KR20160032306A - Organic light emitting diode display - Google Patents

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Abstract

According to the present invention, an organic light emitting diode display device comprises: a substrate; a thin film transistor formed on the substrate; a first electrode coupled to the thin film transistor; a bank formed and overlapped with a portion of the first electrode to define light emitting and non-light emitting areas; an organic light emitting layer covering the first electrode; a second electrode configured to form the organic light emitting layer; and a light control layer formed on the second electrode and configured to comprise a light reflection prevention unit arranged to correspond to the light emitting area, and a light transmission layer arranged to correspond to the non-light emitting area. The purpose of the present invention is to provide the organic light emitting diode display device with a property of an improved bright room contrast ratio.

Description

유기발광 다이오드 표시장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY}[0001] The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display device,

본 발명은 명실 명암비(Ambient Contrast Ratio, ACR)를 개선한 유기발광 다이오드 표시장치에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 외부 광원으로부터 입사된 주변광 및 제2 전극에 의해 난반사 되는 산란광을 차단함으로써, 명실 명암비가 향상 되도록 하는 유기발광 다이오드 표시장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display device having improved Ambient Contrast Ratio (ACR). In particular, the present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display device that improves the bright room contrast ratio by blocking ambient light incident from an external light source and scattered light diffused by the second electrode.

최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시장치에는 액정표시장치(Liquid Crystal Display : LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display: FED), 유기발광 다이오드 표시장치(Organic Light Emitting Diode Display Device) 등이 있다.2. Description of the Related Art Recently, various flat panel display devices capable of reducing weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes (CRTs), have been developed. Such a flat panel display device includes a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), a field emission display (FED), an organic light emitting diode display Device).

유기발광 다이오드 표시장치는 스스로 발광하는 자발광소자로서 응답속도가 빠르고 발광 효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다. 또한, 플라스틱과 같은 유연한 기판 상에 소자를 형성할 수 있어 플렉서블한 표시장치를 구현할 수 있다.The organic light emitting diode display device is a self-luminous element that emits light by itself, has a high response speed, and is advantageous in luminous efficiency, luminance, and viewing angle. In addition, a device can be formed on a flexible substrate such as plastic, and a flexible display device can be realized.

도 1은 유기발광 다이오드의 구조를 나타내는 도면이다. 유기발광 다이오드는 도 1과 같이 전계발광하는 유기 전계발광 화합물층과, 유기 전계발광 화합물층을 사이에 두고 대향하는 캐소드 전극(Cathode) 및 애노드 전극(Anode)을 포함한다. 유기 전계발광 화합물층은 정공주입층(Hole injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron injection layer, EIL)을 포함한다. 1 is a view showing a structure of an organic light emitting diode. The organic light emitting diode includes an organic electroluminescent compound layer that electroluminesces as shown in FIG. 1 and a cathode electrode and an anode that face each other with the organic electroluminescent compound layer interposed therebetween. The organic electroluminescent compound layer includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer layer, EIL).

유기발광 다이오드는 애노드 전극(Anode)과 캐소드 전극(Cathode)에 주입된 정공과 전자가 발광층(EML)에서 재결합할 때의 여기 과정에서 여기자(excition)가 형성되고 여기자로부터의 에너지로 인하여 발광한다. 유기발광다이오드 표시장치는 도 1과 같은 유기발광다이오드의 발광층(EML)에서 발생하는 빛의 양을 전기적으로 제어하여 영상을 표시한다.In the organic light emitting diode, an excitation is formed in the excitation process when the holes and electrons injected into the anode electrode and the cathode electrode recombine in the light emitting layer (EML), and the organic light emitting diode emits light due to energy from the exciton. The organic light emitting diode display device displays an image by electrically controlling the amount of light generated in the emission layer (EML) of the organic light emitting diode as shown in FIG.

유기발광 다이오드의 특징을 이용한 유기발광 다이오드 표시장치(Organic Light Emitting Diode display: OLEDD)에는 패시브 매트릭스 타입의 유기발광 다이오드 표시장치(Passive Matrix type Organic Light Emitting Diode display, PMOLED)와 액티브 매트릭스 타입의 유기발광 다이오드 표시장치(Active Matrix type Organic Light Emitting Diode display, AMOLED)로 대별된다.2. Description of the Related Art Organic light emitting diode displays (OLEDDs) using organic light emitting diodes (OLEDs) are classified into a passive matrix type organic light emitting diode display (PMOLED) and an active matrix type organic light emitting diode And an active matrix type organic light emitting diode display (AMOLED).

액티브 매트릭스 타입의 유기발광 다이오드 표시장치(AMOLED)는 박막트랜지스터(Thin Film Transistor, 이하 "TFT"라함.)를 이용하여 유기발광 다이오드에 흐르는 전류를 제어하여 화상을 표시한다.An active matrix type organic light emitting diode display device (AMOLED) displays an image by controlling a current flowing through an organic light emitting diode by using a thin film transistor (hereinafter referred to as "TFT").

도 2는 액티브 매트릭스형 유기발광 다이오드 표시장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 등가 회로도의 한 예이다. 도 3은 액티브 매트릭스형 유기발광 다이오드 표시장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 평면도이다. 도 4는 도 3에서 절취선 I-I'로 자른 액티브 매트릭스형 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도이다.2 is an example of an equivalent circuit diagram showing the structure of one pixel in an active matrix organic light emitting diode display device. 3 is a plan view showing the structure of one pixel in an active matrix organic light emitting diode display device. FIG. 4 is a cross-sectional view showing the structure of an active matrix organic light emitting diode display device cut along a perforated line I-I 'in FIG.

도 2 내지 4를 참조하면, 액티브 매트릭스 유기발광 다이오드 표시장치는 스위칭 TFT(ST), 스위칭 TFT와 연결된 구동 TFT(DT), 구동 TFT(DT)에 접속된 유기발광 다이오드(OLED)를 포함한다. 도 4의 TFT는 바텀 게이트(bottom gate) 방식의 TFT를 예시하나, 이에 한정되지 않고 탑 게이트(top gate) 방식 등 다른 구조의 TFT가 구비될 수 있다. 2 to 4, an active matrix organic light emitting diode display device includes a switching TFT ST, a driving TFT DT connected to the switching TFT, and an organic light emitting diode OLED connected to the driving TFT DT. The TFT shown in FIG. 4 is a bottom gate TFT, but the present invention is not limited thereto, and TFTs having other structures such as a top gate method may be provided.

스위칭 TFT(ST)는 스캔 배선(SL)과 데이터 배선(DL)이 교차하는 부위에 형성되어 있다. 스위칭 TFT(ST)는 화소를 선택하는 기능을 한다. 스위칭 TFT(ST)는 스캔 배선(SL)에서 분기하는 게이트 전극(SG)과, 반도체 층(SA)과, 소스 전극(SS)과, 드레인 전극(SD)을 포함한다. 그리고 구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)에 의해 선택된 화소의 유기발광 다이오드(OLED)를 구동하는 역할을 한다. 구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)의 드레인 전극(SD)과 연결된 게이트 전극(DG)과, 반도체 층(DA), 전원 전압원(VDD)에 연결된 소스 전극(DS)과, 드레인 전극(DD)을 포함한다. 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)은 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극(ANO)과 연결되어 있다. 애노드 전극(ANO)과 캐소드 전극(CAT) 사이에는 유기 발광 층(OL)이 개재되어 있다. 캐소드 전극(CAT)은 기저 전압원(VSS)에 연결된다. 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(DG)과 전원 전압원(VDD) 사이 혹은 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(DG)과 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD) 사이에는 보조 용량(Cst)이 배치된다.The switching TFT ST is formed at a portion where the scan line SL and the data line DL intersect each other. The switching TFT ST functions to select a pixel. The switching TFT ST includes a gate electrode SG, a semiconductor layer SA, a source electrode SS, and a drain electrode SD which branch off from the scan line SL. The driving TFT DT serves to drive the organic light emitting diode OLED of the pixel selected by the switching TFT ST. The driving TFT DT includes a gate electrode DG connected to the drain electrode SD of the switching TFT ST, a source electrode DS connected to the semiconductor layer DA, a power source voltage source VDD, and a drain electrode DD ). The drain electrode DD of the driving TFT DT is connected to the anode electrode ANO of the organic light emitting diode OLED. An organic light emitting layer OL is interposed between the anode electrode ANO and the cathode electrode CAT. The cathode electrode CAT is connected to the base voltage source VSS. A storage capacitor Cst is connected between the gate electrode DG of the driving TFT DT and the power source voltage source VDD or between the gate electrode DG of the driving TFT DT and the drain electrode DD of the driving TFT DT .

액티브 매트릭스 유기발광 다이오드 표시장치의 기판(SUB) 상에 스위칭 TFT(ST) 및 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(SG, DG)이 형성되어 있다. 그리고 게이트 전극(SG, DG) 위에는 게이트 절연막(GI)이 덮고 있다. 게이트 전극(SG, DG)과 중첩되는 게이트 절연막(GI)의 일부에 반도체 층(SA, DA)이 형성되어 있다. 반도체 층(SA, DA) 위에는 일정 간격을 두고 소스 전극(SS, DS)과 드레인 전극(SD, DD)이 마주보고 형성된다. 스위칭 TFT(ST)의 드레인 전극(SD)은 게이트 절연막(GI)에 형성된 콘택홀을 통해 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(DG)과 접촉한다. 이와 같은 구조를 갖는 스위칭 TFT(ST) 및 구동 TFT(DT)를 덮는 보호막(PAS)이 전면에 도포된다.Gate electrodes SG and DG of a switching TFT ST and a driving TFT DT are formed on a substrate SUB of an active matrix organic light emitting diode display device. A gate insulating film GI covers the gate electrodes SG and DG. The semiconductor layers SA and DA are formed in a part of the gate insulating film GI which overlaps with the gate electrodes SG and DG. The source electrodes SS and DS and the drain electrodes SD and DD are formed facing each other on the semiconductor layers SA and DA at regular intervals. The drain electrode SD of the switching TFT ST contacts the gate electrode DG of the driving TFT DT through the contact hole formed in the gate insulating film GI. A protective film PAS covering the switching TFT ST and the driving TFT DT having such a structure is applied to the entire surface.

이와 같이 TFT들(ST, DT)이 형성된 기판은 여러 구성 요소들이 형성되어 표면이 평탄하지 못하고, 단차가 많이 형성되어 있다. 유기 발광 층(OL)는 평탄한 표면에 형성되어야 발광이 일정하고 고르게 발산될 수 있다. 따라서, 기판의 표면을 평탄하게 할 목적으로 오버코트 층(OC)을 기판 전면에 도포한다.The substrate on which the TFTs ST and DT are formed has various components, so that the surface is uneven and a lot of steps are formed. The organic light emitting layer OL must be formed on a flat surface so that light emission can be constantly and uniformly emitted. Therefore, the overcoat layer OC is applied over the entire surface of the substrate in order to flatten the surface of the substrate.

그리고 오버코트 층(OC) 위에 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극(ANO)이 형성된다. 여기서, 애노드 전극(ANO)은 오버코트 층(OC) 및 보호막(PAS)에 형성된 콘택홀을 통해 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)과 연결된다.An anode electrode ANO of the organic light emitting diode OLED is formed on the overcoat layer OC. Here, the anode electrode ANO is connected to the drain electrode DD of the driving TFT DT through the contact hole formed in the overcoat layer OC and the protective film PAS.

애노드 전극(ANO)이 형성된 기판 위에, 화소 영역을 정의하기 위해 스위칭 TFT(ST), 구동 TFT(DT) 그리고 각종 배선들(DL, SL, VDL)이 형성된 영역 위에 뱅크(BN)를 형성한다. 뱅크(BN)에 의해 노출된 애노드 전극(ANO)이 발광 영역이 된다. 뱅크(BN)에 의해 노출된 애노드 전극(ANO) 위에 유기 발광 층(OL)을 형성한다. 유기 발광 층(OL) 위에는 캐소드 전극(CAT)이 형성된다.A bank BN is formed on an area where a switching TFT ST, a driving TFT DT and various wirings DL, SL and VDL are formed on a substrate on which an anode electrode ANO is formed to define a pixel region. And the anode electrode ANO exposed by the bank BN becomes a light emitting region. And the organic light emitting layer OL is formed on the anode electrode ANO exposed by the bank BN. A cathode electrode (CAT) is formed on the organic light emitting layer (OL).

캐소드 전극(CAT)은 유기 발광 층(OL)과 뱅크(BN)를 덮도록 형성되며, 뱅크(BN) 테이퍼에 의해 존재하는 표면 굴곡에 따라 증착된다. 캐소드 전극(CAT)이 우수한 스텝 커버리지(step coverage)를 갖도록 형성되는 경우에는 뱅크(BN) 테이퍼의 굴곡에 따라 변곡부(INF)가 형성된다. 변곡부(INF)는 곡면형상을 이루면서 단차가 생기는 부분으로 완만한 계단 형상인 것을 의미한다. The cathode electrode CAT is formed so as to cover the organic light emitting layer OL and the bank BN and is deposited according to the surface curvature existing by the bank BN taper. When the cathode electrode CAT is formed to have excellent step coverage, the bent portion INF is formed according to the bending of the taper of the bank BN. The bent portion INF means a stepped portion having a curved surface and a stepped portion.

유기발광 다이오드 표시장치는 실내에서는 물론 외부에서도 사용될 수 있다. 외부광원에 영향을 받는 환경에서는 명실 명암비가 유기발광 다이오드 표시장치의 제품성 및 신뢰성에 있어서 중요한 요소가 된다. 외부에서 사용되는 경우 태양과 같이 상대적으로 휘도가 매우 높은 외부광원(1)으로부터의 주변광(2)이 유기발광 다이오드 표시장치내에 입사되어 캐소드 전극(CAT)에 의해 반사될 수 있다. 반사된 빛은 유기 발광 층(OL)으로부터 발생하는 자발광(5)과 혼합되어 유기발광 다이오드 표시장치에서 구현하고자 하는 영상을 사용자가 올바르게 인식할 수 없도록 한다. 즉, 유기발광 다이오드 표시장치는 외부 광원(1)으로부터 발생한 주변광(2)의 세기에 따라 명실 명암비(Ambient Contrast Ratio, ACR)가 크게 감소할 수 있다. The organic light emitting diode display device can be used indoors as well as outside. In an environment affected by an external light source, the bright room contrast ratio is an important factor in the productivity and reliability of the organic light emitting diode display. The ambient light 2 from the external light source 1 having a relatively high luminance as in the sun can be incident on the organic light emitting diode display and be reflected by the cathode electrode CAT. The reflected light is mixed with the self light emission 5 generated from the organic light emitting layer OL so that the user can not correctly recognize the image to be implemented in the organic light emitting diode display device. That is, the organic light emitting diode display device can greatly reduce the Ambient Contrast Ratio (ACR) according to the intensity of the ambient light 2 generated from the external light source 1.

특히, 외부 광원(1)으로부터의 주변광(2)이 유기발광 다이오드 표시장치로 입사되는 경우 정반사가 아닌 난반사가 발생할 수 있다. 난반사된 산란광(4)들은 유기 발광 층(OL)으로부터 발생하는 자발광(5)을 방해한다. 자발광(5)을 방해하는 난반사의 주된 원인은 뱅크(BN)의 표면 굴곡을 따라 형성된 제2 전극(CAT)의 변곡부(INF)이다. In particular, when the ambient light 2 from the external light source 1 is incident on the organic light emitting diode display device, irregular reflection may occur instead of specular reflection. The scattered scattered light 4 interferes with the self-emission 5 generated from the organic light emitting layer OL. The main cause of the diffuse reflection which interferes with the self-emission 5 is the bent portion INF of the second electrode CAT formed along the surface curvature of the bank BN.

예를 들어, 도 5를 참조하면, 종래 유기발광 다이오드 표시장치의 변곡부(INF, 도 4)에 대해 45도 입사각(θ1, 도 4))을 갖는 주변광이 난반사 되는 범위를 보여준다. 대부분은 40~60도 범위의 반사각(θ2, 도 4)을 갖도록 반사되지만, 10~60도 범위 내의 모든 각도로 난반사 되는 산란광이 존재함을 알 수 있다. 특히, 30도 방향으로 난반사 되는 산란광이 상당히 존재한다. 네비게이션과 같이 차량의 중간부에 설치되고 좌우에 사용자가 위치하는 경우, 대략 30도 범위의 산란광은 사용자의 시야 범위 내에 있다. 따라서, 45도 측면에서 입사된 주변광이 사용자의 시야 범위 내로 난반사 된다. 이러한 난반사된 산란광은 유기발광 다이오드 표시장치의 명실 명암비를 더욱 저하시키고, 이에 따라 선명한 영상을 얻을 수 없게 하며, 제품성 및 신뢰성이 저감하는 문제점이 있다.For example, referring to FIG. 5, the ambient light having a 45-degree incident angle (? 1, FIG. 4) with respect to the inflection part INF of the conventional organic light emitting diode display device (FIG. Most of the light is reflected to have an angle of reflection (θ2, FIG. 4) in the range of 40 to 60 degrees, but scattered light is reflected at all angles in the range of 10 to 60 degrees. Particularly, there is considerably scattered light diffusely reflecting in the 30 degree direction. When installed in the middle of the vehicle, such as navigation, and positioned on the left and right, the scattered light in the range of approximately 30 degrees is within the user's field of view. Thus, ambient light incident at the 45 degrees side is diffusedly reflected within the user's field of view. Such diffusely scattered light further lowers the bright-room contrast ratio of the organic light-emitting diode display device, thereby making it impossible to obtain a clear image, and the productivity and reliability are reduced.

종래에는 이러한 문제점을 개선하기 위한 방법 중 하나로 저반사 특성 및 고 투과율을 갖는 편광판 또는 반사광 억제 필름 등을 사용한 경우가 있다. 편광판 등은 명실 명암비 특성을 향상시킬 수는 있으나 유기 발광 층에서 발광되는 자발광의 투과율을 감소시켜 표시장치의 휘도 저하 및 소비전력 증가를 야기한다. 또한, 편광판 등의 적용은 제조 비용이 증가하고, 별도의 추가공정이 필요하므로 공정 시간이 증가하는 문제점이 있다. Conventionally, as one of the methods for solving such problems, there has been used a polarizing plate or a reflection-reducing film having a low reflection characteristic and a high transmittance. The polarizing plate and the like can improve the contrast ratio characteristic of the bright room, but the transmittance of the self-luminescence emitted from the organic luminescent layer is reduced to cause a decrease in brightness and power consumption of the display device. In addition, application of a polarizing plate or the like increases the manufacturing cost and requires a separate additional process, which increases the process time.

본 발명의 목적은 상기 종래 기술에 의한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 명실 명암비 특성이 향상된 유기발광 다이오드 표시장치를 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an organic light emitting diode display device with improved bright room contrast characteristics.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는 기판, 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터와 연결된 제1 전극, 제1 전극의 일부와 중첩되도록 형성되어, 발광 영역과 비 발광 영역을 정의하는 뱅크, 제1 전극을 덮도록 형성된 유기 발광 층, 유기 발광 층을 덮도록 형성된 제2 전극 그리고 제2 전극 위에 형성되며, 발광 영역에 대응하여 배치된 광 반사 방지부와 비 발광 영역에 대응하여 배치된 광 투과부를 구비하는 광 조절 층을 포함한다.In order to achieve the above object, an organic light emitting diode display according to the present invention includes a substrate, a thin film transistor formed on the substrate, a first electrode connected to the thin film transistor, and a part of the first electrode, An organic light emitting layer formed to cover the first electrode, a second electrode formed to cover the organic light emitting layer, and a light reflection preventing portion formed on the second electrode and disposed corresponding to the light emitting region, And a light transmission layer disposed corresponding to the light transmission layer.

광 조절 층 하부에 형성된 제1 무기막 및 상기 광 조절 층 상부에 형성된 제2 무기막을 더 포함하고, 광 조절 층은 유기막이며, 광 반사 방지부는 유색이고, 광 투과부는 투명이다.A first inorganic film formed under the light control layer and a second inorganic film formed on the light control layer, wherein the light control layer is an organic film, the light reflection preventing portion is colored, and the light transmitting portion is transparent.

유기막은 감광성 유기 물질을 포함한다.The organic film includes a photosensitive organic material.

제2 전극과 광 조절 층 사이에 형성된 보호층을 더 포함하고, 광 반사 방지부는 일정 간격 이격하여 배치된 광 흡수 격벽 패턴을 포함한다.And a protective layer formed between the second electrode and the light control layer, wherein the light reflection preventing portion includes a light absorbing barrier rib pattern disposed at a predetermined interval.

광 흡수 격벽 패턴은 광 흡수 물질 및 광 반사 물질 중 적어도 어느 하나 이상을 포함한다.The light absorption barrier rib pattern includes at least one of a light absorbing material and a light reflecting material.

광 조절 층은 광 반사 방지부에 배치된 블랙 매트릭스를 포함한다.The light control layer includes a black matrix disposed in the light reflection preventing portion.

광 조절 층은 광 투과부에 배치된 렌즈를 포함한다.The light control layer includes a lens disposed in the light transmitting portion.

본 발명의 유기발광 다이오드 표시장치는 입사된 외부광을 흡수하도록 감광성 유기 물질을 포함하는 유기막을 형성함으로써 명실 명암비를 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명의 유기발광 다이오드 표시장치는 입사된 외부광을 흡수 및/또는 반사하도록 보호층 상에 광 흡수 격벽 패턴을 갖는 배리어 필름을 배치함으로써 명실 명암비를 향상시킬 수 있다. The organic light emitting diode display of the present invention can improve the bright room contrast ratio by forming an organic film including a photosensitive organic material to absorb incident external light. In addition, the organic light emitting diode display of the present invention can enhance the bright room contrast ratio by disposing the barrier film having the light absorption barrier rib pattern on the protective layer so as to absorb and / or reflect the incident external light.

본 발명의 유기발광 다이오드 표시장치는 입사된 외부광을 흡수하도록 비 발광 영역의 제2 전극 상에 블랙 매트릭스를 형성함으로써 명실 명암비를 향상시킬 수 있다. 또한, 발광 영역에 렌즈를 배치 또는 형성함으로써 시야각이 확장된 유기발광 다이오드 표시장치를 제공할 수 있다.The organic light emitting diode display device of the present invention can improve the bright room contrast ratio by forming a black matrix on the second electrode of the non-emission area to absorb incident external light. Further, it is possible to provide an organic light emitting diode display device having a wide viewing angle by arranging or forming a lens in a light emitting region.

본 발명의 유기발광 다이오드 표시장치는 외부광에 의한 반사 특성을 개선하기 위해 사용되는 편광판 또는 반사광 억제 필름 등의 적용이 요구되지 않는다. 따라서 편광판 등을 적용하기 위한 추가 공정이 필요하지 않으며, 편광판 등의 적용에 따른 투과율 저감 문제가 없다. INDUSTRIAL APPLICABILITY The organic light emitting diode display device of the present invention is not required to be applied to a polarizing plate or a reflection light suppressing film used for improving reflection characteristics by external light. Therefore, an additional process for applying a polarizing plate or the like is not required, and there is no problem of reduction in transmittance due to application of a polarizing plate or the like.

도 1은 종래기술에 의한 유기발광다이오드소자를 나타내는 도면이다.
도 2는 종래기술에 의한 액티브 매트릭스형 유기발광 다이오드 표시장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 등가 회로도.
도 3은 종래기술에 의한 액티브 매트릭스형 유기발광 다이오드 표시장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 평면도.
도 4는 도 3에서 절취선 I-I'로 자른 액티브 매트릭스형 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도.
도 5는 종래기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치에서 변곡부에 의해 주변광이 난반사 되는 범위를 나타내는 그래프이다.
도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타낸 단면도이다.
도 7은 도 6에서 유기막을 형성하는 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타낸 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타낸 단면도이다.1 is a view showing an organic light emitting diode device according to the prior art.
2 is an equivalent circuit diagram showing the structure of one pixel in an active matrix organic light emitting diode display device according to the related art.
3 is a plan view showing the structure of one pixel in an active matrix organic light emitting diode display device according to the related art.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing the structure of an active matrix organic light emitting diode display device cut along a perforated line I-I 'in FIG. 3;
FIG. 5 is a graph showing a range of diffused reflection of ambient light by the bent portion in the organic light emitting diode display according to the related art.
6 is a cross-sectional view illustrating a structure of an organic light emitting diode display device according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a view for explaining the process of forming an organic film in FIG.
8 is a cross-sectional view illustrating a structure of an organic light emitting diode display device according to a second embodiment of the present invention.
9 is a cross-sectional view illustrating a structure of an organic light emitting diode display device according to a third embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시 예들을 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호들은 실질적으로 동일한 구성 요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기술 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 이하의 설명에서 사용되는 구성요소 명칭은 명세서 작성의 용이함을 고려하여 선택된 것일 수 있는 것으로서, 실제 제품의 부품 명칭과는 상이할 수 있다. 여러 실시예들을 설명함에 있어서, 동일한 구성요소에 대하여는 제1 실시예에서 대표적으로 설명하고 다른 실시예에서는 생략될 수 있다.
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. Like reference numerals throughout the specification denote substantially identical components. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the following description, a detailed description of known technologies or configurations related to the present invention will be omitted when it is determined that the gist of the present invention may be unnecessarily obscured. In addition, the component names used in the following description may be selected in consideration of easiness of specification, and may be different from the parts names of actual products. In describing the various embodiments, the same constituent elements are exemplarily described in the first embodiment, and may be omitted in other embodiments.

<제1 실시예>&Lt; Embodiment 1 >

이하, 도 6 및 도 7을 참조하여, 본 발명의 제1 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치에 대하여 상세히 설명한다. 도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타낸 단면도이다. 도 7은 도 6에서 유기막을 형성하는 공정을 설명하기 위한 도면이다. Hereinafter, the organic light emitting diode display according to the first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 6 and 7. FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a structure of an organic light emitting diode display device according to a first embodiment of the present invention. FIG. 7 is a view for explaining the process of forming an organic film in FIG.

도 6을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에서 TFT(ST, DT) 부분은 종래 기술의 것과 큰 차이가 없다. TFT(ST, DT)는 도 3 및 도 4에서 나타낸 구조에 한정되는 것은 아니고 유기발광 다이오드 표시장치를 구동할 수 있는 구조라면 모두 포함될 수 있다. 제1 실시예의 핵심적인 특징은 유기막(PCL) 부분에 있다. 따라서, 유기막을 형성하는 공정을 설명하기 위한 도면인 도 7을 더 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 주요 특징을 설명한다. Referring to Fig. 6, the TFT (ST, DT) portion in the first embodiment of the present invention is not much different from the prior art. The TFTs ST and DT are not limited to the structures shown in FIGS. 3 and 4, and may include any structure that can drive the organic light emitting diode display device. The key feature of the first embodiment lies in the organic film (PCL) portion. Accordingly, main features of the organic light emitting diode display according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 7, which is a drawing for explaining a process of forming an organic film.

도 6을 참조하면, 기판(SUB)상에는 TFT(ST, DT), 데이터 배선(DL) 및 구동 전류 배선(VDL)이 형성된다. 보호막(PAS)은 TFT(ST, DT), 데이터 배선(DL) 및 구동 전류 배선(VDL)을 덮도록 기판(SUB) 전면에 형성된다. TFT(ST, DT) 및 배선(DL, VDL)들이 형성되어 단차가 있는 표면을 평탄하게 하기 위하여 보호막(PAS)의 상부에는 오버코트층(OC)이 기판(SUB) 전면에 형성된다. Referring to FIG. 6, TFTs (ST and DT), a data line DL and a driving current wiring VDL are formed on a substrate SUB. The passivation film PAS is formed on the entire surface of the substrate SUB so as to cover the TFTs ST and DT, the data line DL and the driving current line VDL. The overcoat layer OC is formed on the entire surface of the substrate SUB on the protection film PAS in order to flatten the stepped surface by forming the TFTs ST and DT and the wirings DL and VDL.

제1 전극(ANO)은 오버코트층(OC) 위에 다른 화소영역의 제1 전극(ANO)과 접촉하지 않도록 형성된다. 상부 발광형(Top Emission) 유기발광 다이오드 표시장치의 경우 제1 전극(ANO)은 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 은(Ag), 니켈(Ni), 구리(Cu) 등의 금속으로 이루어진 반사 전극으로 형성될 수 있고, 이들의 합금이나 산화물로도 형성될 수 있다. 제1 전극(ANO)은 애노드 전극이 될 수 있다. The first electrode ANO is formed so as not to contact the first electrode ANO of the other pixel region on the overcoat layer OC. In the case of a top emission organic light emitting diode display device, the first electrode ANO is made of a metal such as chromium (Cr), aluminum (Al), silver (Ag), nickel (Ni) Reflective electrode, or may be formed of an alloy or an oxide thereof. The first electrode ANO may be an anode electrode.

뱅크(BN)는 화소 영역의 발광 영역(AA)과 비 발광 영역(NA)을 구획하기 위해 제1 전극(ANO)의 가장자리와 중첩되고, TFT(ST, DT) 및 각종 배선(DL, VDL)들이 형성된 영역과 중첩되도록 형성된다. 뱅크(BN)에 의해 노출된 제1 전극(ANO) 영역은 발광 영역(AA)으로, 그리고 뱅크(BN)가 형성된 영역은 비 발광 영역(NA)으로 정의된다. The bank BN overlaps with the edge of the first electrode ANO to separate the light emitting region AA and the non-light emitting region NA of the pixel region and the TFTs ST and DT and the various wirings DL and VDL, Are formed so as to overlap with the regions where the electrodes are formed. The first electrode ANO region exposed by the bank BN is defined as the light emitting region AA and the region where the bank BN is formed is defined as the non-light emitting region NA.

유기 발광 층(OL)은 뱅크(BN)에 의해 노출된 제1 전극(ANO) 위에 형성된다. 유기 발광 층(OL)은 적어도 발광층(emission layer, EL)을 포함하며 정공 주입층(hole injection layer, HIL), 정공 수송층(hole transport layer, HTL), 전자 수송층(electron transport layer, ETL) 및 전자 주입층(electron injection layer, EIL) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. The organic light emitting layer OL is formed on the first electrode ANO exposed by the bank BN. The organic light emitting layer OL includes at least an emission layer EL and includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an electron transport layer (ETL) And an electron injection layer (EIL).

유기 발광 층(OL)은 적색, 녹색, 청색 중 어느 한 색을 발현하는 유기물질로 이루어져 각 화소별로 뱅크 사이에 도포 될 수 있다. 또한, 유기 발광 층(OL)은 백색광을 발현하는 유기물질로 이루어져 기판 전체 표면에 걸쳐 도포 될 수 있다. 이 경우 컬러 필터를 더 포함할 수 있다. 이하, 본 명세서에서는 편의상 유기 발광 층(OL)이 적색, 녹색, 청색 중 어느 한 색을 발현하는 유기물질로 이루어져 각 화소별로 뱅크 사이에 도포 된 구조로 설명한다. The organic light emitting layer OL is formed of an organic material that exhibits any one of red, green, and blue colors and can be applied between the banks for each pixel. The organic light emitting layer OL may be formed of an organic material that emits white light and may be applied over the entire surface of the substrate. In this case, a color filter may be further included. Hereinafter, for the sake of convenience, the organic light emitting layer OL is formed of an organic material that exhibits any one of red, green, and blue colors and is applied between the banks for each pixel.

유기 발광 층(OL) 위에는 제2 전극(CAT)이 형성되며, 제2 전극(CAT)은 기판(SUB) 전체 표면 위에 일체형으로 형성될 수 있다. 제2 전극(CAT)은 캐소드 전극이 될 수 있다. 이때, 상부 발광형 유기발광 다이오드 표시장치의 경우 유기 발광 층(OL)에서 발생한 자발광은 캐소드 전극을 통해 출광한다. A second electrode (CAT) may be formed on the organic light emitting layer OL and a second electrode (CAT) may be integrally formed on the entire surface of the substrate SUB. The second electrode (CAT) may be a cathode electrode. At this time, in the case of the top emission organic light emitting diode display, the self-emission generated in the organic light emitting layer OL exits through the cathode electrode.

제2 전극(CAT)은 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명도전물질로 형성될 수 있다. 또한, 제2 전극(CAT)이 ITO로만 형성되는 경우 대면적 디스플레이를 구현함에 있어서 면 저항이 높아지므로 금속물질로 형성될 수도 있다. 다만, 상부 발광형의 경우 제2 전극(CAT) 방향으로 자발광이 방출되어야 하므로 투명성이 확보될 수 있도록 얇은 두께로 형성됨이 바람직하다. 또한, 마이크로캐비티(micro-cavity) 구조를 적용하는 경우 제2 전극(CAT)은 투명도전물질과 얇은 금속층을 적층하여 반투명층으로 형성될 수도 있다. The second electrode (CAT) may be formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO). In addition, when the second electrode (CAT) is formed only of ITO, the surface resistance is increased in realizing a large-area display, so that it may be formed of a metal material. However, in the case of the top emission type, since the self-emission should be emitted in the direction of the second electrode (CAT), it is preferably formed to have a thin thickness so as to ensure transparency. In addition, when a micro-cavity structure is applied, the second electrode (CAT) may be formed as a translucent layer by laminating a transparent conductive material and a thin metal layer.

제2 전극(CAT)은 뱅크(BN)의 표면 굴곡에 따라 증착되고, 그 굴곡에 따라 변곡부(INF)가 형성된다. 변곡부(INF)는 곡면형상을 이루면서 단차가 생기는 부분으로 완만한 계단 형상인 것을 의미한다. The second electrode CAT is deposited in accordance with the surface bending of the bank BN, and the bent portion INF is formed in accordance with the bending. The bent portion INF means a stepped portion having a curved surface and a stepped portion.

제2 전극(CAT) 상에는 수분 및 산소로부터 박막 트랜지스터(ST, DT) 등의 구동 소자와 유기발광 다이오드(OLED) 등의 발광 소자를 보호하기 위해 보호층(PASSI)이 형성된다. 보호층(PASSI)은 제1 무기막(PAS1), 유기막(PCL), 제2 무기막(PAS2)을 포함한다. 제1 무기막(PAS1)과 제2 무기막(PAS2)은 무기절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx) 등으로 형성되어 수분 및 산소의 유입을 차단한다. A passivation layer PASSI is formed on the second electrode CAT to protect the driving elements such as the thin film transistors ST and DT and the light emitting elements such as the organic light emitting diode OLED from moisture and oxygen. The protective layer PASSI includes a first inorganic film PAS1, an organic film PCL, and a second inorganic film PAS2. A first inorganic film (PAS1) and the second inorganic film (PAS2) is formed with such a silicon oxide (SiO 2) or silicon nitride (SiNx) inorganic insulating material and blocks the inflow of water and oxygen.

유기막(PCL)은 posi type의 포토 아크릴(photo acryl)재료와 같은 감광성 유기 물질로 형성될 수 있다. 즉, 유기막(PCL)은 메타크릴레이트(methacrylates), 메틸 아크릴레이트(methyl acrylate), 2-에틸헥실 아크릴레이트(2-ethylhexyl acrylate), 부틸 아크릴레이트(butyl acrylate) 그리고 폴리 이미드(polyimide) 등과 같은 물질로 형성될 수 있다. 유기막(PCL)은 제1 무기막(PAS1)과 제2 무기막 (PAS2)사이에 개재된다. The organic layer (PCL) may be formed of a photosensitive organic material such as a posi type photo acryl material. That is, the organic layer (PCL) may include methacrylates, methyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, butyl acrylate, and polyimide. And the like. The organic film (PCL) is interposed between the first inorganic film (PAS1) and the second inorganic film (PAS2).

유기막(PCL)을 형성하는 감광성 유기 물질은 색을 띠고 있기 때문에 외부 광원으로부터의 주변광 및 변곡부(INF)로부터 난반사된 산란광을 흡수할 수 있다. 다만, 유기 발광 층(OL)으로부터의 자발광은 유기막(PCL)에 의해 흡수되지 않고 외부로 방출되어야 하므로, 발광 영역(AA)의 유기막(PCL)은 투명할 필요가 있다. 발광 영역(AA)의 유기막(PCL)을 투명하게 하기 위해, 발광 영역(AA)의 유기막(PCL)에는 노광 공정을 진행한다. 노광된 발광 영역(AA)의 유기막(PCL)은 투과율 95% 이상으로 투명하게 변환된다. Since the photosensitive organic material forming the organic layer (PCL) is colored, the scattered light can be absorbed from the ambient light from the external light source and the inflection part INF. However, since self-emission from the organic light emitting layer OL is not absorbed by the organic layer PCL but must be emitted to the outside, the organic layer PCL of the light emitting region AA needs to be transparent. In order to make the organic film PCL of the light emitting region AA transparent, the organic film PCL of the light emitting region AA is subjected to an exposure process. The organic film (PCL) of the exposed light emitting region AA is transparently converted to a transmittance of 95% or more.

더욱 자세하게는, 도 7을 참조하면, 색을 띠는 유기막(PCL) 중 발광 영역(AA) 부분을 투명하게 변환시키기 위해 마스크 공정을 이용할 수 있다. 마스크(MK)를 이용하여 발광 영역(AA)의 유기막(PCL)에 빛을 조사하는 노광 공정을 진행한다. 이때, 마스크(MK)는 발광 영역(AA)과 비 발광 영역(NA)을 정의하는 뱅크(BN, 도 6)를 형성할 때 사용한 마스크(MK)를 다시 사용할 수 있다. 노광 공정이 진행된 유기막(PCL)은 비 발광 영역(NA)의 색을 띠는 광 반사 방지부와 발광 영역(AA)의 투명한 광 투과부로 구분된다. More specifically, referring to FIG. 7, a mask process can be used to convert the portion of the luminescent region AA among the colored organic layers (PCL) transparently. The exposure process for irradiating the organic film PCL of the light emitting region AA with light is performed by using the mask MK. At this time, the mask MK can again use the mask MK used to form the bank BN (FIG. 6) defining the light emitting area AA and the non-light emitting area NA. The organic layer PCL having undergone the exposure process is divided into a light reflection preventing part having a color of the non-emission area NA and a transparent light transmission part of the emission area AA.

제1 실시예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는 색을 띠는 유기막(PCL)을 포함하는 보호층(PASSI)을 형성함으로써, 외부로부터의 주변광과 변곡부(INF)로부터 난반사된 산란광을 흡수할 수 있다. 이에 따라, 명실 명암비가 향상된 유기발광 다이오드 표시장치를 제공할 수 있다. 또한, 발광 영역(AA)의 유기막(PCL)과 비 발광 영역(NA)의 유기막(PCL)이 띠는 색을 달리함으로써, 비 발광 영역(NA)의 유기막(PCL)에서 주변광 및 산란광을 흡수할 수 있고, 발광 영역(AA)의 유기막(PCL)에서 유기 발광 층(OL)으로부터의 자발광을 투과할 수 있도록 한 유기발광 다이오드 표시장치를 제공할 수 있다. The organic light emitting diode display according to the first embodiment absorbs ambient light from the outside and scattered light diffusing from the inflection part INF by forming a protective layer (PASSI) including a colored organic film (PCL) can do. Accordingly, it is possible to provide an organic light emitting diode display device with improved bright room contrast ratio. The organic film PCL of the non-emission region NA differs from the organic film PCL of the non-emission region NA by different colors of the organic film PCL of the emission region AA and the organic film PCL of the non- It is possible to provide an organic light emitting diode display device capable of absorbing scattered light and transmitting self-emission from the organic light emitting layer OL in the organic film (PCL) of the light emitting region AA.

제1 실시예에서 유기막(PCL)은 선택적으로 빛을 흡수하거나 투과하는 광 조절 층으로써 기능을 하며, 광 조절 층은 광 반사 방지부와 광 투과부를 포함한다. 이때, 색을 띠는 유색 부분의 유기막(PCL)은 광 반사 방지부가 되어 주변광 및 산란광을 흡수하고, 투명화된 유기막(PCL) 부분은 광 투과부가 되어 자발광을 투과시킨다.
In the first embodiment, the organic layer (PCL) selectively functions as a light control layer that absorbs or transmits light, and the light control layer includes a light reflection preventing portion and a light transmitting portion. At this time, the colored organic layer (PCL) of the colored part absorbs the ambient light and the scattered light, and the transparent organic film (PCL) part becomes the light transmitting part and transmits the self light emission.

<제2 실시예>&Lt; Embodiment 2 >

이하, 도 8을 참조하여, 본 발명의 제2 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치에 대하여 상세히 설명한다. 도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타낸 단면도이다. 도 8을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에서 TFT(ST, DT) 부분은 종래 기술의 것과 큰 차이가 없다. TFT(ST, DT)는 도 3 및 도 4에서 나타낸 구조에 한정되는 것은 아니고 유기발광 다이오드 표시장치를 구동할 수 있는 구조라면 모두 포함될 수 있다. 제2 실시예의 핵심적인 특징은 배리어 필름(BAR) 부분에 있다.Hereinafter, an organic light emitting diode display device according to a second embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating a structure of an organic light emitting diode display device according to a second embodiment of the present invention. Referring to Fig. 8, the TFT (ST, DT) portion in the second embodiment of the present invention is not much different from the prior art. The TFTs ST and DT are not limited to the structures shown in FIGS. 3 and 4, and may include any structure that can drive the organic light emitting diode display device. A key feature of the second embodiment lies in the barrier film (BAR) portion.

도 8을 참조하면, 기판(SUB)상에는 TFT(ST, DT), 데이터 배선(DL) 및 구동 전류 배선(VDL)이 형성된다. 보호막(PAS)은 TFT(ST, DT), 데이터 배선(DL) 및 구동 전류 배선(VDL)을 덮도록 기판(SUB) 전면에 형성된다. TFT(ST, DT) 및 배선(DL, VDL)들이 형성되어 단차가 있는 표면을 평탄하게 하기 위하여 보호막(PAS)의 상부에는 오버코트층(OC)이 기판(SUB) 전면에 형성된다. Referring to FIG. 8, TFTs (ST, DT), a data line DL and a driving current wiring VDL are formed on a substrate SUB. The passivation film PAS is formed on the entire surface of the substrate SUB so as to cover the TFTs ST and DT, the data line DL and the driving current line VDL. The overcoat layer OC is formed on the entire surface of the substrate SUB on the protection film PAS in order to flatten the stepped surface by forming the TFTs ST and DT and the wirings DL and VDL.

제1 전극(ANO)은 오버코트층(OC) 위에 다른 화소영역의 제1 전극(ANO)과 접촉하지 않도록 형성된다. 상부 발광형(Top Emission) 유기발광 다이오드 표시장치의 경우 제1 전극(ANO)은 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 은(Ag), 니켈(Ni), 구리(Cu) 등의 금속으로 이루어진 반사 전극으로 형성될 수 있고, 이들의 합금이나 산화물로도 형성될 수 있다. 제1 전극(ANO)은 애노드 전극이 될 수 있다. The first electrode ANO is formed so as not to contact the first electrode ANO of the other pixel region on the overcoat layer OC. In the case of a top emission organic light emitting diode display device, the first electrode ANO is made of a metal such as chromium (Cr), aluminum (Al), silver (Ag), nickel (Ni) Reflective electrode, or may be formed of an alloy or an oxide thereof. The first electrode ANO may be an anode electrode.

뱅크(BN)는 화소영역의 발광영역과 비 발광영역을 구획하기 위해 제1 전극(ANO)의 가장자리와 중첩되고, 각종 배선(DL, VDL)들이 형성된 영역과 중첩되도록 형성된다. 뱅크(BN)에 의해 노출된 제1 전극(ANO) 영역은 발광 영역(AA)으로, 그리고 뱅크(BN)가 형성된 영역은 비 발광 영역(NA)으로 정의된다. The bank BN overlaps with the edge of the first electrode ANO in order to partition the light emitting region and the non-light emitting region of the pixel region and overlaps with the region where the various wirings DL and VDL are formed. The first electrode ANO region exposed by the bank BN is defined as the light emitting region AA and the region where the bank BN is formed is defined as the non-light emitting region NA.

유기 발광 층(OL)은 뱅크(BN)에 의해 노출된 제1 전극(ANO) 위에 형성된다. 유기 발광 층(OL)은 적어도 발광층(emission layer, EL)을 포함하며 정공 주입층(hole injection layer, HIL), 정공 수송층(hole transport layer, HTL), 전자 수송층(electron transport layer, ETL) 및 전자 주입층(electron injection layer, EIL) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. The organic light emitting layer OL is formed on the first electrode ANO exposed by the bank BN. The organic light emitting layer OL includes at least an emission layer EL and includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an electron transport layer (ETL) And an electron injection layer (EIL).

유기 발광 층(OL)은 적색, 녹색, 청색 중 어느 한 색을 발현하는 유기물질로 이루어져 각 화소별로 뱅크 사이에 도포 될 수 있다. 또한, 유기 발광 층(OL)은 백색광을 발현하는 유기물질로 이루어져 기판 전체 표면에 걸쳐 도포 될 수 있다. 이 경우 컬러 필터를 더 포함할 수 있다. 이하, 본 명세서에서는 편의상 유기 발광 층(OL)이 적색, 녹색, 청색 중 어느 한 색을 발현하는 유기물질로 이루어져 각 화소별로 뱅크 사이에 도포 된 구조로 설명한다. The organic light emitting layer OL is formed of an organic material that exhibits any one of red, green, and blue colors and can be applied between the banks for each pixel. The organic light emitting layer OL may be formed of an organic material that emits white light and may be applied over the entire surface of the substrate. In this case, a color filter may be further included. Hereinafter, for the sake of convenience, the organic light emitting layer OL is formed of an organic material that exhibits any one of red, green, and blue colors and is applied between the banks for each pixel.

유기 발광 층(OL) 위에는 제2 전극(CAT)이 형성되며, 제2 전극(CAT)은 기판(SUB) 전체 표면 위에 일체형으로 형성될 수 있다. 제2 전극(CAT)은 캐소드 전극이 될 수 있다. 이때, 상부 발광형 유기발광 다이오드 표시장치의 경우 유기 발광 층(OL)에서 발생한 자발광은 캐소드 전극을 통해 출광한다. A second electrode (CAT) may be formed on the organic light emitting layer OL and a second electrode (CAT) may be integrally formed on the entire surface of the substrate SUB. The second electrode (CAT) may be a cathode electrode. At this time, in the case of the top emission organic light emitting diode display, the self-emission generated in the organic light emitting layer OL exits through the cathode electrode.

제2 전극(CAT)은 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명도전물질로 형성될 수 있다. 또한, 제2 전극(CAT)이 ITO로만 형성되는 경우 대면적 디스플레이를 구현함에 있어서 면 저항이 높아지므로 금속물질로 형성될 수도 있다. 다만, 상부 발광형의 경우 제2 전극(CAT) 방향으로 자발광이 방출되어야 하므로 투명성이 확보될 수 있도록 얇은 두께로 형성됨이 바람직하다. 또한, 마이크로캐비티(micro-cavity) 구조를 적용하는 경우 제2 전극(CAT)은 투명도전물질과 얇은 금속층을 적층하여 반투명층으로 형성될 수도 있다. The second electrode (CAT) may be formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO). In addition, when the second electrode (CAT) is formed only of ITO, the surface resistance is increased in realizing a large-area display, so that it may be formed of a metal material. However, in the case of the top emission type, since the self-emission should be emitted in the direction of the second electrode (CAT), it is preferably formed to have a thin thickness so as to ensure transparency. In addition, when a micro-cavity structure is applied, the second electrode (CAT) may be formed as a translucent layer by laminating a transparent conductive material and a thin metal layer.

제2 전극(CAT)은 뱅크(BN)의 표면 굴곡에 따라 증착되고, 그 굴곡에 따라 변곡부(INF)가 형성된다. 변곡부(INF)는 곡면형상을 이루면서 단차가 생기는 부분으로 완만한 계단 형상인 것을 의미한다. The second electrode CAT is deposited in accordance with the surface bending of the bank BN, and the bent portion INF is formed in accordance with the bending. The bent portion INF means a stepped portion having a curved surface and a stepped portion.

제2 전극(CAT) 상에는 수분 및 산소로부터 박막 트랜지스터(ST, DT) 등의 구동 소자와 유기발광 다이오드(OLED) 등의 발광 소자를 보호하기 위해 보호층(PASSI)이 형성된다. 보호층(PASSI)은 제1 무기막(PAS1), 유기막(PCL), 제2 무기막(PAS2)을 포함한다. 제1 무기막(PAS1)과 제2 무기막(PAS2)은 무기절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx) 등으로 형성되어 수분 및 산소의 유입을 차단한다. 유기막(PCL)은 폴리머(polymer)와 같은 유기 물질로 형성되며, 제1 무기막(PAS1)과 제2 무기막(PAS2) 사이에 개재된다. 제2 무기막(PAS2)은 유기막(PCL)을 완전히 덮도록 형성된다. 도 8에서의 보호층(PASSI)은 제1 무기막(PAS1), 유기막(PCL), 제2 무기막(PAS2)을 포함하는 것으로 예시하고 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 내부 소자를 수분 및 산소로부터 보호할 수 있는 구조라면 모두 포함될 수 있다. 즉, 보호층(PASSI)은 수분 및 산소의 침투를 차단하기 위해 적어도 하나 이상의 무기막을 포함할 수 있으며, 다수의 무기막 적층 구조이거나, 하나 이상의 무기막과 유기막을 포함하는 적층 구조일 수 있다. 보호층(PASSI)이 유기막을 포함하는 경우, 유기막 상에 형성되는 무기막은 유기막을 덮도록 형성되는 것이 바람직하다. 무기막을 유기막의 가장자리를 덮도록 형성함으로써 외부로부터 유기막을 따라 결함이나 수분이 내부 소자로 침투되는 것을 미연에 차단시킬 수 있다.A passivation layer PASSI is formed on the second electrode CAT to protect the driving elements such as the thin film transistors ST and DT and the light emitting elements such as the organic light emitting diode OLED from moisture and oxygen. The protective layer PASSI includes a first inorganic film PAS1, an organic film PCL, and a second inorganic film PAS2. A first inorganic film (PAS1) and the second inorganic film (PAS2) is formed with such a silicon oxide (SiO 2) or silicon nitride (SiNx) inorganic insulating material and blocks the inflow of water and oxygen. The organic layer PCL is formed of an organic material such as a polymer, and is interposed between the first inorganic layer PAS1 and the second inorganic layer PAS2. The second inorganic film PAS2 is formed so as to completely cover the organic film PCL. The protective layer PASSI in FIG. 8 includes the first inorganic film PAS1, the organic film PCL, and the second inorganic film PAS2. However, the present invention is not limited thereto, And the like. That is, the protective layer (PASSI) may include at least one inorganic film to block the penetration of water and oxygen, and may be a laminated structure including a plurality of inorganic film laminated structures or at least one inorganic film and an organic film. When the protective layer (PASSI) includes an organic film, the inorganic film formed on the organic film is preferably formed so as to cover the organic film. By forming the inorganic film so as to cover the edge of the organic film, defects or moisture can be prevented from penetrating the organic film along the organic film from the outside.

보호층(PASSI)이 형성된 상부에는 보호층(PASSI)을 덮도록 배리어 필름(BAR)이 배치된다. 배리어 필름(BAR)은 사이클로올레핀폴리머(cycloolefin polymer; COP)나 PET 폴리머(PET polymer)등과 같은 재료의 베이스 층과 점착층으로 이루어질 수 있다. 베이스 층의 재료는 이에 한정되지 않으며, 포토 패턴이 가능하고, 수분 및 산소로부터 소자를 보호할 수 있는 재료라면 사용될 수 있다. A barrier film (BAR) is disposed on the upper portion where the protective layer (PASSI) is formed to cover the protective layer (PASSI). The barrier film (BAR) may be composed of a base layer and an adhesive layer of a material such as a cycloolefin polymer (COP) or a PET polymer. The material of the base layer is not limited thereto, and any material that can protect the device from moisture and oxygen can be used as the photopattern.

배리어 필름(BAR)은 일정 간격 이격하여 배치된 광 흡수 격벽 패턴(ABL)을 포함한다. 즉, 배리어 필름(BAR)은 마스크 공정을 진행하여 광 흡수 격벽 패턴(ABL)을 갖도록 형성할 수 있다. 광 흡수 격벽 패턴(ABL)은 외부로부터의 주변광을 흡수 및/또는 반사시켜 주변광에 의한 변곡부(INF)에서의 난반사를 최소화시킬 수 있다. 예를 들어, 광 흡수 격벽 패턴(ABL)으로 입사된 주변광의 대부분은 광 흡수 격벽 패턴(ABL)에 의해 흡수되고, 일부 흡수되지 않은 주변광은 반사되어 인접하는 광 흡수 격벽 패턴(ABL)에 의해 흡수된다. 이에 따라, 주변광이 변곡부(INF)로 입사하는 것을 최소화할 수 있다. The barrier film (BAR) includes a light absorbing barrier rib pattern (ABL) arranged at a constant spacing. That is, the barrier film BAR can be formed to have the light absorption barrier rib pattern ABL by performing the mask process. The light absorbing barrier rib pattern ABL absorbs and / or reflects ambient light from outside, thereby minimizing irregular reflection at the inflection part INF due to ambient light. For example, most of the ambient light incident on the light absorbing barrier rib pattern ABL is absorbed by the light absorbing barrier rib pattern ABL, and the partially unabsorbed ambient light is reflected by the adjacent light absorbing barrier rib pattern ABL Absorbed. Thus, it is possible to minimize the incidence of ambient light into the inflection part INF.

광 흡수 격벽 패턴(ABL)은 외부에서 들어오는 주변광을 흡수할 수 있는 광 흡수 물질 및/또는 주변광을 반사할 수 있는 광 반사 물질을 포함한다. 즉, 광 흡수 격벽 패턴(ABL)은 주변광을 반사할 수 있는 물질로 산화 티타늄(TiO2), 산화 마그네슘(MgO), 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 실리콘(SiO2), 산화 지르코늄(ZrO2) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있고, 주변광을 흡수할 수 있는 물질로 카본 블랙(carbon black), 탄소나노튜브(CNT), 흑연(graphite), 그래핀(graphene) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. The light absorbing barrier rib pattern ABL includes a light absorbing material capable of absorbing ambient light entering from the outside and / or a light reflecting material capable of reflecting ambient light. That is, the light absorbing barrier rib pattern ABL is formed of a material capable of reflecting ambient light, such as titanium oxide (TiO 2 ), magnesium oxide (MgO), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), silicon oxide (SiO 2 ) (ZrO 2 ), and may include at least one of carbon black, carbon nanotube (CNT), graphite, and graphene as a material capable of absorbing ambient light. Or more.

예를 들어, 단일의 광 흡수 격벽 패턴(ABL)에 산화 티타늄(TiO2, 광 반사 물질) 및 카본 블랙(carbon black, 광 흡수 물질)이 모두 포함되는 경우에는, 산화 티타늄(TiO2)의 함량은 30~50%, 카본 블랙(carbon black)의 함량은 50~70%가 바람직할 수 있다. 또한, 단일의 광 흡수 격벽 패턴(ABL)에 산화 티타늄(TiO2) 또는 카본 블랙(carbon black) 중 어느 하나의 물질이 포함되는 경우에는, 인접하는 광 흡수 격벽 패턴(ABL) 각각에 서로 다른 물질을 포함하도록 하여, 산화 티타늄(TiO2) 또는 카본 블랙(carbon black)을 포함하는 각각의 광 흡수 격벽 패턴(ABL)이 교번하여 배열되도록 할 수 있다. For example, when titanium oxide (TiO 2 , light reflecting material) and carbon black (light absorbing material) are all contained in a single light absorbing barrier rib pattern ABL, the content of titanium oxide (TiO 2 ) The content of carbon black may be preferably 30 to 50%, and the content of carbon black may be preferably 50 to 70%. In the case where any one of titanium oxide (TiO 2 ) or carbon black is included in a single light absorbing barrier rib pattern ABL, So that the respective light absorption barrier rib patterns ABL including titanium oxide (TiO 2 ) or carbon black can be alternately arranged.

광 흡수 격벽 패턴(ABL)은 적어도 제2 전극(CAT)의 변곡부(INF)를 덮도록 비 발광 영역(NA)의 배리어 필름(BAR)에만 형성될 수 있다. 필요에 따라서는, 발광 영역(AA)을 포함한 배리어 필름(BAR) 전체에 연장되어 형성될 수도 있다. 이때, 인접하는 광 흡수 격벽 패턴(ABL) 사이의 폭(w)은 외부 광원으로부터의 주변광의 흡수율과 유기 발광 층(OL)으로부터의 자발광의 투과율을 고려하여 설계될 수 있다. The light absorption barrier rib pattern ABL may be formed only in the barrier film BAR of the non-emission region NA so as to cover at least the bent portion INF of the second electrode CAT. And may be formed extending over the entire barrier film (BAR) including the light emitting region AA, if necessary. At this time, the width w between the adjacent light absorption barrier rib patterns ABL can be designed in consideration of the absorption rate of the ambient light from the external light source and the transmittance of the self light emission from the organic light emitting layer OL.

예를 들어, 인접하는 광 흡수 격벽 패턴(ABL) 사이의 폭(w)이 좁은 경우에는, 주변광의 흡수율이 높아 변곡부(INF)에서의 난반사를 줄일 수 있으나 자발광의 투과율이 줄어들 수 있다. 또한, 인접하는 광 흡수 격벽 패턴(ABL) 사이의 폭(w)이 넓은 경우에는, 자발광의 투과율을 증가시킬 수는 있으나, 주변광의 흡수율이 줄어들 수 있다. 따라서, 설계자의 의도에 따라 적절하게 설계할 필요가 있다. 이를 고려하여 인접하는 광 흡수 격벽 패턴(ABL) 사이의 폭(w)은 10~20㎛가 바람직하다. For example, when the width w between the adjacent light absorbing barrier rib patterns ABL is narrow, the diffused reflection at the inflection part INF can be reduced because the absorption rate of the ambient light is high, but the transmittance of the self light emission can be reduced. In addition, when the width w between adjacent light absorbing barrier rib patterns ABL is wide, the transmittance of the self-luminescence can be increased, but the absorption rate of the ambient light can be reduced. Therefore, it is necessary to appropriately design according to the designer's intention. In consideration of this, the width w between the adjacent light absorption barrier rib patterns ABL is preferably 10 to 20 mu m.

광 흡수 격벽 패턴(ABL)의 두께(t)는 배리어 필름(BAR)의 두께와 동일할 수 있다. 즉, 일반적인 배리어 필름(BAR)의 두께인 대략 100㎛의 두께를 갖도록 형성될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 광 흡수 격벽 패턴(ABL)의 두께(t)는 입사되는 주변광의 흡수율을 고려하여 정해질 수 있다. The thickness t of the light absorption barrier rib pattern ABL may be equal to the thickness of the barrier film BAR. That is, it may be formed to have a thickness of about 100 mu m which is the thickness of a general barrier film (BAR). However, the present invention is not limited thereto, and the thickness t of the light absorption barrier rib pattern ABL can be determined in consideration of the absorption rate of incident ambient light.

제2 실시예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는 광 흡수 격벽 패턴(ABL)에 의해 외부로부터의 주변광을 흡수함으로써, 명실 명암비가 저하되는 것을 억제하면서 동시에 유기 발광 층(OL)으로부터의 자발광의 손실을 최소화하여 외부로 방출시킬 수 있다. The organic light emitting diode display according to the second embodiment absorbs ambient light from the outside by the light absorbing barrier rib pattern ABL, thereby suppressing the decrease of the bright room contrast ratio, and at the same time, The loss can be minimized and released to the outside.

제2 실시예에서 배리어 필름(BAR)은 빛을 선택적으로 투과하거나 흡수하는 광 조절 층으로써 기능을 하며, 광 조절 층은 광 반사 방지부와 광 투과부를 포함한다. 이때, 광 흡수 격벽 패턴(ABL)은 비 발광 영역(AA)에 대응하는 광 반사 방지부 상에만 형성될 수 있으며, 필요에 따라서는 비 발광 영역(NA)에 대응하는 광 투과부에 연장되어 형성될 수 있다.
In the second embodiment, the barrier film (BAR) functions as a light control layer selectively transmitting or absorbing light, and the light control layer includes a light reflection preventing portion and a light transmitting portion. At this time, the light absorbing partition wall pattern ABL may be formed only on the light reflection preventing portion corresponding to the non-light emitting region AA, and may be formed to extend to the light transmitting portion corresponding to the non- .

<제3 실시예>&Lt; Third Embodiment >

이하, 도 9를 참조하여, 본 발명의 제3 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치에 대하여 상세히 설명한다. 도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타낸 단면도이다. 도 9를 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에서 TFT(ST, DT) 부분은 종래 기술의 것과 큰 차이가 없다. TFT(ST, DT)는 도 3 및 도 4에서 나타낸 구조에 한정되는 것은 아니고 유기발광 다이오드 표시장치를 구동할 수 있는 구조라면 모두 포함될 수 있다. 제3 실시예의 핵심적인 특징은 블랙 매트릭스(BM) 부분에 있다.Hereinafter, an organic light emitting diode display device according to a third embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a structure of an organic light emitting diode display device according to a third embodiment of the present invention. Referring to Fig. 9, the TFT (ST, DT) portion in the third embodiment of the present invention is not much different from that of the prior art. The TFTs ST and DT are not limited to the structures shown in FIGS. 3 and 4, and may include any structure that can drive the organic light emitting diode display device. A key feature of the third embodiment lies in the black matrix (BM) portion.

도 9를 참조하면, 기판(SUB)상에는 TFT(ST, DT), 데이터 배선(DL) 및 구동 전류 배선(VDL)이 형성된다. 보호막(PAS)은 TFT(ST, DT), 데이터 배선(DL) 및 구동 전류 배선(VDL)을 덮도록 기판(SUB) 전면에 형성된다. TFT(ST, DT) 및 배선(DL, VDL)들이 형성되어 단차가 있는 표면을 평탄하게 하기 위하여 보호막(PAS)의 상부에는 오버코트층(OC)이 기판(SUB) 전면에 형성된다. Referring to Fig. 9, on the substrate SUB, TFTs (ST, DT), a data line DL and a drive current wiring VDL are formed. The passivation film PAS is formed on the entire surface of the substrate SUB so as to cover the TFTs ST and DT, the data line DL and the driving current line VDL. The overcoat layer OC is formed on the entire surface of the substrate SUB on the protection film PAS in order to flatten the stepped surface by forming the TFTs ST and DT and the wirings DL and VDL.

제1 전극(ANO)은 오버코트층(OC) 위에 다른 화소영역의 제1 전극(ANO)과 접촉하지 않도록 형성된다. 상부 발광형(Top Emission) 유기발광 다이오드 표시장치의 경우 제1 전극(ANO)은 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 은(Ag), 니켈(Ni), 구리(Cu) 등의 금속으로 이루어진 반사 전극으로 형성될 수 있고, 이들의 합금이나 산화물로도 형성될 수 있다. 제1 전극(ANO)은 애노드 전극이 될 수 있다. The first electrode ANO is formed so as not to contact the first electrode ANO of the other pixel region on the overcoat layer OC. In the case of a top emission organic light emitting diode display device, the first electrode ANO is made of a metal such as chromium (Cr), aluminum (Al), silver (Ag), nickel (Ni) Reflective electrode, or may be formed of an alloy or an oxide thereof. The first electrode ANO may be an anode electrode.

뱅크(BN)는 화소영역의 발광영역과 비 발광영역을 구획하기 위해 제1 전극(ANO)의 가장자리와 중첩되고, 각종 배선(DL, VDL)들이 형성된 영역과 중첩되도록 형성된다. 뱅크(BN)에 의해 노출된 제1 전극(ANO) 영역은 발광 영역(AA)으로, 그리고 뱅크(BN)가 형성된 영역은 비 발광 영역(NA)으로 정의된다. The bank BN overlaps with the edge of the first electrode ANO in order to partition the light emitting region and the non-light emitting region of the pixel region and overlaps with the region where the various wirings DL and VDL are formed. The first electrode ANO region exposed by the bank BN is defined as the light emitting region AA and the region where the bank BN is formed is defined as the non-light emitting region NA.

유기 발광 층(OL)은 뱅크(BN)에 의해 노출된 제1 전극(ANO) 위에 형성된다. 유기 발광 층(OL)은 적어도 발광층(emission layer, EL)을 포함하며 정공 주입층(hole injection layer, HIL), 정공 수송층(hole transport layer, HTL), 전자 수송층(electron transport layer, ETL) 및 전자 주입층(electron injection layer, EIL) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. The organic light emitting layer OL is formed on the first electrode ANO exposed by the bank BN. The organic light emitting layer OL includes at least an emission layer EL and includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an electron transport layer (ETL) And an electron injection layer (EIL).

유기 발광 층(OL)은 적색, 녹색, 청색 중 어느 한 색을 발현하는 유기물질로 이루어져 각 화소별로 뱅크 사이에 도포 될 수 있다. 또한, 유기 발광 층(OL)은 백색광을 발현하는 유기물질로 이루어져 기판 전체 표면에 걸쳐 도포 될 수 있다. 이 경우 컬러 필터를 더 포함할 수 있다. 이하, 본 명세서에서는 편의상 유기 발광 층(OL)이 적색, 녹색, 청색 중 어느 한 색을 발현하는 유기물질로 이루어져 각 화소별로 뱅크 사이에 도포 된 구조로 설명한다. The organic light emitting layer OL is formed of an organic material that exhibits any one of red, green, and blue colors and can be applied between the banks for each pixel. The organic light emitting layer OL may be formed of an organic material that emits white light and may be applied over the entire surface of the substrate. In this case, a color filter may be further included. Hereinafter, for the sake of convenience, the organic light emitting layer OL is formed of an organic material that exhibits any one of red, green, and blue colors and is applied between the banks for each pixel.

유기 발광 층(OL) 위에는 제2 전극(CAT)이 형성되며, 제2 전극(CAT)은 기판(SUB) 전체 표면 위에 일체형으로 형성될 수 있다. 제2 전극(CAT)은 캐소드 전극이 될 수 있다. 이때, 상부 발광형 유기발광 다이오드 표시장치의 경우 유기 발광 층(OL)에서 발생한 자발광은 캐소드 전극을 통해 출광한다. A second electrode (CAT) may be formed on the organic light emitting layer OL and a second electrode (CAT) may be integrally formed on the entire surface of the substrate SUB. The second electrode (CAT) may be a cathode electrode. At this time, in the case of the top emission organic light emitting diode display, the self-emission generated in the organic light emitting layer OL exits through the cathode electrode.

제2 전극(CAT)은 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명도전물질로 형성될 수 있다. 또한, 제2 전극(CAT)이 ITO로만 형성되는 경우 대면적 디스플레이를 구현함에 있어서 면 저항이 높아지므로 금속물질로 형성될 수도 있다. 다만, 상부 발광형의 경우 제2 전극(CAT) 방향으로 자발광이 방출되어야 하므로 투명성이 확보될 수 있도록 얇은 두께로 형성됨이 바람직하다. 또한, 마이크로캐비티(micro-cavity) 구조를 적용하는 경우 제2 전극(CAT)은 투명도전물질과 얇은 금속층을 적층하여 반투명층으로 형성될 수도 있다. The second electrode (CAT) may be formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO). In addition, when the second electrode (CAT) is formed only of ITO, the surface resistance is increased in realizing a large-area display, so that it may be formed of a metal material. However, in the case of the top emission type, since the self-emission should be emitted in the direction of the second electrode (CAT), it is preferably formed to have a thin thickness so as to ensure transparency. In addition, when a micro-cavity structure is applied, the second electrode (CAT) may be formed as a translucent layer by laminating a transparent conductive material and a thin metal layer.

제2 전극(CAT)은 뱅크(BN)의 표면 굴곡에 따라 증착되고, 그 굴곡에 따라 변곡부(INF)가 형성된다. 변곡부(INF)는 곡면형상을 이루면서 단차가 생기는 부분으로 완만한 계단 형상인 것을 의미한다. The second electrode CAT is deposited in accordance with the surface bending of the bank BN, and the bent portion INF is formed in accordance with the bending. The bent portion INF means a stepped portion having a curved surface and a stepped portion.

비 발광 영역(NA)의 제2 전극(CAT) 상에는 블랙 매트릭스(BM)가 형성된다. 블랙 매트릭스(BM)는 크롬(Chromium), 산화 크롬(Chromium Oxide), 혹은 질화 크롬(Chromium Nitride)과 같은 유기 고분자 물질로 빛 반사율이 0에 가까운 물질을 포함하는 것이 바람직하다. 블랙 매트릭스(BM)는 적어도 제2 전극(CAT)의 변곡부(INF)를 덮도록 형성되어 외부로부터의 주변광을 흡수한다. 이에 따라, 주변광에 의한 변곡부(INF)에서의 난반사를 최소화시켜 명실 명암비를 개선한 유기발광 다이오드 표시장치를 제공할 수 있다. A black matrix BM is formed on the second electrode CAT of the non-emission region NA. The black matrix BM is preferably an organic polymer material such as chromium, chromium oxide, or chromium nitride and includes a material having a light reflectance close to zero. The black matrix BM is formed so as to cover at least the bent portion INF of the second electrode CAT and absorbs ambient light from the outside. Accordingly, it is possible to provide an organic light emitting diode display device in which irregular reflection at the inflection part INF by the ambient light is minimized to improve the bright room contrast ratio.

제3 실시예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는 제2 전극(CAT) 상에 블랙 매트릭스(BM)를 형성함으로써, 외부로부터의 주변광 반사를 방지하기 위한 별도의 편광판 또는 컬러 필터를 배치할 필요가 없다. 이에 따라, 공정의 단순화를 도모할 수 있다. 또한, 컬러 필터를 형성함으로써 발생할 수 있는 발광 영역(AA)과의 정렬(align) 문제가 없다. In the organic light emitting diode display device according to the third embodiment, it is necessary to dispose a separate polarizing plate or color filter for preventing reflection of ambient light from outside by forming a black matrix (BM) on the second electrode (CAT) none. As a result, the process can be simplified. Further, there is no alignment problem with the light emitting area AA that can be generated by forming the color filter.

블랙 매트릭스(BM)가 제2 전극(CAT)의 변곡부(INF)를 덮도록 형성되는 경우, 자발광의 발산 범위가 줄어들어 시야각이 좁아지는 문제가 발생할 수 있다. 이를 해결하기 위해 블랙 매트릭스(BM)가 형성되지 않은 발광 영역(AA)의 제2 전극(CAT) 상에는 렌즈(LNS)가 배치(또는 형성)될 수 있다. 렌즈(LNS)는 렌티 큘러 형, 피라미드 형, 반구 형, 프리즘 형, 타원 형 등의 형상을 가질 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 제3 실시예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는 렌즈(LNS)를 포함하여 더 넓은 시야각을 확보할 수 있는 표시장치를 제공할 수 있다. When the black matrix BM is formed so as to cover the curved portion INF of the second electrode CAT, the divergence range of the self-emission may be reduced and the viewing angle may be reduced. In order to solve this problem, the lens LNS may be disposed (or formed) on the second electrode CAT of the light emitting area AA where the black matrix BM is not formed. The lens LNS may have a lenticular shape, a pyramidal shape, a hemispherical shape, a prism shape, an elliptical shape, or the like. Accordingly, the organic light emitting diode display device according to the third embodiment of the present invention can provide a display device including a lens (LNS) that can secure a wider viewing angle.

제3 실시예에서 블랙 매트릭스(BM)는 빛을 선택적으로 투과하거나 흡수하는 광 조절 층으로써 기능을 하며, 광 조절 층은 광 반사 방지부와 광 투과부를 포함한다. 이때, 블랙 매트릭스(BM)는 비 발광 영역(NA)에 대응하는 광 반사 방지부에만 형성된다. 또한, 시야각을 확장시키기 위해 발광 영역(AA)에 대응하는 광 투과부에는 렌즈(LNS)가 배치될 수 있다.
In the third embodiment, the black matrix BM functions as a light control layer selectively transmitting or absorbing light, and the light control layer includes a light reflection preventing portion and a light transmitting portion. At this time, the black matrix BM is formed only in the light reflection preventing portion corresponding to the non-light emitting region NA. Further, a lens LNS may be disposed in the light transmitting portion corresponding to the light emitting region AA to extend the viewing angle.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양하게 변경 및 수정할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정해져야만 할 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

AA : 발광 영역 NA : 비 발광 영역
ANO : 제1 전극 OL : 유기 발광 층
CAT : 제2 전극 OLED : 유기발광 다이오드
INF : 변곡부 PAS1 : 제1 무기막
PCL : 유기막 PAS2 : 제2 무기막
BAR : 배리어 필름 ABL : 광 흡수 격벽 패턴
BM : 블랙 매트릭스 LNS : 렌즈AA: light emitting region NA: non-light emitting region
ANO: first electrode OL: organic light emitting layer
CAT: second electrode OLED: organic light emitting diode
INF: Inflection part PAS1: First inorganic film
PCL: organic film PAS2: second inorganic film
BAR: Barrier film ABL: Light absorbing barrier rib pattern
BM: Black Matrix LNS: Lens

Claims (7)

기판;
상기 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터와 연결된 제1 전극;
상기 제1 전극의 일부와 중첩되도록 형성되어, 발광 영역과 비 발광 영역을 정의하는 뱅크;
상기 제1 전극을 덮도록 형성된 유기 발광 층;
상기 유기 발광 층을 덮도록 형성된 제2 전극; 및
상기 제2 전극 위에 형성되며, 상기 발광 영역에 대응하여 배치된 광 반사 방지부와 상기 비 발광 영역에 대응하여 배치된 광 투과부를 구비하는 광 조절 층을 포함하는 유기발광 다이오드 표시장치.Board;
A thin film transistor formed on the substrate;
A first electrode connected to the thin film transistor;
A bank formed to overlap a part of the first electrode and defining a light emitting region and a non-light emitting region;
An organic light emitting layer formed to cover the first electrode;
A second electrode formed to cover the organic light emitting layer; And
And a light control layer formed on the second electrode and including a light reflection preventing portion disposed corresponding to the light emitting region and a light transmitting portion disposed corresponding to the non-light emitting region. 제 1 항에 있어서,
상기 광 조절 층 하부에 형성된 제1 무기막 및 상기 광 조절 층 상부에 형성된 제2 무기막을 더 포함하고,
상기 광 조절 층은 유기막이며, 상기 광 반사 방지부는 유색이고, 상기 광 투과부는 투명인 유기발광 다이오드 표시장치.The method according to claim 1,
Further comprising a first inorganic film formed under the light control layer and a second inorganic film formed on the light control layer,
Wherein the light control layer is an organic layer, the light reflection preventing portion is colored, and the light transmitting portion is transparent. 제 2 항에 있어서,
상기 유기막은 감광성 유기 물질을 포함하는 유기발광 다이오드 표시장치.3. The method of claim 2,
Wherein the organic layer comprises a photosensitive organic material. 제 1 항에 있어서,
상기 제2 전극과 상기 광 조절 층 사이에 형성된 보호층을 더 포함하고,
상기 광 반사 방지부는 일정 간격 이격하여 배치된 광 흡수 격벽 패턴을 포함하는 유기발광 다이오드 표시장치.The method according to claim 1,
Further comprising a protective layer formed between the second electrode and the light control layer,
Wherein the light reflection preventing portion includes a light absorption barrier rib pattern disposed at a predetermined interval. 제 4 항에 있어서,
상기 광 흡수 격벽 패턴은 광 흡수 물질 및 광 반사 물질 중 적어도 어느 하나 이상을 포함하는 유기발광 다이오드 표시장치.5. The method of claim 4,
Wherein the light absorption barrier rib pattern includes at least one of a light absorbing material and a light reflecting material. 제 1 항에 있어서,
상기 광 조절 층은 상기 광 반사 방지부에 배치된 블랙 매트릭스를 포함하는 유기발광 다이오드 표시장치.The method according to claim 1,
Wherein the light control layer includes a black matrix disposed in the light reflection preventing portion. 제 6 항에 있어서,
상기 광 조절 층은 상기 광 투과부에 배치된 렌즈를 포함하는 유기발광 다이오드 표시장치.The method according to claim 6,
Wherein the light control layer comprises a lens disposed on the light transmitting portion.
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