristics in the case of using the conventional planarizing film (Comparative Example) and the case of using the luminance enhancement layer (Experimental Example) in the organic light emitting diode display device of the first embodiment described above.
표1에서 보여지는 바와 같이, 본 발명에서와 같이 오픈된 탄소 나노 튜브를 포함하는 휘도 향상층을 포함하는 유기발광다이오드 표시장치의 광 효율이 크게 향상되었음을 알 수 있다.
As shown in Table 1, it can be seen that the light efficiency of the organic light emitting diode display device including the brightness enhancement layer including the carbon nanotubes opened as in the present invention is greatly improved.
한편, 휘도 향상층(160)에는 드레인 전극(154)을 노출하는 드레인 컨택홀(164)이 형성되어야 하기 때문에, 사진 식각 공정(photo-lithography process)이 진행되어야 한다. 이때, 노광 마스크에 형성된 패턴에 대응되는 크기로 드레인 컨택홀(164)이 형성되어야 한다. Meanwhile, a
비교예Comparative Example
실리콘아크릴레이트 수지(바인더, 15 wt%), 펜타에리트리톨헥사아크릴레이트 (모노머, 10 wt%), 3-글리시독시트리메톡시실란 (첨가제, 3 wt%), 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트 (용매, 70 wt%)와 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤(광 개시제, 2 wt%)을 포함하는 조성물을 코팅하고 경화하여 절연막을 형성하고 이에 대하여 6㎛*9㎛의 투과부를 갖는 노광 마스크를 이용하여 사진 식각 공정을 진행하였다.
(Additive, 3 wt%), propylene glycol monomethyl ether acetate (1 wt%), silicone acrylate resin (binder, 15 wt%), pentaerythritol hexaacrylate Solvent, 70 wt%) and 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone (photoinitiator, 2 wt%) were coated and cured to form an insulating film, and an exposure mask having a transmissive portion of 6 μm * 9 μm A photolithography process was carried out.
실험예Experimental Example
실리콘아크릴레이트 수지(바인더, 15 wt%), 오픈된 탄소 나노 튜브(5 wt%), 펜타에리트리톨헥사아크릴레이트 (모노머, 15 wt%), 3-글리시독시트리메톡시실란 (첨가제, 3 wt%), 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트 (용매, 60 wt%)와 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤(광 개시제, 2 wt%)을 포함하는 조성물을 코팅하고 경화하여 절연막을 형성하고 이에 대하여 6㎛*9㎛의 투과부를 갖는 노광 마스크를 이용하여 사진 식각 공정을 진행하였다.(Monomer, 15 wt%), 3-glycidoxytrimethoxysilane (additive, 3 wt.%), Silicone resin (binder, 15 wt.%), Open carbon nanotube (5 wt.%), Pentaerythritol hexaacrylate (2 wt%) and 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone (photoinitiator, 2 wt%) were coated and cured to form an insulating film, and 6 A photolithography process was carried out using an exposure mask having a transmissive portion of 탆 * 9 탆.
표2에서 보여지는 바와 같이, 원하는 크기의 컨택홀 형성을 위해, 비교예에서는 약 160mJ/㎠의 노광량이 필요한 반면, 실험예에서는 약 40mJ/㎠의 노광량이 필요하다. 따라서, 본 발명의 휘도 향상층의 경우, 사진 식각 공정을 위한 소비 전력이 감소함을 알 수 있다.
As shown in Table 2, in the comparative example, an exposure amount of about 160 mJ / cm 2 is required for forming a contact hole of a desired size, whereas in the experimental example, an exposure amount of about 40 mJ / cm 2 is required. Therefore, in the case of the brightness enhancement layer of the present invention, power consumption for the photolithography process is reduced.
이와 같이, 본 발명의 휘도 향상층은 빛 투과량을 증가시키면서 사진 식각 공정을 위한 소비 전력이 감소되는 장점을 갖는다.
As described above, the brightness enhancement layer of the present invention has an advantage that the power consumption for the photolithography process is reduced while increasing the light transmittance.
-제 2 실시예-- Second Embodiment -
도 7은 본 발명의 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 개략적인 단면도이다.7 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting diode display device according to a second embodiment of the present invention.
도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(200)는, 구동 박막트랜지스터(Td)와, 구동 박막트랜지스터(Td)의 내부층인 제 1 휘도 향상층(240)과, 구동 박막트랜지스터(Td)를 덮는 제 2 휘도 향상층(260)과, 제 2 휘도 향상층(260) 상에 위치하며 구동 박막트랜지스터(Td)에 연결되는 발광다이오드(D)를 포함한다.7, the organic light emitting
구동 박막트랜지스터(Td)는, 반도체층(212)과, 게이트 전극(230)과, 소스 전극(252)과, 드레인 전극(254)을 포함한다.The driving thin film transistor Td includes a
유리 또는 플라스틱으로 이루어지는 기판(210) 상부에 반도체층(212)이 형성된다. 예를 들어, 반도체층(212)은 산화물 반도체 물질로 이루어질 수 있다. 이 경우 반도체층(212) 하부에는 차광패턴(도시하지 않음)과 버퍼층(도시하지 않음)이 형성될 수 있으며, 차광패턴은 반도체층(212)으로 빛이 입사되는 것을 방지하여 반도체층(212)이 빛에 의해 열화되는 것을 방지한다. 이와 달리, 반도체층(212)은 다결정 실리콘으로 이루어질 수도 있으며, 이 경우 반도체층(212)의 양 가장자리에 불순물이 도핑되어 있을 수 있다. A
반도체층(212) 상부에는 절연물질로 이루어진 게이트 절연막(222)이 기판(210) 전면에 형성된다. 게이트 절연막(222)은 산화 실리콘 또는 질화 실리콘과 같은 무기절연물질로 이루어질 수 있다.A
게이트 절연막(222) 상부에는 금속과 같은 도전성 물질로 이루어진 게이트 전극(230)이 반도체층(212)의 중앙에 대응하여 형성된다. 또한, 게이트 절연막(222) 상부에는 게이트 배선(도시하지 않음)과 제1 캐패시터 전극(도시하지 않음)이 형성될 수 있다. 게이트 배선은 제1방향을 따라 연장되고, 제1 캐패시터 전극은 게이트 전극(230)에 연결될 수 있다.A
한편, 게이트 절연막(222)이 기판(210) 전면에 형성되어 있으나, 게이트 절연막(222)은 게이트전극(230)과 동일한 모양으로 패터닝될 수도 있다. The
게이트전극(230) 상부에는 제 1 오픈된 탄소 나노 튜브(241)를 포함하는 제 1 휘도 향상층(240)이 기판(110) 전면에 형성된다. 제 1 휘도 향상층(240)은 유기바인더(미도시)와 제 1 오프된 탄소 나노 튜브(241)를 포함하며, 발광다이오드(D)로부터 방출된 빛의 가이드 역할과 함께 절연층의 역할을 한다.A first
제 1 휘도 향상층(240)은 반도체층(212)의 양측 상면을 노출하는 제 1 및 제 2 컨택홀(242, 244)을 갖는다. 제 1 및 제 2 컨택홀(242, 244)은 게이트 전극(230)의 양측에 게이트 전극(230)과 이격되어 위치한다. 여기서, 제 1 및 제 2 컨택홀(242, 244)은 게이트 절연막(222) 내에도 형성된다. 이와 달리, 게이트 절연막(222)이 게이트 전극(230)과 동일한 모양으로 패터닝될 경우, 제 1 및 제 2 컨택홀(242, 244)은 제 1 휘도 향상층(240) 내에만 형성된다. The first
제 1 휘도 향상층(240) 상부에는 금속과 같은 도전성 물질로 이루어지는 소스 전극(252)과 드레인 전극(254)이 형성된다. 또한, 제 1 휘도 향상층(240) 상부에는 제 2 방향을 따라 연장되는 데이터 배선(도시하지 않음)과 전원 배선(도시하지 않음) 및 제 2 캐패시터 전극(도시하지 않음)이 형성될 수 있다. A
소스 전극(252)과 드레인 전극(254)은 게이트 전극(230)을 중심으로 이격되어 위치하며, 각각 제 1 및 제 2 컨택홀(242, 244)을 통해 반도체층(212)의 양측과 접촉한다. 도시하지 않았지만, 데이터 배선은 제 2 방향을 따라 연장되고 게이트 배선과 교차하여 화소영역을 정의하며, 고전위 전압을 공급하는 전원 배선은 데이터 배선과 이격되어 위치한다. 제 2 캐패시터 전극은 구동 박막트랜지스터(Td)의 드레인 전극(254)과 연결되고 제 1 캐패시터 전극과 중첩함으로써, 제 1 및 제 2 캐패시터 전극 사이의 제 1 휘도 향상층(240)을 유전체층으로 하여 스토리지 캐패시터를 이룬다. The
반도체층(212)과, 게이트전극(230), 소스 전극(252), 드레인전극(254)은 구동 박막트랜지스터(Td)를 이루는데, 구동 박막트랜지스터(Td)는 반도체층(212)의 상부에 게이트 전극(230), 소스 전극(252) 및 드레인 전극(254)이 위치하는 코플라나(coplanar) 구조를 가진다.The
이와 달리, 구동 박막트랜지스터(Td)는 반도체층의 하부에 게이트 전극이 위치하고 반도체층의 상부에 소스 전극과 드레인 전극이 위치하는 역 스태거드(inverted staggered) 구조를 가질 수 있다. 이 경우, 반도체층은 비정질 실리콘으로 이루어질 수 있다. Alternatively, the driving thin film transistor Td may have an inverted staggered structure in which a gate electrode is located below the semiconductor layer and a source electrode and a drain electrode are located above the semiconductor layer. In this case, the semiconductor layer may be made of amorphous silicon.
또한, 구동 박막트랜지스터(Td)와 실질적으로 동일한 구조의 스위칭 박막트랜지스터(도 2의 Ts)가 기판(210) 상에 더 형성된다. 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트 전극(230)은 스위칭 박막트랜지스터(Ts)의 드레인 전극(도시하지 않음)에 연결되고 구동 박막트랜지스터(Td)의 소스 전극(252)은 전원 배선(도시하지 않음)에 연결된다. 또한, 스위칭 박막트랜지스터(Ts)의 게이트 전극(도시하지 않음)과 소스 전극(도시하지 않음)은 게이트 배선 및 데이터 배선과 각각 연결된다.Further, a switching thin film transistor (Ts in Fig. 2) having substantially the same structure as the driving thin film transistor Td is further formed on the
소스 전극(252)과 드레인 전극(254) 상부에는 제 2 오픈된 탄소 나노 튜브(opened carbon nano-tube, 262)를 포함하는 제 2 휘도 향상층(260)이 기판(210) 전면에 형성된다. 제 2 휘도 향상층 (260)은 상면이 평탄하며, 구동 박막트랜지스터(Td)의 드레인 전극(254)을 노출하는 드레인 컨택홀(264)을 갖는다. 여기서, 드레인 컨택홀(264)은 제 2 컨택홀(244) 바로 위에 형성된 것으로 도시되어 있으나, 제 2 컨택홀(244)과 이격되어 형성될 수도 있다. A second
제 2 휘도 향상층(260)은 유기바인더(미도시)와 제 2 오프된 탄소 나노 튜브(262)를 포함하며, 발광다이오드(D)로부터 방출된 빛의 가이드 역할과 함께 절연층의 역할을 한다.The second
발광다이오드(D)는 제 2 휘도 향상층(260) 상에 위치하며 구동 박막트랜지스터(Td)의 드레인 전극(254)에 연결되는 제 1 전극(270)과, 제 1 전극(270) 상에 순차 적층되는 유기발광층(274) 및 제 2 전극(276)을 포함한다. The light emitting diode D includes a
제 1 전극(270)은 일함수 값이 비교적 큰 도전성 물질로 이루어지며 각 화소 영역(도 2의 P) 별로 분리되어 형성된다. 예를 들어, 제 1 전극(270)은 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide, ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(indium-zinc-oxide, IZO)와 같은 투명 도전성 물질로 이루어질 수 있다. The
유기발광층(274)은 발광물질층(emitting material layer)의 단일층 구조를 갖거나, 정공주입층(hole injection layer), 정공수송층(hole transporting layer), 발광물질층, 전자수송층(electron transporting layer), 전자주입층(electron injection layer)의 다층 구조를 가질 수 있다.The organic
제 2 전극(276)은 일함수 값이 비교적 큰 물질로 이루어지며, 다수의 화소 영역(도 2의 P)을 포함하는 표시영역 전면에 대하여 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제 2 전극(276)은 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 알루미늄-마그네슘 합금(AlMg) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.The
또한, 제 1 전극(270)의 가장자리를 덮고 제 1 전극(270)의 중앙부를 노출하는 개구를 갖는 뱅크(272)가 제 2 휘도 향상층(260) 상에 더 형성될 수 있다.In addition, a
제 1 전극(270)으로부터의 정공과 제 2 전극(276)으로부터의 전자가 유기발광층(274)에서 결합되어 엑시톤(exciton)이 생성되고, 엑시톤이 여기상태에서 바닥상태로 떨어지면서 발광다이오드(D), 즉 유기발광층(274)이 발광하게 된다.The holes from the
본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(200)에서는, 유기발광층(274)으로부터의 빛이 제 1 및 제 2 휘도 향상층(240, 260)과 기판(210)을 통과하여 영상을 표시하게 된다. 즉, 하부 발광 방식(bottom emission type) 유기발광다이오드 표시장치이다. 이때, 유기발광층(274)으로부터의 빛은 제 1 및 제 2 휘도 향상층(240, 260)의 제 1 및 제 2 오픈된 탄소 나노 튜브(241, 262)에 의해 가이드됨으로써 유기발광다이오드 표시장치(200)의 휘도가 증가한다.The light from the organic
즉, 발광다이오드(D)로부터의 빛은 제 1 및 제 2 휘도 향상층(240, 260)의 제 1 및 제 2 오픈된 탄소 나노 튜브(241, 262) 내부 공간을 통과하게 되어 직진성이 증가한다. 따라서, 발광다이오드(D)로부터의 빛이 전반사 또는 난반사되는 양이 감소하고, 기판(210)을 향하는 빛의 양이 증가함으로써, 유기발광다이오드 표시장치(200)의 휘도가 증가한다.That is, the light from the light emitting diode D passes through the space inside the first and second
다시 도 6을 참조하면, 발광다이오드(D)로부터의 빛은 제 1 휘도 향상층(도 7의 240)의 제 1 오픈된 탄소 나노 튜브(도 7의 241) 및 제 2 휘도 향상층(도 7의 260)의 제 2 오픈된 탄소 나노 튜브(도 7의 262) 각각의 일단을 통해 내부 공간으로 유입되고, 각각의 타단을 통해 기판(도 7의 210) 방향으로 가이드되기 때문에, 기판(210) 방향으로의 직진성이 증가한다. 따라서, 발광다이오드(D)로부터의 빛이 전반사 또는 난반사되는 양이 감소하고, 기판(210)을 향하는 빛의 양이 증가함으로써, 유기발광다이오드 표시장치(200)의 휘도가 증가한다.Referring again to FIG. 6, light from the light-emitting diode D is emitted from the first open carbon nanotube (241 in FIG. 7) and the second luminance enhancement layer (FIG. 7 7) is introduced through the one end of each of the second open carbon nanotubes (262 in FIG. 7) of the substrate 210 (FIG. 7) The straightness in the direction increases. Accordingly, the amount of total reflection or diffuse reflection of light from the light emitting diode D decreases, and the amount of light directed toward the
도 7에서는, 제 1 및 제 2 오픈된 탄소 나노 튜브(241, 262) 모두가 기판(210)에 대하여 수직하게 배열된 것이 도시되고 있다. 이와 달리, 제 1 및 제 2 오픈된 탄소 나노 튜브(241, 262)는 무질서하게 배열될 수도 있다. 제 1 및 제 2 오픈된 탄소 나노 튜브(241, 262)가 무질서하게 배열되더라도, 이중 일부는 기판(210)에 대하여 수직하게 또는 비스듬하게 배열되기 때문에 빛의 경로 역할을 하게 된다. In FIG. 7, it is shown that both the first and second
제 1 및 제 2 오픈된 탄소 나노 튜브(241, 262)는 내부가 비어 있고 양단이 오픈된 상태를 갖는다. 즉, 빛이 제 1 및 제 2 오픈된 탄소 나노 튜브(241, 262)의 오픈된 일단으로 유입되어 내부 공간을 진행하고 제 1 및 제 2 오픈된 탄소 나노 튜브(241, 262)의 오픈된 타단으로 빠져나오게 되어, 빛의 직진성이 증가한다. 이때, 제 1 및 제 2 오픈된 탄소 나노 튜브(241, 262)는 단층 또는 이중층 쉘을 가져 내부 공간을 형성한다. The first and second
제 1 휘도 향상층(240)은 일반적인 유기발광다이오드 표시장치의 층간 절연막(도 1의 240) 위치에 대응되고, 제 2 휘도 향상층(260)은 일반적인 유기발광다이오드 표시장치의 평탄화층(도 1의 260) 위치에 대응된다. 이때, 도 7에서, 제 1 휘도 향상층(240)과 제 2 휘도 향상층(260) 모두가 오픈된 탄소 나노 튜브(241, 262)를 포함하는 것이 보여지고 있으나, 이에 한정되지 않는다. 즉, 제 1 휘도 향상층(240)만이 오픈된 탄소 나노 튜브(241)를 포함하고, 제 2 휘도 향상층(260) 대신에 일반적인 평탄화층이 형성될 수 있다.The first
다시 말해, 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치는, 층간 절연막 또는 평탄화층 중 적어도 어느 하나가 오픈된 탄소 나노 튜브를 포함함으로써 휘도 향상층의 역할을 하고 이에 따라 구동 전압의 증가 없이 유기발광다이오드 표시장치의 휘도가 증가하는 효과를 갖는다.
In other words, the organic light emitting diode display according to the first and second embodiments of the present invention includes the carbon nanotubes in which at least one of the interlayer insulating layer and the planarization layer is open, thereby functioning as a brightness enhancement layer, The brightness of the organic light emitting diode display device is increased without increasing the voltage.
-제 3 실시예-- Third Embodiment -
도 8은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 개략적인 단면도이다.8 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting diode display device according to a third embodiment of the present invention.
도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(300)는, 구동 박막트랜지스터(Td)와, 구동 박막트랜지스터(Td)에 연결되는 발광다이오드(D)와, 구동 박막트랜지스터(Td)를 덮는 휘도 향상층(380)을 포함한다.8, the organic light emitting
구동 박막트랜지스터(Td)는, 반도체층(312)과, 게이트 전극(330)과, 소스 전극(352)과, 드레인 전극(354)을 포함한다.The driving thin film transistor Td includes a
유리 또는 플라스틱으로 이루어지는 기판(310) 상부에 반도체층(312)이 형성된다. 예를 들어, 반도체층(312)은 산화물 반도체 물질로 이루어질 수 있다. 이와 달리, 반도체층(312)은 다결정 실리콘으로 이루어질 수도 있으며, 이 경우 반도체층(312)의 양 가장자리에 불순물이 도핑되어 있을 수 있다. A
반도체층(312) 상부에는 절연물질로 이루어진 게이트 절연막(322)이 기판(310) 전면에 형성된다. 게이트 절연막(322)은 산화 실리콘 또는 질화 실리콘과 같은 무기절연물질로 이루어질 수 있다.A
게이트 절연막(322) 상부에는 금속과 같은 도전성 물질로 이루어진 게이트 전극(330)이 반도체층(312)의 중앙에 대응하여 형성된다. 또한, 게이트 절연막(322) 상부에는 게이트 배선(도시하지 않음)과 제1 캐패시터 전극(도시하지 않음)이 형성될 수 있다. 게이트 배선은 제1방향을 따라 연장되고, 제1 캐패시터 전극은 게이트 전극(330)에 연결될 수 있다.A
한편, 게이트 절연막(322)이 기판(310) 전면에 형성되어 있으나, 게이트 절연막(322)은 게이트전극(330)과 동일한 모양으로 패터닝될 수도 있다. The
게이트전극(330) 상부에는 절연물질로 이루어진 층간 절연막(340)이 기판(310) 전면에 형성된다. 층간 절연막(340)은 산화 실리콘이나 질화 실리콘과 같은 무기 절연물질로 형성되거나, 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene)이나 포토 아크릴(photo-acryl)과 같은 유기 절연물질로 형성될 수 있다. An interlayer insulating
층간 절연막(340)은 반도체층(112)의 양측 상면을 노출하는 제 1 및 제 2 컨택홀(342, 344)을 갖는다. 제 1 및 제 2 컨택홀(342, 344)은 게이트 전극(330)의 양측에 게이트 전극(330)과 이격되어 위치한다. 여기서, 제 1 및 제 2 컨택홀(342, 344)은 게이트 절연막(322) 내에도 형성된다. 이와 달리, 게이트 절연막(322)이 게이트 전극(330)과 동일한 모양으로 패터닝될 경우, 제 1 및 제 2 컨택홀(342, 344)은 층간 절연막(340) 내에만 형성된다. The
층간 절연막(340) 상부에는 금속과 같은 도전성 물질로 소스 전극(352)과 드레인 전극(354)이 형성된다. 또한, 층간 절연막(340) 상부에는 제 2 방향을 따라 연장되는 데이터 배선(도시하지 않음)과 전원 배선(도시하지 않음) 및 제 2 캐패시터 전극(도시하지 않음)이 형성될 수 있다. A source electrode 352 and a
소스 전극(352)과 드레인 전극(354)은 게이트 전극(330)을 중심으로 이격되어 위치하며, 각각 제 1 및 제 2 컨택홀(342, 344)을 통해 반도체층(312)의 양측과 접촉한다. 도시하지 않았지만, 데이터 배선은 제 2 방향을 따라 연장되고 게이트 배선과 교차하여 화소영역을 정의하며, 고전위 전압을 공급하는 전원 배선은 데이터 배선과 이격되어 위치한다. 제 2 캐패시터 전극은 구동 박막트랜지스터(Td)의 드레인 전극(354)과 연결되고 제 1 캐패시터 전극과 중첩함으로써, 제 1 및 제 2 캐패시터 전극 사이의 층간 절연막(340)을 유전체층으로 하여 스토리지 캐패시터를 이룬다. The source electrode 352 and the
반도체층(312)과, 게이트전극(330), 소스 전극(152), 드레인전극(354)은 구동 박막트랜지스터(Td)를 이루는데, 구동 박막트랜지스터(Td)는 반도체층(312)의 상부에 게이트 전극(330), 소스 전극(352) 및 드레인 전극(354)이 위치하는 코플라나(coplanar) 구조를 가진다.The
이와 달리, 구동 박막트랜지스터(Td)는 반도체층의 하부에 게이트 전극이 위치하고 반도체층의 상부에 소스 전극과 드레인 전극이 위치하는 역 스태거드(inverted staggered) 구조를 가질 수 있다. 이 경우, 반도체층은 비정질 실리콘으로 이루어질 수 있다. Alternatively, the driving thin film transistor Td may have an inverted staggered structure in which a gate electrode is located below the semiconductor layer and a source electrode and a drain electrode are located above the semiconductor layer. In this case, the semiconductor layer may be made of amorphous silicon.
또한, 구동 박막트랜지스터(Td)와 실질적으로 동일한 구조의 스위칭 박막트랜지스터(도 2의 Ts)가 기판(310) 상에 더 형성된다. 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트 전극(330)은 스위칭 박막트랜지스터(Ts)의 드레인 전극(도시하지 않음)에 연결되고 구동 박막트랜지스터(Td)의 소스 전극(352)은 전원 배선(도시하지 않음)에 연결된다. 또한, 스위칭 박막트랜지스터(Ts)의 게이트 전극(도시하지 않음)과 소스 전극(도시하지 않음)은 게이트 배선 및 데이터 배선과 각각 연결된다.Further, a switching thin film transistor (Ts in Fig. 2) having substantially the same structure as the driving thin film transistor Td is further formed on the
소스 전극(352)과 드레인 전극(354) 상부에는 평탄화층(360)이 기판(310) 전면에 형성된다. 평탄화층(360)은 상면이 평탄하며, 구동 박막트랜지스터(Td)의 드레인 전극(354)을 노출하는 드레인 컨택홀(364)을 갖는다. 여기서, 드레인 컨택홀(364)은 제 2 컨택홀(344) 바로 위에 형성된 것으로 도시되어 있으나, 제 2 컨택홀(344)과 이격되어 형성될 수도 있다. A
발광다이오드(D)는 평탄화층(360) 상에 위치하며 구동 박막트랜지스터(Td)의 드레인 전극(354)에 연결되는 제 1 전극(370)과, 제 1 전극(370) 상에 순차 적층되는 유기발광층(374) 및 제 2 전극(376)을 포함한다. The light emitting diode D includes a
제 1 전극(370)은 일함수 값이 비교적 큰 도전성 물질로 이루어지며 각 화소 영역(도 2의 P) 별로 분리되어 형성된다. 예를 들어, 제 1 전극(370)은 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide, ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(indium-zinc-oxide, IZO)와 같은 투명 도전성 물질로 이루어질 수 있다. The
유기발광층(374)은 발광물질층(emitting material layer)의 단일층 구조를 갖거나, 정공주입층(hole injection layer), 정공수송층(hole transporting layer), 발광물질층, 전자수송층(electron transporting layer), 전자주입층(electron injection layer)의 다층 구조를 가질 수 있다.The organic
제 2 전극(376)은 일함수 값이 비교적 큰 물질로 이루어지며, 다수의 화소 영역(P)을 포함하는 표시영역 전면에 대하여 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제 2 전극(376)은 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 알루미늄-마그네슘 합금(AlMg) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.The
이때, 제 2 전극(376)은 빛이 투과되도록 비교적 얇은 두께를 가지며, 제 2 전극(392)의 빛 투과도는 약 45-50%일 수 있다. 즉, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(300)는 유기발광층(374)으로부터의 빛이 제 2 전극(392)을 통과하여 영상이 표시되는 상부 발광 방식(top emission type)이다.At this time, the
광 효율 향상을 위해, 제 1 전극(370)은 불투명 도전성 물질로 이루어진 반사층(도시하지 않음)을 더 포함하여, 투명 도전성 전극층과 불투명 도전성 물질의 반사층을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 일례로, 반사층은 알루미늄-팔라듐-구리(aluminum-paladium-copper: APC) 합금으로 형성될 수 있으며, 제 1 전극(370)은 ITO/APC/ITO의 3중층 구조를 가질 수 있다.In order to improve the light efficiency, the
또한, 제 1 전극(370)의 가장자리를 덮고 제 1 전극(370)의 중앙부를 노출하는 개구를 갖는 뱅크(372)가 평탄화층(360) 상에 더 형성될 수 있다.A
휘도 향상층(380)은 발광다이오드(D)를 덮으며, 오픈된 탄소 나노 튜브(opened carbon nano-tube, 382)를 포함한다. 즉, 휘도 향상층(380)은 제 2 전극(376) 상에 위치하며 기판(310) 전면에 대응한다.The
휘도 향상층(380)은 유기바인더(미도시)와 오프된 탄소 나노 튜브(382)를 포함하며, 발광다이오드(D)로부터 방출된 빛의 가이드 역할을 한다.The
제 1 전극(370)으로부터의 정공과 제 2 전극(376)으로부터의 전자가 유기발광층(374)에서 결합되어 엑시톤(exciton)이 생성되고, 엑시톤이 여기상태에서 바닥상태로 떨어지면서 발광다이오드(D), 즉 유기발광층(374)이 발광하게 된다.The holes from the
전술한 바와 같이, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(300)는, 유기발광층(374)으로부터의 빛이 제 2 전극(376)과 휘도 향상층(380)을 통과하여 영상이 표시되는 상부 발광 방식이다. 이때, 유기발광층(374)으로부터의 빛은 휘도 향상층(380)의 오픈된 탄소 나노 튜브(382)에 의해 가이드됨으로써 유기발광다이오드 표시장치(300)의 휘도가 증가한다.As described above, the organic light emitting
다시 도 6을 참조하면, 발광다이오드(D)로부터의 빛은 휘도 향상층(도 8의 380)의 오픈된 탄소 나노 튜브(도 8의 382)의 일단을 통해 내부 공간으로 유입되고, 타단을 통해 휘도 향상층(380)의 외부면 방향으로 가이드되기 때문에, 빛의 직진성이 증가한다. 따라서, 발광다이오드(D)로부터의 빛이 전반사 또는 난반사되는 양이 감소하고, 휘도 향상층(380)의 외부면을 향하는 빛의 양이 증가함으로써, 유기발광다이오드 표시장치(300)의 휘도가 증가한다.Referring again to FIG. 6, light from the light emitting diode D flows into the inner space through one end of the open carbon nanotubes (382 in FIG. 8) of the brightness enhancement layer (380 in FIG. 8) Is guided in the direction of the outer surface of the
도 8에서는, 오픈된 탄소 나노 튜브(382) 모두가 기판(310)에 대하여 수직하게 배열된 것이 도시되고 있다. 이와 달리, 오픈된 탄소 나노 튜브(382)는 무질서하게 배열될 수도 있다. 오픈된 탄소 나노 튜브(382)가 무질서하게 배열되더라도, 이중 일부는 기판(310)에 대하여 수직하게 또는 비스듬하게 배열되기 때문에 빛의 경로 역할을 하게 된다. In FIG. 8, it is shown that all of the
오픈된 탄소 나노 튜브(382)는 내부가 비어 있고 양단이 오픈된 상태를 갖는다. 즉, 빛이 오픈된 탄소 나노 튜브(382)의 오픈된 일단으로 유입되어 내부 공간을 진행하고 오픈된 탄소 나노 튜브(382)의 오픈된 타단으로 빠져나오게 되어, 빛의 직진성이 증가한다. 이때, 오픈된 탄소 나노 튜브(382)는 단층 또는 이중층 쉘을 가져 내부 공간을 형성한다. The opened
본 발명의 제 3 실시예에 따른 상부 발광 방식 유기발광다이오드 표시장치(300)는 제 2 전극(376) 상부에 위치하고 빛의 경로를 제공하는 오픈된 탄소 나노 튜브(382)를 포함하는 휘도 향상층(380)을 포함하기 때문에, 구동 전압 증가 없이 유기발광다이오드 표시장치(300)의 휘도가 증가한다.
The upper emission type organic light emitting
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the appended claims. It can be understood that
100, 200, 300: 유기발광다이오드 표시장치
110, 210, 310: 기판
112, 212, 312: 반도체층
122, 222, 322: 게이트 절연막
130, 230, 330: 게이트 전극
140, 340: 층간 절연막
152, 252, 352: 소스 전극
154, 254, 354: 드레인 전극
170, 270, 370: 제 1 전극
172, 272, 372: 뱅크
174, 274, 374: 유기발광층
176, 276, 376: 제 2 전극
160, 240, 260, 280: 휘도 향상층
162, 241, 262, 282: 오픈된 탄소 나노 튜브
360: 평탄화층
Td: 구동 박막트랜지스터
Ts: 스위칭 박막트랜지스터
D: 발광다이오드100, 200, 300: organic light emitting diode display device
110, 210, 310:
122, 222, 322:
140, 340:
154, 254, 354:
172, 272, 372:
176, 276, 376:
162, 241, 262, 282: open carbon nanotubes
360: planarization layer Td: driving thin film transistor
Ts: switching thin film transistor D: light emitting diode
Claims (12)
오픈된 탄소 나노 튜브
를 포함하는 휘도 향상층.
An organic binder;
Open carbon nanotubes
And a second electrode layer.
상기 오픈된 탄소 나노 튜브는 동일 방향으로 배열되는 휘도 향상층.
The method according to claim 1,
Wherein the open carbon nanotubes are arranged in the same direction.
상기 기판 상부에 위치하는 박막트랜지스터와;
상기 박막트랜지스터 상부에 위치하며 상기 박막트랜지스터에 연결되는 발광다이오드와;
상기 박막트랜지스터와 상기 발광다이오드 사이에 위치하고 제 1 오픈된 탄소 나노 튜브를 포함하는 제 1 휘도 향상층
을 포함하는 유기발광다이오드 표시장치.
Claims [1]
A thin film transistor located on the substrate;
A light emitting diode disposed on the thin film transistor and connected to the thin film transistor;
And a first brightness enhancement layer disposed between the thin film transistor and the light emitting diode and including a first open carbon nanotube
And an organic light emitting diode (OLED) display device.
상기 제 1 오픈된 탄소 나노 튜브는 상기 기판에 대하여 수직하게 배열되는 유기발광다이오드 표시장치.
The method of claim 3,
Wherein the first open carbon nanotube is arranged perpendicular to the substrate.
상기 제 1 휘도 향상층은 상기 박막트랜지스터의 전극을 노출하는 컨택홀을 포함하고, 상기 발광다이오드는 상기 컨택홀을 통해 상기 박막트랜지스터에 연결되는 유기발광다이오드 표시장치.
The method of claim 3,
Wherein the first brightness enhancement layer includes a contact hole exposing an electrode of the thin film transistor, and the light emitting diode is connected to the thin film transistor through the contact hole.
상기 발광다이오드는, 상기 박막트랜지스터에 연결되는 제 1 전극과, 상기 제 1 전극 상부의 유기발광층과, 상기 유기발광층 상부의 제 2 전극을 포함하고,
상기 유기발광층으로부터의 빛은 상기 제 1 휘도 향상층과 상기 기판을 통과하여 영상이 표시되는 유기발광다이오드 표시장치.
The method of claim 3,
The light emitting diode includes a first electrode connected to the thin film transistor, an organic light emitting layer above the first electrode, and a second electrode above the organic light emitting layer,
Wherein light from the organic light emitting layer passes through the first brightness enhancement layer and the substrate to display an image.
상기 박막트랜지스터는, 반도체층과, 상기 반도체층 상의 게이트 절연막과, 상기 게이트 절연막 상의 게이트 전극과, 상기 게이트 전극을 덮는 제 2 휘도 향상층과, 상기 제 2 휘도 향상층 상에서 서로 이격하고 상기 반도체층과 각각 접촉하는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고,
상기 제 2 휘도 향상층은 제 2 오픈된 탄소 나노 튜브를 포함하는 유기발광다이오드 표시장치.
The method of claim 3,
The thin film transistor includes a semiconductor layer, a gate insulating film on the semiconductor layer, a gate electrode on the gate insulating film, a second brightness enhancement layer covering the gate electrode, and a second brightness enhancement layer, And a source electrode and a drain electrode, respectively,
And the second brightness enhancement layer comprises a second open carbon nanotube.
상기 제 2 오픈된 탄소 나노 튜브는 상기 기판에 대하여 수직하게 배열되는 유기발광다이오드 표시장치.
8. The method of claim 7,
And the second open carbon nanotube is arranged perpendicular to the substrate.
상기 기판 상부에 위치하는 박막트랜지스터와;
상기 박막트랜지스터 상부에 위치하며 상기 박막트랜지스터에 연결되는 발광다이오드와;
상기 발광다이오드를 덮고 오픈된 탄소 나노 튜브를 포함하는 휘도 향상층
을 포함하는 유기발광다이오드 표시장치.
Claims [1]
A thin film transistor located on the substrate;
A light emitting diode disposed on the thin film transistor and connected to the thin film transistor;
A brightness enhancement layer including the carbon nanotubes that cover the light emitting diode and open,
And an organic light emitting diode (OLED) display device.
상기 오픈된 탄소 나노 튜브는 상기 기판에 대하여 수직하게 배열되는 유기발광다이오드 표시장치.
10. The method of claim 9,
Wherein the open carbon nanotubes are arranged perpendicular to the substrate.
상기 발광다이오드는, 상기 박막트랜지스터에 연결되는 제 1 전극과, 상기 제 1 전극 상부의 유기발광층과, 상기 유기발광층 상부의 제 2 전극을 포함하고,
상기 유기발광층으로부터의 빛은 상기 제 2 전극과 상기 휘도 향상층을 통과하여 영상이 표시되는 유기발광다이오드 표시장치.
11. The method of claim 10,
The light emitting diode includes a first electrode connected to the thin film transistor, an organic light emitting layer above the first electrode, and a second electrode above the organic light emitting layer,
Wherein light from the organic light emitting layer passes through the second electrode and the brightness enhancement layer to display an image.
상기 제 1 전극은 투명 도전성 전극층과 반사층을 포함하는 유기발광다이오드 표시장치.
11. The method of claim 10,
Wherein the first electrode includes a transparent conductive electrode layer and a reflective layer.
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