KR20160016222A - Folding type capacitor comprising aluminium oxide layer - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a foldable capacitor and, more specifically, to the structure of a capacitor using an aluminum oxide layer. According to the present invention, the foldable capacitor including an aluminum oxide layer includes: an aluminum substrate which includes a bending part to have at least a pair of sides facing each other and is bent; an aluminum oxide layer which is formed on both sides or one side of the aluminum substrate except for at least part of the bending part; and an electrode layer which is formed continuously on the aluminum oxide layer and the bending part of the aluminum substrate and is connected to the sides facing each other on the aluminum substrate. According to the present invention, as a separate insulation layer is not formed after the aluminum layer is formed and instead, an Al2O3 insulation layer is formed by anodizing the aluminum layer. The manufacturing process can be simple and the manufacturing costs can be lowered. Also, according to the present invention, it is possible to provide a foldable capacitor with high capacitance and high reliability by stacking capacitors including the aluminum oxide layers through a simple process.

Description

산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터{Folding type capacitor comprising aluminium oxide layer} [0001] The present invention relates to a folding type capacitor comprising an aluminum oxide layer,

본 발명은 접철형 커패시터로서 보다 상세하게는 산화알루미늄층을 이용한 커패시터 구성에 관한 것이다.  More particularly, the present invention relates to a capacitor structure using an aluminum oxide layer.

커패시터는 전기를 저장하거나 방출하는 축전지로서의 용도와 직류를 통하지 않는 성질을 이용하는 용도가 있으며, 서로 절연된 두 개의 평판전극을 접근시켜 양극 사이에 유전체를 끼워 넣은 구조로 이루어져 있다. The capacitor is used as a battery for storing or discharging electricity or for using a property that does not pass direct current. The capacitor has a structure in which two planar electrodes insulated from each other approach each other and a dielectric is sandwiched between the electrodes.

커패시터에 직류 전류를 걸어주면 각 전극에 전하가 축적되면서 전류가 흐르다가 전하 축적이 끝나면 전류가 흐르지 않게 된다. 그러나 전극을 바꾸어 다시 직류전류를 걸어주면 순간적으로 전류가 흐르게 된다. 이러한 특성을 살려 커패시터는, 전기를 저장하는 용도 외에, 직류전류는 차단하고 교류전류는 통과시키는 용도로도 사용된다.When a direct current is applied to a capacitor, electric charge accumulates on each electrode, and current does not flow when charge accumulation ends. However, if the electrode is changed and the DC current is applied again, the current flows instantaneously. Taking advantage of these characteristics, the capacitor is used not only for storing electricity but also for blocking direct current and passing alternating current.

이러한 커패시터는 사용하는 유전체 재질에 따라 공기커패시터, 진공커패시터, 가스커패시터, 액체커패시터, 운모(마이카)커패시터, 세라믹커패시터, 종이 커패시터, 플라스틱 필름커패시터, 전해커패시터 등으로 나뉜다.These capacitors are divided into air capacitors, vacuum capacitors, gas capacitors, liquid capacitors, mica capacitors, ceramic capacitors, paper capacitors, plastic film capacitors, and electrolytic capacitors depending on the dielectric material used.

전해커패시터에는 알루미늄 전해커패시터와 탄탈 전해커패시터가 있는데, 통상 전해커패시터라 하면 알루미늄 전해커패시터를 말한다. 전해커패시터는 얇은 산화막을 유전체로서 사용하며 전극으로는 알루미늄을 사용한다. 유전체를 매우 얇게 할 수 있으므로 커패시터의 체적에 비해 큰 용량을 얻을 수 있다.Electrolytic capacitors include aluminum electrolytic capacitors and tantalum electrolytic capacitors. Normally electrolytic capacitors are aluminum electrolytic capacitors. Electrolytic capacitors use thin oxide films as dielectrics and aluminum as electrodes. Since the dielectric can be made very thin, a large capacitance can be obtained compared to the volume of the capacitor.

한편 최근에는 세라믹과 금속(니켈)을 번갈아 쌓아 만든 적층 세라믹 커패시터(Multi-Layer Ceramic Capacitor; MLCC)에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 머리카락 하나 굵기인 0.3㎜ 높이에 200~1000겹까지 세라믹과 금속을 번갈아 쌓아 적층 세라믹 커패시터를 형성한다.Recently, research on multi-layer ceramic capacitors (MLCC) made by alternately stacking ceramic and metal (nickel) has been actively conducted. Ceramic and metal alternately stack up to 200 ~ 1000 layers at 0.3mm height, which is the thickness of hair, to form a multilayer ceramic capacitor.

적층 세라믹 커패시터는, 니켈은 금속이므로 전기가 통하나 세라믹은 전기가 통하지 않는 원리를 응용하여, 세라믹과 니켈을 여러 층 쌓아 전기를 저장할 수 있게 한 것이다.In the multilayer ceramic capacitor, nickel is a metal, so electricity can pass through it, but ceramics can not be electrically connected, and ceramic and nickel can be stacked to store electricity.

적층 세라믹 커패시터는 휴대폰, 스마트폰, LCD TV, 컴퓨터 등 전자제품에 수 백개씩 필수적으로 들어가는 핵심 부품으로서, 전자기기의 소형화 추세로 인해 작고 용량이 큰 것일수록 뛰어난 기술력이 필요하다.Multilayer ceramic capacitors are essential components for hundreds of electronic products such as mobile phones, smart phones, LCD TVs, and computers. Due to the miniaturization trend of electronic devices, smaller and larger capacities are required to have superior technology.

그러나 이러한 적층 세라믹 커패시터는 다층으로 쌓아 커패시터를 만들 때 두께가 커지고, 또한 금속과 절연층을 계속 쌓아야 하기 때문에 설비 비용이 높은 공정을 사용하므로 제조 원가가 높은 문제점이 있다.However, such a multilayer ceramic capacitor has a problem in that it is expensive to manufacture because it uses a high-cost process because the thickness of the multilayer ceramic capacitor is increased when the capacitor is stacked and the metal and the insulating layer are continuously stacked.

상술한 기술적 과제를 해결하기 위하여 본 발명은 공정이 간소하여 제조 원가를 낮출 수 있는 고용량 커패시터 구조를 제안하는 것을 목적으로 한다.  SUMMARY OF THE INVENTION In view of the foregoing, it is an object of the present invention to provide a high-capacity capacitor structure that can simplify the manufacturing process and reduce manufacturing costs.

또한, 본 발명에 따르면 보다 간소한 공정으로 적층 가능한 고용량 및 고신뢰성을 갖는 커패시터 구조를 제안하는 것을 목적으로 한다. Further, according to the present invention, it is an object of the present invention to provide a capacitor structure having a high capacity and a high reliability that can be stacked in a simpler process.

상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 실시예에 따른 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터는 적어도 하나의 마주보는 면을 형성하기 위하여 절곡부를 가지며 절곡되는 알루미늄 기판; 상기 절곡부의 적어도 일부 영역을 제외한 상기 알루미늄 기판의 양면 또는 일면에 형성된 산화알루미늄층; 및 상기 산화알루미늄층 및 상기 알루미늄 기판의 절곡부 상에서 연속하여 형성되며, 상기 알루미늄 기판의 마주보는 면에서 접합되는 전극층을 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a folded capacitor including an aluminum oxide layer, the aluminum substrate having a bent portion to form at least one facing surface, the aluminum substrate being bent; An aluminum oxide layer formed on both surfaces or one surface of the aluminum substrate except for at least a part of the bent portion; And an electrode layer continuously formed on the aluminum oxide layer and the bending portion of the aluminum substrate, the electrode layer being bonded on the facing surface of the aluminum substrate.

상기 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터는, 상기 알루미늄 기판상에 형성된 각각의 상기 전극층에 모두 접속되어 상기 전극층에 전극을 인가하는 제1 리드선을 포함하는 것을 특징으로 하는 접철형 산화알루미늄층을 포함한다.Wherein the folded capacitor including the aluminum oxide layer includes a first lead line connected to all of the electrode layers formed on the aluminum substrate and applying an electrode to the electrode layer do.

상기 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터는, 상기 알루미늄 기판에 접속되어 상기 알루미늄 기판에 전극을 인가하는 제2 리드선을 포함한다.The folded capacitor including the aluminum oxide layer includes a second lead wire connected to the aluminum substrate and applying an electrode to the aluminum substrate.

상기 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터는, 상기 절곡부의 적어도 일부 영역에는 소정의 깊이를 갖는 홈부가 형성되는 것이 바람직하다.In the folded capacitor including the aluminum oxide layer, it is preferable that a groove portion having a predetermined depth is formed in at least a part of the bent portion.

상기 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터는, 상기 절곡부의 적어도 일부 영역을 제외한 상기 알루미늄 기판의 양면 또는 일면에 상기 산화알루미늄층을 형성하기 위하여 상기 홈부 내에 형성되는 마스킹부를 포함한다.The folded capacitor including the aluminum oxide layer includes a masking portion formed in the groove portion to form the aluminum oxide layer on both surfaces or one surface of the aluminum substrate except at least a part of the bent portion.

상기 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터는, 상기 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터를 봉지하기 위한 봉지부재를 더 포함한다.The folded capacitor including the aluminum oxide layer further includes a sealing member for sealing the folded capacitor including the aluminum oxide layer.

상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 실시예에 따른 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터 제조 방법은 알루미늄 기판의 적어도 하나의 마주보는 면을 형성하기 위하여 휘어지는 절곡부를 고려하여 상기 절곡부의 적어도 일부 영역을 제외한 상기 알루미늄 기판의 양면 또는 일면에 산화알루미늄층을 형성하는 단계; 상기 알루미늄 기판의 양면 또는 일면 각각에 상기 산화알루미늄층 및 상기 알루미늄 기판의 절곡부 상에서 연속하는 전극층을 형성하는 단계; 및 상기 양면 또는 일면 각각에 형성된 상기 전극층이 상기 알루미늄 기판의 마주보는 면에서 접합되도록 상기 알루미늄 기판을 절곡하는 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of fabricating a folded capacitor including an aluminum oxide layer, the method including the steps of: forming at least one facing surface of an aluminum substrate, Forming an aluminum oxide layer on both sides or one side of the aluminum substrate; Forming a continuous electrode layer on the aluminum oxide layer and on the bent portions of the aluminum substrate on both sides or one side of the aluminum substrate; And bending the aluminum substrate so that the electrode layers formed on the both surfaces or one surface of the aluminum substrate are bonded to each other on a facing surface of the aluminum substrate.

상기 산화알루미늄층을 형성하는 단계에 앞서, 상기 절곡부의 적어도 일부에 소정의 깊이를 갖는 홈부를 형성하는 단계; 및 상기 절곡부의 적어도 일부 영역을 제외한 상기 알루미늄 기판의 양면 또는 일면에 상기 산화알루미늄층을 형성하기 위하여 상기 홈부 내에 마스킹부를 형성하는 단계를 포함한다.Forming a groove portion having a predetermined depth in at least a part of the bent portion, prior to the step of forming the aluminum oxide layer; And forming a masking portion in the groove to form the aluminum oxide layer on both sides or one side of the aluminum substrate except at least a part of the bent portion.

상기 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터 제조 방법은, 상기 알루미늄 기판상에 형성된 각각의 상기 전극층에 모두 접속되어 상기 전극층에 전극을 인가하는 제1 리드선을 형성하는 단계를 더 포함한다.The method of manufacturing a folding type capacitor including the aluminum oxide layer may further include forming a first lead line connected to each of the electrode layers formed on the aluminum substrate to apply an electrode to the electrode layer.

상기 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터 제조 방법은, 상기 알루미늄 기판에 접속되어 상기 알루미늄 기판에 전극을 인가하는 제2 리드선을 형성하는 단계를 더 포함한다.The method of manufacturing a folding type capacitor including the aluminum oxide layer further includes forming a second lead wire connected to the aluminum substrate and applying an electrode to the aluminum substrate.

상기 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터 제조 방법은, 상기 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터를 봉지하기 위한 봉지부재를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 접철형 산화알루미늄층을 포함한다.The method of fabricating a folded capacitor comprising the aluminum oxide layer further comprises forming a sealing member to seal the folded capacitor comprising the aluminum oxide layer, .

본 발명에 따르면, 알루미늄층을 형성한 후 별도의 절연층을 형성하지 않고 알루미늄층을 양극산화하여 Al2O3 절연층을 형성하기 때문에, 제조 공정이 간소하여 제조 원가를 낮출 수 있으며, 또한, 본 발명에 따르면 보다 간소한 공정으로 산화알루미늄층을 포함하는 커패시터를 적층하여 고용량 및 고신뢰성을 갖는 접철형 커패시터를 제공할 수 있다. According to the present invention, since the Al 2 O 3 insulating layer is formed by anodizing the aluminum layer without forming an additional insulating layer after forming the aluminum layer, the manufacturing process can be simplified and the manufacturing cost can be reduced, According to the present invention, a capacitor including an aluminum oxide layer can be laminated by a simpler process, thereby providing a folded capacitor having a high capacity and high reliability.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터를 나타내는 도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터의 제조방법을 나타내는 도이다.
도 3 내지 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터의 제조과정을 나타내는 도이다. 1 illustrates a folded capacitor including an aluminum oxide layer according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 illustrates a method of fabricating a folded capacitor including an aluminum oxide layer according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG.
FIGS. 3 to 9 illustrate a manufacturing process of a folded capacitor including an aluminum oxide layer according to an embodiment of the present invention.

이하의 내용은 단지 발명의 원리를 예시한다. 그러므로 당업자는 비록 본 명세서에 명확히 설명되거나 도시되지 않았지만 발명의 원리를 구현하고 발명의 개념과 범위에 포함된 다양한 장치를 발명할 수 있는 것이다. 또한, 본 명세서에 열거된 모든 조건부 용어 및 실시예들은 원칙적으로, 발명의 개념이 이해되도록 하기 위한 목적으로만 명백히 의도되고, 이와같이 특별히 열거된 실시예들 및 상태들에 제한적이지 않는 것으로 이해되어야 한다. The following merely illustrates the principles of the invention. Therefore, those skilled in the art will be able to devise various apparatuses which, although not explicitly described or shown herein, embody the principles of the invention and are included in the concept and scope of the invention. It is also to be understood that all conditional terms and examples recited in this specification are, in principle, expressly intended for the purpose of enabling the inventive concept to be understood, and are not intended to be limiting as to such specifically recited embodiments and conditions .

상술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해 질 것이며, 그에 따라 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other objects, features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: .

또한, 발명을 설명함에 있어서 발명과 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에 그 상세한 설명을 생략하기로 한다. 이하에는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세하게 설명한다.In the following description, a detailed description of known technologies related to the present invention will be omitted when it is determined that the gist of the present invention may be unnecessarily blurred. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 산화알루미늄층(130)을 포함하는 접철형 커패시터(10)(이하, 접철형 커패시터(10)라 함)의 구조를 나타내는 도이다. 1 is a diagram showing a structure of a folded capacitor 10 (hereinafter referred to as a folded capacitor 10) including an aluminum oxide layer 130 according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 접철형 커패시터(10)는 알루미늄 기판(100), 산화알루미늄층(130), 전극층(140), 제1 리드선(150) 및 제2 리드선(160)을 포함한다. 1, the folded capacitor 10 according to the present embodiment includes an aluminum substrate 100, an aluminum oxide layer 130, an electrode layer 140, a first lead line 150 and a second lead line 160 .

본 실시예에 따른 알루미늄 기판(100)은 아노다이징 공정을 통해 산화알루미늄층(130)을 형성하기 위한 것이며, 커패시터(10)의 전극으로서의 기능도 함께 수행할 수 있다. 또한 후술하는 적층 구조에서 알루미늄의 연성을 이용하여 복수의 커패시터(10)를 결합하여 고용량의 커패시터(10)를 구성할 수 있다.The aluminum substrate 100 according to the present embodiment is for forming the aluminum oxide layer 130 through an anodizing process and can also function as an electrode of the capacitor 10. In addition, a plurality of capacitors 10 may be combined using the ductility of aluminum in a lamination structure to be described later to form a capacitor 10 of a high capacity.

또한, 본 실시예에서 알루미늄 기판(100)의 경우 순수 알루미늄으로 형성되는 기판 뿐만 아니라 용도에 따라 알루미늄을 포함하는 다양한 합금으로 형성되는 금속 기판을 포함할 수 있다. In this embodiment, the aluminum substrate 100 may include a substrate formed of pure aluminum, and a metal substrate formed of various alloys including aluminum depending on applications.

본 실시예에서 알루미늄 기판(100)은 적어도 하나의 마주보는 면을 형성하기 위하여 절곡부를 가지며 휘어져서 서로 접철된다. In this embodiment, the aluminum substrate 100 has a bent portion to bend and folds each other to form at least one facing surface.

본 실시예에서 산화알루미늄층(130)은 알루미늄 기판(100)의 양면 또는 일면 중 절곡부의 적어도 일부 영역을 제외한 기판의 양면 또는 일면에 형성되며, 후술하는 전극층(140)과 알루미늄 기판(100)을 서로 절연시키는 역할을 한다. 즉, 산화 알루미늄층은 전기가 통하지 않는 절연체이므로, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 커패시터(10)에서 절연층 또는 유전층의 역할을 수행할 수 있다.In this embodiment, the aluminum oxide layer 130 is formed on both sides or one side of the substrate except for at least a part of the bent portions on both sides or one side of the aluminum substrate 100, and the electrode layer 140 and the aluminum substrate 100, Insulate each other. That is, since the aluminum oxide layer is an insulator without electricity, the capacitor 10 according to the preferred embodiment of the present invention can serve as an insulating layer or a dielectric layer.

따라서, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 커패시터(10)는 알루미늄 기판(100)층을 양극 산화시켜 절연층을 형성하므로, 별도의 절연층을 형성할 필요가 없으며, 그 제조 공정을 간소화할 수 있다. Therefore, since the capacitor 10 according to the preferred embodiment of the present invention forms an insulating layer by anodizing the aluminum substrate 100 layer, it is not necessary to form a separate insulating layer, and the manufacturing process can be simplified .

본 실시예에서 전극층(140)은 산화알루미늄층(130) 및 상기 알루미늄 기판(100)의 절곡부 상에서 연속하여 형성되며, 상기 알루미늄 기판(100)의 마주보는 면에서 접합된다. In this embodiment, the electrode layer 140 is continuously formed on the aluminum oxide layer 130 and the bent portion of the aluminum substrate 100, and is bonded on the facing surface of the aluminum substrate 100.

더욱 바람직하게는 전극층(140)은 알루미늄기판의 각각의 면 전체에서 알루미늄 기판(100)에 형성된 산화알루미늄층(130) 상 및 후술되는 홈부(110)에 미리 형성된 마스킹부(120) 상에 형성될 수 있다. More preferably, the electrode layer 140 is formed on the aluminum oxide layer 130 formed on the aluminum substrate 100 on the entire surface of the aluminum substrate and on the masking portion 120 previously formed in the groove 110 described later .

따라서, 각각의 알루미늄 기판(100)의 면 상에 형성되는 전극층(140)은 하나의 전극부를 형성하며 절곡부를 가지며 휘어지는 알루미늄 기판(100)에 따라 서로 마주보게 된다. 이때, 마주보는 전극층(140)은 서로 접합되게 된다. Therefore, the electrode layer 140 formed on the surface of each aluminum substrate 100 forms one electrode portion, and faces each other along the bent aluminum substrate 100 having bent portions. At this time, the opposing electrode layers 140 are bonded to each other.

본 실시예에서 접합된다는 것은 직접적으로 마주보는 전극층(140)이 접합되는 것 뿐만 아니라 간접적으로 다른 층을 사이에 포함하고 서로 접합되는 것을 포함한다.The bonding in this embodiment includes not only direct opposing electrode layers 140 but also indirectly including other layers between and bonded to each other.

본 실시예에서 제1 리드선(150)은 알루미늄 기판(100)상에 형성된 각각의 상기 전극층(140)에 모두 접속되어 전극층(140)에 전극을 인가한다. 즉, 본 실시예에서 제1 리드선(150)은 알루미늄 기판(100) 양면에 형성된 각각의 전극층(140)을 전기적으로 연결시키고 이를 통해 하나의 전극을 인가하게 된다. 따라서 전체적으로 각각의 전극층(140)은 하나의 전극부로 기능을 수행할 수 있다. In this embodiment, the first lead wire 150 is connected to each of the electrode layers 140 formed on the aluminum substrate 100 to apply an electrode to the electrode layer 140. That is, in the present embodiment, the first lead line 150 electrically connects the electrode layers 140 formed on both surfaces of the aluminum substrate 100, and applies one electrode through the first electrode. Thus, the electrode layers 140 can function as one electrode unit as a whole.

따라서, 본 실시예에서는 절곡되어 접철되는 각각의 전극층(140)을 하나의 전극부로 연결하여 전극부의 표면적을 커패시터(10)의 체적에 비하여 크게 증가 시킬수 있으며 이를 통해 전체 커패시터(10)의 용량을 증가시키는 것도 가능하다. Therefore, in the present embodiment, each electrode layer 140 folded and folded is connected to one electrode portion so that the surface area of the electrode portion can be greatly increased in comparison with the volume of the capacitor 10, thereby increasing the capacity of the entire capacitor 10 It is also possible to do.

또한 본 실시예에서 산화알루미늄층(130)을 포함하는 접철형 커패시터(10)는 제2 리드선(160)을 더 포함한다. 제2 리드선(160)은 알루미늄 기판(100)에 접속되어 상기 알루미늄 기판(100)에 전극을 인가하게 된다. 즉 제1 리드선(150)이 전극층(140)에 인가한 전극과 다른 전극을 알루미늄 기판(100)에 전극을 인가하게 된다. Also, in the present embodiment, the folded capacitor 10 including the aluminum oxide layer 130 further includes a second lead 160. The second lead line 160 is connected to the aluminum substrate 100 to apply an electrode to the aluminum substrate 100. That is, the first lead line 150 applies an electrode to the aluminum substrate 100 different from the electrode applied to the electrode layer 140.

이때, 본 실시예에서 알루미늄 기판(100)과 전극층(140)은 알루미늄 기판(100)상에 형성된 산화알루미늄층(130)을 통해 전기적으로 절연되게 되며 따라서 다른 전극이 인가되는 알루미늄 기판(100)과 전극층(140)을 통해 본 실시예에 따른 접철형 커패시터(10)를 구현할 수 있게 된다. In this embodiment, the aluminum substrate 100 and the electrode layer 140 are electrically insulated through the aluminum oxide layer 130 formed on the aluminum substrate 100. Accordingly, the aluminum substrate 100 and the electrode layer 140, It is possible to implement the folded capacitor 10 according to the present embodiment through the electrode layer 140.

나아가 본 실시예에서 산화알루미늄층(130)을 포함하는 접철형 커패시터(10)는 홈부(110)와 마스킹부(120)를 더 포함할 수 있다. Further, in the present embodiment, the folded capacitor 10 including the aluminum oxide layer 130 may further include the groove 110 and the masking part 120.

홈부(110)는 알루미늄 기판(100)이 절곡됨에 있어서 이에 따라 절곡부에 집중되는 압력으로 알루미늄 기판(100)이 끊어지는 것을 방지하기 위하여 미리 절곡되는 위치에 형성될 수 있다. 이때 홈부(110)는 절곡되는 절곡라인을 따라 라인홈으로 형성될 수 있으며, 또한 홈부(110)의 깊이나 폭은 알루미늄 기판(100)의 두께나 휘어지는 각도에 따라 달라 질 수 있다. The groove 110 may be formed at a position where the aluminum substrate 100 is bent beforehand in order to prevent the aluminum substrate 100 from being broken due to the pressure concentrated on the bent portion when the aluminum substrate 100 is bent. At this time, the groove 110 may be formed as a line groove along the bending line, and the depth and width of the groove 110 may vary depending on the thickness and the angle of bending of the aluminum substrate 100.

또한, 마스킹부(120)는 절곡부의 적어도 일부 영역을 제외한 상기 알루미늄 기판(100)의 양면 또는 일면에 상기 산화알루미늄층(130)을 형성하기 위하여 홈부(110) 내에 형성될 수 있다. The masking portion 120 may be formed in the groove portion 110 to form the aluminum oxide layer 130 on both sides or one side of the aluminum substrate 100 except at least a part of the bent portion.

이하, 도 2를 참고하여 본 실시예에 따른 접철형 커패시터(10)의 제조방법에 대하여 보다 상세히 설명한다. Hereinafter, a method of manufacturing the folded capacitor 10 according to the present embodiment will be described in more detail with reference to FIG.

도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 산화알루미늄층(130)을 포함하는 접철형 커패시터(10)는 산화 알루미늄층 형성 단계(S100), 전극층 형성 단계(S200), 알루미늄 기판 절곡 단계(S300)를 포함한다. 또한, 산화 알루미늄층 형성 단계(S100)에 앞서, 홈부 형성 단계 및 마스킹부 형성 단계를 더 포함할 수 있다. Referring to FIG. 2, the folded capacitor 10 including the aluminum oxide layer 130 according to the present embodiment includes an aluminum oxide layer forming step S100, an electrode layer forming step S200, an aluminum substrate bending step S300, . Further, prior to the aluminum oxide layer forming step (S100), a groove forming step and a masking part forming step may be further included.

먼저, 본 실시예에서 홈부 형성 단계는 알루미늄 기판(100)의 절곡되는 위치로서 절곡부의 적어도 일부에 소정의 깊이를 갖는 홈을 형성한다. 홈부(110)의 형성은 기계가공이나 프레스 성형 또는 V-cut등의 공정을 통해 형성될 수 있으며, 도 3을 참조하면 본 실시예에는 양면 또는 일면에 대하여 대응되는 위치에 형성하는 것으로 도시하고 있으나, 단면에 대해서만 형성하는 것도 가능하며 또한 각각의 면에서 다른 위치에서 다른 폭이나 두께를 갖도록 형성하는 것도 가능하다. First, in the present embodiment, the groove forming step forms a groove having a predetermined depth in at least a part of the bent portion as a position where the aluminum substrate 100 is bent. The groove 110 may be formed through machining, press forming, V-cut, or the like. Referring to FIG. 3, the groove 110 may be formed at a position corresponding to one side or both sides , But it is also possible to form them only in the cross section or to have different widths and thicknesses at different positions on the respective faces.

본 실시예에서 홈부(110)는 알루미늄 기판(100)이 절곡됨에 있어서 이에 따라 절곡부에 집중되는 압력으로 알루미늄 기판(100)이 끊어지는 것을 방지하기 위하여 미리 절곡되는 위치에 형성된다.In this embodiment, the groove 110 is formed at a position where the aluminum substrate 100 is bent beforehand in order to prevent the aluminum substrate 100 from being broken due to the pressure concentrated on the bent portion when the aluminum substrate 100 is bent.

다음 마스킹부 형성 단계를 도 4를 참조하여 설명한다. The following masking portion formation step will be described with reference to FIG.

본 실시예에서 마스킹부 형성 단계는 절곡부의 적어도 일부 영역을 제외한 상기 알루미늄 기판(100)의 양면 또는 일면에 상기 산화알루미늄층(130)을 형성하기 위하여 상기 홈부(110) 내에 마스킹부(120)를 형성한다. 도 4를 참조하면 마스킹부 형성 단계는 홈부 형성 단계에서 형성된 공간을 마스킹 잉크등으로 채우는 것으로서, 절곡시 홈부(110)의 유전체 피말 결함등을 방지하기 위한 것이며 나아가 이후 형성되는 전극층(140)과 알루미늄 기판(100)의 절연을 위해 형성된다. The masking part forming step may include forming a masking part 120 in the groove part 110 to form the aluminum oxide layer 130 on both sides or one side of the aluminum substrate 100 except at least a part of the bent part . Referring to FIG. 4, the masking part forming step is to fill the space formed in the groove forming step with masking ink or the like, and to prevent the dielectric block defect of the groove part 110 upon bending, and furthermore, And is formed for insulation of the substrate 100.

이때, 마스킹은 실리콘이나 우레탄 등의 폴리머소제를 스크린 프린팅, 디스펜싱, 잉크젯 프린팅 등의 공정을 통해 형성할 수 있다. At this time, the masking can be formed by a process such as screen printing, dispensing, inkjet printing, or the like, of a polymer scavenger such as silicon or urethane.

다음, 산화알루미늄층 형성 단계(S100)는 알루미늄 기판(100)의 적어도 하나의 마주보는 면을 형성하기 위하여 휘어지는 절곡부를 고려하여 상기 절곡부의 적어도 일부 영역을 제외한 상기 알루미늄 기판(100)의 양면 또는 일면에 산화알루미늄층(130)을 형성한다. Next, the aluminum oxide layer forming step (S100) is performed in order to form at least one facing surface of the aluminum substrate 100, taking into consideration a bent portion bent to form at least one facing surface of the aluminum substrate 100, An aluminum oxide layer 130 is formed.

도 5를 참조하면, 본 실시예에서 산화알루미늄층 형성 단계(S100)는 알루미늄 기판(100)의 양면 또는 일면에 대하여 마스킹부(120)를 제외하여 노출된 부분에 대하여 형성된다. 즉, 노출된 알루미늄 기판(100)의 표면에 대하여 유전층으로서 산화알루미늄층(130)을 형성하기 위하여 양극산화공정(아노다이징)을 진행한다. 이때의 공정은 에칭이나 황산법, 수산법 등을 통해 진행될 수 있으며, 형성되는 산화알루미늄층(130)은 배리어(Barrier) 타입 또는 포어(Pore) 타입으로 구성될 수 있다. Referring to FIG. 5, in the present embodiment, the aluminum oxide layer forming step (S100) is formed on both sides or one side of the aluminum substrate 100 except for the masking portion 120. That is, an anodizing process (anodizing) is performed to form the aluminum oxide layer 130 as a dielectric layer on the surface of the exposed aluminum substrate 100. The aluminum oxide layer 130 may be formed of a barrier type or a pore type. The aluminum oxide layer 130 may be formed of a barrier type or a pore type.

다음 본 실시예에 따른 전극층 형성 단계(S200)는 알루미늄 기판(100)의 양면 또는 일면 각각에 상기 산화알루미늄층(130) 및 상기 알루미늄 기판(100)의 절곡부 상에서 연속하는 전극층(140)을 형성한다. The electrode layer forming step S200 according to the present embodiment forms the electrode layer 140 continuous on the aluminum oxide layer 130 and the bent portions of the aluminum substrate 100 on both sides or one side of the aluminum substrate 100, do.

도 6을 참조하면, 본 실시예에 따른 전극층(140)은 알루미늄기판의 각각의 면 전체에서 알루미늄 기판(100)에 형성된 산화알루미늄층(130) 상 및 홈부(110)에 미리 형성된 마스킹부(120) 상에 형성된다.6, the electrode layer 140 according to the present embodiment is formed on the aluminum oxide layer 130 formed on the aluminum substrate 100 on all the surfaces of the aluminum substrate and on the masking portions 120 .

즉, 알루미늄 기판(100)에 형성된 산화알루미늄층(130) 및 마스킹부(120) 상에 전극층(140)이 형성되게 된다. 따라서 알루미늄 기판(100)과 전극층(140)은 산화알루미늄층(130) 또는 마스킹부(120)를 통해 서로 절연되게 된다. 이때 전극층(140)의 형성은 Ni, NiCr, NiCr/Cu, Al등의 금속을 PVD(Physical Vapor Deposition), CVD(Chemical Vapor Deposition)나 무전해 도금이나 전해 도금 등의 공정을 통해 수행될 수 있다.That is, the electrode layer 140 is formed on the aluminum oxide layer 130 and the masking portion 120 formed on the aluminum substrate 100. Therefore, the aluminum substrate 100 and the electrode layer 140 are insulated from each other through the aluminum oxide layer 130 or the masking portion 120. At this time, the formation of the electrode layer 140 can be performed through processes such as PVD (Physical Vapor Deposition), CVD (Chemical Vapor Deposition), electroless plating, electrolytic plating, etc. of metals such as Ni, NiCr, NiCr / .

본 실시예에서 알루미늄 기판 절곡 단계(S300)는 양면 또는 일면 각각에 형성된 상기 전극층(140)이 상기 알루미늄 기판(100)의 마주보는 면에서 접합되도록 상기 알루미늄 기판(100)을 절곡한다. The aluminum substrate bending step S300 of the present embodiment bends the aluminum substrate 100 such that the electrode layers 140 formed on both sides or one side of the aluminum substrate 100 are bonded to each other on the opposite surface of the aluminum substrate 100. [

즉 도 7를 참조하면, 궁극적으로 전극의 표면적 증대를 위해 전극층(140)이 서로 접합될 수 있도록 절곡기를 통해 절곡하거나 또는 프레스기를 이용하여 압착하여 지그재그로 알루미늄 기판(100)이 절곡 되도록 한다. That is, referring to FIG. 7, in order to increase the surface area of the electrode, the electrode layer 140 is folded through a bending machine so that the electrode layers 140 can be bonded to each other, or compressed by using a press machine to bend the aluminum substrate 100 in a zigzag manner.

즉 알루미늄 기판 절곡 단계(S300)는 알루미늄 기판(100)에 형성된 전극층(140)이 서로 접합될때까지 수행될 수 있으며, 따라서 각각의 알루미늄 기판(100)의 면 상에 형성되는 전극층(140)은 하나의 전극부를 형성하며 절곡부를 가지며 휘어지는 알루미늄 기판(100)에 따라 서로 마주보게 되고, 마주보는 전극층(140)은 서로 접합되게 된다. That is, the aluminum substrate bending step S300 may be performed until the electrode layers 140 formed on the aluminum substrate 100 are bonded to each other. Thus, the electrode layer 140 formed on the surface of each aluminum substrate 100 is one And the opposing electrode layers 140 are bonded to each other according to the bending aluminum substrate 100. In this case,

다음, 본 실시예에 따른 접철형 커패시터(10) 제조 방법은 리드선 형성 단계를 더 포함할 수 있다. 도 8을 참조하면 리드선 형성 단계는 알루미늄 기판(100)상에 형성된 각각의 상기 전극층(140)에 모두 접속되어 상기 전극층(140)에 전극을 인가하는 제1 리드선(150)을 형성하고, 알루미늄 기판(100)에 접속되어 상기 알루미늄 기판(100)에 전극을 인가하는 제2 리드선(160)을 형성한다.Next, the method of manufacturing the folded capacitor 10 according to the present embodiment may further include a lead wire forming step. Referring to FIG. 8, in the lead wire forming step, the first lead wire 150 is connected to each of the electrode layers 140 formed on the aluminum substrate 100 to apply an electrode to the electrode layer 140, A second lead line 160 connected to the first electrode 100 and applying an electrode to the aluminum substrate 100 is formed.

바람직하게는 리드선 형성 단계는 알루미늄 기판 절곡 단계(S300) 이전 또는 알루미늄 기판 절곡 단계(S300) 중에 수행될 수 있다. 즉 알루미늄 기판 절곡 단계(S300) 이전에 제1 리드선(150)을 본딩 또는 프레스 등을 통해 각각의 전극층(140)에 접속하고 알루미늄 기판 절곡 단계(S300)를 통해 전극층(140)을 서로 접합하면서 공정을 보다 안정적으로 수행할 수 있다. Preferably, the lead wire forming step may be performed before the aluminum substrate bending step S300 or during the aluminum substrate bending step S300. That is, before the aluminum substrate bending step (S300), the first lead wires 150 are connected to the respective electrode layers 140 through bonding or pressing, and the electrode layers 140 are bonded to each other through the aluminum substrate bending step (S300) Can be performed more stably.

나아가, 도 9를 참조하면 본 실시예에 따른 접철형 커패시터(10) 제조 방법은 상술한 단계를 통해 제조된 접철형 커패시터(10)를 봉지하기 위하여 봉지부(200)로 봉지하는 단계를 더 포함할 수 있다. 9, the manufacturing method of the folded capacitor 10 according to the present embodiment further includes a step of encapsulating the folded capacitor 10 manufactured through the above-described steps with the encapsulation unit 200 to encapsulate the folded capacitor 10 can do.

이상의 본 발명에 따르면 보다 간소한 공정으로 산화알루미늄층을 포함하는 커패시터를 적층하여 고용량 및 고신뢰성을 갖는 접철형 커패시터를 제공할 수 있다. According to the present invention as described above, a capacitor including an aluminum oxide layer can be laminated by a simpler process, thereby providing a folded capacitor having a high capacity and high reliability.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정, 변경 및 치환이 가능할 것이다. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications, substitutions and substitutions are possible, without departing from the scope and spirit of the invention as disclosed in the accompanying claims. will be.

따라서, 본 발명에 개시된 실시예 및 첨부된 도면들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예 및 첨부된 도면에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Therefore, the embodiments disclosed in the present invention and the accompanying drawings are intended to illustrate and not to limit the technical spirit of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments and the accompanying drawings . The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

Claims (11)

적어도 하나의 마주보는 면을 형성하기 위하여 절곡부를 가지며 절곡되는 알루미늄 기판;
상기 절곡부의 적어도 일부 영역을 제외한 상기 알루미늄 기판의 양면 또는 일면에 형성된 산화알루미늄층; 및
상기 산화알루미늄층 및 상기 알루미늄 기판의 절곡부 상에서 연속하여 형성되며, 상기 알루미늄 기판의 마주보는 면에서 접합되는 전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터An aluminum substrate having a bend for bending to form at least one facing surface;
An aluminum oxide layer formed on both surfaces or one surface of the aluminum substrate except for at least a part of the bent portion; And
And an electrode layer continuously formed on the aluminum oxide layer and the bent portion of the aluminum substrate and bonded to each other on a facing surface of the aluminum substrate. 제 1 항에 있어서,
상기 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터는,
상기 알루미늄 기판상에 형성된 각각의 상기 전극층에 모두 접속되어 상기 전극층에 전극을 인가하는 제1 리드선을 포함하는 것을 특징으로 하는 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터The method according to claim 1,
Wherein the folded capacitor including the aluminum oxide layer comprises:
And a first lead line connected to each of the electrode layers formed on the aluminum substrate and applying an electrode to the electrode layer. 제 1 항에 있어서,
상기 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터는,
상기 알루미늄 기판에 접속되어 상기 알루미늄 기판에 전극을 인가하는 제2 리드선을 포함하는 것을 특징으로 하는 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터The method according to claim 1,
Wherein the folded capacitor including the aluminum oxide layer comprises:
And a second lead wire connected to the aluminum substrate and applying an electrode to the aluminum substrate. 제 1 항에 있어서,
상기 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터는,
상기 절곡부의 적어도 일부 영역에는 소정의 깊이를 갖는 홈부가 형성되는 것을 특징으로 하는 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터The method according to claim 1,
Wherein the folded capacitor including the aluminum oxide layer comprises:
And a groove portion having a predetermined depth is formed in at least a portion of the bent portion. 제 4 항에 있어서,
상기 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터는,
상기 절곡부의 적어도 일부 영역을 제외한 상기 알루미늄 기판의 양면 또는 일면에 상기 산화알루미늄층을 형성하기 위하여 상기 홈부 내에 형성되는 마스킹부를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터5. The method of claim 4,
Wherein the folded capacitor including the aluminum oxide layer comprises:
And a masking portion formed in the groove to form the aluminum oxide layer on both sides or one side of the aluminum substrate except for at least a part of the bent portion. 제 1 항에 있어서,
상기 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터는,
상기 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터를 봉지하기 위한 봉지부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터The method according to claim 1,
Wherein the folded capacitor including the aluminum oxide layer comprises:
Further comprising a sealing member for sealing the folded capacitor comprising the aluminum oxide layer. ≪ RTI ID = 0.0 > A < / RTI > 알루미늄 기판의 적어도 하나의 마주보는 면을 형성하기 위하여 휘어지는 절곡부를 고려하여 상기 절곡부의 적어도 일부 영역을 제외한 상기 알루미늄 기판의 양면 또는 일면에 산화알루미늄층을 형성하는 단계;
상기 알루미늄 기판의 양면 또는 일면 각각에 상기 산화알루미늄층 및 상기 알루미늄 기판의 절곡부 상에서 연속하는 전극층을 형성하는 단계; 및
상기 양면 또는 일면 각각에 형성된 상기 전극층이 상기 알루미늄 기판의 마주보는 면에서 접합되도록 상기 알루미늄 기판을 절곡하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터 제조 방법Forming an aluminum oxide layer on both sides or one side of the aluminum substrate excluding at least a part of the bent portion, taking into consideration a bent portion bent to form at least one facing surface of the aluminum substrate;
Forming a continuous electrode layer on the aluminum oxide layer and on the bent portions of the aluminum substrate on both sides or one side of the aluminum substrate; And
And bending the aluminum substrate so that the electrode layers formed on the both surfaces or one surface of the aluminum substrate are bonded to each other on a facing surface of the aluminum substrate. 제 7 항에 있어서,
상기 산화알루미늄층을 형성하는 단계에 앞서,
상기 절곡부의 적어도 일부에 소정의 깊이를 갖는 홈부를 형성하는 단계; 및
상기 절곡부의 적어도 일부 영역을 제외한 상기 알루미늄 기판의 양면 또는 일면에 상기 산화알루미늄층을 형성하기 위하여 상기 홈부 내에 마스킹부를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터 제조 방법8. The method of claim 7,
Prior to forming the aluminum oxide layer,
Forming a groove portion having a predetermined depth on at least a part of the bent portion; And
And forming a masking portion in the groove to form the aluminum oxide layer on both sides or one side of the aluminum substrate except for at least a part of the bending portion. The method of manufacturing a foldable capacitor according to claim 1, 제 7 항에 있어서,
상기 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터 제조 방법은,
상기 알루미늄 기판상에 형성된 각각의 상기 전극층에 모두 접속되어 상기 전극층에 전극을 인가하는 제1 리드선을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터 제조 방법8. The method of claim 7,
A method of manufacturing a folded capacitor including the aluminum oxide layer,
Further comprising the step of forming a first lead wire connected to each of the electrode layers formed on the aluminum substrate to apply an electrode to the electrode layer, 제 7 항에 있어서,
상기 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터 제조 방법은,
상기 알루미늄 기판에 접속되어 상기 알루미늄 기판에 전극을 인가하는 제2 리드선을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터 제조 방법8. The method of claim 7,
A method of manufacturing a folded capacitor including the aluminum oxide layer,
And forming a second lead wire connected to the aluminum substrate and applying an electrode to the aluminum substrate. The method of manufacturing a folded capacitor according to claim 1, 제 7 항에 있어서,
상기 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터 제조 방법은,
상기 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터를 봉지하기 위한 봉지부재를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터 제조 방법8. The method of claim 7,
A method of manufacturing a folded capacitor including the aluminum oxide layer,
Further comprising forming an encapsulation member for encapsulating the folded capacitor comprising the aluminum oxide layer. ≪ RTI ID = 0.0 > 8. < / RTI &
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CN116544030A (en) * 2023-07-05 2023-08-04 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所) Interactive chip capacitor structure and circulator/isolator composed of same

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