KR20160041890A - Chip substrate and substrate unit comprising a hemispherical cavity - Google Patents

Chip substrate and substrate unit comprising a hemispherical cavity Download PDF

Info

Publication number
KR20160041890A
KR20160041890A KR1020160041463A KR20160041463A KR20160041890A KR 20160041890 A KR20160041890 A KR 20160041890A KR 1020160041463 A KR1020160041463 A KR 1020160041463A KR 20160041463 A KR20160041463 A KR 20160041463A KR 20160041890 A KR20160041890 A KR 20160041890A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chip
chip substrate
cavity
substrate
present
Prior art date
Application number
KR1020160041463A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101777683B1 (en
Inventor
안범모
전영철
유경수
Original Assignee
(주)포인트엔지니어링
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)포인트엔지니어링 filed Critical (주)포인트엔지니어링
Priority to KR1020160041463A priority Critical patent/KR101777683B1/en
Publication of KR20160041890A publication Critical patent/KR20160041890A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101777683B1 publication Critical patent/KR101777683B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

The present invention relates to a chip circular plate and a chip substrate. According to the present invention, the chip circular plate including a semi-spherical type cavity comprises: a conducting part unidirectionally stacked to form the chip circular plate; an insulating part stacked alternately with the conducting part to electrically separate the conducting part; and a concave cavity in the form of a semicircle to a predetermined depth in an area including the insulating part for each of a plurality of unit chip substrates divided on an upper surface of the chip circular plate. According to the present invention, an optical device chip package having high illuminance at the center can be realized through a flat form plane lens easy to be fabricated. Furthermore, a thickness of the package can be reduced in comparison with using a semi-spherical type lens, thereby reducing a thickness of a device using the chip package.

Description

반구형 캐비티를 포함하는 칩 원판 및 칩 기판 {Chip substrate and substrate unit comprising a hemispherical cavity}[0001] The present invention relates to a chip substrate and a chip substrate including a hemispherical cavity,

본 발명은 칩 원판 및 칩 기판에 관한 것으로, 보다 상세하게는 칩 실장을 위한 캐비티를 구비하는 칩 원판에 관한 것이다.The present invention relates to a chip original plate and a chip substrate, and more particularly, to a chip original plate having a cavity for chip mounting.

종래에는 칩 원판에 대하여 칩을 실장하기 위한 공간으로 칩 원판의 상부면에 기계적인 가공이나 화학적인 식각으로 형성하였다. 즉, 가공되지 않은 사각판 모양의 금속원판의 상부를 에칭하여 실장공간을 형성하는 과정을 통해 제조하는 방법이 대한민국 등록특허공보에 등록번호 10-0986211호로 공고된 바 있다. 나아가, 이러한 칩 원판에 UV나 LED와 같은 광소자 칩이 실장되는 경우에는 광반사 성능을 높이기 위해 상광하협(上廣下陜) 형상의 공간을 형성하였다. 이러한 공간을 형성한 후 칩을 실장하고 실장 공간을 봉지하는 데 있어, 렌즈를 구성하여 광효율을 높였다.Conventionally, the upper surface of the chip original plate is formed by mechanical processing or chemical etching as a space for mounting a chip on a chip original plate. That is, a method of fabricating an upper part of an unprocessed rectangular plate-like metal disc by etching a mounting space has been disclosed in Korean Patent Registration No. 10-0986211. Furthermore, when an optical device chip such as UV or LED is mounted on such a chip substrate, a space of a top-down bottom shape is formed to enhance the light reflection performance. After forming such a space, the optical efficiency is increased by mounting a chip and sealing a mounting space by constructing a lens.

또한, 렌즈를 구성함에 있어 선행문헌 1(한국특허공개공보 10-2010-0122655)은 반구형태의 돔 구조의 렌즈를 형성하여 중심부의 조도를 향상시키고, 수지재 내에 함유되는 형광체가 일정하게 분산되도록 함으로써 균일한 밀도를 유지하여 색산포를 줄이는 방법을 제안하고 있다.In forming the lens, the prior art 1 (Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2010-0122655) forms a hemispherical dome-shaped lens to improve the illuminance of the center portion and to uniformly disperse the fluorescent substance contained in the resin material. Thereby maintaining a uniform density and reducing color scattering.

다만, 선행문헌 1과 같은 반구형의 렌즈는 가공상의 어려움이 존재하는 문제점이 있었다.However, the hemispherical lens as in the prior art document 1 has a problem of difficulty in processing.

본 발명은 상기 기술적 과제를 해결하기 위하여 평면형태의 렌즈를 사용하여 중심부의 조도를 향상시키는 방법을 제안하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to propose a method of improving the illuminance of a central portion using a planar lens.

보다 상세하게는 반구형태의 캐비티를 형성하여 평면형태의 렌즈를 사용하더라도 중심부의 조도를 향상시킬 수 있는 방법을 제안하는 것을 목적으로 한다.And more particularly, to provide a method of improving the illuminance of the center portion even if a hemispherical cavity is formed and a planar lens is used.

상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 실시예에 따른 반구형 캐비티를 포함하는 칩 원판은 일 방향으로 적층되어 칩 원판을 구성하는 도전부; 상기 도전부와 교호로 적층되어 상기 도전부를 전기적으로 분리시키는 절연부; 및 상기 칩 원판의 상면에서 구획된 복수의 단위 칩 기판마다 상기 절연부를 포함하는 영역에서 소정의 깊이로 반구형으로 오목한 캐비티를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a chip base plate including a hemispherical cavity according to one embodiment of the present invention. An insulating portion that is alternately stacked with the conductive portion and electrically separates the conductive portion; And a cavity recessed in a hemispherical shape at a predetermined depth in a region including the insulating portion for each of the plurality of unit chip substrates partitioned by the upper surface of the chip original plate.

상기 반구형 캐비티를 포함하는 칩 원판은, 상기 캐비티와 면으로 접하며 상기 캐비티보다 좁은 면적에서 깊지 않은 깊이로 형성된 보조홈을 더 포함한다.The chip original plate including the hemispherical cavity further includes an auxiliary groove which is in contact with the cavity and formed at a depth not smaller than an area of the cavity.

상기 캐비티의 중앙부는 원형의 평평한 면으로 형성되는 것이 바람직하다.The central portion of the cavity is preferably formed as a circular flat surface.

상기 반구형 캐비티를 포함하는 칩 원판은, 상기 칩 원판의 상면에서 구획된 복수의 단위 칩 기판의 접합을 위한 공간으로, 상기 칩 기판의 양끝의 도전부에서 오목하게 형성된 접합부를 더 포함한다.The chip original plate including the hemispherical cavity further includes a joint portion formed in the conductive portion at both ends of the chip substrate for joining a plurality of unit chip substrates partitioned from the upper surface of the chip original plate.

상기 반구형 캐비티를 포함하는 칩 원판의 상면 중, 상기 접합부를 포함하는 일부, 상기 캐비티 및 상기 보조홈을 제외한 영역에는 솔더 레지스트가 도포된 것이 바람직하다.It is preferable that solder resist is applied to an upper surface of the chip original plate including the hemispherical cavity, a part including the junction, and a region excluding the cavity and the auxiliary groove.

상기 반구형 캐비티를 포함하는 칩 원판의 하면 중,And a lower surface of the chip original plate including the hemispherical cavity,

상기 접합부를 포함하는 영역을 제외한 영역에는 솔더 레지스트가 도포된 것이 바람직하다.It is preferable that solder resist is applied to a region excluding the region including the junction.

상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 실시예에 따른 반구형 캐비티를 포함하는 칩 기판은 일 방향으로 적층되어 칩 기판을 구성하는 도전부; 상기 도전부와 교호로 적층되어 상기 도전부를 전기적으로 분리시키는 절연부; 상기 칩 기판의 상면에서 상기 절연부를 포함하는 영역에서 소정의 깊이로 반구형으로 오목한 캐비티; 및 상기 칩 기판의 접합을 위한 공간으로, 상기 칩 기판의 양끝의 도전부에서 오목하게 형성된 접합부를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a chip substrate including a hemispherical cavity, An insulating portion that is alternately stacked with the conductive portion and electrically separates the conductive portion; A cavity recessed in a hemispherical shape at a predetermined depth in a region including the insulating portion on an upper surface of the chip substrate; And a joint portion formed in the conductive portion at both ends of the chip substrate, the joint portion being a space for bonding the chip substrate.

상기 반구형 캐비티를 포함하는 칩 기판은, 상기 캐비티와 면으로 접하며 상기 캐비티보다 좁은 면적에서 깊지 않은 깊이로 형성된 보조홈을 더 포함한다.The chip substrate including the hemispherical cavity further includes an auxiliary groove which is in contact with the cavity and has a depth not greater than a depth of the cavity.

상기 캐비티의 중앙부는 원형의 평평한 면으로 형성되는 것이 바람직하다.The central portion of the cavity is preferably formed as a circular flat surface.

상기 반구형 캐비티를 포함하는 칩 기판의 상면 중, 상기 칩 기판의 접합부를 포함하는 일부, 상기 캐비티 및 상기 보조홈을 제외한 영역에는 솔더 레지스트가 도포된 것이 바람직하다.It is preferable that a solder resist is applied to the upper surface of the chip substrate including the hemispherical cavity, a part including the bonding portion of the chip substrate, and a region excluding the cavity and the auxiliary groove.

상기 반구형 캐비티를 포함하는 칩 기판의 하면 중, 상기 칩 기판의 접합부를 포함하는 영역을 제외한 영역에는 솔더 레지스트가 도포된 것이 바람직하다.It is preferable that a solder resist is applied to a region of the lower surface of the chip substrate including the hemispherical cavity except for a region including a junction portion of the chip substrate.

상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 실시예에 따른 반구형 캐비티를 포함하는 칩 패키지는 일 방향으로 적층되어 칩 원판을 구성하는 도전부; 상기 도전부와 교호로 적층되어 상기 도전부를 전기적으로 분리시키는 절연부; 상기 칩 원판의 상면에서 구획된 복수의 단위 칩 기판마다 상기 절연부를 포함하는 영역에서 소정의 깊이로 반구형으로 오목한 캐비티; 상기 캐비티와 면으로 접하며 상기캐비티보다 좁은 면적에서 깊지 않은 깊이로 형성된 보조홈; 및 상기 캐비티 내에서 상기 도전부 상에 실장되며, 상기 보조홈의 단면과 와이어 본딩되는 광소자 칩을 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a chip package including a hemispherical cavity, An insulating portion that is alternately stacked with the conductive portion and electrically separates the conductive portion; A cavity recessed in a hemispherical shape at a predetermined depth in a region including the insulating portion for each of the plurality of unit chip substrates partitioned by the upper surface of the chip original plate; An auxiliary groove formed on the surface of the cavity and having a depth not smaller than an area of the cavity; And an optical element chip mounted on the conductive portion in the cavity and wire-bonded to a cross section of the auxiliary groove.

본 발명에 따르면, 가공이 편한 평면형 렌즈를 통해 중심부의 조도가 높은 광소자 칩 패키지를 구현할 수 있다. 나아가, 반구형 렌즈를 이용하는 것에 비해 패키지의 두께도 줄일 수 있으므로 칩 패키지가 적용되는 기기의 두께를 줄일 수 있다.According to the present invention, it is possible to realize an optical device chip package having a high illuminance in the central portion through a planar lens that is easy to process. Furthermore, since the thickness of the package can be reduced as compared with the use of the hemispherical lens, the thickness of the device to which the chip package is applied can be reduced.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 반구형 캐비티를 구비하는 칩 기판의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 반구형 캐비티를 구비하는 칩 기판의 상면도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 반구형 캐비티를 구비하는 칩 기판의 배면도이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 반구형 캐비티를 구비하는 칩 기판의 접합을 예시하는 예시도이다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 반구형 캐비티를 구비하는 칩 원판의 상면도이다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 반구형 캐비티를 구비하는 칩 기판의 사시도이다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 반구형 캐비티를 구비하는 칩 원판의 상면도이다.1 is a perspective view of a chip substrate having a hemispherical cavity according to an embodiment of the present invention.
2 is a top view of a chip substrate having a hemispherical cavity according to an embodiment of the present invention.
3 is a rear view of a chip substrate having a hemispherical cavity according to an embodiment of the present invention.
4 is an exemplary view illustrating bonding of a chip substrate having a hemispherical cavity according to an embodiment of the present invention.
5 is a top view of a chip original plate having a hemispherical cavity according to an embodiment of the present invention.
6 is a perspective view of a chip substrate having a hemispherical cavity according to an embodiment of the present invention.
7 is a top plan view of a chip original plate having a hemispherical cavity according to an embodiment of the present invention.

이하의 내용은 단지 발명의 원리를 예시한다. 그러므로 당업자는 비록 본 명세서에 명확히 설명되거나 도시되지 않았지만 발명의 원리를 구현하고 발명의 개념과 범위에 포함된 다양한 장치를 발명할 수 있는 것이다. 또한, 본 명세서에 열거된 모든 조건부 용어 및 실시예들은 원칙적으로, 발명의 개념이 이해되도록 하기 위한 목적으로만 명백히 의도되고, 이와같이 특별히 열거된 실시예들 및 상태들에 제한적이지 않는 것으로 이해되어야 한다.The following merely illustrates the principles of the invention. Therefore, those skilled in the art will be able to devise various apparatuses which, although not explicitly described or shown herein, embody the principles of the invention and are included in the concept and scope of the invention. It is also to be understood that all conditional terms and examples recited in this specification are, in principle, expressly intended for the purpose of enabling the inventive concept to be understood, and are not intended to be limiting as to such specifically recited embodiments and conditions .

상술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해 질 것이며, 그에 따라 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other objects, features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: .

또한, 발명을 설명함에 있어서 발명과 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에 그 상세한 설명을 생략하기로 한다. 이하에는 첨부한 도면을 참조하여 상세하게 설명하는데, 편의상 칩으로서 LED를 예로 들어 설명한다.In the following description, a detailed description of known technologies related to the present invention will be omitted when it is determined that the gist of the present invention may be unnecessarily blurred. Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 실시예에서 칩 원판(10)을 제조하기 위하여 소정의 두께를 갖는 복수의 전기 전도성 물질을 포함하는 도전부(110)을 절연물질로 구성되는 절연부(120)을 사이에 두고 접합하여 교호로 적층한다.In this embodiment, in order to manufacture the chip base plate 10, the conductive parts 110 including a plurality of electrically conductive materials having a predetermined thickness are bonded to each other with the insulating part 120 formed of an insulating material therebetween, Laminated.

적층한 상태에서 가열 및 가압함으로써, 내부에 복수의 절연부(120)이 간격을 두고 배열되어 있는 전도물질괴(塊)가 제조된다. 다음으로 이렇게 제조된 전도물질 괴를 절연부(120)이 포함되도록 수직으로 절단함으로써, 복수의 수직 절연부(120)이 간격을 두고 평행하게 배열된 칩 원판(10)의 제조가 완료된다. 즉 본 실시예에서 일방향은 수직방향으로서, 전도물질괴를 적층방향에 따라 수직으로 절단하여 칩 원판(10)을 제조한다.By heating and pressing in a laminated state, conductive masses (masses) in which a plurality of insulating portions 120 are arranged with intervals are produced. Next, the conductive material mass thus produced is vertically cut so as to include the insulating portion 120, thereby completing the fabrication of the chip base plate 10 in which the plurality of vertical insulating portions 120 are arranged in parallel at intervals. In other words, in this embodiment, the one direction is the vertical direction, and the conductive material mass is vertically cut along the stacking direction to manufacture the chip original plate 10. [

상술한 방법에 따라 절단하여 제조된 칩 원판(10)에 대하여 반구형 캐비티(130)를 형성하여 본 실시예에 따른 렌즈 삽입부를 구비하는 칩 원판(10)을 제조한다.A hemispherical cavity 130 is formed on the chip base plate 10 manufactured by cutting according to the above-described method to manufacture a chip base plate 10 having a lens insertion portion according to the present embodiment.

본 실시예에서 칩 원판(10)은 도 5와 같은 형태로서, 칩 원판(10)의 상면에 복수의 반구형 캐비티(130)가 형성될 수 있다. 즉, 도 1 내지 3에 따른 칩 기판(100)은 하나의 단위 칩 기판(100)으로서 도 5에 따른 칩 원판(10)을 칩 기판(100)을 단위로 절단하여 제조될 수 있다.5, a plurality of hemispherical cavities 130 may be formed on the upper surface of the chip base plate 10. In this embodiment, That is, the chip substrate 100 according to FIGS. 1 to 3 can be manufactured by cutting the chip substrate 10 according to FIG. 5 into a single chip substrate 100 as a unit of the chip substrate 100.

이하 도 1을 참조하여, 본 실시예에 따른 반구형 캐비티(130)를 구비하는 칩 기판(100)에 대하여 설명한다.Hereinafter, a chip substrate 100 having a hemispherical cavity 130 according to the present embodiment will be described with reference to FIG.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 반구형 캐비티(130)를 구비하는 칩 기판(100)의 사시도이다.1 is a perspective view of a chip substrate 100 having a hemispherical cavity 130 according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 반구형 캐비티(130)를 구비하는 칩 기판(100)은 도전부(110), 절연부(120) 및 캐비티(130)를 포함한다.Referring to FIG. 1, a chip substrate 100 having a hemispherical cavity 130 according to the present embodiment includes a conductive portion 110, an insulating portion 120, and a cavity 130.

즉 본 실시예에 따른 칩 기판(100)을 위에서 보면 사각형의 칩 기판(100)에 대하여 내측으로 반구형 캐비티(130)가 형성되며, 이때 반구형 캐비티(130)는 절연부(120)를을 포함하여 형성된다.In other words, a hemispherical cavity 130 is formed inwardly with respect to a rectangular chip substrate 100 as viewed from above the chip substrate 100 according to the present embodiment. Here, the hemispherical cavity 130 includes an insulating portion 120 .

본 실시예에서 도전부(110)는 일 방향으로 적층되어 칩 기판(100)을 구성하는 것으로서, 후공정에 의해 실장되는 칩에 전극을 인가하는 전극으로서 기능하게 된다. 여기서, 일방향이란 상술한 바와 같이 적층단계에서 절연부(120)와 교호적으로 적층되는 도전부(110)의 적층방향에 따라 형성되는 것이며, 도 2에 따르면 수평방향으로 적층되어 형성 된다.In this embodiment, the conductive portions 110 are stacked in one direction to form the chip substrate 100, and function as electrodes for applying electrodes to chips mounted by a later process. Here, the one direction is formed along the stacking direction of the conductive parts 110 alternately stacked with the insulating part 120 in the stacking step as described above, and is formed by stacking in the horizontal direction according to FIG.

절연부(120)는 도전부(110)와 교호로 적층되어 도전부(110)를 전기적으로 분리시킨다. 즉 절연부(120)를 사이에 두고 절연되어 있는 칩 기판(100)은 각각 (+) 전극 단자, (-) 전극 단자로 기능할 수 있다.The insulating part 120 is stacked alternately with the conductive part 110 to electrically separate the conductive part 110. That is, the chip substrate 100, which is insulated with the insulation part 120 interposed therebetween, can function as (+) electrode terminal and (-) electrode terminal, respectively.

본 실시예에서 절연부(120)는 두개의 도전부(110) 사이에 하나 존재하는 것을 예로 들어 설명하나, 3개의 도전부(110) 사이에 두개의 절연부(120)가 형성되어 칩 기판(100)을 구성하는 것도 가능하며, 그 용도에 따라서 더욱 많은 절연부(120)가 형성되는 것도 가능하다.In the present embodiment, the insulating part 120 exists between two conductive parts 110, but two insulating parts 120 are formed between the three conductive parts 110, 100, and it is also possible to form more insulating portions 120 depending on the use thereof.

본 실시예에 따른 칩 기판(100)은 이상의 설명에 따라 절연부(120)를 포함하는 영역에 대하여 형성된 캐비티(130)를 더 포함할 수 있다.The chip substrate 100 according to the present embodiment may further include a cavity 130 formed in a region including the insulating portion 120 according to the above description.

본 실시예에서 캐비티(130)는 반구형 형상으로 이루어지는 것이 바람직하다. 캐비티(130)는 실장되는 칩의 광반사 성능을 높이고, 나아가 광원을 한 점으로 몰아주어 휘도를 상승시킬 수 있다. 따라서 캐비티(130)는 단면에서 소정의 곡률을 갖는 외벽이 형성되게 된다.In this embodiment, it is preferable that the cavity 130 has a hemispherical shape. The cavity 130 can increase the light reflection performance of the chip to be mounted and further increase the brightness by driving the light source to one point. Therefore, the cavity 130 has an outer wall having a predetermined curvature in a cross section.

또한, 캐비티(130)의 중앙부는 원형의 평평한 면으로 형성되는 것이 바람직하다. 즉, 칩이 기판에 대하여 기울어지지 않은 상태로 캐비티(130)에 실장되도록 하기 위하여 평평한 면을 더 포함할 수 있다.In addition, it is preferable that the central portion of the cavity 130 is formed as a circular flat surface. That is, the chip may further include a flat surface so as to be mounted on the cavity 130 without being tilted with respect to the substrate.

나아가 도 2를 참조하면, 본 실시예에 반구형 캐비티(130)를 구비하는 칩 기판(100)은 보조홈(140)을 더 포함할 수 있다. 즉 본 실시예에서 보조홈(140)은 캐비티(130)와 면으로 접하며 캐비티(130)보다 좁은 면적에서 깊지 않은 깊이로 형성된다.Referring to FIG. 2, the chip substrate 100 having the hemispherical cavity 130 may further include an auxiliary groove 140. That is, in this embodiment, the auxiliary groove 140 is formed to have a depth that is smaller than the area of the cavity 130, which is in contact with the cavity 130.

즉 도 1을 참조하면, 보조홈(140)은 캐비티(130) 보다는 깊지 않게 형성되며, 캐비티(130)의 면과 면으로 접하도록 형성된다. 또한 보조홈(140)의 단면은 평평한 면으로 형성된다.That is, referring to FIG. 1, the auxiliary groove 140 is formed so as not to be deeper than the cavity 130, and is in contact with the surface of the cavity 130. Further, the cross section of the auxiliary groove 140 is formed as a flat surface.

따라서 캐비티(130) 내에 칩이 실장되고 와이어 본딩을 통해 칩의 전극부와 전기적으로 연결되는 경우 와이어의 일단은 칩의 전극부와 접합되고 다른 일단은 보조홈의 평평한 면과 보다 쉽게 접합될 수 있다.Therefore, when the chip is mounted in the cavity 130 and electrically connected to the electrode portion of the chip through wire bonding, one end of the wire can be bonded to the electrode portion of the chip and the other end can be more easily bonded to the flat surface of the auxiliary groove .

또한 도 2를 참조하면, 본 실시예에서 보조홈(140)의 절단면의 형상은 구현의 편의상 원형으로 구현하였으나 설계에 따라서 직사각형, 타원형 등으로 변경될 수 있다. 또한 보조홈(140)의 깊이는 반구형의 캐비티(130)의 휘도 상승을 저하하지 않는 정도로 형성되는 것이 바람직하다.Referring to FIG. 2, the shape of the cut surface of the auxiliary groove 140 in the present embodiment is circular in shape for convenience of implementation, but it may be changed to a rectangular shape, an elliptical shape, or the like according to the design. Further, it is preferable that the depth of the auxiliary groove 140 is formed to a degree that does not lower the luminance rise of the hemispherical cavity 130.

또한, 도 1 및 도 2의 경우는 캐비티(130)가 하나로 구성되는 것을 예로 들었으나, 칩 기판(100)의 용도에 따라서 복수의 캐비티(130)를 형성하는 것도 가능하며, 예를 들어 네개의 캐비티(130)를 형성하고, 절연부(120)를 두개로 형성하는 것도 가능하다.1 and 2, the cavities 130 are formed as one unit. However, it is also possible to form a plurality of cavities 130 according to the use of the chip substrate 100. For example, It is also possible to form the cavity 130 and to form the insulating portion 120 in two.

또한, 도 1 및 도 2를 참조하면 본 실시예에 따른 칩 기판(100)은 칩 기판(100)의 접합을 위한 공간으로, 칩 기판(100)의 양끝의 도전부(110)에서 오목하게 형성된 접합부(160)를 더 포함한다. 즉 도 4를 참조하면 칩 기판(100)이 PCB 기판(200)과 솔더링을 통해 접합되는 경우 솔더(50)가 형성될 수 있는 공간을 마련하기 위하여 칩 기판(100)의 양끝의 도전부(110)는 오목하게 형성될 수 있다.1 and 2, the chip substrate 100 according to the present embodiment is a space for bonding the chip substrate 100. The chip substrate 100 is formed in a concave shape in the conductive portions 110 at both ends of the chip substrate 100 (160). 4, when the chip substrate 100 is bonded to the PCB substrate 200 through soldering, the conductive parts 110 (see FIG. 4) of the chip substrate 100 are formed on both sides of the chip substrate 100 in order to provide a space in which the solder 50 can be formed. May be concave.

본 실시예에서 도전부(110)는 칩 기판(100)의 양끝에 형성되어 모두 4개의 모서리에 대하여 형성되는 것을 예시하고 있으나, 이는 후술하는 칩 원판(10)을 통해 절단되어 형성된 칩 기판(100)의 제조공정상의 편의를 위한 것으로서 4개의 모서리 중 도 4에 따른 접합을 고려하여 접합되는 면에 대해서만 두개의 접합부(160)가 형성되는 것도 가능하다. 이에 대한 상세할 설명은 이하 도 5를 통해 설명하도록 한다.Although the conductive portions 110 are formed on both ends of the chip substrate 100 and are formed at four corners of the chip substrate 100 in the present embodiment, It is also possible that two joints 160 are formed only on the surfaces to be joined in consideration of the joining according to FIG. 4 among the four corners. A detailed description thereof will be described with reference to FIG.

접합부(160)의 형상은 내측으로 오목하여 솔더가 형성되는 공간만 마련하면 되는 것으로 그 형상이나 크기는 설계에 따라 다양하게 달라질 수 있다.The shape of the joining portion 160 may be recessed inward to provide only a space in which the solder is formed. The shape and size of the joining portion 160 may be variously changed according to the design.

또한, 본 실시예에 따른 칩 기판의 접합부는 바깥쪽으로 갈수록 닫히는 형상으로 형성될 수 있다. 즉 닫히는 형상이라는 것은 도 2와 같이 칩 기판의 끝으로 갈수록 접합부의 공간이 넓어지는 것이 아니라 다시 좁아진다는 것으로서, 솔더가 접합부에 도포될 때 외부로 빠져나가지 않도록 안정적으로 잡아주기 위한 것이다.In addition, the bonding portion of the chip substrate according to the present embodiment may be formed in a shape that is closed toward the outside. That is, as shown in FIG. 2, the closed shape means that the space of the joining portion does not become wider as it goes to the end of the chip substrate, but becomes narrower again so as to stably hold the joining portion so as not to escape to the outside when the solder is applied to the joining portion.

또한 도 6을 참조하면 본 실시예에 따른 칩 기판(100)은 도전부(110)의 양 단의 하면에서 솔더가 접합부에 도포될 때 솔더가 외부로 흐르는 것을 막기 위하여 방지턱(180)을 더 구성할 수 있다.6, the chip substrate 100 according to the present embodiment further includes a bump 180 to prevent the solder from flowing to the outside when the solder is applied on the bottom of both ends of the conductive portion 110 can do.

즉 도 6에서는 하면에서 일부 돌출되어 있는 것으로 형성된다. 따라서 솔더의 양이 적정량 이상으로 될 경우, 방지턱(180) 외의 부분에 나머지 솔더가 접지되게 되므로 PCB 기판과의 직접적으로 솔더링 되는 솔더의 양을 비슷하게 하여 패키지가 솔더링시 틸팅되는 것을 방지 할 수 있다.In other words, in FIG. Therefore, when the amount of the solder is more than the proper amount, the remaining solder is grounded to the portion other than the bump 180, so that the amount of the solder directly soldered to the PCB substrate is made similar to prevent the package from being tilted during soldering.

따라서 안정적인 솔더링 공정을 수행할 수 있으며, 불량을 해소하고 생산성 및 패키지의 질을 향상 시킬수 있다.Therefore, stable soldering process can be performed, defects can be eliminated, and productivity and package quality can be improved.

나아가 반구형 캐비티(130)를 포함하는 칩 기판(100)의 상면 중, 칩 기판(100)의 접합부(160)를 포함하는 영역, 캐비티(130) 및 보조홈(140)을 제외한 영역에는 솔더 레지스트(150)가 도포될 수 있다.In the upper surface of the chip substrate 100 including the hemispherical cavity 130, a region including the bonding portion 160 of the chip substrate 100, a region excluding the cavity 130 and the auxiliary groove 140, 150 may be applied.

상술한 바와 같이 솔더 레지스트(150)는 칩 기판(100)이 PCB기판(200)에 솔더링을 통해 접합되는 경우 접합에 이용되는 솔더(50)가 접합부(160) 외에 기판의 상면에 형성되는 것을 방지하여 절연파괴 등의 불량을 방지한다.The solder resist 150 prevents the solder 50 used for bonding when the chip substrate 100 is bonded to the PCB substrate 200 by soldering so that the solder 50 is not formed on the top surface of the substrate other than the bonding portion 160 Thereby preventing defects such as insulation breakdown.

또한 도 1 및 도 2를 참조하면 본 실시예에서 솔더 레지스트(150)는 칩 기판(100)의 상면에서 접합부(160) 보다 내측으로 오목하게 형성되는데 이는 솔더가 접합부(160) 외에 칩 기판(100)의 상면의 일부에는 형성될 수 있도록 하기 위한 것으로서, 도 4와 같이 PCB 기판(300)에 접합되는 경우 보다 솔더 면적을 넓혀 보다 강하게 접합 되도록 한다.1 and 2, the solder resist 150 is recessed inwardly of the bonding portion 160 from the upper surface of the chip substrate 100. In this case, the solder resist 150 is formed on the chip substrate 100 4, the solder area is wider than that of the PCB substrate 300, so that the solder joints are more strongly bonded to each other.

이와 마찬가지로 도 3을 참조하면, 반구형 캐비티(130)를 포함하는 칩 기판(100)의 하면 중, 칩 기판(100)의 접합부(160)를 포함하는 영역을 제외한 영역에는 솔더 레지스트(150)가 도포될 수 있다.3, a solder resist 150 is applied to a region of the lower surface of the chip substrate 100 including the hemispherical cavity 130 excluding the region including the bonding portion 160 of the chip substrate 100 .

즉, 도 1 및 도 2와 같이 솔더 레지스트(150)는 칩 기판(100)의 하면에서 접합부(160) 보다 내측으로 오목하게 형성되는데 이는 솔더가 접합부(160)외에 칩 기판(100)의 하면의 일부에는 형성될 수 있도록 하기 위한 것으로서, 도 4와 같이 PCB 기판(200)에 접합되는 경우보다 솔더 면적을 넓혀 보다 강하게 접합되도록 한다.1 and 2, the solder resist 150 is recessed inwardly of the bonding portion 160 from the lower surface of the chip substrate 100. This is because the solder is formed on the lower surface of the chip substrate 100 in addition to the bonding portion 160. [ And the solder area is wider than that in the case of bonding to the PCB substrate 200 as shown in FIG.

나아가 본 실시예에 따른 반구형 캐비티(130)를 포함하는 칩 기판(100)은 전극 표시부(170)를 더 포함할 수 있다.Furthermore, the chip substrate 100 including the hemispherical cavity 130 according to the present embodiment may further include an electrode display unit 170. [

도 1을 참조하면, 상술한 바와 같이 본 실시예에서 칩 기판(100)은 두개의 도전부(110) 사이에 절연부(120)가 형성되며, 따라서 절연부(120)로 분리된 도전부(110)는 각각의 다른 전극이 인가될 수 있다. 따라서 하나의 도전부(110)의 표면에만 마킹을 하여 마킹된 부분의 도전부(110)가 예를 들어 (+)극이 인가된 것으로 미리 약속하여 보다 용이하게 도전부(110)의 전극을 판단할 수 있다.Referring to FIG. 1, as described above, in the present embodiment, the chip substrate 100 has the insulating portion 120 formed between the two conductive portions 110, 110 may be applied to each other electrode. Therefore, only the surface of one conductive part 110 is marked so that the conductive part 110 of the marked part can be determined more easily by promising that the positive electrode is applied, for example, can do.

이하 도 5를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 반구형 캐비티(130)를 포함하는 칩 원판(10)에 대하여 설명한다.5, a description will be given of a chip original plate 10 including a hemispherical cavity 130 according to an embodiment of the present invention.

본 실시예에 따른 반구형 캐비티(130)를 포함하는 칩 원판(10)은 도전부(110), 절연부(120), 캐비티(130), 보조홈(140)을 포함한다.The chip disc 10 including the hemispherical cavity 130 according to the present embodiment includes a conductive portion 110, an insulating portion 120, a cavity 130, and an auxiliary groove 140.

즉, 상술한 실시예에서 반구형 캐비티(130)를 포함하는 칩 기판(100)은 도 5에 따른 칩 원판(10)을 미리 결정된 단위 칩 기판(100)의 크기로 절단하여 형성되는 것이므로 본 실시예에 따른 칩 원판(10)의 도전부(110), 절연부(120) 및 캐비티(130)는 상술한 실시예에 따른 기능을 수행한다.That is, in the above-described embodiment, the chip substrate 100 including the hemispherical cavity 130 is formed by cutting the chip base plate 10 according to FIG. 5 into a predetermined size of the unit chip substrate 100, The conductive part 110, the insulating part 120, and the cavity 130 of the chip original board 10 according to the first embodiment perform the functions according to the above-described embodiments.

따라서, 도전부(110)는 일 방향으로 적층되어 칩 원판(10)을 구성하고, 절연부(120)는 도전부(110)와 교호로 적층되어 도전부(110)를 전기적으로 분리시킨다.Therefore, the conductive parts 110 are stacked in one direction to form the chip substrate 10, and the insulating parts 120 are stacked alternately with the conductive parts 110 to electrically isolate the conductive parts 110. FIG.

캐비티(130)는 칩 원판(10)의 상면에서 구획된 복수의 단위 칩 기판(100)마다 절연부(120)를 포함하는 영역에서 소정의 깊이로 반구형으로 오목하게 형성된다.The cavity 130 is formed in a hemispherical shape with a predetermined depth in a region including the insulating portion 120 for each of the plurality of unit chip substrates 100 divided from the upper surface of the chip original plate 10.

또한, 반구형 캐비티(130)를 포함하는 칩 원판(10)의 상면 중, 구획된 복수의 단위 칩 기판(100) 영역의 적어도 한 모서리의 일부, 캐비티(130) 및 보조홈(140)을 제외한 영역에는 솔더 레지스트(150)가 도포되고, 반구형 캐비티(130)를 포함하는 칩 원판(10)의 하면 중, 칩 기판(100)의 접합부(160)를 포함하는 영역을 제외한 영역에는 솔더 레지스트(150)가 도포된다.The upper surface of the chip base plate 10 including the hemispherical cavity 130 is divided into at least a part of at least one corner of a plurality of divided unit chip substrate 100 regions, a region excluding the cavity 130 and the auxiliary groove 140 A solder resist 150 is applied to the chip substrate 100 and a solder resist 150 is formed on the lower surface of the chip substrate 10 including the hemispherical cavity 130 except for the region including the bonding portion 160 of the chip substrate 100. [ Is applied.

또한, 도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 칩 원판(10)은 접합부(160)를 더 포함한다. 접합부(160)는 칩 원판(10)의 도전부(110)를 관통하여 형성된다. 그 관통면은 상술한 실시예에서 설명한 바와 같이 칩 원판(10)으로부터 절단된 칩 기판(100)이 PCB 기판(200)과 솔더링을 통해 접합되는 경우 솔더(50)가 형성될 수 있는 공간을 마련하기 위하여 도전부(110)의 끝이 오목하게 형성되도록 타원형 등의 형상으로 형성될 수 있다.5, the chip base plate 10 according to the present embodiment further includes a bonding portion 160. As shown in FIG. The bonding portion 160 is formed through the conductive portion 110 of the chip original plate 10. As described in the above embodiments, when the chip substrate 100 cut from the chip substrate 10 is bonded to the PCB substrate 200 through soldering, the through-hole is provided with a space in which the solder 50 can be formed And may be formed in an elliptic shape or the like so that the ends of the conductive parts 110 are concave.

역시, 관통면의 형상은 절단 후 오목한 공간을 마련할 수 있도록 사각형이나 원 등의 형태로 변경하는 것도 가능하다.Also, the shape of the through-hole may be changed to a square or circle shape so as to provide a concave space after cutting.

또한, 도 7을 참조하면 본 실시예에 따른 칩 원판(10)은 도 7과 같은 구성으로 형성될 수도 있다.Referring to FIG. 7, the chip disc 10 according to the present embodiment may be formed as shown in FIG.

즉, 도 5와 달리 칩 기판의 접합부가 바깥쪽으로 갈수록 닫히는 형상으로 형성되도록 하기 위하여 접합부를 8자 형상(160)으로 관통되도록 형성할 수 있다.In other words, unlike FIG. 5, the bonding portion may be formed as an eight-shaped portion 160 so as to be formed in a closed shape as the bonding portion of the chip substrate goes outward.

또한 도 6에 따라 방지턱(180)을 미리 형성하기 위하여 칩 기판을 제조하기 위한 절단 라인을 고려하여 칩원판에 소정의 깊이와 폭을 갖는 라인 홈(190)을 형성하는 것도 가능하다.6, it is also possible to form a line groove 190 having a predetermined depth and width on the chip original plate in consideration of a cutting line for manufacturing a chip substrate in advance in order to form the bump 180 in advance.

따라서 도 7에 따른 칩 원판을 절단하게 되면 도 6과 같이 방지턱(180)을 갖는 칩 기판을 제조하는 것도 가능하다.Therefore, it is also possible to manufacture a chip substrate having the protrusion 180 as shown in FIG. 6 by cutting the chip original plate according to FIG.

이상의 본 발명에 따르면, 반구형태의 돔 구조의 렌즈를 형성하여 중심부의 조도를 향상시키고, 수지재 내에 함유되는 형광체가 일정하게 분산되도록 하기 위하여 반구형의 렌즈 대신 가공이 편한 평면형 렌즈를 통해 중심부의 조도가 높은 광소자 칩 패키지를 구현할 수 있다. 나아가, 반구형 렌즈를 이용하는 것에 비해 패키지의 두께도 줄일 수 있으므로 칩 패키지가 적용되는 기기의 두께를 줄일 수 있다.According to the present invention, a hemispherical dome-shaped lens is formed to improve the illuminance of the central portion and to uniformly disperse the phosphor contained in the resin material. Instead of a hemispherical lens, Can be realized. Furthermore, since the thickness of the package can be reduced as compared with the use of the hemispherical lens, the thickness of the device to which the chip package is applied can be reduced.

나아가 도시하지는 않았으나 이상의 상술한 실시예에 따른 칩 기판(100)을 이용하여 광소자 칩을 패키징하는 경우 광소자 칩은 반구형으로 오목한 캐비티(130) 내에서 도전부(110) 상에 실장되며, 보조홈(140)의 단면과 와이어 본딩된다.Although not shown, when the optical device chip is packaged using the chip substrate 100 according to the above-described embodiment, the optical device chip is mounted on the conductive part 110 in the hemispherically recessed cavity 130, And is wire-bonded to the end face of the groove 140.

즉, 광소자 칩에 전극의 인가는 와이어 본딩이나 도전부(110)와의 접합을 통해 구현될 수 있으며, 이러한 전극의 인가 방식은 실장되는 칩의 구조에 따라 다양하게 변경될 수 있음은 물론이다.That is, the application of the electrodes to the optical device chip can be realized through wire bonding or bonding with the conductive part 110, and the application method of the electrodes can be variously changed according to the structure of the mounted chip.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정, 변경 및 치환이 가능할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications, substitutions and substitutions are possible, without departing from the scope and spirit of the invention as disclosed in the accompanying claims. will be.

따라서, 본 발명에 개시된 실시예 및 첨부된 도면들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예 및 첨부된 도면에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Therefore, the embodiments disclosed in the present invention and the accompanying drawings are intended to illustrate and not to limit the technical spirit of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments and the accompanying drawings . The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

Claims (1)

PCB기판과 솔더링을 통해 접합되는 칩 기판을 포함하는 칩 패키지에 있어서,
상기 칩 기판은,
일 방향으로 적층되어 칩 기판을 구성하는 도전부;
상기 도전부와 교호로 적층되어 상기 도전부를 전기적으로 분리시키는 절연부;
상기 칩 기판의 상면에서 상기 절연부를 포함하는 영역에서 소정의 깊이로 형성된 캐비티; 및
상기 칩 기판의 양 끝에서 상기 칩 기판의 상, 하면을 관통하여 상기 도전부에서 오목하게 형성되는 접합부를 포함하고,
상기 도전부, 상기 절연부 및 상기 접합부가 형성된 상기 칩 기판의 측면이 상기 PCB기판을 향한 상태에서 상기 접합부의 솔더링에 의해 상기 PCB기판에 접합되는 것을 특징으로 하는 칩 패키지.A chip package comprising a chip substrate bonded to a PCB substrate by soldering,
The chip substrate includes:
A conductive part which is laminated in one direction and constitutes a chip substrate;
An insulating portion that is alternately stacked with the conductive portion and electrically separates the conductive portion;
A cavity formed on the upper surface of the chip substrate at a predetermined depth in a region including the insulating portion; And
And a bonding portion penetrating the upper and lower surfaces of the chip substrate at both ends of the chip substrate and being recessed in the conductive portion,
Wherein a side surface of the chip substrate on which the conductive portion, the insulating portion, and the bonding portion are formed is bonded to the PCB substrate by soldering of the bonding portion with the side surface facing the PCB substrate.
KR1020160041463A 2016-04-05 2016-04-05 Chip substrate and substrate unit comprising a hemispherical cavity KR101777683B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160041463A KR101777683B1 (en) 2016-04-05 2016-04-05 Chip substrate and substrate unit comprising a hemispherical cavity

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160041463A KR101777683B1 (en) 2016-04-05 2016-04-05 Chip substrate and substrate unit comprising a hemispherical cavity

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140057371A Division KR20150130153A (en) 2014-05-13 2014-05-13 Chip substrate and substrate unit comprising a hemispherical cavity

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160041890A true KR20160041890A (en) 2016-04-18
KR101777683B1 KR101777683B1 (en) 2017-09-12

Family

ID=55916849

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160041463A KR101777683B1 (en) 2016-04-05 2016-04-05 Chip substrate and substrate unit comprising a hemispherical cavity

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101777683B1 (en)

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3158232B2 (en) * 1993-05-20 2001-04-23 株式会社ゼクセルヴァレオクライメートコントロール Stacked heat exchanger
JP5482098B2 (en) * 2009-10-26 2014-04-23 日亜化学工業株式会社 Light emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
KR101777683B1 (en) 2017-09-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2012014382A1 (en) Semiconductor device
US9461207B2 (en) Light emitting device, and package array for light emitting device
US10014455B2 (en) Chip substrate comprising cavity with curved surfaces
KR101668353B1 (en) Chip substrate and chip package module
JP2008198782A (en) Light-emitting device
US9502618B2 (en) LED module
US20200066943A1 (en) Light-emitting apparatus
US9018653B2 (en) Light emitting device, circuit board, packaging array for light emitting device, and method for manufacturing packaging array for light emitting device
US9615493B2 (en) Light emitting device, and method for manufacturing circuit board
JP6314591B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device
KR102212340B1 (en) Chip substrate comprising junction groove in lens insert
KR20150075418A (en) Chip substrate comprising an lens insert
KR20150130153A (en) Chip substrate and substrate unit comprising a hemispherical cavity
JP4945416B2 (en) Light emitting module and manufacturing method thereof
JP6780293B2 (en) Manufacturing method of light emitting device
KR101777683B1 (en) Chip substrate and substrate unit comprising a hemispherical cavity
US20160380167A1 (en) Pre-cut substrate and unit chip substrate comprising hemispherical cavity
US10158056B2 (en) LED package, light emitting device and method for manufacturing LED package
KR101900933B1 (en) Chip substrate comprising an lens insert
KR101516371B1 (en) Chip substrate comprising a bonding groove and a sealing member for the chip substrate
CN106340503B (en) Chip original plate comprising hemispherical cavity and chip substrate
KR20150139190A (en) Device and device package
KR101900935B1 (en) Chip substrate comprising an lens insert
KR101582494B1 (en) Substrate for mounting a chip and chip package using the substrate
JP2011114172A (en) Substrate for mounting light-emitting element and light-emitting device

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant