KR20160066288A - Organic light emitting display device and method of manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

Provided is an organic light emitting display device. The organic light emitting display device includes an over coating layer. An anode is placed on the over coating layer. An auxiliary electrode is placed on the over coating layer as placed apart from the anode. A bank layer is placed to cover a side part of the auxiliary electrode and a side part of the anode. A partition is placed on the auxiliary electrode, and includes a pillar part and a roof part. An organic light emitting layer is placed at least on the anode. A cathode is formed at least on the organic light emitting layer, and electrically connected to the auxiliary electrode. According to an embodiment of the present invention, the organic light emitting display device is capable of minimizing a contact area between the auxiliary electrode and the organic light emitting layer by making the roof part of the partition cover the auxiliary electrode, and keeping the brightness uniform by making a contact area between the cathode and the auxiliary electrode uniform.

Description

유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}Technical Field [0001] The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display device,

본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 균일한 휘도를 제공할 수 있는 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display and a method of manufacturing the same. More particularly, the present invention relates to an organic light emitting display and a method of manufacturing the same.

유기 발광 표시 장치(OLED)는 자체 발광형 표시 장치로서, 액정 표시 장치(LCD)와는 달리 별도의 광원이 필요하지 않아 경량 박형으로 제조 가능하다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 저전압 구동에 의해 소비 전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 색상 구현, 응답 속도, 시야각, 명암 대비비(contrast ratio; CR)도 우수하여, 차세대 디스플레이로서 연구되고 있다.The organic light emitting diode (OLED) is a self-emissive type display device, and unlike a liquid crystal display (LCD), a separate light source is not required, so that it can be manufactured in a light and thin shape. Further, the organic light emitting display device is not only advantageous from the viewpoint of power consumption by low voltage driving, but also excellent in color implementation, response speed, viewing angle, and contrast ratio (CR), and is being studied as a next generation display.

탑 에미션(top emission) 방식의 유기 발광 표시 장치는 유기 발광 소자에서 발광된 빛이 유기 발광 표시 장치 상부로 방출되는 유기 발광 표시 장치를 의미하는 것으로서, 유기 발광 소자에서 발광된 빛이 유기 발광 표시 장치를 구동하기 위한 박막 트랜지스터가 형성된 기판의 상면 방향으로 방출되는 유기 발광 표시 장치를 의미한다. 탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치의 경우, 유기 발광층에서 발광된 빛을 상부로 발광시키기 위해 캐소드로서 투명 특성의 전극 또는 반투과 특성의 전극을 사용한다. 캐소드로서 투명 특성의 전극을 사용하는 경우 및 반투과 특성의 전극을 사용하는 경우 모두, 투과율을 향상시키기 위해 캐소드의 두께를 얇게 형성하는데, 캐소드 두께의 감소는 캐소드의 전기적 저항을 증가시킨다. 이로 인해, 특히 대면적의 유기 발광 표시 장치의 경우 전압 공급 패드부로부터 멀어질수록 전압 강하가 더 심하게 발생하여 유기 발광 표시 장치의 휘도 불균일 문제가 발생될 수 있다. 본 명세서에서 전압 강하는 유기 발광 소자에서 형성되는 전위차가 감소하는 현상을 의미하는 것으로서, 구체적으로, 유기 발광 소자의 애노드와 캐소드 사이의 전위차가 감소하는 현상을 의미한다.The top emission type organic light emitting display device refers to an organic light emitting display device in which light emitted from an organic light emitting device is emitted to an upper portion of the organic light emitting display device, Refers to an organic light emitting display device which emits in the direction of the top surface of a substrate on which a thin film transistor for driving an apparatus is formed. In the case of the top emission type organic light emitting display, a transparent electrode or a transflective electrode is used as a cathode to emit light emitted from the organic light emitting layer. In the case of using the electrode of the transparent characteristic as the cathode and the case of using the electrode of the transflective characteristic, the thickness of the cathode is made thin to improve the transmittance, but the decrease of the cathode thickness increases the electrical resistance of the cathode. In particular, in the case of a large-area organic light emitting display device, the voltage drop becomes more serious as the distance from the voltage supply pad portion increases, and thus the problem of luminance non-uniformity of the organic light emitting display device may arise. In this specification, the voltage drop means a phenomenon in which the potential difference formed in the organic light emitting element decreases, specifically, a phenomenon in which the potential difference between the anode and the cathode of the organic light emitting element decreases.

상술한 바와 같은 전압 강하를 해결하기 위해 보조 전극을 사용하는 방식이 사용되고 있다. 즉, 캐소드의 전기적 저항이 증가되는 것을 방지하기 위해 별도의 보조 전극을 캐소드와 전기적으로 연결시키는 방식이 사용되고 있다. A method using an auxiliary electrode is used to solve the voltage drop as described above. That is, a method of electrically connecting a separate auxiliary electrode to the cathode is used to prevent the increase of the electrical resistance of the cathode.

보조 전극과 캐소드를 전기적으로 연결시키기 위해서 보조 전극 상에 역테이퍼 형상의 격벽을 형성하는 방식이 사용되고 있다. 유기 발광층으로 사용되는 물질과 캐소드로 사용되는 물질의 스텝 커버리지(step coverage)가 상이한 경우, 유기 발광층으로 사용되는 물질이 역테이퍼 형상의 격벽에 가려진 보조 전극 상의 영역에 배치되는 면적과 캐소드로 사용되는 물질이 역테이퍼 형상의 격벽에 가려진 보조 전극 상의 영역에 배치되는 면적이 상이해진다. 캐소드로 사용되는 물질의 스텝 커버리지가 유기 발광층으로 사용되는 물질의 스텝 커버리지보다 향상됨에 따라, 캐소드가 보조 전극과 접촉하는 면적이 증가하고 있다. A method of forming a reverse tapered barrier rib on the auxiliary electrode in order to electrically connect the auxiliary electrode and the cathode is used. When the step coverage of the material used as the organic light emitting layer is different from the material used as the organic light emitting layer, the material used as the organic light emitting layer is used as an area disposed in an area on the auxiliary electrode covered with the reverse tapered barrier rib, The area where the material is disposed in the region on the auxiliary electrode covered with the reverse tapered barrier ribs is different. As the step coverage of the material used as the cathode is improved than the step coverage of the material used as the organic light emitting layer, the area in which the cathode contacts the auxiliary electrode is increasing.

다만, 유기 발광층으로 사용되는 물질이 유기 발광 표시 패널에 증착되는 입사각은 유기 발광층으로 사용되는 물질의 소스(source) 위치에 따라 상이하다. 특히, 대면적의 탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치에서는 유기 발광층으로 사용되는 물질이 유기 발광 표시 패널에 증착되는 입사각은 매우 다양하게 존재할 수 있다. 구체적으로, 소스는 도가니에서 가열되어 증착되기 때문에, 챔버(chamber) 내의 도가니의 위치를 기준으로 증착되는 증착되는 입사각이 결정되게 된다.However, the incident angle at which the material used as the organic light emitting layer is deposited on the organic light emitting display panel differs depending on the source position of the material used as the organic light emitting layer. Particularly, in the large-area top emission organic light emitting display, the incident angle at which the material used as the organic light emitting layer is deposited on the organic light emitting display panel may vary. Specifically, since the source is heated and deposited in the crucible, the deposited incident angle to be deposited based on the position of the crucible in the chamber is determined.

격벽의 역테이퍼 각도보다 작은 각도로 유기 발광층으로 사용되는 물질이 입사되는 경우, 유기 발광층은 격벽에 가려진 보조 전극 상의 영역에도 형성된다. 또한, 대면적의 탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치에서 유기 발광층으로 사용되는 물질의 증착 입사각이 다양하므로, 격벽에 가려진 보조 전극 상의 영역에 형성될 수 있는 유기 발광층의 면적도 다양해질 수 있다. 보조 전극 상의 영역에 형성된 유기 발광층의 면적에 따라, 캐소드가 보조 전극과 접촉하는 면적도 유기 발광 표시 패널의 위치에 따라 상이해진다. 이에 따라, 대면적의 탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치에서 유기 발광 표시 패널의 위치에 따라 캐소드의 저항도 다양하게 존재할 수 있으며, 캐소드의 저항에 따른 휘도도 다양하게 존재하여 휘도 균일도를 확보하기 어려운 문제점이 있다. 특히 캐소드와 보조 전극이 접촉하는 면적이 줄어들수록, 좁은 접촉 면적에 과전류가 흐를수 있기 때문에 번트(burnt) 불량이 발생할 수 있다.When a material used as the organic light emitting layer is incident at an angle smaller than the reverse taper angle of the barrier rib, the organic light emitting layer is also formed in the region on the auxiliary electrode covered with the barrier rib. In addition, since the deposition angle of the substance used as the organic light emitting layer in the large-area top emission organic light emitting display varies, the area of the organic light emitting layer that can be formed in the region on the auxiliary electrode covered with the barrier can be varied. Depending on the area of the organic light emitting display panel formed on the area of the auxiliary electrode, the area of contact of the cathode with the auxiliary electrode differs depending on the position of the organic light emitting display panel. Accordingly, in the large-area top emission organic light emitting display, the resistance of the cathode may vary according to the position of the organic light emitting display panel, and the luminance depending on the resistance of the cathode may vary, There is a difficult problem. Particularly, as the area of contact between the cathode and the auxiliary electrode decreases, an overcurrent may flow in a narrow contact area, so that a burnt defect may occur.

이에, 대면적의 탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치에서 유기 발광 표시 패널의 위치에 무관하게 휘도 균일도를 확보하기 위해 보조 전극과 캐소드의 접촉 면적을 균일하게 유지할 수 있는 방법에 대한 필요성이 존재한다.Accordingly, there is a need for a method of uniformly maintaining the contact area between the auxiliary electrode and the cathode in order to ensure luminance uniformity regardless of the position of the organic light emitting display panel in the large-area top emission organic light emitting display .

[관련기술문헌][Related Technical Literature]

1. 백색 전면발광 유기전계발광 표시장치 (특허출원번호 제10-2008-0127996호)One. White white light emitting organic electroluminescent display device (Patent Application No. 10-2008-0127996)

2. 고투과성 및 고방열성을 갖는 OLED 소자의 봉지구조 및 이의 제조방법 (특허출원번호 제10-2011-0036930호)2. An encapsulation structure of an OLED device having high permeability and high heat dissipation property and a method for manufacturing the same (Patent Application No. 10-2011-0036930)

본 발명의 발명자들은 상술한 바와 같이 유기 발광 표시 장치에서 휘도의 균일도가 저하되는 문제점을 해결하기 위해, 유기 발광 표시 패널에서의 위치에 무관하게 캐소드와 보조 전극이 접촉하는 면적이 동일한 유기 발광 표시 장치의 새로운 구조 및 그 제조 방법을 발명하였다.The inventors of the present invention have proposed an organic light emitting display device having the same area in which the cathode and the auxiliary electrode are in contact with each other regardless of their positions in the organic light emitting display panel in order to solve the problem that the luminance uniformity is lowered in the organic light emitting display device, And a method of manufacturing the same.

이에, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 보조 전극 상에 배치된 격벽에 함몰부가 형성되어 유기 발광층이 격벽 하부에서 보조 전극과 접촉하는 면적을 최소화할 수 있는 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 제공하는 것이다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide an organic light emitting display device and an organic light emitting display device capable of minimizing an area in which a depression is formed in a barrier rib disposed on an auxiliary electrode, .

또한, 본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 현상 속도가 상이한 물질로 격벽의 지붕부와 기둥부를 형성하여 격벽 하부의 보조 전극에 유기 발광층으로 사용되는 물질이 증착되는 확률을 최소화할 수 있는 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 제공하는 것이다.Another problem to be solved by the present invention is to provide an organic light emitting display device capable of minimizing the probability of depositing a material used as an organic light emitting layer on an auxiliary electrode at a lower portion of a barrier rib by forming a roof portion and a column portion of the barrier rib, And a method of manufacturing the organic light emitting display device.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치가 제공된다. 유기 발광 표시 장치는 오버 코팅층을 포함한다. 애노드는 오버 코팅층 상에 배치된다. 보조 전극은 오버 코팅층 상에서 애노드와 이격되어 배치된다. 뱅크층은 보조 전극의 일 측부 및 애노드의 일 측부를 덮도록 배치된다. 격벽은 보조 전극 상에 배치되고, 기둥부 및 지붕부를 포함한다. 유기 발광층은 적어도 애노드 상에 배치된다. 캐소드는 적어도 유기 발광층 상에 형성되고, 보조 전극과 전기적으로 연결된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서는 격벽의 지붕부가 보조 전극을 가려 유기 발광층이 보조 전극과 접촉하는 면적이 최소화되고, 캐소드가 보조 전극과 접촉하는 면적을 균일하게 하여 유기 발광 표시 장치의 휘도의 균일도가 향상될 수 있다.An organic light emitting display according to an embodiment of the present invention is provided. The organic light emitting display includes an overcoat layer. The anode is disposed on the overcoat layer. The auxiliary electrode is disposed apart from the anode on the overcoat layer. The bank layer is arranged to cover one side of the auxiliary electrode and one side of the anode. The barrier rib is disposed on the auxiliary electrode, and includes a column portion and a roof portion. The organic light emitting layer is disposed at least on the anode. The cathode is formed on at least the organic light emitting layer and is electrically connected to the auxiliary electrode. In the organic light emitting diode display according to an embodiment of the present invention, the roof portion of the barrier rib covers the auxiliary electrode to minimize the contact area of the organic light emitting layer with the auxiliary electrode, and uniform the contact area of the cathode with the auxiliary electrode, The uniformity of the luminance of the display device can be improved.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 기둥부 및 지붕부는 일체형인 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, the column portion and the roof portion are integrally formed.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 격벽은 격벽의 하부에 함몰부가 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, the barrier rib is characterized in that a depression is formed in a lower portion of the barrier rib.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 기둥부의 단면은 사각형 또는 역 테이퍼(taper) 형상인 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, the columnar section has a rectangular or inverted tapered cross section.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 기둥부 및 지붕부가 동일한 물질로 이루어진 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, the column and the roof are made of the same material.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 기둥부 및 지붕부는 네거티브(negative) 포토레지스트(photoresist)로 이루어진 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, the pillars and the roof portions are formed of a negative photoresist.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 기둥부 및 지붕부는 물리적으로 분리된 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, the column and the roof are physically separated.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 지붕부의 단면은 사각형 또는 정 테이퍼 형상인 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, the roof section has a rectangular or regular tapered cross section.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 지붕부의 하면은 기둥부의 상면을 완전히 덮고, 지붕부의 하면의 면적은 기둥부의 상면의 면적보다 넓은 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, the lower surface of the roof portion completely covers the upper surface of the column portion, and the area of the lower surface of the roof portion is larger than that of the upper surface of the column portion.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 기둥부의 상면과 지붕부의 하면이 접하는 면의 면적은 기둥부의 하면과 보조 전극의 상면이 접하는 면의 면적보다 작거나 동일한 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, the area of the upper surface of the column portion and the lower surface of the roof portion is smaller than or equal to the area of the lower surface of the column portion and the upper surface of the auxiliary electrode.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 기둥부 및 지붕부가 상이한 물질로 이루어진 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, the column and roof portions are made of different materials.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 기둥부는 비감광성 레지스트로 이루어지고, 지붕부는 포지티브(positive) 포토레지스트로 이루어진 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, the column portion is made of a non-photosensitive resist and the roof portion is made of a positive photoresist.

본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치 제조 방법은 오버 코팅층 상에 애노드 및 애노드와 이격된 보조 전극을 형성하는 단계, 보조 전극의 일 측부 및 애노드의 일 측부를 덮도록 뱅크층을 형성하는 단계, 애노드, 보조 전극 및 뱅크층 상에 네거티브 포토레지스트를 배치하는 단계, 네거티브 포토레지스트 상에서 마스크를 사용하여 노광하는 단계, 네거티브 포토레지스트를 현상하는 단계, 네거티브 포토레지스트의 임계온도 이상의 온도에서 네거티브 포토레지스트를 경화(curing)하여 격벽을 형성하는 단계, 적어도 애노드 상에 유기 발광층을 형성하는 단계, 및 적어도 유기 발광층 상에 형성되고, 보조 전극과 전기적으로 연결되도록 캐소드를 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치 제조 방법에 의해 격벽의 하부에 함몰부가 형성되어 보조 전극 상에 유기 발광층이 형성될 확률이 감소되고, 유기 발광 표시 패널의 위치에 무관하게 캐소드가 보조 전극과 접촉하는 면적은 균일하게 유지될 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an organic light emitting diode display, comprising: forming an auxiliary electrode spaced apart from an anode and an anode on an overcoat layer; forming a bank layer covering one side of the auxiliary electrode and one side of the anode Depositing a negative photoresist on the anode, the auxiliary electrode and the bank layer, exposing using a mask on the negative photoresist, developing the negative photoresist, developing the negative photoresist at a temperature above the critical temperature of the negative photoresist, Curing the resist to form a barrier, forming at least an organic light-emitting layer on the anode, and forming a cathode, which is formed on at least the organic light-emitting layer and is electrically connected to the auxiliary electrode. According to another exemplary embodiment of the present invention, a recess is formed in a lower portion of a barrier rib to reduce the probability of forming an organic emission layer on the auxiliary electrode, The area in contact with the electrode can be kept uniform.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 마스크는 보조 전극의 상부의 적어도 일부에 대응하는 개구부를 포함하고, 노광하는 단계는, 네거티브 포토레지스트 상에 마스크를 배치하는 단계, 및 마스크 상에서 마스크의 개구부를 통해 자외선을 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to another feature of the invention, the mask comprises an opening corresponding to at least a portion of the top of the auxiliary electrode, the step of exposing comprises the steps of disposing a mask on the negative photoresist, And a step of irradiating the light source with the light beam.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 격벽을 형성하는 단계는 네거티브 포토레지스트를 100℃ 내지 150℃의 온도로 5분 이상 경화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, the step of forming the barrier includes the step of curing the negative photoresist at a temperature of 100 ° C to 150 ° C for 5 minutes or more.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치 제조 방법은 오버 코팅층 상에 애노드 및 애노드와 이격된 보조 전극을 형성하는 단계, 보조 전극의 일 측부 및 애노드의 일 측부를 덮도록 뱅크층을 형성하는 단계, 애노드, 보조 전극 및 뱅크층 상에 비감광성 레지스트를 배치하는 단계, 비감광성 레지스트 상에 포지티브 포토레지스트를 배치하는 단계, 포지티브 포토레지스트 상에서 마스크를 사용하여 노광하는 단계, 비감광성 레지스트 및 포지티브 포토레지스트를 현상하는 단계, 적어도 애노드 상에 유기 발광층을 형성하는 단계, 및 적어도 유기 발광층 상에 형성되고, 보조 전극과 전기적으로 연결되도록 캐소드를 형성하는 단계를 포함하고, 포지티브 포토레지스트의 현상 속도(rate)와 비감광성 레지스트의 현상 속도가 상이하다. 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치 제조 방법에 의해 현상 속도가 낮은 포지티브 포토레지스트가 격벽의 지붕부를 구성하여, 유기 발광 표시 패널의 위치에 무관하게 캐소드가 보조 전극과 접촉하는 면적이 균일하게 확보되어, 캐소드의 저항 및 유기 발광 표시 장치의 휘도가 균일하게 확보될 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of fabricating an organic light emitting display, comprising: forming an auxiliary electrode spaced apart from an anode and an anode on an overcoat layer; forming a bank layer covering one side of the auxiliary electrode and one side of the anode; Disposing a non-photosensitive resist on the anode, the auxiliary electrode and the bank layer; placing a positive photoresist on the non-photosensitive resist; exposing using a mask on the positive photoresist; Forming an organic light emitting layer on at least the anode, and forming a cathode at least on the organic light emitting layer and electrically connected to the auxiliary electrode, wherein the developing rate of the positive photoresist ( rate and the development speed of the non-photosensitive resist are different. According to another embodiment of the present invention, a positive photoresist having a low developing speed constitutes a roof portion of a barrier rib, and an area where the cathode contacts the auxiliary electrode regardless of the position of the organic light emitting display panel So that the resistance of the cathode and the luminance of the organic light emitting display can be uniformly ensured.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 비감광성 레지스트의 현상 속도가 포지티브 포토레지스트의 현상 속도보다 빠른 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, the developing speed of the non-photosensitive resist is faster than the developing speed of the positive photoresist.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 마스크는 보조 전극의 상부의 적어도 일부를 덮는 차광부를 포함하고, 노광하는 단계는, 포지티브 포토레지스트 상에 마스크를 배치하는 단계, 및 마스크 상에서 마스크를 통해 자외선을 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, a mask includes a light shielding portion covering at least a part of an upper portion of an auxiliary electrode, and the step of exposing includes the steps of disposing a mask on the positive photoresist and irradiating ultraviolet The method comprising the steps of:

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.The details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 발명은 유기 발광 표시 패널의 위치에 무관하게 격벽 하부의 보조 전극과 유기 발광층이 접촉하는 면적이 최소화되고, 격벽 하부의 보조 전극과 캐소드가 접촉하는 면적이 균일한 유기 발광 표시 장치를 제작할 수 있다. The organic light emitting display device according to the present invention can minimize the contact area between the auxiliary electrode and the organic light emitting layer in the lower part of the barrier rib regardless of the position of the organic light emitting display panel and uniformly contact the area of the auxiliary electrode and the cathode in the lower part of the barrier rib. .

또한, 본 발명은 유기 발광 표시 패널의 위치에 무관하게 균일한 휘도를 확보할 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제작할 수 있다.In addition, the present invention can produce an organic light emitting display capable of ensuring a uniform luminance irrespective of the position of the organic light emitting display panel.

본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.The effects according to the present invention are not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the specification.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 3a 내지 도 3g는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 6a 내지 도 6e는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
1 is a schematic cross-sectional view illustrating an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention.
2 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display according to an exemplary embodiment of the present invention.
3A to 3G are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display according to an exemplary embodiment of the present invention.
4 is a schematic cross-sectional view illustrating an OLED display according to another embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG.
6A to 6E are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display according to another embodiment of the present invention.
7 is a schematic cross-sectional view illustrating an organic light emitting diode display according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention and the manner of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. The shapes, sizes, ratios, angles, numbers, and the like disclosed in the drawings for describing the embodiments of the present invention are illustrative, and thus the present invention is not limited thereto. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail. Where the terms "comprises", "having", "done", and the like are used in this specification, other portions may be added unless "only" is used. Unless the context clearly dictates otherwise, including the plural unless the context clearly dictates otherwise.

구성요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the constituent elements, it is construed to include the error range even if there is no separate description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 ‘직접’이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다. In the case of a description of the positional relationship, for example, if the positional relationship between two parts is described as 'on', 'on top', 'under', and 'next to' Or " direct " is not used, one or more other portions may be located between the two portions.

소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 위 (on)로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다.It will be understood that when an element or layer is referred to as being on another element or layer, it encompasses the case where it is directly on or intervening another element or intervening another element or element.

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.Although the first, second, etc. are used to describe various components, these components are not limited by these terms. These terms are used only to distinguish one component from another. Therefore, the first component mentioned below may be the second component within the technical spirit of the present invention.

명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.The sizes and thicknesses of the individual components shown in the figures are shown for convenience of explanation and the present invention is not necessarily limited to the size and thickness of the components shown.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하며, 당업자가 충분히 이해할 수 있듯이 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시 가능할 수도 있다.It is to be understood that each of the features of the various embodiments of the present invention may be combined or combined with each other partially or entirely and technically various interlocking and driving is possible as will be appreciated by those skilled in the art, It may be possible to cooperate with each other in association.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.Various embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다. 도 1을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100)는 오버 코팅층(110), 유기 발광 소자(120), 보조 전극(130), 뱅크층(140) 및 격벽(150)을 포함한다. 1 is a schematic cross-sectional view illustrating an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, the organic light emitting diode display 100 includes an overcoat layer 110, an organic light emitting diode 120, an auxiliary electrode 130, a bank layer 140, and a barrier 150.

오버 코팅층(110)은 도 1에는 도시되지는 않았으나 유기 발광 소자(120)를 구동하기 위한 박막 트랜지스터의 상부를 평탄화하는 층으로, 박막 트랜지스터의 소스 전극 또는 드레인 전극을 노출시키는 컨택홀을 갖는다. Although not shown in FIG. 1, the overcoat layer 110 has a contact hole for exposing a source electrode or a drain electrode of the thin film transistor. The overcoat layer 110 is a layer for flattening the top of the thin film transistor for driving the organic light emitting diode 120.

도 1을 참조하면, 오버 코팅층(110) 상에 애노드(121) 및 보조 전극(130)이 배치된다. 구체적으로, 애노드(121)는 오버 코팅층(110)의 컨택홀을 통해 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되도록 오버 코팅층(110) 상에 배치된다. 유기 발광 표시 장치(100)는 탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치이므로, 애노드(121)는 반사층 및 투명 도전층을 포함한다. 이에 따라, 도 1에는 도시되지 않았으나 애노드(121)는 복수의 층으로 구성될 수 있다. Referring to FIG. 1, an anode 121 and an auxiliary electrode 130 are disposed on an overcoat layer 110. Specifically, the anode 121 is disposed on the overcoat layer 110 so as to be electrically connected to the thin film transistor through the contact hole of the overcoat layer 110. Since the OLED display 100 is a top emission type OLED display, the anode 121 includes a reflective layer and a transparent conductive layer. Accordingly, although not shown in FIG. 1, the anode 121 may be formed of a plurality of layers.

애노드(121)는 유기 발광층(122)에 정공(hole)을 공급하기 위해 일함수가 높은 도전성 물질로 이루어진다. 예를 들어, 애노드(121)는 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 인듐 주석 아연 산화물(ITZO), 아연 산화물(Zinc Oxide), 주석 산화물(Tin Oxide), 및 이들의 조합을 포함하는 투명 도전성 산화물(TCO)로 형성될 수도 있으나, 이에 제한되지는 않는다.The anode 121 is made of a conductive material having a high work function to supply holes to the organic light emitting layer 122. For example, the anode 121 may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium tin zinc oxide (ITZO), zinc oxide, tin oxide, But not limited to, a transparent conductive oxide (TCO).

도 1을 참조하면, 보조 전극(130)은 오버 코팅층(110) 상에서 애노드(121)와 이격되어 배치된다. 여기서, 보조 전극(130)은 오버 코팅층(110) 상에서 애노드(121)와 동일한 구성으로 형성될 수 있다. 즉, 보조 전극(130)은 애노드(121)와 같이 반사층 및 투명 도전층을 포함하는 구성으로 형성될 수도 있다. 이에 따라, 보조 전극(130)은 오버 코팅층(110) 상에서 애노드(121)와 동일한 두께로 배치될 수 있다.Referring to FIG. 1, an auxiliary electrode 130 is disposed on the overcoat layer 110 and spaced apart from the anode 121. Here, the auxiliary electrode 130 may have the same structure as the anode 121 on the overcoat layer 110. That is, the auxiliary electrode 130 may be formed to include a reflective layer and a transparent conductive layer like the anode 121. Accordingly, the auxiliary electrode 130 may be disposed on the overcoat layer 110 to have the same thickness as the anode 121.

보조 전극(130)은 캐소드(123)를 얇게 형성함에 따라 캐소드(123)의 증가하는 저항을 감소시키기 위해 형성된다. 이에 따라, 보조 전극(130)은 캐소드(123)의 저항을 감소시킬 수 있는 물질로 이루어진다. 즉, 보조 전극(130)은 전기적 저항이 작고 도전성이 큰 물질로 이루어진다. 예를 들어, 보조 전극(130)은 애노드(121)와 같이 일함수가 높은 도전성 물질을 포함할 수 있다. The auxiliary electrode 130 is formed to reduce the increased resistance of the cathode 123 as the cathode 123 is made thin. Accordingly, the auxiliary electrode 130 is made of a material capable of reducing the resistance of the cathode 123. That is, the auxiliary electrode 130 is made of a material having small electrical resistance and high conductivity. For example, the auxiliary electrode 130 may include a conductive material having a high work function, such as the anode 121.

도 1을 참조하면, 뱅크층(140)은 오버 코팅층(110) 상에 배치된다. 구체적으로, 뱅크층(140)은 보조 전극(130)의 일 측부 및 애노드(121)의 일 측부를 덮도록 배치된다. 뱅크층(140)은 도전성 물질로 이루어진 보조 전극(130)과 애노드(121)가 서로 전기적으로 연결되지 않도록 배치된다.Referring to FIG. 1, a bank layer 140 is disposed on the overcoat layer 110. Specifically, the bank layer 140 is disposed so as to cover one side of the auxiliary electrode 130 and one side of the anode 121. The bank layer 140 is disposed so that the auxiliary electrode 130 made of a conductive material and the anode 121 are not electrically connected to each other.

도 1을 참조하면, 격벽(150)은 보조 전극(130) 상에 배치된다. 보조 전극(130) 상에 배치된 격벽(150)은 기둥부(151) 및 지붕부(153)를 포함한다. 기둥부(151)는 격벽(150)의 하부로, 보조 전극(130)의 상면과 접한다. 지붕부(153)는 격벽(150)의 상부로, 기둥부(151)의 상부와 연결된다. 도 1을 참조하면, 격벽(150)에서 기둥부(151)와 지붕부(153)는 일체형이다. Referring to FIG. 1, the barrier rib 150 is disposed on the auxiliary electrode 130. The partition 150 disposed on the auxiliary electrode 130 includes a column portion 151 and a roof portion 153. The columnar portion 151 contacts the upper surface of the auxiliary electrode 130 to the lower portion of the barrier rib 150. [ The roof portion 153 is connected to an upper portion of the partition wall 150 and an upper portion of the column portion 151. Referring to FIG. 1, in the partition 150, the column 151 and the roof 153 are integrally formed.

격벽(150)은 절연성 물질인 포토레지스트(photoresist)로 이루어진다. 구체적으로, 격벽(150)은 네거티브(negative) 포토레지스트로 이루어질 수 있다. 즉, 격벽(150)에서 기둥부(151)와 지붕부(153)는 모두 네거티브 포토레지스트로 이루어질 수 있다. 네거티브 포토레지스트의 성질에 따른 격벽(150)의 형성 과정에 대해서는 도 3a 내지 도 3g를 참조하여 후술한다. The barrier rib 150 is made of photoresist which is an insulating material. Specifically, the barrier rib 150 may be formed of a negative photoresist. That is, the columnar portion 151 and the roof portion 153 in the barrier rib 150 may all be formed of negative photoresist. The formation process of the barrier rib 150 according to the properties of the negative photoresist will be described later with reference to FIGS. 3A to 3G.

도 1을 참조하면, 격벽(150)은 격벽(150)의 하부에 함몰부(159)가 형성되어 있다. 구체적으로, 함몰부(159)는 격벽(150)이 외부에서 기둥부(151)를 향해 함몰된 영역으로, 함몰 정도에 따라 격벽(150)은 다양한 형상을 가질 수 있다. 함몰부(159)에 의해 지붕부(153)의 하부는 기둥부(151)에서 멀어질수록 보조 전극(130)을 향하여 돌출될 수 있고, 기둥부(151)로 가까워질수록 함입될 수 있다. 이에 따라, 격벽(150)은 우산 형상, 오버행(overhang), 버섯 또는 처마 형상을 가질 수 있다. 여기서, 지붕부(153)의 상면은 평면이 아닌 곡면을 포함할 수 있고, 기둥부(151)의 단면은 역 테이퍼 형상일 수도 있다.Referring to FIG. 1, the partition 150 has a depression 159 formed in a lower portion of the partition 150. Specifically, the depression 159 is a region where the partition 150 is depressed toward the pillar 151 from the outside, and the partition 150 may have various shapes depending on the depression degree. The lower part of the roof part 153 can be protruded toward the auxiliary electrode 130 as the distance from the pillar part 151 is increased by the depressed part 159 and can be increased as it approaches the pillar part 151. Accordingly, the barrier ribs 150 may have an umbrella shape, an overhang, a mushroom shape, or an eave shape. Here, the upper surface of the roof portion 153 may include a curved surface that is not flat, and the cross section of the columnar portion 151 may be reverse tapered.

격벽(150)은 보조 전극(130) 상에 유기 발광층(122)이 배치되는 면적을 최소화하도록 형성된다. 즉, 격벽(150)의 형상에 따라 보조 전극(130) 상에 유기 발광층(122)이 배치되는 면적은 변할 수 있다. 도 1을 참조하면, 기둥부(151)의 하면과 보조 전극(130)의 상면이 접하는 면적은 보조 전극(130)의 상면의 면적보다 작고, 지붕부(153)의 하부는 보조 전극(130)의 상부를 덮는다. 또한, 지붕부(153)의 양 측부가 보조 전극(130)을 향하여 돌출되고, 돌출된 지붕부(153)에 의해 격벽(150)의 지붕부(153)의 측면과 뱅크층(140)의 경사면 사이의 공간이 좁아진다. 이에 따라, 격벽(150)의 지붕부(153)의 측면과 뱅크층(140)의 경사면 사이의 공간으로 유기 발광층(122)을 구성하는 물질이 입사되기 어려워지고, 보조 전극(130) 상에 유기 발광층(122)이 배치되기 어려워진다.The barrier ribs 150 are formed to minimize an area where the organic light emitting layer 122 is disposed on the auxiliary electrode 130. That is, the area where the organic light emitting layer 122 is disposed on the auxiliary electrode 130 may vary depending on the shape of the barrier rib 150. 1, the area of the lower surface of the columnar portion 151 and the upper surface of the auxiliary electrode 130 is smaller than the area of the upper surface of the auxiliary electrode 130, As shown in FIG. Both side portions of the roof portion 153 protrude toward the auxiliary electrode 130 and the side walls of the roof portion 153 of the bank 150 and the side walls of the bank layer 140 The space between them becomes narrower. This makes it difficult for the material constituting the organic light emitting layer 122 to enter the space between the side surface of the roof portion 153 of the bank 150 and the inclined surface of the bank layer 140, The light emitting layer 122 becomes difficult to be disposed.

유기 발광층(122)은 애노드(121) 상에 배치된다. 도 1을 참조하면, 유기 발광층(122)은 뱅크층(140) 상부의 일부에도 배치된다. 또한, 유기 발광층(122)을 구성하는 물질은 격벽(150) 상부에도 증착될 수 있다.The organic light emitting layer 122 is disposed on the anode 121. [ Referring to FIG. 1, the organic light emitting layer 122 is also disposed on a part of the upper part of the bank layer 140. The material constituting the organic light emitting layer 122 may also be deposited on the barrier ribs 150.

유기 발광층(122)은 스텝 커버리지가 우수하지 않은 물질로 이루어진다. 이에 따라, 유기 발광층(122)은 뱅크층(140) 상부의 일부에만 배치될 뿐, 지붕부(153) 하부의 보조 전극(130) 상에는 배치되지 않는다.The organic light emitting layer 122 is made of a material having poor step coverage. The organic light emitting layer 122 is disposed only on a part of the upper part of the bank layer 140 but not on the auxiliary electrode 130 under the roof part 153. [

캐소드(123)는 유기 발광층(122) 상에 배치된다. 구체적으로, 캐소드(123)는 애노드(121), 유기 발광층(122) 상에 배치되어 유기 발광 소자(120)를 구성한다. 여기서, 캐소드(123)는 유기 발광층(122)에 전자(electron)을 공급하기 위해 일함수가 낮은 도전성 물질로 이루어진다. 예를 들어, 캐소드(123)는 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 인듐 주석 아연 산화물(ITZO), 아연 산화물(Zinc Oxide), 주석 산화물(Tin Oxide), 및 이들의 조합을 포함하는 투명 도전성 산화물(TCO)로 형성될 수도 있고, 카본 나노 튜브(CNT) 및/또는 그래핀 기반 조성 물질로 형성될 수도 있으나, 이에 제한되지 않는다. The cathode 123 is disposed on the organic light emitting layer 122. Specifically, the cathode 123 is disposed on the anode 121 and the organic luminescent layer 122 to constitute the organic luminescent element 120. Here, the cathode 123 is made of a conductive material having a low work function to supply electrons to the organic light emitting layer 122. For example, the cathode 123 may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium tin zinc oxide (ITZO), zinc oxide, tin oxide, (TCO) containing carbon nanotubes (CNTs) and / or a graphene based composition material, but the present invention is not limited thereto.

또한, 캐소드(123)는 보조 전극(130)과 전기적으로 연결된다. 구체적으로, 캐소드(123)는 뱅크층(140)을 덮도록 배치되고, 격벽(150)의 지붕부(153) 하부에서 보조 전극(130) 상에도 배치된다. 캐소드(123)가 격벽(150)의 지붕부(153) 하부에 배치된 보조 전극(130)과 접촉할 수 있도록 스텝 커버리지가 우수한 물질로 이루어질 수 있다. 특히, 캐소드(123)는 투명 도전성 산화물(TCO)로 이루어지고, 투명 도전성 산화물(TCO)은 스퍼터링(spttering)을 통해 보조 전극(130)과 연결되도록 형성된다. 즉, 캐소드(123)는 증착(evaporation)에 의해 형성되는 유기 발광층(122)보다 스텝 커버리지가 우수하여, 격벽(150) 하부에 배치된 보조 전극(130) 상부까지 형성될 수 있다. 이에 따라, 유기 발광층(122)은 격벽(150)의 지붕부(153) 하부에 배치된 보조 전극(130)과 접촉할 수 없지만, 캐소드(123)는 보조 전극(130) 상에 배치될 수 있다. 또한, 캐소드(123)는 도전성 물질이므로, 보조 전극(130) 상에 배치되어 전기적으로 연결된다.In addition, the cathode 123 is electrically connected to the auxiliary electrode 130. Specifically, the cathode 123 is disposed so as to cover the bank layer 140, and also on the auxiliary electrode 130 below the roof portion 153 of the partition 150. The cathode 123 may be made of a material having excellent step coverage so as to be in contact with the auxiliary electrode 130 disposed under the roof portion 153 of the barrier rib 150. [ In particular, the cathode 123 is formed of a transparent conductive oxide (TCO), and the transparent conductive oxide (TCO) is formed to be connected to the auxiliary electrode 130 through sputtering. That is, the cathode 123 has a better step coverage than the organic light emitting layer 122 formed by evaporation, and can be formed up to the top of the auxiliary electrode 130 disposed under the barrier ribs 150. Accordingly, the organic light emitting layer 122 can not contact the auxiliary electrode 130 disposed under the roof portion 153 of the partition 150, but the cathode 123 can be disposed on the auxiliary electrode 130 . Also, since the cathode 123 is a conductive material, it is disposed on the auxiliary electrode 130 and electrically connected thereto.

본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)에서는 격벽(150)의 하부에 함몰부(159)가 형성되어 보조 전극(130) 상에 유기 발광층(122)이 배치되지 않는다. 구체적으로, 함몰부(159)에 의해 우산 형상을 갖는 격벽(150)은 뱅크층(140)과 격벽(150) 사이의 공간을 축소시킨다. 특히, 지붕부(153)의 양 측부는 보조 전극(130)을 향해 돌출되어 스텝 커버리지가 우수하지 않은 물질은 보조 전극(130) 상에 배치될 확률이 크게 감소된다. 이에 따라, 유기 발광층(122)은 스텝 커버리지가 우수하지 않은 물질로 이루어지므로 함몰부(159) 하부의 보조 전극(130)까지 형성되지 못한다. 반면, 캐소드(123)는 유기 발광층(122)의 물질보다 스텝 커버리지가 우수한 물질로 이루어지므로 함몰부(159) 하부의 보조 전극(130) 상에도 배치된다. 즉, 함몰부(159)에 의해 우산 형상을 갖는 격벽(150)은 유기 발광층(122)을 구성하는 물질이 입사될 수 있는 공간을 최소화한다. 이에 따라, 스텝 커버리지가 우수한 물질로 이루어진 캐소드(123)는 유기 발광층(122)을 구성하는 물질이 증착되는 입사각에 무관하게 보조 전극(130)과 일정한 면적으로 접촉하여 유기 발광 표시 패널 전체에서 캐소드(123)의 저항 편차에 따른 전압 강하 불균일도 저감될 수 있다. 즉, 유기 발광 표시 장치(100)의 휘도 균일도가 향상될 수 있다. The organic light emitting display device 100 according to an embodiment of the present invention may include a depression 159 at a lower portion of the barrier rib 150 to prevent the organic light emitting layer 122 from being disposed on the auxiliary electrode 130. Specifically, the partition 150 having an umbrella shape by the depression 159 reduces the space between the bank layer 140 and the partition 150. Particularly, both side portions of the roof portion 153 protrude toward the auxiliary electrode 130, and the probability that a material having a poor step coverage is disposed on the auxiliary electrode 130 is greatly reduced. Accordingly, since the organic light emitting layer 122 is made of a material having poor step coverage, the auxiliary electrode 130 under the depression 159 can not be formed. On the other hand, since the cathode 123 is made of a material having a better step coverage than the material of the organic light emitting layer 122, the cathode 123 is also disposed on the auxiliary electrode 130 under the depression 159. That is, the partition wall 150 having the umbrella shape by the depression 159 minimizes the space in which the material constituting the organic light emitting layer 122 can enter. Accordingly, the cathode 123 made of a material having excellent step coverage contacts the auxiliary electrode 130 with a certain area irrespective of the incident angle at which the material constituting the organic light emitting layer 122 is deposited, The voltage drop irregularity due to the resistance variation of the resistor 123 can be reduced. That is, the luminance uniformity of the OLED display 100 can be improved.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다. 도 3a 내지 도 3g는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다. 도 3a 내지 도 3g는 도 1에 도시된 유기 발광 표시 장치(100)의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도들로서, 도 1을 참조하여 설명된 구성요소에 대한 중복 설명을 생략한다.2 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display according to an exemplary embodiment of the present invention. 3A to 3G are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display according to an exemplary embodiment of the present invention. 3A to 3G are process cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the organic light emitting diode display 100 shown in FIG. 1, and overlapping descriptions of the components described with reference to FIG. 1 are omitted.

먼저, 애노드(121)와 보조 전극(130)이 오버 코팅층(110) 상에 형성된다(S21).First, the anode 121 and the auxiliary electrode 130 are formed on the overcoat layer 110 (S21).

도 3a를 참조하면, 애노드(121)는 오버 코팅층(110)의 컨택홀에 대응하여 형성된다. 보조 전극(130)은 애노드(121)와 이격되어 형성된다. 여기서, 애노드(121)와 보조 전극(130)은 하나의 패터닝(patterning) 공정에 의해 동시에 형성될 수 있다. 이에 따라, 애노드(121)와 보조 전극(130)은 동일한 물질일 수 있다.Referring to FIG. 3A, the anode 121 is formed corresponding to the contact hole of the overcoat layer 110. The auxiliary electrode 130 is formed apart from the anode 121. Here, the anode 121 and the auxiliary electrode 130 may be simultaneously formed by a single patterning process. Accordingly, the anode 121 and the auxiliary electrode 130 may be made of the same material.

이어서, 뱅크층(140)이 보조 전극(130)의 일 측부 및 애노드(121)의 일 측부를 덮도록 형성된다(S22).Subsequently, the bank layer 140 is formed to cover one side of the auxiliary electrode 130 and one side of the anode 121 (S22).

도 3b를 참조하면, 뱅크층(140)은 오버 코팅층(110) 상에서 보조 전극(130)의 일 측부 및 애노드(121)의 일 측부를 덮도록 형성된다. 뱅크층(140)은 오버 코팅층(110) 상에서 애노드(121)와 보조 전극(130) 사이의 영역을 절연시킨다. Referring to FIG. 3B, a bank layer 140 is formed on the overcoat layer 110 to cover one side of the auxiliary electrode 130 and one side of the anode 121. The bank layer 140 insulates an area between the anode 121 and the auxiliary electrode 130 on the overcoat layer 110.

이어서, 네거티브 포토레지스트(350)가 애노드(121), 보조 전극(130) 및 뱅크층(140) 상에 배치된다(S23).Subsequently, a negative photoresist 350 is disposed on the anode 121, the auxiliary electrode 130, and the bank layer 140 (S23).

도 3c를 참조하면, 네거티브 포토레지스트(350)는 애노드(121), 보조 전극(130) 및 뱅크층(140)를 모두 덮도록 유기 발광 표시 패널 전면에 배치된다. 네거티브 포토레지스트(350)는 다양한 방법으로 배치될 수 있다. 구체적으로, 네거티브 포토레지스트(350)는 스핀 코팅(spin coating)에 의해 애노드(121), 보조 전극(130) 및 뱅크층(140)를 모두 덮도록 배치될 수 있다.Referring to FIG. 3C, the negative photoresist 350 is disposed on the front surface of the organic light emitting display panel so as to cover both the anode 121, the auxiliary electrode 130, and the bank layer 140. The negative photoresist 350 may be disposed in various ways. Specifically, the negative photoresist 350 may be arranged to cover both the anode 121, the auxiliary electrode 130 and the bank layer 140 by spin coating.

이어서, 네거티브 포토레지스트(350)는 네거티브 포토레지스트(350) 상에서 마스크(360)를 사용하여 노광된다(S24).Next, the negative photoresist 350 is exposed using the mask 360 on the negative photoresist 350 (S24).

도 3d를 참조하면, 마스크(360)는 개구부(365)를 포함한다. 이에, 마스크(360)의 개구부(365)가 보조 전극(130) 상부에 대응되도록 네거티브 포토레지스트(350) 상에 마스크(360)가 배치된다. 여기서, 개구부(365)가 보조 전극(130) 상부에만 대응되도록 마스크(360)가 배치될 수 있다. 즉, 개구부(365) 하부 영역은 보조 전극(130) 상부 영역 내에만 중첩되고 뱅크층(140) 상부 영역과는 중첩되지 않도록 마스크(360)가 배치될 수 있다.Referring to FIG. 3D, the mask 360 includes an opening 365. The mask 360 is disposed on the negative photoresist 350 such that the opening 365 of the mask 360 corresponds to the upper portion of the auxiliary electrode 130. [ Here, the mask 360 may be disposed such that the opening 365 corresponds to only the upper portion of the auxiliary electrode 130. That is, the mask 360 may be disposed such that the lower region of the opening 365 is overlapped only within the upper region of the auxiliary electrode 130 and is not overlapped with the upper region of the bank layer 140.

이어서, 마스크(360) 상에서 마스크(360)의 개구부(365)를 통해 자외선(UV)이 조사된다. 이에 따라, 자외선(UV)은 개구부(365)에 대응되는 네거티브 포토레지스트(350)에만 조사된다. 네거티브 포토레지스트(350)는 자외선(UV)에 의해 특성이 변하여 현상액에 반응하지 않을 수 있다. Then, ultraviolet light (UV) is irradiated onto the mask 360 through the opening 365 of the mask 360. [ Thus, the ultraviolet ray (UV) is irradiated only to the negative photoresist 350 corresponding to the opening 365. The negative photoresist 350 may change in characteristics due to ultraviolet (UV) light and may not react with the developer.

이어서, 네거티브 포토레지스트(350)가 현상된다(S25).Subsequently, the negative photoresist 350 is developed (S25).

도 3e를 참조하면, 네거티브 포토레지스트(350) 중 현상된 네거티브 포토레지스트(355)만이 보조 전극(130) 상에 배치된다. 즉, 네거티브 포토레지스트(350) 중 자외선(UV)이 조사된 부분은 현상액과 반응하지 않고 자외선(UV)이 조사되지 않은 부분만 현상액과 반응하여 제거된다. 이에 따라, 자외선(UV)이 조사된 네거티브 포토레지스트(350)는 현상액에 의해 제거되지 않아 현상된 네거티브 포토레지스트(355)만 남게 된다. 이 경우, 네거티브 포토레지스트(350)의 특성에 따라 현상된 네거티브 포토레지스트(355)는 역 테이퍼 형상을 가진다.Referring to FIG. 3E, only the developed negative photoresist 355 of the negative photoresist 350 is disposed on the auxiliary electrode 130. That is, the portion of the negative photoresist 350 irradiated with ultraviolet light (UV) is not reacted with the developing solution, and only the portion not irradiated with ultraviolet light (UV) reacts with the developing solution and is removed. As a result, the negative photoresist 350 irradiated with ultraviolet light (UV) is not removed by the developer, and only the developed negative photoresist 355 remains. In this case, the negative photoresist 355 developed in accordance with the characteristics of the negative photoresist 350 has an inverted taper shape.

이어서, 네거티브 포토레지스트(350)의 임계 온도 이상의 온도에서 네거티브 포토레지스트(350)를 경화(curing)하여 격벽(150)이 형성된다(S26).Subsequently, the negative photoresist 350 is cured at a temperature equal to or higher than the critical temperature of the negative photoresist 350 to form the barrier 150 (S26).

도 3f를 참조하면, 현상된 네거티브 포토레지스트(355)가 네거티브 포토레지스트(350)의 임계 온도 이상의 온도에서 경화되어 곡면을 갖는 격벽(150)이 형성된다. 일반적으로 네거티브 포토레지스트(350)의 임계 온도는 약 100℃이고, 네거티브 포토레지스트(350)는 임계 온도 이상에서 본래 물질적 특성을 상실할 수 있다. 구체적으로, 격벽(150) 성형온도는 네거티브 포토레지스트(350)의 임계 온도 이상인 것을 특징으로 한다. 예를 들어, 격벽(150) 성형온도는 100℃ 내지 150℃일 수 있다. 이에 따라, 현상된 네거티브 포토레지스트(355)가 격벽(150) 성형온도인 100℃ 내지 150℃에서 경화되면, 현상된 네거티브 포토레지스트(355)의 형상이 변화될 수 있다. 구체적으로, 챔버 내에서 히터(heater) 또는 핫플레이트(hot plate)를 통해 현상된 네거티브 포토레지스트(355)를 100℃ 내지 150℃의 온도로 경화하면, 현상된 네거티브 포토레지스트(355)가 유동성을 갖고, 현상된 네거티브 포토레지스트(355)의 역 테이퍼 형상으로 인해 현상된 네거티브 포토레지스트(355)의 상부로부터 형상이 변형되고, 현상된 네거티브 포토레지스트(355)의 상부의 측부는 중력에 의해 일부 흘러내릴 수 있다. 경화시간이 경과됨에 따라, 현상된 네거티브 포토레지스트(355)에서 상부의 두께가 낮아지고, 현상된 네거티브 포토레지스트(355)의 상부는 좌우 측부로 퍼진다. 경과시간이 길어짐에 따라, 현상된 네거티브 포토레지스트(355)의 측부가 일부 붕괴될 수도 있다. 여기서, 격벽(150) 성형온도로 격벽(150)의 하부를 가열하는 시간을 조절하여 원하는 형상의 격벽(150)이 형성될 수 있다. 이에 따라, 현상된 네거티브 포토레지스트(355)가 경화되면서 격벽(150)이 형성되고, 격벽(150)의 하부에는 함몰부(159)가 형성될 수 있다. Referring to FIG. 3F, the developed negative photoresist 355 is cured at a temperature above the critical temperature of the negative photoresist 350 to form a barrier 150 having a curved surface. In general, the critical temperature of the negative photoresist 350 is about 100 占 폚, and the negative photoresist 350 may lose its inherent material properties above the critical temperature. Specifically, the forming temperature of the barrier ribs 150 is higher than the critical temperature of the negative photoresist 350. For example, the forming temperature of the barrier ribs 150 may be 100 ° C to 150 ° C. Thus, if the developed negative photoresist 355 is cured at 100 ° C to 150 ° C, which is the forming temperature of the barrier 150, the shape of the developed negative photoresist 355 can be changed. Specifically, when the negative photoresist 355 developed through the heater or hot plate in the chamber is cured at a temperature of 100 ° C to 150 ° C, the developed negative photoresist 355 is made to have fluidity The shape of the upper portion of the developed negative photoresist 355 is deformed from the top of the developed negative photoresist 355 due to the reverse tapered shape of the developed negative photoresist 355, I can get off. As the curing time elapses, the thickness of the upper portion of the developed negative photoresist 355 is lowered, and the upper portion of the developed negative photoresist 355 spreads to the left and right sides. As the elapsed time increases, some of the sides of the developed negative photoresist 355 may collapse. Here, the barrier rib 150 may have a desired shape by controlling the heating time of the lower portion of the barrier rib 150 at the forming temperature of the barrier rib 150. Accordingly, the developed negative photoresist 355 may be cured to form the barrier ribs 150, and the barrier ribs 150 may have the depressions 159 formed thereunder.

이와 같이 함몰부(159)가 형성되면서 현상된 네거티브 포토레지스트(355)의 형상이 변형된다. 구체적으로, 현상된 네거티브 포토레지스트(355)의 형상이 변형되면서 격벽(150)은 기둥부(151)와 지붕부(153)로 구분될 수 있다. 격벽(150)의 기둥부(151)는 역 테이퍼 형상이 될 수 있고, 격벽(150)의 지붕부(153)의 상면은 곡면이 될 수도 있다. 이에 따라, 격벽(150)은 우산 형상, 오버행(overhang), 버섯 또는 처마 형상을 가질 수 있다.As the depression 159 is formed, the shape of the developed negative photoresist 355 is deformed. Specifically, as the shape of the developed negative photoresist 355 is modified, the barrier rib 150 can be divided into the columnar portion 151 and the roof portion 153. The columnar portion 151 of the partition 150 may have a reverse tapered shape and the upper surface of the roof portion 153 of the partition 150 may be curved. Accordingly, the barrier ribs 150 may have an umbrella shape, an overhang, a mushroom shape, or an eave shape.

이어서, 애노드(121) 상에 유기 발광층(122)이 형성된다(S27). 이어서, 유기 발광층(122) 상에 배치되고, 보조 전극(130)과 전기적으로 연결되도록 캐소드(123)가 형성된다(S28).Then, an organic light emitting layer 122 is formed on the anode 121 (S27). Next, a cathode 123 is formed on the organic light emitting layer 122 and electrically connected to the auxiliary electrode 130 (S28).

도 3g를 참조하면, 유기 발광층(122)은 애노드(121) 상에 형성된다. 또한, 유기 발광층(122)은 뱅크층(140) 일부 상에도 배치될 수 있으며, 격벽(150)의 상부에도 유기 발광층(122)을 구성하는 물질이 배치될 수도 있다. 다만, 유기 발광층(122)은 스텝 커버리지가 우수하지 않은 물질로 이루어져 보조 전극(130) 상에는 거의 배치되지 않는다.Referring to FIG. 3G, the organic light emitting layer 122 is formed on the anode 121. FIG. The organic luminescent layer 122 may be disposed on a part of the bank layer 140 and the organic luminescent layer 122 may be disposed on the barrier rib 150. However, the organic light emitting layer 122 is made of a material having poor step coverage and is not disposed on the auxiliary electrode 130.

캐소드(123)는 유기 발광층(122) 상에 배치되고, 뱅크층(140)과 보조 전극(130) 상에도 배치된다. 또한, 격벽(150)의 상부에도 캐소드(123)를 구성하는 물질이 배치될 수 있다. 여기서, 캐소드(123)는 스텝 커버리지가 우수한 물질로 이루어지므로, 캐소드(123)는 뱅크층(140) 및 격벽(150)의 형상을 따라 형성되고, 보조 전극(130) 상에도 배치된다. 이에 따라, 캐소드(123)는 격벽(150)의 기둥부(151) 주변의 보조 전극(130) 상부까지 형성되어, 보조 전극(130) 상에서 캐소드(123)와 보조 전극(130)이 접촉하는 면적은 넓어진다. 이에 따라, 캐소드(123)는 보조 전극(130)과 전기적으로 연결되고 보조 전극(130)에 의해 전압 공급 패드부와 캐소드(123) 사이의 저항이 감소된다. The cathode 123 is disposed on the organic light emitting layer 122 and also on the bank layer 140 and the auxiliary electrode 130. Also, the material constituting the cathode 123 may be disposed on the upper portion of the barrier rib 150. The cathode 123 is formed along the shape of the bank layer 140 and the barrier ribs 150 and is also disposed on the auxiliary electrode 130 because the cathode 123 is made of a material having excellent step coverage. The cathode 123 is formed up to the upper portion of the auxiliary electrode 130 around the columnar portion 151 of the barrier 150 so that the area of the auxiliary electrode 130 where the cathode 123 contacts the auxiliary electrode 130 . The cathode 123 is electrically connected to the auxiliary electrode 130 and the resistance between the voltage supply pad portion and the cathode 123 is reduced by the auxiliary electrode 130. [

본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치 제조 방법에서는 현상된 네거티브 포토레지스트(355)를 임계 온도 이상의 온도에서 경화하여 다양한 형상의 격벽(150)이 형성된다. 구체적으로, 네거티브 포토레지스트(350)의 임계 온도 이상의 온도인 100℃ 내지 150℃의 온도로 현상된 네거티브 포토레지스트(355)를 5분 이상 경화하면, 초기 현상된 네거티브 포토레지스트(355)의 형상이 변형되면서 격벽(150)이 형성된다. 이에 따라, 격벽(150)은 우산 형상, 오버행(overhang), 버섯 또는 처마 형상 등 다양한 형상으로 형성될 수 있고, 다양한 형상의 격벽(150)은 보조 전극(130)의 상부로 스텝 커버리지가 우수하지 않은 유기 발광층(122)을 구성하는 물질이 입사되는 것을 효율적으로 방지할 수 있다.In the method of fabricating an OLED display device according to an embodiment of the present invention, the negative photoresist 355 is cured at a temperature equal to or higher than the critical temperature to form barrier ribs 150 having various shapes. Specifically, if the developed negative photoresist 355 is cured for 5 minutes or more at a temperature of 100 占 폚 to 150 占 폚, which is the critical temperature of the negative photoresist 350, the shape of the initially developed negative photoresist 355 The barrier ribs 150 are formed. Accordingly, the barrier ribs 150 may be formed in various shapes such as an umbrella shape, an overhang, a mushroom shape, or an eave shape, and the barrier ribs 150 of various shapes may be formed on the auxiliary electrode 130, It is possible to effectively prevent the material constituting the organic light emitting layer 122 from being incident.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다. 도 4의 유기 발광 표시 장치(400)는 도 1의 유기 발광 표시 장치(100)와 비교하여 격벽(450)의 형상 및 구성만 변경되었을 뿐, 다른 구성은 실질적으로 동일하므로, 중복 설명은 생략한다.4 is a schematic cross-sectional view illustrating an OLED display according to another embodiment of the present invention. The OLED display 400 of FIG. 4 is different from the OLED display 100 of FIG. 1 only in the shape and configuration of the barrier 450, and the other structures are substantially the same, .

도 4를 참조하면, 격벽(450)은 두 개의 층을 포함하는 구조를 갖는다. 구체적으로, 격벽(450)은 기둥부(451) 및 지붕부(453)를 포함한다. 기둥부(451)는 보조 전극(130)의 상면과 접하고, 지붕부(453)는 기둥부(451) 상에 배치된다. 기둥부(451)와 지붕부(453)는 격벽(450)에서 물리적으로 분리된 부분일 수 있다. 이러한 경우, 기둥부(451)와 지붕부(453)는 상이한 물질로 이루어진 격벽(450)의 일 부분일 수 있다. 구체적으로, 기둥부(451)를 구성하는 물질은 비감광성 레지스트이고, 지붕부(453)를 구성하는 물질은 포지티브(positive) 포토레지스트일 수 있다. 즉, 기둥부(451)를 구성하는 물질과 지붕부(453)를 구성하는 물질은 광에 의해 변하는 특성이 서로 상이하다. 이러한 기둥부(451)와 지붕부(453)를 구성하는 물질의 차이점으로 인하여, 기둥부(451)와 지붕부(453)는 서로 다른 형상을 갖는다. 물질의 차이점에 의한 기둥부(451)와 지붕부(453)의 형성 과정에 대해서는 도 6a 내지 도 6e를 참조하여 후술한다.Referring to FIG. 4, the barrier rib 450 has a structure including two layers. Specifically, the partition wall 450 includes a column portion 451 and a roof portion 453. [ The column portion 451 is in contact with the upper surface of the auxiliary electrode 130 and the roof portion 453 is disposed on the column portion 451. The column portion 451 and the roof portion 453 may be a part physically separated from the partition 450. In this case, the column portion 451 and the roof portion 453 may be a part of the partition 450 made of a different material. Specifically, the material constituting the columnar section 451 is a non-photosensitive resist, and the material constituting the roof section 453 may be a positive photoresist. That is, the material constituting the columnar section 451 and the material constituting the roof section 453 are different from each other in light-induced characteristics. Due to the difference in the materials constituting the column portion 451 and the roof portion 453, the column portion 451 and the roof portion 453 have different shapes. The formation process of the column portion 451 and the roof portion 453 due to the difference of materials will be described later with reference to FIGS. 6A to 6E.

도 4를 참조하면, 기둥부(451) 단면의 형상은 사각형이다. 구체적으로, 기둥부(451) 단면의 형상은 직사각형일 수 있고, 정 테이퍼 형상일 수도 있다. 즉, 기둥부(451)의 상면과 지붕부(453)의 하면이 접하는 면의 면적은 기둥부(451)의 하면과 보조 전극(130)의 상면이 접하는 면의 면적보다 작거나 동일할 수 있다. 지붕부(453) 단면의 형상은 사각형이다. 구체적으로, 지붕부(453) 단면의 형상은 직사각형일 수 있고, 정 테이퍼 형상일 수도 있다. 4, the cross section of the columnar section 451 is rectangular in shape. Specifically, the shape of the cross section of the columnar section 451 may be a rectangle or a constant taper shape. That is, the area of the upper surface of the column portion 451 and the lower surface of the roof portion 453 may be smaller than or equal to the area of the lower surface of the column portion 451 and the upper surface of the auxiliary electrode 130 . The shape of the cross section of the roof portion 453 is rectangular. Specifically, the shape of the cross section of the roof portion 453 may be a rectangular shape or a constant taper shape.

도 4를 참조하면, 지붕부(453)의 하면은 기둥부(451)의 상면을 완전히 덮고, 지붕부(453)의 하면의 면적은 기둥부(451)의 상면의 면적보다 넓다. 즉, 지붕부(43)는 기둥부(451) 상부를 완전히 덮고, 기둥부(451)의 중심으로부터 보조 전극(130)의 상면에 평행한 방향으로 돌출된다. 여기서, 지붕부(430)의 높이(h)는 포지티브 포토레지스트를 배치하는 방법에 따라 변할 수 있고, 지붕부(430)의 기둥부(451)로부터 돌출된 길이(l)는 현상 시간에 따라 변할 수 있다. 공정에 따른 지붕부(430)의 높이(h)와 지붕부(430)의 기둥부(451)로부터 돌출된 길이(l)의 변화에 대해서는 도 6a 내지 도 6e를 참조하여 후술한다.4, the lower surface of the roof portion 453 completely covers the upper surface of the column portion 451, and the area of the lower surface of the roof portion 453 is wider than that of the upper surface of the column portion 451. [ That is, the roof portion 43 completely covers the upper portion of the column portion 451 and protrudes in the direction parallel to the upper surface of the auxiliary electrode 130 from the center of the column portion 451. The height h of the roof portion 430 may vary depending on the method of disposing the positive photoresist and the length 1 protruding from the column portion 451 of the roof portion 430 may vary depending on the development time . The change of the height h of the roof part 430 and the length l protruding from the column part 451 of the roof part 430 according to the process will be described later with reference to Figs. 6A to 6E.

기둥부(451)와 지붕부(453)를 포함하는 격벽(450)의 형상에 따라, 유기 발광층(122)을 구성하는 물질이 보조 전극(130)의 상부로 입사되는 확률은 크게 줄어든다.The probability of the material forming the organic light emitting layer 122 being incident on the upper portion of the auxiliary electrode 130 is greatly reduced according to the shape of the partition 450 including the columnar portion 451 and the roof portion 453. [

본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(400)에서는 서로 다른 물질로 이루어진 기둥부(451)와 지붕부(453)를 포함하는 격벽(450)에 의해 보조 전극(130) 상에 유기 발광층(122)이 형성되기 어렵고, 캐소드(123)와 보조 전극(130)이 접촉하는 면의 면적이 증가한다. 구체적으로, 기둥부(451)와 지붕부(453)를 구성하는 물질이 상이함에 따라, 기둥부(451)를 구성하는 물질이 현상액과 반응하는 속도와 지붕부(453)를 구성하는 물질이 현상액과 반응하는 속도도 상이할 수 있다. 이에 따라, 현상 속도가 빠른 비감광성 레지스트를 기둥부(451)를 구성하는 물질로 하고, 현상 속도가 느린 포지티브 포토레지스트를 지붕부(453)를 구성하는 물질로 하여, 지붕부(453)가 기둥부(451)를 완전히 덮고 보조 전극(130) 상부의 일부를 덮을 수 있다. 또한, 지붕부(453)의 양 측부가 기둥부(451)로부터 뱅크층(140)을 향하여 돌출되고, 돌출된 지붕부(453)에 의해 격벽(150)의 지붕부(453)와 뱅크층(140)의 경사면 사이의 공간이 좁아진다. 이에 따라, 격벽(450)의 지붕부(453)와 뱅크층(140)의 경사면 사이의 공간으로 유기 발광층(122)을 구성하는 물질이 입사되기 어려워지고, 보조 전극(130) 상에 유기 발광층(122)이 배치되기 어려워진다. 이에 따라, 유기 발광층(122)을 구성하는 물질이 증착되는 입사각에 무관하게 캐소드(123)는 보조 전극(130)과 일정한 면적으로 접촉하여 유기 발광 표시 패널 전체에서 전압 공급 패드부와 캐소드(123)의 위치별 저항 편차도 저감될 수 있다.The OLED display 400 according to another exemplary embodiment of the present invention may include a columnar portion 451 made of a different material and a partition wall 450 including a roof portion 453, The area of the surface where the cathode 123 and the auxiliary electrode 130 are in contact increases. Specifically, the material constituting the columnar section 451 and the roof section 453 are different, so that the speed at which the material constituting the column section 451 reacts with the developing liquid and the material constituting the roof section 453, And the rate at which they react with each other. The positive photoresist with a low developing speed is used as the material constituting the roof portion 453 and the roof portion 453 is made of the material constituting the column portion 451. In this case, It is possible to completely cover the portion 451 and cover a part of the upper portion of the auxiliary electrode 130. Both side portions of the roof portion 453 protrude from the column portion 451 toward the bank layer 140 and the roof portion 453 of the partition wall 150 and the bank layer 140 is narrowed. This makes it difficult for the material constituting the organic light emitting layer 122 to enter into the space between the roof portion 453 of the bank 450 and the inclined surface of the bank layer 140. The organic light emitting layer 122 are difficult to be disposed. The cathode 123 contacts the auxiliary electrode 130 with a predetermined area irrespective of the incident angle at which the material constituting the organic light emitting layer 122 is deposited so that the voltage supply pad portion and the cathode 123 are electrically connected to the auxiliary electrode 130, The resistance variation in each position can be reduced.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다. 도 6a 내지 도 6e는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다. 도 6a 내지 도 6e는 도 4에 도시된 유기 발광 표시 장치(400)의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도들로서, 도 4를 참조하여 설명된 구성요소에 대한 중복 설명을 생략한다.FIG. 5 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 6A to 6E are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display according to another embodiment of the present invention. 6A to 6E are process cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the organic light emitting diode display 400 shown in FIG. 4, and overlapping descriptions of the components described with reference to FIG. 4 are omitted.

먼저, 애노드(121)와 보조 전극(130)이 오버 코팅층(110) 상에 형성된다(S51). 이어서, 뱅크층(140)이 보조 전극(130)의 일 측부 및 애노드(121)의 일 측부를 덮도록 형성된다(S52).First, the anode 121 and the auxiliary electrode 130 are formed on the overcoat layer 110 (S51). Subsequently, the bank layer 140 is formed to cover one side of the auxiliary electrode 130 and one side of the anode 121 (S52).

공정(S51 및 S52)은 도 1에 도시된 유기 발광 표시 장치(100)의 제조 방법의 공정 중 도 3a 및 도 3b에 대응하는 공정과 동일하여 공정 단면도가 생략되었으므로, 도 3a 및 도 3b에 대응하는 공정 단면도에 대한 설명으로 대체한다.The steps S51 and S52 are the same as the steps corresponding to FIGS. 3A and 3B in the manufacturing method of the organic light emitting diode display 100 shown in FIG. 1, Which will be described later.

이어서, 비감광성 레지스트(651)가 애노드(121), 보조 전극(130) 및 뱅크층(140) 상에 배치된다(S53).Next, a non-photosensitive resist 651 is disposed on the anode 121, the auxiliary electrode 130, and the bank layer 140 (S53).

도 6a를 참조하면, 비감광성 레지스트(651)는 애노드(121), 보조 전극(130) 및 뱅크층(140)를 모두 덮도록 유기 발광 표시 패널 전면에 배치된다. 비감광성 레지스트(651)는 스핀 코팅에 의해 배치될 수 있다. 예를 들어, 비감광성 레지스트(651)는 250rpm(revolution per minute)의 속도로 스핀 코팅에 의해 도포될 수 있다.Referring to FIG. 6A, the non-photosensitive resist 651 is disposed on the entire surface of the organic light emitting display panel so as to cover both the anode 121, the auxiliary electrode 130, and the bank layer 140. The non-photosensitive resist 651 may be disposed by spin coating. For example, the non-photosensitive resist 651 may be applied by spin coating at a revolution rate of 250 rpm.

이어서, 포지티브 포토레지스트(653)가 비감광성 레지스트(651) 상에 배치된다(S54).Subsequently, a positive photoresist 653 is disposed on the non-photosensitive resist 651 (S54).

도 6b를 참조하면, 포지티브 포토레지스트(653)는 비감광성 레지스트(651)보다 얇은 두께로 배치된다. 포지티브 포토레지스트(653)도 스핀 코팅에 의해 배치될 수 있다. 예를 들어, 포지티브 포토레지스트(653)는 300 내지 350rpm의 속도로 스핀 코팅에 의해 도포될 수 있다. 이에 따라, 포지티브 포토레지스트(653)는 비감광성 레지스트(651)보다 높은 스핀 코팅 속도로 도포되므로, 비감광성 레지스트(651) 상에서 비감광성 레지스트(651)보다 얇게 배치될 수 있다. Referring to FIG. 6B, the positive photoresist 653 is arranged to be thinner than the non-photosensitive resist 651. The positive photoresist 653 may also be disposed by spin coating. For example, the positive photoresist 653 may be applied by spin coating at a speed of 300-350 rpm. Accordingly, since the positive photoresist 653 is applied at a higher spinning rate than the non-photosensitive resist 651, it can be disposed thinner than the non-photosensitive resist 651 on the non-photosensitive resist 651. [

이어서, 포지티브 포토레지스트(653)는 포지티브 포토레지스트(653) 상에서 마스크(660)를 사용하여 노광된다(S55).Subsequently, the positive photoresist 653 is exposed using the mask 660 on the positive photoresist 653 (S55).

도 6c를 참조하면, 마스크(660)는 차광부(665)를 포함한다. 이에, 마스크(660)의 차광부(665)가 보조 전극(130) 상부에 대응되도록 포지티브 포토레지스트(653) 상에 마스크(660)가 배치된다. 여기서, 차광부(665)가 보조 전극(130) 상부에만 대응되도록 마스크(660)가 배치될 수 있다. 즉, 차광부(665) 하부 영역은 보조 전극(130) 상부 영역 내에만 중첩되고 뱅크층(140) 상부 영역과는 중첩되지 않도록 마스크(660)가 배치될 수 있다.Referring to FIG. 6C, the mask 660 includes a light shielding portion 665. The mask 660 is disposed on the positive photoresist 653 such that the light shielding portion 665 of the mask 660 corresponds to the upper portion of the auxiliary electrode 130. [ Here, the mask 660 may be disposed so that the light-shielding portion 665 corresponds to only the upper portion of the auxiliary electrode 130. [ That is, the mask 660 may be disposed so that the lower region of the light-shielding portion 665 is overlapped only within the upper region of the auxiliary electrode 130 and is not overlapped with the upper region of the bank layer 140.

이어서, 마스크(660) 상에서 마스크(660)의 차광부(665)를 제외한 나머자 영역을 통해 자외선(UV)이 조사된다. 즉, 마스크(660)의 개구부를 통해 포지티브 포토레지스트(653) 상으로 자외선(UV)이 조사되고, 이에 따라, 자외선(UV)은 차광부(665)에 대응되는 포지티브 포토레지스트(653)에는 자외선(UV)이 조사되지 않는다. 마스크(660)의 개구부를 통과한 자외선(UV)은 포지티브 포토레지스트(653) 및 비감광성 레지스트(651)에 조사된다. 포지티브 포토레지스트(653) 및 비감광성 레지스트(651)는 자외선(UV)에 의해 특성이 변하여 현상액과 반응할 수 있다.Subsequently, ultraviolet light (UV) is irradiated onto the mask 660 through a region other than the shielding portion 665 of the mask 660. [ That is, the ultraviolet light (UV) is irradiated onto the positive photoresist 653 through the opening of the mask 660, whereby the positive photoresist 653 corresponding to the light shielding portion 665 is irradiated with ultraviolet (UV) is not irradiated. The ultraviolet light (UV) passed through the opening of the mask 660 is irradiated to the positive photoresist 653 and the non-photosensitive resist 651. The positive photoresist 653 and the non-photosensitive resist 651 may be changed in properties by ultraviolet (UV) and react with the developer.

이어서, 포지티브 포토레지스트(653) 및 비감광성 레지스트(651)가 현상된다(S56).Then, the positive photoresist 653 and the non-photosensitive resist 651 are developed (S56).

도 6d를 참조하면, 자외선(UV)이 조사되지 않은 영역의 포지티브 포토레지스트(653)는 현상액에 의해 제거되지 않고, 자외선(UV)이 조사된 영역의 포지티브 포토레지스트(653)는 현상액에 의해 제거된다. 비감광성 레지스트(651)는 현상액에 의해 용이하게 제거될 수 있다. 이에 따라, 포지티브 포토레지스트(653)가 현상되고 남은 부분이 격벽(450)의 지붕부(453)가 되고, 비감광성 레지스트(651)가 현상되고 남은 부분이 격벽(450)의 기둥부(451)가 된다. 6D, the positive photoresist 653 in the region not irradiated with ultraviolet light (UV) is not removed by the developer, and the positive photoresist 653 in the region irradiated with ultraviolet light (UV) is removed by the developer do. The non-photosensitive resist 651 can be easily removed by the developing solution. The portion of the positive photoresist 653 that is developed and remains becomes the roof portion 453 of the partition wall 450 and the remaining portion of the non-photosensitive resist 651 is developed and the column portion 451 of the partition wall 450, .

여기서, 비감광성 레지스트(651)의 현상액에 의해 현상되는 속도(rate)(이하, 현상 속도)는 자외선(UV)이 조사된 영역의 포지티브 포토레지스트(653)의 현상 속도보다 빠르다. 또한, 비감광성 레지스트(651)는 현상액에 의해 용이하게 제거될 수 있으므로, 비감광성 레지스트(651)는 포지티브 포토레지스트(653)가 제거된 영역에서 현상액에 의해 빠르게 제거된다. 반면, 포지티브 포토레지스트(653)가 제거되지 않은 영역에서는 현상액이 포지티브 포토레지스트(653)의 하부의 비감광성 레지스트(651)와 접촉하는데 시간이 걸리므로, 포지티브 포토레지스트(653) 하부에 비감광성 레지스트(651)가 잔존한다. 이에 따라, 비감광성 레지스트(651)가 제거되는 속도가 포지티브 포토레지스트(653)가 제거되는 속도보다 빠르므로, 현상 시간이 길어질수록 포지티브 포토레지스트(653) 하부에서 비감광성 레지스트(651)는 점점 감소된다. 즉, 현상 시간이 길어질수록 격벽(450)의 기둥부(451)는 얇아지고 지붕부(430)의 기둥부(451)로부터 돌출된 길이(l)는 길어진다.Here, the rate at which the non-photosensitive resist 651 is developed by the developing solution (hereinafter, developing rate) is faster than the developing rate of the positive photoresist 653 in the region irradiated with the ultraviolet ray (UV). Further, since the non-photosensitive resist 651 can be easily removed by the developing solution, the non-photosensitive resist 651 is quickly removed by the developer in the region where the positive photoresist 653 is removed. On the other hand, in the region where the positive photoresist 653 is not removed, it takes time for the developer to contact the non-photosensitive resist 651 under the positive photoresist 653, (651) remains. Thus, the longer the development time is, the less the non-photosensitive resist 651 is under the positive photoresist 653 because the rate at which the non-photosensitive resist 651 is removed is faster than the rate at which the positive photoresist 653 is removed. do. That is, as the developing time becomes longer, the column portion 451 of the partition wall 450 becomes thinner and the length 1 protruding from the column portion 451 of the roof portion 430 becomes longer.

이어서, 애노드(121) 상에 유기 발광층(122)이 형성된다(S56). 이어서, 유기 발광층(122) 상에 배치되고, 보조 전극(130)과 전기적으로 연결되도록 캐소드(123)가 형성된다(S57).Then, an organic light emitting layer 122 is formed on the anode 121 (S56). Next, a cathode 123 is formed on the organic light emitting layer 122 to be electrically connected to the auxiliary electrode 130 (S57).

도 6e를 참조하면, 유기 발광층(122)은 애노드(121) 상에 형성된다. 또한, 유기 발광층(122)은 뱅크층(140) 일부 상에도 배치될 수 있으며, 격벽(450)의 상부에도 유기 발광층(122)을 구성하는 물질이 배치될 수도 있다. 다만, 유기 발광층(122)은 스텝 커버리지가 우수하지 않은 물질로 이루어져 보조 전극(130) 상에는 거의 배치되지 않는다. 캐소드(123)는 유기 발광층(122) 상에 배치되고, 뱅크층(140) 상부와 보조 전극(130) 상에도 배치된다. 또한, 캐소드(123)는 스텝 커버리지가 우수한 물질로 이루어지므로, 격벽(450)의 상부 및 측부에도 캐소드(123)를 구성하는 물질이 배치될 수 있다. 이에 따라, 캐소드(123)는 격벽(150)의 형상을 따라 형성되면서 보조 전극(130) 상부에도 형성되므로, 보조 전극(130) 상에서 캐소드(123)와 보조 전극(130)이 접촉하는 면적은 넓어진다. 이에 따라, 캐소드(123)는 보조 전극(130)과 전기적으로 연결되고 보조 전극(130)에 의해 전압 공급 패드부와 캐소드(123) 사이의 저항이 감소된다.Referring to FIG. 6E, the organic light emitting layer 122 is formed on the anode 121. FIG. The organic light emitting layer 122 may be disposed on a part of the bank layer 140 and the organic light emitting layer 122 may be disposed on the partition wall 450. However, the organic light emitting layer 122 is made of a material having poor step coverage and is not disposed on the auxiliary electrode 130. The cathode 123 is disposed on the organic light emitting layer 122 and is also disposed on the bank layer 140 and the auxiliary electrode 130. In addition, since the cathode 123 is made of a material having excellent step coverage, the material constituting the cathode 123 may be disposed on the upper and side portions of the barrier ribs 450. Accordingly, since the cathode 123 is formed along the shape of the barrier rib 150 and also on the auxiliary electrode 130, the area in which the cathode 123 and the auxiliary electrode 130 are in contact with each other on the auxiliary electrode 130 is widened All. The cathode 123 is electrically connected to the auxiliary electrode 130 and the resistance between the voltage supply pad portion and the cathode 123 is reduced by the auxiliary electrode 130. [

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치 제조 방법에서는 현상 속도가 서로 다른 물질인 포지티브 포토레지스트(653)와 비감광성 레지스트(651)에 의해 지붕부(453)가 기둥부(451)를 완전히 덮고 지붕부(453) 하면의 면적이 기둥부(451) 상면의 면적보다 큰 격벽(450)이 형성된다. 구체적으로, 격벽(450)의 상부를 형성하는 포지티브 포토레지스트(653)의 현상 속도는 느리고 격벽(450)의 하부를 형성하는 비감광성 레지스트(651)의 현상 속도는 빠르다. 이에 따라, 격벽(450)의 상층부가 격벽(450) 하층부보다 더 넓게 형성되어 지붕부(453)와 기둥부(451)를 형성한다. 이러한 격벽(450)의 이층 구조 형상은 지붕부(453)와 뱅크층(140) 사이의 공간을 감소시켜, 보조 전극(130)의 상부로 스텝 커버리지가 우수하지 않은 유기 발광층(122)을 구성하는 물질이 입사되는 것을 효율적으로 방지할 수 있다. 이에 따라, 캐소드(123)가 보조 전극(130)과 접촉하는 면적이 증가하여, 유기 발광 표시 패널의 위치에 무관하게 캐소드(123)와 보조 전극(130)이 접촉하는 면적이 일정하게 확보될 수 있고, 캐소드(123)의 저항 편차도 감소하여, 유기 발광 표시 장치가 균일한 휘도를 확보할 수 있다.In the method of manufacturing an organic light emitting diode display according to another embodiment of the present invention, the roof portion 453 is formed by the positive photoresist 653 and the non-photosensitive resist 651, The partition 450 having the lower surface of the roof portion 453 and having an area larger than that of the upper surface of the column portion 451 is formed. Specifically, the developing speed of the positive photoresist 653 forming the upper portion of the barrier rib 450 is slow and the developing speed of the non-photosensitive resist 651 forming the lower portion of the barrier rib 450 is fast. Accordingly, the upper portion of the partition 450 is formed wider than the lower portion of the partition 450 to form the roof portion 453 and the column portion 451. The two-layer structure of the barrier ribs 450 reduces the space between the roof portions 453 and the bank layer 140 to form the organic light-emitting layer 122 having a poor step coverage over the auxiliary electrode 130 It is possible to effectively prevent the material from being incident. This increases the contact area of the cathode 123 with the auxiliary electrode 130 so that the contact area between the cathode 123 and the auxiliary electrode 130 can be constantly maintained regardless of the position of the organic light emitting display panel. And the resistance variation of the cathode 123 is also reduced, so that the organic light emitting display device can secure a uniform luminance.

도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다. 도 7의 유기 발광 표시 장치(700)는 도 1의 유기 발광 표시 장치(100)와 비교하여 캐소드(123)의 물질이 변경되고, 연결 전극(724)의 구성만 추가되었을 뿐, 다른 구성은 실질적으로 동일하므로, 중복 설명은 생략한다.7 is a schematic cross-sectional view illustrating an organic light emitting diode display according to another embodiment of the present invention. The organic light emitting display 700 of FIG. 7 is different from the organic light emitting display 100 of FIG. 1 in that the material of the cathode 123 is changed and only the configuration of the connecting electrode 724 is added. , So redundant explanations are omitted.

도 7을 참조하면, 캐소드(123)는 유기 발광층(122)에 전자(electron)을 공급하기 위해 일함수가 낮은 도전성 물질로 이루어진다. 여기서, 캐소드(123)는 투과도가 낮은 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 캐소드(123)는 은(Ag), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 또는 은(Ag)과 마그네슘(Mg)의 합금으로 형성될 수도 있고, 카본 나노 튜브(CNT) 및/또는 그래핀 기반 조성 물질로 형성될 수도 있으나, 이에 제한되지 않는다. Referring to FIG. 7, the cathode 123 is made of a conductive material having a low work function to supply electrons to the organic light emitting layer 122. Here, the cathode 123 may be formed of a material having low transmittance. For example, the cathode 123 may be formed of an alloy of Ag, Ti, Al, Mo, or Ag and Mg, (CNT) and / or a graphene based composition material.

캐소드(123)가 투과도가 낮고 스텝 커버리지가 우수하지 않은 물질로 이루어짐에 따라, 캐소드(123)를 보조 전극(130)에 전기적으로 연결될 수 있도록 연결 전극(724)이 배치된다. 연결 전극(724)은 유기 발광 소자(120)로부터 광을 통과시킬 수 있도록 광 투과율이 높은 도전성 물질로 이루어진다. 이에 따라, 연결 전극(724)은 인듐 아연 산화물(IZO), 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 주석 아연 산화물(ITZO), 아연 산화물(Zinc Oxide), 주석 산화물(Tin Oxide), 및 이들의 조합을 포함하는 투명 도전성 산화 금속 물질로 형성될 수도 있으나, 이에 제한되지 않는다.The connection electrode 724 is disposed so that the cathode 123 can be electrically connected to the auxiliary electrode 130 as the cathode 123 is made of a material having low transmittance and inadequate step coverage. The connection electrode 724 is made of a conductive material having a high light transmittance so as to allow light to pass through the organic light emitting diode 120. Accordingly, the connecting electrode 724 may be formed of a material selected from the group consisting of indium zinc oxide (IZO), indium tin oxide (ITO), indium tin zinc oxide (ITZO), zinc oxide, tin oxide, But it is not limited thereto.

본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(700)에서는 캐소드(123)가 투과도가 낮은 금속 물질들로 구성되고, 보조 전극(130)과 캐소드(123)를 전기적으로 연결시키기 위해 연결 전극(724)이 캐소드(123) 상에 배치된다. 구체적으로, 투과도가 낮은 금속 물질들로 이루어진 캐소드(123)는 스텝 커버리지가 낮지만 애노드(121) 및 유기 발광층(122)과 함께 마이크로 캐비티(micro-cavity)를 형성하여 발광 효율을 증가시킬 수 있다. 이에 따라, 마이크로 캐비티에 의해 발광 효율을 증가시키면서 캐소드(123)의 저항을 감소시키기 위해 연결 전극(724)이 더 배치될 수 있다. 연결 전극(724)은 광 투과율이 높은 도전성 물질이고 스텝 커버리지가 우수하여, 캐소드(123)가 보조 전극(130)에 전기적으로 연결될 수 있도록 보조 전극(130) 상에 배치된다. 이에 따라, 캐소드(123)에 의한 마이크로 캐비티를 유지하면서 연결 전극(724)에 의해 격벽(150) 하부의 보조 전극(130)에 전기적으로 용이하게 연결될 수 있으므로, 격벽(150)의 형상을 통해 유기 발광 표시 패널의 위치에 무관하게 캐소드(123)의 저항 편차가 감소되고 휘도의 균일도도 확보될 수 있다.The cathode 123 may be made of a metal material having low transmittance and may be electrically connected to the connection electrode (not shown) in order to electrically connect the auxiliary electrode 130 and the cathode 123. In the OLED display 700 according to another exemplary embodiment of the present invention, 724 are disposed on the cathode 123. Specifically, the cathode 123 made of metal materials having low transmittance may have a low step coverage, but may form a micro-cavity together with the anode 121 and the organic light-emitting layer 122 to increase the luminous efficiency . Accordingly, the connection electrode 724 can be further disposed to reduce the resistance of the cathode 123 while increasing the luminous efficiency by the micro-cavity. The connection electrode 724 is disposed on the auxiliary electrode 130 such that the cathode 123 is electrically connected to the auxiliary electrode 130. The connecting electrode 724 is a conductive material having high light transmittance and is excellent in step coverage. The auxiliary electrode 130 can be easily and electrically connected to the auxiliary electrode 130 under the barrier 150 by the connection electrode 724 while maintaining the micro cavity by the cathode 123. Therefore, The resistance variation of the cathode 123 can be reduced irrespective of the position of the light emitting display panel and brightness uniformity can be secured.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail with reference to the accompanying drawings, it is to be understood that the present invention is not limited to those embodiments and various changes and modifications may be made without departing from the scope of the present invention. . Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

100, 400, 700: 유기 발광 표시 장치
110: 오버 코팅층
120: 유기 발광 소자
121: 애노드
122: 유기 발광층
123: 캐소드
130: 보조 전극
140: 뱅크층
150, 450: 격벽
151, 451: 기둥부
153, 453: 지붕부
159: 함몰부
350: 네거티브 포토레지스트
355: 현상된 네거티브 포토레지스트
360, 660: 마스크
365: 개구부
651: 비감광성 레지스트
653: 포지티브 포토레지스트
665: 차광부
724: 연결 전극
100, 400, 700: organic light emitting display
110: overcoat layer
120: Organic light emitting device
121: anode
122: organic light emitting layer
123: cathode
130: auxiliary electrode
140: bank layer
150, 450:
151, 451:
153, 453: roof part
159: Depression
350: Negative photoresist
355: Developed Negative Photoresist
360, 660: mask
365: opening
651: Non-photosensitive resist
653: positive photoresist
665: Light shield
724: connecting electrode

Claims (18)

오버 코팅층;
상기 오버 코팅층 상에 배치된 애노드;
상기 오버 코팅층 상에서 상기 애노드와 이격되어 배치된 보조 전극;
상기 보조 전극의 일 측부 및 상기 애노드의 일 측부를 덮도록 배치된 뱅크층;
상기 보조 전극 상에 배치되고, 기둥부 및 지붕부를 포함하는 격벽;
적어도 상기 애노드 상에 배치된 유기 발광층; 및
적어도 상기 유기 발광층 상에 형성되고, 상기 보조 전극과 전기적으로 연결된 캐소드를 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
An overcoat layer;
An anode disposed on the overcoat layer;
An auxiliary electrode disposed on the overcoat layer and spaced apart from the anode;
A bank layer disposed to cover one side of the auxiliary electrode and one side of the anode;
A barrier disposed on the auxiliary electrode, the barrier including a column and a roof;
An organic light emitting layer disposed on at least the anode; And
And at least a cathode formed on the organic light emitting layer and electrically connected to the auxiliary electrode.
제1항에 있어서,
상기 기둥부 및 상기 지붕부는 일체형인 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the column portion and the roof portion are integrally formed.
제2항에 있어서,
상기 격벽은 상기 격벽의 하부에 함몰부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the barrier ribs are formed with depressions at a lower portion of the barrier ribs.
제2항에 있어서,
상기 기둥부의 단면은 사각형 또는 역 테이퍼(taper) 형상인 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the columnar section has a rectangular or inverted tapered cross section.
제2항에 있어서,
상기 기둥부 및 상기 지붕부가 동일한 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the column portion and the roof portion are made of the same material.
제5항에 있어서,
상기 기둥부 및 상기 지붕부는 네거티브(negative) 포토레지스트(photoresist)로 이루어진 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
6. The method of claim 5,
Wherein the column portion and the roof portion are made of a negative photoresist.
제1항에 있어서,
상기 기둥부 및 지붕부는 물리적으로 분리된 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the column portion and the roof portion are physically separated from each other.
제7항에 있어서,
상기 지붕부의 단면은 사각형 또는 정 테이퍼 형상인 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
8. The method of claim 7,
Wherein the roof portion has a rectangular or regular tapered cross section.
제7항에 있어서,
상기 지붕부의 하면은 상기 기둥부의 상면을 완전히 덮고,
상기 지붕부의 하면의 면적은 상기 기둥부의 상면의 면적보다 넓은 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
8. The method of claim 7,
The lower surface of the roof portion completely covers the upper surface of the column portion,
Wherein an area of a bottom surface of the roof portion is larger than an area of an upper surface of the column portion.
제7항에 있어서,
상기 기둥부의 상면과 상기 지붕부의 하면이 접하는 면의 면적은 상기 기둥부의 하면과 상기 보조 전극의 상면이 접하는 면의 면적보다 작거나 동일한 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
8. The method of claim 7,
Wherein an area of a surface of the column portion that is in contact with a lower surface of the roof portion is smaller than or equal to an area of a surface of the column portion that is in contact with an upper surface of the auxiliary electrode.
제7항에 있어서,
상기 기둥부 및 상기 지붕부가 상이한 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
8. The method of claim 7,
Wherein the column portion and the roof portion are made of different materials.
제11항에 있어서,
상기 기둥부는 비감광성 레지스트로 이루어지고,
상기 지붕부는 포지티브(positive) 포토레지스트로 이루어진 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
12. The method of claim 11,
Wherein the column portion is made of a non-photosensitive resist,
Wherein the roof portion is made of a positive photoresist.
오버 코팅층 상에 애노드 및 상기 애노드와 이격된 보조 전극을 형성하는 단계;
상기 보조 전극의 일 측부 및 상기 애노드의 일 측부를 덮도록 뱅크층을 형성하는 단계;
상기 애노드, 상기 보조 전극 및 상기 뱅크층 상에 네거티브 포토레지스트를 배치하는 단계;
상기 네거티브 포토레지스트 상에서 마스크를 사용하여 노광하는 단계;
상기 네거티브 포토레지스트를 현상하는 단계;
상기 네거티브 포토레지스트의 임계 온도 이상의 온도에서 상기 네거티브 포토레지스트를 경화(curing)하여 격벽을 형성하는 단계;
적어도 상기 애노드 상에 유기 발광층을 형성하는 단계; 및
적어도 상기 유기 발광층 상에 배치되고, 상기 보조 전극과 전기적으로 연결되도록 캐소드를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
Forming an anode on the overcoat layer and an auxiliary electrode spaced apart from the anode;
Forming a bank layer to cover one side of the auxiliary electrode and one side of the anode;
Disposing a negative photoresist on the anode, the auxiliary electrode, and the bank layer;
Exposing the negative photoresist using a mask;
Developing the negative photoresist;
Curing the negative photoresist at a temperature equal to or higher than a critical temperature of the negative photoresist to form a partition;
Forming an organic light emitting layer on at least the anode; And
And forming a cathode that is disposed on at least the organic light emitting layer and is electrically connected to the auxiliary electrode.
제13항에 있어서,
상기 마스크는 상기 보조 전극의 상부의 적어도 일부에 대응하는 개구부를 포함하고,
상기 노광하는 단계는,
상기 네거티브 포토레지스트 상에 상기 마스크를 배치하는 단계; 및
상기 마스크 상에서 상기 마스크의 상기 개구부를 통해 자외선을 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
14. The method of claim 13,
Wherein the mask includes an opening corresponding to at least a portion of an upper portion of the auxiliary electrode,
Wherein the step of exposing comprises:
Disposing the mask on the negative photoresist; And
And irradiating ultraviolet light onto the mask through the opening of the mask.
제13항에 있어서,
상기 격벽을 형성하는 단계는 상기 네거티브 포토레지스트를 100℃ 내지 150℃의 온도로 5분 이상 경화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
14. The method of claim 13,
Wherein the step of forming the barrier includes curing the negative photoresist at a temperature of 100 DEG C to 150 DEG C for 5 minutes or more.
오버 코팅층 상에 애노드 및 상기 애노드와 이격된 보조 전극을 형성하는 단계;
상기 보조 전극의 일 측부 및 상기 애노드의 일 측부를 덮도록 뱅크층을 형성하는 단계;
상기 애노드, 상기 보조 전극 및 상기 뱅크층 상에 비감광성 레지스트를 배치하는 단계;
상기 비감광성 레지스트 상에 포지티브 포토레지스트를 배치하는 단계;
상기 포지티브 포토레지스트 상에서 마스크를 사용하여 노광하는 단계;
상기 비감광성 레지스트 및 상기 포지티브 포토레지스트를 현상하는 단계;
적어도 상기 애노드 상에 유기 발광층을 형성하는 단계; 및
적어도 상기 유기 발광층 상에 형성되고, 상기 보조 전극과 전기적으로 연결되도록 캐소드를 형성하는 단계를 포함하고,
상기 포지티브 포토레지스트의 현상 속도(rate)와 상기 비감광성 레지스트의 현상 속도가 상이한 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
Forming an anode on the overcoat layer and an auxiliary electrode spaced apart from the anode;
Forming a bank layer to cover one side of the auxiliary electrode and one side of the anode;
Disposing a non-photosensitive resist on the anode, the auxiliary electrode, and the bank layer;
Disposing a positive photoresist on the non-photosensitive resist;
Exposing the positive photoresist using a mask;
Developing the non-photosensitive resist and the positive photoresist;
Forming an organic light emitting layer on at least the anode; And
Forming a cathode formed on at least the organic light emitting layer and electrically connected to the auxiliary electrode,
Wherein the developing rate of the positive photoresist is different from the developing rate of the non-photosensitive resist.
제16항에 있어서,
상기 비감광성 레지스트의 현상 속도가 상기 포지티브 포토레지스트의 현상 속도보다 빠른 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
17. The method of claim 16,
Wherein the developing speed of the non-photosensitive resist is faster than the developing speed of the positive photoresist.
제16항에 있어서,
상기 마스크는 상기 보조 전극의 상부의 적어도 일부를 덮는 차광부를 포함하고,
상기 노광하는 단계는,
상기 포지티브 포토레지스트 상에 상기 마스크를 배치하는 단계; 및
상기 마스크 상에서 상기 마스크를 통해 자외선을 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
17. The method of claim 16,
Wherein the mask includes a light shielding portion covering at least a part of an upper portion of the auxiliary electrode,
Wherein the step of exposing comprises:
Disposing the mask on the positive photoresist; And
And irradiating ultraviolet light onto the mask through the mask.
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