KR20160022617A - Organic light emitting device - Google Patents

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KR20160022617A
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박진호
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Abstract

According to the present invention, a second electrode protection layer is applied to upper/lower portions of a second electrode of an organic light emitting device to improve an interface property of the second electrode to be able to minimize a pixel contraction phenomenon, which can occur in a high temperature. In addition, brightness reduction of the organic light emitting device can be restrained by minimizing the pixel contraction, which can occur in a high temperature. Also, a surface resistance property of the second electrode can be decreased, as a silver content of the second electrode of the organic light emitting device is improved. The organic light emitting device comprises: a first electrode and the second electrode; a plurality of organic light emitting layers arranged between the first and second electrodes; a lower second electrode protection layer placed on a lower portion of the second electrode; and an upper second electrode protection layer placed on an upper portion of the second electrode.

Description

유기 발광 소자{ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE}ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE

본 발명은 유기 발광 소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 고온 환경에서의 화소 수축이 최소화될 수 있는 유기 발광 소자에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting device, and more particularly, to an organic light emitting device in which pixel shrinkage in a high temperature environment can be minimized.

유기 발광 표시 장치(OLED)는 자체 발광형 표시 장치로서, 전자(electron) 주입을 위한 전극(cathode)과 정공(hole) 주입을 위한 전극(anode)으로부터 각각 전자와 정공을 발광층 내부로 주입시켜, 주입된 전자와 정공이 결합한 엑시톤(exciton)이 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어질 때 발광하는 유기 발광 소자를 이용한 표시 장치이다. The organic light emitting diode (OLED) is a self-luminous display device in which electrons and holes are injected into the light emitting layer from an anode for injecting electrons and an anode for injecting holes, And emits light when an exciton in which injected electrons and holes are coupled falls from an excited state to a ground state.

유기 발광 표시 장치는 빛이 방출되는 방향에 따라서 상부 발광(Top Emission) 방식, 하부 발광(Bottom Emission) 방식 및 양면 발광(Dual Emission) 방식 등이 있고, 구동 방식에 따라서는 수동 매트릭스형(Passive Matrix)과 능동 매트릭스형(Active Matrix) 등으로 나누어진다.The organic light emitting display device includes a top emission type, a bottom emission type, and a dual emission type depending on a direction in which light is emitted, and a passive matrix type ) And active matrix (Active Matrix).

유기 발광 표시 장치는 액정 표시 장치(LCD)와는 달리 별도의 광원이 필요하지 않아 경량 박형으로 제조 가능하다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 저전압 구동에 의해 소비 전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 색상 구현, 응답 속도, 시야각, 명암비(contrast ratio: CR)도 우수하여, 차세대 디스플레이로서 연구되고 있다.Unlike a liquid crystal display (LCD), an organic light emitting display does not require a separate light source, and can be manufactured in a light and thin shape. Further, the organic light emitting display device is not only advantageous from the viewpoint of power consumption by low voltage driving, but also excellent in color implementation, response speed, viewing angle, and contrast ratio (CR), and is being studied as a next generation display.

고 해상도로 디스플레이가 발전하면서 단위 면적당 픽셀 개수가 증가하고, 높은 휘도가 요구되고 있지만 유기 발광 표시 장치의 발광 구조 상 단위 면적(A)의 휘도(Cd)에 한계가 있고, 인가 전류의 증가로 인한 유기 발광 소자의 신뢰성 저하 및 소비 전력이 증가하는 문제점이 있다. The number of pixels per unit area increases and a high luminance is required. However, the luminance Cd of the unit area A is limited by the light emitting structure of the organic light emitting display device, There is a problem that the reliability of the organic light emitting device is lowered and the power consumption is increased.

따라서 유기 발광 표시 장치의 품질 및 생산성을 저해하는 요인이 되고 있는 유기 발광 소자의 발광 효율, 수명 향상 및 소비 전력 절감이라는 기술적 한계를 극복해야 하며, 색감 영역을 유지하면서도 발광 효율, 발광층의 수명 및 시야각 특성을 향상시킬 수 있는 유기 발광 소자 개발을 위한 다양한 연구가 이루어지고 있다. Therefore, it is necessary to overcome the technical limitations of the luminous efficiency, life span and power consumption reduction of the organic light emitting device, which are factors that hinder the quality and productivity of the OLED display device. Various studies have been conducted for developing an organic light emitting device capable of improving characteristics.

유기 발광 표시 장치의 품질 및 생산성 향상을 위해서 유기 발광 소자의 효율, 수명 향상 및 소비 전력 저감 등을 위한 다양한 유기 발광 소자 구조가 연구되고 있다.Various organic light emitting device structures for improving efficiency, lifetime and power consumption of organic light emitting devices have been studied for improving the quality and productivity of organic light emitting display devices.

또한, 유기 발광 소자에 있어 높은 온도에서의 안정적인 구동 및 신뢰성을 확인하기 위한 고온 환경의 테스트가 이루어지고 있다.Further, in an organic light emitting device, high temperature environment tests have been conducted to confirm stable driving and reliability at a high temperature.

일반적으로 상부 발광 방식의 유기 발광 소자에 적용되는 제 2 전극(cathode, 음극)은 마그네슘(Mg)과 은(Ag)을 혼합하여 증착하는 방식으로 많이 형성되며, 여기서 제 2 전극의 일함수(work function)를 낮추어 전자의 주입을 용이하게 하기 위한 목적으로 제 2 전극 내에 포함된 마그네슘의 함유 비율을 은의 함유 비율보다 높게 형성한다.In general, the second electrode (cathode) applied to the organic light emitting device of the upper emission type is formed in a manner of mixing magnesium (Mg) and silver (Ag) function is lowered so as to facilitate the injection of electrons, the content ratio of magnesium contained in the second electrode is made higher than the content ratio of silver.

그러나, 최근 유기 발광 표시 패널의 사이즈가 대형화 되면서 유기 발광 소자에 면저항(sheet resistance) 특성이 낮은 제 2 전극을 적용할 필요성이 제기됨에 따라, 유기 발광 소자의 제 2 전극을 제조할 때에 저항이 낮은 은의 함유 비율을 마그네슘의 함유 비율보다 높임으로써 낮은 면저항을 갖는 제 2 전극을 구현하는 방향으로 연구가 진행되고 있다.However, recently, as the size of the organic light emitting display panel is increased, it is required to apply the second electrode having low sheet resistance characteristic to the organic light emitting device. Therefore, when the second electrode of the organic light emitting device is manufactured, Research is being made to realize a second electrode having a low sheet resistance by increasing the content of silver to a content higher than that of magnesium.

그러나, 위와 같이 은의 함유 비율이 마그네슘의 함유 비율보다 높은 제 2 전극 구조를 갖는 유기 발광 소자에 있어서, 고온 환경의 테스트에서 제 2 전극 내 포함되어 있는 은 성분이 서로 뭉치는 응집 현상(aggregation)이 발생하면서 유기 발광 소자의 고온 신뢰성 문제가 발생하였다.However, in the organic light emitting device having the second electrode structure in which the silver content ratio is higher than the magnesium content ratio, aggregation in which the silver components contained in the second electrode are aggregated in the high temperature environment test The high temperature reliability problem of the organic light emitting device occurs.

즉, 고온 환경에서 제 2 전극 내 포함된 은 성분이 서로 뭉치는 응집 현상이 발생하고, 그 결과로 유기 발광 소자의 화소 수축(pixel shrinkage)이 발생하여 발광 면적이 줄어들면서 유기 발광 소자의 효율이 떨어지고 휘도가 저하되는 현상이 발생하였다. That is, in the high temperature environment, aggregation phenomenon occurs in which the silver components contained in the second electrode are aggregated together, and as a result, pixel shrinkage of the organic light emitting device occurs and the efficiency of the organic light emitting device And the luminance was lowered.

이에 본 발명의 발명자는 고온 환경에서의 화소 수축이 최소화될 수 있는 새로운 구조의 유기 발광 소자를 발명하였다. Accordingly, the inventor of the present invention has invented an organic light emitting device having a novel structure in which pixel shrinkage in a high temperature environment can be minimized.

본 발명의 실시예에 따른 해결 과제는, 제 2 전극의 계면 특성이 향상됨으로써 고온 환경에서의 화소 수축이 최소화되어 휘도 저하가 개선될 수 있는 유기 발광 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide an organic light emitting device in which the interface property of the second electrode is improved to minimize the shrinkage of pixels in a high temperature environment to thereby reduce the luminance drop.

본 발명의 실시예에 따른 해결 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The solutions according to the embodiments of the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 소자는 제 1 전극과 제 2 전극과 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 위치하고, 복수 개의 서브 픽셀 영역 각각에 형성된 복수 개의 유기 발광층과 제 2 전극의 하부에 형성된 하부 제 2 전극 보호층 및 제 2 전극의 상부에 형성된 상부 제 2 전극 보호층을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 소자는 고온 환경에서의 화소 수축을 최소화하여 휘도 저하를 억제할 수 있다.An organic light emitting device according to an embodiment of the present invention includes a first electrode, a second electrode, a plurality of organic light emitting layers formed between a first electrode and a second electrode, And an upper second electrode protection layer formed on upper portions of the lower second electrode protection layer and the second electrode. The organic light emitting device according to the embodiment of the present invention minimizes the shrinkage of the pixel in a high temperature environment and can suppress the luminance lowering.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 복수 개의 유기 발광층은 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층을 포함할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the plurality of organic light emitting layers may include a red light emitting layer, a green light emitting layer, and a blue light emitting layer.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 제 2 전극은 은(Ag)과 마그네슘(Mg)의 합금으로 이루어질 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the second electrode may be made of an alloy of silver (Ag) and magnesium (Mg).

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 은(Ag)과 마그네슘(Mg)의 함유 비율은 4:1 내지 9:1일 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the content ratio of silver (Ag) and magnesium (Mg) may be 4: 1 to 9: 1.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 하부 제 2 전극 보호층과 상부 제 2 전극 보호층 각각은 금속 물질과 무기 물질의 혼합층으로 이루어질 수 있다.According to another embodiment of the present invention, each of the lower second electrode protection layer and the upper second electrode protection layer may be a mixed layer of a metal material and an inorganic material.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 금속 물질은 마그네슘(Mg), 이터븀(Yb), 리튬(Li), 나트륨(Na), 포타슘(K), 루비듐(Rb), 세슘(Cs), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 란타넘(La), 세륨(Ce), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 터븀(Tb), 디스프로슘(Dy) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the metal material is selected from the group consisting of magnesium (Mg), ytterbium (Yb), lithium (Li), sodium (Na), potassium (K), rubidium (Rb), cesium (Ca), strontium (Sr), barium (Ba), lanthanum (La), cerium (Ce), samarium (Sm), europium (Eu), terbium (Tb), dysprosium Alloy.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 무기 물질은 불화 리튬(LiF), 불화 세슘(CsF), 산화 바륨(BaO), 염화 나트륨(NaCl), 산화 리튬(Li2O), 불화 바륨(BaF2), 불화 마그네슘(MgF2), 탄산 세슘(Cs2CO3), 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 마그네슘(MgO) 중 어느 하나 또는 이들의 혼합물로 이루어질 수 있다.According to a further embodiment of the present invention, the inorganic substance is a lithium fluoride (LiF), cesium fluoride (CsF), barium (BaO), sodium chloride oxidative (NaCl), lithium oxide (Li 2 O), barium fluoride (BaF 2 ), Magnesium fluoride (MgF 2 ), cesium carbonate (Cs 2 CO 3 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), magnesium oxide (MgO) or a mixture thereof.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 하부 제 2 전극 보호층과 상부 제 2 전극 보호층은 동일한 물질로 이루어질 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the lower second electrode protection layer and the upper second electrode protection layer may be made of the same material.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 하부 제 2 전극 보호층과 상부 제 2 전극 보호층 각각의 두께는 30Å이상일 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the thickness of each of the lower second electrode protection layer and the upper second electrode protection layer may be 30 Å or more.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 하부 제 2 전극 보호층과 상부 제 2 전극 보호층은 서로 다른 물질로 이루어질 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the lower second electrode protection layer and the upper second electrode protection layer may be made of different materials.

본 발명은 유기 발광 소자의 제 2 전극의 상부 및 하부에 제 2 전극 보호층을 적용하여 제 2 전극의 계면 특성을 향상시킴으로써 고온 환경에서 발생하는 화소 수축 현상을 최소화할 수 있는 효과가 있다.The present invention has the effect of minimizing the pixel shrinkage occurring in the high temperature environment by improving the interface characteristics of the second electrode by applying the second electrode protection layer to the upper and lower portions of the second electrode of the organic light emitting diode.

또한, 본 발명은 고온 환경에서 발생할 수 있는 화소 수축을 최소화함으로써 유기 발광 소자의 휘도 저하를 억제할 수 있는 효과가 있다.Further, the present invention minimizes the shrinkage of the pixel, which may occur in a high-temperature environment, thereby suppressing a decrease in the luminance of the organic light emitting element.

또한, 본 발명은 유기 발광 소자의 제 2 전극 내의 은 성분의 함유 비율을 높임으로써 제 2 전극의 면저항 특성을 낮출 수 있는 효과가 있다. Further, the present invention has an effect that the sheet resistance property of the second electrode can be lowered by increasing the content ratio of the silver component in the second electrode of the organic light emitting element.

본 발명의 효과는 이상에서 언급한 효과에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과는 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the effects mentioned above, and other effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

이상에서 해결하고자 하는 과제, 과제 해결 수단, 효과에 기재한 발명의 내용이 청구항의 필수적인 특징을 특정하는 것은 아니므로, 청구항의 권리범위는 발명의 내용에 기재된 사항에 의하여 제한되지 않는다.The scope of the claims is not limited by the matters described in the contents of the invention, as the contents of the invention described in the problems, the solutions to the problems and the effects to be solved do not specify essential features of the claims.

도 1a 및 도 1b는 종래 유기 발광 소자의 고온 환경 전후의 제 2 전극 표면 관찰 결과를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 소자의 개략적인 단면을 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 소자의 하부 제 2 전극 보호층의 두께 실험 결과를 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 소자의 상부 제 2 전극 보호층의 두께 실험 결과를 나타내는 도면이다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 소자의 고온 환경 전후의 제 2 전극 표면 관찰 결과를 나타내는 도면이다.
도 6은 종래의 유기 발광 소자의 고온 환경 전후의 전기 광학 특성 평가 결과를 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 소자의 고온 환경 전후의 전기 광학 특성 평가 결과를 나타내는 도면이다.FIGS. 1A and 1B are views showing the results of observing the surface of a second electrode before and after a high temperature environment of a conventional organic light emitting device.
2 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a graph showing experimental results of the thickness of the lower second electrode protection layer of the organic light emitting diode according to the embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a graph showing an experimental result of the thickness of the upper second electrode protection layer of the organic light emitting diode according to the embodiment of the present invention.
FIGS. 5A and 5B are views showing a result of observing the surface of the second electrode before and after the high temperature environment of the organic light emitting device according to the embodiment of the present invention.
6 is a graph showing the results of evaluation of electro-optical characteristics before and after a high temperature environment of a conventional organic light emitting device.
7 is a graph showing the results of electro-optic characteristics evaluation before and after a high temperature environment of an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention and the manner of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. It should be understood, however, that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but is capable of many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, To fully disclose the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.The shapes, sizes, ratios, angles, numbers, and the like disclosed in the drawings for describing the embodiments of the present invention are illustrative, and thus the present invention is not limited thereto. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail. Where the terms "comprises", "having", "done", and the like are used in this specification, other portions may be added unless "only" is used. Unless the context clearly dictates otherwise, including the plural unless the context clearly dictates otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다. 위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In interpreting the constituent elements, it is construed to include the error range even if there is no separate description. In the case of a description of the positional relationship, for example, if the positional relationship between two parts is described as 'on', 'on top', 'under', and 'next to' Or " direct " is not used, one or more other portions may be located between the two portions.

또한 제 1, 제 2 등이 다양한 구성 요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성 요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제 1 구성 요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성 요소일 수도 있다.Also, the first, second, etc. are used to describe various components, but these components are not limited by these terms. These terms are used only to distinguish one component from another. Therefore, the first component mentioned below may be the second component within the technical spirit of the present invention.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.It is to be understood that each of the features of the various embodiments of the present invention may be combined or combined with each other, partially or wholly, and technically various interlocking and driving are possible, and that the embodiments may be practiced independently of each other, It is possible.

본 명세서에서 함유 비율은 특별히 다른 기재가 없는 한 중량 %를 기준으로 하는 값이다.In the present specification, the content is based on weight% unless otherwise specified.

이하, 도면을 참조하여 본 발명에 대해서 상세히 설명한다. Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 1a 및 도 1b는 종래 유기 발광 소자의 고온 환경 전후의 제 2 전극 표면 관찰 결과를 나타내는 도면이다.FIGS. 1A and 1B are views showing the results of observing the surface of a second electrode before and after a high temperature environment of a conventional organic light emitting device.

상부 발광 방식의 유기 발광 소자에 있어서 제 2 전극(cathode, 음극)의 재료로는 일반적으로 은(Ag) 또는 마그네슘(Mg)과 은(Ag)을 혼합하여 증착하는 마그네슘-은 합금(Mg:Ag)이 많이 사용되고 있다. As a material of the second electrode (cathode) of the organic light emitting device of the upper emission type, a silver-silver alloy (Mg: Ag) which is generally mixed with silver (Ag) or magnesium (Mg) ) Are widely used.

유기 발광 소자의 제 2 전극에 적용되는 마그네슘-은 합금(Mg:Ag)에 있어서, 마그네슘(Mg)은 일함수가 낮아 전자의 주입을 용이하게 할 수 있고 또한 투과율이 은(Ag) 대비 높은 장점을 가지지만 은(Ag)과 대비하여 면저항(sheet resistance)이 높고 쉽게 산화되는 문제가 있다. In the magnesium-silver alloy (Mg: Ag) applied to the second electrode of the organic light emitting diode, magnesium (Mg) has a low work function and can easily inject electrons and has a high transmittance But the sheet resistance is high and easily oxidized compared to silver (Ag).

반면에, 은(Ag)의 경우는 마그네슘(Mg) 보다 면저항이 낮고 반사율 특성이 우수한 장점이 있으나 열적 안정성이 좋지 않은 특성을 갖는다. 이로 인해 일반적으로 마그네슘에 소량의 은을 혼합하여, 즉 제 2 전극 내에 마그네슘의 함유 비율이 은의 함유 비율보다 높은 조건으로 제 2 전극을 형성하였다. 예를 들어 제 2 전극 내에 마그네슘과 은의 함유 비율을 9:1 수준의 조건으로 제 2 전극을 형성할 수 있다. On the other hand, in the case of silver (Ag), the sheet resistance is lower than that of magnesium (Mg), and the reflectance characteristic is excellent, but the thermal stability is poor. Accordingly, a small amount of silver was generally mixed with magnesium, that is, the second electrode was formed under the condition that the magnesium content was higher than the silver content ratio in the second electrode. For example, the second electrode may be formed on the condition that the content ratio of magnesium and silver in the second electrode is about 9: 1.

그러나, 최근 유기 발광 표시 패널의 사이즈가 대형화 되면서, 면저항 특성이 낮은 제 2 전극을 유기 발광 소자에 적용할 필요성이 제기됨에 따라, 유기 발광 소자의 제 2 전극을 제조할 때에 낮은 저항 특성을 갖는 은의 함유 비율을 마그네슘의 함유 비율보다 높임으로써 낮은 면저항 특성을 갖는 제 2 전극을 구현하는 방향으로 연구가 진행되고 있다.However, recently, as the size of the organic light emitting display panel has been enlarged, it has been required to apply a second electrode having low sheet resistance characteristics to the organic light emitting device. Therefore, when manufacturing the second electrode of the organic light emitting device, Has been studied in the direction of realizing a second electrode having a low sheet resistance property by increasing the content ratio of magnesium to the content of magnesium.

이와 같이 낮은 면저항 특성을 갖는 제 2 전극을 개발하기 위해서, 예를 들어서 은과 마그네슘을 혼합 형성 시에 제 2 전극 내에서의 은의 함유량을 50% 이상의 조건으로 형성하게 되면, 제 2 전극의 면저항 특성을 10Ω/sheet 이하의 수준으로 확보할 수 있으며, 나아가 유기 발광 소자에서 요구되는 5Ω/sheet 수준으로 구현하는 것이 가능하다. In order to develop the second electrode having such low sheet resistance characteristics, for example, when the content of silver in the second electrode is set to 50% or more at the time of mixing silver and magnesium, the sheet resistance Can be secured at a level of 10 OMEGA / sheet or less, and furthermore, it can be realized at a level of 5 OMEGA / sheet required for an organic light emitting device.

그러나, 위와 같은 은의 함유 비율이 마그네슘의 함유 비율보다 높은 제 2 전극의 구조를 갖는 유기 발광 소자에 있어서, 고온 환경의 테스트에서 제 2 전극 내 포함되어 있는 은 성분이 서로 뭉치는 응집 현상(aggregation)이 발생하면서 유기 발광 소자의 고온 신뢰성 문제가 발생하였다. However, in the organic light emitting device having the structure of the second electrode in which the content ratio of silver is higher than the content ratio of magnesium, aggregation in which silver components contained in the second electrode are aggregated in the high temperature environment test, The high temperature reliability problem of the organic light emitting device occurs.

도 1a는 종래의 유기 발광 소자의 고온 환경 평가 전 제 2 전극의 표면을 관찰한 결과를 나타내는 도면이다. 제 2 전극은 은의 함유 비율이 마그네슘의 함유 비율보다 높은 조건으로 형성되었으며, 보다 구체적으로 제2 전극 내의 은과 마그네슘의 함유 비율은 9:1의 조건이었다.1A is a view showing the result of observing the surface of a second electrode before evaluation of a high temperature environment of a conventional organic light emitting device. The second electrode was formed under a condition that the content ratio of silver was higher than the content ratio of magnesium. More specifically, the content ratio of silver and magnesium in the second electrode was 9: 1.

또한, 도 1b는 도 1a의 종래 유기 발광 소자의 고온 환경 평가 후 제 2 전극의 표면을 관찰한 결과를 나타내는 도면이다. 1B is a view showing the result of observing the surface of the second electrode after the high temperature environment evaluation of the conventional organic light emitting device of FIG. 1A.

도 1b에서 볼 수 있는 것과 같이, 종래의 유기 발광 소자에 있어서 고온 환경 테스트 시 제 2 전극 내 포함된 은 성분이 서로 뭉치는 응집 현상이 발생하면서 박막 특성이 저하되는 결과를 확인할 수 있다. As can be seen from FIG. 1B, in the conventional organic light emitting device, when the high temperature environment test is performed, aggregation phenomena in which the silver components contained in the second electrode are aggregated together, and the thin film characteristics are deteriorated can be confirmed.

즉, 고온 환경에서 제 2 전극 내 포함된 은 성분이 서로 뭉치는 응집 현상으로 인해서 제 2 전극의 계면 특성이 떨어지고 면저항 특성이 상승하여 유기 발광 소자의 소비 전력이 증가하는 문제가 발생하였다. That is, the interface characteristics of the second electrode are deteriorated due to agglomeration of the silver components contained in the second electrode in the high temperature environment, and the sheet resistance characteristics are increased, thereby increasing the power consumption of the organic light emitting device.

또한, 도면에는 도시하지 않았으나, 종래의 유기 발광 소자에 있어서 고온의 테스트 환경에서 도 1에서 확인한 것과 같이 은이 뭉치는 응집 현상이 발생하면서 유기 발광 소자의 화소 수축 현상이 발생하였다. 이는 유기 발광 소자의 발광 영역의 감소로 이어지고 결과적으로 유기 발광 소자의 효율이 떨어지고 휘도가 감소하는 결과를 나타내었다. In addition, although not shown in the drawing, in a conventional organic light emitting device, as shown in FIG. 1, in a high temperature test environment, a silver shatter aggregation phenomenon occurs and a pixel shrinkage phenomenon of the organic light emitting device occurs. This leads to a decrease in the emission region of the organic light emitting device, resulting in a decrease in the efficiency of the organic light emitting device and a decrease in luminance.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 소자의 개략적인 단면을 나타내는 도면이다.2 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하여 고온의 환경에서의 화소 수축이 최소화되어 휘도 저하가 억제될 수 있는 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 소자(200)의 구조를 상세히 설명한다. 2, the structure of the organic light emitting diode 200 according to the embodiment of the present invention in which pixel shrinkage in a high-temperature environment is minimized and brightness reduction can be suppressed will be described in detail.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 유기 발광 소자(200)는 적색 서브 화소 영역(Rp), 녹색 서브 화소 영역(Gp) 및 청색 서브 화소 영역(Bp)이 정의되어 있는 기판(205) 상에 형성되는 제 1 전극(210, anode), 정공 주입층(215, hole injection layer: HIL), 정공 수송층(220, hole transporting layer: HTL), 제 1 광학 보조층(225, R-hole transporting layer: R-HTL), 제 2 광학 보조층(230, G-hole transporting layer: G-HTL) 및 전자 저지층(235, electron blocking layer: EBL)을 포함한다. 2, the organic light emitting diode 200 of the present invention includes a substrate 205 on which a red sub pixel region Rp, a green sub pixel region Gp, and a blue sub pixel region Bp are defined An anode 210, a hole injection layer (HIL) 215, a hole transporting layer (HTL) 220, a first optical assist layer 225, and an R-hole transporting layer (R-HTL), a second optical assist layer 230 (G-HTL), and an electron blocking layer 235 (EBL).

또한, 본 발명의 유기 발광 소자(200)는 적색 발광층(240, Red emission layer: Red EML)과 녹색 발광층(245, Green emission layer: Green EML) 및 청색 발광층(250, Blue emission layer: Blue EML)으로 이루어지는 유기 발광층(EML)과 전자 수송층(255, electron transporting layer: ETL), 하부 제 2 전극 보호층(260, lower cathode protecting layer), 제 2 전극(265, cathode), 상부 제 2 전극 보호층(270, upper cathode protecting layer) 및 캡핑층(275, capping layer: CPL)을 포함하여 구성된다.The organic light emitting device 200 of the present invention may include a red emission layer 240, a green emission layer 245, and a blue emission layer 250, An electron transport layer (ETL) 255, a lower cathode protecting layer 260, a second electrode 265 (cathode), an upper organic light emitting layer (EML) An upper cathode protecting layer 270, and a capping layer 275 (CPL).

또한, 도시하지 않았으나, 유기 발광 소자를 포함하는 유기 발광 표시 장치에 있어, 기판 상에 서로 교차하여 각 화소 영역을 정의하는 게이트 배선과 데이터 배선과 이중 어느 하나와 평행하게 연장되는 전원 배선이 위치하며, 각 화소 영역에는 게이트 배선 및 데이터 배선에 연결된 스위칭 박막트랜지스터와 스위칭 박막트랜지스터에 연결된 구동 박막트랜지스터가 위치한다. 구동 박막트랜지스터는 상기 제 1 전극(210)에 연결된다. Although not shown, in an organic light emitting display device including an organic light emitting device, power supply lines extending in parallel with any one of a gate line and a data line crossing each other and defining pixel regions are located on the substrate And a switching thin film transistor connected to the gate wiring and the data wiring and a driving thin film transistor connected to the switching thin film transistor are disposed in each pixel region. The driving thin film transistor is connected to the first electrode 210.

제 1 전극(210)은 기판(205)의 적색 서브 화소 영역(Rp), 녹색 서브 화소 영역(Gp) 및 청색 서브 화소 영역(Bp)에 형성되며, 반사 전극으로 형성될 수 있으며, 예를 들어, 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide: ITO)와 같이 일함수가 높은 투명 도전성 물질층과 은(Ag) 또는 은 합금(Ag alloy)과 같은 반사 물질층을 포함할 수 있다. The first electrode 210 is formed on the red sub pixel region Rp, the green sub pixel region Gp and the blue sub pixel region Bp of the substrate 205 and may be formed as a reflective electrode, A layer of a transparent conductive material having a high work function such as indium-tin-oxide (ITO), and a layer of a reflective material such as silver (Ag) or silver alloy.

제 1 전극(210) 상에 정공 주입층(215, hole injection layer: HIL)이 형성된다. 정공 주입층(215)은 적색 서브 화소 영역(Rp), 녹색 서브 화소 영역(Gp), 및 청색 서브 화소 영역(Bp)에 모두에 대응되도록 형성된다. A hole injection layer (HIL) 215 is formed on the first electrode 210. The hole injection layer 215 is formed to correspond to both the red sub pixel region Rp, the green sub pixel region Gp, and the blue sub pixel region Bp.

정공 주입층(215)은 정공의 주입을 원활하게 하는 역할을 할 수 있으며, HATCN 및 CuPc(cupper phthalocyanine), PEDOT(poly(3,4)-ethylenedioxythiophene), PANI(polyaniline) 및 NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenylbenzidine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The hole injection layer 215 may function to smooth the injection of holes and may be formed of HATCN and cupper phthalocyanine, PEDOT (poly (3,4) -ethylenedioxythiophene), PANI (polyaniline) and NPD -dinaphthyl-N, N'-diphenylbenzidine), but the present invention is not limited thereto.

정공 주입층(215)은 정공 수송층(220)을 구성하는 물질에 p형 도펀트(p-dopant)를 추가하여 형성할 수 있으며, 이 경우 하나의 공정 장비에서 연속 공정으로 정공 주입층(215)과 정공 수송층(220)을 형성할 수 있다.The hole injection layer 215 may be formed by adding a p-type dopant to the material constituting the hole transport layer 220. In this case, the hole injection layer 215 and the The hole transport layer 220 can be formed.

정공 주입층(215) 상에 정공 수송층(220, hole transporting layer: HTL) 이 형성된다. 정공 수송층(220)은 적색 서브 화소 영역(Rp), 녹색 서브 화소 영역(Gp), 및 청색 서브 화소 영역(Bp) 모두에 대응되는 공통 전공 수송층(HTL)으로 정공의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenylbenzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD 및 MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. A hole transporting layer (HTL) 220 is formed on the hole injection layer 215. The hole transport layer 220 plays a role of facilitating the transport of holes to a common hole transport layer HTL corresponding to both the red subpixel region Rp, the green subpixel region Gp, and the blue subpixel region Bp (N, N'-bis- (phenyl) -benzidine), s-TAD (N, N'-diphenylbenzidine) , And MTDATA (4,4 ', 4 "-tris (N-3-methylphenyl-N-phenylamino) -triphenylamine).

제 1 광학 보조층(225) 및 제 2 광학 보조층(230)은 정공 수송층(220) 상에 위치하며 각각 적색 서브 화소 영역(Rp) 및 녹색 서브 화소 영역(Gp)에 대응되도록 형성된다. The first and second optically-assisted layers 225 and 230 are formed on the hole transport layer 220 and correspond to the red subpixel region Rp and the green subpixel region Gp, respectively.

제 1 광학 보조층(225)은 적색 서브 화소 영역(Rp)에 형성되는 제 1 정공 수송층(R-hole transporting layer: R-HTL)의 역할을 하며, 적색 서브 화소 영역(Rp)에 형성되어 마이크로 캐비티(micro cavity)의 광학적 거리를 형성할 수 있다.The first optical assist layer 225 serves as a first hole transport layer (R-HTL) formed in the red sub pixel region Rp and is formed in the red sub pixel region Rp, The optical distance of the micro cavity can be formed.

또한, 제 2 광학 보조층(230)은 녹색 서브 화소 영역(Gp)에 형성되는 제 2 정공 수송층(G-hole transporting layer: G-HTL)의 역할을 하며, 녹색 서브 화소 영역(Gp)에 형성되어 마이크로 캐비티의 광학적 거리를 형성할 수 있다.The second optical assist layer 230 serves as a second hole transport layer (G-HTL) formed in the green sub pixel area Gp and is formed in the green sub pixel area Gp So that the optical distance of the micro cavity can be formed.

제 1 광학 보조층(225) 및 제 2 광학 보조층(230)은 정공의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenylbenzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD 및 MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The first and second optically-anisotropic layers 225 and 230 serve to facilitate the transport of holes, and include NPD (N, N-dinaphthyl-N, N'-diphenylbenzidine), TPD -bis- (3-methylphenyl) -N, N'-bis- (phenyl) -benzidine, s-TAD and MTDATA (4,4 ' amino) -triphenylamine), but the present invention is not limited thereto.

제 1 광학 보조층(225) 및 제 2 광학 보조층(230) 상에 전자 저지층(235, electron blocking layer: EBL)이 형성된다. 전자 저지층(235)은 상기 정공 수송층(220)으로 넘어갈 수 있는 전자의 흐름을 방지하여 유기 발광층 내에서 정공과 전자의 재결합이 원활히 이루어지도록 하여 유기 발광 소자의 발광 효율을 향상시키기 위한 기능을 한다.An electron blocking layer (EBL) 235 is formed on the first and second optically-assisted layers 225 and 230. The electron blocking layer 235 functions to prevent electrons from flowing to the hole transport layer 220 and to smooth the recombination of holes and electrons in the organic light emitting layer to improve the luminous efficiency of the organic light emitting device .

전자 저지층(235) 상에 적색 발광층(240, Red emission layer: Red EML)과 녹색 발광층(245, Green emission layer: Green EML) 및 청색 발광층(250, Blue emission layer: Blue EML)이 형성된다. 적색 발광층(240), 녹색 발광층(245) 및 청색 발광층(250)은 각각 적색 서브 화소 영역(Rp), 녹색 서브 화소 영역(Gp) 및 청색 서브 화소 영역(Bp)에 위치하며, 적색, 녹색, 청색 발광층(240, 245, 250)은 각각 적색, 녹색, 청색을 발광하는 물질을 포함할 수 있으며, 인광 물질 또는 형광 물질을 이용하여 형성할 수 있다. A red emission layer 240, a green emission layer 245 and a blue emission layer 250 are formed on the electron blocking layer 235. The red light emitting layer 240, the green light emitting layer 245 and the blue light emitting layer 250 are located in the red sub pixel region Rp, the green sub pixel region Gp and the blue sub pixel region Bp, The blue light emitting layers 240, 245, and 250 may include materials that emit red, green, and blue light, respectively, and may be formed using a phosphor or a fluorescent material.

적색 발광층(240)은 CBP(carbazole biphenyl) 또는 mCP(1,3-bis(carbazol-9-yl)를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline) acetylacetonate iridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline) acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline) iridium) 및 PtOEP(octaethylporphyrin platinum)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 도펀트를 포함하는 인광 물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리 PBD:Eu(DBM)3(Phen) 또는 Perylene을 포함하는 형광 물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The red light emitting layer 240 includes a host material containing carbazole biphenyl (CBP) or mCP (1,3-bis (carbazol-9-yl) A phosphorescent material comprising a dopant comprising at least one selected from the group consisting of PQIr (acac) (bis (1-phenylquinoline) acetylacetonate iridium), PQIr (tris (1-phenylquinoline) iridium) and PtOEP (octaethylporphyrin platinum) And may alternatively be made of fluorescent materials including but not limited to PBD: Eu (DBM) 3 (Phen) or Perylene.

녹색 발광층(245)은 CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, Ir(ppy)3(fac tris(2-phenylpyridine)iridium)을 포함하는 Ir complex와 같은 도펀트 물질을 포함하는 인광 물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리 Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)을 포함하는 형광 물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The green light emitting layer 245 may comprise a phosphorescent material including a dopant material such as an Ir complex including Ir (ppy) 3 Alternatively, it may be made of a fluorescent material including Alq3 (tris (8-hydroxyquinolino) aluminum), but is not limited thereto.

청색 발광층(250)은 CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, (4,6-F2ppy)2Irpic을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광 물질로 이루어질 수 있다. 이와는 달리, spiro-DPVBi, spiro-6P, 디스틸벤젠(DSB), 디스트릴아릴렌(DSA), PFO계 고분자 및 PPV계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 형광 물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The blue light emitting layer 250 comprises a host material comprising CBP or mCP and may comprise a phosphorescent material comprising a dopant material comprising (4,6-F2ppy) 2Irpic. Alternatively, the fluorescent material may include any one selected from the group consisting of spiro-DPVBi, spiro-6P, distyrylbenzene (DSB), distyrylarylene (DSA), PFO polymer, and PPV polymer. It is not limited.

적색 발광층(240), 녹색 발광층(245) 및 청색 발광층(250) 상에 전자 수송층(255)이 형성된다. 전자 수송층(255)의 두께는 전자 수송 특성을 고려하여 조절될 수 있다. 전자 수송층(255)은 전자의 수송 및 주입의 역할을 할 수 있다. An electron transport layer 255 is formed on the red light emitting layer 240, the green light emitting layer 245, and the blue light emitting layer 250. The thickness of the electron transporting layer 255 can be adjusted in consideration of the electron transporting property. The electron transporting layer 255 can serve as a transporting and injecting electron.

전자 수송층(255)은 전자의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)[0046] aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq, Liq(lithium quinolate), BMB-3T, PF-6P, TPBI, COT 및 SAlq로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The electron transport layer 255 plays a role of facilitating the transport of electrons and may be formed of Alq3 (tris (8-hydroxyquinolino) aluminum), PBD, TAZ, spiro- PBD, BAlq, lithium quinolate, , PF-6P, TPBI, COT, and SAlq. However, the present invention is not limited thereto.

도 2에 도시하지 않았으나, 상기 전자 수송층(255) 상에 전자 주입층(electron injection layer: EIL)이 별도로 형성될 수 있다.Although not shown in FIG. 2, an electron injection layer (EIL) may be separately formed on the electron transport layer 255.

전자 주입층(EIL)은 Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 또는 SAlq를 사용할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The electron injection layer (EIL) may include but is not limited to Alq3 (tris (8-hydroxyquinolino) aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq or SAlq.

여기서, 본 발명의 실시예에 따라 그 구조가 한정되는 것은 아니며, 정공 주입층(215), 정공 수송층(220), 제 1 광학 보조층(225), 제 2 광학 보조층(230), 전자 수송층(255) 및 전자 주입층(EIL) 중 적어도 어느 하나는 생략될 수도 있다. 또한, 정공 주입층(215), 정공 수송층(220), 제 1 광학 보조층(225), 제 2 광학 보조층(230), 전자 수송층(255) 및 전자 주입층(EIL)을 두 개 이상의 층으로 구성하는 것도 가능하다.The hole injection layer 215, the hole transport layer 220, the first optically-assisted layer 225, the second optically-assisted layer 230, and the electron-transporting layer 230 may be formed in accordance with embodiments of the present invention. At least one of the electron injection layer 255 and the electron injection layer EIL may be omitted. The hole injection layer 215, the hole transport layer 220, the first optically-assisted layer 225, the second optically-assisted layer 230, the electron transport layer 255, and the electron injection layer (EIL) As shown in FIG.

전자 수송층(255) 상에 하부 제 2 전극 보호층(260, lower cathode protecting layer)이 형성된다. A lower cathode protecting layer 260 is formed on the electron transport layer 255.

하부 제 2 전극 보호층(260)은 정공 주입층(EIL)의 역할을 할 수 있으며, 금속 물질과 무기 물질의 혼합층으로 형성될 수 있다. The lower second electrode protection layer 260 may serve as a hole injection layer (EIL), and may be formed of a mixed layer of a metal material and an inorganic material.

하부 제 2 전극 보호층(260)의 금속 물질은 제 2 전극(265)에 포함된 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어서 하부 제 2 전극 보호층(260)의 금속 물질은 마그네슘(Mg), 이터븀(Yb), 리튬(Li), 나트륨(Na), 포타슘(K), 루비듐(Rb), 세슘(Cs), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 란타넘(La), 세륨(Ce), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 터븀(Tb), 디스프로슘(Dy) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다.The metal material of the lower second electrode protection layer 260 may be formed of a material included in the second electrode 265. For example, the metal material of the lower second electrode protection layer 260 may include Mg, Yb, Li, Na, K, Rb, Cs, ), Calcium (Ca), strontium (Sr), barium (Ba), lanthanum (La), cerium (Ce), samarium (Sm), europium (Eu), terbium Or an alloy thereof.

또한, 하부 제 2 전극 보호층(260)의 무기 물질은 불화 리튬(LiF), 불화 세슘(CsF), 산화 바륨(BaO), 염화 나트륨(NaCl), 산화 리튬(Li2O), 불화 바륨(BaF2), 불화 마그네슘(MgF2), 탄산 세슘(Cs2CO3), 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 마그네슘(MgO) 중 어느 하나 또는 이들의 혼합물로 이루어질 수 있다. The inorganic material of the lower second electrode protection layer 260 may be lithium fluoride (LiF), cesium fluoride (CsF), barium oxide (BaO), sodium chloride (NaCl), lithium oxide (Li 2 O) BaF 2 ), magnesium fluoride (MgF 2 ), cesium carbonate (Cs 2 CO 3 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), magnesium oxide (MgO) or a mixture thereof.

하부 제 2 전극 보호층(260) 상에 제 2 전극(265)이 형성된다. 예를 들어서, 제 2 전극(265)은 은(Ag) 또는 은(Ag)과 마그네슘(Mg)의 합금(Ag:Mg)으로 이루어질 수 있으며 제 2 전극(265)은 반투과 특성을 가질 수 있다. 즉, 유기 발광층으로부터 방출된 빛은 상기 제 2 전극(265)을 통해 외부로 표시되는데, 제 2 전극(265)은 반투과 특성을 갖기 때문에, 일부의 빛은 다시 제 1 전극(210)으로 향하게 된다.A second electrode 265 is formed on the lower second electrode protection layer 260. For example, the second electrode 265 may be made of silver (Ag) or an alloy of silver (Ag) and magnesium (Ag: Mg), and the second electrode 265 may have a semi- . That is, the light emitted from the organic light emitting layer is displayed to the outside through the second electrode 265. Since the second electrode 265 has a transflective property, some of the light is directed toward the first electrode 210 do.

이와 같이, 반사층으로 작용하는 제 1 전극(210)과 제 2 전극(265) 사이에서 반복적인 반사가 일어나게 되며, 이와 같은 마이크로 캐비티(micro cavity) 효과에 의해서 제 1 전극(210)과 제 2 전극(265) 사이에서 빛이 반복적으로 반사되어 광 효율이 증가하게 된다. Thus, repeated reflection occurs between the first electrode 210 and the second electrode 265 serving as the reflective layer. Due to such a micro cavity effect, the first electrode 210 and the second electrode 265 The light is repeatedly reflected between the light guide plate 265 and the light efficiency increases.

이 외에도, 제 1 전극(210)을 투과 전극으로 형성하고, 제 2 전극(265)을 반사 전극으로 형성하여 제 1 전극(210)을 통해 유기 발광층으로부터의 빛이 외부로 표시되는 것도 가능하다.In addition, it is also possible that the first electrode 210 is formed as a transmissive electrode, the second electrode 265 is formed as a reflective electrode, and light from the organic light emitting layer is displayed externally through the first electrode 210.

제 2 전극(265) 상에 상부 제 2 전극 보호층(270, upper cathode protecting layer)이 형성된다. An upper second electrode protection layer 270 is formed on the second electrode 265.

상부 제 2 전극 보호층(270)은 외부 환경으로부터 제 2 전극(265)을 보호하는 역할을 할 수 있으며, 금속 물질과 무기 물질의 혼합층으로 형성될 수 있다. The upper second electrode protection layer 270 may protect the second electrode 265 from the external environment and may be formed of a mixed layer of a metal material and an inorganic material.

상부 제 2 전극 보호층(270)의 금속 물질은 제 2 전극(265)에 포함된 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어서 상부 제 2 전극 보호층(270)의 금속 물질은 마그네슘(Mg), 이터븀(Yb), 리튬(Li), 나트륨(Na), 포타슘(K), 루비듐(Rb), 세슘(Cs), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 란타넘(La), 세륨(Ce), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 터븀(Tb), 디스프로슘(Dy) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. The metal material of the upper second electrode protection layer 270 may be formed of a material included in the second electrode 265. For example, the metal material of the upper second electrode protection layer 270 may include Mg, Yb, Li, Na, K, Rb, Cs, ), Calcium (Ca), strontium (Sr), barium (Ba), lanthanum (La), cerium (Ce), samarium (Sm), europium (Eu), terbium Or an alloy thereof.

또한, 상부 제 2 전극 보호층(270)의 무기 물질은 불화 리튬(LiF), 불화 세슘(CsF), 산화 바륨(BaO), 염화 나트륨(NaCl), 산화 리튬(Li2O), 불화 바륨(BaF2), 불화 마그네슘(MgF2), 탄산 세슘(Cs2CO3), 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 마그네슘(MgO) 중 어느 하나 또는 이들의 혼합물로 이루어질 수 있다.The inorganic material of the upper second electrode protection layer 270 may be lithium fluoride (LiF), cesium fluoride (CsF), barium oxide (BaO), sodium chloride (NaCl), lithium oxide (Li 2 O) BaF 2 ), magnesium fluoride (MgF 2 ), cesium carbonate (Cs 2 CO 3 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), magnesium oxide (MgO) or a mixture thereof.

상부 제 2 전극 보호층(270)은 하부 제 2 전극 보호층(260)과 동일한 물질로 형성될 수 있다. 또한, 유기 발광 소자에 있어 제 2 전극(265)을 통한 전자 주입 특성을 고려할 때, 상부 제 2 전극 보호층(270)과 하부 제 2 전극 보호층(260)은 서로 다른 물질로 형성될 수도 있다.The upper second electrode protection layer 270 may be formed of the same material as the lower second electrode protection layer 260. In addition, in the organic light emitting device, the upper second electrode protection layer 270 and the lower second electrode protection layer 260 may be formed of different materials in consideration of electron injection characteristics through the second electrode 265 .

상부 제 2 전극 보호층(270) 상에 캡핑층(275)이 형성된다. 캡핑층(275)은 광 추출 효과를 증가시키기 위한 것으로, 캡핑층(275)은 정공 수송층(220), 제 1 광학 보조층(225), 제 2 광학 보조층(230), 전자 수송층(255) 물질 및 적색 발광층(240), 녹색 발광층(245), 청색 발광층(250)의 호스트 물질 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 캡핑층(275)은 생략하는 것이 가능하다.A capping layer 275 is formed on the upper second electrode protection layer 270. The capping layer 275 is formed of a hole transporting layer 220, a first optical assisting layer 225, a second optical assisting layer 230, an electron transporting layer 255, And a host material of the red light emitting layer 240, the green light emitting layer 245, and the blue light emitting layer 250. In addition, the capping layer 275 can be omitted.

도 3은 앞서 도 2를 참조하여 설명한 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 소자(200)의 하부 제 2 전극 보호층(260)의 두께 실험 결과를 나타내는 도면이다. FIG. 3 is a graph showing experimental results of the thickness of the lower second electrode protection layer 260 of the organic light emitting diode 200 according to the embodiment of the present invention described above with reference to FIG.

도 3은 제 2 전극(265)의 하부에 형성되는 하부 제 2 전극 보호층(260)의 두께를 각각 10Å, 30Å, 50Å, 70Å의 조건으로 다르게 형성한 유기 발광 소자(200)에 있어 고온 평가 전후의 청색 발광 효율과 제 2 전극(265)의 면저항 수준을 비교 평가한 결과를 나타낸 것이다. 본 발명의 실시예에 있어서 제 2 전극(265)으로 적용된 은과 마그네슘의 합금(Ag:Mg) 내 포함된 은과 마그네슘의 혼합 비율은 9:1이었다. 3 is a schematic diagram illustrating an organic light emitting device 200 according to an embodiment of the present invention in which the thickness of the lower second electrode protection layer 260 formed at the lower portion of the second electrode 265 is 10 Å, 30 Å, 50 Å, And the sheet resistance of the second electrode 265 are compared with each other. In the embodiment of the present invention, the mixing ratio of silver and magnesium contained in the alloy of silver and magnesium (Ag: Mg) applied as the second electrode 265 was 9: 1.

도 3을 참조하여, 고온 평가 전후의 본 발명의 유기 발광 소자(200)의 청색 발광 시 효율을 살펴보면, 우선 하부 제 2 전극 보호층(260)을 10Å의 두께로 형성한 경우에는 고온 평가 전 5.3Cd/A 수준의 효율을 나타내었으나 고온 평가 후에는 3.4Cd/A 수준의 효율을 나타내어 청색 발광 효율이 높은 수준으로 감소한 결과를 나타내었다.Referring to FIG. 3, when the blue light emission efficiency of the organic light emitting diode 200 according to the present invention before and after the high temperature evaluation is examined, when the lower second electrode protection layer 260 is formed to a thickness of 10 angstroms, Cd / A level. However, after the high temperature evaluation, the efficiency was about 3.4Cd / A, and the blue light emission efficiency was decreased to a high level.

또한, 하부 제 2 전극 보호층(260)을 50Å 및 70Å의 두께로 형성한 경우에는 고온 평가 전 각각 5.1Cd/A, 4.4Cd/A의 수준의 효율을 나타내었으나 고온 평가 후에는 각각 4.0Cd/A, 3.8Cd/A 수준의 효율을 나타내어 청색 발광 효율이 감소한 결과를 나타내었다. When the lower second electrode protection layer 260 was formed to have a thickness of 50 angstroms and 70 angstroms, the efficiency was 5.1 Cd / A and 4.4 Cd / A, respectively, before the high temperature evaluation. A and 3.8Cd / A, respectively, and the blue light emitting efficiency was decreased.

반면에, 하부 제 2 전극 보호층(260)을 30Å의 두께로 형성한 경우에는 고온 평가 전 5.4Cd/A의 수준을 나타내었으나 고온 평가 후에는 4.1Cd/A 수준의 청색 발광 시 효율을 나타내어 10Å, 50Å 및 70Å의 두께로 하부 제 2 전극 보호층(260)을 형성한 경우와 대비할 때 고온 평가 후 가장 높은 청색 발광 효율의 결과를 나타내었다.On the other hand, when the lower second electrode protection layer 260 was formed to a thickness of 30 ANGSTROM, it showed a level of 5.4Cd / A before the high temperature evaluation. However, after the high temperature evaluation, , 50 ANGSTROM and 70 ANGSTROM, respectively, compared to the case where the lower second electrode protection layer 260 was formed.

또한, 도 3을 참조하여, 고온 평가 전후 제 2 전극(265)의 면저항 특성을 살펴보면, 우선 하부 제 2 전극 보호층(260)을 10Å의 두께로 형성한 경우에는 고온 평가 전 3Ω/sheet의 수준을 나타내었으나 고온 평가 후에는 면저항 특성이 25Ω/sheet의 수준을 나타내어 고온 평가 후 면저항이 높은 수준으로 상승한 결과를 나타내었다. Referring to FIG. 3, the sheet resistance characteristics of the second electrode 265 before and after the high-temperature evaluation are as follows. First, when the lower second electrode protection layer 260 is formed to a thickness of 10 angstroms, But after the high temperature test, the sheet resistance showed a level of 25 Ω / sheet and the sheet resistance increased to a high level after the high temperature evaluation.

반면, 하부 제 2 전극 보호층(260)을 30Å의 두께로 형성한 경우에는 고온 평가 전 3Ω/sheet의 수준을 나타내었고 이와 대비할 때 고온 평가 후 면저항 특성이 15Ω/sheet의 수준을 나타내어 하부 제 2 전극 보호층(260)을 10Å의 두께로 형성한 경우와 대비할 때 면저항이 비교적 낮은 수준으로 상승한 결과를 나타내었다.On the other hand, when the lower second electrode protection layer 260 is formed to a thickness of 30 ANGSTROM, it shows a level of 3 OMEGA / sheet before the high temperature evaluation, The sheet resistance increased to a relatively low level when compared with the case where the electrode protective layer 260 was formed to a thickness of 10 angstroms.

또한, 하부 제 2 전극 보호층(260)을 50Å 및 70Å의 두께로 형성한 경우에는 고온 평가 전 두 경우 모두에서 3Ω/sheet의 수준을 나타내었고 이와 대비할 때 고온 평가 후에는 면저항 특성이 각각 13Ω/sheet, 12Ω/sheet의 수준을 나타내어 하부 제 2 전극 보호층(260)을 10Å의 두께로 형성한 경우와 대비할 때 면저항이 비교적 낮은 수준으로 상승한 결과를 나타내었다. In the case where the lower second electrode protection layer 260 was formed to have a thickness of 50 angstroms and 70 angstroms, the resistance was 3? / Sheet in both cases before the high-temperature evaluation, and the sheet resistance was 13? / Sheet after the high- sheet and 12 Ω / sheet, respectively, and the sheet resistance increased to a relatively low level when compared with the case where the lower second electrode protection layer 260 was formed to a thickness of 10 Å.

즉, 하부 제 2 전극 보호층(260)의 두께가 증가함에 따라서 고온 평가 후 면저항의 상승 수준이 낮아지는 결과를 나타내었고, 또한 하부 제 2 전극 보호층(260)의 두께가 30Å 이상인 경우에 있어서는 고온 평가 후 면저항이 큰 차이를 보이지 않고 유사한 수준을 나타내었다. That is, as the thickness of the lower second electrode protection layer 260 increases, the rise level of the sheet resistance after the high temperature evaluation is lowered. When the thickness of the lower second electrode protection layer 260 is 30 Å or more After the high temperature evaluation, the sheet resistance did not show any significant difference and showed similar level.

따라서, 상기의 청색 발광 시의 효율과 면저항 특성 결과를 종합적으로 고려할 때, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 소자(200)에 있어서 하부 제 2 전극 보호층(260)의 두께는 30Å 또는 그 이상의 수준으로 형성하는 것이 바람직하다. The thickness of the lower second electrode protection layer 260 of the organic light emitting diode 200 according to the exemplary embodiment of the present invention is 30 Å or more . ≪ / RTI >

도 4는 앞서 도 2를 참조하여 설명한 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 소자(200)의 상부 제 2 전극 보호층(270)의 두께 실험 결과를 나타내는 도면이다. 4 is a graph showing an experimental result of the thickness of the upper second electrode protection layer 270 of the organic light emitting diode 200 according to the embodiment of the present invention described above with reference to FIG.

도 4는 제 2 전극(265)의 상부에 형성되는 상부 제 2 전극 보호층(270)의 두께를 10Å, 30Å, 50Å, 70Å의 조건으로 다르게 형성한 유기 발광 소자(200)에 있어 고온 평가 전후의 청색 발광 효율과 제 2 전극(265)의 면저항 수준을 비교 평가한 결과를 나타낸 것이다. 본 발명의 실시예에 있어서 제 2 전극(265) 으로 적용된 은과 마그네슘의 합금(Ag:Mg) 내 은과 마그네슘의 혼합 비율은 9:1이었다. 4 is a graph showing the relationship between the thickness of the organic light emitting diode 200 and the thickness of the second electrode protection layer 270 formed on the second electrode 265 before and after the high temperature evaluation The blue light emitting efficiency of the second electrode 265 and the sheet resistance of the second electrode 265 are compared and evaluated. In the embodiment of the present invention, the mixing ratio of silver and magnesium in the alloy of silver and magnesium (Ag: Mg) applied as the second electrode 265 was 9: 1.

도 4를 참조하여, 고온 평가 전후의 본 발명의 유기 발광 소자의(200) 청색 발광 시 효율을 살펴보면, 우선 상부 제 2 전극 보호층(270)을 10Å의 두께로 형성한 경우에는 고온 평가 전 4.3Cd/A 수준의 효율을 나타내었으나 고온 평가 후에는 3.4Cd/A 수준의 효율을 나타내어 청색 발광 효율이 높은 수준으로 감소한 결과를 나타내었다.Referring to FIG. 4, when the (200) blue light emission efficiency of the organic light emitting device of the present invention before and after the high temperature evaluation is examined, when the upper second electrode protection layer 270 is formed to a thickness of 10 angstroms, Cd / A level. However, after the high temperature evaluation, the efficiency was about 3.4Cd / A, and the blue light emission efficiency was decreased to a high level.

반면에, 상부 제 2 전극 보호층(270)을 30Å의 두께로 형성한 경우에는 고온 평가전 4.3 Cd/A 수준의 효율을 나타내었으나 고온 평가 후에는 3.9Cd/A 수준의 효율을 나타내어 상부 제 2 전극 보호층(270)을 10Å의 두께로 형성한 경우와 대비할 때 청색 발광 효율이 비교적 낮은 수준으로 감소한 결과를 나타내었다. On the other hand, when the upper second electrode protection layer 270 was formed to a thickness of 30 angstroms, the efficiency was 4.3 Cd / A before the high temperature evaluation, but the efficiency was 3.9 Cd / A after the high temperature evaluation. The blue light emitting efficiency was decreased to a relatively low level when compared with the case where the protective layer 270 was formed to a thickness of 10 angstroms.

또한, 상부 제 2 전극 보호층(270)을 50Å 및 70Å의 두께로 형성한 경우에는 고온 평가 전 두 조건에서 모두 4.3Cd/A 수준의 효율을 나타내었으나 고온 평가 후에는 두 조건에서 모두 4.0Cd/A 수준의 청색 발광 효율을 나타내어 상부 제 2 전극 보호층(270)을 30Å의 두께로 형성한 경우와 대비할 때 청색 발광 효율이 유사한 수준을 보였으며 비교적 낮은 수준으로 감소한 결과를 나타내었다. When the upper second electrode protection layer 270 was formed to have a thickness of 50 angstroms and 70 angstroms, the efficiency was 4.3 Cd / A in all the conditions before the high temperature evaluation. However, after the high temperature evaluation, The blue light efficiency of the blue light emission efficiency was comparable to that of the upper second electrode protection layer 270 of 30 Å, and the light emission efficiency was decreased to a relatively low level.

또한, 도 4를 참조하여, 고온 평가 전후 제 2 전극(265)의 면저항 특성을 살펴보면, 우선 상부 제 2 전극 보호층(270)을 10Å의 두께로 형성한 경우에는 고온 평가 전 3Ω/sheet의 수준을 나타내었으나 고온 평가 후에는 면저항 특성이 18Ω/sheet의 수준을 나타내어 고온 평가 후 면저항이 높은 수준으로 상승한 결과를 나타내었다.4, when the upper second electrode protection layer 270 is formed to a thickness of 10 angstroms, the surface resistance of the second electrode 265 before and after the high-temperature evaluation is set to a value of 3? / Sheet After the high temperature test, however, the sheet resistance showed a level of 18Ω / sheet, and the sheet resistance increased to a high level after the high temperature evaluation.

반면, 상부 제 2 전극 보호층(270)을 30Å의 두께로 형성한 경우에는 고온 평가 전 3Ω/sheet의 수준을 나타내었고 이와 대비할 때 고온 평가 후 10Ω/sheet의 수준의 면저항 특성을 나타내어 상부 제 2 전극 보호층(270)을 10Å의 두께로 형성한 경우와 대비할 때 면저항이 비교적 낮은 수준으로 상승한 결과를 나타내었다. On the other hand, when the upper second electrode protection layer 270 is formed to have a thickness of 30 Å, it shows a level of 3 Ω / sheet before the high temperature evaluation, and when compared with that of the upper second electrode protection layer 270, The sheet resistance increased to a relatively low level when compared with the case where the electrode protective layer 270 was formed to a thickness of 10 angstroms.

또한, 상부 제 2 전극 보호층(270)을 50Å 및 70Å의 두께로 형성한 경우에는 고온 평가 전 두 경우 모두에서 3Ω/sheet의 수준을 나타내었고 이와 대비할 때 고온 평가 후에는 면저항 특성이 각각 9Ω/sheet, 8Ω/sheet의 수준을 나타내어 상부 제 2 전극 보호층(270)을 10Å의 두께로 형성한 경우와 대비할 때 면저항이 비교적 낮은 수준으로 상승한 결과를 나타내었다. In the case where the upper second electrode protection layer 270 was formed to have a thickness of 50 angstroms and 70 angstroms, the resistance value was 3? / Sheet in both cases before the high temperature evaluation, sheet and 8? / sheet, respectively. As compared with the case where the upper second electrode protection layer 270 was formed to a thickness of 10 angstroms, the sheet resistance increased to a relatively low level.

즉, 상부 제 2 전극 보호층(270)의 두께가 증가함에 따라서 고온 평가 후 면저항 수준이 낮아지는 결과를 나타내었고, 또한 상부 제 2 전극 보호층(270)의 두께가 30Å 이상인 경우에 있어서는 고온 평가 후 면저항이 큰 차이를 보이지 않고 유사한 수준을 나타내었다.That is, as the thickness of the upper second electrode protection layer 270 was increased, the surface resistance level after the high temperature evaluation was lowered. When the thickness of the upper second electrode protection layer 270 was 30 Å or more, Rear resistance did not show any significant difference and showed similar level.

따라서, 상기의 청색 발광 시의 효율과 면저항 특성 결과를 종합적으로 고려할 때, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 소자(200)에 있어서 상부 제 2 전극 보호층(270)의 두께는 30Å 또는 그 이상의 수준으로 형성하는 것이 바람직하다. The thickness of the upper second electrode protection layer 270 in the organic light emitting diode 200 according to the exemplary embodiment of the present invention may be 30 Å or more . ≪ / RTI >

도 5a 및 도 5b는 앞서 도 2를 참조하여 설명한 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 소자(200)의 고온 테스트 환경 전후의 제 2 전극(265)의 표면 관찰 결과를 나타내는 도면이다.FIGS. 5A and 5B are views showing surface observation results of the second electrode 265 before and after the high temperature test environment of the organic light emitting diode 200 according to the embodiment of the present invention described above with reference to FIG.

우선 도 5a는 본 발명의 실시예에 따라 하부 제 2 전극 보호층(260) 및 상부 제 2 전극 보호층(270)이 적용된 유기 발광 소자(200)의 고온 환경 평가 전 제 2 전극(265)의 표면을 관찰한 결과를 나타내는 도면이다. 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 소자(200)의 제 2 전극(265)은 적용된 은과 마그네슘의 합금(Ag:Mg) 내 은의 함유 비율이 마그네슘의 함유 비율보다 높은 조건으로 형성되었으며, 보다 구체적으로 제2 전극(265) 내의 은과 마그네슘의 함유 비율은 9:1의 조건이었다. 5A is a sectional view illustrating the structure of the second electrode 265 before the high temperature environment evaluation of the organic light emitting diode 200 to which the lower second electrode protection layer 260 and the upper second electrode protection layer 270 are applied according to an embodiment of the present invention. And the surface is observed. The second electrode 265 of the organic light emitting diode 200 according to the embodiment of the present invention is formed in such a condition that the content of silver in the silver (Ag: Mg) alloy applied is higher than the content of magnesium, And the content ratio of silver and magnesium in the second electrode 265 was 9: 1.

또한, 도 5b는 도 5a의 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 소자(200)의 고온 환경 평가 후 제 2 전극(265)의 표면을 관찰한 결과를 나타내는 도면이다. 5B is a view showing the result of observing the surface of the second electrode 265 after the high temperature environment evaluation of the organic light emitting diode 200 according to the embodiment of the present invention shown in FIG. 5A.

도 5b에서 볼 수 있는 것과 같이, 종래의 유기 발광 소자에 있어서의 고온 환경 테스트 시 제 2 전극의 표면 관찰 결과와 비교할 때, 제 2 전극(265)의 하부에 형성된 하부 제 2 전극 보호층(260) 및 제 2 전극(265)의 상부에 형성된 상부 제 2 전극 보호층(270)이 적용됨에 따라서 고온 평가 후에도 제 2 전극(265) 내 은 성분의 서로 뭉치는 응집 현상이 발생하지 않는 것을 알 수 있으며 제 2 전극(265)의 박막 특성이 개선된 결과를 나타내었다. As shown in FIG. 5B, in comparison with the result of surface observation of the second electrode in the high temperature environmental test of the conventional organic light emitting device, the lower second electrode protection layer 260 And the upper second electrode protection layer 270 formed on the upper portion of the second electrode 265 are applied to the second electrode 265, the aggregation of the silver components in the second electrode 265 does not occur after the high temperature evaluation And the thin film characteristics of the second electrode 265 were improved.

또한 도면에는 도시하지 않았으나, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 소자(200)에 있어서 고온의 테스트 환경에서 도 5b에서 확인할 수 있는 것과 같이 은 성분이 뭉치는 응집 현상이 최소화되면서 제 2 전극의 계면 특성이 향상되고, 고온 환경 평가 후 화소가 수축되는 현상이 최소화되어 화소 수축에 따른 유기 발광 소자의 효율 및 휘도 저하가 개선될 수 있다.5B, in the high temperature test environment of the organic light emitting diode 200 according to the embodiment of the present invention, the agglomeration phenomenon of the silver component is minimized, The characteristics are improved and the phenomenon of shrinking the pixels after the high temperature environment evaluation is minimized, so that the efficiency and the luminance lowering of the organic light emitting element due to the pixel shrinkage can be improved.

도 6은 본 발명의 비교예에 따른 유기 발광 소자의 고온 환경 전후의 전기 광학 특성 평가 결과를 나타내는 도면이다.FIG. 6 is a graph showing the results of electro-optical characteristics evaluation of an organic light emitting device according to a comparative example of the present invention before and after a high-temperature environment. FIG.

본 발명의 비교예에 있어서 제 2 전극으로 적용된 은과 마그네슘의 합금(Ag:Mg) 내 은과 마그네슘의 혼합 비율은 4:1 및 9:1의 두 가지 조건이었다.. In the comparative example of the present invention, the mixing ratio of silver and magnesium in the alloy of silver and magnesium (Ag: Mg) applied as the second electrode was two conditions of 4: 1 and 9: 1.

우선 도 6을 참조하여, 제 2 전극 내 은과 마그네슘의 혼합 비율을 4:1로 형성한 경우에 있어서 상부 및 하부에 전극 보호층을 적용하지 않은 유기 발광 소자의 청색 발광 시의 효율을 살펴보면, 고온 평가 전 4.0Cd/A의 수준의 효율을 나타내었으나 고온 평가 후 3.0Cd/A의 수준을 나타내어 1.0Cd/A의 수준으로 청색 발광 시 효율이 감소한 결과를 나타내었다. Referring to FIG. 6, when the mixing ratio of silver and magnesium in the second electrode is 4: 1 and the efficiency of blue light emission of the organic light emitting device not including the electrode protection layer at the top and bottom is examined, The efficiency at the level of 4.0Cd / A before the high temperature evaluation was shown, but the level of 3.0Cd / A after the high temperature evaluation showed a level of 1.0Cd / A.

또한, 도 6에서 확인할 수 있는 것과 같이, 제 2 전극 내 은과 마그네슘의 혼합 비율을 4:1로 형성한 경우에 있어서 상부 및 하부에 전극 보호층을 적용하지 않은 유기 발광 소자의 제 2 전극의 면저항 특성을 살펴보면, 고온 평가 전 10Ω/sheet의 수준을 나타내었으나 고온 평가 후에는 30Ω/sheet의 수준을 보여 높은 수준으로 면저항이 상승한 결과를 나타내었다. 이는 고온 환경에서 제 2 전극 내 포함되어 있는 은 성분이 서로 뭉치는 응집 현상이 발생함에 따라 면저항이 상승한 결과를 나타내었다. 6, when the mixing ratio of silver and magnesium in the second electrode is 4: 1, the second electrode of the organic light emitting device, which is not applied with the electrode protection layer at the top and bottom, The sheet resistance showed a level of 10 Ω / sheet before the high-temperature evaluation, but after the high-temperature evaluation, the sheet resistance was increased to 30 Ω / sheet. This is because the surface resistance of the second electrode increased as the aggregation of the silver components contained in the second electrode occurred in the high temperature environment.

다음으로 도 6을 참조하여, 제 2 전극 내 은과 마그네슘의 혼합 비율을 9:1로 형성한 경우에 있어서 제 2 전극의 상부 및 하부에 전극 보호층을 적용하지 않은 유기 발광 소자의 청색 발광 시의 효율을 살펴보면, 고온 평가 전 4.3Cd/A의 수준의 효율을 나타내었으나 고온 평가 후 3.1Cd/A의 수준을 나타내어 1.2Cd/A 수준으로 청색 발광 시 효율이 감소한 결과를 나타내었다. Next, referring to FIG. 6, in the case where the mixing ratio of silver and magnesium in the second electrode is 9: 1, the blue light emission of the organic light emitting device, which is not applied to the upper and lower portions of the second electrode, The efficiency of 4.3Cd / A was shown before the high temperature evaluation, but it was 3.1Cd / A after the high temperature evaluation and the efficiency of blue light emission was decreased to 1.2Cd / A level.

또한, 도 6에서 확인할 수 있는 것과 같이, 제 2 전극 내 은과 마그네슘의 혼합 비율을 9:1로 형성한 경우에 있어서 상부 및 하부에 전극 보호층을 적용하지 않은 유기 발광 소자의 제 2 전극의 면저항 특성을 살펴보면, 고온 평가 전 3Ω/sheet의 수준을 나타내었으나 고온 평가 후 28Ω/sheet의 수준으로 높은 수준으로 면저항이 상승한 결과를 나타내었다. 6, when the mixing ratio of silver and magnesium in the second electrode is 9: 1, the second electrode of the organic light emitting diode, which is not applied with the electrode protection layer at the top and bottom, The sheet resistance showed a level of 3Ω / sheet before the high temperature evaluation, but the sheet resistance increased to a high level of 28Ω / sheet after the high temperature evaluation.

도 7은 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 소자(200)의 고온 환경 평가 전후의 전기 광학 특성 평가 결과를 나타내는 도면이다.7 is a diagram showing the results of the electro-optical characteristic evaluation before and after the evaluation of the high temperature environment of the organic light emitting diode 200 according to the embodiment of the present invention.

본 발명의 실시예에 있어서도 도 6의 비교예와 동일하게 제 2 전극(265)으로 적용된 은과 마그네슘의 합금(Ag:Mg) 내 은과 마그네슘의 혼합 비율은 4:1 및 9:1의 두 가지 조건이었다.In the embodiment of the present invention, the mixing ratio of silver and magnesium in the alloy of silver and magnesium (Ag: Mg) applied to the second electrode 265 is 4: 1 and 9: 1 Condition.

또한, 제 2 전극(265) 내 은과 마그네슘의 혼합 비율을 4:1 및 9:1의 두 가지 조건으로 한정한 상태 모두에서, 제 2 전극(265)의 하부의 하부 제 2 전극 보호층(260)은 30Å의 두께로 형성하였고, 제 2 전극(265)의 상부의 상부 제 2 전극 보호층(270)은 30Å의 두께로 형성하였다. In the state where the mixing ratio of silver and magnesium in the second electrode 265 is limited to two conditions of 4: 1 and 9: 1, the lower second electrode protection layer 260 were formed to a thickness of 30 angstroms and the upper second electrode protection layer 270 of the upper portion of the second electrode 265 was formed to a thickness of 30 angstroms.

도 7을 참조하여, 제 2 전극(265) 내 은과 마그네슘의 혼합 비율을 4:1로 형성한 경우에 있어서 제 2 전극(265)의 하부 및 상부에 하부 제 2 전극 보호층(260) 및 상부 제 2 전극 보호층(270)을 적용한 유기 발광 소자(200)의 청색 발광 시의 효율을 살펴보면, 고온 평가 전 5.0Cd/A의 수준의 효율을 나타내었으나 고온 평가 후 5.1Cd/A의 수준을 나타내어 고온 평가 전후 청색 발광 시 효율이 감소하지 않고 유사한 수준을 나타내었다. Referring to FIG. 7, when the mixing ratio of silver and magnesium in the second electrode 265 is 4: 1, the lower second electrode protection layer 260 and the second lower electrode protection layer 260 are formed on the lower portion and the upper portion of the second electrode 265, The efficiency of the blue light emission of the organic light emitting diode 200 using the upper second electrode protection layer 270 was 5.0 Cd / A before the high temperature evaluation, but it was 5.1 Cd / A after the high temperature evaluation The efficiency of blue light emission before and after the high temperature evaluation was not decreased but was similar.

또한, 도 7에서 확인할 수 있는 것과 같이, 제 2 전극(265) 내 은과 마그네슘의 혼합 비율을 4:1로 형성한 경우에 있어서 제 2 전극(265)의 하부 및 상부에 하부 제 2 전극 보호층(260) 및 상부 제 2 전극 보호층(270)을 적용한 유기 발광 소자(200)의 제 2 전극(265)의 면저항 특성을 살펴보면, 고온 평가 전 10Ω/sheet의 수준을 나타내었으나 고온 평가 후에는 10Ω/sheet의 수준을 보여 고온 평가 전후 면저항의 상승 없이 유사한 수준을 나타내었다. 7, in the case where the mixing ratio of silver and magnesium in the second electrode 265 is 4: 1, the lower second electrode 265 is formed on the lower portion and the upper portion of the second electrode 265, Sheet resistance of the second electrode 265 of the organic light emitting diode 200 to which the layer 260 and the upper second electrode protection layer 270 are applied has a level of 10? / Sheet before the high temperature evaluation. However, 10 Ω / sheet, showing a similar level without increasing the sheet resistance before and after the high temperature evaluation.

다음으로 도 7을 참조하여, 제 2 전극(265) 내 은과 마그네슘의 혼합 비율을 9:1로 형성한 경우에 있어서 제 2 전극(265)의 하부 및 상부에 하부 제 2 전극 보호층(260) 및 상부 제 2 전극 보호층(270)을 적용한 유기 발광 소자(200)의 청색 발광 시의 효율을 살펴보면, 고온 평가 전 5.5Cd/A의 수준의 효율을 나타내었으나 고온 평가 후에도 5.4Cd/A의 수준을 나타내어 도 6의 전극 보호층을 적용하지 않은 비교예와 대비할 때 고온 평가 전후 청색 발광 시 효율이 크게 감소하지 않고 유사한 수준의 결과를 나타내었다.Referring to FIG. 7, when the mixing ratio of silver and magnesium in the second electrode 265 is 9: 1, the lower second electrode protection layer 260 ) And the upper second electrode protection layer 270, the efficiency of the organic light emitting diode 200 at the time of blue light emission was about 5.5 Cd / A before the high temperature evaluation, but it was 5.4 Cd / A after the high temperature evaluation The results are similar to those of the comparative example in which the electrode protecting layer of FIG. 6 is not applied.

본 발명의 상세한 설명에서는 고온 평가 전후 청색 발광 시의 효율에 있어서의 효과만을 설명하였으나, 본 발명의 실시예에 따른 제 2 전극(265)의 하부 및 상부에 하부 제 2 전극 보호층(260) 및 상부 제 2 전극 보호층(270)을 적용한 유기 발광 소자의 경우, 고온 평가 전후 적색 발광 시 및 녹색 발광 시의 효율에 있어서도 동일한 효과를 얻는 것이 가능하다. Although only the effect of efficiency in blue light emission before and after the high temperature evaluation is described in the detailed description of the present invention, the lower second electrode protection layer 260 and the lower second electrode protection layer 260 are formed on the lower portion and the upper portion of the second electrode 265 according to the embodiment of the present invention. In the case of the organic light emitting device using the upper second electrode protection layer 270, it is possible to obtain the same effect in the case of red light emission before and after the high temperature evaluation and in the efficiency of green light emission.

또한, 도 7을 참조하여 제 2 전극(265) 내 은과 마그네슘의 혼합 비율을 9:1로 형성한 경우에 있어서 제 2 전극(265)의 하부 및 상부에 하부 제 2 전극 보호층(260) 및 상부 제 2 전극 보호층(270)을 적용한 유기 발광 소자(200)의 제 2 전극(265)의 면저항 특성을 살펴보면, 고온 평가 전 3Ω/sheet의 수준을 나타내었으나 고온 평가 후에도 3Ω/sheet의 수준을 보였으며 면저항이 상승하지 않고 유기 발광 소자에서 요구되는 우수한 면저항 특성을 나타내었다. 7, when the mixing ratio of silver and magnesium in the second electrode 265 is 9: 1, the lower second electrode protection layer 260 is formed on the lower portion and the upper portion of the second electrode 265, Sheet resistance of the second electrode 265 of the organic light emitting diode 200 to which the upper second electrode protection layer 270 is applied showed a level of 3? / Sheet before the high temperature evaluation. However, after the high temperature evaluation, And the sheet resistance did not increase and showed excellent sheet resistance characteristics required in organic light emitting devices.

지금까지 살펴본 바와 같이 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 소자에서는, 제 2 전극의 하부에 하부 제 2 전극 보호층 및 제 2 전극의 상부에 상부 제 2 전극 보호층을 적용함으로써 고온의 테스트 환경에서 제 2 전극 내 포함되어 있는 은이 서로 뭉치는 현상을 최소화하고 제 2 전극의 계면 특성을 향상시켜 화소 수축을 억제함으로써 유기 발광 소자의 고온 신뢰성 문제를 해결할 수 있다.As described above, in the organic light emitting diode according to the embodiment of the present invention, the second lower electrode protection layer and the upper second electrode protection layer are formed on the upper portion of the second electrode, The problem of high temperature reliability of the organic light emitting device can be solved by minimizing the aggregation of silver contained in the second electrode and improving the interface property of the second electrode to suppress pixel shrinkage.

또한, 고온 환경에서 발생할 수 있는 화소 수축을 최소화함으로써 유기 발광 소자의 휘도 저하를 억제할 수 있다.In addition, it is possible to suppress the decrease in luminance of the organic light emitting element by minimizing the pixel shrinkage that may occur in a high temperature environment.

또한, 제 2 전극 내 은 성분의 함유 비율을 높임으로써 제 2 전극의 면저항 특성을 낮출 수 있는 효과가 있다.In addition, the sheet resistance of the second electrode can be lowered by increasing the content ratio of the silver in the second electrode.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail with reference to the accompanying drawings, it is to be understood that the present invention is not limited to those embodiments and various changes and modifications may be made without departing from the scope of the present invention. . Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, it should be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of protection of the present invention should be construed according to the claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

200: 유기 발광 소자
205: 기판
210: 제 1 전극
215: 정공 주입층
220: 정공 수송층
225: 제 1 광학 보조층
230: 제 2 광학 보조층
235: 전자 저지층
240: 적색 발광층
245: 녹색 발광층
250: 청색 발광층
255: 전자 수송층
260: 하부 제 2 전극 보호층
265: 제 2 전극
270: 상부 제 2 전극 보호층
275: 캡핑층
Rp: 적색 서브 화소 영역
Gp: 녹색 서브 화소 영역
Bp: 청색 서브 화소 영역200: Organic light emitting device
205: substrate
210: first electrode
215: Hole injection layer
220: hole transport layer
225: first optical assist layer
230: second optically assisted layer
235: Electronic blocking layer
240: Red light emitting layer
245: green light emitting layer
250: blue light emitting layer
255: electron transport layer
260: lower second electrode protection layer
265: second electrode
270: upper second electrode protection layer
275: capping layer
Rp: Red sub pixel area
Gp: green sub pixel area
Bp: blue sub pixel area

Claims (10)

제 1 전극과 제 2 전극;
상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 위치하고, 복수 개의 서브 픽셀 영역 각각에 배치된 복수 개의 유기 발광층;
상기 제 2 전극의 하부에 위치하는 하부 제 2 전극 보호층; 및
상기 제 2 전극의 상부에 위치하는 상부 제 2 전극 보호층을 포함하는 유기 발광 소자.A first electrode and a second electrode;
A plurality of organic light emitting layers disposed between the first electrode and the second electrode and disposed in each of the plurality of sub pixel regions;
A lower second electrode protection layer located under the second electrode; And
And an upper second electrode protection layer located above the second electrode. 제 1 항에 있어서,
상기 복수 개의 유기 발광층은 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층을 포함하는 유기 발광 소자.The method according to claim 1,
Wherein the plurality of organic light emitting layers includes a red light emitting layer, a green light emitting layer, and a blue light emitting layer. 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 전극은 은(Ag)과 마그네슘(Mg)의 합금으로 이루어지는 유기 발광 소자.The method according to claim 1,
Wherein the second electrode is made of an alloy of silver (Ag) and magnesium (Mg). 제 3 항에 있어서,
상기 은(Ag)과 마그네슘(Mg)의 함유 비율은 4:1 내지 9:1 인 유기 발광 소자.The method of claim 3,
Wherein a content ratio of silver (Ag) to magnesium (Mg) is 4: 1 to 9: 1. 제 4 항에 있어서,
상기 하부 제 2 전극 보호층과 상기 상부 제 2 전극 보호층 각각은 금속 물질과 무기 물질의 혼합층으로 이루어지는 유기 발광 소자.5. The method of claim 4,
Wherein the lower second electrode protection layer and the upper second electrode protection layer each comprise a mixed layer of a metal material and an inorganic material. 제 5 항에 있어서,
상기 금속 물질은 마그네슘(Mg), 이터븀(Yb), 리튬(Li), 나트륨(Na), 포타슘(K), 루비듐(Rb), 세슘(Cs), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 란타넘(La), 세륨(Ce), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 터븀(Tb), 디스프로슘(Dy) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어지는 유기 발광 소자. 6. The method of claim 5,
The metal material may be at least one selected from the group consisting of Mg, Yb, Li, Na, K, Rb, Cs, Ca, An organic light-emitting device comprising at least one of barium (Ba), lanthanum (La), cerium (Ce), samarium (Sm), europium (Eu), terbium (Tb) and dysprosium (Dy) or an alloy thereof. 제 5 항에 있어서,
상기 무기 물질은 불화 리튬(LiF), 불화 세슘(CsF), 산화 바륨(BaO), 염화 나트륨(NaCl), 산화 리튬(Li2O), 불화 바륨(BaF2), 불화 마그네슘(MgF2), 탄산 세슘(Cs2CO3), 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 마그네슘(MgO) 중 어느 하나 또는 이들의 혼합물로 이루어지는 유기 발광 소자. 6. The method of claim 5,
The inorganic material is lithium fluoride (LiF), cesium fluoride (CsF), barium (BaO), sodium chloride oxidative (NaCl), lithium oxide (Li 2 O), barium fluoride (BaF 2), magnesium fluoride (MgF 2), An organic light-emitting device comprising at least one of cesium carbonate (Cs 2 CO 3 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), and magnesium oxide (MgO), or a mixture thereof. 제 1 항에 있어서,
상기 하부 제 2 전극 보호층과 상기 상부 제 2 전극 보호층은 동일한 물질로 이루어지는 유기 발광 소자.The method according to claim 1,
Wherein the lower second electrode protection layer and the upper second electrode protection layer are made of the same material. 제 1 항에 있어서,
상기 하부 제 2 전극 보호층과 상기 상부 제 2 전극 보호층 각각의 두께는 30Å 이상인 유기 발광 소자.The method according to claim 1,
Wherein the thickness of each of the lower second electrode protection layer and the upper second electrode protection layer is 30 ANGSTROM or more. 제 1 항에 있어서,
상기 하부 제 2 전극 보호층과 상기 상부 제 2 전극 보호층은 서로 다른 물질로 이루어지는 유기 발광 소자.The method according to claim 1,
Wherein the lower second electrode protection layer and the upper second electrode protection layer are made of different materials.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108539040A (en) * 2018-03-29 2018-09-14 霸州市云谷电子科技有限公司 A kind of organic light emitting diodde desplay device and display device
KR20180120828A (en) * 2017-04-27 2018-11-07 한국기계연구원 Protective film compound manufacturing method and transparent electrode manufacturing method
KR20190080520A (en) * 2017-12-28 2019-07-08 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Display Device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005302740A (en) * 2005-07-05 2005-10-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light emitting device
KR20080010455A (en) * 2005-06-09 2008-01-30 로무 가부시키가이샤 Organic el element, organic el display device, and process for producing organic el element

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080010455A (en) * 2005-06-09 2008-01-30 로무 가부시키가이샤 Organic el element, organic el display device, and process for producing organic el element
JP2005302740A (en) * 2005-07-05 2005-10-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light emitting device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180120828A (en) * 2017-04-27 2018-11-07 한국기계연구원 Protective film compound manufacturing method and transparent electrode manufacturing method
KR20190080520A (en) * 2017-12-28 2019-07-08 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Display Device
CN108539040A (en) * 2018-03-29 2018-09-14 霸州市云谷电子科技有限公司 A kind of organic light emitting diodde desplay device and display device

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