KR20160024653A - Grid device for preventing scattering of radiation using porous substrate, and method for manufacturing the same - Google Patents
Grid device for preventing scattering of radiation using porous substrate, and method for manufacturing the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR20160024653A KR20160024653A KR1020140111742A KR20140111742A KR20160024653A KR 20160024653 A KR20160024653 A KR 20160024653A KR 1020140111742 A KR1020140111742 A KR 1020140111742A KR 20140111742 A KR20140111742 A KR 20140111742A KR 20160024653 A KR20160024653 A KR 20160024653A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- radiation
- porous substrate
- radiation shielding
- grid
- shielding walls
- Prior art date
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 102
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 55
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 27
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 27
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 17
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 7
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 5
- 239000011133 lead Substances 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 4
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 7
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012412 chemical coupling Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000005429 filling process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000003902 lesion Effects 0.000 description 1
- 230000007721 medicinal effect Effects 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
- A61B6/00—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment
- A61B6/42—Arrangements for detecting radiation specially adapted for radiation diagnosis
- A61B6/4291—Arrangements for detecting radiation specially adapted for radiation diagnosis the detector being combined with a grid or grating
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
- A61B6/00—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment
- A61B6/06—Diaphragms
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
- A61B6/00—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment
- A61B6/10—Safety means specially adapted therefor
- A61B6/107—Protection against radiation, e.g. shielding
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Medical Informatics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Radiology & Medical Imaging (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Pathology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Heart & Thoracic Surgery (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Surgery (AREA)
- Animal Behavior & Ethology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Public Health (AREA)
- Veterinary Medicine (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 방사선 영상 장치용 그리드 및 상기 그리드의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a grid for a radiation imaging device and a method of manufacturing the grid.
방사선(예컨대, 엑스선)을 이용한 영상 장치는 의료 분야에서 많이 활용되고 있다. Imaging devices using radiation (e.g., X-rays) are widely used in the medical field.
의료분야의 엑스선(X-ray) 촬영은 광범위한 의료 행위의 기본 요소 중 하나로, 엑스선 촬영은 검사하고자 하는 인체 부위에 엑스선을 조사하여 투과된 엑스선으로 상을 만들어 인체 내부의 상태 또는 병변을 알아내는 진단 방사선 검사방법이다. 이는 엑스선이 인체를 투과할 때 조직마다 흡수량이 다른 것을 이용한 것인데 엑스선은 인체를 통과하면서 일부가 흡수될 뿐만 아니라 일부는 산란되어 상을 흐리게 한다. X-ray imaging in the medical field is one of the basic elements of a wide range of medical activities. X-ray imaging is performed by irradiating X-rays on the body part to be inspected and forming an image with transmitted X-rays to diagnose the condition or lesion inside the human body It is a radiation examination method. This is because when the x-ray penetrates the human body, the amount of absorption is different from tissue to tissue. The x-ray is partially absorbed while passing through the human body, and some parts are scattered and blurred.
엑스레이 그리드(X-ray grid)는 산란된 엑스선에 의하여 상이 흐려지는 것을 방지하기 위하여 사용되며 피사체(인체)와 필름 사이에 배치된다. An X-ray grid is used to prevent images from being blurred by scattered x-rays and is placed between the subject (human body) and the film.
그러나 피사체를 통과하여 피사체의 정보를 가진 엑스레이는 검출기에 도달하기 전에 자체 산란으로 인해 정보가 손실되는 문제가 발생하고 있다. 이러한 산란광을 차단하고, 산란되지 않은 엑스레이만을 선별하여 투과시키는 구조물로서 사용되는 것이 엑스레이 그리드이다.However, there is a problem that the x-ray having the information of the object passing through the subject loses information due to self-scattering before reaching the detector. An x-ray grid is used as a structure to block scattered light and selectively transmit only unscattered x-rays.
종래 기술에 따른 엑스레이 그리드는 납 시트와 알루미늄 시트를 에폭시 등으로 접착시킨 것을 소정의 두께로 잘라서 일렬로 특정한 각도로 붙여서 만들어진다.An X-ray grid according to the prior art is made by cutting a lead sheet and an aluminum sheet with an epoxy or the like to a predetermined thickness and attaching the lead sheet and the aluminum sheet at a certain angle in a line.
이와 같이 만들어지는 종래 기술에 따른 엑스레이 그리드는 제조공정이 지나치게 길고 만들려는 형상에 제한이 많다. 또 현재 가장 얇은 납 시트의 경우 20um정도에 불과하므로, 인치당 라인수가 증가됨에 따라, 대응할 수 있는 제품이 역시 제한되게 된다.The X-ray grid according to the prior art thus manufactured has an excessively long manufacturing process and has many limitations on the shape to be made. Also, since the current thinnest lead sheet is only about 20um, as the number of lines per inch increases, a product that can cope with is also limited.
본 발명이 이루고자 하는 기술적인 과제는 제조 공정이 간단하여 제조 비용을 절감할 수 있는 방사선 산란 방지용 그리드 및 이를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a grid for preventing radiation scattering and a method of manufacturing the same.
또한 본 발명이 이루고자 하는 기술적인 과제는 방사선의 투과율을 높이면서도 방사선의 산란은 효과적으로 차단할 수 있는 방사선 산란 방지용 그리드 장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a grid apparatus for preventing scattering of radiation, which is capable of effectively shielding radiation from scattering while increasing the transmittance of radiation.
본 발명의 실시예에 따른 방사선 산란 방지용 그리드 장치는 복수의 기공들을 가지는 다공성 기판; 및 상기 다공성 기판에 특정 패턴으로 형성된 복수의 방사선 차폐벽들을 포함한다.A grid apparatus for preventing scattering of radiation according to an embodiment of the present invention includes: a porous substrate having a plurality of pores; And a plurality of radiation shielding walls formed in a specific pattern on the porous substrate.
상기 다공성 기판의 재질은 유리, 폴리머(polymer), 또는 세라믹(ceramics)일 수 있다.The material of the porous substrate may be glass, polymer, or ceramics.
상기 다공성 기판의 재질은 알루미늄, 마그네슘, 및 카본 중 어느 하나의 단일물질 또는 둘 이상을 포함하는 합금일 수 있다. The material of the porous substrate may be a single material of any one of aluminum, magnesium, and carbon, or an alloy including two or more thereof.
상기 방사선 차폐벽들의 재질은 납, 금, 구리, 니켈, 텅스텐, 및 비스무트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The material of the radiation shielding walls may include at least one of lead, gold, copper, nickel, tungsten, and bismuth.
본 발명의 일 실시예에 따른 방사선 산란 방지용 그리드의 제조 방법은 복수의 기공들을 가지는 다공성 기판을 구비하는 단계; 및 상기 다공성 기판에 특정 패턴의 복수의 방사선 차폐벽들을 형성하는 단계를 포함한다.A method of fabricating a radiation scattering grid according to an embodiment of the present invention includes: providing a porous substrate having a plurality of pores; And forming a plurality of radiation shielding walls of a specific pattern on the porous substrate.
상기 복수의 기공들 각각의 크기는 100nm 내지 10um 사이일 수 있다.The size of each of the plurality of pores may be between 100nm and 10um.
상기 다공성 기판의 기공율은 30 내지 60 % 사이일 수 있다.The porosity of the porous substrate may be between 30 and 60%.
상기 방사선 차폐기둥들은 납, 금, 텅스텐, 구리, 니켈, 및 은 중 하나 이상을 포함하는 다층막 또는 합금일 수 있다.The radiation shielding columns may be multilayer films or alloys comprising at least one of lead, gold, tungsten, copper, nickel, and silver.
상기 방사선 차폐벽을 형성하는 단계는 상기 다공성 기판 상에 금속 박막을 형성하는 단계; 상기 금속 박막의 상부면에 상기 방사선 차폐벽들이 형성될 영역과 나머지 영역을 구분하는 포토레지스트(photoresist) 패턴을 형성하는 단계; 상기 방사선 차폐벽들이 형성될 영역에 방사선 차폐물질을 충진하는 단계; 상기 금속 박막 위의 포토레지스트를 제거하는 단계; 및 상기 방사선 차폐벽들을 제외한 나머지 영역의 금속 박막을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.The forming of the radiation shielding wall may include: forming a metal thin film on the porous substrate; Forming a photoresist pattern on the upper surface of the metal thin film to separate the region where the radiation shielding walls are to be formed from the remaining region; Filling a region in which the radiation shielding walls are to be formed with a radiation shielding material; Removing the photoresist on the metal thin film; And removing the metal thin film in regions other than the radiation shielding walls.
본 발명의 실시예에 따르면, 방사선 산란 방지용 그리드의 제조 공정이 간단하여 제조 비용을 절감할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the manufacturing process of the grid for preventing radiation scattering is simple and the manufacturing cost can be reduced.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 방사선 산란 방지용 그리드의 제조 공정이 간단하여 다양한 제품에 적용 가능하도록 구현될 수 있어, 대응할 수 있는 제품에 제한이 없다.In addition, according to the embodiment of the present invention, the manufacturing process of the grid for preventing radiation scattering is simple and can be applied to various products, and there is no limit to the products that can cope with.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 방사선 영상장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 방사선 산란 방지용 그리드를 나타내는 도면이다.
도 3a는 도 2에 도시된 그리드의 제1 부분의 일 실시예를 나타내는 확대도이다.
도 3b는 도 2에 도시된 그리드의 제1 부분의 다른 실시예를 나타내는 확대도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 그리드의 제조 방법을 개략적으로 나타내는 흐름도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 그리드 장치의 제조 방법을 좀 더 구체적으로 나타내는 흐름도이다.
도 6 내지 도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 그리드를 제조하는 방법의 일 실시예를 순차적으로 나타낸 수직 단면도들이다.1 is a view schematically showing a radiation imaging apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a view showing the radiation scattering prevention grid shown in FIG. 1. FIG.
FIG. 3A is an enlarged view showing one embodiment of a first portion of the grid shown in FIG. 2. FIG.
FIG. 3B is an enlarged view showing another embodiment of the first portion of the grid shown in FIG. 2; FIG.
4 is a flowchart schematically illustrating a method of manufacturing a grid according to an embodiment of the present invention.
5 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a grid apparatus according to an embodiment of the present invention.
6 to 11 are vertical sectional views sequentially showing an embodiment of a method of manufacturing a grid according to an embodiment of the present invention.
본 명세서에 개시되어 있는 본 발명의 개념에 따른 실시 예들에 대해서 특정한 구조적 또는 기능적 설명들은 단지 본 발명의 개념에 따른 실시 예들을 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로서, 본 발명의 개념에 따른 실시 예들은 다양한 형태들로 실시될 수 있으며 본 명세서에 설명된 실시 예들에 한정되지 않는다.It is to be understood that the specific structural or functional descriptions of embodiments of the present invention disclosed herein are only for the purpose of illustrating embodiments of the inventive concept, But may be embodied in many different forms and is not limited to the embodiments set forth herein.
본 발명의 개념에 따른 실시 예들은 다양한 변경들을 가할 수 있고 여러 가지 형태들을 가질 수 있으므로 실시 예들을 도면에 예시하고 본 명세서에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명의 개념에 따른 실시 예들을 특정한 개시 형태들에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함한다.Embodiments in accordance with the concepts of the present invention are capable of various modifications and may take various forms, so that the embodiments are illustrated in the drawings and described in detail herein. It should be understood, however, that it is not intended to limit the embodiments according to the concepts of the present invention to the particular forms disclosed, but includes all modifications, equivalents, or alternatives falling within the spirit and scope of the invention.
제1 또는 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만, 예컨대 본 발명의 개념에 따른 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채, 제1구성요소는 제2구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2구성요소는 제1구성요소로도 명명될 수 있다.The terms first, second, etc. may be used to describe various elements, but the elements should not be limited by the terms. The terms are intended to distinguish one element from another, for example, without departing from the scope of the invention in accordance with the concepts of the present invention, the first element may be termed the second element, The second component may also be referred to as a first component.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.It is to be understood that when an element is referred to as being "connected" or "connected" to another element, it may be directly connected or connected to the other element, . On the other hand, when an element is referred to as being "directly connected" or "directly connected" to another element, it should be understood that there are no other elements in between. Other expressions that describe the relationship between components, such as "between" and "between" or "neighboring to" and "directly adjacent to" should be interpreted as well.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 설시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this specification, the terms "comprises ", or" having ", or the like, specify that there is a stated feature, number, step, operation, , Steps, operations, components, parts, or combinations thereof, as a matter of principle.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 본 명세서에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the meaning of the context in the relevant art and, unless explicitly defined herein, are to be interpreted as ideal or overly formal Do not.
도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장된 것이다. 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되거나, 층이 다른 층 또는 기판과 결합 또는 접착된다고 언급되는 경우에, 그것은 다른 층 또는 기판상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 층이 개재될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 의미한다.In the drawings, the thicknesses of layers and regions are exaggerated for clarity. When a layer is referred to as being "on" another layer or substrate, or when it is mentioned that a layer is bonded or bonded to another layer or substrate, it may be formed directly on another layer or substrate, May be intervening. Like numbers refer to like elements throughout the specification.
상단, 하단, 상면, 하면, 전면, 후면, 또는 상부, 하부 등의 용어는 구성요소에 있어 상대적인 위치를 구별하기 위해 사용되는 것이다. 예를 들어, 편의상 도면상의 위쪽을 상부, 도면상의 아래쪽을 하부로 명명하는 경우, 실제에 있어서는 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 상부는 하부로 명명될 수 있고, 하부는 상부로 명명될 수 있다.Terms such as top, bottom, top, bottom, front, rear, or top, bottom, etc. are used to distinguish relative positions in the components. For example, in the case of naming the upper part of the drawing as upper part and the lower part as lower part in the drawings for convenience, the upper part may be named lower part and the lower part may be named upper part without departing from the scope of right of the present invention .
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다.BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the preferred embodiments of the present invention with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 방사선 영상장치를 개략적으로 나타내는 도면이다. 이를 참조하면, 방사선 영상장치는 방사선 조사기(1), 방사선 산란 방지용 그리드(이하, '그리드'라 축약함)(10) 및 방사선 검출기(3)를 포함한다.1 is a view schematically showing a radiation imaging apparatus according to an embodiment of the present invention. The radiation imaging apparatus includes a
방사선 조사기(1)는 검사하고자 하는 대상(피사체, 예컨대, 인체 부위)(2)에 방사선(예컨대, 엑스선, 알파선, 베타선, 감마선 등)을 조사하기 위한 장치이다. 실시예에 따라, 방사선 조사기(1)는 엑스선(X-ray)을 조사할 수 있는 엑스선 조사기일 수 있다.The
방사선 산란 방지용 그리드(10)는 피사체(예컨대, 인체)(2)를 통과하여 피사체의 정보를 가진 방사선의 산란을 차단하고 산란되지 않은 방사선만을 선별적으로 투과시키는 장치로서, 피사체(2)와 방사선 검출기(3) 사이에 배치된다. 즉, 방사선 산란 방지용 그리드(10)는 산란된 방사선에 의하여 상이 흐려지는 것을 방지하기 위하여 사용된다.The
방사선 검출기(3)는 피사체(2) 및 방사선 산란 방지용 그리드(10)를 통과하여 수신되는 방사선을 검출하는 장치이다. The
도 1의 실시예에서는, 방사선 산란 방지용 그리드(10)는 방사선 검출기(3)와 피사체(2) 사이에 방사선 검출기(3)와 별도로 배치되도록 구현된다. 그러나, 다른 실시예에서는, 방사선 산란 방지용 그리드(10)가 방사선 검출기(3)와 일체형으로 구현될 수도 있다.In the embodiment of Fig. 1, the radiation
도 2는 도 1에 도시된 방사선 산란 방지용 그리드를 나타내는 평면도이다. 이를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 방사선 산란 방지용 그리드(10)는 다공성 기판(200)에 복수의 방사선 차폐벽들(250)이 일정 패턴으로 형성된다.Fig. 2 is a plan view showing the radiation scattering prevention grid shown in Fig. 1. Fig. Referring to FIG. 1, a radiation
다공성 기판9200)은 기공이 많은 재료로 만든 기판, 또는 일정 범위 내의 크기를 가지는 기공들이 형성되도록 금속, 비금속 또는 무기질 재료를 가공 및/또는 성형하여 만든 기판이다. The porous substrate 9200 is a substrate made of a material having many pores, or a substrate made by processing and / or molding a metal, a non-metal, or an inorganic material so as to form pores having a size within a certain range.
다공성 기판(200)의 재질은 금속, 세라믹(ceramics), 폴리머(polymer), 또는 유리일 수 있다. 또한, 다공성 기판(200)의 재질은 알루미늄, 마그네슘, 카본의 단일물질 또는 합금일 수 있다. 이러한 재질을 갖는 기판에 일정 범위 내의 기공들이 형성되도록 가공, 성형함으로써 다공성 기판(200)이 마련될 수 있다.The material of the
다공성 기판(200)의 기공들 각각의 크기는 100nm 내지 10um 일 수 있고, 기공율은 30 내지 80 % 사이일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The size of each of the pores of the
기공의 크기는 기공의 직경을 의미할 수 있다. 기공율은 다공성 기판(200)의 단위 면적당 기공이 차지하는 면적을 의미할 수 있다.The size of the pores can mean the diameter of the pores. The porosity may be an area occupied by the pores per unit area of the
기공율이 높아질수록, 다공성 기판(100)의 밀도는 낮아질 수 있고, 방사선의 투과율은 높아질 수 있다.The higher the porosity, the lower the density of the porous substrate 100, and the higher the transmittance of the radiation.
방사선 차폐벽들(250)의 상부의 모양 혹은 수평 단면 모양은 다양할 수 있다. 예컨대, 방사선 차폐벽들(도 3a 및 도 3b의 250)의 각각의 모양은 원형 또는 임의의 다각형(예컨대, 삼각형, 사각형, 오각형, 육각형, 팔각형 등) 모양일 수도 있고, 방사선 차폐벽들(도 3a 및 도 3b의 250)이 모여 일정 패턴을 형성할 수도 있다.The shape or horizontal cross-sectional shape of the top of the
본 발명의 실시예에 따르면, 다공성 기판(200)은 그리드(10)을 지지해주는 지지대 역할을 한다. 다공성 기판(200)을 지지대로 하여 기판(200)의 상부에 방사선 차폐벽들(250)이 일정 패턴으로 형성된다.According to the embodiment of the present invention, the
그리드(10)는 매우 미세한 장치므로, 이를 적절하게 지지해 주는 것이 중요하다. 그러나, 지지대 자체가 밀도가 높으면 방사선을 차단하게 된다. 그리드에 의하여 방사선이 많이 차단되면, 사용되는 방사선량이 증가될 수 밖에 없다. Since the
따라서, 본 발명의 실시예에서는 저밀도의 다공성 기판(200)을 그리드(10)의 지지대로 사용함으로써 그리드(10)의 견고성을 높이고, 방사선 투과율 높이면서도 방사선의 산란을 효과적으로 방지할 수 있는 효과가 있다.Therefore, in the embodiment of the present invention, by using the
도 3a는 도 2에 도시된 그리드(10)의 제1 부분(11)의 일 실시예를 나타내는 확대도이고, 도 3b는 도 2에 도시된 그리드(10)의 제1 부분(11)의 다른 실시예를 나타내는 확대도이다. Fig. 3A is an enlarged view showing one embodiment of the
방사선 차폐벽들(250)을 형성하는 차폐 물질은 납, 금, 텅스텐, 비스무트, 구리, 니켈, 및 은 중 하나일 수도 있고, 또는 둘 이상을 포함하는 다층막이나 합금일 수 있다.The shielding material forming the
방사선 차폐벽들(250)의 높이는 100~1000um 사이일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The height of the
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 그리드의 제조 방법을 개략적으로 나타내는 흐름도이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 그리드 장치의 제조 방법을 좀 더 구체적으로 나타내는 흐름도이다.FIG. 4 is a flowchart schematically illustrating a method of manufacturing a grid according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a grid device according to an embodiment of the present invention.
도 6 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 그리드를 제조하는 방법을 순차적으로 나타낸 수직 단면도들이다.6 to 9 are vertical sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing a grid according to an embodiment of the present invention.
도 4 내지 도 9를 참조하면, 먼저 일정 범위 내의 기공들을 가지는 다공성 기판(200)이 마련된다(S30). 도 6에는 복수의 기공들을 가지는 다공성 기판(200)이 도시되어 있다. 4 to 9, a
다음으로, 다공성 기판(200)에 복수의 방사선 차폐벽들(250)을 형성한다(S40).Next, a plurality of
다공성 기판(200)에 복수의 방사선 차폐벽들(250)을 형성하는 방법은 다양할 수 있다. The method of forming the plurality of
일 실시예에서, 다공성 기판(200)에 복수의 방사선 차폐벽들(250)을 형성하는 과정(S40)은 도 5에 도시된 S210 내지 S250 단계를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In one embodiment, the process S40 of forming a plurality of
도 5에 도시된 실시예에 따르면, 다공성 기판(200) 상에 금속 박막을 형성한다(S210). 금속 박막은 하나 이상의 금속 박막으로 형성될 수 있다(S210). 도 7을 참조하면 다공성 기판(200) 상에 제1 금속 박막(210)이 형성되고, 제1 금속 박막(220) 위에 제2 금속 박막(220)이 형성된다. 제1 금속 박막(210) 및 제2 금속 박막(220)은 각각 티타늄 및 구리로 구현될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.According to the embodiment shown in FIG. 5, a metal thin film is formed on the porous substrate 200 (S210). The metal thin film may be formed of one or more metal thin films (S210). Referring to FIG. 7, a first metal
금속 박막(210, 220)은 물리 증착법(Physical Vapor Deposition; PVD) 또는 화학 증착법(Chemical Vapor Deposition; CVD)에 의해 형성될 수 있다. The metal
물리 증착법은 진공 속에서 가스화한 물질을 기판의 표면에 피복하는 방법으로서, 진공 증착과 스퍼터링(sputtering) 방법으로 나뉜다. 진공 증착은 고진공하에서 금속을 가열한 후 증발되는 금속 입자를 기판에 부착시켜 박막을 만드는 방식이다. 스퍼터링이란 물질에 이온 충격을 가하면 상기 물질을 구성하는 원자나 분자가 튀어나와 상기 물질 주위의 물체면에 부착하는 현상을 이용하여 물체면에 박막을 형성하는 공정을 의미한다. The physical vapor deposition method is a method of covering a surface of a substrate with a gasified substance in a vacuum, and is divided into a vacuum deposition method and a sputtering method. Vacuum deposition is a method of heating a metal under high vacuum and attaching evaporated metal particles to a substrate to form a thin film. Sputtering refers to a process in which a thin film is formed on an object surface by using a phenomenon that an atom or molecule constituting the material protrudes and adheres to an object surface around the material when an ion impact is applied to the material.
화학 증착법은 제조공정에서 피복하는 기판 위에 원료가스를 흐르게 하여 외부 에너지를 가하여 화학결합, 원료가스 분해 등의 반응으로 박막을 형성하는 방법이다.The chemical vapor deposition method is a method in which a raw material gas is flowed on a substrate to be coated in the manufacturing process, external energy is applied to form a thin film by chemical coupling, decomposition of a raw material gas, or the like.
금속 박막(210, 220)의 상부면에 두꺼운 포토레지스트(photoresist) 패턴을 형성한다(S220). 포토레지스트 패턴은 금속 박막(210, 220)의 상부면에 방사선 차폐벽들이 형성될 영역(240)과 나머지 영역을 구분하기 위한 패턴이다.A thick photoresist pattern is formed on the upper surfaces of the metal
포토레지스트 패턴을 형성하기 위하여, 자세히 도시되지는 않았지만 금속 박막(210, 220)의 상부면 전체에 포토레지스트(230)를 도포한다. In order to form a photoresist pattern, a
포토레지스트는 빛을 조사하면 약품에 대한 내성이 변화하는 고분자 재료이다. 빛에 노출함으로써 약품에 대하여 불용성이 되는 네거티브(혹은 네거형) 포토레지스트와 반대로 가용성으로 되는 포지티브(positive) 포토레지스트가 있다. 포토레지스트(230) 위에 방사선 차폐벽들(250)이 형성될 영역(240)과 나머지 영역(230)을 구분하여 선택적으로 마스킹하기 위한 마스크 패턴(미도시)이 형성된다. Photoresists are polymeric materials that change their resistance to chemicals when exposed to light. There is a positive photoresist that becomes soluble as opposed to a negative (or quadruple) photoresist that is insoluble in the chemical by exposure to light. A mask pattern (not shown) is formed on the
마스크 패턴에 따라 방사선 차폐벽들(250)이 형성될 영역(240) 상의 포토 레지스트만을 제거함으로써, 도 8에 도시된 바와 같은 포토레지스트 패턴이 형성된다(S220)A photoresist pattern as shown in FIG. 8 is formed by removing only the photoresist on the
다음으로, 포토레지스트가 제거된 영역, 즉 방사선 차폐벽들(250)이 형성될 영역(240)에 방사선 차폐물질을 충진한다(S230). 예를 들어, 방사선 차폐물질인 금속재를 전기 도금에 의해 방사선 차폐벽들(250)이 형성될 영역(240)에 충진할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Next, the region where the photoresist is removed, that is, the
전기 도금은 무전해 도금 또는 전해 도금 방법이 사용될 수 있다. The electroplating may be an electroless plating or an electrolytic plating method.
그러나, 실시예에 따라, 전기 도금(S150)이 아닌 다른 방법으로 방사선 차폐 물질을 충진할 수 있다.However, according to an embodiment, the radiation shielding material may be filled in a manner other than electroplating (S150).
예를 들어, 상술한 물리 증착법(Physical Vapor Deposition; PVD) 또는 화학 증착법(Chemical Vapor Deposition; CVD)을 이용하여 방사선 차폐 물질을 충진할 수 있다.For example, the above-described physical vapor deposition (PVD) or chemical vapor deposition (CVD) may be used to fill the radiation shielding material.
또 다른 실시예에서는, 은 도전 페이스트(silver electrical conductive pastes) 또는 솔더 페이스트(solder paste)와 같은 금속재(243)를 차폐벽들(250)이 형성될 영역(240)에 충진할 수 있다.In another embodiment, a metal material 243, such as silver electrical conductive pastes or solder paste, may fill the
방사선 차폐 물질 충진 공정(S230)이 완료된 후의 수직 단면도는 도 9와 같을 수 있다.A vertical sectional view after completion of the radiation shielding material filling process (S230) may be as shown in Fig.
상기와 같이, 방사선 차폐벽들(250)이 형성될 영역(240)에만 방사선 차폐 물질을 채운 다음, 금속 박막(220) 위의 포토레지스트(230)를 제거한다(S240). 그러면, 도 10에 도시된 바와 같이, 방사선 차폐 물질로 구성된 방사선 차폐벽들(250)이 형성된다.As described above, only the
그리고, 방사선 차폐벽들(250)을 제외한 나머지 영역의 금속 박막(210, 220)도 제거한다(250). 그러면, 도 11에 도시된 바와 같이, 다공성 기판(200)을 지지대로 한 다수의 방사선 차폐벽들(250)이 형성된다.The metal
본 발명의 실시예에 따르면, 저밀도(low density)의 다공성 기판(200)을 그리드의 지지대로 사용함으로써 방사선의 투과율을 높이면서도 그리드를 견고하게 지지할 수 있다. 또한, 다공성 기판2100) 위에 격자 형태의 방사선 차폐벽(250)을 형성함으로써, 방사선의 산란을 효과적으로 차단할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, by using the low-density
또한, 본 발명의 실시예에 따른 그리드 장치는 종래의 그리드 제품에 비하여 제조 공정이 간단하여 제조 비용을 절감할 수 있다.Also, the grid device according to the embodiment of the present invention can reduce the manufacturing cost by simplifying the manufacturing process as compared with the conventional grid product.
이상에서는 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It should be understood that various modifications may be made by those skilled in the art without departing from the spirit and scope of the present invention.
방사선 조사기(1),
방사선 산란 방지용 그리드(10)
방사선 검출기(3),
다공성 기판(200)
금속 박막(210, 220),
포토레지스트(230)
방사선 차폐벽들(250)The
The
The metal
Radiation shielding walls (250)
Claims (12)
상기 다공성 기판에 특정 패턴으로 형성된 복수의 방사선 차폐벽들을 포함하는 방사선 산란 방지용 그리드 장치.A porous substrate having a plurality of pores; And
And a plurality of radiation shielding walls formed in the porous substrate in a specific pattern.
유리, 폴리머(polymer), 또는 세라믹(ceramics)인 것을 특징으로 하는 방사선 산란 방지용 그리드 장치.The porous substrate according to claim 1, wherein the material of the porous substrate is
Wherein the substrate is a glass, a polymer, or a ceramics.
알루미늄, 마그네슘, 및 카본 중 어느 하나의 단일물질 또는 둘 이상을 포함하는 합금인 것을 특징으로 하는 방사선 산란 방지용 그리드 장치.The porous substrate according to claim 1, wherein the material of the porous substrate is
Wherein the alloy is an alloy containing at least one of aluminum, magnesium, and carbon, or two or more thereof.
납, 금, 구리, 니켈, 텅스텐, 및 비스무트 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 산란 방지용 그리드 장치.The method of claim 1, wherein the material of the radiation shielding walls
And at least one of lead, gold, copper, nickel, tungsten, and bismuth.
상기 다공성 기판에 특정 패턴의 복수의 방사선 차폐벽들을 형성하는 단계를 포함하는 방사선 산란 방지용 그리드의 제조 방법.The method comprising: providing a porous substrate having a plurality of pores; And
And forming a plurality of radiation shielding walls of a specific pattern on the porous substrate.
100nm 내지 10um 사이인 것을 방사선 산란 방지용 그리드의 제조 방법.6. The method of claim 5, wherein the size of each of the plurality of pores
Wherein the particle size of the particle is between 100 nm and 10 mu m.
30 내지 80 % 사이인 것을 특징으로 하는 방사선 산란 방지용 그리드의 제조 방법.6. The method of claim 5, wherein the porosity of the porous substrate is
To 30% to 80%. ≪ RTI ID = 0.0 > 11. < / RTI >
납, 금, 텅스텐, 비스무트, 구리, 니켈, 및 은 중 하나 이상을 포함하는 다층막 또는 합금인 것을 특징으로 하는 방사선 산란 방지용 그리드의 제조 방법.6. The method of claim 5, wherein the radiation shielding walls
Wherein the barrier layer is a multilayered film or an alloy including at least one of lead, gold, tungsten, bismuth, copper, nickel, and silver.
상기 다공성 기판 상에 금속 박막을 형성하는 단계;
상기 금속 박막의 상부면에 상기 방사선 차폐벽들이 형성될 영역과 나머지 영역을 구분하는 포토레지스트(photoresist) 패턴을 형성하는 단계;
상기 방사선 차폐벽들이 형성될 영역에 방사선 차폐물질을 충진하는 단계;
상기 금속 박막 위의 포토레지스트를 제거하는 단계; 및
상기 방사선 차폐벽들을 제외한 나머지 영역의 금속 박막을 제거하는 단계를 포함하는 방사선 산란방지용 그리드의 제조 방법.6. The method of claim 5, wherein forming the radiation shielding wall
Forming a metal thin film on the porous substrate;
Forming a photoresist pattern on the upper surface of the metal thin film to separate the region where the radiation shielding walls are to be formed from the remaining region;
Filling a region in which the radiation shielding walls are to be formed with a radiation shielding material;
Removing the photoresist on the metal thin film; And
And removing the metal thin film in the remaining region excluding the radiation shielding walls.
물리 증착법(Physical Vapor Deposition; PVD) 또는 화학 증착법(Chemical Vapor Deposition; CVD)을 이용하는 방사선 산란방지용 그리드의 제조 방법.The method of claim 9, wherein forming the metal thin film comprises:
A manufacturing method of a radiation scattering prevention grid using Physical Vapor Deposition (PVD) or Chemical Vapor Deposition (CVD).
전기 도금을 이용하는 방사선 산란방지용 그리드의 제조 방법.10. The method of claim 9, wherein filling the radiation shielding material comprises:
A method of manufacturing a grid for radiation scattering prevention using electroplating.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140111742A KR101666849B1 (en) | 2014-08-26 | 2014-08-26 | Grid device for preventing scattering of radiation using porous substrate, and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140111742A KR101666849B1 (en) | 2014-08-26 | 2014-08-26 | Grid device for preventing scattering of radiation using porous substrate, and method for manufacturing the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20160024653A true KR20160024653A (en) | 2016-03-07 |
| KR101666849B1 KR101666849B1 (en) | 2016-10-24 |
Family
ID=55540123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020140111742A KR101666849B1 (en) | 2014-08-26 | 2014-08-26 | Grid device for preventing scattering of radiation using porous substrate, and method for manufacturing the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101666849B1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20210012243A (en) * | 2019-07-24 | 2021-02-03 | 이한성 | Ceramic shielding apparatus |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101967664B1 (en) * | 2017-02-21 | 2019-04-11 | 주식회사 더굳인터내셔널 | Protector for photographing a medical image |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010044474A (en) | 2001-02-23 | 2001-06-05 | 나종혁 | Pb arrayment method and automated production method of X-ray Grid. |
| KR20120009811A (en) | 2010-07-21 | 2012-02-02 | 주식회사 디알텍 | X-ray anti-scatter grid and X-ray detector |
| KR20140032669A (en) * | 2012-09-07 | 2014-03-17 | 조수제 | X-ray grid and its fabrication method |
| KR20140080742A (en) * | 2012-12-14 | 2014-07-01 | 한국기계연구원 | A X-ray grid and fabrication method of the same |
-
2014
- 2014-08-26 KR KR1020140111742A patent/KR101666849B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010044474A (en) | 2001-02-23 | 2001-06-05 | 나종혁 | Pb arrayment method and automated production method of X-ray Grid. |
| KR20120009811A (en) | 2010-07-21 | 2012-02-02 | 주식회사 디알텍 | X-ray anti-scatter grid and X-ray detector |
| KR20140032669A (en) * | 2012-09-07 | 2014-03-17 | 조수제 | X-ray grid and its fabrication method |
| KR20140080742A (en) * | 2012-12-14 | 2014-07-01 | 한국기계연구원 | A X-ray grid and fabrication method of the same |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20210012243A (en) * | 2019-07-24 | 2021-02-03 | 이한성 | Ceramic shielding apparatus |
| US11289302B2 (en) | 2019-07-24 | 2022-03-29 | Han Sung Lee | Ceramic shielding apparatus |
| US11569054B2 (en) | 2019-07-24 | 2023-01-31 | Han Sung Lee | Ceramic shielding apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101666849B1 (en) | 2016-10-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6408054B1 (en) | Micromachined x-ray image contrast grids | |
| JP5977489B2 (en) | Method for manufacturing anti-scatter X-ray grid device | |
| JP5268238B2 (en) | Manufacturing method of X-ray collimator assembly | |
| US11275187B2 (en) | Detector array for a radiation system, and related system | |
| US8314412B2 (en) | Grid and method of manufacturing a grid for selective transmission of electromagnetic radiation, particularly X-ray radiation for mammography applications | |
| KR20040022403A (en) | Antiscatter grid or collimator, and a method of production | |
| JP5648965B2 (en) | Apparatus for adjusting spatial intensity distribution of radiation and spatial distribution of energy, and X-ray generator and radiation detector using the adjusting apparatus | |
| KR101666849B1 (en) | Grid device for preventing scattering of radiation using porous substrate, and method for manufacturing the same | |
| US6847701B2 (en) | X-ray detector with an applied stray radiation grid, and method for applying a stray radiation grid to an X-ray detector | |
| KR20160129873A (en) | X-ray collimator | |
| CN111801600A (en) | Multi-spectrum X-ray detector | |
| KR101454329B1 (en) | A X-ray grid and fabrication method of the same | |
| DE102016202490B3 (en) | Counting X-ray detector with illumination layer on converter element and a detector element and a medical device having this and a method for producing the same | |
| Zhao et al. | Three-dimensional cascaded system analysis of a 50 µm pixel pitch wafer-scale CMOS active pixel sensor x-ray detector for digital breast tomosynthesis | |
| TWI699190B (en) | Collimator, radiation detection device, and radiation inspection device | |
| KR20160024650A (en) | Grid device for preventing scattering of radiation using porous substrate | |
| KR20160024647A (en) | Grid device for preventing scattering of radiation, and method for manufacturing the same | |
| CN106324653B (en) | Radiation detector with stacked barrier layers and method of forming the same | |
| JP6967312B2 (en) | Collimator manufacturing method | |
| KR20160067073A (en) | Grid device for preventing scattering of radiation using porous substrate | |
| KR20160065802A (en) | Grid device for preventing scattering of radiation, and method for manufacturing the same | |
| EP3669381A1 (en) | Low profile anti scatter and anti charge sharing grid for photon counting computed tomography | |
| EP4184218A1 (en) | Multi-layer x-ray detector | |
| EP4032105A1 (en) | X-ray anti scatter grid |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment | ||
| X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191008 Year of fee payment: 4 |