KR20150141235A - ceramic wire, manufacturing method, and manufacturing apparatus of the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 전기 선재(electric wire)의 제조장치 및 그를 이용한 전기 선재의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로 초전도 세라믹 선재, 그의 제조방법, 및 그의 제조장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE
초전도체(superconductor)는 초전도 현상을 갖는 물질로서, 초전도 현상은 매우 낮은 온도에서 전기 저항이 '0'에 가까워지면서 전류를 무제한 흘려보내는 현상을 말한다. 이러한 초전도체는 초전도 현상이 나타나는 임계 온도에 따라 저온 초전도체와 고온 초전도체로 분류될 수 있으며, 초전도 물질의 종류에 따라 금속 초전도체와 산화물 초전도체 및 유기물 초전도체 등으로 분류될 수 있다. 산화물 초전도체는 금속 초전도체 및 유기물 전도체에 비해 월등히 높은 임계 온도를 갖기 때문에 통상적으로 '고온 초전도체'라 불린다. A superconductor is a material with a superconducting phenomenon. The superconducting phenomenon refers to a phenomenon in which an electric current flows unlimitedly at a very low temperature as the electric resistance approaches zero. These superconductors can be classified into low-temperature superconductors and high-temperature superconductors according to the critical temperature at which superconducting phenomenon occurs. Depending on the type of superconducting material, they can be classified into metal superconductors, oxide superconductors, and organic superconductors. Oxide superconductors are commonly referred to as 'high-temperature superconductors' because they have much higher critical temperatures than metal superconductors and organic conductors.
본 발명의 목적은 신뢰성 높은 초전도체를 제조할 수 있는 세라믹 선재, 그의 제조방법, 및 그의 제조장치를 제공하는 데 있다. An object of the present invention is to provide a ceramic wire capable of producing a highly reliable superconductor, a method of manufacturing the same, and an apparatus for manufacturing the same.
본 발명의 다른 목적은 디라미네이션 불량을 방지할 수 있는 세라믹 선재, 그의 제조방법 및 그의 제조장치를 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a ceramic wire capable of preventing defective delamination, a method of manufacturing the same, and an apparatus for manufacturing the same.
본 발명의 실시 예에 따른 세라믹 선재의 제조방법은, 일면, 상기 일면에 대향하는 타면, 상기 일면과 상기 타면을 연결하는 양측면들에 의하여 정의되는 외부 표면을 갖는 초전도 테이프를 제공하는 단계; 및 상기 초전도 테이프의 상기 외부 표면 상에 캡슐레이션 층을 형성하는 단계를 포함한다. 여기서, 상기 초전도 테이프 제공 단계는 상기 초전도 테이프의 상기 일면과 상기 양측면들 사이 또는 상기 타면과 상기 양측면들 사이의 모서리들에 형성된 버들을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a ceramic wire, the method including: providing a superconducting tape having a first surface, a second surface opposite to the first surface, and an outer surface defined by both surfaces connecting the first surface and the second surface; And forming an encapsulation layer on the outer surface of the superconducting tape. The step of providing the superconducting tape may include removing burrs formed at the edges between the one side and the two side surfaces of the superconducting tape or between the other side and the both side surfaces.
본 발명의 다른 실시 예에 따른 세라믹 선재는 일면, 상기 일면에 대향하는 타면, 상기 일면과 상기 타면 사이의 양측면으로 정의되는 외부 표면을 갖는 초전도 테이프; 및 상기 초전도 테이프의 외부 표면을 둘러싸는 캡슐레이션 층을 포함한다. 상기 초전도 테이프는, 상기 타면과 상기 양 측면들 사이의 모서리들에서의 버들이 제거된 면취들을 가질 수 있다. According to another aspect of the present invention, there is provided a superconducting tape having a first surface, a second surface opposite to the first surface, and an outer surface defined by both surfaces between the first surface and the second surface. And a encapsulation layer surrounding the outer surface of the superconducting tape. The superconducting tape may have chamfered chamfered portions at the corners between the other surface and the both side surfaces.
본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 세라믹 선재는 일면, 상기 일면에 대향하는 타면, 및 상기 타면과 상기 일면을 연결하는 양 측면들로 정의되는 외부 표면을 갖는 초전도 테이프를 제공하는 릴투릴; 상기 릴투릴 내의 상기 초전도 테이프를 슬리팅하는 커트 부재; 및 상기 커트 부재에 의해 슬리팅된 상기 초전도 테이프의 상기 일면과 상기 양 측면들 사이 및 상기 타면과 상기 양 측면들 사이의 모서리들에 발생된 버들을 제거하는 디버 부재들을 포함한다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a superconducting tape having a superconducting tape having a first surface, a second surface opposite to the first surface, and an outer surface defined by both surfaces connecting the first surface and the second surface. A cut member for slitting the superconducting tape in the reel tuft; And deburring members for removing the burrs generated on the one side of the superconducting tape that has been slit by the cut member, between the both sides and between the other side and the both sides.
본 발명의 실시 예에 따르면, 초전도 테이프의 모서리들에서 슬리팅 시 유발되는 버들을 제거하여 초전도 선재의 두께 불량, 전기 집중 불량, 및 디라미네이션 불량을 방지할 수 있다. 본 발명의 실시 예에 따른 세라믹 선재의 제조장치 및 그를 이용한 세라믹 선재의 제조방법은 신뢰성 높은 초전도 세라믹 선재를 제공할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, thickness defects of the superconducting wire, defective electrical concentration, and delamination failure can be prevented by removing the burrs generated during the slitting at the corners of the superconducting tape. The apparatus for manufacturing a ceramic wire rod according to an embodiment of the present invention and the method for manufacturing a ceramic wire rod using the same can provide a highly reliable superconducting ceramic wire rod.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 초전도 선재 제조방법의 흐름도이다.
도 2는 초전도 테이프(10)의 구조를 개념적으로 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 슬리팅 유닛을 나타내는 도면이다.
도 4는 도 3의 커트 부재들을 나타내는 도면이다.
도 5a 내지 도 5d는 초전도 테이프의 하부 모서리와 상부 모서리에서의 버들을 나타내는 단면도들이다.
도 6 및 도 7은 도 3의 디버 부재들을 나타내는 도면들이다.
도 8a 및 도 8b는 도 3의 디버 부재들에 의해 면취들이 형성된 초전도 테이프를 나타내는 단면도들이다.
도 9는 도 8a의 초전도 테이프 상의 금속 안정화 층을 나타내는 단면도이다.
도 10은 도 5a의 버들 상에 비정상적으로 형성된 금속 안정화 층을 나타내는 단면도이다.
도 11은 도 8a의 초전도 테이프 상의 금속 보호 층을 나타내는 단면도이다.
도 12는 도 5a의 버들 상에 비정상적으로 형성된 금속 보호 층을 나타내는 단면도이다.
도 13은 도 11의 금속 안정화 층 상의 금속 보호 층을 나타내는 단면도이다.
도 14는 도 10의 버들 및 금속 안정화 층 상에 비정상적으로 형성된 금속 보호 층을 나타내는 단면도이다.
도 15는 도 13의 금속 보호 층 상의 금속 테이프들을 나타내는 단면도이다.
도 16은 도 14의 버들, 금속 안정화 층, 및 금속 보호 층 상의 금속 테이프들을 나타내는 단면도이다.
도 17은 도 9의 금속 안정화 층에 접합된 금속 테이프들을 나타내는 단면도이다.
도 18은 도 10의 버들 및 금속 안정화 층 상의 금속 테이프들을 나타내는 단면도이다.
도 19는 도 11의 금속 보호 층에 접합된 금속 테이프들을 나타내는 단면도이다.
도 20은 도 12의 버들 및 금속 보호 층 상에 접합된 금속 테이프들을 나타내는 단면도이다.1 is a flowchart of a method of manufacturing a superconducting wire according to an embodiment of the present invention.
2 is a conceptual cross-sectional view of the structure of the
3 is a view illustrating a slitting unit according to an embodiment of the present invention.
Fig. 4 is a view showing the cut members of Fig. 3. Fig.
5A to 5D are cross-sectional views showing the bottom edge of the superconducting tape and the burrs at the top edge.
Figs. 6 and 7 are views showing the daughter members of Fig. 3;
FIGS. 8A and 8B are cross-sectional views showing a superconducting tape in which chamfered portions are formed by the diver members of FIG. 3;
9 is a cross-sectional view of the metal stabilizing layer on the superconducting tape of Fig. 8A.
10 is a cross-sectional view showing an unusually formed metal stabilizing layer on the burrs of FIG. 5A;
FIG. 11 is a cross-sectional view of the metal protective layer on the superconducting tape of FIG. 8A. FIG.
12 is a cross-sectional view showing a metal protective layer abnormally formed on the burrs of FIG. 5A;
13 is a cross-sectional view showing a metal protective layer on the metal stabilizing layer of Fig.
14 is a cross-sectional view showing an unusually formed metal protective layer on the burr and metal stabilization layer of Fig.
15 is a cross-sectional view showing metal tapes on the metal protection layer of Fig.
16 is a cross-sectional view showing the metal tapes on the burrs, the metal stabilization layer, and the metal protection layer of Fig.
17 is a cross-sectional view showing metal tapes bonded to the metal stabilizing layer of Fig.
18 is a cross-sectional view showing the metal tapes on the burr and metal stabilization layer of Fig.
19 is a cross-sectional view showing metal tapes bonded to the metal protective layer of Fig.
FIG. 20 is a cross-sectional view showing the metal tapes bonded on the burr and metal protective layer of FIG. 12;
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention, and how to accomplish them, will become apparent by reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 포함한다(comprises) 및/또는 포함하는(comprising)은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of illustrating embodiments and is not intended to be limiting of the present invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. It is to be understood that the phrase "comprises" and / or "comprising" used in the specification exclude the presence or addition of one or more other elements, steps, operations and / or elements, I never do that.
또한, 본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 예시도인 단면도 및/또는 평면도들을 참고하여 설명될 것이다. 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 예를 들면, 직각으로 도시된 식각 영역은 라운드지거나 소정 곡률을 가지는 형태일 수 있다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이며 발명의 범주를 제한하기 위한 것이 아니다. In addition, the embodiments described herein will be described with reference to cross-sectional views and / or plan views, which are ideal illustrations of the present invention. In the drawings, the thicknesses of the films and regions are exaggerated for an effective description of the technical content. Thus, the shape of the illustrations may be modified by manufacturing techniques and / or tolerances. Accordingly, the embodiments of the present invention are not limited to the specific forms shown, but also include changes in the shapes that are generated according to the manufacturing process. For example, the etched area shown at right angles may be rounded or may have a shape with a certain curvature. Thus, the regions illustrated in the figures have schematic attributes, and the shapes of the regions illustrated in the figures are intended to illustrate specific types of regions of the elements and are not intended to limit the scope of the invention.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 초전도 선재 제조방법의 흐름도이다. 도 1을 참조하여, 외부 표면을 갖는 초전도 테이프를 제공한다(S10). 초전도 테이프를 제공하는 단계(S10)는 초전도 테이프를 형성하는 단계(S12)와, 초전도 테이프를 슬리팅하는 단계(S14)와, 초전도 테이프 바닥 모서리들에서의 버들을 제거하는 단계(S16)를 포함할 수 있다. 버들이 제거된 초전도 테이프의 외부 표면 상에 캡슐레이션 층을 형성한다(S20).1 is a flowchart of a method of manufacturing a superconducting wire according to an embodiment of the present invention. Referring to Fig. 1, there is provided a superconducting tape having an outer surface (S10). Step S10 of providing the superconducting tape includes forming a superconducting tape S12, slitting the superconducting tape S14, and removing the burrs at the bottom corners of the superconducting tape S16 can do. The encapsulation layer is formed on the outer surface of the superconducting tape from which the burrs are removed (S20).
이하, 도 2 내지 도 19를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 초전도 선재의 제조방법을 보다 구체적으로 설명하고자 한다. Hereinafter, a method of manufacturing a superconducting wire according to an embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. 2 to 19. FIG.
도 2는 초전도 테이프(10)의 구조를 개념적으로 도시한다. 도 1 및 도 2를 참조하여, 일면(12), 타면(13) 및 양 측면들(14)에 의하여 정의되는 외부 표면(11)을 갖는 초전도 테이프(10)를 형성한다(S12). 타면(13)은 일면(12)에 대향하고, 양 측면들(14)은 일면(12)과 타면(13)을 연결한다. 양 측면들(14)은 일측면(14a) 및 타측면(14b)을 포함한다. 초전도 테이프(10)는 모난(angular) 상부 모서리들(17)과 하부 모서리들(15)를 가질 수 있다. 초전도 테이프(10)는 기판(1) 및 기판(1) 상에 순차적으로 적층된 IBAD층(2), 버퍼층(3), 초전도막(4) 및 보호막(5)을 포함할 수 있다. 일면(12)은 보호막(5)의 상부면이고, 타면(13)은 기판(1)의 하부면일 수 있다.Fig. 2 conceptually shows the structure of the
기판(1)은 금속 기판일 수 있다. 금속 기판은, 압연 열처리된 Ni, Ni계 합금(Ni-W, Ni-Cr, Ni-Cr-W 등), 스테인레스, 은, 은 합금, Ni-은 복합체 등의 입방정계 금속일 수 있다. 기판(1)은 선재를 위한 테이프 형상일 수 있다.The
기판(1) 상에 IBAD층(2)이 형성될 수 있다. IBAD층(2)은 순차적으로 적층된 확산 방지막(예를 들면, Al2O3), 씨드막(예를 들면, Y2O3), 및 MgO 막을 포함할 수 있다. IBAD층(2)은 IBAD 방법으로 형성된다. MgO 막 상에 에피택시 성장된 호모 에피 MgO(homoepi-MgO) 막이 더 형성될 수 있다. 이와 달리, 기판(1) 및 IBAD 층(2)은 2축 배향된 집합조직(biaxially aligned textured structure)을 갖는 래빗(rabit) 기판일 수 있다.An IBAD layer 2 may be formed on the
IBAD층(2) 상에 버퍼층(3)이 형성될 수 있다. 버퍼층(3)은 LaMnO3, LaAlO3, 또는 SrTiO3을 포함할 수 있다. 버퍼층(3)은 스퍼터링 방법으로 형성될 수 있다. IBAD층(2) 및 버퍼층(3)은 금속 기판과 그 상부의 초전도 물질과의 반응을 방지하고 2축 배향된 집합조직의 결정성을 전달하는 역할을 한다. A buffer layer 3 may be formed on the IBAD layer 2. The buffer layer 3 may include a LaMnO 3, LaAlO 3, or SrTiO 3. The buffer layer 3 may be formed by a sputtering method. The IBAD layer 2 and the buffer layer 3 prevent the reaction between the metal substrate and the superconducting material thereon and transmit the crystallinity of the biaxially oriented texture.
버퍼층(3) 상에 초전도 막(4)이 형성된다. 초전도 막(4)을 형성하는 것은 초전도 전구체막을 형성하고, 이를 열처리하는 것을 포함할 수 있다.A superconducting film 4 is formed on the buffer layer 3. Formation of the superconducting film 4 may include forming a superconducting precursor film and subjecting it to a heat treatment.
초전도 전구체 막은 결정화가 진행되지 않은 비정질 상태로 이해될 수 있다. 초전도 전구체 막은, 예를 들어 희토류 원소(RE) 중의 적어도 하나, 구리(Cu) 및 바륨(Ba)을 포함할 수 있다. 초전도 전구체 막은 다양한 방법으로 형성될 수 있다. 초전도 전구체 막은, 예를 들면 반응성 동시 증발법(reactive co-evaporation), 레이저 어블레이션(laser ablation), CVD, 유기금속 증착법(Metal Organic Deposition: MOD), 또는 졸-겔(sol-gel) 방법으로 형성될 수 있다. The superconducting precursor film can be understood as an amorphous state in which crystallization does not proceed. The superconducting precursor film may include, for example, at least one of rare earth elements (RE), copper (Cu), and barium (Ba). The superconducting precursor film can be formed by various methods. The superconducting precursor film can be formed by, for example, reactive co-evaporation, laser ablation, CVD, metal organic deposition (MOD), or sol- .
일 방법으로, 초전도 전구체 막은 반응성 동시 증발법으로 형성될 수 있다. 반응성 동시 증발법은 희토류 원소(RE) 중의 적어도 하나, 구리(Cu) 및 바륨(Ba)을 담은 그릇들에 전자 빔을 조사하여, 생성되는 금속 증기(metal vapor)를 상기 기판 상에 제공하여 초전도 전구체 막을 증착할 수 있다. 희토류 원소(RE)는 이트륨(Y) 및 란타늄족 원소 또는 이들의 조합인 것으로 이해될 수 있다. 란타늄족 원소는 잘 알려진 바와 같이, La, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu 등을 포함한다. As one method, a superconducting precursor film can be formed by a reactive simultaneous evaporation method. The reactive simultaneous evaporation method irradiates an electron beam to a vessel containing at least one of rare earth elements (RE), copper (Cu) and barium (Ba), and provides a metal vapor to the substrate, A precursor film can be deposited. The rare earth element RE can be understood to be yttrium (Y) and a lanthanide group element or a combination thereof. The lanthanide elements include La, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu and the like as is well known.
다른 방법으로, 초전도 전구체 막은 유기금속 증착법(Metal Organic Deposition: MOD)으로 제조될 수 있다. 예를 들어, 유기 용매에 희토류(RE)-아세테이트, 바륨(Ba)-아세테이트, 구리(Cu)-아세테이트를 용해시키고, 증발 증류 및 재용해-중합(Refluxing) 공정을 거쳐서, 희토류 원소(RE) 중의 적어도 하나, 구리(Cu) 및 바륨(Ba)을 포함하는 금속 전구용액을 제조한다. 기판 상에 금속 전구용액을 도포한다. Alternatively, the superconducting precursor film can be fabricated by Metal Organic Deposition (MOD). For example, a rare earth element (RE) can be obtained by dissolving rare earth (RE) -acetate, barium (Ba) -acetate and copper (Cu) -acetate in an organic solvent and subjecting to evaporation distillation and redissolution- (Cu) and barium (Ba) is prepared. The metal precursor solution is applied onto the substrate.
초전도 전구체 막이 형성된 기판(1)이 열처리되어, 기판(1) 상에 초전도막(4)이 에피택시 성장된다. The
초전도막(4) 상에 보호막(5)이 형성된다. 보호막(5)은 은(Ag)으로 형성될 수 있다. 보호막(5)은 외부환경으로부터 초전도막(4)을 보호하는 기능을 할 수 있다.A
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 슬리팅(slitting) 유닛(150)을 보여준다. 도 4는 도 3의 커트 부재들(130)을 보여준다. 슬리팅 유닛(150)은 초전도 테이프(10)를 적절한 선폭으로 슬리팅한다(S14). 일 예에 따르면, 슬리팅 유닛(150)은 제 1 릴투릴(reel to reel) 장치(136), 커트 부재들(130), 가이드 롤(154), 및 디버 부재들(140)을 포함할 수 있다. Figure 3 shows a
커트 부재들(130)은 장폭의 초전도 테이프(10)를 일정한 선폭의 초전도 테이프(10)로 슬리팅할 수 있다. 커트 부재들(130)은 레이저, 나이프 또는 톱날을 포함할 수 있다. 예를 들어, 약 12mm 내지 약 300mm의 선폭으로 제조된 초전도 테이프(10)는 약 4mm 내지 12mm의 선폭으로 슬리팅될 수 있다. 일반적으로, 초전도 테이프(10)는 사용처에 따라 다양한 선폭으로 제공될 수 있다. The
이때, 초전도 테이프(10)의 일면(12) 또는 타면(13)에 불규칙 혹은 연속적으로 버들(burrs, 16)이 발생될 수 있다. 버들(16)은 커트 부재들(130)에 의해 초전도 테이프(10)의 잘려진 부분에 생성될 수 있다. At this time, irregular or
도 5a 내지 도 5d는 초전도 테이프(10)의 하부 모서리(15)와 상부 모서리(17)에서의 버들(16)을 보여준다. 버들(16)은 타면(13)과 양 측면들(14) 사이의 하부 모서리들(15)에 형성될 수 있다.(도 5a) 버들(16)은 일면(12)과 양 측면들(14) 사이의 상부 모서리들(17)에 형성될 수 있다.(도 5b) 버들(16)은 하부 모서리(15)와 상부 모서리(17)에 각각 형성될 수 있다.(도 5c 및 도 5d) 버들(16)은 초전도 테이프(10)의 두께 불균일, 권취 불량, 전류 집중으로 인한 도금 품질 저하, 캡슐레이션 층의 두께 감소, 및 디라미네이션을 유발할 수 있다.Figures 5A-5D show the
다시 도 3을 참조하면, 슬리팅된 초전도 테이프(10)는 가이드 롤(132)을 따라 진행될 수 있다. 가이드 롤(132)은 커트 부재들(130)과 디버 부재들(140) 사이에 배치될 수 있다. 가이드 롤(132)은 슬리팅된 초전도 테이프(10)를 디버 부재들(140)에 제공할 수 있다.Referring again to FIG. 3, the
도 6 및 도 7은 도 3의 디버 부재들(140)을 보여준다. 디버 부재들(140)은 버들(16)을 제거한다(S16). 일 예에 따르면, 디버 부재들(140)은 초경 칼날들(super light blades, 142)과, 가이드 블록들(144)을 포함할 수 있다. 초경 칼날들(142)은 하부 모서리(15)에 제공될 수 있다. 초경날들(142)은 버들(16)을 제거할 수 있다. 초전도 테이프(10)는 초경 칼날들(142) 사이로 이동될 수 있다. 가이드 블록들(144)은 초전도 테이프(10)의 상부 모서리(17)에 제공될 수 있다. 가이드 블록들(144)은 초전도 테이프(10)를 초경 칼날들(142)의 방향으로 밀(push) 수 있다. 초전도 테이프(10)를 미는 압력은 가이드 블록들(144)의 거리가 줄어들수록 증가할 수 있다. 초경 칼날들(142)과 가이드 블록들(144)은 양측면들(14)에 근접하여 각각 결합(coupled)될 수 있다. 일 예에 따르면, 초경 칼날들(142)과 가이드 블록들(144)은 V자 모양 또는 U자 모양으로 결합될 수 있다. 이와 달리, 복수개의 초경 칼날들(142) V자 모양(도 6) 또는 U자 모양(도 7)으로 결합될 수 있다.Figures 6 and 7 show the
도 8a 및 도 8b는 도 3의 디버 부재들(140)에 의해 면취들(18)이 형성된 초전도 테이프(10)을 보여준다. 8A and 8B show a
도 8a를 참조하면, 초전도 테이프(10)의 하부 모서리들(15)에 면취들(chamfer, 18)이 형성될 수 있다. 면취들(18)은 양 측벽들(14)에 대해 경사질 수 있다. 경사진 면취들(18) 각각은 V자 모양의 디버 부재들(140)에 의해 사각면으로 형성될 수 있다. 면취들(18)의 면적은 초전도 테이프(10) 양측의 디버 부재들(140) 사이의 거리에 반비례하여 증가될 수 있다. 기판(1)은 면취들(18)의 하부 모서리들(15)을 가질 수 있다. 이와 달리, 경사진 면취들(18)은 기판(1)의 상부 모서리들(17)에 형성될 수도 있다.Referring to FIG. 8A, chamfers 18 may be formed in the
도 8b를 참조하면, 초전도 테이프(10)의 하부 모서리들(15)에 라운드진 면취들(19)이 형성될 수 있다. 라운드진 면취들(19) 각각은 U자 모양의 디버 부재들(140)에 의해 형성될 수 있다. 이와 달리, 라운드진 면취들(19)은 그라인더에 의해 형성될 수도 있다.Referring to FIG. 8B, rounded chamfered
도 9는 도 8a의 초전도 테이프(10) 상의 금속 안정화 층(20)을 보여준다. Figure 9 shows the
금속 안정화 층(20)은 초전도 테이프(10) 상에 형성될 수 있다. 금속 안정화 층(20)은 초전도 테이프(10)의 일면(12), 타면(13) 및 양 측면들(14), 상부 모서리들(17), 및 하부 모서리들(15) 상에 균일한 두께로 형성될 수 있다. 금속 안정화 층(20)의 두께는 대략 15 ~ 20 ㎛일 수 있다. 일 예에 따르면, 금속 안정화 층(20)은 전기도금방법으로 형성될 수 있다. 금속 안정화 층(20)은 금, 은, 백금, 팔라듐 및 이들 중 적어도 하나의 합금을 포함할 수 있다. The
금속 안정화 층(20)은 초전도 테이프(10)의 외부 표면(11) 전체를 둘러싸는 캡슐레이션 층이다. 초전도 테이프(10)는 안정적으로 보호될 수 있다. 본 발명의 실시예에 따르면, 금속 안정화 층(20)은 이 더욱 치밀하여 외부의 가스 및 유해물질의 침투로부터 초전도 테이프(10)를 더욱 안정한 것으로 보호할 수 있다.The
도 10은 도 5a의 버들(16) 상에 비정상적으로 형성된 금속 안정화 층(20)을 보여준다. 버들(16)은 금속 안정화 층(20)을 비정상적으로 형성할 수 있다. 금속 안정화 층(20)은 하부 모서리들(15)과 타면(13)에서 불 균일하게 형성될 수 있다. 예를 들어, 금속 안정화 층(20)은 타면(13) 상에서 보다 하부 모서리들(15) 상에서 돌출될 수 있다. 또한, 비정상적인 부분의 금속 안정화 층(20)은 도금 품질 저하 때문에 보호 층으로서의 기능이 현저히 낮아질 수 있다.FIG. 10 shows a
도 11은 도 8a의 초전도 테이프(10) 상의 금속 보호 층(30)을 보여준다. 금속 보호 층(20)은 초전도 테이프(10)의 외부 표면(11) 상에 형성될 수 있다. 금속 보호 층(30)은 용융 코팅 방법으로 형성될 수 있다. 금속 보호 층(30)은 주석, 납, 안티몬, 은, 구리 및 이들 중 적어도 하나의 합금을 포함할 수 있다.Fig. 11 shows the metal
도 12는 도 5a의 버들(16) 상에 비정상적으로 형성된 금속 보호 층(30)을 보여준다. 버들(16)은 금속 보호 층(30)으로부터 노출될 있다. 금속 보호 층(30)은 초전도 테이프(10)를 보호할 수 없다. 또한, 금속 보호 층(30)은 노출된 버들(16)에서부터 쉽게 박리될 수 있다. Figure 12 shows the
도 13은 도 11의 금속 안정화 층(20) 상의 금속 보호 층(30)을 도시한다. 금속 보호 층(30)은 금속 안정화 층(20) 상에 형성될 수 있다. 금속 안정화 층(20)과 금속 보호 층(30)은 외부 표면(11)을 2중으로 둘러쌀 수 있다. 금속 안정화 층(20)과 금속 보호 층(30은 캡슐레이션 층(50)이다.13 shows the metal
도 14는 도 10의 버들(16) 및 금속 안정화 층(20) 상에 비정상적으로 형성된 금속 보호 층(30)을 도시한다. 버들(16)은 금속 보호 층(30)을 불 균일한 두께로 형성할 수 있다. 버들(16) 상의 금속 보호 층(30)은 거의 존재하지 않거나 과도하게 얇기 때문에 초전도 테이프(10)를 보호할 수 없다. Fig. 14 shows a metal
도 15는 도 13의 금속 보호 층(30) 상의 금속 테이프들(40)을 도시한다. 금속 테이프들(40)은 초전도 테이프(10)의 일면(12) 및 타면(13) 상에 압착(press)될 수 있다. 금속 테이프들(40)은 라미네이션 공정으로 형성될 수 있다. 금속 테이프들(40)은 스테인레스 스틸, 구리, 알루미늄, 니켈 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 금속 안정화 층(20), 금속 보호 층(30), 및 금속 테이프들(40)은 캡슐레이션 층(50)이 될 수 있다. Fig. 15 shows
도 16은 도 14의 버들(16), 금속 안정화 층(20), 및 금속 보호 층(30) 상의 금속 테이프들(40)을 도시한다. 버들(16) 상의 금속 안정화 층(20)은 금속 테이프들(40)에 직접 접촉될 수 있다. 금속 안정화 층(20)은 금속 보호 층(30)에 비해 접착력이 약하기 때문에 금속 테이프들(40)은 초전도 테이프(10)으로부터 쉽게 박리될 수 있다. 금속 테이프들(40)의 디라미네이션 불량이 발생될 수 있다.Fig. 16 shows the
도 17은 도 9의 금속 안정화 층(20)에 접합된 금속 테이프들(40)을 도시한다. 금속 테이프들(40)은 금속 안정화 층(20) 상에 형성될 수 있다. 금속 안정화 층(20)은 초전도 테이프(10)와 금속 테이프들(40)을 접합할 수 있다.FIG. 17 shows
도 18은 도 10의 버들(16) 및 금속 안정화 층(20) 상의 금속 테이프들(40)을 도시한다. 버들(16) 상의 금속 테이프(40)는 초전도 테이프(10)에 대해 기울어지게 형성될 수 있다. 기울어진 금속 테이프들(40)은 초전도 선재(60)의 두께 불균일 및 권취 불량을 유발할 수 있다.Fig. 18 shows the
도 19는 도 11의 금속 보호 층(20)에 접합된 금속 테이프들(40)을 도시한다. 금속 테이프들(40)은 금속 보호 층(20) 상에 형성될 수 있다. 금속 보호 층(20)은 초전도 테이프(10)와 금속 테이프들(40)를 접합할 수 있다.Fig. 19 shows
도 20은 도 12의 버들(16) 및 금속 보호 층(30) 상에 접합된 금속 테이프들(40)을 도시한다. 버들(16)은 금속 테이프들(40)에 직접 접촉될 수 있다. 버들(16)은 금속 테이프(40)에 대해 금속 보호 층(30)보다 접합력이 떨어질 수 있다. 때문에, 금속 테이프들(40)은 쉽게 박리될 수 있다.FIG. 20 illustrates
결국, 본 발명의 초전도 선재(60)의 제조방법은 기판(1)의 하부 모서리(15) 및 상부 모서리(17)의 버들(16)을 제거하여 두께 불균일, 권취 불량, 전류 집중으로 인한 도금 품질 저하, 캡슐레이션 층(50)의 두께 감소, 및 디라미네이션 불량을 방지할 수 있다.As a result, the method of manufacturing the
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative and not restrictive in every respect.
Claims (20)
상기 초전도 테이프의 상기 외부 표면 상에 캡슐레이션 층을 형성하는 단계를 포함하되,
상기 초전도 테이프 제공 단계는 상기 초전도 테이프의 상기 일면과 상기 양측면들 사이 또는 상기 타면과 상기 양측면들 사이의 모서리들에 형성된 버들을 제거하는 단계를 포함하는 초전도 선재의 제조방법.Providing a superconducting tape having an outer surface defined by a first surface, a second surface opposite to the first surface, and both sides connecting the first surface and the second surface; And
Forming a encapsulation layer on the outer surface of the superconducting tape,
Wherein the step of providing the superconducting tape includes removing burrs formed at the edges between the one side and the two side surfaces of the superconducting tape or between the other side and the opposite side surfaces.
상기 버들의 제거 단계는 상기 모서리들에 면취들을 형성하는 단계를 포함하되,
상기 면취들은 상기 양측면들에 대해 경사지거나 라운드지게 형성되는 초전도 선재의 제조방법.The method according to claim 1,
The step of removing the burrs includes forming chamfers in the corners,
Wherein the chamfering is formed obliquely or roundly with respect to the both sides.
상기 버들은 칼날들에 의해 제거되는 초전도 선재의 제조방법.The method according to claim 1,
Wherein the burrs are removed by the blades.
상기 초전도 테이프의 제공 단계는:
기판과 상기 기판 상의 초전도층을 포함하는 상기 초전도 테이프를 형성하는 단계; 및
상기 초전도 테이프를 슬리팅하는 단계를 더 포함하는 초전도 선재의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein providing the superconducting tape comprises:
Forming a superconducting tape comprising a substrate and a superconducting layer on the substrate; And
Further comprising a step of slitting the superconducting tape.
상기 버들은 상기 초전도 테이프의 슬리팅 단면을 따라 형성되고,
상기 기판은 상기 슬리팅 단면을 따라 상기 버들이 제거된 면취들의 상기 모서리들을 갖는 초전도 선재의 제조방법.5. The method of claim 4,
Wherein the burrs are formed along a slitting cross section of the superconducting tape,
Wherein the substrate has the corners of the chamfered teeth removed from the burrs along the slitting cross-section.
상기 초전도 테이프의 슬리팅 단계는 상기 초전도 테이프를 레이저, 나이프, 또는 톱날로 절단하는 초전도 선재의 제조방법.6. The method of claim 5,
Wherein the step of slitting the superconducting tape comprises cutting the superconducting tape into a laser, a knife, or a saw blade.
상기 캡슐레이션 층의 형성 단계는, 상기 초전도 테이프 상에 전기도금 방법으로 금속 안정화 층을 형성하는 단계를 포함하는 초전도 선재의 제조방법.The method according to claim 1,
Wherein the forming of the encapsulation layer includes forming a metal stabilization layer on the superconducting tape by an electroplating method.
상기 금속 안정화 층은 금, 은, 백금, 팔라듐, 구리, 및 이들의 합금을 포함하는 초전도 선재의 제조방법.8. The method of claim 7,
Wherein the metal stabilizing layer comprises gold, silver, platinum, palladium, copper, and alloys thereof.
상기 캡슐레이션 층의 형성 단계는, 용융 코팅 방법으로 상기 금속 보호 층을 형성하는 단계를 포함하는 초전도 선재의 제조방법.The method according to claim 1,
Wherein the forming of the encapsulation layer includes forming the metal protective layer by a melt coating method.
상기 금속 보호 층은 주석, 납, 안티몬, 은, 구리 및 이들의 합금을 포함하는 초전도 선재의 제조방법.10. The method of claim 9,
Wherein the metal protective layer comprises tin, lead, antimony, silver, copper, and alloys thereof.
상기 캡슐레이션 층의 형성 단계는 상기 초전도 테이프의 상기 일면 및 상기 타면 상에 금속 테이프들을 형성하는 단계를 포함하는 초전도 선재의 제조방법.The method according to claim 1,
Wherein the forming of the encapsulation layer includes forming metal tapes on the one surface and the other surface of the superconducting tape.
상기 금속 테이프들은 스테인레스 스틸, 구리, 알루미늄, 니켈 또는 이들의 합금을 포함하는 초전도 선재의 제조방법.12. The method of claim 11,
Wherein the metal tapes comprise stainless steel, copper, aluminum, nickel, or alloys thereof.
상기 초전도 테이프의 외부 표면을 둘러싸는 캡슐레이션 층을 포함하되,
상기 초전도 테이프는, 상기 타면과 상기 양 측면들 사이의 모서리들에서의 버들이 제거된 면취들을 갖는 초전도 선재.A superconducting tape having a first surface, an opposite surface opposite to the first surface, and an outer surface defined by both sides between the first surface and the second surface; And
And a encapsulation layer surrounding the outer surface of the superconducting tape,
Wherein the superconducting tape has chamfered chamfered portions at the corners between the other surface and both the side surfaces.
상기 초전도 테이프는:
기판; 및
상기 기판 상의 초전도층을 포함하되,
상기 면취들은 상기 기판의 모서리들에 배치되는 초전도 선재.14. The method of claim 13,
The superconducting tape comprises:
Board; And
A superconducting layer on said substrate,
Wherein the chamfers are disposed at the corners of the substrate.
상기 캡슐레이션 층은 상기 초전도 테이프의 상기 외부 표면 상의 금속 안정화 층, 금속 보호 층, 및 금속 테이프들 중에 적어도 하나를 포함하는 초전도 선재.14. The method of claim 13,
Wherein the encapsulation layer comprises at least one of a metal stabilization layer, a metal protection layer, and metal tapes on the outer surface of the superconducting tape.
상기 금속 안정화 층, 상기 금속 보호 층, 및 상기 금속 테이프들은 상기 초전도 테이프를 중심으로 적층되는 초전도 선재.16. The method of claim 15,
Wherein the metal stabilization layer, the metal protection layer, and the metal tapes are laminated on the superconducting tape.
상기 릴투릴 내의 상기 초전도 테이프를 슬리팅하는 커트 부재; 및
상기 커트 부재에 의해 슬리팅된 상기 초전도 테이프의 상기 일면과 상기 양 측면들 사이 및 상기 타면과 상기 양 측면들 사이의 모서리들에 발생된 버들을 제거하는 디버 부재들을 포함하는 초전도 선재의 제조장치.A reel tuil providing a superconducting tape having a first side, an opposite side opposite to the first side, and an outer side defined by both sides connecting the first side and the second side;
A cut member for slitting the superconducting tape in the reel tuft; And
And deburring members for removing burrs formed on the one surface of the superconducting tape slit by the cut member, the burrs formed on both sides of the superconducting tape, and on the edges between the other surface and the both sides of the superconducting tape.
상기 디버 부재들은 모서리들에 제공되어 상기 버들을 제거하는 칼날들을 포함하는 초전도 선재의 제조장치. 18. The method of claim 17,
And the blade members are provided at the corners to remove the burrs.
상기 디버 부재들은 상기 초전도 테이프의 모서리들에 제공되는 가이드 블록들을 더 포함하는 초전도 선재의 제조장치.19. The method of claim 18,
Wherein the deeper members further comprise guide blocks provided at the corners of the superconducting tape.
상기 가이드 블록들과 상기 칼날들은 V자 또는 U자 모양으로 결합된 초전도 선재의 제조장치.20. The method of claim 19,
Wherein the guide blocks and the blades are coupled in a V-shape or a U-shape.
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|---|---|---|---|---|
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| WO2010011739A1 (en) * | 2008-07-23 | 2010-01-28 | American Superconductor Corporation | Two-sided splice for high temperature superconductor laminated wires |
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| JP2012226857A (en) * | 2011-04-15 | 2012-11-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Oxide superconducting thin film wire manufacturing method |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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