KR20160038388A - 고전압 펄스 스위칭 시스템 및 이를 포함하는 전기 집진장치 - Google Patents

고전압 펄스 스위칭 시스템 및 이를 포함하는 전기 집진장치 Download PDF

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Abstract

전압에 의해 구동되는 IGBT를 스위칭 소자로 이용하는 본 발명의 일 측면에 따른 고전압 펄스 스위칭 시스템은, 전압원으로부터 제공되는 전압에 따라 충전되어 사인파 형태의 공진전류를 생성하는 공진회로부; 및 서로 직렬로 연결되어 상기 공진전류의 흐름을 제어하는 복수개의 스위칭부를 포함하고, 상기 스위칭부는, 전력 반도체 스위치 및 상기 전력 반도체 스위치에 역병렬로 연결된 다이오드로 구성된 스위칭 소자; 및 상기 공진전류의 주기와 연동하여 상기 전력 반도체 스위치를 정해진 시간 동안 온 상태로 유지시키는 제1 게이트 신호를 생성하여 인가하는 스위칭 소자 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

고전압 펄스 스위칭 시스템 및 이를 포함하는 전기 집진장치{High Voltage Pulse Switchjng System and Electrostatic Precipitator Including The Same}
본 발명은 고전압 펄스 스위칭 시스템 및 그 제어 방법에 관한 것이다.
고전압 펄스 스위칭 시스템은 고전압의 펄스를 발생시키는 장치로써, 전기 집진장치 또는 탈취 시스템과 같은 환경설비에 적용된다.
고전압 펄스 스위칭 시스템이 전기 집진장치에 적용되는 경우, 고전압 펄스 스위칭 시스템은 펄스전압을 방전극에 인가하여 방전극을 통해 코로나 방전이 발생되게 함으로써 음이온이 공기 중에 방전되게 하고, 이에 따라 공기중에 인가된 음이온이 공기 중의 분진을 둘러싸서 분진이 (-)전리되도록 한다.
고전압 펄스 스위칭 시스템은 직류전압을 집진판에 인가하여 전리된 분진이 집진판으로 이동하게 함으로써 음이온은 집진판을 통해 다시 전원으로 돌아가게 하고, 음이온을 잃은 분진은 더 이상 집진판에 머물지 못하고 하부로 낙하하여 수집실(미도시)에 수집되도록 한다.
일반적인 고전압 펄스 스위칭 시스템은 전기 집진기에 고전압을 인가하기 위해 스위칭 소자로써 고전압 사이리스터 다이오드 스위치(Thyristor Diode Switch: TDS)를 이용한다. 고전압 사이리스터 다이오드 스위치의 일 예가 대한민국 공개특허 제1999-0071188호(이하, '선행문헌'이라 함)에 개시되어 있다.
고전압 사이리스터 다이오드 스위치는 사이리스터와 이 사이리스터에 역병렬로 연결된 다이오드가 1개의 모듈을 이루며, 부하에서 요구되는 전압에 따라 복수개의 고전압 사이리스터 다이오드 스위치를 직렬로 스택(Stack)화함으로써 고전압 펄스 스위칭 시스템을 구성하게 된다.
선행문헌 1을 비롯한 종래의 고전압 펄스 스위칭 시스템을 구성하는 사이리스터가 단종됨에 따라 이를 대체할 새로운 스위치로 절연 게이트 쌍극성 트랜지스터(Insulated Gate Bipolar Transistor: IGBT, 이하 'IGBT'라 함)가 제안된 바 있다.
하지만, 사이리스터는 전류 구동형 소자이고 IGBT는 전압 구동형 소자이므로 구동 메커니즘이 전혀 상이하기 때문에, 이러한 새로운 매커니즘을 적용한 고전압 펄스 스위칭 시스템이 요구된다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 전압에 의해 구동되는 IGBT를 스위칭 소자로 이용하는 고전압 펄스 스위칭 시스템 및 이를 포함하는 전기 집진장치를 제공하는 것을 그 기술적 과제로 한다.
또한, 본 발명은 직렬로 연결된 복수개의 스위칭 소자들의 온오프 타이밍을 동기화시키고, 각 스위칭 소자들의 구동회로를 절연시킬 수 있는 킬 수 있는 고전압 펄스 스위칭 시스템 및 이를 포함하는 전기 집진장치를 제공하는 것을 다른 기술적 과제로 한다.
또한 본 발명은 스파크로부터 스위칭 소자를 보호할 수 있는 고전압 펄스 스위칭 시스템 및 이를 포함하는 전기 집진장치를 제공하는 것을 또 다른 기술적 과제로 한다.
또한, 본 발명은 짧은 펄스폭의 구현이 가능한 고전압 펄스 스위칭 시스템 및 이를 포함하는 전기 집진장치를 제공하는 것을 또 다른 기술적 과제로 한다.
또한, 본 발명은 부하에서 발생되는 과전압으로부터 스위칭 소자를 보호할 수 있는 고전압 펄스 스위칭 시스템 및 이를 포함하는 전기 집진장치를 제공하는 것을 또 다른 기술적 과제로 한다.
또한, 본 발명은 회로 구성을 간소화 시킬 수 있는 고전압 펄스 스위칭 시스템 및 이를 포함하는 전기 집진장치를 제공하는 것을 또 다른 기술적 과제로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 고전압 펄스 스위칭 시스템은, 전압원으로부터 제공되는 전압에 따라 충전되어 사인파 형태의 공진전류를 생성하는 공진회로부; 및 서로 직렬로 연결되어 상기 공진전류의 흐름을 제어하는 복수개의 스위칭부를 포함하고, 상기 스위칭부는, 전력 반도체 스위치 및 상기 전력 반도체 스위치에 역병렬로 연결된 다이오드로 구성된 스위칭 소자; 및 상기 공진전류의 주기와 연동하여 상기 전력 반도체 스위치를 정해진 시간 동안 온 상태로 유지시키는 제1 게이트 신호를 생성하여 인가하는 스위칭 소자 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 측면에 따른 고전압 펄스 스위칭 시스템은, 전압원으로부터 제공되는 전압에 따라 충전되어 사인파 형태의 공진전류를 생성하는 LC 공진회로부; 서로 직렬로 연결되고, 트리거 신호에 기초하여 생성된 제어신호에 따라 상기 공진전류의 흐름을 제어하는 복수개의 스위칭부; 및상기 트리거 신호를 상기 복수개의 스위칭부로 무선으로 전송하는 트리거 신호 송신부를 포함하고, 상기 제어신호는 상기 스위칭부의 전력 반도체 스위치가 미리 정해진 시간 동안 온상태를 유지하도록 하는 것을 특징으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 측면에 따른 전기 집진장치는, 방전극 및 집진판을 포함하고, 배가스에 포함된 분진을 제거하는 집진기 본체; 및 상기 집진기 본체에 전원을 인가하는 고전압 펄스 스위칭 시스템을 포함하고, 상기 고전압 펄스 스위칭 시스템은, 펄스 전압을 생성하기 위한 전압을 공급하는 펄스 전압원; 개시 전압을 생성하기 위한 전압을 공급하는 DC 전압원; 전압원으로부터 제공되는 전압에 따라 충전되어 사인파 형태의 공진전류를 생성하는 공진회로부; 및 서로 직렬로 연결되어 상기 공진전류의 흐름을 제어하는 복수개의 스위칭부를 포함하고, 상기 스위칭부는, 전력 반도체 스위치 및 상기 전력 반도체 스위치에 역병렬로 연결된 다이오드로 구성된 스위칭 소자; 및 정해진 시간 동안 상기 전력 반도체 스위치를 온 상태로 유지시키는 제1 게이트 신호를 생성하여 상기 전력 반도체 스위치로 인가하는 스위칭 소자 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 전압에 의해 구동되는 IGBT를 스위칭 소자로 사용하는 시스템에 적합한 고전압 펄스 스위칭 시스템을 제공하는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따르면 직렬로 연결된 복수개의 스위칭 소자들의 온오프 타이밍을 동기화하고, 구동회로를 절연하도록 함으로써 스위칭 소자간의 전압 불균형으로 인한 스위칭 소자의 파손을 줄이도록 하는 효과가 있다
또한 본 발명에 따르면 부하에서 발생되는 스파크로부터 스위칭 소자들을 효과적으로 보호할수 있는 효과가 있다
또한, 본 발명에 따르면 사이리스터를 IGBT로 대체함으로써 100㎲이하의 짧은 펄스폭을 갖는 공진전류를 생성할 수 있다는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따르면 과전압 방지회로를 부가함으로써 과전압으로부터 스위칭 소자를 보호할 수 있다는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따르면 스위칭 소자의 양단에 인가되는 전압을 이용하여 내부회로에 공급할 전원을 자체적으로 생성할 수 있어 회로 구성을 간소화시킬 수 있다는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따르면 정격전압이 낮은 사이리스터를 대체하여 정격전압이 높은 IGBT를 사용함으로써 동일한 조건에서 스위칭 소자의 개수를 감소시킬 수 있을 뿐만 아니라, 사이리스터에 비해 IGBT의 가격이 저렴하여 전체적으로 고전압 펄스 스위칭 시스템의 가격을 절감시킬 수 있다는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따르면 사이리스터에 비해 IGBT의 무게가 가볍기 때문에, 고전압 펄스 스위칭 시스템의 전체 무게를 감소시킬 수 있다는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따르면 IGBT의 구동 회로가 무선 절연 타입으로 구성되기 때문에 직렬로 연결된 복수개의 IGBT가 정밀하게 동기화된 스위칭을 수행할 수 있게 되고, 이와 함께 IGBT를 집진기 스파크로부터 완벽하게 보호할 수 있어 IGBT 파손률을 크게 감소시킬 수 있다는 효과가 있으며, 이로 인해 고전압 펄스 스위칭 시스템의 신뢰성 향상은 물론 A/S 비용을 절감할 수 있다는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 고전압 펄스 스위칭 시스템의 구성을 개략적으로 보여주는 회로도이다.
도 2는 도 1에 도시된 스위칭부의 구성을 보여주는 블록도이다.
도 3은 도 2에 도시된 스위칭 소자 제어부의 구성을 보여주는 블록도이다.
도 4는 게이트 트리거 신호, 제1 게이트 신호, 및 공진전류의 파형을 비교하여 보여주는 그래프이다.
도 5는 도 1에 도시된 스위칭부의 구현 예를 보여주는 회로도이다.
도 6은 게이트 트리거 신호 송신부의 구성을 개략적으로 보여주는 블록도이다.
본 명세서에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 정의하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, "제1", "제2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로, 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제1 항목, 제2 항목 및 제 3항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제1 항목, 제2 항목 또는 제3 항목 각각 뿐만 아니라 제1 항목, 제2 항목 및 제3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미한다.
이하에서는 설명의 편의를 위해 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하여 해당 구성을 설명하기로 한다.
이하, 첨부되는 도면을 참고하여 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 설명한다.
고전압 펄스 스위칭 시스템
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 고전압 펄스 스위칭 시스템의 구성을 개략적으로 보여주는 회로도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 고전압 펄스 스위칭 시스템(100)은, 펄스 전압원(110), DC 전압원(120), 공진회로부(130), 복수개의 스위칭부(140a~140n)을 포함한다. 도 1에서는 설명의 편의를 위해, 고전압 펄스 스위칭 시스템(100)이 부하(L)로써 전기 집진장치(150)에 적용되는 것으로 가정하여 설명하였지만, 본 발명에 따른 고전압 펄스 스위칭 시스템(100)은 전기 집진장치(150)뿐만 아니라 고전압의 인가가 요구되는 다양한 설비(예컨대, 탈취 시스템 등)에도 적용 가능할 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 고전압 펄스 스위칭 시스템(100)은, 도 1에 도시된 바와 같이, 펄스전압 생성을 위한 펄스 전압원(110)과 직류 고전압 생성을 위한DC 전압원(120)을 서로 분리시켜 독립적으로 구성함으로써 직류고전압과 펄스전압을 독립적으로 제어하게 된다.
펄스 전압원(110)은 부하(L)로 출력될 펄스전압(VPS)의 생성을 위한 양(+)의 직류전압을 생성한다. 본 발명에서, 펄스 전압원(110)이 양(+)의 직류전압을 생성하는 것은, 부하(L)(예컨대, 전기 집진장치의 방전극)에 음의 펄스전압이 공급되도록 하기 위한 것이다. 즉, 펄스 전압원(110)에 의해 양의 펄스전압이 생성되어 출력되지만 전기 집진장치(150)의 방전극을 기준전위로 할 때에는 음의 펄스전압을 생성하여 방전극에 인가하는 형태가 되는 것이다.
DC 전압원(120)은 개시전압(VDC)을 생성하는 것으로서, 일 실시예에 있어서, DC 전압원(120)은 도 1에 도시된 바와 같이, 음(-)의 직류전압을 생성하여 출력한다. 본 발명에서, DC 전압원(120)이 음(-)의 직류전압을 생성하여 출력하는 것은, 고전압 펄스 스위칭 시스템(100)이 적용되는 부하(L)(예컨대, 전기 집진장치의 경우 방전극)에 음(-)의 직류전압을 공급함으로써 부하(L) 내에서 방전을 발생시키기 위한 것이다.
공진회로부(130)는 전압원(110, 120)으로부터 제공되는 전압에 따라 충전되어 사인파 형태의 공진전류를 생성한다. 일 실시예에 있어서, 공진회로부(130)는 서로 직렬로 연결된 공진 인덕터(LS) 및 공진 커패시터(CS)를 포함할 수 있고, 복수개의 스위칭부(140)가 온(On)됨에 의해 폐회로로 완성되어 공진 커패시터(CS)에 충전되어 있던 펄스 전압에 의한 공진전류가 흐르도록 한다.
복수개의 스위칭부(140a~140n)는 서로 직렬로 연결되어 공진전류의 흐름을 제어한다. 이와 같이, 본 발명은 복수개의 스위칭부(140a~140n)를 직렬로 연결함으로써 수KV에서 수백KV이상의 고압을 스위칭할 수 있도록 한다.
구체적으로, 스위칭부(140)는 온상태일 때 공진회로부(130)를 폐회로(Closed Loop)로 형성함으로써 공진전류가 흐르도록 하고, 오프상태일때 공진회로부(130)를 개방회로(Open Loop)로 형성함으로써 공진전류의 흐름을 차단한다.
일 실시예에 있어서, 본 발명에 따른 고전압 펄스 스위칭 시스템(100)은 스위칭부(140a~140n)간의 전압 불균등 분배로 인한 스위칭부(140a~140n)의 파손을 미연에 방지하기 위해, 복수개의 스위칭부(140a~140n)의 온오프 타이밍을 동기화시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 고전압 펄스 스위칭 시스템(100)은 공진전류 중 양(+)의 공진전류가 흐르는 제1 구간 전체뿐만 아니라 음(-)의 공진전류가 흐르는 제2 구간 중 적어도 일부 구간 동안 스위칭부(140a~140n)를 온상태로 유지시킴으로써 스파크 발생에 의한 스위칭부(140a~140n)의 파손을 미연에 방지할 수 있다.
이하, 이러한 복수개의 스위칭부(140a~140n)의 구성을 도 2를 참조하여 보다 구체적으로 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 스위칭부의 구성을 보여주는 블록도이다.
도 2에서는 설명의 편의를 위해 복수개의 스위칭부(140a~140n)들 중 어느 하나의 스위칭부(140a)의 구성만을 도시하였다. 나머지 스위칭부(140b~140n) 또한 도 2에 도시된 스위칭부(140a)와 동일한 구성을 갖는다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 스위칭부(140a)는 스위칭 소자(210), 스위칭 소자 제어부(220), 과전압 발생 감지부(230), 구동전압 생성부(240), 스너버 회로(250), 표시부(260), 및 게이트 트리거 신호 수신부(270)를 포함한다.
스위칭 소자(210)는 온오프 동작을 통해 공진전류의 흐름을 제어하는 역할을 수행한다. 스위칭 소자(210)는 게이트 신호에 의해 온오프되는 전력 반도체 스위치(미도시) 및 전력 반도체 스위치에 역병렬로 연결되는 다이오드(미도시)로 구성될 수 있다.
이때, 전력 반도체 스위치는 공진전류 중 양(+)의 공진전류가 흐르는 제1 구간 전체와 음(-)의 공진전류가 흐르는 제2 구간 중 적어도 일부 구간 동안 온상태로 유지된다.
일 실시예에 있어서, 전력 반도체 스위치는 기존의 사이리스터로는 구현이 불가능하였던 100㎲ 이하의 짧은 펄스 폭의 구현이 가능한 절연 게이트 쌍극성 트랜지스터(Insulated Gate Bipolar Transistor: IGBT)로 구현될 수 있다. IGBT는 전류로 구동되는 사이리스터와는 달리 전압으로 구동되는 소자이므로 IGBT로 인가되는 게이트 신호가 온 구간일 때에만 도통된다.
다음으로, 스위칭 소자 제어부(220)는 전력 반도체 스위치를 온 시키기 위한 게이트 신호를 생성하여 전력 반도체 스위치의 게이트 단자로 인가한다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 공진전류 중 양(+)의 공진전류가 흐르는 제1 구간 전체와 음(-)의 공진전류가 흐르는 제2 구간 중 적어도 일부 구간 동안 전력 반도체 스위치를 온 상태로 유지시켜야 하기 때문에, 스위칭 소자 제어부(220)는 해당 구간 동안 전력 반도체 스위치를 온 상태로 유지시키기 위한 제1 게이트 신호를 생성하고, 생성된 제1 게이트 신호를 전력 반도체 스위치로 인가한다.
이러한 스위칭 소자 제어부(220)의 구성을 도 3을 참조하여 보다 구체적으로 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 스위칭 소자 제어부의 구성을 보여주는 블록도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 스위칭 소자 제어부(220)는 제1 신호 변환부(310), 제1 게이트 신호 생성부(320), 제2 신호 변환부(330), 제2 게이트 신호 생성부(340), 및 게이트 드라이버(350)를 포함한다.
제1 신호 변환부(310)는 게이트 트리거 신호 수신부(270)로부터 게이트 트리거 신호를 수신하여 전기적인 신호로 변환한다. 제1 신호 변환부(310)는 전기적인 신호로 변환된 게이트 트리거 신호로부터 라이징 엣지(Rising Edge) 또는 폴링 엣지(Falling Edge)를 검출한다. 제1 신호 변환부(310)는 라이징 엣지 또는 폴링 엣지가 검출되면 제1 게이트 신호의 생성을 위해 제1 게이트 신호 생성부(320)로 통지한다.
제1 게이트 신호 생성부(320)는, 제1 신호 변환부(310)에 의해 검출된 게이트 트리거 신호의 라이징 엣지 또는 폴링 엣지에 동기하여 공진전류 중 양(+)의 공진전류가 흐르는 제1 구간 전체와 음(-)의 공진전류가 흐르는 제2 구간 중 적어도 일부 구간 동안 전력 반도체 스위치를 온 상태로 유지시킬 수 있는 제1 게이트 신호를 생성한다.
이에 따라, 전력 반도체 스위치는 제1 펄스 폭만큼의 시간 구간 동안 온 상태를 유지하게 된다.
도 4에 게이트 트리거 신호, 제1 게이트 신호, 및 공진전류의 파형을 비교한 그래프가 도시되어 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 제1 게이트 신호 생성부(320)에 의해 생성된 제1 게이트신호(Vg)는 게이트 트리거 신호(VPD)의 라이징 엣지에 동기되어 공진전류(Im) 중 양(+)의 공진전류(S(n))가 흐르는 제1 구간 (1/2Ts)와 음(-)의 공진전류(D(n))가 흐르는 제2 구간 중 적어도 일부 구간(TE) 동안 전력 반도체 스위치를 온 상태로 유지시킬 수 있는 제1 펄스 폭(W1)을 갖는다는 것을 알 수 있다.
이와 같이, 제1 게이트 신호 생성부(320)가 양(+)의 공진전류(S(n))가 흐르는 제1 구간 전체(1/2Ts) 뿐만 아니라 음(-)의 공진전류(D(n))가 흐르는 제2 구간 중 적어도 일부 구간(TE)에도 전력 반도체 스위치가 온 상태로 유지되도록 제1 게이트 신호를 생성하기 때문에 부하(150)로부터 스파크가 발생하더라도 전력 반도체 스위치가 도통 상태에 있어 전력 반도체 스위치가 보호된다.
일 실시예에 있어서, 제1 게이트 신호 생성부(320)는, 타 스위칭 소자 제어부(미도시)에 포함된 제1 게이트 신호 생성부(이하, 타 '제1 게이트 신호 생성부'라 함)에 의해 생성되는 제1 게이트 신호와 동일한 상승 기울기(Rising Slope)를 갖도록 제1 게이트 신호를 생성할 수 있다. 이때, 상승 기울기는 전력 반도체 스위치가 IGBT인 경우 dv/dt를 의미한다.
본 발명에 따른 제1 게이트 신호 생성부(320)가 타 제1 게이트 신호 생성부에 의해 생성된 제1 게이트 신호와 동일한 상승 기울기를 갖도록 제1 게이트 신호를 생성하는 이유는, 각 스위칭부에서 생성되는 제1 게이트 신호의 상승 기울기가 서로 상이한 경우 전력 반도체 스위치간의 온오프 타이밍 동기화가 불가능해지고, 이로 인해 전력 반도체 스위치간 전압 불균등 분배로 인한 스위치 파손 문제가 발생할 수 있기 때문이다.
따라서, 제1 게이트 신호 생성부(320)가 타 제1 게이트 신호 생성부에 의해 생성된 제1 게이트 신호와 동일한 상승 기울기를 갖도록 제1 게이트 신호를 생성함에 의해 전력 반도체 스위치간의 온오프 타이밍 동기화가 가능해지고 이로 인해 전력 반도체 스위치가 보다 신뢰성 있게 동작하게 된다.
다시 도 3을 참조하면, 제2 신호 변환부(330)는 과전압 발생 감지부(230)로부터 인가되는 과전압 발생 감지 신호를 제2 게이트 신호 생성부(340)에 의해 인식 가능한 신호로 변환한다.
일 실시예에 있어서, 과전압 발생 감지부(230)로부터 인가되는 과전압 발생 감지 신호는 제2 게이트 신호 생성부(340)가 인식할 수 있는 신호보다 높은 전압 레벨을 갖기 때문에 제2 신호 변환부(330)는 과전압 발생 감지부(230)로부터 인가되는 과전압 발생 감지 신호의 전압 레벨을 다운 컨버전하여 제2 게이트 신호 생성부(340)로 제공할 수 있다.
제2 게이트 신호 생성부(340)는 제2 신호 변환부(330)로부터 과전압 발생 감지 신호가 수신되면, 과전압 발생 감지신호에 동기하여 미리 정해진 시간 동안 전력 반도체 스위치가 온 상태로 유지될 수 있게 하는 제2 펄스 폭을 갖는 제2 게이트 신호를 생성한다. 제2 게이트 신호 생성부(340)는 제2 게이트 신호를 전력 반도체 스위치의 게이트 단자로 인가함으로써 적어도 과전압이 발생되는 시간 동안 전력 반도체 스위치가 온 상태를 유지하도록 함으로써 과전압으로부터 전력 반도체 스위치를 보다 안전하게 보호하게 된다.
게이트 드라이버(350)는 제1 게이트 신호 생성부(320)에 의해 생성되는 제1 게이트 신호 및 제2 게이트 신호 생성부(340)에 의해 생성되는 제2 게이트 신호를 전력 반도체 스위치에 적합한 신호로 변환하여 전력 반도체 스위치의 게이트 단자에 인가한다. 일 실시예에 있어서, 게이트 드라이버(350)는 제1 게이트 신호 및 제2 게이트 신호의 전압 레벨을 업컨버젼(Up Conversion)하여 전력 반도체 스위치의 게이트 단자로 인가할 수 있다.
한편, 도 3에서 도시하지는 않았지만, 본 발명에 따른 스위칭 소자 제어부(220)는 제1 게이트 신호 및 제2 게이트 신호를 게이트 드라이버(350)로 전달하기 위해 제1 게이트 신호 생성부(320) 및 제2 게이트 신호 생성부(340)를 입력단자로 하고 게이트 드라이버(350)를 출력단자로 하는 OR 게이트를 더 포함할 수 있다.
다시 도 2를 참조하면, 과전압 발생 감지부(230)는 전력 반도체 스위치의 양단에 과전압이 발생하는지 여부를 감지하고, 과전압 발생시 과전압 발생 감지신호를 생성하여 스위칭 소자 제어부(220)로 제공한다.
일 실시예에 있어서, 과전압 발생 감지부(230)는 빠른 속도로 미리 정해진 전압레벨 이상의 과전압을 감지하기 위해 복수개의 TVS(Transient Voltage Suppressor) 다이오드로 구현될 수 있다.
다른 실시예에 있어서, 과전압 발생 감지부(230)는 제너 다이오드(Zener Diode) 및 전력 반도체 스위치 양단에 연결되는 분배저항을 이용하여 구현될 수도 있다.
구동전압 생성부(240)는 전력 반도체 스위치가 오프상태인 구간 동안 전력 반도체 스위치의 양단에 인가되는 전압을 충전하고, 충전된 전압을 스위칭부(140a)의 구동 전압으로 공급하는 역할을 수행한다. 보다 구체적으로, 구동전압 생성부(240)는 전력 반도체 스위치가 오프상태일 때 전력 반도체 스위치의 양단에 인가되는 전압을 그 내부에 포함된 커패시터에 충전하고, 커패시터에 충전된 전압을 이용하여 스위칭부(140a), 예컨대 스위칭 소자 제어부(220)를 구동시키기 위한 구동 전압을 생성한다.
이와 같이, 본 발명은 그 내부에 구동전압 생성부(240)를 포함하고 있기 때문에, 스위칭부(140a)의 구동을 위한 별도의 전압원이 요구되지 않아 회로설계를 간소화시킬 수 있게 된다.
스너버 회로(250)는 스위칭 소자(210)에 병렬로 연결되어 스위칭 소자(210)로 전달되는 스파크로부터 스위칭 소자(210)를 보호하는 역할을 수행한다.
일 실시예에 있어서, 스너버 회로(250)는 미리 정해진 제1 임계치 미만의 펄스 폭을 갖는 스파크를 제거하는 제1 스너버 회로(미도시)와 제1 스너버 회로와 병렬 연결되고, 제1 임계치 이상의 펄스 폭을 갖는 스파크를 제거하는 제2 스너버 회로(미도시)로 구성될 수 있다.
표시부(260)는 스위칭 소자(210)의 정상동작 여부를 외부로 표시한다. 보다 구체적으로, 표시부(260)는 스위칭 소자(210)가 정상적으로 동작하는 경우 전류가 흐르면서 발광하고 그렇지 않을 경우 오프되어 발광을 하지 않는다. 일 실시예에 있어서, 표시부(260)는 발광 다이오드 및 제너 다이오드를 포함할 수 있다. 제너 다이오드는 발광 다이오드에 병렬 연결되고, 발광 다이오드에 미리 정해진 임계전압 이상의 전압이 인가될 때 도통하여 발광 다이오드를 보호한다.
게이트 트리거 신호 수신부(270)는 외부로부터 수신되는 게이트 트리거 신호를 수신하고, 수신된 게이트 트리거 신호를 스위칭 소자 제어부(220)로 전달한다. 일 실시예에 있어서, 게이트 트리거 신호 수신부(270)는 적외선을 통해 전송되는 게이트 트리거 신호를 수신할 수 있는 포토 다이오드로 구현될 수 있다.
상술한 바와 같은 구성을 갖는 스위칭부(140a)는 도 5와 같은 형태로 구현될수 있다. 도 5는 스위칭부(140a)의 구성을 예시적으로 표현한 것일 뿐, 본 발명에 따른 스위칭부(140a)는 상술한 기능들만 구현할 수 있다면 도 5에 도시된 것과 다른 회로소자들을 이용하여 구현할 수도 있을 것이다.
한편, 본 발명에 따른 고전압 펄스 스위칭 시스템(100)은 게이트 트리거 신호를 생성하고, 생성된 게이트 트리거 신호를 각 스위칭부(140a~140n)로 전송하는 게이트 트리거 신호 송신부(160)를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 이러한 게이트 트리거 신호 송신부(160)는 게이트 트리거 신호를 생성하고, 생성된 게이트 트리거 신호를 적외선을 통해 복수개의 스위칭부(140a~140n)로 각각 송신할 수 있다.
이하, 도 6을 참조하여 본 발명에 따른 게이트 트리거 신호 송신부에 대해 간략히 설명한다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 게이트 트리거 신호 송신부의 구성을 개략적으로 보여주는 블록도이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 게이트 트리거 신호 송신부(160)는 게이트 트리거 신호 생성부(610), 복수개의 송신모듈(620a~620n), 및 전류 제한부(630)를 포함한다.
게이트 트리거 신호 생성부(610)는 미리 정해진 펄스 폭을 갖는 게이트 트리거 신호를 생성한다.
송신모듈(620a~620n)은 게이트 트리거 신호 생성부(610)에 의해 생성된 게이트 트리거 신호를 복수개의 스위칭부(140a~140n)로 각각 전송하는 역할을 수행한다. 일 실시예에 있어서, 송신모듈(620a~620n)은 적외선 다이오드(Infrared Diode) 및 제너 다이오드를 포함할 수 있다. 적외선 다이오드는 게이트 트리거 신호를 적외선으로 송신한다. 제너 다이오드는 적외선 다이오드에 역병렬로 연결되고, 적외선 다이오드에 미리 정해진 임계전압 이상의 전압이 인가될 때 도통되어 적외선 다이오드를 보호한다.
이때, 송신모듈(620a~620n)과 스위칭부(140a~140n)는 일대일로 연결된다.
일 실시예에 있어서, 게이트 트리거 신호 생성부(610)에 의해 생성되는 게이트 트리거 신호의 펄스 폭은 전력 반도체 스위치를 온시키기 위한 제1 게이트 신호의 펄스 폭 보다 짧을 수 있다. 이는, 송신모듈(620a~620n)에 포함된 적외선 다이오드의 수명은 적외선 다이오드에 흐르는 평균전류에 직접적인 영향을 받기 때문에 적외선 다이오드에 흐르는 전류의 펄스 폭이 제1 게이트 신호의 펄스 폭만큼 커질 경우 적외선 다이오드에 흐르는 평균 전류도 동시에 커지게 되어 결과적으로 적외선 다이오드의 수명이 감소될 있기 때문이다.
전류 제한부(630)는 게이트 트리거 신호 생성부(610)로부터 송신모듈(620a~620n)로 흐르는 전류를 적절하게 제한하여 송신모듈(620a~620n)을 보호하는 역할을 수행한다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 전력 반도체 스위치를 온 시키기 위해 필요한 게이트 트리거 신호를 적외선을 통해 송수신 하기 때문에 직렬로 연결된 복수개의 스위칭부(140a~140n)들을 완벽하게 절연할 수 있게 된다.
다시 도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 고전압 펄스 스위칭 시스템(100)은 제1 분리부(170) 및 제2 분리부(180)를 더 포함할 수 있다.
제1 분리부(170)는 공진전류가 흐르는 동안 공진회로부(130)와 펄스 전압원(110)을 전기적으로 분리시키는 역할을 수행한다. 일 실시예에 있어서, 제1 분리부(170)는 커플링 리액터(LPS) 또는 전력 반도체 스위치로 구현될 수 있다.
제2 분리부(180)는 공진전류가 흐르는 동안 공진회로부(130)와 DC 전압원(120)을 전기적으로 분리시키는 역할을 수행한다. 일 실시예에 있어서, 제2 분리부(180)는 커플링 리액터(LDC) 또는 전력 반도체 스위치로 구현될 수 있다.
한편, 도 1에서는 고전압 펄스 스위칭 시스템(100)이 펄스 전압원(110), DC 전압원(120), 제1 분리부(170), 및 제2 분리부(180)를 모두 포함하는 것으로 도시하였지만, 이는 하나의 예일 뿐, 펄스 전압원(110), DC 전압원(120), 제1 분리부(170), 및 제2 분리부(180)는 별도의 시스템으로 구현되고, 공진회로부(130) 및 복수개의 스위칭부(140a~140n)만이 고전압 펄스 스위칭 시스템(100)을 구성할 수도 있다.
고전압 펄스 스위칭 시스템을 포함하는 전기 집진장치
이하, 상술한 바와 같은 고전압 펄스 스위칭 시스템(100)이 적용되는 전기 집진장치의 구성을 간략히 설명한다.
전기 집진장치는 집진기 본체, 고전압 펄스 스위칭 시스템, 추타장치, 및 이송장치를 포함한다.
집진기 본체는 배가스에 포함된 분진을 포집하기 위한 전기 집진이 수행되는 공간으로서, 배가스가 유입되는 입구, 배가스에 포함된 분진이 포집되는 집진공간, 및 배가스가 배출되는 출구를 포함한다.
도시하지는 않았지만, 배가스에 포함된 분진이 포집되는 집진공간은 복수개의 집진실로 구성될 수 있다. 이러한 실시예에 따르는 경우 각 집진실에는 분진을 음극으로 대전시키는 복수개의 방전극(미도시) 및 양극으로 대전되어 분진을 포집하는 집진판(미도시)이 설치되고, 각 집진실 별로 각 집진실에 직류 고전압 및 펄스전압 중 적어도 하나를 인가하기 위해 고전압 펄스 스위칭 시스템(100)이 설치된다.
방전극은 고전압 펄스 스위칭 시스템(100)에 의해 직류 고전압 및 펄스전압이 인가되면 코로나 방전에 의한 이온화 현상을 통해 음이온을 발생시키는 것으로서, 철선 또는 강체 형태로 이루어질 수 있다. 방전극에서 발생된 음이온은 기류 중으로 흘러 입자와 충돌하게 되어, 분진을 음이온으로 대전시킨다. 음이온으로 하전된 분진입자는 집진판으로 이동하게 된다.
집진판은 양극으로 대전되어 음이온으로 하전된 분진입자를 흡착한다. 일 실시예에 있어서, 집진판은 판 형상으로 이루어질 수 있다.
고전압 펄스 스위칭 시스템(100)은 본체에 개시전압 및 펄스전압 중 적어도 하나를 인가함으로써 본체 내에서 방전을 통해 전기집진이 수행되도록 한다. 이러한 고전압 펄스 스위칭 시스템(100)의 구성은 도 1 내지 도 6에서 구체적으로 기재하였으므로, 상세한 설명은 생략한다.
다음으로, 추타장치는 추타를 통해 본체에 포함된 집진판에 부착된 분진을 집진판으로부터 분리시킨다. 즉, 추타장치는 집진판에 부착되어 있는 분진을 탈락, 하강, 및 배출시키기 위해 집진판에 기계적인 힘을 인가한다. 이러한 추타장치(720)는 추타강도나 추타빈도를 조절을 통해 추타효율이 향상될 수 있도록 한다.
이송장치는 추타장치에 의해 집진판에서 분리된 분진을 저장소로 이동시키는 역할을 수행한다. 일 실시예에 있어서, 이송장치는 미리 정해진 이송속도에 따라 이동함으로써 분진을 저장소로 이송시키게 된다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 고전압 펄스 스위칭 시스템(100)을 전기 집진장치에 적용함으로써, 본체에 인가되는 개시전압을 이용하여 방전극과 집진판 사이의 기본 전계를 형성 및 유지시켜 대전된 분진의 이동전계를 형성시키고, 집진판에 포집되어 있는 분진의 재비산을 방지할 수 있게 된다. 또한, 본체에 인가되는 펄스전압을 통해 부유 분진을 대전시켜 전기적 극성을 갖게 함으로써 부유분진이 이동전계를 통해서 집진판으로 이동하게 한다. 이로 인해, 전체적으로 분진 포집이 안정적으로 유지될 수 있다.
본 명이 속하는 기술분야의 당업자는 상술한 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
100: 고전압 펄스 스위칭 시스템 110: 펄스 전압원
120: DC 전압원 130: 공진회로부
140a~140n: 스위칭부 150: 부하
160: 게이트 트리거 신호 송신부 170: 제1 분리부
180: 제2 분리부 210: 스위칭 소자
220: 스위칭 소자 제어부 230: 과전압 발생 감지부
240: 구동전압 생성부 250: 스너버 회로
260: 표시부 270: 게이트 트리거 신호 수신부
700: 전기 집진장치 710: 집진기 본체
720: 추타장치 730: 이송장치

Claims (12)

  1. 전압원으로부터 제공되는 전압에 따라 충전되어 사인파 형태의 공진전류를 생성하는 공진회로부; 및
    서로 직렬로 연결되어 상기 공진전류의 흐름을 제어하는 복수개의 스위칭부를 포함하고,
    상기 스위칭부는,
    전력 반도체 스위치 및 상기 전력 반도체 스위치에 역병렬로 연결된 다이오드로 구성된 스위칭 소자; 및
    상기 공진전류의 주기와 연동하여 상기 전력 반도체 스위치를 정해진 시간 동안 온 상태로 유지시키는 제1 게이트 신호를 생성하여 인가하는 스위칭 소자 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 고전압 펄스 스위칭 시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 정해진 시간은 상기 공진전류 중 양(+)의 공진전류가 흐르는 제1 구간, 음(-)의 공진전류가 흐르는 제2 구간 중 적어도 일부 구간 동안인 것을 특징으로 하는 고전압 펄스 스위칭 시스템.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 스위칭 소자 제어부는,
    상기 제1 게이트 신호를 생성하는 제1 게이트 신호 생성부를 포함하고,
    상기 제1 게이트 신호 생성부에 의해 생성된 제1 게이트 신호는 타 스위칭 소자 제어부에 의해 생성된 제1 게이트 신호와 동일한 상승 기울기(Rising Slope)의펄스 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 고전압 펄스 스위칭 시스템.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 스위칭 소자 제어부는,
    게이트 트리거 신호의 라이징 엣지 또는 폴링 엣지에 동기하여 상기 제1 게이트 신호를 생성하는 제1 게이트 신호 생성부를 포함하는 것을 특징으로 하는 고전압 펄스 스위칭 시스템.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 스위칭부는,
    과전압 발생 여부를 감지하는 과전압 발생 감지부를 더 포함하고,
    상기 스위칭 소자 제어부는,
    상기 과전압 발생 감지부에 의해 과전압이 발생된 것으로 감지되면 상기 전력 반도체 스위치를 온 시키기 위해 미리 정해진 펄스 폭을 갖는 제2 게이트 신호를 생성하여 상기 전력 반도체 스위치로 인가하는 제2 게이트 신호 생성부를 포함하는 것을 특징으로 하는 고전압 펄스 스위칭 시스템.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 스위칭부는,
    상기 전력 반도체 스위치가 오프상태인 구간 동안 상기 스위칭 소자의 양단에 인가되는 전압을 충전하고, 충전된 전압을 상기 스위칭부의 구동 전압으로 공급하는 구동전압 생성부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고전압 펄스 스위칭 시스템.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 스위칭부는,
    상기 스위칭 소자에 병렬로 연결되어 상기 스위칭 소자로 전달되는 스파크(Spark)로부터 상기 스위칭 소자를 보호하는 스너버 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고전압 펄스 스위칭 시스템.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 스너버 회로는
    미리 정해진 제1 임계치 미만의 펄스 폭을 갖는 스파크를 제거하는 제1 스너버 회로; 및
    상기 제1 스너버 회로와 병렬 연결되고, 제1 임계치 이상의 펄스 폭을 갖는 스파크를 제거하는 제2 스너버 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 고전압 펄스 스위칭 시스템.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 스위칭부는,
    상기 스위칭 소자의 정상 동작 여부를 표시하는 발광 다이오드; 및
    상기 발광 다이오드에 역병렬로 연결되고, 미리 정해진 임계전압 이상의 전압이 상기 발광 다이오드에 인가될 때 도통되어 상기 발광 다이오드를 보호하는 제너 다이오드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고전압 펄스 스위칭 시스템.
  10. 방전극 및 집진판을 포함하고, 배가스에 포함된 분진을 제거하는 집진기 본체; 및
    상기 집진기 본체에 전원을 인가하는 고전압 펄스 스위칭 시스템을 포함하고,
    상기 고전압 펄스 스위칭 시스템은,
    펄스 전압을 생성하기 위한 전압을 공급하는 펄스 전압원;
    개시 전압을 생성하기 위한 전압을 공급하는 DC 전압원;전압원으로부터 제공되는 전압에 따라 충전되어 사인파 형태의 공진전류를 생성하는 공진회로부; 및
    서로 직렬로 연결되어 상기 공진전류의 흐름을 제어하는 복수개의 스위칭부를 포함하고,
    상기 스위칭부는,
    전력 반도체 스위치 및 상기 전력 반도체 스위치에 역병렬로 연결된 다이오드로 구성된 스위칭 소자; 및
    정해진 시간 동안 상기 전력 반도체 스위치를 온 상태로 유지시키는 제1 게이트 신호를 생성하여 상기 전력 반도체 스위치로 인가하는 스위칭 소자 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 집진장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 정해진 시간은 상기 공진전류 중 양(+)의 공진전류가 흐르는 제1 구간, 음(-)의 공진전류가 흐르는 제2 구간 중 적어도 일부 구간 동안인 것을 특징으로 하는 전기 집진장치.
  12. 전압원으로부터 제공되는 전압에 따라 충전되어 사인파 형태의 공진전류를 생성하는 LC 공진회로부;
    서로 직렬로 연결되고, 트리거 신호에 기초하여 생성된 제어신호에 따라 상기 공진전류의 흐름을 제어하는 복수개의 스위칭부; 및,
    상기 트리거 신호를 상기 복수개의 스위칭부로 무선으로 전송하는 트리거 신호 송신부를 포함하고,,
    상기 제어신호는 상기 스위칭부의 전력 반도체 스위치가 미리 정해진 시간 동안 온상태를 유지하도록 하는 것을 특징으로 하는 고전압 펄스 스위칭 시스템.
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4052177A (en) * 1975-03-03 1977-10-04 Nea-Lindberg A/S Electrostatic precipitator arrangements
JP2658900B2 (ja) * 1994-09-30 1997-09-30 日本電気株式会社 パルス電源装置
ATE514490T2 (de) * 2004-10-26 2011-07-15 Smidth As F L Impulserzeugungseinrichtung für elektrostatische abscheider
CN103350031A (zh) * 2013-06-09 2013-10-16 浙江菲达环保科技股份有限公司 一种电除尘用脉冲电源
CN203827179U (zh) * 2014-04-04 2014-09-10 南京国电环保科技有限公司 一种新型的谐振变换器
CN103986363A (zh) * 2014-05-14 2014-08-13 大连泰格尔电子科技有限公司 一种高频多重高压脉冲的生成方法、高频多重高压脉冲电源及电除尘器

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190129310A (ko) * 2018-05-10 2019-11-20 재단법인 포항산업과학연구원 전력 스위치를 이용한 고전압 펄스 발생 회로 및 이를 포함하는 전기 집진기

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