KR20160043779A - Package for Light Emitting Device and Method for Manufacturing thereof - Google Patents

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Abstract

The present invention provides a light emitting device package including: a circuit board where a bonding pad is formed; a light emitting diode device which provides light of a wavelength in a fixed band, and has a chip pad formed on an upper plane, and is bonded to the circuit board; a phosphor layer which is formed in a cap shape to surround a side and an upper plane of the light emitting diode device separately, and has uniform thickness on a side part and an upper part; a gold wire to connect the bonding pad of the circuit board and the chip pad of the light emitting diode device electrically; and a filler which fills a space between the phosphor layer and the light emitting diode device. The gold wire is arranged between a lower plane of the phosphor layer and the circuit board. The light emitting device package of the present invention can suppress a hot spot phenomenon effectively while increasing an orientation angle of a light source emitted from the light emitting diode device effectively.

Description

발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법{Package for Light Emitting Device and Method for Manufacturing thereof}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a light emitting device package,

본 발명은 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 발광 다이오드 소자의 측면과 상면을 이격되어 둘러싸도록 캡(cap) 형상으로 형성되며 측부의 두께 및 상부의 두께가 균일하게 형성된 형광체층의 하면에, 회로 기판과 발광 다이오드 소자를 전기적으로 연결시키는 골드 와이어를 배치시킴으로써, 발광 다이오드 소자에서 발광되는 광원의 지향각을 효과적으로 증가시키면서도 핫 스팟(hot spot) 현상을 효과적으로 억제할 수 있는 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a light emitting device package and a method of manufacturing the same. More particularly, the present invention relates to a light emitting device package including a light emitting diode package and a light emitting diode package, By disposing a gold wire electrically connecting the circuit board and the light emitting diode device on the bottom surface of the layer, it is possible to effectively increase the directivity angle of the light source emitted from the light emitting diode device and to effectively suppress the hot spot phenomenon Device package and a method of manufacturing the same.

요즘 GaN에 Al 또는 In을 첨가한 발광 소자는 종래의 백열등에 비해 긴 수명, 낮은 전력 소비, 우수한 밝기, 인체에 유해하지 않은 환경 친화적 요소 등으로 인하여 주목받고 있으며, 특히 백색광을 제공하는 발광 소자가 더욱 더 각광받고 있다.Recently, a light emitting device in which Ga or Al is doped with Al or In has been attracting attention due to its long lifetime, low power consumption, excellent brightness and environmental friendliness that are not harmful to the human body, as compared with conventional incandescent lamps. More and more.

이러한 발광 소자는 상술한 장점으로 인하여 자동차 조명, 교통 신호등, 액정 표시 장치의 BLU(Back Light Unit) 등에 이용되고 있다.Such a light emitting device has been used for automobile lighting, a traffic signal, and a backlight unit (BLU) of a liquid crystal display device due to the advantages described above.

최근에, 인공 광원에서 측정된 색좌표가 인간의 눈으로 보았을 때의 색좌표와 동일한 것인지를 평가하는 지표로서 MacAdam Rule이 제시되었다. 이러한 MacAdam Rule은 4 단계 기준을 제공하고 있다. 미주 지역에서는 MacAdam Rule의 3 단계 기준에 부합되지 못하는 인공 광원은 판매가 허가되지 않고 있는 실정이다. MacAdam Rule의 3 단계를 만족시키기 위해서는 백색광의 색 편차를 줄이는 것이 매우 중요하다.Recently, the MacAdam Rule has been proposed as an index for evaluating whether the color coordinates measured in the artificial light source are the same as the color coordinates when viewed with human eyes. These MacAdam Rule provides a four-step criteria. In the Americas, artificial light sources that do not meet the MacAdam Rule's three-step criteria are not allowed to be sold. In order to satisfy the three steps of MacAdam Rule, it is very important to reduce the color deviation of white light.

한편, 대한민국 공개특허공보 10-2008-0070193에는 수지재의 필름 면 상에 형광물질이 형성되어 있는 형광필름이 게시되어 있으며, 상술한 형광필름이 발광 다이오드 소자에 부착되는 경우에 형광물질과 수지재의 필름 사이에 정전기력(Electrostatic force)이나 접착력(Adhesive force)으로 인하여 원하는 위치에 효과적으로 부착되지 않아서 백색광의 색 편차를 줄이는 것이 어려웠으며 발광 다이오드 소자와 형광필름의 접착력이 좋지 않아 신뢰성 문제가 발생되었다.Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2008-0070193 discloses a fluorescent film on which a fluorescent substance is formed on the film surface of a resin material. When the above-mentioned fluorescent film is attached to a light emitting diode device, It is difficult to reduce the color deviation of the white light because of the electrostatic force or the adhesive force between the light emitting diode and the fluorescent film due to the electrostatic force or the adhesive force.

또한, 상술한 형광 필름을 채용하는 발광 다이오드 소자는 리드프레임을 사용하게 되는데 리드프레임의 벽면의 반사로 인하여 발광 영역이 제한적이어서 지향각이 좁고, 휘도가 집중되는 핫 스팟(hot spot) 현상이 두드러지는 문제점이 있었다.
In addition, a light emitting diode element employing the above-mentioned fluorescent film uses a lead frame, which has a limited light emitting region due to reflection of a wall surface of the lead frame, and thus has a narrow directivity angle and a hot spot phenomenon in which brightness is concentrated .

따라서 본 발명은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 발광 다이오드 소자의 측면과 상면을 이격되어 둘러싸도록 캡(cap) 형상으로 형성되며 측부의 두께 및 상부의 두께가 균일하게 형성된 형광체층의 하면에, 회로 기판과 발광 다이오드 소자를 전기적으로 연결시키는 골드 와이어를 배치시킴으로써, 발광 다이오드 소자에서 발광되는 광원의 지향각을 효과적으로 증가시키면서도 핫 스팟(hot spot) 현상을 효과적으로 억제할 수 있는 발광 소자 패키지를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the problems of the prior art, and it is an object of the present invention to provide a light emitting diode device, which is formed in a cap shape so as to surround a side surface and an upper surface of the light emitting diode device, A gold wire that electrically connects the circuit board and the light emitting diode device is disposed on the lower surface of the phosphor layer formed uniformly in the thickness direction of the light emitting diode device, thereby effectively increasing the directivity angle of the light source emitted from the light emitting diode device, Emitting device package capable of effectively suppressing light emission.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 상술한 발광 소자 패키지를 용이하게 제조할 수 있는 발광 소자 패키지의 제조 방법을 제공하는 것이다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a light emitting device package capable of easily manufacturing the light emitting device package.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description are exemplary and explanatory and are not intended to limit the invention to the precise forms disclosed. Other objects, which will be apparent to those skilled in the art, It will be possible.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 본딩 패드가 형성되어 있는 회로 기판, 소정 영역의 파장의 빛을 제공하고, 상면에 칩 패드가 형성되어 있으며, 상기 회로 기판 상면에 접착되어 있는 발광 다이오드 소자, 상기 발광 다이오드 소자의 측면과 상면을 이격되어 둘러싸도록 캡(cap) 형상으로 형성되며, 측부의 두께 및 상부의 두께가 균일하게 형성된 형광체층, 상기 회로 기판의 본딩 패드와 상기 발광 다이오드 소자의 칩 패드를 전기적으로 연결하는 골드 와이어 및 상기 형광체층과 상기 발광 다이오드 소자 사이에 공간을 채우는 충진제를 포함하며, 상기 형광체층의 하면과 상기 회로 기판 사이에 상기 골드 와이어가 배치될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a light emitting device package including a circuit board on which a bonding pad is formed, a chip pad provided on a top surface of the circuit board, A phosphor layer formed in a cap shape so as to surround and enclose the side surface and the upper surface of the light emitting diode element, the phosphor layer having a uniform thickness on the side and a thickness on the top, A gold wire electrically connecting a bonding pad and a chip pad of the light emitting diode device; and a filler filling a space between the phosphor layer and the light emitting diode device, the gold wire being interposed between the lower surface of the phosphor layer and the circuit board, Can be disposed.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지는, 상기 형광체층이 형광체와 실리콘으로 형성될 수 있다.In the light emitting device package according to an embodiment of the present invention, the phosphor layer may be formed of a phosphor and silicon.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지는, 상기 충진제가 실리콘으로 형성될 수 있다.In the light emitting device package according to an embodiment of the present invention, the filler may be formed of silicon.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지는, 상기 발광 다이오드의 상면과 상기 형광체층의 간격이 10㎛ ~ 500㎛일 수 있다.In the light emitting device package according to an embodiment of the present invention, the interval between the upper surface of the light emitting diode and the phosphor layer may be 10 μm to 500 μm.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지는, 상기 발광 다이오드의 측면과 상기 형광체층의 간격이 10㎛ ~ 500㎛일 수 있다.In the light emitting device package according to an embodiment of the present invention, the interval between the side surface of the light emitting diode and the phosphor layer may be 10 μm to 500 μm.

상기와 같은 다른 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법은 소정 영역의 파장의 빛을 제공하고, 상면에 칩 패드가 형성되어 있는 발광 다이오드 소자를, 본딩 패드가 형성되어 있는 회로 기판 위에 마운트하는 단계, 상기 회로 기판의 본딩 패드와 상기 발광 다이오드 소자의 칩 패드를 골드 와이어로 와이어 본딩하는 단계, 상기 발광 다이오드 소자의 상부에 액상의 충진제를 도팅하고, 상기 액상의 충진제가 도팅되어 있는 발광 다이오드 상부와 상기 골드 와이어에, 캡(cap) 형상으로 형성되며 측부의 두께 및 상부의 두께가 균일하게 형성된 형광체층로 압력을 가하면서, 상기 형광체층이 상기 발광 다이오드 소자의 측면과 상면을 이격되어 둘러싸며 상기 골드 와이어가 상기 형광체층의 하면과 상기 회로 기판 사이에 배치되도록, 상기 형광체층을 배열하는 단계 및 상기 회로 기판 위에 마운트되어 있는 발광 다이오드 소자, 상기 발광 다이오드 소자의 측면과 상면을 이격되어 둘러싸는 형광체층, 상기 골드 와이어 및 상기 발광 다이오드 소자와 상기 형광체층 사이에 놓여 있는 액상의 충진제를 베이킹하는 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of fabricating a light emitting device package, the method comprising: providing a light emitting diode device having a chip padding on a top surface thereof, Bonding the bonding pad of the circuit board and the chip pad of the light emitting diode device by wire bonding with a gold wire, dipping a liquid filler on the light emitting diode device, The phosphor layer is formed on the upper portion of the light emitting diode to which the filler is doped and the gold wire while the pressure is applied to the phosphor layer formed in a cap shape and having the thickness of the side portion and the thickness of the upper portion uniformly formed, The gold wire is surrounded by the lower surface of the phosphor layer and the upper surface of the phosphor layer, Arranging the phosphor layers so as to be disposed between the light emitting diode elements, and arranging the phosphor layers so as to be disposed between the light emitting diode elements and the light emitting diode elements; And baking the liquid filler lying between the phosphor layers.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법은, 상기 형광체층이 형광체와 실리콘으로 형성될 수 있다.In the method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention, the phosphor layer may be formed of a phosphor and silicon.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법은, 상기 액상 충진제가 실리콘일 수 있다.In the method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention, the liquid filler may be silicon.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법은, 상기 발광 다이오드의 상면과 상기 형광체층의 간격이 10㎛ ~ 500㎛일 수 있다.In the method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention, the distance between the upper surface of the light emitting diode and the phosphor layer may be 10 to 500 μm.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법은, 상기 발광 다이오드의 측면과 상기 형광체층의 간격이 10㎛ ~ 500㎛일 수 있다.
In the method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention, the gap between the side surface of the light emitting diode and the phosphor layer may be 10 μm to 500 μm.

본 발명의 실시예들에 따른 발광 소자 패키지는 발광 다이오드 소자의 측면과 상면을 이격되어 둘러싸도록 캡(cap) 형상으로 형성되며 측부의 두께 및 상부의 두께가 균일하게 형성된 형광체층의 하면에, 회로 기판과 발광 다이오드 소자를 전기적으로 연결시키는 골드 와이어를 배치시킴으로써, 발광 다이오드 소자에서 발광되는 광원의 지향각을 효과적으로 증가시키면서도 핫 스팟(hot spot) 현상을 효과적으로 억제할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiments of the present invention is formed in a cap shape so as to surround the side surface and the upper surface of the light emitting diode device so as to surround the side surface and the upper surface of the light emitting diode device, By disposing the gold wire electrically connecting the substrate and the light emitting diode device, the hot spot phenomenon can be effectively suppressed while effectively increasing the directivity angle of the light source emitted from the light emitting diode device.

본 발명의 실시예들에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법은 상술한 형광체층의 하면에, 회로 기판과 발광 다이오드 소자를 전기적으로 연결시키는 골드 와이어를 배치시킴으로써, 공정 단계를 효과적으로 줄이면서도 공정 수율을 효과적으로 향상시킬 수 있다.
In the method of manufacturing a light emitting device package according to embodiments of the present invention, a gold wire for electrically connecting a circuit board and a light emitting diode device is disposed on the lower surface of the above-mentioned phosphor layer, thereby effectively reducing the process steps, Can be improved.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도.
도 2a 내지 도 2c는 도 1의 발광 소자 패키지의 세부 공정을 도시한 단면도.1 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention;
2A to 2C are cross-sectional views illustrating a detailed process of the light emitting device package of FIG.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 도 1에 도시된 것처럼, 발광 다이오드 소자(200), 회로 기판(100), 형광체층(300), 골드 와이어(510, 520) 및 충진제(400)를 포함하여 구성될 수 있다.1, the light emitting device package includes a light emitting diode device 200, a circuit substrate 100, a phosphor layer 300, gold wires 510 and 520, and a filler 400, As shown in FIG.

회로 기판(100)은 본딩 패드(121, 122)가 형성되어 있고, 발광 다이오드 소자(200)는 소정 영역의 파장의 빛을 제공하고, 상면에 칩 패드(210, 220)가 형성되어 있다. 여기에서, 발광 다이오드 소자(200)는 청색 파장의 빛을 제공하는 발광 다이오드 소자(200)나 자외선 파장의 빛을 제공하는 발광 다이오드 소자(200)일 수 있다.The circuit board 100 is formed with bonding pads 121 and 122. The light emitting diode device 200 provides light of a predetermined wavelength and chip pads 210 and 220 are formed on the top surface thereof. Here, the light emitting diode device 200 may be a light emitting diode device 200 providing light of a blue wavelength or a light emitting diode device 200 providing light of a ultraviolet wavelength.

한편, 형광체층(300)은 발광 다이오드 소자(200)의 측면과 상면을 이격되어 둘러싸도록 캡(cap) 형상으로 형성되며, 측부의 두께 및 상부의 두께가 균일하게 형성되어 발광 다이오드 소자(200)의 측면이나 상면에서 발광되는 빛의 파장을 변이시켜 발광 다이오드 소자(200)가 제공하는 빛을 백색광으로 변환시킨다. 여기에서, 형광체층(300)은 형광체와 실리콘 등에 의해 형성된다.The phosphor layer 300 is formed in a cap shape so as to surround the side surface and the upper surface of the light emitting diode device 200. The thickness of the side portion and the thickness of the upper portion are uniformly formed, The light emitted from the light emitting diode device 200 is converted into white light by changing the wavelength of light emitted from the side surface or the top surface of the light emitting diode device 200. Here, the phosphor layer 300 is formed of a phosphor, silicon, or the like.

골드 와이어(510, 520)는 회로 기판(100)의 본딩 패드(121, 122)와 상기 발광 다이오드 소자(200)의 칩 패드(210, 220)를 전기적으로 연결하며, 형광체층(300)의 하면과 상기 회로 기판(100) 사이에 상기 골드 와이어(510, 520)가 배치되고, 충진제(400)는 상기 형광체층(300)과 상기 발광 다이오드 소자(200) 사이에 공간을 채우고, 구체적으로, 실리콘 등에 의해 형성된다.The gold wires 510 and 520 electrically connect the bonding pads 121 and 122 of the circuit board 100 to the chip pads 210 and 220 of the light emitting diode device 200, The gold wires 510 and 520 are disposed between the phosphor layer 300 and the circuit board 100 and the filler 400 fills a space between the phosphor layer 300 and the LED 200, .

여기에서, 발광 다이오드의 상면과 상기 형광체층(300)의 간격(t)은 10㎛ ~ 500㎛이고, 발광 다이오드의 측면과 상기 형광체층(300)의 간격(g)은 10㎛ ~ 500㎛이다.Here, the interval t between the upper surface of the light emitting diode and the phosphor layer 300 is 10 占 퐉 to 500 占 퐉, and the interval g between the side surface of the light emitting diode and the phosphor layer 300 is 10 占 퐉 to 500 占 퐉 .

본 발명의 실시예들에 따른 발광 소자 패키지는 발광 다이오드 소자(200)의 측면과 상면을 이격되어 둘러싸도록 캡(cap) 형상으로 형성되며 측부의 두께 및 상부의 두께가 균일하게 형성된 형광체층(300)의 하면에, 회로 기판(100)과 발광 다이오드 소자(200)를 전기적으로 연결시키는 골드 와이어(510, 520)를 배치시킴으로써, 발광 다이오드 소자(200)에서 발광되는 광원의 지향각을 효과적으로 증가시키면서도 핫 스팟(hot spot) 현상을 효과적으로 억제할 수 있다.The light emitting device package according to embodiments of the present invention includes a phosphor layer 300 formed in a cap shape so as to surround the side surface and the upper surface of the light emitting diode device 200, The gold wires 510 and 520 for electrically connecting the circuit board 100 and the light emitting diode device 200 are arranged on the lower surface of the light emitting diode device 200 so that the directivity angle of the light source emitted from the light emitting diode device 200 is effectively increased It is possible to effectively suppress the hot spot phenomenon.

이하에서는, 도 2a 내지 도 2c를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 제조 방법에 대해서 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 2A to 2C.

먼저, 도 2a에 도시된 것처럼, 소정 영역의 파장의 빛을 제공하고, 상면에 칩 패드(210, 220)가 형성되어 있는 발광 다이오드 소자(200)를, 본딩 패드(121, 122)가 형성되어 있는 회로 기판(100) 위에 마운트한다. 여기에서, 발광 다이오드 소자(200)는 은 페이스트(250)를 이용하여 회로 기판(100) 위에 마운트한다.First, as shown in FIG. 2A, a light emitting diode device 200 in which light of a predetermined wavelength region is provided and chip pads 210 and 220 are formed on an upper surface thereof is formed by bonding pads 121 and 122 On the circuit board (100). Here, the light emitting diode element 200 is mounted on the circuit board 100 using the silver paste 250.

다음으로, 도 2b에 도시된 것처럼, 상기 회로 기판(100)의 본딩 패드(121, 122)와 상기 발광 다이오드 소자(200)의 칩 패드(210, 220)를 골드 와이어(510, 520)로 와이어 본딩한다.2B, the bonding pads 121 and 122 of the circuit board 100 and the chip pads 210 and 220 of the light emitting diode device 200 are connected to gold wires 510 and 520, respectively, Bonding.

다음으로, 상기 발광 다이오드 소자(200)의 상부에 액상의 충진제(400)를 도팅하고, 상기 액상의 충진제(400)가 도팅되어 있는 발광 다이오드 상부와 상기 골드 와이어(510, 520)에, 캡(cap) 형상으로 형성되며 측부의 두께 및 상부의 두께가 균일하게 형성된 형광체층(300)로 압력을 가하면서, 상기 형광체층(300)이 상기 발광 다이오드 소자(200)의 측면과 상면을 이격되어 둘러싸며 상기 골드 와이어(510, 520)가 상기 형광체층(300)의 하면과 상기 회로 기판(100) 사이에 배치되도록, 상기 형광체층(300)을 배열한다.Next, a liquid filler 400 is applied to the upper portion of the light emitting diode device 200, and a cap (not shown) is formed on the upper portion of the LED and the gold wires 510 and 520 to which the filler 400 is applied. the phosphor layer 300 is surrounded by the side surface and the upper surface of the light emitting diode device 200 while applying pressure to the phosphor layer 300 formed in the shape of a cap and having the thickness of the side portion and the thickness of the upper portion uniformly formed. And the phosphor layers 300 are arranged such that the gold wires 510 and 520 are disposed between the lower surface of the phosphor layer 300 and the circuit board 100.

다음으로, 도 2c에 도시된 것처럼, 상기 회로 기판(100) 위에 마운트되어 있는 발광 다이오드 소자(200), 상기 발광 다이오드 소자(200)의 측면과 상면을 이격되어 둘러싸는 형광체층(300), 상기 골드 와이어(510, 520) 및 상기 발광 다이오드 소자(200)와 상기 형광체층(300) 사이에 놓여 있는 액상의 충진제(400)를 베이킹한다.Next, as shown in FIG. 2C, a light emitting diode device 200 mounted on the circuit board 100, a phosphor layer 300 spaced apart from a side surface and the upper surface of the light emitting diode device 200, Gold wires 510 and 520 and a liquid filler 400 placed between the light emitting diode device 200 and the phosphor layer 300 are baked.

본 발명의 실시예들에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법은 상술한 형광체층(300)의 하면에, 회로 기판(100)과 발광 다이오드 소자(200)를 전기적으로 연결시키는 골드 와이어(510, 520)를 배치시킴으로써, 공정 단계를 효과적으로 줄이면서도 공정 수율을 효과적으로 향상시킬 수 있다.A method of manufacturing a light emitting device package according to embodiments of the present invention includes gold wires 510 and 520 for electrically connecting a circuit board 100 and a light emitting diode device 200 to a lower surface of the phosphor layer 300, The process yield can be effectively improved while effectively reducing the processing steps.

이상, 본 발명을 본 발명의 원리를 예시하기 위한 바람직한 실시예와 관련하여 설명하고 도시하였지만, 본 발명은 그와 같이 도시되고 설명된 그대로의 구성 및 작용으로 한정되는 것이 아니다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments.

오히려, 첨부된 청구범위의 사상 및 범주를 일탈함이 없이 본 발명에 대한 다수의 변경 및 수정이 가능함을 당업자들은 잘 이해할 수 있을 것이다.On the contrary, those skilled in the art will appreciate that many modifications and variations of the present invention are possible without departing from the spirit and scope of the appended claims.

따라서, 그러한 모든 적절한 변경 및 수정과 균등물들도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 간주되어야 할 것이다.
Accordingly, all such appropriate modifications and changes, and equivalents thereof, should be regarded as within the scope of the present invention.

100 : 회로 기판
121, 122 : 본딩 패드
200 : 발광 다이오드 소자
210, 220 : 칩 패드
300 : 형광체층
400 : 충진제
510, 520 : 골드 와이어100: circuit board
121, 122: bonding pads
200: Light emitting diode element
210, 220: chip pad
300: phosphor layer
400: filler
510, 520: Gold wire

Claims (10)

본딩 패드가 형성되어 있는 회로 기판;
소정 영역의 파장의 빛을 제공하고, 상면에 칩 패드가 형성되어 있으며, 상기 회로 기판 상면에 접착되어 있는 발광 다이오드 소자;
상기 발광 다이오드 소자의 측면과 상면을 이격되어 둘러싸도록 캡(cap) 형상으로 형성되며, 측부의 두께 및 상부의 두께가 균일하게 형성된 형광체층;
상기 회로 기판의 본딩 패드와 상기 발광 다이오드 소자의 칩 패드를 전기적으로 연결하는 골드 와이어; 및
상기 형광체층과 상기 발광 다이오드 소자 사이에 공간을 채우는 충진제를 포함하며,
상기 형광체층의 하면과 상기 회로 기판 사이에 상기 골드 와이어가 배치되는 발광 다이오드 패키지.
A circuit board on which a bonding pad is formed;
A light emitting diode element provided with a chip pad on an upper surface thereof and bonded to an upper surface of the circuit board,
A phosphor layer formed in a cap shape so as to surround the side surface and the upper surface of the light emitting diode and spaced apart from each other;
A gold wire electrically connecting the bonding pad of the circuit board and the chip pad of the light emitting diode device; And
And a filler filling a space between the phosphor layer and the light emitting diode,
And the gold wire is disposed between the lower surface of the phosphor layer and the circuit board.
제 1항에 있어서,
상기 형광체층은 형광체와 실리콘으로 형성된 발광 소자 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the phosphor layer is formed of a phosphor and silicon.
제 1항에 있어서,
상기 충진제는 실리콘으로 형성된 발광 소자 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the filler is made of silicon.
제 1항에 있어서,
상기 발광 다이오드의 상면과 상기 형광체층의 간격은 10㎛ ~ 500㎛인 발광 소자 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein a distance between an upper surface of the light emitting diode and the phosphor layer is 10 占 퐉 to 500 占 퐉.
제 1항에 있어서,
상기 발광 다이오드의 측면과 상기 형광체층의 간격은 10㎛ ~ 500㎛인 발광 소자 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein a distance between a side surface of the light emitting diode and the phosphor layer is 10 占 퐉 to 500 占 퐉.
소정 영역의 파장의 빛을 제공하고, 상면에 칩 패드가 형성되어 있는 발광 다이오드 소자를, 본딩 패드가 형성되어 있는 회로 기판 위에 마운트하는 단계;
상기 회로 기판의 본딩 패드와 상기 발광 다이오드 소자의 칩 패드를 골드 와이어로 와이어 본딩하는 단계;
상기 발광 다이오드 소자의 상부에 액상의 충진제를 도팅하고, 상기 액상의 충진제가 도팅되어 있는 발광 다이오드 상부와 상기 골드 와이어에, 캡(cap) 형상으로 형성되며 측부의 두께 및 상부의 두께가 균일하게 형성된 형광체층로 압력을 가하면서, 상기 형광체층이 상기 발광 다이오드 소자의 측면과 상면을 이격되어 둘러싸며 상기 골드 와이어가 상기 형광체층의 하면과 상기 회로 기판 사이에 배치되도록, 상기 형광체층을 배열하는 단계; 및
상기 회로 기판 위에 마운트되어 있는 발광 다이오드 소자, 상기 발광 다이오드 소자의 측면과 상면을 이격되어 둘러싸는 형광체층, 상기 골드 와이어 및 상기 발광 다이오드 소자와 상기 형광체층 사이에 놓여 있는 액상의 충진제를 베이킹하는 단계를 포함하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.
Mounting a light emitting diode device having a chip pad on an upper surface thereof on a circuit board on which a bonding pad is formed,
Wire bonding the bonding pads of the circuit board and the chip pads of the light emitting diode devices with gold wires;
A liquid filler is applied to the upper portion of the light emitting diode device, and a cap is formed on the upper portion of the light emitting diode where the liquid filler is doped and the gold wire, and the thickness of the side portion and the thickness of the upper portion are uniformly formed Arranging the phosphor layer so that the phosphor layer surrounds the side surface and the upper surface of the light emitting diode while the pressure is applied to the phosphor layer and the gold wire is disposed between the lower surface of the phosphor layer and the circuit board ; And
A light emitting diode device mounted on the circuit board, a phosphor layer surrounding and enclosing the side surface and the upper surface of the light emitting diode device, baking the gold wire, and a liquid filler lying between the light emitting diode device and the phosphor layer Wherein the light emitting diode package includes a light emitting diode package.
제 6항에 있어서,
상기 형광체층은 형광체와 실리콘으로 형성된 발광 소자 패키지의 제조 방법.
The method according to claim 6,
Wherein the phosphor layer is formed of a phosphor and silicon.
제 6항에 있어서,
상기 액상 충진제는 실리콘인 발광 소자 패키지의 제조 방법.
The method according to claim 6,
Wherein the liquid filler is silicon.
제 6항에 있어서,
상기 발광 다이오드의 상면과 상기 형광체층의 간격은 10㎛ ~ 500㎛인 발광 소자 패키지의 제조 방법.
The method according to claim 6,
And the interval between the upper surface of the light emitting diode and the phosphor layer is 10 to 500 mu m.
제 6항에 있어서,
상기 발광 다이오드의 측면과 상기 형광체층의 간격은 10㎛ ~ 500㎛인 발광 소자 패키지의 제조 방법.
The method according to claim 6,
Wherein a distance between the side surface of the light emitting diode and the phosphor layer is 10 to 500 mu m.
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