KR20150136341A - 기판용 방열 시트, 그 제조 방법 및 방열 기판 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시형태는 금속 입자 및 상기 금속 입자의 표면에 배치된 세라믹 입자를 포함하는 복합 필러; 및 베이스 수지;를 포함하는 기판용 방열 시트를 제공한다.

Description

기판용 방열 시트, 그 제조 방법 및 방열 기판{thermal radiation sheet, manufacturing mathod of the same and thermal radiation board}
본 발명은 기판용 방열 시트, 그 제조 방법 및 방열 기판에 관한 것이다.
회로 기판은 전기 절연성 기판에 회로 패턴을 포함하는 것으로서, 전자 부품 등을 탑재하기 위한 기판이다. 이러한 전자 부품은 열 방출이 많은 발열 소자일 수 있으며, 예를 들어 상기 발열 소자는 발광 다이오드(LED:light emitting diode) 등일 수 있다. 발열 소자로부터 방출된 열은 회로 기판의 온도를 상승시켜 발열 소자의 오동작 및 신뢰성에 문제를 야기한다.
발열 소자를 포함하는 회로 기판은 발열 소자로부터 발생한 열을 방출하기 위해 금속 플레이트를 베이스로 사용한다. 특히 금속 플레이트의 방열성을 높여 발열 소자의 동작을 안정시키기 위해서는 금속 플레이트와 금속층 사이에 존재하는 절연 필름의 열전도 특성이 향상될 필요가 있다.
절연 필름의 열전도 특성의 향상을 위해 절연 필름에 열전도 충전재를 함유시키는 기술이 보고되고 있으며, 상기 절연 필름은 에폭시 수지 등의 수지 화합물과 열전도 충전재로 알루미나, 질화 알루미늄, 질화 붕소 등을 포함할 수 있다.
미국등록특허공보 제 7602051호
본 발명의 일 실시형태의 목적은 기판용 방열 시트, 그 제조 방법 및 방열 기판을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시형태는 금속 입자 및 세라믹 입자를 포함하는 복합 필러; 및 베이스 수지;를 포함하는 기판용 방열 시트를 제공한다.
상기 세라믹 입자는 금속 입자의 표면에 배치된다.
상기 금속 입자는 세라믹 입자가 배치되지 않아 노출되는 표면에 형성된 산화층을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시형태는 금속 입자 및 세라믹 입자를 마련하는 단계; 상기 금속 입자와 상기 세라믹 입자를 혼합하여 상기 금속 입자의 표면에 세라믹 입자를 배치하는 단계; 상기 금속 입자의 노출된 표면에 산화층을 형성하는 단계; 상기 금속 입자 및 상기 세라믹 입자를 포함하는 복합 필러와 베이스 수지를 혼합하여 프리프레그를 형성하는 단계; 를 포함하는 기판용 방열 시트의 제조방법을 제공한다.
또한 본 발명의 또 다른 일 실시형태는 상술한 방열 시트를 포함하는 방열 기판을 제공한다.
본 발명의 일 실시형태에 의하면 열전도 효율이 향상된 방열 시트, 그 제조 방법 및 방열 기판을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 기판용 방열 시트를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 일 실시형태에 따른 기판용 방열 시트의 제조 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 일 실시형태에 따른 기판용 방열 시트의 제조 방법의 단계들을 개략적으로 도시한 단면도들이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 일 실시형태에 따른 방열 기판을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다. 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
방열 시트
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 방열 시트를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시형태에 따른 방열 시트(120)는 복합 필러(10) 및 베이스 수지(20)를 포함하며, 기판에 적용되는 기판용 방열 시트이다.
상기 복합 필러(10)는 금속 입자(1) 및 상기 금속 입자의 표면에 배치된 세라믹 입자(2)를 포함한다. 상기 세라믹 입자(2)는 상기 금속입자(1)와 일체화될 수 있다.
상기 복합 필러(10)는 높은 열 전도율을 갖는 금속 입자를 포함함으로써, 방열 시트의 열전도 효율을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시형태와 달리, 방열 시트가 세라믹 필러로만 구성되는 경우 고방열 제품군에 적용하는데 제약이 따를 수 있다. 일반적으로 방열 시트에 포함되는 필러의 함량은 필러의 분산 산포로 인해 내전압 및 열특성 제어의 문제가 발생할 수 있어 제한이 있으며, 이 경우 필러가 세라믹 필러로 이루어진 경우 세라믹의 열전도도의 한계로 방열 시트의 효율이 낮은 문제가 있다.
하지만 본 발명의 일 실시형태에 의하면 방열 시트(120)에 포함된 복합 필러(10)가 금속 입자(1)를 포함함으로써 세라믹 필러만 포함하는 경우에 비해 열 전도성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 방열 시트(120)는 기판에 적용 시 절연층으로 기능하므로 방열 시트에 포함되는 복합 필러가 금속을 포함하더라도 방열 시트는 절연성이 확보될 필요가 있다.
만일, 본 발명의 일 실시형태와 달리 방열 시트에 포함되는 필러가 금속 입자만으로 구성되는 경우, 대부분의 금속 입자가 베이스 수지에 매립되어 있더라도 일부 금속 입자가 방열 시트 표면으로 노출되거나 금속 입자 간 접촉 또는 터널링 효과에 의하여 방열 시트의 전기적 절연성이 확보되기 어려울 수 있다.
또한 본 발명의 일 실시형태와 달리 상기 세라믹 입자가 금속 입자의 표면에 배치되지 않고 금속 입자와 별개로 분산되어 방열 시트 내에 포함되는 경우, 고전압 인가 시 누설 전류가 발생할 수 있으며, 내전압 확보가 어려울 수 있다.
하지만 본 발명의 일 실시형태에 따르면 세라믹 입자(2)를 상기 금속 입자(1)의 표면에 배치하여 금속 입자 간 접촉 및 터널링 효과를 억제함으로써 절연성을 확보할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 의하면 상기 금속 입자의 표면에 세라믹 입자를 효율적으로 배치하기 위하여 복합 필러(10)에 포함된 상기 세라믹 입자(2)의 입경은 복합 필러에 포함된 상기 금속 입자(1) 입경의 0.3 내지 1.4 배 일 수 있다.
상기 세라믹 입자의 입경이 상기 금속 입자 입경의 0.3 배보다 작은 경우 절연특성 개선 효과가 거의 나타나지 않을 수 있으며, 상기 세라믹 입자의 입경이 상기 금속 입자 입경의 1.4배보다 큰 경우 방열 특성의 개선효과가 크게 나타나지 않을 수 있고, 상기 금속 입자에 접착되는 상기 세라믹 입자의 접착력이 기판 제작시 요구되는 접착력에 미치지 않아 사용이 어려울 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 의하면 복합 필러(10)에 포함된 상기 금속 입자(1)와 상기 세라믹 입자(2)의 부피 비(금속 입자의 부피 : 세라믹 입자의 부피)는 10 : 8 내지 10 : 28일 수 있다. 상기 세라믹 입자(2)가 금속 입자(1)에 대하여 10 : 28의 부피 비를 초과하여 포함되는 경우 금속 입자와 세라믹 입자 간 접착력이 감소하며, 금속 입자와 세라믹 입자 간의 접착력이 방열 시트와 방열 시트에 배치되는 금속층 간에 요구되는 최소한의 접착력인 1.2kgf 이하가 되는 문제가 발생할 수 있다.
상기 복합 필러(10)와 복합 필러를 둘러싸고 있는 베이스 수지(20) 사이의 접착력은 최소한 방열 시트와 방열 시트에 배치된 금속층 간의 접착력 이상으로 확보될 필요가 있으며, 세라믹 입자(2)와 금속 입자(1)의 접착을 위해 세라믹 입자와 금속 입자 사이의 접착력은 상기 복합 필러(10)와 베이스 수지(20) 사이의 접착력 이상인 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시형태에 의하면, 상기 세라믹 입자(2)가 금속 입자(1)에 대하여 10 : 28의 부피 비 미만으로 포함되어 복합 필러(10)에 포함된 세라믹 입자(2)와 금속 입자(1) 간 접착력은 복합 필러(10)와 베이스 수지(20)사이의 접착력 이상일 수 있다.
상기 세라믹 입자(2)가 금속 입자(1)에 대하여 10 : 8 의 부피 비 미만으로 포함되는 경우 방열 시트(10)의 절연 특성이 확보되지 않을 수 있으며, 상기 방열 시트의 절연 내전압이 전력반도체 모듈에 사용하기 위해 필요한 절연 내전압인 4kV 이하가 되어 방열 기판에 적용이 어려울 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 의하면, 상기 금속 입자(1)는 비자성의 금속일 수 있으며, 예를 들어, 구리(Cu), 알루미늄(Al), 주석(Sn) 및 티타늄(Ti) 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
본 명세서에서 비자성의 금속은 자계에 영향을 받지 않는 금속으로 상자성 금속과 반자성 금속을 포함할 수 있다.
자성 금속의 경우, 자성(투과율)을 높이기 위해 비자성 금속에 비해 작은 사이즈의 그레인(grain)으로 구성된 금속 구조를 가지게 되며 입계(grain boundary)의 수가 많아 열전도 효과가 떨어지게 된다. 하지만 비자성 금속의 경우 자성 금속보다 큰 사이즈의 그레인(grain)으로 구성된 금속 구조를 가지게 되어 입계에 의한 열전도 저하를 줄일 수 있는 장점이 있다.
본 발명의 일 실시형태에 의하면 상기 세라믹 입자(2)는 상기 금속 입자(1)의 표면에 물리적 결합력으로 부착되어 상기 금속 입자(1)와 상기 세라믹 입자(2)는 일체화될 수 있다. 예를 들어, 상기 세라믹 입자(2)는 별도의 접착제 없이 금속 입자(1)의 표면에 배치될 수 있으며, 금속 입자(1)의 표면에 세라믹 입자(2)의 일부 영역이 박혀있는 형태로 배치될 수 있다. 본 발명의 일 실시형태에 의하면 상기 세라믹 입자(2)와 상기 금속 입자(1)가 물리적으로 결합되기 위하여 상기 세라믹 입자(2)의 경도는 상기 금속 입자(1)의 경도보다 클 수 있다.
또한 금속 입자(1)와 세라믹 입자(2) 간의 결합을 용이하게 하기 위하여 상기 세라믹 입자(2)는 구상이 아닌 각상의 형상을 가질 수 있다.
이에 제한되는 것은 아니나 상기 세라믹 입자(2)는 세라믹 중 비교적 열 전도도가 높은 알루미나(Al2O3), 질화알루미늄(AlN), 질화붕소(BN), 이산화규소(SiO2) 및 탄화규소(SiC) 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 금속 입자(1)는 대략적으로 구상의 형상을 가질 수 있다. 상기 금속 입자는 완전한 구상은 아니라도 실질적인 구상의 형상일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 금속 입자(1)는 상기 금속 입자의 표면 중 상기 세라믹 입자가 배치되지 않은 영역의 표면이 산화되어 형성된 산화층(3)을 포함할 수 있다.
상기 산화층(3)은 복합 필러 중 세라믹 입자가 배치되지 않은 금속 입자의 표면에 절연성을 부여할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태와 달리 방열 기판이 포함하는 필러가 세라믹 입자는 포함하지 않고 표면에 산화층이 형성된 금속 입자로 구성되는 경우, 방열 기판의 절연특성 및 내전압 특성이 충분히 확보되지 않을 수 있다. 또한 금속 입자의 표면에 형성된 산화층으로만 절연성을 구현하고자 하는 경우 금속 입자의 표면이 균일하게 산화되지 않는 문제가 있으며, 세라믹 입자에 비해 금속 입자의 산화층 영역의 열전도율이 더 낮을 수 있어 방열 특성이 저하될 수 있다.
따라서 본 발명의 일 실시형태에 의하면, 복합 필러(10)의 절연성 및 내전압 특성은 주로 금속 입자(1)의 표면에 배치되는 세라믹 입자(2)로 확보하되 세라믹 입자가 미배치된 영역에 대하여 산화층(3)을 형성하여 절연성을 보강함으로써 열전도 효율이 높고 절연성 및 내전압 특성이 향상된 복합 필러(10) 및 이를 포함하는 방열 시트를 제공할 수 있다.
상기 산화층(3)의 두께는 금속 입자에 대한 세라믹 입자의 부피 비(세라믹 입자의 부피/금속 입자의 부피)의 세제곱근에 1.5μm를 곱한 값 이상으로 형성되는 것이 바람직하다. 금속 입자의 표면에 형성되는 산화층 두께를 A(μm)라고 할 때, A의 바람직한 하한 범위는 아래의 [수학식 1]로 표현될 수 있다.
[수학식 1]
A ≥ (세라믹입자의 부피/금속입자의 부피)1/3×1.5μm
상기 산화층의 두께 A가 (세라믹입자의 부피/금속입자의 부피)1/3×1.5μm 미만으로 형성되는 경우, 방열 시트가 절연층으로서 기능하기 위한 내전압 특성 확보 및 고전압 인가 시 누설 전류에 의한 쇼트를 방지하는 역할을 수행하기 어려울 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 의하면, 상기 산화층의 두께는 1.4μm 내지 2.2μm로 형성될 수 있다. 상기 산화층의 두께가 1.4μm 미만인 경우, 내전압 특성 확보가 어려울 수 있고, 2.2μm를 초과하는 경우 열전도 효율이 저하될 수 있다.
상기 베이스 수지(20)는 일반적인 기판의 절연층에 사용될 수 있는 것이라면 특별히 한정되지 않으며, 이에 제한되는 것은 아니나 상기 베이스 수지는 에폭시계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리에테르계 수지, 폴리설폰계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 폴리에스테르계 수지 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 에폭시 수지는 특별히 제한되지 않으나, 예를 들면, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 나프톨 변성 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 트리페닐형 에폭시 수지 등의 페놀계 글리시딜에테르형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔 골격을 갖는 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 나프탈렌 골격을 갖는 나프탈렌형 에폭시 수지, 디하이드록시벤조피란형 에폭시 수지, 디아미노페닐메탄 등의 폴리아민을 원료로 한 글리시딜아민형 에폭시 수지, 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지, 또는 이들의 혼합물 등을 들 수 있다.
보다 구체적인 예로, 상기 에폭시 수지는 N,N,N',N'-테트라글리시딜-4,4'-메틸렌비스벤젠아민(N,N,N',N'-Tetraglycidyl-4,4'-methylenebisbenzenamine), 글리시딜에테르형 o-크레졸-포름알데히드 노볼락(Polyglycidyl ether of o-cresol-formaldehyde novolac) 또는 이들의 혼합물일 수 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 방열 시트(120)는 상기 베이스 수지를 경화하기 위한 경화 촉진제를 더 포함할 수 있으며, 상기 경화 촉진제는 금속계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제 및 아민계 경화 촉진제 중 하나 이상을 포함할 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 방열 시트(120)는 기타 보강재를 더 포함할 수 있다. 기타 보강재는 특별히 제한되지 않으나, 예를 들면 유리 섬유, 아라미드 등의 열가소성 액정고분자 섬유, 쿼츠 섬유 등으로 이루어진 군으로부터 선택되는 보강재가 포함될 수 있다.
이에 제한되는 것은 아니나, 상기 복합 필러(10)는 방열 시트(120) 두께의 0.1 내지 0.15 배의 입경을 가질 수 있다. 상기 복합 필러의 입경이 방열 시트 두께의 0.1 배 미만인 경우 방열 특성의 저하를 가져올 수 있으며, 상기 복합 필러의 입경이 방열 시트 두께의 0.15배를 초과하는 경우 절연 특성이 저하될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태의 설명에서, 복합 필러(10), 금속 입자(1) 및 세라믹입자(2)의 입경은 이들 표면상의 두 점을 연결하는 직선 중 가장 긴 직선의 길이로 정의될 수 있다.
상기 복합 필러(10)는 상기 베이스 수지(20) 내에 분산되어 배치될 수 있다.
기판용 방열 시트의 제조방법
본 실시형태에 따른 기판용 방열 시트의 제조방법에 관한 설명 중 베이스 수지 및 복합 필러에 관한 설명은 상술한 기판용 방열 시트에 관한 설명과 중복되므로 여기서는 생략하고 차이점을 중심으로 설명하도록 한다.
도 2는 본 발명의 다른 일 실시형태에 따른 기판용 방열 시트의 제조 방법을 나타내는 흐름도이고, 도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 일 실시형태에 따른 기판용 방열 시트의 제조 방법의 단계들을 개략적으로 도시한 단면도들이다.
도 2를 참조하면, 본 실시형태에 따른 기판용 방열 시트의 제조 방법은 금속 입자 및 세라믹 입자를 마련하는 단계(S1), 상기 금속 입자와 상기 세라믹 입자를 혼합하여 상기 금속 입자의 표면에 상기 세라믹 입자를 배치하는 단계(S2), 상기 금속 입자의 노출된 표면에 산화층을 형성하는 단계(S3) 및 복합 필러와 베이스 수지를 혼합하여 프리프레그를 형성하는 단계(S4)를 포함할 수 있다.
상기 금속 입자 및 세라믹 입자를 마련하는 단계(S1)에서는 도 3a에 도시된 바와 같이 금속 입자(1) 및 세라믹 입자(2)를 각각 마련할 수 있다. 이에 제한되는 것은 아니나, 상기 금속 입자는 실질적으로 구상의 형상을 가질 수 있으며, 상기 세라믹 입자는 각상의 형상을 가질 수 있다. 이에 제한되는 것은 아니나 상기 세라믹 입자는 벌크 형태의 세라믹 입자를 분쇄하여 랜덤한 형상을 가지는 각상 입자로 형성될 수 있다.
상기 금속 입자의 표면에 상기 세라믹 입자를 배치하는 단계(S2)는 도 3b에 도시된 바와 같이, 금속 입자(1)와 세라믹 입자(2)를 혼합한 다음 물리적 충격을 가하여 세라믹 입자가 금속 입자의 표면에 물리적으로 부착되도록 할 수 있다. 금속 입자와 세라믹 입자를 혼합하는 방법은 기계적 혼합 방법에 의해 수행될 수 있다.
상기 금속 입자의 노출된 표면에 산화층을 형성하는 단계(S3)는 도 3c에 도시된 바와 같이 세라믹 입자가 미배치된 금속 입자의 표면을 산화시켜 금속 입자의 표면이 산화층(3)을 포함하도록 하는 것으로 산화 분위기에서 800℃ 내지 1000℃의 온도로 열처리하여 수행될 수 있다.
다음으로, 금속 입자 및 금속 입자의 표면에 배치된 세라믹 입자로 구성되는 복합 필러(10)와 베이스 수지(20)를 혼합하여 도 3d에 도시된 바와 같이 프리프레그(120')를 형성할 수 있다. 상기 프리프레그(120')를 완전히 경화하여 방열 시트를 형성할 수 있다.
방열 기판
도 4는 본 발명의 또 다른 일 실시형태에 따른 방열 기판을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 4를 참조하면, 본 실시형태에 따른 방열 기판(100)은 금속 플레이트(110), 방열 시트(120) 및 금속층(130)을 포함할 수 있다.
상기 금속 플레이트(110)는 히트 싱크(heat sink)로 기능할 수 있으며, 열 전도도가 좋은 구리, 알루미늄, 니켈, 금, 은 및 백금 중 하나 이상을 포함할 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 방열 시트(120)는 금속 플레이트와 금속층을 접착하고, 전기적으로 절연하는 기능을 수행하며 금속 플레이트로 열을 전달할 수 있다.
상기 금속층(130)은 회로 패턴일 수 있으며, 이에 제한 되는 것은 아니나 구리를 포함할 수 있다.
상기 방열 시트(120)는 상술한 본 발명의 일 실시형태인 기판용 방열 시트일 수 있으며, 설명의 중복을 피하기 위해 여기서는 자세한 설명을 생략하도록 한다.
이상에서 본 발명의 실시 형태에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고, 청구 범위에 기재된 본 발명의 기술적 사항을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능 하다는 것은 당 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.
1 : 금속 입자
2 : 세라믹 입자
3 : 산화층
10 : 복합 필러
20 : 베이스 수지
100 : 방열 기판
110 : 금속 플레이트
120 : 방열 시트
130 : 금속층

Claims (20)

  1. 금속 입자 및 상기 금속 입자의 표면에 배치된 세라믹 입자를 포함하는 복합 필러; 및
    베이스 수지;를 포함하는 기판용 방열 시트.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 금속 입자는 상기 세라믹 입자가 미배치된 영역의 표면이 산화되어 형성된 산화층을 포함하는 기판용 방열 시트.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 산화층의 두께는 (세라믹입자의 부피/금속입자의 부피)1/3×1.5μm 이상인 기판용 방열 시트.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 금속 입자와 상기 세라믹 입자의 부피 비는 10 : 8 내지 10 : 28인 기판용 방열 시트.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 금속 입자는 비자성 금속 입자인 기판용 방열 시트.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 복합 필러의 입경은 방열 시트 두께의 0.1 내지 0.15 배인 기판용 방열 시트.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 세라믹 입자의 경도는 상기 금속 입자의 경도보다 큰 기판용 방열 시트.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 세라믹 입자의 입경은 상기 금속 입자 입경의 0.3 내지 1.4 배인 기판용 방열 시트.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 세라믹 입자는 물리적 결합력에 의해 상기 금속 입자의 표면에 부착되는 기판용 방열 시트.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 금속 입자는 구리, 알루미늄, 주석 및 티타늄 중 하나 이상을 포함하는 기판용 방열 시트.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 세라믹 입자는 알루미나(Al2O3), 질화알루미늄(AlN), 질화붕소(BN), 이산화규소(SiO2) 및 탄화규소(SiC) 중 하나 이상을 포함하는 기판용 방열 시트.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 세라믹 입자는 각상의 형상을 갖는 기판용 방열 시트.
  13. 금속 입자 및 세라믹 입자를 마련하는 단계;
    상기 금속 입자와 상기 세라믹 입자를 혼합하여 상기 금속 입자의 표면에 세라믹 입자를 배치하는 단계;
    상기 금속 입자의 노출된 표면에 산화층을 형성하는 단계;
    상기 금속 입자 및 상기 세라믹 입자를 포함하는 복합 필러와 베이스 수지를 혼합하여 프리프레그를 형성하는 단계; 를 포함하는
    기판용 방열 시트의 제조방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 프리프레그를 형성하는 단계 이후, 상기 프리프레그에 포함된 베이스 수지를 경화하여 방열 시트를 형성하는 단계;를 더 포함하는 기판용 방열 시트의 제조방법.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 금속 입자와 상기 세라믹 입자의 부피 비는 10 : 8 내지 10 : 28인 기판용 방열 시트의 제조방법.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 세라믹 입자는 물리적 결합력에 의해 상기 금속 입자의 표면에 부착되는 기판용 방열 시트의 제조방법.
  17. 제13항에 있어서,
    상기 산화층을 형성하는 단계는 산화 분위기에서 800℃ 내지 1000℃의 온도로 열처리하여 수행되는 기판용 방열 시트의 제조방법.
  18. 제13항에 있어서,
    상기 금속 입자는 비자성 금속 입자인 기판용 방열 시트의 제조방법.
  19. 금속 플레이트;
    금속 입자 및 상기 금속 입자의 표면에 배치된 세라믹 입자를 포함하는 복합 필러 및 베이스 수지를 포함하며 상기 금속 플레이트 상에 배치된 방열 시트;
    상기 방열 시트 상에 배치된 금속층; 을 포함하는 방열 기판.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 금속 입자는 상기 세라믹 입자가 미배치된 영역의 표면이 산화되어 형성된 산화층을 포함하는 방열 기판.
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