KR20160067300A - Fringe field switching mode liquid crystal display device - Google Patents

Fringe field switching mode liquid crystal display device Download PDF

Info

Publication number
KR20160067300A
KR20160067300A KR1020140172356A KR20140172356A KR20160067300A KR 20160067300 A KR20160067300 A KR 20160067300A KR 1020140172356 A KR1020140172356 A KR 1020140172356A KR 20140172356 A KR20140172356 A KR 20140172356A KR 20160067300 A KR20160067300 A KR 20160067300A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pixel electrode
disposed
thin film
outermost
display area
Prior art date
Application number
KR1020140172356A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
정준호
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020140172356A priority Critical patent/KR20160067300A/en
Publication of KR20160067300A publication Critical patent/KR20160067300A/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device

Abstract

The present invention is to provide a fringe field switching (FFS) mode liquid crystal display (LCD) device capable of preventing light leakage in a non-display region. The FFS mode LCD device comprises: a first substrate divided into a display region and a non-display region; a gate line disposed on the first substrate; a gate insulating layer disposed on the first substrate and the gate line; a data line disposed on the gate insulating layer to cross the gate line; a first passivation layer disposed on the data line; a common electrode disposed on the first passivation layer; a second passivation layer disposed on an upper part of the common electrode; and an outermost pixel electrode and a dummy pixel electrode disposed on an upper part of the second passivation layer, wherein the outermost pixel electrode is disposed on an outermost portion of the display region and the dummy pixel electrode is disposed on the non-display region. The same data voltage is applied to the outermost pixel electrode and the dummy pixel electrode.

Description

프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치 {Fringe field switching mode liquid crystal display device}[0001] The present invention relates to a Fringe field switching mode liquid crystal display device,

본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 특히, 표시 영역 외곽부의 빛샘 현상을 방지하는 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display, and more particularly, to a fringe field switching mode liquid crystal display device that prevents a light leakage phenomenon in an outer area of a display area.

액정표시장치는 액정의 광학적 이방성과 분극 성질을 이용한 표시소자로, 휴대 전자기기의 표시부나, 컴퓨터의 모니터 또는 텔레비전 등에 널리 사용된다. Description of the Related Art [0002] A liquid crystal display device is a display device using optical anisotropy and polarization properties of a liquid crystal, and is widely used in a display portion of a portable electronic device, a computer monitor, or a television.

액정은 가늘고 긴 분자구조를 가지고 있어, 배향에 방향성을 가지며 전기장 내에 놓일 경우 그 크기 및 방향에 따라 분자배열 방향이 변화된다. 따라서, 액정표시장치는 전계생성 전극이 각각 형성된 두 기판 사이에 액정층이 위치하는 액정패널을 포함하며, 두 전극 사이에 생성되는 전기장의 변화를 통해서 액정분자의 배열방향을 인위적으로 조절하고, 이에 따른 광 투과율을 변화시켜 여러 가지 화상을 표시한다.Liquid crystals have a long and elongated molecular structure, and they have a directionality in orientation. When placed in an electric field, the orientation of molecules is changed according to their size and direction. Therefore, the liquid crystal display device includes a liquid crystal panel in which a liquid crystal layer is positioned between two substrates on which electric field generating electrodes are respectively formed, and artificially adjusts the arrangement direction of liquid crystal molecules through a change in an electric field generated between the two electrodes, And various images are displayed by changing the light transmittance.

도 1a 및 도 1b는 종래의 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치의 제1 및 제2기판의 평면도 이고, 도 2는 도 1a 및 도 1b의 Ⅱ-Ⅱ를 따라 절단한 단면도이다.FIGS. 1A and 1B are plan views of first and second substrates of a conventional fringe field switching mode liquid crystal display, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II of FIGS. 1A and 1B.

도면에 도시한 바와 같이, 종래의 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치(30)는 제1기판(10), 이와 대응하는 제2기판(20) 및 이들 두 기판 사이에 액정층(14)이 구비된 구성을 이루고 있으며, 제1 및 제2기판(10, 20)은 표시영역(AA)과 비표시영역(NAA)으로 구분된다.As shown in the drawing, a conventional fringe field switching mode liquid crystal display device 30 includes a first substrate 10, a corresponding second substrate 20, and a liquid crystal layer 14 provided between the two substrates And the first and second substrates 10 and 20 are divided into a display area AA and a non-display area NAA.

제1기판(10)은 어레이 기판이라고도 하며, 스위칭 소자인 박막트랜지스터(T)가 매트릭스 형태로 위치하고, 이러한 박막트랜지스터(T)를 교차하여 지나가는 게이트 배선(16)과 데이터 배선(12)이 형성된다.The first substrate 10 is also referred to as an array substrate and a thin film transistor T as a switching element is disposed in a matrix form and a gate wiring 16 and a data wiring 12 passing through the thin film transistor T are formed .

구체적으로, 제1기판(10) 상에 게이트 배선(16)이 배치되고, 제1기판(10) 및 게이트 배선(16) 상에 게이트 절연막(11)이 배치된다.More specifically, the gate wiring 16 is disposed on the first substrate 10, and the gate insulating film 11 is disposed on the first substrate 10 and the gate wiring 16.

또한, 데이터 배선(12)이 게이트 절연막(11) 상에 게이트 배선(16)과 교차하며 배치되고, 제1보호층(13) 및 층간 절연막(15)이 데이터 배선(12) 상에 적층되어 배치된다.The data line 12 is arranged on the gate insulating film 11 so as to intersect the gate line 16 and the first protective layer 13 and the interlayer insulating film 15 are stacked on the data line 12 do.

또한, 공통전극(19)이 층간 절연막(15) 상에 배치되고 공통전극(19) 상부에 제2보호층(21)이 배치되며, 화소전극(17)은 제2보호층(21) 상부의 표시영역(AA)에 배치되고, 더미 화소전극(18)은 제2보호층(21) 상부의 비표시영역(NAA)에 배치된다.The common electrode 19 is disposed on the interlayer insulating film 15 and the second protective layer 21 is disposed on the common electrode 19. The pixel electrode 17 is formed on the upper portion of the second protective layer 21, The dummy pixel electrode 18 is disposed in the display area AA and the dummy pixel electrode 18 is disposed in the non-display area NAA above the second protective layer 21. [

이 때, 공통전극(19) 및 제2보호층(21) 상부에 배치되는 화소전극(17) 및 더미 화소전극(18)에 다수의 바(bar) 형태를 갖는 개구가 구비되며, 화소전극(17)의 각 개구의 주변에서 화소전극(17)과 공통전극(19)에 의해 발현되는 프린지 필드에 의해 액정표시장치가 구동된다.At this time, the pixel electrode 17 and the dummy pixel electrode 18 disposed on the common electrode 19 and the second passivation layer 21 are provided with openings having a plurality of bar shapes, The liquid crystal display device is driven by the fringe field expressed by the pixel electrode 17 and the common electrode 19 in the periphery of each opening of the pixel electrodes 17 and 17.

제2기판(20)은 컬러필터 기판이라고도 하며, 블랙매트릭스(24)와 서브 컬러필터(25)를 포함하는데, 블랙매트릭스(24)는 각 서브 컬러필터(25) 사이의 구분 및 광 차단 역할을 한다.The second substrate 20 is also referred to as a color filter substrate and includes a black matrix 24 and a subcolor filter 25 which serves to distinguish between the subcolor filters 25 and to block light do.

또한, 블랙매트릭스(24)는 비표시영역(NAA)을 투과하는 빛을 차단한다.In addition, the black matrix 24 blocks light transmitted through the non-display area NAA.

액정층(14)은 표시영역(AA)의 화소전극(17) 상에 위치한 박막트랜지스터(T)로부터 인가된 신호에 의해 재배열되고, 액정층(14)의 재배열 정도에 따라 액정층(14)을 투과하는 빛의 양을 조절하는 방식으로 화상이 표현된다.The liquid crystal layer 14 is rearranged by a signal applied from the thin film transistor T positioned on the pixel electrode 17 of the display area AA and the liquid crystal layer 14 The image is expressed in such a manner as to adjust the amount of light passing through it.

결국, 표시영역(AA)을 투과한 빛만이 액정층(14)을 통해 제2기판(20)의 서브 컬러필터(25)을 투과하여 다양한 화상으로 표현되는 것이다.As a result, only the light transmitted through the display area AA is transmitted through the liquid crystal layer 14 to the sub-color filter 25 of the second substrate 20 to be expressed by various images.

한편, 공통전극(19)과 화소전극(17)에 전압이 인가되면 액정은 분극 되는데, 이 상태가 지속되면 액정 내의 이온성 불순물들이 전기장에 의해 고착되고, 잔상 발생 등 액정의 표시 특성을 악화시킨다.On the other hand, when voltage is applied to the common electrode 19 and the pixel electrode 17, the liquid crystal is polarized. If this state continues, the ionic impurities in the liquid crystal are adhered to each other by the electric field, .

따라서, 화소전극(17)에 인가되는 데이터 전압의 극성을 반전시켜 표시 영역(AA)에 위치한 액정의 분극 상태를 주기적으로 반전시키는 인버젼 방식이 제안되었다.Accordingly, an inversion method has been proposed in which the polarity of the data voltage applied to the pixel electrode 17 is reversed to periodically reverse the polarization state of the liquid crystal located in the display area AA.

그러나, 비표시 영역(NAA)의 더미 화소전극(18)은 전기적으로 플로팅(floating)되어 있고, 그 하부에 위치한 공통전극(19)에는 일정한 전압이 인가되고 있어 화소전극(17)과 공통전극(19)에는 일정한 전계가 형성되어 유지된다.However, since the dummy pixel electrode 18 of the non-display area NAA is electrically floating, a constant voltage is applied to the common electrode 19 located below the pixel electrode 17 and the common electrode 19 19, a certain electric field is formed and maintained.

이러한 상태가 지속되면 액정층(14) 내의 이온성 불순물들이 상기 전계에 의해 고착화되고, 더미 화소전극(18)에 전압이 인가되지 않았음에도 불구하고 이러한 전계에 의해 액정 배열이 틀어지게 된다.If this state continues, the ionic impurities in the liquid crystal layer 14 are fixed by the electric field, and even though the voltage is not applied to the dummy pixel electrode 18, the liquid crystal array is turned off by such an electric field.

따라서, 블랙매트릭스(24)로 비표시영역(NAA)을 차단하는 경우에도 배열이 틀어진 액정에 의해 빛이 표시영역(AA)의 최외곽 영역인 빛샘영역(a)으로 투과되어 불량을 일으키게 된다. Therefore, even when the non-display area NAA is blocked by the black matrix 24, light is transmitted through the outermost region of the display area AA to the light-shielding area a by the liquid crystal in which the alignment is changed, thereby causing defects.

이를 빛샘 현상이라 하며, 특히, 이러한 빛샘 현상에 의해 액정표시장치의 표시 영역의 외곽부가 블랙(black)상태에서도 밝게 보이게 되는 불량이 발생된다.
This phenomenon is referred to as a light leakage phenomenon. In particular, a deficiency that the outer portion of the display area of the liquid crystal display device appears bright even in the black state due to the light leakage phenomenon occurs.

본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 액정표시장치의 표시 영역의 외곽부가 블랙(black)상태에서도 밝게 보이는 빛샘 현상을 방지하는 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a fringe field switching mode liquid crystal display device which prevents a light leakage phenomenon that appears bright even in a black state of a display area of a liquid crystal display device, The purpose.

전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 표시 영역과 비표시 영역으로 구분된 제1기판과 상기 제1기판 상에 배치되는 게이트 배선과 상기 제1기판 및 게이트 배선 상에 배치되는 게이트 절연막과 상기 게이트 절연막 상에 상기 게이트 배선과 교차하며 배치되는 데이터 배선과 상기 데이터 배선 상에 배치되는 제1보호층과 상기 제1보호층 상에 배치되는 공통전극과 상기 공통전극 상부에 배치되는 제2보호층 및 상기 제2보호층 상부에, 상기 표시 영역의 최외각에 배치되는 최외각 화소전극 및 상기 비표시 영역에 배치되는 더미 화소전극을 포함하고, 상기 최외각 화소전극 및 더미 화소전극에는 동일 데이터 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치를 제공한다.In order to achieve the above-mentioned object, there is provided a display device including a first substrate divided into a display region and a non-display region, a gate wiring arranged on the first substrate, a gate insulating film disposed on the first substrate and the gate wiring, A data line disposed on the insulating film so as to intersect the gate line, a first protective layer disposed on the data line, a common electrode disposed on the first protective layer, and a second protective layer disposed on the common electrode, And a dummy pixel electrode disposed on the outermost pixel electrode and the dummy pixel electrode in the non-display region, wherein the same data voltage is applied to the outermost pixel electrode and the dummy pixel electrode, And a fringe field switching mode liquid crystal display device.

또한, 게이트 전극 및 소스/드레인 전극을 포함하며, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결되고 상기 표시영역 및 비표시영역에 각각 배치되는 제1 및 제2박막트랜지스터를 포함하고, 상기 제1박막트랜지스터의 드레인 전극은 상기 최외각 화소전극과 연결되고, 상기 제2박막트랜지스터의 드레인 전극은 상기 더미 화소전극과 연결되는 것을 특징으로 한다.The thin film transistor includes a first thin film transistor and a second thin film transistor which are connected to the gate line and the data line and include a gate electrode and a source / The drain electrode is connected to the outermost pixel electrode, and the drain electrode of the second thin film transistor is connected to the dummy pixel electrode.

또한, 게이트 전극 및 소스/드레인 전극을 포함하며, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결되는 제3박막트랜지스터를 포함하고, 상기 제3박막트랜지스터의 드레인 전극은 상기 최외각 화소전극 및 더미 화소전극과 연결되는 것을 특징으로 한다.And a third thin film transistor including a gate electrode and a source / drain electrode, the third thin film transistor being connected to the gate line and the data line, the drain electrode of the third thin film transistor being connected to the outermost pixel electrode and the dummy pixel electrode .

또한, 상기 제3박막트랜지스터는 다른 박막트랜지스터에 비하여 채널의 폭과 길이 비가 큰 확장 박막 트랜지스터인 것을 특징으로 한다.The third thin film transistor is an extended thin film transistor having a larger width and a larger length ratio than other thin film transistors.

또한, 상기 최외각 화소전극 및 더미 화소전극은 다수의 개구부를 구비하는 것을 특징으로 한다.The outermost pixel electrode and the dummy pixel electrode are provided with a plurality of openings.

또한, 상기 더미 화소전극은 상기 데이터 배선과 평행한 방향으로 상기 최외각 화소전극과 인접한 위치에 적어도 한 라인 이상 배치되는 것을 특징으로 한다.In addition, the dummy pixel electrode is arranged in at least one line adjacent to the outermost pixel electrode in a direction parallel to the data line.

또한, 상기 더미 화소전극은 상기 게이트 배선과 평행한 방향으로 상기 최외각 화소전극과 인접한 위치에 적어도 한 라인 이상 배치되는 것을 특징으로 한다.In addition, the dummy pixel electrode is arranged in at least one line adjacent to the outermost pixel electrode in a direction parallel to the gate line.

또한, 상기 더미 화소전극은 상기 최외곽 화소전극을 둘러싸며 배치되는 것을 특징으로 한다.Also, the dummy pixel electrode is disposed so as to surround the outermost pixel electrode.

또한, 블랙매트릭스, 서브 컬러필터를 포함하는 제2기판 및 상기 제1 및 제2기판 사이에 배치되는 액정층을 더 포함하고, 상기 서브 컬러필터는 상기 최외각 화소전극에 대응되는 영역에 배치되며, 상기 블랙매트릭스는 상기 서브 컬러필터 사이 및 상기 제1기판의 비표시 영역에 각각 배치되는 것을 특징으로 한다.
Further, the liquid crystal display device further includes a black matrix, a second substrate including a sub color filter, and a liquid crystal layer disposed between the first and second substrates, wherein the sub color filter is disposed in an area corresponding to the outermost pixel electrode , And the black matrix is disposed between the sub color filters and the non-display region of the first substrate.

본 발명은 비표시영역의 전계를 표시영역의 전계와 동일하게 형성함으로써, 비표시영역의 액정 배열이 틀어지는 것을 방지하여, 블랙(black) 상태에서 표시영역의 최외곽 영역인 빛샘 영역으로 빛이 투과되는 빛샘 현상을 방지할 수 있는 효과가 있다.
The present invention prevents the liquid crystal array of the non-display area from being distorted by forming the electric field of the non-display area to be equal to the electric field of the display area, thereby allowing the light to pass from the black state to the outermost light- The light leakage phenomenon can be prevented.

도 1a 및 도 1b는 종래의 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치의 제1 및 제2기판의 평면도이다.
도 2는 도 1a 및 도 1b의 Ⅱ-Ⅱ를 따라 절단한 단면도이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 제1실시예의 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치의 제1 및 제2기판의 평면도이다.
도 4는 도 3a 및 도 3b의 Ⅳ-Ⅳ를 따라 절단한 단면도이다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 제2실시예의 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치의 제1 및 제2기판의 평면도이다.
도 6은 도 5a 및 도 5b의 Ⅵ-Ⅵ를 따라 절단한 단면도이다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 제3실시예의 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치의 제1 및 제2기판의 평면도이다.
도 8은 도 7a 및 도 7b의 Ⅷ-Ⅷ를 따라 절단한 단면도이다.
1A and 1B are plan views of first and second substrates of a conventional fringe field switching mode liquid crystal display.
Fig. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II in Figs. 1A and 1B. Fig.
3A and 3B are plan views of first and second substrates of a fringe field switching mode liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV of FIG. 3A and FIG. 3B.
5A and 5B are plan views of the first and second substrates of the fringe field switching mode liquid crystal display of the second embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view taken along the line VI-VI in Figs. 5A and 5B.
7A and 7B are plan views of first and second substrates of a fringe field switching mode liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention.
8 is a cross-sectional view taken along VIII-VIII of Figs. 7A and 7B.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

<제 1 실시예>&Lt; Embodiment 1 >

도 3a 및 도 3b는 본 발명의 제1실시예의 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치의 제1 및 제2기판의 평면도이다.3A and 3B are plan views of first and second substrates of a fringe field switching mode liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.

도 4는 도 3a 및 도 3b의 Ⅳ-Ⅳ를 따라 절단한 단면도이다.4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV of FIG. 3A and FIG. 3B.

도면에 도시한 바와 같이, 본 발명의 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치(300)는 제1기판(100), 이와 대응하는 제2기판(200) 및 이들 두 기판 사이에 액정층(114)이 구비된 구성을 이루고 있으며, 제1 및 제2기판(100, 200)은 영상을 표시하는 표시 영역(AA)과 표시영역을 둘러싸는 비표시 영역(NAA)으로 구분된다.As shown in the drawing, the fringe field switching mode liquid crystal display device 300 of the present invention includes a first substrate 100, a second substrate 200 corresponding thereto, and a liquid crystal layer 114 between the first substrate 100 and the second substrate 200 And the first and second substrates 100 and 200 are divided into a display area AA for displaying an image and a non-display area NAA for surrounding the display area.

제1기판(100)은 어레이 기판이라고도 하며, 스위칭 소자인 박막트랜지스터(T)가 매트릭스 형태로 배치되고, 이러한 박막트랜지스터(T)를 교차하여 지나가는 게이트 배선(116)과 데이터 배선(112)이 형성된다.The first substrate 100 is also referred to as an array substrate and the thin film transistors T as switching elements are arranged in a matrix form and the gate lines 116 and the data lines 112 passing through the thin film transistors T are formed do.

구체적으로, 제1기판(100) 상에 게이트 배선(116)이 배치되고, 제1기판(100) 및 게이트 배선(116) 상에 게이트 절연막(111)이 배치된다.Specifically, the gate wiring 116 is disposed on the first substrate 100, and the gate insulating film 111 is disposed on the first substrate 100 and the gate wiring 116.

또한, 데이터 배선(112)이 게이트 절연막(111) 상에 게이트 배선(116)과 교차하며 배치되고, 제1보호층(113) 및 층간 절연막(115)이 데이터 배선(112) 상에 적층되어 배치된다.The data line 112 is arranged on the gate insulating film 111 so as to intersect the gate line 116 and the first protective layer 113 and the interlayer insulating film 115 are stacked on the data line 112 do.

또한, 공통전극(119)이 제1보호층(113) 및 층간 절연막(115) 상에 배치되고, 제2보호층(121)은 공통전극(119) 상부에 배치된다.The common electrode 119 is disposed on the first protective layer 113 and the interlayer insulating film 115 and the second protective layer 121 is disposed on the common electrode 119.

또한, 화소전극(117) 및 더미 화소전극(118)은 게이트 배선(116) 및 데이터 배선(112)에 둘러 싸이며 배치되는데, 화소전극(117)은 제2보호층(121) 상부의 표시영역(AA)에 배치되고, 더미 화소전극(118)은 2보호층(121) 상부의 비표시영역(NAA)에 배치된다.The pixel electrode 117 and the dummy pixel electrode 118 are surrounded by the gate line 116 and the data line 112. The pixel electrode 117 is disposed on the display region And the dummy pixel electrode 118 is disposed in the non-display area NAA above the two protection layers 121. [

또한, 게이트전극 및 소스/드레인전극을 포함하며, 게이트 배선(116) 및 데이터 배선(112)의 교차지점에 배치되어 이들 배선과 연결되는 박막트랜지스터(T)를 더 포함하는데, 게이트 전극은 게이트배선(116)과 동일층 및 동일물질로 형성되며, 소스/드레인전극은 데이터 배선(112)과 동일층 및 동일물질로 형성된다.The thin film transistor further includes a thin film transistor (T) including a gate electrode and a source / drain electrode and disposed at an intersection of the gate wiring (116) and the data wiring (112) And the source / drain electrodes are formed of the same layer and the same material as the data lines 112. The source /

이 때, 화소전극(118)은 박막트랜지스터(T)를 통해 데이터 배선(112)으로부터 데이터 전압이 인가되지만, 박막트랜지스터(T) 중 비표시 영역(NAA)에 배치된 박막트랜지스터의 드레인전극과 더미 화소전극(118)은 전기적으로 플로팅(floating) 된다.At this time, although the data voltage is applied from the data line 112 through the thin film transistor T to the pixel electrode 118, the drain electrode of the thin film transistor arranged in the non-display area NAA of the thin film transistor T, The pixel electrode 118 is electrically floated.

즉, 더미 화소전극(118)에는 데이터배선(112)을 통해 데이터전압이 인가되지 않으며, 후술하는 바와 같이 제1기판(100)에 배향막 형성 시 표시영역(AA)의 시작부와 끝단부에서 배향막의 두께가 급격히 두껍게 형성되는 배향막 마운트의 형성을 억제하여 러빙 불량을 방지하기 위한 것이다.That is, the data voltage is not applied to the dummy pixel electrode 118 through the data line 112. As described later, at the beginning and the end of the display area AA when the alignment layer is formed on the first substrate 100, In order to prevent rubbing defects by suppressing the formation of an alignment film mount in which the thickness of the alignment film is rapidly increased.

또한, 공통전극(119) 상부에 배치되는 화소전극(117) 및 더미 화소전극(118)에 다수의 바(bar) 형태를 갖는 개구가 구비되는 것을 특징으로 한다. The pixel electrode 117 and the dummy pixel electrode 118, which are disposed above the common electrode 119, are provided with openings having a plurality of bar shapes.

이에 따라, 본 발명의 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치는 화소전극(117)의 각 개구의 주변에서 화소전극(117)과 공통전극(119)에 의해 발현되는 프린지 필드에 의해 구동된다.Accordingly, the fringe field switching mode liquid crystal display of the present invention is driven by the fringe field which is expressed by the pixel electrode 117 and the common electrode 119 in the periphery of each opening of the pixel electrode 117.

또한, 화소전극(117) 및 더미 화소전극118)은 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 같이 빛의 투과율이 비교적 뛰어난 투명 도전성 금속을 사용한다.In addition, the pixel electrode 117 and the dummy pixel electrode 118 use a transparent conductive metal having a relatively high light transmittance such as indium-tin-oxide (ITO).

제2기판(200)은 컬러필터 기판이라고도 하며, 블랙매트릭스(124)와 서브 컬러필터(125)를 포함하는데, 특히, 블랙매트릭스(124)는 각 서브 컬러필터(125) 사이를 구분하고, 표시영역(AA) 및 비표시영역(NAA)을 구분하여 각 서브 컬러필터(125) 사이 및 비표시영역(NAA)의 광 차단 역할을 수행한다.The second substrate 200 is also referred to as a color filter substrate and includes a black matrix 124 and a sub color filter 125. Particularly, the black matrix 124 separates the sub color filters 125 from each other, Display area NAA by dividing the area AA and the non-display area NAA into a light blocking role between the sub color filters 125 and the non-display area NAA.

구체적으로, 서브 컬러필터(125)는 화소전극(117)에 대응되는 영역에 배치되며, 블랙매트릭스(124)는 서브 컬러필터(125) 사이 및 제1기판(100)의 비표시영역(NAA)에 각각 배치 된다.Specifically, the sub color filter 125 is disposed in a region corresponding to the pixel electrode 117, and the black matrix 124 is disposed between the sub color filters 125 and the non-display area NAA of the first substrate 100, Respectively.

이에 따라, 제2기판(200)의 블랙매트릭스(124)가 각 서브픽셀 사이를 투과하는 빛을 차단하고, 비표시영역(NAA)을 투과하는 빛이 디스플레이 되지 않도록 차단하는 것이다.Accordingly, the black matrix 124 of the second substrate 200 blocks light transmitted between the subpixels and blocks the light transmitted through the non-display area NAA from being displayed.

이 때, 비표시 영역(NAA)의 더미 화소전극(118)은 전기적으로 플로팅(floating)되어 있고, 그 하부에 위치한 공통전극(119)에는 일정한 전압이 인가되고 있어 화소전극(117)과 공통전극(119)에는 일정한 전계가 형성되어 유지된다.At this time, the dummy pixel electrode 118 of the non-display area NAA is electrically floating, and a constant voltage is applied to the common electrode 119 located below the dummy pixel electrode 118, And a constant electric field is formed and held in the fixed electrode 119.

이러한 전계에 의해 액정층(114) 내의 이온성 불순물들이 고착화되고, 더미 화소전극(118)에 전압이 인가되지 않았음에도 불구하고 비표시영역(NAA)의 액정 배열이 틀어질 수 있다.Such an electric field fixes the ionic impurities in the liquid crystal layer 114, and the liquid crystal array of the non-display area NAA may be turned off even though the voltage is not applied to the dummy pixel electrode 118.

본 발명의 제1실시예의 비표시영역(NAA)의 블랙매트릭스(124)는 빛샘 영역(a)까지 연장되어 배치되는 것을 특징으로 한다.The black matrix 124 of the non-display area NAA of the first embodiment of the present invention is extended to the light-shielding region a.

이에 따라, 배열이 틀어진 액정에 의해 빛이 표시영역(AA)의 최외곽부인 빛샘영역(a)으로 투과되는 빛샘 현상을 방지할 수 있다.As a result, the light leakage phenomenon that the light is transmitted to the light-shielding region (a), which is the outermost portion of the display area AA, can be prevented by the liquid crystal whose arrangement is changed.

또한, 액정층(114)은 표시영역(AA)의 화소전극(117) 상에 위치한 박막트랜지스터(T)로부터 인가된 신호에 의해 재배열되고, 액정층(114)의 재배열 정도에 따라 액정층(114)을 투과하는 빛의 양을 조절하는 방식으로 화상이 표현된다.The liquid crystal layer 114 is rearranged by a signal applied from the thin film transistor T positioned on the pixel electrode 117 of the display area AA and is arranged in accordance with the rearrangement degree of the liquid crystal layer 114, The image is expressed in such a manner as to adjust the amount of light passing through the light guide plate 114.

결국, 표시영역(AA)을 투과한 빛만이 액정층(114)을 통해 제2기판(200)의 서브 컬러필터(125)을 투과하여 다양한 화상으로 표현되는 것이다.As a result, only the light transmitted through the display area AA passes through the liquid crystal layer 114 and is transmitted through the sub-color filter 125 of the second substrate 200 to be expressed by various images.

다음, 더미 화소전극(118)을 비표시영역(NAA)에 배치하는 이유에 대해 설명하겠다.Next, the reason why the dummy pixel electrode 118 is disposed in the non-display area NAA will be described.

제1기판(100)에는 액정분자의 초기 배향 방향을 설정해주는 배향막이 형성되는데, 배향막은 러빙포를 이용한 러빙 공정을 통해 설정된 방향으로의 러빙 방향이 정해진다.On the first substrate 100, an orientation film for setting the initial alignment direction of the liquid crystal molecules is formed. The orientation film defines a rubbing direction in a set direction through a rubbing process using a rubbing cloth.

이때, 표시영역(AA) 외측의 비표시영역(NAA)에 더미 화소전극(118)을 형성함으로써 배향막 형성시 표시영역(AA)의 시작부와 끝단부에서 배향막의 두께가 급격히 두껍게 형성되는 배향막 마운트의 형성을 억제할 수 있다.At this time, the dummy pixel electrode 118 is formed in the non-display area NAA outside the display area AA so that the thickness of the alignment layer is rapidly increased at the start and end of the display area AA when the alignment layer is formed. Can be suppressed.

이에 따라, 표시영역(AA)에 배향막 마운트가 억제됨으로써 러빙 불량을 저감시킬 수 있다.As a result, the alignment film mount is suppressed in the display area AA, and the rubbing defect can be reduced.

한편, 더미 화소전극(118)은 데이터 배선(112)과 평행한 방향으로 표시영역(AA) 내의 최외곽에 배치된 화소전극(117)과 인접한 위치에 적어도 한 라인 이상 배치될 수 있다.On the other hand, the dummy pixel electrode 118 may be arranged in at least one line adjacent to the pixel electrode 117 arranged at the outermost position in the display area AA in a direction parallel to the data line 112.

또한, 게이트 배선(116)과 평행한 방향으로 표시영역(AA) 내의 최외곽에 배치된 화소전극(117)과 인접한 위치에 적어도 한 라인 이상 배치될 수 있다.At least one or more lines may be disposed adjacent to the pixel electrode 117 disposed at the outermost position in the display area AA in the direction parallel to the gate wiring 116. [

또한, 표시 영역(AA)의 최외곽에 배치된 화소전극(117)을 둘러싸며 배치될 수 있다.Further, the pixel electrode 117 may be disposed so as to surround the pixel electrode 117 disposed at the outermost part of the display area AA.

한편, 본 발명의 제1실시예의 경우, 비표시영역(NAA)의 블랙매트릭스(124)가 빛샘 영역(a)까지 연장됨에 따라 표시영역(AA)의 최외각 서브 컬러필터(125)의 면적이 줄어들게 되는데, 일반적으로, 최외각 서브 컬러필터(125)는 R(Red) 또는 B(Blue) 이므로 R서브픽셀 또는 B서브픽셀의 개구율이 상대적으로 다른 서브픽셀에 비해 작게 형성될 수 있다.On the other hand, in the first embodiment of the present invention, as the black matrix 124 of the non-display area NAA extends to the light-shielding area a, the area of the outermost sub-color filter 125 of the display area AA becomes In general, since the outermost sub-color filter 125 is R (Red) or B (Blue), the aperture ratio of the R subpixel or the B subpixel may be formed to be smaller than that of the subpixels having relatively different aperture ratios.

따라서, 표시영역(AA)의 최외각부의 하나의 픽셀을 이루는 각 서브픽셀의 개구율이 비대칭을 이루게 되어 표시영역의 외곽부에서 화질 불량을 일으킬 수 있다.
Therefore, the aperture ratio of each subpixel constituting one pixel of the outermost portion of the display area AA may be asymmetric, which may cause an image quality defect in the outer portion of the display region.

<제 2 실시예>&Lt; Embodiment 2 >

도 5a 및 도 5b는 본 발명의 제2실시예의 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치의 제1 및 제2기판의 평면도이고, 도 6은 도 5a 및 도 5b의 Ⅵ-Ⅵ를 따라 절단한 단면도이다.FIGS. 5A and 5B are plan views of first and second substrates of a fringe field switching mode liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line VI-VI of FIGS. 5A and 5B.

도면에 도시한 바와 같이, 본 발명의 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치(500)는 제1기판(400), 이와 대응하는 제2기판(450) 및 이들 두 기판 사이에 액정층(214)이 구비된 구성을 이루고 있으며, 제1 및 제2기판(400, 450)은 영상을 표시하는 표시 영역(AA)과 그렇지 않은 비표시 영역(NAA)으로 구분된다.As shown in the drawing, the fringe field switching mode liquid crystal display device 500 of the present invention includes a first substrate 400, a second substrate 450 corresponding thereto, and a liquid crystal layer 214 between the first substrate 400 and the second substrate 450 And the first and second substrates 400 and 450 are divided into a display area AA for displaying an image and a non-display area NAA for not displaying the image.

제1기판(400)은 어레이 기판이라고도 하며, 스위칭 소자인 박막트랜지스터(T)가 매트릭스 형태로 배치되고, 이러한 박막트랜지스터(T)를 교차하여 지나가는 게이트 배선(216)과 데이터 배선(212)이 형성된다.The first substrate 400 is also referred to as an array substrate and thin film transistors T which are switching elements are arranged in a matrix form and a gate wiring 216 and a data wiring 212 passing through the thin film transistor T are formed do.

구체적으로, 제1기판(400) 상에 게이트 배선(216)이 배치되고, 제1기판(400) 및 게이트 배선(216) 상에 게이트 절연막(211)이 배치된다.Specifically, the gate wiring 216 is disposed on the first substrate 400, and the gate insulating film 211 is disposed on the first substrate 400 and the gate wiring 216.

또한, 제1데이터 배선(212a)이 게이트 절연막(211) 상에 게이트 배선(216)과 교차하며 표시영역(AA)의 최외각에 배치되고, 제2데이터 배선(212b)은 게이트 절연막(211) 상에 게이트 배선(216)과 교차하며 비표시영역(NAA)에 배치되고, 제1보호층(213) 및 층간 절연막(215)이 데이터 배선(212a, 212b) 상에 적층되어 배치된다.The first data line 212a overlaps the gate line 216 on the gate insulating layer 211 and is disposed at the outermost portion of the display region AA while the second data line 212b overlaps the gate insulating layer 211, The first passivation layer 213 and the interlayer insulating film 215 are disposed on the data wirings 212a and 212b in such a manner as to be disposed in the non-display area NAA.

또한, 공통전극(219)이 제1보호층(213) 및 층간 절연막(215) 상에 배치되고, 제2보호층(221)은 공통전극(219) 상부에 배치된다.The common electrode 219 is disposed on the first protective layer 213 and the interlayer insulating film 215 and the second protective layer 221 is disposed on the common electrode 219.

또한, 최외각 화소전극(217a)은 제2보호층(221) 상부의 상기 표시 영역(AA)의 최외각에 배치되고, 더미 화소전극(218)은 제2보호층(221) 상부의 상기 비표시영역(NAA)에 배치된다.The outermost pixel electrode 217a is disposed at an outermost portion of the display area AA above the second passivation layer 221 and the dummy pixel electrode 218 is disposed at an outermost portion of the display area AA above the second passivation layer 221, And is disposed in the display area NAA.

이 때, 더미 화소전극(218)은 제1기판(400)에 배향막 형성 시 표시영역(AA)의 시작부와 끝단부에서 배향막의 두께가 급격히 두껍게 형성되는 배향막 마운트의 형성을 억제하여 러빙 불량을 방지하기 위한 것이다.At this time, the dummy pixel electrode 218 suppresses the formation of an alignment film mount in which the thickness of the alignment film is rapidly increased at the start and end portions of the display region AA when the alignment film is formed on the first substrate 400, .

또한, 공통전극(219) 상부에 배치되는 최외각 화소전극(217a)을 포함하는 화소전극(217) 및 더미 화소전극(218)에 다수의 바(bar) 형태를 갖는 개구가 구비되는 것을 특징으로 한다. The pixel electrode 217 and the dummy pixel electrode 218 including the outermost pixel electrode 217a disposed on the common electrode 219 are provided with openings having a plurality of bar- do.

이에 따라, 본 발명의 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치는 화소전극(217)의 각 개구의 주변에서 화소전극(217)과 공통전극(219)에 의해 발현되는 프린지 필드에 의해 구동된다.Accordingly, the fringe field switching mode liquid crystal display device of the present invention is driven by the fringe field generated by the pixel electrode 217 and the common electrode 219 in the periphery of each opening of the pixel electrode 217.

또한, 화소전극(217) 및 더미 화소전극(218)은 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 같이 빛의 투과율이 비교적 뛰어난 투명 도전성 금속을 사용한다.In addition, the pixel electrode 217 and the dummy pixel electrode 218 use a transparent conductive metal having a relatively high light transmittance such as indium-tin-oxide (ITO).

또한, 게이트전극 및 소스/드레인전극을 포함하며, 게이트 배선(216)과 제1 및 제2데이터 배선(212a, 212b)의 교차지점에 배치되는 박막트랜지스터(T)를 더 포함하는데, 게이트 전극은 게이트배선(216)과 동일층 및 동일물질로 형성되며, 소스/드레인전극은 제1 및 제2데이터 배선(212a, 212b)과 동일층 및 동일물질로 형성된다.The thin film transistor further includes a thin film transistor (T) including a gate electrode and a source / drain electrode, and disposed at the intersection of the gate line (216) and the first and second data lines (212a, 212b) The source and drain electrodes are formed of the same layer and the same material as the first and second data lines 212a and 212b.

이 때, 본 발명의 제1실시예와 달리 본 발명의 제2실시예는 비표시 영역(NAA)에 배치된 박막트랜지스터(T)의 드레인전극과 더미 화소전극(218)이 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 한다.In this case, unlike the first embodiment of the present invention, the second embodiment of the present invention differs from the first embodiment in that the drain electrode of the thin film transistor T disposed in the non-display area NAA is electrically connected to the dummy pixel electrode 218 .

또한, 최외각 화소전극(217a) 및 더미 화소전극(218)에는 각각 제1 및 제2데이터배선(212b, 212a)을 통해 동일 데이터 전압이 인가되는 것을 특징으로 한다.The same data voltage is applied to the outermost pixel electrode 217a and the dummy pixel electrode 218 through the first and second data lines 212b and 212a, respectively.

구체적으로, 제1 및 제2 데이터 배선(212b, 212a)과 각각 연결되는 제1 및 제2데이터 구동부(미도시)를 더 포함하고, 제1 및 제2데이터 구동부(미도시)가 동일 데이터 전압을 제1 및 제2 데이터 배선(212b, 212a)으로 출력함으로써, 최외각 화소전극(217a) 및 더미 화소전극(218)에 동일 데이터 전압이 인가될 수 있다.More specifically, the first and second data drivers (not shown) further include first and second data drivers (not shown) connected to the first and second data lines 212b and 212a, respectively. The first and second data drivers The same data voltage can be applied to the outermost pixel electrode 217a and the dummy pixel electrode 218 by outputting the data voltages to the first and second data lines 212b and 212a.

또한, 제1 및 제2데이터 배선(212b, 212a)과 연결되는 제1데이터 구동부(미도시)를 더 포함하고, 제1데이터 구동부(미도시)가 동일 데이터 전압을 제1 및 제2 데이터 배선(212b, 212a)으로 출력함으로써, 최외각 화소전극(217a) 및 더미 화소전극(218)에 동일 데이터 전압이 인가될 수 도 있다.The first data driver (not shown) further includes a first data driver (not shown) connected to the first and second data wirings 212b and 212a. The first data driver The same data voltage may be applied to the outermost pixel electrode 217a and the dummy pixel electrode 218 by outputting the data voltages to the pixel electrodes 212b and 212a.

이에 따라, 더미 화소전극(218)에 인가되는 데이터 전압의 극성은 최외각 화소전극(217a)와 마찬가지로 반전되어 비표시영역(NAA)에 위치한 액정의 분극 상태가 주기적으로 반전된다.Accordingly, the polarity of the data voltage applied to the dummy pixel electrode 218 is inverted in the same manner as the outermost pixel electrode 217a, and the polarization state of the liquid crystal located in the non-display area NAA is periodically inverted.

또한, 더미 화소전극(218)과 최외각 화소전극(217a)에는 동일 데이터전압이 인가되므로 동일한 전계가 형성되어 액정도 동일하게 배열하게 된다.Further, since the same data voltage is applied to the dummy pixel electrode 218 and the outermost pixel electrode 217a, the same electric field is formed and the liquid crystal is arranged in the same manner.

제2기판(450)은 컬러필터 기판이라고도 하며, 블랙매트릭스(224)와 서브 컬러필터(225)를 포함하는데, 특히, 블랙매트릭스(224)는 각 서브 컬러필터(225) 사이를 구분하고, 표시영역(AA) 및 비표시영역(NAA)을 구분하여 각 서브 컬러필터(225) 사이 및 비표시영역(NAA)의 광 차단 역할을 수행한다.The second substrate 450 is also referred to as a color filter substrate and includes a black matrix 224 and a sub color filter 225. Particularly, the black matrix 224 separates the sub color filters 225, The area AA and the non-display area NAA are divided to perform a light shielding function between the sub color filters 225 and the non-display area NAA.

구체적으로, 서브 컬러필터(225)는 최외각 화소전극(217a) 및 화소전극(217)에 대응되는 영역에 배치되며, 블랙매트릭스(224)는 서브 컬러필터(225) 사이 및 제1기판(400)의 비표시영역(NAA)에 각각 배치 된다.Specifically, the sub color filter 225 is disposed in an area corresponding to the outermost pixel electrode 217a and the pixel electrode 217, and the black matrix 224 is disposed between the sub color filters 225 and the first substrate 400 Display area NAA of the display area NAA.

이에 따라, 제2기판(450)의 블랙매트릭스(224)가 각 서브픽셀 사이를 투과하는 빛을 차단하고, 비표시영역(NAA)을 투과하는 빛이 디스플레이 되지 않도록 차단하는 것이다.Accordingly, the black matrix 224 of the second substrate 450 blocks the light transmitted between the sub-pixels and blocks the light transmitted through the non-display area NAA from being displayed.

이 때, 앞서 설명한 바와 같이 더미 화소전극(218)에 인가되는 데이터 전압의 극성이 반전됨에 따라 비표시영역(NAA)에 위치한 액정의 분극 상태도 주기적으로 반전되므로, 본 발명의 제2실시예는 제1실시예와 달리 액정층(214) 내의 이온성 불순물들이 전계에 의해 고착화되지 않게 되어, 비표시영역(NAA)의 블랙매트릭스(224)를 빛샘 영역(a)까지 연장하지 않더라도, 액정표시장치의 표시 화면의 외곽부가 블랙(black)상태에서도 밝게 보이게 되는 빛샘 현상을 방지할 수 있다.At this time, as the polarity of the data voltage applied to the dummy pixel electrode 218 is reversed as described above, the polarized state of the liquid crystal located in the non-display area NAA is also periodically inverted. Thus, Unlike the first embodiment, the ionic impurities in the liquid crystal layer 214 are not fixed by the electric field, and even if the black matrix 224 of the non-display area NAA is not extended to the light-shielding area a, It is possible to prevent a light leakage phenomenon in which the outer frame portion of the display screen of the display screen is bright even in the black state.

또한, 표시영역(AA)의 최외각 서브 컬러필터(225)의 면적을 줄일 필요가 없어, 표시영역(AA)의 최외각의 하나의 픽셀을 이루는 R, G, B서브픽셀의 개구율이 대칭을 이루게 되어 표시영역의 외곽부에서의 화질 불량을 방지할 수 있다.It is not necessary to reduce the area of the outermost sub-color filter 225 in the display area AA and the aperture ratio of the R, G, and B sub-pixels constituting one pixel at the outermost side of the display area AA is symmetric So that a defective picture quality can be prevented at the outer portion of the display area.

또한, 액정층(214)은 표시영역(AA)의 최외각 화소전극(217a)을 포함한 화소전극(217) 상에 위치한 박막트랜지스터(T)로부터 인가된 신호에 의해 재배열되고, 액정층(214)의 재배열 정도에 따라 액정층(214)을 투과하는 빛의 양을 조절하는 방식으로 화상이 표현된다.The liquid crystal layer 214 is rearranged by a signal applied from the thin film transistor T located on the pixel electrode 217 including the outermost pixel electrode 217a of the display area AA and the liquid crystal layer 214 The amount of light transmitted through the liquid crystal layer 214 is adjusted according to the degree of rearrangement of the liquid crystal layer 214. [

결국, 표시영역(AA)을 투과한 빛만이 액정층(214)을 통해 제2기판(450)의 서브 컬러필터(225)을 투과하여 다양한 화상으로 표현되는 것이다.As a result, only the light transmitted through the display area AA is transmitted through the liquid crystal layer 214 to the sub-color filter 225 of the second substrate 450 to be expressed in various images.

다음, 더미 화소전극(218)을 비표시영역(NAA)에 배치하는 이유에 대해 설명하겠다.Next, the reason why the dummy pixel electrode 218 is disposed in the non-display area NAA will be described.

제1기판(400)에는 액정분자의 초기 배향 방향을 설정해주는 배향막이 형성되는데, 배향막은 러빙포를 이용한 러빙 공정을 통해 설정된 방향으로의 러빙 방향이 정해진다.On the first substrate 400, an orientation film for setting the initial alignment direction of the liquid crystal molecules is formed. The orientation film defines the rubbing direction in the set direction through the rubbing process using the rubbing cloth.

이때, 표시영역(AA) 외측의 비표시영역(NAA)에 더미 화소전극(218)을 형성함으로써 배향막 형성시 표시영역(AA)의 시작부와 끝단부에서 배향막의 두께가 급격히 두껍게 형성되는 배향막 마운트의 형성을 억제할 수 있다.At this time, by forming the dummy pixel electrode 218 in the non-display area NAA outside the display area AA, the thickness of the alignment film formed at the beginning and the end of the display area AA is remarkably increased, Can be suppressed.

이에 따라, 표시영역(AA)에 배향막 마운트가 억제됨으로써 러빙 불량을 저감시킬 수 있다.As a result, the alignment film mount is suppressed in the display area AA, and the rubbing defect can be reduced.

구체적으로, 더미 화소전극(218)은 제1데이터 배선(212b)과 평행한 방향으로 표시영역(AA) 내의 최외곽에 배치된 최외각 화소전극(217a)과 인접한 위치에 적어도 한 라인 이상 배치될 수 있다.More specifically, the dummy pixel electrode 218 is disposed in at least one line adjacent to the outermost pixel electrode 217a disposed in the outermost portion in the display region AA in the direction parallel to the first data line 212b .

또한, 게이트 배선(216)과 평행한 방향으로 표시영역(AA) 내의 최외곽에 배치된 최외각 화소전극(217a)과 인접한 위치에 적어도 한 라인 이상 배치될 수 있다.At least one or more lines may be disposed adjacent to the outermost pixel electrode 217a disposed at the outermost position in the display area AA in a direction parallel to the gate wiring 216. [

또한, 표시 영역(AA)의 최외곽에 배치된 최외각 화소전극(217a)을 둘러싸며 배치될 수 있다.
And may be disposed so as to surround the outermost pixel electrode 217a disposed at the outermost portion of the display area AA.

<제 3 실시예>&Lt; Third Embodiment >

도 7a 및 도 7b는 본 발명의 제3실시예의 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치의 제1 및 제2기판의 평면도이고, 도 8은 도 7a 및 도 7b의 Ⅷ-Ⅷ를 따라 절단한 단면도이다.FIGS. 7A and 7B are plan views of first and second substrates of a fringe field switching mode liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a sectional view taken along line VIII-VIII of FIGS. 7A and 7B.

도면에 도시한 바와 같이, 본 발명의 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치(700)는 제1기판(600), 이와 대응하는 제2기판(650) 및 이들 두 기판 사이에 액정층(314)이 구비된 구성을 이루고 있으며, 제1 및 제2기판(600, 650)은 영상을 표시하는 표시 영역(AA)과 표시영역을 둘러싸는 비표시 영역(NAA)으로 구분된다.As shown in the drawing, the fringe field switching mode liquid crystal display device 700 of the present invention includes a first substrate 600, a corresponding second substrate 650, and a liquid crystal layer 314 between the two substrates. And the first and second substrates 600 and 650 are divided into a display area AA for displaying an image and a non-display area NAA for surrounding the display area.

제1기판(600)은 어레이 기판이라고도 하며, 스위칭 소자인 박막트랜지스터(T)가 매트릭스 형태로 위치하고, 이러한 박막트랜지스터(T)를 교차하여 지나가는 게이트 배선(316)과 제1 및 제2데이터 배선(312a, 312b)이 형성된다.The first substrate 600 is also referred to as an array substrate and a thin film transistor T as a switching element is disposed in a matrix form. The gate wiring 316 passing through the thin film transistor T and the first and second data lines 312a, and 312b are formed.

구체적으로, 제1기판(600) 상에 게이트 배선(316)이 배치되고, 제1기판(600) 및 게이트 배선(316) 상에 게이트 절연막(311)이 배치된다.Specifically, a gate wiring 316 is disposed on the first substrate 600, and a gate insulating film 311 is disposed on the first substrate 600 and the gate wiring 316.

또한, 제1데이터 배선(312a)은 게이트 절연막(311) 상에 게이트 배선(316)과 교차하며 비표시영역(NAA)에 배치되고, 제2데이터 배선(312b)은 게이트 절연막(311) 상에 게이트 배선(316)과 교차하며 비표시영역(NAA)에 배치된다.The first data line 312a is disposed on the gate insulating film 311 and the gate line 316 is disposed on the non-display area NAA. The second data line 312b is formed on the gate insulating film 311 And crosses the gate wiring 316 and is disposed in the non-display area NAA.

또한, 제1박막트랜지스터(T1)는 게이트 전극 및 소스/드레인 전극을 포함하며, 게이트 배선(316) 및 제1데이터 배선(312a)과 연결되고, 제2박막트랜지스터(T2)는 게이트 배선(316) 및 제2데이터 배선(312b)과 연결된다.The first thin film transistor Tl includes a gate electrode and a source / drain electrode and is connected to the gate wiring 316 and the first data wiring 312a. The second thin film transistor T2 is connected to the gate wiring 316 And the second data line 312b.

또한, 제1보호층(313) 및 층간 절연막(315)이 제1 및 제2데이터 배선(312a, 312b) 상에 적층되어 배치된다.Further, the first protective layer 313 and the interlayer insulating film 315 are stacked on the first and second data wirings 312a and 312b.

또한, 공통전극(319)이 층간 절연막(315) 상에 배치되고, 제2보호층(321)은 공통전극(319) 상부에 배치된다.The common electrode 319 is disposed on the interlayer insulating film 315 and the second protective layer 321 is disposed on the common electrode 319. [

또한, 화소전극(317)은 제2보호층(321) 상부에 배치되되, 표시영역(AA)에 배치되며 제2박막트랜지스(T2)의 드레인 전극과 연결되고, 최외각 화소전극(317a) 및 더미 화소전극(317a)은 제2보호층(321) 상부에 배치되되, 표시영역(AA)의 최외각 및 비표시영역(NAA)에 배치되며 제1박막트랜지스터(T1)의 드레인 전극과 연결된다.The pixel electrode 317 is disposed on the second passivation layer 321 and is disposed in the display area AA and is connected to the drain electrode of the second thin film transistor T2. The pixel electrode 317 is connected to the outermost pixel electrode 317a, And the dummy pixel electrode 317a are disposed on the second passivation layer 321 and are disposed in the outermost and non-display area NAA of the display area AA and are connected to the drain electrode of the first thin film transistor T1 do.

이 때, 더미 화소전극(317a) 및 최외각 화소전극(317a)은 제1기판(400)에 배향막 형성 시 표시영역(AA)의 시작부와 끝단부에서 배향막의 두께가 급격히 두껍게 형성되는 배향막 마운트의 형성을 억제하여 러빙 불량을 방지하는 역할과 표시영역(AA)의 최외각 서브픽셀의 화소를 표시하는 역할을 수행한다.The dummy pixel electrode 317a and the outermost pixel electrode 317a are formed on the first substrate 400 in such a manner that the thickness of the alignment layer is drastically increased at the start and end portions of the display region AA, To prevent rubbing failure and to display the pixels of the outermost sub-pixels of the display area AA.

또한, 공통전극(319) 상부에 배치되는 최외각 화소전극(317a) 및 화소전극(317)에 다수의 바(bar) 형태를 갖는 개구가 구비되는 것을 특징으로 한다. In addition, the outermost pixel electrode 317a and the pixel electrode 317, which are disposed above the common electrode 319, are provided with openings having a plurality of bar shapes.

이에 따라, 본 발명의 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치는 최외각 화소전극(317a) 및 화소전극(317)의 각 개구의 주변에서 최외각 화소전극(317a) 및 화소전극(317)과 공통전극(219)에 의해 발현되는 프린지 필드에 의해 구동된다.The fringe field switching mode liquid crystal display device of the present invention has the outermost pixel electrode 317a and the pixel electrode 317 and the common electrode 317a in the periphery of each opening of the outermost pixel electrode 317a and the pixel electrode 317, RTI ID = 0.0 &gt; 219). &Lt; / RTI &gt;

또한, 최외각 화소전극(317a) 및 더미 화소전극(317a)은 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 같이 빛의 투과율이 비교적 뛰어난 투명 도전성 금속을 사용한다.The outermost pixel electrode 317a and the dummy pixel electrode 317a use a transparent conductive metal having a relatively high light transmittance such as indium-tin-oxide (ITO).

제1 및 제2박막트랜지스터(T1, T2)의 게이트 전극은 게이트배선(216)과 동일층 및 동일물질로 형성되며, 소스/드레인전극은 데이터 배선(212)과 동일층 및 동일물질로 형성된다.The gate electrodes of the first and second thin film transistors T1 and T2 are formed of the same layer and the same material as the gate wiring 216 and the source and drain electrodes are formed of the same layer and the same material as the data wiring 212 .

또한, 상기 제1박막트랜지스터(T1)는 제2박막트랜지스터(T2)에 비하여 채널의 폭과 길이 비가 큰 확장 박막 트랜지스터인 것을 특징으로 한다.The first thin film transistor T1 is an extended thin film transistor having a larger channel width and a longer length ratio than the second thin film transistor T2.

구체적으로, 제1박막트랜지스터는 최외각 화소전극(317a) 및 더미 화소전극(317a)을 연결하여 이들 전극에 데이터 전압을 인가하기 때문에, 만약 제1 및 제2박막트래지스터(T1, T2)의 크기가 동일하면 최외각 화소전극(317a) 및 더미 화소전극(317a)의 차징(Charging) 불량을 일으킬 수 있으므로, 제1박막트랜지스터(T1)의 크기를 제2박막트랜지스터(T2)보다 크게 함으로써 충분한 정상 차징(Charging)을 할 수 있게 된다. Specifically, the first thin film transistor connects the outermost pixel electrode 317a and the dummy pixel electrode 317a and applies a data voltage to these electrodes. Therefore, if the first and second thin film transistors T1 and T2 The first thin film transistor T1 may be larger in size than the second thin film transistor T2 because a charging failure of the outermost pixel electrode 317a and the dummy pixel electrode 317a may occur. It becomes possible to perform normal charging (Charging).

이 때, 최외각 화소전극(317a) 및 더미 화소전극(317a)에는 제1데이터배선(312a)을 통해 표시영역의 최외각에 대응되는 데이터 전압이 인가되는 것을 특징으로 한다.At this time, a data voltage corresponding to the outermost edge of the display region is applied to the outermost pixel electrode 317a and the dummy pixel electrode 317a through the first data line 312a.

이에 따라, 최외각 화소전극(317a) 및 더미 화소전극(317a)에 인가되는 데이터 전압의 극성은 반전되어 비표시영역(NAA)에 위치한 액정의 분극 상태가 주기적으로 반전된다.Accordingly, the polarity of the data voltage applied to the outermost pixel electrode 317a and the dummy pixel electrode 317a is reversed, and the polarization state of the liquid crystal located in the non-display area NAA is periodically inverted.

또한, 표시영역(AA)의 최외각과 비표시영역(NAA)에 동일한 전계가 형성되어 액정도 동일하게 배열하게 된다.Further, the same electric field is formed in the outermost portion of the display area AA and the non-display area NAA, so that the liquid crystal is arranged in the same manner.

제2기판(650)은 컬러필터 기판이라고도 하며, 블랙매트릭스(324)와 서브 컬러필터(325)를 포함하는데, 특히, 블랙매트릭스(324)는 각 서브 컬러필터(325) 사이를 구분하고, 표시영역(AA) 및 비표시영역(NAA)을 구분하여 각 서브 컬러필터(325) 사이 및 비표시영역(NAA)의 광 차단 역할을 수행한다.The second substrate 650 is also referred to as a color filter substrate and includes a black matrix 324 and a sub color filter 325. Particularly, the black matrix 324 separates each sub color filter 325, The area AA and the non-display area NAA are divided to perform a light shielding function between the sub color filters 325 and the non-display area NAA.

구체적으로, 서브 컬러필터(325)는 화소전극(317)에 대응되는 영역 및, 최외각 화소전극(317a) 및 더미 화소전극(317a) 중 표시영역(AA) 부분에 배치되며, 블랙매트릭스(324)는 서브 컬러필터(325) 사이 및 제1기판(600)의 비표시영역(NAA)에 각각 배치 된다.Specifically, the sub color filter 325 is disposed in a region corresponding to the pixel electrode 317 and in the display region AA out of the outermost pixel electrode 317a and the dummy pixel electrode 317a, and the black matrix 324 Are arranged between the sub color filters 325 and the non-display area NAA of the first substrate 600, respectively.

이에 따라, 제2기판(650)의 블랙매트릭스(324)가 각 서브픽셀 사이를 투과하는 빛을 차단하고, 비표시영역(NAA)을 투과하는 빛이 디스플레이 되지 않도록 차단하는 것이다.Accordingly, the black matrix 324 of the second substrate 650 blocks the light transmitted between the subpixels and blocks the light transmitted through the non-display area NAA from being displayed.

이 때, 앞서 설명한 바와 같이 제1박막트랜지스터(T1)의 드레인전극과 최외각 화소전극(317a) 및 더미 화소전극(317a)이 전기적으로 연결되어 데이터 전압이 인가되면 비표시영역(NAA)에 위치한 액정의 분극 상태가 주기적으로 반전된다.At this time, as described above, when the drain electrode of the first thin film transistor T1 is electrically connected to the outermost pixel electrode 317a and the dummy pixel electrode 317a and a data voltage is applied thereto, The polarization state of the liquid crystal is periodically inverted.

따라서, 본 발명의 제3실시예는 제1실시예와 달리 비표시영역(NAA)의 블랙매트릭스(324)는 빛샘 영역(a)까지 연장하지 않더라도, 액정층(314) 내의 이온성 불순물들이 전계에 의해 고착화되지 않게 되어, 액정표시장치의 표시 화면의 외곽부가 블랙(black)상태에서도 밝게 보이게 되는 빛샘 현상을 방지할 수 있다.Therefore, unlike the first embodiment, the third embodiment of the present invention differs from the first embodiment in that the black matrix 324 of the non-display area NAA does not extend to the light-shielding area a, It is possible to prevent the light leakage phenomenon that the outer portion of the display screen of the liquid crystal display device appears bright even in the black state.

또한, 표시영역(AA)의 최외각 서브 컬러필터(325)의 면적을 줄일 필요가 없어, 표시영역(AA)의 최외각의 하나의 픽셀을 이루는 R, G, B서브픽셀의 개구율이 대칭을 이루게 되어 표시영역의 외곽부에서의 화질 불량을 방지할 수 있다.
It is not necessary to reduce the area of the outermost sub color filter 325 in the display area AA and the aperture ratio of the R, G, and B sub pixels constituting one pixel of the outermost part of the display area AA is symmetric So that a defective picture quality can be prevented at the outer portion of the display area.

본 발명은 전술한 실시예에 한정되지 아니하며, 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 이상 다양한 변화와 변형이 가능하다.
The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various changes and modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

400 : 제1기판 450 : 제2기판
212a, 212b : 제1 및 제2데이터배선 224 : 블랙매트릭스
219 : 공통전극 225 : 서브 컬러필터
221 : 제2보호층 214 : 액정층
218 : 더미 화소전극
217a : 최외각 화소전극
400: first substrate 450: second substrate
212a and 212b: first and second data lines 224: black matrix
219: common electrode 225: sub color filter
221: second protective layer 214: liquid crystal layer
218: a dummy pixel electrode
217a: an outermost pixel electrode

Claims (9)

표시 영역과 비표시 영역으로 구분된 제1기판;
상기 제1기판 상에 배치되는 게이트 배선;
상기 제1기판 및 게이트 배선 상에 배치되는 게이트 절연막;
상기 게이트 절연막 상에 상기 게이트 배선과 교차하며 배치되는 데이터 배선;
상기 데이터 배선 상에 배치되는 제1보호층;
상기 제1보호층 상에 배치되는 공통전극;
상기 공통전극 상부에 배치되는 제2보호층; 및
상기 제2보호층 상부에, 상기 표시 영역의 최외각에 배치되는 최외각 화소전극 및 상기 비표시 영역에 배치되는 더미 화소전극을 포함하고,
상기 최외각 화소전극 및 더미 화소전극에는 동일 데이터 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치.
A first substrate divided into a display area and a non-display area;
A gate wiring disposed on the first substrate;
A gate insulating film disposed on the first substrate and the gate wiring;
A data line disposed on the gate insulating film so as to cross the gate line;
A first protective layer disposed on the data line;
A common electrode disposed on the first passivation layer;
A second protective layer disposed on the common electrode; And
An outermost pixel electrode disposed at an outermost portion of the display region and a dummy pixel electrode disposed in the non-display region,
And the same data voltage is applied to the outermost pixel electrode and the dummy pixel electrode.
제 1 항에 있어서,
게이트 전극 및 소스/드레인 전극을 포함하며, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결되고 상기 표시영역 및 비표시영역에 각각 배치되는 제1 및 제2박막트랜지스터를 포함하고,
상기 제1박막트랜지스터의 드레인 전극은 상기 최외각 화소전극과 연결되고, 상기 제2박막트랜지스터의 드레인 전극은 상기 더미 화소전극과 연결되는 것을 특징으로 하는 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치.
The method according to claim 1,
And first and second thin film transistors each including a gate electrode and a source / drain electrode, the first and second thin film transistors being connected to the gate and data lines and respectively disposed in the display region and the non-display region,
Wherein the drain electrode of the first thin film transistor is connected to the outermost pixel electrode, and the drain electrode of the second thin film transistor is connected to the dummy pixel electrode.
제 1 항에 있어서,
게이트 전극 및 소스/드레인 전극을 포함하며, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결되는 제3박막트랜지스터를 포함하고,
상기 제3박막트랜지스터의 드레인 전극은 상기 최외각 화소전극 및 더미 화소전극과 연결되는 것을 특징으로 하는 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치.
The method according to claim 1,
And a third thin film transistor including a gate electrode and a source / drain electrode, the third thin film transistor being connected to the gate wiring and the data wiring,
And the drain electrode of the third thin film transistor is connected to the outermost pixel electrode and the dummy pixel electrode.
제 3 항에 있어서,
상기 제3박막트랜지스터는 다른 박막트랜지스터에 비하여 채널의 폭과 길이 비가 큰 확장 박막 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치.
The method of claim 3,
Wherein the third thin film transistor is an extended thin film transistor having a channel width and a length ratio larger than other thin film transistors.
제 1 항에 있어서,
상기 최외각 화소전극 및 더미 화소전극은 다수의 개구부를 구비하는 것을 특징으로 하는 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the outermost pixel electrode and the dummy pixel electrode have a plurality of openings.
제 1 항에 있어서,
상기 더미 화소전극은 상기 데이터 배선과 평행한 방향으로 상기 최외각 화소전극과 인접한 위치에 적어도 한 라인 이상 배치되는 것을 특징으로 하는 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the dummy pixel electrode is disposed in at least one line adjacent to the outermost pixel electrode in a direction parallel to the data line.
제 1 항에 있어서,
상기 더미 화소전극은 상기 게이트 배선과 평행한 방향으로 상기 최외각 화소전극과 인접한 위치에 적어도 한 라인 이상 배치되는 것을 특징으로 하는 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the dummy pixel electrode is disposed in at least one line adjacent to the outermost pixel electrode in a direction parallel to the gate line.
제 1 항에 있어서,
상기 더미 화소전극은 상기 최외곽 화소전극을 둘러싸며 배치되는 것을 특징으로 하는 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치.
The method according to claim 1,
And the dummy pixel electrode is disposed to surround the outermost pixel electrode.
제 1 항에 있어서,
블랙매트릭스, 서브 컬러필터를 포함하는 제2기판; 및
상기 제1 및 제2기판 사이에 배치되는 액정층을 더 포함하고,
상기 서브 컬러필터는 상기 최외각 화소전극에 대응되는 영역에 배치되며, 상기 블랙매트릭스는 상기 서브 컬러필터 사이 및 상기 제1기판의 비표시 영역에 각각 배치되는 것을 특징으로 하는 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치.













The method according to claim 1,
A second substrate including a black matrix and a sub color filter; And
Further comprising a liquid crystal layer disposed between the first and second substrates,
Wherein the sub-color filter is disposed in an area corresponding to the outermost pixel electrode, and the black matrix is disposed between the sub-color filters and the non-display area of the first substrate. Device.













KR1020140172356A 2014-12-03 2014-12-03 Fringe field switching mode liquid crystal display device KR20160067300A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140172356A KR20160067300A (en) 2014-12-03 2014-12-03 Fringe field switching mode liquid crystal display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140172356A KR20160067300A (en) 2014-12-03 2014-12-03 Fringe field switching mode liquid crystal display device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20160067300A true KR20160067300A (en) 2016-06-14

Family

ID=56191567

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140172356A KR20160067300A (en) 2014-12-03 2014-12-03 Fringe field switching mode liquid crystal display device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20160067300A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023097485A1 (en) * 2021-11-30 2023-06-08 京东方科技集团股份有限公司 Display substrate, display panel and display apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023097485A1 (en) * 2021-11-30 2023-06-08 京东方科技集团股份有限公司 Display substrate, display panel and display apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10310337B2 (en) Liquid crystal display apparatus
US9785017B2 (en) Liquid crystal display
US8054242B2 (en) Liquid crystal display device and method of driving the same
US9620533B2 (en) Liquid crystal display having white pixels
US9472148B2 (en) Liquid crystal display device having gate sharing structure and method of driving the same
US20060028604A1 (en) Liquid crystal display device
US20110085102A1 (en) Liquid crystal display and method of manufacturing the same
US9417487B2 (en) Liquid crystal display having improved transmittance and luminance characteristics
US10417978B2 (en) Liquid-crystal display device
KR20210073807A (en) Liquid crystal display panel
JP6220628B2 (en) Display device
KR20070014668A (en) In-plane switching liquid crystal display device and the fabrication method
KR100873025B1 (en) Controllable viewing angle the fringe field switching liquid crystal display
KR20080026908A (en) Array substrate and liquid crystal display device
KR102294632B1 (en) Fringe field switching mode liquid crystal display device
KR101794283B1 (en) Thin film transtistor array panel and liquid crystal display
US20150235605A1 (en) Liquid crystal display panel and display apparatus using the same
KR100931493B1 (en) Array Board for Liquid Crystal Display
US20150049068A1 (en) Liquid crystal display panel and 3d image system
US9508295B2 (en) Display device
KR20160067300A (en) Fringe field switching mode liquid crystal display device
US9117703B2 (en) Liquid crystal display device
KR101389467B1 (en) Multi-View Liquid Crystal Display Device
JP6503052B2 (en) Liquid crystal display
JP2010139919A (en) Liquid crystal display panel for ecb mode

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application