KR20160001876A - Organic light emitting diode display device - Google Patents

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KR20160001876A
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

The present invention discloses an organic light emitting diode display device. The disclosed organic light emitting diode display device of the present invention comprises: a substrate divided into a light emitting area and a non-light emitting area; a thin film transistor formed on the substrate; a protective layer formed on the thin film transistor; a first planarization layer formed on the protective layer, and including a plurality of grooves formed on an upper surface; a second planarization layer formed on the first planarization layer, and including a plurality of protrusions corresponding to the grooves on a lower surface; and an organic light emitting element formed on the second planarization layer.

Description

유기전계발광 표시장치{Organic light emitting diode display device}[0001] The present invention relates to an organic light emitting diode display device,

본 발명은 유기전계발광 표시장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 출광 효율이 향상되고, 효율 향상에 따른 수명 및 소비전력이 향상된 유기전계발광 표시장치에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an organic light emitting display device, and more particularly, to an organic light emitting display device having improved outgoing light efficiency and improved lifetime and power consumption with improved efficiency.

최근, 본격적인 정보화 시대로 접어듦에 따라 전기적 정보신호를 시각적으로 표현하는 디스플레이(display)분야가 급속도로 발전해 왔고, 이에 부응하여 박형화, 경량화, 저소비전력화의 우수한 성능을 지닌 여러 가지 다양한 평판표시장치(Flat Display Device)가 개발되어 기존의 브라운관(Cathode Ray Tube: CRT)을 빠르게 대체하고 있다.In recent years, as the information age has come to a full-fledged information age, a display field for visually representing electrical information signals has been rapidly developed. In response to this, various flat panel display devices having excellent performance of thinning, lightweighting, Flat Display Device) has been developed to replace CRT (Cathode Ray Tube).

이 같은 평판표시장치의 구체적인 예로는 액정표시장치(Liquid Crystal Display device: LCD), 유기전계발광 표시장치(Organic Light Emitting Display: OLED), 전기영동표시장치(Electrophoretic Display: EPD,Electric Paper Display), 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel device: PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display device: FED), 전기발광표시장치(Electro luminescence Display Device: ELD) 및 전기습윤표시장치(Electro-Wetting Display: EWD) 등을 들 수 있다. 이들은 공통적으로 영상을 구현하는 평판표시패널을 필수적인 구성요소로 하는데, 평판 표시패널은 고유의 발광물질 또는 편광물질층을 사이에 두고 대면 합착된 한 쌍의 기판을 포함하여 이루어진다.Specific examples of such flat panel display devices include a liquid crystal display device (LCD), an organic light emitting display (OLED), an electrophoretic display (EPD) A plasma display panel (PDP), a field emission display (FED), an electroluminescence display (ELD), and an electro-wetting display (EWD) And the like. In general, a flat panel display panel, which realizes images, is an essential component. The flat panel display panel includes a pair of substrates bonded together with an intrinsic light emitting material or a polarizing material layer therebetween.

이러한 평판표시장치 중 하나인 유기전계발광 표시장치(Organic light emitting diode display device)는 자발광소자로서, 비발광소자인 액정표시장치에 사용되는 별도의 광원이 필요하지 않기 때문에 경량 박형이 가능하다. 또한, 액정표시장치에 비해 시야각 및 대비비가 우수하며, 소비전력 측면에서도 유리하며, 직류 저전압 구동이 가능하고, 응답속도가 빠르며, 내부 구성요소가 고체이기 때문에 외부충격에 강하고, 사용 온도범위도 넓은 장점을 가지고 있다.The organic light emitting diode (OLED) display device, which is one of such flat panel display devices, is a self-luminous device and can be lightweight and thin because a separate light source used in a liquid crystal display device, which is a non-light emitting device, is not required. In addition, it has superior viewing angle and contrast ratio compared with liquid crystal display devices, is advantageous in terms of power consumption, can be driven by DC low voltage, has a quick response speed, is resistant to external impacts due to its solid internal components, It has advantages.

상기 유기전계발광 표시장치는 유기 발광 소자에서 생성된 광의 외부로 수직방향으로 출광되는 과정에서 다수의 층을 통과해야 한다. 이때, 상기 다수의 층들사이의 굴절율 차이로 인해 전반사 등이 발생하고, 수평방향으로 광이 소실되는 문제점이 있다. 즉, 수직 방향으로 출광 효율을 향상시킬 필요가 있다.
The organic light emitting display has to pass through a plurality of layers in the process of being emitted in the vertical direction to the outside of the light generated in the organic light emitting device. At this time, due to the difference in refractive index between the plurality of layers, total reflection occurs, and light is lost in the horizontal direction. That is, it is necessary to improve the outgoing light efficiency in the vertical direction.

본 발명은 박막 트랜지스터와 유기발광소자 사이에서 요철부가 형성된 다수의 평탄화막을 포함하여 출광 효율을 향상시키는 유기전계발광 표시장치를 제공하는데 목적이 있다.An object of the present invention is to provide an organic light emitting display device including a plurality of flattening films formed between a thin film transistor and an organic light emitting device to improve outgoing light efficiency.

또한, 본 발명은 유기전계발광 표시장치의 출광 효율을 향상시킴으로써, 수명 및 소비전력이 향상되는 유기전계발광 표시장치를 제공하는데 다른 목적이 있다.
It is another object of the present invention to provide an organic electroluminescence display device having improved lifetime and power consumption by improving the outgoing efficiency of the organic electroluminescence display device.

상기와 같은 종래 기술의 과제를 해결하기 위한 본 발명의 유기전계발광 표시장치는, 발광영역 및 비발광영역으로 구분되는 기판; 상기 기판 상에 형성되는 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터 상에 형성되는 보호막; 상기 보호막 상에 형성되고, 상면에 형성된 다수의 홈을 포함하는 제 1 평탄화막; 상기 제 1 평탄화막 상에 형성되고, 하면에 상기 다수의 홈에 대응되는 다수의 돌출부를 포함하는 제 2 평탄화막; 및 상기 제 2 평탄화막에 형성된 유기발광소자를 포함하는 것을 특징으로 한다.
According to an aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting display including: a substrate divided into a light emitting region and a non-emitting region; A thin film transistor formed on the substrate; A protective film formed on the thin film transistor; A first planarization layer formed on the protective film and including a plurality of grooves formed on an upper surface; A second planarization layer formed on the first planarization layer and including a plurality of projections corresponding to the plurality of grooves on a lower surface; And an organic light emitting device formed on the second planarization film.

본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치는, 박막 트랜지스터와 유기발광소자 사이에서 요철부가 형성된 다수의 평탄화막을 포함하여 출광 효율을 향상시키는 제 1 효과가 있다.The organic electroluminescent display device according to the present invention includes a plurality of planarization films formed between the thin film transistor and the organic light emitting device, and has a first effect of improving the light output efficiency.

또한, 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치는, 유기전계발광 표시장치의 출광 효율을 향상시킴으로써, 수명 및 소비전력이 향상되는 제 2 효과가 있다.
In addition, the organic light emitting display device according to the present invention has a second effect of improving lifetime and power consumption by improving the outgoing efficiency of the organic light emitting display device.

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 단면도를 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 단면도를 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 단면도를 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 단면도를 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 제 5 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 단면도를 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 유기전계발광 표시장치의 효과를 설명하기 위한 도면이다. 1 is a cross-sectional view of an organic light emitting display according to a first embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view of an organic light emitting display according to a second embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of an organic light emitting display according to a third embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view of an organic light emitting display according to a fourth embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view of an organic light emitting display according to a fifth embodiment of the present invention.
6 is a view for explaining an effect of an organic light emitting display according to embodiments of the present invention.

이하, 본 발명의 실시예들은 도면을 참고하여 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에 있어서, 장치의 크기 및 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The following embodiments are provided by way of example so that those skilled in the art can fully understand the spirit of the present invention. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be embodied in other forms. In the drawings, the size and thickness of the device may be exaggerated for convenience. Like reference numerals designate like elements throughout the specification.

우선, 도 1을 참조하여 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치에 대해 설명하면 다음과 같다. 도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 단면도를 도시한 도면이다.First, an organic light emitting display according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 1 is a cross-sectional view of an organic light emitting display according to a first embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치는 표시 영역과 비표시 영역으로 구분되는 기판(100)을 포함한다. 상기 표시 영역은 복수의 화소 영역으로 구획되어 있다. 각 화소 영역에는 적어도 하나의 박막 트랜지스터(TFT)가 형성된다. 또한, 상기 박막 트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결된 유기발광소자(OL)가 형성된다. Referring to FIG. 1, an organic light emitting display according to a first embodiment of the present invention includes a substrate 100 divided into a display region and a non-display region. The display region is divided into a plurality of pixel regions. At least one thin film transistor (TFT) is formed in each pixel region. In addition, an organic light emitting device OL electrically connected to the thin film transistor TFT is formed.

상기 박막 트랜지스터(TFT)는 게이트 전극(110), 반도체층(112), 소스 전극 및 드레인 전극(114)을 포함한다. 자세하게는, 상기 기판(100) 상에 일방향으로 형성되는 게이트 라인과 상기 게이트 라인으로부터 분기된 게이트 전극(110)이 형성된다. 상기 게이트 라인 및 게이트 전극(110) 상에 게이트 절연막(111)이 형성된다. The thin film transistor (TFT) includes a gate electrode 110, a semiconductor layer 112, a source electrode and a drain electrode 114. In detail, a gate line formed in one direction on the substrate 100 and a gate electrode 110 branched from the gate line are formed. A gate insulating layer 111 is formed on the gate line and the gate electrode 110.

상기 기판(100)은 절연 기판일 수 있다. 이때, 상기 기판(100)은 실리콘(Si), 유리(glass), 플라스틱 또는 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않으며, 상기 기판(100) 상에 형성되는 다수의 층과 소자를 지지할 수 있는 재료면 충분하다.The substrate 100 may be an insulating substrate. At this time, the substrate 100 may include silicon (Si), glass, plastic, or polyimide (PI). However, the present invention is not limited thereto, and a plurality of layers formed on the substrate 100 and a material capable of supporting the elements are sufficient.

또한, 상기 게이트 라인 및 게이트 전극(110)은 도면 상에는 단일층으로 형성되었으나, 2이상의 층으로 형성된 다중층으로 형성될 수 있다. 상기 게이트 라인 및 게이트 전극(110)은 전도성 물질로 형성된다. 예를 들면, 상기 게이트 라인 및 게이트 전극(110)은 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 구리(Cu), 은(Ag), 몰디브덴(Mo), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함할 수 있다. 하지만, 상기 게이트 라인 및 게이트 전극(110)을 이루는 물질은 이에 한정되지 않는다. Although the gate line and the gate electrode 110 are formed as a single layer in the drawing, the gate line and the gate electrode 110 may be formed of multiple layers formed of two or more layers. The gate line and the gate electrode 110 are formed of a conductive material. For example, the gate line and the gate electrode 110 may be formed of a metal such as aluminum (Al), tungsten (W), copper (Cu), silver (Ag), molybdenum (Mo), chromium (Cr), tantalum Titanium (Ti), and combinations thereof. However, the material constituting the gate line and the gate electrode 110 is not limited thereto.

또한, 상기 게이트 절연막(111)은 유전체 또는 고유전율 유전체로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 상기 게이트 절연막(111)은 SiOx, SiNx, SiON, HfO2, Al2O3, Y2O3, Ta2O5 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함할 수 있다. 하지만, 상기 게이트 절연막(111)을 이루는 물질은 이에 한정되지 않는다. 또한, 상기 게이트 절연막(111)은 도면 상에는 단일층으로 형성되었으나, 2이상의 층으로 형성된 다중층으로 형성될 수 있다.The gate insulating layer 111 may be formed of a dielectric material or a high dielectric constant material. For example, the gate insulating layer 111 may include any one selected from the group consisting of SiOx, SiNx, SiON, HfO 2 , Al 2 O 3 , Y 2 O 3 , Ta 2 O 5, have. However, the material constituting the gate insulating film 111 is not limited thereto. Although the gate insulating layer 111 is formed as a single layer in the drawing, the gate insulating layer 111 may be formed of multiple layers formed of two or more layers.

상기 게이트 절연막(111) 상에 반도체층(112)을 형성한다. 상기 반도체층(112)은 도면 상에는 단일층으로 형성되었으나, 2이상의 층으로 형성된 다중층으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 반도체층(112)은 산화물 반도체 물질, a-Si 및 p-Si를 포함하는 실리콘물질, 유기 반도체 물질, CNT(carbon nanotube) 및 그래핀(graphene)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다. 하지만, 상기 반도체층(112)을 이루는 물질은 이에 한정되지 않는다. A semiconductor layer 112 is formed on the gate insulating layer 111. Although the semiconductor layer 112 is formed as a single layer in the drawing, the semiconductor layer 112 may be formed of multiple layers formed of two or more layers. For example, the semiconductor layer 112 may include at least one selected from the group consisting of an oxide semiconductor material, a silicon material including a-Si and p-Si, an organic semiconductor material, a carbon nanotube (CNT), and a graphene And may be formed of one material. However, the material of the semiconductor layer 112 is not limited thereto.

도면 상에는 도시하지 않았으나, 상기 반도체층(112) 상에는 반도체층(112)의 채널영역을 보호하기 위한 식각정지층(Etch stop layer)이 형성될 수 있다. 또한, 상기 반도체층(112)과 소스 전극(113) 및 드레인 전극(114) 사이에 MoTi와 같은 디퓨전 배리어(diffusion barrier)역할을 하는 층이 더 형성될 수 있다. Although not shown in the drawing, an etch stop layer for protecting the channel region of the semiconductor layer 112 may be formed on the semiconductor layer 112. In addition, a layer serving as a diffusion barrier such as MoTi may be further formed between the semiconductor layer 112 and the source electrode 113 and the drain electrode 114.

상기 반도체층(112)이 형성된 기판(100) 상에 데이터 라인, 상기 데이터 라인으로부터 분기된 소스 전극(113) 및 드레인 전극(114)이 형성된다. 상기 데이터라인은 상기 게이트 라인과 다른 일방향으로 연장되도록 형성되어, 상기 게이트라인과 교차되도록 형성된다. 상기 게이트 라인과 상기 데이터 라인이 교차하여 화소 영역이 정의된다.A data line, a source electrode 113 and a drain electrode 114 branched from the data line are formed on a substrate 100 on which the semiconductor layer 112 is formed. The data lines are formed to extend in one direction different from the gate lines, and are formed to intersect the gate lines. The pixel region is defined by the gate line and the data line intersecting with each other.

상기 소스 전극(113) 및 드레인 전극(114)은 상기 반도체층(112)과 중첩되도록 형성된다. 상기 데이터 라인, 상기 소스 전극(113) 및 상기 드레인 전극(114)은 도면 상에는 단일층으로 형성되었으나, 2이상의 층으로 형성된 다중층으로 형성될 수 있다. 상기 데이터 라인, 상기 소스 전극(113) 및 상기 드레인 전극(114)은 전도성 물질로 형성된다. 예를 들면, 상기 데이터 라인, 상기 소스 전극(113) 및 상기 드레인 전극(114)은 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 구리(Cu), 은(Ag), 몰디브덴(Mo), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함할 수 있다. 하지만, 상기 데이터 라인, 상기 소스 전극(113) 및 상기 드레인 전극(114)을 이루는 물질은 이에 한정되지 않는다. The source electrode 113 and the drain electrode 114 are formed to overlap with the semiconductor layer 112. Although the data line, the source electrode 113, and the drain electrode 114 are formed as a single layer in the drawing, they may be formed as multiple layers formed of two or more layers. The data line, the source electrode 113, and the drain electrode 114 are formed of a conductive material. For example, the data line, the source electrode 113, and the drain electrode 114 may be formed of a metal such as aluminum (Al), tungsten (W), copper (Cu), silver (Ag), molybdenum Cr), tantalum (Ta), titanium (Ti), and combinations thereof. However, the material forming the data line, the source electrode 113, and the drain electrode 114 is not limited thereto.

상기 박막 트랜지스터(TFT)의 구성은 도면에 한정되지 않는다. 도면 상에는 게이트 전극(110) 상에 순차적으로 게이트 절연막(111), 반도체층(112), 소스 전극(113) 및 드레인 전극(114)이 형성되는 바텀 게이트(bottom gate) 구조를 도시하였으나, 상기 박막 트랜지스터(TFT)는 탑 게이트(top gate) 구조 및 이중 게이트(double gate) 구조 등 본 발명에 따른 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 변경이 가능하다.The structure of the thin film transistor (TFT) is not limited to the drawing. The bottom gate structure in which the gate insulating film 111, the semiconductor layer 112, the source electrode 113 and the drain electrode 114 are sequentially formed on the gate electrode 110 is shown in FIG. The transistor (TFT) can be changed within a range that does not deviate from the essential characteristics of the embodiment according to the present invention such as a top gate structure and a double gate structure.

상기 게이트 전극(110), 반도체층(112), 소스 전극(113) 및 드레인 전극(114)을 포함하는 박막 트랜지스터(TFT) 상에 보호막(120)이 형성된다. 상기 보호막(120) 상에는 평탄화막(170)이 형성된다. 상기 보호막(120) 및 상기 평탄화막(170)은 상기 드레인 전극(114)을 노출하는 콘택홀을 포함할 수 있다. The passivation layer 120 is formed on the thin film transistor TFT including the gate electrode 110, the semiconductor layer 112, the source electrode 113, and the drain electrode 114. A planarizing layer 170 is formed on the protective layer 120. The passivation layer 120 and the planarization layer 170 may include a contact hole exposing the drain electrode 114.

도면 상에는 상기 보호막(120) 및 상기 평탄화막(170)이 순차적으로 적층되고, 상기 보호막(120) 및 상기 평탄화막(170)을 관통하는 하나의 콘택홀을 통해 드레인 전극(114)이 노출되는 구성을 도시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 상기 보호막(120)이 상기 드레인 전극(114)을 노출하는 콘택홀을 포함하고, 상기 콘택홀을 통해 상기 노출된 드레인 전극(114)과 연결되는 연결전극이 더 형성될 수 있다. 이때, 상기 평탄화막(170)은 상기 연결전극을 노출하는 콘택홀을 포함할 수 있다.The protective film 120 and the planarization film 170 are sequentially stacked and the drain electrode 114 is exposed through one of the contact holes passing through the protective film 120 and the planarization film 170 However, the present invention is not limited thereto. The passivation layer 120 includes a contact hole exposing the drain electrode 114 and a connection electrode connected to the exposed drain electrode 114 through the contact hole. At this time, the planarization layer 170 may include a contact hole exposing the connection electrode.

상기 평탄화막(170) 상에 유기발광소자(OL)가 형성된다. 상기 유기발광소자(OL)는 제 1 전극(161), 유기발광층(162) 및 제 2 전극(163)을 포함할 수 있다. 상기 유기발광소자(OL)는 선택된 색 신호에 따라 제 1 전극(161)과 제 2 전극(163)으로 소정의 전압이 인가되면, 양극으로부터 제공된 정공과 음극으로부터 주입된 전자가 유기발광층(162)으로 수송되어 엑시톤(exiton)을 이루고, 이러한 엑시톤이 여기상태에서 기저상태로 전이될 때, 광이 생성되며 가시광선의 형태로 방출될 수 있다. An OLED OL is formed on the planarization layer 170. The organic light emitting diode OL may include a first electrode 161, an organic light emitting layer 162, and a second electrode 163. When a predetermined voltage is applied to the first electrode 161 and the second electrode 163 according to a selected color signal, the organic light emitting device OL emits electrons injected from the anode and the organic light emitting layer 162, To form an exciton. When such an exciton transitions from an excited state to a ground state, light is generated and emitted in the form of visible light.

즉, 상기 유기발광소자(OL)는 광이 생성되는 자발광소자이다. 상기 유기발광소자(OL)에서 생성된 광은 상기 기판(100)의 배면으로 출광되는 하부 발광 방식으로 형성될 수 있다.That is, the organic light emitting diode OL is a self-luminous device in which light is generated. The light generated in the organic light emitting diode OL may be formed as a lower light emission method that is emitted to the back surface of the substrate 100.

자세하게는, 상기 평탄화막(170) 상에 상기 드레인 전극(114)과 전기적으로 연결되도록 유기발광소자(OL)의 제 1 전극(161)이 형성된다. 도면 상에는 상기 제 1 전극(161)이 단일층으로 도시되어 있으나, 이에 한정되지 않으며, 상기 제 1 전극(161)은 다중층으로 형성될 수도 있다.In detail, the first electrode 161 of the organic light emitting diode OL is formed on the planarization layer 170 so as to be electrically connected to the drain electrode 114. Although the first electrode 161 is illustrated as a single layer on the drawing, the present invention is not limited thereto, and the first electrode 161 may be formed as a multilayer.

상기 제 1 전극(161)은 양극 또는 음극으로 형성될 수 있다. 상기 제 1 전극(161)이 양극인 경우, 상기 제 1 전극(161)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제 1 전극(161)이 음극인 경우, 제 1 전극(161)은 일함수가 낮은 Mg, Ca, Al, Al-합금, Ag, Ag-합금, Au, Au-합금 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함할 수 있다. The first electrode 161 may be formed as an anode or a cathode. When the first electrode 161 is an anode, the first electrode 161 may include any one selected from the group consisting of ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), ZnO, and combinations thereof. have. When the first electrode 161 is a cathode, the first electrode 161 may be made of Mg, Ca, Al, Al-alloy, Ag, Ag-alloy, Au, Au- And the like.

상기 제 1 전극(161)이 노출되도록 형성된 뱅크(bank) 패턴(160)이 형성된다. 상기 제 1 전극(107)이 노출된 영역은 발광영역이며, 그 외의 영역은 비발광영역으로 구분된다. 즉, 상기 박막 트랜지스터(TFT) 및 유기발광소자(OL)가 형성된 기판(100)은 발광 영역 및 비발광 영역으로 구분될 수 있다. A bank pattern 160 formed to expose the first electrode 161 is formed. The region where the first electrode 107 is exposed is a light emitting region, and the other region is divided into a non-light emitting region. That is, the substrate 100 on which the thin film transistor TFT and the organic light emitting diode OL are formed may be divided into a light emitting region and a non-light emitting region.

상기 뱅크 패턴(160)으로 인해 노출된 제 1 전극(161) 상에 유기발광층(162)이 형성된다. 상기 유기발광층(162)은 단일층으로 구성될 수도 있으며, 발광 효율을 높이기 위해 필요에 따라 다중층으로 구성될 수도 있다. An organic light emitting layer 162 is formed on the exposed first electrode 161 due to the bank pattern 160. The organic light emitting layer 162 may be formed of a single layer or may be formed of multiple layers as needed to enhance the light emitting efficiency.

예를 들면, 상기 유기발광층(162)은 발광 효율을 높이기 위해 정공주입층(Hole Injection Layer;HIL), 정공수송층(Hole Transporting Layer;HTL), 발광층 (Emitting Material Layer;EML), 전자수송층(Electron Transporting Layer;ETL) 및 전자주입층(Electron Injection Layer;EIL)의 다중층으로 구성할 수 있다. 또한, 상기 제 1 전극(161)과 상기 유기발광층(162) 사이의 계면 안정화를 위해 상기 제 1 전극(161)과 상기 유기발광층(162) 사이에 버퍼층이 더 형성될 수도 있다.For example, the organic emission layer 162 may include a hole injection layer (HIL), a hole transporting layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transport layer A transport layer (ETL) and an electron injection layer (EIL). A buffer layer may be further formed between the first electrode 161 and the organic emission layer 162 to stabilize the interface between the first electrode 161 and the organic emission layer 162.

상기 유기발광층(162) 상에 유기발광소자(OL)의 제 2 전극(163)을 형성한다. 도면 상에는 상기 제 2 전극(163)이 단일층으로 도시되어 있으나, 이에 한정되지 않으며, 상기 제 2 전극(163)은 다중층으로 형성될 수도 있다.A second electrode 163 of the organic light emitting diode OL is formed on the organic light emitting layer 162. Although the second electrode 163 is illustrated as a single layer in the drawing, the second electrode 163 may be formed as a single layer.

상기 제 1 전극(161)이 음극의 경우, 상기 제 2 전극(163)은 양극이며, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제 1 전극(161)이 양극인 경우, 제 2 전극(163)은 음극이며, 일함수가 낮은 Mg, Ca, Al, Al-합금, Ag, Ag-합금, Au, Au-합금 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함할 수 있다.When the first electrode 161 is a cathode, the second electrode 163 is an anode and may be any one selected from the group consisting of ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), ZnO, . When the first electrode 161 is an anode, the second electrode 163 is a negative electrode. The Mg, Ca, Al, Al-alloy, Ag, Ag-alloy, Au, Au- And a combination of these.

즉, 상기 뱅크 패턴(160)에 의해 노출된 상기 제 1 전극(161) 상에 상기 유기발광층(162) 및 상기 제 2 전극(163)이 순차적으로 적층되어 형성된다. 상기 발광영역은 상기 제 1 전극(161), 상기 유기발광층(162) 및 상기 제 2 전극(163)이 적층되어 형성된 영역으로 정의할 수도 있다. 상기 제 1 전극(161), 상기 유기발광층(162) 및 상기 제 2 전극(163)으로 이루어지는 유기발광소자(OL)에서 생성된 광은 상기 기판(100)의 배면으로 출광된다.That is, the organic light emitting layer 162 and the second electrode 163 are sequentially formed on the first electrode 161 exposed by the bank pattern 160. The light emitting region may be defined as an area where the first electrode 161, the organic light emitting layer 162, and the second electrode 163 are stacked. Light generated in the organic light emitting device OL including the first electrode 161, the organic light emitting layer 162, and the second electrode 163 is output to the back surface of the substrate 100.

이때, 상기 평탄화막(170)은 제 1 평탄화막(130) 및 제 2 평탄화막(140)을 포함할 수 있다. 상기 보호막(120) 상에 상기 제 1 평탄화막(130)이 형성되고, 상기 제 1 평탄화막(130) 상에 상기 제 2 평탄화막(140)이 형성될 수 있다. Here, the planarization layer 170 may include a first planarization layer 130 and a second planarization layer 140. The first planarization layer 130 may be formed on the protective layer 120 and the second planarization layer 140 may be formed on the first planarization layer 130.

즉, 상기 유기발광소자(OL)에서 생성된 광은 상기 제 2 평탄화막(140)을 투과하여, 상기 제 1 평탄화막(130)으로 입사한다. 또한, 상기 광은 상기 제 1 평탄화막(130)을 투과하여 상기 보호막(120)으로 입사하고, 최종적으로 상기 기판(100)의 배면으로 출광한다.That is, the light generated by the organic light emitting diode OL passes through the second planarization layer 140 and enters the first planarization layer 130. The light is transmitted through the first planarization layer 130, enters the protective layer 120, and finally exits to the rear surface of the substrate 100.

상기 제 1 평탄화막(130)과 상기 제 2 평탄화막(140)은 서로 다른 굴절율을 갖도록 형성될 수 있다. 이때, 상기 제 2 평탄화막(140)은 상기 제 1 평탄화막(130)보다 굴절율이 큰 물질로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 1 평탄화막(130)은 상기 보호막(120)보다 굴절율이 같거나 큰 물질로 형성될 수 있다.The first planarization layer 130 and the second planarization layer 140 may have different refractive indices. At this time, the second planarization layer 140 may be formed of a material having a refractive index higher than that of the first planarization layer 130. The first planarization layer 130 may have a refractive index equal to or greater than that of the protective layer 120.

상기 제 1 평탄화막(130)은 상면에 다수의 홈을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제 2 평탄화막(140)은 하면에 상기 다수의 홈에 대응되는 다수의 돌출부를 포함할 수 있다. The first planarization layer 130 may include a plurality of grooves on the upper surface. In addition, the second planarization layer 140 may include a plurality of projections corresponding to the plurality of grooves on the bottom surface.

도면 상에는, 발광영역과 비발광영역의 구분없이 상기 제 1 평탄화막(130)의 상면 전면에 다수의 홈이 형성되도록 도시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 상기 다수의 홈은 상기 발광영역에만 형성될 수 있다. 즉, 상기 제 2 평탄화막(140)의 하면에 형성된 다수의 돌출부도 상기 발광영역에만 형성될 수 있다.In the drawing, a plurality of grooves are formed on the entire upper surface of the first planarization layer 130 without distinguishing the light emission region from the non-emission region, but the present invention is not limited thereto. The plurality of grooves may be formed only in the light emitting region. That is, a plurality of protrusions formed on the lower surface of the second planarization layer 140 may be formed only in the emission region.

서로 인접한 상기 다수의 홈 사이의 간격은 일정한 간격 또는 불규칙한 간격으로 배열될 수 있다. 또한, 서로 인접한 상기 다수의 돌출부 사이의 간격은 일정한 간격 또는 불규칙한 간격으로 배열될 수 있다. 상기 다수의 홈의 크기는 동일한 크기 또는 서로 상이한 크기로 형성될 수 있다. 또한, 상기 다수의 돌출부의 크기는 동일한 크기 또는 서로 상이한 크기로 형성될 수 있다. 즉, 상기 다수의 홈 및 상기 다수의 돌출부의 간격 또는 크기는 다양하게 변경될 수 있다.The intervals between the plurality of grooves adjacent to each other may be arranged at regular intervals or irregular intervals. Further, the intervals between the plurality of projections adjacent to each other can be arranged at regular intervals or irregular intervals. The plurality of grooves may have the same size or different sizes. The plurality of protrusions may have the same size or different sizes. That is, the gap or the size of the plurality of grooves and the plurality of protrusions may be variously changed.

상기 다수의 홈 및 상기 다수의 돌출부의 단면은 사각형으로 형성될 수 있다. 상기 다수의 홈 및 상기 다수의 돌출부는 원기둥(cylinder) 또는 다각기둥 형상일 수 있다. 바람직하게는, 상기 다수의 홈은 원기둥 형상일 수 있다. 또한, 이에 대응하는 상기 다수의 돌출부도 원기둥 형상으로 형성될 수 있다. The cross section of the plurality of grooves and the plurality of protrusions may be formed in a rectangular shape. The plurality of grooves and the plurality of protrusions may be cylinders or polygonal columns. Preferably, the plurality of grooves may have a cylindrical shape. Also, the plurality of protrusions corresponding thereto may be formed in a cylindrical shape.

상기 제 1 평탄화막(130)에 다수의 홈이 형성되고, 상기 제 2 평탄화막(140)에 다수의 돌출부가 형성되는 경우, 광의 입사각이 약 40°보다 큰 각도에서도 광이 출광될 수 있다. 상기 광의 입사각이란, 수직 방향을 0°, 수평 방향을 90°라고 정의할 때, 상기 제 2 평탄화막(140)의 돌출부로 광이 입사하는 각도이다.When a plurality of grooves are formed in the first planarization layer 130 and a plurality of protrusions are formed in the second planarization layer 140, light may be emitted even at an angle of incidence greater than about 40 degrees. The angle of incidence of the light is an angle at which light enters the protruding portion of the second planarization film 140 when the vertical direction is defined as 0 ° and the horizontal direction is defined as 90 °.

유기전계발광 표시장치가 하부 발광 방식에 따르는 경우, 유기 발광 소자(OL)에서 형성된 광은 다수의 층을 거쳐 기판(100)의 배면으로 출광된다. 이때, 상기 다수의 층들은 서로 다른 굴절율을 가질 수 있으며, 상기 광은 상기 기판(100)의 배면의 수직 방향으로 출광되지 못할 수 있다. 즉, 상기 다수의 층의 굴절률 차이로 인해 전반사가 발생할 수 있으며, 광이 수평 방향으로 갇힘으로 인해 출광효율이 떨어질 수 있다.When the organic electroluminescent display device is in accordance with the bottom emission type, the light emitted from the organic electroluminescent device OL is emitted to the backside of the substrate 100 through a plurality of layers. At this time, the plurality of layers may have different refractive indices, and the light may not be emitted in a direction perpendicular to the back surface of the substrate 100. That is, total reflection may occur due to the refractive index difference of the plurality of layers, and the light output efficiency may be lowered due to the light trapped in the horizontal direction.

자세하게는, 상기 제 1 평탄화막(130)과 상기 제 2 평탄화막(140)의 경계면이 평평한(flat) 경우, 광의 입사각이 약 40°보다 작은 각도에서 전반사가 발생할 수 있다. 즉, 광의 입사각이 약 40°보다 큰 각도에서는 전반사로 인해 광이 전반사되고, 투과될 수 없다. In detail, when the interface between the first planarization layer 130 and the second planarization layer 140 is flat, total reflection may occur at an angle of incidence smaller than about 40 degrees. That is, at an angle at which the angle of incidence of light is greater than about 40 degrees, light is totally reflected due to total internal reflection and can not be transmitted.

따라서, 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치는, 출광 방향으로 제 2 평탄화막(140)이 다수의 돌출부를 포함하도록 형성된다. 즉, 상기 제 2 평탄화막(140)과 상기 제 1 평탄화막(130)과 경계에서 광의 입사각 및 반사각을 다양한 각도로 조절할 수 있다. 즉, 출광되는 광을 굴절시킴으로써, 출광량을 증대시킬 수 있다. 이로 인해, 유기발광소자(OL)로부터 기판(100)의 배면으로 출광되는 광의 출광 효율을 향상시킬 수 있다.Accordingly, in the organic light emitting display according to the embodiment of the present invention, the second planarization layer 140 is formed to include a plurality of protrusions in the outgoing direction. That is, the light incident angle and the reflection angle can be adjusted at various angles at the boundary between the second planarization layer 140 and the first planarization layer 130. That is, by refracting the outgoing light, the amount of outgoing light can be increased. Thus, the efficiency of light output from the organic light emitting device OL to the back surface of the substrate 100 can be improved.

이하, 도 2를 참조하여, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치를 설명한다. 도 2는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 단면도를 도시한 도면이다.Hereinafter, an organic light emitting display according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 2 is a cross-sectional view of an organic light emitting display according to a second embodiment of the present invention.

본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치는 앞서 설명한 제 1 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치와 평탄화막을 제외하고, 동일 유사한 구성을 포함할 수 있다. 앞서 설명한 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치에 대한 설명과 동일 유사한 부분에 대한 설명은 생략할 수 있다. 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여한다.The organic light emitting display device according to the second embodiment of the present invention may include the same structure except for the organic light emitting display device according to the first embodiment and the planarizing film. The description of the same parts as the description of the organic light emitting display according to the embodiment of the present invention described above can be omitted. The same reference numerals are assigned to the same components.

도 2를 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치는 표시 영역과 비표시 영역으로 구분되는 기판(100)을 포함한다. 상기 표시 영역은 복수의 화소 영역으로 구획되어 있다. 각 화소 영역에는 적어도 하나의 박막 트랜지스터(TFT)가 형성된다. 또한, 상기 박막 트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결된 유기발광소자(OL)가 형성된다.Referring to FIG. 2, the organic light emitting display according to the second embodiment of the present invention includes a substrate 100 divided into a display area and a non-display area. The display region is divided into a plurality of pixel regions. At least one thin film transistor (TFT) is formed in each pixel region. In addition, an organic light emitting device OL electrically connected to the thin film transistor TFT is formed.

상기 박막 트랜지스터(TFT)는 게이트 전극(110), 반도체층(112), 소스 전극 및 드레인 전극(114)을 포함한다. 상기 박막 트랜지스터(TFT) 상에 보호막(120)이 형성된다. 상기 보호막(120) 상에 평탄화막(270)이 형성되고, 상기 평탄화막(270) 상에 유기발광소자(OL)가 형성된다.The thin film transistor (TFT) includes a gate electrode 110, a semiconductor layer 112, a source electrode and a drain electrode 114. A protective film 120 is formed on the thin film transistor TFT. A planarization layer 270 is formed on the passivation layer 120 and an OLED OL is formed on the planarization layer 270.

상기 유기발광소자(OL)는 제 1 전극(161), 유기발광층(162) 및 제 2 전극(163)을 포함할 수 있다. 상기 유기발광소자(OL)의 제 1 전극(161)은 상기 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(114)과 전기적으로 연결될 수 있다. The organic light emitting diode OL may include a first electrode 161, an organic light emitting layer 162, and a second electrode 163. The first electrode 161 of the organic light emitting diode OL may be electrically connected to the drain electrode 114 of the thin film transistor TFT.

또한, 상기 유기발광소자(OL)는 광이 생성되는 자발광소자이다. 상기 유기발광소자(OL)에 의해서 광이 방출되는 발광영역과 광이 방출되지 않는 비발광영역이 발생한다. 상기 유기발광소자(OL)가 형성되는 기판(100)은 발광영역과 비발광영역으로 구분될 수 있다. 상기 유기발광소자(OL)에서 생성된 광은 상기 기판(100)의 배면으로 출광되는 하부 발광 방식으로 형성될 수 있다.Also, the organic light emitting diode OL is a self-luminous device in which light is generated. A light emitting region where light is emitted and a non-light emitting region where light is not emitted are generated by the organic light emitting device OL. The substrate 100 on which the organic light emitting diode OL is formed may be divided into a light emitting region and a non-emitting region. The light generated in the organic light emitting diode OL may be formed as a lower light emission method that is emitted to the back surface of the substrate 100.

상기 평탄화막(270)은 제 1 평탄화막(230) 및 제 2 평탄화막(240)을 포함할 수 있다. 상기 보호막(120) 상에 상기 제 1 평탄화막(230)이 형성되고, 상기 제 1 평탄화막(230) 상에 상기 제 2 평탄화막(240)이 형성될 수 있다. The planarization layer 270 may include a first planarization layer 230 and a second planarization layer 240. The first planarization layer 230 may be formed on the protective layer 120 and the second planarization layer 240 may be formed on the first planarization layer 230.

즉, 상기 유기발광소자(OL)에서 생성된 광은 상기 제 2 평탄화막(240)을 투과하여, 상기 제 1 평탄화막(230)으로 입사한다. 또한, 상기 광은 상기 제 1 평탄화막(230)을 투과하여 상기 보호막(120)으로 입사하고, 최종적으로 상기 기판(100)의 배면으로 출광한다.That is, the light generated by the organic light emitting diode OL passes through the second planarization layer 240 and enters the first planarization layer 230. The light passes through the first planarization layer 230, enters the protective layer 120, and finally exits to the rear surface of the substrate 100.

상기 제 1 평탄화막(230)과 상기 제 2 평탄화막(240)은 서로 다른 굴절율을 갖도록 형성될 수 있다. 이때, 상기 제 2 평탄화막(240)은 상기 제 1 평탄화막(230)보다 굴절율이 큰 물질로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 1 평탄화막(230)은 상기 보호막(120)보다 굴절율이 같거나 큰 물질로 형성될 수 있다.The first planarization layer 230 and the second planarization layer 240 may have different refractive indices. At this time, the second planarization layer 240 may be formed of a material having a higher refractive index than the first planarization layer 230. The first planarization layer 230 may have a refractive index equal to or greater than that of the protective layer 120.

상기 제 1 평탄화막(230)은 상면에 다수의 홈을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제 2 평탄화막(240)은 하면에 상기 다수의 홈에 대응되는 다수의 돌출부를 포함할 수 있다. The first planarization layer 230 may include a plurality of grooves on the upper surface. In addition, the second planarization layer 240 may include a plurality of protrusions corresponding to the plurality of grooves on the bottom surface.

도면 상에는, 발광영역과 비발광영역의 구분없이 상기 제 1 평탄화막(230)의 상면 전면에 다수의 홈이 형성되도록 도시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 상기 다수의 홈은 상기 발광영역에만 형성될 수 있다. 즉, 상기 제 2 평탄화막(240)의 하면에 형성된 다수의 돌출부도 상기 발광영역에만 형성될 수 있다. 상기 다수의 홈 및 상기 다수의 돌출부의 간격 또는 크기는 다양하게 변경될 수 있다.Although a plurality of grooves are formed on the entire upper surface of the first planarization layer 230 without distinguishing between the luminescent region and the non-luminescent region, the present invention is not limited thereto. The plurality of grooves may be formed only in the light emitting region. That is, a plurality of protrusions formed on the lower surface of the second planarization layer 240 may be formed only in the emission region. The spacing or size of the plurality of grooves and the plurality of protrusions may be variously changed.

상기 다수의 홈 및 상기 다수의 돌출부의 단면은 삼각형으로 형성될 수 있다. 상기 다수의 홈 및 상기 다수의 돌출부는 원뿔(cone) 또는 다각뿔 형상일 수 있다. 바람직하게는, 상기 다수의 홈은 원뿔 형상일 수 있다. 또한, 이에 대응하는 상기 다수의 돌출부도 원뿔 형상으로 형성될 수 있다. The cross-section of the plurality of grooves and the plurality of protrusions may be formed as a triangle. The plurality of grooves and the plurality of protrusions may have a cone shape or a polygonal pyramid shape. Preferably, the plurality of grooves may be conical. Also, the plurality of protrusions corresponding thereto may be formed in a conical shape.

원뿔 형상의 경우, 측면이 경사를 갖도록 형성된다. 이로 인해, 광의 입사각이 0° 내지 90°에서 80%이상의 투과율을 가질 수 있다. 특히, 광의 입사각이 30° 내지 90°의 범위로 형성되더라도, 광의 투과율이 약 90% 일 수 있다. 또한, 광의 입사각과 관계없이 광의 투과율이 증가할 수 있다. 즉, 유기전계발광 표시장치가 하부 발광 방식으로 형성되더라도, 출광효율이 향상될 수 있다.In the case of the conical shape, the side surface is formed to have an inclination. Therefore, it is possible to have a transmittance of 80% or more at an incident angle of light of 0 ° to 90 °. In particular, even if the angle of incidence of light is formed in the range of 30 DEG to 90 DEG, the light transmittance may be about 90%. Further, the transmittance of light can be increased regardless of the incident angle of light. That is, even if the organic electroluminescent display device is formed as a bottom emission type, the efficiency of light emission can be improved.

이하, 도 3을 참조하여, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치를 설명한다. 도 3은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 단면도를 도시한 도면이다.Hereinafter, an organic light emitting display device according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 3 is a cross-sectional view of an organic light emitting display according to a third embodiment of the present invention.

본 발명의 제 3 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치는 앞서 설명한 실시예들에 따른 유기전계발광 표시장치와 평탄화막을 제외하고, 동일 유사한 구성을 포함할 수 있다. 앞서 설명한 본 발명의 실시예들에 따른 유기전계발광 표시장치에 대한 설명과 동일 유사한 부분에 대한 설명은 생략할 수 있다. 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여한다.The organic light emitting display device according to the third embodiment of the present invention may include the same structure except for the planarization layer and the organic light emitting display device according to the previously described embodiments. The description of the same parts as the description of the organic light emitting display according to the embodiments of the present invention described above can be omitted. The same reference numerals are assigned to the same components.

도 3을 참조하면, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치는 표시 영역과 비표시 영역으로 구분되는 기판(100)을 포함한다. 상기 표시 영역은 복수의 화소 영역으로 구획되어 있다. 각 화소 영역에는 적어도 하나의 박막 트랜지스터(TFT)가 형성된다. 또한, 상기 박막 트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결된 유기발광소자(OL)가 형성된다.Referring to FIG. 3, the organic light emitting display according to the third embodiment of the present invention includes a substrate 100 divided into a display area and a non-display area. The display region is divided into a plurality of pixel regions. At least one thin film transistor (TFT) is formed in each pixel region. In addition, an organic light emitting device OL electrically connected to the thin film transistor TFT is formed.

상기 박막 트랜지스터(TFT)는 상에 보호막(120)이 형성된다. 상기 보호막(120) 상에 평탄화막(370)이 형성되고, 상기 평탄화막(370) 상에 유기발광소자(OL)가 형성된다. 상기 유기발광소자(OL)와 상기 박막 트랜지스터(TFT)는 전기적으로 연결될 수 있다. A protective film 120 is formed on the thin film transistor (TFT). A planarization layer 370 is formed on the passivation layer 120 and an organic light emitting diode OL is formed on the planarization layer 370. The organic light emitting diode OL and the thin film transistor TFT may be electrically connected to each other.

또한, 상기 유기발광소자(OL)는 광이 생성되는 자발광소자이다. 상기 유기발광소자(OL)에 의해서 광이 방출되는 발광영역과 광이 방출되지 않는 비발광영역이 발생한다. 상기 유기발광소자(OL)가 형성되는 기판(100)은 발광영역과 비발광영역으로 구분될 수 있다. 상기 유기발광소자(OL)에서 생성된 광은 상기 기판(100)의 배면으로 출광되는 하부 발광 방식으로 형성될 수 있다.Also, the organic light emitting diode OL is a self-luminous device in which light is generated. A light emitting region where light is emitted and a non-light emitting region where light is not emitted are generated by the organic light emitting device OL. The substrate 100 on which the organic light emitting diode OL is formed may be divided into a light emitting region and a non-emitting region. The light generated in the organic light emitting diode OL may be formed as a lower light emission method that is emitted to the back surface of the substrate 100.

상기 평탄화막(370)은 제 1 평탄화막(330) 및 제 2 평탄화막(340)을 포함할 수 있다. 상기 보호막(120) 상에 상기 제 1 평탄화막(330)이 형성되고, 상기 제 1 평탄화막(330) 상에 상기 제 2 평탄화막(340)이 형성될 수 있다. The planarization layer 370 may include a first planarization layer 330 and a second planarization layer 340. The first planarization layer 330 may be formed on the protective layer 120 and the second planarization layer 340 may be formed on the first planarization layer 330.

즉, 상기 유기발광소자(OL)에서 생성된 광은 상기 제 2 평탄화막(340)을 투과하여, 상기 제 1 평탄화막(330)으로 입사한다. 또한, 상기 광은 상기 제 1 평탄화막(330)을 투과하여 상기 보호막(120)으로 입사하고, 최종적으로 상기 기판(100)의 배면으로 출광한다.That is, the light generated in the organic light emitting diode OL passes through the second planarization layer 340 and enters the first planarization layer 330. The light is transmitted through the first planarization layer 330, enters the protective layer 120, and finally exits to the rear surface of the substrate 100.

상기 제 1 평탄화막(330)과 상기 제 2 평탄화막(340)은 서로 다른 굴절율을 갖도록 형성될 수 있다. 이때, 상기 제 2 평탄화막(340)은 상기 제 1 평탄화막(330)보다 굴절율이 큰 물질로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 1 평탄화막(330)은 상기 보호막(120)보다 굴절율이 같거나 큰 물질로 형성될 수 있다.The first planarization layer 330 and the second planarization layer 340 may have different refractive indices. At this time, the second planarization layer 340 may be formed of a material having a refractive index higher than that of the first planarization layer 330. The first planarization layer 330 may have a refractive index equal to or greater than that of the protective layer 120.

상기 제 1 평탄화막(330)은 상면에 다수의 홈을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제 2 평탄화막(340)은 하면에 상기 다수의 홈에 대응되는 다수의 돌출부를 포함할 수 있다. The first planarization layer 330 may include a plurality of grooves on the upper surface. In addition, the second planarization layer 340 may include a plurality of projections corresponding to the plurality of grooves on the bottom surface.

도면 상에는, 발광영역과 비발광영역의 구분없이 상기 제 1 평탄화막(330)의 상면 전면에 다수의 홈이 형성되도록 도시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 상기 다수의 홈은 상기 발광영역에만 형성될 수 있다. 즉, 상기 제 2 평탄화막(340)의 하면에 형성된 다수의 돌출부도 상기 발광영역에만 형성될 수 있다.In the drawing, a plurality of grooves are formed on the entire upper surface of the first planarization layer 330 without distinguishing between the luminescent region and the non-luminescent region, but the present invention is not limited thereto. The plurality of grooves may be formed only in the light emitting region. That is, a plurality of protrusions formed on the lower surface of the second planarization layer 340 may be formed only in the light emitting region.

상기 다수의 홈은 반구(hemisphere) 형상일 수 있다. 또한, 이에 대응하는 상기 다수의 돌출부도 반구 형상으로 형성될 수 있다. 이때, 상기 다수의 홈 및 상기 다수의 돌출부의 단면은 반원으로 형성될 수 있다. The plurality of grooves may be in the form of a hemisphere. Further, the plurality of protrusions corresponding thereto may also be formed in a hemispherical shape. At this time, the cross section of the plurality of grooves and the plurality of protrusions may be formed in a semicircle.

반구 형상의 경우, 측면이 구면을 갖도록 형성된다. 이로 인해, 광의 입사각과 관계없이 광의 투과율을 최대화할 수 있다. 즉, 유기전계발광 표시장치가 하부 발광 방식으로 형성될 때 출광효율을 향상시킬 수 있다.In the hemispherical shape, the side surface is formed to have a spherical surface. Thus, the transmittance of light can be maximized regardless of the incident angle of light. That is, the efficiency of light emission can be improved when the organic light emitting display device is formed as a bottom emission type.

이하, 도 4를 참조하여, 본 발명의 제 4 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치를 설명한다. 도 4는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 단면도를 도시한 도면이다.Hereinafter, an organic light emitting display device according to a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 4 is a cross-sectional view of an organic light emitting display according to a fourth embodiment of the present invention.

본 발명의 제 4 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치는 앞서 설명한 실시예들에 따른 유기전계발광 표시장치와 보호막 및 평탄화막을 제외하고, 동일 유사한 구성을 포함할 수 있다. 앞서 설명한 본 발명의 실시예들에 따른 유기전계발광 표시장치에 대한 설명과 동일 유사한 부분에 대한 설명은 생략할 수 있다. 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여한다.The organic light emitting display device according to the fourth embodiment of the present invention may include the same structure except for the organic light emitting display device according to the above-described embodiments, the protective film and the planarizing film. The description of the same parts as the description of the organic light emitting display according to the embodiments of the present invention described above can be omitted. The same reference numerals are assigned to the same components.

도 4를 참조하면, 본 발명의 제 4 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치는 표시 영역과 비표시 영역으로 구분되는 기판(100)을 포함한다. 상기 표시 영역은 복수의 화소 영역으로 구획되어 있다. 각 화소 영역에는 적어도 하나의 박막 트랜지스터(TFT)가 형성된다. Referring to FIG. 4, an organic light emitting display according to a fourth embodiment of the present invention includes a substrate 100 divided into a display region and a non-display region. The display region is divided into a plurality of pixel regions. At least one thin film transistor (TFT) is formed in each pixel region.

또한, 상기 박막 트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결된 유기발광소자(OL)가 형성된다. 상기 유기발광소자(OL)에서 생성된 광은 상기 기판(100)의 배면으로 출광되는 하부 발광 방식으로 형성될 수 있다. 상기 유기발광소자(OL)에 의해서 광이 방출되는 발광영역과 광이 방출되지 않는 비발광영역이 발생한다. 상기 유기발광소자(OL)가 형성되는 기판(100)은 발광영역과 비발광영역으로 구분될 수 있다. In addition, an organic light emitting device OL electrically connected to the thin film transistor TFT is formed. The light generated in the organic light emitting diode OL may be formed as a lower light emission method that is emitted to the back surface of the substrate 100. A light emitting region where light is emitted and a non-light emitting region where light is not emitted are generated by the organic light emitting device OL. The substrate 100 on which the organic light emitting diode OL is formed may be divided into a light emitting region and a non-emitting region.

상기 박막 트랜지스터(TFT)는 상에 보호막(220)이 형성된다. 상기 보호막(220)의 상면에는 다수의 홈이 형성된다. 도면 상에는, 상기 보호막(220)의 일부의 상면에만 다수의 홈이 형성되도록 도시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 상기 보호막(220)의 상면 전면에 다수의 홈이 형성될 수 있다. 또한, 상기 보호막(220)의 상면에 형성되는 다수의 홈은 발광영역에만 형성될 수도 있다. A protective film 220 is formed on the thin film transistor (TFT). A plurality of grooves are formed on the upper surface of the protective layer 220. Although a plurality of grooves are formed on the top surface of a part of the protective film 220, the present invention is not limited thereto. A plurality of grooves may be formed on the entire upper surface of the protective layer 220. In addition, a plurality of grooves formed on the upper surface of the passivation layer 220 may be formed only in the light emitting region.

상기 보호막(220) 상에는 평탄화막(470)이 형성된다. 상기 보호막(220)의 상면에 다수의 홈이 형성됨에 따라, 상기 평탄화막(470)의 하면에는 다수의 돌출부가 형성된다.A planarization layer 470 is formed on the protective layer 220. A plurality of grooves are formed on the upper surface of the protective layer 220, and a plurality of protrusions are formed on the lower surface of the planarization layer 470.

상기 평탄화막(470)은 제 1 평탄화막(430) 및 제 2 평탄화막(440)을 포함할 수 있다. 상기 보호막(220) 상에 상기 제 1 평탄화막(430)이 형성되고, 상기 제 1 평탄화막(430) 상에 상기 제 2 평탄화막(440)이 형성될 수 있다. 즉, 상기 다수의 홈이 형성된 보호막(220) 상에 형성되는 제 1 평탄화막(430)은 하면에 상기 다수의 홈과 대응되는 다수의 돌출부를 포함한다. The planarization layer 470 may include a first planarization layer 430 and a second planarization layer 440. The first planarization layer 430 may be formed on the protective layer 220 and the second planarization layer 440 may be formed on the first planarization layer 430. That is, the first planarization layer 430 formed on the plurality of grooved passivation layers 220 includes a plurality of projections corresponding to the plurality of grooves on the bottom surface.

또한, 상기 제 1 평탄화막(430)은 상면에 다수의 홈을 포함할 수 있다. 이때, 상기 제 2 평탄화막(440)은 하면에 상기 다수의 홈에 대응되는 다수의 돌출부를 포함할 수 있다. In addition, the first planarizing layer 430 may include a plurality of grooves on the upper surface thereof. At this time, the second planarization layer 440 may include a plurality of projections corresponding to the plurality of grooves on the bottom surface.

도면 상에는, 발광영역과 비발광영역의 구분없이 상기 제 1 평탄화막(430)의 상면 전면에 다수의 홈이 형성되도록 도시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 상기 다수의 홈은 상기 발광영역에만 형성될 수 있다. 즉, 상기 제 2 평탄화막(440)의 하면에 형성된 다수의 돌출부도 상기 발광영역에만 형성될 수 있다.Although a plurality of grooves are formed on the entire upper surface of the first planarization layer 430 without distinguishing between the luminescent region and the non-luminescent region, the present invention is not limited thereto. The plurality of grooves may be formed only in the light emitting region. That is, a plurality of protrusions formed on the lower surface of the second planarization layer 440 may be formed only in the emission region.

상기 제 1 평탄화막(430)과 상기 제 2 평탄화막(440)은 서로 다른 굴절율을 갖도록 형성될 수 있다. 이때, 상기 제 2 평탄화막(440)은 상기 제 1 평탄화막(430)보다 굴절율이 큰 물질로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 1 평탄화막(430)은 상기 보호막(220)보다 굴절율이 같거나 큰 물질로 형성될 수 있다.The first planarization layer 430 and the second planarization layer 440 may have different refractive indices. At this time, the second planarization layer 440 may be formed of a material having a higher refractive index than the first planarization layer 430. The first planarization layer 430 may have a refractive index equal to or greater than that of the protective layer 220.

상기 평탄화막(470) 상에는 유기발광소자(OL)가 형성된다. 자세하게는, 상기 제 2 평탄화막(440) 상에 유기발광소자(OL)가 형성된다. 즉, 상기 유기발광소자(OL)에서 생성된 광은 상기 제 2 평탄화막(440)을 투과하여, 상기 제 1 평탄화막(430)으로 입사한다. 또한, 상기 광은 상기 제 1 평탄화막(430)을 투과하여 상기 보호막(220)으로 입사하고, 최종적으로 상기 기판(100)의 배면으로 출광한다.The organic light emitting diode OL is formed on the planarization layer 470. In detail, the organic light emitting device OL is formed on the second planarization film 440. That is, the light generated by the organic light emitting diode OL passes through the second planarization layer 440 and enters the first planarization layer 430. The light passes through the first planarization layer 430 and is incident on the protective layer 220, and is finally output to the back surface of the substrate 100.

도면 상에는 상기 보호막(220) 및 제 1 평탄화막(430) 상면에 형성된 다수의 홈을 반구 형상으로 도시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 상기 다수의 홈은 원기둥, 다각기둥, 원뿔, 다각뿔 및 반구로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 형상일 수 있다. 또한, 상기 다수의 홈에 각각 대응하는 상기 제 1 평탄화막(430) 및 제 2 평탄화막(440) 하면에 형성된 다수의 돌출부도 원기둥, 다각기둥, 원뿔, 다각뿔 및 반구로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 형상일 수 있다. 이로 인해, 광의 출광량을 증대시키고, 유기전계발광 표시장치가 하부 발광 방식으로 형성될 때 출광효율을 향상시킬 수 있다.Although a plurality of grooves formed on the top surface of the protective film 220 and the first planarization film 430 are shown in a hemispherical shape on the drawing, the present invention is not limited thereto. The plurality of grooves may be any one selected from the group consisting of a cylinder, a polygonal column, a cone, a polygonal pyramid, and a hemisphere. The plurality of protrusions formed on the lower surface of the first planarization film 430 and the second planarization film 440 corresponding to the plurality of grooves may be formed of any one selected from the group consisting of a cylinder, a polygonal column, a cone, It may be a single shape. Accordingly, it is possible to increase the amount of light output, and to improve the light output efficiency when the organic light emitting display device is formed as a bottom emission type.

이하, 도 5를 참조하여, 본 발명의 제 5 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치를 설명한다. 도 5는 본 발명의 제 5 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 단면도를 도시한 도면이다.Hereinafter, an organic light emitting display device according to a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 5 is a cross-sectional view of an organic light emitting display according to a fifth embodiment of the present invention.

본 발명의 제 5 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치는 앞서 설명한 실시예들에 따른 유기전계발광 표시장치와 평탄화막을 제외하고, 동일 유사한 구성을 포함할 수 있다. 앞서 설명한 본 발명의 실시예들에 따른 유기전계발광 표시장치에 대한 설명과 동일 유사한 부분에 대한 설명은 생략할 수 있다. 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여한다.The organic light emitting display device according to the fifth embodiment of the present invention may include the same structure except for the organic light emitting display device and the planarizing film according to the above-described embodiments. The description of the same parts as the description of the organic light emitting display according to the embodiments of the present invention described above can be omitted. The same reference numerals are assigned to the same components.

도 5를 참조하면, 본 발명의 제 5 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치는 표시 영역과 비표시 영역으로 구분되는 기판(100)을 포함한다. 상기 표시 영역은 복수의 화소 영역으로 구획되어 있다. 각 화소 영역에는 적어도 하나의 박막 트랜지스터(TFT)가 형성된다. Referring to FIG. 5, the organic light emitting display according to the fifth embodiment of the present invention includes a substrate 100 divided into a display region and a non-display region. The display region is divided into a plurality of pixel regions. At least one thin film transistor (TFT) is formed in each pixel region.

상기 박막 트랜지스터(TFT)는 상에 보호막(120)이 형성된다. 상기 보호막(120) 상에 평탄화막(570)이 형성되고, 상기 평탄화막(570) 상에 유기발광소자(OL)가 형성된다. 상기 유기발광소자(OL)와 상기 박막 트랜지스터(TFT)는 전기적으로 연결될 수 있다. A protective film 120 is formed on the thin film transistor (TFT). A planarization layer 570 is formed on the passivation layer 120 and an organic light emitting diode OL is formed on the planarization layer 570. The organic light emitting diode OL and the thin film transistor TFT may be electrically connected to each other.

상기 유기발광소자(OL)에서 생성된 광은 상기 기판(100)의 배면으로 출광되는 하부 발광 방식으로 형성될 수 있다. 상기 유기발광소자(OL)에 의해서 광이 방출되는 발광영역과 광이 방출되지 않는 비발광영역이 발생한다. 상기 유기발광소자(OL)가 형성되는 기판(100)은 발광영역과 비발광영역으로 구분될 수 있다.The light generated in the organic light emitting diode OL may be formed as a lower light emission method that is emitted to the back surface of the substrate 100. A light emitting region where light is emitted and a non-light emitting region where light is not emitted are generated by the organic light emitting device OL. The substrate 100 on which the organic light emitting diode OL is formed may be divided into a light emitting region and a non-emitting region.

상기 평탄화막(570)은 제 1 평탄화막(530), 제 2 평탄화막(540) 및 제 3 평탄화막(550)을 포함할 수 있다. 상기 보호막(120) 상에 상기 제 1 평탄화막(530)이 형성되고, 상기 제 1 평탄화막(530) 상에 상기 제 2 평탄화막(540)이 형성되고, 상기 제 2 평탄화막(540) 상에 제 3 평탄화막(550)이 형성될 수 있다. The planarization layer 570 may include a first planarization layer 530, a second planarization layer 540, and a third planarization layer 550. The first planarization layer 530 is formed on the protective layer 120 and the second planarization layer 540 is formed on the first planarization layer 530 and the second planarization layer 540 is formed on the second planarization layer 540. [ The third planarization layer 550 may be formed on the third planarization layer 550.

즉, 상기 보호막(120)과 상기 제 2 평탄화막(540) 사이에 제 1 평탄화막(530)이 형성된다. 또한, 상기 제 2 평탄화막(540)과 상기 유기발광소자(OL) 사이에 제 3 평탄화막(550)이 형성된다.That is, a first planarization layer 530 is formed between the protective layer 120 and the second planarization layer 540. Also, a third planarization layer 550 is formed between the second planarization layer 540 and the organic light emitting diode OL.

상기 유기발광소자(OL)에서 생성된 광은 상기 제 3 평탄화막(), 상기 제 2 평탄화막(540) 및 상기 제 1 평탄화막(530)을 순차적으로 투과하여 상기 보호막(120)으로 입사한다. 또한, 상기 광은 최종적으로 상기 기판(100)의 배면으로 출광한다.The light generated in the organic light emitting device OL sequentially passes through the third planarization layer 530, the second planarization layer 540, and the first planarization layer 530, and enters the protective layer 120 . In addition, the light finally exits to the back surface of the substrate 100.

상기 제 1 평탄화막(530), 상기 제 2 평탄화막(540) 및 제 3 평탄화막(550)은 서로 다른 굴절율을 갖도록 형성될 수 있다. 이때, 상기 제 3 평탄화막(550)은 상기 제 2 평탄화막(540)보다 굴절율이 큰 물질로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 2 평탄화막(540)은 상기 제 1 평탄화막(530)보다 굴절율이 큰 물질로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 1 평탄화막(530)은 상기 보호막(120)보다 굴절율이 같거나 큰 물질로 형성될 수 있다.The first planarization layer 530, the second planarization layer 540, and the third planarization layer 550 may have different refractive indices. At this time, the third planarization layer 550 may be formed of a material having a higher refractive index than the second planarization layer 540. In addition, the second planarization layer 540 may be formed of a material having a higher refractive index than the first planarization layer 530. The first planarization layer 530 may have a refractive index equal to or greater than that of the protective layer 120.

상기 제 1 평탄화막(530) 및 상기 제 2 평탄화막(540)은 상면에 다수의 홈을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제 2 평탄화막(540) 및 상기 제 3 평탄화막(550)은 하면에 각각 상기 다수의 홈에 대응되는 다수의 돌출부를 포함할 수 있다. The first planarization layer 530 and the second planarization layer 540 may include a plurality of grooves on the upper surface. In addition, the second planarization layer 540 and the third planarization layer 550 may include a plurality of projections corresponding to the plurality of grooves on the lower surface.

도면 상에는, 발광영역과 비발광영역의 구분없이 상기 제 1 평탄화막(530) 및 상기 제 2 평탄화막(540)의 상면 전면에 다수의 홈이 형성되도록 도시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 상기 다수의 홈은 상기 발광영역에만 형성될 수 있다. 즉, 상기 제 2 평탄화막(540) 및 상기 제 3 평탄화막(550)의 하면에 형성된 다수의 돌출부도 상기 발광영역에만 형성될 수 있다.Although a plurality of grooves are formed on the entire upper surface of the first planarizing film 530 and the second planarizing film 540 without distinguishing between the light emitting region and the non-emitting region, the present invention is not limited thereto. The plurality of grooves may be formed only in the light emitting region. That is, a plurality of protrusions formed on the lower surfaces of the second planarization layer 540 and the third planarization layer 550 may be formed only in the emission region.

도면 상에는 상기 제 1 평탄화막(530) 및 상기 제 2 평탄화막(540) 상면에 형성된 다수의 홈을 반구 형상으로 도시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 상기 다수의 홈은 원기둥, 다각기둥, 원뿔, 다각뿔 및 반구로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 형상일 수 있다. 또한, 상기 다수의 홈에 각각 대응하는 상기 제 2 평탄화막(540) 및 제 3 평탄화막(550) 하면에 형성된 다수의 돌출부도 원기둥, 다각기둥, 원뿔, 다각뿔 및 반구로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 형상일 수 있다. 이로 인해, 광의 출광량을 증대시키고, 유기전계발광 표시장치가 하부 발광 방식으로 형성될 때 출광효율을 향상시킬 수 있다.Although a plurality of grooves formed on the top surfaces of the first planarizing film 530 and the second planarizing film 540 are shown in a hemispherical shape on the drawing, the present invention is not limited thereto. The plurality of grooves may be any one selected from the group consisting of a cylinder, a polygonal column, a cone, a polygonal pyramid, and a hemisphere. The plurality of protrusions formed on the lower surfaces of the second planarizing film 540 and the third planarizing film 550 corresponding to the plurality of grooves may be formed of any one selected from the group consisting of a cylinder, a polygonal column, a cone, It may be a single shape. Accordingly, it is possible to increase the amount of light output, and to improve the light output efficiency when the organic light emitting display device is formed as a bottom emission type.

이하, 도 6을 참조하여, 본 발명의 실시예들에 따른 유기전계발광 표시장치의 효과를 설명한다. 도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 유기전계발광 표시장치의 효과를 설명하기 위한 도면이다.Hereinafter, effects of the organic light emitting display device according to the embodiments of the present invention will be described with reference to FIG. 6 is a view for explaining an effect of an organic light emitting display according to embodiments of the present invention.

도 6을 참조하면, (a) 및 (b)는 돌출부 없이 평평한 경우(Flat), 돌출부가 원기둥(Cylinder) 형상인 경우 및 돌출부가 원뿔(Cone) 형상인 경우의 광의 입사각(Incident Angle)에 대한 투과율을 도시한 도면이다. 상기 광의 입사각은 수직 방향이 0°이며, 수평 방향을 90°일때, 광이 입사하는 각도이다. 또한, 투과율(Transmittance)은 입사광을 1.0으로 가정할 때, 상기 입사광 대비 출사광의 광량을 의미한다. Referring to FIG. 6, (a) and (b) illustrate a case where the protrusion is flat without a protrusion, a case where the protrusion is cylindrical, and a case where the protrusion has a cone shape. Fig. The incident angle of the light is an angle at which light enters when the vertical direction is 0 ° and the horizontal direction is 90 °. In addition, the transmittance means the amount of light emitted from the incident light when the incident light is assumed to be 1.0.

상기 각 돌출부는 바닥면의 지름이 0.2㎛이고, 높이가 0.8㎛일 때의 결과 값이다. 상기 (a)는 공기중(Air)로 출광할 때의 투과율에 관한 실험결과이며, 상기 (b)는 굴절률이 1.5인 몰드(Mold)로 출광할 때의 투과율에 관한 실험결과 이다.Each of the protrusions is a result value when the diameter of the bottom surface is 0.2 mu m and the height is 0.8 mu m. (A) is an experimental result on the transmittance when the light is emitted to the air, and (b) is the experimental result on the transmittance when the light is emitted to a mold having a refractive index of 1.5.

도 6의 (a)를 참조하면, 돌출부 없이 평평한 경우, 광의 입사각이 약 25°이상에서 전반사되어 출광하지 않는 것을 알 수 있다. 또한, 도 6의 (b)를 참조하면, 돌출부 없이 평평한 경우, 광의 입사각이 약 40°이상에서 전반사되어 출광하지 않는 것을 알 수 있다.Referring to FIG. 6 (a), it can be seen that when the light is flat without projection, the light is totally reflected at an incident angle of about 25 ° or more and does not exit. Referring to FIG. 6B, it can be seen that when the light is flat without projection, the light is totally reflected at an incident angle of about 40 ° or more and does not exit.

반면에, 돌출부가 원기둥(Cylinder) 형상인 경우, (a) 및 (b)를 참조할 때, 약 50°이상의 영역에서 광이 출광하는 것을 알 수 있다. 또한, 돌출부가 원뿔(Cone) 형상인 경우, 입사각의 각도와 관계 없이 고르게 80% 이상의 투과율을 보이는 것을 알 수 있다. On the other hand, in the case where the projecting portion has a cylindrical shape, referring to (a) and (b), it can be seen that light exits in an area of about 50 degrees or more. In addition, when the protruding portion has a cone shape, it can be seen that the transmittance is 80% or more evenly regardless of the angle of incidence.

이때, 출광 효율은 각 그래프의 면적으로 판단할 수 있다. 돌출부 없이 평평한 경우, 약 19%의 출광 효율을 나타내며, 돌출부가 있는 경우, 약 30% 이상의 출광 효율을 나타낼 수 있다.
At this time, the outgoing light efficiency can be determined by the area of each graph. When it is flat without protrusions, it exhibits an outgoing efficiency of about 19%, and when there is a protrusion, it can exhibit an outgoing efficiency of about 30% or more.

상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. The features, structures, effects and the like described in the foregoing embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified in other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be construed as limiting the scope of the present invention. It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments may be modified and implemented. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.

100: 기판
120: 보호막
130: 제 1 평탄화막
140: 제 2 평탄화막
170: 평탄화막
TFT: 박막 트랜지스터
OL: 유기발광소자100: substrate
120: Shield
130: first planarizing film
140: second planarizing film
170: planarization film
TFT: Thin film transistor
OL: Organic light emitting device

Claims (13)

발광영역 및 비발광영역으로 구분되는 기판;
상기 기판 상에 형성되는 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터 상에 형성되는 보호막;
상기 보호막 상에 형성되고, 상면에 형성된 다수의 홈을 포함하는 제 1 평탄화막;
상기 제 1 평탄화막 상에 형성되고, 하면에 상기 다수의 홈에 대응되는 다수의 돌출부를 포함하는 제 2 평탄화막; 및
상기 제 2 평탄화막에 형성된 유기발광소자를 포함하는 유기전계발광 표시장치.
A substrate divided into a light emitting region and a non-emitting region;
A thin film transistor formed on the substrate;
A protective film formed on the thin film transistor;
A first planarization layer formed on the protective film and including a plurality of grooves formed on an upper surface;
A second planarization layer formed on the first planarization layer and including a plurality of projections corresponding to the plurality of grooves on a lower surface; And
And an organic light emitting device formed on the second planarization film.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 평탄화막과 상기 제 2 평탄화막은 서로 다른 굴절율을 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the first planarizing film and the second planarizing film are formed to have different refractive indices.
제 2 항에 있어서,
상기 제 2 평탄화막은 상기 제 1 평탄화막보다 굴절율이 큰 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the second planarization layer is formed of a material having a higher refractive index than the first planarization layer.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 평탄화막은 상기 보호막보다 굴절율이 같거나 큰 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the first planarization layer is formed of a material having a refractive index equal to or greater than that of the protective layer.
제 1 항에 있어서,
상기 보호막의 상면에 다수의 홈이 형성되고, 상기 제 1 평탄화막의 하면에 상기 다수의 홈에 대응되는 다수의 돌출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein a plurality of grooves are formed on an upper surface of the passivation layer and a plurality of projections corresponding to the plurality of grooves are formed on a lower surface of the first planarization layer.
제 1 항에 있어서,
상기 제 2 평탄화막과 상기 유기발광소자 사이에 제 3 평탄화막이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.
The method according to claim 1,
And a third planarization layer is further formed between the second planarization layer and the organic light emitting diode.
제 6 항에 있어서,
상기 제 3 평탄화막은 상기 제 2 평탄화막보다 굴절율이 큰 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.
The method according to claim 6,
Wherein the third planarization layer is formed of a material having a higher refractive index than the second planarization layer.
제 6 항에 있어서,
상기 제 2 평탄화막의 상면에 다수의 홈이 형성되고, 상기 제 3 평탄화막의 하면에 상기 다수의 홈에 대응되는 다수의 돌출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.
The method according to claim 6,
Wherein a plurality of grooves are formed on an upper surface of the second planarization film and a plurality of projections corresponding to the plurality of grooves are formed on a lower surface of the third planarization film.
제 1 항에 있어서,
상기 다수의 홈은 반구의 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the plurality of grooves are formed in a hemispherical shape.
제 1 항에 있어서,
상기 다수의 홈은 원뿔의 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the plurality of grooves are formed in the shape of a cone.
제 1 항에 있어서,
상기 다수의 홈은 원기둥의 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the plurality of grooves are formed in a cylindrical shape.
제 1 항에 있어서,
상기 다수의 홈은 발광영역에만 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the plurality of grooves are formed only in the light emitting region.
제 1 항에 있어서,
상기 유기발광소자에서 생성된 광은 상기 기판의 배면으로 출광되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the light generated in the organic light emitting device is emitted to the back surface of the substrate.
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