KR20160039579A - Photosensitive-resin composition - Google Patents
Photosensitive-resin composition Download PDFInfo
- Publication number
- KR20160039579A KR20160039579A KR1020157037171A KR20157037171A KR20160039579A KR 20160039579 A KR20160039579 A KR 20160039579A KR 1020157037171 A KR1020157037171 A KR 1020157037171A KR 20157037171 A KR20157037171 A KR 20157037171A KR 20160039579 A KR20160039579 A KR 20160039579A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- group
- epoxy resin
- mass
- parts
- acid
- Prior art date
Links
- XKIGCIPCGYDJGO-UHFFFAOYSA-N COC1=C[I]=CC=C1 Chemical compound COC1=C[I]=CC=C1 XKIGCIPCGYDJGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F290/00—Macromolecular compounds obtained by polymerising monomers on to polymers modified by introduction of aliphatic unsaturated end or side groups
- C08F290/08—Macromolecular compounds obtained by polymerising monomers on to polymers modified by introduction of aliphatic unsaturated end or side groups on to polymers modified by introduction of unsaturated side groups
- C08F290/14—Polymers provided for in subclass C08G
- C08F290/144—Polymers containing more than one epoxy group per molecule
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F290/00—Macromolecular compounds obtained by polymerising monomers on to polymers modified by introduction of aliphatic unsaturated end or side groups
- C08F290/08—Macromolecular compounds obtained by polymerising monomers on to polymers modified by introduction of aliphatic unsaturated end or side groups on to polymers modified by introduction of unsaturated side groups
- C08F290/14—Polymers provided for in subclass C08G
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
- C08G59/14—Polycondensates modified by chemical after-treatment
- C08G59/1433—Polycondensates modified by chemical after-treatment with organic low-molecular-weight compounds
- C08G59/1438—Polycondensates modified by chemical after-treatment with organic low-molecular-weight compounds containing oxygen
- C08G59/1455—Monocarboxylic acids, anhydrides, halides, or low-molecular-weight esters thereof
- C08G59/1461—Unsaturated monoacids
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
- C08G59/14—Polycondensates modified by chemical after-treatment
- C08G59/1433—Polycondensates modified by chemical after-treatment with organic low-molecular-weight compounds
- C08G59/1488—Polycondensates modified by chemical after-treatment with organic low-molecular-weight compounds containing phosphorus
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
- C08L63/10—Epoxy resins modified by unsaturated compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/0275—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with dithiol or polysulfide compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
- G03F7/029—Inorganic compounds; Onium compounds; Organic compounds having hetero atoms other than oxygen, nitrogen or sulfur
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
- G03F7/031—Organic compounds not covered by group G03F7/029
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/032—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
- G03F7/0388—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable with ethylenic or acetylenic bands in the side chains of the photopolymer
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
- H05K3/285—Permanent coating compositions
- H05K3/287—Photosensitive compositions
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/032—Organic insulating material consisting of one material
- H05K1/0346—Organic insulating material consisting of one material containing N
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Emergency Medicine (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
- Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
Abstract
(A)산변성 비닐기 함유 에폭시 수지와, (B)아실포스핀옥사이드계 광중합 개시제와, (C1)알킬아미노벤젠 유도체, (C2)피라졸린계 증감제 또는 안트라센계 증감제, (C3)이미다졸계 광중합 개시제, 아크리딘계 광중합 개시제, 및 티타노센계 광중합 개시제로부터 선택되는 적어도 1종의 광중합 개시제, (C4)힌더드페놀계 산화방지제, 퀴논계 산화방지제, 아민계 산화방지제, 황계 산화방지제, 및 인계 산화방지제로부터 선택되는 적어도 1종의 산화방지제, 및 (C5)티올기 함유 화합물로부터 선택되는 적어도 1종의 (C)첨가제와, (D)광중합성 화합물을 포함하는 감광성 수지 조성물에 관한 것이다.(A) an acid-modified vinyl group-containing epoxy resin, (B) an acylphosphine oxide-based photopolymerization initiator, (C1) an alkylaminobenzene derivative, (C2) a pyrazoline- or anthracene-based sensitizer, (C4) hindered phenol antioxidant, a quinone antioxidant, an amine antioxidant, a sulfur-based antioxidant, an antioxidant, an antioxidant, a photopolymerization initiator, (C) at least one kind of (C) additive selected from a compound containing a thiol group, and (D) a photopolymerizable compound. .
Description
본 발명은, 감광성 수지 조성물, 그 감광성 수지 조성물을 사용한 감광성 엘리먼트, 영구 마스크 레지스터, 및 그 영구 마스크 레지스터를 구비하는 프린트 배선판에 관한 것이다.The present invention relates to a photosensitive resin composition, a photosensitive element using the photosensitive resin composition, a permanent mask resistor, and a printed wiring board comprising the permanent mask resistor.
프린트 배선판의 제조 분야에 있어서, 프린트 배선판상에 영구 마스크 레지스터를 형성하는 것이 실시되고 있다. 영구 마스크 레지스터는, 프린트 배선판의 사용시에, 도체층의 부식을 방지하거나, 도체층간의 전기 절연성을 유지하는 역할을 가진다. 최근, 영구 마스크 레지스터는, 반도체소자를 프린트 배선판상에 땜납을 통하여 플립칩 실장, 와이어본딩 실장 등을 실시하는 공정에서, 프린트 배선판의 도체층의 불필요한 부분에 땜납이 부착하는 것을 방지하는, 땜납 레지스트 막으로서의 역할도 가지게 되었다.In the field of manufacturing printed wiring boards, it has been practiced to form permanent mask resistors on printed wiring boards. The permanent mask resist has a role of preventing the corrosion of the conductor layer or maintaining electrical insulation between the conductor layers when using the printed wiring board. In recent years, the permanent mask resist has been used as a solder resist for preventing solder from adhering to an unnecessary portion of a conductor layer of a printed wiring board in the process of flip chip mounting, wire bonding mounting, etc. through a solder on a printed wiring board. I also had a role as a film.
종래, 프린트 배선판 제조에 있어서의 영구 마스크 레지스터는, 열경화성 수지 조성물을 사용하여 스크린 인쇄로, 또는 감광성 수지 조성물을 사용하여 사진법으로 제작되고 있다. 예를 들면, FC(Flip Chip), TAB(Tape Automated Bonding)및 COF(Chip On Film)라고 하는 실장 방식을 사용한 플렉서블 배선판에 있어서는, IC 칩, 전자 부품, LCD(Liquid Crystal Display)패널, 및 접속 배선 패턴 부분을 제외하고, 열경화성 수지 페이스트를 스크린 인쇄하고, 열경화하여 영구 마스크 레지스터를 형성하고 있다(예를 들면, 특허 문헌 1).Conventionally, a permanent mask resistor in the production of a printed wiring board is manufactured by a screen printing method using a thermosetting resin composition, or a photographic method using a photosensitive resin composition. For example, in a flexible wiring board using a mounting method called FC (Flip Chip), TAB (Tape Automated Bonding) and COF (Chip On Film), an IC chip, an electronic component, a liquid crystal display The thermosetting resin paste is screen printed and thermally cured to form a permanent mask resistor (for example, Patent Document 1).
또한, 전자 부품에 탑재되어 있는 BGA(Ball Grid Array), CSP(Chip Size Package) 등의 반도체 패키지 기판에 있어서는, (1)반도체 패키지 기판상에 땜납을 통하여 반도체소자를 플립칩 실장하기 위해서, (2)반도체소자와 반도체 패키지 기판을 와이어본딩 접합하기 위해서, 또는 (3)반도체 패키지 기판을 메인보드 기판상에 땜납 접합하기 위해서는, 그 접합 부분의 영구 마스크 레지스터를 제거할 필요가 있다. 그 때문에, 이 영구 마스크 레지스터의 형성에는, 감광성 수지 조성물을 도포 건조 후에 선택적으로 자외선 등의 활성 광선을 조사하여 경화시켜, 미조사 부분만을 현상액으로 제거하여 상(像)형성하는 사진법이 사용되고 있다. 사진법은, 그 작업성이 좋은 점에서 대량생산에 적합하기 때문에, 전자재료 업계에서는 감광성 수지 조성물의 상형성에 널리 사용되고 있다(예를 들면, 특허 문헌 2~4).In addition, in a semiconductor package substrate such as a BGA (ball grid array) or a CSP (chip size package) mounted on an electronic component, (1) in order to flip-chip a semiconductor element through solder on a semiconductor package substrate, 2) In order to wire-bond the semiconductor element and the semiconductor package substrate, or (3) to solder the semiconductor package substrate onto the main board substrate, it is necessary to remove the permanent mask resistor at the junction. For this reason, in order to form the permanent mask resist, a photolithography method is used in which a photosensitive resin composition is selectively applied and cured by irradiating actinic rays such as ultraviolet rays after drying, and only the unexposed portions are removed with a developer to form an image . The photographic method is suitable for mass production because of its good workability, and is widely used in image forming of a photosensitive resin composition in the electronic material industry (for example, Patent Documents 2 to 4).
그러나, 특허 문헌 2~4에 기재된 바와 같은 안료, 필러 등을 첨가한 감광성 수지 조성물을 사용하는 경우, 안료, 필러 등이 자외선의 투과를 방해하거나, 자외선을 흡수해 버리기 때문에, 20~40㎛ 이상이라고 하는 두꺼운 막인 영구 마스크 레지스터를 형성하려고 하면, 저부(底部)의 감광성 수지 조성물의 광경화를 충분히 얻을 수 없는 경우가 있어, 그 결과, 현상 후에 저부가 도려내지는 언더컷이 발생하는 경우가 있다.However, when a photosensitive resin composition containing pigments, fillers and the like as described in Patent Documents 2 to 4 is used, pigments, fillers, etc. interfere with transmission of ultraviolet rays or absorb ultraviolet rays, , There is a case that the photosensitive resin composition of the bottom portion is not sufficiently cured, and as a result, an undercut may be generated in which the bottom portion is cut off after the development.
저부의 광경화성을 향상시키기 위해서 자외선 조사의 노광량을 많게 하면, 광회절 및 헐레이션이 커져, 패턴 단면의 표면부(상부)의 선폭(線幅)에 대하여 중간부(중심부) 및 최심부(最深部)(저부)의 선폭이 커지기 위해, 레지스트 형상의 악화가 발생하거나, 혹은 해상성이 저하한다는 문제가 있다. 또한, 산소 저해에 의해 레지스트 깊이 방향으로 표면에서 3㎛ 정도에 이르는 영역에 있어서 광경화가 부족함으로써, 레지스트 상부가 결락되어, 레지스트 형상이 악화된다라는 문제도 있다. 따라서, 20~40㎛ 이상이라고 하는 두꺼운 막인 영구 마스크 레지스터를 형성하는 경우, 저부의 광경화성이 양호하고 해상성이 우수한 감광성 수지 조성물은 존재하지 않는 것이 현상태이다.When the exposure dose of ultraviolet light is increased in order to improve the photocurability of the bottom portion, the light diffraction and halation become large, and the intermediate portion (center portion) and the deepest portion (deepest portion (Bottom part) of the resist film (bottom part) becomes large, the resist shape deteriorates or the resolution is degraded. In addition, there is also a problem that the upper part of the resist is lost and the resist shape is deteriorated due to lack of photo-curing in the region from the surface to about 3 mu m in the depth direction of the resist due to oxygen inhibition. Therefore, when the permanent mask resist, which is a thick film having a thickness of 20 to 40 μm or more, is formed, there is no photosensitive resin composition having good photo-curability at the bottom and excellent resolution.
게다가, 최근, 전자기기의 소형화, 고성능화에 따라, 영구 마스크 레지스터의 구멍 지름의 크기, 및 구멍간의 간격 피치가, 미세화하는 경향이 있다. 예를 들면, 구멍 지름의 크기가 100㎛이면서 구멍간의 간격 피치가 100㎛, 또는 구멍 지름의 크기가 80㎛이면서 구멍간의 간격이 80㎛라고 하는 고정밀 패턴이 사용되고 있다. 그 때문에, 예를 들면, 플립칩 실장에 있어서는, 해상성의 향상과 동시에, 땜납 충전성의 점에서 레지스트 형상의 안정성이 우수한 영구 마스크 레지스터가 요구되고 있다.In addition, with the recent miniaturization and high performance of electronic devices, the size of the hole diameter of the permanent mask resistors and the interval pitch of the holes tend to become finer. For example, a high-precision pattern is used in which the size of the hole diameter is 100 mu m, the pitch of the spacing between the holes is 100 mu m, or the size of the hole diameter is 80 mu m, and the spacing between the holes is 80 mu m. For this reason, for example, in flip chip packaging, a permanent mask resistor having an improved stability in resist shape from the viewpoint of improvement in resolution and solder filling property is required.
본 발명의 목적은, 이러한 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 바이어 개구부의 저부의 경화성이 우수하므로, 저부가 도려내지는 언더컷의 발생, 및 레지스트 상부의 결락이 발생하는 일 없이, 또한 자외선 조사의 노광량을 많아지게 하지 않으므로 패턴 단면의 중간부(중심부) 및 최심부(저부)의 선폭이 표면부의 선폭에 대하여 커지지 않는, 즉 패턴 윤곽의 직선성이 좋고 레지스트 형상이 우수하며, 해상성이 우수한 패턴을 형성할 수 있는 감광성 수지 조성물, 그 감광성 수지 조성물을 사용한 감광성 엘리먼트, 영구 마스크 레지스터, 및 그 영구 마스크 레지스터를 구비하는 프린트 배선판을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a semiconductor device, which is excellent in curing property of a bottom portion of a via opening portion, The line width of the intermediate portion (central portion) and the deepest portion (bottom portion) of the pattern section does not become larger than the line width of the surface portion, that is, the linearity of the pattern outline is good, the resist shape is excellent, And a printed wiring board comprising the photosensitive element, the photosensitive element using the photosensitive resin composition, the permanent mask resist, and the permanent mask resist.
또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용하는 것으로, 최근의 전자기기의 소형화, 및 고성능화에 따른 미세화한 구멍 지름의 크기와 구멍간의 간격 피치의 형성 안정성이 우수한, 패턴 형성이 가능한 감광성 엘리먼트, 영구 마스크 레지스터, 및 그 영구 마스크 레지스터를 구비하는 프린트 배선판을 제공하는 것이다.Further, by using the photosensitive resin composition of the present invention, it is possible to use a photosensitive element capable of forming a pattern, which is excellent in the size of a fine hole diameter and the formation stability of spacing pitch between holes in accordance with recent miniaturization and high performance of electronic equipment, A resistor, and a permanent mask register thereof.
본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해서 예의 연구를 거듭한 결과, 하기의 발명에 의해 해결할 수 있다는 것을 찾아냈다. 즉 본 발명은, 하기의 감광성 수지 조성물, 감광성 엘리먼트, 영구 마스크 레지스터, 및 프린트 배선판을 제공하는 것이다.Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have conducted intensive studies to solve the above-mentioned problems, and as a result, found that the following inventions can solve the problems. That is, the present invention provides the following photosensitive resin composition, photosensitive element, permanent mask resist, and printed wiring board.
[1](A)산변성 비닐기 함유 에폭시 수지와, (B)아실포스핀옥사이드계 광중합 개시제와, (C1)알킬아미노벤젠 유도체, (C2)피라졸린계 증감제 또는 안트라센계 증감제, (C3)이미다졸계 광중합 개시제, 아크리딘계 광중합 개시제, 및 티타노센계 광중합 개시제로부터 선택되는 적어도 1종의 광중합 개시제, (C4)힌더드페놀계 산화방지제, 퀴논계 산화방지제, 아민계 산화방지제, 황계 산화방지제, 및 인계 산화방지제로부터 선택되는 적어도 1종의 산화방지제, 및 (C5)티올기 함유 화합물로부터 선택되는 적어도 1종의 (C)첨가제와, (D)광중합성 화합물을 포함하는 감광성 수지 조성물.(1) A photosensitive resin composition comprising (A) an epoxy resin containing an acid-modified vinyl group, (B) an acylphosphine oxide photopolymerization initiator, (C1) an alkylaminobenzene derivative, (C2) a pyrazoline- C3) at least one photopolymerization initiator selected from imidazole-based photopolymerization initiators, acridine-based photopolymerization initiators, and titanocene photopolymerization initiators; (C4) hindered phenol-based antioxidants, quinone-based antioxidants, (C) at least one kind of (C) additive selected from the group consisting of (C5) thiol group-containing compounds, and (D) a photopolymerizable compound .
[2]지지체와, 그 지지체 상에 상기 [1]에 기재된 감광성 수지 조성물을 사용하여 이루어지는 감광층을 구비하는 감광성 엘리먼트.[2] A photosensitive element comprising a support and a photosensitive layer formed on the support using the photosensitive resin composition according to [1].
[3]상기 [1]에 기재된 감광성 수지 조성물에 의해 형성되는 영구 마스크 레지스터.[3] A permanent mask resistor formed by the photosensitive resin composition according to [1] above.
[4]상기 [3]에 기재된 영구 마스크 레지스터를 구비하는 프린트 배선판.[4] A printed wiring board comprising the permanent mask resistor according to [3].
본 발명에 의하면, 저부가 도려내지는 언더컷의 발생, 및 레지스트 상부의 결락이 발생하는 일 없이, 패턴 윤곽의 직선성이 좋고 레지스트 형상이 우수하며, 해상성이 우수한 패턴을 형성할 수 있는 감광성 수지 조성물, 미세화한 구멍 지름의 크기와 구멍간의 간격 피치의 형성 안정성이 우수한 패턴 형성이 가능한 감광성 엘리먼트, 영구 마스크 레지스터, 및 이것을 구비하는 프린트 배선판을 얻을 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide a photosensitive resin composition capable of forming a pattern having good linearity of pattern outline, excellent resist shape and excellent resolution, without occurrence of undercut where the bottom portion is cut off, It is possible to obtain a photosensitive element, a permanent mask resistor, and a printed wiring board provided with the photosensitive element, which can form a pattern having a fine hole diameter and an excellent formation stability of spacing pitch between holes.
[도 1] 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성한 레지스트의 단면의 모식도이다.
[도 2] 실시예에서 사용한 네가티브 마스크의 패턴 형상을 나타내는 도이다.
[도 3] 실시예에서 사용한 네가티브 마스크의 패턴 형상을 나타내는 도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a resist formed using the photosensitive resin composition of the present invention.
2 is a diagram showing a pattern shape of a negative mask used in the embodiment.
3 is a diagram showing a pattern shape of a negative mask used in the embodiment.
[감광성 수지 조성물][Photosensitive resin composition]
본 발명에 있어서의 실시 형태(이하, 단순히 "본 실시 형태"라고도 한다)에 관련되는 감광성 수지 조성물은, (A)산변성 비닐기 함유 에폭시 수지(이하, "(A)성분"이라고도 한다)와, (B)아실포스핀옥사이드계 광중합 개시제(이하, "(B)성분"이라고도 한다)와, (C1)알킬아미노벤젠 유도체(이하, "(C1)성분"이라고도 한다), (C2)피라졸린계 증감제 또는 안트라센계 증감제(이하, "(C2)성분"이라고도 한다), (C3)이미다졸계 광중합 개시제, 아크리딘계 광중합 개시제, 및 티타노센계 광중합 개시제로부터 선택되는 적어도 1종의 광중합 개시제(이하, "(C3)성분"이라고도 한다), (C4)힌더드페놀계 산화방지제, 퀴논계 산화방지제, 아민계 산화방지제, 황계 산화방지제, 및 인계 산화방지제로부터 선택되는 적어도 1종의 산화방지제(이하, "(C4)성분"이라고도 한다), 및 (C5)티올기 함유 화합물(이하, "(C5)성분"이라고도 한다)로부터 선택되는 적어도 1종의 (C)첨가제(이하, "(C)성분"이라고도 한다)와, (D)광중합성 화합물(이하, "(D)성분"이라고도 한다)을 포함하는 감광성 수지 조성물이다.The photosensitive resin composition according to the embodiment of the present invention (hereinafter simply referred to as "the present embodiment") is a photosensitive resin composition containing an acid-modified vinyl group-containing epoxy resin (hereinafter also referred to as "component (A)") , (B) acylphosphine oxide photopolymerization initiator (hereinafter also referred to as "component (B)"), (C1) alkylaminobenzene derivative (hereinafter also referred to as "component (C1) (C3) an at least one photopolymerization initiator selected from imidazole-based photopolymerization initiators, acridine-based photopolymerization initiators, and titanocene-based photopolymerization initiators (hereinafter also referred to as " (Hereinafter also referred to as "component (C3)"), (C4) at least one antioxidant selected from hindered phenol antioxidants, quinone antioxidants, amine antioxidants, (Hereinafter also referred to as "component (C4)"), and (C5) thiol group (Hereinafter, also referred to as "(D) "), (D) at least one kind of additive (hereinafter also referred to as" ) Component "). ≪ / RTI >
이하, 각 성분에 관하여 설명한다.Hereinafter, each component will be described.
<(A)산변성 비닐기 함유 에폭시 수지><(A) Acid-Modified Vinyl Group-Containing Epoxy Resin>
본 실시 형태의 감광성 수지 조성물은, (A)성분으로서 산변성 비닐기 함유 에폭시 수지를 함유한다.The photosensitive resin composition of the present embodiment contains an acid-modified vinyl group-containing epoxy resin as the component (A).
(A)산변성 비닐기 함유 에폭시 수지는, 에폭시 수지를 비닐기 함유의 유기산으로 변성한 것이면 특히 제한은 없고, 에폭시 수지(a)와 비닐기 함유 모노카복실산(b)을 반응시켜 얻어지는 에폭시 수지(a')가 바람직하고, 나아가 그 에폭시 수지(a')와 포화기 또는 불포화기 함유 다염기산 무수물(c)을 반응시켜 얻어지는 에폭시 수지(a'')가 보다 바람직하다.The epoxy resin containing an acid-modified vinyl group (A) is not particularly limited as long as the epoxy resin is modified with an organic acid containing a vinyl group, and an epoxy resin obtained by reacting an epoxy resin (a) and a vinyl group- containing monocarboxylic acid (b) more preferably an epoxy resin (a '') obtained by reacting the epoxy resin (a ') with a saturated group or an unsaturated group-containing polybasic acid anhydride (c).
에폭시 수지(a)로서는, 하기 일반식(I)~(V)로 나타나는 구성 단위를 가지는 에폭시 수지로부터 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다. 각 일반식에서 나타나는 구성 단위를 가지는 에폭시 수지에 관하여 설명한다.The epoxy resin (a) is preferably at least one selected from epoxy resins having the structural units represented by the following general formulas (I) to (V). An epoxy resin having a constituent unit represented by each general formula will be described.
[일반식(I)로 나타나는 구성 단위를 가지는 노볼락형 에폭시 수지][A novolak type epoxy resin having a structural unit represented by the general formula (I)
우선, 에폭시 수지(a)로서는, 하기 일반식(I)로 나타나는 구성 단위를 가지는 노볼락형 에폭시 수지를 바람직하게 들 수 있으며, 이러한 구성 단위를 가지는 에폭시 수지로서는, 예를 들면, 하기 일반식(I')로 나타나는 노볼락형 에폭시 수지를 바람직하게 들 수 있다.The epoxy resin (a) is preferably a novolak type epoxy resin having a structural unit represented by the following general formula (I). As the epoxy resin having such a structural unit, for example, I '). ≪ / RTI >
일반식(I) 중, R11은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내며, Y1은 글리시딜기를 나타낸다. In the general formula (I), R 11 represents a hydrogen atom or a methyl group, and Y 1 represents a glycidyl group.
일반식(I)로 나타나는 구성 단위를 가지는 노볼락형 에폭시 수지 중, 일반식(I)로 나타나는 구성 단위의 함유량은, 바람직하게는 70질량% 이상, 보다 바람직하게는 90질량% 이상, 더욱 바람직하게는 95질량% 이상이다.In the novolak type epoxy resin having a constituent unit represented by the general formula (I), the content of the constituent unit represented by the general formula (I) is preferably 70% by mass or more, more preferably 90% by mass or more, By mass is 95% by mass or more.
또한, 일반식(I') 중, R11'는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, Y1'는 수소 원자 또는 글리시딜기를 나타내며, 또한 수소 원자와 글리시딜기와의 몰비는, 바람직하게는 0:100~30:70, 보다 바람직하게는 0:100~10:90, 더욱 바람직하게는 0:100이다. 수소 원자와 글리시딜기와의 몰비로부터 알 수 있듯이, 적어도 하나의 Y1'는 글리시딜기를 나타내는 것이다. 일반식(I') 중, n1은 1 이상의 정수를 나타낸다. 또한, 복수의 R11'는 각각 동일해도 상이해도 되며, 복수의 Y1'는 동일해도 상이해도 된다.In the general formula (I '), R 11 ' represents a hydrogen atom or a methyl group, Y 1 'represents a hydrogen atom or a glycidyl group, and the molar ratio of the hydrogen atom to the glycidyl group is preferably 0 : 100 to 30: 70, more preferably 0: 100 to 10: 90, and still more preferably 0: 100. As can be seen from the molar ratio of the hydrogen atom to the glycidyl group, at least one of Y 1 'represents a glycidyl group. In the general formula (I '), n1 represents an integer of 1 or more. The plural R 11 's may be the same or different from each other, and plural Y 1 ' s may be the same or different.
n1은, 상기와 같이 1 이상의 정수이며, 바람직하게는 10~200, 보다 바람직하게는 30~150, 더욱 바람직하게는 30~100이다. n1이 상기 범위 내이면, 레지스트 형상, 해상성, 내열성, 밀착성, 및 전기 절연성의 밸런스가 보다 우수한 레지스트 패턴을 얻을 수 있는 경향이 있다.n1 is an integer of 1 or more as described above, preferably 10 to 200, more preferably 30 to 150, still more preferably 30 to 100. When n1 is within the above range, there is a tendency to obtain a resist pattern having better balance of resist shape, resolution, heat resistance, adhesion, and electrical insulation.
일반식(I')로 나타나는 노볼락형 에폭시 수지로서는, 예를 들면, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지 등을 바람직하게 들 수 있다. 이들의 노볼락형 에폭시 수지는, 예를 들면, 공지의 방법으로 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지 등의 페놀 수지와 에피클로로히드린 등의 에피할로히드린을 반응시킴으로써 얻을 수 있다.Examples of the novolak-type epoxy resin represented by the general formula (I ') include phenol novolac-type epoxy resin, cresol novolak-type epoxy resin and the like. These novolak-type epoxy resins can be obtained, for example, by reacting a phenol resin such as phenol novolac resin or cresol novolac resin with an epihalohydrin such as epichlorohydrin by a known method.
일반식(I')로 나타나는 노볼락형 에폭시 수지로서는, 예를 들면, YDCN-701, YDCN-702, YDCN-703, YDCN-704, YDCN-704L, YDPN-638, YDPN-602(이상, 신닛뽄세이테츠스미킨가가쿠(주)제, 상품명), DEN-431, DEN-439(이상, 다우케미컬(주)제, 상품명), EOCN-120, EOCN-102S, EOCN-103S, EOCN-104S, EOCN-1012, EOCN-1025, EOCN-1027, BREN(이상, 닛뽄카야쿠(주)제, 상품명), EPN-1138, EPN-1235, EPN-1299(이상, BASF재팬(주)제, 상품명), N-730, N-770, N-865, N-665, N-673, VH-4150, VH-4240(이상, DIC(주)제, 상품명) 등이 상업적으로 입수 가능하다.Examples of the novolac epoxy resin represented by the general formula (I ') include YDCN-701, YDCN-702, YDCN-703, YDCN-704, YDCN-704L, YDPN-638, YDPN- EOCN-102S, EOCN-103S, EOCN-104S, and DEN-439 (trade names, manufactured by Daou Chemical Co., Ltd.) EOCN-1012, EOCN-1025, EOCN-1027 and BREN (trade names, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), EPN-1138, EPN- , N-730, N-770, N-865, N-665, N-673, VH-4150 and VH-4240 (trade names, manufactured by DIC Corporation).
[일반식(II)로 나타나는 구성 단위를 가지는 에폭시 수지][Epoxy resin having a constituent unit represented by the general formula (II)] [
에폭시 수지(a)로서는, 하기 일반식(II)로 나타나는 구성 단위를 가지는 에폭시 수지를 바람직하게 들 수 있으며, 이러한 구성 단위를 가지는 에폭시 수지로서는, 예를 들면, 하기 일반식(II')로 나타나는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 및 비스페놀 F형 에폭시 수지를 바람직하게 들 수 있다.As the epoxy resin (a), an epoxy resin having a constituent unit represented by the following general formula (II) is preferably exemplified. As the epoxy resin having such a constituent unit, for example, an epoxy resin represented by the following general formula A bisphenol A type epoxy resin, and a bisphenol F type epoxy resin.
일반식(II) 중, R12는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, Y2는 글리시딜기를 나타낸다.In the general formula (II), R 12 represents a hydrogen atom or a methyl group, and Y 2 represents a glycidyl group.
일반식(II)로 나타나는 구성 단위를 가지는 에폭시 수지 중, 일반식(II)로 나타나는 구성 단위의 함유량은, 바람직하게는 70질량% 이상, 보다 바람직하게는 90질량% 이상, 더욱 바람직하게는 95질량% 이상이다.The content of the structural unit represented by the general formula (II) in the epoxy resin having the structural unit represented by the general formula (II) is preferably 70% by mass or more, more preferably 90% by mass or more, still more preferably 95% Mass% or more.
또한, 일반식(II') 중, R12'는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, Y2'는 수소 원자 또는 글리시딜기를 나타내며, 또한 수소 원자와 글리시딜기와의 몰비는, 바람직하게는 0:100~30:70, 보다 바람직하게는 0:100~10:90, 더욱 바람직하게는 0:100이다. 수소 원자와 글리시딜기와의 몰비로부터 알 수 있듯이, 적어도 하나의 Y2'는 글리시딜기를 나타내는 것이다. 일반식(II') 중, n2는 1 이상의 정수를 나타낸다. 또한, 복수의 R12'는 동일해도 상이해도 되며, n2가 2 이상의 경우, 복수의 Y2'는 동일해도 상이해도 된다.In the general formula (II '), R 12 ' represents a hydrogen atom or a methyl group, Y 2 'represents a hydrogen atom or a glycidyl group, and the molar ratio of the hydrogen atom to the glycidyl group is preferably 0 : 100 to 30: 70, more preferably 0: 100 to 10: 90, and still more preferably 0: 100. As can be seen from the molar ratio of the hydrogen atom to the glycidyl group, at least one of Y 2 'represents a glycidyl group. In the general formula (II '), n2 represents an integer of 1 or more. The plurality of R 12 'may be the same or different from each other. When n 2 is 2 or more, a plurality of Y 2 ' may be the same or different.
n2는, 상기와 같이 1 이상의 정수이며, 바람직하게는 10~100, 보다 바람직하게는 10~80, 더욱 바람직하게는 15~60이다. n2가 상기 범위 내이면, 레지스트 형상, 해상성, 밀착성, 내열성, 및 전기 절연성의 밸런스가 보다 우수한 레지스트 패턴을 얻을 수 있는 경향이 있다.n2 is an integer of 1 or more, preferably 10 to 100, more preferably 10 to 80, and still more preferably 15 to 60 as described above. When n2 is within the above range, there is a tendency to obtain a resist pattern having a better balance of resist shape, resolution, adhesion, heat resistance, and electrical insulation.
일반식(II')에 나타나는, Y2'가 글리시딜기인 비스페놀 A형 에폭시 수지 또는 비스페놀 F형 에폭시 수지는, 예를 들면, 하기 일반식(VII)로 나타나는 비스페놀 A형 에폭시 수지 또는 비스페놀 F형 에폭시 수지의 수산기와 에피클로로히드린 등의 에피할로히드린을 반응시킴으로써 얻을 수 있다.The bisphenol A type epoxy resin or bisphenol F type epoxy resin represented by the general formula (II ') wherein Y 2 ' is a glycidyl group is, for example, bisphenol A type epoxy resin or bisphenol F type epoxy resin represented by the following general formula (VII) Type epoxy resin with an epihalohydrin such as epichlorohydrin.
일반식(VII) 중, R12 및 n2는, 상기와 동일하다.In the general formula (VII), R 12 and n 2 are the same as described above.
에피할로히드린의 사용량은, 레지스트 형상, 해상성, 막 강도, 내열성, 절연 신뢰성, 내열 충격성, 및 해상성의 밸런스가 보다 우수한 레지스트 패턴을 얻을 수 있는 것을 고려하면, 일반식(VII)로 나타나는 에폭시 수지 중의 수산기 1몰에 대해 2~10몰로 하는 것이 바람직하다.Considering that the amount of epihalohydrin to be used is a resist pattern which is more excellent in balance of resist shape, resolution, film strength, heat resistance, insulation reliability, thermal shock resistance and resolution, It is preferably 2 to 10 mol based on 1 mol of the hydroxyl group in the epoxy resin.
이와 동일한 관점에서, 일반식(VII)로 나타나는 에폭시 수지와 에피할로히드린과의 반응에 있어서, 염기성 촉매를 사용하는 것이 바람직하다. 염기성 촉매로서는, 예를 들면, 알칼리 토류금속 수산화물, 알칼리 금속 탄산염, 알칼리 금속 수산화물 등을 바람직하게 들 수 있으며, 수산화 나트륨, 수산화 칼륨, 수산화 칼슘 등의 알칼리 금속 수산화물이 촉매 활성의 관점에서 보다 바람직하다. 또한, 그 사용량은, 일반식(VII)로 나타나는 에폭시 수지 중의 수산기 1몰에 대해 0.9~2몰인 것이 바람직하다.From the same viewpoint, it is preferable to use a basic catalyst in the reaction of the epoxy resin represented by the general formula (VII) with epihalohydrin. Preferable examples of the basic catalyst include alkaline earth metal hydroxides, alkali metal carbonates and alkali metal hydroxides, and alkali metal hydroxides such as sodium hydroxide, potassium hydroxide and calcium hydroxide are more preferable in terms of catalytic activity . The amount of the epoxy resin to be used is preferably 0.9 to 2 moles per mole of the hydroxyl group in the epoxy resin represented by the general formula (VII).
일반식(VII)로 나타나는 에폭시 수지와 에피할로히드린과의 반응에 있어서, 반응속도를 보다 높이는 관점에서, 유기용매로서, 예를 들면, 메탄올, 에탄올 등의 알코올류; 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브 등의 셀로솔브류; 테트라히드로푸란, 디옥산 등의 에테르류; 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, 디메틸술폭시드 등의 극성 유기용제 등을 사용하는 것이 바람직하다. 이들 중에서 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있으며, 극성 조정의 관점에서 2종 이상을 조합하여 사용하는 것이 바람직하다.As the organic solvent, alcohols such as methanol and ethanol may be used as the organic solvent in view of increasing the reaction rate in the reaction of the epoxy resin represented by the general formula (VII) with epihalohydrin. Cellosolve such as methylcellosolve, ethylcellosolve; Ethers such as tetrahydrofuran and dioxane; Polar organic solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide and dimethylsulfoxide are preferably used. Of these, one type may be used alone, or two or more types may be used in combination. From the viewpoint of polarity adjustment, it is preferable to use two or more types in combination.
또한, 반응 온도는 바람직하게는 20~120℃, 보다 바람직하게는 50~120℃이며, 반응 시간은 바람직하게는 0.5~10시간이다. 반응 온도와 반응 시간이 상기 범위 내이면, 반응이 늦어지기 어렵고, 또한 부반응 생성물이 발생하기 어렵다.The reaction temperature is preferably 20 to 120 ° C, more preferably 50 to 120 ° C, and the reaction time is preferably 0.5 to 10 hours. If the reaction temperature and the reaction time are within the above range, the reaction is hardly delayed and side reaction products are hardly generated.
상기의 반응의 후, 바람직하게는 가열 감압하, 증류에 의해 미반응의 에피할로히드린, 유기용매 등을 유거(留去)하여, 일반식(II')로 나타나는 에폭시 수지를 얻을 수 있다.After the above reaction, unreacted epihalohydrin, an organic solvent, and the like are distilled off by distillation, preferably under heating and reduced pressure, to obtain an epoxy resin represented by the general formula (II ') .
또한, 보다 순도 높은 에폭시 수지를 얻는 관점에서, 얻어진 에폭시 수지를 유기용매에 재용해시켜, 상기의 알칼리 금속 수산화물 등의 염기성 촉매를 첨가하여 반응시킬 수 있다. 이때, 반응속도를 높이는 관점에서, 4급 암모늄염, 크라운 에테르 등의 상간(相間) 이동 촉매를, 에폭시 수지에 대해 0.1~3질량%의 범위로 사용하는 것이 바람직하다. 이 경우, 반응 종료 후에 생성된 염(鹽) 등을 여과, 수세 등에 의해 제거하고, 또한 가열 감압하에서 유기용매 등을 유거함으로써, 고순도의 에폭시 수지를 얻을 수 있다.From the viewpoint of obtaining a higher purity epoxy resin, the obtained epoxy resin can be redissolved in an organic solvent and reacted with a basic catalyst such as an alkali metal hydroxide as described above. At this time, it is preferable to use an interphase transfer catalyst such as quaternary ammonium salt and crown ether in an amount of 0.1 to 3% by mass based on the epoxy resin, from the viewpoint of increasing the reaction rate. In this case, the salt or the like produced after completion of the reaction is removed by filtration, washing with water or the like, and the organic solvent or the like is distilled off under heating and reduced pressure, whereby a high-purity epoxy resin can be obtained.
일반식(II')로 나타나는 비스페놀 A형 에폭시 수지 또는 비스페놀 F형 에폭시 수지로서는, 예를 들면, 에피코트 807, 815, 825, 827, 828, 834, 1001, 1004, 1007 및 1009(이상, 미쓰비시가가쿠(주)제, 상품명), DER-330, DER-301, DER-361(이상, 다우케미컬(주)제, 상품명), YD-8125, YDF-170, YDF-175S, YDF-2001, YDF-2004, YDF-8170(이상, 신닛뽄세이테츠스미킨가가쿠(주)제, 상품명) 등이 상업적으로 입수 가능하다.Examples of the bisphenol A type epoxy resin or bisphenol F type epoxy resin represented by the general formula (II ') include Epikote 807, 815, 825, 827, 828, 834, 1001, 1004, 1007 and 1009 DER-330, DER-301, DER-361 (trade names, manufactured by Dow Chemical Co., Ltd.), YD-8125, YDF-170, YDF-175S, YDF-2001, YDF-2004 and YDF-8170 (all trade names, manufactured by Shin-Nippon Seisakusho Co., Ltd.) are commercially available.
[일반식(III)으로 나타나는 구성 단위를 가지는 에폭시 수지][Epoxy resin having a structural unit represented by the general formula (III)
에폭시 수지(a)로서는, 하기 일반식(III)으로 나타나는 구성 단위를 가지는 에폭시 수지를 바람직하게 들 수 있으며, 이러한 구성 단위를 가지는 에폭시 수지로서는, 예를 들면, 하기 일반식(III')로 나타나는 트리페놀메탄형 에폭시 수지를 바람직하게 들 수 있다.As the epoxy resin (a), an epoxy resin having a constituent unit represented by the following general formula (III) is preferably exemplified. As the epoxy resin having such a constituent unit, for example, And triphenol methane type epoxy resins.
일반식(III) 및 (III') 중, Y3은 수소 원자 또는 글리시딜기를 나타내고, 또한 수소 원자와 글리시딜기와의 몰비는, 바람직하게는 0:100~30:70이다. 수소 원자와 글리시딜기와의 몰비로부터 알 수 있듯이, 적어도 하나의 Y3은 글리시딜기를 나타내는 것이다. 식(III') 중, n3은 1 이상의 정수를 나타낸다. 또한, 복수의 Y3은 동일해도 상이해도 된다.In the general formulas (III) and (III '), Y 3 represents a hydrogen atom or a glycidyl group, and the molar ratio of the hydrogen atom to the glycidyl group is preferably from 0: 100 to 30: 70. As can be seen from the molar ratio of the hydrogen atom to the glycidyl group, at least one Y 3 represents a glycidyl group. In the formula (III '), n3 represents an integer of 1 or more. The plurality of Y < 3 > may be the same or different.
n3은, 상기와 같이 1 이상의 정수이며, 바람직하게는 10~100, 보다 바람직하게는 15~80, 더욱 바람직하게는 15~70이다. n3가 상기 범위 내이면, 레지스트 형상, 해상성, 내열성, 밀착성, 및 전기 절연성의 밸런스가 보다 우수한 레지스트 패턴을 얻을 수 있다.n3 is an integer of 1 or more as described above, preferably 10 to 100, more preferably 15 to 80, still more preferably 15 to 70. When n3 is within the above range, a resist pattern having a better balance of resist shape, resolution, heat resistance, adhesion, and electrical insulation can be obtained.
일반식(III)으로 나타나는 구성 단위를 가지는 에폭시 수지 중, 일반식(III)으로 나타나는 구성 단위의 함유량은, 바람직하게는 70질량% 이상, 보다 바람직하게는 90질량% 이상, 더욱 바람직하게는 95질량% 이상이다.The content of the structural unit represented by the general formula (III) in the epoxy resin having the structural unit represented by the general formula (III) is preferably 70% by mass or more, more preferably 90% by mass or more, still more preferably 95% Mass% or more.
일반식(III')로 나타나는 트리페놀메탄형 에폭시 수지로서는, 예를 들면, FAE-2500, EPPN-501H, EPPN-502H(이상, 니뽄카야쿠(주)제, 상품명) 등이 상업적으로 입수 가능하다.Examples of the triphenolmethane type epoxy resin represented by the general formula (III ') include commercially available products such as FAE-2500, EPPN-501H and EPPN-502H (manufactured by Nippon Kayaku Co., Do.
[일반식(IV)로 나타나는 구성 단위를 가지는 비스페놀노볼락형 에폭시 수지][Bisphenol novolak type epoxy resin having a structural unit represented by the general formula (IV)] [
에폭시 수지(a)로서는, 하기 일반식(IV)로 나타나는 구성 단위를 가지는 비스페놀노볼락형 에폭시 수지를 바람직하게 들 수 있다.The epoxy resin (a) is preferably a bisphenol novolak type epoxy resin having a structural unit represented by the following general formula (IV).
일반식(IV) 중, R13은 수소 원자, 알킬기, 아릴기, 아랄킬기, 술폰기, 또는 트리할로메틸기를 나타내며, Y4는 수소 원자 또는 글리시딜기를 나타낸다. 적어도 하나의 Y4는 글리시딜기를 나타내며, 복수의 R13은 동일해도 상이해도 된다.In the general formula (IV), R 13 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, an aralkyl group, a sulfone group, or a trihalomethyl group, and Y 4 represents a hydrogen atom or a glycidyl group. At least one Y 4 represents a glycidyl group, and a plurality of R 13 s may be the same or different.
R13의 알킬기의 탄소수는 1~20이 바람직하고, 1~12가 보다 바람직하고, 1~3이 더욱 바람직하다. 또한, 알킬기는, 직쇄상이어도 분지상이어도 되고, 할로겐 원자, 알킬기, 아릴기, 아랄킬기, 아미노기, 아미드기, 알콕시기 등에 의해 치환된 것이어도 된다.The alkyl group of R 13 preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 12 carbon atoms, and even more preferably 1 to 3 carbon atoms. The alkyl group may be linear or branched or may be substituted with a halogen atom, an alkyl group, an aryl group, an aralkyl group, an amino group, an amide group, an alkoxy group, or the like.
알킬기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, sec-펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 바람직하게 들 수 있으며, 이들 중에서도, 메틸기가 보다 바람직하다.Examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, a sec-pentyl group, an isopentyl group, Etc. Among these, a methyl group is more preferable.
아릴기로서는, 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 페난트릴기 등을 들 수 있으며, 바람직하게는 환형성(環形成) 탄소수 6~20의 아릴기, 보다 바람직하게는 환형성 탄소수 6~14의 아릴기이다. 또한, 아릴기는, 할로겐 원자, 알킬기, 아릴기, 아랄킬기, 아미노기, 아미드기, 알콕시기 등에 의해 치환된 것이어도 된다.Examples of the aryl group include a phenyl group, a biphenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, a phenanthryl group and the like, preferably an aryl group having a ring forming (ring forming) carbon number of 6 to 20, ≪ / RTI > The aryl group may be substituted with a halogen atom, an alkyl group, an aryl group, an aralkyl group, an amino group, an amide group, an alkoxy group, or the like.
아랄킬기로서는, 상기의 알킬기의 수소 원자의 하나가 상기의 아릴기로 치환되고 있는 것이면 특히 제한은 없고, 예를 들면, 벤질기, 페닐에틸기, 페닐프로필기, 나프틸메틸기 등을 들 수 있다. 또한, 아랄킬기는, 할로겐 원자, 알킬기, 아릴기, 아랄킬기, 아미노기, 아미드기, 알콕시기 등에 의해 치환된 것이어도 된다.The aralkyl group is not particularly limited as long as one of the hydrogen atoms of the alkyl group is substituted with the above aryl group. Examples thereof include a benzyl group, a phenylethyl group, a phenylpropyl group, and a naphthylmethyl group. The aralkyl group may be substituted with a halogen atom, an alkyl group, an aryl group, an aralkyl group, an amino group, an amide group, an alkoxy group, or the like.
일반식(IV)로 나타나는 구성 단위를 가지는 에폭시 수지 중, 일반식(IV)로 나타나는 구성 단위의 함유량은, 바람직하게는 70질량% 이상, 보다 바람직하게는 90질량% 이상, 더욱 바람직하게는 95질량% 이상이다.The content of the structural unit represented by the general formula (IV) in the epoxy resin having the structural unit represented by the general formula (IV) is preferably 70% by mass or more, more preferably 90% by mass or more, still more preferably 95% Mass% or more.
상기 범위 내이면, 레지스트 형상, 해상성, 내열성, 밀착성, 및 전기 절연성의 밸런스가 보다 우수한 레지스트 패턴을 얻을 수 있다.Within the above range, a resist pattern having better balance of resist shape, resolution, heat resistance, adhesion, and electrical insulation can be obtained.
[일반식(V)로 나타나는 구성 단위를 가지는 비스페놀노볼락형 에폭시 수지][Bisphenol novolak type epoxy resin having a constituent unit represented by the general formula (V)] [
에폭시 수지(a)로서는, 하기 일반식(V)로 나타나는 구성 단위를 가지는 비스페놀노볼락형 에폭시 수지를 바람직하게 들 수 있다.As the epoxy resin (a), a bisphenol novolak type epoxy resin having a structural unit represented by the following general formula (V) is preferably used.
일반식(V) 중, R14는 수소 원자, 알킬기, 아릴기, 아랄킬기, 술폰기, 또는 트리할로메틸기를 나타내며, Y5는 수소 원자 또는 글리시딜기를 나타낸다. 적어도 하나의 Y5는 글리시딜기를 나타내며, 복수의 R14는 동일해도 상이해도 된다. 또한, R14의 알킬기, 아릴기, 아랄킬기로서는, R13로 기재한 것과 동일한 것을 예시할 수 있으며, 바람직한 모양도 동일하다.In the general formula (V), R 14 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, an aralkyl group, a sulfone group or a trihalomethyl group, and Y 5 represents a hydrogen atom or a glycidyl group. At least one Y 5 represents a glycidyl group, and a plurality of R 14 s may be the same or different. Examples of the alkyl group, aryl group and aralkyl group of R 14 are the same as those described for R 13 , and their preferable forms are also the same.
일반식(V)로 나타나는 구성 단위를 가지는 에폭시 수지 중, 일반식(V)로 나타나는 구성 단위의 함유량은, 바람직하게는 70질량% 이상, 보다 바람직하게는 90질량% 이상, 더욱 바람직하게는 95질량% 이상이다. 상기 범위 내이면, 레지스트 형상, 해상성, 내열성, 밀착성, 및 전기 절연성의 밸런스가 보다 우수한 레지스트 패턴을 얻을 수 있다.The content of the structural unit represented by the general formula (V) in the epoxy resin having the structural unit represented by the general formula (V) is preferably 70% by mass or more, more preferably 90% by mass or more, still more preferably 95% Mass% or more. Within the above range, a resist pattern having better balance of resist shape, resolution, heat resistance, adhesion, and electrical insulation can be obtained.
일반식(V)에 있어서, R14가 수소 원자이며, Y5가 글리시딜기인 것은, EXA-7376 시리즈(DIC(주)제, 상품명)로서, 또한, R14가 메틸기이며, Y5가 글리시딜기인 것은, EPON SU8 시리즈(미쓰비시가가쿠(주)제, 상품명)로서 상업적으로 입수 가능하다.In the general formula (V), R 14 is a hydrogen atom and Y 5 is a glycidyl group means that, as EXA-7376 series (trade name, manufactured by DIC Corporation), R 14 is a methyl group and Y 5 is The glycidyl group is commercially available as EPON SU8 series (trade name, manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., Ltd.).
일반식(IV) 및 (V)로 나타나는 구성 단위를 가지는 비스페놀노볼락형 에폭시 수지는, 예를 들면, 각각 하기 일반식(VIII) 및 (IX)로 나타나는 비스페놀노볼락 수지의 수산기와 에피클로로히드린 등의 에피할로히드린을 반응시키는 것으로 얻을 수 있다.The bisphenol novolak type epoxy resin having the constitutional units represented by the general formulas (IV) and (V) can be produced, for example, by reacting the hydroxyl groups of the bisphenol-novolac resins represented by the following general formulas (VIII) and (IX) Or an epihalohydrin such as borane or borane.
일반식(VIII) 중, R13은, 상기 일반식(IV) 중의 R13과 동일하며, 일반식(IX) 중, R14는, 상기 일반식(V) 중의 R14와 동일하다.In the general formula (VIII), R 13 is the same as R 13 in the general formula (IV). In the general formula (IX), R 14 is the same as R 14 in the general formula (V).
이들 일반식(VIII) 및 (IX)로 나타나는 구성 단위를 가지는 비스페놀노볼락 수지는, 바람직하게는, 예를 들면, 비스페놀 화합물과 알데히드 화합물 또는 케톤 화합물을, 탄소수 1~4의 알킬기를 분자 구조 내에 가지는 술폰산의 존재하에서 반응시켜 얻을 수 있다.The bisphenol novolak resin having the constitutional units represented by the general formulas (VIII) and (IX) is preferably obtained by copolymerizing a bisphenol compound and an aldehyde compound or a ketone compound with an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms in a molecular structure Can be obtained by the reaction in the presence of a sulfonic acid.
여기서, 비스페놀 화합물로서는, 2개의 히드록시페닐기를 가지는 화합물이면 특히 제한은 없고, 예를 들면, 비스페놀 A, 비스페놀 AP, 비스페놀 AF, 비스페놀 B, 비스페놀 BP, 비스페놀 C, 비스페놀 E, 비스페놀 F, 비스페놀 G, 비스페놀 M, 비스페놀 S, 비스페놀 P, 비스페놀 TMC, 비스페놀 Z 등을 바람직하게 들 수 있으며, 비스페놀 A, 및 비스페놀 F가 보다 바람직하다.Examples of the bisphenol compound include bisphenol A, bisphenol AP, bisphenol AF, bisphenol B, bisphenol BP, bisphenol C, bisphenol E, bisphenol F, and bisphenol G , Bisphenol M, bisphenol S, bisphenol P, bisphenol TMC, bisphenol Z, and the like. Bisphenol A and bisphenol F are more preferable.
상기의 비스페놀 화합물과 반응시키는 알데히드 화합물로서는, 포름알데히드, 아세트알데히드, 벤즈알데히드, 4-메틸벤즈알데히드, 3,4-디메틸벤즈알데히드, 비페닐알데히드, 나프틸알데히드 등을 바람직하게 들 수 있고, 케톤 화합물로서는, 벤조페논, 플루오레논, 인다논 등을 바람직하게 들 수 있다. 이들 중에서도, 포름알데히드가 바람직하다.Examples of the aldehyde compound to be reacted with the bisphenol compound include formaldehyde, acetaldehyde, benzaldehyde, 4-methylbenzaldehyde, 3,4-dimethylbenzaldehyde, biphenylaldehyde and naphthylaldehyde. Benzophenone, fluorenone, indanone, and the like. Of these, formaldehyde is preferred.
탄소수 1~4의 알킬기를 분자 구조내에 가지는 술폰산으로서는, 메탄술폰산, 에탄술폰산, 프로판술폰산, 부탄술폰산 등의 알칸술폰산, 및 알칸 부분에 불소 원자를 가지는 퍼플루오로알칸술폰산 등을 바람직하게 들 수 있다.Examples of the sulfonic acid having an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms in its molecular structure include an alkanesulfonic acid such as methanesulfonic acid, ethanesulfonic acid, propanesulfonic acid and butanesulfonic acid, and a perfluoroalkanesulfonic acid having a fluorine atom in the alkane portion .
일반식(IV) 및 (V)로 나타나는 구성 단위를 가지는 비스페놀노볼락형 에폭시 수지는, 보다 구체적으로는, 바람직하게는 이하와 같이 하여 얻을 수 있다.More specifically, the bisphenol novolak type epoxy resin having the constitutional units represented by the general formulas (IV) and (V) can be preferably obtained as follows.
상기의 비스페놀 화합물과 알데히드 화합물 또는 케톤 화합물을 반응 용기내에 넣고, 불활성 가스 분위기하에서 교반하면서, 20~200℃의 범위를 유지하도록, 술폰산을 연속적 또는 단속적으로 첨가하여, 비스페놀 화합물과 알데히드 화합물 또는 케톤 화합물을 반응시켜 조(粗)비스페놀노볼락 수지를 얻는다. 이어서, 그 조비스페놀노볼락 수지를, 비수용성 유기용매로 추출하여 비스페놀노볼락 수지 용액으로 하고, 이것을 수세(水洗)하여, 중화하고, 나아가 그 비수용성 유기용매를 유거하여, 비스페놀노볼락형 에폭시 수지를 얻을 수 있다.The bisphenol compound and the aldehyde compound or the ketone compound are placed in a reaction vessel and the mixture is continuously or intermittently added with a sulfonic acid so as to maintain the temperature within a range of 20 to 200 ° C while stirring in an inert gas atmosphere, To obtain a crude bisphenol novolak resin. Subsequently, the crude bisphenol novolac resin is extracted with a water-insoluble organic solvent to prepare a bisphenol novolak resin solution, which is then washed with water and neutralized, and further the water-insoluble organic solvent is removed therefrom to obtain a bisphenol novolac epoxy A resin can be obtained.
여기서, 비수용성 유기용매로서는, 추출, 수세, 중화의 작업 효율을 향상시키는 관점에서, 비점이 100~130℃의 것이 바람직하다. 비수용성 유기용매로서는, 예를 들면, 부탄올, 펜틸알코올, 메톡시에탄올, 에톡시에탄올, 디에틸렌글리콜, 메틸이소부틸케톤 등을 바람직하게 들 수 있으며, 이 중에서도, 부탄올, 메톡시에탄올, 메틸이소부틸케톤이 보다 바람직하고, 메틸이소부틸케톤이 더욱 바람직하다.The non-aqueous organic solvent preferably has a boiling point of 100 to 130 캜 from the viewpoint of improving the working efficiency of extraction, washing and neutralization. Examples of the water-insoluble organic solvent include butanol, pentyl alcohol, methoxy ethanol, ethoxy ethanol, diethylene glycol, methyl isobutyl ketone and the like. Of these, butanol, methoxy ethanol, Butyl ketone is more preferable, and methyl isobutyl ketone is more preferable.
상기의 수세는, 조비스페놀노볼락 수지 용액이 pH3~7, 보다 바람직하게는 pH5~7이 될 때까지 실시하며, 필요에 따라서, 수산화나트륨, 탄산나트륨, 암모니아, 트리에틸렌테트라민 등의 염기성 물질을 사용하여 중화해도 된다.The washing with water is carried out until the crude bisphenol novolak resin solution has a pH of 3 to 7, more preferably, a pH of 5 to 7, and if necessary, a basic substance such as sodium hydroxide, sodium carbonate, ammonia or triethylenetetramine .
상기의 유거는, 예를 들면, 온도 170~200℃, 압력 3 kPa 이하의 조건에서 가열 감압 증류로 실시하는 것이 바람직하고, 이러한 조건으로 실시함으로써, 순도가 높은 비스페놀노볼락 수지를 얻을 수 있다.It is preferable to carry out the distillation under reduced pressure distillation under the conditions of, for example, a temperature of 170 to 200 DEG C and a pressure of 3 kPa or less. By carrying out the distillation under these conditions, a bisphenol novolak resin having high purity can be obtained.
에폭시 수지(a)로서는, 프로세스 유도(裕度)가 우수한 것과 동시에, 내용제성을 향상시킬 수 있는 관점에서는, 일반식(I)로 나타나는 구성 단위를 가지는 노볼락형 에폭시 수지, 일반식(II)로 나타나는 구성 단위를 가지는 에폭시 수지, 및 일반식(IV)로 나타나는 구성 단위를 가지는 비스페놀노볼락형 에폭시 수지가 바람직하고, 일반식(I')로 나타나는 노볼락형 에폭시 수지, 일반식(II')로 나타나는 비스페놀 A형 에폭시 수지 또는 비스페놀 F형 에폭시 수지, 및 일반식(IV)로 나타나는 구성 단위를 가지는 비스페놀노볼락 A형 에폭시 수지 또는 비스페놀 F형 에폭시 수지가 보다 바람직하다.As the epoxy resin (a), a novolak type epoxy resin having a structural unit represented by the general formula (I), a structural unit represented by the general formula (II) And a bisphenol novolak type epoxy resin having a structural unit represented by the general formula (IV) are preferable, and a novolak type epoxy resin represented by the general formula (I '), a bisphenol novolak type epoxy resin represented by the general formula (II' ), Bisphenol A type epoxy resin or bisphenol F type epoxy resin having a structural unit represented by the general formula (IV), or a bisphenol F type epoxy resin having a structural unit represented by the general formula (IV) are more preferable.
또한, 박막 기판의 휨을 보다 저감할 수 있음과 동시에, 내열 충격성을 보다 향상시킬 수 있는 관점에서는, 일반식(IV)로 나타나는 구성 단위를 가지는 에폭시 수지와, 일반식(V)로 나타나는 구성 단위를 가지는 에폭시 수지를 병용하는 것이 바람직하다.From the viewpoint of further reducing warpage of the thin film substrate and further improving thermal shock resistance, an epoxy resin having a structural unit represented by the general formula (IV) and a structural unit represented by the general formula (V) It is preferable to use an epoxy resin in combination.
(비닐기 함유 모노카복실산(b))(Vinyl group-containing monocarboxylic acid (b))
상기의 에폭시 수지(a)와 반응시키는, 비닐기 함유 모노카복실산(b)으로서는, 예를 들면, 아크릴산, 아크릴산의 이량체, 메타크릴산, β-푸르푸릴아크릴산, β-스티릴아크릴산, 계피산, 크로톤산, α-시아노 계피산 등의 아크릴산 유도체; 수산기 함유 아크릴레이트와 이염기산 무수물과의 반응 생성물인 반(半)에스테르 화합물, 비닐기 함유 모노글리시딜에테르 또는 비닐기 함유 모노글리시딜에스테르와 이염기산 무수물과의 반응 생성물인 반에스테르 화합물 등을 바람직하게 들 수 있다.Examples of the vinyl group-containing monocarboxylic acid (b) to be reacted with the epoxy resin (a) include acrylic acid, dimer of acrylic acid, methacrylic acid,? -Furfuryl acrylic acid,? -Styryl acrylic acid, Acrylic acid derivatives such as crotonic acid and? -Cyano cinnamic acid; A semi-ester compound which is a reaction product of a hydroxyl group-containing acrylate and a dibasic acid anhydride, a half ester compound which is a reaction product of a vinyl group-containing monoglycidyl ether or a vinyl group-containing monoglycidyl ester and a dibasic acid anhydride Can be preferably used.
반에스테르 화합물은, 수산기 함유 아크릴레이트, 비닐기 함유 모노글리시딜에테르 또는 비닐기 함유 모노글리시딜에스테르와 이염기산 무수물을 등(等) 몰비로 반응시킴으로써 얻을 수 있다. 이들 비닐기 함유 모노카복실산(b)은, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.The half ester compound can be obtained by reacting a hydroxyl group-containing acrylate, a vinyl group-containing monoglycidyl ether, or a vinyl group-containing monoglycidyl ester with a dibasic acid anhydride at an equivalent molar ratio. These vinyl group-containing monocarboxylic acids (b) may be used singly or in combination of two or more.
비닐기 함유 모노카복실산(b)의 일례인 상기의 반에스테르 화합물의 합성에 사용되는 수산기 함유 아크릴레이트, 비닐기 함유 모노글리시딜에테르, 비닐기 함유 모노글리시딜에스테르로서는, 예를 들면, 히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 히드록시프로필(메타)아크릴레이트, 히드록시부틸(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜모노(메타)아크릴레이트, 디트리메틸올프로판디(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨펜타(메타)아크릴레이트, 비닐글리시딜에테르, 글리시딜(메타)아크릴레이트 등을 바람직하게 들 수 있다.Examples of the hydroxyl group-containing acrylates, vinyl group-containing monoglycidyl ethers and vinyl group-containing monoglycidyl esters used in the synthesis of the above-mentioned half ester compounds, which are examples of the vinyl group-containing monocarboxylic acids (b) (Meth) acrylate, hydroxypropyl (meth) acrylate, hydroxybutyl (meth) acrylate, polyethylene glycol mono (meth) acrylate, ditrimethylolpropane di (meth) acrylate, pentaerythritol tri (Meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, vinyl glycidyl ether, and glycidyl (meth) acrylate.
상기의 반에스테르 화합물의 합성에 사용되는 이염기산 무수물로서는, 포화기를 함유하는 것, 불포화기를 함유하는 것을 사용할 수 있다. 이염기산 무수물의 구체적인 예로서는, 무수 호박산, 무수 말레산, 테트라히드로 무수 프탈산, 무수 프탈산, 메틸테트라히드로 무수 프탈산, 에틸테트라히드로 무수 프탈산, 헥사히드로 무수 프탈산, 메틸헥사히드로 무수 프탈산, 에틸헥사히드로 무수 프탈산, 무수 이타콘산 등을 바람직하게 들 수 있다.As the dibasic acid anhydride used in the synthesis of the above-mentioned half ester compounds, those containing a saturated group and those containing an unsaturated group can be used. Specific examples of dibasic acid anhydrides include maleic anhydride, maleic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, phthalic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, ethyltetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, ethylhexahydrophthalic anhydride , Itaconic anhydride, and the like.
상술의 에폭시 수지(a)와 비닐기 함유 모노카복실산(b)과의 반응에 있어서, 에폭시 수지(a)의 에폭시기 1 당량에 대해서, 비닐기 함유 모노카복실산(b)이 0.6~1.05 당량이 되는 비율로 반응시키는 것이 바람직하고, 0.8~1.0 당량이 되는 비율로 반응시키는 것이 보다 바람직하며, 0.9~1.0 당량이 되는 비율로 반응시키는 것이 더욱 바람직하다. 이러한 비율로 반응시킴으로써, 광중합성이 향상하여, 광감도가 보다 우수한 것이 된다.In the reaction of the above-mentioned epoxy resin (a) with the vinyl group-containing monocarboxylic acid (b), the ratio of the equivalent of the vinyl group-containing monocarboxylic acid (b) to 0.6 to 1.05 equivalents relative to 1 equivalent of the epoxy group of the epoxy resin (a) , More preferably 0.8 to 1.0 equivalent, and still more preferably 0.9 to 1.0 equivalent. By reacting at such a ratio, the photopolymerization is improved and the photosensitivity is more excellent.
에폭시 수지(a)와 비닐기 함유 모노카복실산(b)과의 반응은, 에폭시 수지(a)와 비닐기 함유 모노카복실산(b)을 유기용제에 용해하여 실시할 수 있다.The reaction between the epoxy resin (a) and the vinyl group-containing monocarboxylic acid (b) can be carried out by dissolving the epoxy resin (a) and the vinyl group-containing monocarboxylic acid (b) in an organic solvent.
유기용제로서는, 예를 들면, 에틸메틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤류; 톨루엔, 자일렌, 테트라메틸벤젠 등의 방향족 탄화수소류; 메틸셀로솔브, 부틸셀로솔브, 메틸카비톨, 부틸카비톨, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜디에틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르 등의 글리콜 에테르류; 아세트산에틸, 아세트산부틸, 부틸셀로솔브아세테이트, 카비톨아세테이트 등의 에스테르류; 옥탄, 데칸 등의 지방족 탄화수소류; 석유 에테르, 석유 나프타, 수첨 석유 나프타, 솔벤트나프타 등의 석유계 용제 등을 바람직하게 들 수 있다.Examples of the organic solvent include ketones such as ethyl methyl ketone and cyclohexanone; Aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene and tetramethylbenzene; Glycol ethers such as methyl cellosolve, butyl cellosolve, methyl carbitol, butyl carbitol, propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol diethyl ether and triethylene glycol monoethyl ether; Esters such as ethyl acetate, butyl acetate, butyl cellosolve acetate and carbitol acetate; Aliphatic hydrocarbons such as octane and decane; Petroleum ether such as petroleum ether, petroleum naphtha, hydrogenated naphtha and solvent naphtha.
나아가, 반응을 촉진시키기 위해서 촉매를 사용하는 것이 바람직하다. 촉매로서는, 예를 들면, 트리에틸아민, 벤질메틸아민, 메틸트리에틸암모늄클로라이드, 벤질트리메틸암모늄클로라이드, 벤질트리메틸암모늄브로마이드, 벤질트리메틸메틸암모늄아이오다이드, 트리페닐포스핀 등을 바람직하게 들 수 있다. 촉매의 사용량은, 에폭시 수지(a)와 비닐기 함유 모노카복실산(b)과의 합계 100질량부에 대해서, 바람직하게는 0.1~10질량부이다. 상기의 사용량으로 하면, 에폭시 수지(a)와 비닐기 함유 모노카복실산(b)과의 반응이 촉진되므로 바람직하다.Further, it is preferable to use a catalyst to promote the reaction. As the catalyst, for example, triethylamine, benzylmethylamine, methyltriethylammonium chloride, benzyltrimethylammonium chloride, benzyltrimethylammonium bromide, benzyltrimethylmethylammonium iodide, triphenylphosphine and the like are preferably used . The amount of the catalyst to be used is preferably 0.1 to 10 parts by mass based on 100 parts by mass of the total amount of the epoxy resin (a) and the vinyl group-containing monocarboxylic acid (b). When the amount is used, the reaction between the epoxy resin (a) and the vinyl group-containing monocarboxylic acid (b) is promoted, which is preferable.
반응중의 중합을 방지할 목적으로, 중합 금지제를 사용하는 것이 바람직하다. 중합 금지제로서는, 예를 들면, 하이드로퀴논, 메틸하이드로퀴논, 하이드로퀴논모노메틸에테르, 카테콜, 피로가롤 등을 바람직하게 들 수 있다. 중합 금지제의 사용량은, 에폭시 수지(a)와 비닐기 함유 모노카복실산(b)의 합계 100질량부에 대해서, 바람직하게는 0.01~1질량부이다. 상기의 사용량으로 하면, 조성물의 저장 안정성(셀프라이프)이 향상되므로 바람직하다. 또한, 반응온도는, 바람직하게는 60~150℃, 보다 바람직하게는 80~120℃이다.It is preferable to use a polymerization inhibitor for the purpose of preventing polymerization during the reaction. As the polymerization inhibitor, for example, hydroquinone, methylhydroquinone, hydroquinone monomethyl ether, catechol, pyrogallol and the like are preferably used. The amount of the polymerization inhibitor to be used is preferably 0.01 to 1 part by mass based on 100 parts by mass of the total amount of the epoxy resin (a) and the vinyl group-containing monocarboxylic acid (b). The above-mentioned amount is preferable because the storage stability (self-life) of the composition is improved. The reaction temperature is preferably 60 to 150 占 폚, more preferably 80 to 120 占 폚.
또한, 필요에 따라서, 비닐기 함유 모노카복실산(b)과, p-히드록시페네틸알콜 등의 페놀계 화합물, 무수 트리멜리트산, 무수 피로메리트산, 벤조페논테트라카복실산 무수물, 비페닐테트라카복실산 무수물 등의 다염기산 무수물을 병용할 수 있다.If necessary, the vinyl group-containing monocarboxylic acid (b) and a phenol-based compound such as p-hydroxyphenethyl alcohol, anhydrous trimellitic acid, anhydrous pyromellitic acid, benzophenonetetracarboxylic acid anhydride, biphenyltetracarboxylic acid anhydride May be used in combination with the polybasic acid anhydride.
이와 같이 하여 얻어지는 에폭시 수지(a')는, 에폭시 수지(a)의 에폭시기와 비닐기 함유 모노카복실산(b)의 카복실기와의 부가 반응에 의해 형성되는 수산기를 가지고 있는 것이라고 추측된다.The epoxy resin (a ') thus obtained is presumed to have a hydroxyl group formed by the addition reaction of the epoxy group of the epoxy resin (a) with the carboxyl group of the vinyl group-containing monocarboxylic acid (b).
(다염기산 무수물(c))(Polybasic acid anhydride (c))
(A)산변성 비닐기 함유 에폭시 수지로서는, 상술한 에폭시 수지(a')에 다염기산 무수물(c)을 반응시킴으로써 얻어지는 에폭시 수지(a")도 바람직하게 들 수 있다. 에폭시 수지(a")에 있어서는, 에폭시 수지(a')의 수산기(에폭시 수지(a) 중에 원래 있는 수산기도 포함한다)와 다염기산 무수물(c)의 산무수물기가 반에스테르화 되어 있는 것이라고 추측된다.As the epoxy resin containing an acid-modified vinyl group (A), an epoxy resin (a ") obtained by reacting the above-mentioned epoxy resin (a ') with a polybasic acid anhydride (c) It is presumed that the acid anhydride groups of the epoxy group (a ') in the hydroxyl group (including the hydroxyl group originally present in the epoxy resin (a)) and the polybasic acid anhydride (c) are half-esterified.
다염기산 무수물(c)로서는, 포화기를 함유하는 것, 불포화기를 함유하는 것을 바람직하게 사용할 수 있다. 다염기산 무수물(c)의 구체적인 예로서는, 무수 호박산, 무수 말레산, 테트라히드로 무수 프탈산, 무수 프탈산, 메틸테트라히드로 무수 프탈산, 에틸테트라히드로 무수 프탈산, 헥사히드로 무수 프탈산, 메틸헥사히드로 무수 프탈산, 에틸헥사히드로 무수 프탈산, 무수 이타콘산 등을 바람직하게 들 수 있다.As the polybasic acid anhydride (c), those containing a saturated group and those containing an unsaturated group can be preferably used. Specific examples of the polybasic acid anhydride (c) include succinic anhydride, maleic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, phthalic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, ethyltetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, Phthalic anhydride, itaconic anhydride, and the like.
에폭시 수지(a')와 다염기산 무수물(c)과의 반응에 있어서, 에폭시 수지(a') 중의 수산기 1 당량에 대해서, 다염기산 무수물(c)을 0.1~1.0 당량 반응시킴으로써, 산변성 비닐기 함유 에폭시 수지의 산가를 조정할 수 있다.(C) in an amount of 0.1 to 1.0 equivalent per one equivalent of hydroxyl groups in the epoxy resin (a ') in the reaction of the epoxy resin (a') with the polybasic acid anhydride (c) The acid value of the resin can be adjusted.
(A)산변성 비닐기 함유 에폭시 수지의 산가는 30~150mgKOH/g인 것이 바람직하고, 40~120mgKOH/g인 것이 보다 바람직하고, 50~100mgKOH/g인 것이 더욱 바람직하다. 산가가 30mgKOH/g 이상이면 감광성 수지 조성물의 희(希)알칼리 용액에의 용해성이 저하되기 어렵고, 150mgKOH/g 이하이면 경화막의 전기 특성이 저하되기 어렵다.The acid value of the acid-modified vinyl group-containing epoxy resin (A) is preferably 30 to 150 mgKOH / g, more preferably 40 to 120 mgKOH / g, and still more preferably 50 to 100 mgKOH / g. When the acid value is 30 mgKOH / g or more, the solubility of the photosensitive resin composition in the diluted alkali solution is not lowered, and when the acid value is 150 mgKOH / g or less, the electrical characteristics of the cured film are hardly lowered.
에폭시 수지(a')와 다염기산 무수물(c)과의 반응 온도는, 60~120℃로 하는 것이 바람직하다.The reaction temperature of the epoxy resin (a ') and the polybasic acid anhydride (c) is preferably 60 to 120 ° C.
또한, 필요에 따라서, 에폭시 수지(a)로서, 예를 들면, 수첨 비스페놀 A형 에폭시 수지를 일부 병용할 수도 있다. 또한, (A)산변성 비닐기 함유 에폭시 수지로서, 스틸렌-무수 말레산 공중합체의 히드록시에틸(메타)아크릴레이트 변성물 등의 스티렌-말레산계 수지를 일부 병용할 수도 있다.If necessary, for example, a hydrogenated bisphenol A type epoxy resin may be used in combination as the epoxy resin (a). As the acid-modified vinyl group-containing epoxy resin (A), a styrene-maleic acid-based resin such as a hydroxyethyl (meth) acrylate-modified product of a styrene-maleic anhydride copolymer may be used in combination.
(A)산변성 비닐기 함유 에폭시 수지의 중량 평균 분자량은, 3000~30000이 바람직하고, 4000~25000이 보다 바람직하며, 5000~18000이 더욱 바람직하다. (A)성분의 중량 평균 분자량이 상기 범위 내이면, 레지스트 형상, 해상성, 내열성, 밀착성, 및 전기 절연성의 밸런스가 보다 우수한 패턴을 얻을 수 있다. 여기서, 중량 평균 분자량은, 테트라히드로푸란을 용매로 한 겔파미에이션크로마트그라피(GPC)법에 의해 측정하는, 폴리에틸렌 환산의 중량 평균 분자량이다. 보다 구체적으로는, 예를 들면, 하기의 GPC 측정 장치 및 측정 조건으로 측정하여, 표준 폴리스티렌의 검량선을 사용하여 환산한 값을 중량 평균 분자량으로 할 수 있다. 또한, 검량선의 작성은, 표준 폴리스티렌으로서 5 샘플 세트("PStQuick MP-H" 및 "PStQuick B", 토소(주)제)를 사용한다.The weight average molecular weight of the acid-modified vinyl group-containing epoxy resin (A) is preferably from 3,000 to 30,000, more preferably from 4,000 to 25,000, and still more preferably from 5,000 to 18,000. When the weight average molecular weight of the component (A) is within the above range, a pattern having a better balance of resist shape, resolution, heat resistance, adhesion, and electrical insulation can be obtained. Here, the weight average molecular weight is a weight average molecular weight in terms of polyethylene measured by a gel permeation chromatograph (GPC) method using tetrahydrofuran as a solvent. More specifically, for example, the weight average molecular weight may be determined by measuring the GPC measurement apparatus and measurement conditions described below, and converting the value obtained by using the calibration curve of standard polystyrene. The calibration curve was prepared using 5 sample sets ("PStQuick MP-H" and "PStQuick B ", manufactured by Tosoh Corporation) as standard polystyrene.
(GPC 측정 장치)(GPC measuring device)
GPC 장치: 고속 GPC 장치 "HLC-8320GPC", 검출기는 시차굴절계, 토소(주)제 GPC apparatus: a high-speed GPC apparatus "HLC-8320GPC", a detector was a differential refractometer, manufactured by Tosoh Corporation
컬럼: 컬럼 TSKgel SuperMultipore HZ-H(컬럼 길이:15cm, 컬럼 내경:4.6mm), 토소(주)제Column: Column TSKgel SuperMultipore HZ-H (column length: 15 cm, column inner diameter: 4.6 mm), manufactured by Tosoh Corporation
(측정 조건)(Measuring conditions)
용매: 테트라히드로푸란(THF)Solvent: tetrahydrofuran (THF)
측정 온도: 40℃Measuring temperature: 40 ° C
유량: 0.35ml/분Flow rate: 0.35 ml / min
시료 농도: 10mg/THF5mlSample concentration: 10 mg / THF 5 ml
주입량: 20㎕Injection amount: 20 μl
(A)산변성 비닐기 함유 에폭시 수지로서는, 일반식(I)로 나타나는 구성 단위를 가지는 노볼락형 에폭시 수지, 바람직하게는 일반식(I')로 나타나는 노볼락형 에폭시 수지, 또는 일반식(II)로 나타나는 구성 단위를 가지는 에폭시 수지, 바람직하게는 일반식(II')로 나타나는 비스페놀 A형 에폭시 수지 및 비스페놀 F형 에폭시 수지와, 비닐기 함유 모노카복실산(b)을 반응시켜 얻어지는 에폭시 수지(a'), 및 그 에폭시 수지(a')와 포화기 또는 불포화기 함유 다염기산 무수물(c)을 반응시켜 얻어지는 에폭시 수지(a'')가 바람직하고, 에폭시 수지(a'')가 보다 바람직하다.Examples of the acid-modified vinyl group-containing epoxy resin (A) include a novolak type epoxy resin having a structural unit represented by the general formula (I), a novolak type epoxy resin represented by the general formula (I '), An epoxy resin obtained by reacting an epoxy resin having a constituent unit represented by the formula (II), preferably a bisphenol A type epoxy resin and a bisphenol F type epoxy resin represented by the formula (II ') with a vinyl group-containing monocarboxylic acid (b) is preferably an epoxy resin (a '') obtained by reacting an epoxy resin (a ') and an epoxy resin (a') with a saturated or unsaturated polybasic acid anhydride (c) .
이들 에폭시 수지(a') 및 (a'')은, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있으며, 복수종을 조합하여 사용하는 것이 바람직하다. 조합으로서는, 일반식(I')로 나타나는 노볼락형 에폭시 수지로부터 얻어지는 에폭시 수지(a') 또는 (a'')와, 일반식(II')로 나타나는 비스페놀 A형 에폭시 수지 및 비스페놀 F형 에폭시 수지로부터 얻어지는 에폭시 수지(a') 또는 (a'')과의 2종의 조합이 바람직하고, 일반식(I')로 나타나는 노볼락형 에폭시 수지로부터 얻어지는 에폭시 수지(a'')와, 일반식(II')로 나타나는 비스페놀 A형 에폭시 수지 및 비스페놀 F형 에폭시 수지로부터 얻어지는 에폭시 수지(a'')와의 2종의 조합이 보다 바람직하다.These epoxy resins (a ') and (a ") may be used singly or in combination of two or more kinds, and it is preferable to use a plurality of kinds of epoxy resins in combination. Examples of the combination include an epoxy resin (a ') or (a' ') obtained from the novolak type epoxy resin represented by the general formula (I') and a bisphenol A type epoxy resin represented by the general formula (II ' Is preferably a combination of two kinds of epoxy resin (a ') or (a' ') obtained from a resin and is preferably a combination of an epoxy resin (a' ') obtained from a novolak type epoxy resin represented by the general formula (I' And a combination of two kinds of epoxy resin (a '') obtained from a bisphenol A type epoxy resin represented by the formula (II ') and a bisphenol F type epoxy resin.
일반식(I')로 나타나는 노볼락형 에폭시 수지로부터 얻어지는 에폭시 수지(a') 또는 (a'')과, 일반식(II')로 나타나는 비스페놀 A형 에폭시 수지 및 비스페놀 F형 에폭시 수지로부터 얻어지는 에폭시 수지(a') 또는 (a'')과의 질량 혼합비는, 95:5~30:70이 바람직하고, 90:10~40:60이 보다 바람직하고, 80:20~45:55가 더욱 바람직하다.(A ') or (a' ') obtained from the novolak type epoxy resin represented by the general formula (I') and the bisphenol A type epoxy resin and the bisphenol F type epoxy resin represented by the general formula (II ' The mass mixing ratio of the epoxy resin (a ') or (a' ') is preferably 95: 5 to 30:70, more preferably 90:10 to 40:60, further preferably 80:20 to 45:55 desirable.
또한, (C)성분으로서 후술하는 (C5)티올기 함유 화합물을 사용하는 경우, 일반식(IV)로 나타나는 구성 단위를 가지는 비스페놀노볼락형 에폭시 수지로부터 얻어지는 에폭시 수지(a') 또는 (a'')과, 일반식(II')로 나타나는 비스페놀 A형 에폭시 수지 및 비스페놀 F형 에폭시 수지로부터 얻어지는 에폭시 수지(a') 또는 (a'')과의 2종의 조합이 바람직하고, 일반식(IV)로 나타나는 구성 단위를 가지는 비스페놀노볼락 A형 에폭시 수지 또는 비스페놀 F형 에폭시 수지로부터 얻어지는 에폭시 수지(a'')와, 일반식(II')로 나타나는 비스페놀 A형 에폭시 수지 및 비스페놀 F형 에폭시 수지로부터 얻어지는 에폭시 수지(a'')와의 2종의 조합이 보다 바람직하다.When the (C5) thiol group-containing compound described later is used as the component (C), the epoxy resin (a ') or (a') obtained from the bisphenol novolak type epoxy resin having the structural unit represented by the general formula (IV) ) And an epoxy resin (a ') or (a ") obtained from a bisphenol A type epoxy resin and a bisphenol F type epoxy resin represented by the general formula (II'), (A ") obtained from a bisphenol novolak A type epoxy resin or a bisphenol F type epoxy resin having a constituent unit represented by the following formula (IV), a bisphenol A type epoxy resin represented by the formula (II ') and a bisphenol F type epoxy And an epoxy resin (a '') obtained from a resin are more preferable.
일반식(IV)로 나타나는 구성 단위를 가지는 비스페놀노볼락형 에폭시 수지로부터 얻어지는 에폭시 수지(a') 또는 (a'')과 일반식(II')로 나타나는 비스페놀 A형 에폭시 수지 및 비스페놀 F형 에폭시 수지로부터 얻어지는 에폭시 수지(a') 또는 (a'')과의 질량 혼합비는, 90:10~30:70이 바람직하고, 80:20~40:60이 보다 바람직하고, 70:30~50:50이 더욱 바람직하다.The epoxy resin (a ') obtained from the bisphenol novolak type epoxy resin having the structural unit represented by the general formula (IV) or the bisphenol A type epoxy resin represented by the general formula (II') and the bisphenol F type epoxy resin The mass mixing ratio of the epoxy resin (a ') or (a' ') obtained from the resin is preferably 90:10 to 30:70, more preferably 80:20 to 40:60, 50 is more preferable.
감광성 수지 조성물 중의 고형분 전량을 100질량부로 하는 (A)성분의 함유량은, 20~80질량부가 바람직하고, 30~75질량부가 보다 바람직하고, 40~75질량부가 더욱 바람직하다. (A)성분의 함유량이 상기 범위 내이면, 내열성, 전기 특성 및 내약품성에 보다 우수한 도막을 얻을 수 있다. 여기서, 본 실시 형태에 있어서의 고형분 전량은, (A)~(F)성분에 포함되는 고형분의 합계량이다. 예를 들면, 본 실시 형태의 감광성 수지 조성물이 (A)~(D)성분을 포함하는 경우는, (A)~(D)성분에 포함되는 고형분의 합계량이, 또한 본 실시 형태의 감광성 수지 조성물이 (A)~(E)성분을 포함하는 경우는, (A)~(E)성분에 포함되는 고형분의 합계량이, 또한 본 실시 형태의 감광성 수지 조성물이 (A)~(F)성분을 포함하는 경우는, (A)~(F)성분에 포함되는 고형분의 합계량이, 고형분 전량이다.The content of the component (A) in a total amount of 100 parts by mass of the solid content in the photosensitive resin composition is preferably 20 to 80 parts by mass, more preferably 30 to 75 parts by mass, still more preferably 40 to 75 parts by mass. When the content of the component (A) is within the above range, a coating film superior in heat resistance, electrical characteristics and chemical resistance can be obtained. Here, the total solid content in the present embodiment is the total amount of the solid content contained in the components (A) to (F). For example, when the photosensitive resin composition of the present embodiment contains the components (A) to (D), the total amount of the solid components contained in the components (A) to (D) When the components (A) to (E) are contained, the total amount of the solid components contained in the components (A) to (E) is such that the photosensitive resin composition of the present embodiment contains the components (A) to , The total amount of the solid components contained in the components (A) to (F) is the whole solid content.
<(B)아실포스핀옥사이드계 광중합 개시제>≪ (B) Acylphosphine oxide photopolymerization initiator >
본 실시 형태의 감광성 수지 조성물은, (B)성분으로서 아실포스핀옥사이드계 광중합 개시제를 함유한다.The photosensitive resin composition of the present embodiment contains an acylphosphine oxide-based photopolymerization initiator as the component (B).
(B)아실포스핀옥사이드계 광중합 개시제는, 아실포스핀옥사이드기(=P(=O)-C(=O)-기)를 가지는 광중합 개시제이면 특히 제한은 없고, 예를 들면, (2,6-디메톡시벤조일)-2,4,6-트리메틸벤조일-펜틸포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드, 에틸-2,4,6-트리메틸벤조일페닐포스피네이트, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드, (2,5-디히드록시페닐)디페닐포스핀옥사이드, (p-히드록시페닐)디페닐포스핀옥사이드, 비스(p-히드록시페닐)페닐포스핀옥사이드, 및 트리스(p-히드록시페닐)포스핀옥사이드 등을 바람직하게 들 수 있으며, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.The (B) acylphosphine oxide-based photopolymerization initiator is not particularly limited as long as it is a photopolymerization initiator having an acylphosphine oxide group (= P (= O) -C (= O) - group) Dimethoxybenzoyl) -2,4,6-trimethylbenzoyl-pentylphosphine oxide, bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) -phenylphosphine oxide, 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine (2,4,6-trimethylbenzoyl) -phenylphosphine oxide, (2,5-dihydroxyphenyl) diphenylphosphine oxide, ethyl 2,4,6-trimethylbenzoylphenylphosphinate, (p-hydroxyphenyl) diphenylphosphine oxide, bis (p-hydroxyphenyl) phenylphosphine oxide, and tris (p-hydroxyphenyl) phosphine oxide. Or two or more of them may be used in combination.
감광성 수지 조성물 중의 고형분 전량을 100질량부로 하는 (B)아실포스핀옥사이드계 광중합 개시제의 함유량은, 바람직하게 0.2~15질량부이다. 0.2질량부 이상이면 노광부가 현상 중에 용출하기 어렵게 되고, 15질량부 이하이면 내열성이 저하하기 어려워진다. 또한, 동일한 이유에서, (B)광중합 개시제의 함유량은, 0.2~10질량부가 보다 바람직하고, 0.2~5질량부가 더욱 바람직하며, 0.5~5질량부가 특히 바람직하고, 0.5~3질량부가 지극히 바람직하다.The content of the acylphosphine oxide-based photopolymerization initiator (B) in which the total solid content in the photosensitive resin composition is 100 parts by mass is preferably 0.2 to 15 parts by mass. When the amount is 0.2 parts by mass or more, the exposed portion is difficult to elute during development, and when it is 15 parts by mass or less, the heat resistance is less likely to deteriorate. For the same reason, the content of the photopolymerization initiator (B) is more preferably from 0.2 to 10 parts by mass, more preferably from 0.2 to 5 parts by mass, particularly preferably from 0.5 to 5 parts by mass, and particularly preferably from 0.5 to 3 parts by mass .
또한, N,N-디메틸아미노벤조산에틸에스테르, N,N-디메틸아미노벤조산이소아밀에스테르, 펜틸-4-디메틸아미노벤조에이트, 트리에틸아민, 트리에탄올아민 등의 3급 아민류 등의 광중합 개시조제를 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.In addition, a photopolymerization initiator such as N, N-dimethylaminobenzoic acid ethyl ester, N, N-dimethylaminobenzoic acid isoamyl ester, pentyl-4-dimethylaminobenzoate, triethylamine and triethanolamine, They may be used alone or in combination of two or more.
<(C)첨가제><(C) Additive>
본 실시 형태의 감광성 수지 조성물은, (C)성분으로서, (C1)알킬아미노벤젠 유도체, (C2)피라졸린계 증감제 또는 안트라센계 증감제, (C3)이미다졸계 광중합 개시제, 아크리딘계 광중합 개시제, 및 티타노센계 광중합 개시제로부터 선택되는 적어도 1종의 광중합 개시제, (C4)힌더드페놀계 산화방지제, 퀴논계 산화방지제, 아민계 산화방지제, 황계 산화방지제, 및 인계 산화방지제로부터 선택되는 적어도 1종의 산화방지제, 및 (C5)티올기 함유 화합물로부터 선택되는 적어도 1종을 함유한다. 이들 첨가제를 (B)아실포스핀옥사이드계 광중합 개시제와 병용함으로써, 패턴 윤곽의 직선성이 좋고 레지스트 형상이 우수하며, 해상성이 우수한 패턴을 형성할 수 있는 감광성 수지 조성물을 얻을 수 있다.The photosensitive resin composition of the present embodiment is characterized by comprising, as the component (C), (C1) an alkylaminobenzene derivative, (C2) a pyrazoline-based sensitizer or an anthracene-based sensitizer, (C3) an imidazole-based photopolymerization initiator, At least one photopolymerization initiator selected from a photopolymerization initiator, an initiator, and a titanocene photopolymerization initiator; (C4) at least one photopolymerization initiator selected from a hindered phenol antioxidant, a quinone antioxidant, an amine antioxidant, An antioxidant of the species, and (C5) a thiol group-containing compound. By using these additives in combination with the (B) acylphosphine oxide-based photopolymerization initiator, a photosensitive resin composition capable of forming a pattern having good linearity of pattern outline, excellent resist shape, and excellent resolution can be obtained.
[(C1)알킬아미노벤젠 유도체][(C1) alkylaminobenzene derivative]
(C1)알킬아미노벤젠 유도체는, 벤젠환에 알킬 아미노기를 가지고 있으면 특히 제한은 없고, 수소 공여체로서 유효하게 기능을 하여, 감광성 수지 조성물의 광감도 및 경일(經日) 안정성을 보다 향상시킬 수 있다. 여기서, 수소 공여체는, 상기의 광중합 개시제의 노광 처리에 의해 발생하는 래디칼에 대하여, 수소 원자를 공여할 수 있는 화합물을 의미하는 것이다. 본 실시 형태에 있어서는, 상기의 (B)아실포스핀옥사이드계 광중합성 개시제와, 수소 공여체로서 (C1)알킬아미노벤젠 유도체와의 조합이, 특히, 패턴 윤곽의 직선성이 좋고 레지스트 형상이 우수하며, 해상성이 우수한 패턴을 형성하는 점에서 효과적이다.The (C1) alkylaminobenzene derivative is not particularly limited as long as it has an alkylamino group in the benzene ring and can function effectively as a hydrogen donor, thereby improving the photosensitivity and light stability of the photosensitive resin composition. Here, the hydrogen donor means a compound capable of donating a hydrogen atom to a radical generated by the exposure treatment of the photopolymerization initiator. In the present embodiment, the combination of the acylphosphine oxide-based photopolymerization initiator (B) and the alkylaminobenzene derivative (C1) as the hydrogen donor is particularly preferable because the linearity of the outline of the pattern is good and the resist shape is excellent , And is effective in forming a pattern having excellent resolution.
(C1)알킬아미노벤젠 유도체로서는, 예를 들면, 페닐글리신 유도체, 아미노벤조산 유도체, 아미노벤조산에스테르 유도체 등을 바람직하게 들 수 있다.(C1) alkylaminobenzene derivatives include, for example, phenylglycine derivatives, aminobenzoic acid derivatives, and aminobenzoic acid ester derivatives.
페닐글리신 유도체로서는, N-페닐글리신, N,N-디페닐글리신, N-나프틸그리신 등을 바람직하게 들 수 있다.As the phenylglycine derivative, N-phenylglycine, N, N-diphenylglycine, N-naphthylglycine and the like are preferably exemplified.
아미노벤조산 유도체로서는, 2-메틸아미노벤조산, 2-에틸아미노벤조산 등을 바람직하게 들 수 있다. 또한, 아미노벤조산에스테르 유도체로서는, N,N-디메틸아미노벤조산에틸, N,N-디에틸아미노벤조산에틸, N,N-디메틸아미노벤조산이소아밀, N,N-디에틸아미노벤조산이소아밀 등을 바람직하게 들 수 있다.Examples of the aminobenzoic acid derivative include 2-methylaminobenzoic acid and 2-ethylaminobenzoic acid. Examples of aminobenzoic acid ester derivatives include N, N-dimethylaminobenzoate, N, N-diethylaminobenzoate, N, N-dimethylaminobenzoic acid isoamyl, N, N-diethylaminobenzoic acid, Can be preferably used.
본 실시 형태에 있어서는, 알킬아미노기를 가지는 방향족 아민 화합물을 사용하여도 된다. 구체적인 예로서는, 예를 들면, 알킬기의 탄소수가 8~14인 디알킬디페닐아민, 옥틸화 디페닐아민, 4,4'-비스(α,α-디메틸벤질)디페닐아민, N-페닐-N'-이소프로필-p-페닐렌디아민, N-페닐-N'-(1,3-디메틸부틸)-p-페닐렌디아민, 및 N-페닐-N'-(3-메타크릴로일옥시-2-히드록시프로필)-p-페닐렌디아민 등을 바람직하게 들 수 있다.In the present embodiment, an aromatic amine compound having an alkylamino group may be used. Specific examples thereof include dialkyldiphenylamines having 8-14 carbon atoms in the alkyl group, octyldiphenylamine, 4,4'-bis (?,? - dimethylbenzyl) diphenylamine, N-phenyl-N Phenyl-N '- (3-methacryloyloxy-phenyl) -isopropyl-p-phenylenediamine, 2-hydroxypropyl) -p-phenylenediamine, and the like.
이들 (C1)알킬아미노벤젠 유도체 중에서도, N-페닐글리신, 2-메틸아미노벤조산, 및 N,N-디에틸아미노벤조산에틸이 바람직하다.Of these (C1) alkylaminobenzene derivatives, N-phenylglycine, 2-methylaminobenzoic acid and ethyl N, N-diethylaminobenzoate are preferred.
이들 (C1)알킬아미노벤젠 유도체는, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 또한, 상기의 알킬아미노벤젠 유도체와 동시에, 지방족아민 화합물을 사용하여도 된다. 구체적인 예로서, 예를 들면, 트리에탄올아민, 트리에틸아민 등을 바람직하게 들 수 있다.These (C1) alkylaminobenzene derivatives may be used singly or in combination of two or more. Also, an aliphatic amine compound may be used at the same time as the above alkylaminobenzene derivative. As specific examples, triethanolamine, triethylamine and the like are preferably exemplified.
감광성 수지 조성물 중의 고형분 전량을 100질량부로 하는 (C1)알킬아미노벤젠 유도체의 함유량은, 0.01~5질량부가 바람직하고, 0.1~3질량부가 보다 바람직하고, 0.2~1.5질량부가 더욱 바람직하며, 0.2~1.0질량부가 특히 바람직하다. 이 함유량이 0.1질량부 이상이면 감광성 수지 조성물의 용액이 겔화하기 어려워지며, 5질량부 이하이면 광감도가 저하하기 어렵기 때문에 바람직하다.The content of the (C1) alkylaminobenzene derivative in which the total solid content in the photosensitive resin composition is 100 parts by mass is preferably 0.01 to 5 parts by mass, more preferably 0.1 to 3 parts by mass, still more preferably 0.2 to 1.5 parts by mass, 1.0 part by mass is particularly preferable. When the content is 0.1 part by mass or more, the solution of the photosensitive resin composition becomes difficult to gel, and when it is 5 parts by mass or less, photosensitivity is not easily deteriorated.
[(C2)피라졸린계 증감제 또는 안트라센계 증감제][(C2) pyrazoline-based sensitizer or anthracene-based sensitizer]
(C2)성분은 피라졸린계 증감제, 또는 안트라센계 증감제이다. (C2)피라졸린계 증감제를 첨가함으로써, 디지털 노광이어도, 저부가 도려내지는 언더컷의 발생, 및 레지스트 상부의 결락이 발생하는 일 없이, 패턴 윤곽의 직선성이 좋고 레지스트 형상이 우수하며, 해상성이 우수한 패턴을 형성할 수 있는 감광성 수지 조성물을 얻을 수 있다.(C2) is a pyrazoline-based sensitizer, or an anthracene-based sensitizer. (C2) pyrazoline-type sensitizer, it is possible to provide a resist composition which is excellent in linearity of a pattern contour, excellent in resist shape, and has excellent resolution even without digital exposure, A photosensitive resin composition capable of forming an excellent pattern can be obtained.
(C2)피라졸린계 증감제로서는, 피라졸환을 가지는 증감제이면 특히 제한은 없으나, 하기 일반식(VI)로 나타나는 피라졸린계 증감제가 바람직하다.The (C2) pyrazoline type sensitizer is not particularly limited as long as it is a sensitizer having a pyrazole ring, but a pyrazoline type sensitizer represented by the following general formula (VI) is preferable.
일반식(VI) 중, R은 탄소수 4~12의 알킬기를 나타내고, a, b 및 c는 각각 0~2의 정수를 나타내고, a, b 및 c의 총합은 1~6이다. a, b 및 c의 총합이 2~6일 때, 동일 분자 중의 복수의 R은 각각 동일해도 상이해도 된다. R의 알킬기는, 직쇄상이어도 분지상이어도 되고, 또한 할로겐 원자, 알킬기, 아릴기, 아랄킬기, 아미노기, 아미드기, 알콕시기 등에 의해 치환된 것이어도 된다. R로서는, 탄소수 4, 8 및 12인 알킬기가 바람직하고, 보다 구체적으로는, n-부틸기, tert-부틸기, tert-옥틸기, 및 n-도데실기가 바람직하고, 이들 중에서 선택되는 동일 또는 다른 것인 것이 바람직하다.In formula (VI), R represents an alkyl group having 4 to 12 carbon atoms, a, b and c each represent an integer of 0 to 2, and the sum of a, b and c is 1 to 6. When the sum of a, b, and c is 2 to 6, a plurality of Rs in the same molecule may be the same or different. The alkyl group of R may be linear or branched or may be substituted with a halogen atom, an alkyl group, an aryl group, an aralkyl group, an amino group, an amide group, an alkoxy group or the like. As R, an alkyl group having 4, 8 and 12 carbon atoms is preferable, and more specifically, n-butyl group, tert-butyl group, tert-octyl group and n-dodecyl group are preferable, It is preferable that the other is different.
이러한 피라졸린계 증감제로서는, 1-(4-tert-부틸-페닐)-3-스티릴-5-페닐-피라졸린, 1-페닐-3-(4-tert-부틸-스티릴)-5-(4-tert-부틸-페닐)-피라졸린, 1,5-비스-(4-tert-부틸-페닐)-3-(4-tert-부틸-스티릴)-피라졸린, 1-(4-tert-옥틸-페닐)-3-스티릴-5-페닐-피라졸린, 1-페닐-3-(4-tert-옥틸-스티릴)-5-(4-tert-옥틸-페닐)-피라졸린, 1,5-비스-(4-tert-옥틸-페닐)-3-(4-tert-옥틸-스티릴)-피라졸린, 1-(4-도데실-페닐)-3-스티릴-5-페닐-피라졸린, 1-페닐-3-(4-도데실-스티릴)-5-(4-도데실-페닐)-피라졸린, 1-(4-도데실-페닐)-3-(4-도데실-스티릴)-5-(4-도데실-페닐)-피라졸린, 1-(4-tert-옥틸-페닐)-3-(4-tert-부틸-스티릴)-5-(4-tert-부틸-페닐)-피라졸린, 1-(4-tert-부틸-페닐)-3-(4-tert-옥틸-스티릴)-5-(4-tert-옥틸-페닐)-피라졸린, 1-(4-도데실-페닐)-3-(4-tert-부틸-스티릴)-5-(4-tert-부틸-페닐)-피라졸린, 1-(4-tert-부틸-페닐)-3-(4-도데실-스티릴)-5-(4-도데실-페닐)-피라졸린, 1-(4-도데실-페닐)-3-(4-tert-옥틸-스티릴)-5-(4-tert-옥틸-페닐)-피라졸린, 1-(4-tert-옥틸-페닐)-3-(4-도데실-스티릴)-5-(4-도데실-페닐)-피라졸린, 1-(2,4-디-n-부틸-페닐)-3-(4-도데실-스티릴)-5-(4-도데실-페닐)-피라졸린, 1-페닐-3-(3,5-디-tert-부틸-스티릴)-5-(3,5-디-tert-부틸-페닐)-피라졸린, 1-페닐-3-(2,6-디-tert-부틸-스티릴)-5-(2,6-디-tert-부틸-페닐)-피라졸린, 1-페닐-3-(2,5-디-tert-부틸-스티릴)-5-(2,5-디-tert-부틸-페닐)-피라졸린, 1-페닐-3-(2,6-디-n-부틸-스티릴)-5-(2,6-디-n-부틸-페닐)-피라졸린, 1-(3,4-디-tert-부틸-페닐)-3-스티릴-5-페닐-피라졸린, 1-(3,5-디-tert-부틸-페닐)-3-스티릴-5-페닐-피라졸린, 1-(4-tert-부틸-페닐)-3-(3,5-디-tert-부틸-스티릴)-5-(3,5-디-tert-부틸-페닐)-피라졸린 및 1-(3,5-디-tert-부틸-페닐)-3-(3,5-디-tert-부틸-스티릴)-5-(3,5-디-tert-부틸-페닐)-피라졸린 등을 바람직하게 들 수 있다.Examples of such pyrazoline sensitizers include 1- (4-tert-butylphenyl) -3-styryl-5-phenyl-pyrazoline, 1-phenyl- - (4-tert-butyl-phenyl) -pyrazolene, l- (4-tert- phenyl-3- (4-tert-octyl-styryl) -5- (4-tert-octyl-phenyl) (4-tert-octyl-phenyl) -3-styryl-pyrazoline, 5- (4-dodecyl-phenyl) -pyrazoline, 1- (4-dodecyl-phenyl) -3- (4-dodecyl-styryl) -5- (4-dodecyl-phenyl) -pyrazoline, - (4-tert-butyl-phenyl) -pyrazoline, 1- (4-tert-butyl- (4-tert-butyl-styryl) -5- (4-tert- butylphenyl) - pyrazoline, 1- (4-dodecyl- Butyl-phenyl) -3- (4-dodecyl- (4-tert-octyl-styryl) -5- (4-dodecyl-phenyl) -pyrazoline, (4-tert-octyl-phenyl) -pyrazoline, 1- (4-tert- Phenyl-3- (3,5-di-tert-butyl-phenyl) butyl-styryl) -5- (3,5-di-tert-butyl-phenyl) (2,5-di-tert-butyl-styryl) -5- (2,5-di-tert-butyl) (2,6-di-n-butyl-phenyl) -pyrazoline, 1- ( Phenyl-3-styryl-5-phenyl-pyrazoline, 1- (3,5-di-tert- (3,5-di-tert-butyl-phenyl) - pyrazoline, 1- (4-tert- (3,5-di-tert-butyl-phenyl) -3- (3,5-di-tert- butylstyryl) And the like can be referred to sleepy preferred.
감광성 수지 조성물 중의 고형분 전량을 100질량부로 하는 (C2)피라졸린계 증감제의 함유량은, 0.01~10.0질량부가 바람직하고, 0.01~5질량부가 보다 바람직하고, 0.02~1질량부가 더욱 바람직하고, 0.03~0.5질량부가 특히 바람직하며, 0.03~0.2질량부가 지극히 바람직하다. (C2)피라졸린계 증감제의 함유량이, 0.01질량부 이상이면 노광부가 현상 중에 용출하기 어려워지며, 10질량부 이하이면 내열성의 저하를 억제할 수 있다.The content of the (C2) pyrazoline type sensitizer in the total amount of the solid content in the photosensitive resin composition is preferably 0.01 to 10.0 parts by mass, more preferably 0.01 to 5 parts by mass, still more preferably 0.02 to 1 part by mass, even more preferably 0.03 to 1 part by mass To 0.5 parts by mass is particularly preferable, and 0.03 to 0.2 parts by mass is extremely preferable. When the content of the (C2) pyrazoline type sensitizer is 0.01 parts by mass or more, the exposed portion is difficult to elute during development, and when it is 10 parts by mass or less, deterioration of heat resistance can be suppressed.
본 실시 형태의 감광성 수지 조성물은, (C2)안트라센계 증감제를 첨가하는 것이 바람직하다.In the photosensitive resin composition of the present embodiment, it is preferable to add (C2) anthracene-based sensitizer.
본 실시 형태의 감광성 수지 조성물에 사용되는 (C2)안트라센계 증감제는, 광경화성을 향상시킴으로써, 레지스트 형상이 우수하고, 해상성이 우수한 패턴을 형성하는 것을 가능하게 하는 것이다.The (C2) anthracene type sensitizer used in the photosensitive resin composition of the present embodiment makes it possible to form a pattern having excellent resist shape and excellent resolution by improving the photocurability.
(C2)안트라센계 증감제로서는, 예를 들면, 하기 일반식(XI)로 나타나는 화합물을 바람직하게 들 수 있다.As the (C2) anthracene-based sensitizer, for example, compounds represented by the following general formula (XI) are preferably exemplified.
일반식(XI) 중, I11은 1~10의 정수이며, R3은 수소 원자, 탄소수 1~8의 알킬기, 탄소수 3~20의 지환족기, 탄소수 2~8의 알케닐기, 아릴기, 헤테로아릴기, 또는-N(R4)2기를 나타내고, 2 이상의 R3가 서로 결합하여 환상 구조를 형성해도 되며, 그 환상 구조는 헤테로 원자를 포함해도 되고, 또한 알킬기, 알케닐기는, 직쇄상이어도 분지상이어도 되며, 또한 할로겐 원자, 알킬기, 아릴기, 아랄킬기, 아미노기, 아미드기, 알콕시기 등에 의해 치환된 것이어도 된다. 또 복수의 R3, R4는 동일해도 상이해도 된다.In formula (XI), I 11 is an integer of 1 to 10, and R 3 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an alicyclic group having 3 to 20 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 8 carbon atoms, An aryl group or an -N (R 4 ) 2 group, two or more of R 3 may be bonded to each other to form a cyclic structure, the cyclic structure may contain a hetero atom, and the alkyl group and alkenyl group may be straight- May be branched or may be substituted with a halogen atom, an alkyl group, an aryl group, an aralkyl group, an amino group, an amide group, an alkoxy group or the like. The plurality of R 3 and R 4 may be the same or different.
X는, 단결합, 산소 원자, 황 원자, 카보닐기, 술포닐기, -N(R')-기, -C(=O)-O-기, -C(=O)-S-기, -SO2-O-기, -SO2-S-기, -SO2-N(R')-기, -O-CO-기, -S-C(=O)-기, -O-SO2-기, 또는 -S-SO2-기를 나타낸다. 다만, X가 단결합, 또한, R3가 수소 원자의 조합(즉 무치환의 안트라센)을 제외한다. 또한 복수의 X는 동일해도 상이해도 된다.X represents a single bond, an oxygen atom, a sulfur atom, a carbonyl group, a sulfonyl group, -N (R ') - group, -C (= O) SO 2 -O- group, -S- -SO 2 group, -SO 2 -N (R ') - group, -O-CO- group, -SC (= O) - group, -O-SO 2 - group , Or -S-SO 2 - group. However, X is a single bond, and R 3 is a combination of hydrogen atoms (i.e., unsubstituted anthracene). The plural Xs may be the same or different.
여기서, R4는, 수소원자, 탄소수 1~8의 알킬기, 탄소수 3~20의 지환족기, 탄소수 2~8의 알케닐기, 아릴기, 또는 헤테로아릴기를 나타내고, R4끼리가 서로 결합하여 환상 구조를 형성해도 되며, 그 환상 구조는 헤테로 원자를 포함해도 되고, 알킬기, 알케닐기는, 직쇄상이어도 분지상이어도 되며, 또한 할로겐 원자, 알킬기, 아릴기, 아랄킬기, 아미노기, 아미드기, 알콕시기 등에 의해 치환된 것이어도 된다.Here, R 4 is, represents a hydrogen atom, an alicyclic group having 1 to 8 carbon atoms an alkyl group, having 3 to 20 carbon atoms, the alkenyl group, an aryl group having a carbon number of 2-8, or a heteroaryl group, R 4 together are bonded to each other cyclic structure An alkyl group, an aryl group, an aralkyl group, an amino group, an amide group, an alkoxy group, etc., may be added to the cyclic structure, May be substituted.
상기 R3, 및 R4에 있어서의 탄소수 3~20의 지환족기로서는, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 외에, 예를 들면, 노보닐기, 트리시클로데카닐기, 테트라시클로도데실기, 아다만틸기, 메틸아다만틸기, 에틸아다만틸기, 및 부틸아다만틸기 등의 탄소수 6~20의 유교(有橋)지환식 탄화수소기 등을 바람직하게 들 수 있다.Examples of the alicyclic group having 3 to 20 carbon atoms in R 3 and R 4 include a cyclic group such as a norbornyl group, a tricyclodecanyl group, a tetracyclo-cyclohexyl group, a tricyclodecanyl group, And bridged alicyclic hydrocarbon groups having 6 to 20 carbon atoms such as a dodecyl group, an adamantyl group, a methyladamantyl group, an ethyladamantyl group, and a butyladamantyl group.
아릴기로서는, R13의 아릴기로서 예시한 것을 바람직하게 들 수 있으며, 헤테로아릴기로서는, 이들 아릴기를 구성하는 임의의 환원자의 한 개 이상을, 황 원자, 산소 원자, 질소 원자 등의 헤테로 원자로 치환하여 얻어지는 것을 바람직하게 들 수 있다.The aryl group is preferably those exemplified as the aryl group of R < 13 & gt ;. As the heteroaryl group, at least one of the optional reducing groups constituting the aryl group may be substituted with a hetero atom such as a sulfur atom, And the like.
상기와 같은 R3, 및 R4로서는, 예를 들면, 수소 원자, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 컴포로일기, 노보닐기, p-톨릴기, 벤질기, 페닐기, 및 1-나프틸기 등을 바람직하게 들 수 있다.Examples of R 3 and R 4 as described above include a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, A naphthyl group, a p-tolyl group, a benzyl group, a phenyl group, a 1-naphthyl group and the like can be preferably exemplified as the naphthyl group, the naphthyl group, the naphthyl group,
또한, 상기의 일반식(XI)로 나타나는, (C2)안트라센계 증감제로서는, 예를 들면, 1-메틸안트라센, 2-메틸안트라센, 2-에틸안트라센, 2-t-부틸안트라센, 9-메틸안트라센 등의 알킬안트라센; 9,10-디메틸안트라센, 9,10-디프로필안트라센, 9,10-디부틸안트라센 등의 디알킬안트라센; 9-(히드록시메틸)안트라센, 9-(2-히드록시에틸)안트라센 등의 히드록시알킬안트라센; 9,10-디에톡시안트라센, 9,10-디프로폭시안트라센, 9,10-디부톡시안트라센, 9,10-디(2-에틸헥실옥시)안트라센 등의 디알콕시안트라센; 9-비닐안트라센, 9-알릴안트라센 등의 알케닐안트라센; 1-아미노안트라센, 2-아미노안트라센, 9-(메틸아미노메틸)안트라센 등의 아미노안트라센; 9-안트라알데히드, 10-메틸-9-안트라알데히드 등의 안트라알데히드; 그 외, 9-페닐안트라센, 9-아세틸안트라센, 9,10-디페닐안트라센, 1,2-벤즈안트라센, 1,8,9-트리아세톡시안트라센, 1,4,9,10-테트라히드록시안트라센 등을 바람직하게 들 수 있으며, 이들 안트라센계 증감제는, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Examples of the (C2) anthracene type sensitizer represented by the above general formula (XI) include 1-methyl anthracene, 2-methyl anthracene, 2-ethyl anthracene, 2- Alkylanthracene such as anthracene; Dialkyl anthracenes such as 9,10-dimethyl anthracene, 9,10-dipropylanthracene and 9,10-dibutyl anthracene; Hydroxyalkylanthracene such as 9- (hydroxymethyl) anthracene and 9- (2-hydroxyethyl) anthracene; Dialkoxyanthracene such as 9,10-diethoxyanthracene, 9,10-dipropoxyanthracene, 9,10-dibutoxyanthracene, and 9,10-di (2-ethylhexyloxy) anthracene; Alkenyl anthracene such as 9-vinyl anthracene and 9-allylanthracene; Aminoanthracene such as 1-aminoanthracene, 2-aminoanthracene and 9- (methylaminomethyl) anthracene; Anthraldehyde such as 9-anthraldehyde and 10-methyl-9-anthraldehyde; In addition, it is also possible to use 9-phenylanthracene, 9-acetylanthracene, 9,10-diphenylanthracene, 1,2-benzanthracene, 1,8,9-triacetoxyanthracene, 1,4,9,10-tetrahydroxy And anthracene. These anthracene sensitizers may be used singly or in combination of two or more.
이들 중에는, 디페닐안트라센, 디알킬안트라센, 및 디알콕시안트라센이 바람직하고, 9,10-디메틸안트라센, 9,10-디페닐안트라센, 9,10-디에톡시안트라센, 9,10-디프로폭시안트라센, 9,10-디부톡시안트라센, 및 9,10-디(2-에틸헥실옥시)안트라센이 보다 바람직하고, 9,10-디에톡시안트라센, 9,10-디프로폭시안트라센, 9,10-디부톡시안트라센, 및 9,10-디(2-에틸헥실옥시)안트라센 등의 9,10-디알콕시안트라센이 더욱 바람직하다. 본 실시 형태에 있어서, 이들 안트라센계 증감제를 사용하면, 특히 파장 300~450nm의 방사선에 광감도를 가지는 감광성 수지 조성물을 얻을 수 있으며, 광경화성을 향상할 수 있기 때문에, 레지스트 형상이 우수하며, 해상성이 우수한 패턴을 형성할 수 있다.Among these, diphenylanthracene, dialkyl anthracene, and dialkoxyanthracene are preferable, and 9,10-dimethylanthracene, 9,10-diphenylanthracene, 9,10-diethoxyanthracene, 9,10- , 9,10-dibutoxyanthracene and 9,10-di (2-ethylhexyloxy) anthracene are more preferable, and 9,10-diethoxyanthracene, 9,10-dipropoxyanthracene, And 9,10-dialkoxy anthracene such as dibutoxy anthracene and 9,10-di (2-ethylhexyloxy) anthracene are more preferable. In the present embodiment, by using these anthracene sensitizers, it is possible to obtain a photosensitive resin composition having photosensitivity particularly in the wavelength range of 300 to 450 nm, and the photocurability can be improved, It is possible to form an excellent pattern.
감광성 수지 조성물 중의 고형분 전량을 100질량부로 하는 (C2)안트라센계 증감제의 함유량은, 바람직하게는 0.001~10질량부이다. (C2)안트라센계 증감제의 함유량이 상기 범위내이면, 광경화성을 향상시킬 수 있기 때문에, 레지스트 형상이 우수하며, 해상성이 우수한 패턴을 형성할 수 있다. 동일한 이유에서, (C2)안트라센계 증감제의 함유량은, 0.01~5질량부가 보다 바람직하고, 0.03~3질량부가 더욱 바람직하며, 0.1~1.5질량부가 특히 바람직하다.The content of (C2) anthracene-based sensitizer in 100 parts by mass of the total solid content in the photosensitive resin composition is preferably 0.001 to 10 parts by mass. When the content of the (C2) anthracene type sensitizer is within the above range, the photocurability can be improved, and a pattern excellent in resist shape and excellent in resolution can be formed. For the same reason, the content of (C2) anthracene-based sensitizer is more preferably 0.01 to 5 parts by mass, still more preferably 0.03 to 3 parts by mass, and particularly preferably 0.1 to 1.5 parts by mass.
또한, (A)산변성 비닐기 함유 에폭시 수지 100질량부에 대한 (C2)안트라센계 증감제의 함유량으로서는, 0.001~10질량부가 바람직하고, 0.01~5질량부가 보다 바람직하며, 0.03~3질량부가 더욱 바람직하다.The content of (C2) anthracene-based sensitizer in (A) 100 parts by mass of the acid-modified vinyl group-containing epoxy resin is preferably 0.001 to 10 parts by mass, more preferably 0.01 to 5 parts by mass, further preferably 0.03 to 3 parts by mass More preferable.
[(C3)이미다졸계 광중합 개시제, 아크리딘계 광중합 개시제, 및 티타노센계 광중합 개시제로부터 선택되는 적어도 1종의 광중합 개시제][(C3) at least one photopolymerization initiator selected from an imidazole-based photopolymerization initiator, an acridine-based photopolymerization initiator, and a titanocene-based photopolymerization initiator]
(C3)성분은, 이미다졸계 광중합 개시제, 아크리딘계 광중합 개시제, 및 티타노센계 광중합 개시제로부터 선택되는 적어도 1종의 광중합 개시제이다.(C3) is at least one photopolymerization initiator selected from an imidazole-based photopolymerization initiator, an acridine-based photopolymerization initiator, and a titanocene photopolymerization initiator.
본 실시 형태에 있어서는, 상기의 (B)아실포스핀옥사이드계 광중합성 개시제와, (C3)성분과의 조합이, 특히, 패턴 윤곽의 직선성이 좋고 레지스트 형상이 우수하며, 해상성이 우수한 패턴을 형성하는 점에서 효과적이다.In the present embodiment, the combination of the above-mentioned (B) acylphosphine oxide-based photopolymerization initiator and the (C3) component is particularly preferable as the combination of the pattern Is effective.
이미다졸계 광중합 개시제로서는, 분자 중에 이미다졸환을 가지는 광중합 개시제이면 특히 제한은 없으나, 2,2'-비스(o-클로로페닐)-4,5,4',5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸, 및 2-(o-클로로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체, 2-(o-클로로페닐)-4,5-디(m-메톡시페닐)이미다졸 이량체, 2-(o-플루오로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체, 2-(o-메톡시페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체, 2-(p-메톡시페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체, 2,4-디(p-메톡시페닐)-5-페닐이미다졸 이량체, 2-(2,4-디메톡시페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체, 및 2-(p-메틸머캅토페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체 등의 2,4,5-트리아릴이미다졸 이량체 등을 바람직하게 들 수 있다.The imidazole-based photopolymerization initiator is not particularly limited as long as it is a photopolymerization initiator having an imidazole ring in the molecule, and examples thereof include 2,2'-bis (o-chlorophenyl) -4,5,4 ', 5'- Imidazole and 2- (o-chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (o-chlorophenyl) -4,5-di (m- methoxyphenyl) Imidazole dimer, 2- (o-fluorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (o-methoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2 - (p-methoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2,4-di (p-methoxyphenyl) Dimethoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, and 2- (p-methylmercaptophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, etc., 2,4,5-triaryl Imidazole dimer, and the like.
2,4,5-트리아릴이미다졸 이량체에 있어서는, 해당 이량체를 구성하는 2개의 2,4,5-트리아릴이미다졸은, 각각 동일한 구조를 가지고 있어도, 상이한 구조를 가지고 있어도 된다. 즉, 2,4,5-트리아릴이미다졸 이량체에 있어서의 트리아릴기의 종류는 동일해도 상이해도 된다.In the 2,4,5-triarylimidazole dimer, the two 2,4,5-triarylimidazoles constituting the dimer may have the same structure or different structures, respectively . That is, the types of the triaryl groups in the 2,4,5-triarylimidazole dimer may be the same or different.
이러한 2,4,5-트리아릴이미다졸 이량체로서는, 예를 들면, 2,2'-비스(o-클로로페닐)-4,5,4',5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸, 2-(o-클로로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체, 2,2'-비스(o-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라(p-클로로페닐)이미다졸 이량체, 2-(o-클로로페닐)-4,5-디(m-메톡시페닐)이미다졸 이량체, 2,2'-비스(o-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라(p-플루오로페닐)이미다졸 이량체, 2,2'-비스(o-브로모페닐)-4,4',5,5'-테트라(p-클로로p-메톡시페닐)이미다졸 이량체, 2,2'-비스(o-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라(o,p-디클로로페닐)이미다졸 이량체, 2,2'-비스(o-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라(o,p-디브로모페닐)이미다졸 이량체, 2,2'-비스(o-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라(p-클로로나프틸)이미다졸 이량체, 2,2'-비스(m,p-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐이미다졸 이량체, 2,2'-비스(o,p-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐이미다졸 이량체, 2,2'-비스(o,p-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라(o,p-디클로로페닐)이미다졸 이량체, 2-(o-플루오로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체, 2-(o-메톡시페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체, 2-(p-메톡시페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체, 2,4-디(p-메톡시페닐)-5-페닐이미다졸 이량체, 2-(2,4-디메톡시페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체, 2-(p-메틸머캅토페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체, 2,2'-비스(p-브로모페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐이미다졸 이량체, 2,2'-비스(o-브로모페닐)-4,4',5,5'-테트라(o,p-디클로로페닐)이미다졸 이량체, 2,2'-비스(o-브로모페닐)-4,4',5,5'-테트라(p-요오드페닐)이미다졸 이량체, 2,2'-비스(m-브로모페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐이미다졸 이량체, 2,2'-비스(m,p-디브로모페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐이미다졸 이량체 등을 바람직하게 들 수 있다.Examples of such 2,4,5-triarylimidazole dimer include 2,2'-bis (o-chlorophenyl) -4,5,4 ', 5'-tetraphenyl- -Imidazole, 2- (o-chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2,2'-bis (o-chlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetra (p-chlorophenyl) imidazole dimer, 2- (o-chlorophenyl) -4,5-di (m-methoxyphenyl) imidazole dimer, 2,2'- Tetra (p-fluorophenyl) imidazole dimer, 2,2'-bis (o-bromophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetra (p (O, p-dichlorophenyl) imidazole dimer, 2,2'-bis (o-chlorophenyl) -4,4 ', 5,5'- (O, p-dibromophenyl) imidazole dimer, 2,2'-bis (o-chlorophenyl) -4,4 ', 5,5'- ) -4,4 ', 5,5'-tetra (p-chloronaphthyl) imidazole dimer, 2,2'-bis (m, p- Tetraphenylimidazole dimer, 2,2'-bis (o, p-dichlorophenyl) -4,4 ', 5,5 (O, p-dichlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetra (o, p-dichlorophenyl) imidazole dimer, 2,2'-bis - (o-fluorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (o-methoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (p- Phenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2,4-di (p-methoxyphenyl) -5-phenylimidazole dimer, 2- (2,4-dimethoxyphenyl) -4 , 5-diphenylimidazole dimer, 2- (p-methylmercaptophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2,2'-bis (p-bromophenyl) 4 ', 5,5'-tetraphenylimidazole dimer, 2,2'-bis (o-bromophenyl) -4,4', 5,5'-tetra (o, Bis (o-bromophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetra (p-iodophenyl) imidazole dimer, 2,2'-bis Bis (m, p-dibromophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetramethyldimodazole dimer, 2,2'- Phenyl imidazole dimer, and the like.
이들 2,4,5-트리아릴이미다졸 이량체는, 그 아릴기가 나아가 할로겐 원자, 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 3~10의 시클로알킬기, 탄소수 6~14의 아릴기, 아미노기, 탄소수 1~10의 알킬아미노기, 니트로기, 시아노기, 머캅토기, 탄소수 1~10의 알킬머캅토기, 탄소수 2~20의 디알킬아미노기, 알릴기, 탄소수 1~20의 히드록시알킬기, 알킬기의 탄소수가 1~10의 카복시알킬기, 알킬기의 탄소수가 1~10의 아실기, 탄소수 1~20의 알콕실기 또는 복소환을 포함하는 기 등으로 치환되어 있어도 된다.The aryl group of the 2,4,5-triarylimidazole dimer is further substituted by a halogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms, an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, an amino group, An alkylamino group having 1 to 10 carbon atoms, a nitro group, a cyano group, a mercapto group, an alkylmercapto group having 1 to 10 carbon atoms, a dialkylamino group having 2 to 20 carbon atoms, an allyl group, a hydroxyalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, A carboxyalkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an acyl group having 1 to 10 carbon atoms in the alkyl group, an alkoxyl group having 1 to 20 carbon atoms, or a group having a heterocyclic ring.
아크리딘계 광중합 개시제로서는, 분자 중에 아크리딘환을 가지는 광중합 개시제이면 특히 제한은 없으나, 1,4-부틸렌비스-β-(아크리딘-9-일)아크릴레이트, p-자일렌비스[β-(아크리딘-9-일)아크릴레이트], 트리에틸렌글리콜비스[β-(아크리딘-9-일)아크릴레이트, 9-페닐아크리딘, 1,7-비스(9,9'-아크리디닐)헵탄 등을 바람직하게 들 수 있다.The acridine-based photopolymerization initiator is not particularly limited as long as it is a photopolymerization initiator having an acridine ring in the molecule, but 1,4-butylene bis- (acridine-9-yl) acrylate, p- acrylate], triethylene glycol bis [? - (acridine-9-yl) acrylate, 9-phenylacridine, 1,7-bis '-Acridinyl) heptane, and the like.
티타노센계 광중합 개시제로서는, 금속으로서 티탄을 가지는 메탈로센 화합물의 광중합 개시제이면 특히 제한은 없으나, 비스(η5-시클로펜타디에닐)-비스(2,6-디플루오로-3-(1H-피롤-1-일)페닐)티타늄, 비스(2,4-시클로펜타디에닐)-비스(2,6-디플루오로-3-(1-피릴)페닐)티타늄 등을 바람직하게 들 수 있다. 이들 광중합 개시제는, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.As the titanocene photopolymerization initiator, there is no particular limitation as long as it is a photopolymerization initiator of a metallocene compound having titanium as a metal, but bis (η 5 -cyclopentadienyl) -bis (2,6-difluoro- (2,4-cyclopentadienyl) -bis (2,6-difluoro-3- (1-pyryl) phenyl) titanium and the like. These photopolymerization initiators may be used singly or in combination of two or more.
감광성 수지 조성물 중의 고형분 전량을 100질량부로 하는 (C3)광중합 개시제의 함유량은, 0.01~15질량부가 바람직하고, 0.01~5질량부가 보다 바람직하고, 0.01~3.5질량부가 더욱 바람직하며, 0.02~1.0질량부가 특히 바람직하다. 이 함유량이 0.01질량부 이상이면 감광성 수지 조성물의 용액이 겔화하기 어려워지며, 15질량부 이하이면 광감도가 저하하기 어렵기 때문에 바람직하다.The content of the (C3) photopolymerization initiator in the total amount of the solid content in the photosensitive resin composition is preferably 0.01 to 15 parts by mass, more preferably 0.01 to 5 parts by mass, further preferably 0.01 to 3.5 parts by mass, more preferably 0.02 to 1.0 part by mass The addition is particularly preferred. When the content is 0.01 part by mass or more, the solution of the photosensitive resin composition becomes difficult to gel, and when it is less than 15 parts by mass, the photosensitivity is hardly lowered.
감광성 수지 조성물 중의 고형분 전량을 100질량부로 하는 (B)아실포스핀옥사이드계 광중합 개시제와 (C3)광중합 개시제와의 합계 함유량은, 바람직하게 0.2~15질량부이다. 0.2질량부 이상이면 노광부가 현상중에 용출하기 어려워지며, 15질량부 이하이면 내열성이 저하하기 어려워진다. 또한, 동일한 이유에서, (B)광중합 개시제와 (C3)광중합 개시제와의 합계 함유량은, 0.2~10질량부가 보다 바람직하고, 0.2~5질량부가 더욱 바람직하고, 0.5~5질량부가 특히 바람직하며, 0.5~3질량부가 지극히 바람직하다.The total content of the acylphosphine oxide-based photopolymerization initiator (B) and the photopolymerization initiator (C3) in which the total solid content in the photosensitive resin composition is 100 parts by mass is preferably 0.2 to 15 parts by mass. When the amount is 0.2 parts by mass or more, the exposed portion is difficult to elute during development, and when it is 15 parts by mass or less, the heat resistance is less likely to deteriorate. For the same reason, the total content of the photopolymerization initiator (B) and the photopolymerization initiator (C3) is more preferably 0.2 to 10 parts by mass, more preferably 0.2 to 5 parts by mass, particularly preferably 0.5 to 5 parts by mass, 0.5 to 3 parts by mass is extremely preferable.
상기의 (B)아실포스핀옥사이드계 광중합성 개시제와 (C3)광중합 개시제와의 질량비는, 100:0.5~100:8이 바람직하고, 100:1~100:6이 보다 바람직하고, 100:1~100:5가 더욱 바람직하다. 질량비가 상기 범위내이면, 레지스트 형상이 우수하며, 저부 경화성, 바이어홀 지름 정도(精度)가 향상되는 경향이 있으므로 바람직하다.The mass ratio of the acylphosphine oxide-based photopolymerization initiator (B) to the photopolymerization initiator (C3) is preferably 100: 0.5 to 100: 8, more preferably 100: 1 to 100: 6, To 100: 5 is more preferable. When the mass ratio is within the above range, it is preferable because the resist shape is excellent and the bottom hardness and the viahole diameter accuracy (accuracy) tend to be improved.
[(C4)힌더드페놀계 산화방지제, 퀴논계 산화방지제, 아민계 산화방지제, 황계 산화방지제, 및 인계 산화방지제로부터 선택되는 적어도 1종의 산화방지제]At least one antioxidant selected from the group consisting of [(C4) hindered phenol antioxidants, quinone antioxidants, amine antioxidants, sulfur antioxidants, and phosphorus antioxidants]
(C4)성분은, 힌더드페놀계 산화방지제, 퀴논계 산화방지제, 아민계 산화방지제, 황계 산화방지제, 및 인계 산화방지제로부터 선택되는 적어도 1종의 산화방지제이다.(C4) is at least one antioxidant selected from hindered phenol-based antioxidants, quinone-based antioxidants, amine-based antioxidants, sulfur-based antioxidants, and phosphorus-based antioxidants.
(C4)성분을 사용함으로써, 레지스트 형상이 우수하며, 해상성이 우수한 패턴을 형성할 수 있으며, 우수한 땜납 내열성과 내플럭스 부식성을 가지는 패턴을 형성할 수 있는 감광성 수지 조성물을 얻을 수 있다.By using the component (C4), a photosensitive resin composition which can form a pattern having excellent resist shape and excellent in resolution and capable of forming a pattern having excellent solder heat resistance and flux corrosion resistance can be obtained.
힌더드페놀계 산화방지제로서는, 펜타에리스리톨테트라키스[3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트](BASF 재팬(주)제, 이르가녹스 1010(상품명)), 티오디에틸렌비스[3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트](BASF 재팬(주)제, 이르가녹스 1035(상품명)), 옥타데실[3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트](BASF 재팬(주)제, 이르가녹스 1076(상품명)), 옥틸1-3,5-디-t-부틸-4-히드록시-히드로계피산(BASF 재팬(주)제, 이르가녹스 1135(상품명)), 및 4,6-비스(옥틸티오메틸-o-크레졸)(BASF 재팬(주)제, 이르가녹스 1520L) 등의 시판품, 및 n-옥타데실-3-(3'5'-디-t-부틸-4'-히드록시페닐)-프로피오네이트, n-옥타데실-3-(3'-메틸-5'-t-부틸-4'-히드록시페닐)-프로피오네이트, n-테트라데실-3-(3',5'-디-t-부틸-4'-히드록시페닐)-프로피오네이트, 1,6-헥산디올-비스-(3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)-프로피오네이트), 1,4-부탄디올-비스-(3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)-프로피오네이트), 트리에틸렌글리콜-비스-(3-(3-t-부틸-5-메틸-4-히드록시페닐)-프로피오네이트), 테트라키스-(메틸렌3-(3',5'-디-t-부틸-4'-히드록시페닐)프로피오네이트메탄, 3,9-비스(2-(3-(3-t-부틸-4-히드록시-5-메틸페닐)프로피오닐옥시)-1,1-디메틸에틸)2,4,8,10-테트라옥사스피로(5,5)운데칸, N,N'-비스-3-(3'5'-디-t-부틸-4-히드록시페놀)프리피오닐헥사메틸렌디아민, N,N'-테트라메틸렌비스-3-(3'-메틸-5'-t-부틸-4-히드록시페놀)프로피오닐디아민, N,N'-비스-(3-(3, 5-디-t-부틸-4-히드록시페놀)프로피오닐)히드라진, N-살리실로일-N'-살리실리덴히드라진, 3-(N-살리실로일)아미노-1,2,4-트리아졸, 및 N,N'-비스(2-(3-(3,5-디-부틸 4-히드록시페닐)프로피오닐옥시)에틸)옥시아미드 등을 바람직하게 들 수 있으며, 이들을 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 또한, 퀴논계 산화방지제로서는, 히드로퀴논, 2-t-부틸히드로퀴논, 히드로퀴논모노메틸에테르, 메타퀴논, 벤조퀴논 등의 퀴논계 산화방지제 등을 바람직하게 들 수 있으며, 이들을 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이들 페놀성 수산기를 가지는 산화방지제는, 퍼옥시 라디칼(ROO·), 알킬 라디칼(R·) 등의 포착 효과를 기대할 수 있다.Examples of the hindered phenol antioxidant include pentaerythritol tetrakis [3- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate] (BASF Japan, Irganox 1010 (Manufactured by BASF Japan, Irganox 1035 (trade name)), octadecyl (meth) acrylate (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate] (BASF Japan, Irganox 1076 (trade name) (octylthiomethyl-o-cresol) (manufactured by BASF Japan Co., Ltd.), and 4,6-bis (octylthiomethyl-o-cresol) (3'5'-di-t-butyl-4'-hydroxyphenyl) -propionate, n-octadecyl-3- (3 ', 5'-di-t-butyl-4'-hydroxyphenyl) -propionate, ) -Propionate, 1,6-hexanediol-bis- (3- (3,5-di-t- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate), 1,4-butanediol- (Methylene) 3- (3 ', 5'-di-t-butyl-propyl) Hydroxyphenyl) propionate methane, 3,9-bis (2- (3- (3-t-butyl-4-hydroxy-5-methylphenyl) propionyloxy) ) 2,4,8,10-tetraoxaspiro (5,5) undecane, N, N'-bis-3- (3'5'-di-t- butyl-4-hydroxyphenol) N, N'-bis- (3- (3'-methyl-5'-t- butylphenol) propionyldiamine, N, N'-tetramethylenebis (5-di-t-butyl-4-hydroxyphenol) propionyl) hydrazine, N-salicyloyl-N'-salicylidenehydrazine, 3- Triazole and N, N'-bis (2- (3- (3,5-di-butyl 4-hydroxyphenyl) propionyloxy) ethyl) oxyamide These can be used singly or in combination of two or more. Examples of the quinone antioxidant include quinone antioxidants such as hydroquinone, 2-t-butylhydroquinone, hydroquinone monomethyl ether, metaquinone, and benzoquinone. These antioxidants may be used alone or as a mixture of two or more Can be used in combination. These antioxidants having a phenolic hydroxyl group can be expected to have a trapping effect such as a peroxy radical (ROO), an alkyl radical (R), and the like.
아민계 산화방지제로서는, 페닐나프틸아민, 4,4'-디메톡시디페닐아민, 4,4'-비스(α,α-디메틸벤질)디페닐아민, 디-t-부틸디페닐아민, N,N'-디(옥틸페닐)아민, 4-이소프로폭시디페닐아민, N,N'-디(2-나프틸)-p-페닐렌디아민, 비스(2,2,6,6-테트라메틸-4-피페리딜)-세바케이트, 페노티아딘 등을 바람직하게 들 수 있으며, 이들을 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 아민계 산화방지제는, 퍼옥시 라디칼(ROO·)의 포착 효과를 기대할 수 있다.Examples of the amine antioxidant include phenylnaphthylamine, 4,4'-dimethoxydiphenylamine, 4,4'-bis (?,? - dimethylbenzyl) diphenylamine, di- (N, N'-di (2-naphthyl) -phenylenediamine, bis (2,2,6,6-tetra Methyl-4-piperidyl) sebacate, phenothiazine and the like, and these may be used singly or in combination of two or more. The amine-based antioxidant can be expected to capture the peroxy radical (ROO).
황계 산화방지제로서는, 디도데실-3,3'-티오디프로피오네이트, 디테트라데실-3,3'-티오디프로피오네이트, 디옥타데실-3,3'-티오디프로피오네이트, 디트리데실-3,3'-티오디프로피오네이트, 펜타에리스틸테트라키스(3-도데실티오프로피오네이트), 펜타에리스틸테트라키스(3-테트타데실티오프로피오네이트), 펜타에리스틸테트라키스(3-트리데실티오프로피오네이트), 디라우릴-3,3-티오디프로피오네이트, 디미리스틸-3,3-티오디프로피오네이트, 디스테아릴-3,3-티오디프로피오네이트, 펜타에리스틸테트라키스(3-라우릴티오디프로피오네이트, 2-머캅토벤조이미다졸, 라우릴스테알릴티오디프로피오네이트, 2-머캅토메틸벤츠이미다졸의 아연염, 2-머캅토벤츠이미다졸의 아연염, 2-머캅토메틸벤츠이미다졸, 디부틸티오카바민산아연 등을 바람직하게 들 수 있으며, 이들을 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.As the sulfur-based antioxidant, there can be mentioned, for example, didodecyl-3,3'-thiodipropionate, ditetradecyl-3,3'-thiodipropionate, dioctadecyl-3,3'-thiodipropionate, (3-dodecylthiopropionate), pentaerythritol tetrakis (3-dodecylthiopropionate), pentaerythritol tetrakis (3-tetradecylthiopropionate), pentaerythritol Tetrakis (3-tridecylthiopropionate), dilauryl-3,3-thiodipropionate, dimyristyl-3,3-thiodipropionate, distearyl-3,3-thiodi Propionate, pentaerythritol tetrakis (3-lauryl thiodipropionate, 2-mercaptobenzoimidazole, lauryl stearyl thiodipropionate, zinc salt of 2-mercaptomethyl benzimidazole, 2-mercaptobenzimidazole, zinc salt of 2-mercaptobenzimidazole, 2-mercaptomethylbenzimidazole, zinc dibutylthiocarbamate, and the like. These may be used singly or in combination of two or more.
인계 산화방지제로서는, 트리페닐포스파이트, 트리스(메틸페닐)포스파이트, 트리이소옥틸포스파이트, 트리데실포스파이트, 트리스(2-에틸헥실)포스파이트, 트리스(노닐페닐)포스파이트, 트리스(옥틸페닐)포스파이트, 트리스[데실폴리(옥시에틸렌)포스파이트, 트리스(시클로헥실페닐)포스파이트, 트리시클로헥실포스파이트, 트리(데실)티오포스파이트, 트리이소데실티오포스파이트, 페닐-비스(2-에틸헥실)포스파이트, 페닐-디이소데실포스파이트, 테트라데실폴리(옥시에틸렌)-비스(에틸페닐)포스파이트, 페닐-디시클로헥실포스파이트, 페닐-디이소옥틸포스파이트, 페닐-디(트리데실)포스파이트, 디페닐-시클로헥실포스파이트, 디페닐-이소옥틸포스파이트, 디페닐-2-에틸헥실포스파이트, 디페닐-이소데실포스파이트, 디페닐-시클로헥실페닐포스파이트, 디페닐-(트리데실)티오포스파이트 등을 바람직하게 들 수 있으며, 이들을 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Examples of the phosphorus antioxidant include triphenyl phosphite, tris (methylphenyl) phosphite, triisooctyl phosphite, tridecyl phosphite, tris (2-ethylhexyl) phosphite, tris (nonylphenyl) phosphite, tris ), Bis (2-ethylhexyl) phosphite, tris [decyl poly (oxyethylene) phosphite, tris (cyclohexylphenyl) phosphite, tricyclohexyl phosphite, (Ethylhexyl) phosphite, phenyldiisodecylphosphite, tetradecylpoly (oxyethylene) -bis (ethylphenyl) phosphite, phenyl-dicyclohexylphosphite, phenyl-diisooctylphosphite, phenyldi (Tridecyl) phosphite, diphenyl-cyclohexylphosphite, diphenyl-isooctylphosphite, diphenyl-2-ethylhexylphosphite, diphenyl-isodecylphosphite, diphenyl-cyclohexylphenylphosphine , Diphenyl (tridecyl) may be preferably mentioned an alkylthio such as phosphate, may be used in these alone or in combination of two or more.
황계 산화방지제 및 인계 산화방지제로서는, 과산화물을 분해하는 효과를 기대할 수 있다. 황계 산화방지제 및 인계 산화방지제의 시판품으로서는, 예를 들면, 아데카스타브 TPP((주)아데카제, 상품명), 마크 AO-412S((주)아데카제, 상품명), 스미라이더 TPS(스미토모가가쿠(주)제, 상품명) 등의 시판품을 들 수 있다.As a sulfur-based antioxidant and a phosphorus-based antioxidant, an effect of decomposing peroxides can be expected. Examples of commercially available products of the sulfur-based antioxidant and phosphorus-based antioxidant include Adekastab TPP (trade name, manufactured by Adeka Co., Ltd.), Mark AO-412S (trade name, manufactured by Adeka Corporation), Sumiridor TPS (Trade names, manufactured by Kagaku Co., Ltd.).
또한, 본 실시 형태에 있어서는, (C4)산화방지제로서, 힌더드페놀계 산화방지제와, 황계 산화방지제, 인계 산화방지제 등을 병용하는 것이, 레지스트 형상을 양호한 것으로 하여, 우수한 땜납 내열성과 내플럭스 부식성을 얻는 점에서 특히 바람직하다.Further, in the present embodiment, it is preferable to use a combination of a hindered phenol-based antioxidant, a sulfur-based antioxidant, a phosphorus-based antioxidant, and the like as the antioxidant (C4) in an excellent resist shape and excellent solder heat resistance and anti- Is particularly preferable.
감광성 수지 조성물 중의 고형분 전량을 100질량부로 하는 (C4)산화방지제의 함유량은, 바람직하게 0.2~15질량부이다. 0.2질량부 이상이면 노광부가 현상중에 용출하기 어려워지며, 15질량부 이하이면 내열성이 저하되기 어렵다. 또한, 동일한 이유에서, (C4)산화방지제의 함유량은, 0.2~10질량부가 보다 바람직하고, 0.5~5질량부가 더욱 바람직하며, 0.5~3질량부가 특히 바람직하다.The content of the antioxidant (C4) in which the total solid content in the photosensitive resin composition is 100 parts by mass is preferably 0.2 to 15 parts by mass. When the amount is 0.2 parts by mass or more, the exposed portions are difficult to elute during development, and when the amount is 15 parts by mass or less, heat resistance is less likely to deteriorate. For the same reason, the content of the (C4) antioxidant is more preferably from 0.2 to 10 parts by mass, still more preferably from 0.5 to 5 parts by mass, and particularly preferably from 0.5 to 3 parts by mass.
[(C5)티올기 함유 화합물][(C5) thiol group-containing compound]
(C5)성분은 티올기 함유 화합물이며, 그 티올기 함유 화합물은, 수소 공여체로서 유효하게 기능하며, 감광성 수지 조성물의 광감도 및 경일 안정성을 보다 향상시키는 효과를 가진다고 생각할 수 있다.The component (C5) is a thiol group-containing compound. The thiol group-containing compound effectively functions as a hydrogen donor and has an effect of further improving the photosensitivity and light-stability of the photosensitive resin composition.
(C5)티올기 함유 화합물로서는, 예를 들면, 머캅토벤조옥사졸, 머캅토벤조티아졸, 머캅토벤조이미다졸, 에탄티올, 벤젠티올, 머캅토페놀, 머캅토톨루엔, 2-머캅토에틸아민, 머캅토에틸알코올, 머캅토자일렌, 티오자일레놀, 2-머캅토키놀린, 머캅토아세트산, α-머캅토프로피온산, 3-머캅토프로피온산, 머캅토숙신산, 티오 살리실산, 머캅토시클로헥산, α-머캅토디페닐메탄, C-머캅토테트라졸, 머캅토나프탈린, 머캅토나프톨, 4-머캅토비페닐, 머캅토히포크산틴, 머캅토피리딘, 2-머캅토필리미딘, 머캅토푸린, 티오쿠마존, 티오쿠모티아존, 부탄-2,3-디티올, 티오시아누르산, 2,4,6-트리머캅토-s-트리아딘, 2-디부틸아미노-4,6-디머캅토-s-트리아딘, 2-아닐리노-4,6-디머캅토-s-트리아딘 등을 들 수 있다.Examples of the (C5) thiol group-containing compound include mercaptobenzoxazole, mercaptobenzothiazole, mercaptobenzimidazole, ethanethiol, benzenethiol, mercaptophenol, mercaptotoluene, 2- mercaptoethyl Amines, mercaptoethyl alcohols, mercaptoxylene, thiazolylenes, 2-mercaptokinolines, mercaptoacetic acids,? -Mercaptopropionic acid, 3-mercaptopropionic acid, mercaptosuccinic acid, thiosalicylic acid, mercaptocyclohexane , mercapto-diphenylmethane,? -mercaptodiphenylmethane, C-mercaptotetrazole, mercaponaphthalene, mercaptonaphthol, 4-mercaptobiphenyl, mercaptohefcoxanthin, mercaptopyridine, 2- mercaptothyrimidine, Thiocarbazone, thiocumazone, thiocumothiazone, butane-2,3-dithiol, thiocyanuric acid, 2,4,6-trimercapto-s-triazine, -s-triazine, 2-anilino-4,6-dimercapto-s-triazine, and the like.
이들 (C5)티올기 함유 화합물은, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 수소 공여체로서 유효하게 기능하며, 감광성 수지 조성물의 감도 및 경일 안정성을 보다 향상시킬 수 있는 관점에서, 바람직하게는 머캅토벤조옥사졸, 머캅토벤조티아졸 및 머캅토벤조이미다졸, 보다 바람직하게는 머캅토벤조이미다졸이다.These (C5) thiol group-containing compounds may be used singly or in combination of two or more. Among these, from the viewpoint of effectively functioning as a hydrogen donor and further improving the sensitivity and light-stability of the photosensitive resin composition, it is preferable to use mercaptobenzoxazole, mercaptobenzothiazole, mercaptobenzimidazole, Preferably, it is mercaptobenzoimidazole.
감광성 수지 조성물 중의 (C5)티올기 함유 화합물의 함유량은, 해상성이 우수한 패턴을 형성할 수 있는 감광성 수지 조성물을 얻는 관점에서, 감광성 수지 조성물의 고형분 전량을 기준으로 하여 0.01~5질량부가 바람직하고, 0.1~3질량부가 보다 바람직하며, 0.2~1.5질량부가 더욱 바람직하다. (C5)티올기 함유 화합물의 함유량이 0.01질량부 이상이면 감광성 수지 조성물의 용액이 겔화하기 어려워지는 경향이 있으며, 5질량부 이하이면 감도의 저하를 억제할 수 있다.The content of the (C5) thiol group-containing compound in the photosensitive resin composition is preferably 0.01 to 5 parts by mass, based on the whole solid content of the photosensitive resin composition, from the viewpoint of obtaining a photosensitive resin composition capable of forming a pattern having excellent resolution , More preferably from 0.1 to 3 parts by mass, still more preferably from 0.2 to 1.5 parts by mass. When the content of the (C5) thiol group-containing compound is 0.01 parts by mass or more, the solution of the photosensitive resin composition tends to be difficult to gel, while when it is 5 parts by mass or less, deterioration of the sensitivity can be suppressed.
<(D)광중합성 화합물>≪ (D) Photopolymerizable compound >
본 실시 형태의 감광성 수지 조성물은, (D)성분으로서 광중합성 화합물을 함유한다.The photosensitive resin composition of the present embodiment contains a photopolymerizable compound as the component (D).
(D)광중합성 화합물은, 광중합성을 나타내는 관능기를 가지는 화합물이면 특히 제한은 없고, 예를 들면, 비닐기, 알릴기, 프로파길기, 부테닐기, 에티닐기, 페닐에티닐기, 말레이미드기, 나디이미드기, (메타)아크릴로일기 등의 에틸렌옥사이드성 불포화기를 가지는 화합물을 바람직하게 들 수 있으며, 반응성의 관점에서, (메타)아크릴로일기를 가지는 화합물인 것이 보다 바람직하다.(D) The photopolymerizable compound is not particularly limited as long as it is a compound having a functional group showing photopolymerization, and examples thereof include a vinyl group, an allyl group, a propargyl group, a butenyl group, an ethynyl group, a phenylethynyl group, , A naphthyl group, a naphthyl group, a naphthyl group, a naphthyl group, a naphthyl group, a naphthyl group, a naphthyl group, a naphthyl group, a naphthyl group, a naphthyl group, a naphthyl group, a nadimide group, and a (meth) acryloyl group.
(D)광중합성 화합물로서는, 예를 들면, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트 등의 히드록시알킬(메타)아크릴레이트류; 에틸렌글리콜, 메톡시테트라에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜 등의 글리콜의 모노 또는 디(메타)아크릴레이트류; N,N-디메틸(메타)아크릴아미드, N-메틸롤(메타)아크릴아미드 등의 (메타)아크릴아미드류; N,N-디메틸아미노에틸(메타)아크릴레이트 등의 아미노알킬(메타)아크릴레이트류; 헥산디올, 트리메티롤프로판, 펜타에리스리톨, 디트리메틸롤프로판, 디펜타에리스리톨, 트리스-히드록시에틸이소시아누레이트 등의 다가 알코올 또는 이들의 에틸렌옥사이드 혹은 프로필렌옥사이드 부가물의 다가(메타)아크릴레이트류; 페녹시에틸(메타)아크릴레이트, 비스페놀 A의 폴리에톡시디(메타)아크릴레이트 등의 페놀류의 에틸렌옥사이드 또는 프로필렌옥사이드 부가물의 (메타)아크릴레이트류; 글리세린디글리시딜에테르, 트리메틸롤프로판트리글리시딜에테르, 트리글리시딜이소시아누레이트 등의 글리시딜에테르의 (메타)아크릴레이트류; 멜라민(메타)아크릴레이트 등을 바람직하게 들 수 있다. 이들의 (D)광중합성 화합물은, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Examples of the photopolymerizable compound (D) include hydroxyalkyl (meth) acrylates such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate and 2-hydroxypropyl (meth) acrylate; Mono or di (meth) acrylates of glycols such as ethylene glycol, methoxy tetraethylene glycol, and polyethylene glycol; (Meth) acrylamides such as N, N-dimethyl (meth) acrylamide and N-methylol (meth) acrylamide; Aminoalkyl (meth) acrylates such as N, N-dimethylaminoethyl (meth) acrylate; (Meth) acrylates of polyhydric alcohols such as hexanediol, trimethylol propane, pentaerythritol, ditrimethylol propane, dipentaerythritol, and tris-hydroxyethylisocyanurate, or ethylene oxide or propylene oxide adducts thereof ; (Meth) acrylates of an ethylene oxide or propylene oxide adduct of phenols such as phenoxyethyl (meth) acrylate and polyethoxydi (meth) acrylate of bisphenol A; (Meth) acrylates of glycidyl ethers such as glycerin diglycidyl ether, trimethylol propane triglycidyl ether and triglycidyl isocyanurate; Melamine (meth) acrylate, and the like. These (D) photopolymerizable compounds may be used singly or in combination of two or more.
감광성 수지 조성물 중의 고형분 전량을 100질량부로 하는 (D)광중합성 화합물의 함유량은, 바람직하게는 0.1~30질량부, 보다 바람직하게는 1~20질량부, 더욱 바람직하게는 1~15질량부, 특히 바람직하게는 1.5~10질량부이다. 0.1질량부 이상이면 노광부가 현상중에 용출하기 어렵고, 감광성 수지 조성물의 감도 및 해상성이 향상하는 경향이 있으며, 30질량부 이하이면 내열성이 향상하는 경향이 있다.The content of the photopolymerizable compound (D) in the total amount of the solid content in the photosensitive resin composition is preferably 0.1 to 30 parts by mass, more preferably 1 to 20 parts by mass, still more preferably 1 to 15 parts by mass, Particularly preferably 1.5 to 10 parts by mass. When the amount is 0.1 parts by mass or more, the exposed portions are hardly eluted during development, and the sensitivity and resolution of the photosensitive resin composition tend to be improved. When the amount is 30 parts by mass or less, heat resistance tends to be improved.
<(E)무기 필러><(E) Inorganic filler>
본 실시 형태의 감광성 수지 조성물은, (E)성분으로서 무기 필러를 함유하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present embodiment preferably contains an inorganic filler as the component (E).
(E)무기 필러는, 감광성 수지 조성물의 밀착성, 내열성, 도막 경도 등의 제(諸)특성을 향상시키는 목적으로, 바람직하게 사용되는 것이다. (E)무기 필러로서는, 예를 들면, 실리카(SiO2), 알루미나(Al2O3), 티타니아(TiO2), 산화탄탈(Ta2O5), 지르코니아(ZrO2), 질화규소(Si3N4), 티탄산바륨(BaO·TiO2), 탄산바륨(BaCO3), 탄산마그네슘, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 티탄산납(PbO·TiO2), 티탄산지르콘산납(PZT), 티탄산지르콘산란탄납(PLZT), 산화갈륨(Ga2O3), 스피넬(MgO·Al2O3), 뮬라이트(3Al2O3·2SiO2), 코디어라이트(2MgO·2Al2O3·5SiO2), 탈크(3MgO·4Al2O3·H2O), 티탄산알루미늄(TiO2·Al2O3), 이트리아함유 지르코니아(Y2O3·ZrO2), 규산바륨(BaO·8SiO2), 질화붕소(BN), 탄산칼슘(CaCO3), 황산바륨(BaSO4), 황산칼슘(CaSO4), 산화아연(ZnO), 티탄산마그네슘(MgO·TiO2), 하이드로탈사이트, 운모, 소성카오린, 카본 등을 바람직하게 들 수 있다. 이들 (E)무기 필러는, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. The inorganic filler (E) is preferably used for the purpose of improving various properties such as adhesion, heat resistance and film hardness of the photosensitive resin composition. (E) inorganic filler, for example, silica (SiO 2), alumina (Al 2 O 3), titania (TiO 2), tantalum oxide (Ta 2 O 5), zirconia (ZrO 2), silicon nitride (Si 3 N 4 ), barium titanate (BaO · TiO 2 ), barium carbonate (BaCO 3 ), magnesium carbonate, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, lead titanate (PbO · TiO 2 ), lead zirconate titanate (PZT), titanate zirconate PLZT), gallium oxide (Ga 2 O 3), spinel (MgO · Al 2 O 3) , mullite (3Al 2 O 3 · 2SiO 2 ), cordierite (2MgO · 2Al 2 O 3 · 5SiO 2), talc ( 3MgO · 4Al 2 O 3 · H 2 O), aluminum titanate (TiO 2 · Al 2 O 3 ), yttria-containing zirconia (Y 2 O 3 · ZrO 2 ), silicate, barium (BaO · 8SiO 2), boron nitride ( BN), calcium carbonate (CaCO 3 ), barium sulfate (BaSO 4 ), calcium sulfate (CaSO 4 ), zinc oxide (ZnO), magnesium titanate (MgO · TiO 2 ), hydrotalcite, mica, calcined kaolin, Can be preferably used. These (E) inorganic fillers may be used singly or in combination of two or more kinds.
(E)무기 필러는, 그 최대 입자 지름이 0.1~20㎛이면 바람직하고, 0.1~10㎛이면 보다 바람직하고, 0.1~5㎛이면 더욱 바람직하며, 0.1~1㎛이면 특히 바람직하다. 최대 입자 지름이 20㎛ 이하이면, 전기 절연성의 저하를 억제할 수 있다. 여기서, (E)무기 필러의 최대 입자 지름은, 레이저 회절법(JIS Z8825-1(2001년) 준거)에 의해 측정되는 것으로 했다.The maximum particle diameter of the inorganic filler (E) is preferably from 0.1 to 20 μm, more preferably from 0.1 to 10 μm, even more preferably from 0.1 to 5 μm, particularly preferably from 0.1 to 1 μm. When the maximum particle diameter is 20 mu m or less, deterioration of electrical insulation can be suppressed. Here, the maximum particle diameter of the inorganic filler (E) is determined by the laser diffraction method (in accordance with JIS Z8825-1 (2001)).
(E)무기 필러 중에서도, 내열성을 향상시킬 수 있는 관점에서는, 실리카가 바람직하고, 땜납 내열성, 내크랙성(내열 충격성), 및 내PCT 시험 후의 언더필재와 경화막과의 접착 강도를 향상시킬 수 있는 관점에서는, 황산바륨이 바람직하다. 또한, 상기 황산바륨은, 응집 방지 효과를 향상시킬 수 있는 관점에서, 알루미나 및 유기 실란계 화합물로부터 선택되는 1종 이상으로 표면 처리되어 있는 것이 바람직하다.Among the inorganic fillers (E), silica is preferable from the viewpoint of improving heat resistance, and solder heat resistance, crack resistance (thermal shock resistance) and adhesion strength between the underfill material and the cured film after the internal PCT test can be improved From the viewpoint, barium sulfate is preferable. The barium sulfate is preferably surface-treated with at least one member selected from alumina and organosilane compounds from the viewpoint of improving the coagulation preventing effect.
알루미나 및 유기 실란계 화합물로부터 선택되는 1종 이상으로 표면 처리되어 있는 황산 바륨의 표면에 있어서의 알루미늄의 원소 조성은, 0.5~10 원자%가 바람직하고, 1~5 원자%가 보다 바람직하며, 1.5~3.5원자%가 더욱 바람직하다. 황산바륨의 표면에 있어서의 규소의 원소 조성은, 0.5~10원자%가 바람직하고, 1~5원자%가 보다 바람직하며, 1.5~3.5원자%가 더욱 바람직하다. 또한, 황산바륨의 표면에 있어서의 탄소의 원소 조성은, 10~30원자%가 바람직하고, 15~25원자%가 보다 바람직하고, 18~23 원자%가 더욱 바람직하다. 이들 원소 조성은, XPS를 사용하여 측정할 수 있다.The elemental composition of aluminum on the surface of barium sulfate surface-treated with at least one element selected from alumina and organosilane compounds is preferably 0.5 to 10 atomic%, more preferably 1 to 5 atomic%, and most preferably 1.5 To 3.5 atom% is more preferable. The elemental composition of silicon on the surface of barium sulfate is preferably 0.5 to 10 atomic%, more preferably 1 to 5 atomic%, still more preferably 1.5 to 3.5 atomic%. The elemental composition of carbon on the surface of barium sulfate is preferably 10 to 30 atomic%, more preferably 15 to 25 atomic%, still more preferably 18 to 23 atomic%. These elemental compositions can be measured using XPS.
알루미나 및 유기 실란계 화합물로부터 선택되는 1종 이상으로 표면 처리되어 있는 황산바륨으로서는, 예를 들면, NanoFine BFN40DC(니혼소르베이(주)제, 상품명)가 상업적으로 입수 가능하다.As the barium sulfate surface-treated with at least one member selected from alumina and organosilane compounds, for example, NanoFine BFN40DC (trade name, manufactured by Nippon Sorvei Co., Ltd.) is commercially available.
(E)무기 필러를 함유하는 경우, 감광성 수지 조성물 중의 고형분 전량을 100질량부로 하는 (E)무기 필러의 함유량은, 15~80질량부가 바람직하고, 15~70질량부가 보다 바람직하고, 20~70질량부가 더욱 바람직하며, 20~50질량부가 특히 바람직하고, 20~45질량부가 지극히 바람직하다. (E)무기 필러의 함유량이 상기 범위내이면, 감광성 수지 조성물의 막강도, 내열성, 절연 신뢰성, 내열 충격성, 해상성 등을 보다 향상시킬 수 있다.(E) an inorganic filler, the content of the inorganic filler (E) is preferably 15 to 80 parts by mass, more preferably 15 to 70 parts by mass, and most preferably 20 to 70 parts by mass, based on 100 parts by mass of the total solid content in the photosensitive resin composition More preferably 20 to 50 parts by mass, and particularly preferably 20 to 45 parts by mass. When the content of the inorganic filler (E) is within the above range, the film strength, heat resistance, insulation reliability, thermal shock resistance, resolution and the like of the photosensitive resin composition can be further improved.
또한, (E)무기 필러로서 황산바륨을 사용하는 경우의, 감광성 수지 조성물 중의 고형분 전량을 100질량부로 하는 황산바륨의 함유량은, 5~60질량부가 바람직하고, 10~50질량부가 보다 바람직하고, 10~40질량부가 더욱 바람직하며, 10~35질량부가 특히 바람직하다. 황산바륨의 함유량이 상기 범위내이면, 땜납 내열성, 및 내PCT(Pressure Cooker Test) 시험 후의 언더필재와 경화막과의 접착 강도를 보다 향상시킬 수 있다.When barium sulfate is used as the inorganic filler (E), the content of barium sulfate in 100 parts by mass of the total solid content in the photosensitive resin composition is preferably 5 to 60 parts by mass, more preferably 10 to 50 parts by mass, More preferably 10 to 40 parts by mass, and particularly preferably 10 to 35 parts by mass. When the content of barium sulfate is within the above range, solder heat resistance and adhesion strength between the underfill material and the cured film after the PCT (Pressure Cooker Test) test can be further improved.
<(F)안료><(F) Pigment>
본 실시 형태의 감광성 수지 조성물은, (F)성분으로서 안료를 함유하는 것이 바람직하다. The photosensitive resin composition of the present embodiment preferably contains a pigment as the component (F).
(F)안료는, 배선 패턴을 은폐할 때 등에 원하는 색에 따라 바람직하게 사용되는 것이다. (F)안료로서는, 원하는 색을 발색하는 착색제를 적절히 선택하여 사용하면 되고, 착색제로서는, 예를 들면, 프탈로시아닌블루, 프탈로시아닌그린, 아이오딘그린, 디아조옐로우, 크리스탈바이올렛 등의 공지의 착색제를 바람직하게 들 수 있다.(F) The pigment is preferably used in accordance with a desired color when the wiring pattern is concealed. As the pigment (F), a coloring agent for coloring a desired color may be appropriately selected and used. The coloring agent is preferably a known coloring agent such as phthalocyanine blue, phthalocyanine green, iodine green, diazo yellow, crystal violet, etc. .
(F)안료를 함유하는 경우, 감광성 수지 조성물 중의 고형분 전량을 100질량부로 하는 (F)안료의 함유량은, 0.1~5질량부가 바람직하고, 0.1~3질량부가 보다 바람직하다. (F)안료의 함유량이 상기 범위내이면, 배선 패턴을 은폐하는 관점에서 바람직하다.When the (F) pigment is contained, the content of the pigment (F) in the total amount of the solid content in the photosensitive resin composition is preferably 0.1 to 5 parts by mass, more preferably 0.1 to 3 parts by mass. When the content of the pigment (F) is within the above range, it is preferable from the viewpoint of hiding the wiring pattern.
<그 외의 성분><Other components>
본 실시 형태의 감광성 수지 조성물은, 필요에 따라서, 점도를 조정하기 위해, 희석제를 사용할 수 있다. 희석제로서는, 예를 들면, 유기용제, 광중합성 모노머 등을 바람직하게 들 수 있다. 유기용제는, 예를 들면, 상기의 에폭시 수지(a)와 비닐기 함유 모노카복실산(b)과의 반응에 있어서 사용할 수 있는 유기용제로서 예시한 용제 중에서 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 또한, 광중합성 모노머로서는, 상기의 (D)광중합성 화합물로 예시한 것을 바람직하게 들 수 있다.In the photosensitive resin composition of the present embodiment, a diluent may be used as needed to adjust the viscosity. As the diluent, for example, an organic solvent, a photopolymerizable monomer and the like are preferably used. The organic solvent can be appropriately selected from solvents exemplified as organic solvents which can be used in the reaction between the epoxy resin (a) and the vinyl group-containing monocarboxylic acid (b). As the photopolymerizable monomer, those exemplified above as the photopolymerizable compound (D) are preferably used.
희석제의 사용량은, 감광성 수지 조성물 중의 고형분 전량이 50~90질량%가 되는 양이 바람직하고, 60~80질량%가 되는 양이 보다 바람직하며, 65~75질량%가 되는 양이 더욱 바람직하다. 즉, 희석제를 사용하는 경우의 감광성 수지 조성물 중의 희석제의 함유량은, 10~50질량%가 바람직하고, 20~40질량%가 보다 바람직하며, 25~35질량%가 더욱 바람직하다. 희석제의 사용량을 상기 범위로 함으로써, 감광성 수지 조성물의 도포성이 향상하여, 보다 고정밀한 패턴의 형성이 가능해진다.The amount of the diluent to be used is preferably such that the total amount of solids in the photosensitive resin composition is 50 to 90% by mass, more preferably 60 to 80% by mass, and still more preferably 65 to 75% by mass. That is, when the diluent is used, the content of the diluent in the photosensitive resin composition is preferably 10 to 50% by mass, more preferably 20 to 40% by mass, and still more preferably 25 to 35% by mass. By setting the amount of the diluting agent within the above range, the coating property of the photosensitive resin composition is improved, and a more precise pattern can be formed.
본 실시 형태의 감광성 수지 조성물은, 경화제를 포함하고 있어도 된다. 경화제로서는, 그 자체가 열, 자외선 등에 의해 경화하는 화합물, 또는 본 실시 형태의 조성물 중의 광경화성 수지 성분인 (A)산변성 비닐기 함유 에폭시 수지의 카복시기, 수산기와 열, 자외선 등으로 경화하는 화합물을 바람직하게 들 수 있다. 경화제를 사용함으로써, 최종 경화막의 내열성, 밀착성, 내약품성 등을 향상시킬 수 있다.The photosensitive resin composition of the present embodiment may contain a curing agent. As the curing agent, there may be mentioned a compound which itself cures by heat, ultraviolet ray or the like, or a compound which is cured by a carboxyl group, a hydroxyl group, a heat and an ultraviolet ray of an epoxy resin containing an acid-modified vinyl group (A) as a photocurable resin component in the composition of the present embodiment Compounds are preferably used. By using a curing agent, heat resistance, adhesion, chemical resistance, etc. of the final cured film can be improved.
경화제로서는, 예를 들면, 열경화성 화합물로서 에폭시 화합물, 멜라민 화합물, 요소 화합물, 옥사졸린 화합물 등을 바람직하게 들 수 있다. 에폭시 화합물로서는, 예를 들면, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 수첨 비스페놀 A형 에폭시 수지, 브롬화 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지 등의 비스페놀형 에폭시 수지; 노볼락형 에폭시 수지; 비페닐형 에폭시 수지; 트리글리시딜이소시아누레이트 등의 복소환식 에폭시 수지; 비자일레놀형 에폭시 수지 등을 바람직하게 들 수 있다. 멜라민 화합물로서는, 예를 들면, 트리아미노트리아딘, 헥사메톡시멜라민, 헥사부톡시화 멜라민 등을 바람직하게 들 수 있다. 요소 화합물로서는, 디메틸올 요소 등을 바람직하게 들 수 있다.As the curing agent, for example, an epoxy compound, a melamine compound, a urea compound, an oxazoline compound and the like are preferably used as the thermosetting compound. Examples of the epoxy compound include a bisphenol-type epoxy resin such as bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, hydrogenated bisphenol A type epoxy resin, brominated bisphenol A type epoxy resin, and bisphenol S type epoxy resin; Novolak type epoxy resins; Biphenyl type epoxy resins; Heterocyclic epoxy resins such as triglycidyl isocyanurate; Non-ionene type epoxy resins, and the like. As the melamine compound, for example, triaminotriazine, hexamethoxy melamine, hexabutoxylated melamine and the like are preferably used. As the urea compound, dimethylol element and the like are preferably used.
경화제로서는, 경화막의 내열성을 보다 향상시킬 수 있는 관점에서, 에폭시 화합물(에폭시 수지) 및 블록형 이소시아네이트로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것이 바람직하고, 에폭시 화합물과 블록형 이소시아네이트를 병용하는 것이 보다 바람직하다.From the viewpoint of further improving the heat resistance of the cured film, the curing agent preferably contains at least one selected from an epoxy compound (epoxy resin) and a block type isocyanate, more preferably an epoxy compound and a block type isocyanate in combination Do.
블록형 이소시아네이트로서는, 폴리이소시아네이트 화합물과 이소시아네이트 블록제와의 부가 반응 생성물이 사용된다. 이 폴리이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들면, 톨릴렌디이소시아네이트, 자일렌디이소시아네이트, 페닐렌디이소시아네이트, 나프틸렌디이소시아네이트, 비스(이소시아네이트메틸)시클로헥산, 테트라메틸렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 메틸렌디이소시아네이트, 트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트 등의 폴리이소시아네이트 화합물, 및 이들의 어덕트체, 뷰렛체 및 이소시아누레이트체 등을 바람직하게 들 수 있다.As the block type isocyanate, an addition reaction product of a polyisocyanate compound and an isocyanate block agent is used. Examples of the polyisocyanate compound include tolylene diisocyanate, xylene diisocyanate, phenylene diisocyanate, naphthylene diisocyanate, bis (isocyanate methyl) cyclohexane, tetramethylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, methylene diisocyanate, trimethyl Polyisocyanate compounds such as hexamethylene diisocyanate and isophorone diisocyanate, and adducts, buretes and isocyanurate compounds thereof, and the like.
이소시아네이트 블록제로서는, 예를 들면, 페놀, 크레졸, 크실레놀, 클로로 페놀 및 에틸페놀 등의 페놀계 블록제; ε-카프로락탐, δ-팔레로락탐, γ-부틸로락탐 및 β-프로피오락탐 등의 락탐계 블록제; 아세토아세트산에틸 및 아세틸아세톤 등의 활성 메틸렌계 블록제; 메타놀, 에탄올, 프로파놀, 부탄올, 아밀알코올, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 벤질에테르, 글리콜산메틸, 글리콜산부틸, 디아세톤알콜, 유산메틸, 및 유산에틸 등의 알코올계 블록제; 포름알데히독심, 아세트알독심, 아세톡심, 메틸에틸케톡심, 디아세틸모노옥심, 시클로헥산옥심 등의 옥심계 블록제; 부틸머캅탄, 헥실머캅탄, t-부틸머캅탄, 티오페놀, 메틸티오페놀, 에틸티오페놀 등의 머캅탄계 블록제; 아세트산아미드, 벤즈아미드 등의 산아미드계 블록제; 숙신산이미드 및 말레산이미드 등의 이미드계 블록제; 자일리딘, 아닐린, 부틸아민, 디부틸아민 등의 아민계 블록제; 이미다졸, 2-에틸이미다졸 등의 이미다졸계 블록제; 메틸렌이민 및 프로필렌이민 등의 이민계 블록제 등을 바람직하게 들 수 있다.Examples of the isocyanate blocking agent include phenolic block agents such as phenol, cresol, xylenol, chlorophenol and ethylphenol; lactam-based blocking agents such as ε-caprolactam, δ-palrylactam, γ-butylolactam and β-propiolactam; Active methylene blockers such as ethyl acetoacetate and acetylacetone; But are not limited to methanol, ethanol, propanol, butanol, amyl alcohol, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, Alcohol-based blocking agents such as butyl glycolate, diacetone alcohol, methyl lactate, and ethyl lactate; Oxime-based blocking agents such as formaldehyde scouring, acetal decyl, acetoxime, methyl ethyl ketoxime, diacetyl monooxime, and cyclohexane oxime; Mercaptan-based blocking agents such as butyl mercaptan, hexyl mercaptan, t-butyl mercaptan, thiophenol, methyl thiophenol and ethyl thiophenol; Acid amide type block agents such as acetic acid amide, benzamide and the like; Imide block agents such as succinic acid imide and maleic acid imide; Amine-based blocking agents such as xylidine, aniline, butylamine, and dibutylamine; Imidazole-based blocking agents such as imidazole and 2-ethylimidazole; And imine block agents such as methylene imine and propylene imine.
경화제는, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용된다. 경화제를 사용하는 경우, 그 함유량은, 감광성 수지 조성물 중의 고형분 전량 100질량부에 대해서, 2~50질량부가 바람직하고, 2~40질량부가 보다 바람직하고, 3~30질량부가 더욱 바람직하며, 5~20질량부가 특히 바람직하다. 경화제의 함유량을, 상기 범위내로함으로써, 양호한 현상성을 유지하면서, 형성되는 경화막의 내열성을 보다 향상시킬 수 있다.The curing agent may be used alone or in combination of two or more. The content of the curing agent is preferably 2 to 50 parts by mass, more preferably 2 to 40 parts by mass, more preferably 3 to 30 parts by mass, still more preferably 5 to 30 parts by mass, per 100 parts by mass of the total solid content in the photosensitive resin composition. 20 parts by mass is particularly preferable. When the content of the curing agent is within the above range, the heat resistance of the cured film to be formed can be further improved while maintaining good developing properties.
본 실시 형태의 감광성 수지 조성물에는, 최종 경화막의 내열성, 밀착성, 내약품성 등의 제 특성을 더욱 향상시킬 목적으로 에폭시 수지 경화제를 병용할 수 있다.In the photosensitive resin composition of the present embodiment, an epoxy resin curing agent may be used together with the aim of further improving the properties of the final cured film such as heat resistance, adhesion, and chemical resistance.
이러한 에폭시 수지 경화제의 구체적인 예로서는, 예를 들면, 2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸 등의 이미다졸류; 아세토구아나민, 벤조구아나민 등의 구아나민류; 디아미노디페닐메탄, m-페닐렌디아민, m-자일렌디아민, 디아미노디페닐술폰, 디시안디아미드, 요소, 요소 유도체, 멜라민, 다염기 히드라지드 등의 폴리아민류; 이들의 유기산염 및 에폭시어덕트로부터 선택되는 1종 이상; 삼불화붕소의 아민 착체; 에틸디아미노-S-트리아딘, 2,4-디아미노-S-트리아딘, 2,4-디아미노- 6-자일릴-S-트리아딘 등의 트리아딘 유도체류; 트리메틸아민, N,N-디메틸옥틸아민, N-벤질디메틸아민, 피리딘, N-메틸몰포린, 헥사(N-메틸)멜라민, 2,4,6-트리스(디메틸아미노페놀), 테트라메틸구아니딘, m-아미노페놀 등의 3급 아민류; 폴리비닐페놀, 폴리비닐페놀브롬화물, 페놀노볼락, 알킬페놀노볼락 등의 폴리페놀류; 트리부틸포스핀, 트리페닐포스핀, 트리스-2-시아노에틸포스핀 등의 유기 포스핀류; 트리-n-부틸(2,5-디히드록시페닐)포스포늄브로마이드, 헥사데실트리부틸포스늄클로라이드 등의 포스포늄염류; 벤질트리메틸암모늄클로라이드, 페닐트리부틸암모늄클로라이드 등의 4급 암모늄염류; 상기의 다염기산 무수물; 디페닐요오드늄테트라플루오로보레이트; 트리페닐술포늄헥사플루오로안티모네이트; 2,4,6-트리페닐티오피릴륨헥사플로오로포스페이트 등을 바람직하게 들 수 있다.Specific examples of such epoxy resin curing agents include, for example, 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 2- Imidazoles such as phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole; Guanamine such as acetoguanamine and benzoguanamine; Polyamines such as diaminodiphenylmethane, m-phenylenediamine, m-xylenediamine, diaminodiphenylsulfone, dicyandiamide, urea, urea derivatives, melamine and polybasic hydrazide; At least one selected from organic acid salts and epoxy adducts thereof; Amine complexes of boron trifluoride; Triadine derivatives such as ethyldiamino-S-triazine, 2,4-diamino-S-triazine and 2,4-diamino-6-xylyl-S-triazine; (N-methyl) melamine, 2,4,6-tris (dimethylaminophenol), tetramethylguanidine, N, N-dimethyloctylamine, tertiary amines such as m-aminophenol; Polyphenols such as polyvinyl phenol, polyvinyl phenol bromide, phenol novolac, and alkylphenol novolak; Organic phosphines such as tributylphosphine, triphenylphosphine, and tris-2-cyanoethylphosphine; Phosphonium salts such as tri-n-butyl (2,5-dihydroxyphenyl) phosphonium bromide, and hexadecyl tributylphosphonium chloride; Quaternary ammonium salts such as benzyltrimethylammonium chloride and phenyltributylammonium chloride; The above polybasic acid anhydrides; Diphenyl iodonium tetrafluoroborate; Triphenylsulfonium hexafluoroantimonate; 2,4,6-triphenylthiopyrylium hexafluorophosphate, and the like.
에폭시 수지 경화제는, 1종 단독으로 또는 2 종류 이상을 조합하여 사용되며 감광성 수지 조성물 중, 바람직하게는 0.01~20질량%, 보다 바람직하게는 0.1~10질량%이다.The epoxy resin curing agent is used singly or in combination of two or more kinds, and is preferably from 0.01 to 20 mass%, more preferably from 0.1 to 10 mass%, in the photosensitive resin composition.
본 실시 형태의 감광성 수지 조성물은, 필요에 따라서, 하이드로퀴논, 메틸하이드로퀴논, 하이드로퀴논모노메틸에테르, 카테콜, 피로가롤 등의 중합 금지제; 벤톤, 몬모릴로나이트 등의 증점제; 실리콘계, 불소계, 비닐 수지계 등의 소포제; 실란커플링제 등의 공지 관용의 각종 첨가제를 사용할 수 있다.The photosensitive resin composition of the present embodiment may contain, if necessary, a polymerization inhibitor such as hydroquinone, methylhydroquinone, hydroquinone monomethyl ether, catechol, pyrogallol and the like; Thickeners such as benton, montmorillonite and the like; Defoaming agents such as silicone, fluorine and vinyl resins; Silane coupling agents and the like can be used.
나아가, 브롬화 에폭시 화합물, 산변성 브롬화 에폭시 화합물, 안티몬 화합물, 인계 화합물인 포스페이트 화합물, 방향족 축합 인산 에스테르, 함할로겐 축합 인산 에스테르 등의 난연제를 사용할 수 있다.Furthermore, a flame retardant such as a brominated epoxy compound, an acid-modified brominated epoxy compound, an antimony compound, a phosphate compound as a phosphorus compound, an aromatic condensed phosphate ester, and a halogenated condensed phosphate ester can be used.
(엘라스토머)(Elastomer)
본 실시 형태의 감광성 수지 조성물은, 엘라스토머를 함유할 수 있다. 엘라스토머는, 특히, 본 실시 형태의 감광성 수지 조성물을 반도체 패키지 기판의 제조에 사용하는 경우에 바람직하게 사용된다. 본 실시 형태의 감광성 수지 조성물에 엘라스토머를 첨가함으로써, 자외선, 열 등에 의해 경화 반응이 진행되는 것으로, (A)산변성 비닐기 함유 에폭시 수지의 경화 수축에 의한 수지 내부의 뒤틀림(내부 응력)에 기인한, 가요성 및 접착성의 저하를 억제할 수 있다.The photosensitive resin composition of the present embodiment may contain an elastomer. The elastomer is preferably used particularly when the photosensitive resin composition of the present embodiment is used for manufacturing a semiconductor package substrate. When the elastomer is added to the photosensitive resin composition of the present embodiment, the curing reaction proceeds by ultraviolet rays, heat, and the like. The curing reaction is caused by (A) the distortion (internal stress) inside the resin due to the curing shrinkage of the acid- It is possible to suppress deterioration of flexibility and adhesiveness.
엘라스토머로서는, 스틸렌계 엘라스토머, 올레핀계 엘라스토머, 우레탄계 엘라스토머, 폴리에스테르계 엘라스토머, 폴리아미드계 엘라스토머, 아크릴계 엘라스토머 및 실리콘계 엘라스토머 등을 바람직하게 들 수 있다. 이들 엘라스토머는, 하드세그멘트 성분과 소프트세그멘트 성분으로 이루어져 있으며, 일반적으로 전자(前者)가 내열성 및 강도에, 후자(後者)가 유연성 및 강인성(强靭性)에 기여하고 있다고 생각된다.Examples of the elastomer include a styrene elastomer, an olefin elastomer, a urethane elastomer, a polyester elastomer, a polyamide elastomer, an acrylic elastomer, and a silicone elastomer. These elastomers are composed of a hard segment component and a soft segment component, and it is generally considered that the former contributes to heat resistance and strength, and the latter contributes to flexibility and toughness.
또한, 상기의 엘라스토머 이외에, 고무 변성한 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 고무 변성한 에폭시 수지는, 예를 들면, 상술의 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지 혹은 크레졸노볼락형 에폭시 수지의 일부 또는 전부의 에폭시기를 양말단 카복실산변성형 부타디엔-아크릴로니트릴 고무, 말단 아미노 변성 실리콘 고무 등으로 변성함으로써 얻어진다. 이들 엘라스토머 중에서, 전단 접착성의 관점에서, 양말단 카복실기 변성 부타디엔-아크릴로니트릴 공중합체, 수산기를 가지는 폴리에스테르계 엘라스토머인 에스펠(히타치가세이(주)제, 에스펠1612, 1620(상품명))을 바람직하게 들 수 있다.Further, in addition to the above elastomer, rubber-modified epoxy resin can be used. The rubber-modified epoxy resin may be, for example, a resin obtained by partially or wholly containing the bisphenol F type epoxy resin, the bisphenol A type epoxy resin, the triphenolmethane type epoxy resin, the phenol novolak type epoxy resin or the cresol novolak type epoxy resin An epoxy group-modified butadiene-acrylonitrile rubber, a terminal amino-modified silicone rubber, or the like. Among these elastomers, from the viewpoint of shear adhesion, a polyester resin (ESPEL 1612, 1620 (trade name), manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.), which is a polyester-based elastomer having a hydroxyl group and a hydroxyl group-modified butadiene- acrylonitrile copolymer, ) Can be preferably used.
엘라스토머의 배합량은, (A)산변성 비닐기 함유 에폭시 수지 100질량부에 대하여, 바람직하게는 2~30질량부, 보다 바람직하게는 4~20질량부, 더욱 바람직하게는 10~20질량부이다. 2질량부 이상이면 경화막의 고온 영역에서의 탄성률이 낮아지는 경향이 되며, 30질량부 이하이면 미노광부가 현상액에서 용출되는 경향이 된다.The blending amount of the elastomer is preferably 2 to 30 parts by mass, more preferably 4 to 20 parts by mass, further preferably 10 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of (A) the acid-modified vinyl group-containing epoxy resin . If the amount is more than 2 parts by mass, the elasticity of the cured film in the high temperature region tends to be lowered. If the amount is less than 30 parts by mass, the unexposed portion tends to be eluted from the developer.
본 실시 형태의 감광성 수지 조성물은, 상기의 (A)~(F)성분을 비롯하여, 원하는 바에 따라 사용되는 각종 성분을, 롤 밀, 비즈 밀 등으로 균일하게 혼련, 혼합함으로써 얻을 수 있다.The photosensitive resin composition of the present embodiment can be obtained by uniformly kneading and mixing the components (A) to (F) and various components to be used according to a desired manner with a roll mill, a bead mill or the like.
또한, 본 실시 형태의 감광성 수지 조성물은, 액체형상인 것이 바람직하다. 액체형상으로 함으로써, 후술하는 각종 도포 방법에 의해 용이하게 영구 마스크 레지스터를 형성할 수 있다.The photosensitive resin composition of the present embodiment is preferably in a liquid form. By employing a liquid shape, the permanent mask resist can be easily formed by various coating methods to be described later.
[감광성 엘리먼트, 영구 마스크 레지스터 및 프린트 배선판][Photosensitive element, permanent mask resist and printed wiring board]
본 실시 형태의 감광성 수지 조성물은, 감광성 엘리먼트, 및 영구 마스크 레지스터의 형성에 적합하게 사용되며, 본 실시 형태의 감광성 엘리먼트, 및 영구 마스크 레지스터는, 본 실시 형태의 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성되는 것이다.The photosensitive resin composition of the present embodiment is suitably used for forming a photosensitive element and a permanent mask resistor, and the photosensitive element and the permanent mask resistor of the present embodiment are formed using the photosensitive resin composition of the present embodiment .
본 실시 형태의 감광성 엘리먼트는, 지지체와, 그 지지체 상에 본 실시 형태의 감광성 수지 조성물을 사용하여 이루어지는 감광층을 구비하는 것이다. 지지체로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 폴리에스테르 수지 필름, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀 수지 필름 등의 내열성 및 내용제성을 가지는 수지 필름을 바람직하게 들 수 있으며, 투명성의 견지에서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 지지체의 두께는, 기계적 강도, 양호한 해상도를 얻는 것 등을 고려하면, 1~100㎛가 바람직하고, 1~50㎛가 보다 바람직하며, 1~30㎛가 더욱 바람직하다.The photosensitive element of this embodiment includes a support and a photosensitive layer formed by using the photosensitive resin composition of the present embodiment on the support. As the support, for example, a polyester resin film such as polyethylene terephthalate and a polyolefin resin film such as polyethylene and polypropylene can be preferably used. In view of transparency, polyethylene terephthalate It is preferable to use a phthalate film. The thickness of the support is preferably 1 to 100 占 퐉, more preferably 1 to 50 占 퐉, and more preferably 1 to 30 占 퐉, in view of obtaining mechanical strength and good resolution.
본 실시 형태의 감광성 엘리먼트는, 예를 들면, 상기 지지체 위에, 본 실시 형태의 감광성 수지 조성물을 디핑법, 스프레이법, 바코트법, 롤코트법, 스핀코트법 등의 방법으로 본 실시 형태의 감광성 수지 조성물을 용도에 따른 막두께(건조 후:10~200㎛)로 도포하여 도막을 형성하고, 70~150℃, 5~30분 정도로 건조해 감광층을 형성하여 얻을 수 있다.The photosensitive element of the present embodiment can be obtained by, for example, applying the photosensitive resin composition of the present embodiment onto the support by a method such as a dipping method, a spraying method, a bar coating method, a roll coating method or a spin coating method, The resin composition can be obtained by applying the resin composition with a film thickness (after drying: 10 to 200 mu m) according to the application to form a coating film and drying at 70 to 150 DEG C for about 5 to 30 minutes to form a photosensitive layer.
본 실시 형태의 영구 마스크 레지스터 및 그 영구 마스크 레지스터를 구비하는 프린트 배선판은, 예를 들면, 이하와 같이하여 상형성된다. 우선, 레지스트를 형성해야 할 기재(예를 들면, 프린트 배선판용의 동장적층판 등) 상에, 스크린 인쇄법, 스프레이법, 롤코트법, 커텐코트법, 정전 도장법 등의 방법으로 본 실시 형태의 감광성 수지 조성물을 용도에 따른 막 두께(건조 후:10~200㎛)로 도포하여 도막을 형성하고, 그 도막을 60~110℃로 건조시킨다. 또한, 그 도막 대신에, 감광성 엘리먼트의 감광층을, 그 레지스트를 형성해야 할 기재상에 전사(라미네이트)해도 된다. 이 경우, 필요에 따라서 상압(常壓) 라미네이터 또는 진공 라미네이터를 사용하여, 지지체 상의 건조시킨 도막을, 기재상에 첩부한다.The printed wiring board having the permanent mask resistors and the permanent mask resistors of the present embodiment is formed, for example, in the following manner. First of all, the photosensitive layer of the present embodiment is formed by a method such as a screen printing method, a spray method, a roll coating method, a curtain coating method, an electrostatic coating method, or the like by a method such as a screen printing method, The resin composition is applied with a film thickness (after drying: 10 to 200 탆) according to the application to form a coating film, and the coating film is dried at 60 to 110 캜. Instead of the coating film, the photosensitive layer of the photosensitive element may be transferred (laminated) onto a substrate on which the resist is to be formed. In this case, a dried film on the support is pasted on the substrate using a normal pressure laminator or a vacuum laminator, if necessary.
감광층(도막)을 기재상에 형성한 후, 네거티브필름을 직접 접촉시켜, 또는 투명한 필름을 통하여, 자외선 등의 활성선을 바람직하게는 10~1,000 mJ/cm2의 에너지량으로 조사하고, 수지 필름을 첩부시킨 경우는 그 수지 필름을 박리하여, 미노광부를 희(希)알칼리 수용액으로 용해 제거(현상)한다.After the photosensitive layer (coating film) is formed on the substrate, the active film such as ultraviolet rays is irradiated with an energy amount of preferably 10 to 1,000 mJ / cm 2 through direct contact with the negative film or through a transparent film, When the film is pasted, the resin film is peeled off to dissolve (develop) the unexposed portion with a diluted alkaline aqueous solution.
다음으로, 노광 부분을 후(後)노광(자외선 노광), 후(後)가열, 또는 후노광 및 후가열에 의해서 충분히 경화시켜 경화막을 얻는다. 후노광은, 예를 들면, 1~5J/cm2가 바람직하고, 후가열은, 100~200℃에서 30분간~12시간이 바람직하다.Next, the exposed portion is sufficiently cured by post exposure (ultraviolet exposure), post exposure (post exposure), post exposure and post exposure to obtain a cured film. The post exposure is preferably, for example, 1 to 5 J / cm 2 , and post heating is preferably performed at 100 to 200 ° C for 30 minutes to 12 hours.
이와 같이하여 얻어진 영구 마스크 레지스터는, 저부가 도려내지는 언더컷이 발생하기 어렵고, 레지스트 상부의 결락이 발생하기 어렵기 때문에, 패턴 단면의 중간부(중심부) 및 최심부(저부)의 선폭이 표면부의 선폭에 대하여 커지지 않기 때문에, 패턴 윤곽의 직선성이 좋고 레지스트 형상이 우수하며, 해상성이 우수한 패턴을 가진다. 또한, 이 영구 마스크 레지스터는, 최근의 전자기기의 소형화 및 고성능화에 따른 미세화한 구멍 지름의 크기와 구멍 간의 간격 피치의 형성 안정성이 우수한, 패턴을 가지는 것이 된다.Since the permanent mask resistors thus obtained are less prone to undercuts that cut off the bottoms and are less liable to cause an upper portion of the resist, the line widths of the middle portion (central portion) and the deepest portion (bottom portion) The pattern outline has a good linearity, a resist shape is excellent, and a pattern having excellent resolution is obtained. This permanent mask resistor has a pattern having excellent size stability of formation of the size of the hole diameter and the interval pitch between the holes due to miniaturization and high performance of recent electronic apparatuses.
실시예Example
이하에, 본 발명을 실시예에 의해 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은, 이러한 실시예에 의해 조금도 한정되는 것은 아니다.EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to Examples, but the present invention is not limited to these Examples at all.
(평가방법)(Assessment Methods)
(1)표면 경화성의 평가(1) Evaluation of surface hardenability
각 실시예 및 비교예의 감광성 수지 조성물을, 두께 35㎛의 PET 필름에, 건조 후의 막 두께가 35㎛가 되도록 어플리케이터로 도포하여 도막을 형성했다. 이어서, 80℃에서 20분간 열풍 순환식 건조기를 사용하여 건조시켰다. 얻어진 도막 표면의 적외 흡수스펙트럼(ATR(Attenuated Total Reflection)법)을 하기 조건에서 측정했다.The photosensitive resin compositions of each of the examples and the comparative examples were applied to a PET film having a thickness of 35 mu m by an applicator so that the film thickness after drying was 35 mu m to form a coating film. Then, it was dried at 80 캜 for 20 minutes using a hot air circulating dryer. The infrared absorption spectrum (ATR (Attenuated Total Reflection) method) of the obtained coating film surface was measured under the following conditions.
·측정장치: 서모피셔사이언티픽(주)제, 상품명:Nicolet iS50R Measurement apparatus: manufactured by Thermo Scientific Co., Ltd., trade name: Nicolet iS50R
·적산회수: 128회 · Number of accumulation: 128 times
다음으로, 자외선 노광 장치((주)하이테크제, 상품명:HTE-5102S)를 사용하여 600mJ/cm2의 노광량으로 노광했다. 노광후의 도막 표면의 적외 흡수스펙트럼(ATR법)을, 상기와 동일한 조건으로 측정하여, 노광 전후의, 1470cm-1에 나타나는 탄소-탄소 이중 결합의 변화율을 하기식으로부터 구하여, 적산 회수 3회의 평균치를 표면 경화성(%)으로 하였다.Next, exposure was performed at an exposure dose of 600 mJ / cm 2 using an ultraviolet exposure apparatus (trade name: HTE-5102S, manufactured by Hi-tech Co., Ltd.). The infrared absorption spectrum (ATR method) of the surface of the coated film after exposure was measured under the same conditions as above, and the change rate of the carbon-carbon double bond at 1470 cm -1 before and after exposure was obtained from the following equation, And the surface hardenability (%).
이중 결합의 변화율(%)=100-(노광후의 탄소-탄소 이중 결합량/노광전의 탄소-탄소 이중 결합량×100)(%) Of double bond = 100 - (amount of carbon-carbon double bond after exposure / amount of carbon-carbon double bond before exposure × 100)
(2)광감도의 평가(2) Evaluation of photosensitivity
각 실시예 및 비교예의 감광성 수지 조성물을, 두께 35㎛의 PET 필름에, 건조후의 막 두께가 35㎛가 되도록 어플리케이터로 도포하여 도막을 형성했다. 이어서, 80℃에서 20분간 열풍 순환식 건조기를 사용하여 건조시켰다. 다음으로, 도막에 스텝타블렛 41단(히타치가세이(주)제)을 밀착시키고, 소정의 적산 노광량의 자외선(다이닛뽕스크린세이조오(주)제 직묘기, "LI9200(형식 번호)")를 50mJ/cm2로 전면 조사했다. 이어서, 1질량%의 탄산나트륨 수용액으로 60초간 현상 한 후, 현상 되지 않고 남은 도막의 단수를 확인했다. 단수에 의해, 이하의 기준으로 평가했다.The photosensitive resin compositions of each of the examples and the comparative examples were applied to a PET film having a thickness of 35 mu m by an applicator so that the film thickness after drying was 35 mu m to form a coating film. Then, it was dried at 80 캜 for 20 minutes using a hot air circulating dryer. Next, a step tablet 41 (made by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was adhered to the coated film, and ultraviolet rays of a predetermined cumulative exposure amount ("LI9200 (model number)", made by Dainippon Screen Co., Ltd.) 50 mJ / cm < 2 >. Subsequently, after developing for 60 seconds with a 1% by mass aqueous solution of sodium carbonate, the number of remaining coating films without development was confirmed. Was evaluated by the following criteria.
A(우량): 10단 이상A (good): more than 10 stages
B(양호): 6~9단B (good): 6 to 9 stages
C(불량): 5단 이하C (poor): 5 or less stages
(3)저부 경화성의 평가(3) Evaluation of bottom hardenability
각 실시예 및 비교예의 감광성 수지 조성물을, 두께 35㎛의 PET 필름에, 건조 후의 막 두께가 35㎛가 되도록 어플리케이터로 도포하여 도막을 형성했다. 이어서, 80℃에서 20분간 열풍 순환식 건조기를 사용하여 건조시켰다. 얻어진 도막 표면의 적외 흡수스펙트럼(ATR법)을 하기 조건에서 측정했다.The photosensitive resin compositions of each of the examples and the comparative examples were applied to a PET film having a thickness of 35 mu m by an applicator so that the film thickness after drying was 35 mu m to form a coating film. Then, it was dried at 80 캜 for 20 minutes using a hot air circulating dryer. The infrared absorption spectrum (ATR method) of the obtained coating film surface was measured under the following conditions.
·측정장치: 서모피셔사이언티픽(주)제, 상품명:Nicolet iS50R Measurement apparatus: manufactured by Thermo Scientific Co., Ltd., trade name: Nicolet iS50R
·적산회수: 128회 · Number of accumulation: 128 times
다음으로, 자외선 노광 장치((주)하이테크제, 상품명:HTE-5102S)를 사용하여 600mJ/cm2의 노광량으로 노광했다. 그 후, PET 필름으로부터 노광한 도막을 벗겨, 노광 후의 PET 필름면측의 도막의 적외 흡수스펙트럼(ATR법)을, 상기와 동일한 조건으로 측정했다. 노광 전후의, 1470cm-1에 나타나는 탄소-탄소 이중 결합의 변화율을 하기식으로부터 구하여, 적산 회수 3회의 평균치를 도막 저부 경화성(%)으로 하였다.Next, exposure was performed at an exposure dose of 600 mJ / cm 2 using an ultraviolet exposure apparatus (trade name: HTE-5102S, manufactured by Hi-tech Co., Ltd.). Thereafter, the coated film exposed from the PET film was peeled off, and the infrared absorption spectrum (ATR method) of the coated film on the side of the PET film after exposure was measured under the same conditions as described above. The rate of change of the carbon-carbon double bond at 1470 cm -1 before and after exposure was determined from the following equation, and the average value of the number of times of integration multiplied by 3 was defined as the film bottom curability (%).
이중 결합의 변화율(%)=100-(노광 후의 탄소-탄소 이중 결합량/노광 전의 탄소-탄소 이중 결합량×100)(%) Of double bond = 100 - (amount of carbon-carbon double bond after exposure / amount of carbon-carbon double bond before exposure × 100)
(4)레지스트 형상의 평가(4) Evaluation of resist shape
각 실시예 및 비교예의 감광성 수지 조성물을, 50cm×50cm의 크기로, 두께 0.6mm의 동장적층 기판(히타치가세이(주)제, 상품명:MCL-E-67)에, 건조 후의 막 두께가 35㎛가 되도록 스크린 인쇄법으로 도포하여 도막을 형성한 후, 80℃에서 20분간 열풍 순환식 건조기를 사용하여 건조시켰다.The photosensitive resin composition of each of the examples and the comparative examples was coated on a copper laminated substrate (MCL-E-67, manufactured by Hitachi Kasei Corporation) having a size of 50 cm x 50 cm and a thickness of 0.6 mm, Mu m to form a coating film, followed by drying at 80 DEG C for 20 minutes using a hot air circulating dryer.
이어서, 도 2에 나타나는, 구멍 지름의 크기가 100㎛이며 구멍간의 간격 피치가 100㎛인 패턴, 및 구멍 지름의 크기가 80㎛이며 구멍간의 간격 피치가 80㎛인 패턴을 가지는 네가티브 마스크를 각각 도막에 밀착시켜, 자외선 노광 장치((주)하이테크제, 상품명:HTE-5102S)를 사용하여 표 1~6에 나타나는 소정의 노광량으로 노광했다.Next, a negative mask shown in Fig. 2 having a hole diameter of 100 mu m and a hole pitch of 100 mu m, and a negative mask having a hole diameter of 80 mu m and a hole pitch pitch of 80 mu m, And exposed to a predetermined exposure amount shown in Tables 1 to 6 using an ultraviolet exposure apparatus (trade name: HTE-5102S, manufactured by Hi-tech Co., Ltd.).
그 후, 1질량%의 탄산나트륨 수용액으로 60초간, 0.18MPa(1.8kgf/cm2)의 압력으로 스프레이 현상하여, 미노광부를 용해 현상하였다. 다음으로, 자외선 노광 장치((주)지에스유아사라이팅제, 상품명: 컨베이어형 UV조사 장치)를 사용하여 1000mJ/cm2의 노광량으로 노광한 후, 150℃에서 1시간 가열하여, 시험편을 제작하였다.Thereafter, the resultant was spray-developed with a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution at a pressure of 0.18 MPa (1.8 kgf / cm 2 ) for 60 seconds to dissolve and develop the unexposed portion. Next, the resist film was exposed to light at an exposure dose of 1000 mJ / cm 2 using an ultraviolet exposure apparatus (trade name: Conveyor type UV exposure apparatus, manufactured by GS Yuasa Lighting), and then heated at 150 캜 for 1 hour to prepare test pieces.
패턴이 형성된 시험편을 에폭시 수지(미쓰비시가가쿠(주)제, 에피코트 828(상품명))와 경화제로서 트리에틸렌테트라민을 사용한 열경화성 수지로 주형하여 충분히 경화한 후에, 연마기(리파인텍(주)제, 상품명: 리파인 폴리셔)로 연마하고 패턴의 단면을 깎아내어 레지스트 형상을 금속 현미경으로 관찰하여, 이하의 기준으로 평가했다. 도 1에 레지스트의 단면 형상을 모식적으로 나타낸다.The test piece on which the pattern was formed was molded with a thermosetting resin using an epoxy resin (Epikote 828 (trade name), manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., Ltd.) and triethylenetetramine as a curing agent and sufficiently cured, , Brand name: Refine Polisher), the cross section of the pattern was cut out, and the shape of the resist was observed with a metallurgical microscope and evaluated according to the following criteria. Fig. 1 schematically shows the cross-sectional shape of the resist.
A(우량): 레지스트 형상은 직사각형 또는 사다리꼴을 나타내며, 또한 패턴 윤곽의 직선성이 좋았다.A (good): The shape of the resist indicates a rectangle or a trapezoid, and the linearity of the outline of the pattern was good.
B(불량): 레지스트 형상은 언더컷(undercut), 하단폭 당김, 혹은 두꺼워짐이 확인되거나, 또는 패턴 윤곽의 직선성이 좋지 않았다.B (poor): The shape of the resist was found to be undercut, lower width pulling, or thickening, or the linearity of the outline of the pattern was not good.
(5)바이어(via) 지름 정도(精度)의 평가(5) Evaluation of the accuracy of the via diameter
각 실시예 및 비교예의 감광성 수지 조성물을, 50cm×50cm의 크기로, 두께 0.6mm의 동장적층 기판(히타치가세이(주)제, 상품명:MCL-E-67)에, 건조 후의 막 두께가 35㎛가 되도록 스크린 인쇄법으로 도포하여 도막을 형성한 후, 80℃에서 20분간 열풍 순환식 건조기를 사용하여 건조시켰다.The photosensitive resin composition of each of the examples and the comparative examples was coated on a copper laminated substrate (MCL-E-67, manufactured by Hitachi Kasei Corporation) having a size of 50 cm x 50 cm and a thickness of 0.6 mm, Mu m to form a coating film, followed by drying at 80 DEG C for 20 minutes using a hot air circulating dryer.
이어서, 도 2에 나타나는 패턴을 가지는 네가티브 마스크를 각각 도막에 밀착시켜, 자외선 노광 장치((주)하이테크제, 상품명:HTE-5102S)를 사용하여 600mJ/cm2의 노광량으로 노광했다. 그 후, 1질량%의 탄산나트륨 수용액으로 60초간, 0.18MPa(1.8kgf/cm2)의 압력으로 스프레이 현상하고, 미노광부를 용해 현상하여 시험편을 제작했다. 얻어진 시험편의 패턴에 관하여, 이하의 기준으로 평가했다.Next, a negative mask having a pattern shown in Fig. 2 was brought into close contact with the coating film, and exposed using an ultraviolet exposure apparatus (trade name: HTE-5102S, manufactured by Hi-tech Co., Ltd.) at an exposure dose of 600 mJ / cm 2 . Thereafter, the resultant was spray-developed with a 1% by mass aqueous solution of sodium carbonate at a pressure of 0.18 MPa (1.8 kgf / cm 2 ) for 60 seconds to dissolve and develop the unexposed portion to prepare a test piece. The pattern of the obtained test piece was evaluated according to the following criteria.
A(우량): 100㎛ 및 80㎛의 패턴이 80% 재현되었다.A (good): 80% pattern of 100 탆 and 80 탆 was reproduced.
B(불량): 100㎛ 및 80㎛의 패턴이 80% 미만 밖에 재현되지 않았다.B (defective): patterns of 100 탆 and 80 탆 were reproduced in less than 80%.
여기서, 마이크로스코프를 사용해서, 700배로 확대하여, 100㎛ 및 80㎛의 패턴을 관찰하고, 100㎛의 패턴의 경우, 패턴 저부가 80㎛ 이상(패턴지름에 대하여 80% 이상)의 크기로 형성되어 있는 경우를, 패턴이 재현된 것으로 하였다. 80㎛의 패턴의 경우, 패턴 저부가 64㎛ 이상의 크기로 형성되어 있는 경우를, 패턴이 재현된 것으로 하였다. 또한, "A", "B"의 판단에 있어서, 100㎛ 및 80㎛의 패턴의 총수에 대하여, 형성된 패턴의 총수가 80% 이상인 경우를, "A"로서 평가했다.Here, a pattern of 100 탆 and 80 탆 was observed by magnifying it 700 times using a microscope, and in the case of a pattern of 100 탆, the pattern bottom was formed to have a size of 80 탆 or more (80% or more with respect to the pattern diameter) The pattern was reproduced. In the case of a pattern of 80 mu m, the case where the bottom of the pattern was formed to have a size of 64 mu m or more was regarded as a pattern reproduced. In the judgment of "A" and "B", the case where the total number of formed patterns was 80% or more with respect to the total number of patterns of 100 μm and 80 μm was evaluated as "A".
(6)땜납 내열성의 평가(i)(6) Evaluation of Solder Heat Resistance (i)
상기 (4)레지스트 형상의 평가에서 사용한 시험편과 동일한 조건으로 제작한 시험편에, 수용성 플럭스(알파메탈즈(주)제, 상품명:K-183)를 도포하고, 265℃의 땜납조에 10초간 침지한 후, 땜납층에서 꺼냈다. 침지와 꺼냄을 1 사이클로 하여, 6 사이클 반복한 후, 도막 외관을 목시(目視) 관찰하여, 이하의 기준으로 평가했다.A water-soluble flux (trade name: K-183, manufactured by Alpha Metals Co., Ltd.) was applied to a test piece prepared under the same conditions as the test piece used in the evaluation of the resist shape described in (4) above and immersed in a solder bath at 265 캜 for 10 seconds Then, it was taken out from the solder layer. After immersing and extruding into one cycle and repeating 6 cycles, the outer appearance of the coating film was visually observed and evaluated according to the following criteria.
A(우량): 도막 30cm×30cm의 범위내에, 외관 변화는 확인되지 않았다.A (good): Within 30 cm x 30 cm of the coating film, no change in appearance was observed.
B(양호): 도막 30cm×30cm의 범위내에, 1개~5개의 도막의 들뜸 또는 부품 확인되었다.B (Good): Within one coat of 30 cm x 30 cm, one to five coatings were lifted or parts were identified.
C(불량): 도막 30cm×30cm의 범위내에, 6개 이상의 도막의 들뜸 또는 부품이 확인되었다.C (poor): Within the range of 30 cm x 30 cm of the film, six or more films were lifted or parts were confirmed.
(7)땜납 내열성의 평가(ii)(7) Evaluation of Solder Heat Resistance (ii)
상기 (4)레지스트 형상의 평가에서 사용한 시험편과 동일한 조건으로 제작한 시험편에, 무세정형 플럭스(센주긴조쿠고교(주)제, 상품명:RMA SR-209)를 도포하고, 280℃로 설정한 땜납조에 10초간 침지한 후, 땜납층으로부터 꺼냈다. 그 침지와 꺼냄을 1 사이클로 하여, 10 사이클 반복한 후, 꺼낸 시험편의 도막 외관을 목시 관찰하여, 이하의 기준으로 평가했다.(4) A non-glued flux (trade name: RMA SR-209, manufactured by Senzoku Kogyo Kogyo Co., Ltd.) was applied to a test piece prepared under the same condition as the test piece used in the evaluation of the resist shape, And then removed from the solder layer. The immersing and extruding were performed in one cycle, and after repeating 10 cycles, the outer appearance of the coated film of the test piece taken out was visually observed and evaluated according to the following criteria.
A: 레지스트의 도막의 외관 변화는 확인되지 않았다.A: No change in appearance of the coating film of the resist was observed.
B: 레지스트의 도막이 조금 벗겨짐이 확인되었지만, 실용상 문제없는 정도였다.B: The coating film of the resist was slightly peeled off, but it was practically insignificant.
C: 레지스트의 도막의 부품 또는 벗겨짐이 확인되었다.C: Parts or peeling of the coating film of the resist were confirmed.
(8)내크랙성의 평가(8) Evaluation of crack resistance
상기 (4)레지스트 형상의 평가에서 사용한 시험편과 동일한 조건으로 제작한 시험편을, -65℃로 30분간 보관 유지한 후, 150℃로 30분간 보관 유지하는 공정을 1 사이클로 하여, 1000 사이클 반복한 후, 시험편의 도막 외관을 목시 관찰하여, 이하의 기준으로 평가했다.After repeating 1000 cycles of the step of (4) holding the specimen prepared under the same condition as the test specimen used in the evaluation of the resist shape for 30 minutes at -65 占 폚 and holding the specimen at 150 占 폚 for 30 minutes , And the outer appearance of the coating film of the test piece was visually observed and evaluated according to the following criteria.
A(우량): 도막 30cm×30cm의 범위내에, 외관 변화는 확인되지 않았다.A (good): Within 30 cm x 30 cm of the coating film, no change in appearance was observed.
B(양호): 도막 30cm×30cm의 범위내에, 1개~5개의 도막의 들뜸 또는 부품이 확인되었다.B (Good): One to five coatings were lifted or parts were found within a range of 30 cm x 30 cm.
C(불량): 도막 30cm×30cm의 범위내에, 6개 이상의 도막의 들뜸 또는 부품이 확인되었다.C (poor): Within the range of 30 cm x 30 cm of the film, six or more films were lifted or parts were confirmed.
(9)밀착성의 평가(9) Evaluation of adhesion
각 실시예 및 비교예의 감광성 수지 조성물을, 구리표면을 버프 연마(깊이 방향으로 5㎛ 조화(粗化))한 두께 0.6mm의 동장적층 기판(히타치가세이(주)제, 상품명: MCL-E-67)과 화학 연마(맥크(주)제의 연마제 CZ8101을 사용하여 깊이 방향으로 0.5㎛ 조화)한 두께 0.6mm의 동장적층 기판(히타치가세이(주)제, 상품명: MCL-E-67)에, 건조 후의 막 두께가 35㎛가 되도록 스크린 인쇄법으로 도포하여 도막을 형성한 후, 80℃로 20분간 열풍 순환식 건조기를 사용하여 건조시켰다.Each of the photosensitive resin compositions of the examples and the comparative examples was laminated on a copper laminated substrate (MCL-E (trade name) manufactured by Hitachi Kasei Co., Ltd.) having a thickness of 0.6 mm and having a copper surface buffed (5 占 퐉 roughening in the depth direction) (Trade name: MCL-E-67, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) having a thickness of 0.6 mm and having a thickness of 0.5 mm and a thickness of 0.5 mm and a thickness of 0.5 mm, By a screen printing method so as to have a film thickness after drying of 35 mu m to form a coating film and then dried using a hot air circulating dryer at 80 DEG C for 20 minutes.
이어서, 도 2에 나타나는 패턴을 가지는 네가티브 마스크를 각각 도막에 밀착시켜, 자외선 노광 장치((주)하이테크제, 상품명: HTE-5102S)를 사용하여 600mJ/cm2의 노광량으로 노광했다. 그 후, 1질량%의 탄산나트륨 수용액으로 60초간, 0.18MPa(1.8kgf/cm2)의 압력으로 스프레이 현상하여, 미노광부를 용해 현상하였다. 다음으로, 자외선 노광 장치((주)지에스유아사라이팅제, 상품명: 컨베이어형 UV조사 장치)를 사용하여 1000mJ/cm2의 노광량으로 노광하고, 150℃로 1시간 가열하여, 시험편을 제작했다.Next, a negative mask having a pattern shown in Fig. 2 was brought into close contact with the coating film, and exposed using an ultraviolet exposure apparatus (trade name: HTE-5102S, manufactured by Hi-tech Co., Ltd.) at an exposure dose of 600 mJ / cm 2 . Thereafter, the resultant was spray-developed with a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution at a pressure of 0.18 MPa (1.8 kgf / cm 2 ) for 60 seconds to dissolve and develop the unexposed portion. Next, exposure was performed at an exposure amount of 1000 mJ / cm 2 using an ultraviolet ray exposure apparatus (trade name: conveyor type UV irradiation apparatus, manufactured by GS Yuasa Lighting Co., Ltd.) and heated at 150 캜 for 1 hour to prepare a test piece.
얻어진 시험편에 관하여, JIS K5600에 준해, 1mm의 바둑판 눈금을 100개 제작하여, 셀로판 테이프(니치반(주)제, 상품명: 셀로테이프(등록상표))를 붙인 후, 90도의 방향으로 셀로판 테이프를 강제적으로 박리하는 박리 시험을 실시했다. 바둑판 눈금의 박리 상태를 관찰하여, 이하의 기준으로 평가했다.100 sheets of 1 mm checkerboard scales were prepared in accordance with JIS K5600, and a cellophane tape (manufactured by Nichiban Co., Ltd., trade name: Cellotape (registered trademark)) was stuck thereon and then a cellophane tape A peeling test was performed forcibly peeling off. The peeled state of the checkerboard scale was observed and evaluated according to the following criteria.
A(우량): 90/100 이상으로 박리가 없었다.A (good): 90/100 or more did not peel off.
B(양호): 50/100 이상, 90/100 미만으로 박리가 없었다.B (good): not less than 50/100 and less than 90/100.
C(불량): 0/100 이상, 50/100 미만으로 박리가 없었다.C (poor): 0/100 or more, less than 50/100, no peeling.
(10)내용제성(10) Solvent resistance
상기 (4)레지스트 형상의 평가에서 사용한 시험편과 동일한 조건으로 제작한 시험편을, 이소프로필알코올에 실온에서 30분간 침지하여, 외관에 이상이 없는가를 목시 확인하였다. 다음으로, 침지 후의 시험편의 도막에 셀로판 테이프(니치반(주)제, 상품명: 셀로테이프(등록상표))를 붙인 후, 90도의 방향으로 셀로판 테이프를 강제적으로 박리하는 박리 시험을 실시하고, 도막의 박리의 유무를 목시 확인하여, 이하의 기준으로 평가했다.The specimens prepared under the same conditions as in the above (4) evaluation of the resist shape were immersed in isopropyl alcohol for 30 minutes at room temperature to confirm whether there was any abnormality in appearance. Next, a peel test was performed in which a cellophane tape (manufactured by Nichiban Co., Ltd., trade name: Cellotape (registered trademark)) was stuck on the coating film of the test piece after immersion and then the cellophane tape was forcibly peeled in the direction of 90 degrees. The presence or absence of peeling was checked on the basis of the following criteria.
A(우량): 도막의 외관에 이상이 확인되지 않으며, 또한 박리가 없었다.A (good): No abnormality was found on the appearance of the coating film, and no peeling was observed.
B(불량): 도막의 외관에 이상이 확인되거나, 또는 박리 되었다.B (defective): An abnormality was confirmed on the outer surface of the coating film, or peeling was observed.
(11)내산성(11) Acid resistance
상기 (4)레지스트 형상의 평가에서 사용한 시험편과 동일한 조건으로 제작한 시험편을, 10질량% 염산 수용액에 실온에서 30분간 침지하여, 외관에 이상이 없는가를 목시 확인하였다. 다음으로, 침지 후의 시험편의 도막에 셀로판 테이프(니치반(주)제, 상품명: 셀로테이프(등록상표))를 붙인 후, 90도의 방향으로 셀로판 테이프를 강제적으로 박리하는 박리 시험을 실시하고, 도막의 박리의 유무를 목시 확인하여, 이하의 기준으로 평가했다.A test piece prepared under the same conditions as in (4) evaluation of the resist shape was immersed in a 10 mass% aqueous hydrochloric acid solution at room temperature for 30 minutes to confirm whether or not there was any abnormality in appearance. Next, a peel test was performed in which a cellophane tape (manufactured by Nichiban Co., Ltd., trade name: Cellotape (registered trademark)) was stuck on the coating film of the test piece after immersion and then the cellophane tape was forcibly peeled in the direction of 90 degrees. The presence or absence of peeling was checked on the basis of the following criteria.
A(우량): 도막 외관에 이상이 확인되지 않으며, 또한 박리가 없었다.A (good): No abnormality was observed on the outer appearance of the coating film, and no peeling was observed.
B(불량): 도막 외관에 이상이 확인되거나, 또는 박리 되었다.B (poor): An abnormality was found in the outer appearance of the coating film or peeling was observed.
(12)내알칼리성(12) Alkalinity
상기 (4)레지스트 형상의 평가에서 사용한 시험편과 동일한 조건으로 제작한 시험편을, 5질량% 수산화 나트륨 수용액에 실온에서 30분간 침지하여, 외관에 이상이 없는가를 목시 확인하였다. 다음으로, 침지 후의 시험편의 도막에 셀로판 테이프(니치반(주)제, 상품명: 셀로테이프(등록상표))를 붙인 후, 90도의 방향으로 셀로판 테이프를 강제적으로 박리하는 박리 시험을 실시하고, 도막의 박리의 유무를 목시 확인하여, 이하의 기준으로 평가했다.A test piece prepared under the same conditions as the test piece used in the evaluation of the resist shape (4) was immersed in a 5 mass% aqueous sodium hydroxide solution at room temperature for 30 minutes to confirm whether or not the appearance was abnormal. Next, a peel test was performed in which a cellophane tape (manufactured by Nichiban Co., Ltd., trade name: Cellotape (registered trademark)) was stuck on the coating film of the test piece after immersion and then the cellophane tape was forcibly peeled in the direction of 90 degrees. The presence or absence of peeling was checked on the basis of the following criteria.
A(우량): 도막 외관에 이상이 확인되지 않으며, 또한 박리가 없었다.A (good): No abnormality was observed on the outer appearance of the coating film, and no peeling was observed.
B(불량): 도막 외관에 이상이 확인되거나, 또는 박리 되었다.B (poor): An abnormality was found in the outer appearance of the coating film or peeling was observed.
(13)내플럭스부식성의 평가(13) Evaluation of flux corrosion resistance
상기 (4)레지스트 형상의 평가에 있어서, 도 2에 나타나는 패턴을, 도 3에 나타나는 1mm각의 격자모양의 패턴으로 한 것 이외에는, 상기 (4)레지스트 형상의 평가와 동일하게 하여 시험편을 얻었다. 다음으로, 고활성의 수용성 플럭스(알파메탈즈(주)제, 상품명: K-183)를 얻어진 시험편의 전면(全面)에 도포하여, 3분간 세워서 방치하여 여분의 플럭스를 제거했다. 다음으로, 시험편을 130℃에서 1분간 예열하고, 이어서 280℃의 땜납조에 20초간 침지한 후, 땜납조로부터 꺼냈다. 실온에서 1분간방랭(放冷)한 후 수세하여, 물방울을 닦아낸 상태에서, 외관을 목시 관찰하였다. 또한 시험편의 최소 회로폭의 개소에 24mm폭의 셀로판 테이프(니치반(주)제, 상품명: 셀로테이프(등록상표))를 붙여, 90도의 방향으로 셀로판 테이프를 강제적으로 박리하는 박리 시험을 실시하고, 박리 후의 시험편의 외관을 목시 관찰하여, 이하의 기준으로 평가했다.A test piece was obtained in the same manner as in the above (4) evaluation of the resist shape except that the pattern shown in Fig. 2 was replaced with a lattice pattern of 1 mm square shown in Fig. Then, a highly active water-soluble flux (product name: K-183, manufactured by Alpha Metals Co., Ltd.) was applied to the entire surface of the obtained test piece and left standing for 3 minutes to remove excess flux. Next, the test piece was preheated at 130 DEG C for 1 minute, then immersed in a solder bath at 280 DEG C for 20 seconds, and then taken out of the solder bath. After cooling for 1 minute at room temperature, the plate was washed with water, and the appearance of the plate was observed while wiping off the water droplets. A cellophane tape (manufactured by Nichiban Co., Ltd., trade name: Cellotape (registered trademark)) having a width of 24 mm was attached to the minimum circuit width of the test piece, and the cellophane tape was forcibly peeled in the direction of 90 degrees , The appearance of the test piece after peeling was visually observed and evaluated according to the following criteria.
5: 박리 시험 후에도 레지스트가 존재하는 부분의 박리는 전혀 확인되지 않았다.5: Peeling of the portion where the resist was present was not observed at all after the peeling test.
4: 박리 시험 후에, 레지스트가 존재하는 부분의 20% 이하의 박리가 확인되었다.4: After the peeling test, peeling of 20% or less of the portion where the resist was present was confirmed.
3: 박리 시험 전에 레지스트가 존재하는 부분에 있어서 백화(白化)가 조금 확인되고, 박리 시험 후에 레지스트가 존재하는 부분의 20% 이하의 박리가 확인되었으나, 실용상은 문제가 없었다.3: Whitening was slightly observed in the portion where the resist existed before the peeling test, and peeling of 20% or less of the portion where the resist was present after the peeling test was confirmed, but practically no problem was found.
2: 박리 시험 전에 레지스트가 존재하는 부분에 있어서 백화가 확인되고, 박리 시험 후에 레지스트가 존재하는 부분의 20% 이상의 박리가 확인되었다.2: Bleaching was observed at the portion where the resist existed before the peeling test, and peeling at 20% or more of the portion where the resist was present after the peeling test was confirmed.
1: 박리 시험 전에 레지스트가 존재하는 부분에 있어서 현저한 백화가 확인되고, 박리 시험 후에 현저한 박리가 확인되었다.1: Significant whitening was observed in the portion where the resist was present before the peeling test, and significant peeling was confirmed after peeling test.
(14)내무전해(耐無電解) 도금성(14) Domestic Electrolytic (Electroless) Plating
상기 (4)레지스트 형상의 평가에서 사용한 시험편과 동일한 조건으로 제작한 시험편을, 시판품인 무전해 니켈 도금욕(浴) 및 무전해 금 도금욕을 사용하여, 니켈 5㎛, 금 0.05㎛의 두께가 되는 조건으로 도금을 실시했다. 도금 후, 도금의 스며듬 유무를 목시 확인하였다. 다음으로, 침지 후의 시험편의 도막에 셀로판 테이프(니치반(주)제, 상품명: 셀로테이프(등록상표))를 붙인 후, 90도의 방향으로 셀로판 테이프를 강제적으로 박리하는 박리 시험을 실시하고, 도막의 박리의 유무를 목시 확인하여, 이하의 기준으로 평가했다.The test pieces prepared under the same conditions as those of the test specimens used in the evaluation of the resist shape (4) were coated with a nickel plating bath of 5 μm thickness and a gold plating thickness of 0.05 μm using a commercially available electroless nickel plating bath and electroless gold plating bath The plating was carried out. After the plating, the presence or absence of impregnation of the plating was confirmed. Next, a peel test was performed in which a cellophane tape (manufactured by Nichiban Co., Ltd., trade name: Cellotape (registered trademark)) was stuck on the coating film of the test piece after immersion and then the cellophane tape was forcibly peeled in the direction of 90 degrees. The presence or absence of peeling was checked on the basis of the following criteria.
A: 스밈, 및 박리를 볼 수 없었다.A: I could not see the smim, and the exfoliation.
B: 도금 후에 스밈이 보였으나, 박리는 볼 수 없었다.B: After the plating, the smim was visible, but the peeling could not be seen.
C: 도금 후에 박리를 볼 수 있었다.C: Peeling was observed after plating.
(합성예 1; 산변성 비닐기 함유 에폭시 수지(I)의 합성)(Synthesis Example 1: Synthesis of acid-modified vinyl group-containing epoxy resin (I)) [
크레졸 노볼락형 에폭시 수지(신닛테츠스미킨가가쿠(주)제, 상품명: YDCN704, 일반식(I)에 있어서, Y1=글리시딜기, R11=메틸기) 220질량부, 아크릴산 72질량부, 하이드로퀴논 1.0질량부, 카비톨아세테이트 180질량부를 혼합하여, 90℃로 가열, 교반하여 반응 혼합물을 용해시켰다. 이어서, 60℃로 냉각하여, 염화벤질트리메틸암모늄 1질량부를 혼합하고, 100℃로 가열하여, 고형분산가가 1mgKOH/g가 될 때까지 반응시켰다. 이어서, 테트라히드로 무수프탈산 152질량부와 카비톨아세테이트 100질량부를 혼합하고, 80℃로 가열하여, 6시간 교반하였다. 실온까지 냉각한 후, 고형분 농도가 60질량%가 되도록 카비톨아세테이트로 희석하여 산변성 비닐기 함유 에폭시 수지(I)를 포함하는 용액을 얻었다.Cresol novolak type epoxy resin (sinnit Tetsu Sumi kinga Kagaku Co., Ltd., trade name: YDCN704, in the formula (I), Y 1 = a glycidyl group, R 11 = methyl group) 220 parts by weight, acrylic acid 72 parts by weight, 1.0 part by mass of hydroquinone and 180 parts by mass of carbitol acetate were mixed and heated to 90 DEG C and stirred to dissolve the reaction mixture. Subsequently, the mixture was cooled to 60 占 폚, and 1 part by mass of benzyltrimethyl ammonium chloride was mixed and heated to 100 占 폚 and reacted until the solid dispersion value became 1 mg KOH / g. Subsequently, 152 parts by weight of tetrahydrophthalic anhydride and 100 parts by weight of carbitol acetate were mixed and heated to 80 DEG C and stirred for 6 hours. After cooling to room temperature, the solution was diluted with carbitol acetate to a solid content concentration of 60% by mass to obtain a solution containing an acid-modified vinyl group-containing epoxy resin (I).
또한, 실시예에 있어서의 고형분 산가는 중화 적정법에 따라 측정했다. 구체적으로는, 산변성 비닐기 함유 에폭시 수지를 포함하는 용액 1g에 아세톤 30g을 첨가하여, 균일하게 더 용해시킨 후, 지시약인 페놀프탈레인을, 상기 산변성 비닐기 함유 에폭시 수지를 포함하는 용액에 적당량 첨가하고, 0.1N의 수산화칼륨 수용액을 사용하여 적정(滴定)을 실시하는 것으로 측정하였다.In addition, the solid dispersion amount in the examples was measured according to the neutralization titration method. Specifically, 30 g of acetone was added to 1 g of the solution containing an acid-modified vinyl group-containing epoxy resin, and the solution was uniformly dissolved. Then, phenolphthalein as an indicator was added in an appropriate amount to the solution containing the acid-modified vinyl group-containing epoxy resin , And titration was carried out using 0.1 N aqueous potassium hydroxide solution.
(합성예 2; 산변성 비닐기 함유 에폭시 수지(II)-a의 합성)(Synthesis Example 2: Synthesis of acid-modified vinyl group-containing epoxy resin (II) -a)
비스페놀 F형 에폭시 수지(신닛테츠스미킨가가쿠(주)제, 상품명: YDF2001, 일반식(II)에 있어서, Y2=글리시딜기, R12=H) 475질량부, 아크릴산 72질량부, 하이드로퀴논 0.5질량부, 카비톨아세테이트 120질량부를 혼합하여, 90℃로 가열, 교반하여 반응 혼합물을 용해시켰다. 이어서, 60℃로 냉각하여, 염화벤질트리메틸암모늄 2질량부를 혼합하고, 100℃로 가열하여, 고형분 산가가 1mgKOH/g가 될 때까지 반응시켰다. 이어서, 테트라히드로 무수프탈산 230질량부와 카비톨아세테이트 85질량부를 혼합하고, 80℃로 가열하여, 6시간 교반하였다. 실온까지 냉각한 후, 고형분 농도가 60질량%가 되도록 카비톨아세테이트로 희석하여 산변성 비닐기 함유 에폭시 수지(II)-a를 포함하는 용액을 얻었다., 475 parts by mass of a bisphenol F type epoxy resin (trade name: YDF2001, trade name: Y 2 = glycidyl group, R 12 = H, manufactured by Shinnitetsu Sumiki Kagaku Co., Ltd.), 72 parts by mass of acrylic acid, 0.5 part by mass of quinone and 120 parts by mass of carbitol acetate were mixed and heated to 90 DEG C and stirred to dissolve the reaction mixture. Subsequently, the mixture was cooled to 60 DEG C and 2 parts by mass of benzyltrimethylammonium chloride was mixed, heated to 100 DEG C, and reacted until the solid acid value became 1 mgKOH / g. Subsequently, 230 parts by weight of tetrahydrophthalic anhydride and 85 parts by weight of carbitol acetate were mixed and heated to 80 DEG C and stirred for 6 hours. After cooling to room temperature, the solution was diluted with carbitol acetate to a solid content concentration of 60% by mass to obtain a solution containing an acid-modified vinyl group-containing epoxy resin (II) -a.
(합성예 3; 산변성 비닐기 함유 에폭시 수지(IV)-a의 합성)(Synthesis Example 3: Synthesis of acid-modified vinyl group-containing epoxy resin (IV) -a)
온도계, 적하 로트, 냉각관, 및 교반기를 구비한 플라스크에, 80℃에서 용해시킨 비스(4-히드록시페닐)메탄 272질량부를 넣어, 80℃로 교반을 개시했다. 여기에 메탄포스폰산 3질량부를 첨가하여, 액체의 온도가 80~90℃의 범위를 유지하도록, 파라포름알데히드 수용액(농도: 92질량%) 16.3질량부를 1시간에 걸쳐 적하하였다. 적하가 종료한 후, 110℃까지 가열하여, 2시간 교반하였다. 이어서, 메틸이소부틸케톤 1000질량부를 더 첨가하여, 분액로트로 옮겨 수세하였다. 세정수가 중성을 나타낼 때까지 수세를 계속한 후, 유기층으로부터 용매 및 미반응의 비스(4-히드록시페닐)메탄을 가열 감압하(온도:220℃, 압력:66.7Pa)에서 제거하여, 갈색 고체인 비스페놀계 노볼락 수지 164질량부를 얻었다. 얻어진 비스페놀계 노볼락 수지의 연화점은 74℃, 수산기 당량은 154g/eq였다.272 parts by mass of bis (4-hydroxyphenyl) methane dissolved at 80 占 폚 was placed in a flask equipped with a thermometer, dropping funnel, cooling tube and stirrer and stirring was started at 80 占 폚. 3 parts by mass of methanephosphonic acid was added thereto, and 16.3 parts by mass of paraformaldehyde aqueous solution (concentration: 92% by mass) was added dropwise over 1 hour so that the temperature of the liquid remained within a range of 80 to 90 占 폚. After completion of the dropwise addition, the mixture was heated to 110 ° C and stirred for 2 hours. Subsequently, 1000 parts by mass of methyl isobutyl ketone was further added, and the reaction mixture was transferred to a separating funnel and washed with water. After washing with water until the washing water showed neutrality, a solvent and unreacted bis (4-hydroxyphenyl) methane were removed from the organic layer under heating and reduced pressure (temperature: 220 ° C, pressure: 66.7 Pa) 164 parts by mass of a bisphenol-based novolac resin. The obtained bisphenol-based novolac resin had a softening point of 74 占 폚 and a hydroxyl group equivalent of 154 g / eq.
다음으로, 온도계, 적하 로트, 냉각관, 및 교반기를 구비한 플라스크에, 질소 가스퍼지를 하면서, 상기에서 얻어진 비스페놀계 노볼락 수지 154질량부, 에피클로로히드린 463질량부, n-부탄올 139질량부, 및 테트라에틸벤질암모늄클로라이드 2질량부를 혼합하여, 용해시켰다. 이어서, 이것을 65℃까지 가열하여, 공비(共沸)하는 압력까지 감압한 후, 수산화나트륨 수용액(농도:49질량%) 90질량부를 5시간에 걸쳐서 속도를 일정하게 하여 적하하고, 30분간 교반하였다. 그 사이, 공비에 의해 유출(留出)된 유출분을, 딘스탁트랩으로 분리하여, 수층(水層)을 제거하고, 유층(油層)을 플라스크(반응계)에 되돌리면서, 반응시켰다. 그 후, 미반응의 에피클로로히드린을 감압 증류(온도: 22℃, 압력: 1.87kPa)에 의해 유거하여 얻어진 조(粗) 에폭시 수지에, 메틸이소부틸케톤 590질량부, n-부탄올 177질량부를 첨가하여 용해시켰다. 이 용액에 수산화나트륨 수용액(농도: 10질량%) 10질량부를 첨가하여, 80℃에서 2시간 반응시킨 후, 세정액의 pH가 중성이 될 때까지 물 150질량부로 수세를 3회 반복하였다. 3회째의 수세에 사용한 세정액의 pH가 중성인 것을 확인했다. 이어서, 공비에 의해 플라스크내(반응계내)를 탈수하고, 정밀 여과를 실시한 후, 용매를 감압하(압력: 1.87kPa)로 유거하여, 갈색의 점조한 액체인, 본 발명에서 사용되는 비스페놀계 노볼락형 에폭시 수지(일반식(IV)에 있어서 Y4=글리시딜기, R13=H의 구성 단위를 가지는 에폭시 수지(a))를 얻었다. 이 에폭시 수지의 수산기 당량은 233g/eq였다.Then, 154 parts by mass of the bisphenol-based novolak resin obtained above, 463 parts by mass of epichlorohydrin, 139 parts by mass of n-butanol , And 2 parts by mass of tetraethylbenzylammonium chloride were mixed and dissolved. Subsequently, the mixture was heated to 65 DEG C to reduce the pressure to an azeotropic pressure, and then 90 parts by mass of an aqueous sodium hydroxide solution (concentration: 49% by mass) was added dropwise over 5 hours at a constant rate and stirred for 30 minutes . In the meantime, the effluent distilled out by azeotropy was separated by a Deanstock trap, the water layer was removed, and the oil layer was returned to the flask (reaction system). Thereafter, unreacted epichlorohydrin was removed by vacuum distillation (temperature: 22 ° C, pressure: 1.87 kPa) to obtain a crude epoxy resin, 590 parts by mass of methyl isobutyl ketone, 177 parts by mass of n-butanol And then dissolved. To this solution, 10 parts by mass of an aqueous solution of sodium hydroxide (concentration: 10% by mass) was added. After reacting at 80 DEG C for 2 hours, washing with water was repeated three times with 150 parts by mass of water until the pH of the washing liquid became neutral. It was confirmed that the pH of the washing liquid used for the third washing with water was neutral. Subsequently, the inside of the flask (in the reaction system) was dehydrated by azeotropic distillation, subjected to microfiltration, and then the solvent was distilled off under reduced pressure (pressure: 1.87 kPa) to obtain a viscous liquid of the bisphenol- (Epoxy resin (a) having a constituent unit of Y 4 = glycidyl group and R 13 = H in the general formula (IV)) was obtained. The epoxy equivalent of the epoxy resin was 233 g / eq.
상기에서 얻어진 에폭시 수지(a) 450질량부에, 아크릴산 124질량부, 하이드로퀴논 1.5질량부, 카비톨아세테이트 250질량부를 혼합하여, 90℃로 가열하고, 교반하여 반응 혼합물을 용해하였다. 이어서, 60℃로 냉각한 후, 염화벤질트리메틸암모늄 2질량부를 혼합하고, 100℃로 가열하여, 산가가 1mgKOH/g가 될 때까지 반응시켰다. 다음으로, 테트라히드로 무수프탈산 230질량부와 카비톨아세테이트 180질량부를 상기 반응물과 혼합하고, 80℃로 가열하여, 6시간 반응시켰다. 이어서, 실온까지 냉각하여, 고형분 농도가 60질량%가 되도록 카비톨아세테이트로 희석하고, 산변성 비닐기 함유 에폭시 수지(IV)-a를 포함하는 용액을 얻었다.To 450 parts by mass of the epoxy resin (a) obtained above, 124 parts by mass of acrylic acid, 1.5 parts by mass of hydroquinone and 250 parts by mass of carbitol acetate were mixed and heated to 90 占 폚 and stirred to dissolve the reaction mixture. Subsequently, the mixture was cooled to 60 占 폚, and 2 parts by mass of benzyltrimethylammonium chloride was mixed and heated to 100 占 폚 until the acid value became 1 mgKOH / g. Subsequently, 230 parts by weight of tetrahydrophthalic anhydride and 180 parts by weight of carbitol acetate were mixed with the above reaction product, heated to 80 DEG C, and reacted for 6 hours. Subsequently, the solution was cooled to room temperature and diluted with carbitol acetate to a solid concentration of 60% by mass to obtain a solution containing an acid-modified vinyl group-containing epoxy resin (IV) -a.
또한, 수지의 연화점은, JIS-K7234:1986에서 정하는 환구법에 준거하여 측정했다(승온 속도: 5℃/분).The softening point of the resin was measured in accordance with the ring method defined by JIS-K7234: 1986 (temperature raising rate: 5 DEG C / min).
(합성예 4; 산변성 비닐기 함유 에폭시 수지(IV)-b의 합성)(Synthesis Example 4: Synthesis of acid-modified vinyl group-containing epoxy resin (IV) -b)
온도계, 적하 로트, 냉각관, 및 교반기를 구비한 플라스크에, 80℃에서 용해시킨 2,2-비스(4-히드록시페닐)프로판 272질량부를 넣어, 80℃에서 교반을 개시하였다. 이것에 메탄포스폰산 3질량부를 첨가하여, 액체의 온도가 80~90℃의 범위를 유지하도록, 파라포름알데히드(92질량%) 16.3질량부를 1시간에 걸쳐 적하하였다. 적하가 종료한 후, 110℃까지 가열하고, 2시간 교반하였다. 이어서, 메틸이소부틸케톤 1000질량부를 더 첨가하고, 분액 로트로 옮겨 수세하였다. 세정수가 중성을 나타낼 때까지 수세를 계속한 후, 유기층으로부터 용매 및 미반응의 2,2-(4-히드록시페닐)프로판을 가열 감압하(온도: 240℃, 압력: 26.7Pa)에서 제거하여, 갈색 고체인 비스페놀계 노볼락 수지 164질량부를 얻었다. 얻어진 비스페놀계 노볼락 수지의 연화점은 87℃, 수산기 당량은 174g/eq였다.272 parts by mass of 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) propane dissolved at 80 占 폚 was placed in a flask equipped with a thermometer, dropping funnel, cooling tube and stirrer and stirring was started at 80 占 폚. 3 parts by mass of methanephosphonic acid was added thereto, and 16.3 parts by mass of paraformaldehyde (92% by mass) was added dropwise over 1 hour so that the temperature of the liquid remained within a range of 80 to 90 占 폚. After completion of the dropwise addition, the mixture was heated to 110 ° C and stirred for 2 hours. Subsequently, 1000 parts by mass of methyl isobutyl ketone was further added, and the reaction mixture was transferred to a separating funnel and washed with water. After washing with water until the washing water showed neutrality, a solvent and unreacted 2,2- (4-hydroxyphenyl) propane were removed from the organic layer under heating and reduced pressure (temperature: 240 ° C, pressure: 26.7 Pa) And 164 parts by mass of a bisphenol-based novolak resin which is a brown solid. The obtained bisphenol-based novolak resin had a softening point of 87 占 폚 and a hydroxyl group equivalent of 174 g / eq.
다음으로, 온도계, 적하 로트, 냉각관, 및 교반기를 구비한 플라스크에, 질소 가스퍼지를 하면서, 상기에서 얻어진 비스페놀계 노볼락 수지 154질량부, 에피클로로히드린 463질량부, n-부탄올 139질량부, 및 테트라에틸벤질암묘늄클로라이드 2질량부를 혼합하여, 용해시켰다. 이어서, 이것을 65℃까지 가열해, 공비하는 압력까지 감압한 후, 수산화나트륨 수용액(농도: 49질량%) 90질량부를 5시간에 걸쳐서 속도를 일정하게 하여 적하하고, 30분간 교반하였다. 그 사이, 공비에 의해 유출된 유출분을, 딘스탁트랩으로 분리하여, 수층을 제거하고, 유층을 플라스크(반응계)에 되돌리면서, 반응시켰다. 그 후, 미반응의 에피클로로히드린을 감압 증류(온도: 22℃, 압력: 1.87kPa)에 의해 유거하여 얻어진 조 에폭시 수지에, 메틸이소부틸케톤 590질량부, n-부탄올 177질량부를 첨가하여 용해시켰다. 이 용액에 수산화나트륨 수용액(농도: 10질량%) 10질량부를 첨가하여, 80℃에서 2시간 반응시킨 후, 세정액의 pH가 중성이 될 때까지 물 150질량부로 수세를 3회 반복하였다. 3번째의 수세에서 사용한 세정액의 pH가 중성인 것을 확인하였다. 이어서, 공비에 의해 플라스크내(반응계내)를 탈수하여, 정밀 여과를 실시한 후, 용매를 감압하(압력: 1.87kPa)에서 유거하여, 갈색의 점조한 액체인, 본 발명에서 사용되는 비스페놀계 노볼락형 에폭시 수지(일반식(IV)에 있어서 Y4=글리시딜기, R13=메틸기의 구성 단위를 가지는 에폭시 수지(a))를 얻었다. 이 에폭시 수지의 수산기 당량은 233g/eq였다.Then, 154 parts by mass of the bisphenol-based novolak resin obtained above, 463 parts by mass of epichlorohydrin, 139 parts by mass of n-butanol And 2 parts by mass of tetraethylbenzylammonium chloride were mixed and dissolved. Subsequently, this was heated to 65 占 폚, reduced to an azeotropic pressure, and then 90 parts by mass of an aqueous solution of sodium hydroxide (concentration: 49% by mass) was added dropwise over 5 hours at a constant rate and stirred for 30 minutes. In the meantime, the effluent discharged by the azeotropic distillation was separated by Dean Stark trap, the water layer was removed, and the oil layer was returned to the flask (reaction system). Thereafter, unreacted epichlorohydrin was distilled off by vacuum distillation (temperature: 22 ° C, pressure: 1.87 kPa), and 590 parts by mass of methyl isobutyl ketone and 177 parts by mass of n-butanol were added to the obtained crude epoxy resin . To this solution, 10 parts by mass of an aqueous solution of sodium hydroxide (concentration: 10% by mass) was added. After reacting at 80 DEG C for 2 hours, washing with water was repeated three times with 150 parts by mass of water until the pH of the washing liquid became neutral. It was confirmed that the pH of the washing liquid used in the third washing with water was neutral. Subsequently, the inside of the flask (in the reaction system) was dehydrated by azeotropic distillation, subjected to microfiltration, and then the solvent was distilled off under reduced pressure (pressure: 1.87 kPa) to obtain a viscous liquid of the bisphenol- (Epoxy resin (a) having Y 4 = glycidyl group and R 13 = methyl group constituent unit in the general formula (IV)) was obtained. The epoxy equivalent of the epoxy resin was 233 g / eq.
상기에서 얻어진 에폭시 수지(a) 450질량부에, 아크릴산 124질량부, 하이드로퀴논 1.5질량부, 카비톨아세테이트 250질량부를 혼합하여, 90℃로 가열하고, 교반하여 반응 혼합물을 용해하였다. 이어서, 60℃로 냉각하여, 염화벤질트리메틸암모늄 2질량부를 혼합하고, 100℃로 가열하여, 산가가 1mgKOH/g가 될 때까지 반응시켰다. 다음으로, 테트라히드로 무수프탈산 230질량부와 카비톨아세테이트 180질량부를 상기 반응물과 혼합하고, 80℃로 가열하여, 6시간 반응시켰다. 이어서, 실온까지 냉각하여, 고형분 농도가 60질량%가 되도록 카비톨아세테이트로 희석하고, 산변성 비닐기 함유 에폭시 수지(IV)-b를 포함하는 용액을 얻었다.To 450 parts by mass of the epoxy resin (a) obtained above, 124 parts by mass of acrylic acid, 1.5 parts by mass of hydroquinone and 250 parts by mass of carbitol acetate were mixed and heated to 90 占 폚 and stirred to dissolve the reaction mixture. Subsequently, the mixture was cooled to 60 占 폚, and 2 parts by mass of benzyltrimethylammonium chloride was mixed and heated to 100 占 폚 until the acid value became 1 mg KOH / g. Subsequently, 230 parts by weight of tetrahydrophthalic anhydride and 180 parts by weight of carbitol acetate were mixed with the above reaction product, heated to 80 DEG C, and reacted for 6 hours. Subsequently, the mixture was cooled to room temperature and diluted with carbitol acetate to a solid content concentration of 60% by mass to obtain a solution containing an acid-modified vinyl group-containing epoxy resin (IV) -b.
(합성예 5; 산변성 비닐기 함유 에폭시 수지(IV)-c의 합성)(Synthesis Example 5: Synthesis of acid-modified vinyl group-containing epoxy resin (IV) -c)
온도계, 적하 로트, 냉각관, 및 교반기를 구비한 플라스크에, 비스페놀 F 노볼락형 에폭시 수지(DIC(주)제, 상품명:EXA-7376, 일반식(IV)에 있어서, Y4 및 Y5=글리시딜기, R13=수소 원자) 350질량부, 아크릴산 70질량부, 메틸하이드로퀴논 0.5질량부, 카비톨아세테이트 120질량부를 혼합하고, 90℃로 가열하여 교반함으로써 반응시켜, 혼합물을 완전하게 용해하였다. 다음으로, 얻어진 용액을 60℃로 냉각하여, 트리페닐포스핀 2질량부를 첨가하고, 100℃로 가열하여, 용액의 산가가 1mgKOH/g가 될 때까지 반응시켰다. 반응 후의 용액에, 테트라히드로 무수프탈산(THPAC) 98질량부와 카비톨아세테이트 85질량부를 첨가하고, 80℃로 가열하여, 6시간 반응시켰다. 그 후, 실온까지 냉각하여, 고형분의 농도가 73질량%인 산변성 비닐기 함유 에폭시 수지(IV)-c를 포함하는 용액을 얻었다.A flask equipped with a thermometer, a dropping funnel, a cooling tube and a stirrer was charged with a bisphenol F novolac epoxy resin (trade name: EXA-7376, manufactured by DIC Corporation, Y 4 and Y 5 = a glycidyl group, R 13 = hydrogen atom) to 350 parts by mass of acrylic acid 70 parts by mass of methyl hydroquinone, 0.5 parts by mass of carbitol to acetate mixture of 120 mass parts of the reaction by stirring and heated to 90 ℃, completely dissolving the mixture Respectively. Next, the resulting solution was cooled to 60 占 폚, 2 parts by mass of triphenylphosphine was added, and the mixture was heated to 100 占 폚 and reacted until the acid value of the solution became 1 mgKOH / g. To the solution after the reaction, 98 parts by weight of tetrahydrophthalic anhydride (THPAC) and 85 parts by weight of carbitol acetate were added, and the mixture was heated to 80 DEG C and reacted for 6 hours. Thereafter, the solution was cooled to room temperature to obtain a solution containing an acid-modified vinyl group-containing epoxy resin (IV) -c having a solid content of 73 mass%.
(합성예 6; 산변성 비닐기 함유 에폭시 수지(II)-b의 합성)(Synthesis Example 6: Synthesis of acid-modified vinyl group-containing epoxy resin (II) -b)
온도계, 적하 로트, 냉각관, 및 교반기를 구비한 플라스크에, 비스페놀 F형 에폭시 수지(미쓰비시가가쿠(주)제, 상품명:4004, 에폭시 당량: 526g/eq, 일반식(II)에 있어서, Y2=수소 원자, R12=수소 원자) 1,052질량부, 아크릴산(b) 144질량부, 메틸하이드로퀴논 1질량부, 카비톨아세테이트 850질량부 및 솔벤트나프타 100질량부를 혼합하여, 70℃에서 가열 교반하여, 혼합물을 용해하였다. 다음으로, 용액을 50℃까지 냉각하여, 트리페닐포스핀 2질량부, 솔벤트나프타 75질량부를 혼합하고, 100℃로 가열하여, 고형분 산가가 1mgKOH/g 이하가 될 때까지 반응시켰다. 다음으로, 얻어진 용액을 50℃까지 냉각하여, 테트라히드로 무수프탈산(THPAC) 745질량부, 카비톨아세테이트 75질량부 및 솔벤트나프타 75질량부를 혼합하고, 80℃로 가열하여, 6시간 반응시켰다. 그 후, 실온까지 냉각하여, 고형분 산가 80mgKOH/g, 고형분이 62질량%인 산변성 비닐기 함유 에폭시 수지(II)-b를 포함하는 용액을 얻었다.(Manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, trade name: 4004, epoxy equivalent: 526 g / eq, and Y in the general formula (II)) was added to a flask equipped with a stirrer, a thermometer, a dropping funnel, 2 = a hydrogen atom, R 12 = a hydrogen atom), 1052 parts by mass of acrylic acid (b) by mixing 144 parts by mass of methyl hydroquinone, 1 part by mass, carbitol acetate 850 parts by mass and solvent naphtha 100 parts by weight, the mixture was heated and stirred at 70 ℃ To dissolve the mixture. Next, the solution was cooled to 50 占 폚, 2 parts by mass of triphenylphosphine and 75 parts by mass of solvent naphtha were mixed and heated to 100 占 폚 until the solid acid value became 1 mgKOH / g or less. Next, the obtained solution was cooled to 50 캜, and 745 parts by mass of tetrahydrophthalic anhydride (THPAC), 75 parts by mass of carbitol acetate and 75 parts by mass of solvent naphtha were mixed and heated to 80 캜 for reaction for 6 hours. Thereafter, the solution was cooled to room temperature to obtain a solution containing an acid-modified vinyl group-containing epoxy resin (II) -b having a solid content of 80 mgKOH / g and a solid content of 62 mass%.
실시예 1~32, 및 비교예 1~32Examples 1 to 32 and Comparative Examples 1 to 32
표 1~6에 나타내는 배합 조성에 따라서 조성물을 배합하여, 3개의 롤 밀에 의해 혼련하여 감광성 수지 조성물을 조제했다. 고형분 농도가 70질량%가 되도록 카비톨아세테이트를 첨가하여, 감광성 수지 조성물을 얻었다. 얻어진 감광성 수지 조성물을 사용하여, 상기의 평가방법에 근거해 평가하였다. 평가 결과를 표 1~6에 나타낸다. 또한, 표 중의 각 성분의 배합량의 단위는, 질량부이며, 표 중 (A)성분의 배합량은 각 합성예에서 얻어진 에폭시 수지를 포함하는 용액으로서의 배합량을 의미한다.The composition was compounded according to the composition shown in Tables 1 to 6 and kneaded by three roll mills to prepare a photosensitive resin composition. Carbitol acetate was added so that the solid concentration became 70% by mass to obtain a photosensitive resin composition. The obtained photosensitive resin composition was evaluated based on the evaluation method described above. The evaluation results are shown in Tables 1 to 6. The unit of the blending amount of each component in the table is parts by mass, and the blending amount of the component (A) in the table means the blending amount as the solution containing the epoxy resin obtained in each of the synthesis examples.
실시예 33, 34, 및 비교예 33, 34Examples 33 and 34 and Comparative Examples 33 and 34
표 6에 나타내는 배합 조성에 따라서, 실시예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 조제했다. 얻어진 각 감광성 수지 조성물을 메틸에틸케톤으로 희석하여, PET 필름 상에 도포한 후, 90℃에서 10분 건조하여, 두께 25㎛의 감광성 수지 조성물로 이루어지는 감광층을 형성하였다. 나아가 그 위에 폴리에틸렌 필름(보호층)을 맞붙여 감광성 엘리먼트를 제작하였다.A photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 1, according to the formulation composition shown in Table 6. Each of the obtained photosensitive resin compositions was diluted with methyl ethyl ketone, applied onto a PET film, and then dried at 90 캜 for 10 minutes to form a photosensitive layer composed of a photosensitive resin composition having a thickness of 25 탆. Further, a polyethylene film (protective layer) was laminated thereon to prepare a photosensitive element.
상기에서 얻어진 감광성 엘리먼트로부터 보호층을 벗겨, 베타의 동박 기판에, 그 감광성 엘리먼트를 열(熱) 라미네이트 하였다. 이어서, 도 2에 나타나는, 구멍 지름의 크기가 100㎛이면서 구멍간의 간격 피치가 100㎛인 패턴, 또는 구멍 지름의 크기가 80㎛이면서 구멍간의 간격 피치가 80㎛인 패턴을 가지는 네가티브마스크를 도막에 밀착시켜, 자외선 노광 장치((주)하이테크제, 상품명:HTE-5102S)를 사용하여 표 6에 나타나는 소정의 노광량으로 노광하였다. 그 후, 1질량%의 탄산나트륨 수용액으로 60초간, 0.18MPa(1.8kgf/cm2)의 압력으로 스프레이 현상하여, 미노광부를 용해 현상하였다. 다음으로, 자외선 노광 장치((주)지에스유아사라이팅제, 상품명: 컨베이어형 UV조사 장치)를 사용하여 1000mJ/cm2의 노광량으로 노광한 후, 150℃에서 1시간 가열하여, 시험편을 제작했다. 얻어진 시험편을 사용하여, 실시예 31과 동일한 평가를 실시하였다. 평가 결과를 표 6에 나타낸다.The protective layer was peeled off from the photosensitive element obtained above, and the photosensitive element was laminated on the copper foil substrate of the beta. Then, a negative mask shown in Fig. 2 having a hole diameter of 100 mu m and a spacing pitch of 100 mu m, or a pattern having a hole diameter of 80 mu m and a spacing pitch of 80 mu m, And exposed in a predetermined exposure amount shown in Table 6 using an ultraviolet exposure apparatus (trade name: HTE-5102S, manufactured by Hi-tech Co., Ltd.). Thereafter, the resultant was spray-developed with a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution at a pressure of 0.18 MPa (1.8 kgf / cm 2 ) for 60 seconds to dissolve and develop the unexposed portion. Next, exposure was performed at an exposure dose of 1000 mJ / cm 2 using an ultraviolet exposure apparatus (trade name: Conveyor type UV irradiation apparatus, manufactured by GS Yuasa Lighting Co., Ltd.) and then heated at 150 캜 for 1 hour to prepare test pieces. Using the obtained test piece, the same evaluation as in Example 31 was carried out. The evaluation results are shown in Table 6.
주)표 1 중의 각 재료의 상세는 이하와 같다.Note: Details of each material in Table 1 are as follows.
·이르가큐어819: 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드(BASF재팬(주)제, 상품명)Irgacure 819: bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylphosphine oxide (trade name, manufactured by BASF Japan Ltd.)
·다로큐어TPO: 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드(BASF재팬(주)제, 상품명)· DARACURE TPO: 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide (trade name, manufactured by BASF Japan Ltd.)
·이르가큐어907: 2-메틸-[4-(메틸티오)페닐]몰포리노-1-프로파논(BASF재팬(주)제, 상품명)Irgacure 907: 2-methyl- [4- (methylthio) phenyl] morpholino-1-propanone (trade name,
·이르가큐어OXE01: (1,2-옥탄디온, 1-[4-(페닐티오)-, 2-(o-벤조일옥심)](BASF재팬(주), 상품명)(Irgacure OXE01: (1,2-octanedione, 1- [4- (phenylthio) -, 2- (o-benzoyloxime)] (BASF Japan Co.,
·카야래드DPHA: 디펜타에리스리톨펜타아크릴레이트(닛뽄카야쿠(주)제, 상품명)Kayaya Rad DPHA: dipentaerythritol pentaacrylate (trade name, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)
·BaSO4: 사카이가가쿠고교(주)제BaSO 4 : manufactured by Sakai Kagaku Kogyo Co., Ltd.
·SiO2: (주)타츠모리제SiO 2 : Tatsumori Co., Ltd.
·에피코트828: 비스페놀 A형 에폭시 수지(미쓰비시가가쿠(주)제, 상품명)Epicoat 828: bisphenol A type epoxy resin (trade name, manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., Ltd.)
표 1에 나타나는 결과로부터, 실시예 1~6의 본 발명의 감광성 수지 조성물은, 영구 마스크 레지스터(땜납 레지스트)의 패턴이, 구멍 지름의 크기가 100㎛이면서 구멍 간의 간격 피치가 100㎛인 패턴, 또는 구멍 지름의 크기가 80㎛이면서 구멍간의 간격 피치가 80㎛라고 하는 고정밀 패턴이어도, 우수한 표면 경화성과 저부 경화성을 유지하며, 레지스트 형상이 우수한 바이어 형상을 얻을 수 있으며, 패턴 주위의 두꺼워짐도 저감할 수 있어, 바이어 지름 정도가 우수함이 확인되었다. 또한, 우수한 레지스트 형상뿐만 아니라, 땜납 내열성 등의 다른 성상(性狀)에도 우수함이 확인되었다. 이것은, 본 발명의 감광성 수지 조성물, 특히, (B)아실포스핀옥사이드계 광중합 개시제와, 수소 공여체로서 (C1)알킬아미노벤젠 유도체와의 조합에 의해 얻을 수 있는 효과라고 생각된다.It can be seen from the results shown in Table 1 that the pattern of the permanent mask resist (solder resist) of the present invention of Examples 1 to 6 is a pattern in which the hole diameter is 100 mu m and the interval pitch between the holes is 100 mu m, Or even a high-precision pattern in which the hole diameter is 80 占 퐉 and the interval pitch between the holes is 80 占 퐉, a via shape excellent in resist shape can be obtained while maintaining excellent surface curability and bottom curability, And it was confirmed that the Bayer diameter was excellent. Further, it was confirmed that not only excellent resist shapes but also other properties such as solder heat resistance were confirmed. This is considered to be an effect that can be obtained by the combination of the photosensitive resin composition of the present invention, particularly (B) the acylphosphine oxide-based photopolymerization initiator and the (C1) alkylaminobenzene derivative as the hydrogen donor.
이에 대해 비교예 1~4에서는, 저부 경화성과 레지스트 형상의 문제가 해소되지 않고, 또한, 영구 마스크 레지스터(땜납 레지스트)의 패턴 주위의 두꺼워짐도 발생하고 있어 불충분한 결과였다.On the contrary, in Comparative Examples 1 to 4, the problems of the bottom curing property and the resist shape were not solved, and thickening around the pattern of the permanent mask resist (solder resist) also occurred, which was insufficient.
주)표 2 중의 각 재료의 상세는 이하와 같다.Note: Details of each material in Table 2 are as follows.
·이르가큐어819: 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드(BASF재팬(주)제, 상품명)Irgacure 819: bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylphosphine oxide (trade name, manufactured by BASF Japan Ltd.)
·다로큐어TPO: 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드(BASF재팬(주)제, 상품명)· DARACURE TPO: 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide (trade name, manufactured by BASF Japan Ltd.)
·이르가큐어907: 2-메틸-[4-(메틸티오)페닐]몰포리노-1-프로파논(BASF재팬(주)제, 상품명)Irgacure 907: 2-methyl- [4- (methylthio) phenyl] morpholino-1-propanone (trade name,
·이르가큐어369: 2-벤조일-2-디메틸아미노-1-(4-몰포리노-페닐)부타논-1(BASF재팬(주), 상품명)Irgacure 369: 2-Benzoyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholino-phenyl) butanone- 1 (trade name, BASF Japan)
·피라졸린계 증감제: 1-페닐-3-(4-tert-부틸-스티릴)-5-(4-tert-부틸-페닐)-피라졸린Pyrazoline sensitizer: 1-phenyl-3- (4-tert-butyl-styryl) -5- (4- tert- butylphenyl)
·EAB: 4,4'-디에틸아미노벤조페논(호도가야가가쿠(주)제)EAB: 4,4'-diethylaminobenzophenone (manufactured by Hodogaya Chemical Co., Ltd.)
·DETX-S: 2,4'-디에틸티옥산톤(닛뽄가야쿠(주)제)DETX-S: 2,4'-diethylthioxanthone (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)
·카야래드DPHA: 디펜타에리스리톨펜타아크릴레이트(닛뽄카야쿠(주)제, 상품명)Kayaya Rad DPHA: dipentaerythritol pentaacrylate (trade name, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)
·BaSO4: 사카이가가쿠고교(주)제BaSO 4 : manufactured by Sakai Kagaku Kogyo Co., Ltd.
·SiO2: (주)타츠모리제SiO 2 : Tatsumori Co., Ltd.
·에피코트828: 비스페놀 A형 에폭시 수지(미쓰비시가가쿠(주)제, 상품명)Epicoat 828: bisphenol A type epoxy resin (trade name, manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., Ltd.)
표 2에 나타나는 결과로부터, 실시예 7~12의 본 발명의 감광성 수지 조성물은, 디지털 노광이어도, 광감도가 우수하고, 저부 경화성을 유지하여, 레지스트 형상이 우수한 바이어 형상을 얻을 수 있었다. 또한, 영구 마스크 레지스터(땜납 레지스트막)의 패턴이, 구멍 지름의 크기가 100㎛이면서 구멍 간의 간격 피치가 100㎛인 패턴, 또는 구멍 지름의 크기가 80㎛이면서 구멍 간의 간격 피치가 80㎛라고 하는 고정밀 패턴이어도, 주위의 두꺼워짐도 저감할 수 있고 바이어 지름 정도가 우수함이 확인되었다. 또한, 우수한 레지스트 형상뿐만 아니라, 땜납 내열성 등의 다른 성상에도 우수함이 확인되었다. 이것은, 본 발명의 감광성 수지 조성물, 특히, (B)아실포스핀옥사이드계 광중합 개시제와 (C2)피라졸린계 증감제와의 조합에 의해 얻을 수 있는 효과라고 생각된다.From the results shown in Table 2, the photosensitive resin composition of the present invention of Examples 7 to 12 was able to obtain a via shape having excellent photosensitivity, low curability, and excellent resist shape even with digital exposure. The pattern of the permanent mask resist (solder resist film) is a pattern in which the size of the hole diameter is 100 mu m and the pitch of the interval between the holes is 100 mu m or the pattern in which the size of the hole diameter is 80 mu m and the pitch pitch of the holes is 80 mu m It was confirmed that even though a high-precision pattern was formed, the thickening around the periphery could be reduced and the bore diameter was excellent. Further, it was confirmed that not only excellent resist shapes but also other properties such as solder heat resistance and the like were confirmed. This is considered to be an effect that can be obtained by the combination of the photosensitive resin composition of the present invention, particularly (B) an acylphosphine oxide-based photopolymerization initiator and (C2) a pyrazoline-based sensitizer.
이에 대해 비교예 5~12에서는, 저부 경화성과 레지스트 형상의 문제가 해소되지 않고, 또한, 영구 마스크 레지스터(땜납 레지스트)의 패턴(구멍 지름의 크기가 100㎛이면서 구멍 간의 간격 피치 100㎛인 패턴, 또는 구멍 지름의 크기가 80㎛이면서 구멍 간의 간격이 80㎛인 패턴) 주위의 두꺼워짐도 발생하고 있어 불충분한 결과였다.On the other hand, in Comparative Examples 5 to 12, the problems of the bottom curing property and the resist shape were not solved, and the pattern of the permanent mask resist (solder resist) (the pattern having the hole diameter size of 100 mu m, Or a pattern in which the size of the hole diameter is 80 mu m and the distance between the holes is 80 mu m), which is insufficient.
주)표 3 중의 각 재료의 상세는 이하와 같다.Note) Details of each material in Table 3 are as follows.
·이르가큐어819: 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드(BASF재팬(주)제, 상품명)Irgacure 819: bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylphosphine oxide (trade name, manufactured by BASF Japan Ltd.)
·다로큐어TPO: 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드(BASF재팬(주)제, 상품명)· DARACURE TPO: 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide (trade name, manufactured by BASF Japan Ltd.)
·이르가큐어907: 2-메틸-[4-(메틸티오)페닐]몰포리노-1-프로파논(BASF재팬(주)제, 상품명)Irgacure 907: 2-methyl- [4- (methylthio) phenyl] morpholino-1-propanone (trade name,
·안트라센계 증감제1: 9,10-디부톡시안트라센Anthracene-based sensitizers 1: 9,10-dibutoxyanthracene
·안트라센계 증감제2: 9,10-디에톡시안트라센Anthracene-based sensitization Second: 9,10-diethoxyanthracene
·안트라센계 증감제3: 9,10-디프로폭시안트라센Anthracene-based sensitizers (3): 9,10-dipropoxyanthracene
·EAB: 4,4'-디에틸아미노벤조페논(호도가야가가쿠(주)제)EAB: 4,4'-diethylaminobenzophenone (manufactured by Hodogaya Chemical Co., Ltd.)
·DETX-S: 2,4'-디에틸티옥산톤(닛뽄가야쿠(주)제)DETX-S: 2,4'-diethylthioxanthone (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)
·카야래드DPHA: 디펜타에리스리톨펜타아크릴레이트(닛뽄카야쿠(주)제, 상품명)Kayaya Rad DPHA: dipentaerythritol pentaacrylate (trade name, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)
·BaSO4: 사카이가가쿠고교(주)제BaSO 4 : manufactured by Sakai Kagaku Kogyo Co., Ltd.
·SiO2: (주)타츠모리제SiO 2 : Tatsumori Co., Ltd.
·에피코트828: 비스페놀 A형 에폭시 수지(미쓰비시가가쿠(주)제, 상품명)Epicoat 828: bisphenol A type epoxy resin (trade name, manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., Ltd.)
표 3에 나타나는 결과로부터, 실시예 13~18의 본 발명의 감광성 수지 조성물은, 우수한 광경화성을 가지고 있으며, 영구 마스크 레지스터(땜납 레지스트)의 패턴이, 구멍 지름의 크기가 100㎛이면서 구멍 간의 간격 피치가 100㎛인 패턴, 또는 구멍 지름의 크기가 80㎛이면서 구멍 간의 간격 피치가 80㎛라고 하는 고정밀 패턴이어도, 우수한 저부 경화성을 가지고 있으며, 언더컷, 하단폭 당김, 혹은 두꺼워짐이 확인되거나, 또는 패턴 윤곽의 직선성이 나쁘다거나 하지않고, 우수한 레지스트 형상을 얻을 수 있어, 바이어 지름 정도가 뛰어남이 확인되었다. 또한, 우수한 땜납 내열성과 내플럭스 부식성을 가질 뿐만 아니라, 밀착성, 내용제성, 내약품성(내산성, 내알칼리성) 등의 각종 성능에도 우수함이 확인되었다.From the results shown in Table 3, it can be seen that the photosensitive resin composition of the present invention of Examples 13 to 18 has excellent photo-curability, and the pattern of the permanent mask resist (solder resist) has a hole diameter of 100 mu m, Even if a pattern with a pitch of 100 占 퐉 or a high-precision pattern with a hole diameter of 80 占 퐉 and a spacing pitch of 80 占 퐉 has excellent bottom curability and undercut, bottom width pulling, or thickening is confirmed, or It was confirmed that the linearity of the pattern outline is not deteriorated, an excellent resist shape can be obtained, and the degree of the via diameter is excellent. Further, it was confirmed that not only it has excellent solder heat resistance and flux corrosion resistance but also excellent in various performances such as adhesion, solvent resistance, chemical resistance (acid resistance, alkali resistance) and the like.
이에 대해 비교예 13~20에서는, 광경화성 및 저부 경화성이 낮고, 레지스트 형상은 언더컷을 나타내어, 레지스트 형상이 나빴다.On the contrary, in Comparative Examples 13 to 20, the photo-curability and bottom curability were low, and the resist shape was undercut, and the resist shape was bad.
주)표 4 중의 각 재료의 상세는 이하와 같다.Note: Details of each material in Table 4 are as follows.
·이르가큐어819: 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드(BASF재팬(주)제, 상품명)Irgacure 819: bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylphosphine oxide (trade name, manufactured by BASF Japan Ltd.)
·다로큐어TPO: 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드(BASF재팬(주)제, 상품명)· DARACURE TPO: 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide (trade name, manufactured by BASF Japan Ltd.)
·이르가큐어907: 2-메틸-[4-(메틸티오)페닐]몰포리노-1-프로파논(BASF재팬(주)제, 상품명)Irgacure 907: 2-methyl- [4- (methylthio) phenyl] morpholino-1-propanone (trade name,
·이미다졸: 2-(o-클로로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체Imidazole: 2- (o-chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer
·아크리딘: 1,7-비스(9,9'-아크리디닐)펜탄Acridine: 1,7-bis (9,9'-acridinyl) pentane
·티나노센: 비스(η5-시클로펜타디에닐)-비스(2,6-디플루오로-3-(1H-피롤-1-일)페닐)티타늄Tin nanocene: bis (η 5 -cyclopentadienyl) -bis (2,6-difluoro-3- (1H-pyrrol-1-yl) phenyl) titanium
·이르가큐어OXE01: (1,2-옥탄디온, 1-[4-(페닐티오)-, 2-(o-벤조일옥심)](BASF재팬(주), 상품명)(Irgacure OXE01: (1,2-octanedione, 1- [4- (phenylthio) -, 2- (o-benzoyloxime)] (BASF Japan Co.,
·카야래드DPHA: 디펜타에리스리톨펜타아크릴레이트(닛뽄카야쿠(주)제, 상품명)Kayaya Rad DPHA: dipentaerythritol pentaacrylate (trade name, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)
·BaSO4: 사카이가가쿠고교(주)제BaSO 4 : manufactured by Sakai Kagaku Kogyo Co., Ltd.
·SiO2: (주)타츠모리제SiO 2 : Tatsumori Co., Ltd.
·에피코트828: 비스페놀 A형 에폭시 수지(미쓰비시가가쿠(주)제, 상품명)Epicoat 828: bisphenol A type epoxy resin (trade name, manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., Ltd.)
표 4에 나타나는 결과로부터, 실시예 19~24의 본 발명의 감광성 수지 조성물은, 저부 경화성을 유지하여, 레지스트 형상이 우수한 바이어 형상을 안정적으로 얻을 수 있으며, 영구 마스크 레지스터(땜납 레지스트)의 패턴이, 구멍 지름의 크기가 100㎛이면서 구멍 간의 간격 피치가 100㎛인 패턴, 또는 구멍 지름의 크기가 80㎛이면서 구멍 간의 간격 피치가 80㎛라고 하는 고정밀 패턴이어도, 주위의 두꺼워짐도 저감 할 수 있으며, 바이어 지름 정도가 우수함이 확인되었다. 또한, 우수한 레지스트 형상뿐만 아니라, 땜납 내열성 등의 다른 성상에도 우수함이 확인되었다. 이것은, 본 발명의 감광성 수지 조성물, 특히, (B)아실포스핀옥사이드계 광중합 개시제와 (C3)광중합 개시제와의 조합에 의해 얻을 수 있는 효과라고 생각된다.From the results shown in Table 4, it is understood that the photosensitive resin composition of the present invention of Examples 19 to 24 can stably obtain a vier shape excellent in resist shape while maintaining the bottom curability, and the pattern of the permanent mask resist (solder resist) , A pattern having a hole diameter of 100 mu m and a hole pitch of 100 mu m, or a high-precision pattern having a hole diameter of 80 mu m and an interval pitch of 80 mu m can also reduce surrounding thickening , And the diameter of the via was excellent. Further, it was confirmed that not only excellent resist shapes but also other properties such as solder heat resistance and the like were confirmed. This is considered to be an effect obtainable by the combination of the photosensitive resin composition of the present invention, particularly (B) the acylphosphine oxide-based photopolymerization initiator and (C3) the photopolymerization initiator.
이에 대해 비교예 21~24에서는, 저부 경화성과 레지스트 형상의 문제가 해소되지 않고, 또한, 영구 마스크 레지스터의 패턴 주위의 두꺼워짐도 발생하고 있어 불충분한 결과였다.On the contrary, in Comparative Examples 21 to 24, problems of the bottom curing property and the resist shape were not solved, and thickening around the pattern of the permanent mask resist also occurred, which was insufficient.
주)표 5 중의 각 재료의 상세는 이하와 같다.Note) Details of each material in Table 5 are as follows.
·이르가큐어819: 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드(BASF재팬(주)제, 상품명)Irgacure 819: bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylphosphine oxide (trade name, manufactured by BASF Japan Ltd.)
·다로큐어TPO: 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드(BASF재팬(주)제, 상품명)· DARACURE TPO: 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide (trade name, manufactured by BASF Japan Ltd.)
·이르가큐어907: 2-메틸-[4-(메틸티오)페닐]몰포리노-1-프로파논(BASF재팬(주)제, 상품명)Irgacure 907: 2-methyl- [4- (methylthio) phenyl] morpholino-1-propanone (trade name,
·이르가녹스1010: 펜타에리스리톨테트라키스[3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트](BASF재팬(주)제, 상품명)(Irgacox 1010: pentaerythritol tetrakis [3- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate] (trade name,
·이르가녹스1035: 티오디에틸렌비스[3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트](BASF재팬(주)제, 상품명)(Manufactured by BASF Japan Co., Ltd., trade name), Irganox 1035: thiodiethylenebis [3- (3,5-di-t- butyl-4-hydroxyphenyl) propionate]
·이르가녹스1076: 옥타데실[3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트](BASF재팬(주)제, 상품명)(Irgacox 1076: octadecyl [3- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate] (trade name,
·카야래드DPHA: 디펜타에리스리톨펜타아크릴레이트(닛뽄카야쿠(주)제, 상품명)Kayaya Rad DPHA: dipentaerythritol pentaacrylate (trade name, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)
·BaSO4: 사카이가가쿠고교(주)제BaSO 4 : manufactured by Sakai Kagaku Kogyo Co., Ltd.
·SiO2: (주)타츠모리제SiO 2 : Tatsumori Co., Ltd.
·에피코트828: 비스페놀 A형 에폭시 수지(미쓰비시가가쿠(주)제, 상품명)Epicoat 828: bisphenol A type epoxy resin (trade name, manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., Ltd.)
표 5에 나타나는 결과로부터, 실시예 25~30의 본 발명의 감광성 수지 조성물은, 영구 마스크 레지스터(땜납 레지스트)의 패턴이, 구멍 지름의 크기가 100㎛이면서 구멍 간의 간격 피치가 100㎛인 패턴, 또는 구멍 지름의 크기가 80㎛이면서 구멍 간의 간격 피치가 80㎛라고 하는 고정밀 패턴이어도, 우수한 표면 경화성과 저부 경화성을 유지하며, 언더컷, 하단폭 당김, 혹은 두꺼워짐이 확인되거나, 또는 패턴 윤곽의 직선성이 나쁘다거나 하지 않고, 우수한 레지스트 형상을 얻을 수 있어, 바이어 지름 정도가 우수함이 확인되었다. 또한, 우수한 땜납 내열성과 내플럭스 부식성을 가질 뿐만 아니라, 밀착성, 내용제성, 내약품성(내산성, 내알칼리성) 등의 각종 성능에도 우수함이 확인되었다.From the results shown in Table 5, it can be seen that the patterns of the permanent mask resist (solder resist) of the present invention of Examples 25 to 30 are patterns in which the hole diameter is 100 mu m and the interval pitch between the holes is 100 mu m, Or a high-precision pattern in which the hole diameter is 80 mu m and the interval pitch between the holes is 80 mu m, the undercut, the bottom width pulling, or the thickening can be confirmed while maintaining excellent surface curability and bottom curability, It is possible to obtain an excellent resist shape without deteriorating the properties, and it has been confirmed that the Bayer diameter is excellent. Further, it was confirmed that not only it has excellent solder heat resistance and flux corrosion resistance but also excellent in various performances such as adhesion, solvent resistance, chemical resistance (acid resistance, alkali resistance) and the like.
이에 대해 비교예 25~30에서는, 표면 경화성 및 저부 경화성이 낮고, 레지스트 형상은 언더컷을 나타내며, 비교예 29 및 30에서는, 현상시의 조사선량을 크게 하여, 표면 경화성 및 저부 경화성은 양호했지만, 헐레이션이 커져, 패턴 단면의 표면부(상부)의 선폭에 대하여 중간부(중심부) 및 최심부(저부)의 선폭이 커져 버려, 레지스트 형상이 악화되었다.On the contrary, in Comparative Examples 25 to 30, the surface curability and the bottom curability were low, and the resist shape was in the undercut. In Comparative Examples 29 and 30, the irradiation dose at the time of development was increased and the surface curability and bottom curability were good. The line width of the intermediate portion (central portion) and the deepest portion (bottom portion) becomes larger with respect to the line width of the surface portion (upper portion) of the cross section of the pattern, and the resist shape is deteriorated.
주)표 6 중의 각 재료의 상세는 이하와 같다.Note: Details of each material in Table 6 are as follows.
·이르가큐어819: 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드(BASF재팬(주)제, 상품명)Irgacure 819: bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylphosphine oxide (trade name, manufactured by BASF Japan Ltd.)
·이르가큐어907: 2-메틸-[4-(메틸티오)페닐]몰포리노-1-프로파논(BASF재팬(주)제, 상품명)Irgacure 907: 2-methyl- [4- (methylthio) phenyl] morpholino-1-propanone (trade name,
·DETX-S: 2,4-디에틸티옥산톤(닛뽄카야쿠(주)제, 상품명)DETX-S: 2,4-diethylthioxanthone (trade name, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)
·MBI: 머캅토벤조이미다졸MBI: mercaptobenzimidazole
·프탈로시아닌계 안료: 산요시키소(주)제Phthalocyanine pigments: manufactured by San Yoshikiso Co., Ltd.
·알로닉스M402: 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트(토아고세(주)제, 상품명)Alonics M402: dipentaerythritol hexaacrylate (trade name, manufactured by Toagosei Co., Ltd.)
·BaSO4: 사카이가가쿠고교(주)제BaSO 4 : manufactured by Sakai Kagaku Kogyo Co., Ltd.
·SiO2: (주)타츠모리제SiO 2 : Tatsumori Co., Ltd.
·YSLV-80XY: 테트라메틸비스페놀 F형 에폭시 수지(신닛테츠가가쿠(주)제, 상품명)YSLV-80XY: Tetramethylbisphenol F type epoxy resin (trade name, manufactured by Shinnitetsu Kagaku Co., Ltd.)
·RE-306: 노볼락형 다관능 에폭시 수지(닛뽄카야쿠(주)제, 상품명)RE-306: novolak type polyfunctional epoxy resin (trade name, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)
·PB-3600: 에폭시화 폴리부타디엔(다이세루가가쿠(주)제, 상품명)PB-3600: Epoxidized polybutadiene (trade name, manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.)
·SP1108: 폴리에스테르 수지(히타치가세이(주)제, 상품명)· SP1108: polyester resin (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.)
·DICY 7: 디시안디아미드· DICY 7: Dicyandiamide
표 6에 나타나는 결과로부터, 실시예 31~34의 본 발명의 감광성 수지 조성물은, 감광성 엘리먼트 및 영구 마스크 레지스터(땜납 레지스트)의 패턴이, 구멍 지름의 크기가 100㎛이면서 구멍 간의 간격 피치가 100㎛인 패턴, 또는 구멍 지름의 크기가 80㎛이면서 구멍 간의 간격 피치가 80㎛라고 하는 고정밀 패턴이어도, 언더컷, 하단폭 당김, 혹은 두꺼워짐이 확인되거나, 또는 패턴 윤곽의 직선성이 나쁘다거나 하지 않고, 우수한 레지스트 형상을 얻을 수 있음이 확인되었다.From the results shown in Table 6, it can be understood that the photosensitive resin composition of the present invention of Examples 31 to 34 is such that the patterns of the photosensitive element and the permanent mask resist (solder resist) have a hole diameter of 100 mu m, Even if the size of the pattern or hole diameter is 80 占 퐉 and the interval pitch between the holes is 80 占 퐉, the undercut, the lower end pulling, or the thickening is confirmed, or the linearity of the outline of the pattern is not bad, It was confirmed that an excellent resist shape can be obtained.
또한, 내무전계 도금성, 땜납 내열성, 내크랙성, 밀착성, 내용제성, 내약품성(내산성, 내알칼리성) 등의 각종 성능에도 우수한 것이 확인되었다.Further, it was confirmed that it was also excellent in various performances such as internal electric field plating ability, solder heat resistance, crack resistance, adhesion, solvent resistance, chemical resistance (acid resistance, alkali resistance).
이에 대해 비교예 31~34의 감광성 수지 조성물은, 레지스트 형상이 악화됨과 동시에, 땜납 내열성, 및 내크랙성에도 뒤떨어지는 것이었다.In contrast, the photosensitive resin compositions of Comparative Examples 31 to 34 were inferior in solder heat resistance and crack resistance as well as deteriorated in resist shape.
산업상의 사용 가능성Industrial availability
본 발명에 의하면, 저부가 도려내지는 언더컷의 발생 및 레지스트 상부의 결락이 발생하는 일 없이, 패턴 윤곽의 직선성이 좋고 레지스트 형상이 우수하며, 해상성이 우수한 패턴을 형성할 수 있는 감광성 수지 조성물, 미세화한 구멍 지름의 크기와 구멍 간의 간격 피치의 형성 안정성이 우수한, 패턴 형성이 가능한 영구 마스크 레지스터를 얻을 수 있다. 영구 마스크 레지스터는, 프린트 배선판에 적합하게 사용된다.According to the present invention, it is possible to provide a photosensitive resin composition capable of forming a pattern having good linearity of pattern contour, excellent resist shape and excellent resolution without causing occurrence of undercuts that are cut off at the bottom portion, It is possible to obtain a permanent mask resistor which can form a pattern with excellent hole-diameter size and hole-pitch pitch stability. The permanent mask resistors are suitably used for printed wiring boards.
Claims (15)
(A)산변성 비닐기 함유 에폭시 수지가, 일반식(I)로 나타나는 구성 단위를 가지는 에폭시 수지, 일반식(II)로 나타나는 구성 단위를 가지는 에폭시 수지, 일반식(III)으로 나타나는 구성 단위를 가지는 에폭시 수지, 일반식(IV)로 나타나는 구성 단위를 가지는 비스페놀노볼락형 에폭시 수지, 및 일반식(V)로 나타나는 구성 단위를 가지는 비스페놀노볼락형 에폭시 수지로부터 선택되는 적어도 1종의 에폭시 수지(a)와 비닐기 함유 모노카복실산(b)을 반응시켜 얻어지는 수지(a')와, 포화기 또는 불포화기 함유 다염기산 무수물(c)을 반응시켜 얻어지는 수지인, 감광성 수지 조성물.
[식(I) 중, R11은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, Y1은 글리시딜기를 나타낸다.]
[식(II) 중, R12는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, Y2는 글리시딜기를 나타낸다. 복수의 R12는 동일해도 상이해도 된다.]
[식(III) 중, Y3은 수소 원자 또는 글리시딜기를 나타내고, 적어도 하나의 Y3은 글리시딜기를 나타내고, 복수의 Y3은 동일해도 상이해도 된다.]
[식(IV) 중, R13은 수소 원자, 알킬기, 아릴기, 아랄킬기, 술폰기, 또는 트리할로메틸기를 나타내고, Y4는 수소 원자 또는 글리시딜기를 나타내고, 적어도 하나의 Y4는 글리시딜기를 나타내고, 복수의 R13은 동일해도 상이해도 된다.]
[식(V) 중, R14는 수소 원자, 알킬기, 아릴기, 아랄킬기, 술폰기, 또는 트리할로메틸기를 나타내고, Y5는 수소 원자 또는 글리시딜기를 나타내고, 적어도 하나의 Y5는 글리시딜기를 나타내고, 복수의 R14는 동일해도 상이해도 된다.]The method according to claim 1,
(A) an epoxy resin having an acid-modified vinyl group, an epoxy resin having a structural unit represented by the general formula (I), an epoxy resin having a structural unit represented by the general formula (II), and a structural unit represented by the general formula At least one epoxy resin selected from epoxy resins, bisphenol novolak type epoxy resins having constituent units represented by formula (IV) and bisphenol novolak type epoxy resins having constituent units represented by formula (V) is a resin obtained by reacting a resin (a ') obtained by reacting a polyisocyanate (a) and a vinyl group-containing monocarboxylic acid (b) with a saturated group or an unsaturated group-containing polybasic acid anhydride (c).
[In the formula (I), R 11 represents a hydrogen atom or a methyl group, and Y 1 represents a glycidyl group.]
[In the formula (II), R 12 represents a hydrogen atom or a methyl group, and Y 2 represents a glycidyl group. The plurality of R < 12 > may be the same or different.]
[Wherein Y 3 represents a hydrogen atom or a glycidyl group, at least one Y 3 represents a glycidyl group, and a plurality of Y 3 s may be the same or different]
[Formula (IV) of, R 13 is methyl to be a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, an aralkyl group, a sulfone group, or a tree, Y 4 represents a hydrogen atom or glycidyl, at least one of Y 4 is Glycidyl group, and plural R < 13 > s may be the same or different.]
[Formula (V) of, R 14 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, an aralkyl group, a sulfone group, or a trihalomethyl, Y 5 represents a hydrogen atom or glycidyl, at least one of Y 5 is A plurality of R < 14 > may be the same or different.]
(B)아실포스핀옥사이드계 광중합 개시제가, (2,6-디메톡시벤조일)-2,4,6-트리메틸벤조일-펜틸포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드, 에틸-2,4,6-트리메틸벤조일페닐포스피네이트, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드, (2,5-디히드록시페닐)디페닐포스핀옥사이드, (p-히드록시페닐)디페닐포스핀옥사이드, 비스(p-히드록시페닐)페닐포스핀옥사이드, 및 트리스(p-히드록시페닐)포스핀옥사이드로부터 선택된 적어도 1종인, 감광성 수지 조성물. 3. The method according to claim 1 or 2,
(B) the acylphosphine oxide-based photopolymerization initiator is at least one compound selected from the group consisting of (2,6-dimethoxybenzoyl) -2,4,6-trimethylbenzoyl-pentylphosphine oxide, bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) Trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, ethyl-2,4,6-trimethylbenzoylphenylphosphinate, bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) -phenylphosphine oxide, ( (P-hydroxyphenyl) diphenylphosphine oxide, bis (p-hydroxyphenyl) phenylphosphine oxide, and tris (p-hydroxyphenyl) Phosphine oxide, and a phosphine oxide.
(C)첨가제가, 페닐글리신 유도체, 아미노벤조산 유도체, 및 아미노벤조산에스테르 유도체로부터 선택되는 적어도 1종의 (C1)알킬아미노벤젠 유도체인, 감광성 수지 조성물. 4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the (C) additive is at least one (C1) alkylaminobenzene derivative selected from phenylglycine derivatives, aminobenzoic acid derivatives, and aminobenzoic acid ester derivatives.
(C)첨가제가, 하기 일반식(VI)로 나타나는 (C2)피라졸린계 증감제인, 감광성 수지 조성물.
[식(VI) 중, R은 탄소수 4~12의 알킬기를 나타내고, a, b 및 c는 각각 0~2의 정수를 나타내고, a, b 및 c의 총합은 1~6이다. a, b 및 c의 총합이 2~6일 때, 동일 분자 중의 복수의 R은 각각 동일해도 상이해도 된다.]4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the (C) additive is a (C2) pyrazoline type sensitizer represented by the following general formula (VI).
A, b, and c each represent an integer of 0 to 2; and the sum of a, b, and c is 1 to 6, and R is an alkyl group having 4 to 12 carbon atoms. When the sum of a, b and c is 2 to 6, plural R in the same molecule may be the same or different.]
(C)첨가제가, 디알킬안트라센, 디페닐안트라센, 및 디알콕시안트라센으로부터 선택되는 적어도 1종의 (C2)안트라센계 증감제인, 감광성 수지 조성물. 4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the (C) additive is at least one (C2) anthracene type sensitizer selected from dialkyl anthracene, diphenylanthracene, and dialkoxyanthracene.
(C)첨가제가, 2,4,5-트리아릴이미다졸 이량체, 1,7-비스(9,9'-아크리디닐)헵탄, 비스(η5-시클로펜타디에닐)-비스(2,6-디플루오로-3-(1H-피롤-1-일)페닐)티타늄, 및 비스(2,4-시클로펜타디에닐)-비스(2,6-디플루오로-3-(1-피릴)페닐)티타늄으로부터 선택되는 적어도 1종의 (C3)광중합 개시제인, 감광성 수지 조성물. 4. The method according to any one of claims 1 to 3,
(C) the additive is selected from the group consisting of 2,4,5-triarylimidazole dimer, 1,7-bis (9,9'-acridinyl) heptane, bis (η 5 -cyclopentadienyl) (2,4-cyclopentadienyl) -bis (2,6-difluoro-3- (1, 2-difluoro- - (pyrryl) phenyl) titanium. The photosensitive resin composition according to claim 1, wherein the photopolymerization initiator is (C3) a photopolymerization initiator.
(C)첨가제가, 힌더드페놀계 산화방지제, 황계 산화방지제, 및 인계 산화방지제로부터 선택되는 적어도 1종의 (C4)산화방지제인, 감광성 수지 조성물. 4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the (C) additive is at least one (C4) antioxidant selected from hindered phenol-based antioxidants, sulfur-based antioxidants and phosphorus-based antioxidants.
(C)첨가제가, 머캅토벤조옥사졸, 머캅토벤조티아졸, 및 머캅토벤조이미다졸로부터 선택되는 적어도 1종의 (C5)티올기 함유 화합물인, 감광성 수지 조성물. 4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the (C) additive is at least one (C5) thiol group-containing compound selected from mercaptobenzoxazole, mercaptobenzothiazole, and mercaptobenzimidazole.
상기 (D)광중합성 화합물이, (메타)아크릴로일기를 함유하는 화합물인, 감광성 수지 조성물. 10. The method according to any one of claims 1 to 9,
Wherein the photopolymerizable compound (D) is a compound containing a (meth) acryloyl group.
(E)무기 필러를 더 함유하는 감광성 수지 조성물. 11. The method according to any one of claims 1 to 10,
(E) an inorganic filler.
영구 마스크 레지스터의 형성에 사용되는 감광성 수지 조성물. 12. The method according to any one of claims 1 to 11,
A photosensitive resin composition used for forming a permanent mask resistor.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020217011421A KR102570738B1 (en) | 2013-08-02 | 2014-08-01 | Photosensitive-resin composition |
Applications Claiming Priority (11)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2013-161885 | 2013-08-02 | ||
JP2013161885 | 2013-08-02 | ||
JPJP-P-2013-161888 | 2013-08-02 | ||
JPJP-P-2013-161886 | 2013-08-02 | ||
JP2013161886 | 2013-08-02 | ||
JP2013161888 | 2013-08-02 | ||
JPJP-P-2013-161893 | 2013-08-02 | ||
JPJP-P-2013-161890 | 2013-08-02 | ||
JP2013161893 | 2013-08-02 | ||
JP2013161890 | 2013-08-02 | ||
PCT/JP2014/070400 WO2015016362A1 (en) | 2013-08-02 | 2014-08-01 | Photosensitive-resin composition |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020217011421A Division KR102570738B1 (en) | 2013-08-02 | 2014-08-01 | Photosensitive-resin composition |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20160039579A true KR20160039579A (en) | 2016-04-11 |
Family
ID=52431885
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020237027572A KR20230124105A (en) | 2013-08-02 | 2014-08-01 | Photosensitive-resin composition |
KR1020157037171A KR20160039579A (en) | 2013-08-02 | 2014-08-01 | Photosensitive-resin composition |
KR1020217011421A KR102570738B1 (en) | 2013-08-02 | 2014-08-01 | Photosensitive-resin composition |
KR1020217039725A KR20210150619A (en) | 2013-08-02 | 2014-08-01 | Photosensitive-resin composition |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020237027572A KR20230124105A (en) | 2013-08-02 | 2014-08-01 | Photosensitive-resin composition |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020217011421A KR102570738B1 (en) | 2013-08-02 | 2014-08-01 | Photosensitive-resin composition |
KR1020217039725A KR20210150619A (en) | 2013-08-02 | 2014-08-01 | Photosensitive-resin composition |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6455433B2 (en) |
KR (4) | KR20230124105A (en) |
CN (1) | CN105431778A (en) |
TW (2) | TWI683186B (en) |
WO (1) | WO2015016362A1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190131045A (en) * | 2017-03-31 | 2019-11-25 | 교리쯔 가가꾸 산교 가부시키가이샤 | Modified resin and curable resin composition containing the same |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6710059B2 (en) * | 2015-02-26 | 2020-06-17 | マクセルホールディングス株式会社 | Alignment mask, manufacturing method thereof, and solder bump forming method |
JP7018168B2 (en) | 2015-12-22 | 2022-02-10 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | A photosensitive resin composition, a dry film using the photosensitive resin composition, a printed wiring board, and a method for manufacturing the printed wiring board. |
US20190031790A1 (en) * | 2016-01-12 | 2019-01-31 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Photosensitive resin composition, dry film using same, printed wiring board, and method for manufacturing printed wiring board |
CN105428245B (en) | 2016-01-26 | 2019-03-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | Dot structure and preparation method thereof, array substrate and display device |
WO2018179259A1 (en) * | 2017-03-30 | 2018-10-04 | 日立化成株式会社 | Photosensitive resin composition, dry film using same, printed wiring board, and printed wiring board manufacturing method |
US11022880B2 (en) * | 2017-10-25 | 2021-06-01 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemically amplified positive-type photosensitive resin composition, photosensitive dry film, method of manufacturing photosensitive dry film, method of manufacturing patterned resist film, method of manufacturing substrate with template, method of manufacturing plated article, and mercapto compound |
CN111406233B (en) * | 2017-12-06 | 2023-12-26 | 日本化药株式会社 | Photosensitive resin composition, dry film resist and cured product thereof |
WO2019173967A1 (en) * | 2018-03-13 | 2019-09-19 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Photosensitizer, photosensitive resin composition, photosensitive element, and method of producing wiring board |
WO2019173966A1 (en) * | 2018-03-13 | 2019-09-19 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Photosensitizer, photosensitive resin composition, photosensitive element, and method of producing wiring board |
WO2019187591A1 (en) * | 2018-03-27 | 2019-10-03 | 東京応化工業株式会社 | Method for manufacturing plated molded article |
WO2020026937A1 (en) * | 2018-08-01 | 2020-02-06 | 東レ株式会社 | Resin composition, resin sheet, cured film, method for producing cured film, semiconductor device, and display device |
CN108957954A (en) * | 2018-08-03 | 2018-12-07 | 广东泰亚达光电有限公司 | A kind of new pattern laser directly retouches imaging dry film and preparation method thereof |
JP7216506B2 (en) * | 2018-09-11 | 2023-02-01 | 太陽インキ製造株式会社 | Photosensitive resin composition for plating resist, method for producing dry film and printed wiring board |
JP7270204B2 (en) * | 2018-11-09 | 2023-05-10 | 互応化学工業株式会社 | Film manufacturing method and printed wiring board |
EP3702387B1 (en) * | 2019-02-28 | 2023-05-10 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Photosensitive resin composition, and method for etching glass substrate |
JP6986534B2 (en) * | 2019-09-11 | 2021-12-22 | 株式会社タムラ製作所 | A printed wiring board having a photosensitive resin composition, a dry film having a photosensitive resin composition, and a photocured product of the photosensitive resin composition. |
CN113929624A (en) * | 2020-07-13 | 2022-01-14 | 常州强力电子新材料股份有限公司 | Pyrazoline compound, photosensitive resin composition and patterning method |
CN114437406B (en) * | 2020-11-06 | 2024-06-04 | 中国石油化工股份有限公司 | Compound antioxidant and butadiene rubber composition and application thereof |
KR20220134470A (en) | 2021-03-26 | 2022-10-05 | 다이요 잉키 세이조 가부시키가이샤 | Photosensitive resin composition, cured product, printed wiring board and method for manufactureing printed wiring board |
WO2023073799A1 (en) * | 2021-10-26 | 2023-05-04 | 株式会社レゾナック | Photosensitive resin composition, photosensitive element, and laminate production method |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3247091B2 (en) | 1997-11-28 | 2002-01-15 | 日立化成工業株式会社 | Photocurable resin composition and photosensitive element using the same |
JP4240885B2 (en) | 2001-12-28 | 2009-03-18 | 日立化成工業株式会社 | Method for forming protective film of flexible wiring board |
JP4651524B2 (en) * | 2005-07-22 | 2011-03-16 | 富士フイルム株式会社 | Pattern forming material, pattern forming apparatus and pattern forming method |
JP2007078890A (en) * | 2005-09-12 | 2007-03-29 | Fujifilm Corp | Photosensitive composition, pattern forming material, photosensitive laminate, pattern forming apparatus and pattern forming method |
JP4761909B2 (en) * | 2005-10-05 | 2011-08-31 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | Photosensitive resin composition and laminate |
JP4708238B2 (en) * | 2006-03-24 | 2011-06-22 | 富士フイルム株式会社 | Photosensitive film, permanent pattern forming method, and printed circuit board |
CN101410757A (en) * | 2006-03-29 | 2009-04-15 | 太阳油墨制造株式会社 | Photocurable/thermosetting resin composition, cured product thereof and printed wiring board obtained by using same |
WO2008140017A1 (en) * | 2007-05-11 | 2008-11-20 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Photosensitive resin composition, photosensitive element, method of forming resist pattern, and process for producing printed wiring board |
CN102138104B (en) * | 2008-09-04 | 2013-01-23 | 日立化成工业株式会社 | Photosensitive resin composition for protective film of printed wiring board for semiconductor package |
JP2010235739A (en) | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | Photosensitive black composition |
JP5325805B2 (en) * | 2010-01-29 | 2013-10-23 | 株式会社タムラ製作所 | Photosensitive resin composition and printed wiring board using cured film thereof |
KR101151244B1 (en) | 2010-06-07 | 2012-06-14 | 고려대학교 산학협력단 | Apparatus and method for monitoring of airgap eccentricity of induction motors, and a medum having computer readable program for executing the method |
TW201224653A (en) * | 2010-09-01 | 2012-06-16 | Sumitomo Chemical Co | Photosensitive resin composition |
-
2014
- 2014-08-01 CN CN201480042096.6A patent/CN105431778A/en active Pending
- 2014-08-01 KR KR1020237027572A patent/KR20230124105A/en not_active Application Discontinuation
- 2014-08-01 KR KR1020157037171A patent/KR20160039579A/en not_active IP Right Cessation
- 2014-08-01 KR KR1020217011421A patent/KR102570738B1/en active IP Right Grant
- 2014-08-01 JP JP2015529634A patent/JP6455433B2/en active Active
- 2014-08-01 KR KR1020217039725A patent/KR20210150619A/en not_active Application Discontinuation
- 2014-08-01 WO PCT/JP2014/070400 patent/WO2015016362A1/en active Application Filing
- 2014-08-04 TW TW103126613A patent/TWI683186B/en active
- 2014-08-04 TW TW108117792A patent/TWI691792B/en active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190131045A (en) * | 2017-03-31 | 2019-11-25 | 교리쯔 가가꾸 산교 가부시키가이샤 | Modified resin and curable resin composition containing the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105431778A (en) | 2016-03-23 |
TW201937290A (en) | 2019-09-16 |
WO2015016362A1 (en) | 2015-02-05 |
JPWO2015016362A1 (en) | 2017-03-02 |
KR20210150619A (en) | 2021-12-10 |
JP6455433B2 (en) | 2019-01-23 |
KR102570738B1 (en) | 2023-08-25 |
TWI691792B (en) | 2020-04-21 |
TWI683186B (en) | 2020-01-21 |
KR20210046830A (en) | 2021-04-28 |
KR20230124105A (en) | 2023-08-24 |
TW201523150A (en) | 2015-06-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6455433B2 (en) | Photosensitive resin composition | |
US9075307B2 (en) | Photosensitive resin composition for protective film of printed wiring board for semiconductor package | |
JP6402710B2 (en) | Photosensitive resin composition, dry film using the same, printed wiring board, and method for producing printed wiring board | |
JP5263603B2 (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive film, method for forming resist pattern, and permanent resist using the same. | |
JP2017116652A (en) | Photosensitive resin composition, and dry film, printed wiring board and method for manufacturing printed wiring board using the composition | |
JP6003053B2 (en) | Photosensitive resin composition for protective film of printed wiring board for semiconductor package and semiconductor package | |
KR102666147B1 (en) | Photosensitive-resin composition | |
JP2011164516A (en) | Photosensitive resin composition and photosensitive element using the same | |
JP6398532B2 (en) | Photosensitive resin composition | |
TW202112831A (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive resin film, printed wiring board, semiconductor package, and method for producing printed wiring board | |
JP5804336B2 (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive film, permanent resist | |
JP6582804B2 (en) | Photosensitive resin composition | |
JP6398533B2 (en) | Photosensitive resin composition | |
JP6519134B2 (en) | Photosensitive resin composition | |
JP2016066005A (en) | Photosensitive resin composition | |
JP2015031849A (en) | Photosensitive resin composition |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
AMND | Amendment | ||
X601 | Decision of rejection after re-examination | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
J301 | Trial decision |
Free format text: TRIAL NUMBER: 2021101001935; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20210727 Effective date: 20211018 |