KR20150120515A - Substrate-processing apparatus, method for manufacturing semiconductor device, and recording medium - Google Patents

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Abstract

기판에 처리액을 증발시킨 처리 가스를 공급하여 처리하는 처리실을 갖는 기판 처리 장치이며, 상기 처리액을 일시적으로 저류시키고, 상기 처리실에 공급하는 리저브 탱크와, 상기 리저브 탱크에 접속된 라인 절환 유닛과, 상기 라인 절환 유닛에 접속되고, 상기 리저브 탱크에 처리액을 공급하는 탱크 공급관과, 상기 라인 절환 유닛에 접속되고, 상기 리저브 탱크 내의 처리액을 배출하는 배출부와, 상기 처리액 공급관으로부터 상기 리저브 탱크로 처리액을 공급하는 처리액 보충 공정의 전과 후 중 어느 하나 또는 양쪽에서, 상기 리저브 탱크로부터 상기 배출부로 처리액을 배출하는 처리액 배출 공정과, 상기 탱크 공급관으로부터 상기 배출부로 처리액을 공급하는 관내 배출 공정 중 어느 하나 또는 양쪽을 행하도록 상기 라인 절환 유닛을 제어하는 제어부를 갖는다.1. A substrate processing apparatus having a processing chamber for supplying and processing a processing gas obtained by evaporating a processing liquid to a substrate, comprising: a reserve tank for temporarily storing the processing liquid and supplying the processing liquid to the processing chamber; a line switching unit connected to the reserve tank; A tank supply pipe connected to the line switching unit for supplying a treatment liquid to the reservoir tank, a discharge unit connected to the line switching unit, for discharging the treatment liquid in the reservoir tank, A treatment liquid discharging step of discharging the treating liquid from the reservoir tank to the discharging unit either before or after the treating liquid replenishing step for supplying the treatment liquid to the tank; The line-switching unit is controlled so as to perform either or both of the in- It has a control unit.

Description

기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체{SUBSTRATE-PROCESSING APPARATUS, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND RECORDING MEDIUM}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a substrate processing apparatus, a method of manufacturing a semiconductor device, and a recording medium using the substrate processing apparatus,

본 발명은 기판을 처리하는 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate, a method of manufacturing a semiconductor device, and a recording medium.

대규모 집적 회로(Large Scale Integrated Circuit:이하 LSI)의 미세화에 수반하여, 트랜지스터 소자간의 누설 전류 간섭을 제어하는 가공 기술은 점점, 기술적인 곤란을 증가시키고 있다. LSI의 소자간 분리에는, 기판으로 되는 실리콘(Si)에, 분리하고자 하는 소자간에 홈 또는 구멍 등의 공극을 형성하고, 그 공극에 절연물을 퇴적하는 방법에 의해 이루어져 있다. 절연물로서, 산화막이 사용되는 경우가 많고, 예를 들어 실리콘 산화막이 사용된다. 실리콘 산화막은, Si 기판 자체의 산화나, 화학 기상 성장법(CVD), 절연물 도포법(SOD)에 의해 형성되어 있다.BACKGROUND ART [0002] With miniaturization of a large scale integrated circuit (hereinafter referred to as LSI), a processing technique for controlling leakage current interference between transistor elements is increasingly causing technical difficulties. The inter-element isolation of the LSI includes a method of forming an air gap, such as a groove or a hole, between the elements to be separated in silicon (Si) serving as a substrate, and depositing an insulating material thereon. As an insulating material, an oxide film is often used, for example, a silicon oxide film is used. The silicon oxide film is formed by oxidation of the Si substrate itself, chemical vapor deposition (CVD), or insulator coating (SOD).

최근의 미세화에 의해, 미세 구조의 매립, 특히 세로 방향으로 깊은, 또는 가로 방향으로 좁은 공극 구조에의 산화물의 매립에 대해 CVD법에 의한 매립 방법이 기술 한계에 도달하고 있다. 이와 같은 배경하에서, 유동성을 갖는 산화물을 사용한 매립 방법, 즉 SOD의 채용이 증가 경향에 있다. SOD에서는, SOG(Spin on glass)라고 불리는 무기 또는 유기 성분을 포함하는 도포 절연 재료가 사용되고 있다. 이 재료는, CVD 산화막의 등장 이전보다 LSI의 제조 공정에 채용되어 있었지만, 가공 기술이 0.35㎛∼1㎛ 정도의 가공 치수로 미세하지 않았기 때문에, 도포 후의 개질 방법은 질소 분위기에서 400℃ 정도의 열처리를 행함으로써 허용되어 있었다.Recent refinement has led to the technical limitations on the embedding method of the microstructure, particularly the embedding by the CVD method, on the embedding of the oxide into the narrow void structure deep in the longitudinal direction or in the transverse direction. Under such background, there is a tendency that the adoption method of SOD using an oxide having fluidity is increasing. In SOD, a coating insulating material containing an inorganic or organic component called SOG (spin on glass) is used. This material was adopted in the manufacturing process of the LSI before the appearance of the CVD oxide film, but since the processing technique was not fine with the processing dimension of about 0.35 탆 to 1 탆, the post-coating modification method requires a heat treatment at about 400 캜 in a nitrogen atmosphere . ≪ / RTI >

또한 한편, 트랜지스터의 열부하에 대한 저감 요구도 진행되고 있다. 열부하를 저감시키고자 하는 이유로서, 트랜지스터의 동작용에 주입한, 붕소나 비소, 인 등의 불순물의 과잉의 확산을 방지하는 것이나, 전극용의 금속 실리사이드의 응집 방지, 게이트용 일함수 금속 재료의 성능 변동 방지, 메모리 소자의 기입, 읽어들임 반복 수명의 확보 등이 있다.On the other hand, there is also a demand for reducing the thermal load of the transistor. The reason why the thermal load is to be reduced is to prevent excessive diffusion of impurities such as boron, arsenic, phosphorus, etc. injected into the action of the transistor, to prevent flocculation of the metal silicide for the electrode, Prevention of performance fluctuation, writing of a memory device, and ensuring a read-out cycle life.

그러나, 최근의 LSI, DRAM(Dynamic Random Access Memory)이나 Flash Memory로 대표되는 반도체 장치의 최소 가공 치수가, 50㎚ 폭보다 작아지고 있어, 품질을 유지한 상태의 미세화나 제조 스루풋 향상의 달성이나 처리 온도의 저온화가 곤란해지고 있다.However, since the minimum machining dimension of a semiconductor device typified by a recent LSI, a DRAM (Dynamic Random Access Memory), or a Flash Memory is smaller than a 50 nm width, it is possible to achieve miniaturization in a state of maintaining quality, Making it difficult to lower the temperature.

본 발명의 목적은, 반도체 장치의 제조 품질을 향상시킴과 함께, 제조 스루풋을 향상시키는 것이 가능한 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 기록 매체를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus, a semiconductor device manufacturing method, and a recording medium capable of improving a manufacturing quality of a semiconductor device and improving manufacturing throughput.

일 형태에 의하면, 기판을 수용하는 처리실과, 처리액을 기화하여 상기 처리실 내에 처리 가스를 공급하는 기화기와, 상기 처리액을 저류하는 리저브 탱크와, 상기 리저브 탱크로부터 상기 기화기로의 상기 처리액 유량을 제어하는 유량 제어부와, 상기 리저브 탱크에 접속된 라인 절환 유닛과, 상기 라인 절환 유닛에 접속되고, 상기 리저브 탱크에 처리액을 공급하는 탱크 공급관과, 상기 라인 절환 유닛에 접속되고, 상기 리저브 탱크 내의 처리액을 배출하는 배출부와, 상기 처리액 공급관으로부터 상기 리저브 탱크로 처리액을 공급하는 처리액 보충 공정의 전과 후 중 어느 하나 또는 양쪽에서, 상기 리저브 탱크로부터 상기 배출부로 처리액을 배출하는 처리액 배출 공정과, 상기 탱크 공급관으로부터 상기 배출부로 처리액을 공급하는 관내 배출 공정 중 어느 하나 또는 양쪽을 행하도록 상기 라인 절환 유닛을 제어하는 제어부를 갖는 기판 처리 장치가 제공된다.According to one aspect of the present invention, there is provided an apparatus for treating a substrate, comprising: a processing chamber for containing a substrate; a vaporizer for vaporizing the processing solution to supply a processing gas into the processing chamber; a reserve tank for storing the processing solution; A line switching unit connected to the reserve tank, a tank supply pipe connected to the line switching unit, for supplying a treatment liquid to the reserve tank, and a liquid supply unit connected to the line switching unit, And a process liquid replenishing step of discharging the process liquid from the reservoir tank to the discharge unit either before or after the process liquid replenishment process of supplying the process liquid from the process liquid supply pipe to the reservoir tank A process liquid discharging step, and an in-pipe discharging hole for supplying the treating liquid from the tank supplying pipe to the discharging hole A substrate processing apparatus having a control unit for controlling the line switching unit is provided to effect either or both of.

다른 형태에 의하면, 기판을 처리실에 수용하는 공정과, 처리액을 기화하여 상기 처리실 내에 처리 가스를 공급하는 공정과, 상기 처리액을 리저브 탱크에 저류하는 공정과, 상기 리저브 탱크로부터 상기 기화기로의 상기 처리액의 유량을 제어하는 공정과, 상기 처리액을 탱크 공급관으로부터 상기 리저브 탱크로 공급하는 처리액 보충 공정과, 상기 처리액 보충 공정의 전과 후 중 어느 하나 또는 양쪽에서, 상기 리저브 탱크 내의 처리액을 배출부로부터 배출하는 공정과, 상기 탱크 공급관으로부터 상기 배출부로 처리액을 배출하는 공정 중 어느 하나 또는 양쪽을 행하는 공정을 갖는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of accommodating a substrate in a processing chamber, vaporizing the processing solution to supply the processing gas into the processing chamber, storing the processing solution in a reserve tank, A treatment liquid replenishing step of supplying the treatment liquid from the tank supply pipe to the reservoir tank; and a treatment liquid supply step of supplying the treatment liquid to the reservoir tank in either or both of before and after the treatment liquid replenishment step A step of discharging the liquid from the discharge part, and a step of discharging the treatment liquid from the tank supply pipe to the discharge part or both of them.

또 다른 형태에 의하면, 기판을 처리실에 수용시키는 수순과, 처리액을 기화하여 상기 처리실 내에 처리 가스를 공급시키는 수순과, 상기 처리액을 리저브 탱크에 저류시키는 수순과, 상기 리저브 탱크로부터 상기 기화기로의 상기 처리액의 유량을 제어시키는 수순과, 상기 처리액을 탱크 공급관으로부터 상기 리저브 탱크로 공급하는 처리액 보충 수순과, 상기 처리액 보충 수순의 전과 후 중 어느 하나 또는 양쪽에서, 상기 리저브 탱크 내의 처리액을 배출부로부터 배출하는 수순과, 상기 탱크 공급관으로부터 상기 배출부로 처리액을 배출하는 수순 중 어느 하나 또는 양쪽을 행하는 수순을 컴퓨터에 실행시키는 프로그램이 기록된 기록 매체가 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus comprising: a process for accommodating a substrate in a process chamber; a process for vaporizing the process liquid to supply the process gas into the process chamber; a process for storing the process liquid in the reserve tank; A process liquid replenishing process for supplying the process liquid from the tank feed pipe to the reserve tank and a process for replenishing the processing liquid in the reservoir tank in either or both of before and after the process liquid replenishing process, There is provided a recording medium on which a program for causing a computer to execute a process of discharging a treatment liquid from a discharge portion and a process of discharging the treatment liquid from the tank supply pipe to the discharge portion.

본 발명에 따른 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 기록 매체에 의하면, 반도체 장치의 제조 품질을 향상시킴과 함께, 제조 스루풋을 향상시키는 것이 가능하게 된다.According to the substrate processing apparatus, the semiconductor device manufacturing method, and the recording medium according to the present invention, the manufacturing quality of the semiconductor device can be improved and the manufacturing throughput can be improved.

도 1은 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성도이다.
도 2는 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 종단면 개략도이다.
도 3은 실시 형태에서 적절하게 사용되는 기판 처리 장치의 컨트롤러의 개략 구성도이다.
도 4는 실시 형태에 따른 기판 처리 공정의 흐름도이다.
도 5는 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 라인 절환 유닛이며, 리저브 탱크에의 처리액 보충 공정을 도시하는 도면이다.
도 6은 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 라인 절환 유닛이며, 처리액 배출 공정 중의 구성을 도시하는 개략도인 도면이다.
도 7은 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 라인 절환 유닛이며, 처리액 공급관 내 배출 공정 중의 구성을 도시하는 개략도이다.
도 8은 다른 실시 형태에 따른 기화기의 개략 구성도이다.1 is a schematic configuration diagram of a substrate processing apparatus according to an embodiment.
2 is a schematic view of the longitudinal section of the substrate processing apparatus according to the embodiment.
3 is a schematic block diagram of a controller of a substrate processing apparatus suitably used in the embodiment.
4 is a flowchart of a substrate processing process according to the embodiment.
Fig. 5 is a diagram showing a process liquid replenishing step for the reserve tank, which is a line switching unit of the substrate processing apparatus according to the embodiment. Fig.
Fig. 6 is a schematic view showing a configuration in a process liquid discharging step, which is a line switching unit of the substrate processing apparatus according to the embodiment. Fig.
Fig. 7 is a schematic diagram showing the configuration of the line switching unit of the substrate processing apparatus according to the embodiment during the discharging process in the processing liquid supply pipe. Fig.
8 is a schematic configuration diagram of a vaporizer according to another embodiment.

<제1 실시 형태>&Lt; First Embodiment >

이하에, 제1 실시 형태에 대해 설명한다.Hereinafter, the first embodiment will be described.

(1) 기판 처리 장치의 구성(1) Configuration of substrate processing apparatus

먼저, 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 구성에 대해, 주로 도 1 및 도 2를 이용하여 설명한다. 도 1은 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성도이며, 처리로(202) 부분을 종단면으로 나타내고 있다. 도 2는 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치가 구비하는 처리로(202)의 종단면 개략도이다.First, the configuration of a substrate processing apparatus according to the present embodiment will be described mainly with reference to Figs. 1 and 2. Fig. Fig. 1 is a schematic structural view of a substrate processing apparatus according to the present embodiment, and shows a part of the processing furnace 202 as a longitudinal section. 2 is a schematic longitudinal sectional view of the processing furnace 202 of the substrate processing apparatus according to the present embodiment.

(반응관)(Reaction tube)

도 1에 도시한 바와 같이, 처리로(202)는 반응관(203)을 구비하고 있다. 반응관(203)은, 예를 들어 석영(SiO2) 또는 탄화실리콘(SiC) 등의 내열성 재료를 포함하고, 상단부 및 하단부가 개구된 원통 형상으로 형성되어 있다. 반응관(203)의 통 중공부에는, 처리실(201)이 형성되고, 기판으로서의 웨이퍼(200)를 후술하는 보트(217)에 의해 수평 자세로 수직 방향으로 다단으로 정렬된 상태에서 수용 가능하게 구성되어 있다.As shown in Fig. 1, the treatment furnace 202 is provided with a reaction tube 203. The reaction tube 203 includes a heat resistant material such as quartz (SiO 2 ) or silicon carbide (SiC), and is formed into a cylindrical shape having an upper end and a lower end opened. The processing chamber 201 is formed in the hollow tube of the reaction tube 203 and the wafer 200 as a substrate is configured to be accommodated in a state of being aligned in multiple stages in the vertical direction in a horizontal posture by a boat 217 .

반응관(203)의 하부에는, 반응관(203)의 하단부 개구[노(爐)구]를 기밀하게 밀봉(폐색) 가능한 노구 덮개로서의 시일 캡(219)이 설치되어 있다. 시일 캡(219)은 반응관(203)의 하단부에 수직 방향 하측으로부터 접촉되도록 구성되어 있다. 시일 캡(219)은 원판 형상으로 형성되어 있다. 기판의 처리 공간으로 되는 기판 처리실(201)은 반응관(203)과 시일 캡(219)을 포함한다.A seal cap 219 is provided at the lower portion of the reaction tube 203 as a knocking lid capable of hermetically sealing (closing) the lower end opening (furnace opening) of the reaction tube 203. The seal cap 219 is configured to contact the lower end of the reaction tube 203 from below in a vertical direction. The seal cap 219 is formed in a disk shape. The substrate processing chamber 201, which serves as a substrate processing space, includes a reaction tube 203 and a seal cap 219.

(기판 지지부)(Substrate supporting portion)

기판 보유 지지부로서의 보트(217)는 복수매의 웨이퍼(200)를 다단으로 보유 지지할 수 있도록 구성되어 있다. 보트(217)는 복수매의 웨이퍼(200)를 보유 지지하는 복수개의 지주(217a)를 구비하고 있다. 지주(217a)는 예를 들어 3개 구비되어 있다. 복수개의 지주(217a)는 각각, 바닥판(217b)과 천장판(217c)과의 사이에 가설되어 있다. 복수매의 웨이퍼(200)가 지주(217a)에 수평 자세로, 또한 서로 중심을 일치시킨 상태로 정렬되어 관축방향으로 다단으로 보유 지지되어 있다. 천장판(217c)은 보트(217)에 보유 지지되는 웨이퍼(200)의 최대 외경보다도 커지도록 형성되어 있다.A boat 217 as a substrate holding portion is configured to hold a plurality of wafers 200 in multiple stages. The boat 217 is provided with a plurality of struts 217a for holding a plurality of wafers 200 thereon. For example, three pillars 217a are provided. The plurality of pillars 217a are laid between the bottom plate 217b and the top plate 217c, respectively. A plurality of wafers 200 are aligned in a horizontal posture and in a state where the centers of the wafers 200 are aligned with each other and held in multiple stages in the tube axis direction. The ceiling plate 217c is formed so as to be larger than the maximum outer diameter of the wafer 200 held by the boat 217. [

지주(217a), 바닥판(217b), 천장판(217c)의 구성 재료로서, 예를 들어 산화실리콘(SiO2), 탄화실리콘(SiC), 산화알루미늄(AlO), 질화알루미늄(AlN), 질화실리콘(SiN), 산화지르코늄(ZrO) 등의 열전도성이 좋은 비금속 재료가 사용된다. 특히 열전도율이 10W/mK 이상인 비금속 재료가 바람직하다. 또한, 열전도율이 문제로 되지 않으면, 석영(SiO) 등으로 형성해도 되고, 또한 금속에 의한 웨이퍼(200)에 오염이 문제로 되지 않으면, 지주(217a), 천장판(217c)은 스테인리스(SUS) 등의 금속 재료로 형성해도 된다. 지주(217a), 천장판(217c)의 구성 재료로서 금속이 사용되는 경우, 금속에 세라믹이나, 테플론(등록 상표) 등의 피막을 형성해도 된다.Holding (217a), as a constituent material of the bottom plate (217b), ceiling panel (217c), for example, silicon oxide (SiO 2), silicon carbide (SiC), aluminum (AlO), aluminum nitride (AlN), silicon nitride oxide (SiN), zirconium oxide (ZrO), or the like is used. In particular, a non-metallic material having a thermal conductivity of 10 W / mK or more is preferable. If the thermal conductivity is not a problem, the support 217a and the ceiling plate 217c may be made of quartz (SiO 2) or the like and stainless steel (SUS) or the like Of a metal material. When a metal is used as a constituent material of the column 217a and the top plate 217c, a film of ceramics or Teflon (registered trademark) may be formed on the metal.

보트(217)의 하부에는, 예를 들어 석영이나 탄화실리콘 등의 내열 재료를 포함하는 단열체(218)가 설치되어 있어, 제1 가열부(207)로부터의 열이 시일 캡(219)측으로 전해지기 어려워지도록 구성되어 있다. 단열체(218)는 단열 부재로서 기능함과 함께 보트(217)를 보유 지지하는 보유 지지체로서도 기능한다. 또한, 단열체(218)는 도시한 바와 같이 원판 형상으로 형성된 단열판이 수평 자세로 다단으로 복수매 설치된 것으로 한정되지 않고, 예를 들어 원통 형상으로 형성된 석영 캡 등이어도 된다. 또한, 단열체(218)는 보트(217)의 구성 부재의 1개로서 생각해도 된다.A heat insulating body 218 including a heat resistant material such as quartz or silicon carbide is provided in the lower part of the boat 217 so that the heat from the first heating part 207 is transmitted to the seal cap 219 side So that it becomes difficult to get rid of it. The heat insulating member 218 functions as a heat insulating member and also functions as a holding member for holding the boat 217. The heat insulating member 218 is not limited to the case where a plurality of heat insulating plates formed in a disc shape as shown in the drawings are provided in multiple stages in a horizontal posture, but may be a quartz cap formed in a cylindrical shape, for example. Further, the heat insulating member 218 may be regarded as one of constituent members of the boat 217.

(승강부)(Elevating portion)

반응 용기(203)의 하방에는, 보트(217)를 승강시켜 반응관(203)의 내외로 반송하는 승강부로서의 보트 엘리베이터가 설치되어 있다. 보트 엘리베이터에는, 보트 엘리베이터에 의해 보트(217)가 상승되었을 때에 노구를 밀봉하는 시일 캡(219)이 설치되어 있다.Below the reaction vessel 203, there is provided a boat elevator as an elevation part which elevates the boat 217 and conveys it to the inside and the outside of the reaction tube 203. The boat elevator is provided with a seal cap 219 that seals the nose when the boat 217 is lifted by the boat elevator.

시일 캡(219)의 처리실(201)과 반대측에는, 보트(217)를 회전시키는 보트 회전 기구(267)가 설치되어 있다. 보트 회전 기구(267)의 회전축(261)은 시일 캡(219)을 관통하여 보트(217)에 접속되어 있고, 보트(217)를 회전시킴으로써 웨이퍼(200)를 회전시키도록 구성되어 있다.A boat rotation mechanism 267 for rotating the boat 217 is provided on the opposite side of the seal chamber 219 from the treatment chamber 201. The rotating shaft 261 of the boat rotating mechanism 267 is connected to the boat 217 through the seal cap 219 and is configured to rotate the wafer 200 by rotating the boat 217.

(제1 가열부)(First heating portion)

반응관(203)의 외측에는, 반응관(203)의 측벽면을 둘러싸는 동심원 형상으로, 반응관(203) 내의 웨이퍼(200)를 가열하는 제1 가열부(207)가 설치되어 있다. 제1 가열부(207)는 히터 베이스(206)에 의해 지지되어 설치되어 있다. 도 2에 도시한 바와 같이, 제1 가열부(207)는 제1∼제4 히터 유닛(207a∼207d)을 구비하고 있다. 제1∼제4 히터 유닛(207a∼207d)은 각각, 반응관(203) 내에서의 웨이퍼(200)의 적층 방향을 따라 설치되어 있다.A first heating unit 207 for heating the wafer 200 in the reaction tube 203 is provided concentrically around the sidewall of the reaction tube 203 on the outside of the reaction tube 203. The first heating portion 207 is supported by the heater base 206. As shown in Fig. 2, the first heating unit 207 includes first to fourth heater units 207a to 207d. The first to fourth heater units 207a to 207d are provided along the stacking direction of the wafers 200 in the reaction tube 203, respectively.

반응관(203) 내에는, 제1∼제4 히터 유닛(207a∼207d)마다, 웨이퍼(200) 또는 주변 온도를 검출하는 온도 검출기로서, 예를 들어 열전대 등의 제1∼제4 온도 센서(263a∼263d)는 각각, 반응관(203)과 보트(217)와의 사이에 각각 설치되어 있다. 또한, 제1∼제4 온도 센서(263a∼263d)는 각각, 제1∼제4 히터 유닛(207a∼207d)에 의해 각각 가열되는 복수매의 웨이퍼(200) 중, 그 중앙에 위치하는 웨이퍼(200)의 온도를 검출하도록 설치되어도 된다.Each of the first to fourth heater units 207a to 207d is provided with a reaction tube 203 for detecting the temperature of the wafer 200 or the ambient temperature by using first to fourth temperature sensors (for example, thermocouples) 263a to 263d are provided between the reaction tube 203 and the boat 217, respectively. The first to fourth temperature sensors 263a to 263d are respectively disposed in the center of a plurality of wafers 200 heated by the first to fourth heater units 207a to 207d 200 may be provided.

제1 가열부(207), 제1∼제4 온도 센서(263a∼263d)에는, 각각, 후술하는 컨트롤러(121)가 전기적으로 접속되어 있다. 컨트롤러(121)는 반응관(203) 내의 웨이퍼(200)의 온도가 소정의 온도로 되도록, 제1∼제4 온도 센서(263a∼263d)에 의해 각각 검출된 온도 정보에 기초하여, 제1∼제4 히터 유닛(207a∼207d)에의 공급 전력을 소정의 타이밍에서 각각 제어하고, 제1∼제4 히터 유닛(207a∼207d)마다 개별로 온도 설정이나 온도 조정을 행하도록 구성되어 있다.The controller 121, which will be described later, is electrically connected to the first heating unit 207 and the first to fourth temperature sensors 263a to 263d, respectively. The controller 121 controls the first to fourth temperature sensors 263a to 263d based on the temperature information detected by the first to fourth temperature sensors 263a to 263d so that the temperature of the wafer 200 in the reaction tube 203 becomes a predetermined temperature. The power supply to the fourth heater units 207a to 207d is controlled at a predetermined timing to individually perform temperature setting and temperature adjustment for each of the first to fourth heater units 207a to 207d.

(가스 공급부)(Gas supply unit)

도 1에 도시한 바와 같이, 반응관(203)과 제1 가열부(207)와의 사이에는, 처리액 공급 노즐(501)이 설치되어 있다. 처리액 공급 노즐(501)은 예를 들어 열전도율이 낮은 석영 등에 의해 형성되어 있다. 처리액 공급 노즐(501)은 이중관 구조를 갖고 있어도 된다. 처리액 공급 노즐(501)은 반응관(203)의 외벽의 측부를 따라 배치되어 있다. 처리액 공급 노즐(501)의 선단(하류 단부)은 반응관(203)의 정상부(상단부 개구)에 기밀하게 설치되어 있다. 반응관(203)의 상단부 개구에 위치하는 처리액 공급 노즐(501)에는, 선단에는, 공급 구멍(502)이 형성되어 있다. 공급 구멍(502)은 반응관(203) 내에 공급되는 처리액을 반응관(203) 내에 수용된 보트(217)의 상부에 설치된 기화기(217d)를 향하여 공급하도록 구성되어 있다. 공급 구멍(502)은 후술하는 예에서는 기화기(217d)에 적하하도록 구성되어 있지만, 필요에 따라 분사하도록 구성해도 된다. 가스 공급부는, 주로, 기화기(217d)와 처리액 공급 노즐(501)과 공급 구멍(502)을 포함한다.1, a process liquid supply nozzle 501 is provided between the reaction tube 203 and the first heating unit 207. The process liquid supply nozzle 501 is provided with a processing liquid supply nozzle 501, The treatment liquid supply nozzle 501 is formed of, for example, quartz having a low thermal conductivity. The treatment liquid supply nozzle 501 may have a double pipe structure. The treatment liquid supply nozzle 501 is disposed along the side of the outer wall of the reaction tube 203. (Downstream end) of the treatment liquid supply nozzle 501 is airtightly provided at the top (upper end opening) of the reaction tube 203. [ A supply hole 502 is formed at the tip of the processing liquid supply nozzle 501 located at the upper end opening of the reaction tube 203. The supply hole 502 is configured to supply the treatment liquid supplied into the reaction tube 203 toward the vaporizer 217d provided in the upper part of the boat 217 accommodated in the reaction tube 203. [ The supply hole 502 is configured to be dropped onto the vaporizer 217d in the example described later, but may be configured to be sprayed as required. The gas supply portion mainly includes a vaporizer 217d, a process liquid supply nozzle 501, and a supply hole 502. [

처리액 공급 노즐(501)의 상류 단부에는, 처리액을 공급하는 처리액 공급관(289a)의 하류 단부가 접속되어 있다. 처리액 공급관(289a)에는, 상류 방향으로부터 순서대로, 액체 유량 제어 유닛(300)과 처리액 공급 유닛(400)이 설치되어 있다.At the upstream end of the process liquid supply nozzle 501, the downstream end of the process liquid supply pipe 289a for supplying the process liquid is connected. In the process liquid supply pipe 289a, a liquid flow rate control unit 300 and a process liquid supply unit 400 are provided in this order from the upstream side.

(액체 유량 제어 유닛)(Liquid flow rate control unit)

액체 유량 제어 유닛(300)에는, 상류측으로부터, 리저브 탱크(301), 액체관(310a), 오토 밸브(302a), 핸드 밸브(303a), 필터(304), 오토 밸브(302b), 유량 제어부로서의 액체 유량 컨트롤러(LMFC)(305), 밸브(302c, 302d)가 설치되어 있다. 또한, 액체관(310a)의 상류 단부는, 리저브 탱크(301) 내의 액면 이하에 설치되어 있다. 또한, 리저브 탱크(301)에는, 압송 가스 공급부와, 가스 배출부와, 처리액 배출부가 접속되어 있다. 리저브 탱크(301)의 용량은, 1∼5리터이고, 예를 들어 2리터로 구성된다. 바람직하게는, 후술하는 기판 처리 공정을 2회 이상 연속으로 실행할 수 있는 용량으로 구성된다.The liquid flow rate control unit 300 is provided with a reservoir tank 301, a liquid pipe 310a, an auto valve 302a, a hand valve 303a, a filter 304, an auto valve 302b, A liquid flow controller (LMFC) 305 and valves 302c and 302d are provided. The upstream end of the liquid pipe 310a is provided below the liquid level in the reserve tank 301. [ Further, the reserve tank 301 is connected to a pressure-feeding gas supply unit, a gas discharge unit, and a process liquid discharge unit. The capacity of the reserve tank 301 is 1 to 5 liters, for example, 2 liters. Preferably, the substrate processing apparatus has a capacity capable of performing the substrate processing process described below two or more times in succession.

압송 가스 공급부는, 가스관(310b), 오토 밸브(302e, 302f, 302g), 기체 유량 컨트롤러(매스 플로우 컨트롤러)(309), 핸드 밸브(303b)가 설치되어 있다. 압송 가스 공급부는, 주로 가스관(310b), 오토 밸브(302g), MFC(309)를 포함한다. 타구성도 포함하여 구성해도 된다. 압송 가스 공급부로부터 리저브 탱크(301)로 압송 가스로서, 예를 들어 질소(N2) 가스를 공급함으로써, 리저브 탱크(301)로부터 필터(304)로 처리액이 압송된다.The pressurized gas supply section is provided with a gas pipe 310b, auto valves 302e, 302f, and 302g, a gas flow controller (mass flow controller) 309, and a hand valve 303b. The pressure feeding gas supply section mainly includes a gas pipe 310b, an auto valve 302g, and an MFC 309. [ It may also be configured to include a ball. For example, nitrogen (N 2 ) gas is fed as a pressurized gas from the pressurized gas supply section to the reservoir tank 301 so that the process liquid is sent from the reservoir tank 301 to the filter 304.

가스 배출부에는, 가스관(310c), 핸드 밸브(303c), 오토 밸브(302h)가 설치되어 있다. 적어도, 가스관(310c)과, 오토 밸브(302h)로 가스 배출부가 구성된다. 필요에 따라 핸드 밸브(303c)도 포함해도 된다.The gas discharge portion is provided with a gas pipe 310c, a hand valve 303c, and an auto valve 302h. At least, the gas discharge portion is constituted by the gas pipe 310c and the auto valve 302h. The hand valve 303c may also be included if necessary.

오토 밸브(302c)와 오토 밸브(302d)의 사이에, 드레인관(310e)과, 오토 밸브(302i)가 설치되어 있다. 또한, 필터(304)에는, 드레인관(310e)이 접속된 가스관(310d)과 오토 밸브(302j)가 설치되어 있다. 필터(304)에서는, 리저브 탱크(301)로부터 공급된 처리액 중에 포함되는 기체를 취출하고, 액체만을 LMFC(305)에 송출한다. 처리액 중에 포함되어 있었던 기체는, 드레인관(310e)으로 흐른다. LMFC(305)에서는, 필터(301)를 통해 공급되는 처리액의 유량이 제어된다.A drain pipe 310e and an auto valve 302i are provided between the auto valve 302c and the auto valve 302d. The filter 304 is provided with a gas pipe 310d and an auto valve 302j to which a drain pipe 310e is connected. In the filter 304, the gas contained in the treatment liquid supplied from the reserve tank 301 is taken out, and only the liquid is sent to the LMFC 305. The gas contained in the treatment liquid flows to the drain pipe 310e. In the LMFC 305, the flow rate of the process liquid supplied through the filter 301 is controlled.

(처리액 공급 유닛)(Processing liquid supply unit)

처리액 공급 유닛(400)은 리저브 탱크(301)에 처리액을 공급한다. 처리액 공급 유닛(400)은 처리액 공급원(401), 오토 밸브(402a), 펌프(403), 핸드 밸브(404a), 탱크 공급관(405), 오토 밸브(404b)가 설치된다. 처리액 공급 유닛(400)은 적어도, 탱크 공급관(405), 오토 밸브(402a)를 포함한다. 또한, 후술하는 배출부로서의 배출관(406)을 처리액 공급 유닛에 포함해도 된다. 또한, 처리액 공급원(401)과 펌프(403)를 포함하여 구성해도 되지만, 기판 처리 장치가 설치되는 반도체 장치의 제조 공장의 설비로서 설치되는 경우가 있다. 펌프(403)에 의해, 처리액 공급원(401)으로부터 후술하는 라인 절환 유닛을 통해, 리저브 탱크(301)로 처리액을 공급하도록 설치된다. 처리액 공급 유닛(400)은 가스 공급부에 설치해도 되지만, 기판 처리 장치에는 탑재하지 않고, 기판 처리 장치가 설치되는 반도체 장치 제조 공장의 설비로서 설치해도 된다.The treatment liquid supply unit 400 supplies the treatment liquid to the reservoir tank 301. The treatment liquid supply unit 400 is provided with a treatment liquid supply source 401, an auto valve 402a, a pump 403, a hand valve 404a, a tank supply pipe 405, and an auto valve 404b. The treatment liquid supply unit 400 includes at least a tank supply pipe 405 and an auto valve 402a. Further, a process liquid supply unit may include a discharge pipe 406 as a discharge unit, which will be described later. Further, it may be configured to include the processing solution supply source 401 and the pump 403, but it may be provided as a facility of a semiconductor device manufacturing factory in which the substrate processing apparatus is installed. Is supplied by the pump 403 to supply the process liquid from the process liquid supply source 401 to the reserve tank 301 through a line switching unit to be described later. The treatment liquid supply unit 400 may be provided in the gas supply unit, but may not be mounted in the substrate processing apparatus but may be provided as a facility of a semiconductor device manufacturing factory in which the substrate processing apparatus is installed.

(배출부)(Discharge portion)

후술하는 라인 절환 유닛(500)에는, 배출부로서의 배출관(406)이 접속되고, 리저브 탱크(301) 또는 탱크 공급관(405) 내의 처리액을 배출 가능하게 구성되어 있다. 또한, 오토 밸브(407)와 복귀관(408)을 설치하여 처리액 공급원(401)으로 복귀시키도록 구성해도 된다.A discharge pipe 406 as a discharge portion is connected to the line switching unit 500 to be described later and is configured to discharge the process liquid in the reserve tank 301 or the tank supply pipe 405. Alternatively, the automatic valve 407 and the return pipe 408 may be provided and returned to the treatment liquid supply source 401.

(라인 절환 유닛)(Line switching unit)

라인 절환 유닛(500)은 액체 유량 제어 유닛(300)과 처리액 공급 유닛(400)의 사이에 설치된다. 라인 절환 유닛(500)은 후술하는, 처리액 공급 유닛(400)으로부터 리저브 탱크(301)로의 처리액 공급 공정과, 리저브 탱크(301)로부터 배출관(406)으로의 처리액 배출 공정과, 탱크 공급관(405) 내에 저류된 처리액의 관내 배출 공정의 각각의 공정을 행할 때에 밸브 조작된다. 처리액 공급 공정은, 탱크측 밸브(501a)와 공급원측 밸브(501b)를 개방하고 배출측 밸브(501c)를 폐쇄함으로써 행해진다. 처리액 배출 공정은, 탱크측 밸브(501a)와 배출측 밸브(501c)를 개방하고, 공급원측 밸브(501b)를 폐쇄함으로써 행해진다. 관내 배출 공정은, 탱크측 밸브(501a)를 폐쇄하고, 공급원측 밸브(501b)와 배출측 밸브(501c)를 개방함으로써 행해진다.The line switching unit 500 is installed between the liquid flow rate control unit 300 and the process liquid supply unit 400. The line switching unit 500 includes a process liquid supply process from the process liquid supply unit 400 to the reserve tank 301 to be described later, a process liquid discharge process from the reserve tank 301 to the discharge pipe 406, The valve is operated when each step of the in-pipe discharge process of the treatment liquid stored in the pipe 405 is performed. The process liquid supply step is performed by opening the tank side valve 501a and the source side valve 501b and closing the discharge side valve 501c. The process liquid discharging step is performed by opening the tank side valve 501a and the discharge side valve 501c and closing the supply side valve 501b. The in-pipe discharge process is performed by closing the tank-side valve 501a and opening the supply-source-side valve 501b and the discharge-side valve 501c.

(배기부)(Exhaust part)

반응관(203)의 하방에는, 기판 처리실(201) 내의 가스를 배기하는 가스 배기관(231)의 일단부가 접속되어 있다. 가스 배기관(231)의 타단부는, 진공 펌프(246a)(배기 장치)에 압력 조정기로서의 APC(Auto Pressure Controller) 밸브(255)를 통해 접속되어 있다. 기판 처리실(201) 내는, 진공 펌프(246)에서 발생하는 부압에 의해 배기된다. 또한, APC 밸브(255)는 밸브의 개폐에 의해 기판 처리실(201)의 배기 및 배기 정지를 행할 수 있는 개폐 밸브이다. 또한, 밸브 개방도의 조정에 의해 압력을 조정할 수 있는 압력 조정 밸브이기도 하다. 또한, 압력 검출기로서의 압력 센서(223)가 APC 밸브(255)의 상류측에 설치되어 있다. 이와 같이 하여, 기판 처리실(201) 내의 압력이 소정의 압력(진공도)으로 되도록, 진공 배기하도록 구성되어 있다. APC 밸브(255)에 의해 기판 처리실(201) 및 압력 센서(223)에는, 압력 제어부(284)(도 3 참조)가 전기적으로 접속되어 있고, 압력 제어부(284)는 압력 센서(223)에 의해 검출된 압력에 기초하여, APC 밸브(255)에 의해 기판 처리실(201) 내의 압력이 원하는 압력으로 되도록, 원하는 타이밍에서 제어하도록 구성되어 있다.One end of a gas exhaust pipe 231 for exhausting gas in the substrate processing chamber 201 is connected to the lower side of the reaction tube 203. The other end of the gas exhaust pipe 231 is connected to a vacuum pump 246a (exhaust device) through an APC (Auto Pressure Controller) valve 255 as a pressure regulator. The substrate processing chamber 201 is evacuated by the negative pressure generated by the vacuum pump 246. The APC valve 255 is an on-off valve that can perform exhaust and exhaust stop of the substrate processing chamber 201 by opening and closing a valve. It is also a pressure adjusting valve capable of adjusting the pressure by adjusting the valve opening degree. A pressure sensor 223 as a pressure detector is provided on the upstream side of the APC valve 255. In this way, the vacuum processing is performed so that the pressure in the substrate processing chamber 201 becomes a predetermined pressure (vacuum degree). 3) is electrically connected to the substrate processing chamber 201 and the pressure sensor 223 by the APC valve 255 and the pressure control unit 284 is connected to the pressure control unit 284 by the pressure sensor 223 Based on the detected pressure, the pressure in the substrate processing chamber 201 by the APC valve 255 to a desired pressure.

배기부는, 가스 배기관(231), APC 밸브(255), 압력 센서(223) 등을 포함하고 있다. 또한, 진공 펌프(246)를 배기부에 포함하여 생각해도 된다.The exhaust unit includes a gas exhaust pipe 231, an APC valve 255, a pressure sensor 223, and the like. The vacuum pump 246 may be included in the exhaust part.

또한, 도 1, 도 2에서는, 처리액 공급 노즐(501)과 가스 배기관(231)을 대향하는 위치에 설치하도록 하였지만, 동일한 측에 설치하도록 해도 된다. 기판 처리 장치 내의 빈 스페이스나, 기판 처리 장치가 복수대 설치되는 반도체 장치 공장 내의 빈 스페이스는 좁기 때문에, 이와 같이, 처리액 공급 노즐(501)과 가스 배기관(231)을 동일한 측에 설치함으로써, 가스 공급관(233)과 가스 배기관(231)과 액화 방지 히터(280)의 메인터넌스를 용이하게 행할 수 있다.1 and 2, the treatment liquid supply nozzle 501 and the gas exhaust pipe 231 are provided at positions facing each other, but they may be provided on the same side. Since the empty space in the substrate processing apparatus and the empty space in the semiconductor device factory where a plurality of substrate processing apparatuses are provided are narrow, by providing the process liquid supply nozzle 501 and the gas exhaust pipe 231 on the same side, The maintenance of the supply pipe 233, the gas exhaust pipe 231, and the liquefaction prevention heater 280 can be easily performed.

(제어부)(Control section)

도 3에 도시한 바와 같이, 제어부(제어 수단)인 컨트롤러(121)는 CPU(Central Processing Unit)(121a), RAM(Random Access Memory)(121b), 기억 장치(121c), I/O 포트(121d)를 구비한 컴퓨터로서 구성되어 있다. RAM(121b), 기억 장치(121c), I/O 포트(121d)는 내부 버스(121e)를 통해, CPU(121a)와 데이터 교환 가능하도록 구성되어 있다. 컨트롤러(121)에는, 예를 들어 터치 패널 등으로서 구성된 입출력 장치(122)가 접속되어 있다.3, the controller 121 which is a control unit (control means) includes a CPU (Central Processing Unit) 121a, a RAM (Random Access Memory) 121b, a storage device 121c, an I / O port And 121d. The RAM 121b, the storage device 121c and the I / O port 121d are configured to exchange data with the CPU 121a via the internal bus 121e. To the controller 121, an input / output device 122 configured as, for example, a touch panel or the like is connected.

기억 장치(121c)는 예를 들어 플래시 메모리, HDD(Hard Disk Drive) 등을 포함하고 있다. 기억 장치(121c) 내에는, 기판 처리 장치의 동작을 제어하는 제어 프로그램이나, 후술하는 기판 처리의 수순이나 조건 등이 기재된 프로그램 레시피 등이 판독 가능하게 저장되어 있다. 또한, 프로세스 레시피는, 후술하는 기판 처리 공정에 있어서의 각 수순을 컨트롤러(121)에 실행시키고, 소정의 결과를 얻을 수 있도록 조합된 것이며, 프로그램으로서 기능한다. 이하, 이 프로그램 레시피나 제어 프로그램 등을 총칭하여, 간단히 프로그램이라고도 한다. 또한, 본 명세서에 있어서 프로그램이라고 하는 말을 사용한 경우에는, 프로그램 레시피 단체만을 포함하는 경우, 제어 프로그램 단체만을 포함하는 경우, 또는 그 양쪽을 포함하는 경우가 있다. 또한, RAM(121b)은, CPU(121a)에 의해 판독된 프로그램이나 데이터 등이 일시적으로 유지되는 메모리 영역(워크 에어리어)으로서 구성되어 있다.The storage device 121c includes, for example, a flash memory, a hard disk drive (HDD), and the like. In the storage device 121c, a control program for controlling the operation of the substrate processing apparatus, a program recipe describing procedures and conditions of substrate processing to be described later, and the like are readably stored. The process recipe is combined with the controller 121 so as to obtain a predetermined result, and functions as a program. Hereinafter, the program recipe, the control program, and the like are generically referred to simply as a program. In the present specification, when the word program is used, only a program recipe group is included, or only a control program group is included, or both of them are included. The RAM 121b is configured as a memory area (work area) in which programs and data read by the CPU 121a are temporarily held.

I/O 포트(121d)는 상술한 LMFC(305), MFC(309, 600), 펌프(403), 오토 밸브(302a, 302b, 302c, 302d, 302e, 302f, 302g, 302h, 302i, 601a, 601b), 셔터(252, 254, 256), APC 밸브(255), 제1 가열부[207(207a, 207b, 207c, 207d)], 제2 가열부(280), 블로어 회전 기구(259), 제1∼제4 온도 센서(263a∼263d), 보트 회전 기구(267), 압력 센서(233), 온도 제어 컨트롤러(400), 펌프(403), 탱크측 밸브(501a), 공급원측 밸브(501b), 배출측 밸브(501c) 등에 접속되어 있다.The I / O port 121d is connected to the LMFC 305, the MFCs 309 and 600, the pump 403, the auto valves 302a, 302b, 302c, 302d, 302e, 302f, 302g, 302h, 302i, The second heating unit 280, the blower rotation mechanism 259, the second heating unit 280, the first heating unit 207 (207a, 207b, 207c, 207d) The first to fourth temperature sensors 263a to 263d, the boat rotation mechanism 267, the pressure sensor 233, the temperature control controller 400, the pump 403, the tank side valve 501a, the source side valve 501b , A discharge side valve 501c, and the like.

CPU(121a)는, 기억 장치(121c)로부터의 제어 프로그램을 판독하여 실행함과 함께, 입출력 장치(122)로부터의 조작 커맨드의 입력 등에 따라 기억 장치(121c)로부터 프로세스 레시피를 판독하도록 구성되어 있다. 그리고, CPU(121a)는, 판독된 프로세스 레시피의 내용을 따르도록, LMFC(305)에 의한 처리액의 유량 조정 동작, MFC(309, 600)에 의한 가스의 유량 조정 동작, 오토 밸브(302a, 302b, 302c, 302d, 302e, 302f, 302g, 302h, 302i, 601a, 601b)의 개폐 동작, 셔터(252, 254, 256)의 차단 동작, APC 밸브(255)의 개폐 조정 동작 및 제1∼제4 온도 센서(263a∼263d)에 기초하는 제1 가열부(207)의 온도 조정 동작, 제2 가열부(280)의 온도 조정 동작, 진공 펌프(246a, 246b)의 기동·정지, 블로어 회전 기구(259)의 회전 속도 조절 동작, 보트 회전 기구(267)의 회전 속도 조절 동작, 펌프(403)에 의한 처리액 공급 동작, 탱크측 밸브(501a)의 개폐 동작, 공급원측 밸브(501b)의 개폐 동작, 배출측 밸브(501c)의 개폐 밸브 등을 제어하도록 구성되어 있다.The CPU 121a is configured to read and execute the control program from the storage device 121c and to read the process recipe from the storage device 121c in response to an input of an operation command from the input / output device 122 . The CPU 121a controls the flow rate of the process liquid by the LMFC 305, the flow rate of the gas by the MFCs 309 and 600, and the flow rate of the gas by the automatic valves 302a, Closing operation of the shutters 252, 254 and 256, open / close adjustment operation of the APC valve 255, and opening / closing operation of the first to tenth valves 252a to 252c, The temperature adjusting operation of the first heating section 207 based on the first to fourth temperature sensors 263a to 263d, the temperature adjusting operation of the second heating section 280, the start and stop of the vacuum pumps 246a and 246b, The rotation speed adjusting operation of the boat rotating mechanism 267, the processing liquid supplying operation of the pump 403, the opening and closing operations of the tank side valve 501a, the opening and closing operations of the supply side valve 501b, Closing valve of the discharge side valve 501c, and the like.

또한, 컨트롤러(121)는 전용의 컴퓨터로서 구성되어 있는 경우로 한정되지 않고, 범용의 컴퓨터로서 구성되어 있어도 된다. 예를 들어, 상술한 프로그램을 저장한 외부 기억 장치(예를 들어, 자기 테이프, 플렉시블 디스크나 하드 디스크 등의 자기 디스크, CD나 DVD 등의 광 디스크, MO 등의 광자기 디스크, USB 메모리나 메모리 카드 등의 반도체 메모리)(123)를 준비하고, 이러한 외부 기억 장치(123)를 사용하여 범용의 컴퓨터에 프로그램을 인스톨하는 것 등에 의해, 본 실시 형태에 따른 컨트롤러(121)를 구성할 수 있다. 또한, 컴퓨터에 프로그램을 공급하기 위한 수단은, 외부 기억 장치(123)를 통해 공급하는 경우로 한정되지 않는다. 예를 들어, 인터넷이나 전용 회선 등의 통신 수단을 사용하여, 외부 기억 장치(123)를 통하지 않고 프로그램을 공급하도록 해도 된다. 또한, 기억 장치(121c)나 외부 기억 장치(123)는 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체로서 구성된다. 이하, 이들을 총칭하여, 간단히 기록 매체라고도 한다. 또한, 본 명세서에 있어서, 기록 매체라고 하는 말을 사용한 경우에는, 기억 장치(121c) 단체만을 포함하는 경우, 외부 기억 장치(123) 단체만을 포함하는 경우, 또는 그 양쪽을 포함하는 경우가 있다.In addition, the controller 121 is not limited to being configured as a dedicated computer, and may be configured as a general purpose computer. (For example, a magnetic tape such as a magnetic tape such as a flexible disk or a hard disk, an optical disk such as a CD or a DVD, a magneto-optical disk such as an MO, a USB memory or a memory The controller 121 according to the present embodiment can be configured by preparing a semiconductor memory (e.g., a semiconductor memory such as a card) 123 and installing a program in a general-purpose computer using the external storage device 123. [ The means for supplying the program to the computer is not limited to the case where the program is supplied through the external storage device 123. [ For example, the program may be supplied without using the external storage device 123 by using communication means such as the Internet or a private line. The storage device 121c and the external storage device 123 are configured as a computer-readable recording medium. Hereinafter, they are collectively referred to as simply a recording medium. Note that, in the present specification, the term "recording medium" is used to include only a single storage device 121c, or may include only one external storage device 123 or both of them.

(2) 기판 처리 공정(2) Substrate processing step

계속해서, 본 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 공정의 일 공정으로서 실시되는 기판 처리 공정에 대해, 도 4를 이용하여 설명한다. 이러한 공정은, 상술한 기판 처리 장치에 의해 실시된다. 본 실시 형태에서는, 이러한 기판 처리 공정의 일례로서, 처리 가스로서 과산화수소수를 기화시킨 기화 가스를 사용하여, 기판으로서의 웨이퍼(200) 상에 형성된 실리콘(Si) 함유막을 실리콘 산화막으로 개질하는(산화하는) 공정(개질 처리 공정)을 행하는 경우에 대해 설명한다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 기판 처리 장치를 구성하는 각 부의 동작은, 도 1이나 도 3에 도시하는, 컨트롤러(121)에 의해 제어되어 있다.Subsequently, a substrate processing step performed as one step of the manufacturing process of the semiconductor device according to the present embodiment will be described with reference to FIG. Such a process is carried out by the substrate processing apparatus described above. In this embodiment, as one example of such a substrate processing step, a silicon (Si) containing film formed on the wafer 200 as a substrate is modified into a silicon oxide film by using a vaporized gas in which hydrogen peroxide water is vaporized as a processing gas ) Process (reforming process step) is performed. In the following description, the operation of each part constituting the substrate processing apparatus is controlled by the controller 121 shown in Fig. 1 or Fig.

여기서는, 웨이퍼(200)로서, 미세 구조인 요철 구조를 갖고, 폴리실라잔(SiH2NH)을 적어도 오목부(홈)에 충전하도록 공급되고, 홈 내에 실리콘(Si) 함유막이 형성된 기판을 사용하고, 처리 가스로서 과산화수소수의 기화 가스를 사용하는 예에 대해 설명한다. 또한, 실리콘 함유막에는, 실리콘(Si)이나 질소(N), 수소(H)가 포함되어 있고, 경우에 따라서는, 탄소(C)나 다른 불순물이 혼합되어 있을 가능성이 있다. 또한, 미세 구조를 갖는 기판이라 함은, 실리콘 기판에 대해 수직 방향으로 깊은 홈(오목부), 또는 예를 들어 10㎚∼50㎚ 정도의 폭의 가로 방향으로 좁은 홈(오목부) 등의 애스펙트비가 높은 구조를 갖는 기판을 말한다.Here, as the wafer 200, a substrate having a concavo-convex structure having a fine structure and supplied with polysilazane (SiH 2 NH) at least to fill the concave portion (groove) and having a silicon (Si) containing film formed in the groove is used , And an example of using a vaporized gas of hydrogen peroxide as the process gas will be described. The silicon-containing film contains silicon (Si), nitrogen (N), and hydrogen (H), and in some cases, carbon (C) and other impurities may be mixed. Further, the substrate having a fine structure means a substrate having a deep groove (concave portion) perpendicular to the silicon substrate, or a narrow groove (concave portion) having a width of, for example, about 10 nm to 50 nm Quot; refers to a substrate having a high-ratio structure.

폴리실라잔은, 종래부터 사용되고 있는 SOG를 대신하는 재료이다. 이 폴리실라잔은, 예를 들어 디클로로실란이나 트리클로로실란과 암모니아의 촉매 반응에 의해 얻어지는 재료이며, 스핀 코터를 사용하여, 기판 상에 도포함으로써, 박막을 형성할 때에 사용된다. 막 두께는, 폴리실라잔의 분자량, 점도나 코터의 회전수에 의해 조절된다. 이 폴리실라잔에 수분을 공급함으로써, 실리콘 산화막을 형성할 수 있다.Polysilazane is a material that replaces SOG which has been used conventionally. This polysilazane is a material obtained by the catalytic reaction of, for example, dichlorosilane or trichlorosilane and ammonia, and is used when a thin film is formed by applying it on a substrate using a spin coater. The film thickness is controlled by the molecular weight of the polysilazane, the viscosity, and the number of rotations of the coater. By supplying water to this polysilazane, a silicon oxide film can be formed.

(기판 반입 공정(S10))(Substrate carrying-in step S10)

먼저, 미리 지정된 매수의 웨이퍼(200)를 보트(217)에 장전(웨이퍼 차지)한다. 복수매의 웨이퍼(200)를 보유 지지한 보트(217)를 보트 엘리베이터에 의해 들어올려 반응관(203) 내[처리실(201) 내]에 반입(보트 로드)한다. 이 상태에서, 처리로(202)의 개구부인 노구는 시일 캡(219)에 의해 시일된 상태로 된다.First, a predetermined number of wafers 200 are charged (wafer charged) to the boat 217. The boat 217 holding a plurality of wafers 200 is lifted by the boat elevator and brought into the reaction tube 203 (in the processing chamber 201) (boat load). In this state, the nog which is the opening of the processing furnace 202 is sealed by the seal cap 219. [

(압력·온도 조정 공정(S20))(Pressure / temperature adjustment step (S20))

반응관(203) 내가 원하는 압력(예를 들어, 96000∼102500㎩)으로 되도록 진공 펌프(246a) 또는 진공 펌프(246b) 중 적어도 어느 하나에 의해 진공 배기한다. 구체적으로는, 100000㎩ 정도로 한다. 이때, 반응관(203) 내의 압력은, 압력 센서(223)로 측정하고, 이 측정한 압력에 기초하여 APC 밸브(242)의 개방도 또는 밸브(240)의 개폐를 피드백 제어한다(압력 조정).The reaction tube 203 is vacuum-evacuated by at least one of a vacuum pump 246a and a vacuum pump 246b so as to have a desired pressure (for example, 96000 to 102500 Pa). Concretely, it is set to about 100000Pa. At this time, the pressure in the reaction tube 203 is measured by the pressure sensor 223, and the opening degree of the APC valve 242 or the opening / closing of the valve 240 is feedback-controlled based on the measured pressure (pressure adjustment) .

반응관(203) 내에 수용된 웨이퍼(200)가 원하는 온도(예를 들어 실온∼300℃)로 되도록 제1 가열부(207)에 의해 가열한다. 바람직하게는, 50℃∼150℃ 정도, 보다 바람직하게는 50∼100℃ 정도로 가열한다. 이때, 반응관(203) 내의 웨이퍼(200)가 원하는 온도로 되도록, 제1∼제4 온도 센서(263a∼263d)가 검출한 온도 정보에 기초하여 제1 가열부(207)가 구비하는 제1∼제4 히터 유닛(207a∼207d)에의 공급 전력을 피드백 제어한다(온도 조정). 이때, 제1∼제4 히터 유닛(207a∼207d)의 설정 온도는 모두 동일한 온도로 되도록 제어해도 되고, 기화기가 설치된 위치에 대향하는 히터의 온도를 높게 하도록 해도 된다. 또한, 기화기로부터 이격된 보트(217)의 하단부측의 위치에 대향하는 히터의 온도를 높게 하도록 제어해도 된다.The wafer 200 housed in the reaction tube 203 is heated by the first heating unit 207 to a desired temperature (for example, room temperature to 300 占 폚). Preferably, it is heated to about 50 캜 to about 150 캜, and more preferably about 50 to 100 캜. Based on the temperature information detected by the first to fourth temperature sensors 263a to 263d so that the wafer 200 in the reaction tube 203 is at a desired temperature, To the fourth heater units 207a to 207d (temperature adjustment). At this time, the set temperatures of the first to fourth heater units 207a to 207d may be controlled to be the same temperature, or the temperature of the heater facing the position where the vaporizer is installed may be increased. Further, the temperature of the heater facing the position on the lower end side of the boat 217 spaced from the vaporizer may be controlled to be increased.

또한, 웨이퍼(200)를 가열하면서, 보트 회전 기구(267)를 작동하여, 보트(217)의 회전을 개시한다. 이때, 보트(217)의 회전 속도를 컨트롤러(121)에 의해 제어한다. 또한, 보트(217)는 적어도 후술하는 개질 처리 공정(S30)이 종료될 때까지의 동안에는, 항상 회전시킨 상태로 한다.Further, while heating the wafer 200, the boat rotating mechanism 267 is operated to start the rotation of the boat 217. [ At this time, the rotation speed of the boat 217 is controlled by the controller 121. Further, the boat 217 is always kept rotated until at least the end of the reforming process (S30) described later.

또한, 이그저스트 튜브 히터(224)에 전력을 공급하고, 100∼300℃로 되도록 조정한다.Further, electric power is supplied to the soot tube heater 224 to adjust the temperature to 100 to 300 占 폚.

(개질 처리 공정(S30))(Reforming process step (S30))

웨이퍼(200)를 가열하여 원하는 온도에 도달하고, 보트(217)가 원하는 회전 속도에 도달하면, 기화기(217d)에 처리액으로서의 과산화수소(H2O2)수를 공급하고, 과산화수소수를 증발시키고, 기판 처리실(201) 내에 기화 가스로서의 과산화수소 가스를 발생시킨다. 구체적으로는, 오토 밸브(302a, 302b, 302c, 302d, 302e, 302f, 302g)를 개방하고, 리저브 탱크(301) 내에, 가스 공급관(301)으로부터 압송 가스를 공급한다. 압송 가스는, 예를 들어 질소(N2) 가스가 사용된다. 이 외에, 불활성 가스나, He 가스, Ne 가스, Ar 가스 등의 희가스를 사용해도 된다. 리저브 탱크(301) 내에 압송 가스가 공급되면, 리저브 탱크(301) 내의 과산화수소수가 액체관(310a)으로 압출되고, 필터(304)를 통해 LMFC(305)에 공급된다. LMFC(305)에 의해 소정의 유량으로 조정된 후, 처리액 공급 노즐(501)을 통해 기화기(217d)에 과산화수소수가 적하된다. 기화기(217d)는 소정의 온도로 가열되어 있고, 기화기(217d)에 공급된 과산화수소수는 증발하고, 과산화수소 가스가 발생한다. 이와 같이 처리실(201) 내에서 과산화수소 가스를 발생시킴으로써, 과산화수소 가스 중의 과산화수소 농도를 높은 재현성으로 제어할 수 있다. 과산화수소수는, 과산화수소(H2O2)와 물(H2O)이 혼합된 용액으로 되어 있다. H2O2와 H2O은 비점이 상이하므로, 과산화수소수가 들어간 용액을 가열하여 증발시키는 방법이나, 버블링시키는 방법에서는, 액체 상태와, 증발시킨 후의 과산화수소 가스를 비교하면 H2O2 농도에 차가 발생하는 경우가 있다. 본 실시 형태와 같이, 적하하여 증발시키는 방법이라면, 농도에 차가 발생하는 것을 억제할 수 있다.When the wafer 200 reaches a desired temperature by heating the wafer 200 and the boat 217 reaches a desired rotational speed, hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) water as a treatment liquid is supplied to the vaporizer 217 d, the hydrogen peroxide solution is evaporated , And generates hydrogen peroxide gas as a vaporizing gas in the substrate processing chamber (201). Specifically, the automatic valves 302a, 302b, 302c, 302d, 302e, 302f, and 302g are opened, and the feed gas is fed from the gas supply pipe 301 into the reserve tank 301. [ As the pressurized gas, for example, nitrogen (N 2 ) gas is used. In addition, a rare gas such as an inert gas, He gas, Ne gas or Ar gas may be used. The hydrogen peroxide solution in the reserve tank 301 is extruded into the liquid pipe 310a and supplied to the LMFC 305 through the filter 304. [ After being adjusted to a predetermined flow rate by the LMFC 305, the hydrogen peroxide solution is added to the vaporizer 217d through the treatment liquid supply nozzle 501. [ The vaporizer 217d is heated to a predetermined temperature, the hydrogen peroxide solution supplied to the vaporizer 217d evaporates, and hydrogen peroxide gas is generated. By generating the hydrogen peroxide gas in the treatment chamber 201 as described above, the hydrogen peroxide concentration in the hydrogen peroxide gas can be controlled to a high reproducibility. The hydrogen peroxide solution is a solution in which hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) and water (H 2 O) are mixed. H 2 O 2 and H 2 O, so the boiling point is different, the method or a method of bubbling of hydrogen peroxide be heated to evaporate into a solution, a liquid state and the hydrogen peroxide gas after the evaporation of the H 2 O 2 concentration as compared A difference may occur. As in the case of the present embodiment, if the method is carried out by dropping and evaporating, the occurrence of a difference in concentration can be suppressed.

과산화수소수의 기화 가스(처리 가스)를 웨이퍼(200)에 공급하고, 과산화수소수의 기화 가스가 웨이퍼(200)의 표면과 산화 반응함으로써, 웨이퍼(200) 상에 형성된 실리콘 함유막을 SiO막으로 개질한다.A vaporized gas of hydrogen peroxide water (process gas) is supplied to the wafer 200, and a vaporized gas of hydrogen peroxide water is oxidized with the surface of the wafer 200, thereby modifying the silicon-containing film formed on the wafer 200 into a SiO film .

반응관(203) 내에 과산화수소수를 공급하면서, 진공 펌프(246b), 액체 회수 탱크(247)로부터 배기한다. 즉, APC 밸브(242)를 폐쇄하고, 밸브(240)를 개방하고, 반응관(203) 내로부터 배기된 배기 가스를, 가스 배기관(231)으로부터 제2 배기관(243)을 통해 분리기(244) 내를 통과시킨다. 그리고, 배기 가스를 분리기(244)에 의해 과산화수소를 포함하는 액체와 과산화수소를 포함하지 않는 기체로 분리한 후, 기체를 진공 펌프(246b)로부터 배기하고, 액체를 액체 회수 탱크(247)에 회수한다.The hydrogen peroxide solution is supplied into the reaction tube 203 and exhausted from the vacuum pump 246b and the liquid recovery tank 247. [ That is, the APC valve 242 is closed, the valve 240 is opened, exhaust gas exhausted from the reaction tube 203 is exhausted from the gas exhaust pipe 231 through the second exhaust pipe 243 to the separator 244, Let me through. Then, after the exhaust gas is separated into a liquid containing hydrogen peroxide and a gas containing no hydrogen peroxide by the separator 244, the gas is exhausted from the vacuum pump 246b, and the liquid is recovered in the liquid recovery tank 247 .

또한, 반응관(203) 내에 과산화수소수를 공급할 때, 밸브(240) 및 APC 밸브(255)를 폐쇄하고, 반응관(203) 내를 가압하도록 해도 된다. 이에 의해, 반응관(203) 내의 과산화수소수 분위기를 균일하게 할 수 있다.When the hydrogen peroxide solution is supplied into the reaction tube 203, the valve 240 and the APC valve 255 may be closed to pressurize the inside of the reaction tube 203. Thereby, the hydrogen peroxide solution atmosphere in the reaction tube 203 can be made uniform.

소정 시간 경과 후, 오토 밸브(302c)를 폐쇄하고, 반응관(203) 내에의 과산화수소수의 공급을 정지한다.After a predetermined time has elapsed, the automatic valve 302c is closed and the supply of the hydrogen peroxide solution into the reaction tube 203 is stopped.

또한, 처리 가스로서 과산화수소수의 기화 가스를 사용하는 경우로 한정되지 않고, 예를 들어 수소(H2) 가스 등의 수소 원소(H)를 포함하는 가스(수소 함유 가스) 및 예를 들어 산소(O2) 가스 등의 산소 원소(O)를 포함하는 가스(산소 함유 가스)를 가열하여 수증기(H2O)화한 가스를 사용해도 된다. 또한, 오존(O3)을 포함하는 물을 공급해도 된다.The present invention is not limited to the case of using a vaporized gas of hydrogen peroxide as the process gas. For example, a gas containing hydrogen element H such as hydrogen (H 2 ) gas (hydrogen containing gas) (H 2 O) by heating a gas (oxygen-containing gas) containing an oxygen element O such as O 2 gas may be used. In addition, water containing ozone (O 3 ) may be supplied.

(퍼지 공정(S40))(Purge step S40)

개질 처리 공정(S30)이 종료된 후, 오토 밸브(302c, 302b, 302j, 302a, 302e, 302f, 302g)를 폐쇄하고, 오토 밸브(302i)를 개방하여, 처리액 공급 노즐(501) 내에 잔류하는 과산화수소수를, 드레인관(310e)으로부터 배출한다. 과산화수소수의 배출 후, 오토 밸브(302d)를 폐쇄하고, 밸브(255)를 개방하여 반응관(203) 내를 진공 배기하고, 반응관(203) 내에 잔류하고 있는 과산화수소를 배기한다. 이때에, 불활성 가스 공급관(602)으로부터, 반응관(203) 내로 퍼지 가스로서의 N2 가스(불활성 가스)를 공급함으로써, 반응관(203) 내의 잔류 가스의 배출을 촉진할 수 있다.After the reforming process (S30) is completed, the automatic valves 302c, 302b, 302j, 302a, 302e, 302f, and 302g are closed and the auto valve 302i is opened, The hydrogen peroxide solution is discharged from the drain pipe 310e. After the hydrogen peroxide solution is discharged, the auto valve 302d is closed and the valve 255 is opened to evacuate the inside of the reaction tube 203 to exhaust the hydrogen peroxide remaining in the reaction tube 203. [ At this time, the discharge of the residual gas in the reaction tube 203 can be promoted by supplying N 2 gas (inert gas) as the purge gas into the reaction tube 203 from the inert gas supply tube 602.

(강온·대기압 복귀 공정(S50))(The temperature lowering / atmospheric pressure returning step (S50))

퍼지 공정(S40)이 종료된 후, 밸브(255) 또는 APC 밸브(246a)를 조정하고, 반응관(203) 내의 압력을 대기압으로 복귀시키면서, 웨이퍼(200)를 소정의 온도(예를 들어 실온 정도)로 강온시킨다. 구체적으로는, 오토 밸브(601a, 601b)를 개방시킨 상태로 하고, 반응관(203) 내에 불활성 가스인 N2 가스를 공급하면서, 밸브(255) 또는 APC 밸브(246a)를 서서히 폐쇄하고, 반응관(203) 내의 압력을 대기압으로 승압시킨다. 그리고, 제1 가열부(207) 및 제2 가열부(280)에의 공급 전력을 제어하여, 웨이퍼(200)의 온도를 강온시킨다.After the purge step (S40) is completed, the valve (255) or the APC valve (246a) is adjusted and the pressure in the reaction tube (203) is returned to the atmospheric pressure, Lt; / RTI &gt; Concretely, the valve 255 or the APC valve 246a is gradually closed while supplying the N 2 gas, which is an inert gas, to the reaction tube 203 while the auto valves 601a and 601b are opened, Thereby boosting the pressure in the pipe 203 to atmospheric pressure. Then, the power supplied to the first heating unit 207 and the second heating unit 280 is controlled to lower the temperature of the wafer 200.

웨이퍼(200)를 강온시키면서, 블로어(257)를 작동시킨 상태에서 셔터(252, 254, 256)를 개방하고, 냉각 가스 공급관(249)으로부터, 냉각 가스를 매스 플로우 컨트롤러(251)에 의해 유량 제어하면서 반응관(203)과 단열 부재(210)와의 사이의 공간(260) 내에 공급하면서, 냉각 가스 배기관(253)으로부터 배기해도 된다. 냉각 가스로서는, N2 가스 외에, 예를 들어 He 가스, Ne 가스, Ar 가스 등의 희가스나, 공기 등을 단독으로 또는 혼합하여 사용할 수 있다. 이에 의해, 공간(260) 내를 급냉시키고, 공간(260) 내에 설치되는 반응관(203) 및 제1 가열부(207)를 단시간에 냉각할 수 있다. 또한, 반응관(203) 내에서의 웨이퍼(200)를 보다 단시간에 강온시킬 수 있다.The shutters 252, 254 and 256 are opened while the blower 257 is operated while the wafer 200 is being cooled and the cooling gas is supplied from the cooling gas supply pipe 249 to the flow control unit 251 through the mass flow controller 251 The cooling gas may be exhausted from the cooling gas exhaust pipe 253 while being supplied into the space 260 between the reaction tube 203 and the heat insulating member 210. [ As the cooling gas, a rare gas such as He gas, Ne gas, Ar gas, air, or the like may be used singly or in combination as well as N 2 gas. Thereby, the inside of the space 260 is quenched, and the reaction tube 203 and the first heating portion 207 provided in the space 260 can be cooled in a short time. Further, it is possible to lower the temperature of the wafer 200 in the reaction tube 203 in a shorter time.

또한, 셔터(254, 256)를 폐쇄한 상태에서, 냉각 가스 공급관(249)으로부터 N2 가스를 공간(260) 내에 공급하고, 공간(260) 내를 냉각 가스로 충만시켜 냉각한 후, 블로어(257)를 작동시킨 상태에서 셔터(254, 256)를 개방하고, 공간(260) 내의 냉각 가스를 냉각 가스 배기관(253)으로부터 배기해도 된다.N 2 gas is supplied into the space 260 from the cooling gas supply pipe 249 while the shutters 254 and 256 are closed and the space 260 is filled with the cooling gas and cooled. The shutters 254 and 256 may be opened and the cooling gas in the space 260 may be exhausted from the cooling gas exhaust pipe 253. [

또한, 개질 처리 공정(S30)에서 웨이퍼(200)의 온도가 100℃ 등과 같은 처리실(201) 밖에 설치된 기기에 영향이 없는 온도인 경우에는, 강온하지 않아도 된다.If the temperature of the wafer 200 is not influenced by equipment installed outside the processing chamber 201 such as 100 占 폚 in the reforming process step (S30), it is not necessary to decrease the temperature.

(기판 반출 공정(S60))(Substrate carrying-out step (S60))

그 후, 보트 엘리베이터에 의해 시일 캡(219)을 하강시켜 반응관(203)의 하단부를 개구함과 함께, 처리 완료 웨이퍼(200)가 보트(217)에 보유 지지된 상태에서 반응관(203)의 하단부로부터 반응관(203)[처리실(201)]의 외부로 반출(보트 언로드)된다. 그 후, 처리 완료 웨이퍼(200)는 보트(217)로부터 취출되고(웨이퍼 디스차지), 본 실시 형태에 따른 기판 처리 공정을 종료한다.Thereafter the seal cap 219 is lowered by the boat elevator to open the lower end of the reaction tube 203 and the reaction tube 203 is held in the state that the processed wafer 200 is held on the boat 217. [ (Boat unloading) from the lower end of the reaction tube 203 (processing chamber 201) to the outside. Thereafter, the processed wafer 200 is taken out of the boat 217 (wafer discharge), and the substrate processing process according to the present embodiment is finished.

여기서는, 단순하게, 실리콘 함유막에 과산화수소 가스를 저온에서 공급하는 처리를 기재하였지만, 개질 처리 공정(S30)에 이어서, 웨이퍼(200)를 어닐 처리해도 된다.Here, the process of simply supplying the hydrogen-containing gas at a low temperature to the silicon-containing film is described. However, the wafer 200 may be subjected to the annealing process subsequent to the reforming process (S30).

반도체 장치의 제조 공정에서는, 이와 같은 상술한 공정이 반복된다.In the manufacturing process of the semiconductor device, the above-described process is repeated.

상술한 리저브 탱크(301) 내에는, 상술한 기판 처리 공정이 적어도 1회 이상, 바람직하게는 복수회 실행 가능한 양이 저류되고, 1회 또는 복수회의 기판 처리마다, 처리액 공급 유닛(400)으로부터 리저브 탱크(301)로 과산화수소수가 공급된다. 이 기판 처리 공정 각각의 간격(1회째의 기판 처리 공정으로부터 n＋1회째의 기판 처리 공정의 사이)이 길어지는 경우가 있다. 예를 들어, 기판 처리 장치의 메인터넌스에 의해, 기판 처리 공정의 간격이 길어진다. 즉, 리저브 탱크(301)에 저류된 과산화수소수는, 저류되고 나서 기판 처리에 사용될 때까지의 시간이 길어진다. 발명자들은, 과산화수소수의 저류 시간이 길어짐으로써, 리저브 탱크(301) 내에 저류되는 과산화수소수의 분해가 진행되고, 과산화수소 농도가 변화되고, 기판 처리 공정마다의 재현성이 나빠지는 과제를 발견하였다. 과산화수소수는 시간 경과에 의해, 물(H2O)과 산소(O)로 분해된다. 또한, 처리액 공급 유닛(400)과 리저브 탱크(301)의 사이에 설치된, 탱크 공급관(405) 내에 존재하는 과산화수소 농도도 변화되고, 농도가 다른 과산화수소수가 리저브 탱크(301)에 공급되고, 리저브 탱크(301) 내의 과산화수소 농도가 변화되는 과제를 발견하였다. 발명자들은, 후술하는 리저브 탱크(301)에의 처리액 보충 공정을 행하기 전에, 처리액 배출 공정과, 관내 배출 공정을 행함으로써, 이들 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하였다. 이하에 이들 공정에 대해 도 5∼7을 이용하여 설명한다.In the reserve tank 301 described above, the above-described substrate processing step is carried out at least once, preferably a plurality of executable amounts, and is stored in the reservoir tank 301 from the processing solution supply unit 400 Hydrogen peroxide solution is supplied to the reservoir tank 301. The interval (between the first substrate processing step and the (n + 1) th substrate processing step) in each of the substrate processing steps may become longer. For example, due to the maintenance of the substrate processing apparatus, the interval between the substrate processing steps becomes longer. In other words, the hydrogen peroxide solution stored in the reserve tank 301 becomes longer after being stored and used for substrate processing. The inventors discovered that the longer the storage time of the hydrogen peroxide water, the more the decomposition of the hydrogen peroxide solution stored in the reserve tank 301 progresses, the hydrogen peroxide concentration changes, and the reproducibility in each substrate processing step deteriorates. Hydrogen peroxide water is decomposed into water (H 2 O) and oxygen (O) over time. The concentration of hydrogen peroxide existing in the tank supply pipe 405 provided between the treatment liquid supply unit 400 and the reserve tank 301 is also changed and the number of hydrogen peroxide at different concentrations is supplied to the reservoir tank 301, The concentration of hydrogen peroxide in the fuel cell 301 is changed. The inventors have found that these problems can be solved by performing the process liquid discharging process and the in-pipe discharging process before performing the process liquid replenishing process to the reserve tank 301, which will be described later. These steps will be described below with reference to Figs.

(처리액 보충 공정)(Process liquid replenish step)

오토 밸브(302a)와, 오토 밸브(302g)를 폐쇄하고, 압송 가스의 공급을 정지하고, 과산화수소수의 공급을 정지하고, 오토 밸브(302h)를 개방한다. 도 5에 도시한 바와 같이 라인 절환 유닛(500)에 설치된 배출측 밸브(501c)를 폐쇄하고, 공급측 밸브(501b)와 탱크측 밸브(501a)를 순차 개방하고, 펌프(403)를 구동함으로써, 처리액 공급원(401)으로부터 리저브 탱크(301)로 과산화수소수가 공급된다. 리저브 탱크(301) 내의 분위기는, 가스 배출관(310c)으로부터 배출된다. 처리액 보충 공정은, 적어도 상술한 압송 가스가 공급되어 있지 않을 때에 행해진다. 기판 처리 공정에서의 제어부의 부하를 고려하면, 상술한 기판 반입 공정(S10) 전, 또는 기판 반출 공정(S60) 후에 행해지는 것이 바람직하다. 또한, 처리액 보충 공정 전에는, 이하의 처리액 배출 공정과, 관내 배출 공정 중 어느 하나 또는 양쪽의 공정이 행해진다.The automatic valve 302a and the automatic valve 302g are closed and the supply of the pressurized gas is stopped to stop the supply of the hydrogen peroxide solution and the automatic valve 302h is opened. The discharge side valve 501c provided in the line switching unit 500 is closed and the supply side valve 501b and the tank side valve 501a are sequentially opened and the pump 403 is driven as shown in Fig. Hydrogen peroxide solution is supplied from the treatment liquid supply source 401 to the reservoir tank 301. The atmosphere in the reserve tank 301 is discharged from the gas discharge pipe 310c. The process liquid replenishment process is performed at least when the above-mentioned pressurized gas is not supplied. In consideration of the load of the control unit in the substrate processing step, it is preferable to be performed before the above-described substrate carrying-in step (S10) or after the substrate carrying-out step (S60). Before the process liquid replenishment process, either one or both of the following process liquid discharging process and the in-pipe discharging process are performed.

(처리액 배출 공정)(Process liquid discharge process)

도 6에 도시한 바와 같이, 액체 유량 제어 유닛(300)과, 처리액 공급 유닛(400)과의 사이에 설치된 라인 절환 유닛(500)에 설치된 공급원측(501b)을 폐쇄하고, 탱크측 밸브(501a)와 배출측 밸브(501c)를 개방하고, 리저브 탱크(301)에 저류되어 있는 과산화수소수를, 배출관(406)으로 흘리고, 배출함으로써 행해진다. 또한, 탱크측 밸브(501a)는 리저브 탱크(301)의 하부에 접속되어 있고, 리저브 탱크(301) 내의 과산화수소수를 모두 배출 가능하게 되어 있다. 이와 같이 리저브 탱크(301) 내의 과산화수소수를 배출함으로써, 농도가 낮아진 과산화수소수와 공급되는 과산화수소의 혼합을 방지할 수 있다. 또한, 이것으로 한정되지 않고, 리저브 탱크(301) 내에 압송 가스를 공급하고, 배출관(310e)을 통해 배출하도록 구성해도 된다. 배출관(310e)을 통해 배출하는 경우에는, 리저브 탱크(301) 내의 과산화수소수를 모두 배출하는 것은 곤란해지지만, 과산화수소의 농도 저하가 허용 범위 내라면 행해도 된다.The supply source side 501b provided in the line switching unit 500 provided between the liquid flow rate control unit 300 and the process liquid supply unit 400 is closed and the tank side valve 501a and the discharge side valve 501c are opened and the hydrogen peroxide solution stored in the reserve tank 301 flows into the discharge pipe 406 and discharged. The tank side valve 501a is connected to the lower portion of the reserve tank 301 and is capable of discharging all of the hydrogen peroxide solution in the reserve tank 301. [ By discharging the hydrogen peroxide solution in the reservoir tank 301 as described above, mixing of the hydrogen peroxide solution with the lowered concentration and hydrogen peroxide to be supplied can be prevented. Further, the present invention is not limited to this, and it may be configured such that the pressure feeding gas is supplied into the reserve tank 301 and discharged through the discharge pipe 310e. In the case of discharging through the discharge pipe 310e, it is difficult to discharge all of the hydrogen peroxide solution in the reserve tank 301, but it may be done if the concentration of hydrogen peroxide is within the allowable range.

(관내 배출 공정)(Internal discharge process)

도 7에 도시한 바와 같이, 라인 절환 유닛(500)에 설치된 탱크측 밸브(501a)를 폐쇄하고, 공급원측 밸브(501b)와 배출측 밸브(501c)를 개방하고, 펌프(403)를 구동하고, 처리액 공급원(401)으로부터 라인 절환 유닛(500)을 통해, 배출관(406)에 과산화수소수를 배출함으로써, 탱크 공급관(405) 내에 저류되어 있었던 농도가 다른 과산화수소수를 압출하고, 탱크 공급관(405) 내의 과산화수소 농도를 소정의 농도로 복귀시킬 수 있다. 또한, 오토 밸브(407)를 조정하고, 복귀관(408)으로부터 처리액 공급원(401)으로 복귀시키도록 행해도 된다. 또한, 적절히, 처리액 공급원(401)으로부터 공급원측 밸브(501b), 배출측 밸브(501c)로 공급하고, 복귀관(408)을 통해 처리액 공급원(401)으로 복귀되도록 순환시켜도 된다. 순환시킴으로써, 과산화수소수가 체류하는 것을 방지할 수 있다.The tank side valve 501a provided in the line switching unit 500 is closed and the supply side valve 501b and the discharge side valve 501c are opened and the pump 403 is driven The hydrogen peroxide solution is discharged from the treatment liquid supply source 401 to the discharge pipe 406 through the line switching unit 500 to extrude the hydrogen peroxide solution having a different concentration stored in the tank supply pipe 405, ) Can be returned to a predetermined concentration. Alternatively, the automatic valve 407 may be adjusted and returned from the return pipe 408 to the treatment liquid supply source 401. It may also be appropriately circulated so as to be supplied from the treatment liquid supply source 401 to the supply source side valve 501b and the discharge side valve 501c and returned to the treatment liquid supply source 401 through the return pipe 408. [ By circulating, the hydrogen peroxide solution can be prevented from staying.

상술한 처리액 보충 공정과, 처리액 배출 공정과, 관내 배출 공정에 있어서, 탱크측 밸브(501a)와 공급원측 밸브(501b)와 배출측 밸브(501c)의 제어에서는, 3개의 밸브가 동시에 개방된 상태나, 3개의 공정이 중복되어 실행되지 않도록 인터로크가 설치되고, 컨트롤러에 의해 제어된다.In the control of the tank side valve 501a, the supply side valve 501b and the discharge side valve 501c in the process liquid replenishing step, the treatment liquid discharging step and the in-pipe discharging step, three valves are simultaneously opened And interlocks are provided so that the three processes are not executed in duplicate and are controlled by the controller.

이상, 실시 형태를 구체적으로 설명하였지만, 실시 형태는 상술한 실시 형태로 한정되는 것은 아니고, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변경 가능이다.The embodiments have been described above in detail. However, the embodiments are not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the gist of the invention.

또한, 상술에서는, 과산화수소수(H2O2)를 사용하여 과산화수소 가스를 발생시키는 형태를 기재하였지만, 이것으로 한정되지 않고, 웨이퍼(200) 상에 공급되는 기체에는, H2O2 분자 단체의 상태나, 몇 가지의 분자가 결합된 클러스터 상태가 포함되어도 된다. 또한, 액체로부터 기체가 발생할 때에는, H2O2 분자 단체까지 분열시키도록 해도 되고, 몇 가지의 분자가 결합된 클러스터 상태로까지 분열시키도록 해도 된다. 또한, 상기한 클러스터가 몇 가지 모여 생긴 안개(미스트) 상태이어도 된다.Further, in the above, by using hydrogen peroxide (H 2 O 2) been described the type for generating the hydrogen peroxide gas, the gas is not limited to this, and supplied to the wafer 200, the group of H 2 O 2 molecules State, or a cluster state in which some molecules are combined. Further, when gas is generated from the liquid, the molecules may be divided up to H 2 O 2 molecules, or may be divided into a cluster state in which some molecules are combined. Further, the above-described clusters may be in a mist (mist) state in which several clusters are gathered.

또한, 상술에서는, 웨이퍼(200)를 처리하는 반도체 장치의 제조 공정이며, 미세한 홈에 절연체를 매립하는 공정에 대해 기재하였지만, 실시 형태에 따른 발명은, 이 공정 이외에도 적용 가능하다. 예를 들어, 반도체 장치 기판의 층간 절연막을 형성하는 공정이나, 반도체 장치의 밀봉 공정 등이 있다.In the above description, a process for manufacturing a semiconductor device for processing a wafer 200 is described, and a process for embedding an insulator in a fine groove is described. However, the invention according to the embodiment can be applied to this process. For example, there are a step of forming an interlayer insulating film of a semiconductor device substrate and a step of sealing a semiconductor device.

또한, 상술에서는, 반도체 장치의 제조 공정에 대해 기재하였지만, 실시 형태에 따른 발명은, 반도체 장치의 제조 공정 이외에도 적용 가능하다. 예를 들어, 액정 디바이스의 제조 공정에서의 액정을 갖는 기판의 밀봉 처리나, 각종 디바이스에 사용되는 글래스 기판이나 세라믹 기판에의 발수 코팅 처리에도 적용 가능하다. 또한, 거울에의 발수 코팅 처리 등이 있다.In the above description, the manufacturing process of the semiconductor device is described, but the invention according to the embodiment can be applied to the manufacturing process of the semiconductor device. For example, the present invention is applicable to a sealing process of a substrate having a liquid crystal in a manufacturing process of a liquid crystal device, and a water-repellent coating process on a glass substrate or a ceramic substrate used in various devices. Also, there is a water-repellent coating treatment on a mirror.

또한, 상술한 실시 형태에서는, 과산화수소(H2O2)수를 가열 증발시켜 생성하는 예를 나타내었지만, 본 발명은 이들로 한정되지 않고, 물(H2O)이나 과산화수소(H2O2)수에 초음파를 가하여 미스트화하는 방법이나, 아토마이저를 사용하여 미스트를 분무하는 방법이어도 된다. 또한, 처리액에 직접 순식간에 레이저나 마이크로파를 조사하여 증발시키는 방법이어도 된다.In the above embodiment, the hydrogen peroxide, although the example in which generation to heat the evaporation (H 2 O 2), the invention is not limited to, water (H 2 O) and hydrogen peroxide (H 2 O 2) A method in which ultrasonic waves are applied to the water to make a mist, or a method in which mist is sprayed using an atomizer. Alternatively, the treatment liquid may be directly irradiated with a laser or microwave to cause evaporation.

또한, 상술한 실시 형태에서는, 처리실(201)의 내부에서 처리 가스를 발생시키는 예를 나타내었지만, 본 발명은 이것으로 한정되지 않고, 처리실(201)의 외부에 도 8에 도시한 바와 같은 기화기[과산화수소 증기 발생 장치(801)]를 설치해도 된다. 과수증기 발생 장치(801)는 처리액을 가열된 부재에 적하함으로써 처리액을 기화하는 적하법을 사용하고 있다. 과수증기 발생 장치(801)는 과수액을 공급하는 액체 공급부로서의 적하 노즐(800)과, 가열되는 부재로서의 기화 용기(802)와, 기화 용기(802)를 포함하는 기화 공간(801)과, 기화 용기(802)를 가열하는 가열부로서의 기화기 히터(803)와, 기화된 원료액을 반응실에 배기하는 배기구(833)와, 기화 용기(802)의 온도를 측정하는 열전대(805)와, 열전대(805)에 의해 측정된 온도에 기초하여, 기화기 히터(803)의 온도를 제어하는 온도 제어 컨트롤러(850)와, 적하 노즐(800)에 원료액을 공급하는 약액 공급 배관(807)을 포함하고 있다. 기화 용기(802)의 온도는, 적하된 처리액이 기화 용기에 도달함과 동시에 기화되는 온도로 설정되고, 기화기 히터(803)에 의해 가열되어 있다. 또한, 기화기 히터(803)에 의한 기화 용기(802)의 가열 효율을 향상시키는 것이나, 과수증기 발생 장치(807)와 다른 유닛과의 단열 가능한 단열재(806)가 설치되어 있다. 기화 용기(802)는 원료액과의 반응을 방지하기 위해, 석영이나 탄화실리콘 등을 포함하고 있다. 기화 용기(802)는 적하된 원료액의 온도나, 기화열에 의해 온도가 저하된다. 따라서, 온도 저하를 방지하기 위해, 열전도율이 높은 탄화실리콘을 사용하는 것이 유효하다.In the above-described embodiment, the example of generating the processing gas in the processing chamber 201 is shown. However, the present invention is not limited to this, and the vaporizer [ Hydrogen peroxide vapor generator 801) may be provided. And the steam generator 801 use a dripping method for vaporizing the processing solution by dropping the processing solution on a heated member. And the steam generator 801 are provided with a dropping nozzle 800 as a liquid supply unit for supplying a mist solution, a vaporization vessel 802 as a member to be heated, a vaporization chamber 801 including a vaporization vessel 802, A vaporizer heater 803 as a heating section for heating the vessel 802, an exhaust port 833 for exhausting the vaporized raw material liquid to the reaction chamber, a thermocouple 805 for measuring the temperature of the vaporization vessel 802, A temperature control controller 850 for controlling the temperature of the vaporizer heater 803 based on the temperature measured by the vaporizer 805 and a chemical liquid supply pipe 807 for supplying the raw material liquid to the dropping nozzle 800 have. The temperature of the vaporization vessel 802 is set to a temperature at which vaporization of the dripped processing liquid reaches the vaporization vessel and is heated by the vaporizer heater 803. It is also possible to improve the heating efficiency of the vaporization vessel 802 by the vaporizer heater 803 or to provide a heat insulating material 806 that can insulate the overhead vapor generating device 807 from other units. The vaporization vessel 802 contains quartz, silicon carbide or the like in order to prevent the reaction with the raw material liquid. The temperature of the vaporization vessel 802 is lowered by the temperature of the raw material liquid and the vaporization heat. Therefore, in order to prevent the temperature from lowering, it is effective to use silicon carbide having a high thermal conductivity.

<바람직한 형태><Preferred Form>

이하에, 바람직한 형태에 대해 부기한다.Hereinafter, preferred embodiments will be described.

<부기 1><Annex 1>

일 형태에 의하면,According to one aspect,

기판에 처리액을 증발시킨 처리 가스를 공급하여 처리하는 처리실을 갖는 기판 처리 장치이며, 상기 처리액을 일시적으로 저류하고, 상기 처리실에 공급하는 리저브 탱크와, 상기 리저브 탱크에 접속된 라인 절환 유닛과, 상기 라인 절환 유닛에 접속되고, 상기 리저브 탱크에 처리액을 공급하는 탱크 공급관과, 상기 라인 절환 유닛에 접속되고, 상기 리저브 탱크 내의 처리액을 배출하는 배출부와, 상기 라인 절환 유닛을 제어하는 제어부를 갖는 기판 처리 장치가 제공된다.1. A substrate processing apparatus having a processing chamber for supplying and processing a processing gas obtained by evaporating a processing liquid to a substrate, the processing apparatus comprising: a reserve tank for temporarily storing the processing liquid and supplying the processing liquid to the processing chamber; and a line switching unit A tank supply pipe connected to the line switching unit for supplying the treatment liquid to the reservoir tank, a discharge unit connected to the line switching unit, for discharging the process liquid in the reserve tank, A substrate processing apparatus having a control section is provided.

<부기 2><Note 2>

부기 1의 기판 처리 장치이며, 바람직하게는, 상기 제어부는, 상기 처리액 공급관으로부터 상기 리저브 탱크로 처리액을 공급하는 처리액 보충 공정의 전과 후 중 어느 하나 또는 양쪽에서, 상기 리저브 탱크로부터 상기 배출부로 처리액을 배출하는 처리액 배출 공정과, 상기 탱크 공급관으로부터 상기 배출부로 처리액을 공급하는 관내 배출 공정 중 어느 하나 또는 양쪽을 행하도록 상기 라인 절환 유닛을 제어한다.The substrate processing apparatus according to note 1, wherein the control unit controls the supply of the processing liquid from the reservoir tank to the reservoir tank at any one of or both of before and after the processing liquid replenishment step of supplying the processing liquid from the processing liquid supply pipe to the reserve tank, The processing liquid discharge step of discharging the treatment liquid from the tank, and the in-pipe discharge step of supplying the treatment liquid from the tank supply pipe to the discharge part.

<부기 3><Annex 3>

부기 1 또는 부기 2의 기판 처리 장치이며, 바람직하게는, 상기 처리액은, 과산화수소를 함유하는 액체이다.The substrate processing apparatus according to note 1 or 2, wherein the treatment liquid is a liquid containing hydrogen peroxide.

<부기 4><Annex 4>

부기 1 내지 3 중 어느 하나에 기재된 기판 처리 장치이며, 바람직하게는, 상기 제어부는, 상기 처리액 보충 공정을, 상기 기판을 처리하는 기판 처리 공정을 소정 횟수 실행마다 실행하도록 각 부를 제어한다.The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the control unit controls the respective units so as to execute the substrate processing process for processing the substrate every predetermined number of times.

<부기 5><Annex 5>

부기 1 내지 부기 4 중 어느 하나에 기재된 기판 처리 장치이며, 바람직하게는, 상기 제어부는, 상기 처리액 배출 공정과 상기 관내 배출 공정을, 상기 기판 처리 장치의 메인터넌스 후에 실행하도록 각 부를 제어한다.The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein the control unit controls each unit so as to execute the process liquid discharging process and the pipe discharging process after maintenance of the substrate processing apparatus.

<부기 6><Annex 6>

부기 1 내지 5 중 어느 하나에 기재된 기판 처리 장치이며, 바람직하게는, 상기 제어부는, 상기 처리액 배출 공정의 전 또는 후에, 상기 관내 배출 공정을 실행하도록 각 부를 제어한다.The substrate processing apparatus according to any one of 1 to 5, wherein the control unit controls each unit to execute the in-pipe discharge process before or after the process liquid discharge process.

<부기 7><Annex 7>

다른 형태에 의하면, 기판을 수용하는 처리실과, 처리액을 기화하여 상기 처리실 내에 처리 가스를 공급하는 기화기와, 상기 처리액을 저류하는 리저브 탱크와, 상기 리저브 탱크로부터 상기 기화기로의 상기 처리액 유량을 제어하는 유량 제어부와, 상기 리저브 탱크에 접속된 라인 절환 유닛과, 상기 라인 절환 유닛에 접속되고, 상기 리저브 탱크에 처리액을 공급하는 탱크 공급관과, 상기 라인 절환 유닛에 접속되고, 상기 리저브 탱크 내의 처리액을 배출하는 배출부와, 상기 처리액 공급관으로부터 상기 리저브 탱크로 처리액을 공급하는 처리액 보충 공정의 전과 후 중 어느 하나 또는 양쪽에서, 상기 리저브 탱크로부터 상기 배출부로 처리액을 배출하는 처리액 배출 공정과, 상기 탱크 공급관으로부터 상기 배출부로 처리액을 공급하는 관내 배출 공정 중 어느 하나 또는 양쪽을 행하도록 상기 라인 절환 유닛을 제어하는 제어부를 갖는 기판 처리 장치가 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method for controlling a flow rate of a process fluid from a reservoir tank to a vaporizer, the method comprising: a process chamber for containing a substrate; a vaporizer for vaporizing the process liquid to supply a process gas into the process chamber; A line switching unit connected to the reserve tank, a tank supply pipe connected to the line switching unit, for supplying a treatment liquid to the reserve tank, and a liquid supply unit connected to the line switching unit, And a process liquid replenishing step of discharging the process liquid from the reservoir tank to the discharge unit either before or after the process liquid replenishment process of supplying the process liquid from the process liquid supply pipe to the reservoir tank A process liquid discharging step, and an in-pipe discharging step of supplying the treating liquid from the tank supplying pipe to the discharging part A substrate processing apparatus having a control unit for controlling the line switching unit is provided to effect either or both of information.

<부기 8><Annex 8>

부기 7에 기재된 기판 처리 장치이며, 바람직하게는, 상기 제어부는, 상기 기화기에서는, 가열된 기화부에 상기 처리액이 적하되어 기화가 행해지도록, 상기 유량 제어부를 제어한다.The substrate processing apparatus according to note 7 is characterized in that the control section controls the flow rate control section so that vaporization is performed by dropping the processing liquid in the heated vaporization section in the vaporizer.

<부기 9><Annex 9>

또 다른 형태에 의하면, 기판에 증발시킨 처리액을 공급하는 기판 처리 공정과, 상기 처리액을 탱크 공급관으로부터 리저브 탱크로 공급하는 처리액 보충 공정과, 상기 처리액 보충 공정의 전과 후 중 어느 하나 또는 양쪽에서, 상기 리저브 탱크 내의 처리액을 배출부로부터 배출하는 공정과, 상기 탱크 공급관으로부터 상기 배출부로 처리액을 배출하는 공정 중 어느 하나 또는 양쪽을 행하는 공정을 갖는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus comprising: a substrate processing step of supplying a processing solution evaporated to a substrate; a processing solution replenishing step of supplying the processing solution from a tank supply pipe to a reservoir tank; There is provided a method of manufacturing a semiconductor device having a process of discharging a treatment liquid in the reserve tank from a discharge portion and a process of discharging a treatment liquid from the tank supply pipe to the discharge portion on both sides or both.

<부기 10><Annex 10>

부기 9에 기재된 반도체 장치의 제조 방법이며, 바람직하게, 상기 처리액 보충 공정을, 상기 기판 처리 공정을 소정 횟수 실행 후에 행한다.The method of manufacturing a semiconductor device according to Supplementary note 9, wherein the process liquid replenishment step is preferably performed after the substrate processing step is performed a predetermined number of times.

<부기 11><Annex 11>

부기 9 또는 부기 10에 기재된 반도체 장치의 제조 방법이며, 바람직하게는, 상기 처리액 배출 공정과 상기 관내 배출 공정을, 메인터넌스 공정 후에 행한다.The method for manufacturing a semiconductor device according to Supplementary Note 9 or 10, wherein the process liquid discharging process and the discharging process are performed after the maintenance process.

<부기 12><Annex 12>

부기 9 내지 부기 11 중 어느 하나에 기재된 반도체 장치의 제조 방법이며, 바람직하게는, 상기 처리액 배출 공정의 전 또는 후에, 상기 관내 배출 공정을 행한다.The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of claims 9 to 11, wherein the discharging process is performed before or after the process liquid discharging process.

<부기 13><Annex 13>

또 다른 형태에 의하면, 기판을 처리실에 수용하는 공정과, 처리액을 기화하여 상기 처리실 내에 처리 가스를 공급하는 공정과, 상기 처리액을 리저브 탱크에 저류하는 공정과, 상기 리저브 탱크로부터 상기 기화기로의 상기 처리액의 유량을 제어하는 공정과, 상기 처리액을 탱크 공급관으로부터 상기 리저브 탱크로 공급하는 처리액 보충 공정과, 상기 처리액 보충 공정의 전과 후 중 어느 하나 또는 양쪽에서, 상기 리저브 탱크 내의 처리액을 배출부로부터 배출하는 공정과, 상기 탱크 공급관으로부터 상기 배출부로 처리액을 배출하는 공정 중 어느 하나 또는 양쪽을 행하는 공정을 갖는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of accommodating a substrate in a processing chamber, vaporizing the processing solution to supply the processing gas into the processing chamber, storing the processing solution in a reservoir tank, The method comprising the steps of: controlling a flow rate of the treatment liquid in the reserve tank; controlling the flow rate of the treatment liquid in the reservoir tank; supplying the treatment liquid from the tank supply pipe to the reservoir tank; There is provided a method of manufacturing a semiconductor device having a process of discharging a treatment liquid from a discharge portion and a process of discharging the treatment liquid from the tank supply pipe to the discharge portion or both.

<부기 14><Annex 14>

부기 13에 기재된 반도체 장치의 제조 방법이며, 바람직하게는, 상기 기화기에서는, 가열된 기화부에 상기 처리액이 적하되어 기화가 행해지도록 상기 처리액의 유량이 제어되는 공정을 갖는다.The method for manufacturing a semiconductor device according to note 13 is characterized in that the vaporizer has a step of controlling the flow rate of the treatment liquid so that the treatment liquid is dropped into the heated vaporizing section and vaporization is performed.

<부기 15><Annex 15>

또 다른 형태에 의하면, 기판에 증발시킨 처리액을 공급하는 기판 처리 수순과, 상기 처리액을 탱크 공급관으로부터 리저브 탱크로 공급하는 처리액 보충 수순과, 상기 처리액 보충 수순의 전과 후 중 어느 하나 또는 양쪽에서, 상기 리저브 탱크 내의 처리액을 배출부로부터 배출하는 수순과, 상기 탱크 공급관으로부터 상기 배출부로 처리액을 배출하는 수순 중 어느 하나 또는 양쪽을 행하는 수순을 컴퓨터에 실행시키는 프로그램이 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus comprising: a substrate processing step of supplying a processing solution evaporated to a substrate; a processing solution replenishing step of supplying the processing solution from a tank supply pipe to a reservoir tank; There is provided a program for causing a computer to execute a procedure for discharging a treatment liquid in the reserve tank from a discharge portion and a procedure for discharging a treatment liquid from the tank supply pipe to the discharge portion or both.

<부기 16><Annex 16>

또 다른 형태에 의하면, 기판에 증발시킨 처리액을 공급하는 기판 처리 수순과, 상기 처리액을 탱크 공급관으로부터 리저브 탱크로 공급하는 처리액 보충 수순과, 상기 처리액 보충 수순의 전과 후 중 어느 하나 또는 양쪽에서, 상기 리저브 탱크 내의 처리액을 배출부로부터 배출하는 수순과, 상기 탱크 공급관으로부터 상기 배출부로 처리액을 배출하는 수순 중 어느 하나 또는 양쪽을 행하는 수순을 컴퓨터에 실행시키는 프로그램이 기록된 기록 매체가 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus comprising: a substrate processing step of supplying a processing solution evaporated to a substrate; a processing solution replenishing step of supplying the processing solution from a tank supply pipe to a reservoir tank; There is provided a program for causing a computer to execute a procedure for discharging a treatment liquid in the reserve tank from a discharge portion and a procedure for discharging a treatment liquid from the tank supply pipe to the discharge portion, Is provided.

200 : 웨이퍼(기판)
201 : 기판 처리 장치
203 : 반응관
207 : 제1 가열부
217 : 보트
231 : 가스 배기관
501 : 처리액 공급 노즐
502 : 공급 구멍
300 : 액체 유량 제어 유닛
301 : 리저브 탱크
400 : 처리액 공급 유닛
500 : 라인 절환 유닛
121 : 컨트롤러200: wafer (substrate)
201: substrate processing apparatus
203: reaction tube
207: first heating section
217: Boat
231: Gas exhaust pipe
501: Process liquid supply nozzle
502: Feed hole
300: liquid flow control unit
301: Reserve tank
400: process liquid supply unit
500: Line switching unit
121: Controller

Claims (17)

기판을 수용하는 처리실과,
처리액을 기화하여 상기 처리실 내에 처리 가스를 공급하는 기화기와,
상기 처리액을 저류하는 리저브 탱크와,
상기 리저브 탱크로부터 상기 기화기로의 상기 처리액 유량을 제어하는 유량 제어부와,
상기 리저브 탱크에 접속된 라인 절환 유닛과,
상기 라인 절환 유닛에 접속되고, 상기 리저브 탱크에 처리액을 공급하는 탱크 공급관과,
상기 라인 절환 유닛에 접속되고, 상기 리저브 탱크 내의 처리액을 배출하는 배출부와,
상기 처리액 공급관으로부터 상기 리저브 탱크로 처리액을 공급하는 처리액 보충 공정의 전과 후 중 어느 하나 또는 양쪽에서, 상기 리저브 탱크로부터 상기 배출부로 처리액을 배출하는 처리액 배출 공정과, 상기 탱크 공급관으로부터 상기 배출부로 처리액을 공급하는 관내 배출 공정 중 어느 하나 또는 양쪽을 행하도록 상기 라인 절환 유닛을 제어하는 제어부
를 갖는 기판 처리 장치.A processing chamber for accommodating the substrate,
A vaporizer for vaporizing the treatment liquid to supply the treatment gas into the treatment chamber,
A reservoir tank for storing the treatment liquid,
A flow rate controller for controlling the flow rate of the treatment liquid from the reserve tank to the vaporizer,
A line switching unit connected to the reserve tank,
A tank supply pipe connected to the line switching unit and supplying the process liquid to the reserve tank,
A discharge unit connected to the line switching unit and discharging the processing liquid in the reserve tank,
A treatment liquid discharging step of discharging the treating liquid from the reservoir tank to the discharging unit either before or after the treating liquid replenishing step for supplying the treating liquid from the treating liquid supply pipe to the reservoir tank; And a control unit for controlling the line switching unit to perform either or both of the in-pipe discharging process for supplying the treating liquid to the discharging unit
. 제1항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 기화기에서는, 가열된 기화부에 상기 처리액이 적하되어 기화가 행해지도록, 상기 유량 제어부를 제어하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the control section controls the flow rate control section so that vaporization is performed by dropping the processing liquid in a heated vaporizing section in the vaporizer. 제1항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 처리액 공급관으로부터 상기 리저브 탱크로 처리액을 공급하는 처리액 보충 공정의 전과 후 중 어느 하나 또는 양쪽에서, 상기 리저브 탱크로부터 상기 배출부로 처리액을 배출하는 처리액 배출 공정과, 상기 탱크 공급관으로부터 상기 배출부로 처리액을 공급하는 관내 배출 공정 중 어느 하나 또는 양쪽을 행하도록 상기 라인 절환 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The control unit may include a treatment liquid discharging step of discharging the treating liquid from the reservoir tank to the discharging unit either before or after the treating liquid replenishing step for supplying the treating liquid from the treating liquid supply pipe to the reserve tank, And an in-pipe discharging process for supplying the treating liquid from the tank supplying pipe to the discharging unit. 제1항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 처리액 배출 공정의 전 또는 후에 상기 관내 배출 공정을 실행하도록 각 부를 제어하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the control unit controls each unit to execute the in-pipe discharge process before or after the process liquid discharge process. 제1항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 처리액 보충 공정을, 상기 기판을 처리하는 기판 처리 공정을 소정 횟수 실행마다 실행하도록 각 부를 제어하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the control unit controls the respective units so as to execute the substrate processing process for processing the substrate every predetermined number of times. 제1항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 처리액 배출 공정과 상기 관내 배출 공정을, 상기 기판 처리 장치의 메인터넌스 후에 실행하도록 각 부를 제어하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the control unit controls each unit to execute the process liquid discharging process and the pipe discharging process after the maintenance of the substrate processing apparatus. 기판을 처리실에 수용하는 공정과,
처리액을 기화하여 상기 처리실 내에 처리 가스를 공급하는 공정과,
상기 처리액을 리저브 탱크에 저류하는 공정과,
상기 리저브 탱크로부터 상기 기화기로의 상기 처리액의 유량을 제어하는 공정과,
상기 처리액을 탱크 공급관으로부터 상기 리저브 탱크로 공급하는 처리액 보충 공정과,
상기 처리액 보충 공정의 전과 후 중 어느 하나 또는 양쪽에서,
상기 리저브 탱크 내의 처리액을 배출부로부터 배출하는 공정과,
상기 탱크 공급관으로부터 상기 배출부로 처리액을 배출하는 공정
중 어느 하나 또는 양쪽을 행하는 공정
을 갖는 반도체 장치의 제조 방법.A step of accommodating the substrate in the processing chamber,
Vaporizing the treatment liquid to supply the treatment gas into the treatment chamber,
Storing the treatment liquid in a reserve tank,
A step of controlling a flow rate of the treatment liquid from the reserve tank to the vaporizer,
A treatment liquid replenishing step of supplying the treatment liquid from the tank supply pipe to the reserve tank,
In either or both of before and after the process liquid replenishment step,
Discharging the treatment liquid in the reserve tank from the discharge portion;
A step of discharging the treatment liquid from the tank supply pipe to the discharge portion
A step of performing either one or both of
Wherein the semiconductor device is a semiconductor device. 제7항에 있어서,
상기 기화기에서는, 가열된 기화부에 상기 처리액이 적하되어 기화가 행해지도록 상기 처리액의 유량이 제어되는 공정을 갖는 반도체 장치의 제조 방법.8. The method of claim 7,
And the flow rate of the treatment liquid is controlled so that vaporization is carried out by dropping the treatment liquid onto the heated vaporizing section in the vaporizer. 제7항에 있어서,
상기 처리액 배출 공정의 전 또는 후에, 상기 탱크 공급관 내의 배출 공정을 행하는 반도체 장치의 제조 방법.8. The method of claim 7,
Wherein the discharging process is performed in the tank supply pipe before or after the process liquid discharging process. 제7항에 있어서,
상기 처리액 보충 공정을, 상기 기판 처리 공정을 소정 횟수 실행 후에 행하는 반도체 장치의 제조 방법.8. The method of claim 7,
Wherein the processing solution replenishing step is performed after the substrate processing step is performed a predetermined number of times. 제7항에 있어서,
상기 처리액 배출 공정과 상기 탱크 공급관 내의 배출 공정을, 메인터넌스 공정 후에 행하는 반도체 장치의 제조 방법.8. The method of claim 7,
Wherein the process liquid discharging step and the discharging step in the tank supply pipe are performed after the maintenance process. 기판을 처리실에 수용시키는 수순과,
처리액을 기화하여 상기 처리실 내에 처리 가스를 공급시키는 수순과,
상기 처리액을 리저브 탱크에 저류시키는 수순과,
상기 리저브 탱크로부터 상기 기화기로의 상기 처리액의 유량을 제어시키는 수순과,
상기 처리액을 탱크 공급관으로부터 상기 리저브 탱크로 공급하는 처리액 보충 수순과,
상기 처리액 보충 수순의 전과 후 중 어느 하나 또는 양쪽에서,
상기 리저브 탱크 내의 처리액을 배출부로부터 배출하는 수순과,
상기 탱크 공급관으로부터 상기 배출부로 처리액을 배출하는 수순
중 어느 하나 또는 양쪽을 행하는 수순
을 컴퓨터에 실행시키는 프로그램이 기록된 기록 매체.A process of accommodating the substrate in the process chamber,
A process for vaporizing the treatment liquid and supplying the treatment gas into the treatment chamber,
A step of storing the treatment liquid in a reserve tank,
A process of controlling the flow rate of the treatment liquid from the reserve tank to the vaporizer,
A treatment liquid replenishment procedure for supplying the treatment liquid from the tank supply pipe to the reservoir tank,
In either or both of the before and after the process liquid replenishment procedure,
A process for discharging the process liquid in the reserve tank from the discharge section,
A process for discharging the treatment liquid from the tank supply pipe to the discharge unit
&Lt; RTI ID = 0.0 &gt;
To a computer. 제12항에 있어서,
상기 기화기에서는, 가열된 기화부에 상기 처리액이 적하되어 기화가 행해지도록 상기 처리액의 유량이 제어되는 수순을 갖는 기록 매체.13. The method of claim 12,
Wherein in the vaporizer, the flow rate of the treatment liquid is controlled such that the treatment liquid is dropped into the heated vaporizing section so that vaporization is performed. 제12항에 있어서,
상기 처리액을 배출하는 수순의 전 또는 후에, 상기 탱크 공급관 내의 배출 수순을 갖는 기록 매체.13. The method of claim 12,
And a discharging procedure in the tank supply pipe before or after a process of discharging the treatment liquid. 제12항에 있어서,
상기 처리액의 보충 수순을, 상기 기판 처리 수순을 소정 횟수 실행 후에 행하는 기록 매체.13. The method of claim 12,
Wherein the replenishment procedure of the processing solution is performed after the substrate processing procedure is executed a predetermined number of times. 제12항에 있어서,
상기 처리액 배출 수순과 상기 관내 배출 공정을, 메인터넌스 수순의 후에 행하는 기록 매체.13. The method of claim 12,
The treatment liquid discharge procedure and the in-pipe discharge step are performed after the maintenance procedure. 제12항에 있어서,
상기 처리액의 보충 수순의 전에, 상기 처리액의 배출 수순과 상기 관 탱크 공급관 내의 배출 수순을 행하게 하는 기록 매체.13. The method of claim 12,
Wherein the discharging procedure of the treating liquid and the discharging procedure in the pipe-tank supplying pipe are performed before the replenishing step of the treating liquid.
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