KR20150134837A

KR20150134837A - Conductive structure body and method for manufacturing the same

Info

Publication number: KR20150134837A
Application number: KR1020140062139A
Authority: KR
Inventors: 박찬형; 임진형; 김기환; 김용찬; 윤정환; 이일하
Original assignee: 주식회사 엘지화학
Priority date: 2014-05-23
Filing date: 2014-05-23
Publication date: 2015-12-02
Also published as: KR101927258B1

Abstract

The present application relates to a conductive structure and a method for manufacturing the same. A method for manufacturing a conductive structure according to an embodiment of the present application includes a step of forming a metal layer on a substrate and a step of forming a dark color layer on the metal layer. The step of forming the dark color layer is performed by an evaporation disposition method.

Description

BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a conductive structure,

본 출원은 전도성 구조체 및 이의 제조방법에 관한 것이다.The present application relates to a conductive structure and a method of manufacturing the same.

일반적으로, 터치 스크린 패널은 신호의 검출 방식에 따라 다음과 같이 분류할 수 있다. 즉, 직류 전압을 인가한 상태에서 압력에 의해 눌려진 위치를 전류 또는 전압 값의 변화를 통해 감지하는 저항막 방식(resistive type)과, 교류 전압을 인가한 상태에서 캐패시턴스 커플링(capacitance coupling)을 이용하는 정전 용량 방식(capacitive type)과, 자계를 인가한 상태에서 선택된 위치를 전압의 변화로서 감지하는 전자 유도 방식(electromagnetic type) 등이 있다.Generally, the touch screen panel can be classified as follows according to the signal detection method. That is, a resistive type in which a position depressed by a pressure in a state where a direct current voltage is applied is sensed through a change in a current or a voltage value, and a resistive type in which a capacitance coupling is used in a state in which an alternating voltage is applied There is a capacitive type and an electromagnetic type in which a selected position is sensed as a change in voltage while a magnetic field is applied.

최근 대면적의 터치 스크린 패널에 대한 필요가 증가함에 따라 전극의 저항을 줄이면서도 시인성이 우수한 대형 터치 스크린 패널을 구현할 수 있는 기술 개발이 필요하였다.Recently, as the need for a large area touch screen panel has increased, it has been necessary to develop a technology capable of realizing a large touch screen panel having excellent visibility while reducing electrode resistance.

대한민국 공개특허공보 제10-2011-0054369호Korean Patent Publication No. 10-2011-0054369

당 기술분야에서는, 상기 다양한 방식의 터치 스크린 패널의 성능 향상을 위한 기술 개발이 요구되고 있다.There is a need in the art to develop a technique for improving the performance of the various types of touch screen panels.

본 출원의 일 실시상태는,In one embodiment of the present application,

기재 상에 금속층을 형성하는 단계, 및Forming a metal layer on the substrate, and

상기 금속층 상에 암색화층을 형성하는 단계를 포함하는 전도성 구조체의 제조방법으로서,And forming a matting layer on the metal layer, the method comprising the steps of:

상기 암색화층을 형성하는 단계 이후에, 전열처리 공정 및 후열처리 공정이 순차적으로 수행되며,After the step of forming the darkening layer, a pre-heat treatment step and a post-heat treatment step are sequentially performed,

상기 전열처리 공정은 상기 후열처리 공정보다 높은 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 전도성 구조체의 제조방법을 제공한다.And the pre-heat treatment process is performed at a higher temperature than the post-heat treatment process.

또한, 본 출원의 다른 실시상태는,Further, another embodiment of the present application,

기재 상에 암색화층을 형성하는 단계, 및Forming a darkening layer on the substrate, and

상기 암색화층 상에 금속층을 형성하는 단계를 포함하는 전도성 구조체의 제조방법으로서,And forming a metal layer on the dark colored layer, the method comprising the steps of:

상기 금속층을 형성하는 단계 이후에, 전열처리 공정 및 후열처리 공정이 순자적으로 수행되며,After the step of forming the metal layer, the pre-heat treatment step and the post-heat treatment step are carried out in a straight line,

또한, 본 출원의 다른 실시상태는, 상기 전도성 구조체의 제조방법에 의하여 제조되는 전도성 구조체를 제공한다.Further, another embodiment of the present application provides a conductive structure produced by the method for manufacturing the conductive structure.

또한, 본 출원의 다른 실시상태는, 상기 전도성 구조체를 포함하는 전자 소자를 제공한다.Still another embodiment of the present application provides an electronic device comprising the conductive structure.

본 출원의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체는 전도성 패턴의 전도도에 영향을 미치지 않으면서도 전도성 패턴에 의한 반사를 방지할 수 있고, 흡광도를 향상시킴으로써 전도성 패턴의 은폐성을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 출원의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체는, 최종 건조공정시 전열처리 공정 및 후열처리 공정을 포함하고, 특히 상기 전열처리 공정을 후열처리 공정보다 높은 온도에서 수행함으로써, 후열처리 공정시 제품의 수축률을 감소시킬 수 있다. 또한, 이에 따라 기재와 금속층 또는 암색화층 간의 부착력을 향상시킬 수 있는 특징이 있다.The conductive structure according to one embodiment of the present application can prevent the reflection by the conductive pattern without affecting the conductivity of the conductive pattern and improve the hiding property of the conductive pattern by improving the absorbance. In addition, the conductive structure according to one embodiment of the present application includes a pre-heat treatment step and a post-heat treatment step in the final drying step, and in particular, the pre-heat treatment step is performed at a higher temperature than the post- Can be reduced. Further, there is a feature that the adhesion between the substrate and the metal layer or the dark coloring layer can be improved.

또한, 본 발명의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체를 이용하여 시인성이 개선된 터치 스크린 패널, 디스플레이 장치, 태양 전지 등과 같은 전자 소자를 개발할 수 있다.Further, an electronic device such as a touch screen panel, a display device, a solar cell, or the like with improved visibility can be developed using the conductive structure according to one embodiment of the present invention.

도 1 내지 도 3은 각각 본 출원의 일 실시상태로서, 암색화층을 포함하는 전도성 구조체의 적층 구조를 개략적으로 나타낸 도이다.
<도면의 주요 부호의 설명>
100: 기재
200: 암색화층
220: 암색화층
300: 금속층Figs. 1 to 3 are schematic views showing a laminated structure of a conductive structure including a matted layer in one embodiment of the present application. Fig.
DESCRIPTION OF THE REFERENCE NUMERALS
100: substrate
200: dark colored layer
220: dark colored layer
300: metal layer

이하 본 출원을 보다 상세히 설명한다.The present application will be described in more detail below.

본 명세서에서, 디스플레이 장치란 TV나 컴퓨터용 모니터 등을 통틀어 일컫는 말로서, 화상을 형성하는 디스플레이 소자 및 디스플레이 소자를 지지하는 케이스를 포함한다.In this specification, the term " display device " refers to a television, a computer monitor, or the like, and includes a display element for forming an image and a case for supporting the display element.

상기 디스플레이 소자로는 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP), 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display, LCD), 전기영동 디스플레이 (Electrophoretic display) 및 음극선관(Cathode-Ray Tube, CRT), OLED 디스플레이 등을 예로 들 수 있다. 디스플레이 소자에는 화상 구현을 위한 RGB 화소 패턴 및 추가적인 광학 필터가 구비되어 있을 수 있다.Examples of the display device include a plasma display panel (PDP), a liquid crystal display (LCD), an electrophoretic display, a cathode ray tube (CRT), and an OLED display . The display element may be provided with an RGB pixel pattern for image implementation and an additional optical filter.

한편, 디스플레이 장치와 관련하여, 스마트 폰 및 태블릿 PC, IPTV 등의 보급이 가속화됨에 따라 키보드나 리모컨 등 별도의 입력 장치 없이 사람의 손이 직접 입력 장치가 되는 터치 기능에 대한 필요성이 점점 커지고 있다. 또한, 특정 포인트 인식뿐만 아니라 필기가 가능한 다중 인식(multi-touch) 기능도 요구되고 있다.Meanwhile, as the spread of smart phones, tablet PCs, IPTVs, and the like is accelerated in connection with display devices, there is a growing need for a touch function in which a human hand becomes a direct input device without a separate input device such as a keyboard or a remote control. In addition, there is a demand for a multi-touch function capable of not only a specific point recognition but also writing.

현재, 상용화된 대부분의 터치 스크린 패널(TSP, touch screen panel)은 투명 전도성 ITO 박막을 기반으로 하고 있으나, 대면적 터치 스크린 패널 적용시 ITO 투명 전극 자체의 비교적 높은 면저항(최저 150 Ω/□, Nitto denko 社 ELECRYSTA 제품)으로 인한 RC 지연 때문에 터치 인식 속도가 느려지게 되고, 이를 극복하기 위한 추가적인 보상 칩(chip)을 도입해야 하는 등의 문제점이 있다.Most commercial touch screen panels (TSPs) are based on transparent conductive ITO thin films, but when applied to a large area touch screen panel, the relatively high sheet resistance of the ITO transparent electrode itself (at least 150 Ω / □, Nitto the speed of the touch recognition is slowed due to the RC delay caused by the ELECRYSTA manufactured by Denko Co., Ltd., and an additional compensation chip is required to overcome this problem.

본 발명자들은 상기 투명 ITO 박막을 금속 미세 패턴으로 대체하기 위한 기술을 연구하였다. 이에, 본 발명자들은, 터치 스크린 패널의 전극 용도로서, 높은 전기전도도를 가지는 금속 박막을 이용하는 경우에는, 특정 모양의 미세 전극 패턴을 구현하고자 할 때, 높은 반사도로 인하여 시인성 측면에 있어서 패턴이 사람의 눈에 잘 인지되는 문제점과 함께 외부 광에 대하여 높은 반사도 및 헤이즈(Haze) 값 등으로 인하여 눈부심 등이 일어날 수 있다는 것을 밝혀내었다. 또한, 제조공정시 고가의 타겟(target) 값이 들거나, 공정이 복잡한 경우가 많을 수 있음을 밝혀내었다.The present inventors have studied a technique for replacing the transparent ITO thin film with a metal fine pattern. The present inventors have found that when a metal thin film having a high electrical conductivity is used as an electrode of a touch screen panel and a microelectrode pattern of a specific shape is to be realized, It has been found out that there is a problem that it is perceived by the eyes and that glare may occur due to high reflectance and haze value against external light. In addition, it has been found out that there are many cases where an expensive target value is involved in the manufacturing process or that the process is complicated in many cases.

또한, 금속 미세선을 투명 전극으로 사용하는 경우, 가장 문제가 될 수 있는 점은 반사 색상이라 할 수 있다. 금속 특유의 광택으로 인하여, 외부 광원에 의한 반짝임 등과 같은 시인성 문제가 발생할 수 있으므로, 금속 표면에 반사율을 낮출 수 있는 추가의 층을 형성하여야 한다.In addition, when a metal fine line is used as a transparent electrode, the most problematic point is the reflection color. Because of the inherent luster of the metal, visibility problems such as sparkling due to external light sources can occur, so that additional layers can be formed on the metal surface to reduce reflectivity.

종래의 Al계 암색화층을 이용한 금속 미세선 제품은, 암색화층 증착 후 전극 패터닝을 위한 에칭 레지스트 인쇄, 에칭, 스트립 및 건조공정을 거쳐 터치센서용 전극으로 완성된다. 그러나, 상기 건조공정 이후 발생하는 큰 치수 변동으로 인해 기판 합지시 오차가 발생할 수 있고, 이에 따라 생산성 저하를 가져올 수 있다.The metal fine wire product using the conventional Al-based quenched layer is completed as an electrode for a touch sensor through the etching resist printing, etching, stripping and drying processes for electrode patterning after deposition of a dark coloring layer. However, due to a large dimensional variation occurring after the drying process, an error may occur in the joining of the substrates, which may lead to a decrease in productivity.

이에, 본 출원에서는 공정 중 발생할 수 있는 치수 변동을 줄이기 위하여, 암색화층 또는 금속층 형성 이후, 고온에서 전열처리를 진행하여 건조조건에서의 치수 변동을 줄이고자 하였다. 특히, 건조조건보다 높은 온도로 전열처리를 진행하고, 이후 낮은 열 공정이 진행되는 경우, 제품의 수축률을 현저히 감소시킬 수 있다.Accordingly, in this application, in order to reduce dimensional fluctuation that may occur during the process, after the formation of the darkening layer or the metal layer, the preheating treatment is performed at a high temperature to reduce the dimensional fluctuation in the drying condition. Particularly, if the preheat treatment is performed at a temperature higher than the drying condition and then the low temperature process proceeds, the shrinkage rate of the product can be remarkably reduced.

이에, 본 출원에서는 종래의 ITO 기반의 투명 전도성 박막층을 사용한 터치 스크린 패널과 차별화될 수 있고, 금속 미세 패턴 전극의 은폐성 및 외부광에 대한 반사 및 회절 특성이 개선된 터치 스크린 패널에 적용할 수 있는 전도성 구조체 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.Accordingly, the present application can be applied to a touch screen panel which can be differentiated from a touch screen panel using a conventional ITO-based transparent conductive thin film layer and has improved hiding properties of a metal fine pattern electrode and reflection and diffraction characteristics against external light And a method for manufacturing the same.

본 출원의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 제조방법은, 기재 상에 금속층을 형성하는 단계, 및 상기 금속층 상에 암색화층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 암색화층을 형성하는 단계 이후에, 전열처리 공정 및 후열처리 공정이 순차적으로 수행되며, 상기 전열처리 공정은 상기 후열처리 공정보다 높은 온도에서 수행되는 것을 특징으로 한다.A method of manufacturing a conductive structure according to an embodiment of the present application includes a step of forming a metal layer on a substrate and a step of forming a matting layer on the metal layer, The heat treatment process and the post heat treatment process are sequentially performed, and the pre-heat treatment process is performed at a higher temperature than the post heat treatment process.

또한, 본 출원의 다른 실시상태에 따른 전도성 구조체의 제조방법은, 기재 상에 암색화층을 형성하는 단계, 및 상기 암색화층 상에 금속층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 금속층을 형성하는 단계 이후에, 전열처리 공정 및 후열처리 공정이 순차적으로 수행되며, 상기 전열처리 공정은 상기 후열처리 공정보다 높은 온도에서 수행되는 것을 특징으로 한다. 이 때, 상기 금속층 상에 추가의 암색화층을 형성하는 단계를 추가로 포함할 수 있고, 상기 전열처리 공정 및 후열처리 공정은 상기 추가의 암색화층을 형성하는 단계 이후에 수행될 수 있다.In addition, a method of manufacturing a conductive structure according to another embodiment of the present application includes a step of forming a darkening layer on a substrate, and a step of forming a metal layer on the darkening layer, and after the step of forming the metal layer A pre-heat treatment process and a post-heat treatment process are sequentially performed, and the pre-heat treatment process is performed at a higher temperature than the post-heat treatment process. At this time, it is possible to further include a step of forming an additional darkening layer on the metal layer, and the preheating process and the post-heat treatment process may be performed after the step of forming the additional darkening layer.

본 명세서에서, 상기 암색화층은 흡광성을 가져서 금속층 자체로 입사되는 빛과 금속층으로부터 반사되는 빛의 양을 감소시킬 수 있는 층을 의미하는 것으로서, 암색화층은 흡광층, 흡광성층, 흑화층, 흑화성층 등의 용어로 표현될 수 있다.In the present specification, the darkening layer means a layer capable of absorbing light and reducing the amount of light incident on the metal layer itself and light reflected from the metal layer. The darkening layer has a light absorbing layer, a light absorbing layer, a blackening layer, Stratification, and the like.

본 출원에 있어서, 상기 전열처리 공정은 130℃ 내지 170℃의 온도에서 10초 내지 1시간 수행될 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.In the present application, the preheating process may be performed at a temperature of 130 ° C to 170 ° C for 10 seconds to 1 hour, but is not limited thereto.

상기 전열처리 공정은 롤투롤 공정으로 수행될 수 있고, 3개 이상의 가열(heating) 구역을 통과하며 진행될 수 있다. 첫 번째 가열 구역은 프리 가열 구역(pre heating zone)으로서, 급격한 고온으로 제품이 통과할 경우 열충격 등으로 인한 손상을 방지할 수 있도록 공정온도에 비해 낮은 온도로 가열될 수 있다. 두 번째 가열 구역은 실제 공정온도로 셋팅될 수 있고, 상기 두 번째 가열 구역은 균일성(uniformity) 등을 고려하여 여러 구역으로 나뉠 수 있다. 세 번째 가열 구역은 상기 첫 번째 가열 구역과 동일한 이유로 공정온도보다 낮게 셋팅될 수 있다.The preheat process may be performed in a roll-to-roll process and may proceed through three or more heating zones. The first heating zone is a preheating zone where the product can be heated to a lower temperature than the process temperature to prevent damage due to thermal shocks when the product passes through at a high temperature. The second heating zone can be set to the actual process temperature, and the second heating zone can be divided into several zones in consideration of uniformity and the like. The third heating zone may be set lower than the process temperature for the same reasons as the first heating zone.

상기 롤투롤 공정으로 진행함에 있어, 장력은 최대한 낮게 가져갈수록 후열처리시 수축되는 양을 줄일 수 있다. 본 출원에 있어서, 상기 롤투롤 공정시 70N ~ 100N 수준의 장력을 이용할 수 있고, 전도성 구조체의 폭은 약 1,350mm이다. 따라서, 전도성 구조체의 폭에 걸리는 장력 수준은 50 ~ 75 N/m 일 수 있다. 또한, 롤의 속도는 열처리 시간에 따라서 조절할 수 있고, 특히 열처리 시간은 30 ~ 50초 수준일 수 있고, 상기 롤의 속도는 10 ~ 15mpm 일 수 있다.In proceeding to the roll-to-roll process, as the tension is minimized, the amount of shrinkage in the post-heat treatment can be reduced. In the present application, a tension of the order of 70N to 100N can be used in the roll-to-roll process, and the width of the conductive structure is about 1,350mm. Thus, the tension level across the width of the conductive structure may be 50 to 75 N / m. Also, the speed of the roll can be adjusted according to the heat treatment time, in particular, the heat treatment time can be 30 to 50 seconds, and the speed of the roll can be 10 to 15 mpm.

본 출원에 있어서, 상기 후열처리 공정은 90℃ 내지 130℃의 온도에서 1분 내지 1시간 수행될 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.In the present application, the post-heat treatment process may be performed at a temperature of 90 ° C to 130 ° C for 1 minute to 1 hour, but is not limited thereto.

상기 후열처리 공정은 전도성 구조체의 패터닝 공정시 에칭 레지스트를 소성시키는 과정에서 수행될 수 있다. 상기 후열처리 공정은 전술한 바와 같은 롤투롤 공정으로 수행될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 롤투롤 공정시 공정 속도는 3.6mpm 일 수 있고, 장력은 80N 수준일 수 있다. 이를 전도성 구조체의 폭 기준으로 정리하면 약 160 N/m 일 수 있다. 또한, 상기 후열처리 공정시 체류시간은 공정조건에 따라 조절될 수 있고, 약 3분에서 최장 1시간까지 수행될 수 있다.The post heat treatment process may be performed in the process of baking the etching resist in the patterning process of the conductive structure. The post-heat treatment process may be performed by the roll-to-roll process as described above. More specifically, the process speed in the roll-to-roll process may be 3.6 mpm and the tension may be 80 N. This can be about 160 N / m when summarized by the width of the conductive structure. Also, the residence time in the post-heat treatment process can be controlled according to the process conditions and can be performed from about 3 minutes to 1 hour.

본 출원에 있어서, 상기 전열처리 공정은 암색화층 형성 이후 수행될 수 있고, 상기 후열처리 공정은 전도성 구조체의 패터닝 공정시 수행될 수 있다.In the present application, the preheating process may be performed after forming the darkening layer, and the post-heating process may be performed during the patterning process of the conductive structure.

본 출원에 있어서, 상기 암색화층은 금속 산화물, 금속 질화물 및 금속 산질화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 이 때, 상기 금속 산화물, 금속 질화물 또는 금속 산질화물은 Fe, Co, Ti, V, Al, Au, Cu 및 Ag로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속을 포함할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 상기 암색화층은 전술한 금속 산화물, 금속 질화물 또는 금속 산질화물 이외에 SiO, SiO₂, MgF₂, SiNx(x는 1 이상의 정수) 등의 유전성 물질을 추가로 포함할 수 있다.In the present application, the darkening layer may include at least one selected from the group consisting of metal oxides, metal nitrides and metal oxynitrides, but is not limited thereto. The metal oxide, metal nitride or metal oxynitride may include at least one metal selected from the group consisting of Fe, Co, Ti, V, Al, Au, Cu and Ag. no. According to one embodiment of the present application, the darkening layer further includes a dielectric material such as SiO, SiO ₂ , MgF ₂ , and SiN x (x is an integer of 1 or more) in addition to the metal oxide, metal nitride, or metal oxynitride described above .

본 출원에 있어서, 상기 기재로는 투명 기판을 사용할 수 있으나, 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 유리, 플라스틱 기판, 플라스틱 필름 등을 사용할 수 있다.In the present application, a transparent substrate can be used as the substrate but is not particularly limited, and for example, glass, a plastic substrate, a plastic film, or the like can be used.

본 출원에 있어서, 상기 금속층의 재료는 전기 전도도가 우수하고, 식각(etching)이 용이한 금속 재료일수록 좋다. 다만, 일반적으로 전기 전도도가 우수한 재료는 반사도가 높은 단점이 있다. 그러나, 본 출원에서는 상기 암색화층을 사용함으로써 반사도가 높은 재료를 이용하여 금속층을 형성할 수 있다. 본 출원에서는 반사도가 70 ~ 80% 이상인 재료를 이용하는 경우에도, 상기 암색화층을 추가함으로써 반사도를 낮추고, 금속층의 은폐성을 향상시킬 수 있으며, 콘트라스트 특성을 유지 또는 향상시킬 수 있다.In the present application, the material of the metal layer is preferably a metal material having excellent electrical conductivity and being easy to be etched. However, a material having an excellent electric conductivity generally has a high reflectivity. However, in the present application, a metal layer can be formed using a material having high reflectivity by using the above-mentioned darkening layer. In the present application, even when a material having a reflectivity of 70 to 80% or more is used, the addition of the darkening layer can lower the reflectivity, improve the concealability of the metal layer, and maintain or improve the contrast characteristic.

상기 금속층의 재료의 구체적인 예로는 구리, 알루미늄, 은, 네오디윰, 몰리브덴, 니켈, 이들의 합금 등을 1종 이상 포함하는 단일막 또는 다층막일 수 있고, 더욱 바람직하게는 구리 또는 알루미늄일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.The material of the metal layer may be a single layer or a multilayer including at least one of copper, aluminum, silver, neodymium, molybdenum, nickel, and alloys thereof, more preferably copper or aluminum, But is not limited thereto.

또한, 상기 금속층 및 암색화층은 서로 상이한 금속 원자를 포함할 수 있고, 서로 동일한 금속 원자를 포함할 수도 있다.The metal layer and the matting layer may contain different metal atoms and may contain the same metal atom.

특히, 본 출원에 있어서, 상기 금속층은 알루미늄을 포함하고, 상기 암색화층은 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물 및 알루미늄 산질화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것이 바람직하나, 이에만 한정되는 것은 아니다.Particularly, in the present application, it is preferable that the metal layer includes aluminum, and the quenched layer includes at least one selected from the group consisting of aluminum oxide, aluminum nitride and aluminum oxynitride, but is not limited thereto .

본 출원에 있어서, 상기 금속층을 형성하는 단계 및 암색화층을 형성하는 단계는 증착공정에 의하여 수행될 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.In this application, the step of forming the metal layer and the step of forming the matting layer may be performed by a deposition process, but the present invention is not limited thereto.

본 출원에 있어서, 상기 금속층 및 암색화층을 각각 또는 동시에 패터닝하는 공정을 추가로 포함할 수 있다.In the present application, it is possible to further include a step of patterning the metal layer and the matting layer separately or simultaneously.

즉, 본 출원의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 제조방법은 기재 상에 금속층을 형성하고 상기 금속층을 패터닝하여 금속 패턴을 형성한 후, 상기 금속 패턴 상에 암색화층 또는 암색화 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 본 출원의 다른 실시상태에 따른 전도성 구조체의 제조방법은 기재 상에 금속층을 형성하고 상기 금속층 상에 암색화층을 형성한 후, 상기 금속층 및 암색화층을 동시에 패터닝하여 금속 패턴 및 암색화 패턴을 형성할 수 있다.That is, in a method of manufacturing a conductive structure according to an embodiment of the present application, a metal layer is formed on a substrate, the metal layer is patterned to form a metal pattern, and a darkening layer or a darkening pattern is formed on the metal pattern have. According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a conductive structure, comprising: forming a metal layer on a substrate; forming a matting layer on the metal layer; patterning the metal layer and the matting layer simultaneously; .

또한, 본 출원의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 제조방법은 기재 상에 암색화층을 형성하고 상기 암색화층을 패터닝하여 암색화 패턴을 형성한 후, 상기 암색화 패턴 상에 금속층 또는 금속 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 본 출원의 다른 실시상태에 따른 전도성 구조체의 제조방법은 기재 상에 암색화층을 형성하고 상기 암색화층 상에 금속층을 형성한 후, 상기 금속층 및 암색화층을 동시에 패터닝하여 금속 패턴 및 암색화 패턴을 형성할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a method of manufacturing a conductive structure, which comprises forming a darkening layer on a substrate, patterning the darkening layer to form a darkening pattern, and forming a metal layer or a metal pattern on the darkening pattern can do. According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a conductive structure, including forming a dark color layer on a substrate, forming a metal layer on the dark color layer, patterning the metal layer and the dark color layer simultaneously, Can be formed.

본 출원에 있어서, 상기 금속 패턴의 선폭은 0㎛ 초과 10㎛ 이하일 수 있고, 구체적으로 0.1㎛ 이상 10㎛ 이하일 수 있으며, 더욱 구체적으로 0.2㎛ 이상 내지 8㎛ 이하일 수 있고, 더욱 더 구체적으로 0.5㎛ 이상 내지 5㎛ 이하일 수 있다.In the present application, the line width of the metal pattern may be more than 0 탆 and not more than 10 탆, specifically 0.1 탆 or more and 10 탆 or less, more specifically 0.2 탆 or more and 8 탆 or less, Or more and 5 m or less.

본 출원에 있어서, 상기 금속 패턴의 개구율, 즉 패턴에 의하여 덮여지지 않는 면적 비율은 70% 이상일 수 있고, 85% 이상일 수 있으며, 95% 이상일 수 있다. 또한, 상기 금속 패턴의 개구율은 90 내지 99.9%일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.In the present application, the opening ratio of the metal pattern, that is, the area ratio not covered by the pattern may be 70% or more, 85% or more, and 95% or more. In addition, the opening ratio of the metal pattern may be 90 to 99.9%, but is not limited thereto.

본 출원에 있어서, 상기 금속 패턴은 규칙적 패턴일 수도 있고, 불규칙적인 패턴일 수도 있다.In the present application, the metal pattern may be a regular pattern or an irregular pattern.

상기 규칙적인 패턴으로는 메쉬 패턴 등 당 기술분야의 패턴 형태가 사용될 수 있다. 상기 불규칙 패턴으로는 특별히 한정되지 않으나, 보로노이 다이어그램을 이루는 도형들의 경계선 형태일 수도 있다. 본 출원에서 불규칙 패턴과 암색화 패턴을 함께 사용하는 경우, 불규칙 패턴에 의하여 지향성이 있는 조명에 의한 반사광의 회절 패턴을 제거할 수도 있고, 암색화 패턴에 의하여 빛의 산란에 의한 영향을 최소화할 수 있어 시인성에 있어서의 문제점을 최소화할 수 있다.As the regular pattern, a pattern form of the related art such as a mesh pattern can be used. The irregular pattern is not particularly limited, but may be a boundary line shape of the Voronoi diagram. In the present application, when an irregular pattern and a darkening pattern are used together, it is possible to remove the diffraction pattern of the reflected light due to the illumination having the directivity by the irregular pattern, and to minimize the influence of light scattering by the darkening pattern So that the problem of visibility can be minimized.

본 출원에 있어서, 상기 금속 패턴은 연속하여 연결된 폐쇄도형들의 테두리 구조를 포함하며, 상기 금속 패턴은 임의의 단위면적(1cm × 1cm) 내에서 동일한 형태의 폐쇄도형이 존재하지 않고, 상기 폐쇄도형들의 꼭지점 개수는, 상기 폐쇄도형들과 동일한 개수의 사각형들의 꼭지점 개수와 상이한 것일 수 있다.In the present application, the metal pattern includes a rim structure of successively connected closed shapes, wherein the metal pattern has no closed shape of the same type within an arbitrary unit area (1 cm x 1 cm), and the closed shapes The number of vertexes may be different from the number of vertices of the same number of squares as the closed shapes.

상기 폐쇄도형들의 꼭지점 개수는, 상기 폐쇄도형들과 동일한 개수의 사각형들의 꼭지점 개수와 상이하다. 보다 구체적으로, 상기 폐쇄도형들의 꼭지점 개수는, 상기 폐쇄도형들과 동일한 개수의 사각형들의 꼭지점 개수와 비교하였을 때 더 많을 수 있고, 1.9 ~ 2.1배 더 많을 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.The number of vertexes of the closed diagrams is different from the number of vertices of the same number of squares as the closed diagrams. More specifically, the number of vertexes of the closed shapes may be greater than the number of vertices of the same number of squares as the closed shapes, and may be 1.9 to 2.1 times larger, but is not limited thereto.

본 출원에 있어서, 상기 폐쇄도형들은 서로 연속하여 연결된 것으로서, 예컨대 상기 폐쇄도형들이 다각형인 경우에는 서로 이웃하는 폐쇄도형들이 적어도 하나의 변을 공유하는 형태일 수 있다.In the present application, the closed graphics may be connected to each other in a continuous manner, for example, when the closed graphics are polygonal, the adjacent closed graphics may share at least one side.

본 출원에 있어서, 상기 금속 패턴은 연속하여 연결된 폐쇄도형들의 테두리 구조를 포함하며, 상기 금속 패턴은 임의의 단위면적(1cm × 1cm) 내에서 동일한 형태의 폐쇄도형이 존재하지 않고, 상기 폐쇄도형들의 꼭지점 개수는, 상기 폐쇄도형들 각각의 무게중심들간의 최단거리를 연결하여 형성한 다각형의 꼭지점의 개수와 상이한 것일 수 있다.In the present application, the metal pattern includes a rim structure of successively connected closed shapes, wherein the metal pattern has no closed shape of the same type within an arbitrary unit area (1 cm x 1 cm), and the closed shapes The number of vertex points may be different from the number of vertexes of the polygon formed by connecting the shortest distance between the centers of gravity of each of the closed graphics.

상기 폐쇄도형들의 꼭지점 개수는, 상기 폐쇄도형들 각각의 무게중심들간의 최단거리를 연결하여 형성한 다각형의 꼭지점의 개수와 상이하다. 보다 구체적으로, 상기 폐쇄도형들의 꼭지점 개수는, 상기 폐쇄도형들 각각의 무게중심들간의 최단거리를 연결하여 형성한 다각형의 꼭지점의 개수와 비교하였을 때 더 많을 수 있고, 1.9 ~ 2.1배 더 많을 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.The number of vertexes of the closed graphics is different from the number of vertices of the polygon formed by connecting the shortest distance between the centers of gravity of each of the closed graphics. More specifically, the number of vertexes of the closed diagrams may be greater when compared to the number of vertexes of the polygons formed by connecting the shortest distance between the centers of gravity of each of the closed diagrams, and may be greater by 1.9 to 2.1 times However, the present invention is not limited thereto.

본 출원에 있어서, 상기 금속 패턴은 연속하여 연결된 폐쇄도형들의 테두리 구조를 포함하며, 상기 금속 패턴은 임의의 단위면적(1cm × 1cm) 내에서 동일한 형태의 폐쇄도형이 존재하지 않고, 상기 폐쇄도형들은 하기 수학식 3의 값이 50 이상일 수 있다.In the present application, the metal pattern comprises a rim structure of successively connected closed shapes, wherein the metal pattern has no closed shape of the same type within an arbitrary unit area (1 cm x 1 cm), and the closed shapes The value of the following equation (3) may be 50 or more.

[수학식 3]&Quot; (3) "

(꼭지점간의 거리의 표준편차 / 꼭지점간 거리의 평균) × 100(Standard deviation of distance between vertexes / average of distance between vertexes) x 100

본 출원에 있어서, 상기 금속 패턴의 일면에 광원으로부터 나온 직진광을 조사하여 투과형 회절 패턴의 이미지를 얻었을 때, 상기 이미지는 하기 수학식 4의 값이 21 미만일 수 있다.In the present application, when an image of a transmissive diffraction pattern is obtained by irradiating linear light emitted from a light source onto one surface of the metal pattern, the image may have a value of (4) below 21.

[수학식 4]&Quot; (4) "

(각도영역에 따른 투과형 회절 패턴의 강도의 표준편차 / 각도영역에 따른 투과형 회절 패턴의 평균 강도) × 100(Standard deviation of intensity of transmission diffraction pattern according to angular region / average intensity of transmission diffraction pattern according to angular region) x 100

상기 수학식 4에서, 각도영역은 투과형 회절 패턴의 이미지 중심으로부터 0 ~ 360도를 각각 10도씩 구분한 영역을 의미한다.In Equation (4), the angular region means an area divided by 0 to 360 degrees from the center of the image of the transmissive diffraction pattern by 10 degrees.

상기 투과형 회절 패턴의 이미지를 얻었을 때, 상기 이미지는 수학식 4의 값이 21 미만일 수 있고, 15 이하일 수 있으며, 10 이하일 수 있다.When the image of the transmissive diffraction pattern is obtained, the image may have the value of Equation (4) be less than 21, less than 15, and less than 10.

본 출원에 있어서, 상기 금속 패턴은 연속하여 연결된 폐쇄도형들의 테두리 구조를 포함하고, 상기 폐쇄도형들의 테두리 구조는 직선, 곡선, 지그재그, 이들의 조합 등 다양하게 변형될 수 있다.In the present application, the metal pattern includes a frame structure of closed graphic objects connected in series, and the frame structure of the closed graphic objects may be variously modified, such as a straight line, a curve, a zigzag, or a combination thereof.

본 출원에 있어서, 상기 금속 패턴은 단위면적 내에서 서로 동일한 폐쇄도형이 존재하지 않을 수 있다.In the present application, the metal patterns may not have the same closed shapes within the unit area.

본 출원에 있어서, 상기 전도성 패턴은 연속하여 연결된 폐쇄도형들의 테두리 구조를 포함하고, 상기 폐쇄도형들의 테두리를 구성하는 선들을 임의의 직선에 대하여 이루는 각을 0 ~ 180도에서 10도 단위로 구분하였을 때, 각각의 각도범위에 속하는 선들의 개수들에 대하여, 하기 수학식 5의 값이 21 미만일 수 있고, 15 이하일 수 있으며, 10 이하일 수 있다.In the present application, the conductive pattern includes a frame structure of connected graphic objects connected in series, and an angle formed between the lines constituting the frame of the closed graphic objects on an arbitrary straight line is divided into 0 to 180 degrees to 10 degree units For the number of lines belonging to each angular range, the value of the following equation (5) may be less than 21, may be 15 or less, and may be 10 or less.

[수학식 5]&Quot; (5) "

(각도범위에 해당되는 선의 개수의 표준편차 / 각도범위에 해당되는 선의 개수의 평균) × 100(Average of the number of lines corresponding to the standard deviation / angular range of the number of lines corresponding to the angular range) × 100

본 출원에 있어서, 상기 금속 패턴에서 상기 수학식 3 내지 5의 값은 전기 전도성 패턴의 단위면적 내에서 계산될 수 있다. 상기 단위면적은 금속 패턴이 형성되는 면적일 수 있고, 예컨대 3.5cm × 3.5cm 등일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.In the present application, the values of the equations (3) to (5) in the metal pattern can be calculated within a unit area of the electrically conductive pattern. The unit area may be an area where the metal pattern is formed, for example, 3.5 cm x 3.5 cm, but is not limited thereto.

상기 꼭지점은 금속 패턴의 폐쇄도형들의 테두리를 구성하는 선들이 서로 교차하는 점을 의미하는 것으로 정의하기로 한다.The vertex is defined as a point at which the lines constituting the rim of the closed graphics of the metal pattern intersect with each other.

이와 같이 패턴을 형성함으로써 터치 스크린에 요구되는 미세한 금속 패턴을 구현할 수 있다. 터치 스크린에 있어서, 미세한 금속 패턴을 구현하지 못하는 경우, 저항 등 터치 스크린에 요구되는 물성을 달성할 수 없다.By forming the pattern as described above, it is possible to realize a fine metal pattern required for the touch screen. If a fine metal pattern can not be realized in a touch screen, properties required for a touch screen such as a resistor can not be achieved.

본 출원에 있어서, 상기 금속 패턴은 규칙적으로 배열된 단위 유닛셀 내에 각각 임의의 점들을 배치한 후, 각각의 점들이 다른 점들로부터의 거리에 비하여 가장 가까운 점과 연결되어 이루어진 폐쇄도형들의 테두리 구조의 형태일 수 있다.In the present application, the metal pattern is formed by arranging arbitrary points in regularly arranged unit unit cells, and then arranging the boundary structure of the closed shapes with the respective points connected with the closest point to the distance from the other points Lt; / RTI >

이 때, 상기 규칙적으로 배열된 단위 유닛셀 내에 임의의 점들을 배치하는 방식에 불규칙도를 도입하는 경우에 본 출원의 일 실시상태에 따른 금속 패턴이 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 불규칙도를 0으로 부여하는 경우에는 단위 유닛셀이 정사각형이면 금속 패턴이 정사각형 메쉬 구조가 형성되고, 단위 유닛셀이 정육각형이면 금속 패턴이 벌집(honeycomb) 구조가 형성되게 된다.At this time, a metal pattern according to one embodiment of the present application can be formed when an irregularity is introduced into a method of arranging arbitrary points in the regularly arranged unit cell. For example, in the case where the irregularity degree is set to 0, if the unit cell is square, the metal pattern has a square mesh structure, and if the unit cell is regular hexagon, the metal pattern has a honeycomb structure.

본 출원의 일 실시상태에 따른 불규칙 패턴 형태의 금속 패턴에 의하여, 패턴을 이루는 선의 쏠림현상 등을 억제할 수 있고, 디스플레이로부터 균일한 투과율을 얻게 해줌과 동시에 단위면적에 대한 선밀도를 동일하게 유지시켜 줄 수 있으며, 균일한 전도도를 확보할 수 있게 된다.The irregular pattern metal pattern according to one embodiment of the present application can suppress the tilting phenomenon of the lines forming the pattern and obtain a uniform transmittance from the display and maintain the same linear density with respect to the unit area And a uniform conductivity can be secured.

본 출원에 있어서, 상기 금속 패턴은 단위면적(3.5cm × 3.5cm) 내에서 폐쇄도형들의 꼭지점의 수가 6,000개 이상일 수 있고, 7,000개 이상일 수 있으며, 15,000개 이상일 수 있고, 245,000개 이하일 수 있으나, 이는 당업자가 원하는 투과도 및 전도도에 따라 조정할 수 있다.In the present application, the number of vertexes of closed shapes in the unit area (3.5 cm x 3.5 cm) of the metal pattern may be 6,000 or more, 7,000 or more, 15,000 or more, and 245,000 or less, This can be adjusted according to the desired permeability and conductivity of the person skilled in the art.

본 출원에 있어서, 상기 금속 패턴의 선폭은 10㎛ 이하이고, 상기 금속 패턴은 3.5cm × 3.5cm의 면적 내에서 폐쇄도형들의 꼭지점의 수가 6,000 ~ 245,000개일 수 있다. 또한, 상기 금속 패턴의 선폭은 7㎛ 이하이고, 상기 금속 패턴은 3.5cm × 3.5cm의 면적 내에서 폐쇄도형들의 꼭지점의 수가 7,000 ~ 62,000개일 수 있다. 또한, 상기 금속 패턴의 선폭은 5㎛ 이하이고, 상기 금속 패턴은 3.5cm × 3.5cm의 면적 내에서 폐쇄도형들의 꼭지점의 수가 15,000 ~ 62,000개일 수 있다.In the present application, the line width of the metal pattern is 10 μm or less, and the number of vertexes of the closed shapes in the area of 3.5 cm × 3.5 cm may be 6,000 to 245,000. In addition, the line width of the metal pattern is 7 占 퐉 or less, and the number of vertexes of the closed shapes in the area of 3.5 cm 占 3.5 cm may be 7,000 to 62,000. In addition, the line width of the metal pattern is 5 占 퐉 or less, and the number of vertexes of the closed shapes in the area of 3.5 cm 占 3.5 cm may be 15,000 to 62,000.

상기 단위면적 내의 패턴을 구성하는 도형들 중 적어도 하나는 나머지 도형들과 상이한 형태를 가질 수 있다.At least one of the figures constituting the pattern within the unit area may have a different form from the remaining figures.

본 출원에 있어서, 상기 암색화 패턴과 상기 금속 패턴은 그 측면이 순 테이퍼각을 가질 수 있으나, 금속 패턴의 기재측 반대면 상에 위치하는 암색화 패턴 또는 금속 패턴은 역테이퍼각을 가질 수도 있다.In the present application, the darkening pattern and the metal pattern may have a side taper angle, but the darkening pattern or metal pattern located on the opposite side of the base side of the metal pattern may have an inverse taper angle .

본 출원의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 예를 하기 도 1 내지 도 3에 예시하였다. 도 1 내지 도 3은 기재, 금속층 및 암색화층의 적층 순서를 예시하기 위한 것이며, 상기 금속층 및 상기 암색화층은 실제로 터치 스크린 패널 등의 미세 투명 전극 용도로 적용시 전면층이 아니라 패턴 형태일 수 있다.Examples of the conductive structure according to one embodiment of the present application are illustrated in Figs. 1 to 3. Fig. 1 to 3 are illustrative of the order of lamination of the base material, the metal layer and the darkening layer, and the metal layer and the darkening layer may be in the form of a pattern rather than a front layer when actually applied to the use of a micro transparent electrode such as a touch screen panel .

도 1에 따르면, 상기 암색화층(200)이 상기 기재(100)와 상기 금속층(300) 사이에 배치된 경우를 예시한 것이다. 이는 사용자가 기재 측에서 터치 스크린 패널을 바라보는 경우 금속층에 의한 반사도를 크게 감소시킬 수 있다.Referring to FIG. 1, the darkening layer 200 is disposed between the substrate 100 and the metal layer 300. This can significantly reduce the reflectivity of the metal layer when the user views the touch screen panel on the substrate side.

도 2에 따르면, 상기 암색화층(200)이 상기 금속층(300) 위에 배치된 경우를 예시한 것이다. 이는 사용자가 기재측의 반대면에서 터치 스크린 패널을 바라보는 경우 금속층에 의한 반사도를 크게 감소시킬 수 있다.Referring to FIG. 2, the darkening layer 200 is disposed on the metal layer 300. This can greatly reduce the reflectivity of the metal layer when the user views the touch screen panel on the opposite side of the substrate side.

도 3에 따르면, 상기 암색화층(200, 220)이 상기 기재(100)와 상기 금속층(300) 사이와, 상기 금속층(300) 위에 모두 배치된 경우를 예시한 것이다. 이는 사용자가 터치 스크린 패널을 기재측에서 바라보는 경우와 그 반대측에서 바라보는 경우 모두 금속층에 의한 반사도를 크게 감소시킬 수 있다.3, the darkening layers 200 and 220 are disposed on both the substrate 100 and the metal layer 300 and on the metal layer 300, respectively. This can greatly reduce the reflectivity of the metal layer both when the user views the touch screen panel from the substrate side and when viewing from the opposite side.

본 출원의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 구조는 암색화층이 금속층의 적어도 일면에 구비된 것일 수 있다.The structure of the conductive structure according to one embodiment of the present application may be such that a dark coloring layer is provided on at least one surface of the metal layer.

본 출원의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 구조는 기재, 암색화층, 금속층 및 암색화층이 순차적으로 적층된 구조일 수 있다. 또한, 상기 전도성 구조체는 최외곽의 암색화층 상에 추가의 금속층 및 암색화층을 포함할 수 있다.The structure of the conductive structure according to one embodiment of the present application may be a structure in which a substrate, a darkened layer, a metal layer, and a darkened layer are sequentially laminated. In addition, the conductive structure may include an additional metal layer and a darkening layer on the outermost darkening layer.

즉, 본 출원의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 구조는 기재/암색화층/금속층의 구조, 기재/금속층/암색화층의 구조, 기재/암색화층/금속층/암색화층의 구조, 기재/금속층/암색화층/금속층의 구조, 기재/암색화층/금속층/암색화층/금속층/암색화층의 구조, 기재/암색화층/금속층/암색화층/금속층/암색화층/금속층/암색화층의 구조 등일 수 있다.That is, the structure of the conductive structure according to one embodiment of the present application is a structure of a substrate / a dark coloring layer / a metal layer, a structure of a substrate / a metal layer / a darkening layer, a structure / a darkening layer / a metal layer / The structure of the layer / metal layer, the substrate / dark coloration layer / metal layer / dark coloration layer / metal layer / structure of dark coloration layer, substrate / dark coloration layer / metal layer / dark coloration layer / metal layer / dark coloration layer / metal layer / dark coloration layer structure.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 전도성 구조체는 면저항이 1 Ω/□ 이상 300 Ω/□ 이하일 수 있고, 구체적으로 1 Ω/□ 이상 100 Ω/□ 이하일 수 있으며, 더욱 구체적으로 1 Ω/□ 이상 50 Ω/□ 이하일 수 있고, 더욱 더 구체적으로 1 Ω/□ 이상 20 Ω/□ 이하일 수 있다.In one embodiment of the present application, the conductive structure may have a sheet resistance of 1 Ω / □ or more and 300 Ω / □ or less, specifically 1 Ω / □ or more and 100 Ω / □ or less, more specifically 1 Ω / □ Or more and 50 Ω / □ or less, and more specifically, 1 Ω / □ or more and 20 Ω / □ or less.

상기 전도성 구조체의 면저항이 1 Ω/□ 이상 300 Ω/□ 이하이면 종래의 ITO 투명 전극을 대체할 수 있는 효과가 있다. 상기 전도성 구조체의 면저항이 1 Ω/□ 이상 100 Ω/□ 이하인 경우, 또는 1 Ω/□ 이상 50 Ω/□ 이하인 경우, 특히 1 Ω/□ 이상 20 Ω/□ 이하인 경우에는 종래 ITO 투명 전극 사용시보다 면저항이 상당히 낮기 때문에 신호 인가시 RC 지연이 짧아져 터치 인식 속도를 현저하게 개선할 수 있으며, 이를 바탕으로 10인치 이상 대면적 터치 스크린 적용이 용이하다는 장점이 있다.If the sheet resistance of the conductive structure is 1 Ω / □ or more and 300 Ω / □ or less, it is possible to replace the conventional ITO transparent electrode. In the case where the sheet resistance of the conductive structure is 1 Ω / □ or more and 100 Ω / □ or less, or 1 Ω / □ or more and 50 Ω / □ or less, especially 1 Ω / □ or more and 20 Ω / □ or less, Since the surface resistance is considerably low, the RC delay is shortened when the signal is applied, and the speed of the recognition of the touch can be remarkably improved. Thus, it is easy to apply the large-sized touch screen of 10 inches or more.

상기 전도성 구조체에서 패턴화하기 이전의 금속층 또는 암색화층의 면저항은 0 Ω/□ 초과 2 Ω/□ 이하, 구체적으로 0 Ω/□ 초과 0.7 Ω/□ 이하일 수 있다. 상기 면저항이 2 Ω/□ 이하이면, 특히 0.7 Ω/□ 이하이면, 패터닝 전의 금속층 또는 암색화층의 면저항이 낮을수록 미세 패터닝 설계 및 제조공정이 용이하게 진행되며, 패터닝 후의 전도성 구조체의 면저항이 낮아져서 전극의 반응 속도를 빠르게 하는 효과가 있다. 상기 면저항은 금속층 또는 암색화층의 두께에 따라 조절될 수 있다.The sheet resistance of the metal layer or the darkening layer before patterning in the conductive structure may be more than 0? /? And not more than 2? /?, Specifically more than 0? /? And not more than 0.7? /. When the sheet resistance is 2 Ω / □ or less, especially 0.7 Ω / □ or less, the lower the sheet resistance of the metal layer or the darkening layer before patterning, the more easily the patterning design and manufacturing process becomes, and the sheet resistance of the conductive structure after patterning becomes lower, It is possible to increase the reaction rate of the reaction solution. The sheet resistance can be adjusted depending on the thickness of the metal layer or the darkening layer.

본 출원의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체는 가시광선 영역에서의 평균 소멸계수(Extinction coefficient) k가 0.2 내지 1.5, 구체적으로는 0.4 내지 1.0 일 수 있다. 상기 평균 소멸계수 k가 0.2 이상이면 암색화를 가능하게 하는 효과가 있다. 상기 평균 소멸계수 k는 흡수계수(Absorption Coefficient)라고도 하며, 특정 파장에서 전도성 구조체가 빛을 얼마나 강하게 흡수하는지를 정의할 수 있는 척도로서, 전도성 구조체의 투과도를 결정하는 요소이다. 예를 들어, 투명한 유전체(dielectric) 물질인 경우, k < 0.2로 k 값이 매우 작다. 그러나, 물질 내부에 금속 성분이 증가할수록 k 값이 증가하게 된다. 만약, 더욱 더 금속 성분이 많아지면, 투과가 거의 일어나지 않고, 대부분 표면 반사만 일어나는 금속이 되며, 소멸계수 k는 1.5 초과가 되어 암색화층의 형성에는 바람직하지 않다.The conductive structure according to one embodiment of the present application may have an average extinction coefficient k in the visible light region of 0.2 to 1.5, specifically 0.4 to 1.0. When the average extinction coefficient k is 0.2 or more, darkening is possible. The average extinction coefficient k is also referred to as an absorption coefficient, and is a factor that determines how strongly a conductive structure absorbs light at a specific wavelength, and is a factor that determines the transmittance of the conductive structure. For example, for a transparent dielectric material, the k value is very small with k <0.2. However, as the metal content increases, the k value increases. If the metal content is further increased, the metal is hardly permeated and only the surface is reflected, and the extinction coefficient k is more than 1.5, which is not preferable for forming the colored layer.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 전도성 구조체는 가시광선 영역에서의 평균 굴절율이 2 내지 3 일 수 있다.In one embodiment of the present application, the conductive structure may have an average refractive index of 2 to 3 in the visible light region.

본 명세서에 있어서, 상기 가시광선 영역은 360 내지 820nm의 파장을 갖는 영역을 의미한다.In this specification, the visible light region means a region having a wavelength of 360 to 820 nm.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 암색화층의 두께는 20nm 내지 60nm, 구체적으로 25nm 내지 50nm, 더욱 구체적으로 30nm 내지 50nm 일 수 있다. 상기 암색화 패턴은 사용하는 재료 및 제조 공정에 따라 바람직한 두께가 상이할 수 있으나, 식각(etching) 특성을 고려하면 두께가 20nm 미만이면 공정 조절이 쉽지 않을 수 있고, 60nm 초과이면 생산 속도 측면에서 불리할 수 있다. 구체적으로 두께가 25nm 이상 50nm 이하인 경우, 더욱 구체적으로 30nm 내지 50nm인 경우, 공정 조절이 쉽고, 생산 속도가 개선되어서 제조 공정에서 더욱 유리할 수 있다. 이 경우 반사율이 더욱 감소하여, 암색화층이 더 잘 형성되어 더욱 유리한 효과가 있다.In one embodiment of the present invention, the thickness of the darkening layer may be 20 nm to 60 nm, specifically 25 nm to 50 nm, more specifically 30 nm to 50 nm. If the thickness is less than 20 nm, it may not be easy to control the process. If the thickness is more than 60 nm, it may be disadvantageous in terms of production speed. can do. More specifically, when the thickness is 25 nm or more and 50 nm or less, more specifically, when the thickness is 30 nm to 50 nm, the process can be easily controlled and the production speed can be improved, which can be more advantageous in the manufacturing process. In this case, the reflectance is further reduced, and the maturing layer is formed more well, which is more advantageous.

본 발명의 일 구현예에서, 상기 암색화층의 전반사율(total reflection)은 20% 이하일 수 있고, 구체적으로 15% 이하일 수 있고, 더욱 구체적으로 10% 이하일 수 있으며, 더욱 더 구체적으로 5% 이하일 수 있고, 3% 이하일 수 있다. 상기 전반사율은 작을수록 효과가 더욱 좋다.In one embodiment of the present invention, the total reflection of the darkening layer may be less than 20%, specifically less than 15%, more specifically less than 10%, and even more specifically less than 5% And can be less than 3%. The smaller the total reflectance is, the better the effect is.

상기 전반사율의 측정은 상기 암색화층이 상기 금속층과 접하는 면의 반대면 방향에서 측정한 것일 수 있다. 이 방향에서 측정하였을 때 전반사율은 20% 이하일 수 있고, 구체적으로 15% 이하일 수 있으며, 더욱 구체적으로 10% 이하일 수 있고, 더욱 더 구체적으로 5% 이하일 수 있고, 3% 이하일 수 있다. 상기 반사율은 작을수록 효과가 더욱 좋다.The total reflectance may be measured in the opposite surface direction of the surface where the darkening layer is in contact with the metal layer. When measured in this direction, the total reflectance may be 20% or less, specifically 15% or less, more specifically 10% or less, still more specifically 5% or less and 3% or less. The smaller the reflectance is, the better the effect is.

또한, 상기 암색화층이 상기 금속층과 기재 사이에 구비되고, 상기 기재측에서 측정한 것일 수 있다. 상기 기재측에서 전반사율을 측정하였을 때 전반사율은 20% 이하일 수 있고, 구체적으로 15% 이하일 수 있으며, 더욱 구체적으로 10% 이하일 수 있고, 더욱 더 구체적으로 5% 이하일 수 있고, 3% 이하일 수 있다. 상기 전반사율은 작을수록 효과가 더욱 좋다.Further, the darkening layer may be provided between the metal layer and the substrate, and measured at the substrate side. When the total reflectance is measured on the substrate side, the total reflectance may be 20% or less, specifically 15% or less, more specifically 10% or less, more specifically 5% or less, have. The smaller the total reflectance is, the better the effect is.

본 명세서에 있어서, 상기 전반사율은 측정하고자 하는 면의 반대면을 검은 층(perfect black)으로 처리한 후, 측정하고자 하는 면에 90°로 입사한 파장 300 ~ 800nm, 구체적으로 380 ~ 780nm, 더욱 구체적으로 550nm의 빛에 대한 반사율을 의미한다.In this specification, the total reflectance is obtained by treating the opposite surface of the surface to be measured with a perfect black, then irradiating the surface to be measured with a wavelength of 300 to 800 nm, specifically, 380 to 780 nm Specifically, it means the reflectance for light of 550 nm.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 전도성 구조체는 암색화층의 전반사율이 20% 이하일 수 있고, 구체적으로 15% 이하일 수 있으며, 더욱 구체적으로 10% 이하일 수 있고, 더욱 더 구체적으로 6% 이하일 수 있다. 상기 전반사율은 작을수록 효과가 더욱 좋다.In one embodiment of the present application, the conductive structure may have a total reflectance of 20% or less, specifically 15% or less, more specifically 10% or less, and still more specifically 6% or less have. The smaller the total reflectance is, the better the effect is.

본 명세서에 있어서, 전반사율은 입사광을 100%로 하였을 때 광이 입사한 대상 패턴층 또는 전도성 구조체에 의하여 반사된 반사광 중 300 ~ 680nm, 구체적으로 450 ~ 650nm, 더욱 구체적으로 550nm의 파장 값을 기준으로 측정한 값일 수 있다.In this specification, the total reflectance refers to the wavelength of 300 to 680 nm, specifically 450 to 650 nm, more specifically 550 nm, of the reflected light reflected by the target pattern layer or the conductive structure on which light is incident when the incident light is 100% . &Lt; / RTI >

본 출원의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체에 있어서, 상기 암색화 패턴은 상기 금속 패턴과 접하는 제1면 및 상기 제1면에 대향하는 제2면을 포함할 수 있다. 상기 암색화 패턴의 제2면 측에서 상기 전도성 구조체의 전반사율을 측정하였을 때, 상기 전도성 구조체의 전반사율(Rt)은 하기 수학식 1로 계산될 수 있다.In the conductive structure according to one embodiment of the present application, the darkening pattern may include a first surface in contact with the metal pattern and a second surface opposite to the first surface. When the total reflectance of the conductive structure on the second surface side of the darkened pattern is measured, the total reflectance (Rt) of the conductive structure can be calculated by the following equation (1).

[수학식 1][Equation 1]

전반사율(Rt) = 기재의 반사율 + 폐쇄율 × 암색화 패턴의 반사율Total reflectance (Rt) = reflectance of base material + closure rate x reflectance of darkening pattern

또한, 상기 전도성 구조체의 구성이 전도성 구조체 2종이 라미네이션된 경우에는 전도성 구조체의 전반사율(Rt)는 하기 수학식 2로 계산될 수 있다.When the conductive structure is laminated with two conductive structures, the total reflectance (Rt) of the conductive structure can be calculated by the following equation (2).

[수학식 2]&Quot; (2) "

전반사율(Rt) = 기재의 반사율 + 폐쇄율 × 암색화 패턴의 반사율 × 2Total reflectance (Rt) = reflectance of base material + closure rate x reflectance of darkening pattern x 2

상기 수학식 1 및 2에서 기재의 반사율은 터치 강화유리의 반사율일 수 있고, 표면이 필름인 경우에는 필름의 반사율일 수 있다.The reflectance of the above-described equations (1) and (2) may be the reflectance of the touch-enhanced glass and may be the reflectance of the film when the surface is a film.

또한, 상기 폐쇄율은 전도성 구조체의 평면을 기준으로 금속 패턴에 의하여 덮여지는 영역이 차지하는 면적 비율, 즉 (1 - 개구율)로 나타낼 수 있다.In addition, the closing rate can be expressed by the area ratio occupied by the area covered by the metal pattern with respect to the plane of the conductive structure, that is, (1 - opening ratio).

따라서, 암색화 패턴이 있는 경우와 없는 경우의 차이는 암색화 패턴의 반사율에 의하여 의존하게 된다. 이러한 관점에서, 본 출원의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 전반사율(Rt)은 상기 암색화 패턴이 없는 것을 제외하고 동일한 구성을 갖는 전도성 구조체의 전반사율(R₀)에 비하여 10 ~ 20% 감소된 것일 수 있고, 20 ~ 30% 감소된 것일 수 있으며, 30 ~ 40% 감소된 것일 수 있고, 40 ~ 50% 감소된 것일 수 있으며, 50 ~ 70% 감소된 것일 수 있다. 즉, 상기 수학식 1 및 2에서 폐쇄율 범위를 1 ~ 10% 범위로 변화시키면서 전반사율 범위를 1 ~ 30%까지 변화시키는 경우 최대 70%의 전반사율 감소 효과를 나타낼 수 있고, 최소 10%의 전반사율 감소 효과를 나타낼 수 있다.Therefore, the difference between the case with and without the darkening pattern depends on the reflectance of the darkening pattern. From this viewpoint, the total reflectance Rt of the conductive structure according to an embodiment of the present application is reduced by 10 to 20% as compared with the total reflectance (R ₀ ) of the conductive structure having the same configuration, except that the darkening pattern is absent And may be 20-30% reduced, 30-40% reduced, 40-50% reduced, and 50-70% reduced. That is, when the coverage ratio is changed in the range of 1 to 10% and the reflectance range is changed in the range of 1 to 30% in the above Equations 1 and 2, the total reflection reduction effect can be maximized by 70% The total reflectance reduction effect can be exhibited.

본 출원의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체에 있어서, 상기 암색화 패턴은 상기 금속 패턴과 접하는 제1면 및 상기 제1면에 대향하는 제2면을 포함하고, 상기 암색화 패턴의 제2면 측에서 상기 전도성 구조체의 전반사율을 측정하였을 때, 상기 전도성 구조체의 전반사율(Rt)은 상기 기재의 전반사율(R₀)과의 차이가 40% 이하일 수 있고, 30% 이하일 수 있으며, 20% 이하일 수 있고, 10% 이하일 수 있다.In the conductive structure according to one embodiment of the present application, the darkening pattern includes a first surface in contact with the metal pattern and a second surface opposite to the first surface, and the second surface of the darkening pattern The total reflectance Rt of the conductive structure may be 40% or less of the total reflectance R ₀ of the base material, may be 30% or less, and may be 20% or less when the total reflectance of the conductive structure is measured And can be less than 10%.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 전도성 구조체는 CIE(국제조명위원회: Commission Internationale de l'Eclairage) L*a*b* 색좌표 기준으로 명도값(L*)이 50 이하일 수 있고, 더욱 구체적으로는 20 이하일 수 있다. 명도값이 낮을수록 전반사율이 낮아져서 유리한 효과가 있다.In one embodiment of the present application, the conductive structure may have a brightness value L * of 50 or less based on CIE (Commission Internationale de l'Eclairage) L * a * b * color coordinate reference, May be 20 or less. The lower the brightness value, the lower the total reflectance, which is advantageous.

또한, 본 출원의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체에 있어서, 상기 암색화 패턴은 접착층 또는 점착층을 개재하지 않고, 직접 상기 기재 상에 또는 직접 상기 금속 패턴 상에 구비될 수 있다. 상기 접착층 또는 점착층은 내구성이나 광학 물성에 영향을 미칠 수 있다. 또한, 본 출원의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체는 접착층 또는 점착층을 이용하는 경우와 비교할 때 제조방법이 전혀 상이하다. 더욱이, 접착층이나 점착층을 이용하는 경우에 비하여, 본 출원의 일 실시상태에에서는 기재 또는 금속 패턴과 암색화 패턴의 계면 특성이 우수하다.Further, in the conductive structure according to one embodiment of the present application, the darkening pattern may be provided directly on the substrate or directly on the metal pattern without interposing an adhesive layer or an adhesive layer. The adhesive layer or the adhesive layer may affect durability and optical properties. Further, the conductive structure according to one embodiment of the present application has a completely different manufacturing method as compared with the case of using the adhesive layer or the adhesive layer. Furthermore, in one embodiment of the present application, the interface property between the substrate or the metal pattern and the darkened pattern is excellent, compared with the case of using the adhesive layer or the adhesive layer.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 암색화 패턴은 단일층으로 이루어질 수도 있고, 2층 이상의 복수층으로 이루어질 수도 있다.In one embodiment of the present application, the darkening pattern may be a single layer or a plurality of layers of two or more layers.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 암색화 패턴은 무채색(無彩色) 계열의 색상을 띠는 것이 바람직하다. 이 때, 무채색 계열의 색상이라 함은 물체의 표면에 입사(入射)하는 빛이 선택 흡수되지 않고, 각 성분의 파장(波長)에 대해 골고루 반사 흡수될 때에 나타나는 색을 의미한다.In one embodiment of the present application, it is preferable that the darkened pattern has an achromatic color. In this case, the hue of the achromatic series means a color which appears when light incident on the surface of the object is not selectively absorbed but is reflected and absorbed evenly with respect to the wavelength (wavelength) of each component.

상기 전자 소자는 터치 스크린 패널, 디스플레이 장치, 태양 전지 등을 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.The electronic device includes, but is not limited to, a touch screen panel, a display device, and a solar cell.

보다 구체적으로, 예컨대, 정전용량식 터치스크린 패널에 있어서, 상기 본 발명의 일 구현예에 다른 전도성 구조체는 터치 감응식 전극 기판으로 사용될 수 있다.More specifically, for example, in a capacitive touch screen panel, the conductive structure according to an embodiment of the present invention can be used as a touch sensitive electrode substrate.

상기 터치 스크린 패널은 전술한 기재, 금속층 및 암색화층을 포함하는 전도성 구조체 이외에 추가의 구조체를 더 포함할 수 있다. 이 경우, 2개의 구조체가 서로 같은 방향으로 배치될 수도 있으며, 2개의 구조체가 서로 반대 방향으로 배치될 수도 있다. 본 발명의 터치 스크린 패널에 포함될 수 있는 2개 이상의 구조체는 동일한 구조일 필요는 없으며, 어느 하나, 바람직하게는 사용자에 가장 가까운 측의 구조체만 전술한 기재, 금속층 및 암색화층을 포함하는 것이기만 해도 좋으며, 추가로 포함되는 구조체는 패턴화된 암색화층을 포함하지 않아도 좋다. 또한, 2개 이상의 구조체 내의 층 적층 구조가 서로 상이해도 좋다. 2개 이상의 구조체가 포함되는 경우 이들 사이에는 절연층이 구비될 수 있다. 이 때, 절연층은 점착층의 기능이 추가로 부여될 수도 있다.The touch screen panel may further include additional structures in addition to the conductive structure including the above-described substrate, metal layer, and darkening layer. In this case, the two structures may be arranged in the same direction, or the two structures may be arranged in directions opposite to each other. The two or more structures that may be included in the touch screen panel of the present invention need not be of the same structure and only one of the structures closest to the user, preferably the user, including the substrate, the metal layer, And the further included structure may not include the patterned darkening layer. Further, the layer lamination structures in two or more structures may be different from each other. When two or more structures are included, an insulating layer may be provided therebetween. At this time, the insulating layer may be further given the function of the adhesive layer.

본 출원의 일 실시상태에 따른 터치 스크린 패널은 하부 기재; 상부 기재; 및 상기 하부 기재의 상부 기재에 접하는 면　및 상기 상부 기재의 하부 기재에 접하는 면 중 어느 한 면 또는 양면에 구비된　전극층을 포함할 수 있다. 상기 전극층은 각각 X축 위치 검출 및 Y축 위치 검출 기능을 할 수 있다.A touch screen panel according to an embodiment of the present application includes a lower substrate; An upper substrate; And an electrode layer provided on at least one side of a surface of the lower substrate contacting the upper substrate and a surface of the upper substrate contacting the lower substrate. The electrode layers can perform X-axis position detection and Y-axis position detection functions, respectively.

이 때, 상기 하부 기재 및 상기 하부 기재의 상부 기재에 접하는 면에 구비된 전극층; 및 상기 상부 기재 및 상기 상부 기재의 하부 기재에 접하는 면에 구비된 전극층 중 하나 또는 두 개 모두가 전술한 본 출원의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체일 수 있다. 상기 전극층 중 어느 하나만이 본 출원에 따른 전도성 구조체인 경우, 나머지 다른 하나는 당 기술분야에 알려져 있는 금속 패턴을 가질 수 있다.An electrode layer provided on a surface of the lower substrate and an upper substrate of the lower substrate; And an electrode layer provided on a surface of the upper substrate and the lower substrate of the upper substrate that are in contact with the lower substrate may be a conductive structure according to one embodiment of the presently filed application. If only one of the electrode layers is a conductive structure according to the present application, the other one may have a metal pattern known in the art.

상기 상부 기재와 상기 하부 기재 모두의 일면에 전극층이 구비되어 ２층의　전극층이 형성되는 경우, 상기 전극층의 간격을 일정하기 유지하고 접속이 일어나지 않도록 상기 하부 기재와 상부 기재 사이에 절연층 또는 스페이서가 구비될　수　있다. 상기 절연층은 점착제 또는 UV 혹은 열 경화성 수지를 포함할 수 있다. 상기 터치 스크린 패널은 전술한 전도성 구조체 중의 금속 패턴과 연결된 접지부를 더 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 접지부는 상기 기재의 금속 패턴이 형성된 면의 가장자리부에 형성될 수 있다. 또한，상기 전도성 구조체를 포함하는 적층재의 적어도 일면에는 반사 방지 필름, 편광 필름, 내지문 필름 중 적어도 하나가 구비될 수 있다. 설계사양에 따라 전술한 기능성 필름 이외에 다른 종류의 기능성 필름을 더 포함할 수도 있다. 상기와 같은 터치 스크린 패널은 OLED 디스플레이 패널(OLED Display Panel, PDP), 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display, LCD), 및 음극선관(Cathode-Ray Tube, CRT), PDP와 같은 디스플레이 장치에 적용될 수 있다.When an electrode layer is formed on one surface of both the upper substrate and the lower substrate to form a two-layer electrode layer, an insulating layer or a spacer is interposed between the lower substrate and the upper substrate so as to maintain a constant interval between the electrode layers and prevent connection. . The insulating layer may include a pressure-sensitive adhesive or a UV or thermosetting resin. The touch screen panel may further include a ground portion connected to the metal pattern of the conductive structure. For example, the ground portion may be formed at the edge portion of the surface of the substrate on which the metal pattern is formed. In addition, at least one of an antireflection film, a polarizing film, and an inner fingerprint film may be provided on at least one side of the laminate including the conductive structure. But may further include other types of functional films other than the above-described functional films according to design specifications. The touch screen panel may be applied to a display device such as an OLED display panel (PDP), a liquid crystal display (LCD), a cathode ray tube (CRT), or a PDP.

본 출원의 일 실시상태에 따른 터치 스크린 패널에 있어서, 상기 기재의 양면에 각각 금속 패턴 및 암색화 패턴이 구비될 수 있다.In the touch screen panel according to one embodiment of the present application, metal patterns and darkening patterns may be provided on both sides of the substrate.

본 출원의 일 실시상태에 따른 터치 스크린 패널은 상기 전도성 구조체 상에 전극부 또는 패드부를 추가로 포함할 수 있으며. 이 때 유효화면부와 전극부 및 패드부는 동일한 전도체로 구성될 수 있다.The touch screen panel according to one embodiment of the present application may further include an electrode portion or a pad portion on the conductive structure. At this time, the effective screen portion, the electrode portion and the pad portion may be composed of the same conductor.

본 출원의 일 실시상태에 따른 터치 스크린 패널에 있어서, 상기 암색화 패턴은 사용자가 바라보는 측에 구비될 수 있다.In the touch screen panel according to one embodiment of the present application, the darkening pattern may be provided on a side where the user views the touch screen panel.

또한, 상기 디스플레이 장치에서 컬러필터 기판 또는 박막 트랜지스터 기판 등에 본 출원의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체가 사용될 수 있다.Also, in the display device, a conductive structure according to one embodiment of the present application can be used for a color filter substrate or a thin film transistor substrate.

또한, 상기 태양 전지는 애노드 전극, 캐소드 전극, 광활성층, 정공 수송층 및/또는 전자 수송층을 포함할 수 있는데, 본 출원의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체는 상기 애노드 전극 및/또는 캐소드 전극으로 사용될 수 있다.In addition, the solar cell may include an anode electrode, a cathode electrode, a photoactive layer, a hole transporting layer, and / or an electron transporting layer. The conductive structure according to one embodiment of the present application may be used as the anode electrode and / have.

상기 전도성 구조체는 디스플레이 장치 또는 태양 전지에서 종래의 ITO를 대체할 수 있고, 플렉서블(flexible) 가능 용도로 활용할 수 있다. 또한, CNT, 전도성 고분자, 그래핀(Graphene) 등과 함께 차세대 투명 전극으로 활용할 수 있다.The conductive structure can replace the conventional ITO in a display device or a solar cell, and can be utilized as a flexible application. In addition, it can be utilized as a next-generation transparent electrode together with CNT, conductive polymer, and graphene.

이하 실시예, 비교예 및 실험예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 그러나, 이하의 실시예, 비교예 및 실험예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 이에 의하여 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, Comparative Examples and Experimental Examples. However, the following Examples, Comparative Examples and Experimental Examples are provided for illustrating the present invention, and thus the scope of the present invention is not limited thereto.

<< 실시예Example >>

<< 실시예Example 1> 1>

폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 기재 상에 Al 단일 타겟(target)을 이용하여 중간 주파수 스퍼터링(MF sputtering) 방법에 의하여 전도성 층으로 두께 100nm인 Al층을 형성하고, 산소와 질소 가스의 비를 조절하여 중간 주파수 스퍼터링(MF sputtering) 방법으로 두께 60nm인 AlOxNy (0 < x ≤ 1.0, 0 < y < 1.0)를 포함하는 암색화층을 형성하여 전도성 구조체를 제조하였다. 제조된 전도성 구조체 제품을 150℃ 온도에서 32초간 롤투롤 공정으로 열처리를 하였다. 롤투롤 공정에서 장력은 100N, 롤 속도는 15mpm으로 진행하였다.An Al layer having a thickness of 100 nm was formed as a conductive layer by an intermediate frequency sputtering method using a single Al target on a polyethylene terephthalate (PET) substrate, and a ratio of oxygen to nitrogen gas was adjusted A dark coloring layer containing AlOxNy (0 < x < 1.0, 0 < y < 1.0) having a thickness of 60 nm was formed by a frequency sputtering method to produce a conductive structure. The resulting conductive structural product was heat treated at a temperature of 150 < 0 > C for 32 seconds by a roll-to-roll process. In the roll-to-roll process, the tension was 100 N and the roll speed was 15 mpm.

<< 실시예Example 2> 2>

폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 기재 상에 Al 단일 타겟(target)을 이용하여 중간 주파수 스퍼터링(MF sputtering) 방법에 의하여 전도성 층으로 두께 100nm인 Al층을 형성하고, 산소와 질소 가스의 비를 조절하여 중간 주파수 스퍼터링(MF sputtering) 방법으로 두께 60nm인 AlOxNy (0 < x ≤ 1.0, 0 < y < 1.0)를 포함하는 암색화층을 형성하여 전도성 구조체를 제조하였다. 제조된 전도성 구조체 제품을 150℃ 온도에서 32초간 롤투롤 공정으로 열처리를 하였다. 롤투롤 공정에서 장력은 70N, 롤 속도는 15mpm으로 진행하였다.An Al layer having a thickness of 100 nm was formed as a conductive layer by an intermediate frequency sputtering method using a single Al target on a polyethylene terephthalate (PET) substrate, and a ratio of oxygen to nitrogen gas was adjusted A dark coloring layer containing AlOxNy (0 < x < 1.0, 0 < y < 1.0) having a thickness of 60 nm was formed by a frequency sputtering method to produce a conductive structure. The resulting conductive structural product was heat treated at a temperature of 150 < 0 > C for 32 seconds by a roll-to-roll process. In the roll-to-roll process, the tension was 70 N and the roll speed was 15 mpm.

<< 실시예Example 3> 3>

폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 기재 상에 Al 단일 타겟(target)을 이용하여 중간 주파수 스퍼터링(MF sputtering) 방법에 의하여 전도성 층으로 두께 100nm인 Al층을 형성하고, 산소와 질소 가스의 비를 조절하여 중간 주파수 스퍼터링(MF sputtering) 방법으로 두께 60nm인 AlOxNy (0 < x ≤ 1.0, 0 < y < 1.0)를 포함하는 암색화층을 형성하여 전도성 구조체를 제조하였다. 제조된 전도성 구조체 제품을 150℃ 온도에서 48초간 롤투롤 공정으로 열처리를 하였다. 롤투롤 공정에서 장력은 70N, 롤 속도는 10mpm으로 진행하였다.An Al layer having a thickness of 100 nm was formed as a conductive layer by an intermediate frequency sputtering method using a single Al target on a polyethylene terephthalate (PET) substrate, and a ratio of oxygen to nitrogen gas was adjusted A dark coloring layer containing AlOxNy (0 < x < 1.0, 0 < y < 1.0) having a thickness of 60 nm was formed by a frequency sputtering method to produce a conductive structure. The resulting conductive structural product was heat treated at a temperature of 150 ° C for 48 seconds by a roll-to-roll process. In the roll-to-roll process, the tension was 70 N and the roll speed was 10 mpm.

<< 비교예Comparative Example 3> 3>

폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 기재 상에 Al 단일 타겟(target)을 이용하여 중간 주파수 스퍼터링(MF sputtering) 방법에 의하여 전도성 층으로 두께 100nm인 Al층을 형성하고, 산소와 질소 가스의 비를 조절하여 중간 주파수 스퍼터링(MF sputtering) 방법으로 두께 60nm인 AlOxNy (0 < x ≤ 1.0, 0 < y < 1.0)를 포함하는 암색화층을 형성하여 전도성 구조체를 제조하였다.An Al layer having a thickness of 100 nm was formed as a conductive layer by an intermediate frequency sputtering method using a single Al target on a polyethylene terephthalate (PET) substrate, and a ratio of oxygen to nitrogen gas was adjusted A dark coloring layer containing AlOxNy (0 < x < 1.0, 0 < y < 1.0) having a thickness of 60 nm was formed by a frequency sputtering method to produce a conductive structure.

<< 실험예Experimental Example 1> 1>

상기 실시예 1 ~ 3 및 비교예 1의 전도성 구조체의 수축률을 비교하여 하기 표 1에 나타내었다.The shrinkage ratios of the conductive structures of Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 are shown in Table 1 below.

[표 1][Table 1]

상기 결과와 같이, 본 출원에 따른 전도성 구조체는 제조시 전열처리 공정을 수행함으로써, 비교예 1보다 약 80% 수축률이 감소하는 효과를 나타낼 수 있음을 알 수 있다.As can be seen from the above results, the conductive structure according to the present invention can exhibit an effect of reducing the shrinkage ratio by about 80% compared with Comparative Example 1 by performing the preheating process at the time of manufacturing.

<< 실험예Experimental Example 2> 2>

상기 실시예 3 및 비교예 1의 전도성 구조체의 특성을 평가하여 하기 표 2에 나타내었다.The properties of the conductive structures of Example 3 and Comparative Example 1 were evaluated and are shown in Table 2 below.

[표 2][Table 2]

상기 결과와 같이, 본 출원에 따른 전도성 구조체는 제조시 전열처리 공정을 수행함으로써, 부착성이 개선되는 효과를 나타낼 수 있음을 알 수 있다.As described above, it can be seen that the conductive structure according to the present application has an effect of improving the adhesion by performing the preheating process at the time of manufacturing.

Claims

Forming a metal layer on the substrate, and
And forming a matting layer on the metal layer, the method comprising the steps of:
After the step of forming the darkening layer, a pre-heat treatment step and a post-heat treatment step are sequentially performed,
Wherein the preheating process is performed at a higher temperature than the postheating process.

Forming a darkening layer on the substrate, and
And forming a metal layer on the dark colored layer, the method comprising the steps of:
After the step of forming the metal layer, a pre-heat treatment step and a post-heat treatment step are sequentially performed,
Wherein the preheating process is performed at a higher temperature than the postheating process.

The method according to claim 1 or 2, wherein the preheating process is performed at a temperature of 130 ° C to 170 ° C for 10 seconds to 1 hour.

The method according to claim 1 or 2, wherein the post-heat treatment is performed at a temperature of 90 ° C to 130 ° C for 1 minute to 1 hour.

The method of manufacturing a conductive structure according to claim 1 or 2, wherein the darkening layer comprises at least one selected from the group consisting of a metal oxide, a metal nitride, and a metal oxynitride.

The method of claim 5, wherein the metal oxide, metal nitride, or metal oxynitride comprises at least one metal selected from the group consisting of Fe, Co, Ti, V, Al, Au, Cu, Ag, Gt; to < / RTI >

The method for manufacturing a conductive structure according to claim 1 or 2, wherein the metal layer and the matting layer contain the same metal atom.

The method of claim 1 or 2, wherein the metal layer comprises aluminum,
Wherein the darkening layer comprises at least one selected from the group consisting of aluminum oxide, aluminum nitride, and aluminum oxynitride.

The method of claim 1 or 2, wherein the forming of the metal layer and the forming of the matting layer are performed by a deposition process.

The method of manufacturing a conductive structure according to claim 1 or 2, wherein the metal layer comprises at least one selected from the group consisting of copper, aluminum, silver, neodymium, molybdenum, nickel, and alloys thereof.

The method of manufacturing a conductive structure according to claim 1 or 2, further comprising the step of patterning the metal layer and the quenched layer separately or simultaneously.

A conductive structure produced by the method for manufacturing a conductive structure according to claim 1 or 2.

13. The conductive structure according to claim 12, wherein a total reflectance of the darkening layer measured in a direction opposite to the surface in contact with the metal layer is 20% or less.

[Claim 13] The conductive structure according to claim 12, wherein the darkening layer is provided between the metal layer and the substrate, and the total reflectance measured at the substrate side is 20% or less.

13. The conductive structure according to claim 12, wherein the sheet resistance of the conductive structure is not less than 1 [Omega] / square and not more than 300 [Omega] / square.

The conductive structure according to claim 12, wherein the average extinction coefficient (k) in the visible light region of the conductive structure is 0.4 to 1.0.

[Claim 12] The conductive structure according to claim 12, wherein the conductive structure has a brightness value (L *) of 50 or less on a CIE L * a * b * color coordinate basis.

An electronic device comprising the conductive structure of claim 12.