KR20160002538A

KR20160002538A - Apparatus and method for treating substrate

Info

Publication number: KR20160002538A
Application number: KR1020140081149A
Authority: KR
Inventors: 양대현; 조재환
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2014-06-30
Filing date: 2014-06-30
Publication date: 2016-01-08
Also published as: KR101605719B1

Abstract

The present invention relates to a substrate treating device. According to an embodiment of the present invention, the substrate treating device comprises: a process chamber having an inner space formed therein; a support unit located in the process chamber and configured to support a substrate; a gas supply unit configured to supply a process gas into the process chamber; a plasma generating unit including upper and lower electrodes, which are provided in the process chamber to face each other, and exciting the process gas supplied to the process chamber; and a plate unit having a plate of a metal material which controls the density of plasma in the process chamber. The plate is located on an upper part of the upper electrode and is provided to face the upper electrode.

Description

[0001] APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE [0002]

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method, and more particularly, to a substrate processing apparatus and a substrate processing method using plasma.

반도체소자를 제조하기 위해서, 기판을 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 박막증착, 그리고 세정 등 다양한 공정을 수행하여 기판 상에 원하는 패턴을 형성한다. 이 중 식각 공정은 기판 상에 형성된 막 중 선택된 가열 영역을 제거하는 공정으로 습식식각과 건식식각이 사용된다.In order to manufacture a semiconductor device, a substrate is subjected to various processes such as photolithography, etching, ashing, ion implantation, thin film deposition, and cleaning to form a desired pattern on the substrate. Among them, the wet etching and the dry etching are used for removing the selected heating region from the film formed on the substrate.

이 중 건식식각을 위해 플라즈마를 이용한 식각 장치가 사용된다. 일반적으로 플라즈마를 형성하기 위해서는 챔버의 내부공간에 전자기장을 형성하고, 전자기장은 챔버 내에 제공된 공정가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다.Among them, an etching apparatus using a plasma is used for dry etching. Generally, in order to form a plasma, an electromagnetic field is formed in an inner space of a chamber, and an electromagnetic field excites the process gas provided in the chamber into a plasma state.

플라즈마는 이온이나 전자, 라디칼등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말한다. 플라즈마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성된다. 반도체 소자 제조 공정은 플라즈마를 사용하여 식각 공정을 수행한다. 식각 공정은 플라즈마에 함유된 이온 입자들이 기판과 충돌함으로써 수행된다. 그러나, 챔버 내에서 공정 진행시, 영역별로 플라즈마의 밀도를 제어하기 어렵다. 이로 인해, 영역별 식각 효율이 차이날 수 있다. Plasma refers to an ionized gas state composed of ions, electrons, radicals, and the like. Plasma is generated by very high temperatures, strong electric fields, or RF electromagnetic fields. The semiconductor device fabrication process employs a plasma to perform an etching process. The etching process is performed by colliding the ion particles contained in the plasma with the substrate. However, it is difficult to control the density of the plasma in each region when the process proceeds in the chamber. As a result, the etching efficiency of each region may be different.

본 발명은 균일한 식각 효율을 얻을 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method which can obtain a uniform etching efficiency.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and the problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description and the accompanying drawings will be.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. The present invention provides a substrate processing apparatus.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 내부 공간이 형성된 공정 챔버, 상기 공정 챔버 내부에 위치하며, 기판을 지지하는 지지 유닛, 상기 공정 챔버 내부로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛, 상기 공정 챔버 내 서로 대향되게 제공되는 상부 전극 및 하부 전극을 포함하고, 상기 공정 챔버 내부에 공급된 상기 공정 가스를 여기시키는 플라즈마 생성 유닛 그리고 상기 공정 챔버 내부의 플라즈마의 밀도를 제어하는 금속 재질의 플레이트를 갖는 플레이트 유닛을 포함하되, 상기 플레이트는 상기 상부 전극의 상부에 위치되고 상기 상부 전극에 대향되게 제공될 수 있다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a process chamber having an internal space formed therein, a support unit for supporting the substrate, a gas supply unit for supplying a process gas into the process chamber, A plasma generation unit including an upper electrode and a lower electrode provided opposite to each other in the process chamber for exciting the process gas supplied into the process chamber and a metal plate for controlling the density of the plasma inside the process chamber, Wherein the plate is positioned on top of the upper electrode and can be provided opposite the upper electrode.

상기 플레이트는 상기 공정 챔버의 외부에 제공될 수 있다. The plate may be provided outside the process chamber.

상기 기판 처리 장치는, 상기 공정 챔버의 상부에 배치되고 내부 공간을 가지는 하우징을 더 포함하고, 상기 플레이트는 상기 내부 공간에 위치될 수 있다.The substrate processing apparatus further includes a housing disposed at an upper portion of the process chamber and having an inner space, and the plate may be positioned in the inner space.

상기 플레이트는 링 형상으로 제공될 수 있다.The plate may be provided in a ring shape.

상기 플레이트는 상기 지지 유닛 상에 놓여진 기판의 가장자리 영역에 대응되게 제공될 수 있다.The plate may be provided corresponding to an edge region of the substrate placed on the support unit.

상기 플레이트 유닛은, 상기 플레이트를 이동시키는 플레이트 구동기 및 상기 플레이트 구동기를 제어하는 제어기를 더 포함할 수 있다.The plate unit may further include a plate driver for moving the plate and a controller for controlling the plate driver.

상기 제어기는 상기 플레이트 구동기로 상기 플레이트를 상하 방향으로 이동시키도록 제어할 수 있다.The controller can control the plate driver to move the plate in the vertical direction.

상기 제어기는, 하나의 기판에 대해 공정을 진행할 때 상기 플레이트를 상기 플레이트와 상기 상부 전극의 거리가 제 1 거리인 위치에 위치시켜 공정을 진행하고, 이후에 상기 플레이트를 상기 제 1 거리와 다른 제 2 거리인 위치에 위치시켜 공정을 진행하도록 상기 플레이트 구동기를 제어할 수 있다.Wherein the controller is configured to move the plate to a position where the distance between the plate and the upper electrode is a first distance when performing a process on one substrate, 2, and controls the plate driver to advance the process.

상기 제어기는, 제 1 기판에 대해서 상기 공정을 진행할 때는 상기 플레이트를 상기 플레이트와 상기 상부 전극의 거리가 제 1 거리인 위치에 위치시켜 공정을 진행하고, 제 2 기판에 대해서 상기 공정을 진행할 때는 상기 플레이트를 상기 제 1 거리와 다른 제 2 거리인 위치에 위치시켜 공정을 진행하도록 상기 플레이트 구동기를 제어할 수 있다.The controller may be configured to move the plate to a position where the distance between the plate and the upper electrode is a first distance when proceeding with the process for the first substrate, The plate driver can be controlled to place the plate at a position that is a second distance different from the first distance and proceed the process.

상기 플레이트는 접지될 수 있다.The plate may be grounded.

상기 플레이트는 상기 하우징과 전기적으로 연결되고, 상기 하우징은 접지될 수 있다. The plate may be electrically connected to the housing, and the housing may be grounded.

또한, 본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다. The present invention also provides a substrate processing method.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판을 처리하는 방법에 있어서, 서로 대향되게 제공되는 상부 전극 및 하부 전극을 갖는 공정 챔버 내 플라즈마를 생성하여 기판을 처리하되, 상기 상부 전극의 상부에 상기 상부 전극에 대향되게 금속 재질의 플레이트를 제공하여 상기 공정 챔버 내 플라즈마 밀도를 제어할 수 있다.In the method of processing a substrate according to an embodiment of the present invention, a plasma is generated in a process chamber having an upper electrode and a lower electrode provided opposite to each other to process a substrate, It is possible to control the plasma density in the process chamber by providing a metal plate opposed to the plasma processing chamber.

상기 플레이트와 상기 상부 전극의 간격을 조절하여 플라즈마의 밀도를 제어할 수 있다.The density of the plasma can be controlled by adjusting the distance between the plate and the upper electrode.

상기 플레이트를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The plate can be moved up and down.

상기 플레이트는 지지 유닛 상에 놓여진 기판의 가장자리 영역에 대응되게 제공될 수 있다.The plate may be provided corresponding to an edge region of the substrate placed on the support unit.

하나의 기판에 대해 공정을 진행할 때 상기 플레이트를 상기 플레이트와 상기 상부 전극의 거리가 제 1 거리인 위치에 위치시켜 공정을 진행하고, 이후에 상기 플레이트를 상기 제 1 거리와 다른 제 2 거리인 위치에 위치시켜 공정을 진행할 수 있다.The process is performed by positioning the plate at a position where the distance between the plate and the upper electrode is the first distance when the process is performed on one substrate, So that the process can be performed.

제 1 기판에 대해서 상기 공정을 진행할 때는 상기 플레이트를 상기 플레이트와 상기 상부 전극의 거리가 제 1 거리인 위치에 위치시켜 공정을 진행하고, 제 2 기판에 대해서 상기 공정을 진행할 때는 상기 플레이트를 상기 제 1 거리와 다른 제 2 거리인 위치에 위치시켜 공정을 진행할 수 있다.When the process is performed on the first substrate, the process is performed by positioning the plate at a position where the distance between the plate and the upper electrode is a first distance. When the process is performed on the second substrate, 1 distance and a second distance, which is different from the first distance.

상기 플레이트는 접지될 수 있다.The plate may be grounded.

상기 공정은 식각 공정일 수 있다.The process may be an etching process.

본 발명의 실시예에 의하면, 균일한 식각 효율을 얻을 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공할 수 있다.According to the embodiments of the present invention, it is possible to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of obtaining uniform etching efficiency.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and the effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and attached drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 플레이트의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 3은 플레이트 구동기가 플레이트를 이동시키는 모습을 보여주는 도면이다.
도 4 내지 도 6은 제어기가 플레이트 구동기를 제어하는 모습을 보여주는 도면들이다.
도 7 내지 도 9는 제 1 실시예에 따른 기판 처리 방법을 순차적으로 보여주는 도면이다.
도 10 및 도 11은 제 2 실시예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 도면이다.
도 12는 다른 실시예에 따른 플레이트를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 13은 다른 실시예에 따른 플레이트를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 14는 또 다른 실시예에 따른 플레이트를 개략적으로 보여주는 도면이다.1 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a sectional view showing an example of a plate.
3 is a view showing a plate driver moving the plate.
Figs. 4 to 6 are views showing the controller controlling the plate driver. Fig.
7 to 9 are views sequentially illustrating a substrate processing method according to the first embodiment.
10 and 11 are views showing a substrate processing method according to the second embodiment.
12 is a view schematically showing a plate according to another embodiment.
13 is a view schematically showing a plate according to another embodiment.
FIG. 14 is a view schematically showing a plate according to another embodiment. FIG.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.The embodiments of the present invention can be modified into various forms and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. The present embodiments are provided to enable those skilled in the art to more fully understand the present invention. Accordingly, the shapes of the components and the like in the drawings are exaggerated in order to emphasize a clearer description.

본 발명의 실시예에서는 플라즈마를 이용하여 기판을 세정하는 기판 처리 장치 에 대해 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 그 상부에 놓여진 기판을 가열하는 다양한 종류의 장치에 적용 가능하다. In the embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus for cleaning a substrate by using plasma will be described. However, the present invention is not limited thereto, but is applicable to various kinds of apparatuses for heating a substrate placed thereon.

또한 본 발명의 실시예에서는 지지 유닛으로 정전 척을 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 지지 유닛은 기계적 클램핑에 의해 기판을 지지하거나, 진공에 의해 기판을 지지할 수 있다. In the embodiment of the present invention, an electrostatic chuck is described as an example of a supporting unit. However, the present invention is not limited to this, and the support unit can support the substrate by mechanical clamping or support the substrate by vacuum.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)를 나타내는 단면도이다. 기판 처리 장치(10)는 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리한다. 본 발명의 실시예에서는 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 식각하는 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 특징은 이에 한정되지 않으며 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리하는 다양한 종류의 장치에 적용될 수 있다. 1 is a sectional view showing a substrate processing apparatus 10 according to an embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus 10 processes the substrate W using plasma. In the embodiment of the present invention, an apparatus for etching a substrate W using plasma is taken as an example. However, the technical features of the present invention are not limited thereto and can be applied to various kinds of apparatuses for processing the substrate W using plasma.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 공정 챔버(100), 라이너 유닛(130), 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), 플라즈마 생성 유닛(400), 그리고 플레이트 유닛(500)을 포함한다.1, a substrate processing apparatus 10 includes a process chamber 100, a liner unit 130, a support unit 200, a gas supply unit 300, a plasma generation unit 400, and a plate unit 500 ).

공정 챔버(100)는 내부에 공정 수행을 위한 공간을 가진다. 공정 챔버(100)의 바닥면에는 배기홀(103)이 형성된다. 배기홀(103)은 펌프(122)가 장착된 배기 라인(121)과 연결된다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 공정 챔버(100) 내부에 머무르는 가스는 배기 라인(121)을 통해 배기홀(103)로 배기된다. 따라서, 공정 챔버(100)의 외부로 배출될 수 있다. 또한, 배기 과정에 의해 공정 챔버(100)의 내부공간은 소정 압력으로 감압된다.The process chamber 100 has a space for performing a process inside. An exhaust hole 103 is formed in the bottom surface of the process chamber 100. The exhaust hole 103 is connected to the exhaust line 121 on which the pump 122 is mounted. The reaction byproducts generated in the process and the gas staying in the process chamber 100 are exhausted to the exhaust hole 103 through the exhaust line 121. Thus, it can be discharged to the outside of the process chamber 100. Further, the inner space of the process chamber 100 is reduced in pressure to a predetermined pressure by the exhaust process.

공정 챔버(100)의 측벽에는 개구(104)가 형성된다. 개구(104)는 공정 챔버(100) 내부로 기판이 출입하는 통로로 기능한다. 개구(104)는 도어 어셈블리(140)에 의해 개폐된다. 일 예에 의하면, 도어 어셈블리(미도시됨)는 외측 도어, 내측 도어, 그리고 연결판을 가진다. 외측 도어(142)는 공정 챔버(100)의 외벽에 제공된다. 내측 도어(144)는 공정 챔버(100)의 내벽에 제공된다. 외측 도어(142)와 내측 도어(144)는 연결판(146)에 의해 서로 고정 결합된다. 연결판(146)은 개구(104)를 통해 공정 챔버(100)의 내측에서 외측까지 연장되게 제공된다. 도어 구동기(148)은 외측 도어(142)를 상하 방향으로 이동시킨다. 도어 구동기(148)는 유공압 실린더나 모터를 포함할 수 있다.An opening 104 is formed in the side wall of the process chamber 100. The opening 104 serves as a passage through which the substrate enters and exits into the process chamber 100. The opening 104 is opened and closed by the door assembly 140. According to one example, a door assembly (not shown) has an outer door, an inner door, and a connecting plate. The outer door 142 is provided on the outer wall of the process chamber 100. The inner door 144 is provided on the inner wall of the process chamber 100. The outer door 142 and the inner door 144 are fixedly coupled to each other by a connecting plate 146. The connection plate 146 is provided to extend from the inside to the outside of the process chamber 100 through the opening 104. The door driver 148 moves the outer door 142 in the vertical direction. The door driver 148 may include a pneumatic cylinder or a motor.

라이너 유닛(미도시됨)은 공정 챔버(100) 내측면과 대응되게 제공된다. 라이너 유닛은 공정 가스가 여기되는 여기 공간을 둘러싸도록 제공된다. 라이너 유닛은 공정 챔버(100) 내측면을 보호한다. 공정 가스가 여기되는 과정에서, 공정 챔버(100) 내부에는 아크(Arc) 방전이 발생될 수 있다. 라이너 유닛은 공정 챔버(100)에 비해 비용이 저렴하고, 교체가 용이하다. 따라서, 아크 방전으로 라이너 유닛이 손상될 경우, 라이너 유닛을 교체할 수 있다. 라이너 유닛은 공정 챔버(100)와 동일한 재질로 제공될 수 있다. 일 예로, 라이너 유닛은 알루미늄으로 제공될 수 있다.A liner unit (not shown) is provided corresponding to the side surface in the process chamber 100. The liner unit is provided to surround the excitation space in which the process gas is excited. The liner unit protects the inside of the process chamber 100. During the excitation of the process gas, an arc discharge may be generated inside the process chamber 100. The liner unit is less expensive and easier to replace than the process chamber 100. Therefore, if the liner unit is damaged by an arc discharge, the liner unit can be replaced. The liner unit may be provided in the same material as the process chamber 100. As an example, the liner unit may be provided with aluminum.

공정 챔버(100)의 하부 영역에는 지지 유닛(200)이 위치한다. 지지 유닛(200)은 정전기력에 의해 기판(W)을 지지한다. 이와 달리 지지 유닛(200)은 기계적 클램핑 등과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수 있다. A support unit 200 is located in the lower region of the process chamber 100. The support unit 200 supports the substrate W by an electrostatic force. Alternatively, the support unit 200 may support the substrate W in a variety of ways, such as mechanical clamping.

지지 유닛(200)은 지지판(210), 링 어셈블리(260), 그리고 가스 공급 라인부(270)를 가진다. 지지판(210)에는 기판(W)이 놓인다. 지지판(210)은 베이스(220)와 정전 척(240)을 가진다. 정전 척(240)은 정전기력에 의해 기판(W)을 그 상면에 지지한다. 정전 척(240)은 베이스(220) 상에 고정결합된다. The support unit 200 has a support plate 210, a ring assembly 260, and a gas supply line portion 270. The substrate W is placed on the support plate 210. The support plate 210 has a base 220 and an electrostatic chuck 240. The electrostatic chuck 240 supports the substrate W on its upper surface by an electrostatic force. The electrostatic chuck 240 is fixedly coupled to the base 220.

링 어셈블리(260)는 링 형상으로 제공된다. 링 어셈블리(260)는 지지판(210)의 둘레를 감싸도록 제공된다. 일 예로, 링 어셈블리(260)는 정전 척(240)의 둘레를 감싸도록 제공된다. 링 어셈블리(260)는 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 의하면, 링 어셈블리(260)는 포커스 링(262)과 절연 링(264)을 가진다. 포커스 링(262)은 정전 척(240)을 감싸도록 제공되며 플라즈마를 기판(W)으로 집중시킨다. 절연 링(264)는 포커스 링(262)을 감싸도록 제공된다. 선택적으로 링 어셈블리(260)는 플라즈마에 의해 정전 척(240)의 측면이 손상되는 것을 방지하도록 포커스 링(262)의 둘레에 밀착되게 제공되는 에지 링(도시되지 않음)을 포함할 수 있다. 상술한 바와 달리 링 어셈블리(260)의 구조는 다양하게 변경될 수 있다. The ring assembly 260 is provided in a ring shape. The ring assembly 260 is provided to surround the perimeter of the support plate 210. In one example, the ring assembly 260 is provided to surround the electrostatic chuck 240. The ring assembly 260 supports the edge region of the substrate W. [ According to one example, the ring assembly 260 has a focus ring 262 and an insulating ring 264. A focus ring 262 is provided to surround the electrostatic chuck 240 and focus the plasma onto the substrate W. [ An insulating ring 264 is provided to enclose the focus ring 262. Optionally, the ring assembly 260 may include an edge ring (not shown) provided in close contact with the periphery of the focus ring 262 to prevent the side of the electrostatic chuck 240 from being damaged by the plasma. Unlike the above, the structure of the ring assembly 260 can be variously changed.

가스 공급 라인부(270)는 가스 공급원(272)과 가스 공급 라인(274)을 포함한다. 가스 공급 라인(274)은 링 어셈블리(260)와 지지판(210) 사이에 제공된다. 가스 공급 라인(274)은 링 어셈블리(260)의 상면 또는 지지판(210)의 가장자리 영역에 잔류하는 이물질을 제거하도록 가스를 공급한다. 일 예로, 가스는 질소 가스(N₂)일 수 있다. 선택적으로, 다른 가스 또는 세정제를 공급할 수 있다. 가스 공급 라인(274)은 지지판(210) 내부에서 포커스 링(262)과 정전 척(240) 사이로 연결되도록 형성될 수 있다. 이와 달리, 가스 공급 라인(274)은 포커스 링(262) 내부에서 제공되어, 포커스 링(262)과 정전 척(240) 사이로 연결되도록 절곡되는 구조일 수 있다.The gas supply line unit 270 includes a gas supply source 272 and a gas supply line 274. A gas supply line 274 is provided between the ring assembly 260 and the support plate 210. The gas supply line 274 supplies gas to remove foreign matter remaining on the upper surface of the ring assembly 260 or the edge region of the support plate 210. In one example, the gas may be nitrogen gas (N ₂ ). Optionally, another gas or detergent can be supplied. The gas supply line 274 may be formed to connect between the focus ring 262 and the electrostatic chuck 240 within the support plate 210. Alternatively, the gas supply line 274 may be provided inside the focus ring 262 and be bent to be connected between the focus ring 262 and the electrostatic chuck 240.

일 예에 의하면, 정전 척(240)은 세라믹 재질로 제공되고, 포커스 링(262)은 실리콘 재질로 제공되고, 절연 링(264)은 쿼츠 재질로 제공될 수 있다. 정전 척(240) 또는 베이스(220) 내에는 공정 진행 중 기판(W)을 공정 온도로 유지하도록 하는 가열 부재(282) 및 냉각 부재(284)가 제공될 수 있다. 가열 부재(282)는 열선으로 제공될 수 있다. 냉각 부재(284)는 냉매가 흐르는 냉각 라인으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 가열 부재(282)는 정전 척(240)에 제공되고, 냉각 부재(284)는 베이스(220)에 제공될 수 있다.According to one example, the electrostatic chuck 240 is provided with a ceramic material, the focus ring 262 is provided with a silicon material, and the insulating ring 264 can be provided with a quartz material. The electrostatic chuck 240 or the base 220 may be provided with a heating member 282 and a cooling member 284 for keeping the substrate W at a processing temperature during the process. The heating member 282 may be provided with a hot wire. The cooling member 284 may be provided as a cooling line through which refrigerant flows. According to one example, the heating member 282 may be provided in the electrostatic chuck 240, and the cooling member 284 may be provided in the base 220.

가스 공급 유닛(300)은 공정 챔버(100) 내부로 공정가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(300)은 가스 저장부(310), 가스 공급 라인(320), 그리고 가스 유입 포트(330)를 포함한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 저장부(310)와 가스 유입 포트(330)를 연결한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 저장부(310)에 저장된 공정 가스를 가스 유입 포트(330)에 공급한다. 가스 공급 라인(320)에는 그 통로를 개폐하거나, 그 통로를 흐르는 유체의 유량을 조절하는 밸브(322)가 설치될 수 있다.The gas supply unit 300 supplies the process gas into the process chamber 100. The gas supply unit 300 includes a gas reservoir 310, a gas supply line 320, and a gas inlet port 330. The gas supply line 320 connects the gas storage part 310 and the gas inlet port 330. The gas supply line 320 supplies the process gas stored in the gas storage unit 310 to the gas inlet port 330. The gas supply line 320 may be provided with a valve 322 for opening and closing the passage or regulating the flow rate of the fluid flowing through the passage.

플라즈마 생성 유닛(400)은 방전 공간(102)에 머무르는 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시킨다. 방전 공간(102)은 공정 챔버(100) 내에서 지지 유닛(200)의 상부 영역에 해당된다. 플라즈마 생성 유닛(400)은 용량 결합형 플라즈마(capacitive coupled plasma) 소스를 가질 수 있다. The plasma generating unit 400 generates a plasma from a process gas staying in the discharge space 102. The discharge space 102 corresponds to the upper region of the support unit 200 in the process chamber 100. The plasma generation unit 400 may have a capacitive coupled plasma source.

플라즈마 생성 유닛(400)은 상부 전극(420), 하부 전극(440), 그리고 고주파 전원(460)을 가진다. 상부 전극(420)과 하부 전극(440)은 서로 상하 방향으로 대향되게 제공된다. 상부 전극(420)은 샤워 헤드(422) 및 링 어셈블리(424)를 가진다. 샤워 헤드(422)는 정전 척(240)과 대향되게 위치되고, 정전 척(240)보다 큰 직경으로 제공될 수 있다. 샤워 헤드(422)에는 가스를 분사하는 홀들(422a)이 형성된다. 링 어셈블리(424)는 샤워 헤드(422)를 감싸도록 제공된다. 링 어셈블리(424)는 샤워 헤드(422)와 전기적으로 연결되도록 샤워 헤드(422)에 접촉되게 제공될 수 있다. 링 어셈블리(424)는 샤워 헤드(422)에 밀착되게 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 샤워 헤드(422)는 실리콘으로 제공될 수 있다. 선택적으로 샤워 헤드(422)는 금속 재질로 제공될 수 있다. 링 어셈블리(424)는 샤워 헤드(422)와 동일한 재질로 제공될 수 있다. 하부 전극(440)은 정전 척(240) 내에 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 상부 전극(420)은 접지(429)되고, 하부 전극(440)에는 고주파 전원(460)이 연결될 수 있다. 선택적으로 상부 전극(420)에 고주파 전원(460)이 연결되고 하부 전극(440)이 접지될 수 있다. 또한, 선택적으로 상부 전극(420) 및 하부 전극(440) 모두에 고주파 전원(460)이 연결될 수 있다. 일 예에 의하면, 고주파 전원(460)은 상부 전극(420) 또는 하부 전극(440)에 연속적으로 전력을 인가하거나 펄스로 전력을 인가할 수 있다. The plasma generating unit 400 has an upper electrode 420, a lower electrode 440, and a radio frequency power source 460. The upper electrode 420 and the lower electrode 440 are vertically opposed to each other. The upper electrode 420 has a showerhead 422 and a ring assembly 424. The showerhead 422 is positioned opposite the electrostatic chuck 240 and can be provided with a larger diameter than the electrostatic chuck 240. The showerhead 422 is provided with holes 422a for injecting gas. A ring assembly 424 is provided to enclose the showerhead 422. The ring assembly 424 may be provided in contact with the showerhead 422 to be electrically connected to the showerhead 422. The ring assembly 424 may be provided in close contact with the shower head 422. According to one example, the showerhead 422 may be provided with silicon. Alternatively, the showerhead 422 may be provided of a metal material. The ring assembly 424 may be provided in the same material as the shower head 422. The lower electrode 440 may be provided in the electrostatic chuck 240. According to an example, the upper electrode 420 may be grounded 429, and the lower electrode 440 may be connected to a high frequency power source 460. The high frequency power source 460 may be connected to the upper electrode 420 and the lower electrode 440 may be grounded. In addition, a high frequency power source 460 can be selectively connected to both the upper electrode 420 and the lower electrode 440. In one example, the high frequency power source 460 may apply power to the upper electrode 420 or the lower electrode 440 continuously or in a pulse.

플레이트 유닛(500)은 공정 챔버(100) 내부의 플라즈마의 밀도를 제어한다. 플레이트 유닛(500)은 하우징(510), 플레이트(520), 플레이트 구동기(530), 제어기(540)를 가진다. 하우징(510)은 공정 챔버(100)의 상부에 배치된다. 하우징(510)은 공정 챔버(100)와 대응되게 제공될 수 있다. 하우징(510)은 내부 공간을 가진다. 하우징(510)의 내부 공간은 상압으로 제공될 수 있다. 하우징(510)은 가스 공급라인(320)이 지나는 포트(515)를 포함할 수 있다. 선택적으로, 가스 공급유닛(300)은 하우징(510)과 독립적으로 제공될 수 있다. 하우징(510)은 접지되어 제공될 수 있다. Plate unit 500 controls the density of the plasma within process chamber 100. The plate unit 500 has a housing 510, a plate 520, a plate driver 530, and a controller 540. The housing 510 is disposed on top of the process chamber 100. The housing 510 may be provided in correspondence with the process chamber 100. The housing 510 has an inner space. The inner space of the housing 510 may be provided at normal pressure. The housing 510 may include a port 515 through which the gas supply line 320 passes. Alternatively, the gas supply unit 300 may be provided independently of the housing 510. The housing 510 may be provided to be grounded.

도 2는 플레이트(520)의 일 예를 보여주는 단면도이다. 도 3은 플레이트 구동기(530)가 플레이트(520)를 이동시키는 모습을 보여주는 도면이다. 플레이트(520)는 금속 재질로 제공된다. 일 예로, 플레이트(520)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 플레이트(520)는 상부 전극(420)의 상부에 위치되고, 상부 전극(420)에 대향되게 제공된다. 플레이트(520)는 공정 챔버(100)의 외부에 제공된다. 일 예로, 플레이트(520)는 하우징(510)의 내부 공간에 제공될 수 있다. 이 때, 플레이트(520)는 하우징(510) 내부의 최상측에 제공될 수 있다. 플레이트(520)는 하우징(510)과 전기적으로 연결된다. 선택적으로, 플레이트(520)는 하우징(510)의 내부 공간이 아닌 다른 위치에 제공될 수 있다. 도 2와 같이, 플레이트(520)는 링 형상으로 제공될 수 있다. 플레이트(520)는 지지 유닛()에 놓여진 기판의 가장자리 영역에 대응되게 제공될 수 있다. 이 때, 플레이트(520)의 외측면은 하우징(510)의 내측면에 접촉되도록 제공된다. 플레이트(520)는 접지되어 제공된다. 플레이트 구동기(530)는 플레이트(520)를 구동시킨다. 일 예로, 플레이트 구동기(530)는 플레이트(520)를 상하 방향으로 이동시킨다. 플레이트 구동기(530)는 하우징(510) 외부에 위치될 수 있다. 제어기(540)는 플레이트 구동기(530)를 제어한다. 일 예로, 도 3과 같이, 제어기(540)는 플레이트 구동기(530)로 플레이트(520)를 상하 방향으로 이동시키도록 제어한다.FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of the plate 520. FIG. 3 is a view showing a state in which the plate driver 530 moves the plate 520. FIG. The plate 520 is made of a metal material. As an example, the plate 520 may be made of aluminum. Plate 520 is positioned on top of upper electrode 420 and is provided opposite upper electrode 420. Plate 520 is provided outside of process chamber 100. In one example, the plate 520 may be provided in the interior space of the housing 510. At this time, the plate 520 may be provided on the uppermost side inside the housing 510. The plate 520 is electrically connected to the housing 510. Optionally, the plate 520 may be provided at a location other than the interior space of the housing 510. 2, the plate 520 may be provided in a ring shape. The plate 520 may be provided corresponding to the edge region of the substrate placed on the support unit. At this time, the outer surface of the plate 520 is provided to be in contact with the inner surface of the housing 510. The plate 520 is provided to be grounded. The plate driver 530 drives the plate 520. In one example, the plate driver 530 moves the plate 520 in the up and down direction. The plate driver 530 may be located outside the housing 510. The controller 540 controls the plate driver 530. For example, as shown in FIG. 3, the controller 540 controls the plate driver 530 to move the plate 520 up and down.

도 4 내지 도 6은 제어기(540)가 플레이트 구동기(530)를 제어하는 모습을 보여주는 도면들이다. 도 4를 참조하면, 공정 챔버(100) 내에서 플라즈마가 생성되는 것을 보여주는 도면이다. 전기장이 형성되고, 이온에너지가 높아지면 플라즈마가 형성되어 식각이 진행된다. 도 5 및 도 6을 참조하면, 플레이트(520)와 상부 전극(420)과의 거리가 가변됨에 따라, 공정 챔버(100) 내의 전기장이 가변된다. 플레이트(520)와 상부 전극(420)간의 거리가 줄어들면, 공정 챔버(100) 내의 플레이트(520)에 대응되는 영역의 전기장이 강해진다. 반면에, 플레이트(520)와 상부 전극(420) 간의 거리가 멀어지면, 공정 챔버(100) 내의 플레이트(520)에 대응되는 영역의 전기장은 약해진다. 따라서, 공정 챔버(100) 내의 영역별로 플라즈마의 밀도 제어가 가능하다. 이는 또한, 균일한 에칭 효율을 얻을 수 있다. FIGS. 4 to 6 are views showing the controller 540 controlling the plate driver 530. FIG. Referring to FIG. 4, a plasma is generated in the process chamber 100. When an electric field is formed and the ion energy becomes high, a plasma is formed and the etching proceeds. Referring to FIGS. 5 and 6, as the distance between the plate 520 and the upper electrode 420 varies, the electric field in the process chamber 100 varies. As the distance between the plate 520 and the upper electrode 420 decreases, the electric field in the region corresponding to the plate 520 in the process chamber 100 becomes stronger. On the other hand, as the distance between plate 520 and upper electrode 420 increases, the electric field in the region corresponding to plate 520 in process chamber 100 weakens. Thus, it is possible to control the density of the plasma in each region in the process chamber 100. This also makes it possible to obtain a uniform etching efficiency.

이하, 도 1의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법을 설명한다. 도 7 내지 도 9는 제 1 실시예에 따른 기판 처리 방법을 순차적으로 보여주는 도면들이다. 이하, 도 7 내지 도 9를 참조하여 제 1 실시예에 따른 기판 처리 방법을 설명한다. 공정 챔버(100) 내 제 1 기판(W1)이 유입되고, 공정 챔버(100)는 식각 공정을 진행한다. 이 때, 플레이트(520)는 상부 전극(420)과의 거리가 제 1 거리(D1)인 위치에 위치된다. 공정 진행 중, 공정 챔버(100) 내의 기판의 중앙 영역이 가장자리 영역에 비해 에칭이 과다할 경우, 제어기(540)는 플레이트(520)를 이동시킨다. 제어기(540)는 플레이트(520)를 상부 전극(420)과의 거리가 제 2 거리(D2)인 위치로 위치시킨다. 이 때, 제 1 거리(D1)와 제 2 거리(D2)는 서로 상이하다. 일 예로, 제 2 거리(D2)는 제 1 거리(D1)보다 짧을 수 있다. Hereinafter, a method of processing a substrate using the substrate processing apparatus of Fig. 1 will be described. 7 to 9 are views sequentially illustrating a substrate processing method according to the first embodiment. Hereinafter, a substrate processing method according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. 7 to 9. FIG. The first substrate W1 is introduced into the process chamber 100 and the process chamber 100 is subjected to the etching process. At this time, the plate 520 is positioned at a position where the distance from the upper electrode 420 is the first distance D1. During the process, the controller 540 moves the plate 520 when the central region of the substrate in the process chamber 100 is excessively etched relative to the edge region. The controller 540 positions the plate 520 at a position at which the distance from the upper electrode 420 is the second distance D2. At this time, the first distance D1 and the second distance D2 are different from each other. As an example, the second distance D2 may be shorter than the first distance D1.

도 10 및 도 11은 제 2 실시예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 도면이다. 이하, 도 10 및 11을 참조하여 제 2 실시예에 따른 기판 처리 방법을 설명한다. 공정 챔버(100) 내 제 1 기판(W1)이 유입되고, 공정 챔버(100)는 식각 공정을 진행한다. 이 때, 플레이트(520)는 상부 전극(420)과의 거리가 제 1 거리(D1)인 위치에 위치된다. 제 1 기판(W1)에 대한 식각 공정이 완료되면, 사용자는 기판의 식각 결과를 파악한다. 공정 결과, 제 1 기판(W1)의 중앙 영역이 가장자리 영역에 비해 에칭이 과다할 경우, 제어기(540)는 플레이트(520)를 이동시킨다. 제어기(540)는 플레이트(520)를 상부 전극(420)과의 거리가 제 2 거리(D2)인 위치로 위치시킨다. 이후, 공정 챔버(100)에는 제 2 기판(W2)이 유입되고, 제 2 기판(W2)에 대해 식각 공정을 진행한다. 이 때, 제 1 거리(D1)와 제 2 거리(D2)는 서로 상이하다. 일 예로, 제 2 거리(D2)는 제 1 거리(D1)보다 짧을 수 있다. 10 and 11 are views showing a substrate processing method according to the second embodiment. Hereinafter, a substrate processing method according to the second embodiment will be described with reference to FIGS. The first substrate W1 is introduced into the process chamber 100 and the process chamber 100 is subjected to the etching process. At this time, the plate 520 is positioned at a position where the distance from the upper electrode 420 is the first distance D1. When the etching process for the first substrate W1 is completed, the user grasps the etching result of the substrate. As a result of the process, when the center region of the first substrate W1 is excessively etched as compared with the edge region, the controller 540 moves the plate 520. The controller 540 positions the plate 520 at a position at which the distance from the upper electrode 420 is the second distance D2. Thereafter, the second substrate W2 is introduced into the process chamber 100, and the etching process is performed on the second substrate W2. At this time, the first distance D1 and the second distance D2 are different from each other. As an example, the second distance D2 may be shorter than the first distance D1.

도 12는 다른 실시예에 따른 플레이트(620)를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 13은 다른 실시예에 따른 플레이트(720)를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 14는 또 다른 실시예에 따른 플레이트(820)를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 12의 플레이트(620)는 상부 전극(420)의 길이 방향에 대응되게 제공될 수 있다. 플레이트(620)는 원형으로 제공될 수 있다. 도 13의 플레이트(720)는 상부 전극(420)의 중앙 영역에 대응되게 제공될 수 있다. 플레이트(720)는 원형으로 제공될 수 있다. 도 14의 플레이트(820)는 중앙 플레이트(822) 및 가장자리 플레이트(824)를 포함할 수 있다. 중앙 플레이트(822)는 원형으로 제공될 수 있다. 이 때, 가장자리 플레이트(822)는 링 형상으로 제공될 수 있다. 중앙 플레이트(822)와 가장자리 플레이트(824)는 독립적으로 이동될 수 있다. 12 is a view schematically showing a plate 620 according to another embodiment. 13 is a view schematically showing a plate 720 according to another embodiment. FIG. 14 is a view schematically showing a plate 820 according to another embodiment. The plate 620 of FIG. 12 may be provided corresponding to the longitudinal direction of the upper electrode 420. The plate 620 may be provided in a circular shape. The plate 720 of FIG. 13 may be provided corresponding to the central region of the upper electrode 420. The plate 720 may be provided in a circular shape. The plate 820 of FIG. 14 may include a center plate 822 and an edge plate 824. The center plate 822 may be provided in a circular shape. At this time, the edge plate 822 may be provided in a ring shape. The center plate 822 and the edge plate 824 can be moved independently.

이상의 본 실시예에서는, 플레이트가 링 형상 또는 원형인 경우를 예로 들어 설명하였으나, 이와 달리 플레이트는 다양한 형상을 가질 수 있다. 선택적으로, 플레이트는 다중으로 제공될 수 있고, 영역별로 구획화되어 제공될 수 있다. 또한, 플레이트는 하우징이 아닌 위치에 제공될 수 있다. 또한, 플레이트가 하우징 내부에서 이동될 경우, 하우징 내부에는 가이드 또는 마찰 방지 부재가 제공될 수 있다. In the above-described embodiment, the case where the plate is ring-shaped or circular has been described as an example, but the plate may have various shapes. Alternatively, the plate may be provided in multiple and may be provided in a zoned area. Further, the plate may be provided at a position other than the housing. Further, when the plate is moved inside the housing, a guide or a friction preventing member may be provided inside the housing.

또한, 이상에서는, 상기 실시예에서는 플라스마를 이용하여 식각 공정을 수행하는 것으로 설명하였으나, 기판 처리 공정은 이에 한정되지 않으며, 플라스마를 이용하는 다양한 기판 처리 공정, 예컨대 증착 공정, 애싱 공정, 그리고 세정 공정 등에도 적용될 수 있다. 또한, 본 실시예에서는 플라즈마 생성 유닛이, 용량 결합형 플라즈마(capacitive coupled plasma) 소스로 제공되는 구조로 설명하였다. 그러나, 이와 달리, 플라즈마 생성 유닛은 유도 결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma)으로 제공될 수 있다. 유도 결합형 플라즈마는 안테나를 포함할 수 있다. 또한, 기판 처리 장치는 추가적으로 플라즈마 경계 제한 유닛을 포함할 수 있다. 플라즈마 경계 제한 유닛은, 일 예로, 링 형상으로 제공될 수 있으며, 방전 공간을 감싸도록 제공되어 플라즈마가 그 외측으로 빠져나가는 것을 억제할 수 있다.In the above description, the etching process is performed using the plasma in the above embodiment. However, the substrate process is not limited to this, and various substrate processing processes using plasma, such as a deposition process, an ashing process, Can also be applied. In this embodiment, the plasma generating unit is provided as a capacitive coupled plasma source. Alternatively, however, the plasma generating unit may be provided with an inductively coupled plasma (ICP). The inductively coupled plasma may include an antenna. Further, the substrate processing apparatus may further include a plasma boundary limiting unit. The plasma boundary limiting unit may be provided in a ring shape, for example, and may be provided so as to surround the discharge space, thereby suppressing the plasma from escaping to the outside.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The foregoing description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and various changes and modifications may be made by those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

100 : 공정 챔버 140 : 도어 어셈블리
200 : 지지 유닛 210 : 지지판
220 : 베이스 240 : 정전 척
260 : 링 어셈블리 270 : 가스 공급 라인부
272 : 가스 공급원 274 : 가스 공급라인
300 : 가스 공급 유닛 400 : 플라즈마 발생 유닛
500 : 플레이트 유닛 510 : 하우징
520 : 플레이트 530 : 플레이트 구동기
540 : 제어기100: Process chamber 140: Door assembly
200: support unit 210: support plate
220: Base 240: Electrostatic Chuck
260: ring assembly 270: gas supply line part
272: gas supply source 274: gas supply line
300: gas supply unit 400: plasma generating unit
500: plate unit 510: housing
520: Plate 530: Plate driver
540:

Claims

A process chamber in which a processing space for performing a process is formed;
A support unit located in the processing space and supporting the substrate;
A gas supply unit for supplying a process gas into the process chamber;
A plasma generation unit including an upper electrode and a lower electrode provided opposite to each other in the process chamber, the plasma generation unit exciting the process gas supplied into the process chamber; And
And a plate unit having a metal plate for controlling the density of the plasma inside the process chamber,
Wherein the plate is positioned on top of the upper electrode and is provided opposite the upper electrode.

The method according to claim 1,
Wherein the plate is provided outside the process chamber.

3. The method of claim 2,
The substrate processing apparatus includes:
Further comprising a housing disposed on top of the process chamber and having an interior space,
Wherein the plate is located in the inner space.

4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the plate is provided in a ring shape.

5. The method of claim 4,
Wherein the plate is provided corresponding to an edge region of the substrate placed on the support unit.

6. The method of claim 5,
The plate unit includes:
A plate driver for moving the plate; And
And a controller for controlling the plate driver.

The method according to claim 6,
And the controller controls the plate driver to move the plate in a vertical direction.

8. The method of claim 7,
Wherein the controller is configured to move the plate to a position where the distance between the plate and the upper electrode is a first distance when performing a process on one substrate, 2, and controls the plate driver to advance the process.

8. The method of claim 7,
The controller may be configured to move the plate to a position where the distance between the plate and the upper electrode is a first distance when proceeding with the process for the first substrate, And controls the plate driver to move the plate to a position at a second distance different from the first distance.

10. The method according to any one of claims 1 to 9,
Wherein the plate is grounded.

11. The method of claim 10,
The plate being electrically connected to the housing,
Wherein the housing is grounded.

A method of processing a substrate, the method comprising: generating a plasma in a process chamber having an upper electrode and a lower electrode opposite to each other to process a substrate, wherein a metal plate is provided on the upper electrode in opposition to the upper electrode Thereby controlling the plasma density in the process chamber.

13. The method of claim 12,
Wherein the density of the plasma is controlled by adjusting an interval between the plate and the upper electrode.

15. The method of claim 14,
And moving the plate in a vertical direction.

15. The method according to any one of claims 12 to 14,
Wherein the plate is provided in a ring shape.

16. The method of claim 15,
Wherein the plate is provided corresponding to an edge region of the substrate placed on the support unit.

17. The method of claim 16,
The process is performed by positioning the plate at a position where the distance between the plate and the upper electrode is the first distance when the process is performed on one substrate, And the process is carried out.

17. The method of claim 16,
When the process is performed on the first substrate, the process is performed by positioning the plate at a position where the distance between the plate and the upper electrode is a first distance. When the process is performed on the second substrate, Wherein the substrate is positioned at a second distance different from the first distance.

The method according to claim 17 or 18,
Wherein the plate is grounded.

20. The method of claim 19,
Wherein the process is an etching process.