KR20150112224A - Gas sensor package - Google Patents

Gas sensor package Download PDF

Info

Publication number
KR20150112224A
KR20150112224A KR1020140035884A KR20140035884A KR20150112224A KR 20150112224 A KR20150112224 A KR 20150112224A KR 1020140035884 A KR1020140035884 A KR 1020140035884A KR 20140035884 A KR20140035884 A KR 20140035884A KR 20150112224 A KR20150112224 A KR 20150112224A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
gas
gas sensing
sensor package
gas sensor
Prior art date
Application number
KR1020140035884A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102199311B1 (en
Inventor
백지흠
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020140035884A priority Critical patent/KR102199311B1/en
Publication of KR20150112224A publication Critical patent/KR20150112224A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102199311B1 publication Critical patent/KR102199311B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
    • G01N27/122—Circuits particularly adapted therefor, e.g. linearising circuits
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
    • G01N27/128—Microapparatus
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/14—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of an electrically-heated body in dependence upon change of temperature
    • G01N27/16—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of an electrically-heated body in dependence upon change of temperature caused by burning or catalytic oxidation of surrounding material to be tested, e.g. of gas
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/403—Cells and electrode assemblies
    • G01N27/406—Cells and probes with solid electrolytes
    • G01N27/4067—Means for heating or controlling the temperature of the solid electrolyte
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/416—Systems
    • G01N27/417—Systems using cells, i.e. more than one cell and probes with solid electrolytes
    • G01N27/4175—Calibrating or checking the analyser

Abstract

The present invention relates to a gas sensor package. The gas sensor package comprises: a substrate; a gas sensing device on the substrate; and an output changing unit formed on the substrate to change an output method of the gas sensing device, of which a narrow surface is disposed to face the substrate. The narrow surface of the output changing unit changing the output method of the gas sensing device is installed to stand upright while coming in contact with the substrate to minimize the gas sensor package without using a separately minimized output changing unit.

Description

가스 센서 패키지{GAS SENSOR PACKAGE}Gas sensor package {GAS SENSOR PACKAGE}

본 발명의 실시예는 가스 센서 패키지에 관한 것이다.An embodiment of the present invention relates to a gas sensor package.

가스 센서는 얼마나 빨리 반응을 할 수 있는지를 보여주는 신속성, 얼마나 미세한 양이 검출이 되어도 반응할 수 있는지를 보여주는 민감성, 얼마나 오랫동안 동작을 할 수 있는지를 보여주는 내구성, 그리고 소비자가 얼마나 부담 없이 센서를 사용할 수 있는지를 보여주는 경제성 등의 특성을 필요로 한다.The gas sensors are sensitive to the speed of how quickly they can react, the sensitivity of how small amounts can be detected when they react, the durability of how long they can operate, And economic efficiency to show whether or not it is possible.

또 기존의 반도체 공정 기술과 결합하기 위해서는 집적화, 나열화 하기 쉬운 특성을 갖고 있어야 한다. 실용적인 가스 센서로는 산화주석(SnO2)을 재료로 해서 만들어진 가정용 가스 누출 경보기 등이 폭넓게 보급되어 있다.In addition, to combine with existing semiconductor processing technology, it should have characteristics that are easy to integrate and sequence. As a practical gas sensor, household gas leak alarms made of tin oxide (SnO 2) are widely used.

가스 센서는 가스양의 변화에 따라서 저항 값이 변화하는 것을 이용한 반도체형과 일정 주파수를 갖고 진동하고 있는 진동자에 가스가 흡착되면 진동수가 바뀌는 것을 이용한 진동자형이 있다. 대부분의 가스 센서는 회로가 간단하고 상온에서 안정적인 열 적인 특성을 보이는 반도체 형의 가스 센서 소자를 이용하고 있다.In the gas sensor, there is a semiconductor type which uses the change of the resistance value according to the change of the gas level, and a vibrator type which uses the change of the frequency when the gas is adsorbed to the vibrator vibrating at a certain frequency. Most gas sensors use semiconductor type gas sensor elements which are simple in circuit and exhibit stable thermal characteristics at room temperature.

일반적으로 기판 상에 가스 센서는 가스 센싱 물질이나 센싱 칩을 실장하는 구조의 패키지 구조를 가지고 있으며, 저항 방식의 출력을 전압 방식의 출력으로 전환하기 위한 출력 변경부를 포함하는 경우도 있다.In general, a gas sensor on a substrate has a package structure of a structure for mounting a gas sensing material or a sensing chip, and may include an output changing unit for converting the output of the resistance system into a voltage system output.

그러나, 종래에는 가스 센서와 출력 변경부의 크기로 인하여 패키지 구조의 소형화가 어려웠으며, 보다 소형화된 소자의 개발시에는 제조 비용이 상승하는 문제점이 있었다.However, it has been difficult to miniaturize the package structure due to the size of the gas sensor and the output changing portion in the related art, and there is a problem that the manufacturing cost increases when the device is developed in a smaller size.

본 발명은 가스 센싱 소자의 출력 방식을 변경하는 출력 변경부의 폭이 좁은 면을 기판에 접하여 세워지는 형태로 실장하여, 별도의 소형화된 출력 변경부를 사용하지 않고도 가스 센서 패키지를 소형화하고자 한다.The present invention aims to miniaturize the gas sensor package without mounting a separate miniaturized output changing unit by mounting the narrower surface of the output changing unit for changing the output method of the gas sensing device in such a manner as to be raised in contact with the substrate.

전술한 문제를 해결하기 위한 본 실시예에 따른 가스 센서 패키지는 기판; 상기 기판 상의 가스 센싱 소자; 및 상기 기판 상에 형성되어 상기 가스 센싱 소자의 출력 방식을 변경하며, 면적이 좁은 면이 기판을 향하여 배치되는 출력 변경부;를 포함한다.A gas sensor package according to this embodiment for solving the above-mentioned problems includes a substrate; A gas sensing element on the substrate; And an output changing unit formed on the substrate to change an output mode of the gas sensing device and a surface having a narrow area is disposed toward the substrate.

또한 본 발명의 다른 일실시예에 따르면, 상기 출력 변경부는 상기 기판을 향하는 면에 대한 높이가, 상기 기판을 향하는 면의 가로와 세로 길이 중에서 짧은 길이인 가로의 길이 보다 길게 형성될 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the output changing portion may be formed to have a height with respect to a surface facing the substrate longer than a width of a width that is a shorter one of a width and a length of a surface facing the substrate.

또한 본 발명의 다른 일실시예에 따르면, 상기 높이는 0.4 내지 0.6 mm 이고, 상기 가로 길이는 0.25 내지 0.35 mm 이고, 상기 세로 길이는 0.7 내지 1.5 mm일 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the height may be 0.4 to 0.6 mm, the transverse length may be 0.25 to 0.35 mm, and the longitudinal length may be 0.7 to 1.5 mm.

또한 본 발명의 다른 일실시예에 따르면, 상기 가스 센서 패키지는 상기 가스 센싱 소자와 상기 출력 변경부가 실장된 영역의 가로는 1.5 내지 1.7 mm이고, 세로는 0.9 내지 1.1 mm일 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the gas sensor package may have a width of 1.5 to 1.7 mm and a length of 0.9 to 1.1 mm in the region where the gas sensing element and the output changing portion are mounted.

본 발명의 다른 일실시예에 따르면, 상기 출력 변경부는 NTC 서미스터(negative temperature coefficient thermistor) 또는 저항 소자일 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the output changing unit may be a negative temperature coefficient thermistor or a resistive element.

본 발명의 다른 일실시예에 따르면, 상기 가스 센싱 소자는 몸체부; 상기 몸체부 상에 배치되는 가스 센싱부; 및 상기 가스 센싱부와 연결되는 전극;을 포함할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the gas sensing element includes a body portion; A gas sensing part disposed on the body part; And an electrode connected to the gas sensing unit.

본 발명의 다른 일실시예에 따르면, 상기 가스 센싱부는 상기 출력 변경부의 온도별 저항 변화 비율과 동일한 센싱 물질로 형성될 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the gas sensing unit may be formed of a sensing material having the same resistance change rate as the temperature of the output changing unit.

본 발명의 일실시예에 따르면 가스 센싱 소자의 출력 방식을 변경하는 출력 변경부의 폭이 좁은 면을 기판에 접하여 세워지는 형태로 실장하여, 별도의 소형화된 출력 변경부를 사용하지 않고도 가스 센서 패키지를 소형화할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a narrow-width surface of the output changing portion for changing the output method of the gas sensing element is mounted in a standing manner in contact with the substrate, so that the gas sensor package can be miniaturized without using a separate, can do.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 가스 센서 패키지의 측면도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 가스 센서 패키지의 상면도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 가스 센싱 소자의 하면도이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 가스 센싱 소자의 상면도이다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 가스 센싱 소자의 단면도이다.1 is a side view of a gas sensor package according to an embodiment of the invention.
2 is a top view of a gas sensor package according to an embodiment of the present invention.
3 is a bottom view of a gas sensing device according to an embodiment of the present invention.
4 is a top view of a gas sensing device according to an embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view of a gas sensing device in accordance with an embodiment of the present invention.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 바람직한 본 발명의 일실시예에 대해서 상세히 설명한다. 다만, 실시형태를 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그에 대한 상세한 설명은 생략한다. 또한, 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail to avoid unnecessarily obscuring the subject matter of the present invention. In addition, the size of each component in the drawings may be exaggerated for the sake of explanation and does not mean a size actually applied.

도 1 내지 도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 가스 센서 패키지를 설명하기 위한 도면으로서, 도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 가스 센서 패키지의 측면도이고, 도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 가스 센서 패키지의 상면도이다.FIG. 1 is a side view of a gas sensor package according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a side view of a gas sensor package according to an embodiment of the present invention. Fig. 7 is a top view of an example gas sensor package.

도 1 내지 도 2를 참조하여 본 발명의 일실시예에 따른 가스 센서 패키지의 구성을 설명하기로 한다.The construction of the gas sensor package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to Figs.

가스 센싱 소자(120)는 기판(110) 상에 형성되어 가스(gas)를 감지한다.The gas sensing element 120 is formed on the substrate 110 to sense gas.

상기 가스 센싱 소자(120)는 가스 센싱(sensing)이 가능한 센싱 물질을 포함하며, 통상 상용화된 모든 가스 센싱 방식의 구조물을 통칭하여 적용할 수 있는 것으로서, 산화물반도체를 이용한 센싱소자, 탄소나노튜브를 이용한 센싱 소자, 기타 다양한 센싱 반도체 칩 등이 적용할 수 있다.The gas sensing device 120 includes a sensing material capable of sensing gas sensing and is generally applicable to all gas sensing structures that are commonly used. The sensing device includes a sensing device using an oxide semiconductor, a carbon nanotube A sensing device using a semiconductor chip, and various other sensing semiconductor chips.

또한, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 상기 가스 센싱 소자(120)는 기판 상에 플립 칩 본딩(Flip chip bonding) 방식으로 실장 될 수 있으며, 본 발명의 다른 일실시예에 따르면 상기 가스 센싱 소자(120)는 기판 상에 와이어 본딩(Wire bonding) 방식으로 실장 될 수도 있다.As shown in FIGS. 1 and 2, the gas sensing device 120 may be mounted on a substrate by a flip chip bonding method. According to another embodiment of the present invention, The device 120 may be mounted on a substrate by a wire bonding method.

이때, 도 1 및 도 2에서와 같이 가스 센싱 소자(120)를 상기 기판(110)에 플립 칩 본딩(Flip chip bonding) 방식으로 직접 결착되도록 하여 본딩 와이어를 제거하는 경우에는 가스 센서 패키지를 더욱 소형화하고 제조원가를 절감할 수 있다.When the gas sensing element 120 is directly bonded to the substrate 110 by a flip chip bonding method as shown in FIGS. 1 and 2 to remove the bonding wire, the gas sensor package may be further miniaturized And the manufacturing cost can be reduced.

또한, 본 발명의 일실시예에 따르면 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 기판(110) 상에 출력 변경부(125)가 실장된다.Also, according to an embodiment of the present invention, an output changing unit 125 is mounted on a substrate 110 as shown in FIG. 1 and FIG.

상기 출력 변경부(125)는 플립 칩 본딩(Flip chip bonding) 방식으로 실장 될 수 있으며, 이때 상기 출력 변경부(125)는 면적이 좁은 면이 기판을 향하여 배치된다.The output changing unit 125 may be mounted by a flip chip bonding method. At this time, the output changing unit 125 is disposed with a narrow surface facing the substrate.

보다 상세하게 설명하면, 도 1에서와 같이 상기 출력 변경부(125)는 기판(110)을 향하는 면에 대한 높이(R2)가 기판(110)을 향하는 면의 가로 길이(R1) 보다 길게 형성되도록 배치되며, 이때, 도 2에서와 같이 상기 가로 길이(R1)는 기판(110)을 향하는 면의 가로 길이(R1)와 세로 길이(R2) 중에서 짧은 길이이다. 한편, 상기 출력 변경부(125)의 높이(R2)는 0.4 내지 0.6 mm 이고, 상기 출력 변경부(125)의 가로 길이(R1)는 0.25 내지 0.35 mm 이고, 출력 변경부(125)의 세로 길이(R2)는 0.7 내지 1.5 mm로 구성될 수 있다.1, the output changing unit 125 is formed such that the height R2 of the output changing unit 125 with respect to the surface facing the substrate 110 is longer than the width R1 of the surface facing the substrate 110 As shown in FIG. 2, the transverse length R1 is a short one of a transverse length R1 and a transverse length R2 of the surface facing the substrate 110. The height R1 of the output changing portion 125 is 0.4 to 0.6 mm and the width R1 of the output changing portion 125 is 0.25 to 0.35 mm. (R2) may be comprised between 0.7 and 1.5 mm.

즉, 종래에는 도 1에 도시된 바와 같이 출력 변경부(126)의 보다 폭이 넓은 면이 기판(110) 상에 접하여 눕혀지는 형태로 실장 되었으므로 가스 센서 패키지의 크기가 커지는 단점이 있었으나, 본 발명의 일실시예에 따르면 출력 변경부(125)의 보다 폭이 좁은 면이 기판(110)에 접하여 세워지는 형태로 실장되므로 가스 센서 패키지를 보다 소형화 할 수 있다.That is, conventionally, as shown in FIG. 1, since the wider surface of the output changing portion 126 is mounted on the substrate 110 in a tilted manner, the size of the gas sensor package is increased. However, According to an embodiment of the present invention, the narrower side of the output changing unit 125 is mounted in a state of being raised against the substrate 110, thereby making it possible to further reduce the size of the gas sensor package.

따라서, 본 발명의 일실시예에 따르면 도 1 및 도 2에서와 같이 출력 변경부(125)의 여러 면 중에서 면적이 적은 면이 기판을 향하도록 상기 출력 변경부(125)를 세워서 배치함으로써, 상기 가스 센싱 소자(120)와 상기 출력 변경부(125)가 실장된 영역의 내경의 길이(W1, W3)을 줄여 가스 센서 패키지의 크기를 결정하는 외경의 길이(W2, W4)를 줄일 수 있으므로, 보다 소형화된 출력 변경부(125)를 별도로 개발하지 않고도 가스 센서 패키지의 크기를 줄일 수 있다. 한편, 상기 가스 센싱 소자(120)와 상기 출력 변경부(125)가 실장된 영역인 내경의 가로 길이(W1)는 1.5 내지 1.7 mm이고, 세로 길이(W3)는 0.9 내지 1.1 mm로 형성될 수 있다.Therefore, according to the embodiment of the present invention, as shown in FIGS. 1 and 2, by arranging the output changing unit 125 so as to face the substrate having a small area among the various faces of the output changing unit 125, Since the lengths W1 and W3 of the inner diameter of the region where the gas sensing element 120 and the output changing portion 125 are mounted can be reduced to reduce the lengths W2 and W4 of the outer diameter for determining the size of the gas sensor package, It is possible to reduce the size of the gas sensor package without separately developing a smaller-sized output changing portion 125. The width W1 of the inner diameter, which is the area where the gas sensing element 120 and the output changing portion 125 are mounted, is 1.5 to 1.7 mm and the length W3 is 0.9 to 1.1 mm. have.

예를 들어, 종래에는 출력 변경부(126)의 보다 폭이 넓은 면이 기판(110) 상에 접하여 눕혀지는 형태로 실장되어 내경의 가로 길이(W1)가 1.8mm로 구성되는 경우에는 외경의 가로 길이(W2)이 2.2mm로 구성되었으나, 본 발명의 일실시예와 같이 출력 변경부(125)의 보다 폭이 좁은 면이 기판(110)에 접하여 세워지는 형태로 실장하면 내경의 가로 길이(W1)을 1.6mm으로 줄인 경우에는, 가스 센서 패키지의 크기에 해당하는 외경의 길이(W2)를 2mm로 줄일 수 있다.For example, conventionally, when the wider surface of the output changing portion 126 is mounted on the substrate 110 so as to lie down on the substrate 110, and the width W1 of the inner diameter is 1.8 mm, The width W2 of the output changing portion 125 is set to be in contact with the substrate 110 as shown in FIG. ) Is reduced to 1.6 mm, the length W2 of the outer diameter corresponding to the size of the gas sensor package can be reduced to 2 mm.

한편, 상기 출력 변경부(125)는 상기 가스 센싱 소자(120)와 전기적으로 연결되어, 상기 가스 센싱 소자(120)의 출력 방식을 변경한다.Meanwhile, the output changing unit 125 is electrically connected to the gas sensing device 120 to change the output mode of the gas sensing device 120.

상기 출력 변경부(125)는 저항 방식의 출력을 전압 방식의 출력으로 전환하기 위한 수동 소자로 구성될 수 있으며, 상기 수동 소자로는 금속패턴 및 상기 가스 센싱 소자와 전기적으로 연결되는 고정 저항 또는 NTC 서미스터(negative temperature coefficient thermistor)가 사용될 수 있다.The passive element may include a metal pattern and a fixed resistor or an NTC (not shown) electrically connected to the gas sensing element, A negative temperature coefficient thermistor may be used.

상기 출력 변경부(125)는 가스 센싱 소자(120)에 저항 출력 방식을 전압 출력 방식으로 패키징하여 다양한 IT 기기(스마트 폰 외)에 적용할 수 있도록 한다. 즉, 가스 센싱 소자(120) 단 옆에 고정 저항이나 NTC 서미스터를 달아 저항 방식을 전압 방식 출력으로 전환 할 수 있도록 한다.The output changing unit 125 packages the resistance output method to the gas sensing element 120 in a voltage output manner so that it can be applied to various IT devices (smart phone and the like). That is, a fixed resistor or an NTC thermistor is placed next to the end of the gas sensing element 120 so that the resistance method can be switched to the voltage type output.

이 경우, 만일 가스 센싱 소자 단 옆에 NTC 서미스터(negative temperature coefficient thermistor)를 연결할 시에는 온도에 따른 초기 센싱 물질에 저항 변화 값을 보상하여 일정한 초기 전압 값을 가질 수 있는 장점도 구현될 수 있게 된다.In this case, when a negative temperature coefficient thermistor is connected to the gas sensing element end, the resistance value of the initial sensing material can be compensated to obtain a constant initial voltage value .

즉, PCB 외부에 저항이나 NTC 서미스터를 이용 시는 전체 모듈에 크기가 커지고 따로 회로 설계를 하여야 하는 문제가 발생하였으나, 가스센서의 출력을 전압으로 변환할 수 있는 출력 변경부를 패키지 내부에 포함시키면 소형화한 가스센서를 제공할 수 있으며, NTC 서미스터에 온도 별 저항 변화 치를 센싱 물질에 저항 곡선과 같은 비율의 NTC 서미스터의 채택 시 온도 보상을 할 수 있어, 센싱 물질에 온도 변화에 따른 초기 저항도 보상할 수 있도록 할 수 있다.
In other words, when a resistor or NTC thermistor is used outside the PCB, the entire module becomes larger in size and needs to be separately designed. However, if an output changing portion capable of converting the output of the gas sensor into a voltage is included in the package, It is possible to provide a gas sensor, and temperature compensation can be performed when the NTC thermistor of the same ratio as the resistance curve to the sensing material is used for the temperature change in the NTC thermistor, so that the initial resistance due to the temperature change can be compensated Can be done.

도 3 내지 도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 가스 센싱 소자를 도시한 도면이다.3 to 5 are views showing a gas sensing device according to an embodiment of the present invention.

보다 상세하게 설명하면, 도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 가스 센싱 소자의 상면도이고, 도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 가스 센싱 소자의 하면도이며, 도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 가스 센싱 소자의 단면도로서, 도 5는 도 3 및 도 4의 A - A' 단면을 도시하고 있다.3 is a top view of a gas sensing device according to an embodiment of the present invention, FIG. 4 is a bottom view of a gas sensing device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a cross- 5 is a cross-sectional view taken along the line A-A 'of Fig. 3 and Fig. 4. As shown in Fig.

본 발명의 일실시예에 따른 가스 센싱 소자는 몸체부(122), 가스 센싱부(121) 및 전극(123)을 포함한다.A gas sensing device according to an embodiment of the present invention includes a body portion 122, a gas sensing portion 121, and an electrode 123.

도 3에 도시된 바와 같이 몸체부(122)의 내부에는 공동부(124)가 형성되어 가스의 체류시간을 확보할 수 있다.As shown in FIG. 3, a cavity 124 is formed in the body 122, so that the residence time of the gas can be secured.

또한, 도 4와 같이 몸체부(122)에는 센싱 물질 또는 센싱 칩을 통해 가스를 검출하는 가스 센싱부(121)가 배치되며, 인접 표면에 외부 단자와 접속할 수 있는 전극(123)을 구비하며, 가스 센싱부(121)와 전극(123)은 상호 전기적으로 연결될 수 있다. 이때, 상기 가스 센싱부(121)는 출력 변경부(125)의 온도별 저항 변화 비율과 동일한 센싱 물질로 형성될 수 있다.4, a gas sensing unit 121 for sensing gas through a sensing material or a sensing chip is disposed on the body 122, and an electrode 123 connected to an external terminal is provided on an adjacent surface. The gas sensing unit 121 and the electrode 123 may be electrically connected to each other. At this time, the gas sensing unit 121 may be formed of a sensing material having the same resistance change ratio as the temperature of the output changing unit 125.

도 5에서와 같이 몸체부(122)의 내부에는 공동부(124)가 형성되어 가스의 체류시간을 확보할 수 있도록 하며, 가스 센싱부(121)는 가스 센서 패키지 내로 유입된 가스를 검출할 수 있다.As shown in FIG. 5, a hollow portion 124 is formed in the body portion 122 to ensure the residence time of the gas. The gas sensing portion 121 can detect gas introduced into the gas sensor package have.

전술한 바와 같은 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해 설명하였다. 그러나 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서는 여러 가지 변형이 가능하다. 본 발명의 기술적 사상은 본 발명의 전술한 실시예에 국한되어 정해져서는 안 되며, 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.In the foregoing detailed description of the present invention, specific examples have been described. However, various modifications are possible within the scope of the present invention. The technical spirit of the present invention should not be limited to the above-described embodiments of the present invention, but should be determined by the claims and equivalents thereof.

110: 기판
120: 가스 센싱 소자
121: 가스 센싱부
122: 몸체부
123: 전극
124: 공동부
125: 출력 변경부110: substrate
120: gas sensing element
121: Gas sensing unit
122:
123: Electrode
124: Cavity
125: Output changing section

Claims (7)

기판;
상기 기판 상의 가스 센싱 소자; 및
상기 기판 상에 형성되어 상기 가스 센싱 소자의 출력 방식을 변경하며, 면적이 좁은 면이 기판을 향하여 배치되는 출력 변경부;
를 포함하는 가스 센서 패키지.Board;
A gas sensing element on the substrate; And
An output changing unit formed on the substrate to change an output method of the gas sensing element and having a narrow surface area facing the substrate;
And a gas sensor package. 청구항 1에 있어서,
상기 출력 변경부는,
상기 기판을 향하는 면에 대한 높이가, 상기 기판을 향하는 면의 가로와 세로 길이 중에서 짧은 길이인 가로의 길이 보다 길게 형성되는 가스 센서 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the output changing unit comprises:
Wherein a height of a surface facing the substrate is longer than a length of a width of a short length of a width and a length of a surface facing the substrate. 청구항 2에 있어서,
상기 높이는 0.4 내지 0.6 mm 이고,
상기 가로 길이는 0.25 내지 0.35 mm 이고,
상기 세로 길이는 0.7 내지 1.5 mm인 가스 센서 패키지.The method of claim 2,
The height is 0.4 to 0.6 mm,
The transverse length is 0.25 to 0.35 mm,
Wherein the longitudinal length is 0.7 to 1.5 mm. 청구항 1에 있어서,
상기 가스 센서 패키지는,
상기 가스 센싱 소자와 상기 출력 변경부가 실장된 영역의 가로는 1.5 내지 1.7 mm이고, 세로는 0.9 내지 1.1 mm 인 가스 센서 패키지.The method according to claim 1,
The gas sensor package includes:
Wherein the width of the region where the gas sensing element and the output changing portion are mounted is 1.5 to 1.7 mm and the length is 0.9 to 1.1 mm. 청구항 1에 있어서,
상기 출력 변경부는,
NTC 서미스터(negative temperature coefficient thermistor) 또는 저항 소자인 가스 센서 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the output changing unit comprises:
A gas sensor package that is a NTC thermistor (negative temperature coefficient thermistor) or resistive element. 청구항 1에 있어서,
상기 가스 센싱 소자는,
몸체부;
상기 몸체부 상에 배치되는 가스 센싱부; 및
상기 가스 센싱부와 연결되는 전극;
을 포함하는 가스 센서 패키지.The method according to claim 1,
The gas sensing element comprises:
A body portion;
A gas sensing part disposed on the body part; And
An electrode connected to the gas sensing unit;
≪ / RTI > 청구항 7에 있어서,
상기 가스 센싱부는,
상기 출력 변경부의 온도별 저항 변화 비율과 동일한 센싱 물질로 형성되는 가스 센서 패키지.The method of claim 7,
The gas sensing unit includes:
Wherein the temperature sensor is formed of a sensing material having the same resistance change ratio as temperature of the output changing portion.
KR1020140035884A 2014-03-27 2014-03-27 Gas sensor package KR102199311B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140035884A KR102199311B1 (en) 2014-03-27 2014-03-27 Gas sensor package

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140035884A KR102199311B1 (en) 2014-03-27 2014-03-27 Gas sensor package

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150112224A true KR20150112224A (en) 2015-10-07
KR102199311B1 KR102199311B1 (en) 2021-01-06

Family

ID=54343516

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140035884A KR102199311B1 (en) 2014-03-27 2014-03-27 Gas sensor package

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102199311B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107727698A (en) * 2016-08-12 2018-02-23 普因特工程有限公司 Microsensor

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6140144A (en) * 1996-08-08 2000-10-31 Integrated Sensing Systems, Inc. Method for packaging microsensors
JP2004037180A (en) * 2002-07-02 2004-02-05 Denso Corp Integrated sensor device
KR20070087946A (en) * 2006-02-17 2007-08-29 주식회사 오토전자 Apparatus and sensor assembly for detecting gas
JP2011158269A (en) * 2010-01-29 2011-08-18 Figaro Engineerign Inc Method for attaching gas sensor to printed circuit board

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6140144A (en) * 1996-08-08 2000-10-31 Integrated Sensing Systems, Inc. Method for packaging microsensors
JP2004037180A (en) * 2002-07-02 2004-02-05 Denso Corp Integrated sensor device
KR20070087946A (en) * 2006-02-17 2007-08-29 주식회사 오토전자 Apparatus and sensor assembly for detecting gas
JP2011158269A (en) * 2010-01-29 2011-08-18 Figaro Engineerign Inc Method for attaching gas sensor to printed circuit board

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107727698A (en) * 2016-08-12 2018-02-23 普因特工程有限公司 Microsensor
US10539526B2 (en) 2016-08-12 2020-01-21 Point Engineering Co., Ltd. Micro sensor
CN107727698B (en) * 2016-08-12 2020-03-24 普因特工程有限公司 Micro-sensor

Also Published As

Publication number Publication date
KR102199311B1 (en) 2021-01-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9952171B2 (en) Gas sensor package
US9618490B2 (en) Gas sensor package
US8307708B2 (en) RFID based thermal bubble type accelerometer and method of manufacturing the same
KR101874839B1 (en) Apparatus for humidity sensor
US9970911B2 (en) Gas sensor package
US11768122B2 (en) Liquid detection in a sensor environment and remedial action thereof
US9754848B2 (en) Gas sensor package
US20150075258A1 (en) Gas sensor package
KR102152704B1 (en) Package for gas sensor
JP2009216543A (en) Catalytic combustion type gas sensor
KR20150031710A (en) Package for gas sensor and fabricating method of the same
KR20170122497A (en) Sensor
KR20150112224A (en) Gas sensor package
KR102212845B1 (en) Gas sensor package
KR102212850B1 (en) Gas sensor package
KR20150046598A (en) Package for gas sensor
JP6528602B2 (en) Pressure pulse wave sensor and biological information measuring device
JP2008107166A (en) Humidity sensor and manufacturing method of the same
JPWO2017038196A1 (en) Integrated circuit sensor and sensor substrate
KR100541187B1 (en) Composite sensor for providing many functions
KR20150084467A (en) Package for gas sensor
KR100504783B1 (en) Module of humidity sensor equipped with heater and humidity sensing method thereof
KR100606545B1 (en) Thin film type humidity sensor
JP2003258554A (en) Temperature compensation type piezoelectric oscillator
KR20150038916A (en) Package for gas sensor

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant