KR20160054170A - 개선된 감도를 갖는 탄소나노튜브 센서의 제조방법 - Google Patents

개선된 감도를 갖는 탄소나노튜브 센서의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은, (a) 기판 상에 절연막을 형성하는 단계, (b) 절연막 상에 탄소나노튜브 입자를 흡착하는 단계, (c) 탄소나노튜브가 흡착된 절연막 상의 일정 영역에 전극들을 형성하는 단계, (d) 전극들을 포토레지스트로 코팅하는 단계, (e) 절연막을 식각하여 전극들 사이의 탄소나노튜브가 공중에 부양되도록 하는 단계, (f) 전극들에 코팅된 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하는 탄소나노튜브 센서의 제조방법을 제공한다.

Description

개선된 감도를 갖는 탄소나노튜브 센서의 제조방법{Method for fabricating carbon nanotube sensor having improved sensitivity}
본 발명은 탄소나노튜브를 이용한 반도체 센서에 관한 것으로, 특히 탄소나노튜브 네트워크 채널 구조에서 개선된 감도를 갖는 탄소나노튜브 센서를 제조하는 방법에 관한 것이다.
탄소나노튜브(carbon nanotube; CNT)는 전류밀도가 구리선의 1000 배이고 운반자 이동도(carrier mobility)가 실리콘의 10 배로 알려져 있다. 이 때문에 고감도/고속 전자 소자의 재료로 많이 이용되고 있다. 특히 1998년 탄소나노튜브의 반도체성 특성이 보고되었기 때문에, 탄소나노튜브 기반의 전계효과 트랜지스터(FET) 소자가 제작될 수 있는 기반이 마련되었고, 현재 전계효과 트랜지스터 소자로 많이 응용되고 있다. 또한, 검지 물질과 탄소나노튜브 사이의 상호작용으로 인한 전기전도도의 변화를 이용하여 고감도의 화학/바이오센서가 제작될 수 있다. 탄소나노튜브를 이용한 센서는 기존 고체 상태의 센서와 달리 상온에서 동작하며, 고체 상태 센서보다 1000 배 이상의 민감도를 가진다. 때문에 탄소나노튜브 기반 센서는 나노 크기의 물질이므로 화학적 센서의 크기를 크게 줄일 수 있을 뿐 아니라, 화학적 반응성 또한 크게 향상시킬 수 있다.
그러나 이러한 탄소나노튜브의 뛰어난 특징에도 불구하고 실제 전자장치로 적용하는데 있어서, 탄소나노튜브의 흡착(adsorption)과 배열 (alignment) 기술의 부재 또는 미완성은 제품의 상용화를 어렵게 하고 있다.
도 1은 종래기술에 의한 단일벽 탄소나노튜브(single-walled carbon nanotube; 이하 "SWCNT"라 칭함)의 제조방법을 설명하는 도면이다. 이러한 종래기술에 의한 SWCNT의 제조방법은 "Journal of the Korean Physical Society, Vol. 58, No. 5"의 2011년 5월호에 "Simple Assembling Technique of Single-Walled Carbon Nanotubes Using Only Photolithography"라는 제목으로 개시되어 있다.
도 1을 참조하면, CNT 자기조립 방법은 먼저, 기판 상에 SiO2 같은 절연막을 형성한 후, 이어서 절연막 상에 포토레지스트 등을 이용하여 마스크 패턴을 형성한다. 이러한 기판을 CNT 용액에 담그면 탄소나노튜브 입자들이 흡착되는데, 탄소나노튜브 입자들은 포토레지스트 패턴 영역과 절연막 영역에 모두 흡착된다. 이어서, 포토레지스트 패턴이 제거되고, SiO2/Si 기판상에 반데르발스 힘에 의해 선택적으로 조립된 SWCNT 패턴이 형성된다.
도 1과 같은 순서로 제작된 시료를 SEM으로 측정하면, 도 2와 같은 사진을 얻을 수 있다.
도 2a는 다중채널을 형성하기 위해 여러 개의 흰색의 직사각형 CNT 패턴이 제작된 것을 보여주고 있으며, 도 2b는 도 2a에 도시된 흰색의 직사각형 중의 한 개를 20배로 확대한 SEM 사진이다. 그리고 도 2b에서 오른쪽에 삽입된 사진은 도 2b를 다시 4배로 확대한 사진이다. 이 사진에서 가장 긴 CNT는 약 1.4 μm로 표시되어 있고, 이 보다 작은 CNT와 작은 점(dust)들이 보이고 있다.
그런데, CNT가 이렇게 네트워크(network)를 이루어서 제작된 FET의 채널은 단일 CNT로 제작된 FET 채널에 비해서 전자나 정공이 이동하는 채널의 유효길이가 길어지게 된다. 그 결과 저항이 증가하게 되어 소오스-드레인 전류가 감소하게 된다. 그래서 2011년 3월에 "전자공학회 논문지 제 48 권 SC 편 제 2 호"에 실린 "간단한 자기 조립 기법으로 배열된 단일벽 탄소 나노 튜브 센서의 제작공정"에서는 소오스-드레인 전류의 값을 증가시키기 위한 다중채널 FET 센서를 개시하고 있다.
한편 CNT가 네트워크(network)를 이루는 FET의 채널에서 자유 운반자(free carrier)(전자나 정공)가 이동하는 채널의 유효길이가 짧아지기 위해서는, CNT 길이가 길어서 가능하면 자유운반자가 소오스-드레인 전극의 방향으로 이동할 수 있는 구조가 충족되어야 한다. 즉 소오스-드레인 전극 방향에 수직하거나 후면으로 이동할 수 있는 짧은 CNT를 가능하면 제거해 주어야 채널의 유효길이가 감소하게 된다. 이 문제를 해결하기 위해서는 특정 길이보다 짧은 CNT를 제거할 수 있는 새로운 기술이 요망되어 왔다.
본 발명은 상기한 점을 감안하여 발명된 것으로, 특정 길이 보다 짧은 탄소나노튜브를 제거하여 채널의 유효길이를 짧게 함으로써 개선된 감도를 갖는 탄소나노튜브 센서의 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, (a) 기판 상에 절연막을 형성하는 단계, (b) 절연막 상에 탄소나노튜브 입자를 흡착하는 단계, (c) 탄소나노튜브가 흡착된 절연막 상의 일정 영역에 전극들을 형성하는 단계, (d) 전극들을 포토레지스트로 코팅하는 단계, (e) 절연막을 식각하여 전극들 사이의 탄소나노튜브가 공중에 부양되도록 하는 단계, (f) 전극들에 코팅된 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하는 탄소나노튜브 센서의 제조방법을 제공한다.
이때 절연막은 산화막인 것이 바람직하다.
바람직하게는 (b) 단계에 있어서, 단일벽 탄소나노튜브(SWNT)가 분산된 용액에 일정 시간 동안 상기 기판을 담그고, 길이가 긴 탄소나노튜브가 흡착되도록 하기 위해 초음파 분산시간을 최소화한 SWCNT 용액에 담그는 시간을 길게 할 수 있다.
바람직하게는 (c) 단계에 있어서, 소스-드레인 전극 가운데에 채널을 갖는 형태로 형성하고, 절연막에 게이트 전극을 추가로 형성할 수 있다.
바람직하게는 (e) 단계에 있어서, 절연막 만을 식각하기 위해 식각 용액으로 BOE(buffered oxide etchant)나 HF를 사용할 수 있다.
상기한 바와 같이 본 발명에 의하면, 특정 길이 보다 짧은 탄소나노튜브를 제거하여 채널의 유효길이를 짧게 함으로써, 저항이 감소되어 소오스-드레인 전류가 증가되고 개선된 감도를 갖는 탄소나노튜브 센서를 제공할 수 있는 효과가 있다.
아울러, 본 발명에 의하면 탄소나노튜브는 공중에 부양된 상태이므로, 절연막 위에 탄소나노튜브가 붙어있는 구조에 비해 물질과 반응할 수 있는 탄소나노튜브의 표면적이 증가되므로 센서의 감도가 향상된다.
그리고 탄소나노튜브는 소스 전극과 드레인 전극 금속 아래에 고정되어 있기 때문에 외부충격에 의해 분리되지 않는 효과를 갖고, 소스 전극과 드레인 전극에서 채널방향으로 남아있는 절연막에 탄소나노튜브가 반데르 발스 힘에 의해 붙어있기 때문에 외부충격에 강한 특징을 갖는다.
도 1은 종래기술에 의한 단일벽 탄소나노튜브의 채널패턴 제조방법을 설명하는 도면,
도 2a 및 2b는 도 1과 같은 순서로 제작된 탄소나노튜브 채널패턴을 SEM으로 측정한 사진,
도 3a ~ 3d는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 개선된 감도를 갖는 탄소나노튜브 센서의 제조방법을 설명하기 위한 도면,
도 4a ~ 4e는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 개선된 감도를 갖는 탄소나노튜브 센서의 제조방법을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 평면도 및 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 이하의 실시예는 이 기술분야에서 통상적인 지식을 가진 자에게 본 발명이 충분히 이해되도록 제공되는 것으로서 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 기술되는 실시예에 한정되는 것은 아니다.
도 3a ~ 3d는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 개선된 감도를 갖는 탄소나노튜브 센서의 제조방법을 설명하기 위한 도면이고, 도 4a ~ 4e는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 개선된 감도를 갖는 탄소나노튜브 센서의 제조방법을 더욱 구체적으로 설명하기 위해 각 단계를 평면도 및 단면도로 비교하여 설명하는 것이다. 도 4a ~ 4e의 도면에서 각 왼쪽 도면은 탄소나노튜브 센서의 단계별 평면도이고, 각 오른쪽 도면은 탄소나노튜브 센서의 단계별 단면도를 도시한 것이다.
먼저 기판(100) 상에 절연막(110)이 형성된다. 기판(100)은 실리콘(Si) 웨이퍼일 수 있다. 절연막(110)은 바람직하게는 산화막이고, 산화막의 형성은 PECVD나 LPCVD를 이용하여 SiO2 박막을 기판위에 증착시키거나, SOG(silicaon-glass)를 이용하여 스핀코팅을 시킬 수 있다. 또는 1050 ℃의 습식 열확산로 (thermal furnace)를 이용하여 300 nm의 열산화막 (thermal oxide; SiO2)이 실리콘 (silicon; Si) 기판 위에 성장될 수 있다.
다음으로, 도 4a를 참고하면, 절연막(110) 상에 탄소나노튜브 입자(120)를 흡착한다. 탄소나노튜브 입자(120)를 흡착하는 방법은, 예를 들어 디클로로벤젠에 단일벽 탄소나노튜브(SWNT)가 분산된 용액에 일정 시간(수십초)동안 기판을 담가서 산화막(100)의 표면 등에 SWNT를 흡착시키는 방식을 사용할 수 있다. 사용되는 단일벽 탄소나노튜브는 이후 식각 단계에서 전극 사이에 남겨두기 위해 길이가 긴 탄소나노튜브를 사용하는 것이 바람직하다. 이렇게 길이가 긴 탄소나노튜브가 흡착되도록 하기 위해 초음파 분산시간을 최소화한 SWCNT 용액에 담그는 시간을 길게 할 수 있다.
다음으로, 탄소나노튜브가 흡착된 기판의 일정 영역에 전극(130)이 형성된다. 전극(130)은 도 4b에 도시된 바와 같이, 소스-드레인 전극이 가운데에 채널을 갖는 형태로 형성될 수 있으며, 이 경우 채널에는 탄소나노튜브 네트워크가 형성된다. 전극으로는 Au 등이 사용될 수 있다.
도 4b에서는 기판(100)의 중앙 부분에 탄소나노튜브(120)가 흡착되어 있고 양 옆에 소스 및 드레인 전극(130)이 형성되는 것으로 도시하였으나, 이에 한정되지 않고 기판의 전체에 걸쳐 탄소나노튜브가 흡착되고 그 위의 일정 영역에 서로 간격을 두고 소스 및 드레인 전극이 형성되면 무방하다.
이어서, 도 4c에 도시된 것처럼, 소스 및 드레인 전극(130) 위를 포토레지스트(140)로 코팅한다. 포토레지스트는 예를 들면, Clariant사의 AZ5206이나 AZ5214 포토레지스트(photoresist; PR)를 사용할 수 있다.
이어서, 도 4d에 도시된 것처럼, 절연막(110)을 식각한다. 이 경우, 포토레지스트 코팅된 부분과 탄소나노튜브는 식각되지 않고, 절연막 만을 식각시킬 수 있는 식각 용액을 이용한다. 이러한 식각 용액으로는 BOE(buffered oxide etchant)나 HF 등이 가능하다.
이렇게 절연막 만을 식각하면, 소스 및 드레인 전극 사이의 탄소나노튜브 네트워크에서 특정 길이보다 짧은 탄소나노튜브는 소오스-드레인 전극을 연결하는 채널에서 제거되고, 채널을 연결할만한 긴 탄소나노튜브만이 양 전극에 걸쳐있게 된다. 즉, 양 전극 사이에 부양된 채널이 형성된다. 따라서, 종래 기술에 비해 탄소나노튜브의 채널의 유효길이가 짧아지므로, 그 결과 채널의 유효 저항이 감소하기 때문에 소오스-드레인 전류가 증가하여 센서의 감도가 향상된다.
다음으로, 도 4e에 도시된 것처럼, 소스 및 드레인 전극(130) 위의 포토레지스트(140)를 제거한다. 전극 표면 위의 포토레지스트 코팅이 아세톤이나 포토레지스트 스트리퍼(PR striper) 등을 이용하여 제거됨으로써, 소스 및 드레인 전극 표면이 노출된다.
기존의 탄소나노튜브 네트워크 채널에서 소스-드레인 전류가 nA 정도로 흐를 때 측정전류 값의 변화(fluctuation)가 심한 것은 신호대 잡음비(signal to noise ratio)가 큰 것을 의미하는데, 본 발명에서는 식각에 의하여 더스트(dust)나 짧은 탄소나노튜브가 네트워크에서 제거되기 때문에 신호대 잡음비가 향상된다. 따라서, 도 3d에 도시된 것처럼 소스 전극에 VSD를 인가하고 게이트 절연막에 VG를 인가한 경우, 종래기술에 비해 측정전류의 값의 변화가 적어진다.
아울러, 본 발명에서는 유효채널길이를 증가시키기 위해서 탄소나노튜브 네트워크 구조 아래의 절연층이 제거되기 때문에, 도 3d에 도시된 것처럼 채널에 남아있는 탄소나노튜브들은 공중에 떠있는 상태가 된다. 그 결과 절연막 위에 탄소나노튜브가 붙어있는 구조에 비해 물질과 반응할 수 있는 탄소나노튜브의 표면적이 증가되므로 센서의 감도가 향상된다.
특히, 식각 후에 남아있는 탄소나노튜브 네트워크를 구성하는 탄소나노튜브들은 소스 전극과 드레인 전극 금속 아래에 고정되어 있기 때문에, 외부충격에 의해 분리되지 않는 특성을 갖는다. 더불어 소스전극과 드레인 전극 주변에 남아 있는 절연막에 탄소나노튜브들이 반데르 발스 힘에 의해 붙어 있기 때문에 외부충격에 강한 특징을 갖는다.
100: 기판 110 : 절연막
120 : 탄소나노튜브 130 : 전극
140 : 포토레지스트

Claims (7)

  1. (a) 기판 상에 절연막을 형성하는 단계;
    (b) 상기 절연막 상에 탄소나노튜브 입자를 흡착하는 단계;
    (c) 상기 탄소나노튜브가 흡착된 상기 절연막 상의 일정 영역에 전극들을 형성하는 단계;
    (d) 상기 전극들을 포토레지스트로 코팅하는 단계;
    (e) 상기 절연막을 식각하여 상기 전극들 사이의 탄소나노튜브가 공중에 부양되도록 하는 단계;
    (f) 상기 전극들에 코팅된 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 센서의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 절연막은 산화막인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 센서의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 (b) 단계에 있어서,
    단일벽 탄소나노튜브(SWNT)가 분산된 용액에 일정 시간 동안 상기 기판을 담그는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 센서의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 (b) 단계에 있어서,
    길이가 긴 탄소나노튜브가 흡착되도록 하기 위해 초음파 분산시간을 최소화한 SWCNT 용액에 담그는 시간을 길게 하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 센서의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 (c) 단계에 있어서,
    소스-드레인 전극 가운데에 채널을 갖는 형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 센서의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 절연막에 게이트 전극을 추가로 형성하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 센서의 제조방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 (e) 단계에 있어서,
    상기 절연막 만을 식각하기 위해 식각 용액으로 BOE나 HF 등을 사용하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 센서의 제조방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102041830B1 (ko) * 2018-07-03 2019-11-27 한국과학기술원 반도체 나노와이어의 제조방법 및 그를 이용한 반도체 나노와이어 센서의 제조방법
KR20210065762A (ko) * 2019-11-27 2021-06-04 한국산업기술대학교산학협력단 탄소나노튜브 기반 가스 센서의 제조방법 및 탄소나노튜브 기반 가스 센서

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007093294A (ja) * 2005-09-27 2007-04-12 Sharp Corp 化学物質検出用センサ
KR20110044360A (ko) * 2009-10-23 2011-04-29 한국과학기술연구원 단일벽 탄소나노튜브의 선택적 조립 방법 및 이를 이용한 단일벽 탄소나노튜브 다중 채널을 갖는 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
KR20120131483A (ko) * 2011-05-25 2012-12-05 연세대학교 산학협력단 공중부유형 탄소나노튜브를 이용하는 가스센서 제작방법, 그 방법으로 제작된 탄소나노튜브 나노구조체 및 가스센서
KR101402989B1 (ko) * 2013-06-12 2014-06-11 한국과학기술연구원 기판과의 결합력이 향상된 탄소나노튜브 기반 전계효과트랜지스터 소자의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 탄소나노튜브 기반 전계효과트랜지스터 소자

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007093294A (ja) * 2005-09-27 2007-04-12 Sharp Corp 化学物質検出用センサ
KR20110044360A (ko) * 2009-10-23 2011-04-29 한국과학기술연구원 단일벽 탄소나노튜브의 선택적 조립 방법 및 이를 이용한 단일벽 탄소나노튜브 다중 채널을 갖는 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
KR20120131483A (ko) * 2011-05-25 2012-12-05 연세대학교 산학협력단 공중부유형 탄소나노튜브를 이용하는 가스센서 제작방법, 그 방법으로 제작된 탄소나노튜브 나노구조체 및 가스센서
KR101402989B1 (ko) * 2013-06-12 2014-06-11 한국과학기술연구원 기판과의 결합력이 향상된 탄소나노튜브 기반 전계효과트랜지스터 소자의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 탄소나노튜브 기반 전계효과트랜지스터 소자

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102041830B1 (ko) * 2018-07-03 2019-11-27 한국과학기술원 반도체 나노와이어의 제조방법 및 그를 이용한 반도체 나노와이어 센서의 제조방법
KR20210065762A (ko) * 2019-11-27 2021-06-04 한국산업기술대학교산학협력단 탄소나노튜브 기반 가스 센서의 제조방법 및 탄소나노튜브 기반 가스 센서

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