KR20160057878A - Cnt-그래핀 복합소재 및 그 제조방법 - Google Patents

Cnt-그래핀 복합소재 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20160057878A
KR20160057878A KR1020140159057A KR20140159057A KR20160057878A KR 20160057878 A KR20160057878 A KR 20160057878A KR 1020140159057 A KR1020140159057 A KR 1020140159057A KR 20140159057 A KR20140159057 A KR 20140159057A KR 20160057878 A KR20160057878 A KR 20160057878A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
carbon nanotube
graphene
reactor
cnt
composite material
Prior art date
Application number
KR1020140159057A
Other languages
English (en)
Inventor
박종관
Original Assignee
(주) 어큠
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주) 어큠 filed Critical (주) 어큠
Priority to KR1020140159057A priority Critical patent/KR20160057878A/ko
Publication of KR20160057878A publication Critical patent/KR20160057878A/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
    • B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
    • B82B3/0095—Manufacture or treatments or nanostructures not provided for in groups B82B3/0009 - B82B3/009
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/182—Graphene
    • C01B32/194—After-treatment
    • C01B32/196—Purification

Abstract

본 발명은 CNT-그래핀 복합소재 및 그 제조방법 관한 것으로, 보다 상세하게는 탄소나노튜브의 길이방향에 대하여 직교하는 방향으로 그래핀이 결합된 구조를 형성함으로써, 기존 길이방향의 열전도를 길이 및 폭 방향으로도 열전도성 및 전기전도성을 향상시킬 수 있는 CNT-그래핀 복합소재 및 그 제조방법에 관한 것이다.

Description

CNT-그래핀 복합소재 및 그 제조방법{CNT-graphene Composites and manufacturing method thereof}
본 발명은 CNT-그래핀 복합소재 및 그 제조방법 관한 것으로, 보다 상세하게는 탄소나노튜브의 길이방향에 대하여 직교하는 방향으로 그래핀이 결합된 구조를 형성함으로써, 기존 길이방향의 열전도를 길이 및 폭 방향으로도 열전도성 및 전기전도성을 향상시킬 수 있는 CNT-그래핀 복합소재 및 그 제조방법에 관한 것이다.
전자기기의 분야에 있어서 발열소자(發熱素子)의 방열은 중요한 과제로서, 소자를 효과적으로 냉각시키기 위하여 히트싱크가 사용되고 있다.
종래의 히트싱크는, 구리(copper) 및 알루미늄 재료(aluminium 材料)를 원료로 하여 절삭가공(切削加工), 다이캐스팅(die casting) 또는 열간압출(熱間壓出 ; hot extrusion)에 의하여 제조되고 있다. 또한 방열성을 높이기 위하여 금속제(金屬製)의 히트파이프(heat pipe)를 장착한 제품도 있다. 이들 금속제의 히트싱크는 중량이 무겁기 때문에, 전자기기의 경량화(輕量化)에 방해가 되고 있다. 또한 금속제의 히트파이프도 중량이 무겁고 모세관 현상(capillary phenomenon)을 발생시킬 필요가 있어 내부가 복잡한 구조로 되어 있기 때문에, 두께가 얇은 형상으로 하는 것이 곤란하고 가격도 고가이다.
수지에 카본 나노튜브(carbon nanotube)를 첨가한 방열부품에 관한 특허출원도 있지만, 실제의 방열효과에 관한 데이터는 볼 수 없으며 수지에 카본 나노튜브를 균일하게 분산(分散)시키는 것은 곤란하기 때문에 기대되는 방열효과는 얻어지지 않았다.
일례로, 대한민국 공개특허 제10-2010-0027148호에는 수지재료(樹脂材料)에 의하여 일부 또는 전부가 형성된 수지제 히트싱크(樹脂製 heatsink)로서, 상기 수지재료는, 수지 중에 (a)탄소재료와 (b)세라믹스 분말(ceramic 粉末) 및/또는 연자성 분말(軟磁性 粉末)이 균일하게 분산(分散)되어 있고, 또한 상기 수지재료 중에 있어서의 (a)의 비율이 15∼60부피%이고, (b)의 비율이 5∼40부피%이고, (a)와 (b)의 총합계 비율이 20∼80부피%인 것을 특징으로 하는 수지제 히트싱크가 개시되어 있다.
다만, 상기 공개특허와 같이 탄소나노튜브는 튜브 내부에 약간의 진공상태가 형성되기 때문에 그 진공 영역에서 열에너지를 흡수하여 길이방향으로 토출하고, 외부 열에너지가 크면 흡수한 후, 다시 방출하는 과정을 수행하면서 방열기능을 수행한다. 그러나 탄소나노튜브는 레진에 함침되거나 금속, 금속산화물과 혼입되는 경우에는 열전도도 내지 전기전도도가 급격히 감소하는 문제가 있다.
따라서 탄소나노튜브의 열전도도 및 전기전도도를 극대화할 수 있는 기술의 개발이 필요한 실정이다.
이에 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 열전도도와 전기전도도를 모두 향상시킬 수 있는 CNT-그래핀 복합소재 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 탄소나노튜브의 길이방향에 대하여 직교하는 방향으로 그래핀이 결합된 구조를 형성함으로써, 기존 길이방향의 열전도를 길이 및 폭 방향으로도 열전도를 확대시킬 수 있는 CNT-그래핀 복합소재 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 CNT-그래핀 복합소재의 제조방법은 반응로를 가열하고 내부를 불활성 가스 분위기로 유지하는 단계와; 상기 반응로에 촉매금속을 주입하여 상기 반응로 내벽에 부착되도록 하는 단계와; 상기 반응로에 탄화수소가스를 주입하여 상기 반응로 내벽에 부착된 촉매금속 상에서 탄소나노튜브를 성장시키는 단계와; 상기 반응로에 그래핀 분말을 주입하여 상기 탄소나노튜브에 그래핀 분말을 결합시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 CNT-그래핀 복합소재의 제조방법에 있어서, 반응로는 내부는 아르곤 가스로 채워지고, 600~800℃로 가열되는 회전로(rotary kiln)이며, 상기 촉매금속은 철, 몰리브덴, 니켈, 구리 중에서 적어도 하나의 금속 분말인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 CNT-그래핀 복합소재의 제조방법에 있어서, S2단계에서 성장하는 탄소나노튜브는 단일벽 탄소나노튜브(single-walled carbon nano tube) 또는 다중벽 탄소나노튜브(multi-walled carbon nano tube)인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 CNT-그래핀 복합소재의 제조방법에 있어서, 단일벽 탄소나노튜브의 경우 상기 반응로는 750~800℃로 가열되고, 상기 다중벽 탄소나노튜브의 경우 상기 반응로는 600~650℃로 가열되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 CNT-그래핀 복합소재의 제조방법에 있어서, S3단계를 마친 나노 복합소재에서 탄소나노튜브와 그래핀 분말은 1 : 2.5~3.5 중량비로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 CNT-그래핀 복합소재의 제조방법에 있어서, 그래핀 분말은 탄소나노튜브가 성장하는 도중에 주입되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 CNT-그래핀 복합소재의 제조방법은 반응로에 탄소나노튜브를 공급하는 단계와; 상기 반응로에 그래핀 분말을 주입하여 상기 탄소나노튜브에 그래핀 분말이 결합된 나노 복합소재를 합성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이상과 같은 구성의 본 발명에 따른 히트싱크 및 그 제조방법에 의하면 열전도도와 전기전도도를 모두 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 히트싱크 및 그 제조방법에 의하면 방열특성 및 전자파 차폐특성을 극대화시킬 수 탄소나노튜브의 길이방향에 대하여 직교하는 방향으로 그래핀이 결합된 구조를 형성함으로써, 기존 길이방향의 열전도를 길이 및 폭 방향으로도 열전도를 확대시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명에 따른 S1단계가 이루어지는 모습을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 CNT가 혼합용액과의 계면에서 분산되는 모습을 도시하는 도면이다.
도 3은 본 발명의 CNT가 S1단계에서 원주방향으로 배열되는 모습을 도시한 도 1의 평면도이다.
도 4는 본 발명의 S1단계의 진행이 완료되어 혼합용액이 증발된 CNT 결합체를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 S2단계가 이루어지는 모습을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 CNT가 S2단계에서 제1반응기의 내측면에서부터 중심방향으로 결합이 이루어지는 모습을 도시하는 평면도이다.
도 7은 본 발명의 S3단계가 이루어지는 모습을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 8은 본 발명의 S4단계가 이루어지는 모습을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 9는 본 발명의 실시예 1의 히트싱크를 촬영한 사진이다.
도 10a 내지 10c는 본 발명의 실시예 1의 히트싱크의 절단면을 전자현미경으로 촬영한 사진이다.
도 11는 본 발명의 실험예 2가 진행되는 과정을 촬영한 사진이다.
도 12a 및 12b는 알루미늄 히트싱크가 부착된 기판의 전면 및 후면에서의 온도변화를 촬영한 사진들이다.
도 13a 및 13b는 본 발명의 히트싱크가 부착된 기판의 전면 및 후면에서의 온도변화를 촬영한 사진들이다.
이하 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 구체적으로 설명한다.
본 발명의 설명에서 동일 또는 유사한 구성요소는 동일 또는 유사한 도면번호를 부여하고, 그 자세한 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명에 따른 CNT-그래핀 복합소재의 제조방법의 각 공정을 나타내는 공정도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 CNT-그래핀 복합소재의 제조방법은 크게 반응로를 가열하는 S1단계와, 촉매금속을 주입하는 S2단계와, 탄화수소가스를 주입하는 S3단계와, 그래핀 분말을 주입하는 S4단계를 포함할 수 있다.
구체적으로, 본 발명에 따른 CNT-그래핀 복합소재의 제조방법은 반응로를 가열하고 내부를 불활성 가스 분위기로 유지하는 S1단계와, 상기 반응로에 촉매금속을 주입하여 상기 반응로 내벽에 부착되도록 하는 S2단계와, 상기 반응로에 탄화수소가스를 주입하여 상기 반응로 내벽에 부착된 촉매금속 상에서 탄소나노튜브를 성장시키는 S3단계와, 상기 반응로에 그래핀 분말을 주입하여 상기 탄소나노튜브에 그래핀 분말을 결합시키는 S4단계를 포함할 수 있다.
도 2는 본 발명에 따른 회전로를 도시하는 개념도이고, 도 3은 도 2의 종단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 CNT-그래핀 복합소재의 제조방법에 있어서, 반응로는 가열되는 상태로 회전하는 회전로(rotary kiln)인 것을 예시할 수 있다.
상기 회전로는 크게 회전로 몸체와, 상기 회전로 몸체를 감싸고 열을 공급하는 히터와, 상기 히터를 감싸는 단열커버와, 상기 회전로 몸체 일측에 마련된 호퍼 및 가스 주입구와, 상기 회전로 몸체 일단에 마련된 촉매 투입구를 포함할 수 있다.
상기 회전로 몸체는 횡방향으로 배치되는 원통 형상이며, 도시하지 않았으나 회전수단에 의해 회전하며, 상기 히터에 의해 가열된다.
그리고 상기 회전로 몸체의 타단에 형성된 불활성가스 주입구를 통해 아르곤 가스가 주입된다.
상기 호퍼는 그래핀 분말을 상기 회전로 몸체 내부로 공급하는 역할을 하며, 상기 촉매 투입구는 촉매금속을 공급하는 역할을 한다.
본 발명에 따른 S1단계에서는 회전로를 600~800℃로 가열하면서 내부에 아르곤 가스를 충전하여 외부 공기의 유입을 차단하게 된다.
본 발명에 따른 S2단계에서는 촉매금속을 회전로에 주입하여 탄소나노튜브가 성장할 수 있는 시드층(seed layer)을 형성하는 단계이다.
상기 촉매금속은 철, 몰리브덴, 니켈, 구리 중에서 적어도 하나의 금속 분말인 것을 예시할 수 있다.
상기 촉매금속을 가열된 상태에서 0.1~1RPM의 속도로 회전하는 회전로에 투입하게 되면 회전로 몸체 내벽에 고르게 들러붙어 시드층을 형성한다.
본 발명에 따른 S3단계의 탄화수소가스는 에틸렌(C2H4)인 것을 예시할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 회전로는 산소가 없는 불활성 가스 분위기로 유지되기 때문에, 회전로에 에틸렌을 투입하게 되면 열분해 반응에 의해 탄소 원자(C)와 수소 원자(H)가 분해된다.
상기 분해된 탄소 원자(C)는 금속 분말로 이루어진 시드층 상에서 대략 지름이 10~15nm인 탄소나노튜브로 성장하게 된다.
상기 탄소나노튜브는 길이가 대략 300nm 까지 성장할 수 있으며, 구조는 단일벽 탄소나노튜브(single-walled carbon nano tube) 또는 다중벽 탄소나노튜브(multi-walled carbon nano tube)인 것을 예시할 수 있으며, 이들 각각을 선택적으로 성장하는 방법은 공지된 바와 같이 촉매의 종류 및 공정 조건을 제어함으로써 수행할 수 있다.
본 발명에 따른 S4단계는 회전로에 그래핀(graphene) 분말을 주입하는 것으로서, 상기 그래핀 분말은 흑연과 탄소이중결합을 가진 분자로서 6각형의 벌집모양으로 탄소 결정이 층층이 쌓아 올린 적층 구조로 이루어진다.
상기 그래핀을 회전로에 투입하게 되면, 열에 의해 적층 구조의 그래핀 분말들이 깨지면서 단일 구조로 분해되며, 크기는 0.1~1Å정도이다.
이와 같이 분해된 단일의 그래핀은 전하를 띄게 되면서 탄소나노튜브 표면에 결합하게 된다.
이때, 판 형상으로 분해된 단일의 그래핀 모서리 부분에 전하가 집중되기 때문에 그 모서리 부분이 탄소나노튜브에 결합하게 된다.
한편, 상기 S4단계는 탄소나노튜브가 300nm까지 성장하는 경우, 탄소나노튜브가 10~50nm 정도로 성장한 상태에서 상기 그래핀 분말을 주입하는 것을 예시할 수 있다.
도 4는 본 발명에 따른 다중벽 탄소나노튜브에 그래핀이 결합된 CNT-그래핀 복합소재를 도시하는 개념도이고, 도 5는 도 4의 단면도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 CNT-그래핀 복합소재는 상기 탄소나노튜브가 다중벽 탄소나노튜브(multi-walled carbon nano tube)인 경우, 최외각 벽은 물론 내부 벽들 사이에도 삽입되어 그래핀이 결합한 구조로 이루어진다. 즉, 상기 그래핀은 탄소나노튜브에 직교하는 방향으로 결합한다.
일반적인 탄소나노튜브는 열전도에 있어서 길이 방향의 일방향성을 갖게 되는데, 본 발명의 CNT-그래핀 복합소재는 그래핀에 의해 탄소나노튜브의 길이 방향에 대하여 직교하는 방향으로도 열전도가 이루어지게 된다.
또한, 그래핀이 탄소나노튜브에 촘촘하게 결합하기 때문에 수직배향된 탄소나노튜브가 회전로에서 배출되어 상온에 노출되더라도 휘거나 구부러지지 않고 수직배향성을 유지하게 된다.
한편, 이하에서는 상술한 실시예와 다른 실시예를 설명한다.
본 실시예에서는 반응로에 탄소나노튜브를 공급하는 단계와, 상기 반응로에 그래핀 분말을 주입하여 상기 탄소나노튜브에 그래핀 분말이 결합된 나노 복합소재를 합성하는 단계를 포함할 수 있다.
상술한 실시예에서는 그래핀 분말을 탄소나노튜브가 성장하는 동안 주입하여 탄소나노튜브의 성장과 동시에 그래핀의 결합하는 것이었으나, 본 실시예에서는 성장이 완료된 탄소나노튜브를 회전로에 넣은 상태에서 그래핀 분말을 주입한다는 점에서 차이가 있다.
이와 같이, 본 발명에서는 그래핀 분말은 탄소나노튜브의 성장 중에 넣을 수도 있고, 성장이 완료된 탄소나노튜브에 그래핀을 결합시키는 방식을 모두 적용할 수 있다.
이하에서는 본 발명의 보다 바람직한 실시예를 통해 보다 상세하게 설명한다.
[실시예 1]
700℃로 가열된 회전로에 아르곤 가스를 충전한 다음, 철, 니켈, 구리로 이루어진 촉매금속 분말을 회전로에 넣는다. 이때 회전로는 0.1rpm의 속도로 회전한다. 그리고 상기 회전로에 에틸렌 가스를 주입하여 탄소나노튜브의 성장이 이루어지면 그래핀을 주입한다.
이와 같은 과정을 통해 제조된 CNT-그래핀 복합소재를 nylon 6 수지에 넣고, 교반하여 펠렛 형태로 성형한다. 이때 CNT-그래핀 복합소재와 nylon 6 수지의 중량비는 4:6이 되도록 한다.
펠렛을 프레스를 이용하여 압축 성형하여 판 형상의 히트싱크를 제조한다.
[실험예 1]
도 6은 실시예 1의 히트싱크에서 방열되는 모습을 촬영한 사진으로서, 이를 참조하면 상기 실시예 1의 히트싱크의 방열 특성을 알아보기 위해 일면에 엘이디를 설치하여 열을 공급한 상태에서 열카메라로 촬영한 결과, 열이 직접 공급되지 않는 영역에서도 방열이 이루어진다는 것을 확인할 수 있었다.
도 7은 일반적인 탄소나노튜브로 이루어진 히트싱크에서 방열되는 모습을 촬영한 사진이다.
도 7을 참조하면, 일반적인 탄소나노튜브로 이루어진 히트싱크에서는 열이 직접적으로 공급되는 국부적인 영역에서만 방열이 이루어진다는 것을 확인할 수 있었다.
본 발명에 따른 CNT-그래핀 복합소재는 방열 성능이 필요한 전자제품, 예를 들어 CPU, 그래픽 카드와, LED TV 부품 등에 적용하는 것을 예시할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
이상에서 설명된 본 발명은 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속한 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 잘 알 수 있을 것이다. 그러므로 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 형태로만 한정되는 것은 아님을 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다. 또한, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 그 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.

Claims (8)

  1. 반응로를 가열하고 내부를 불활성 가스 분위기로 유지하는 단계와;
    상기 반응로에 촉매금속을 주입하여 상기 반응로 내벽에 부착되도록 하는 단계와;
    상기 반응로에 탄화수소가스를 주입하여 상기 반응로 내벽에 부착된 촉매금속 상에서 탄소나노튜브를 성장시키는 단계와;
    상기 반응로에 그래핀 분말을 주입하여 상기 탄소나노튜브에 그래핀 분말을 결합시키는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 CNT-그래핀 복합소재의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 반응로는 내부는 아르곤 가스로 채워지고, 600~800℃로 가열되는 회전로(rotary kiln)이며,
    상기 촉매금속은 철, 몰리브덴, 니켈, 구리 중에서 적어도 하나의 금속 분말인 것을 특징으로 하는 CNT-그래핀 복합소재의 제조방법
  3. 제2항에 있어서,
    상기 S2단계에서 성장하는 탄소나노튜브는 단일벽 탄소나노튜브(single-walled carbon nano tube) 또는 다중벽 탄소나노튜브(multi-walled carbon nano tube)인 것을 특징으로 하는 CNT-그래핀 복합소재의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 단일벽 탄소나노튜브의 경우 상기 반응로는 750~800℃로 가열되고,
    상기 다중벽 탄소나노튜브의 경우 상기 반응로는 600~650℃로 가열되는 것을 특징으로 하는 CNT-그래핀 복합소재의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 S3단계를 마친 나노 복합소재에서 탄소나노튜브와 그래핀 분말은 1 : 2.5~3.5 중량비로 이루어지는 것을 특징으로 하는 CNT-그래핀 복합소재의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 그래핀 분말은 탄소나노튜브가 성장하는 도중에 주입되는 것을 특징으로 하는 CNT-그래핀 복합소재의 제조방법.
  7. 반응로에 탄소나노튜브를 공급하는 단계와;
    상기 반응로에 그래핀 분말을 주입하여 상기 탄소나노튜브에 그래핀 분말이 결합된 나노 복합소재를 합성하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 CNT-그래핀 복합소재의 제조방법.
  8. 청구항 1 내지 7의 방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 CNT-그래핀 복합소재.
KR1020140159057A 2014-11-14 2014-11-14 Cnt-그래핀 복합소재 및 그 제조방법 KR20160057878A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140159057A KR20160057878A (ko) 2014-11-14 2014-11-14 Cnt-그래핀 복합소재 및 그 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140159057A KR20160057878A (ko) 2014-11-14 2014-11-14 Cnt-그래핀 복합소재 및 그 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20160057878A true KR20160057878A (ko) 2016-05-24

Family

ID=56113968

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140159057A KR20160057878A (ko) 2014-11-14 2014-11-14 Cnt-그래핀 복합소재 및 그 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20160057878A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Zhang et al. Recent advanced thermal interfacial materials: A review of conducting mechanisms and parameters of carbon materials
Zhang et al. Three-dimensional interconnected networks for thermally conductive polymer composites: Design, preparation, properties, and mechanisms
Wang et al. Silver nanoparticle-deposited boron nitride nanosheets as fillers for polymeric composites with high thermal conductivity
Wang et al. Preparation of highly thermally conductive polymer composite at low filler content via a self-assembly process between polystyrene microspheres and boron nitride nanosheets
Meziani et al. Boron nitride nanomaterials for thermal management applications
Xu et al. Thermal conductive composites reinforced via advanced boron nitride nanomaterials
Han et al. Nest-like hetero-structured BNNS@ SiCnws fillers and significant improvement on thermal conductivities of epoxy composites
TWI299358B (en) Thermal interface material and method for making same
KR101007621B1 (ko) 미크론 사이즈 및 나노 사이즈의 탄소섬유를 모두 함유하는금속기 복합재료
CN106459494B (zh) 基于复合材料制备用儿茶酚胺-板状石墨的高分子复合体
Tay et al. Facile synthesis of millimeter-scale vertically aligned boron nitride nanotube forests by template-assisted chemical vapor deposition
Wang et al. Highly efficient growth of boron nitride nanotubes and the thermal conductivity of their polymer composites
JP2008045124A (ja) Ｃｎｔ／ポリマー複合材料
CN104610706B (zh) 一种氧化镁纳米晶包覆石墨烯-环氧树脂复合材料及其制备方法
JP2007009213A (ja) 熱伝導材料及びその製造方法
Liu et al. Silver nanoparticle-enhanced three-dimensional boron nitride/reduced graphene oxide skeletons for improving thermal conductivity of polymer composites
JP2013168665A (ja) 放熱構造体
Xu et al. Vertically aligned graphene for thermal interface materials
Vu et al. Ultralight covalently interconnected silicon carbide aerofoam for high performance thermally conductive epoxy composites
KR101413996B1 (ko) 카본 하이브리드 필러를 포함하는 방열 복합체 및 그 제조방법
Cho et al. Graphene–carbon–metal composite film for a flexible heat sink
Li et al. Highly efficient mass production of boron nitride nanosheets via a borate nitridation method
He et al. A novel three-dimensional boron phosphide network for thermal management of epoxy composites
Huang et al. A novel silver nanoparticle-deposited aluminum oxide hybrids for epoxy composites with enhanced thermal conductivity and energy density
Lee et al. Vertically-aligned boron nitride composite as a highly thermally conductive material using magnetic field-assisted three-dimensional printing

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right