KR20160025681A - Method of fabricating the light extraction structure and the organic light emitting diode including the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 광산란층의 제조 방법 및 이를 포함하는 유기발광소자에 관한 것이다. The present invention relates to a method of manufacturing a light scattering layer and an organic light emitting device including the same.
최근 휴대폰, 노트북 등의 전자 제품 및 조명 장치에서 제품의 경량화, 소형화 및 저렴한 가격에 대한 요구가 증가하고 있다. 이러한 요구를 총족시키기 위해서 전자 제품 및 조명 장치 내에 장착된 디스플레이 장치 및 발광 장치로써, 유기 발광 소자가 주목 받고 있다. 특히, 유기발광소자는 저전압 구동성, 경량, 및 저비용이라는 장점을 가지고 있어서, 전자 제품 및 조명 장치 내에 활용도가 높다.2. Description of the Related Art In recent years, there has been an increasing demand for lighter, smaller, and less expensive products in electronic products and lighting devices such as mobile phones and notebooks. Organic light emitting devices have been attracting attention as display devices and light emitting devices mounted in electronic products and lighting devices to meet these demands. In particular, organic light emitting devices have advantages of low voltage driving, light weight, and low cost, and thus are highly utilized in electronic products and lighting devices.
최근, 유기발광소자의 발광 효율을 높이는 것에 대한 연구들이 이루어지고 있다. 특히, 유기 발광 소자 내부에서 손실되는 빛을 외부로 추출하여 더 낮은 전압에서도 높은 발광 효율을 갖도록 하는 것에 대한 다양한 연구들이 수행되고 있다.BACKGROUND ART [0002] In recent years, studies have been made to improve the luminous efficiency of an organic light emitting device. In particular, various studies have been conducted on extracting light, which is lost in the organic light emitting device, to the outside to have a high luminous efficiency even at a lower voltage.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 공정이 보다 간소화된 광산란층의 제조 방법을 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a light scattering layer having a simpler process.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 광산란층을 포함하는 유기발광소자를 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide an organic light emitting device including a light scattering layer.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
본 발명의 실시예에 따른 광산란층의 제조 방법은 기판의 제 1 면 상에 나노 구조체를 도포하는 것, 및 상기 나노 구조체를 식각 마스크로 사용하여 상기 나노 구조체에 노출된 상기 기판을 식각하여 상기 기판의 상기 제 1 면이 리세스되어 상기 기판의 상기 제 1 면으로부터 돌출된 제 1 격벽들을 형성하는 것을 포함한다.A method of fabricating a light scattering layer according to an embodiment of the present invention includes: applying a nanostructure on a first surface of a substrate; and etching the substrate exposed to the nanostructure using the nanostructure as an etching mask, Wherein the first side of the substrate is recessed to form first bulkheads protruding from the first side of the substrate.
본 발명의 실시예에 따른 광산란층의 제조 방법은 기판 상에 나노 구조체를 도포하는 것, 상기 기판에 열을 가하여, 상기 나노 구조체를 용융시켜 나노액적을 형성하는 것, 및 상기 나노액적을 식각 마스크로 사용하여, 상기 나노 구조체에 노출된 상기 기판을 식각하여 상기 기판의 상부면이 리세스되어 상기 기판의 상부면으로부터 돌출된 돌출부들을 형성하는 것을 포함한다.A method of manufacturing a light scattering layer according to an embodiment of the present invention includes: applying a nanostructure on a substrate; applying heat to the substrate to melt the nanostructure to form a nano-droplet; Etching the substrate exposed to the nanostructure to form protrusions protruding from the upper surface of the substrate by recessing the upper surface of the substrate.
본 발명의 실시예에 따른 유기발광소자는 광산란층, 상기 광산란층 상에 배치된 제 1 전극, 상기 제 1 전극 상에 배치된 정공 전달층, 상기 정공 전달층 상에 배치된 유기 발광층, 상기 유기 발광층 상에 배치된 전자 전달층, 및 상기 전자 전달층 상에 배치된 제 2 전극을 포함하되, 상기 광산란층은 상기 광산란층의 일면으로부터 돌출된 격벽들을 포함한다.An organic light emitting device according to an embodiment of the present invention includes a light scattering layer, a first electrode disposed on the light scattering layer, a hole transporting layer disposed on the first electrode, an organic light emitting layer disposed on the hole transporting layer, An electron transport layer disposed on the light emitting layer, and a second electrode disposed on the electron transport layer, wherein the light scattering layer includes barrier ribs protruding from one surface of the light scattering layer.
본 발명의 실시예에 따르면, 나노 구조체를 식각 마스크로 사용하여 광산란층을 형성한다. 나노 구조체는 특별한 배향 없이 무작위로 배치되며, 이를 식각 마스크로 사용하기 때문에 무작위하게 배열된 패턴을 형성할 수 있다. 따라서, 다양한 파장의 광에 적용이 가능한 광산란층을 형성할 수 있으며, 광산란층의 제조공정은 보다 간소화될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, a light scattering layer is formed using the nanostructure as an etching mask. The nanostructures are randomly arranged without special orientation and are used as an etch mask to form a randomly arranged pattern. Therefore, a light scattering layer applicable to light of various wavelengths can be formed, and the manufacturing process of the light scattering layer can be further simplified.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 내부 광산란층을 갖는 유기발광소자를 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 도 1의 광산란층을 나타낸 사시도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 외부 광산란층을 갖는 유기발광소자를 나타낸 단면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 양면 광산란층을 갖는 유기발광소자를 나타낸 단면도이다.
도 5a는 도 4의 광산란층의 제 1 면을 나타낸 사시도이다.
도 5b는 도 4의 광산란층의 제 2 면을 나타낸 사시도이다
도 6a 내지 도 6d는 본 발명의 일 실시예에 따른 광산란층 및 이를 포함하는 유기발광소자의 제조 방법을 나타낸 사시도들이다.
도 7a 내지 도 7d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 광산란층 및 이를 포함하는 유기발광소자의 제조 방법을 나타낸 사시도들이다.1 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting device having an internal light-scattering layer according to an embodiment of the present invention.
2 is a perspective view illustrating the light scattering layer of FIG. 1 according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting device having an external light scattering layer according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting device having a double-side light-scattering layer according to an embodiment of the present invention.
5A is a perspective view showing the first surface of the light scattering layer of FIG.
5B is a perspective view showing a second surface of the light scattering layer of FIG. 4
6A to 6D are perspective views illustrating a light scattering layer and a method of manufacturing an organic light emitting diode including the same according to an embodiment of the present invention.
7A to 7D are perspective views illustrating a light scattering layer according to another embodiment of the present invention and a method of manufacturing an organic light emitting diode including the same.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention, and how to accomplish them, will become apparent by reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprises)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of illustrating embodiments and is not intended to be limiting of the present invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. As used herein, the terms 'comprises' and / or 'comprising' mean that the stated element, step, operation and / or element does not imply the presence of one or more other elements, steps, operations and / Or additions.
또한, 본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 예시도인 단면도 및/또는 평면도들을 참고하여 설명될 것이다. 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 예를 들면, 직각으로 도시된 식각 영역은 라운드지거나 소정 곡률을 가지는 형태일 수 있다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이며 발명의 범주를 제한하기 위한 것이 아니다.In addition, the embodiments described herein will be described with reference to cross-sectional views and / or plan views, which are ideal illustrations of the present invention. In the drawings, the thicknesses of the films and regions are exaggerated for an effective description of the technical content. Thus, the shape of the illustrations may be modified by manufacturing techniques and / or tolerances. Accordingly, the embodiments of the present invention are not limited to the specific forms shown, but also include changes in the shapes that are generated according to the manufacturing process. For example, the etched area shown at right angles may be rounded or may have a shape with a certain curvature. Thus, the regions illustrated in the figures have schematic attributes, and the shapes of the regions illustrated in the figures are intended to illustrate specific types of regions of the elements and are not intended to limit the scope of the invention.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 내부 광산란층을 갖는 유기발광소자를 나타낸 단면도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 광산란층을 나타낸 사시도이다.1 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting device having an internal light-scattering layer according to an embodiment of the present invention. 2 is a perspective view illustrating a light scattering layer according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 유기발광소자는 광산란층(10), 평탄층(20), 제 1 전극(30), 정공 전송층(40), 유기 발광층(50), 전자 전송층(60) 및 제 2 전극(70)을 포함한다.1, the organic light emitting device includes a
광산란층(10)은 제 1 면(11) 및 제 1 면(11)과 대향하는 제 2 면(13)을 포함한다. 광산란층(10)의 제 1 면(11) 상에 평탄층(20)이 배치된다. 광산란층(10)은 투명한 물질(예를 들어, 유리 또는 고분자 물질)로 형성될 수 있다. The
도 2와 같이 참조하면, 광산란층(10)은 광산란층(10)의 제 1 면(11)으로부터 돌출된 복수 개의 격벽들(15)을 포함할 수 있다. 격벽들(15)은 무작위(random)하게 배치될 수 있다. 광산란층(10)은 인접하는 격벽들(15)이 서로 교차되어, 서로 다른 격벽들(15)에 의해 형성된 공간(17)을 가질 수 있다. 공간(17)의 바닥부는 상기 광산란층(10)의 제 1 면(11)으로 구성되고, 상기 공간(17)의 측벽부들은 서로 다른 상기 격벽들(15)로 구성될 수 있다. 격벽들(15)의 폭(W1)은 약 100nm 내지 약 2000nm일 수 있다. 격벽들(15)의 폭(W1)은 서로 동일할 수 있고, 서로 다를 수 있다. 광산란층(10)은 광산란층(10)과 제 1 전극(30)의 계면 사이에 갇힌 광이 격벽들(15)에 부딪혀 산란되어 유기 발광층(50)으로 광이 입사되어, 광추출을 향상시키는 기능을 가질 수 있다. 따라서, 광산란층(10)은 유기발광소자의 내부 광추출을 향상시킬 수 있다.Referring to FIG. 2, the
도 1을 다시 참조하면, 평탄층(20)은 광산란층(10)을 덮으며, 광산란층(10)의 상부면과 직접적으로 접촉하여 공간(17)을 채우도록 형성될 수 있다. 평탄층(20)은 광산란층(10)의 제 1 면(11)을 덮음으로써 평평한 표면을 제공할 수 있다. 평탄층(20)은 고 굴절률이 바람지하며, 예를 들어 n>1.85일 수 있다. 평탄층(20)은 무기물, 폴리머, 무기물과 폴리머의 복합체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 무기물은 예를 들어, TiO2, TiO2-SiO2, ZrO2, ZnS, SnO2, 및 In2O3 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 폴리머는 예를 들어, 폴리비닐 페놀 수지, 에폭시 수지, 폴리 이미드 수지, 폴리 스틸렌 수지, 폴리 카보네이트 수지, 폴리 에틸렌 수지, PMMA 수지, 폴리 프로필렌 수지 및 실리콘 수지 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.1, the
평탄층(20) 상에 제 1 전극(30)이 배치된다. 제 1 전극(30)은 에노드 전극일 수 있다. 제 1 전극(30)은 평탄층(20)보다 높은 굴절률을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 제 1 전극(30)은 투명성을 갖는 도전성 물질을 포함할 수 있다. 제 1 전극(30)은 투명 전도성 산화물(TCO; Transparent Conductive Oxide)일 수 있으며, 예를 들어 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), 그라핀 전극, 전도성 고분자 물질 또는 전도성 나노선일 수 있다. A first electrode (30) is disposed on the planarizing layer (20). The
제 1 전극(30) 상에 정공 전송층(40)이 배치된다. 상세하게, 정공 전송층(40)은 제 1 전극(30) 상에 차례로 적층된 정공 주입층(미도시) 및 정공 수송층(미도시)를 포함할 수 있다. A
HOMO(The Highest Occupied Molecular Orbital)는 가전자 띠(Valence Band)의 가장 높은 에너지 레벨이고, LUMO(The Lowest Unoccupied Molecular Orbital)는 전도성 띠(Conduction Band)의 가장 낮은 에너지 레벨을 나타낸다.HOMO (Highest Occupied Molecular Orbital) is the highest energy level of the valence band and LUMO (Lowest Unoccupied Molecular Orbital) is the lowest energy level of the conduction band.
제 1 전극(30)의 일함수 레벨과 정공 수송층의 HOMO레벨의 차이를 줄이는 것에 의하여, 정공 주입층은 제 1 전극(30)으로부터 정공 수송층으로의 정공의 주입을 용이하게 하는 기능을 한다. By reducing the difference between the work function level of the
정공 수송층은 정공 주입층을 통하여 이동된 정공을 유기 발광층(50)에 제공할 수 있다. 정공 수송층의 HOMO레벨은 유기 발광층(50)의 HOMO레벨보다 높을 수 있다.The hole transport layer can provide the organic
정공 전송층(40) 상에 유기 발광층(50)이 배치된다. 형광 재료 도는 인광 발광 재료를 포함할 수 있다. 유기 발광층(50)은 예를 들어, DPVBi, IDE 120, IDE 105, Alq3, CBP, DCJTB, BSN, DPP, DSB, PESB, PPV 유도체, PFO 유도체, C545t, Ir(ppy)3, PtOEP를 포함할 수 있다. 유기 발광층(50)은 단일층 또는 다층일 수 있다.The organic
유기 발광층(50) 상에 전자 전송층(60)이 배치된다. 상세하게, 전자 전송층(60)은 유기 발광층(50) 상에 차례로 적층된 전자 수송층(미도시) 및 전자 주입층(미도시)를 포함한다. An electron transporting layer (60) is disposed on the organic light emitting layer (50). Specifically, the
전자 주입층은 높은 전자 이동도를 가지는 물질을 포함할 수 있다. 전자 주입층은 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 칼슘(Ca), 은(Ag) 또는 세슘(Cs)을 포함할 수 있다. 전자 주입층은 예를 들어, 플루오르화 리튬(LiF) 또는 플루오르화 세슘(CsF)를 포함할 수 있다. 전자 주입층은 유기 발광층(50)에 전자를 안정적으로 공급하는 기능을 한다.The electron injection layer may comprise a material having a high electron mobility. The electron injection layer may include lithium (Li), magnesium (Mg), aluminum (Al), calcium (Ca), silver (Ag), or cesium (Cs). The electron injection layer may comprise, for example, lithium fluoride (LiF) or cesium fluoride (CsF). The electron injection layer functions to stably supply electrons to the organic light emitting layer (50).
전자 전송층(60) 상에 제 2 전극(70)이 배치된다. 제 2 전극(70)은 음의 전극일 수 있다. 제 2 전극(70)은 제 1 전극(30)보다 일함수가 낮은 전도성 물질을 포함할 수 있다. 제 2 전극(70)은 반투명하거나 반사율이 높은 전도성 물질을 포함할 수 있다. 제 2 전극(70)은 예를 들어, 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 이리듐(Ir), 모리브데늄, 팔라듐(Pd) 또는 백금(Pt)을 포함할 수 있다. A second electrode (70) is disposed on the electron transport layer (60). The
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 외부 광산란층을 갖는 유기발광소자를 나타낸 단면도이다. 설명의 간결함을 위해, 도 3에서 도시된 일 실시예에서 도 1과 실질적으로 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하며, 해당 구성 요소에 대한 설명은 생략하기로 한다.3 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting device having an external light scattering layer according to an embodiment of the present invention. For simplicity of explanation, in the embodiment shown in FIG. 3, substantially the same elements as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and a description of the corresponding elements will be omitted.
도 3을 참조하면, 유기발광소자는 광산란층(10), 제 1 전극(30), 정공 전송층(40), 유기 발광층(50), 전자 전송층(60) 및 제 2 전극(70)을 포함한다.3, the organic light emitting device includes a
광산란층(10) 상에 제 1 전극(30)이 배치된다. 광산란층(10)은 제 1 면(11) 및 제 1 면(11)과 대향하는 제 2 면(13)을 포함한다. 광산란층(10)의 제 1 면(11)은 평평한 면이며, 제 1 전극(30)과 직접적으로 접촉할 수 있다. A first electrode (30) is disposed on the light scattering layer (10). The
광산란층(10)의 제 2 면(13)은 제 2 면(13)으로부터 돌출된 복수 개의 격벽들(15)을 포함할 수 있다. 격벽들(15)은 무작위(random)하게 배치될 수 있다. 광산란층(10)은 인접하는 격벽들(15)이 서로 교차되어, 서로 다른 격벽들(15)에 의해 형성된 공간(17, 도 2 참조)을 가질 수 있다. 공간(17)의 바닥부는 상기 광산란층(10)의 제 2 면(13)으로 구성되고, 상기 공간(17)의 측벽부들은 서로 다른 상기 격벽들(15)로 구성될 수 있다. 격벽들(15)의 폭(W1)은 약 100nm 내지 약 2000nm일 수 있다. 격벽들(15)의 폭(W1)은 서로 동일할 수 있고, 서로 다를 수 있다. The
광산란층(10)은 광산란층(10)과 공기의 계면 사이에 입사되지 못하는 광이 격벽들(15)에 부딪혀 산란되어 유기 발광층(50)으로 광이 입사되어, 광추출을 향상시키는 기능을 가질 수 있다. 따라서, 광산란층(10)은 유기발광소자의 외부 광추출을 향상시킬 수 있다.The
제 1 전극(30) 상에 정공 전송층(40), 유기 발광층(50), 전자 전송층(60) 및 제 2 전극(70)이 차례로 배치될 수 있다. A
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 양면 광산란층을 갖는 유기발광소자를 나타낸 단면도이다. 도 5a는 도 4의 광산란층의 제 1 면을 나타낸 사시도이다. 도 5b는 도 4의 광산란층의 제 2 면을 나타낸 사시도이다. 설명의 간결함을 위해, 도 3에서 도시된 일 실시예에서 도 1과 실질적으로 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하며, 해당 구성 요소에 대한 설명은 생략하기로 한다.4 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting device having a double-side light-scattering layer according to an embodiment of the present invention. 5A is a perspective view showing the first surface of the light scattering layer of FIG. 5B is a perspective view showing the second surface of the light scattering layer of FIG. For simplicity of explanation, in the embodiment shown in FIG. 3, substantially the same elements as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and a description of the corresponding elements will be omitted.
도 4, 도 5a 및 도 5b를 참조하면, 유기발광소자는 광산란층(10), 평탄층(20), 제 1 전극(30), 정공 전송층(40), 유기 발광층(50), 전자 전송층(60) 및 제 2 전극(70)을 포함한다.4, 5A and 5B, the organic light emitting device includes a
광산란층(10)은 제 1 면(11) 및 제 1 면(11)과 대향하는 제 2 면(13)을 포함한다. 광산란층(10)의 제 1 면(11) 상에 평탄층(20), 제 1 전극(30), 정공 전송층(40), 유기 발광층(50), 전자 전송층(60) 및 제 2 전극(70)이 차례로 적층된다. 광산란층(10)은 광산란층(10)의 제 1 면(11)으로부터 돌출된 복수 개의 상부 격벽들(15a)을 포함할 수 있다. 상부 격벽들(15a)은 무작위(random)하게 배치될 수 있다. 광산란층(10)은 인접하는 상부 격벽들(15a)이 서로 교차되어, 서로 다른 상부 격벽들(15a)에 의해 형성된 제 1 공간(17a)을 가질 수 있다. 제 1 공간(17a)의 바닥부는 상기 광산란층(10)의 제 1 면(11)으로 구성되고, 제 1 공간(17a)의 서로 다른 상부 격벽들(15a)로 구성될 수 있다. 상부 격벽들(15a)의 폭(W1)은 약 100nm 내지 약 2000nm일 수 있다. 상부 격벽들(15a)의 폭(W1)은 서로 동일할 수 있고, 서로 다를 수 있다.
광산란층(10)의 제 1 면(11) 상에 평탄층(20)이 배치될 수 있다. 평탄층(20)은 광산란층(10)을 덮으며, 광산란층(10)의 제 1 면(11)과 직접적으로 접촉하여 제 1 공간(17a)을 채우도록 형성될 수 있다. 평탄층(20)은 광산란층(10)의 제 1 면(11)을 덮음으로써 평평한 표면을 제공할 수 있다.The
광산란층(10)은 광산란층(10)의 제 2 면(13)으로부터 돌출된 복수 개의 하부 격벽들(15b)을 포함할 수 있다. 하부 격벽들(15b)은 무작위(random)하게 배치될 수 있다. 광산란층(10)은 인접하는 하부 격벽들(15b)이 서로 교차되어, 서로 다른 하부 격벽들(15b)에 의해 형성된 제 2 공간(17b)을 가질 수 있다. 제 2 공간(17b)의 바닥부는 상기 광산란층(10)의 제 2 면(13)으로 구성되고, 제 2 공간(17b)의 서로 다른 하부 격벽들(15b)로 구성될 수 있다. 하부 격벽들(15b)의 폭(W2)은 약 100nm 내지 약 2000nm일 수 있다. 하부 격벽들(15b)의 폭(W2)은 서로 동일할 수 있고, 서로 다를 수 있다. 하부 격벽들(15b)의 폭(W2)은 상부 격벽들(15a)의 폭(W1)과 동일하거나 상이할 수 있다. 광산란층(10)의 상부 격벽들(15a)은 광산란층(10)과 제 1 전극(30)의 계면 사이에 갇힌 광을 산란시킴으로써, 광을 유기 발광층(50)으로 입사시키고, 광산란층(10)의 하부 격벽들(15b)은 광산란층(10)과 공기의 계면 사이에 입사되지 못하는 광을 산란시킴으로써, 광을 유기 발광층(50)으로 입사시킬 수 있다. The
도 6a 내지 도 6d는 본 발명의 일 실시예에 따른 광산란층 및 이를 포함하는 유기발광소자의 제조 방법을 나타낸 사시도들이다.6A to 6D are perspective views illustrating a light scattering layer and a method of manufacturing an organic light emitting diode including the same according to an embodiment of the present invention.
도 6a를 참조하면, 기판(1)을 준비한다. 기판(1)은 제 1 면(11) 및 제 1 면(11)과 대향하는 제 2 면(12)을 포함한다. 기판(1)은 예를 들어, 유기기판 또는 고분자 기판일 수 있다. Referring to FIG. 6A, a substrate 1 is prepared. The substrate 1 includes a
기판(1)의 제 1 면(11) 상에 나노 구조체(61)를 도포한다. 나노 구조체(61)는 나노선(nanowire) 또는 나노 섬유(nano fiber)일 수 있다. 일 예로, 나노 구조체(61)가 나노선일 경우, 나노선이 분산된 용액(63)을 기판(1) 상에 도포할 수 있다. 나노선은 용액(63)과 혼합되어, 용액(63)이 기판(1) 상에 도포될 때 기판(1)의 제 1 면(11) 상에 배치될 수 있다. 용액(63)은 스핀코팅, 스프레이 코팅 및 슬롯 다이 코팅 중 어느 하나의 방법으로 기판(1) 상에 도포될 수 있다. 용액(63)은 나노 구조체(61)의 분산용액으로 사용될 수 있다. 다른 예로, 나노 구조체(61)가 나노 섬유일 경우, 나노 섬유를 기판(1) 상에 전기 방사법을 이용해서 직접 도포될 수 있다. The
나노 구조체(61)는 약 100nm 내지 약 2000nm의 지름(D)을 가질 수 있고, 약 300 내지 약 3000nm의 길이(L)를 가질 수 있으나, 이에 제한하지 않는다. 복수 개의 나노 구조체들(61)은 기판(1) 상에 다른 지름을 가질 수 있다. 나노 구조체(61)는 예를 들어, 은(Ag) 또는 금(Au)과 같은 금속 물질을 포함할 수 있다. The
도 6b를 참조하면, 기판(1)의 제 1 면(11) 상에 나노 구조체(61)가 포함된 용액(63)이 도포된 후에 열처리 공정이 진행된다. 열처리 공정은 용액(63)의 제거를 위해 진행할 수 있다. 열처리 공정은 통상의 오븐을 사용하여 진행할 수 있다. 열처리는 상온(25°C) 이상 150°C 이하의 온도에서 진행할 수 있다.6B, after the solution 63 containing the
도 6c를 참조하면, 열처리 공정 후에, 나노 구조체(61)에 노출된 기판(1)을 식각한다. 상세하게, 나노 구조체(61)를 식각 마스크로 사용하여 나노 구조체(61)에 노출된 기판(1)이 식각되어, 기판(1)의 제 1 면(11)이 리세스될 수 있다. 기판(1)은 건식 식각(예를 들어, 플라즈마 식각) 공정을 이용하여 식각될 수 있다. Referring to FIG. 6C, after the heat treatment process, the substrate 1 exposed to the
기판(1)의 제 1 면(11)이 리세스되어 기판(1)의 제 1 면(11)으로부터 돌출된 격벽들(15)을 형성할 수 있다. 격벽들(15)은 나노 구조체(61)에 의해 식각되지 않은 기판(1)의 일부분일 수 있다. 격벽들(15)은 나노 구조체(61)의 지름(D)과 동일한 폭(W1)을 가질 수 있다. 이에 따라, 격벽들(15)의 폭(W1)은 서로 같을 수 있으며, 서로 다를 수 있다. 격벽들(15)은 기판(1) 상에 무작위(random)하게 배치되도록 형성될 수 있다. 기판(1)의 제 1 면(11) 상에 인접하는 격벽들(15)이 서로 교차되어 공간(17)이 형성될 수 있다. 이에 따라, 공간(17)의 바닥부는 기판(1)의 제 1 면(11)으로 구성되고, 공간(17)의 측벽부들은 서로 다른 격벽들(15)로 구성될 수 있다.The
도 6d를 참조하면, 나노 구조체(61)를 제거하여 격벽들(15)의 상부면을 노출시킨다. 상세하게, 나노 구조체(61)가 배치된 기판(1)을 식각 용액에 침전시켜, 습식 식각 공정으로 나노 구조체(61)를 제거할 수 있다. 식각 용액은 통상의 식각액을 사용할 수 있다. 기판(1)은 유기발광소자의 광산란층(10)으로 사용될 수 있다. Referring to FIG. 6D, the
도 2를 다시 참조하면, 광산란층(10) 상에 평탄층(20), 제 1 전극(30), 정공 전송층(40), 유기 발광층(50), 전자 전송층(60) 및 제 2 전극(70)을 차례로 형성한다. 평탄층(20)은 광산란층(10)의 공간(17)을 채우도록 형성하여 광산란층(10)을 덮음으로써, 평평한 표면을 제공할 수 있다. 2, a
도 3을 참조하면, 광산란층(10)은 제 1 면(11) 및 제 1 면(11)과 대향하는 제 2 면(13)을 포함하고, 격벽들(15)은 제 2 면(13)으로부터 돌출되게 형성될 수 있다. 광산란층(10)의 제 1 면(11) 상에 제 1 전극(30), 정공 전송층(40), 유기 발광층(50), 전자 전송층(60) 및 제 2 전극(70)이 차례로 형성될 수 있다. 광산란층(10)의 제 1 면(11)은 평평한 표면을 가지며, 광산란층(10)의 제 1 면(11)이 제 1 전극(30)과 직접적으로 접촉되게 형성될 수 있다. 3, the
도 4를 참조하면, 광산란층(10)의 제 1 면(11) 상에 상부 격벽들(15a)을 형성하고, 광산란층(10)의 제 2 면(13) 상에 하부 격벽들(15b)을 형성할 수 있다. 상세하게, 상부 격벽들(15a)은 도 6a 내지 도 6d에서 설명한 것과 같이, 기판(1)의 제 1 면(11) 상에 나노 구조체(61)를 형성하고, 나노 구조체(61)를 식각 마스크로 사용하여 기판(1)의 제 1 면(11)을 리세스하여 형성될 수 있다. 하부 격벽들(15b)은 상부 격벽들(15a)을 형성한 후에, 상부 격벽들(15a)이 형성한 동일한 방법으로 기판(1)의 제 2 면(12) 상에 나노 구조체(61)를 형성하고, 나노 구조체(61)를 식각 마스크로 사용하여 기판(1)의 제 2 면(12)을 리세스하여 형성될 수 있다.4,
도 7a 내지 도 7d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 광산란층의 제조 방법을 나타낸 사시도들이다. 설명의 간결함을 위해, 도 7a 내지 도 7d에서 도시된 다른 실시예에서 일 실시예와 실질적으로 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하며, 해당 구성 요소에 대한 설명은 생략하기로 한다.7A to 7D are perspective views illustrating a method of manufacturing a light scattering layer according to another embodiment of the present invention. For the sake of brevity, in the other embodiments shown in Figs. 7A to 7D, substantially the same elements as those in the embodiment are denoted by the same reference numerals, and a description of the corresponding elements will be omitted.
도 7a를 참조하면, 기판(1)의 제 1 면(11) 상에 나노 구조체(61)를 도포한다. 나노 구조체(61)는 나노선(nanowire) 또는 나노 섬유(nano fiber)일 수 있다. Referring to FIG. 7A, the
도 7b를 참조하면, 나노 구조체(61)가 도포된 기판(1)을 가열하여, 나노 구조체(61)를 용융시켜 나노액적(Nano droplet; 65)을 형성한다. 나노 구조체(61)의 용융 온도는 통상의 나노 구조체(61)에 포함된 물질의 녹는점보다 낮을 수 있다. 나노액적(65)은 예를 들어, 은(Ag) 또는 금(Au)과 같은 금속 물질을 포함할 수 있다. 나노액적(65)은 약 100nm 내지 약 2000nm의 지름(D)을 가질 수 있다.Referring to FIG. 7B, the substrate 1 coated with the
도 7c를 참조하면, 나노액적(65)에 노출된 기판(1)을 식각한다. 상세하게, 나노액적을 식각 마스크로 사용하여 나노액적에 노출된 기판(1)이 식각되어, 기판(1)의 제 1 면(11)이 리세스될 수 있다. 이에 따라, 기판(1)의 제 1 면(11)으로부터 돌출된 돌출부들(5)을 형성할 수 있다. 돌출부들(5)은 나노액적(65)에 의해 식각되지 않은 기판(1)의 일부분일 수 있다. 돌출부들(5)은 나노액적(65)의 크기 및/또는 지름에 따라 다른 폭과 크기를 가질 수 있다. 돌출부들(5) 각각은 서로 교차하지 않으며, 서로 이격되어 기판(1)의 제 1 면(11) 상에 형성될 수 있다. 기판(1)은 건식 식각(예를 들어, 플라즈마 식각) 공정을 이용하여 식각될 수 있다.Referring to FIG. 7C, the substrate 1 exposed to the nano-droplet 65 is etched. Specifically, the substrate 1 exposed to the nano-droplet is etched using the nano-droplet as an etch mask, so that the
도 7d를 참조하면, 나노액적(65)을 제거한다. 상세하게, 나노액적(65)이 도포된 기판(1)을 식각 용액에 침전시켜, 습식 식각 공정으로 나노액적(65)을 제거할 수 있다. 기판(1)은 유기발광소자의 광산란층으로 사용될 수 있다. Referring to FIG. 7D, the nano-droplet 65 is removed. In detail, the substrate 1 coated with the nano-droplets 65 can be deposited in the etching solution, and the nano-droplets 65 can be removed by a wet etching process. The substrate 1 can be used as a light scattering layer of an organic light emitting device.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative and not restrictive in every respect.
10: 광산란층
11: 제 1 면
13: 제 2 면
15: 격벽들
17a: 제 1 공간
20: 평탄층
30: 제 1 전극
40: 정공 전송층
50: 유기 발광층
60: 전자 전송층
70: 제 2 전극10: Light scattering layer
11: first side
13: second side
15: bulkheads
17a: First space
20: flat layer
30: first electrode
40: hole transport layer
50: organic light emitting layer
60: electron transport layer
70: Second electrode
Claims (13)
상기 나노 구조체를 식각 마스크로 사용하여 상기 나노 구조체에 노출된 상기 기판을 식각하여 상기 기판의 상기 제 1 면이 리세스되어 상기 기판의 상기 제 1 면으로부터 돌출된 제 1 격벽들을 형성하는 것을 포함하는 광산란층의 제조 방법.Applying a nanostructure on a first side of a substrate; And
Etching the substrate exposed to the nanostructure using the nanostructure as an etch mask to form first barrier ribs that are recessed from the first surface of the substrate to form first barrier ribs A method for producing a light scattering layer.
상기 제 1 격벽들 각각은 무작위(random)하게 배치되어 서로 교차되게 형성되는 광산란층의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the first barrier ribs are randomly arranged to intersect with each other.
상기 기판의 상기 제 1 면 상에 교차된 서로 다른 격벽들에 의해 공간이 형성되되,
상기 공간의 바닥부는 상기 기판의 일면으로 구성되고, 상기 공간의 측벽부들은 서로 다른 상기 격벽들로 구성된 광산란층의 제조 방법.3. The method of claim 2,
Wherein a space is formed by different partition walls crossing the first side of the substrate,
Wherein a bottom portion of the space is formed by one surface of the substrate, and sidewall portions of the space are formed by different partition walls.
상기 나노 구조체를 도포하는 것은:
상기 나노 구조체가 분산된 용액을 상기 기판의 상기 제 1 면 상에 도포하는 것; 및
상기 용액을 제거하는 것을 포함하는 광산란층의 제조 방법.The method according to claim 1,
The application of the nanostructure comprises:
Applying a solution in which the nanostructure is dispersed on the first side of the substrate; And
And removing the solution.
상기 기판은 상기 제 1 면과 대향하는 제 2 면을 포함하되,
상기 제 1 격벽들을 형성한 후에:
상기 제 2 면 상에 상기 나노 구조체를 배치하는 것; 및
상기 나노 구조체를 식각 마스크로 사용하여 상기 나노 구조체에 노출된 상기 기판을 식각하여 상기 기판의 상기 제 2 면이 리세스되어 상기 기판의 상기 제 2 면으로부터 돌출된 제 2 격벽들을 형성하는 것을 더 포함하는 광 산란층의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the substrate includes a second surface opposite the first surface,
After forming the first partitions:
Disposing the nanostructure on the second surface; And
And etching the substrate exposed to the nanostructure using the nanostructure as an etch mask to form second bank walls that are recessed from the second surface of the substrate to form second bank walls Wherein the light scattering layer is formed on the substrate.
상기 제 1 격벽들을 형성한 후에, 상기 나노 구조체를 제거하는 것을 더 포함하는 광산란층의 제조 방법.The method according to claim 1,
Further comprising removing the nanostructure after forming the first barrier ribs.
상기 나노 구조체는 나노선 또는 나노 섬유인 광산란층의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the nanostructure is nanowire or nanofiber.
상기 나노 구조체는 은(Ag) 또는 금(Au)을 포함하는 광산란층의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the nanostructure comprises silver (Ag) or gold (Au).
상기 기판에 열을 가하여, 상기 나노 구조체를 용융시켜 나노액적을 형성하는 것; 및
상기 나노액적을 식각 마스크로 사용하여, 상기 나노 구조체에 노출된 상기 기판을 식각하여 상기 기판의 상부면이 리세스되어 상기 기판의 상부면으로부터 돌출된 돌출부들을 형성하는 것을 포함하는 광산란층의 제조 방법.Applying a nanostructure on a substrate;
Applying heat to the substrate to melt the nanostructure to form nano-droplets; And
And etching the substrate exposed to the nanostructure using the nano-droplet as an etching mask to form projections protruding from the upper surface of the substrate by recessing the upper surface of the substrate .
상기 광산란층 상에 배치된 제 1 전극;
상기 제 1 전극 상에 배치된 정공 전달층;
상기 정공 전달층 상에 배치된 유기 발광층;
상기 유기 발광층 상에 배치된 전자 전달층; 및
상기 전자 전달층 상에 배치된 제 2 전극을 포함하되,
상기 광산란층은 상기 광산란층의 일면으로부터 돌출된 격벽들을 포함하는 유기발광소자.Light scattering layer;
A first electrode disposed on the light scattering layer;
A hole transport layer disposed on the first electrode;
An organic emission layer disposed on the hole transport layer;
An electron transport layer disposed on the organic light emitting layer; And
And a second electrode disposed on the electron transporting layer,
Wherein the light scattering layer includes barrier ribs protruding from one surface of the light scattering layer.
상기 격벽들은 무작위(random)하게 배치되어, 상기 격벽들 각각은 서로 교차되는 유기발광소자.11. The method of claim 10,
Wherein the barrier ribs are randomly arranged so that each of the barrier ribs cross each other.
상기 광산란층은 인접하게 배치되어 상기 격벽들이 서로 교차되어 형성된 공간을 포함하되,
상기 공간의 바닥부는 상기 광산란층의 상기 일면으로 구성되고, 상기 공간의 측벽부들은 서로 다른 상기 격벽들로 구성되는 유기발광소자.12. The method of claim 11,
Wherein the light scattering layer includes a space formed by being adjacent to each other and intersecting the partition walls,
Wherein the bottom of the space is formed of the one surface of the light scattering layer, and the side walls of the space are formed of different partition walls.
상기 격벽들은 100nm 내지 2000nm의 폭을 갖는 유기발광소자.
11. The method of claim 10,
Wherein the barrier ribs have a width of 100 nm to 2000 nm.
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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