KR20210083091A - Electroluminescence display device - Google Patents
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Abstract
Description
본 명세서는 유기발광 표시장치 및 그 구동방법에 관한 것이다.The present specification relates to an organic light emitting display device and a driving method thereof.
사용자와 정보 간의 연결 매체인 표시장치의 적용 범위가 넓어지고 있고, 이에 따라 유기발광 표시장치를 비롯한 각종 표시장치는 일상적인 전자기기, 예를 들어, 핸드폰, 노트북 등의 화면에 많이 적용되고 있다. The application range of a display device, which is a connection medium between a user and information, is expanding, and accordingly, various display devices including an organic light emitting display device are widely applied to the screens of everyday electronic devices, for example, cell phones and notebook computers.
상기 유기발광 표시장치는 서브 픽셀 내부에 포함된 자발광 소자(발광 다이오드 등)로부터 생성된 빛을 기반으로 영상을 표시하므로, 별도의 광원이 불필요하여 그 두께를 얇게 만들 수 있는 등의 다양한 장점을 지니고 있다. Since the organic light emitting display device displays an image based on light generated from a self-luminous device (light emitting diode, etc.) included in the sub-pixel, there is no need for a separate light source, so the thickness can be made thin. have it
상기 유기발광 표시장치는 서브 픽셀들에 스캔 신호 및 데이터 신호 등이 공급되면, 선택된 서브 픽셀의 발광 소자가 빛을 발광하게 됨으로써 영상을 표시한다. 이를 위하여 상기 유기발광 표시장치는 서브 픽셀들을 구동하는 화소 회로 및 서브 픽셀들에 전원을 공급하는 전원 회로 등을 포함한다. 상기 화소 회로는 스캔 신호(또는 게이트 신호)를 공급하는 스캔 구동 회로 및 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동 회로 등과도 연결된다.In the organic light emitting display device, when a scan signal and a data signal are supplied to the sub-pixels, the light emitting device of the selected sub-pixel emits light to display an image. To this end, the organic light emitting diode display includes a pixel circuit for driving sub-pixels and a power circuit for supplying power to the sub-pixels. The pixel circuit is also connected to a scan driving circuit for supplying a scan signal (or a gate signal) and a data driving circuit for supplying a data voltage.
상기 화소 회로는 서브 픽셀의 구동뿐만 아니라 각종 보상 동작도 추가되고 있어서 점점 복잡해지고 있으며, 이에 따라 예기치 못한 부작용이 나타나기도 한다. 이에 상기 화소 회로의 이상 동작을 최소화하고 동작 성능을 일정하게 유지하기 위한 여러 연구가 이루어지고 있다. The pixel circuit is becoming increasingly complex as various compensation operations are added as well as driving sub-pixels, and thus unexpected side effects may appear. Accordingly, various studies have been made to minimize the abnormal operation of the pixel circuit and to keep the operation performance constant.
본 명세서는 표시 품질이 안정화된 유가발광 표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 더 구체적으로는 본 명세서는 표시 소자의 구동에 영향을 주는 전압 차이를 줄이는 배선 구조를 제공하고자 한다. 본 명세서의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.An object of the present specification is to provide a value-based light emitting display device in which display quality is stabilized. More specifically, an object of the present specification is to provide a wiring structure that reduces a voltage difference affecting driving of a display device. The tasks of the present specification are not limited to the tasks mentioned above, and other tasks not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
본 명세서의 일 실시예에 따른 유가발광 표시장치는, 화소들이 배치된 표시 영역 및 상기 표시 영역 바깥쪽의 비표시 영역을 갖는 기판; 상기 기판 상의 표시 영역에 있고, 상기 화소들을 구동하는 화소 회로; 상기 비표시 영역에 있고, 상기 화소 회로에 전달되는 전원 및 신호가 인가되는 인입부; 상기 인입부로부터 상기 화소 회로로 연장되고, 상기 인입부로부터 가까이 있는 부분의 전기 저항이 상기 인입부로부터 멀리 있는 부분의 전기 저항보다 큰 고전위 전압 라인을 포함할 수 있다.A value emitting display device according to an exemplary embodiment of the present specification includes: a substrate having a display area on which pixels are disposed and a non-display area outside the display area; a pixel circuit in the display area on the substrate and configured to drive the pixels; an inlet in the non-display area to which power and a signal transmitted to the pixel circuit are applied; and a high potential voltage line extending from the lead-in to the pixel circuit, wherein an electrical resistance of a portion close to the lead-in is greater than an electrical resistance of a portion farther from the lead-in.
상기 고전위 전압 라인은, 제1 방향으로 연장하는 제1 고전위 전압 라인; 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장하는 제2 고전위 전압 라인을 포함할 수 있다.The high potential voltage line may include a first high potential voltage line extending in a first direction; and a second high potential voltage line extending in a second direction crossing the first direction.
상기 제2 고전위 전압 라인은 상기 인입부에서 멀어질수록 상기 제2 방향 길이가 길어질 수 있다. 이때, 상기 제2 고전위 전압 라인의 길이는 선형 또는 계단형으로 증가하는 유기발광 표시장치.The length of the second high potential voltage line in the second direction may increase as it moves away from the lead-in part. In this case, the length of the second high potential voltage line increases in a linear or stepwise manner.
상기 제1 고전위 전압 라인과 상기 제2 고전위 전압 라인은 서로 다른 층에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 고전위 전압 라인이 상기 제2 고전위 전압 라인보다 상부 층에 배치될 수 있다. The first high potential voltage line and the second high potential voltage line may be disposed on different layers. For example, the first high potential voltage line may be disposed above the second high potential voltage line.
상기 제1 고전위 전압 라인은, 상기 화소 회로에 포함된 박막 트랜지스터의 소스 또는 드레인 전극과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 그리고, 상기 제2 고전위 전압 라인은, 상기 화소 회로에 포함된 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 한편, 상기 제2 고전위 전압 라인은, 상기 화소 회로에 포함된 박막 트랜지스터의 게이트 전극; 및 소스 또는 드레인 전극 사이의 층에 배치될 수 있다.The first high potential voltage line may be made of the same material as a source or drain electrode of a thin film transistor included in the pixel circuit. In addition, the second high potential voltage line may be made of the same material as the gate electrode of the thin film transistor included in the pixel circuit. Meanwhile, the second high potential voltage line may include a gate electrode of a thin film transistor included in the pixel circuit; and a layer between the source or drain electrodes.
상기 화소 회로에 저전위 전원(VSS)을 전달하는 저전위 전압 라인을 상기 비표시 영역에 더 포함할 수 있다. 상기 저전위 전압 라인은, 상기 인입부로부터 시작되어 표시 영역을 둘러싸며 연장할 수 있다.The non-display area may further include a low-potential voltage line for transmitting the low-potential power VSS to the pixel circuit. The low potential voltage line may start from the lead-in part and extend to surround the display area.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.The details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.
본 명세서의 실시예에 따른 유기발광 표시장치는, 전원 라인의 효과적 배치를 통해 모든 화소들이 균일하게 동작 전원을 수신할 수 있다. 이로써 본 명세서의 실시예들은 표시 균일성이 향상된 표시장치를 제공할 수 있다. 본 명세서의 실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.In the organic light emitting diode display according to the exemplary embodiment of the present specification, all pixels may receive operating power uniformly through an effective arrangement of power lines. Accordingly, the embodiments of the present specification may provide a display device with improved display uniformity. Effects according to the embodiments of the present specification are not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the present specification.
도 1은 본 명세서의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 개략적인 블록도이다.
도 2는 도 1에 도시된 서브 픽셀의 개략적인 블록도이다.
도 3은 본 명세서의 일 실시예에 따른 전원 공급 라인을 나타낸 도면이다.
도 4는 본 명세서의 다른 실시예에 따른 전원 공급 라인을 나타낸 도면이다.
도 5는 본 명세서의 실시예가 적용된 표시장치의 휘도 균일도를 나타낸 도면이다.1 is a schematic block diagram of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present specification.
FIG. 2 is a schematic block diagram of a sub-pixel shown in FIG. 1 .
3 is a view showing a power supply line according to an embodiment of the present specification.
4 is a view showing a power supply line according to another embodiment of the present specification.
5 is a diagram illustrating luminance uniformity of a display device to which an embodiment of the present specification is applied.
본 명세서의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Advantages and features of the present specification and methods of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in a variety of different forms, and only these embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and common knowledge in the technical field to which the present invention belongs It is provided to fully inform the possessor of the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims.
본 명세서의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 명세서가 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. 구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.The shapes, sizes, proportions, angles, numbers, etc. disclosed in the drawings for explaining the embodiments of the present specification are illustrative and the present specification is not limited to the illustrated matters. Like reference numerals refer to like elements throughout. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known technology may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. When 'including', 'having', 'consisting', etc. mentioned in this specification are used, other parts may be added unless 'only' is used. When a component is expressed in the singular, the case in which the plural is included is included unless otherwise explicitly stated. In interpreting the components, it is interpreted as including an error range even if there is no separate explicit description.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다. 소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위 (on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 다른 구성 요소가 "개재"되거나, 각 구성 요소가 다른 구성 요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. In the case of a description of the positional relationship, for example, when the positional relationship of two parts is described as 'on', 'on', 'on', 'beside', etc., 'right' Alternatively, one or more other parts may be positioned between the two parts unless 'directly' is used. Reference to a device or layer “on” another device or layer includes any intervening layer or other device directly on or in the middle of another device. When it is described that a component is “connected”, “coupled” or “connected” to another component, the component may be directly connected or connected to the other component, but other components may be interposed between each component. It will be understood that each component may be “interposed” or “connected”, “coupled” or “connected” through another component.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.Although first, second, etc. are used to describe various elements, these elements are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Accordingly, the first component mentioned below may be the second component within the spirit of the present invention.
도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.The size and thickness of each component shown in the drawings are illustrated for convenience of description, and the present invention is not necessarily limited to the size and thickness of the illustrated component. Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 명세서의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 개략적인 블록도이고, 도 2는 도 1에 도시된 서브 픽셀의 개략적인 블록도이다.FIG. 1 is a schematic block diagram of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present specification, and FIG. 2 is a schematic block diagram of a sub-pixel illustrated in FIG. 1 .
상기 유기발광 표시장치는 영상 처리부(110), 타이밍 제어부(120), 스캔 구동부(130), 데이터 구동부(140), 표시 패널(150) 및 전원 공급부(180)를 포함할 수 있다.The organic light emitting display device may include an
상기 영상 처리부(110)는 외부로부터 공급된 영상 데이터와 더불어 각종 장치를 구동하기 위한 구동 신호를 출력한다. 상기 영상 처리부(110)로부터 출력되는 구동 신호에는 데이터 인에이블 신호, 수직 동기 신호, 수평 동기 신호 및 클럭 신호가 포함될 수 있다.The
상기 타이밍 제어부(120)는 상기 영상 처리부(110)로부터 영상 데이터와 더불어 구동 신호 등을 공급받는다. 타이밍 제어부(120)는 구동 신호에 기초하여 스캔 구동부(130)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어 신호(GDC)와, 데이터 구동부(140)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어 신호(DDC)를 생성/출력한다.The
상기 스캔 구동부(130)는 상기 타이밍 제어부(120)로부터 공급된 게이트 타이밍 제어 신호(GDC)에 응답하여 스캔 신호를 출력한다. 상기 스캔 구동부(130)는 스캔 라인들(GL1~GLm)을 통해 스캔 신호를 출력한다. 상기 스캔 구동부(130)는 IC(Integrated Circuit) 형태로 형성될 수 있다. 상기 스캔 구동부(130)는 표시 패널(150)의 비표시 영역에 게이트 인 패널(Gate In Panel) 형태로 형성될 수 있다. 상기 스캔 구동부(130)는 표시 패널(150)의 좌우측에 각각 배치되거나 어느 일 측에 배치될 수 있다. 상기 스캔 구동부(130)는 다수의 스테이지들로 이루어질 수 있다. 예컨대, 상기 스캔 구동부(130)의 제1 스테이지는 표시 패널(150)의 제1 스캔 라인을 구동하기 위한 제1 스캔 신호를 출력할 수 있다.The
상기 데이터 구동부(140)는 상기 타이밍 제어부(120)로부터 공급된 데이터 타이밍 제어 신호(DDC)에 응답하여 데이터 전압을 출력한다. 데이터 구동부(140)는 타이밍 제어부(120)로부터 공급되는 디지털 형태의 데이터 신호(DATA)를 샘플링하고 래치(latch)하여 감마 기준 전압에 기초한 아날로그 형태의 데이터 전압으로 변환한다. 데이터 구동부(140)는 데이터 라인들(DL1~DLn)을 통해 데이터 전압을 출력한다. 상기 데이터 구동부(140)는 IC(Integrated Circuit) 형태로 형성될 수 있다.The
상기 전원 공급부(180)는 고전위 전압(VDD)과 저전위 전압(VSS) 등을 출력한다. 상기 전원 공급부(180)로부터 출력된 고전위 전압과 저전위 전압 등은 표시 패널(150)에 공급된다. 상기 고전위 전압은 제1 전원 라인(EVDD)을 통해 표시 패널(150)에 공급되고 상기 저전위 전압은 제2 전원 라인(EVSS)을 통해 표시 패널(150)에 공급된다. 상기 전원 공급부(180)로부터 출력된 전압은 상기 데이터 구동부(140)나 상기 스캔 구동부(130)에서 이용되기도 한다.The
상기 표시 패널(150)은 상기 데이터 구동부(140) 및 상기 스캔 구동부(130)로부터 공급된 데이터 전압 및 스캔 신호 그리고 상기 전원 공급부(180)로부터 공급된 전원에 대응하여 영상을 표시한다. 상기 표시 패널(150)은 영상을 표시할 수 있도록 동작하는 서브 픽셀들(SP)을 포함한다.The
상기 서브 픽셀들(SP)은 적색 서브 픽셀, 녹색 서브 픽셀 및 청색 서브 픽셀을 포함하거나 백색 서브 픽셀, 적색 서브 픽셀, 녹색 서브 픽셀 및 청색 서브 픽셀을 포함한다. 상기 서브 픽셀들(SP)은 발광 특성에 따라 하나 이상 다른 발광 면적을 가질 수 있다.The sub-pixels SP include a red sub-pixel, a green sub-pixel and a blue sub-pixel, or include a white sub-pixel, a red sub-pixel, a green sub-pixel, and a blue sub-pixel. The sub-pixels SP may have one or more different emission areas according to emission characteristics.
도 2에 도시된 바와 같이, 하나의 서브 픽셀(SP)은 스캔 라인(GL), 데이터 라인(DL), 제1 전원 라인(EVDD) 및 제2 전원 라인(EVSS)과 연결될 수 있다. 서브 픽셀(SP)은 회로의 구성에 따라 트랜지스터와 커패시터의 개수는 물론 구동 방법이 결정된다. 일 실시예에 따른 서브 픽셀(SP)을 구동하는 회로는 스위칭 트랜지스터, 구동 트랜지스터, 커패시터, 유기발광 다이오드를 포함할 수 있다. 상기 구동 회로는 초기화 기간(t1), 샘플링 기간(t2), 유지 기간(t3) 및 발광 기간(t4)의 순으로 동작할 수 있다. 상기 초기화 기간(t1)은 구동 트랜지스터의 게이트 노드를 초기화시키는 기간이다. 상기 샘플링 기간(t2)은 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 샘플링하면서 유기발광 다이오드(OLED)를 초기화하는 기간이다. 상기 유지 기간(t3)은 데이터 라인을 통해 인가된 데이터 전압(Vdata)을 특정 노드에 유지시키는 기간이다. 상기 발광 기간(t4)은 데이터 전압(Vdata)을 기반으로 생성된 구동 전류로 유기발광 다이오드를 발광시키는 기간이다.As shown in FIG. 2 , one sub-pixel SP may be connected to a scan line GL, a data line DL, a first power line EVDD, and a second power line EVSS. The number of transistors and capacitors as well as a driving method of the sub-pixel SP are determined according to the circuit configuration. A circuit for driving the sub-pixel SP according to an embodiment may include a switching transistor, a driving transistor, a capacitor, and an organic light emitting diode. The driving circuit may operate in the order of an initialization period t1 , a sampling period t2 , a sustain period t3 , and a light emission period t4 . The initialization period t1 is a period for initializing the gate node of the driving transistor. The sampling period t2 is a period in which the organic light emitting diode OLED is initialized while sampling the threshold voltage of the driving transistor. The sustain period t3 is a period in which the data voltage Vdata applied through the data line is maintained at a specific node. The emission period t4 is a period in which the organic light emitting diode emits light with a driving current generated based on the data voltage Vdata.
도 3은 본 명세서의 일 실시예에 따른 전원 공급 라인을 나타낸 도면이다.3 is a view showing a power supply line according to an embodiment of the present specification.
각각의 서브 픽셀(SP)을 구동하는 회로(이하, 화소 회로)에는 여러 종류의 전원이 공급된다. 예를 들어, 상기 화소 회로는 특정 시점마다 초기화 전압(VREF), 고전위 전압(VDD), 저전위 전압(VSS), 데이터 전압(Vdata) 등을 제공받는다. 이에 유기발광 표시장치는 화소 회로에 각종 전원을 전달하는 전원 라인을 포함할 수 있다. Various types of power are supplied to a circuit (hereinafter, referred to as a pixel circuit) for driving each sub-pixel SP. For example, the pixel circuit is provided with an initialization voltage VREF, a high potential voltage VDD, a low potential voltage VSS, and a data voltage Vdata at specific time points. Accordingly, the organic light emitting diode display may include a power supply line that transmits various types of power to the pixel circuit.
상기 전원들 중에서. 상기 저전위 전압(VSS)은 유기발광 다이오드의 캐소드 전극에 공급되고, 상기 고전위 전압(VDD)은 구동 트랜지스터에 공급된다. 도시된 예와 같이 상기 저전위 전압(VSS)은 표시 영역(A/A)을 둘러싼 저전위 전압 라인(EVSS)을 통해 전달될 수 있다. 한편, 상기 고전위 전압(VDD)은 다수 개의 고전위 전압 라인(EVDD1, EVDD2)을 통해 전달될 수 있다. among the above power sources. The low potential voltage VSS is supplied to the cathode electrode of the organic light emitting diode, and the high potential voltage VDD is supplied to the driving transistor. As shown in the illustrated example, the low potential voltage VSS may be transmitted through the low potential voltage line EVSS surrounding the display area A/A. Meanwhile, the high potential voltage VDD may be transmitted through a plurality of high potential voltage lines EVDD1 and EVDD2.
고전위 전압(VDD) 라인의 경우, 제1 방향(예: 세로 방향)으로 연장된 전압 라인(EVDD1)과 제2 방향(예: 가로 방향)으로 연장된 전압 라인(EVDD2)이 그물(mesh) 형상으로 마련될 수 있다. 이러한 그물 형상은, 어느 한 방향으로만 전원 공급 라인이 구비된 형상에 비해 전기 저항을 줄일 수 있어 전원 전달에 더 효율적이다. 하지만, 본 명세서의 발명자들은 도 3과 같은 전원배선 구조에서도 해소되지 않는 몇 가지 문제점을 인지하였다. 그 중 하나는 고전위 전압(VDD)의 강하와 그로 인한 화면 불균일이다. In the case of the high potential voltage (VDD) line, the voltage line EVDD1 extending in the first direction (eg, the vertical direction) and the voltage line EVDD2 extending in the second direction (eg, the horizontal direction) are meshed It may be provided in a shape. Such a net shape can reduce electrical resistance compared to a shape in which the power supply line is provided in only one direction, so that power transmission is more efficient. However, the inventors of the present specification have recognized some problems that are not resolved even in the power wiring structure as shown in FIG. 3 . One of them is the drop of the high potential voltage (VDD) and the resulting screen non-uniformity.
유기발광 다이오드에 필요(목표) 전압을 공급하는 고전위 전압(VDD)은 입력단(PAD)을 통해 인입되어서 라인을 통해 각 화소 회로에 전달되는데, 각종 저항 성분으로 인해 입력단(PAD)에서 먼 픽셀(예: 도 3에서 표시 영역의 아래쪽에 있는 픽셀)에 전달될수록 그 값이 작아지는 현상이 나타난다. The high potential voltage (VDD) that supplies the required (target) voltage to the organic light emitting diode is introduced through the input terminal (PAD) and transmitted to each pixel circuit through a line. Example: A phenomenon in which the value decreases as it is transmitted to the pixel below the display area in FIG. 3 .
이로 인하여 입력단(PAD)에서 먼 픽셀의 휘도는 상대적으로 낮아질 가능성이 있다. 즉, 같은 계조(gray)를 표현하는 신호가 보내지더라도, 입력단(PAD)에서 멀리 있는 픽셀은 가까이 있는 픽셀보다 더 낮은 휘도로 발광하는 문제가 생길 수 있다. 반대로, 입력단(PAD)에서 가까이 있는 픽셀은 멀리 있는 픽셀보다 더 높은 휘도로 발광하는 문제가 나타날 수 있다. 따라서, 사용자에게 표시 영역의 상부와 하부 사이의 표시 불균일이 시인될 수 있다. 이에 본 발명자들은 전압 강하에 기인하여 발생하는 위와 같은 휘도 불균일을 줄일 수 있는 전원 라인 배치를 고안하였다.Due to this, the luminance of a pixel far from the input terminal PAD may be relatively low. That is, even when a signal expressing the same gray level is transmitted, a pixel farther from the input terminal PAD may emit light with a lower luminance than a nearby pixel. Conversely, there may be a problem in that a pixel close to the input terminal PAD emits light with a higher luminance than a pixel farther away. Accordingly, the display unevenness between the upper and lower portions of the display area may be visually recognized by the user. Accordingly, the present inventors have devised a power line arrangement capable of reducing the above-described luminance non-uniformity caused by a voltage drop.
도 4는 본 명세서의 다른 실시예에 따른 전원 공급 라인을 나타낸 도면이다.4 is a view showing a power supply line according to another embodiment of the present specification.
발명자들은 도 3에서 설명된 기준 전압의 변동 문제와 밝기 불균일 문제를 개선할 수 있는 배선 구조를 도출하였다. 상기 개선된 배선 구조는, 전압 라인의 부분별 저항을 달리함으로써 고전위 전압(VDD)의 변동이 최종적 화소 회로에는 영향을 미치지 않도록 고안되었다. 도 4에는 상기 개선 구조가 적용된 전원 공급 라인들이 도시되었다. The inventors have derived a wiring structure capable of improving the reference voltage fluctuation problem and the brightness non-uniformity problem described in FIG. 3 . The improved wiring structure is designed so that variations in the high potential voltage VDD do not affect the final pixel circuit by varying the resistance of each part of the voltage line. 4 shows power supply lines to which the improved structure is applied.
본 실시예에 따른 유기발광 표시장치는, 화소들이 배치된 표시 영역(A/A) 및 상기 표시 영역(A/A) 바깥쪽의 비표시 영역(I/A)을 갖는 기판; 상기 기판 상의 표시 영역(A/A)에 있고, 상기 화소들을 구동하는 화소 회로; 상기 화소 회로에 전달되는 전원 및 신호가 인가되는 인입부(PAD); 상기 인입부(PAD)로부터 상기 화소 회로로 연장되는 고전위 전압 라인(EVDD11, EVDD22)을 포함한다. The organic light emitting diode display according to the present exemplary embodiment includes: a substrate having a display area A/A on which pixels are disposed and a non-display area I/A outside the display area A/A; a pixel circuit in the display area A/A on the substrate and driving the pixels; an inlet (PAD) to which power and signals transmitted to the pixel circuit are applied; and high-potential voltage lines EVDD11 and EVDD22 extending from the lead-in portion PAD to the pixel circuit.
상기 기판은, 그 상부에 배치되는 유기발광 표시장치의 구성요소들을 지지 및 보호하는 역할을 한다. 상기 기판은 플렉서블(Flexible) 특성을 가지는 연성의 물질로 이루어진 플렉서블 기판일 수 있다. 상기 기판은 유리 또는 플라스틱 기판일 수 있다. 플라스틱 기판인 경우, 폴리이미드 계열 또는 폴리 카보네이트 계열 물질이 사용되어 가요성(flexibility)를 가질 수 있다. The substrate serves to support and protect the components of the organic light emitting diode display disposed thereon. The substrate may be a flexible substrate made of a flexible material having a flexible characteristic. The substrate may be a glass or plastic substrate. In the case of a plastic substrate, a polyimide-based or polycarbonate-based material may be used to have flexibility.
상기 표시 영역(A/A)에는 화소(pixel)들의 어레이(array)가 배치된다. 상기 비표시 영역(I/A)은 표시 영역(A/A)의 외곽에 위치할 수 있으며, 표시 영역(A/A)을 둘러싸고 있다. 그러나, 비표시 영역(I/A)의 형태/배치는 도 4에 도시된 예에 한정되지 않는다. 상기 비표시 영역(I/A)에는 구동 회로(예: GIP), 전원 배선 등이 배치될 수 있다. 비표시 영역(I/A)에는 화소 회로 및 발광 소자가 배치되지 않지만 유기/무기 기능 층들은 존재할 수 있다. 또한 상기 비표시 영역(I/A)에는 표시 영역(A/A)의 구성에 사용된 물질들이 다른 용도로 배치될 수 있다. 예를 들어, 표시 영역(A/A) TFT의 게이트 전극과 동일한 금속 또는 소스/드레인 전극과 동일한 금속이 배선 또는 전극용으로 비표시 영역(I/A)에 배치될 수 있다. 더 나아가, 유기발광 다이오드의 일 전극(예: 애노드)과 동일한 금속이 배선, 전극용으로 비표시 영역(I/A)에 배치될 수도 있다.An array of pixels is disposed in the display area A/A. The non-display area I/A may be located outside the display area A/A and surround the display area A/A. However, the shape/arrangement of the non-display area I/A is not limited to the example illustrated in FIG. 4 . In the non-display area I/A, a driving circuit (eg, GIP), a power line, and the like may be disposed. A pixel circuit and a light emitting device are not disposed in the non-display area I/A, but organic/inorganic functional layers may be present. In addition, materials used to form the display area A/A may be disposed in the non-display area I/A for different purposes. For example, the same metal as the gate electrode of the TFT of the display area A/A or the same metal as the source/drain electrodes may be disposed in the non-display area I/A for wiring or electrodes. Furthermore, the same metal as one electrode (eg, an anode) of the organic light emitting diode may be disposed in the non-display area I/A for wiring and electrodes.
상기 화소 회로는 박막 트랜지스터(TFT), 커패시터, 유기발광 다이오드(OLED) 및 각종 신호 라인들로 구성될 수 있다. The pixel circuit may include a thin film transistor (TFT), a capacitor, an organic light emitting diode (OLED), and various signal lines.
상기 박막 트랜지스터는 게이트 전극; 소스 및 드레인 전극; 반도체 층; 및 절연 층을 포함한다. 상기 반도체 층은 비정질 실리콘(Amorphous Silicon) 또는 다결정 실리콘(Polycrystalline Silicon)로 구성될 수 있다. 다결정 실리콘은, 비정질 실리콘보다 우수한 이동도(Mobility)를 가져서 에너지 소비 전력이 낮고 신뢰성이 우수하다. 최근에는 산화물(Oxide) 반도체가 이동도와 균일도가 우수하여 각광받고 있다. 상기 반도체 층은 p형 또는 n형의 불순물을 포함하는 소스 영역(Source Region), 드레인 영역(Drain Region) 및 소스 영역 및 드레인 영역 사이의 채널(Channel)을 포함할 수 있고, 채널과 인접한 소스 영역 및 드레인 영역 사이에는 저농도 도핑 영역을 포함할 수 있다. 게이트 전극은 게이트 라인을 통해 외부에서 전달되는 전기 신호에 기초하여 박막 트랜지스터를 턴-온(turn-on) 또는 턴-오프(turn-off)하는 스위치 역할을 하며, 도전성 금속인 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 및 네오디뮴(Nd) 등이나 이들의 합금으로 단일 층 또는 다중 층으로 구성될 수 있다. 소스 및 드레인 전극은 데이터 라인과 연결되며 외부에서 전달되는 전기 신호가 박막 트랜지스터에서 유기발광 소자로 전달되도록 한다. 소스 및 드레인 전극은 도전성 금속인 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 및 네오디뮴(Nd) 등의 금속 재료나 이들의 합금으로 단일 층 또는 다중 층으로 구성될 수 있다. The thin film transistor may include a gate electrode; source and drain electrodes; semiconductor layer; and an insulating layer. The semiconductor layer may be made of amorphous silicon or polycrystalline silicon. Polycrystalline silicon has better mobility than amorphous silicon, so it has low energy consumption and excellent reliability. Recently, oxide semiconductors have been in the spotlight because of their excellent mobility and uniformity. The semiconductor layer may include a source region, a drain region, and a channel between the source and drain regions including p-type or n-type impurities, and a source region adjacent to the channel. and a lightly doped region between the drain region. The gate electrode serves as a switch that turns on or off the thin film transistor based on an electric signal transmitted from the outside through the gate line, and a conductive metal copper (Cu); Aluminum (Al), molybdenum (Mo), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), etc. or alloys thereof may be composed of a single layer or multiple layers. have. The source and drain electrodes are connected to the data line and allow an electric signal transmitted from the outside to be transmitted from the thin film transistor to the organic light emitting diode. The source and drain electrodes are made of conductive metals such as copper (Cu), aluminum (Al), molybdenum (Mo), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), and neodymium (Nd). It may consist of a single layer or multiple layers of a metal material or an alloy thereof.
게이트 절연 층은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)의 단일 층 또는 다중 층으로 구성된 절연막이며, 상기 반도체 층에 흐르는 전류가 게이트 전극으로 흘러가지 않도록 마련된다. 또, 게이트 전극과 소스 및 드레인 전극을 서로 절연시키기 위해서 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)의 단일 층이나 다중 층으로 구성된 층간 절연 층이 게이트 전극과 소스 및 드레인 전극 사이에 배치될 수 있다.The gate insulating layer is an insulating film composed of a single layer or multiple layers of silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx), and is provided so that a current flowing through the semiconductor layer does not flow to the gate electrode. In addition, an interlayer insulating layer composed of a single layer or multiple layers of silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx) may be disposed between the gate electrode and the source and drain electrodes to insulate the gate electrode and the source and drain electrodes from each other. .
박막 트랜지스터 상에는 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx)과 같은 무기 절연막으로 구성된 보호 층이 위치할 수 있다. 상기 보호 층은 박막 트랜지스터의 구성 요소들 사이의 불필요한 전기적 연결을 막고 외부로부터의 오염이나 손상 등을 막을 수 있다. 상기 보호 층은 박막 트랜지스터 및 유기발광 소자의 구성 및 특성에 따라서 생략될 수도 있다.A protective layer made of an inorganic insulating layer such as silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx) may be positioned on the thin film transistor. The protective layer may prevent unnecessary electrical connection between components of the thin film transistor and prevent contamination or damage from the outside. The protective layer may be omitted depending on the configuration and characteristics of the thin film transistor and the organic light emitting device.
상기 박막 트랜지스터는 스위칭 박막 트랜지스터 또는 구동 박막 트랜지스터로 분류될 수 있다. 스위칭 박막 트랜지스터는 게이트 라인으로부터 신호가 인가되면, 데이터 라인으로부터의 신호를 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극으로 전달한다. 구동 박막 트랜지스터는 스위칭 박막 트랜지스터로부터 전달받은 신호에 의해 전원 배선을 통해 전달되는 전류를 애노드로 전달하며, 애노드로 전달되는 전류에 의해 발광이 제어된다.The thin film transistor may be classified as a switching thin film transistor or a driving thin film transistor. When a signal is applied from the gate line to the switching thin film transistor, the signal from the data line is transferred to the gate electrode of the driving thin film transistor. The driving thin film transistor transmits a current transmitted through the power wiring to the anode according to a signal received from the switching thin film transistor, and light emission is controlled by the current transmitted to the anode.
평탄화 층이 박막 트랜지스터 상에 배치된다. 평탄화 층은 박막 트랜지스터를 보호하고 박막 트랜지스터로 인해서 발생되는 단차를 완화시키며, 박막 트랜지스터와 게이트 라인 및 데이터 라인, 유기발광 소자 사이에 발생되는 기생 정전 용량(Parasitic-Capacitance)을 감소시킨다. 평탄화 층은 아크릴계 수지 (Acrylic Resin), 에폭시 수지 (Epoxy Resin), 페놀 수지 (Phenolic Resin), 폴리아미드계 수지 (Polyamides Resin), 폴리이미드계 수지 (Polyimides Resin), 불포화 폴리에스테르계 수지 (Unsaturated Polyesters Resin), 폴리페닐렌계 수지 (Polyphenylene Resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지 (Polyphenylenesulfides Resin), 및 벤조사이클로부텐 (Benzocyclobutene) 중 하나 이상의 물질로 형성될 수 있다.A planarization layer is disposed on the thin film transistor. The planarization layer protects the thin film transistor, alleviates a step difference caused by the thin film transistor, and reduces parasitic-capacitance generated between the thin film transistor, the gate line, the data line, and the organic light emitting device. The planarization layer is composed of Acrylic Resin, Epoxy Resin, Phenolic Resin, Polyamides Resin, Polyimides Resin, Unsaturated Polyesters Resin), a polyphenylene-based resin (Polyphenylene Resin), a polyphenylenesulfide-based resin (Polyphenylenesulfides Resin), and benzocyclobutene (Benzocyclobutene) may be formed of at least one material.
유기발광 소자는 평탄화 층 상에 배치된다. 유기발광 소자는 애노드, 발광부 및 캐소드를 포함한다. 상기 애노드는 평탄화 층 바로 위에 배치될 수 있다. 상기 애노드는 상기 발광부에 정공을 공급하는 역할을 하는 전극으로, 평탄화 층에 있는 컨택홀을 통해 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 애노드는 투명 도전성 물질인 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zin Oxide, IZO) 등으로 구성될 수 있다. 유기발광 표시장치(100)가 상부로 광을 발광하는 방식(Top Emission)일 경우, 발광된 광이 더 원활하게 캐소드가 배치된 상부 방향으로 방출될 수 있도록, 상기 애노드는 반사 층을 더 포함할 수 있다. 상기 애노드는 투명 도전성 물질로 구성된 투명 도전 층과 반사 층이 차례로 적층된 2층 구조이거나, 투명 도전 층, 반사 층 및 투명 도전 층이 차례로 적층된 3층 구조일 수 있으며, 반사 층은 은(Ag) 또는 은을 포함하는 합금일 수 있다. The organic light-emitting device is disposed on the planarization layer. The organic light emitting diode includes an anode, a light emitting unit, and a cathode. The anode may be disposed directly over the planarization layer. The anode is an electrode serving to supply holes to the light emitting part, and may be electrically connected to the thin film transistor through a contact hole in the planarization layer. The anode may be made of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or the like, which are transparent conductive materials. When the organic light emitting diode display 100 is a top emission method for emitting light upward, the anode may further include a reflective layer so that the emitted light can be more smoothly emitted in the upward direction in which the cathode is disposed. can The anode may have a two-layer structure in which a transparent conductive layer and a reflective layer made of a transparent conductive material are sequentially stacked, or a three-layer structure in which a transparent conductive layer, a reflective layer, and a transparent conductive layer are sequentially stacked, and the reflective layer is silver (Ag ) or an alloy containing silver.
애노드와 캐소드 사이에는 발광부가 배치된다. 상기 발광부는 광을 발광하는 역할을 하며, 정공주입 층(Hole Injection Layer; HIL), 정공수송 층(Hole Transport Layer; HTL), 발광 층(emission layer; EML), 전자수송 층(Electron Transport Layer; ETL) 및 전자주입 층(Electron Injection Layer; EIL) 중 적어도 하나의 층을 포함할 수 있고, 유기발광 표시장치(100)의 구조나 특성에 따라 상기 발광부의 일부 구성요소는 생략될 수도 있다. A light emitting part is disposed between the anode and the cathode. The light emitting unit serves to emit light, and includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transport layer; At least one of an ETL) and an Electron Injection Layer (EIL) may be included, and some components of the light emitting unit may be omitted depending on the structure or characteristics of the organic light emitting display device 100 .
캐소드는 발광부 상에 배치되어, 상기 발광부로 전자를 공급하는 역할을 한다. 상기 캐소드는 전자를 공급하여야 하므로 일함수가 낮은 도전성 물질인 마그네슘(Mg), 은-마그네슘(Ag:Mg) 등과 같은 금속 물질로 구성될 수 있다. 유기발광 표시장치(100)가 상부 발광 방식의 경우, 상기 캐소드는 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 인듐 주석 아연 산화물(Indium Tin Zinc Oxide, ITZO), 아연 산화물(Zinc Oxide, ZnO) 및 주석 산화물(Tin Oxide, TiO) 계열의 투명 도전성 산화물일 수 있다.The cathode is disposed on the light emitting unit, and serves to supply electrons to the light emitting unit. Since the cathode needs to supply electrons, it may be made of a metal material such as magnesium (Mg), silver-magnesium (Ag:Mg), which is a conductive material having a low work function. When the organic light emitting diode display 100 is a top emission type, the cathode is indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium tin zinc oxide (ITZO), zinc oxide (Zinc oxide, ZnO) and tin oxide (TiO)-based transparent conductive oxides may be used.
상기 화소 회로는 서브 픽셀의 구동에 필요한 신호. 전원 등을 상기 신호 라인들을 통해 공급받는다. 이를 위해, 상기 화소 회로는 게이트 드라이버, 데이터 드라이버 등과의 통신을 위해 신호 라인들과 연결될 수 있다. 상기 화소 회로의 동작 개요는 도 2에서 설명한 것과 같다.The pixel circuit is a signal necessary for driving a sub-pixel. Power and the like are supplied through the signal lines. To this end, the pixel circuit may be connected to signal lines for communication with a gate driver, a data driver, and the like. The outline of the operation of the pixel circuit is the same as described with reference to FIG. 2 .
상기 인입부(PAD)는 상기 비표시 영역(I/A)에 있다. 상기 인입부(PAD)는 연결 단자(패드, 범프, 핀 등)를 포함하며, 상기 연결 단자를 통하여 FPCB(flexible printed circuit board), COF(chip-on-film), TCP(tape-carrier-package) 등과 연결될 수 있다. 상기 FPCB 등에는 전원 제어 IC, 데이터 드라이버 IC와 같은 부품들이 탑재될 수 있다.The lead-in portion PAD is in the non-display area I/A. The lead-in portion PAD includes a connection terminal (pad, bump, pin, etc.), and through the connection terminal, a flexible printed circuit board (FPCB), a chip-on-film (COF), a tape-carrier-package (TCP) ) can be associated with Components such as a power control IC and a data driver IC may be mounted on the FPCB.
상기 고전위 전압 라인 라인(EVDD11, EVDD22)은, 상기 인입부(PAD)로부터 가까이 있는 부분의 전기 저항이 상기 인입부(PAD)로부터 멀리 있는 부분의 전기 저항보다 크도록 구비된다. 즉, 상기 고전위 전압 라인은, 인입부(PAD)에서 멀어질수록 전압 강하가 일어나는 것을 미리 반영하여, 전체적인 저항 균형을 맞추려는 설계를 갖는다. 따라서, 인입부(PAD)와 가까이 있는 화소 회로는 상대적으로 큰 (단위 길이 당) 저항을 갖는 경로를 통해 고전위 전압(VDD)을 공급받고, 인입부(PAD)와 멀리 화소 회로는 상대적으로 작은 (단위 길이 당) 저항을 갖는 경로를 통해 고전위 전압(VDD)을 공급받는다. 따라서, 표시 영역(A/A)의 모든 화소들은, 전달 경로 상의 저항 및 위치에 따른 전압 강하량이 상쇄된, 균일한 고전위 전압(VDD)을 공급받을 수 있게 된다. The high potential voltage line lines EVDD11 and EVDD22 are provided such that an electrical resistance of a portion closer to the lead-in PAD is greater than an electrical resistance of a portion farther from the lead-in PAD. That is, the high potential voltage line is designed to balance the overall resistance by reflecting in advance that a voltage drop occurs as the distance from the lead-in portion PAD is increased. Accordingly, the pixel circuit close to the lead-in portion PAD receives the high potential voltage VDD through a path having a relatively large (per unit length) resistance, and the pixel circuit farther from the lead-in portion PAD receives a relatively small resistance. It is supplied with a high potential voltage (VDD) through a path with resistance (per unit length). Accordingly, all pixels of the display area A/A may be supplied with a uniform high potential voltage VDD in which a voltage drop according to a resistance and a position on the transmission path is offset.
상기 고전위 전압 라인은, 제1 방향(예: 세로 방향)으로 연장하는 제1 고전위 전압 라인(EVDD11); 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향(예: 가로 방향)으로 연장하는 제2 고전위 전압 라인(EVDD22)을 포함할 수 있다. 상기 제1 고전위 전압 라인(EVDD11)과 상기 제2 고전위 전압 라인(EVDD22)은 컨택 홀 등을 통해 서로 연결되어 하나의 도선으로서 기능할 수 있다.The high potential voltage line may include a first high potential voltage line EVDD11 extending in a first direction (eg, a vertical direction); and a second high potential voltage line EVDD22 extending in a second direction (eg, a horizontal direction) crossing the first direction. The first high potential voltage line EVDD11 and the second high potential voltage line EVDD22 may be connected to each other through a contact hole or the like to function as one conductive line.
상기 제2 고전위 전압 라인(EVDD22)은 상기 인입부(PAD)에서 멀어질수록 상기 제2 방향 길이가 길어질 수 있다. 이러한 구성을 통해 상기 유기발광 표시장치는, 인입부(PAD)와 가까이 있어 전압 강하 폭이 작은 화소 회로까지는 더 많은 저항을 갖는 전기적 경로를 통해 고전위 전압(VDD)을 공급하고, 인입부(PAD)와 멀리 있어 전압 강하 폭이 큰 화소 회로까지는 더 적은 저항을 갖는 전기적 경로를 통해 고전위 전압(VDD)을 공급한다. 따라서, 서브 픽셀의 위치에 무관하게 각 화소 회로에는 고전위 전압(VDD)이 균일하게 공급될 수 있다. The length of the second high potential voltage line EVDD22 may increase in the second direction as the distance from the lead-in part PAD increases. Through this configuration, the organic light emitting display device supplies the high potential voltage VDD through an electrical path having more resistance to the pixel circuit having a small voltage drop width because it is close to the lead-in part PAD, and supplies the lead-in part PAD. ) and a pixel circuit with a large voltage drop, a high potential voltage (VDD) is supplied through an electrical path with less resistance. Accordingly, the high potential voltage VDD may be uniformly supplied to each pixel circuit regardless of the position of the sub-pixel.
상기 제2 고전위 전압 라인(EVDD22)의 길이는 선형 또는 계단형으로 증가할 수 있다. 즉, 상기 제2 고전위 전압 라인(EVDD22)의 가로 방향 길이는, 도 5와 같이 각 행마다 일정하게 계속 증가하거나, 또는 일정한 행 (예: 5행, 10행 등) 단위로 증가할 수 있다. The length of the second high potential voltage line EVDD22 may increase linearly or stepwise. That is, the horizontal length of the second high potential voltage line EVDD22 may continuously increase for each row as shown in FIG. 5 or may increase in units of a constant row (eg, 5 rows, 10 rows, etc.). .
한편, 상기 제1 고전위 전압 라인(EVDD11)과 상기 제2 고전위 전압 라인(EVDD22)은 서로 다른 층(layer)에 배치될 수 있다. 즉, 상기 제1 고전위 전압 라인(EVDD11)이 상기 제2 고전위 전압 라인(EVDD22)보다 상부 층에 배치되거나, 반대로 상기 제2 고전위 전압 라인(EVDD22)이 상기 제1 고전위 전압 라인(EVDD11)보다 상부 층에 배치될 수 있다. Meanwhile, the first high potential voltage line EVDD11 and the second high potential voltage line EVDD22 may be disposed on different layers. That is, the first high potential voltage line EVDD11 is disposed above the second high potential voltage line EVDD22 or, conversely, the second high potential voltage line EVDD22 is connected to the first high potential voltage line ( EVDD11) and may be disposed on an upper layer.
상기 제1 고전위 전압 라인(EVDD11)은, 상기 화소 회로에 포함된 박막 트랜지스터의 소스 또는 드레인 전극과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 또한 상기 제2 고전위 전압 라인(EVDD22)은, 상기 화소 회로에 포함된 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 이때 상기 제2 고전위 전압 라인(EVDD22)은, 상기 화소 회로에 포함된 박막 트랜지스터의 게이트 전극; 및 소스 또는 드레인 전극 사이의 층에 배치될 수 있다. 또는 상기 제2 고전위 전압 라인(EVDD22)은, 게이트 전극과 동일한 층에 배치될 수도 있다. The first high potential voltage line EVDD11 may be formed of the same material as a source or drain electrode of a thin film transistor included in the pixel circuit. Also, the second high potential voltage line EVDD22 may be made of the same material as a gate electrode of a thin film transistor included in the pixel circuit. In this case, the second high potential voltage line EVDD22 may include a gate electrode of a thin film transistor included in the pixel circuit; and a layer between the source or drain electrodes. Alternatively, the second high potential voltage line EVDD22 may be disposed on the same layer as the gate electrode.
상기 화소 회로에 저전위 전원(VSS)을 전달하는 저전위 전압 라인(EVSS)을 더 포함한다. 상기 저전위 전압 라인은, 상기 인입부(PAD)로부터 시작되어 표시 영역(A/A)을 둘러싸며 연장하도록 구비될 수 있다.It further includes a low potential voltage line EVSS that transmits the low potential power VSS to the pixel circuit. The low potential voltage line may be provided to start from the lead-in portion PAD and extend to surround the display area A/A.
도 5는 본 명세서의 실시예가 적용된 표시장치의 휘도 균일도를 나타낸 도면이다. 도시한 것과 같이 도 4의 실시예는 도 3과 같은 구조의 전원 배선을 가질 경우에 비하여, 상하/좌우에서 더 휘도 차이가 줄어든다. 실험 결과에 의하면, 도 4의 실시예에서 고전위 전압 강하는 도 3의 실시예에 비해 약 17~ 31% 정도 감소하였다. 5 is a diagram illustrating luminance uniformity of a display device to which an embodiment of the present specification is applied. As shown, in the embodiment of FIG. 4 , the difference in luminance is further reduced in the vertical/left and right directions, compared to the case of having the power wiring having the structure as in FIG. 3 . According to the experimental results, the high potential voltage drop in the example of FIG. 4 was reduced by about 17 to 31% compared to the example of FIG. 3 .
따라서, 본 명세서의 실시예에 따른 유기발광 표시장치는, 전원 라인의 효과적 배치를 통해 모든 화소들이 균일하게 동작 전원을 수신할 수 있으며, 이로써 표시 균일성이 향상될 수 있다Accordingly, in the organic light emitting diode display according to the exemplary embodiment of the present specification, all pixels may receive operating power uniformly through an effective arrangement of power lines, and thus display uniformity may be improved.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서의 실시예들을 상세하게 설명하였으나, 본 명세서는 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 그 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 명세서에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 당업자에 의해 기술적으로 다양하게 연동 및 구동될 수 있으며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시되거나 연관 관계로 함께 실시될 수도 있다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiments of the present specification have been described in detail with reference to the accompanying drawings, the present specification is not necessarily limited to these embodiments, and various modifications may be made within the scope without departing from the technical spirit thereof. Accordingly, the embodiments disclosed in the present specification are intended to explain, not to limit the technical spirit of the present invention, and the scope of the technical spirit of the present invention is not limited by these embodiments. Each feature of the various embodiments of the present invention may be partially or wholly combined or combined with each other, and may be technically variously linked and operated by those skilled in the art, and each embodiment may be implemented independently of each other or together in a related relationship. may be carried out. The protection scope of the present invention should be construed by the following claims, and all technical ideas within the equivalent range should be construed as being included in the scope of the present invention.
Claims (11)
상기 기판 상의 표시 영역에 있고, 상기 화소들을 구동하는 화소 회로;
상기 비표시 영역에 있고, 상기 화소 회로에 전달되는 전원 및 신호가 인가되는 인입부;
상기 인입부로부터 상기 화소 회로로 연장되고,
상기 인입부로부터 가까이 있는 부분의 전기 저항이 상기 인입부로부터 멀리 있는 부분의 전기 저항보다 큰 고전위 전압 라인을 포함하는 유기발광 표시장치.a substrate having a display area on which pixels are disposed and a non-display area outside the display area;
a pixel circuit in the display area on the substrate and configured to drive the pixels;
an inlet in the non-display area to which power and a signal transmitted to the pixel circuit are applied;
extending from the inlet to the pixel circuit;
and a high potential voltage line in which an electrical resistance of a portion close to the lead-in is greater than an electrical resistance of a portion farther from the lead-in.
상기 고전위 전압 라인은,
제1 방향으로 연장하는 제1 고전위 전압 라인; 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장하는 제2 고전위 전압 라인을 포함하는 유기발광 표시장치.According to claim 1,
The high potential voltage line is
a first high potential voltage line extending in a first direction; and a second high potential voltage line extending in a second direction crossing the first direction.
상기 제2 고전위 전압 라인은
상기 인입부에서 멀어질수록 상기 제2 방향 길이가 길어지는 유기발광 표시장치.3. The method of claim 2,
The second high potential voltage line is
The organic light emitting display device in which the length in the second direction increases as the distance from the inlet part increases.
상기 제2 고전위 전압 라인의 길이는 선형 또는 계단형으로 증가하는 유기발광 표시장치.4. The method of claim 3,
The length of the second high potential voltage line increases linearly or stepwise.
상기 제1 고전위 전압 라인과 상기 제2 고전위 전압 라인은 서로 다른 층에 배치된 유기발광 표시장치.3. The method of claim 2,
The first high potential voltage line and the second high potential voltage line are disposed on different layers.
상기 제1 고전위 전압 라인이 상기 제2 고전위 전압 라인보다 상부 층에 배치된 유기발광 표시장치.6. The method of claim 5,
The organic light emitting diode display device in which the first high potential voltage line is disposed above the second high potential voltage line.
상기 제1 고전위 전압 라인은, 상기 화소 회로에 포함된 박막 트랜지스터의 소스 또는 드레인 전극과 동일한 물질로 이루어진 유기발광 표시장치.3. The method of claim 2,
The first high potential voltage line is made of the same material as a source or drain electrode of a thin film transistor included in the pixel circuit.
상기 제2 고전위 전압 라인은, 상기 화소 회로에 포함된 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 동일한 물질로 이루어진 유기발광 표시장치.3. The method of claim 2,
The second high potential voltage line is made of the same material as a gate electrode of a thin film transistor included in the pixel circuit.
상기 제2 고전위 전압 라인은, 상기 화소 회로에 포함된 박막 트랜지스터의 게이트 전극; 및 소스 또는 드레인 전극 사이의 층에 배치된 유기발광 표시장치.9. The method of claim 8,
The second high potential voltage line may include a gate electrode of a thin film transistor included in the pixel circuit; and an organic light emitting diode display disposed on a layer between the source or drain electrodes.
상기 화소 회로에 저전위 전원(VSS)을 전달하는 저전위 전압 라인을 상기 비표시 영역에 더 포함하는 유기발광 표시장치.According to claim 1,
The organic light emitting display device further comprising a low potential voltage line for transmitting a low potential power VSS to the pixel circuit in the non-display area.
상기 저전위 전압 라인은, 상기 인입부로부터 시작되어 표시 영역을 둘러싸며 연장하는 유기발광 표시장치.11. The method of claim 10,
The low potential voltage line starts from the lead-in part and extends to surround the display area.
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