KR20150146038A - Substrate processing apparatus - Google Patents

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김기범
장재환
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주성엔지니어링(주)
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Abstract

The present invention relates to a substrate treatment apparatus. Especially, the objective of the present invention is to provide the substrate treatment apparatus where a power connection part to supply electricity to a heating wire installed in a susceptor is arranged on the outside of a vacuum chamber where the susceptor is arranged. For this, the substrate treatment apparatus according to the present invention includes: the susceptor where a heating wire is embedded; a gas jetting module for treating a substrate by reacting with the susceptor; a vacuum chamber where the susceptor and the gas jetting module are arranged in an inside thereof, and a vacuum state is maintained when the susceptor and the gas jetting module operate; a power supply line which is integrally connected to the heating wire, and is extended to the outside of the vacuum chamber through a power supply line hole formed in the vacuum chamber; a power connection part which is arranged on the outside of the vacuum chamber, and is to connect the power supply line to a power supply device; and a power supply line cover member which covers the power supply line, at a part of the susceptor, where the power supply line protrudes.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}[0001] SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS [0002]

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus.

일반적으로, 태양전지(Solar Cell), 반도체 소자, 평판 디스플레이 등을 제조하기 위해서는 기판 표면에 소정의 박막층, 박막 회로 패턴, 또는 광학적 패턴을 형성하여야 하며, 이를 위해서는 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 박막 증착 공정, 감광성 물질을 사용하여 박막을 선택적으로 노출시키는 포토 공정, 선택적으로 노출된 부분의 박막을 제거하여 패턴을 형성하는 식각 공정 등의 반도체 제조 공정을 수행하게 된다.Generally, in order to manufacture a solar cell, a semiconductor device, a flat panel display, etc., a predetermined thin film layer, a thin film circuit pattern, or an optical pattern must be formed on the surface of the substrate. For this purpose, A semiconductor manufacturing process such as a thin film deposition process, a photolithography process for selectively exposing a thin film using a photosensitive material, and an etching process for forming a pattern by selectively removing a thin film of an exposed portion are performed.

이러한 반도체 제조 공정은 해당 공정을 위해 최적의 환경으로 설계된 기판 처리 장치의 내부에서 진행되며, 최근에는 플라즈마를 이용하여 증착 또는 식각 공정을 수행하는 기판 처리 장치가 많이 사용되고 있다. Such a semiconductor manufacturing process is performed inside a substrate processing apparatus designed for an optimum environment for the process, and recently, a substrate processing apparatus for performing a deposition or etching process using plasma is widely used.

플라즈마를 이용한 기판 처리 장치는 종형(Vertical type) 기판 처리 장치와 기판 이송형(Belt Conveyer type) 기판 처리 장치로 구분될 수 있다.The substrate processing apparatus using plasma may be classified into a vertical type substrate processing apparatus and a substrate conveying type (belt conveyor type) substrate processing apparatus.

상기 종형 기판 처리 장치는 진공 챔버 내에서 서셉터(Susceptor) 위에 기판을 올려놓고 박막을 증착하거나 식각하는 방식이며, 상기 기판 이송형 기판 처리 장치는 기판이송수단, 예를 들어, 컨베이어 벨트 위에 기판을 올려놓고 상기 컨베이어벨트에 의해 이동되는 기판 상에 연속적으로 박막을 증착하거나 식각하는 방식이다.In the vertical type substrate processing apparatus, a substrate is placed on a susceptor in a vacuum chamber, and a thin film is deposited or etched. The substrate transfer type substrate processing apparatus includes a substrate transfer means, for example, And the thin film is continuously deposited or etched on the substrate which is moved by the conveyor belt.

도 1은 일반적인 기판 이송형 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.1 is a view schematically showing a general substrate transfer type substrate processing apparatus.

일반적인 기판 이송형 기판 처리 장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 진공 챔버(10), 기판 이송 모듈(20), 기판 가열 모듈(서셉터)(30), 및 가스 분사 모듈(50)을 구비한다.A general substrate transfer type substrate processing apparatus is provided with a vacuum chamber 10, a substrate transfer module 20, a substrate heating module (susceptor) 30, and a gas injection module 50 as shown in Fig. do.

진공 챔버(10)는 기판 처리 공정을 위한 공정 공간을 제공하는 것으로, 펌핑 장치(12)의 펌핑에 의해 진공 상태를 유지한다. 상기 진공 챔버(10)의 일측 벽에는 기판이 반입되는 제1기판출입구(14)가 마련되고, 상기 진공 챔버(10)의 타측 벽에는 기판 처리 공정이 완료된 기판이 반출되는 제2기판출입구(16)가 마련된다.The vacuum chamber 10 provides a process space for the substrate processing process and maintains a vacuum by pumping of the pumping device 12. [ A first substrate inlet 14 through which a substrate is introduced is provided on one side wall of the vacuum chamber 10 and a second substrate inlet 16 through which the substrate having undergone the substrate processing process is transferred is provided on the other side wall of the vacuum chamber 10. ).

기판 이송 모듈(20)은 진공 챔버(10)의 내부에 설치되어 제1기판출입구(14)로부터 반입되는 기판(S)을 제2기판출입구(16) 쪽으로 이동시킨다. 이를 위해, 기판 이송 모듈(20)은 제 1 및 제 2 구동 롤러(22, 24)와 기판이송수단(26)을 구비한다.The substrate transfer module 20 is installed inside the vacuum chamber 10 to move the substrate S transferred from the first substrate entry / exit port 14 toward the second substrate entry / exit port 16. To this end, the substrate transfer module 20 includes first and second drive rollers 22, 24 and substrate transfer means 26.

제 1 구동 롤러(22)는 제1기판출입구(14)에 인접하도록 진공 챔버(10)의 일측에 설치되고, 제 2 구동 롤러(24)는 제2기판출입구(16)에 인접하도록 진공 챔버(10)의 타측에 설치된다. 이러한 제 1 및 제 2 구동 롤러(22, 24) 중 어느 하나는 롤러 구동 수단, 예를 들어, 구동 모터(미도시)에 의해 소정 방향으로 회전된다.The first driving roller 22 is disposed on one side of the vacuum chamber 10 so as to be adjacent to the first substrate entrance 14 and the second driving roller 24 is disposed on the second substrate entrance 16 in the vacuum chamber 10, respectively. Any one of the first and second driving rollers 22 and 24 is rotated in a predetermined direction by a roller driving means, for example, a driving motor (not shown).

기판이송수단(26)은 제 1 및 제 2 구동 롤러(22, 24) 간에 걸쳐지도록 설치되어 제 1 및 제 2 구동 롤러(22, 24)의 회전에 따라 회전(순환)한다. 상기 기판이송수단(26)에는 제1기판출입구(14)를 통해 복수의 기판(S)이 일정한 간격으로 로딩된다.The substrate transfer means 26 is installed so as to span between the first and second drive rollers 22 and 24 and rotates (circulates) in accordance with the rotation of the first and second drive rollers 22 and 24. A plurality of substrates S are loaded on the substrate transfer means 26 through the first substrate entry / exit port 14 at regular intervals.

기판 가열 모듈(서셉터)(30)은 제 1 및 제 2 구동 롤러(22, 24)의 상면 쪽으로 회전하는 기판이송수단(26)의 하면에 대향되도록 설치된다. 이러한 기판 가열 모듈(30)은 기판이송수단(26)에 의해 이동하는 기판(S)을 기판 처리 공정에 적합한 온도로 가열한다.The substrate heating module (susceptor) 30 is installed to face the lower surface of the substrate transfer means 26 which rotates toward the upper surface of the first and second drive rollers 22 and 24. The substrate heating module 30 heats the substrate S moved by the substrate transfer means 26 to a temperature suitable for the substrate processing process.

가스 분사 모듈(50)은 기판이송수단(26)을 사이에 두고 기판 가열 모듈(30)과 대향되도록 진공 챔버(10)의 상부에 설치된다. 이러한 가스 분사 모듈(50)은 플라즈마 전원 공급부(52)로부터 공급되는 플라즈마 전원과 가스 공급부(54)로부터 공급되는 공정 가스를 이용하여 가열된 기판(S) 상에 플라즈마를 형성함으로써 가열된 기판(S) 상에 박막을 증착하거나 가열된 기판(S)에 형성된 박막을 식각하는 기판 처리 공정을 수행한다.The gas injection module 50 is installed on the upper part of the vacuum chamber 10 so as to face the substrate heating module 30 with the substrate transfer means 26 interposed therebetween. The gas injection module 50 generates a plasma on the heated substrate S by using the plasma power supplied from the plasma power supply unit 52 and the process gas supplied from the gas supply unit 54, ) Or a substrate processing process in which a thin film formed on the heated substrate S is etched.

이와 같은, 일반적인 벨트 컨베이어형 기판 처리 장치는 기판 이송 모듈(20)의 기판이송수단(26)에 기판(S)을 안착시키고, 기판 이송 모듈(20)의 구동을 통해 기판이송수단(26)에 안착된 기판(S)을 기판 가열 모듈(30)과 가스 분사 모듈(50) 사이로 이동시키면서 가스 분사 모듈(50)을 통해 기판(S) 상에 플라즈마를 형성함으로써 기판(S)에 대한 박막 증착 또는 박막 식각 공정을 연속적으로 수행한다.Such a general belt conveyor type substrate processing apparatus mounts the substrate S to the substrate transfer means 26 of the substrate transfer module 20 and transfers the substrate S to the substrate transfer means 26 through the driving of the substrate transfer module 20 Deposition of a substrate S onto a substrate S by forming a plasma on the substrate S through the gas injection module 50 while moving the mounted substrate S between the substrate heating module 30 and the gas injection module 50 The thin film etching process is continuously performed.

도 2는 도 1에 도시된 기판 처리 장치에 적용되는 기판 가열 모듈의 평면을 나타낸 예시도이다. 2 is an exemplary view showing a plane view of a substrate heating module applied to the substrate processing apparatus shown in Fig.

상기 기판 가열 모듈(30)은 서셉터라고도 한다. 이하에서는, 상기 기판 가열 모듈(30)을 서셉터라 한다. The substrate heating module 30 is also referred to as a susceptor. Hereinafter, the substrate heating module 30 is referred to as a susceptor.

상기 서셉터(30)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 기판이송수단(26)의 하단에 배치되어 있으며, 상기 서셉터(30)의 하단에도 상기 기판이송수단(26)이 통과하고 있다. 1, the susceptor 30 is disposed at the lower end of the substrate transfer means 26, and the substrate transfer means 26 passes through the lower end of the susceptor 30 .

상기 서셉터(30)는, 상기한 바와 같이, 상기 기판이송수단(26)에 의해 이동하는 기판(S)을 기판 처리 공정에 적합한 온도로 가열하는 기능을 수행한다. 이를 위해, 상기 서셉터(30)의 내부에는 열선(31)이 장착되어 있다. The susceptor 30 functions to heat the substrate S moved by the substrate transfer means 26 to a temperature suitable for the substrate processing process, as described above. To this end, a heat ray 31 is mounted inside the susceptor 30.

상기 열선(31)으로 전원을 공급하기 위한 전원연결부(32)는 상기 서셉터(30)의 측면에 장착되어 있다. 외부전원공급장치(60)와 전원선(62)을 통해 연결되어 있는 외부 단자(61)가 상기 전원연결부(32)에 연결됨으로써, 상기 열선(31)에 전원이 공급되어, 상기 열선의 온도가 상승된다. A power supply connection part 32 for supplying power to the heat ray 31 is mounted on a side surface of the susceptor 30. The external terminal 61 connected to the external power supply unit 60 through the power line 62 is connected to the power connection unit 32 so that power is supplied to the heat line 31, .

상기 종형 기판 처리 장치에서는, 서셉터의 하단에 기판이송수단(26)이 배치되어 있지 않다. 따라서, 상기 종형 기판 처리 장치에 적용되는 서셉터에서는, 전원연결부가 서셉터의 하단부에서 상기 서셉터를 지지하는 지지부 내부에 내장되어 있다. 따라서, 가스 분사 모듈에 의해, 진공 챔버 내부에 불활성 기체가 발생되더라도, 상기 전원연결부가 상기 불활성 기체에 노출되지 않는다. 이에 따라, 종형 기판 처리 장치에서는, 상기 불활성 기체에 의해, 상기 전원연결부에서 아크 방전(acing)이 발생되지 않는다. In the vertical type substrate processing apparatus, the substrate transfer means 26 is not disposed at the lower end of the susceptor. Therefore, in the susceptor applied to the vertical substrate processing apparatus, the power connection portion is built in the support portion supporting the susceptor at the lower end portion of the susceptor. Therefore, even if an inert gas is generated in the vacuum chamber by the gas injection module, the power connection portion is not exposed to the inert gas. Thus, in the vertical type substrate processing apparatus, the inert gas does not cause arc discharge in the power connection portion.

그러나, 상기한 바와 같이, 상기 기판 이송형 기판 처리 장치에 적용되는 상기 서셉터(30)의 하단에는 상기 기판이송수단(26)이 배치되어 있기 때문에, 상기 전원연결부(32)는, 상기 진공 챔버(10) 내부에서 상기 서셉터(30)의 측면에 배치된다.However, as described above, since the substrate transfer means 26 is disposed at the lower end of the susceptor 30 applied to the substrate transfer type substrate processing apparatus, (30) in the interior of the susceptor (10).

이 경우, 상기 전원연결부(32)는 상기 진공 챔버(10)에서 발생되는 불활성 기체와 접촉될 수 있으며, 이에 따라, 상기 전원연결부(32)에서 아크 방전이 발생될 수 있다.In this case, the power connection part 32 may be in contact with the inert gas generated in the vacuum chamber 10, so that arc discharge may be generated in the power connection part 32.

부연하여 설명하면, 종래의 기판 이송형 기판 처리 장치에서는, 상기 서셉터(30)에 전원을 공급하기 위한 전원연결부(32)가 상기 진공 챔버(10) 내부의 공간에 노출되어 있다. In other words, in the conventional substrate transfer type substrate processing apparatus, the power supply connection portion 32 for supplying power to the susceptor 30 is exposed in the space inside the vacuum chamber 10.

따라서, 상기 전원연결부(32)가 상기 진공 챔버(10) 내부에서 발생된 불활성 기체와 접촉되면, 파센 현상에 의해, 상기 전원연결부(32)에서 아크 방전이 발생될 수 있다. Therefore, when the power connection part 32 comes into contact with the inert gas generated in the vacuum chamber 10, an arc discharge may be generated in the power connection part 32 due to the phenomenon of pasching.

또한, 가스 분사 모듈(50)에 의해 발생되는 가스, 예를 들어, 삼불화질소(NF3) 등에 의해, 상기 전원연결부(32)가 부식될 수도 있다.Also, the power connection portion 32 may be corroded by a gas generated by the gas injection module 50, for example, nitrogen trifluoride (NF 3 ) or the like.

본 발명은 상술된 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 서셉터에 장착되는 열선에 전원을 공급하기 위한 전원연결부가 상기 서셉터가 배치되는 진공 챔버의 외부에 배치되어 있는, 기판 처리 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus in which a power connection portion for supplying power to a hot wire mounted on a susceptor is disposed outside a vacuum chamber in which the susceptor is disposed, We will do it.

본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 열선이 내장되어 있는 서셉터, 상기 서셉터와 반응하여 기판을 처리하는 가스 분사 모듈, 상기 서셉터와 상기 가스 분사 모듈이 내부에 배치되며, 상기 서셉터와 상기 가스 분사 모듈이 구동될 때 진공상태로 유지되는 진공 챔버, 상기 열선과 일체로 연결되어 있으며, 상기 진공 챔버에 형성되어 있는 전원선홀을 통해 상기 진공 챔버의 외부로 연장되어 있는 전원선, 상기 진공 챔버의 외부에 배치되어 있으며, 상기 전원선을, 전원공급장치와 연결시키기 위한 전원연결부, 및 상기 서셉터 중 상기 전원선이 돌출되어 있는 부분에서, 상기 전원선을 커버하고 있는 전원선 커버부재를 포함한다.A substrate processing apparatus according to the present invention includes a susceptor having a heating wire embedded therein, a gas injection module for processing the substrate by reacting with the susceptor, a susceptor and the gas injection module disposed therein, A power supply line connected to the heating line and extending to the outside of the vacuum chamber through a power line hole formed in the vacuum chamber, a vacuum chamber connected to the heating line, And a power line cover member covering the power line at a portion of the susceptor where the power line protrudes from the power line cover member do.

본 발명에 의하면, 서셉터에 내장되는 열선과 일체로 형성되는 전원선의 끝단에 장착되어 있는 전원연결부가 상기 서셉터가 배치되어 있는 진공 챔버의 외부에 배치되어 있기 때문에, 상기 진공 챔버의 내부 공간이 진공인 상태에서 불활성 기체가 발생되더라도, 상기 전원연결부에서 아크 방전이 일어나지 않는다. 따라서, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 안전한 상태에서 구동될 수 있다. According to the present invention, since the power connection part mounted at the end of the power supply line integrally formed with the heat line embedded in the susceptor is disposed outside the vacuum chamber in which the susceptor is disposed, Even if an inert gas is generated in a vacuum state, arc discharge does not occur in the power connection portion. Therefore, the substrate processing apparatus according to the present invention can be driven in a safe state.

도 1은 일반적인 기판 이송형 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면.
도 2는 도 1에 도시된 기판 처리 장치에 적용되는 기판 가열 모듈의 평면을 나타낸 예시도.
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 일예시도.
도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 예시도.
도 5는 본 발명의 제2실시예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 예시도. 1 is a schematic view of a general substrate transfer type substrate processing apparatus.
Fig. 2 is an exemplary view showing a plane of a substrate heating module applied to the substrate processing apparatus shown in Fig. 1. Fig.
3 is a schematic view showing an example of a substrate processing apparatus according to the present invention.
4 is a schematic illustration of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention;
5 is a schematic illustration of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention;

이하, 도면을 참조로 본 발명에 따른 바람직한 실시가 상세히 설명된다.Hereinafter, preferred embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 일예시도이다.Fig. 3 is an exemplary view schematically showing a substrate processing apparatus according to the present invention.

본 발명에 따른 기판 처리 장치(100)는, 열선이 내장되어 있는 서셉터(110)를 이용하여, 표시장치 제조 공정에 적용되는 기판(S) 또는 반도체 제조 공정에 적용되는 웨이퍼(S)에, 박막을 형성하거나, 또는 상기 기판 또는 웨이퍼(S)에 형성되어 있는 박막을 식각하는 기능을 수행하는 것으로서, 특히, 불활성 기체와 같이, 아크 방전을 유발시킬 수 있는 기체가 생성되는 진공 챔버(10)를 구비한 장치이다. 즉, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(100)는 진공 상태의 진공 챔버(10)에서, 플라즈마 등을 이용하여 기판(S)을 처리하는 장치이다. The substrate processing apparatus 100 according to the present invention can be applied to a substrate S applied to a display device manufacturing process or a wafer S applied to a semiconductor manufacturing process by using a susceptor 110 having a built- A vacuum chamber 10 in which a gas capable of inducing an arc discharge is generated, such as an inert gas, is formed in the vacuum chamber 10, . That is, the substrate processing apparatus 100 according to the present invention is an apparatus for processing a substrate S by using plasma or the like in a vacuum chamber 10 in a vacuum state.

이를 위해, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(100)는, 열선이 내장되어 있는 서셉터(110), 불활성 기체와 같이 아크 방전을 유발시킬 수 있는 기체를 생성하는 가스 분사 모듈(50) 및 상기 서셉터(110)와 상기 가스 분사 모듈(50)이 배치되며 상기 서셉터(110)와 상기 가스 분사 모듈(50)이 구동될 때 진공 상태로 유지되는 진공 챔버(10)를 구비하고 있다.To this end, the substrate processing apparatus 100 according to the present invention includes a susceptor 110 having a built-in hot wire, a gas injection module 50 for generating a gas capable of causing an arc discharge such as an inert gas, And a vacuum chamber 10 in which a susceptor 110 and the gas injection module 50 are disposed and the vacuum chamber 10 is maintained when the susceptor 110 and the gas injection module 50 are driven.

또한, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(100)는, 기판 이송형 기판 처리 장치와 같이, 상기 서셉터(110)에 내장되는 열선과 연결되는 전원연결부가 상기 서셉터(110)를 지지하는 지지부 내부에 내장될 수 없는 장치이다. In the substrate processing apparatus 100 according to the present invention, as in the case of a substrate transfer type substrate processing apparatus, a power connection part connected to a heat line embedded in the susceptor 110 is connected to a support part supporting the susceptor 110 Which can not be built in.

본 발명이 기판 이송형 기판 처리 장치에 한정되는 것은 아니나, 이하에서는, 설명의 편의상 기판 이송형 기판 처리 장치가 본 발명의 일예로서 설명된다. Although the present invention is not limited to the substrate transfer type substrate processing apparatus, the substrate transfer type substrate processing apparatus will be described as an example of the present invention for the sake of explanation.

예를 들어, 상기한 바와 같은 기능을 수행하는 본 발명에 따른 기판 처리 장치(100)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 열선이 내장되어 있는 서셉터(110), 상기 서셉터(110)와 반응하여 기판(S)을 처리하는 가스 분사 모듈(50), 상기 서셉터(110)와 상기 가스 분사 모듈(50)이 내부에 배치되며, 상기 서셉터(110)와 상기 가스 분사 모듈(50)이 구동될 때 진공상태로 유지되는 진공 챔버(10), 상기 열선과 일체로 연결되어 있으며, 상기 진공 챔버에 형성되어 있는 전원선홀(170)을 통해 상기 진공 챔버(10)의 외부로 연장되어 있는 전원선(120) 및 상기 진공 챔버(10)의 외부에 배치되어 있으며, 상기 전원선(120)을, 전원공급장치(160)와 연결시키기 위한 전원연결부(140)를 포함한다.For example, as shown in FIG. 3, the substrate processing apparatus 100 according to the present invention performing the functions described above includes a susceptor 110 having a built-in hot wire, a susceptor 110, A susceptor 110 and a gas injection module 50 are disposed inside the gas injection module 50. The susceptor 110 is connected to the gas injection module 50, A vacuum chamber 10 which is maintained in a vacuum state when the vacuum chamber 10 is driven is integrally connected to the heating line and extends to the outside of the vacuum chamber 10 through a power line hole 170 formed in the vacuum chamber A power supply line 120 and a power connection unit 140 disposed outside the vacuum chamber 10 and connecting the power supply line 120 to the power supply unit 160.

첫째, 상기 진공 챔버(10)는 기판 처리 공정을 위한 공정 공간을 제공하는 것으로, 펌핑 장치(12)의 펌핑에 의해 진공 상태를 유지한다. 예를 들어, 상기 진공 챔버(10)는 상기 서셉터(110)와 상기 가스 분사 모듈(50)이 구동될 때, 상기 펌핑 장치(12)에 의해, 진공상태로 유지된다. 상기 진공 챔버(10)의 일측 벽에는 기판(S)이 반입되는 제1기판출입구(14)가 마련되고, 상기 진공 챔버(10)의 타측 벽에는 기판 처리 공정이 완료된 기판이 반출되는 제2기판출입구(16)가 마련된다. 상기 진공 챔버(10)의 측면 또는 저면에는, 상기 전원선(120)이 관통하는 전원선홀(170)이 형성되어 있다. First, the vacuum chamber 10 provides a processing space for a substrate processing process, and is maintained in a vacuum state by pumping the pumping device 12. For example, the vacuum chamber 10 is maintained in a vacuum state by the pumping device 12 when the susceptor 110 and the gas injection module 50 are driven. A first substrate inlet 14 through which the substrate S is carried is provided on one side wall of the vacuum chamber 10 and a second substrate 12 is provided on the other side wall of the vacuum chamber 10, An entrance 16 is provided. A power line hole 170 through which the power line 120 passes is formed on a side surface or a bottom surface of the vacuum chamber 10.

둘째, 상기 가스 분사 모듈(50)은 기판이송수단(26)를 사이에 두고 상기 서셉터(110)와 대향되도록 상기 진공 챔버(10)의 상부에 설치된다. 상기 가스 분사 모듈(50)은 플라즈마 전원 공급부(52)로부터 공급되는 플라즈마 전원과 가스 공급부(54)로부터 공급되는 공정 가스를 이용하여, 가열된 기판(S) 상에 플라즈마를 형성함으로써, 가열된 기판(S) 상에 박막을 증착하거나 가열된 기판(S)에 형성된 박막을 식각하는 기판 처리 공정을 수행한다. 이를 위해, 기판 이송 모듈(20)의 상기 기판이송수단(26)에는 기판(S)이 안착되고, 상기 기판 이송 모듈(20)의 구동을 통해 상기 기판이송수단(26)에 안착된 기판(S)이 상기 서셉터(110)와 상기 가스 분사 모듈(50) 사이로 이동된다. 이 경우, 상기 가스 분사 모듈(50)을 통해 기판(S) 상에 플라즈마가 형성됨으로써 기판(S)에 대한 박막 증착 또는 박막 식각 공정이 연속적으로 수행될 수 있다. 이 경우, 상기 진공 챔버(10)에는 불활성 기체가 생성될 수 있다. 상기 불활성 기체의 종류는, 상기 가스 공급부(54)로부터 공급되는 기체의 종류에 따라 다양하게 변경될 수 있다. Second, the gas injection module 50 is installed on the upper portion of the vacuum chamber 10 so as to face the susceptor 110 with the substrate transfer means 26 interposed therebetween. The gas injection module 50 forms plasma on the heated substrate S by using the plasma power supplied from the plasma power supply unit 52 and the process gas supplied from the gas supply unit 54, A thin film is deposited on the substrate S or a thin film formed on the heated substrate S is etched. The substrate S is mounted on the substrate transfer means 26 of the substrate transfer module 20 and the substrate S mounted on the substrate transfer means 26 through the driving of the substrate transfer module 20 Is moved between the susceptor 110 and the gas injection module 50. In this case, the plasma may be formed on the substrate S through the gas injection module 50, so that the thin film deposition or the thin film etching process for the substrate S can be continuously performed. In this case, an inert gas may be generated in the vacuum chamber 10. The kind of the inert gas may be variously changed according to the type of the gas supplied from the gas supply unit 54. [

셋째, 본 발명에서 상기 기판 이송 모듈(20)이 반드시 구비될 필요는 없다. 그러나, 본 발명이 상기한 바와 같이, 기판 이송형 기판 처리 장치인 경우, 상기 기판 이송 모듈(20)은 상기 진공 챔버(10)의 내부에 설치되어 제1기판출입구(14)로부터 반입되는 기판(S)을 제2기판출입구(16) 쪽으로 이동시키는 기능을 수행한다. 이를 위해, 상기 기판 이송 모듈(20)은 제1 및 제2 구동 롤러(22, 24)와 기판이송수단(26)을 구비한다. 상기 제1 구동 롤러(24)는 제1기판출입구(14)에 인접하도록 진공 챔버(10)의 일측에 설치되고, 제2 구동 롤러(22)는 제2기판출입구(16)에 인접하도록 상기 진공 챔버(10)의 타측에 설치된다. 상기 제1 및 제2 구동 롤러(22, 24)들 중 어느 하나는 롤러 구동 수단, 예를 들어, 구동 모터(미도시)에 의해 소정 방향으로 회전된다. 상기 기판이송수단(26)은 상기 제1 및 제2 구동 롤러(22, 24) 간에 걸쳐지도록 설치되어, 상기 제1 및 제2 구동 롤러(22, 24)의 회전에 따라 회전(순환)한다. 상기 기판이송수단(26)에는 제1기판출입구(14)를 통해 복수의 기판(S)이 일정한 간격으로 로딩된다.Third, the substrate transfer module 20 is not necessarily provided in the present invention. However, in the case of the substrate transfer type substrate processing apparatus according to the present invention, the substrate transfer module 20 is installed in the vacuum chamber 10, and the substrates transferred from the first substrate entry / exit port 14 S to the second substrate inlet / outlet 16 side. To this end, the substrate transfer module 20 includes first and second drive rollers 22, 24 and substrate transfer means 26. The first driving roller 24 is installed on one side of the vacuum chamber 10 so as to be adjacent to the first substrate entrance 14 and the second driving roller 22 is disposed on the side of the second substrate entrance 16, Is installed on the other side of the chamber (10). Any one of the first and second driving rollers 22 and 24 is rotated in a predetermined direction by roller driving means, for example, a driving motor (not shown). The substrate transfer means 26 is installed to extend between the first and second drive rollers 22 and 24 and rotates (circulates) according to the rotation of the first and second drive rollers 22 and 24. A plurality of substrates S are loaded on the substrate transfer means 26 through the first substrate entry / exit port 14 at regular intervals.

넷째, 상기 서셉터(110)에는 열선이 내장되어 있다. 상기 기판 이송 모듈(20)이 상기 진공 챔버(10)에 배치되는 경우, 상기 서셉터(110)는 상기 제1 및 제2 구동 롤러(22, 24)의 상면 쪽으로 회전하는 상기 기판이송수단(26)의 하면에 설치된다. 상기 서셉터(110)는 상기 기판이송수단(26)에 의해 이동하는 기판(S)을 기판 처리 공정에 적합한 온도로 가열시키는 기능을 수행한다. Fourth, the susceptor 110 has a built-in heating wire. When the substrate transfer module 20 is disposed in the vacuum chamber 10, the susceptor 110 is rotated by the substrate transfer means 26 (FIG. 26) rotating toward the upper surface of the first and second drive rollers 22 and 24, As shown in Fig. The susceptor 110 functions to heat the substrate S moved by the substrate transfer means 26 to a temperature suitable for the substrate processing process.

다섯째, 상기 전원선(120)은 상기 열선과 일체로 연결되어 있으며, 상기 진공 챔버(10)에 형성되어 있는 상기 전원선홀(170)을 통해 상기 진공 챔버(10)의 외부로 연장되어 있다. 예를 들어, 하나의 전원공급라인 중, 상기 서셉터(110) 내부에 내장되는 부분은 상기 열선이 되며, 상기 서셉터(110) 외부에 배치되는 부분은 상기 전원선(120)이 된다. 즉, 상기 열선과 상기 전원선(120)은 하나의 라인으로 형성되어 있다. Fifth, the power line 120 is integrally connected to the heating line and extends to the outside of the vacuum chamber 10 through the power line hole 170 formed in the vacuum chamber 10. For example, a portion of the power supply line, which is embedded in the susceptor 110, becomes the hot line, and a portion disposed outside the susceptor 110 becomes the power line 120. That is, the heat line and the power line 120 are formed as one line.

여섯째, 상기 전원연결부(140)는, 상기 진공 챔버(10)의 외부에 배치되어 있으며, 상기 전원선(120)을, 상기 진공 챔버(10)의 외부에 배치되어 있는 상기 전원공급장치(160)와 연결시키는 기능을 수행한다. 예를 들어, 상기 전원연결부(140)가 상기 전원공급장치(160)에 장착된 전원공급단자(150)에 연결됨으로써, 상기 전원선(120)을 통해 상기 열선으로 전원이 공급되며, 상기 전원에 의해 상기 열선이 가열된다. 상기 열선이 가열됨에 따라 상기 서셉터(110)가 기판 처리 공정에 적합한 열을 발생시킬 수 있다. Sixth, the power connection unit 140 is disposed outside the vacuum chamber 10, and the power supply line 120 is connected to the power supply unit 160, which is disposed outside the vacuum chamber 10, As shown in FIG. For example, when the power connection unit 140 is connected to the power supply terminal 150 mounted on the power supply unit 160, power is supplied to the hot line through the power supply line 120, Thereby heating the hot wire. As the hot wire is heated, the susceptor 110 can generate heat suitable for the substrate processing process.

일곱째, 상기 전원선(120)은, 전원선 커버부재(130)에 의해 커버되어 있다. 특히, 상기 전원선 커버부재(130)는, 이하에서 설명될 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 서셉터(110) 중 상기 전원선(120)이 돌출되어 있는 부분에서, 상기 전원선을 커버하고 있다. Seventh, the power line 120 is covered by the power line cover member 130. 4 and 5, a portion of the susceptor 110 protruding from the power line 120 is connected to the power line cover member 130, .

상기 전원선 커버부재(130)는, 한 쪽에 힘이 가해져도 그 변형을 흡수하여 다른 쪽으로 상기 힘이 전달되지 않도록 하는 기능을 수행한다. 상기 전원선 커버부재(130)는 예를 들어, 표면에 복수의 주름이 형성되어 있는 벨로스(bellows)가 될 수 있다. The power line cover member 130 functions to absorb the deformation even if a force is applied to one side and prevent the force from being transmitted to the other side. The power line cover member 130 may be, for example, a bellows having a plurality of corrugations formed on its surface.

상기 전원선 커버부재(130)에 의해 상기 서셉터(110)의 열팽창 또는 조립 시 발생할 수 있는, 상기 전원선(120)의 파손이 방지될 수 있다. The power line cover member 130 can prevent the power line 120 from being damaged when the susceptor 110 is thermally expanded or assembled.

또한, 상기 전원선 커버부재(130)에 의해, 상기 서셉터(110)의 케이스 중, 상기 전원선(120)이 관통하는 영역에 형성되어 있는 홀을 통해, 상기 진공챔버(10) 내부에서 발생된 가스, 예를 들어, 삼불화질소(NF3) 등이 상기 서셉터(110) 내부로 유입되는 현상이 방지될 수 있다. 이에 따라, 상기 서셉터(110) 내부에 장착되어 있는 열선 또는 기타 전기부품들이, 상기 가스에 의해 부식되는 현상이 방지될 수 있다. The power line cover member 130 may be formed in the vacuum chamber 10 through holes formed in a region of the case of the susceptor 110 through which the power line 120 penetrates (NF 3 ), for example, can be prevented from entering the susceptor 110. Accordingly, the heat ray or other electric parts mounted in the susceptor 110 can be prevented from being corroded by the gas.

여덟째, 상기 전원선홀(170)에는 실링재(180)가 장착될 수 있다. 상기 실링재(180)는 상기 전원선(120)의 외부 표면이 훼손되는 것을 보호하는 기능 및 상기 진공 챔버(10)의 진공 상태를 유지시키는 기능을 수행한다. 또한, 상기 실링재(180)에는, 상기 실링재를 관통하는 상기 전원선(120)이 움직일 수 있도록 여유공간이 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 실링재(180) 내부에 상기 여유 공간이 형성됨으로써, 상기 서셉터가 상기 진공챔버(10) 내부에서 이동되거나, 또는 상기 전원선(120)이 이동되더라도, 상기 전원선(120)이 훼손되는 현상이 방지될 수 있다. Eighth, a sealing material 180 may be mounted on the power line hole 170. The sealing member 180 functions to protect the outer surface of the power line 120 from being damaged and to maintain the vacuum state of the vacuum chamber 10. In addition, a space may be formed in the sealing material 180 so that the power line 120 passing through the sealing material can move. For example, since the clearance is formed in the sealant 180, the power line 120 can be easily removed even if the susceptor is moved in the vacuum chamber 10 or the power line 120 is moved. The phenomenon of being damaged can be prevented.

본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 상기 전원선(120)의 구조 및 상기 전원선홀(170)의 위치에 따라, 제1실시예와 제2실시예로 구분될 수 있다. 본 발명의 제1실시예는 도 4를 참조하여 설명되며, 본 발명의 제2실시예는 도 5를 참조하여 설명된다. The substrate processing apparatus according to the present invention can be divided into the first embodiment and the second embodiment according to the structure of the power line 120 and the position of the power line hole 170. A first embodiment of the present invention will be described with reference to Fig. 4, and a second embodiment of the present invention will be described with reference to Fig.

도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 예시도이다. 4 is a schematic illustration of a substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.

본 발명의 제1실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 상기에서 설명된 바와 같이, 열선이 내장되어 있는 서셉터(110), 상기 서셉터(110)와 반응하여 기판(S)을 처리하는 가스 분사 모듈(50), 상기 서셉터(110)와 상기 가스 분사 모듈(50)이 내부에 배치되며, 상기 서셉터(110)와 상기 가스 분사 모듈(50)이 구동될 때 진공상태로 유지되는 진공 챔버(10), 상기 열선과 일체로 연결되어 있으며, 상기 진공 챔버에 형성되어 있는 전원선홀(170)을 통해 상기 진공 챔버(10)의 외부로 연장되어 있는 전원선(120) 및 상기 진공 챔버(10)의 외부에 배치되어 있으며, 상기 전원선(120)을, 전원공급장치(160)와 연결시키기 위한 전원연결부(140)를 포함한다. As described above, the substrate processing apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention includes a susceptor 110 having a built-in hot wire, a susceptor 110 which reacts with the susceptor 110 to process the substrate S A gas injection module 50, a susceptor 110 and a gas injection module 50 are disposed therein and are maintained in a vacuum state when the susceptor 110 and the gas injection module 50 are driven A power supply line 120 extending to the outside of the vacuum chamber 10 through a power supply line hole 170 formed in the vacuum chamber and a power supply line 120 extending from the vacuum chamber 10, And a power connection unit 140 for connecting the power supply line 120 to the power supply unit 160. [

상기 서셉터(110), 상기 가스 분사 모듈(50), 상기 진공 챔버(10), 상기 기판 이송 모듈(20) 및 상기 실링재(180)의 구성 및 기능은 상기에서 설명된 내용과 동일함으로, 이에 대한 상세한 설명은 생략된다. The structure and function of the susceptor 110, the gas injection module 50, the vacuum chamber 10, the substrate transfer module 20, and the sealing material 180 are the same as those described above. A detailed description thereof will be omitted.

본 발명의 제2실시예에 따른 기판 처리 장치(100)에서, 상기 전원선홀(170)은, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 진공 챔버(10)의 저면에 형성되어 있다. In the substrate processing apparatus 100 according to the second embodiment of the present invention, the power line hole 170 is formed on the bottom surface of the vacuum chamber 10, as shown in FIG.

이 경우, 상기 전원선(120)은, 상기 서셉터(110)의 측면 방향으로 돌출된 후 상기 진공 챔버(10)의 저면 방향으로 절곡되어 있다. 상기 전원선(120)은 상기 진공 챔버(10)의 저면에 형성되어 있는 상기 전원선홀(170)을 통해 상기 진공 챔버(10)의 외부로 배출된다.In this case, the power line 120 protrudes in the lateral direction of the susceptor 110, and then is bent in the bottom surface direction of the vacuum chamber 10. The power line 120 is discharged to the outside of the vacuum chamber 10 through the power line hole 170 formed in the bottom surface of the vacuum chamber 10.

상기 진공 챔버(10)의 외부로 배출된 상기 전원선홀(170)의 끝단에는 상기 전원연결부(140)가 장착되어 있다. 상기 전원연결부(140)가 상기 진공 챔버(130)의 외부에 배치되어 있는 상기 전원공급장치(160)에 장착된 전원공급단자(150)에 연결됨으로써, 상기 전원선(120)을 통해 상기 열선으로 전원이 공급되며, 상기 전원에 의해 상기 열선이 가열된다. 상기 열선이 가열됨에 따라 상기 서셉터(110)가 기판 처리 공정에 적합한 열을 발생시킬 수 있다. The power connection unit 140 is mounted at an end of the power line hole 170 discharged to the outside of the vacuum chamber 10. The power connection unit 140 is connected to the power supply terminal 150 mounted on the power supply unit 160 disposed outside the vacuum chamber 130 so as to be connected to the hot line through the power supply line 120. [ Power is supplied, and the hot wire is heated by the power source. As the hot wire is heated, the susceptor 110 can generate heat suitable for the substrate processing process.

또한, 상기 전원연결부(140)가 상기 진공 챔버(10)의 외부에 배치되어 있기 때문에, 상기 진공 챔버(10)의 내부가 진공인 상태에서, 불활성 기체들이 발생되더라도, 상기 전원연결부(140)에서 아크 방전 등이 일어나지 않게 된다. In addition, since the power connection unit 140 is disposed outside the vacuum chamber 10, even when inert gas is generated in a vacuum state of the vacuum chamber 10, Arc discharge or the like does not occur.

또한, 상기 전원선홀(170)이 상기 진공 챔버(10)의 저면에 형성되어 있기 때문에, 상기 기판 처리 장치(100)의 조립 공정이 단순화될 수 있다. In addition, since the power line hole 170 is formed on the bottom surface of the vacuum chamber 10, the assembly process of the substrate processing apparatus 100 can be simplified.

예를 들어, 상기 기판 처리 장치(100)의 조립 시, 상기 진공 챔버(10)의 상단면이 오픈된 상태에서, 상기 서셉터(110)는 상기 진공 챔버(10)의 상단에서 상기 저면 방향으로 배치된다.For example, when the substrate processing apparatus 100 is assembled, the upper surface of the vacuum chamber 10 is opened, and the susceptor 110 is moved from the upper end of the vacuum chamber 10 toward the lower surface .

이 경우, 상기 진공 챔버(10)의 저면에 상기 전원선홀(170)이 형성되어 있기 때문에, 상기 전원선(120) 및 상기 전원선 커버부재(130)는 자연스럽게 상기 전원선홀(170)을 통해 상기 진공 챔버(10)의 외부로 배출될 수 있다.In this case, since the power line hole 170 is formed on the bottom surface of the vacuum chamber 10, the power line 120 and the power line cover member 130 can be naturally formed through the power line hole 170, And can be discharged to the outside of the vacuum chamber 10.

상기 전원선(120)을 커버하고 있는 상기 전원선 커버부재(130)는, 상기 전원선(120) 전체를 커버할 수도 있으나, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 서셉터(110)의 측면으로부터, 상기 전원선(120)이 절곡되는 부분까지만 형성될 수도 있다. The power supply line cover member 130 covering the power supply line 120 may cover the entire power supply line 120. However, as shown in FIG. 4, the power supply line cover member 130 may extend from the side of the susceptor 110 And may be formed only to a portion where the power line 120 is bent.

도 5는 본 발명의 제2실시예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 예시도이다. 5 is a schematic illustration of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.

본 발명의 제2실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 상기에서 설명된 바와 같이, 열선이 내장되어 있는 서셉터(110), 상기 서셉터(110)와 반응하여 기판(S)을 처리하는 가스 분사 모듈(50), 상기 서셉터(110)와 상기 가스 분사 모듈(50)이 내부에 배치되며, 상기 서셉터(110)와 상기 가스 분사 모듈(50)이 구동될 때 진공상태로 유지되는 진공 챔버(10), 상기 열선과 일체로 연결되어 있으며, 상기 진공 챔버에 형성되어 있는 전원선홀(170)을 통해 상기 진공 챔버(10)의 외부로 연장되어 있는 전원선(120) 및 상기 진공 챔버(10)의 외부에 배치되어 있으며, 상기 전원선(120)을, 전원공급장치(160)와 연결시키기 위한 전원연결부(140)를 포함한다. As described above, the substrate processing apparatus 100 according to the second embodiment of the present invention includes a susceptor 110 in which a hot wire is embedded, a susceptor 110 which reacts with the susceptor 110 to process the substrate S A gas injection module 50, a susceptor 110 and a gas injection module 50 are disposed therein and are maintained in a vacuum state when the susceptor 110 and the gas injection module 50 are driven A power supply line 120 extending to the outside of the vacuum chamber 10 through a power supply line hole 170 formed in the vacuum chamber and a power supply line 120 extending from the vacuum chamber 10, And a power connection unit 140 for connecting the power supply line 120 to the power supply unit 160. [

상기 서셉터(110), 상기 가스 분사 모듈(50), 상기 진공 챔버(10), 상기 기판 이송 모듈(20) 및 상기 실링재(180)의 구성 및 기능은 상기에서 설명된 내용과 동일함으로, 이에 대한 상세한 설명은 생략된다. The structure and function of the susceptor 110, the gas injection module 50, the vacuum chamber 10, the substrate transfer module 20, and the sealing material 180 are the same as those described above. A detailed description thereof will be omitted.

본 발명의 제2실시예에 따른 기판 처리 장치(100)에서, 상기 전원선홀(170)은, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 진공 챔버(10)의 측면에 형성되어 있다. In the substrate processing apparatus 100 according to the second embodiment of the present invention, the power line hole 170 is formed on the side surface of the vacuum chamber 10, as shown in FIG.

이 경우, 상기 전원선(120)은, 상기 서셉터(110)의 측면 방향으로 돌출된 후, 상기 진공 챔버(10)의 측면에 형성되어 있는 상기 전원선홀(170)을 통해 상기 진공 챔버(10)의 외부로 배출된다.In this case, the power line 120 protrudes in the lateral direction of the susceptor 110, and is electrically connected to the vacuum chamber 10 through the power line hole 170 formed in the side surface of the vacuum chamber 10 As shown in FIG.

상기 진공 챔버(10)의 외부로 배출된 상기 전원선홀(170)의 끝단에는 상기 전원연결부(140)가 장착되어 있다. 상기 전원연결부(140)가 상기 진공 챔버(10)의 외부에 배치되어 있는 상기 전원공급장치(160)에 장착된 전원공급단자(150)에 연결됨으로써, 상기 전원선(120)을 통해 상기 열선으로 전원이 공급되며, 상기 전원에 의해 상기 열선이 가열된다. 상기 열선이 가열됨에 따라 상기 서셉터(110)가 기판 처리 공정에 적합한 열을 발생시킬 수 있다. The power connection unit 140 is mounted at an end of the power line hole 170 discharged to the outside of the vacuum chamber 10. The power connection unit 140 is connected to the power supply terminal 150 mounted on the power supply unit 160 disposed outside the vacuum chamber 10 so as to be connected to the hot line through the power supply line 120. [ Power is supplied, and the hot wire is heated by the power source. As the hot wire is heated, the susceptor 110 can generate heat suitable for the substrate processing process.

또한, 상기 전원연결부(140)가 상기 진공 챔버(10)의 외부에 배치되어 있기 때문에, 상기 진공 챔버(10)의 내부가 진공인 상태에서, 불활성 기체들이 발생되더라도, 상기 전원연결부(140)에서 아크 방전 등이 일어나지 않게 된다. In addition, since the power connection unit 140 is disposed outside the vacuum chamber 10, even when inert gas is generated in a vacuum state of the vacuum chamber 10, Arc discharge or the like does not occur.

상기 전원선(120)을 커버하고 있는 상기 전원선 커버부재(130)는, 상기 전원선(120) 전체를 커버할 수도 있으나, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 진공챔버(10) 내부에 배치되는 전원선(120)에만 형성될 수도 있다.The power line cover member 130 covering the power line 120 may cover the entire power line 120 but may be disposed inside the vacuum chamber 10 as shown in FIG. Or may be formed only on the power line 120.

상기에서 설명된 본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 진공 챔버 내부에서 다양한 공정이 진행될 때, 불활성 기체가 흐르고, 전원이 인가되는 환경에 노출되는 모든 전원단자에서 아크 방전이 발생될 수 있다는 사실을 고려한 것이다. 즉, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(100)는 상기한 바와 같은 아크 방전의 발생을 방지하기 위해 제안된 것이다. The above-described substrate processing apparatus according to the present invention takes into account the fact that when various processes are performed inside a vacuum chamber, an inert gas flows and arc discharge may occur at all power terminals exposed to an environment in which power is applied will be. That is, the substrate processing apparatus 100 according to the present invention is proposed to prevent the occurrence of the arc discharge as described above.

이를 위해, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(100)에 적용되는 상기 진공 챔버(10) 내부에 배치되는 상기 서셉터(110)에는 열선이 내장되며, 상기 열선과 일체로 형성되어 있는 전원선의 끝단에 장착되는 전원연결부(140)는, 상기 진공 챔버(10)의 외부에 배치된다.To this end, the susceptor 110 disposed in the vacuum chamber 10 applied to the substrate processing apparatus 100 according to the present invention has a built-in heat ray, and the end of the power line formed integrally with the heat ray The power supply connection portion 140 to be mounted is disposed outside the vacuum chamber 10.

상기 전원연결부(140)가 상기 진공 챔버(10)의 외부에 배치됨에 따라, 상기 전원연결부(140)는, 상기 진공 챔버(10) 내부에서 발생되는 불활성 기체로부터 격리될 수 있다. 이로 인해, 상기 전원연결부(140)에 전원이 공급되더라도, 상기 전원연결부(140)에서는 아크 방전이 발생되지 않는다. The power connection part 140 is disposed outside the vacuum chamber 10 so that the power connection part 140 can be isolated from the inert gas generated in the vacuum chamber 10. Therefore, even if power is supplied to the power connection unit 140, arc discharge is not generated in the power connection unit 140.

본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.It will be understood by those skilled in the art that the present invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are to be construed as being included within the scope of the present invention do.

S : 기판 10 : 챔버
26 : 기판이송수단 50 : 가스 분사 모듈
100 : 기판 처리 장치 110 : 서셉터
120 : 전원선 130 : 전원선 커버부재
140 : 전원연결부 150 : 전원공급단자
160 : 전원공급장치 170 : 전원선홀
180 : 실링재S: substrate 10: chamber
26: substrate transfer means 50: gas injection module
100: substrate processing apparatus 110: susceptor
120: power line 130: power line cover member
140: Power connection part 150: Power supply terminal
160: Power supply 170: Power line hole
180: sealing material

Claims (6)

열선이 내장되어 있는 서셉터;
상기 서셉터와 반응하여 기판을 처리하는 가스 분사 모듈;
상기 서셉터와 상기 가스 분사 모듈이 내부에 배치되며, 상기 서셉터와 상기 가스 분사 모듈이 구동될 때 진공상태로 유지되는 진공 챔버;
상기 열선과 일체로 연결되어 있으며, 상기 진공 챔버에 형성되어 있는 전원선홀을 통해 상기 진공 챔버의 외부로 연장되어 있는 전원선;
상기 진공 챔버의 외부에 배치되어 있으며, 상기 전원선을, 전원공급장치와 연결시키기 위한 전원연결부; 및
상기 서셉터 중 상기 전원선이 돌출되어 있는 부분에서, 상기 전원선을 커버하고 있는 전원선 커버부재를 포함하는 기판 처리 장치.A susceptor having a heating wire embedded therein;
A gas injection module for processing the substrate by reacting with the susceptor;
A vacuum chamber in which the susceptor and the gas injection module are disposed, the vacuum chamber being maintained in a vacuum state when the susceptor and the gas injection module are driven;
A power supply line integrally connected to the heating line and extending to the outside of the vacuum chamber through a power line hole formed in the vacuum chamber;
A power connection unit disposed outside the vacuum chamber and connecting the power line to a power supply unit; And
And a power line cover member covering the power line at a portion where the power line protrudes from the susceptor. 제 1 항에 있어서,
상기 전원선홀은 상기 진공 챔버의 저면에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the power line hole is formed on the bottom surface of the vacuum chamber. 제 2 항에 있어서,
상기 전원선은 상기 서셉터의 측면 방향으로 돌출된 후 상기 진공 챔버의 저면 방향으로 절곡되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the power line is protruded in a lateral direction of the susceptor and then bent in a direction of a bottom surface of the vacuum chamber. 제 1 항에 있어서,
상기 전원선 커버부재는 벨로스(bellows)인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the power line cover member is a bellows. 제 1 항에 있어서,
상기 전원선홀에는 실링재가 장착되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The method according to claim 1,
Wherein a sealing material is attached to the power line hole. 제 1 항에 있어서,
상기 전원선은 상기 진공 챔버의 측면 방향으로 돌출된 후, 상기 진공 챔버의 측면에 형성되어 있는 상기 전원선홀을 통해 상기 진공 챔버의 외부로 연장되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The method according to claim 1,
Wherein the power supply line protrudes in a side direction of the vacuum chamber and then extends to the outside of the vacuum chamber through the power line hole formed in a side surface of the vacuum chamber.
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