KR200298459Y1

KR200298459Y1 - Structure for preventing infect of wafer in chamber

Info

Publication number: KR200298459Y1
Application number: KR2020020028166U
Authority: KR
Inventors: 조경수
Original assignee: 아남반도체 주식회사
Priority date: 2002-09-18
Filing date: 2002-09-18
Publication date: 2002-12-20

Abstract

본 고안의 목적은 챔버 내부의 기판지지대에 잔존하는 파티클에 의해 웨이퍼가 오염되는 것을 감소시키고, 기판지지대에 안착된 웨이퍼가 미끄러지는 것을 방지하는 챔버의 웨이퍼 오염 방지구조를 제공하는 데 있다.It is an object of the present invention to provide a wafer contamination prevention structure of a chamber which reduces wafer contamination by particles remaining on a substrate support inside the chamber and prevents the wafer seated on the substrate support from slipping.

이에 본 고안의 오염 방지구조는, 자체의 내부에 소스가스를 투입하고 내부로 장입되는 웨이퍼에 열을 가할 수 있으며, 내부에 상기 웨이퍼를 안착하는 기판지지대가 설치되는 챔버에서, 기판지지대에는 웨이퍼의 하면 가장자리와 접촉되는 안착면이 형성된다.The pollution prevention structure of the present invention, the source gas is introduced into the interior of the inside and heat can be applied to the wafer to be loaded therein, in the chamber in which the substrate support for mounting the wafer is installed, the substrate support in the wafer A bottom surface forms a seating surface in contact with the edge.

Description

Structure for preventing infect of wafer in chamber

본 고안은 반도체 제조장비인 챔버에 관한 것으로서, 좀 더 상세하게는 챔버의 내부에 안착된 웨이퍼의 오염을 방지하기 위한 구조에 관한 것이다.The present invention relates to a chamber that is a semiconductor manufacturing equipment, and more particularly to a structure for preventing contamination of a wafer seated inside the chamber.

일반적으로 화학 기상 증착 장치는 외부와 차단된 반응실(챔버) 안에 웨이퍼를 넣고, 반응실로 공급된 가스를 열, 플라즈마, 빛, 또는 임의의 에너지에 의해 웨이퍼와 반응시키는 장치이다.In general, a chemical vapor deposition apparatus is a device in which a wafer is placed in a reaction chamber (chamber) that is blocked from the outside, and reacts the gas supplied to the reaction chamber with the wafer by heat, plasma, light, or any energy.

통상적으로 웨이퍼를 처리하는 타입에 따라 낱장으로 처리하는 타입과, 다수매의 웨이퍼를 동시에 처리하는 배치 타입(batch type)으로 구분한다.In general, the wafer is classified into a sheet processing type and a batch type processing a plurality of wafers simultaneously according to the type of wafer processing.

여기서, 낱장 처리 타입은 생산성 측면에서는 저조한 성능을 보이지만 장비구성시 배치 타입보다는 공정이 다소 안정되고 처리가 손쉬운 점이 있다.Here, the sheet processing type shows poor performance in terms of productivity, but the process is somewhat more stable and easier to process than the batch type when configuring the equipment.

이에 따라 낱장 타입의 장비는 생산성 향상을 위해 다중으로 웨이퍼를 처리할 수 있는 멀티 타입(Multi-type)으로 구성되기도 한다.As a result, sheet-type equipment may be configured as a multi-type that can process multiple wafers to improve productivity.

도 1은 종래 챔버에서 웨이퍼가 안착되는 구조를 개략적으로 도시한 측면도이다.1 is a side view schematically showing a structure in which a wafer is seated in a conventional chamber.

챔버(1)는 그 내부에 기판지지대(2), 히터 및 냉각장치들이 설치되고, 기판지지대(2) 위에 웨이퍼(W)를 안착한 상태에서 챔버(1)의 내부로 증착을 위한 소스가스를 주입한 후 열을 가하여 웨이퍼(W)의 표면에 산화막이 증착되도록 한다.The chamber 1 has a substrate support 2, a heater and a cooling device installed therein, and injects source gas for deposition into the chamber 1 with the wafer W seated on the substrate support 2. After the heat is applied to the oxide film is deposited on the surface of the wafer (W).

이러한 과정에서 챔버의 뚜껑을 여닫을 때나 웨이퍼가 챔버의 내부로 진입할 때 등의 공정진행상 챔버의 내부로 파티클이 침투할 수 있기 때문에 공정 중간에 세척과정을 거치고 있다.In this process, since the particles can penetrate into the chamber during the process such as opening the lid of the chamber or when the wafer enters the chamber, the washing process is performed in the middle of the process.

그러나 웨이퍼는 그 후면이 기판지지대의 표면에 상호 접촉된 상태로 증착과정에 진행되기 때문에 챔버의 내부에서 일부 제거되지 않은 파티클이 기판지지대의 표면에 잔존하고 있다가 웨이퍼를 오염시킬 수 있는 문제점이 있다.However, since the wafer proceeds in the deposition process with its back surface being in contact with the surface of the substrate support, there is a problem that some unremoved particles in the chamber remain on the surface of the substrate support and contaminate the wafer. .

본 고안은 이와 같은 종래 기술의 문제점들을 해결하기 위해 제안된 것으로, 챔버 내부의 기판지지대에 잔존하는 파티클에 의해 웨이퍼가 오염되는 것을 감소시키고, 기판지지대에 안착된 웨이퍼가 미끄러지는 것을 방지하는 챔버의 웨이퍼 오염 방지구조를 제공하는 데 있다.The present invention has been proposed to solve these problems of the prior art, which reduces the contamination of the wafer by particles remaining on the substrate support inside the chamber and prevents the wafer from slipping on the substrate support. To provide a wafer contamination prevention structure.

도 2는 본 고안에 따른 챔버의 웨이퍼 오염 방지구조를 개략적으로 도시한 측면도이다.2 is a side view schematically showing a wafer contamination prevention structure of a chamber according to the present invention.

상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 고안의 오염 방지구조는, 자체의 내부에 소스가스를 투입하고 내부로 장입되는 웨이퍼에 열을 가할 수 있으며, 내부에 상기 웨이퍼를 안착하는 기판지지대가 설치되는 챔버에서, 기판지지대에는 웨이퍼의 하면 가장자리와 접촉되는 안착면이 형성된다.The pollution prevention structure of the present invention for achieving the above-described technical problem, the source gas is injected into the inside of itself and the heat can be applied to the wafer is inserted into the chamber, the substrate support for mounting the wafer therein is installed in the chamber In the substrate support, a seating surface is formed in contact with the bottom edge of the wafer.

그리고 웨이퍼의 외측면에 근접한 위치에 해당하는 상기 안착면에 이탈방지턱을 형성하는 것이 바람직하다.And it is preferable to form a departure prevention jaw on the seating surface corresponding to a position close to the outer surface of the wafer.

이하 본 고안에 따른 바람직한 일 실시예를 첨부된 도면에 의거하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a preferred embodiment according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

챔버(11)의 일측에는 증착을 위해 소스가스를 공급하는 가스유입라인(12)이 연결되며, 이 가스유입라인(12)에는 가스 조절 밸브를 설치하여 유입되는 소스가스의 량을 조절하게 된다.One side of the chamber 11 is connected to the gas inlet line 12 for supplying the source gas for deposition, the gas inlet line 12 to adjust the amount of the source gas to be introduced by installing a gas control valve.

챔버(11)의 하부에는 배기가스라인(13)이 설치되며, 배기가스라인(13)에 배기가스 조절 밸브를 설치하여 배출되는 가스의 량을 조절한다.An exhaust gas line 13 is installed at the lower portion of the chamber 11, and an exhaust gas control valve is installed in the exhaust gas line 13 to adjust the amount of gas discharged.

그리고 기판지지대(14)의 내부에는 증착시 열을 가하기 위한 히터(15)가 설치된다.In addition, a heater 15 for applying heat during deposition is installed in the substrate support 14.

히터(15)에 의해 가열된 챔버(11)의 내부를 냉각시키기 위해서 챔버(11)의 벽체 내부에는 챔버(11)를 냉각시키는 냉각장치(도시 생략됨)가 설치된다.In order to cool the inside of the chamber 11 heated by the heater 15, a cooling device (not shown) for cooling the chamber 11 is provided inside the wall of the chamber 11.

그리고 챔버(11)는 그 내부에 웨이퍼(W)가 안착되는 기판지지대(14)가 설치되는 데, 기판지지대(14)는 상면에 기판지지대(14)의 표면보다 낮게 단차를 두고 공간(16)이 형성된다.The chamber 11 is provided with a substrate support 14 on which a wafer W is placed, and the substrate support 14 has a step lower than the surface of the substrate support 14 on its upper surface. Is formed.

공간(16)은 웨이퍼(W)의 하면과의 거리가 가급적 가깝도록 형성됨으로써 기판지지대(14)에 설치된 히터(15)를 이용하여 웨이퍼(W)를 가열할 경우에 열전달효과가 크도록 한다.The space 16 is formed such that the distance from the lower surface of the wafer W is as close as possible so that the heat transfer effect is great when the wafer W is heated by using the heater 15 provided on the substrate support 14.

공간(16)의 가장자리를 따르는 기판지지대(14)의 표면은 웨이퍼(W)의 하면 가장자리를 지지하는 안착면이 된다.The surface of the substrate support 14 along the edge of the space 16 becomes a seating surface that supports the bottom edge of the wafer W. As shown in FIG.

그리고 안착면에는 기판지지대(14)에서 웨이퍼(W)가 미끄러지거나 이탈되는 것을 방지하기 위한 이탈방지턱(17)이 형성된다.In addition, an anti-separation jaw 17 is formed on the seating surface to prevent the wafer W from slipping or leaving the substrate support 14.

이와 같이 구성되는 본 고안에 따른 챔버의 오염 방지구조는 다음과 같은 작용을 나타낸다.The pollution prevention structure of the chamber according to the present invention configured as described above exhibits the following actions.

챔버(11)의 내부로 장입된 웨이퍼(W)가 기판지지대(14)의 안착면에 안착되면, 웨이퍼(W)의 하면 가장자리만 안착면에 접촉된 상태가 됨으로써 웨이퍼(W)의 하면 대부분은 기판지지대(14)의 표면과 접촉되지 않은 상태이다.When the wafer W charged into the chamber 11 is seated on the seating surface of the substrate support 14, only the bottom edge of the wafer W is in contact with the seating surface, so that most of the bottom surface of the wafer W is in contact with the seating surface. It is not in contact with the surface of the substrate support 14.

따라서 산화막을 증착하는 과정에서 기판지지대(14)의 표면에 잔존해 있던 파티클이 웨이퍼(W)에 접촉될 가능성이 줄어들게 되어 웨이퍼가 오염되는 것을 막는 효과가 있게 된다.Therefore, the particle remaining on the surface of the substrate support 14 in the process of depositing the oxide film is less likely to come into contact with the wafer (W), thereby preventing the contamination of the wafer.

그리고 웨이퍼의 외주면은 이탈방지턱에 근접한 상태가 되어서 기판지지대로부터 웨이퍼가 이탈되는 것을 방지하게 된다.The outer circumferential surface of the wafer is in a state close to the separation prevention jaw to prevent the wafer from being separated from the substrate support.

이상에서 살펴본 바와 같이 본 고안의 오염 방지구조에 의하면, 기판지지대와 웨이퍼가 접촉되는 면적을 감소시켜 기판지지대의 잔존하는 파티클에 의해 웨이퍼가 오염되는 것을 줄임으로써 웨이퍼의 수율을 향상시킨다.As described above, according to the contamination prevention structure of the present invention, the yield of the wafer is improved by reducing the area in which the substrate support and the wafer contact each other, thereby reducing the contamination of the wafer by the remaining particles of the substrate support.

또한 기판지지대의 안착면에 이탈방지턱을 형성함으로써 기판지지대에서 웨이퍼가 미끄러지는 것을 방지한다.In addition, by forming a separation prevention jaw on the mounting surface of the substrate support to prevent the wafer from slipping on the substrate support.

Claims

In the chamber in which the source gas is introduced into the inside and heat can be applied to the wafer loaded therein, and the substrate support for mounting the wafer therein is installed.

And the substrate support has a seating surface in contact with an edge of a bottom surface of the wafer.

The wafer contamination prevention structure of claim 1, wherein a separation prevention jaw is formed on the seating surface corresponding to a position proximate to an outer surface of the wafer.