KR20150131574A - Solar cell - Google Patents

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KR20150131574A
KR20150131574A KR1020140058426A KR20140058426A KR20150131574A KR 20150131574 A KR20150131574 A KR 20150131574A KR 1020140058426 A KR1020140058426 A KR 1020140058426A KR 20140058426 A KR20140058426 A KR 20140058426A KR 20150131574 A KR20150131574 A KR 20150131574A
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윤형
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

A solar cell according to an embodiment includes a support substrate; a rear electrode layer arranged on the support substrate; a light absorption layer arranged on the rear electrode layer; a buffer layer arranged on the light absorption layer; and a front electrode layer arranged on the buffer layer. A first penetration groove penetrating the rear electrode layer is formed on the rear electrode layer. A second penetration groove penetrating the front electrode layer, the buffer layer and the light absorption layer is formed on the front electrode layer. A conductive layer is arranged in the second penetration groove.

Description

태양전지{SOLAR CELL}Solar cell {SOLAR CELL}

실시예는 태양전지에 관한 것이다.An embodiment relates to a solar cell.

최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예측되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지면서, 태양 에너지로부터 전기 에너지를 생산하는 태양전지가 주목받고 있다.Recently, as energy resources such as petroleum and coal are expected to be depleted, interest in alternative energy to replace them is increasing, and solar cells that produce electric energy from solar energy are attracting attention.

태양전지(Solar Cell 또는 Photovoltaic Cell)는 태양광을 직접 전기로 변환시키는 태양광 발전의 핵심소자이다.Solar cells (photovoltaic cells or solar cells) are the core elements of solar power generation that convert sunlight directly into electricity.

예로서 반도체의 pn접합으로 만든 태양전지에 반도체의 금지대폭(Eg: Band-gap Energy)보다 큰 에너지를 가진 태양광이 입사되면 전자-정공 쌍이 생성되는데, 이들 전자-정공이 pn 접합부에 형성된 전기장에 의해 전자는 n층으로, 정공은 p층으로 모이게 됨에 따라 pn간에 기전력(광기전력: Photovoltage)이 발생하게 된다. 이때 양단의 전극에 부하를 연결하면 전류가 흐르게 되는 것이 동작원리이다.For example, if sunlight having an energy larger than band-gap energy of a semiconductor is incident on a solar cell made of a pn junction of semiconductors, an electron-hole pair is generated. The electron- (Photovoltage) occurs between pn as the electrons are collected into the n layer and the holes are collected into the p layer. At this time, when the load is connected to the electrodes at both ends, current flows.

태양전지 내부에는 발전이 이루어지는 영역과 발전이 이루어지지 않는 데드존 영역이 존재할 수 있다.Inside the solar cell, there may be a region where power generation is performed and a dead zone region where power generation is not performed.

이러한 데드존 영역은 태양전지를 제조하기 위해 필수적으로 형성되는 영역이나, 이러한 데드존 영역이 증가할수록 발전 면적이 감소되어 태양전지의 전체적인 효율이 저하되는 문제점이 있다.Such a dead zone region is a region that is essentially formed for manufacturing a solar cell. However, as the dead zone region increases, the generation area is reduced and the overall efficiency of the solar cell is lowered.

따라서, 이러한 문제점을 해결할 수 있는 새로운 구조의 태양전지가 요구된다.Therefore, there is a demand for a solar cell having a new structure that can solve such a problem.

실시예는 향상된 광-전 변환 효율을 가지는 태양전지를 제공하고자 한다.The embodiment attempts to provide a solar cell having improved light-to-electricity conversion efficiency.

실시예에 따른 태양전지는, 지지기판; 상기 지지기판 상에 배치되는 후면 전극층; 상기 후면 전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 상기 광 흡수층 상에 배치되는 버퍼층; 및 상기 버퍼층 상에 배치되는 전면 전극층을 포함하고, 상기 후면 전극층 상에는 상기 후면 전극층을 관통하는 제 1 관통홈이 형성되고, 상기 전면 전극층 상에는 상기 전면 전극층, 상기 버퍼층 및 상기 광 흡수층을 관통하는 제 2 관통홈이 형성되고, 상기 제 2 관통홈 내에는 전도층이 배치된다.A solar cell according to an embodiment includes: a support substrate; A rear electrode layer disposed on the supporting substrate; A light absorbing layer disposed on the rear electrode layer; A buffer layer disposed on the light absorbing layer; And a front electrode layer disposed on the buffer layer, wherein a first through-hole is formed through the rear electrode layer on the rear electrode layer, and a second through-hole penetrating the front electrode layer, the buffer layer, And a conductive layer is disposed in the second through-hole.

실시예들에 따른 태양전지는, 태양전지 내부의 데드존 영역을 감소시킬 수 있고, 제조 공정을 향상시킬 수 있다.The solar cell according to the embodiments can reduce the dead zone area inside the solar cell and improve the manufacturing process.

데드존 영역(dead zone area)이란 태양전지에서 발전을 행하지 않는 영역으로서, 관통홈들 및 관통홈 사이에 배치되는 태양전지 셀들을 의미할 수 있다. 이러한 데드존 영역이 커질 수록 발전 면적이 작아져서 태양전지의 효율이 저하될 수 있다.The dead zone area is a region where power is not generated in the solar cell, and may mean solar cells disposed between the through grooves and the through grooves. The larger the dead zone area, the smaller the power generation area, and the efficiency of the solar cell can be lowered.

실시예들에 따른 태양전지는 이러한 데드존 영역을 감소시킬 수 있다. 자세하게, 종래 버퍼층 상에 형성되는 관통홈들을 생략하고, 전면 전극층 상에 형성되는 관통홈들을 형성한 후, 전면 전극층 상에 형성되는 관통홈들 내부에 전도층을 배치하여 후면 전극층과 전면 전극층을 연결함으로써 관통홈들에 의한 데드존 영역을 감소시킬 수 있다.The solar cell according to the embodiments can reduce such dead zone area. In detail, through grooves formed on the conventional buffer layer are omitted, through grooves formed on the front electrode layer are formed, and then a conductive layer is disposed in the through grooves formed on the front electrode layer to connect the rear electrode layer and the front electrode layer Whereby the dead zone area due to the through grooves can be reduced.

이에 따라, 실시예들에 따른 태양전지는, 데드존 영역을 종래 약 400㎛ 이하에서, 약 250㎛ 이하로 감소시킬 수 있어, 전체적인 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있다.Accordingly, the solar cell according to the embodiments can reduce the dead zone area to about 250 mu m or less at the conventional range of about 400 mu m or less, thereby improving the overall efficiency of the solar cell.

또한, 후면 전극층과 전면 전극층이 직접 접촉되지 않고, 전도성이 높은 금속을 통해 후면 전극층과 전면 전극층을 간접적으로 접촉시킴으로써, 접촉 저항을 감소시킬 수 있다.In addition, the contact resistance can be reduced by indirectly contacting the rear electrode layer and the front electrode layer through the highly conductive metal without directly contacting the rear electrode layer and the front electrode layer.

또한, 버퍼층 상에 형성되는 관통홀 형성 공정을 생략하고, 버퍼층 상에 바로 전면 전극층을 형성할 수 있으므로, 하나의 챔버내에서 버퍼층과 전면 전극층을 연달아 증착 가능하므로, 제조 공정의 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, since the front electrode layer can be formed directly on the buffer layer by omitting the through-hole forming step formed on the buffer layer, the buffer layer and the front electrode layer can be sequentially deposited in one chamber, have.

도 1은 실시예에 따른 태양전지를 도시한 평면도이다.
도 2는 제 1 실시예에 따른 태양전지의 일 단면을 도시한 단면도이다.
도 3은 제 1 실시예에 따른 태양전지의 상면을 도시한 도면이다.
도 4 제 2실시예에 따른 태양전지의 일 단면을 도시한 단면도이다.
도 5는 제 2 실시예에 따른 태양전지의 상면을 도시한 도면이다.
도 6은 실시예에 따른 태양전지가 적용되는 태양전지 모듈을 도시한 도면이다.
1 is a plan view showing a solar cell according to an embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing one end surface of a solar cell according to the first embodiment.
3 is a top view of the solar cell according to the first embodiment.
4 is a cross-sectional view showing one side surface of a solar cell according to the second embodiment.
5 is a top view of a solar cell according to the second embodiment.
6 is a view showing a solar cell module to which a solar cell according to an embodiment is applied.

실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 “상/위(on)”에 또는 “하/아래(under)”에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), area, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under / under" Quot; includes all that is formed directly or through another layer. The criteria for top / bottom or bottom / bottom of each layer are described with reference to the drawings.

도면에서 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
The thickness or the size of each layer (film), region, pattern or structure in the drawings may be modified for clarity and convenience of explanation, and thus does not entirely reflect the actual size.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1 내지 도 5를 참조하면, 실시예에 따른 태양전지는 지지기판(100), 후면 전극층(2000, 광 흡수층(300), 버퍼층(400) 및 전면 전극층(500)을 포함할 수 있다.1 to 5, a solar cell according to an embodiment may include a supporting substrate 100, a rear electrode layer 2000, a light absorbing layer 300, a buffer layer 400, and a front electrode layer 500.

상기 지지기판(100)은 플레이트 형상을 가지며, 상기 후면 전극층(200), 상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400) 및 전면 전극층(500)을 지지할 수 있다.The supporting substrate 100 has a plate shape and can support the rear electrode layer 200, the light absorbing layer 300, the buffer layer 400, and the front electrode layer 500.

상기 지지기판(100)은 절연체일 수 있다. 상기 지지기판(100)은 유리 기판, 플라스틱 기판 또는 금속 기판일 수 있다. 더 자세하게, 상기 지지 기판(100)은 소다 라임 글래스(soda lime glass) 기판일 수 있다. 이와는 다르게, 상기 지지기판(100)의 재질로 알루미나와 같은 세라믹 기판, 스테인레스 스틸, 유연성이 있는 고분자 등이 사용될 수 있다. 상기 지지기판(100)은 투명할 수 있다. 상기 지지 기판(100)은 리지드(rigid)하거나 플렉서블(flexible)할 수 있다.The support substrate 100 may be an insulator. The support substrate 100 may be a glass substrate, a plastic substrate, or a metal substrate. More specifically, the support substrate 100 may be a soda lime glass substrate. Alternatively, a ceramic substrate such as alumina, stainless steel, a flexible polymer, or the like may be used as the support substrate 100. The supporting substrate 100 may be transparent. The support substrate 100 may be rigid or flexible.

상기 후면 전극층(200)은 상기 지지 기판(100) 상에 배치될 수 있다. 상기 후면 전극층(200)은 도전층일 수 있다. 상기 후면 전극층(200)은 몰리브덴(Mo), 금(Au), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 텅스템(W) 및 구리(Cu) 중 어느 하나의 금속으로 형성될 수 있다. 이 가운데, 특히 몰리브덴은 다른 원소에 비해 상기 지지 기판(100)과 열팽창 계수의 차이가 적기 때문에, 접착성이 우수하여 박리 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다.The back electrode layer 200 may be disposed on the supporting substrate 100. The rear electrode layer 200 may be a conductive layer. The rear electrode layer 200 may be formed of any one of molybdenum (Mo), gold (Au), aluminum (Al), chromium (Cr), tungsten (W), and copper (Cu). Of these, molybdenum has a smaller difference in thermal expansion coefficient than the support substrate 100 in comparison with other elements, so that it is possible to prevent peeling phenomenon from occurring due to its excellent adhesiveness.

또한, 상기 후면 전극층(200)은 두 개 이상의 층들을 포함할 수 있다. 이때, 각각의 층들은 같은 금속으로 형성되거나 서로 다른 금속으로 형성될 수 있다.In addition, the rear electrode layer 200 may include two or more layers. At this time, the respective layers may be formed of the same metal or may be formed of different metals.

상기 후면전극층(200)에는 상기 후면 전극층(200)을 관통하는 제 1 관통홈(TH1)들이 형성될 수 있다. 상기 제 1 관통홈(TH1)들은 상기 지지기판(100)의 상면을 노출하는 오픈 영역일 수 있다. 상기 제 1 관통홈(TH1)들은 평면에서 보았을 때, 제 1 방향으로 연장되는 형상을 가질 수 있다.The rear electrode layer 200 may have first through holes TH1 passing through the rear electrode layer 200. Referring to FIG. The first through holes (TH1) may be open regions that expose the upper surface of the support substrate (100). The first through grooves TH1 may have a shape extending in a first direction when viewed from a plane.

상기 제 1 관통홈(TH1)들의 폭은 약 80㎛ 내지 약 200㎛ 일 수 있다.The width of the first through-holes TH1 may be about 80 占 퐉 to about 200 占 퐉.

상기 제 1 관통홈(TH1)들에 의해서, 상기 후면 전극층(200)은 다수 개의 후면 전극들로 구분된다. 즉, 상기 제 1 관통홈(TH1)들에 의해서, 상기 후면 전극들이 정의될 수 있다.The rear electrode layer 200 is divided into a plurality of rear electrodes by the first through holes TH1. That is, the rear electrodes can be defined by the first through holes TH1.

상기 후면 전극들은 상기 제 1 관통홈(TH1)들에 의해서 서로 이격될 수 있다. 상기 후면 전극들은 스트라이프 형태로 배치될 수 있다.The rear electrodes may be spaced from each other by the first through holes TH1. The rear electrodes may be arranged in a stripe form.

이와는 다르게, 상기 후면 전극들은 매트릭스 형태로 배치될 수 있다. 이때, 상기 제 1 관통홈(TH1)들은 평면에서 보았을 때, 격자 형태로 형성될 수 있다.Alternatively, the rear electrodes may be arranged in a matrix. At this time, the first through holes TH1 may be formed in a lattice form when viewed from a plane.

상기 광 흡수층(300)은 상기 후면 전극층(200) 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 광 흡수층(300)에 포함된 물질은 상기 제 1 관통홈(TH1)들에 채워질 수 있다.The light absorption layer 300 may be disposed on the rear electrode layer 200. In addition, the material contained in the light absorption layer 300 may be filled in the first through holes TH1.

상기 광 흡수층(300)은 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족 계 화합물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 광 흡수층(300)은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계) 결정 구조, 구리-인듐-셀레나이드계 또는 구리-갈륨-셀레나이드계 결정 구조를 가질 수 있다.The light absorption layer 300 may include an I-III-VI group compound. For example, the light absorbing layer 300 is copper-indium-gallium-selenide-based (Cu (In, Ga) Se 2; CIGS-based) crystal structure, a copper-indium-selenide-based or copper-gallium-selenide Crystal structure.

상기 광 흡수층(300)의 에너지 밴드갭(band gap)은 약 1eV 내지 1.8eV일 수 있다.The energy band gap of the light absorption layer 300 may be about 1 eV to 1.8 eV.

상기 버퍼층(400)은 상기 광 흡수층(300) 상에 배치될 수 있다. 상기 버퍼층(400)은 상기 광 흡수층(300)과 직접 접촉할 수 있다.The buffer layer 400 may be disposed on the light absorption layer 300. The buffer layer 400 may be in direct contact with the light absorbing layer 300.

상기 버퍼층(400) 상에는 고저항 버퍼층(도면에 미도시)이 더 배치될 수 있다. 상기 고저항 버퍼층은 불순물이 도핑되지 않은 징크 옥사이드(i-ZnO)를 포함할 수 있다. 상기 고저항 버퍼층의 에너지 밴드갭은 약 3.1eV 내지 3.3eV일 수 있다.A high resistance buffer layer (not shown) may be further disposed on the buffer layer 400. The high-resistance buffer layer may include zinc oxide (i-ZnO) that is not doped with impurities. The energy band gap of the high resistance buffer layer may be about 3.1 eV to 3.3 eV.

상기 전면 전극층(500)은 상기 버퍼층(400) 상에 배치될 수 있다. 상기 전면 전극층(500)은 투명한 도전층일 수 있다. 또한, 상기 전면 전극층(500)의 저항은 상기 후면 전극층(500)의 저항보다 높을 수 있다.The front electrode layer 500 may be disposed on the buffer layer 400. The front electrode layer 500 may be a transparent conductive layer. In addition, the resistance of the front electrode layer 500 may be higher than the resistance of the rear electrode layer 500.

상기 전면 전극층(500)은 산화물을 포함할 수 있다. 일례로, 상기 전면 전극층(500)으로 사용되는 물질의 예로서는 알루미늄이 도핑된 징크 옥사이드(Al doped ZnC;AZO), 인듐 징크 옥사이드(indium zinc oxide;IZO) 또는 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide;ITO) 등을 들 수 있다.
The front electrode layer 500 may include an oxide. Examples of the material used for the front electrode layer 500 include Al doped ZnC (indium zinc oxide), indium zinc oxide (IZO), indium tin oxide (ITO) And the like.

상기 전면 전극층(500) 상에는 제 2 관통홈(TH2)들이 형성될 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 관통홈(TH2)들은 상기 전면 전극층(500), 상기 버퍼층(400), 상기 광 흡수층(300)을 관통하여 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제 2 관통홈(TH2)들에 의해 상기 후면 전극층(200)의 일면이 노출될 수 있다.Second through holes (TH2) may be formed on the front electrode layer (500). The second through holes TH2 may be formed through the front electrode layer 500, the buffer layer 400, and the light absorbing layer 300 in detail. Accordingly, one surface of the rear electrode layer 200 may be exposed by the second through-holes TH2.

상기 제 2 관통홈(TH2)들은 상기 제 1 관통홈(TH1)들에 인접하여 형성될 수 있다.The second through grooves TH2 may be formed adjacent to the first through grooves TH1.

도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 제 2 관통홈(TH2)들 내부에는 전도층(700)이 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 관통홈(TH2)들 내부에는 금속 물질이 배치될 수 있다. 일례로, 상기 금속 물질은 알루미늄(Al), 니켈(Ni) 및 이들의 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 3 and 4, the conductive layer 700 may be disposed in the second through-holes TH2. In detail, a metal material may be disposed in the second through grooves TH2. In one example, the metal material may include at least one of aluminum (Al), nickel (Ni), and alloys thereof.

상기 전도층(700)은 상기 제 2 관통홈(TH2) 내부에 부분적으로 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 전도층(700)은 상기 제 2 관통홈(TH2)에 의해 노출되는 상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400) 및 상기 전면 전극층(500)의 일 측면과 접촉하면서 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 전도층(700)과 상기 제 2 관통홈(TH2)에 의해 노출되는 상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400) 및 상기 전면 전극층(500)의 타 측면은 일정 거리만큼 이격될 수 있다.The conductive layer 700 may be partially disposed inside the second through-hole TH2. The conductive layer 700 may be disposed in contact with one side of the light absorbing layer 300, the buffer layer 400, and the front electrode layer 500 exposed by the second through hole TH2 . The other side surfaces of the light absorbing layer 300, the buffer layer 400, and the front electrode layer 500 exposed by the conductive layer 700 and the second through groove TH2 are spaced apart by a predetermined distance .

상기 전도층(700)은 상기 제 2 관통홈(TH2) 내부에 배치되어 상기 제 2 관통홈(TH2)에 의해 노출되는 상기 후면 전극층(200)의 일면과 접촉될 수 있다. 또한, 상기 전도층(700)은 상기 제 2 관통홈(TH2)에 의해 노출되는 상기 전면 전극층(500)의 측면과 접촉할 수 있다. 이에 따라, 상기 제 2 관통홈(TH2) 내부에 배치되는 상기 전도층(700)에 의해 상기 후면 전극층(200)과 상기 전면 전극층(500)이 전기적으로 연결될 수 있다.The conductive layer 700 may be disposed inside the second through hole TH2 and may be in contact with one surface of the rear electrode layer 200 exposed by the second through hole TH2. In addition, the conductive layer 700 may be in contact with the side surface of the front electrode layer 500 exposed by the second through-hole TH2. Accordingly, the rear electrode layer 200 and the front electrode layer 500 can be electrically connected by the conductive layer 700 disposed in the second through-hole TH2.

도 4를 참조하면, 상기 전도층(700)은 상기 제 2 관통홈(TH2) 내부에서 상기 전면 전극층(500)의 상면 방향으로 연장할 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 관통홈(TH2) 내부에 배치되는 상기 전도층(700)은 상기 상기 전면 전극층(500)의 상면 방향에 대해 수직 방향으로 배치되고, 상기 전면 전극층(500)의 상면 까지 연장되어, 다시 상기 전면 전극층(500)의 상면과 평행한 방향으로 상기 전면 전극층(500)의 상면 상에 배치될 수 있다. Referring to FIG. 4, the conductive layer 700 may extend in the top surface of the front electrode layer 500 in the second through-hole TH2. The conductive layer 700 disposed in the second through hole TH2 is disposed in a direction perpendicular to the top surface of the front electrode layer 500 and extends to the top surface of the front electrode layer 500 And may be disposed on the upper surface of the front electrode layer 500 in a direction parallel to the upper surface of the front electrode layer 500.

상기 전면 전극층(500)의 상면 상에 배치되는 전도층(700)은 일정한 패턴을 가지면서 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 전도층(700)은 상기 전면 전극층(500)의 상면에서 격자(grid) 형상으로 배치될 수 있다.
The conductive layer 700 disposed on the upper surface of the front electrode layer 500 may have a predetermined pattern. In detail, the conductive layer 700 may be arranged in a grid shape on the upper surface of the front electrode layer 500.

이하, 도 4 및 도 5를 참조하여, 제 2 실시예에 따른 태양전지를 설명한다. 제 2 실시예에 따른 태양전지에 대한 설명에서는 앞서 설명한 제 1 실시예에 따른 태양전지와 동일 유사한 부분에 대한 설명을 생략하며, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여한다.Hereinafter, a solar cell according to a second embodiment will be described with reference to FIGS. 4 and 5. FIG. In the description of the solar cell according to the second embodiment, description of parts similar to those of the solar cell according to the first embodiment described above will be omitted, and the same reference numerals are assigned to the same components.

제 2 실시예에 따른 태양전지는 전도층(700)을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 전도층(700)은 제 1 전도층(710) 및 제 2 전도층(720)을 포함할 수 있다.The solar cell according to the second embodiment may include a conductive layer 700. In detail, the conductive layer 700 may include a first conductive layer 710 and a second conductive layer 720.

상기 제 1 전도층(710)은 상기 제 2 관통홈(TH2) 내부에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 2 전도층(720)은 상기 전면 전극층(5000의 상면에 배치될 수 있다. 상기 제 1 전도층(710)과 상기 제 2 전도층(720)은 서로 연결될 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 전도층(710)과 상기 제 2 전도층(720)은 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 제 1 전도층(710)과 상기 제 2 전도층(720)은 일체로 형성될 수 있다.The first conductive layer 710 may be disposed inside the second through hole TH2. The second conductive layer 720 may be disposed on the upper surface of the front electrode layer 5000. The first conductive layer 710 and the second conductive layer 720 may be connected to each other. The first conductive layer 710 and the second conductive layer 720 may be electrically connected to each other. The first conductive layer 710 and the second conductive layer 720 may be integrally formed .

상기 제 1 전도층(710) 및 상기 제 2 전도층(720)에 의해 상기 후면 전극층(200)과 상기 전면 전극층(500)이 전기적으로 연결될 수 있다.The rear electrode layer 200 and the front electrode layer 500 may be electrically connected by the first conductive layer 710 and the second conductive layer 720.

상기 제 1 전도층(710)은 상기 제 2 관통홈(TH2) 내부에 바(bar) 형상으로 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 2 전도층(720)은 상기 전면 전극층(500)의 상면에서 격자 형상으로 배치될 수 있다.The first conductive layer 710 may be disposed in a bar shape in the second through hole TH2. In addition, the second conductive layer 720 may be arranged in a lattice form on the upper surface of the front electrode layer 500.

상기 제 1 전도층(710)과 상기 제 2 전도층(720)은 금속 물질을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 전도층(710)과 상기 제 2 전도층(720)은 알루미늄, 니켈 및 이들의 합금 중 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.
The first conductive layer 710 and the second conductive layer 720 may include a metal material. In detail, the first conductive layer 710 and the second conductive layer 720 may include at least one of aluminum, nickel, and alloys thereof.

실시예들에 따른 태양전지는, 태양전지 내부의 데드존 영역을 감소시킬 수 있고, 제조 공정을 향상시킬 수 있다.The solar cell according to the embodiments can reduce the dead zone area inside the solar cell and improve the manufacturing process.

데드존 영역(dead zone area)이란 태양전지에서 발전을 행하지 않는 영역으로서, 관통홈들 및 관통홈 사이에 배치되는 태양전지 셀들을 의미할 수 있다. 이러한 데드존 영역이 커질 수록 발전 면적이 작아져서 태양전지의 효율이 저하될 수 있다.The dead zone area is a region where power is not generated in the solar cell, and may mean solar cells disposed between the through grooves and the through grooves. The larger the dead zone area, the smaller the power generation area, and the efficiency of the solar cell can be lowered.

실시예들에 따른 태양전지는 이러한 데드존 영역을 감소시킬 수 있다. 자세하게, 종래 버퍼층 상에 형성되는 관통홈들을 생략하고, 전면 전극층 상에 형성되는 관통홈들을 형성한 후, 전면 전극층 상에 형성되는 관통홈들 내부에 전도층을 배치하여 후면 전극층과 전면 전극층을 연결함으로써 관통홈들에 의한 데드존 영역을 감소시킬 수 있다.The solar cell according to the embodiments can reduce such dead zone area. In detail, through grooves formed on the conventional buffer layer are omitted, through grooves formed on the front electrode layer are formed, and then a conductive layer is disposed in the through grooves formed on the front electrode layer to connect the rear electrode layer and the front electrode layer Whereby the dead zone area due to the through grooves can be reduced.

이에 따라, 실시예들에 따른 태양전지는, 데드존 영역(DZ)을 종래 약 400㎛ 이하에서, 약 250㎛ 이하로 감소시킬 수 있어, 전체적인 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있다.Accordingly, the solar cell according to the embodiments can reduce the dead zone region DZ to about 250 mu m or less at the conventional range of about 400 mu m or less, thereby improving the overall efficiency of the solar cell.

또한, 후면 전극층과 전면 전극층이 직접 접촉되지 않고, 전도성이 높은 금속을 통해 후면 전극층과 전면 전극층을 간접적으로 접촉시킴으로써, 접촉 저항을 감소시킬 수 있다.In addition, the contact resistance can be reduced by indirectly contacting the rear electrode layer and the front electrode layer through the highly conductive metal without directly contacting the rear electrode layer and the front electrode layer.

또한, 버퍼층 상에 형성되는 관통홀 형성 공정을 생략하고, 버퍼층 상에 바로 전면 전극층을 형성할 수 있으므로, 하나의 챔버내에서 버퍼층과 전면 전극층을 연달아 증착 가능하므로, 제조 공정의 효율을 향상시킬 수 있다.
In addition, since the front electrode layer can be formed directly on the buffer layer by omitting the through-hole forming step formed on the buffer layer, the buffer layer and the front electrode layer can be sequentially deposited in one chamber, have.

이하, 도 6을 참조하여, 실시예들에 따른 태양전지가 적용되는 태양전지 모듈에 대해 설명한다.Hereinafter, a solar cell module to which the solar cell according to the embodiments is applied will be described with reference to FIG.

도 6을 참조하면, 실시예에 따른 태양전지 모듈은, 태양전지(1000), 상기 태양전지(1000)를 수용하는 복수 개의 프레임(4000)들, 상기 태양전지(1000) 상에 배치되는 보호층(2000) 및 상기 보호층(2000) 상에 배치되는 상부 기판(3000)을 포함할 수 있다.6, a solar cell module according to an embodiment includes a solar cell 1000, a plurality of frames 4000 that house the solar cell 1000, a protection layer (not shown) disposed on the solar cell 1000, (2000), and an upper substrate (3000) disposed on the protective layer (2000).

상기 보호층(2000)은 태양전지(1000)의 상부에 배치된 상태에서 라미네이션 공정에 의해 태양전지(1000)와 일체화되는 것으로, 습기 침투로 인한 부식을 방지하고 태양전지(1000)를 충격으로부터 보호한다. 이러한 보호층(2000)은 에틸렌 비닐 아세테이트(EVA, ethylene vinyl acetate)와 같은 물질로 이루어질 수 있다.The protective layer 2000 is integrated with the solar cell 1000 by a lamination process while being disposed on the top of the solar cell 1000 to prevent corrosion due to moisture penetration and protect the solar cell 1000 from impact do. The protective layer 2000 may be made of a material such as ethylene vinyl acetate (EVA).

상기 보호층(2000) 위에 위치하는 상부 기판(3000)은 투과율이 높고 파손 방지 기능이 우수한 강화 유리 등으로 이루어져 있다. 이때, 강화 유리는 철 성분 함량이 낮은 저(low) 철분 강화 유리(low iron tempered glass)일 수 있다.
The upper substrate 3000 positioned on the protective layer 2000 is made of tempered glass having high transmittance and excellent breakage-preventing function. At this time, the tempered glass may be a low iron tempered glass having a low iron content.

상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. The features, structures, effects and the like described in the foregoing embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified in other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be construed as limiting the scope of the present invention. It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments may be modified and implemented. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.

Claims (10)

지지기판;
상기 지지기판 상에 배치되는 후면 전극층;
상기 후면 전극층 상에 배치되는 광 흡수층;
상기 광 흡수층 상에 배치되는 버퍼층; 및
상기 버퍼층 상에 배치되는 전면 전극층을 포함하고,
상기 후면 전극층 상에는 상기 후면 전극층을 관통하는 제 1 관통홈이 형성되고,
상기 전면 전극층 상에는 상기 전면 전극층, 상기 버퍼층 및 상기 광 흡수층을 관통하는 제 2 관통홈이 형성되고,
상기 제 2 관통홈 내에는 전도층이 배치되는 태양전지.
A support substrate;
A rear electrode layer disposed on the supporting substrate;
A light absorbing layer disposed on the rear electrode layer;
A buffer layer disposed on the light absorbing layer; And
And a front electrode layer disposed on the buffer layer,
A first through-hole penetrating the rear electrode layer is formed on the rear electrode layer,
And a second through hole penetrating the front electrode layer, the buffer layer, and the light absorbing layer is formed on the front electrode layer,
And a conductive layer is disposed in the second through-hole.
제 1항에 있어서,
상기 제 2 관통홈에 의해 상기 후면 전극층의 일면이 노출되고,
상기 전도층은 상기 후면 전극층 및 상기 전면 전극층과 접촉하며 배치되는 태양전지.
The method according to claim 1,
And a second electrode layer formed on the first electrode layer,
Wherein the conductive layer is disposed in contact with the rear electrode layer and the front electrode layer.
제 1항에 있어서,
상기 전도층은 금속을 포함하는 태양전지.
The method according to claim 1,
Wherein the conductive layer comprises a metal.
제 2항에 있어서,
상기 전도층은 상기 전면 전극층의 상면의 일단에서 타단 방향으로 연장하며 배치되는 태양전지.
3. The method of claim 2,
Wherein the conductive layer extends from one end to the other end of the upper surface of the front electrode layer.
제 4항에 있어서,
상기 전도층은 상기 전면 전극층의 상면에서 격자 형상으로 배치되는 태양전지.
5. The method of claim 4,
Wherein the conductive layer is disposed in a lattice shape on an upper surface of the front electrode layer.
지지기판;
상기 지지기판 상에 배치되는 후면 전극층;
상기 후면 전극층 상에 배치되는 광 흡수층;
상기 광 흡수층 상에 배치되는 버퍼층; 및
상기 버퍼층 상에 배치되는 전면 전극층을 포함하고,
상기 후면 전극층 상에는 상기 후면 전극층을 관통하는 제 1 관통홈이 형성되고,
상기 전면 전극층 상에는 상기 전면 전극층, 상기 버퍼층 및 상기 광 흡수층을 관통하는 제 2 관통홈이 형성되고,
상기 제 2 관통홈 내에는 제 1 전도층이 배치되고,
상기 전면 전극층의 상면에는 제 2 전도층이 배치되는 태양전지.
A support substrate;
A rear electrode layer disposed on the supporting substrate;
A light absorbing layer disposed on the rear electrode layer;
A buffer layer disposed on the light absorbing layer; And
And a front electrode layer disposed on the buffer layer,
A first through-hole penetrating the rear electrode layer is formed on the rear electrode layer,
And a second through hole penetrating the front electrode layer, the buffer layer, and the light absorbing layer is formed on the front electrode layer,
A first conductive layer is disposed in the second through-hole,
And a second conductive layer is disposed on an upper surface of the front electrode layer.
제 6항에 있어서,
상기 제 1 전도층 및 상기 제 2 전도층은 일체로 형성되는 태양전지.
The method according to claim 6,
Wherein the first conductive layer and the second conductive layer are integrally formed.
제 6항에 있어서,
상기 제 2 관통홈에 의해 상기 후면 전극층의 일면이 노출되고,
상기 제 1 전도층은 상기 후면 전극층 및 상기 전면 전극층과 접촉하며 배치되는 태양전지.
The method according to claim 6,
And a second electrode layer formed on the first electrode layer,
Wherein the first conductive layer is disposed in contact with the rear electrode layer and the front electrode layer.
제 6항에 있어서,
상기 제 2 전도층은 격자(grid) 패턴으로 배치되는 태양전지.
The method according to claim 6,
And the second conductive layer is disposed in a grid pattern.
제 6항에 있어서,
상기 제 1 전도층 및 상기 제 2 전도층은 알루미늄, 니켈 및 이들의 합금 중 적어도 하나의 물질을 포함하는 태양전지.
The method according to claim 6,
Wherein the first conductive layer and the second conductive layer comprise at least one of aluminum, nickel, and an alloy thereof.
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