KR20150135574A - Organic light emitting device - Google Patents

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Abstract

The present invention provides an organic light emitting device. The organic light emitting device comprises: a substrate which includes pixel regions consisting of a light emitting region and a circuit region; a first line which is formed on the substrate and supplies a first voltage to a first transistor formed in the circuit region; and a second line which is formed on the substrate, supplies a second voltage to a second transistor formed in the circuit region, and has a separation distance between the light emitting region and the first line which is shorter than that between the circuit region and the first line.

Description

유기전계발광소자{ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an organic electroluminescent device,

본 발명은 유기전계발광소자에 관한 것이다.The present invention relates to an organic electroluminescent device.

평판표시장치 분야에서, 지금까지는 가볍고 전력소모가 적은 액정표시장치가 널리 사용되어 왔으나, 액정표시장치는 스스로 빛을 생성하지 못하는 수광 소자(non-emissive device)여서, 휘도(brightness), 대조비(contrast ratio), 시야각(viewing angle) 및 대면적화 등에 단점이 있다.2. Description of the Related Art In the field of flat panel display devices, a liquid crystal display device which has been light and consumes less power has been widely used. However, since a liquid crystal display device is a non-emissive device which can not generate light itself, ratio, a viewing angle, and a large area.

이에 따라, 이러한 액정표시장치의 단점을 극복할 수 있는 새로운 평판표시장치의 개발이 활발하게 전개되고 있는데, 새로운 평판표시장치 중 하나인 유기발광 표시장치는 스스로 빛을 생성하는 발광소자이므로, 액정표시장치에 비하여 휘도, 시야각 및 대조비 등이 우수하며, 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량박형이 가능하고, 소비전력 측면에서도 유리하다.Accordingly, a new flat panel display device capable of overcoming the disadvantages of such a liquid crystal display device has actively been developed. One of the new flat panel display devices is a light emitting device that generates light by itself, It has excellent brightness, viewing angle and contrast ratio as compared with the device, and since it does not need a backlight, it is possible to make a lightweight thin type, and is also advantageous in terms of power consumption.

유기전계발광 표시장치는 각 화소영역의 박막트랜지스터에 연결된 유기전계발광소자로부터 출사되는 빛을 이용하여 영상을 표시하는데, 유기전계발광소자는 양극(anode)과 음극(cathode) 사이에 유기물로 이루어진 발광층을 형성하고 전기장을 가함으로 빛을 내는 소자로서, 낮은 전압에서 구동이 가능하고, 전력 소모가 비교적 적고, 가볍고 연성(flexible) 기판 상부에도 제작이 가능한 특징을 갖는다.The organic electroluminescent display device displays an image using light emitted from an organic electroluminescent device connected to the thin film transistor of each pixel region. The organic electroluminescent device includes an anode and a cathode, and a light emitting layer And is capable of being driven at a low voltage, has a relatively low power consumption, and is light and can be fabricated on a flexible substrate.

대형화 추세에 있는 능동형 유기전계발광소자에 있어서는 최대의 개구율을 확보하고 휘도를 유지시키는 것이 중요 과제이다. 그러나 유기전계발광소자 각종 배선들과 트랜지스터들에 의해 개구율이 감소하고, 휘도가 저하되는 문제가 있다.In an active organic electroluminescent device with a tendency to increase in size, it is an important task to secure the maximum aperture ratio and to maintain the luminance. However, there is a problem that the aperture ratio is reduced by the various wirings and transistors of the organic electroluminescent device, and the luminance is lowered.

본 발명의 목적은 개구율과 휘도를 증가시키는 유기전계발광소자를 제공함에 있다.An object of the present invention is to provide an organic electroluminescent device which increases the aperture ratio and the brightness.

전술한 목적을 달성하기 위하여, 일 측면에서, 본 발명은, 발광영역 및 회로영역으로 이루어진 다수의 화소영역을 포함하는 기판; 상기 기판 상에 형성되며 상기 회로영역에 형성된 제1트랜지스터로 제1전압을 공급하는 제1라인; 및 상기 기판 상에 형성되며, 상기 회로영역에 형성된 제2트랜지스터로 제2전압을 공급하고, 상기 발광영역에서 상기 제1라인과의 이격거리가 상기 회로영역에서 상기 제1라인과의 이격거리보다 짧게 형성된 제2라인을 포함하는 유기전계발광소자를 제공한다.In order to achieve the above object, in one aspect, the present invention provides a liquid crystal display comprising: a substrate including a plurality of pixel regions made up of a light emitting region and a circuit region; A first line formed on the substrate and supplying a first voltage to a first transistor formed in the circuit region; And a second transistor formed on the substrate and supplying a second voltage to a second transistor formed in the circuit region, wherein a distance from the first line in the light emitting region is larger than a distance from the first line in the circuit region And an organic electroluminescent device including a second line formed to be short.

다른 측면에서, 본 발명은, 기판에 형성된 스캔라인; 상기 스캔라인 상에 형성된 절연막; 상기 절연막 상에 형성되고, 소스영역, 드레인영역 및 채널영역이 일체로 이루어진 반도체층과, 상기 스캔라인에 연결된 게이트(gate)를 포함하는 센싱(sensing)트랜지스터; 및 상기 스캔라인과 평행한 방향으로 상기 스캔라인 상에서 형성되고, 컨택홀을 통해 상기 소스영역 또는 상기 드레인영역과 연결되는 전압라인을 포함하는 유기전계발광소자를 제공한다.In another aspect, the present invention provides a liquid crystal display comprising: a scan line formed on a substrate; An insulating layer formed on the scan line; A sensing transistor formed on the insulating film and including a semiconductor layer having a source region, a drain region, and a channel region, and a gate connected to the scan line; And a voltage line formed on the scan line in a direction parallel to the scan line and connected to the source region or the drain region through the contact hole.

또다른 측면에서, 본 발명은, 기판 상에 형성된 제1절연막; 상기 제1절연막 상에 형성된 반도체층; 상기 반도체층 상에 형성되고 상기 반도체층을 노출시키는 개구부를 포함하는 제2절연막; 노출된 상기 반도체층 상에 형성된 제3절연막; 상기 제3절연막 상에 형성된 금속층; 및 상기 개구부를 통해 상기 금속층과 상기 반도체층에 동시에 접촉되는 소스-드레인 전극을 포함하는 유기전계발광소자를 제공한다.In another aspect, the present invention provides a semiconductor device comprising: a first insulating film formed on a substrate; A semiconductor layer formed on the first insulating film; A second insulating layer formed on the semiconductor layer and including an opening exposing the semiconductor layer; A third insulating layer formed on the exposed semiconductor layer; A metal layer formed on the third insulating film; And a source-drain electrode that is in contact with the metal layer and the semiconductor layer through the opening at the same time.

또다른 측면에서, 본 발명은, 발광영역 및 회로영역으로 이루어진 다수의 화소영역을 포함하는 기판; 상기 발광영역에 형성되고, 상기 기판을 노출시키는 개구부가 형성된 절연막; 및 상기 개구부를 통해 상기 기판 상에 형성된 화소전극을 포함하는 유기전계발광소자를 제공한다.In another aspect, the present invention provides a light emitting device comprising: a substrate including a plurality of pixel regions made up of a light emitting region and a circuit region; An insulating layer formed in the light emitting region and having an opening exposing the substrate; And a pixel electrode formed on the substrate through the opening.

또다른 측면에서, 본 발명은, 기판 상에 형성되고, 금속 또는 그 합금으로 이루어지며, 0°~ ±90°의 시야각에서 반사율이 80% 이상인 화소전극; 상기 제1전극 상에 형성된 적어도 하나 이상의 유기층; 및 상기 유기층 상에 형성되고 투명 전도성 물질로 이루어진 공통전극을 포함하되, 상기 제1전극의 두께가 불균일한 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자를 제공한다.In another aspect, the present invention provides a liquid crystal display comprising: a pixel electrode formed on a substrate, the pixel electrode being made of a metal or an alloy thereof and having a reflectance of 80% or more at a viewing angle of 0 DEG to +/- 90 DEG; At least one organic layer formed on the first electrode; And a common electrode formed on the organic layer and made of a transparent conductive material, wherein the thickness of the first electrode is nonuniform.

본 발명은 유기전계발광소자의 개구율과 휘도를 증가시키는 효과가 있다.The present invention has the effect of increasing the aperture ratio and brightness of the organic electroluminescent device.

도 2a는 일반적인 유기전계발광소자의 개략적인 평면도이다.
도 2b는 도 2a의 A-A'를 절단한 유기전계발광소자의 개략적인 단면도이다.
도 3a는 제1실시예에 따른 유기전계발광소자의 개략적인 평면도이다.
도 3b는 도 3a의 B-B'를 절단한 유기전계발광소자의 개략적인 단면도이다.
도 4는 제1실시예에 따른 유기전계발광소자의 회로도이다.
도 5a는 제2실시예에 따른 유기전계발광소자의 개략적인 평면도이다.
도 5b는 도 5a의 C-C'를 절단한 유기전계발광소자의 개략적인 단면도이다.
도 5c는 도 3a의 D-D'를 절단한 유기전계발광소자의 개략적인 단면도이다.
도 6a는 제3실시예에 따른 유기전계발광소자의 개략적인 평면도이다.
도 6b는 도 6a의 E-E'를 절단한 개략적인 단면도이다.
도 7은 제4실시예에 따른 유기전계발광소자의 개략적인 단면도이다.
도 8은 제5실시예에 따른 유기전계발광소자의 개략적인 단면도이다.
도 9는 제5실시예에 따른 유기전계발광소자에 대하여 시야각에 따른 반사율을 측정한 그래프이다.2A is a schematic plan view of a general organic electroluminescent device.
FIG. 2B is a schematic cross-sectional view of the organic electroluminescent device taken along the line A-A 'in FIG. 2A. FIG.
3A is a schematic plan view of an organic electroluminescent device according to the first embodiment.
FIG. 3B is a schematic cross-sectional view of the organic electroluminescent device taken along line B-B 'in FIG. 3A.
4 is a circuit diagram of an organic electroluminescent device according to the first embodiment.
5A is a schematic plan view of an organic electroluminescent device according to the second embodiment.
5B is a schematic cross-sectional view of the organic electroluminescent device cut along line C-C 'in FIG. 5A.
5C is a schematic cross-sectional view of the organic electroluminescent device taken along line D-D 'in FIG. 3A.
6A is a schematic plan view of an organic electroluminescent device according to a third embodiment.
6B is a schematic sectional view taken along the line E-E 'in FIG. 6A.
7 is a schematic cross-sectional view of an organic electroluminescent device according to a fourth embodiment.
8 is a schematic cross-sectional view of an organic electroluminescent device according to the fifth embodiment.
9 is a graph showing the reflectance of the organic EL device according to the fifth embodiment measured according to the viewing angle.

이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명의 실시예들을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, some embodiments of the present invention will be described in detail with reference to exemplary drawings. It should be noted that, in adding reference numerals to the constituent elements of the drawings, the same constituent elements are denoted by the same reference numerals even though they are shown in different drawings. In the following description of the embodiments of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

또한, 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 같은 맥락에서, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소의 "상"에 또는 "아래"에 형성된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접 또는 또 다른 구성 요소를 개재하여 간접적으로 형성되는 것을 모두 포함하는 것으로 이해되어야 할 것이다.In describing the components of the invention, terms such as first, second, A, B, (a), (b), etc. may be used. These terms are intended to distinguish the constituent elements from other constituent elements, and the terms do not limit the nature, order or order of the constituent elements. When a component is described as being "connected", "coupled", or "connected" to another component, the component may be directly connected to or connected to the other component, It should be understood that an element may be "connected," "coupled," or "connected." In the same context, when an element is described as being formed on an "upper" or "lower" side of another element, the element may be formed either directly or indirectly through another element As will be understood by those skilled in the art.

도 1은 실시예들이 적용되는 유기발광 표시장치에 관한 시스템 구성도이다.1 is a system configuration diagram of an organic light emitting display device to which embodiments are applied.

도 1을 참조하면, 유기발광 표시장치(100)는 유기발광 표시패널(140), 데이터 구동부(120), 게이트 구동부(130), 타이밍 콘트롤러(110) 등을 포함한다. 1, the OLED display 100 includes an OLED display panel 140, a data driver 120, a gate driver 130, a timing controller 110, and the like.

우선, 타이밍 컨트롤러(110)는 호스트 시스템으로부터 입력되는 수직/수평 동기신호(Vsync, Hsync)와 영상데이터(data), 클럭신호(CLK) 등의 외부 타이밍 신호에 기초하여 데이터 구동부(120)를 제어하기 위한 데이터 제어신호(DCS)와 게이트 구동부(130)를 제어하기 위한 게이트 제어신호(GCS)를 출력한다. 또한, 타이밍 컨트롤러(110)는 호스트 시스템로부터 입력되는 영상데이터(data)를 데이터 구동부(120)에서 사용하는 데이터 신호 형식으로 변환하고 변환된 영상데이터(data')를 데이터 구동부(120)로 공급할 수 있다.First, the timing controller 110 controls the data driver 120 based on the vertical / horizontal synchronizing signals (Vsync, Hsync) input from the host system and the external timing signals such as the video data (data) and the clock signal (CLK) And a gate control signal (GCS) for controlling the gate driver 130. The gate control signal The timing controller 110 may convert the video data input from the host system into a data signal format used by the data driver 120 and supply the converted video data 'data' to the data driver 120 have.

데이터 구동부(120)는 타이밍 컨트롤러(110)로부터 입력되는 데이터 제어신호(DCS) 및 변환된 영상데이터(data')에 응답하여, 영상데이터(data')를 계조 값에 대응하는 전압 값인 데이터 신호(아날로그 화소신호 혹은 데이터 전압)로 변환하여 데이터 라인에 공급한다.In response to the data control signal DCS and the converted video data 'data' input from the timing controller 110, the data driver 120 converts the video data 'data' into a data signal Analog pixel signal or data voltage) and supplies the converted data to the data line.

게이트 구동부(130)는 타이밍 컨트롤러(110)로부터 입력되는 게이트 제어신호(GCS)에 응답하여 게이트 라인에 스캔신호(게이트 펄스 또는 스캔펄스, 게이트 온신호)를 순차적으로 공급한다.The gate driver 130 sequentially supplies a scan signal (a gate pulse, a scan pulse, and a gate-on signal) to the gate line in response to a gate control signal GCS input from the timing controller 110.

한편 유기발광 표시패널(140) 상의 각 화소영역(P)은, 데이터라인들(D1~Dm)과 게이트라인들(G1~Gn)(스캔라인들)에 의해 정의되어 발광영역과 회로영역을 포함하고, 매트릭스 형태로 배치될 수 있고, 제1전극인 화소전극(anode), 제2전극인 공통전극(cathode), 유기층을 포함하는 적어도 하나의 유기발광소자일 수 있다.Each pixel region P on the organic light emitting display panel 140 is defined by data lines D1 to Dm and gate lines G1 to Gn (scan lines) to include a light emitting region and a circuit region And may be disposed in a matrix form, and may be a pixel electrode (anode) as a first electrode, a cathode (cathode) as a second electrode, and at least one organic light emitting device including an organic layer.

여기서, 화소영역(P)은, 데이터라인들(D2)과 나란하게 배열된 전압라인들(VDD 라인)을 포함하고, 이때 인접한 전압라인 간에 단락(short)이 발생되는 것을 방지하기 위하여, 전압라인의 형상이 달라질 수 있다. 즉, 발광영역에서의 전압라인의 간격을 달리 설정하여 단락 발생을 방지하고, 화소전극의 폭을 넓게 설정하여 개구율을 향상시킬 수 있다.Here, the pixel region P includes voltage lines (VDD lines) arranged in parallel with the data lines D2, and in order to prevent a short between the adjacent voltage lines, Can be changed. That is, it is possible to prevent short-circuiting by setting the interval of the voltage lines in the light emitting region differently, and to increase the aperture ratio by setting the width of the pixel electrode to be wide.

한편, 회로영역에 배열된 스캔라인 또는 기준전압라인을 일정부분 중첩시켜 형성하거나, 다수가 존재하는 컨택홀들의 개수를 줄임으로써 유기전계발광소자 또는 유기발광 표시패널의 개구율을 향상시킬 수 있다.On the other hand, the aperture ratio of the organic electroluminescent device or the organic light emitting display panel can be improved by forming the scan lines or the reference voltage lines arranged in the circuit region to overlap with each other or by reducing the number of the contact holes.

한편, 발광영역에 있어서, 기판 상의 절연막들과 오버코트층들을 제거하여, 기판 상에 곧바로 화소전극을 형성하고, 화소전극 상에 유기층을 형성함으로써, 생산된 광의 경로들을 줄임으로써 유기전계발광소자 또는 유기발광 표시패널의 휘도를 향상시킬 수 있다. 또한 화소전극 또는 공통전극의 표면을 플라즈마 처리하여 전극의 두께가 불균일하게 형성됨으로써, 반사율을 증가시켜, 상부발광 또는 하부발광 방식의 유기전계발광소자 또는 유기발광 표시패널의 휘도를 향상시킬 수 있다.On the other hand, in the light emitting region, by removing the insulating films and the overcoat layers on the substrate, forming the pixel electrode directly on the substrate, and forming the organic layer on the pixel electrode, The brightness of the light emitting display panel can be improved. In addition, since the surface of the pixel electrode or the common electrode is plasma-treated to have a uniform thickness of the electrode, the reflectance can be increased to improve the brightness of the organic light emitting display device or the organic light emitting display panel of the upper emission type or the lower emission type.

이하 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들을 설명한다.Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

도 2a는 일반적인 유기전계발광소자의 개략적인 평면도이고, 도 2b는 도 2a의 A-A'를 절단한 유기전계발광소자의 개략적인 단면도이다.FIG. 2A is a schematic plan view of a general organic electroluminescent device, and FIG. 2B is a schematic cross-sectional view of an organic electroluminescent device obtained by cutting A-A 'in FIG. 2A.

도 2a를 참조하면, 우선 기판(미도시)은 발광영역(Emission Area, EA) 및 회로영역(Circuit Area, CA)으로 이루어진 다수의 화소영역(Pixel Area, PA)으로 이루어진다. Referring to FIG. 2A, a substrate (not shown) includes a plurality of pixel areas (PAs) including a light emitting area (EA) and a circuit area (CA).

화소영역(PA)은, 도 1에서 전술한 바와 같이, 다수가 존재하며, 여기서 회로영역(CA)은 3개의 트랜지스터들(T21, T22, T23)과 다수의 컨택홀들(213a 내지 213h), 제1라인(210) 및 제2라인(212), 제1라인(210) 및 제2라인(212)에 수직하여 나란하게 배열된 제3라인(214), 제4라인(215)과 제5라인(218), 스토리지 캐패시터(Cstg) 등을 포함한다. 한편, 화소영역(PA)의 발광영역(EA)은 제1라인(210) 및 제2라인(212), 화소전극(230), 발광영역(EA)의 가장자리 영역과 중첩하는 뱅크(232)를 포함한다.1, the circuit region CA includes three transistors T21, T22 and T23 and a plurality of contact holes 213a to 213h, The third line 214, the fourth line 215 and the fifth line 215 arranged in parallel to the first line 210 and the second line 212, the first line 210 and the second line 212, Line 218, a storage capacitor Cstg, and the like. On the other hand, the light emitting region EA of the pixel region PA includes the banks 232 overlapping the edge regions of the first line 210 and the second line 212, the pixel electrode 230, and the light emitting region EA .

유기전계발광소자(200)는 다수의 배선라인을 포함할 수 있으며, 제1라인(210)과 제2라인(212)은 제1방향(도 2에서 세로 방향)으로 이격하여 나란하게 배열된다. 제1라인(210)은 데이터 라인일 수 있고, 제2라인(212)은 고전압전원 공급용 전압라인(VDD 라인)일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 제1라인(210)과 제2라인(212)은 세로방향으로 데이터패드(미도시)까지 길게 연장되어 있다. 제2방향(도 2에서 가로 방향)으로는 제3라인(214), 제4라인(215) 및 제5라인(218)이 도시되는데 제3라인(214)은 제1스캔라인, 제4라인(215)은 제2스캔라인일 수 있고, 제5라인(218)은 기준전압라인일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.The organic electroluminescent device 200 may include a plurality of wiring lines, and the first line 210 and the second line 212 are arranged in parallel in a first direction (vertical direction in FIG. 2). The first line 210 may be a data line, and the second line 212 may be a voltage line for supplying a high voltage (VDD line), but the present invention is not limited thereto. The first line 210 and the second line 212 extend in a longitudinal direction to a data pad (not shown). The third line 214, the fourth line 215 and the fifth line 218 are shown in the second direction (the horizontal direction in FIG. 2), and the third line 214 is the first scan line, The second line 215 may be a second scan line, and the fifth line 218 may be a reference voltage line, but is not limited thereto.

이때, 발광영역(EA)에서 제2라인(212)과 제1라인(210) 사이의 이격거리는, 회로영역(CA)에서의 제2라인(212) 제1라인(210)과의 이격거리와 동일하게 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.The distance between the second line 212 and the first line 210 in the light emitting area EA is set to be shorter than the distance between the second line 212 and the first line 210 in the circuit area CA But it is not limited thereto.

제1라인(210) 내지 제5라인(218)은 저저항 특성을 갖는 금속물질, 예를 들어 구리(Cu), 구리 합금, 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 몰리브덴(Mo) 및 몰리브덴 합금(MoTi) 중 선택된 하나 또는 둘 이상의 물질의 단일층 또는 다층 구조를 가질 수 있다.The first line 210 to the fifth line 218 may be formed of a metal material having low resistance characteristics such as copper (Cu), copper alloy, aluminum (Al), aluminum alloy (AlNd), molybdenum (Mo) Alloy (MoTi), or a single layer or multi-layer structure of two or more materials.

유기전계발광소자(200)는 제1라인(210)과 제3라인(214)의 교차로 정의된 발광영역(EA)에서 제1전극(230)과 제2전극(미도시) 및 1층 이상의 유기층을 포함하고 있으면서, 기판(미도시) 상에 형성된 제2트랜지스터(T22)로부터 공급되는 전류에 따라 발광한다.The organic electroluminescent device 200 includes a first electrode 230 and a second electrode (not shown) in one light emitting region EA defined by the intersection of the first line 210 and the third line 214, And emits light in accordance with the current supplied from the second transistor T22 formed on the substrate (not shown).

전기적 연결관계에 있어서, 제1전극(230)은 제3컨택홀(213c)과 제4컨택홀(213d)을 통해 제2트랜지스터(T22)의 일단과 연결된다. 여기서, 제2트랜지스터(T22)는 구동트랜지스터일 수 있다. 제2트랜지스터(T22)의 타단은 제8컨택홀(213h)을 통해 제2라인(212)과 연결된다. 한편 스토리지 캐패시터(Cstg)는 제2컨택홀(213b)을 통해 제1트랜지스터(T21)의 일단 연결되고, 여기서 제1트랜지스터(T21)는 스위칭 트랜지스터일 수 있다. 제1트랜지스터(T21)의 타단은 제1컨택홀(213a)을 통해 제1라인(210)에 연결된다. 한편, 제3라인(214)은 제1트랜지스터(T21)에 연결된다. 한편, 제3트랜지스터(T23)의 일단은 제6컨택홀(213f)과 제7컨택홀(213g)을 통하여 제5라인(218)에 연결되고, 타단은 제4컨택홀(213d)을 통하여 제2트랜지스터(T22), 스토리지 캐패시터(Cstg)에 연결된다. 제2트랜지스터(T22)의 게이트 전극은 제5컨택홀(213e)을 통해 제1트랜지스터(T21)에 연결된다.In the electrical connection relation, the first electrode 230 is connected to one end of the second transistor T22 through the third contact hole 213c and the fourth contact hole 213d. Here, the second transistor T22 may be a driving transistor. The other terminal of the second transistor T22 is connected to the second line 212 through the eighth contact hole 213h. Meanwhile, the storage capacitor Cstg is connected to one end of the first transistor T21 through the second contact hole 213b, wherein the first transistor T21 may be a switching transistor. The other terminal of the first transistor T21 is connected to the first line 210 through the first contact hole 213a. Meanwhile, the third line 214 is connected to the first transistor T21. One end of the third transistor T23 is connected to the fifth line 218 through the sixth contact hole 213f and the seventh contact hole 213g and the other end thereof is connected to the fifth line 218 through the fourth contact hole 213d. 2 transistor T22, and storage capacitor Cstg. The gate electrode of the second transistor T22 is connected to the first transistor T21 through the fifth contact hole 213e.

일예로서, 제3트랜지스터(T23)는 센싱트랜지스터일 수 있고, 제2스캔라인(215)에 연결된 게이트 전극과, 반도체층(217)과 소스/드레인 전극으로 이루어질 수 있다. 반도체층(217)은 일단에 구동 트랜지스터(T22)와 제1전극(230) 사이의 노드에 연결된 드레인영역(217a)을 포함하고, 타단에 기준전압라인(218)과 연결된 소스영역(217c), 드레인영역(217a)과 소스영역(217c) 사이의 채널영역(217b)을 포함할 수 있다. For example, the third transistor T23 may be a sensing transistor, a gate electrode connected to the second scan line 215, a semiconductor layer 217, and a source / drain electrode. The semiconductor layer 217 includes a drain region 217a connected to a node between the driving transistor T22 and the first electrode 230 at one end and a source region 217c connected to the reference voltage line 218 at the other end, And a channel region 217b between the drain region 217a and the source region 217c.

유기전계발광소자(200)의 전기적 기능을 살펴보면, 먼저, 스위칭 트랜지스터(T21)는 스캔라인(214)을 통해 공급되는 스캔신호에 의해 턴온되어, 데이터라인(210)을 통해 공급되는 데이터 신호를 구동 트랜지스터(T22)의 게이트 전극으로 전달하는 기능을 수행한다. 그리고 스토리지 캐패시터(Cstg)는 스위칭 트랜지스터(T21)를 통해 공급되는 데이터 신호를 저장하여 구동 트랜지스터(T22)가 일정 시간 이상 턴온상태를 유지하도록 한다. 또한, 구동 트랜지스터(T22)는 캐패시터(Cstg)에 저장된 데이터 신호에 대응하여 구동한다. 구동 트랜지스터(T22)는 데이터 신호에 대응하여 제 1 전극(230)으로 공급되는 구동전류 혹은 구동전압을 제어하게 된다.First, the switching transistor T21 is turned on by a scan signal supplied through the scan line 214 to drive a data signal supplied through the data line 210. The organic light- To the gate electrode of the transistor T22. The storage capacitor Cstg stores the data signal supplied through the switching transistor T21 so that the driving transistor T22 maintains the turned-on state for a predetermined time or longer. Further, the driving transistor T22 is driven in response to the data signal stored in the capacitor Cstg. The driving transistor T22 controls the driving current or the driving voltage supplied to the first electrode 230 in response to the data signal.

구동 트랜지스터(T22)가 구동되면, 유기층(미도시)의 발광층(미도시)은 전압라인(212)을 통해 공급되는 전류에 의해 발광한다. 구동 트랜지스터(T22)를 통해 공급되는 구동전류는 제1전극(230)으로 전달되어 유기층(미도시)을 통해 흐르면서 전자와 정공이 재결합되어 발광이 일어나고, 최종적으로 제2전극(미도시)으로 흘러나가게 된다.When the driving transistor T22 is driven, the light emitting layer (not shown) of the organic layer (not shown) emits light by the current supplied through the voltage line 212. [ The driving current supplied through the driving transistor T22 is transferred to the first electrode 230 and flows through the organic layer (not shown) to recombine electrons and holes to emit light. Finally, the driving current flows to the second electrode (not shown) Out.

도 2b에는, 화소영역(PA)의 발광영역(EA)을 A-A'로 절단한 단면도가 도시된다. 도 2b에는 설명의 편의를 위하여, 두 개의 화소영역(PA)만을 도시하였다.2B is a cross-sectional view taken along the line A-A 'of the luminescent region EA of the pixel region PA. In FIG. 2B, for convenience of description, only two pixel regions PA are shown.

유기전계발광소자(200)는 기판(202) 상에 형성된 제1절연막(204), 제1절연막(204) 상에 나란하게 이격하여 형성된 제1라인(210)과 제2라인(212), 제1라인(210)과 제2라인(212)을 덮도록 제1절연막(204) 상에 형성된 제2절연막(219), 제2절연막(219) 상에 형성된 화소전극(230), 화소전극(230)과 가장자리가 중첩되어 형성된 뱅크(232), 화소전극(230) 상에 순차적으로 적층된 유기층(234)과 공통전극(234), 공통전극(236) 상에 형성된 봉지층(238) 등을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.The organic electroluminescent device 200 includes a first insulating layer 204 formed on a substrate 202, a first line 210 and a second line 212 spaced apart from each other on the first insulating layer 204, A second insulating film 219 formed on the first insulating film 204 to cover the first line 210 and the second line 212, a pixel electrode 230 formed on the second insulating film 219, a pixel electrode 230 An organic layer 234 and a common electrode 234 which are sequentially stacked on the pixel electrode 230 and an encapsulation layer 238 formed on the common electrode 236 and the like But is not limited thereto.

기판(202)은 글래스(Glass) 기판뿐만 아니라, PET(Polyethylen terephthalate), PEN(Polyethylen naphthalate), 폴리이미드(Polyimide) 등을 포함하는 플라스틱 기판 등일 수 있다. 또한, 기판(202) 상에는 불순원소의 침투를 차단하기 위한 버퍼층(buffering layer)이 더 구비될 수 있다. 버퍼층은 예를 들어 질화실리콘 또는 산화실리콘의 단일층 또는 다수층으로 형성될 수 있다.The substrate 202 may be a glass substrate, a plastic substrate including PET (polyethylene terephthalate), PEN (polyethylenenaphthalate), polyimide, or the like. Further, a buffer layer may be further provided on the substrate 202 to block penetration of impurity elements. The buffer layer may be formed of a single layer or multiple layers of, for example, silicon nitride or silicon oxide.

기판(202) 상에 형성된 제1절연막(204)과 제2절연막(219)은 질화실리콘 또는 산화실리콘의 단일층 또는 다수층으로 형성될 수 있다.The first insulating film 204 and the second insulating film 219 formed on the substrate 202 may be formed of a single layer or multiple layers of silicon nitride or silicon oxide.

한편, 제1절연막(204) 상에 형성되는 제1라인(210)과 제2라인(212)은 저저항 특성을 갖는 금속물질, 예를 들어 구리(Cu), 구리 합금, 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 몰리브덴(Mo) 및 몰리브덴 합금(MoTi) 중 선택된 하나 또는 둘 이상의 물질을 증착함으로써 단일층 또는 다층 구조를 가질 수 있다.The first line 210 and the second line 212 formed on the first insulating layer 204 may be formed of a metal material having low resistance characteristics such as copper (Cu), copper alloy, aluminum (Al) Layer structure by depositing one or more materials selected from aluminum alloys (AlNd), molybdenum (Mo) and molybdenum alloys (MoTi).

도 2b에 도시된 바와 같이, 하나의 화소영역(PA)의 제2라인(212)은 인접한 다른 화소영역(PA)의 제1라인(210)과 인접해서 형성되는데, 이때의 하나의 화소영역(PA)의 제2라인(212)과 다른 화소영역(PA)의 제1라인(210) 사이의 이격거리가 특정거리보다 가까워지는 경우, 단락(short)이 발생할 수 있다. 2B, the second line 212 of one pixel area PA is formed adjacent to the first line 210 of another adjacent pixel area PA. At this time, one pixel area (PA) A short may occur when the distance between the second line 212 of the pixel area PA and the first line 210 of the other pixel area PA is closer to a certain distance.

화소전극(230)은, 애노드 전극(양극)의 역할을 하도록 일함수 값이 비교적 크고, 투명한 도전성 물질, 예를 들면 ITO 또는 IZO와 같은 금속 산화물, ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 혼합물, 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등으로 이루어질 수 있으나 이에 제한되지 않는다. 또한, 제 1 전극(331)은 탄소나노튜브, 그래핀, 은나노와이어 등일 수도 있다.The pixel electrode 230 is formed of a transparent conductive material, for example, a metal oxide such as ITO or IZO, a metal such as ZnO: Al or SnO2: Sb, and an oxide , A conductive polymer such as poly (3-methylthiophene), poly [3,4- (ethylene-1,2-dioxy) thiophene] (PEDT), polypyrrole and polyaniline, Do not. The first electrode 331 may be a carbon nanotube, a graphene, a silver nano wire, or the like.

또한 상부발광 방식일 경우, 반사효율 향상을 위해 화소전극(230)의 상/하부에 반사효율이 우수한 금속물질, 예를 들면 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)으로써 반사판이 보조전극으로 더 형성될 수도 있다.Further, in the case of the upper emission type, a metal material having excellent reflection efficiency, for example, aluminum (Al) or silver (Ag) is further formed as an auxiliary electrode on the top and bottom of the pixel electrode 230 in order to improve the reflection efficiency It is possible.

트랜지스터들(T21, T22, T23)은 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), ZTO(Zinc Tin Oxide), ZIO(Zinc Indium Oxide) 등으로 이루어진 산화물 박막 트랜지스터(Oxide Thin Film Transistor)일 수 있다. 또한 P형 불순물 또는 N형 불순물을 도핑하여 소스영역(217c) 및 드레인영역(217a)를 형성하고, 동시에 소스영역(217c) 및 드레인영역(217a) 사이에 게재된 채널영역(217b)을 형성한 반도체층을 포함할 수 있다.The transistors T21, T22 and T23 may be an oxide thin film transistor composed of IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide), ZTO (Zinc Tin Oxide), ZIO (Zinc Indium Oxide) or the like. A source region 217c and a drain region 217a are formed by doping a P-type impurity or an N-type impurity to form a channel region 217b disposed between the source region 217c and the drain region 217a A semiconductor layer.

한편, 화소전극(230)의 엣지부 상에는 뱅크(232)가 형성되고, 뱅크(232)에는 화소전극(230)이 노출되도록 개구부가 구비된다. 이러한 뱅크(232)는 질화실리콘(SiNx), 산화실리콘(SiOx)과 같은 무기절연물질 또는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene)이나 아크릴 수지(acrylic resin)와 같은 유기절연물질, 이들의 조합으로 이루어질 수 있으나 이에 제한되지 않는다.A bank 232 is formed on the edge of the pixel electrode 230 and an opening is formed in the bank 232 to expose the pixel electrode 230. These banks 232 may be formed of an inorganic insulating material such as silicon nitride (SiNx), silicon oxide (SiOx), or an organic insulating material such as benzocyclobutene or acrylic resin, or a combination thereof. It is not limited.

노출된 화소전극(230) 상에는 유기층(234)이 형성되는데, 이러한 유기층(234)에는, 정공과 전자가 원활히 수송되어 엑시톤(exciton)을 형성할 수 있도록, 정공주입층(Hole Injection Layer, HIL), 정공수송층(Hole Transfer Layer, HTL), 유기발광층(Emitting Layer, EL), 전자수송층(Electron Transfer Layer, ETL), 전자주입층(Electron Injection Layer, EIL) 등이 차례로 적층되어 포함될 수 있다. An organic layer 234 is formed on the exposed pixel electrode 230. A hole injection layer (HIL) is formed in the organic layer 234 so that holes and electrons are smoothly transported to form an exciton. A hole transport layer (HTL), an organic light emitting layer (EL), an electron transport layer (ETL), an electron injection layer (EIL), and the like.

유기층(234) 상에는 캐소드 전극(음극)인 공통전극(236)이 형성된다. 예를 들어 하부발광 방식인 경우, 공통전극(236)은 금속일 수 있고 제1금속, 예를 들어 Ag 등과 제2금속, 예를 들어 Mg 등이 일정 비율로 구성된 합금의 단일층 또는 이들의 다수층일 수도 있다.On the organic layer 234, a common electrode 236, which is a cathode electrode (cathode), is formed. For example, in the case of the bottom emission type, the common electrode 236 may be a metal, a single layer of an alloy in which a first metal, for example, Ag, and a second metal, for example, Mg, Layer.

공통전극(236) 상에는 수분과 산소로부터 유기층을 보호하는 봉지층(238)이 형성된다. 봉지층(238)은 금속리드(metal lid), 프릿실링(frit sealing), 박막(thin film) 증착 방식 등으로 형성될 수 있다.On the common electrode 236, a sealing layer 238 for protecting the organic layer from moisture and oxygen is formed. The sealing layer 238 may be formed of a metal lid, a frit sealing, a thin film deposition method, or the like.

도 3a는 제1실시예에 따른 유기전계발광소자의 개략적인 평면도이고, 도 3b는 도 3a의 B-B'를 절단한 유기전계발광소자의 개략적인 단면도이며, 도 4는 제1실시예에 따른 유기전계발광소자의 회로도이다.3A is a schematic plan view of the organic electroluminescent device according to the first embodiment, FIG. 3B is a schematic cross-sectional view of the organic electroluminescent device cut along line B-B 'in FIG. 3A, Fig. 2 is a circuit diagram of an organic electroluminescent device according to the present invention.

도 3a 및 도 3b를 참조하면, 제1실시예에 따른 유기전계발광소자(300)는 발광영역(Emission Area) 및 회로영역(Circuit Area)으로 이루어진 다수의 화소영역(PA, PA')을 포함하는 기판(미도시), 기판(미도시) 상에 형성되며 회로영역(CA, CA')에 형성된 제1트랜지스터(T31)로 제1전압을 공급하는 제1라인(310, 310') 및 기판(미도시) 상에 형성되며, 회로영역(CA, CA')에 형성된 제2트랜지스터(T32)로 제2전압을 공급하고, 발광영역(EA, EA')에 있어서 제1라인(310, 310')과의 이격거리(tE)가 회로영역(CA, CA')에서 제1라인(310, 310')과의 이격거리(tC)보다 짧게 형성된 제2라인(312, 312')를 포함할 수 있다.3A and 3B, the organic electroluminescent device 300 according to the first embodiment includes a plurality of pixel regions PA and PA 'including a light emitting region and a circuit region First lines 310 and 310 'formed on a substrate (not shown) for supplying a first voltage to a first transistor T31 formed in a circuit area CA and CA' (Not shown), and the second voltage is supplied to the second transistor T32 formed in the circuit area CA, CA ', and the first line 310, 310 The second line 312, 312 'formed so that the separation distance t E from the first line 310', 310 'is shorter than the separation distance t C from the first line 310, 310' in the circuit area CA, CA ' .

또한 유기전계발광소자(300)는 다수의 화소영역(PA, PA')은 인접한 제1화소영역(PA)과 제2화소영역(PA')를 포함하고, 제1화소영역(PA)의 화소전극(330) 및 제2화소영역(PA')의 화소전극(330') 간의 이격거리(t1)는, 제1화소영역(PA)의 제1라인(310) 및 제2라인(320) 중 제2화소영역(PA')에 인접한 라인과, 제2화소영역(PA')의 제1라인(310') 및 제2라인(312') 중 제1화소영역(PA)에 인접한 라인 간의 최소 이격거리(t2)보다 짧게 형성될 수 있다.In addition, the organic electroluminescent device 300 may include a plurality of pixel regions PA and PA 'including an adjacent first pixel region PA and a second pixel region PA' The distance t 1 between the electrode 330 and the pixel electrode 330 'of the second pixel area PA' is equal to the distance between the first line 310 and the second line 320 of the first pixel area PA, Between the line adjacent to the second pixel area PA 'and the line adjacent to the first pixel area PA of the first line 310' and the second line 312 'of the second pixel area PA' May be formed to be shorter than the minimum separation distance (t 2 ).

예를들어, 제1화소영역(PA)의 경우, 다수의 배선라인을 포함할 수 있고, 제1라인(310)과 제2라인(312)은 제1방향(도 2에서 세로 방향)으로 이격하여 나란하게 배열된다. 제2방향(도 2에서 가로 방향)으로는 제3라인(314), 제4라인(315) 및 제5라인(318)이 도시되는데 제3라인(314)은 제1스캔라인, 제4라인(315)은 제2스캔라인일 수 있고, 제5라인(318)은 기준전압라인일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.For example, in the case of the first pixel region PA, the first line 310 and the second line 312 may include a plurality of wiring lines, and the first line 310 and the second line 312 may be spaced apart from each other in the first direction Respectively. The third line 314, the fourth line 315 and the fifth line 318 are shown in the second direction (the horizontal direction in FIG. 2), and the third line 314 is the first scan line, The third line 315 may be a second scan line, and the fifth line 318 may be a reference voltage line, but is not limited thereto.

유기전계발광소자(300)는 제1라인(310)과 제3라인(314)의 교차로 정의된 제1화소영역(PA)의 발광영역(EA)에서 제1전극(330)과 제2전극(미도시) 및 1층 이상의 유기층을 포함하고 있으면서, 기판(미도시) 상에 형성된 제2트랜지스터(T32)로부터 공급되는 전류에 따라 발광한다.The organic electroluminescent device 300 includes the first electrode 330 and the second electrode 330 in the light emitting area EA of the first pixel area PA defined by the intersection of the first line 310 and the third line 314, (Not shown) and one or more organic layers, and emits light according to the current supplied from the second transistor T32 formed on the substrate (not shown).

전기적 연결관계에 있어서, 도 3a 내지 도 4를 참조하면, 제1화소영역(PA)의 제1전극(330)은 제3컨택홀(313c)과 제4컨택홀(313d)을 통해 제2트랜지스터(T32)의 일단과 연결되고, 제2트랜지스터(T32)의 타단은 제8컨택홀(313h)을 통해 제2라인(312)과 연결된다. 한편 스토리지 캐패시터(Cstg)는 제2컨택홀(313b)을 통해 제1트랜지스터(T31)의 일단 연결되고, 제1트랜지스터(T31)의 타단은 제1컨택홀(313a)을 통해 제1라인(310)에 연결된다. 한편, 제3라인(314)은 제1트랜지스터(T31)에 연결된다. 한편, 제3트랜지스터(T33)의 일단은 제6컨택홀(313f)과 제7컨택홀(313g)을 통하여 제5라인(318)에 연결되고, 타단은 제4컨택홀(313d)을 통하여 제2트랜지스터(T32), 스토리지 캐패시터(Cstg)에 연결된다. 제2트랜지스터(T32)의 게이트 전극은 제5컨택홀(313e)을 통해 제1트랜지스터(T31)에 연결된다.3A to 4, the first electrode 330 of the first pixel area PA is electrically connected to the second transistor 310 through the third contact hole 313c and the fourth contact hole 313d, And the other end of the second transistor T32 is connected to the second line 312 through the eighth contact hole 313h. The storage capacitor Cstg is connected to one end of the first transistor T31 through the second contact hole 313b and the other end of the first transistor T31 is connected to the first line 310 through the first contact hole 313a. . Meanwhile, the third line 314 is connected to the first transistor T31. One end of the third transistor T33 is connected to the fifth line 318 through the sixth contact hole 313f and the seventh contact hole 313g and the other end thereof is connected to the fifth line 318 via the fourth contact hole 313d. 2 transistor T32, and storage capacitor Cstg. The gate electrode of the second transistor T32 is connected to the first transistor T31 through the fifth contact hole 313e.

일예로서, 제3트랜지스터(T33)는 제2스캔라인(315)에 연결된 게이트 전극과, 반도체층(317)과 소스/드레인 전극으로 이루어질 수 있다. 반도체층(317)은 일단에 구동 트랜지스터(T32)와 제1전극(330) 사이의 노드에 연결된 드레인영역(317a)과, 타단에 기준전압라인(318)과 연결된 소스영역(317c), 드레인영역(317a)과 소스영역(317c) 사이의 채널영역(317b)을 포함할 수 있다.For example, the third transistor T33 may include a gate electrode connected to the second scan line 315, a semiconductor layer 317, and a source / drain electrode. The semiconductor layer 317 has a drain region 317a connected to a node between the driving transistor T32 and the first electrode 330 at one end and a source region 317c connected to the reference voltage line 318 at the other end, And a channel region 317b between source region 317a and source region 317c.

한편, 제2화소영역(PA')은 회로영역(CA')과 발광영역(EA')을 포함하고, 구체적인 구성들은 제1화소영역(PA)과 동일하다. 다만, 제2화소영역(PA')은 제1화소영역(PA)과 동일한 형태로 형성될 수 있지만, 대칭을 이루어 형성될 수도 있다.Meanwhile, the second pixel area PA 'includes a circuit area CA' and a light emitting area EA ', and specific configurations are the same as the first pixel area PA. However, the second pixel region PA 'may be formed in the same shape as the first pixel region PA, but may be formed symmetrically.

제1실시예에 따르면, 제1화소영역(PA)을 예로 들어 설명하면, 발광영역(EA)에서 제1라인(310)과 제2라인(312)과의 이격거리(tE)는, 회로영역(CA)에서의 제1라인(310)과 제2라인(312)과의 이격거리(tC)보다 짧게 형성될 수 있다. 도 3a와 도 3b에서는 설명의 편의를 위하여, 하나의 화소영역(PA)에서의 제1라인(310)과 제2라인(312) 사이의 이격거리와, 하나의 화소영역(PA)에서의 제2라인(312)과 인접한 다른 화소영역(PA)에서의 제1라인(310)과의 이격거리를 임의적으로 도시하였지만, 이에 제한되지 않고 다양한 이격거리로 형성될 수 있다.. 또한 제2라인(312)의 꺾인 형상 또한 이에 제한되지 않는다. 뿐만 아니라 제1라인(312)이 직선 형태가 아닌 꺾인 형상일 수 있다.The distance t e between the first line 310 and the second line 312 in the light emitting region EA is set to be smaller than the distance t e between the first line 310 and the second line 312. In the first embodiment, May be formed to be shorter than the separation distance t C between the first line 310 and the second line 312 in the area CA. 3A and 3B, for the sake of convenience of description, the distances between the first line 310 and the second line 312 in one pixel area PA and the distances between the first line 310 and the second line 312 in one pixel area PA The distance between the second line 312 and the first line 310 in another adjacent pixel area PA is arbitrarily shown, but it is not limited thereto and may be formed with various spacing distances. 312 is also not limited to this. In addition, the first line 312 may have a bent shape rather than a straight line shape.

한편, 유기전계발광소자(300)는, 화소전극(330)에 가장자리가 중첩되는 뱅크(332), 노출된 화소전극(330) 상에 형성된 1층 이상의 유기층(334), 유기층(334) 상에 형성되는 공통전극(336) 및 공통전극(336) 상에 형성된 봉지층(338)을 포함할 수 있다.On the other hand, the organic electroluminescent device 300 includes a bank 332 in which edges are superimposed on the pixel electrode 330, one or more organic layers 334 formed on the exposed pixel electrodes 330, A common electrode 336 formed on the common electrode 336 and an encapsulation layer 338 formed on the common electrode 336.

제1실시예에 따른 유기전계발광소자(300)는, 도2a와 2b에 도시한 일반적인 유기전계발광소자와 달리, 제1화소영역(PA)의 발광영역(EA)에서, 제2라인(312)과 인접한 제2화소영역(PA')의 제1라인(310') 간에 충분한 이격거리가 존재하기 때문에 라인간 단락이 발생하지 않거나, 현저하게 발생빈도가 감소하는 효과가 발생할 수 있다.The organic electroluminescent device 300 according to the first embodiment differs from the conventional organic electroluminescent devices shown in Figs. 2A and 2B in that the second line 312 ) And the first line 310 'of the adjacent second pixel area PA', there is a possibility that the short-circuit is not generated or the occurrence frequency is remarkably reduced.

한편, 제1화소영역(PA) 화소전극(330)과 인접한 제2화소영역(PA')의 화소전극(330')과의 이격거리(t1)는, 제1화소영역(PA)의 제2라인(312)과 제2화소영역(PA')의 제1라인(310')과의 최소 이격거리(t2)보다 짧게 형성될 수 있다. 다시 말해서, 화소전극(330)의 제1방향(도면에서의 가로방향)으로의 폭이, 회로영역(CA)의 제1라인(310)과 제2라인(312) 간의 폭(이격거리)보다 크게 형성될 수 있다. 이는 이웃한 발광영역(EA)의 라인들 간의 간격을 증가시킴으로써 단락(short)의 가능성이 감소하기 때문이다. 여기서, 최소 이격거리(t2)라 함은, 제1화소영역(PA)의 제2라인(312)과 제2화소영역(PA')의 제1라인(310') 간의 이격거리 중 가장 짧은 거리를 의미하고, 이는 제2라인(312)의 형상이 가변적이므로 정의된 것이다.The distance t 1 between the pixel electrode 330 of the first pixel area PA and the pixel electrode 330 'of the adjacent second pixel area PA' May be formed to be shorter than the minimum separation distance (t 2 ) between the second line 312 and the first line 310 'of the second pixel area PA'. In other words, the width of the pixel electrode 330 in the first direction (the lateral direction in the drawing) is larger than the width (spacing distance) between the first line 310 and the second line 312 of the circuit area CA Can be largely formed. This is because the possibility of a short is reduced by increasing the spacing between the lines of the neighboring light emitting area EA. Here, the minimum separation distance t 2 is the shortest distance between the second line 312 of the first pixel area PA and the first line 310 'of the second pixel area PA' Distance ", which is defined because the shape of the second line 312 is variable.

따라서, 일반적인 유기전계발광소자(200)에 비해 화소전극(330)의 제1방향(도면에서의 가로방향)으로의 폭이 증가함에 따라 유기전계발광소자(300)의 개구율이 향상되는 효과가 있다. Accordingly, the aperture ratio of the organic electroluminescent device 300 is improved as the width of the pixel electrode 330 in the first direction (the lateral direction in the drawing) increases as compared with the general organic electroluminescent device 200 .

한편, 화소영역(PA, PA')의 제1라인(310, 310') 및 제2라인(312, 312')은 금속층(310b, 312b)과 산화금속층(310a, 312a)을 포함하는 다수층으로 형성될 수 있다. 제1실시예에 따른 유기전계발광소자(300)를 도시한 도 3b에는 설명의 편의를 위하여 이중층으로 형성된 경우를 도시하였으나, 이에 제한되지 않는다.The first lines 310 and 310 'and the second lines 312 and 312' of the pixel regions PA and PA 'may include a plurality of layers including metal layers 310b and 312b and metal oxide layers 310a and 312a. As shown in FIG. Although FIG. 3B illustrating the organic light emitting device 300 according to the first embodiment is formed as a double layer for convenience of explanation, the present invention is not limited thereto.

구체적으로, 제1라인(310)은 제1하부층(310a)과 제1상부층(312a)으로, 제2라인(312)은 제2하부층(312a)과 제2상부층(312b)으로 이루어질 수 있다. 여기서, 제1하부층(310a)과 제2하부층(312a)은 ITO, IZO, NbO 등의 투명 전도성 산화금속층(Transparent Conductive Oxide metal, TCO)등의 물질로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 반면 제1상부층(312a)과 제2상부층(312b)은 Cu, Al, Mo, MoTi, Ag, Au 등의 금속 계열로 이루어질 수 있다. Specifically, the first line 310 may include a first lower layer 310a and a first upper layer 312a, and the second line 312 may include a second lower layer 312a and a second upper layer 312b. Here, the first lower layer 310a and the second lower layer 312a may be made of a transparent conductive oxide metal (TCO) such as ITO, IZO, or NbO, but the present invention is not limited thereto. On the other hand, the first upper layer 312a and the second upper layer 312b may be made of metal such as Cu, Al, Mo, MoTi, Ag, or Au.

제1라인(310)과 제2라인(312)은 ITO/MOti/Cu, ITO/Cu 또는 NBO/ITO/Cu의 삼중층 구조로 이루어질 수 있고, 금속과 산화금속을 다양하게 조합하여 형성될 수도 있다.The first line 310 and the second line 312 may have a triple layer structure of ITO / MOti / Cu, ITO / Cu or NBO / ITO / Cu, and may be formed by various combinations of metals and metal oxides have.

여기서, 산화금속은 유기전계발광소자(300) 내부로 진입한 광의 위상을 지연시키는 반사방지막의 역할을 하여, 유기전계발광소자(300)의 휘도를 향상시키는 효과를 발생시킬 수 있다. Here, the metal oxide serves as an antireflection film for retarding the phase of light entering the organic electroluminescent device 300, thereby improving the brightness of the organic electroluminescent device 300.

도 5a는 제2실시예에 따른 유기전계발광소자의 개략적인 평면도이고, 도 5b는 도 5a의 C-C'를 절단한 유기전계발광소자의 개략적인 단면도이며, 도 5c는 도 3a의 D-D'를 절단한 유기전계발광소자의 개략적인 단면도이다.FIG. 5A is a schematic plan view of the organic electroluminescent device according to the second embodiment, FIG. 5B is a schematic cross-sectional view of the organic electroluminescent device cut along line C-C 'in FIG. 5A, Sectional view of an organic electroluminescent device obtained by cutting off D '.

도 5a 내지 도 5c를 참조하면, 유기전계발광소자(500)는, 기판에 형성된 스캔라인(515), 스캔라인(515) 상에 형성된 제1절연막(504), 제1절연막(504) 상에 형성되고, 소스영역(517c), 드레인영역(517a) 및 채널영역(517b)이 일체로 이루어진 반도체층(517)과, 스캔라인(515)에 연결된 게이트(gate, 515')를 포함하는 센싱(sensing)트랜지스터(T53), 스캔라인(515)과 평행한 방향으로 스캔라인(515) 상에서 형성되고, 컨택홀(513f)을 통해 소스영역(517c) 또는 드레인영역(517a)과 연결되는 전압라인(518)을 포함할 수 있다.5A to 5C, the organic electroluminescent device 500 includes a scan line 515 formed on a substrate, a first insulation layer 504 formed on the scan line 515, a first insulation layer 504 formed on the first insulation layer 504, And includes a semiconductor layer 517 having a source region 517c, a drain region 517a and a channel region 517b formed integrally and a gate 515 'connected to the scan line 515 sensing transistor T53 and a voltage line formed on the scan line 515 in a direction parallel to the scan line 515 and connected to the source region 517c or the drain region 517a through the contact hole 513f 518).

구체적으로, 소스영역(517c)과 드레인영역(517a)은 설명의 편의를 위하여 구분한 것으로서, 소스영역(517c)과 드레인영역(517a)은 서로 바뀔 수 있다. 소스영역(517c)은 채널영역(517b)의 일단에 연결되고 도체화되고, 드레인영역(517a)은 채널영역(517b)의 타단에 연결되고 구동트랜지스터(T52)와 화소전극(530) 사이의 노드에 연결될 수 있으나 이에 제한되지 않는다. Specifically, the source region 517c and the drain region 517a are separated for convenience of description, and the source region 517c and the drain region 517a may be interchanged. The source region 517c is connected to one end of the channel region 517b and is made conductive and the drain region 517a is connected to the other end of the channel region 517b and is connected to the node between the driving transistor T52 and the pixel electrode 530 But is not limited thereto.

전압라인(518)은 기준전압라인일 수 있고, 센싱트랜지스터(T53) 상에 형성되고, 컨택홀(513f)을 통해 반도체층(517)의 소스영역(517c)에 연결되며, 제1방향으로 적어도 일부가 스캔라인(515)과 중첩될 수 있다.The voltage line 518 may be a reference voltage line and is formed on the sensing transistor T53 and is connected to the source region 517c of the semiconductor layer 517 through the contact hole 513f, Some of which may overlap scan line 515.

전기적 연결관계에 있어서, 도 5a 내지 도 5c를 참조하면, 화소영역(PA)의 제1전극(530)은 제3컨택홀(513c)과 제4컨택홀(513d)을 통해 제2트랜지스터(T52)의 일단과 연결되고, 제2트랜지스터(T52)의 타단은 제7컨택홀(513h)을 통해 제2라인(512)과 연결된다. 한편 스토리지 캐패시터(Cstg)는 제2컨택홀(513b)을 통해 제1트랜지스터(T51)의 일단 연결되고, 제1트랜지스터(T51)의 타단은 제1컨택홀(513a)을 통해 제1라인(510)에 연결된다. 한편, 제3라인(514)은 제1트랜지스터(T51)에 연결된다. 한편, 제3트랜지스터(T53)의 일단은 제6컨택홀(513f)을 통하여 제5라인(518)에 연결되고, 타단은 제4컨택홀(513d)을 통하여 제2트랜지스터(T52), 스토리지 캐패시터(Cstg)에 연결된다. 제2트랜지스터(T52)의 게이트는 제5컨택홀(513e)을 통해 제1트랜지스터(T51)에 연결된다. 여기서 제4라인(515)은 스캔라인, 제5라인(518)은 기준전압라인일 수 있다.5A to 5C, the first electrode 530 of the pixel region PA is electrically connected to the second transistor T52 through the third contact hole 513c and the fourth contact hole 513d, And the other end of the second transistor T52 is connected to the second line 512 through the seventh contact hole 513h. The storage capacitor Cstg is connected to one end of the first transistor T51 through the second contact hole 513b and the other end of the first transistor T51 is connected to the first line 510 through the first contact hole 513a. . On the other hand, the third line 514 is connected to the first transistor T51. One end of the third transistor T53 is connected to the fifth line 518 through the sixth contact hole 513f and the other end is connected to the second transistor T52 through the fourth contact hole 513d, (Cstg). The gate of the second transistor T52 is connected to the first transistor T51 through the fifth contact hole 513e. Here, the fourth line 515 may be a scan line, and the fifth line 518 may be a reference voltage line.

제2실시예에 따른 유기전계발광소자(500)는, 제1실시예와 비교하면, 제5라인(518)의 적어도 일부가 스캔라인(515)과 중첩되어 제1라인(510)과 제2라인(512)의 상부에 위치하고, 전압라인(518)은 제6컨택홀(513f)를 통해 소스영역(517c)에 접촉하여 전기적으로 연결되도록 형성될 수 있다. 한편, 도 5c를 참조하면, 도 5a를 C-C'를 따라 절단했을 경우, 소스영역(517c)가 아닌 채널영역(517b)가 단면도에 도시된다.The organic electroluminescent device 500 according to the second embodiment is different from the first embodiment in that at least a part of the fifth line 518 overlaps with the scan line 515, And the voltage line 518 may be formed to be in contact with and electrically connected to the source region 517c through the sixth contact hole 513f. 5C, a channel region 517b, which is not the source region 517c, is shown in cross-section when FIG. 5A is cut along C-C '.

한편, 전압라인(518)은 금속층(518b)과 산화금속층(518a)을 포함하는 다수층으로 형성될 수 있다. 산화금속층(518a) ITO, IZO 등의 투명 전도성 산화금속층(Transparent Conductive Oxide metal, TCO)의 물질로 이루어질 수 있고, 금속층(518b) Cu, Al, Mo, MoTi, Ag, Au 등의 금속 계열의 물질로 이루어질 수 있다. Meanwhile, the voltage line 518 may be formed of a plurality of layers including a metal layer 518b and a metal oxide layer 518a. The metal oxide layer 518a may be made of a transparent conductive oxide metal layer such as ITO or IZO and the metal layer 518b may be made of a metal material such as Cu, Al, Mo, MoTi, Ag, ≪ / RTI >

이러한 이중층 구조는, 화소전극(530)을 형성할 경우 같이 형성될 수 있고, 이 경우 화소전극(530)의 금속층은 포토리소그래피(photolithography) 공정과 에싱(ashing) 공정을 통해 제거되면서, 화소전극(530)은 투명전극으로 형성될 수 있다. 따라서 기준전압라인(518)의 산화금속층(518a)은 화소전극(530)과 같은 재료로 이루어질 수 있다.In this case, the metal layer of the pixel electrode 530 is removed through a photolithography process and an ashing process, and the pixel electrode 530 is formed in the same manner as the pixel electrode 530. In this case, 530 may be formed as transparent electrodes. The metal oxide layer 518a of the reference voltage line 518 may be made of the same material as the pixel electrode 530. [

제2실시예에 따른 유기전계발광소자(500)는 전압라인(518)이 스캔라인(515) 상으로 적층됨에 따라, 일반적인 유기전계발광소자(200)에 비해 개구율을 보다 많이 확보할 수 있는 효과가 있다.The organic electroluminescent device 500 according to the second embodiment is advantageous in that the aperture ratio can be secured more than the conventional organic electroluminescent device 200 as the voltage line 518 is stacked on the scan line 515 .

전술한 제2실시예에 따른 유기전계발광소자(500)에 대한 설명은, 일예로서 설명된 것이고, 제3라인(514) 내지 전압라인(518) 중 두 라인 이상이 상/하 구조로 적층됨으로써, 개구율이 확보될 수 있다.The description of the organic electroluminescent device 500 according to the second embodiment described above has been described as an example. By stacking two or more lines of the third line 514 to the voltage line 518 in an upper / lower structure , The aperture ratio can be secured.

도 6a는 제3실시예에 따른 유기전계발광소자의 개략적인 평면도이고, 도 6b는 도 6a의 E-E'를 절단한 개략적인 단면도이다.FIG. 6A is a schematic plan view of an organic electroluminescent device according to a third embodiment, and FIG. 6B is a schematic cross-sectional view taken along line E-E 'in FIG. 6A.

도 6a와 도 6b를 참조하면, 유기전계발광소자(600)는 기판(602) 상에 형성된 제1절연막(604), 제1절연막(604) 상에 형성된 반도체층(617c), 반도체층(617c) 상에 형성되고 반도체층(617c)을 노출시키는 개구부(613f)를 포함하는 제2절연막(609), 노출된 상기 반도체층(617c) 상에 형성된 제3절연막(621), 제3절연막(621) 상에 형성된 금속층(618), 개구부(613f)를 통해 금속층(618a)과 반도체층(617c)에 동시에 접촉되는 소스-드레인 전극(616) 및 소스-드레인 전극(616) 상에 형성된 제4절연막(619)을 포함할 수 있다. 여기서, 금속층(618a)은 기준전압라인(618)에 연결된다.6A and 6B, the organic electroluminescent device 600 includes a first insulating layer 604 formed on a substrate 602, a semiconductor layer 617c formed on the first insulating layer 604, a semiconductor layer 617c A second insulating film 609 formed on the exposed semiconductor layer 617c and including an opening 613f exposing the semiconductor layer 617c, a third insulating film 621 formed on the exposed semiconductor layer 617c, a third insulating film 621 Drain electrodes 616 formed on the source and drain electrodes 616 and the source and drain electrodes 616 which are simultaneously in contact with the metal layer 618a and the semiconductor layer 617c through the openings 613f, Gt; 619 < / RTI > Here, the metal layer 618a is connected to the reference voltage line 618.

제1라인(610), 제2라인(612), 제3라인(614), 제4라인(615), 제1컨택홀 내지 제5컨택홀(610a 내지 610e), 제7컨택홀(613h), 트랜지스터들(T61, T62, T63), 스토리지 캐패시터(Cstg) 및 화소전극(630) 등의 구성요소들에 대한 설명과 전기적 연결관계에 대한 설명은 전술한 실시예들과 동일하므로 생략한다.The first line 610, the second line 612, the third line 614, the fourth line 615, the first to fifth contact holes 610a to 610e, the seventh contact hole 613h, The transistors T61, T62, and T63, the storage capacitor Cstg, and the pixel electrode 630 are the same as those of the above-described embodiments.

제3실시예에 따른 유기전계발광소자(600)에서, 기준전압라인(618)과 연결된 금속층(618a)과 반도체층(617)의 소스영역(617c)이 소스-드레인 전극(616)에 동시에 접촉됨으로써 제3트랜지스터인 센싱트랜지스터(T63)가 형성될 수 있다. 접촉 통로는, 다른 실시예들에서 기재한 컨택홀의 역할을 하는, 제2절연막(609) 상의 개구부(613f)이다. In the organic EL device 600 according to the third embodiment, the metal layer 618a connected to the reference voltage line 618 and the source region 617c of the semiconductor layer 617 contact the source-drain electrode 616 simultaneously The sensing transistor T63 which is the third transistor can be formed. The contact path is an opening 613f on the second insulating film 609, which serves as a contact hole described in other embodiments.

소스-드레인 전극(616)은 제2절연막(609)의 일부와, 개구부(613f) 및 금속층(618a)를 덮도록 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.The source-drain electrode 616 may be formed to cover a part of the second insulating film 609, the opening 613f, and the metal layer 618a, but is not limited thereto.

제3실시예에 따른 유기전계발광소자(600)는 소스-드레인 전극(616)이 금속층(618a)과 반도체층(617)의 소스영역(617c)에 동시에 접촉됨으로써, 일반적인 유기전계발광소자(200)에 비해 컨택홀의 개수를 감소시킴으로서, 보다 큰 개구율을 확보할 수 있게 된다.The organic electroluminescent device 600 according to the third embodiment has the same structure as that of the conventional organic electroluminescent device 200 by simultaneously contacting the source and drain electrodes 616 to the metal layer 618a and the source region 617c of the semiconductor layer 617, , It is possible to secure a larger aperture ratio by reducing the number of contact holes.

도 7은 제4실시예에 따른 유기전계발광소자의 개략적인 단면도이다.7 is a schematic cross-sectional view of an organic electroluminescent device according to a fourth embodiment.

도 7을 참조하면, 유기전계발광소자(700)는 발광영역(미도시) 및 회로영역(미도시)으로 이루어진 다수의 화소영역을 포함하는 기판(702), 발광영역(미도시)에 형성되고, 기판(702)을 노출시키는 개구부(750)가 형성된 절연막(740, 742, 744) 및 개구부(750)를 통해 기판(702) 상에 형성된 화소전극(730)을 포함할 수 있다.7, an organic electroluminescent device 700 includes a substrate 702 including a plurality of pixel regions formed of a light emitting region (not shown) and a circuit region (not shown), a light emitting region (not shown) An insulating film 740, 742 and 744 formed with an opening 750 for exposing the substrate 702 and a pixel electrode 730 formed on the substrate 702 through the opening 750.

기판(702) 상에는 제1절연막(740)이 형성되고, 제1절연막(740) 상에는, 제1라인(710)과 제2라인(712)이 형성될 수 있다. 여기서 제1라인(710)은 데이터라인일 수 있고, 제2라인(712)은 전압라인일 수 있다.A first insulating layer 740 may be formed on the substrate 702 and a first line 710 and a second line 712 may be formed on the first insulating layer 740. Where the first line 710 may be a data line and the second line 712 may be a voltage line.

한편, 제1라인(710)과 제2라인(712)을 덮도록, 제1절연막(740) 상에는 제2절연막(742)이 형성되고, 제2절연막(742) 상에는 제3절연막(744)이 형성될 수 있다. 절연막들(740, 742, 744)은 질화실리콘 또는 산화실리콘의 단일층 또는 다수층으로 형성될 수 있다.A second insulating layer 742 is formed on the first insulating layer 740 and a third insulating layer 744 is formed on the second insulating layer 742 to cover the first line 710 and the second line 712. [ . The insulating films 740, 742, and 744 may be formed of a single layer or multiple layers of silicon nitride or silicon oxide.

발광영역(미도시)에는 제1절연막(740), 제2절연막(742) 및 제3절연막(744)을 모두 관통하는 개구부(750)가 형성되고, 개구부(750)는 기판(702)의 일면을 노출시킬 수 있다. 다만, 개구부는(750) 이에 제한되지 않고, 제2절연막(742)과 제3절연막(744)을 관통하여 형성되어 제1절연막(740)의 일면을 노출시킬 수 있고, 제2절연막(742)을 노출시킬 수도 있다.An opening 750 is formed through the first insulating film 740, the second insulating film 742 and the third insulating film 744 in the light emitting region (not shown) . The opening may be formed through the second insulating film 742 and the third insulating film 744 to expose one surface of the first insulating film 740 and the second insulating film 742, .

화소전극(730)은 개구부(750)의 측면과 제2절연막(744)의 상부의 일면까지 연장되어 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 화소전극(730)은 ITO, IZO 등의 투명 전도성 물질로 이루어질 수 있다.The pixel electrode 730 may extend to one side of the opening 750 and the upper surface of the second insulating film 744, but is not limited thereto. The pixel electrode 730 may be formed of a transparent conductive material such as ITO or IZO.

한편, 화소전극(730) 상에는 1층 이상의 유기층(미도시)이 적층될 수 있고, 유기층 상에는 공통전극(미도시)이 형성될 수 있다. 또한 이러한 유기층과 공통전극 상에는 수분과 산소로부터 유기층을 보호하는 패시베이션층(746)과 봉지층(748)이 형성될 수 있다.On the other hand, one or more organic layers (not shown) may be stacked on the pixel electrode 730, and a common electrode (not shown) may be formed on the organic layer. A passivation layer 746 and an encapsulation layer 748 may be formed on the organic layer and the common electrode to protect the organic layer from moisture and oxygen.

제4실시예에 따른 유기전계발광소자(700)는 하부발광(bottom emission) 방식에 있어서, 화소전극(730)과 기판(702) 또는 제1절연막(740) 사이의 이격거리를 감소시킴으로써, 광의 손실을 최소화하여, 유기전계발광소자(700)의 휘도가 증가하는 효과를 발생시킬 수 있다. The organic electroluminescent device 700 according to the fourth embodiment reduces the separation distance between the pixel electrode 730 and the substrate 702 or the first insulating film 740 in a bottom emission method, The loss can be minimized, and the effect of increasing the brightness of the organic electroluminescent device 700 can be generated.

또한, 개구부(750)이 발광영역(미도시)을 정의하는 단차의 역할을 하기 때문에, 별도로 뱅크(미도시)를 형성할 필요가 없다. 따라서 유기전계발광소자(700)의 두께를 감소시킬 수 있고, 공정상에 이점을 갖는다.In addition, since the opening 750 serves as a step for defining a light emitting region (not shown), it is not necessary to form a bank (not shown) separately. Therefore, the thickness of the organic electroluminescent device 700 can be reduced, and the process has an advantage.

도 8은 제5실시예에 따른 유기전계발광소자의 개략적인 단면도이고, 도 9는 제5실시예에 따른 유기전계발광소자에 대하여 시야각에 따른 반사율을 측정한 그래프이다.FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of an organic electroluminescent device according to a fifth embodiment, and FIG. 9 is a graph illustrating reflectance according to a viewing angle of the organic electroluminescent device according to the fifth embodiment.

도 8을 참조하면, 유기전계발광소자(800)는 기판(802) 상에 형성되고 금속 또는 그 합금으로 이루어진 화소전극(830), 화소전극(830)과 가장자리가 중첩하는 뱅크(832), 뱅크(832)에 의해 노출된 화소전극(830) 상에 형성된 1층 이상의 유기층(834), 유기층(834) 상에 형성된 공통전극(836), 공통전극(836) 상에 순차적으로 형성된 패시베이션층(840)과 봉지층(848)을 포함할 수 있다.8, the organic electroluminescent device 800 includes a pixel electrode 830 formed on a substrate 802 and made of a metal or an alloy thereof, a bank 832 having edges overlapping the pixel electrode 830, A common electrode 836 formed on the organic layer 834 and a passivation layer 840 sequentially formed on the common electrode 836. The passivation layer 840 is formed on the pixel electrode 830 exposed by the passivation layer 832, And an encapsulation layer 848,

구체적으로, 화소전극(830)은, 0°~ ±90°의 시야각에서 반사율이 80% 이상일 수 있다. 또한 시야각이 -20°미만 또는 +20°초과인 경우의 반사율은 80% 이상 85% 미만이고, 시야각이 -20°~ +20°인 경우의 반사율은 85% 이상일 수 있다.Specifically, the pixel electrode 830 may have a reflectance of 80% or more at a viewing angle of 0 [deg.] To 90 [deg.]. Also, the reflectance when the viewing angle is less than -20 ° or more than + 20 ° is 80% or more and less than 85%, and the reflectance when the viewing angle is -20 ° to + 20 ° can be 85% or more.

우선, 유기전계발광소자(800)는 상부발광(top emission) 방식일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.First, the organic electroluminescent device 800 may be a top emission type, but is not limited thereto.

화소전극(830)은 Al과 Mg와 같은 반사율이 높은 금속으로 이루어질 수 있고, 제1금속, 예를 들어 Al 등과 제2금속, 예를 들어 Mg 등이 일정 비율로 구성된 합금의 단일층 또는 이들의 다수층일 수도 있다. 또한 ITO, IZO와 같은 투명 도전성 물질 상에 금속 또는 합금을 적층시킬 수도 있으나, 이에 제한되지 않는다.The pixel electrode 830 may be made of a metal having a high reflectivity such as Al and Mg and may be a single layer of an alloy composed of a first metal such as Al and a second metal such as Mg, Or may be a plurality of layers. Further, a metal or an alloy may be laminated on a transparent conductive material such as ITO or IZO, but the present invention is not limited thereto.

화소전극(830)의 공통전극(830)에 대향하는 면은, 표면 처리가 되어, 화소전극(830)의 두께가 불균일하게 형성되는데, 이 면은 나노 단위의 거칠기(roughness)를 갖는다. 표면 처리는 플라즈마 처리 또는 에칭 용액에 의한 처리일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 예를 들어 플라즈마 표면 처리는 SF6, Cl2 계열의 가스와 압력 조건에서 이루어질 수 있다. The surface of the pixel electrode 830 facing the common electrode 830 is surface-treated, and the thickness of the pixel electrode 830 is formed non-uniformly, which surface has a roughness of nano unit. The surface treatment may be a plasma treatment or a treatment with an etching solution, but is not limited thereto. For example, plasma surface treatment can be performed under SF 6 , Cl 2 gas and pressure conditions.

도 9를 참조하면, 플라즈마 처리가 되지 않은 조건(Ref.)에서의 시야각에 따른 반사율에 비해, 플라즈마 처리가 되었을 경우, 현저한 반사율의 증가를 볼 수 있다. 구체적으로, 60초 동안 플라즈마 처리가 된 경우에 비해, 80초 동안 플라즈마 처리가 이루어진 경우 반사율이 높고, 60초 동안 Referring to FIG. 9, when the plasma treatment is performed, an increase in the reflectance is remarkable as compared with the reflectance according to the viewing angle in the condition (Ref.) In which no plasma treatment is performed. Specifically, when the plasma treatment is performed for 80 seconds, the reflectance is high, and when the plasma treatment is performed for 60 seconds

전술한 바와 같이, 0°~ ±90°의 시야각에서 반사율이 80% 이상일 수 있고, 구체적으로는 시야각이 -20°미만 또는 +20°초과인 경우의 반사율은 80% 이상 85% 미만이고, 시야각이 -20°~ +20°인 경우의 반사율은 85% 이상일 수 있다.As described above, the reflectance may be 80% or more at a viewing angle of 0 ° to ± 90 °. Specifically, when the viewing angle is less than -20 ° or exceeds +20 °, the reflectance is 80% or more and less than 85% The reflectance in the case of -20 ° to + 20 ° may be 85% or more.

이러한 효과는 플라즈마 처리에 의해, 화소전극(830)의 표면이 거칠기를 가짐으로써, 유기층(834)에서 발생된 광이 화소전극(830)에 도달하여, 난반사가 이루어짐으로 인해 발생한다.This effect is caused by the fact that the light generated in the organic layer 834 reaches the pixel electrode 830 due to the roughness of the surface of the pixel electrode 830 by the plasma treatment and the diffused reflection occurs.

이상 도면을 참조하여 실시예들을 설명하였으나 본 발명은 이에 제한되지 않는다. Although the embodiments have been described with reference to the drawings, the present invention is not limited thereto.

이상에서 기재된 "포함하다", "구성하다" 또는 "가지다" 등의 용어는, 특별히 반대되는 기재가 없는 한, 해당 구성 요소가 내재될 수 있음을 의미하는 것이므로, 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것으로 해석되어야 한다. 기술적이거나 과학적인 용어를 포함한 모든 용어들은, 다르게 정의되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 사전에 정의된 용어와 같이 일반적으로 사용되는 용어들은 관련 기술의 문맥 상의 의미와 일치하는 것으로 해석되어야 하며, 본 발명에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.It is to be understood that the terms "comprises", "comprising", or "having" as used in the foregoing description mean that the constituent element can be implanted unless specifically stated to the contrary, But should be construed as further including other elements. All terms, including technical and scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs, unless otherwise defined. Commonly used terms, such as predefined terms, should be interpreted to be consistent with the contextual meanings of the related art, and are not to be construed as ideal or overly formal, unless expressly defined to the contrary.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The foregoing description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and various changes and modifications may be made by those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

302: 기판 310: 제1라인
312: 제2라인 314: 제3라인
315: 제4라인 318: 제5라인
317: 반도체층 330: 화소전극302: substrate 310: first line
312: second line 314: third line
315: fourth line 318: fifth line
317: Semiconductor layer 330: Pixel electrode

Claims (12)

발광영역 및 회로영역으로 이루어진 다수의 화소영역을 포함하는 기판;
상기 기판 상에 형성되며 상기 회로영역에 형성된 제1트랜지스터로 제1전압을 공급하는 제1라인; 및
상기 기판 상에 형성되며, 상기 회로영역에 형성된 제2트랜지스터로 제2전압을 공급하고, 상기 발광영역에서 상기 제1라인과의 이격거리가 상기 회로영역에서 상기 제1라인과의 이격거리보다 짧게 형성된 제2라인을 포함하는 유기전계발광소자.A substrate including a plurality of pixel regions each made up of a light emitting region and a circuit region;
A first line formed on the substrate and supplying a first voltage to a first transistor formed in the circuit region; And
And a second transistor formed on the substrate and supplying a second voltage to a second transistor formed in the circuit region, wherein a distance from the first line in the light emitting region is shorter than a distance in the circuit region from the first line And a second line formed thereon. 제 1항에 있어서,
상기 다수의 화소영역 중 인접한 제1화소영역과 제2화소영역에서,
상기 제1화소영역의 화소전극 및 상기 제2화소영역의 화소전극 간의 이격거리는,
상기 제1화소영역의 제1라인 및 제2라인 중 상기 제2화소영역에 인접한 라인과, 상기 제2화소영역의 제1라인 및 제2라인 중 상기 제1화소영역에 인접한 라인 간의 최소 이격거리보다 짧은 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.The method according to claim 1,
In the adjacent first pixel region and the second pixel region among the plurality of pixel regions,
Wherein a distance between the pixel electrode of the first pixel region and the pixel electrode of the second pixel region is a distance
Wherein a minimum distance between a line adjacent to the second pixel region of the first line and the second line of the first pixel region and a line adjacent to the first pixel region among the first line and the second line of the second pixel region, Wherein the organic electroluminescent device has a shorter length than the organic electroluminescent device. 제 1항에 있어서,
상기 제1라인 및 상기 제2라인은 금속층과 산화금속층을 포함하는 다수층으로 형성된 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the first line and the second line are formed of a plurality of layers including a metal layer and a metal oxide layer. 기판에 형성된 스캔라인;
상기 스캔라인 상에 형성된 절연막;
상기 절연막 상에 형성되고, 소스영역, 드레인영역 및 채널영역이 일체로 이루어진 반도체층과, 상기 스캔라인에 연결된 게이트(gate)를 포함하는 센싱(sensing)트랜지스터; 및
상기 스캔라인과 평행한 방향으로 상기 스캔라인 상에서 형성되고, 컨택홀을 통해 상기 소스영역 또는 상기 드레인영역과 연결되는 전압라인을 포함하는 유기전계발광소자.A scan line formed on the substrate;
An insulating layer formed on the scan line;
A sensing transistor formed on the insulating film and including a semiconductor layer having a source region, a drain region, and a channel region, and a gate connected to the scan line; And
And a voltage line formed on the scan line in a direction parallel to the scan line and connected to the source region or the drain region through the contact hole. 제 4항에 있어서,
상기 전압라인은 금속층과 산화금속층을 포함하는 다수층으로 형성된 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.5. The method of claim 4,
Wherein the voltage line is formed of a plurality of layers including a metal layer and a metal oxide layer. 제 5항에 있어서,
상기 전압라인의 상기 산화금속층은 화소전극과 같은 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.6. The method of claim 5,
Wherein the metal oxide layer of the voltage line is made of the same material as the pixel electrode. 기판 상에 형성된 제1절연막;
상기 제1절연막 상에 형성된 반도체층;
상기 반도체층 상에 형성되고 상기 반도체층을 노출시키는 개구부를 포함하는 제2절연막;
노출된 상기 반도체층 상에 형성된 제3절연막;
상기 제3절연막 상에 형성된 금속층; 및
상기 개구부를 통해 상기 금속층과 상기 반도체층에 동시에 접촉되는 소스-드레인 전극을 포함하는 유기전계발광소자.A first insulating film formed on a substrate;
A semiconductor layer formed on the first insulating film;
A second insulating layer formed on the semiconductor layer and including an opening exposing the semiconductor layer;
A third insulating layer formed on the exposed semiconductor layer;
A metal layer formed on the third insulating film; And
And a source-drain electrode which simultaneously contacts the metal layer and the semiconductor layer through the opening. 제 7항에 있어서,
상기 금속층은 기준전압라인에 연결된 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.8. The method of claim 7,
Wherein the metal layer is connected to a reference voltage line. 발광영역 및 회로영역으로 이루어진 다수의 화소영역을 포함하는 기판;
상기 발광영역에 형성되고, 상기 기판을 노출시키는 개구부가 형성된 절연막; 및
상기 개구부를 통해 상기 기판 상에 형성된 화소전극을 포함하는 유기전계발광소자.A substrate including a plurality of pixel regions each made up of a light emitting region and a circuit region;
An insulating layer formed in the light emitting region and having an opening exposing the substrate; And
And a pixel electrode formed on the substrate through the opening. 제 9항에 있어서,
상기 화소전극은 상기 개구부의 측면과 상기 절연막의 일면까지 연장되어 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자. 10. The method of claim 9,
Wherein the pixel electrode extends to a side of the opening and a surface of the insulating layer. 기판 상에 형성되고, 금속 또는 그 합금으로 이루어지며, 0°~ ±90°의 시야각에서 반사율이 80% 이상인 화소전극;
상기 제1전극 상에 형성된 적어도 하나 이상의 유기층; 및
상기 유기층 상에 형성되고 투명 전도성 물질로 이루어진 공통전극을 포함하되,
상기 제1전극의 두께가 불균일한 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.A pixel electrode formed on the substrate, the pixel electrode being made of a metal or an alloy thereof and having a reflectance of 80% or more at a viewing angle of 0 DEG to +/- 90 DEG;
At least one organic layer formed on the first electrode; And
A common electrode formed on the organic layer and made of a transparent conductive material,
Wherein the thickness of the first electrode is non-uniform. 제 11항에 있어서,
상기 제1전극에 있어서, 시야각이 -20°미만 또는 +20°초과인 경우의 반사율은 80% 이상 85% 미만이고, 시야각이 -20°~ +20°인 경우의 반사율은 85% 이상인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.12. The method of claim 11,
The first electrode has a reflectance of 80% or more and less than 85% when the viewing angle is less than -20 ° or more than +20 °, and a reflectance of not less than 85% when the viewing angle is not less than -20 ° to + 20 ° To the organic electroluminescent device.
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