KR20160063145A - Microphone and manufacturing method the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 마이크로폰 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 마스크 수를 줄여, 제조공정 및 공정비용을 감소하는 마이크로폰 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
일반적으로 마이크로폰은 음성을 전기적인 신호로 변환하는 것으로, 최근 들어 점점 소형화되고 있으며, 이에 따라 MEMS(Micro Electro Mechanical System) 기술을 이용한 마이크로폰이 개발되고 있다. In general, a microphone converts voice into an electrical signal, which has been getting smaller and smaller in recent years. Accordingly, a microphone using a MEMS (Micro Electro Mechanical System) technology is being developed.
상기 MEMS 마이크로폰은 종래의 일렉트렛 콘덴서 마이크로폰(ECM : Electret Condenser Microphone)에 비해 습기와 열에 대한 내성이 강하고, 소형화 및 신호처리 회로와의 집적화가 가능한 장점이 있다. The MEMS microphone is more resistant to moisture and heat than conventional electret condenser microphones (ECMs), and can be miniaturized and integrated with a signal processing circuit.
이러한 MEMS 마이크로폰은 정전용량형 방식의 MEMS 마이크로폰과 압전형 방식의 MEMS 마이크로폰으로 구분된다. Such a MEMS microphone is divided into a capacitive MEMS microphone and a piezoelectric MEMS microphone.
먼저, 정전용량형 방식의 MEMS 마이크로폰은 고정막과 진동막으로 구성되며, 외부에서 음압이 진동막에 가해지면, 고정막과 진동막 사이의 간격이 변하면서 정전용량 값이 변하게 된다. First, a capacitive MEMS microphone is composed of a fixed membrane and a diaphragm. When a negative pressure is applied to the diaphragm from the outside, the capacitance between the fixed membrane and the diaphragm changes and the capacitance value changes.
이때 발생하는 전기적 신호로 음압을 측정하게 되는 것이다. The sound pressure is measured by an electrical signal generated at this time.
한편, 압전형 방식의 MEMS 마이크로폰은 진동막으로만 구성되어 있으며, 외부 음압에 의해 진동막이 변형될 때 압전(Piezoelectric)효과로 전기적 신호가 발생되어 음압을 측정하게 되는 것이다. On the other hand, a piezoelectric MEMS microphone is composed only of a diaphragm, and when the diaphragm is deformed by an external sound pressure, an electric signal is generated by a piezoelectric effect, and a sound pressure is measured.
현재 대부분의 MEMS 마이크로폰은 정전용량형 방식을 사용하는데, 상기 정전용량형 방식의 경우, 표면 미세가공(surface micromachining)과 몸체 미세가공(bulk micromachining)을 이용하여 고정막 및 진동막을 형성한다. Currently, most MEMS microphones use a capacitive type. In the capacitive type, a fixed film and a diaphragm are formed using surface micromachining and bulk micromachining.
그러나, 상기한 바와 같은 종래의 정전용량형 방식은 공정이 복잡하고, 그 공정수가 많아 MEMS 마이크로폰의 제조 시 어려움이 있다. However, the above-described conventional capacitance type method has a complicated process and a large number of processes, which makes it difficult to manufacture a MEMS microphone.
이 배경기술 부분에 기재된 사항은 발명의 배경에 대한 이해를 증진하기 위하여 작성된 것으로서, 이 기술이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 이미 알려진 종래 기술이 아닌 사항을 포함할 수 있다.The matters described in the background section are intended to enhance the understanding of the background of the invention and may include matters not previously known to those skilled in the art.
본 발명의 실시 예는 제조공정과 공정비용을 감소시키는 마이크로폰 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.Embodiments of the present invention provide a microphone and a method of manufacturing the same that reduce the manufacturing process and the processing cost.
본 발명의 하나 또는 다수의 실시 예에서는 기판의 상면 및 하면에 제1 산화막 및 제2 산화막을 각각 형성하는 단계; 상기 제1 산화막 위에 진동막, 및 제1 감광막 패턴을 형성하고, 상기 제1 감광막 패턴을 마스크로 해서 상기 진동막, 및 제1 산화막을 식각하여 적어도 하나의 슬롯을 형성하는 단계; 상기 제2 산화막에 제2 감광막 패턴을 형성한 후, 상기 제2 감광막 패턴을 마스크로 해서 상기 제2 산화막, 및 기판을 식각하여 상기 진동막의 일부를 노출하는 적어도 하나의 관통홀을 형성하는 단계; 및 상기 제2 감광막 패턴과 함께 제1 및 제2 산화막을 제거하여 상기 기판과 진동막 사이에 공기층을 형성하는 단계를 포함하는 마이크로폰 제조방법을 제공할 수 있다. Forming a first oxide layer and a second oxide layer on the upper and lower surfaces of the substrate, respectively, in one or more embodiments of the present invention; Forming a vibration film and a first photoresist pattern on the first oxide film and etching the vibrating film and the first oxide film using the first photoresist pattern as a mask to form at least one slot; Forming a second photoresist pattern on the second oxide film and etching the second oxide film and the substrate using the second photoresist pattern as a mask to form at least one through hole exposing a part of the vibration film; And removing the first and second oxide films together with the second photoresist pattern to form an air layer between the substrate and the diaphragm.
또한, 상기 슬롯을 형성하는 단계는 상기 제1 감광막 패턴을 제거한 후, 상기 기판에 연결되는 제1 패드 및 상기 진동막에 연결되는 제2 패드를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. The forming of the slots may further include forming a first pad connected to the substrate and a second pad connected to the vibrating film after removing the first photosensitive film pattern.
또한, 상기 제1 패드 및 제2 패드를 형성하는 단계는 상기 기판 및 진동막 위에 상기 기판의 일부 및 상기 진동막의 일부를 노출하는 감광막을 형성하는 단계; 상기 진동막 위, 기판의 일부분, 및 상기 진동막의 일부분에 금속층을 형성하는 단계; 및 상기 감광막, 및 상기 감광막 위에 형성된 상기 금속층을 제거하는 단계로 이루어질 수 있다. The forming of the first and second pads may include forming a photoresist layer on the substrate and the diaphragm to expose a portion of the substrate and a portion of the diaphragm; Forming a metal layer on the vibrating film, a portion of the substrate, and a portion of the vibrating film; And removing the metal layer formed on the photoresist layer and the photoresist layer.
또한, 상기 관통홀을 형성하는 단계에서는 상기 기판의 중앙부에 고정막을 형성할 수 있다. Further, in the step of forming the through-holes, a fixing film may be formed at a central portion of the substrate.
또한, 상기 관통홀을 형성하는 단계는 상기 제2 감광막 패턴을 마스크로 해서 기판의 배면을 식각하여 홈을 형성하는 단계; 및 상기 홈의 내측면에 제3 감광막 패턴을 형성한 후, 상기 제3 감광막 패턴을 마스크로 해서 상기 기판을 식각하여 관통홀을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. The forming of the through hole may include etching the back surface of the substrate using the second photoresist pattern as a mask to form a groove; Forming a third photoresist pattern on an inner surface of the groove, and etching the substrate using the third photoresist pattern as a mask to form a through hole.
또한, 상기 관통홀은 공기가 유입되는 통로를 포함할 수 있다. In addition, the through hole may include a passage through which air flows.
본 발명의 하나 또는 다수의 실시 예에서는 적어도 하나의 관통홀을 가진 고정막을 포함하는 기판; 및 상기 기판의 상부에 상기 고정막과 일정 유격을 두고 배치되며, 적어도 하나의 슬롯이 형성되는 진동막을 포함하는 마이크로폰을 제공할 수 있다. In one or more embodiments of the present invention, there is provided a substrate comprising a fixed film having at least one through hole; And a diaphragm disposed at an upper portion of the substrate and spaced apart from the fixed membrane with at least one slot formed therein.
또한, 상기 진동막과 고정막 사이의 공간이 공기층으로 이루어지는 것을 특징으로 할 수 있다. In addition, the space between the diaphragm and the fixed film may be an air layer.
또한, 상기 기판은 상기 진동막의 가장자리 부분을 지지하는 산화막에 의해 상기 공기층을 형성하는 것을 특징으로 할 수 있다. Further, the substrate may be characterized in that the air layer is formed by an oxide film that supports an edge portion of the diaphragm.
또한, 상기 기판은 상기 고정막의 관통홀과 연결되는 홈을 형성하는 것을 특징으로 할 수 있다. In addition, the substrate may be formed with a groove connected to the through hole of the fixed film.
또한, 상기 홈은 상부에서 하부로 갈수록 직경이 커지는 형상인 것을 특징으로 할 수 있다. Further, the groove may have a shape in which the diameter increases from the upper portion to the lower portion.
또한, 상기 홈은 상부와 하부의 직경이 동일한 형상인 것을 특징으로 할 수 있다. Further, the grooves may be characterized in that the diameters of the upper portion and the lower portion are the same.
또한, 상기 관통홀은 상부에서 하부로 갈수록 직경이 커지는 형상인 것을 특징으로 할 수 있다. The through hole may have a shape in which the diameter increases from the upper portion to the lower portion.
또한, 상기 관통홀은 상부와 하부의 직경이 동일한 형상인 것을 특징으로 할 수 있다. In addition, the through-hole may be characterized in that the diameter of the upper portion and the diameter of the lower portion are the same.
또한, 상기 슬롯은 상기 상기 진동막의 가장자리 부분을 따라 일정 간격으로 이격되게 형성될 수 있다. In addition, the slots may be spaced apart along the edge of the diaphragm.
또한, 상기 기판은 실리콘으로 이루어지는 것을 특징으로 할 수 있다. In addition, the substrate may be formed of silicon.
또한, 상기 기판은 폴리실리콘으로 이루어지는 것을 특징으로 할 수 있다. Further, the substrate may be characterized by being made of polysilicon.
본 발명의 실시 예는4장의 마스크를 사용하여 마이크로폰을 제작할 수 있으므로, 공정 수가 감소하고, 이에 따라 공정비용도 감소하는 효과가 있다. The embodiment of the present invention has an effect that the number of processes can be reduced because the microphone can be manufactured using the four masks, thereby reducing the process cost.
이 외에 본 발명의 실시 예로 인해 얻을 수 있거나 예측되는 효과에 대해서는 본 발명의 실시 예에 대한 상세한 설명에서 직접적 또는 암시적으로 개시하도록 한다. 즉, 본 발명의 실시 예에 따라 예측되는 다양한 효과에 대해서는 후술될 상세한 설명 내에서 개시될 것이다. In addition, effects obtained or predicted by the embodiments of the present invention will be directly or implicitly disclosed in the detailed description of the embodiments of the present invention. That is, various effects to be predicted according to the embodiment of the present invention will be disclosed in the detailed description to be described later.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 마이크로폰을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1의 마이크로폰의 진동막을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 3 내지 도 7은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 마이크로폰의 제조방법을 도시한 도면이다.
도 8 내지 도10은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 마이크로폰의 제조방법을 도시한 도면이다.
도 11는 제3 실시 예에 따른 마이크로폰의 제조방법을 도시한 도면이다.
도 12는 제4 실시 예에 따른 마이크로폰의 제조방법을 도시한 도면이다. 1 is a cross-sectional view schematically showing a microphone according to an embodiment of the present invention.
Fig. 2 is a plan view schematically showing the diaphragm of the microphone of Fig. 1; Fig.
3 to 7 are views showing a method of manufacturing a microphone according to a first embodiment of the present invention.
8 to 10 are views showing a method of manufacturing a microphone according to a second embodiment of the present invention.
11 is a view showing a manufacturing method of a microphone according to the third embodiment.
12 is a view showing a manufacturing method of a microphone according to the fourth embodiment.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예를 설명한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장된 것이다. In order to clearly illustrate the present invention, portions not related to the description are omitted, and the thicknesses of layers and regions are exaggerated for the sake of clarity.
또한, 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나, 또는 그들 사이에 제 3의 층이 개재될 수도 있다. Also, when a layer is referred to as being "on" another layer or substrate, it may be formed directly on another layer or substrate, or a third layer may be interposed therebetween.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 마이크로폰의 개략적인 단면도이고, 도 2는 도 1의 마이크로폰의 진동막을 개략적으로 나타낸 평면도이다.FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a microphone according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view schematically showing a vibration membrane of the microphone of FIG.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 마이크로폰(1)은 기판(10), 및 진동막(20)을 포함한다. Referring to Figs. 1 and 2, a
먼저, 상기 기판(10)은 실리콘으로 이루어질 수 있으며, 적어도 하나의 관통홀(70)이 형성된다. First, the
여기서, 상기 관통홀(70)은 공기가 유입되는 공기 유입구의 역할을 한다. Here, the
또한, 상기 기판(10)은 고정막(30)을 포함하며, 상기 고정막(30)은 상기 기판(10)의 중앙부에 형성될 수 있다. The
그리고 상기 진동막(20)은 기판(10)의 상부에 형성되며, 상기 관통홀(70)을 덮고 있다. The
또한, 상기 진동막(20)의 일부는 관통홀(70)에 의해 노출되어 있고, 상기 관통홀(70)에 의해 노출된 진동막(20)의 일부는 외부로부터 전달되는 음향에 따라 진동하게 된다. A part of the
또한, 상기 진동막(20)은 원형의 형상으로 이루어질 수 있으며, 적어도 하나 이상의 슬롯(Slot, S)을 포함한다. In addition, the
이때, 상기 슬롯(S)은 외부의 음향에 따른 상기 진동막(20)의 진동 시, 공기 댐핑(Air damping)에 의한 영향을 감소시켜, 마이크로폰의 감도를 향상시킨다. At this time, the slot (S) reduces the influence of air damping when the diaphragm (20) vibrates according to the external sound, thereby improving the sensitivity of the microphone.
여기서, 상기 공기 댐핑이란, 공기에 의해 진동막(20)의 진동이 감소하는 것을 의미한다. Here, the air damping means that the vibration of the
또한, 본 발명의 실시 예에서는 상기 진동막(20)이 4개의 슬롯(S)을 포함하고 있지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 필요에 따라 슬롯(S)의 개수가 가변될 수 있다. In the embodiment of the present invention, the
이러한 슬롯(S)은 각각의 크기가 동일하거나 다를 수 있다. These slots S may be the same or different in size.
한편, 상기 기판(10)과 진동막(20) 사이에는 공기층(AF)이 형성되어있으므로, 기판(10)과 진동막(20)은 소정의 간격만큼 떨어져 배치된다. Since the air layer AF is formed between the
외부로부터 입력되는 음향은 기판(10)에 형성된 공기 유입구를 통하여 유입되어 진동막(20)을 자극시키게 되고, 이에 진동막(20)은 진동하게 된다. Sound that is input from the outside flows through the air inlet formed in the
상기 입력되는 음향에 의하여 진동막(20)이 진동함에 따라, 진동막(20)과 기판(10) 사이의 간격이 변하게 된다. As the
이에 따라, 진동막(20)과 기판(10) 사이의 정전용량이 변하게 되고, 이렇게 변화된 정전용량을 기판(10)에 연결된 제1 패드(60) 및 진동막(20)에 연결된 제2 패드(61)를 통하여 신호처리용 회로(미도시)에서 전기 신호로 바꾸어 외부로부터 입력되는 음향을 감지할 수 있게 된다.
This changes the electrostatic capacitance between the
도 3 내지 도 7은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 마이크로폰의 제조방법을 도시한 도면이다. 3 to 7 are views showing a method of manufacturing a microphone according to a first embodiment of the present invention.
도 3을 참조하면, 실리콘 기판(10)을 준비한 후, 상기 기판(10)의 상면에 제1 산화막(40)을 형성하고, 상기 기판(10)의 배면에 제2 산화막(41)을 형성하는 단계를 진행한다. 3, after the
도 4를 참조하면, 상기 제1 산화막(40) 위에 진동막(20)을 형성하고, 상기 진동막(20) 위에 제1 감광막 패턴(50)을 형성한다. Referring to FIG. 4, a
이어서, 상기 제1 감광막 패턴(50)을 마스크로 해서 상기 진동막(20)을 식각하여 적어도 하나의 슬롯(S)을 형성하는 단계를 진행한다. Subsequently, the step of forming at least one slot S by etching the
도 5를 참조하면, 상기 제1 감광막 패턴(50)을 제거한 후, 기판(10)에 연결되는 제1 패드(60), 및 진동막(20)에 연결되는 제2 패드(61)를 형성한다. 5, after the
이러한 제1 패드(60), 및 제2 패드(61)는 리프트 오프(Lift off) 방식으로 형성될 수 있다. The
상기 리프트 오프 방식은 다음과 같다. The lift-off method is as follows.
상기 기판(10), 및 진동막(20) 위에 감광막을 형성한다. A photoresist film is formed on the
상기 감광막은 제1 패드(60)가 형성되는 부분, 즉, 기판(10)의 일부분, 및 제2 패드(61)가 형성되는 부분, 즉, 진동막(20)의 일부분을 노출한다. The photoresist film exposes a portion of the
이어서, 상기 감광막(미도시)에 의해 노출된 기판(10)의 일부분 및 진동막(20)의 일부분과 감광막 위에 금속층을 형성한 다음, 상기 감광막을 제거한다. Subsequently, a metal layer is formed on a part of the
이때, 상기 감광막의 제거 시, 감광막 위에 금속층에 제거되고, 기판(10)의 일부분, 및 진동막(20)의 일부분에 형성된 금속층이 각각 제1 패드(60) 및 제2 패드(61)가 된다. At this time, when the photoresist layer is removed, the metal layer is removed on the photoresist layer, and a metal layer formed on a part of the
도 6을 참조하면, 상기 제1 산화막(41)에 제2 감광막 패턴(51)을 형성한 후, 상기 제2 감광막 패턴(51)을 마스크로 해서 상기 기판(10), 및 제1 산화막(41)을 식각하는 단계는 진행한다. Referring to FIG. 6, a
이때, 상기 기판(10), 및 제1 산화막(41)을 식각함으로써, 적어도 하나의 관통홀(70)이 형성되는데, 이는 상기 진동막(20)의 일부를 노출시키기 위함이다.At this time, at least one through
또한, 상기 관통홀은 공기가 통과하는 공기 유입구를 포함한다. In addition, the through hole includes an air inlet through which the air passes.
이어서, 상기 기판(10)의 중앙부에 고정막(30)을 가공하는 단계를 진행한다. Then, the fixing
상기 고정막(30)은 상기 기판(10)에 접촉된 제1 패드(60)와 연결된다. The fixing
도7을 참조하면, 상기 제1 산화막(40)의 일부, 및 제1 산화막(41)을 제거하여 상기 기판(10)과 진동막(20) 사이에 공기층(AF)을 형성하는 단계를 진행한다. 7, a step of forming an air layer AF between the
상기 공기층(AF)은 공기 유입구를 통하여 식각액을 사용하는 습식 방법으로, 기판(10)의 상면에 형성된 산화막의 일부를 제거하여 형성될 수 있다. The air layer AF may be formed by removing part of the oxide film formed on the upper surface of the
또한, 공기층(AF)은 공기 유입구를 통하여 산소 플라즈마에 따르나, 애싱(Ashing)과 같은 건식 방법으로 제거하여 형성할 수도 있다. The air layer AF may be formed by removing oxygen by an ashing method such as ashing through an air inlet through an oxygen plasma.
이러한 습식 또는 건식 제거 방법을 통하여 산화막의 일부가 제거되어 상기 고정막(30)과 진동막(20) 사이에 공기층(AF)이 형성된다.
Part of the oxide film is removed through the wet or dry removal method to form the air layer AF between the fixed
도 8 내지 도10은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 마이크로폰의 제조방법을 도시한 도면이다. 8 to 10 are views showing a method of manufacturing a microphone according to a second embodiment of the present invention.
도 8을 참조하면, 제1 실시 예를 기본으로 하면서, 관통홀(70)을 형성하는 단계 이전에, 상기 기판(10)의 배면에 형성된 제2 감광막 패턴(51)을 마스크로해서 기판(10)의 배면을 식각하여 홈(71)을 형성하는 단계를 포함한다. Referring to FIG. 8, a step of forming a through
이때, 상기 홈(71)은 상기 기판(10)의 중앙부, 및 상부를 남겨둔채 상기 기판(10)의 중앙부에 형성된다. At this time, the
도 9를 참조하면, 상기 홈(71)의 내측면에 제3 감광막 패턴(53)을 형성한 후, 상기 제3 감광막 패턴(53)을 마스크로해서 상기 기판(10)을 식각하여 관통홀(70)을 형성하는 단계를 진행한다. 9, a
상기 관통홀(70)은 제1 실시 예와 마찬가지로 동일한 효과를 갖는다. The through
도 10을 참조하면, 본 발명의 제2 실시 예는 제1 실시 예의 마지막 단계와 동일한 과정을 진행한다. Referring to FIG. 10, the second embodiment of the present invention proceeds in the same manner as the last step of the first embodiment.
즉, 본 발명의 제2 실시와 제1 실시 예의 차이점은 관통홀(70)을 형성하기 전에 홈(71)을 형성하는 단계를 더포함하는 것이며, 나머지는 동일하다.
That is, the difference between the second embodiment and the first embodiment of the present invention is that it further includes the step of forming the
도 11과 도 12는 제3, 및 제4 실시 예에 따른 마이크로폰의 제조방법을 각각 도시한 도면이다. 11 and 12 are views showing a method of manufacturing the microphone according to the third and fourth embodiments, respectively.
도 11과 도 12를 참조하면, 제2 실시 예를 기본으로 하면서, 상기 홈(71)을 형성하는 단계에서 상기 홈(71)은 단면이 사다리꼴의 형상으로 이루어질 수도 있다. 11 and 12, the
또한, 상기 관통홀(70)은 단면이 사다리꼴을 포함하는 다각형으로 이루어질 수도 있다.The through
상기한 바 이외의 구성은 제2 실시 예와 동일함으로 자세한 설명은 생락하기로 한다. The configuration other than the above is the same as that of the second embodiment, so a detailed description will be omitted.
이와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 마이크로폰의 제조방법은 산화막(40,41), 제1 감광막 패턴(50), 제2 감광막 패턴(51), 제1 패드(60), 및 제2 패드(61)를 형성할 때, 각각 마스크가 사용되므로, 4장의 마스크를 사용하여 마이크로폰을 제조할 수 있다. As described above, the manufacturing method of the microphone according to the embodiment of the present invention includes the steps of forming the
일반적인 마이크로폰은 통상적으로 10장의 마스크를 사용하는데, 본 발명의 실시 예에 따른 마이크로폰의 제저방법은 4장의 마스크를 사용하여 마이크로폰을 제조할 수 있으므로, 공정수가 감소하고, 이에 따라 공정비용도 감소하는 효과가 있다. A typical microphone uses 10 masks. However, since the method of preparing a microphone according to the embodiment of the present invention can manufacture a microphone using four masks, the number of processes is reduced, .
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the appended claims. It will be understood that the invention may be varied and varied without departing from the scope of the invention.
1 ... 마이크로폰
10 ... 기판
20 ... 진동막
30 ... 고정막
40 ... 제1 산화막
41 ... 제2 산화막
50 ... 제1 감광막 패턴
51 ... 제2 감광막 패턴
53 ... 제3 감광막 패턴
60 ... 제1 패드
61 ... 제2 패드
70 ... 관통홀
71 ... 홈
AF ... 공기 층
S ... 슬롯 1 ...
20 ...
40 ...
50 ... first
53 ... third
61 ...
71 ... home AF ... air layer
S ... Slot
Claims (17)
상기 제1 산화막 위에 진동막, 및 제1 감광막 패턴을 형성하고, 상기 제1 감광막 패턴을 마스크로 해서 상기 진동막, 및 제1 산화막을 식각하여 적어도 하나의 슬롯을 형성하는 단계;
상기 제2 산화막에 제2 감광막 패턴을 형성한 후, 상기 제2 감광막 패턴을 마스크로 해서 상기 제2 산화막, 및 기판을 식각하여 상기 진동막의 일부를 노출하는 적어도 하나의 관통홀을 형성하는 단계; 및
상기 제2 감광막 패턴과 함께 제1 및 제2 산화막을 제거하여 상기 기판과 진동막 사이에 공기층을 형성하는 단계;
를 포함하는 마이크로폰 제조방법. Forming a first oxide film and a second oxide film on upper and lower surfaces of a substrate, respectively;
Forming a vibration film and a first photoresist pattern on the first oxide film and etching the vibrating film and the first oxide film using the first photoresist pattern as a mask to form at least one slot;
Forming a second photoresist pattern on the second oxide film and etching the second oxide film and the substrate using the second photoresist pattern as a mask to form at least one through hole exposing a part of the vibration film; And
Forming an air layer between the substrate and the vibration film by removing the first and second oxide films together with the second photoresist pattern;
≪ / RTI >
상기 슬롯을 형성하는 단계는
상기 제1 감광막 패턴을 제거한 후, 상기 기판에 연결되는 제1 패드 및 상기 진동막에 연결되는 제2 패드를 형성하는 단계를 더 포함하는 마이크로폰 제조방법. The method according to claim 1,
The step of forming the slot
Further comprising forming a first pad connected to the substrate and a second pad connected to the diaphragm after removing the first photosensitive film pattern.
상기 제1 패드 및 제2 패드를 형성하는 단계는
상기 기판 및 진동막 위에 상기 기판의 일부 및 상기 진동막의 일부를 노출하는 감광막을 형성하는 단계;
상기 진동막 위, 기판의 일부분, 및 상기 진동막의 일부분에 금속층을 형성하는 단계; 및
상기 감광막, 및 상기 감광막 위에 형성된 상기 금속층을 제거하는 단계;
로 이루어지는 마이크로폰 제조방법 3. The method of claim 2,
Wherein forming the first pad and the second pad comprises:
Forming a photoresist layer on the substrate and the diaphragm to expose a portion of the substrate and a portion of the diaphragm;
Forming a metal layer on the vibrating film, a portion of the substrate, and a portion of the vibrating film; And
Removing the photoresist layer and the metal layer formed on the photoresist layer;
A method of manufacturing a microphone
상기 관통홀을 형성하는 단계에서는
상기 기판의 중앙부에 고정막을 형성하는 마이크로폰 제조방법. The method according to claim 1,
In the step of forming the through-hole
Wherein a fixing film is formed at a central portion of the substrate.
상기 관통홀을 형성하는 단계는
상기 제2 감광막 패턴을 마스크로 해서 기판의 배면을 식각하여 홈을 형성하는 단계; 및
상기 홈의 내측면에 제3 감광막 패턴을 형성한 후, 상기 제3 감광막 패턴을 마스크로 해서 상기 기판을 식각하여 관통홀을 형성하는 단계;
를 더 포함하는 마이크로폰 제조방법. The method according to claim 1,
The step of forming the through hole
Forming a groove by etching the back surface of the substrate using the second photoresist pattern as a mask; And
Forming a third photoresist pattern on the inner surface of the groove and etching the substrate using the third photoresist pattern as a mask to form a through hole;
Further comprising the steps of:
상기 관통홀은
공기가 유입되는 통로를 포함하는 마이크로폰 제조방법. The method according to claim 1,
The through-
And a passage through which air flows.
상기 기판의 상부에 상기 고정막과 일정 유격을 두고 배치되며, 적어도 하나의 슬롯이 형성되는 진동막;
을 포함하는 마이크로폰.A substrate comprising a fixed film having at least one through-hole; And
A diaphragm disposed on the substrate at a predetermined clearance with the fixing film and having at least one slot formed therein;
.
상기 진동막과 고정막 사이의 공간이 공기층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마이크로폰. 8. The method of claim 7,
Wherein a space between the diaphragm and the fixed membrane is formed of an air layer.
상기 기판은
상기 진동막의 가장자리 부분을 지지하는 산화막에 의해 상기 공기층을 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로폰. 9. The method of claim 8,
The substrate
Wherein the air layer is formed by an oxide film that supports an edge portion of the diaphragm.
상기 기판은
상기 고정막의 관통홀과 연결되는 홈을 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로폰. 8. The method of claim 7,
The substrate
And a groove connected to the through hole of the fixing film is formed.
상기 홈은
상부에서 하부로 갈수록 직경이 커지는 형상인 것을 특징으로 하는 마이크로폰. 11. The method of claim 10,
The groove
And a shape having a larger diameter from an upper portion to a lower portion.
상기 홈은
상부와 하부의 직경이 동일한 형상인 것을 특징으로 하는 마이크로폰. 11. The method of claim 10,
The groove
And the upper and lower diameters are the same.
상기 관통홀은
상부에서 하부로 갈수록 직경이 커지는 형상인 것을 특징으로 하는 마이크로폰. 8. The method of claim 7,
The through-
And a shape having a larger diameter from an upper portion to a lower portion.
상기 관통홀은
상부와 하부의 직경이 동일한 형상인 것을 특징으로 하는 마이크로폰. 8. The method of claim 7,
The through-
And the upper and lower diameters are the same.
상기 슬롯은
상기 상기 진동막의 가장자리 부분을 따라 일정 간격으로 이격되게 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로폰. 8. The method of claim 7,
The slot
Wherein the microphone is spaced apart from the edge of the diaphragm at regular intervals.
상기 기판은
실리콘으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마이크로폰. 8. The method of claim 7,
The substrate
Wherein the microphone is made of silicon.
상기 기판은
폴리실리콘으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마이크로폰. 8. The method of claim 7,
The substrate
Wherein the microphone is made of polysilicon.
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2014
- 2014-11-26 KR KR1020140166781A patent/KR102175410B1/en active IP Right Grant
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