KR20150105234A - 단일 다이어프램 트랜스듀서 구조체 - Google Patents

단일 다이어프램 트랜스듀서 구조체 Download PDF

Info

Publication number
KR20150105234A
KR20150105234A KR1020150030994A KR20150030994A KR20150105234A KR 20150105234 A KR20150105234 A KR 20150105234A KR 1020150030994 A KR1020150030994 A KR 1020150030994A KR 20150030994 A KR20150030994 A KR 20150030994A KR 20150105234 A KR20150105234 A KR 20150105234A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
suspended
carrier
transducer
many embodiments
suspended structure
Prior art date
Application number
KR1020150030994A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101672628B1 (ko
Inventor
알폰스 데헤
크리스토프 글라세르
Original Assignee
인피니언 테크놀로지스 아게
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 인피니언 테크놀로지스 아게 filed Critical 인피니언 테크놀로지스 아게
Publication of KR20150105234A publication Critical patent/KR20150105234A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101672628B1 publication Critical patent/KR101672628B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L1/00—Measuring force or stress, in general
    • G01L1/14—Measuring force or stress, in general by measuring variations in capacitance or inductance of electrical elements, e.g. by measuring variations of frequency of electrical oscillators
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R19/00—Electrostatic transducers
    • H04R19/005—Electrostatic transducers using semiconductor materials
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
    • G01L9/0073—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a semiconductive diaphragm
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R29/00—Arrangements for measuring or indicating electric quantities not covered by groups G01R19/00 - G01R27/00
    • G01R29/12—Measuring electrostatic fields or voltage-potential
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R19/00—Electrostatic transducers
    • H04R19/04—Microphones
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R2201/00—Details of transducers, loudspeakers or microphones covered by H04R1/00 but not provided for in any of its subgroups
    • H04R2201/003—Mems transducers or their use

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
  • Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)

Abstract

개구를 갖는 캐리어와 해당 캐리어 상에 실장된 매달린 구조체를 포함하는 트랜스듀서 구조체가 개시되고, 해당 매달린 구조체는 캐리어의 개구 위로 적어도 부분적으로 연장한다. 트랜스듀서 구조체는 매달린 구조체와 캐리어 사이의 거리를 변화시키는 것에 의해 매달린 구조체와 캐리어 사이에 정전계를 제공하도록 매달린 구조체를 구성하는 것을 더 포함할 수 있다. 이와 달리, 매달린 구조체는 매달린 구조체와 캐리어 사이에 제공되는 정전기력에 응답하여 매달린 구조체와 캐리어 사이의 거리를 변화시키도록 구성될 수 있다.

Description

단일 다이어프램 트랜스듀서 구조체{SINGLE DIAPHRAGM TRANSDUCER STRUCTURE}
다수의 실시예는 전반적으로, 다이어프램 구조체를 포함할 수 있고 소정의 정전계(electrostatic field)를 생성 및/또는 측정할 수 있는 트랜스듀서 구조체에 관한 것이다.
많은 종래의 트랜스듀서는 멤브레인 움직임을 다이어프램 변형의 크기에 비례하는 전압으로 변환한다. 종종, 이러한 트랜스듀서 시스템의 감도는 여러 소스로부터의 전기적 노이즈의 형태의 신호 간섭의 레벨에 의해 제한된다. 종래의 콘덴서 마이크로폰에서, 예컨대, 신호 간섭의 몇몇 소스는 다음 중 하나 이상을 포함할 수 있다: 마이크로폰 하우징의 사운드 인입 개구의 크기, 캐패시터 갭을 통과하는 에어 플로우, 컨버터 회로 시스템의 임피던스.
다수의 실시예에서, 트랜스듀서 구조체가 제공된다. 트랜스듀서 구조체는 개구를 갖는 캐리어와, 상기 캐리어 상에 실장되고 상기 캐리어의 개구 위로 적어도 부분적으로 연장하는 매달린 구조체를 포함할 수 있다. 매달린 구조체는 상기 매달린 구조체와 상기 캐리어 간에 정전계를 제공하여 상기 매달린 구조체와 상기 캐리어 간의 거리를 변화시키도록 구성될 수 있거나, 혹은 상기 매달린 구조체는 상기 매달린 구조체의 부분과 상기 캐리어 간에 제공되는 정전기력에 응답하여 상기 매달린 구조체와 상기 캐리어 간의 거리를 변화시키도록 구성될 수 있다.
도면에서, 유사한 참조 문자는 일반적으로 상이한 뷰에 걸쳐 동일한 부분을 지칭한다. 도면은 반드시 실제 축적대로 도시되어 있는 것이 아니고, 대신에 본 발명의 원리를 나타내는 때 일반적으로 강조된다. 아래의 상세한 설명에서, 본 발명의 여려 실시예는 아래의 도면을 참조하여 기술될 것이다.
도 1a는 다수의 실시예에 따른 트랜스듀서 구조체의 측단면도를 도시한다.
도 1b는 도 1a에 도시된 트랜스듀서 구조체의 평면도를 도시한다.
도 2a는 다수의 실시예에 따른 트랜스듀서 구조체의 측단면도를 도시한다.
도 2b는 도 2a에 도시된 트랜스듀서 구조체의 평면도를 도시한다.
도 3a는 다수의 실시예에 따른 트랜스듀서 구조체의 측단면도를 도시한다.
도 3b는 도 3a에 도시된 트랜스듀서 구조체의 평면도를 도시한다.
도 4a~4c는 다수의 실시예에 따른 트랜스듀서 구조체를 구축하는 데에 사용될 수 있는 방법의 흐름도를 도시한다.
이하의 상세한 설명은 예시에 의해, 본 발명이 실시될 수 있는 구체적인 세부내용 및 실시예를 도시하는 첨부의 도면을 참조한다.
“예시적(exemplary)”이라는 용어는 “예, 인스턴스 혹은 도해로서 기능”하는 것을 의미하는 데에 사용된다. 본 명세서에서 “예시적”으로 기술된 임의의 실시예 혹은 디자인은 다른 실시예 혹은 디자인에 비해 선호되거나 우수한 것으로 반드시 간주되는 것은 아니다.
측면 혹은 표면 “위에/위로(over)“ 형성되는 퇴적 재료와 관련하여 사용되는 “위로/위에(over)”라는 용어는 해당 퇴적 재료가 묵시적 측면 혹은 표면과 예컨대 직접 접촉하는 상태와 같이 해당 측면 혹은 표면 “상에 직접적으로” 형성될 수 있음을 의미하는 데에 사용될 수 있다. 측면 혹은 표면 “위에/위로(over)“ 형성되는 퇴적 재료와 관련하여 사용되는 “위로/위에(over)”라는 용어는 해당 퇴적 재료가 묵시적 측면 혹은 표면과 상기 퇴적 재료 사이에 하나 이상의 추가적인 층이 배치되어 해당 묵시적 측면 혹은 표면 “상에 간접적으로” 형성될 수 있음을 의미하는 데에 사용될 수 있다.
다수의 실시예에서, 다이어프램은 플레이트 혹은 멤브레인을 포함할 수 있다. 플레이트는 압력 하에 있는 다이어프램인 것으로 이해될 수 있다. 더욱이, 멤브레인은 장력 하에 있는 다이어프램인 것으로 이해될 수 있다. 다수의 실시예가 멤브레인과 관련하여 아래에서 보다 상세히 기술되겠지만, 대안적으로는 플레이트가 제공되거나 일반적으로 다이어프램이 제공될 수 있다.
다수의 실시예에 따르면, 도 1a 및 도 1b에 도시된 바와 같이, 트랜스듀서 구조체(100)가 개시된다. 트랜스듀서 구조체(100)는 개구(104)를 갖는 캐리어(102)와, 캐리어(102) 상에 실장되고 상기 캐리어(102)의 개구(104) 위로 적어도 부분적으로 연장하는 매달린 구조체(suspended structure)(106)을 포함할 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 매달린 구조체(106)은 실장 구조체(mounting structure)(108)에 의해 캐리어(102)상에 실장될 수 있다. 다수의 실시예에서, 실장 구조체(108)은 복수의 실장 구조체로서 구현될 수 있다.
다수의 실시예에 따르면, 캐리어(102)는 실리콘 기판과 같은 반도체 기판일 수 있다. 캐리어(102)는 주어진 응용에 대해 요구될 수 있는 바에 따라, 게르마늄, 실리콘 게르마늄, 실리콘 카바이드, 갈륨 나이트라이드, 인듐, 인듐 갈륨 나이트라이드, 인듐 갈륨 아르세나이드, 인듐 갈륨 아연 옥사이드, 혹은 다른 원소 혹은 화합물 반도체(예컨대, 갈륨 아르세나이드 혹은 인듐 포스파이드 등의 Ⅲ-Ⅴ화합물 반도체, 혹은 Ⅱ-Ⅵ 화합물 반도체 혹은 3원소(ternary) 화합물 반도체 혹은 4원소(quaternary) 화합물 반도체 등)와 같은 다른 반도체 재료를 포함하거나 이러한 다른 반도체 재료로 필수적으로 구성될 수 있다. 캐리어(102)는 주어진 응용에 대해 요구될 수 있는 바에 따라, 예컨대, 다수의 유전체, 금속 및 폴리머 등의 다른 재료 혹은 재료의 조합을 포함하거나 이들로 필수적으로 구성될 수 있다. 캐리어(102)는 예컨대, 글래스 및/또는 다양한 폴리머를 포함하거나 이들로 필수적으로 구성될 수 있다. 캐리어(102)는 실리콘-온-절연체(SOI) 구조체일 수 있다. 캐리어(102)는 인쇄 회로 기판일 수 있다. 캐리어(102)는 대략 100㎛~700㎛의 두께(T1), 예컨대 대략 150㎛~650㎛의 두께, 예컨대 대략 200㎛~600㎛의 두께, 예컨대, 대략 250㎛~550㎛의 두께, 예컨대 대략 300㎛~500㎛의 두께, 예컨대, 대략 350㎛~450㎛의 두께일 수 있다. 캐리어(102)는 적어도 100㎛의 두께(T1), 예컨대, 적어도 150㎛의 두께, 예컨대 적어도 200㎛의 두께, 예컨대 적어도 250㎛의 두께, 예컨대 적어도 300㎛의 두께일 수 있다. 캐리어(102)는 대략 700㎛ 이하의 두께(T1), 예컨대, 대략 650㎛ 이하의 두께, 예컨대 대략 600㎛ 이하의 두께, 예컨대 대략 550㎛ 이하의 두께, 예컨대 대략 500㎛ 이하의 두께일 수 있다.
다수의 실시예에 따르면, 개구(104)는 여러 기술, 예컨대, 딥 반응성 이온 에칭, 등방성 기상(gas phase) 에칭, 증기 에칭, 습식 에칭, 등방성 건식 에칭, 플라즈마 에칭, 레이저 드릴링, 다수의 그라인딩 기술 등을 이용하여 상기 캐리어(102) 내에 형성될 수 있다. 개구(104)는 정방형 혹은 실질적으로 정방형일 수 있다. 개구(104)는 장방형 혹은 실질적으로 장방형일 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 개구(104)는 원형 혹은 실질적으로 원형일 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 개구(104)는 타원형 혹은 실질적으로 타원형일 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 개구(104)는 삼각형 혹은 실질적으로 삼각형일 수 있다. 개구(104)는 십자형 혹은 실질적으로 십자형일 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 개구(104)는 주어진 응용에 대해 요구될 수 있는 임의의 형상으로 형성될 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 개구(104)는 캐리어(102)의 적어도 부분에 완전히 천공된 홀(hole)로서 구현될 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 개구(104)는 캐리어(102)의 표면 상의 리세스(recess)로서 구현될 수 있다.
다수의 실시예에 따르면, 매달린 구조체(106)는 예컨대 실리콘과 같은 반도체 재료를 포함하거나 필수적으로 이러한 반도체 재료로 구성될 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 매달린 구조체(106)는 주어진 응용에 대해 요구될 수 있는 바에 따라, 게르마늄, 실리콘 게르마늄, 실리콘 카바이드, 갈륨 나이트라이드, 인듐, 인듐 갈륨 나이트라이드, 인듐 갈륨 아르세나이드, 인듐 갈륨 아연 옥사이드, 혹은 다른 원소 혹은 화합물 반도체(예컨대, 갈륨 아르세나이드 혹은 인듐 포스파이드 등의 Ⅲ-Ⅴ화합물 반도체, 혹은 Ⅱ-Ⅵ 화합물 반도체 혹은 3원소(ternary) 화합물 반도체 혹은 4원소(quaternary) 화합물 반도체 등)와 같은 다른 반도체 재료를 포함하거나 이러한 다른 반도체 재료로 필수적으로 구성될 수 있다. 매달린 구조체(106)는 주어진 응용에 대해 요구될 수 있는 바에 따라, 예컨대, 금속, 유전 재료, 압전 재료, 압전 저항 재료, 강유전성 재료 중 적어도 하나를 포함하거나 이들 재료 중 적어도 하나로 필수적으로 구성될 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 매달린 구조체(106)은 멤브레인 구조체로서 구현될 수 있다.
다수의 실시예에 따르면, 매달린 구조체(106)은 대략 100nm~1㎛의 두께(T2), 예컨대 대략 150nm~900nm의 두께, 예컨대 대략 200nm~800nm의 두께, 예컨대, 대략 250nm~700nm의 두께, 예컨대 대략 300nm~600nm의 두께, 예컨대, 대략 350nm~500nm의 두께, 예컨대 대략 400nm~450nm의 두께일 수 있다. 매달린 구조체(106)은 적어도 100nm의 두께(T2), 예컨대, 적어도 150nm의 두께, 예컨대 적어도 200nm의 두께, 예컨대 적어도 250nm의 두께, 예컨대 적어도 300nm의 두께, 예컨대 적어도 350nm의 두께, 예컨대 적어도 400nm의 두께일 수 있다. 매달린 구조체(106)는 대략 1㎛ 이하의 두께(T2), 예컨대 대략 900nm 이하의 두께, 예컨대, 대략 800nm 이하의 두께, 예컨대 대략 700nm 이하의 두께, 예컨대 대략 600nm 이하의 두께, 예컨대 대략 500㎛ 이하의 두께, 예컨대 대략 450nm 이하의 두께일 수 있다.
다수의 실시예에 따르면, 매달린 구조체(106)은 다양한 제조 기술, 예컨대 물리적 기상 증착, 전자기계적 증착, 화학 기상 증착 및 분자 빔 애피택시 등과 같은 기술을 이용하여 실장 구조체(108)의 최상부 표면(108a) 위에 형성될 수 있다.
다수의 실시예에 따르면, 실장 구조체(108)은 다양한 제조 기술, 예컨대 물리적 기상 증착, 전자기계적 증착, 화학 기상 증착 및 분자 빔 애피택시 등과 같은 기술을 이용하여, 캐리어(102)의 최상부 표면(102a)의 적어도 부분 위에 형성될 수 있다. 실장 구조체(108)의 적어도 부분은 매달린 구조체(106)의 바닥 표면(106b)과 캐리어(102)의 최상부 표면(102a) 사이에 배치될 수 있다. 다시 말해, 실장 구조체(108)은 매달린 구조체를 지지할 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 실장 구조체(108)은 캐리어(102)로부터 매달린 구조체(106)을 전기적으로 분리시키도록 구성될 수 있다.
다수의 실시예에 따르면, 실장 구조체(108)은 예컨대, 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 테트라에틸 오르소실리케이트, 보로포스포실리케이트 글래스 및 다양한 플라즈마 옥사이드 등과 같은 다양한 유전체를 포함하거나 이러한 다양한 유전체로 필수적으로 구성될 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 실장 구조체(108)은 대략 1㎛~300㎛의 두께(T3), 예컨대 대략 10㎛~250㎛의 두께, 예컨대 대략 25㎛~200㎛의 두께, 예컨대, 대략 50㎛~150㎛의 두께, 예컨대 대략 75㎛~100㎛의 두께일 수 있다. 다수의 실시예에서, 실장 구조체(108)은 적어도 1㎛의 두께, 예컨대, 적어도 10㎛의 두께, 예컨대 적어도 25㎛의 두께, 예컨대 적어도 50㎛의 두께, 예컨대 적어도 75㎛의 두께일 수 있다. 다수의 실시예에서, 실장 구조체(108)은 대략 300㎛ 이하의 두께, 예컨대 대략 250㎛ 이하의 두께, 예컨대, 대략 200㎛ 이하의 두께, 예컨대 대략 150㎛ 이하의 두께, 예컨대 대략 100㎛ 이하의 두께일 수 있다.
다수의 실시예에 따르면, 도전층(110)은 캐리어(102)의 부분 위에 형성될 수 있다. 도전층(110)은 캐리어(102)의 최상부 표면(102a)의 부분 위에 형성될 수 있다. 도전층(110)은 실장 구조체(108) 및 개구(104)에 의해 구획될 수 있는 캐리어(102)의 최상부 표면(102a)의 부분 상에 배치될 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 실장 구조체(108)의 내측 에지(108e)과 개구(104)의 에지(104a) 사이의 거리 D1은 대략 1㎛~300㎛, 예컨대, 대략 10㎛~250㎛, 예컨대 대략 25㎛~200㎛, 예컨대, 대략 50㎛~150㎛, 예컨대 대략 75㎛~100㎛일 수 있다. 다수의 실시예에서, 거리 D1은 적어도 1㎛, 예컨대, 적어도 10㎛, 예컨대 적어도 25㎛, 예컨대 적어도 50㎛, 예컨대 적어도 75㎛일 수 있다. 다수의 실시예에서, 거리 D1은 대략 300㎛ 이하, 예컨대 대략 250㎛ 이하, 예컨대, 대략 200㎛ 이하, 예컨대 대략 150㎛ 이하, 예컨대 대략 100㎛ 이하일 수 있다.
도전층(110)은 정방형 혹은 실질적으로 정방형일 수 있다. 도전층(110)은 장방형 혹은 실질적으로 장방형일 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 도전층(110)은 원형 혹은 실질적으로 원형일 수 있다. 도전층(110)은 타원형 혹은 실질적으로 타원형일 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 도전층(110)은 삼각형 혹은 실질적으로 삼각형일 수 있다. 도전층(110)은 십자형 혹은 실질적으로 십자형일 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 도전층(110)은 주어진 응용에 대해 요구될 수 있는 임의의 형상으로 형성될 수 있다.
다수의 실시예에 따르면, 도전층(110)은 대략 1㎛~300㎛의 두께, 예컨대 대략 10㎛~250㎛의 두께, 예컨대 대략 25㎛~200㎛의 두께, 예컨대, 대략 50㎛~150㎛의 두께, 예컨대 대략 75㎛~100㎛의 두께일 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 도전층(110)은 적어도 1㎛의 두께, 예컨대, 적어도 10㎛의 두께, 예컨대 적어도 25㎛의 두께, 예컨대 적어도 50㎛의 두께, 예컨대 적어도 75㎛의 두께일 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 도전층(110)은 대략 300㎛ 이하의 두께, 예컨대 대략 250㎛ 이하의 두께, 예컨대, 대략 200㎛ 이하의 두께, 예컨대 대략 150㎛ 이하의 두께, 예컨대 대략 100㎛ 이하의 두께일 수 있다.
다수의 실시예에 따르면, 도전층(110)은 예컨대, 알루미늄, 은, 구리, 니켈 및 다양한 합금(알루니늄-은 및 구리-니켈 등) 등의 다양한 금속을 포함하거나 이러한 금속으로 필수적으로 구성될 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 도전층(110)은 붕소, 인 혹은 비소로 강도핑된(heavily doped) 폴리실리콘 층과 같은, 전기적 도전성이도록 도핑될 수 있는 다양한 반도체 재료를 포함하거나 혹은 이러한 반도체 재료로 필수적으로 구성될 수 있다.
다수의 실시예에 따르면, 매달린 구조체(106)은 매달린 구조체(106)의 적어도 부분과 캐리어(102) 사이에 정전계(electrostatic field)를 제공하도록 구성될 수 있다. 매달린 구조체(106)과 도전층(110)은 정전계를 제공하도록 구성될 수 있다. 정전계는 매달린 구조체(106)의 바닥 표면(106b)과 도전층(110) 간의 거리 D2를 변화시키는 것에 의해 제공될 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 매달린 구조체(106)이 정지 상태(at rest)인 때 측정되는 거리 D2는 대략 1㎛~300㎛, 예컨대, 대략 10㎛~250㎛, 예컨대 대략 25㎛~200㎛, 예컨대, 대략 50㎛~150㎛, 예컨대 대략 75㎛~100㎛일 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 매달린 구조체(106)가 정지 상태인 때 측정되는 거리 D2는 적어도 1㎛, 예컨대, 적어도 10㎛, 예컨대 적어도 25㎛, 예컨대 적어도 50㎛, 예컨대 적어도 75㎛일 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 다수의 실시예에 따르면, 매달린 구조체(106)이 정지 상태인 때 측정되는 거리 D2는 대략 300㎛ 이하, 예컨대 대략 250㎛ 이하, 예컨대, 대략 200㎛ 이하, 예컨대 대략 150㎛ 이하, 예컨대 대략 100㎛ 이하일 수 있다.
다수의 실시예에 따르면, 매달린 구조체(106)이 정지 상태인 때 측정되는 거리 D2는 센서 구조체(100)의 제조 공정 동안 매달린 구조체(106)의 바닥 표면(106b)와 캐리어(102)의 최상부 표면(102a) 사이에 희생층(도시되지 않음)을 제공함으로써 형성될 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 희생층은 다양한 에칭 기술, 예컨대, 등방성 기상 에칭, 증기 에칭, 습식 에칭, 등방성 건식 에칭, 플라즈마 에칭 등의 에칭 기술을 이용하여 제거될 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 희생층의 두께는 거리 D2, 따라서 매달린 구조체(106)의 바닥 표면(106b)와 캐리어(102)의 최상부 표면(102a) 사이의 거리를 결정할 수 있다.
다수의 실시예에 따르면, 매달린 구조체(106)은 매달린 구조체(106)의 부분과 캐리어(102) 사이에 제공되는 정전기력에 응답하여 거리 D2를 변화시키도록 구성될 수 있다. 정전기력은 도전층(110)에 의해 제공될 수 있다.
다수의 실시예에 따르면, 도 1b에 도시된 바와 같이, 매달린 구조체(106)의 부분은 복수의 핑거형(finger-like) 구조체(112)로서 구성될 수 있다. 핑거형 구조체(112)는 매달린 구조체(106)의 에지 영역을 따라 배치될 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 핑거형 구조체(112)는 매달린 구조체(106)의 적어도 2개의 에지를 따라 배치될 수 있다. 핑거형 구조체(112)는 실장 구조체(108)의 최상부 표면(108a)의 부분 혹은 부분들에 고정되고 매달린 구조체(106)의 중앙 부분(114)과 실장 구조체(108) 사이에 배치될 수 있는데, 매달린 구조체(106)의 중앙 부분(114)은 개구(104) 위에 매달릴 수 있다.
다수의 실시예에 따르면, 핑거형 구조체(112)는 폭(W1)을 가질 수 있는데, 폭(W1)은 대략 5㎛~50㎛, 예컨대 대략 5㎛~10㎛, 예컨대 대략 10㎛~20㎛, 예컨대, 대략 20㎛~35㎛, 예컨대 대략 35㎛~50㎛일 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 핑거형 구조체(112)는 길이(L1)을 가질 수 있는데, 길이(L1)은 대략 50㎛~500㎛, 예컨대 대략 50㎛~60㎛, 예컨대, 대략 60㎛~80㎛, 예컨대 대략 80㎛~100㎛, 예컨대, 대략 100㎛~125㎛, 예컨대 대략 125㎛~150㎛, 예컨대 대략 150㎛~200㎛, 예컨대 대략 200㎛~250㎛, 예컨대, 대략 250㎛~300㎛, 예컨대 대략 300㎛~500㎛일 수 있다.
다수의 실시예에 따르면, 핑거형 구조체(112)는 매달린 구조체(106)과 동일한 재료를 포함하거나 그 동일한 재료로 필수적으로 구성될 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 핑거형 구조체와 매달린 구조체(106)은 (예컨대, 모노리식으로(monolithically)) 일체적으로(integrally) 형성될 수 있다.
다수의 실시예에 따르면, 매달린 구조체(106)의 중앙 부분(114)은 정방형 혹은 실질적으로 정방형일 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 매달린 구조체(106)의 중앙 부분(114)은 장방형 혹은 실질적으로 장방형일 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 매달린 구조체(106)의 중앙 부분(114)은 원형 혹은 실질적으로 원형일 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 매달린 구조체(106)의 중앙 부분(114)은 타원형 혹은 실질적으로 타원형일 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 매달린 구조체(106)의 중앙 부분(114)은 삼각형 혹은 실질적으로 삼각형일 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 매달린 구조체(106)의 중앙 부분(114)는 십자형 혹은 실질적으로 십자형일 수 있다. 매달린 구조체(106)의 중앙 부분(114)은 주어진 응용에 대해 요구될 수 있는 임의의 형상으로 형성될 수 있다.
다수의 실시예에 따르면, 도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이, 트랜스듀서 구조체(100)는 적어도 하나의 인장용 구조체(tensioning structure)(202)를 포함할 수 있다. 적어도 하나의 인장용 구조체 (202)는 복수의 인장용 구조체로서 구현될 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 적어도 하나의 인장용 구조체(202)는 매달린 구조체(106)의 표면 위에 형성될 수 있다. 적어도 하나의 인장용 구조체(202)는 매달린 구조체(106)의 최상부 표면(106a)의 부분 위에 형성될 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 적어도 하나의 인장용 구초체(202)는 매달린 구초체(106)의 최상부 표면(106a)의 에지 영역 위에 배치될 수 있다. 다시 말해, 적어도 하나의 인장용 구조체(202)는 캐리어(102)의 개구(104) 위로 돌출 및/또는 연장될 수 없는 매달린 구조체(106)의 부분 위에 형성될 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 적어도 하나의 인장용 구조체(202)는 매달린 구조체(106)의 부분이 변형되게 하여 매달린 구조체(106)가 개구(104)을 포함할 수 있는 캐리어(102)의 부분 위에 캐노피형(canopy-like) 구조체를 형성할 수 있도록 한다. 다수의 실시예에 따르면, 인장용 구조체(202)는 매달린 구조체(106)의 부분이 변형되어 실질적으로 시그모이드(sigmoid) 곡선 형상을 띠게 할 수 있다. 적어도 하나의 인장용 구조체(202)에 의해 덮이지 않을 수 있는 매달린 구조체(106)의 (표시자 S1에 의해 지시된) 부분은 실질적으로 평면이고 캐리어(102)의 최상부 표면(102a)과 평행일 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 매달린 구조체(106)의 부분(S1)은 도전층(110)과 매달린 구조체(106) 사이에 제공되는 정전기력으로 인하여 변형되고/되거나 진동할 수 있다.
다수의 실시예에 따르면, 매달린 구조체(106)이 정지 상태인 때에 측정되는 거리(D2)는 매달린 구조체(106)의 최상부 표면(106a)의 부분 위에 적어도 하나의 인장용 구조체(202)를 형성함으로써 구현될 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 적어도 하나의 인장용 구조체(202)는 매달린 구조체(106)의 압축 잔여 응력(compressive residual stress)보다 실질적으로 높은 압축 잔여 응력을 가질 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 적어도 하나의 인장용 구조체(202)의 인장 잔여 응력(tensile residual stress)는 예컨대 대략 1GPa, 예컨대 대략 800MPa~900MPa, 예컨대 대략 900MPa~1GPa, 예컨대 대략 1GPa~1.1GPa, 예컨대 대략 1.1PGa~1.2GPa일 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 적어도 하나의 인장용 구조체(202)의 압축 잔여 응력은 매달린 구조체(106)의 부분이 변형되게 할 수 있다. 이러한 변형은 매달린 구조체(106)이 도 2a에 도시된 구조체와 유사한 아치형 구조체를 띠게 한다.
다수의 실시예에 따르면, 트랜스듀서 구조체(100)은 도전층(110) 위에 형성된 절연층(204)을 포함할 수 있다. 절연층(204)은 도전층(110)이 매달린 구조체(106)과 물리적 및/또는 전기적으로 접촉하지 못하게 할 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 절연층(204)는 예컨대, 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 테트라에틸 오르소실리케이트, 보로포스포실리케이트 글래스 및 다양한 플라즈마 옥사이드와 같은 다양한 유전체를 포함하거나 이 다양한 유전체로 필수적으로 구성될 수 있다. 절연층(204)는 대략 1nm~300nm 의 두께, 예컨대 대략 10nm~250 nm의 두께, 예컨대 대략 25 nm~200 nm의 두께, 예컨대 대략 50 nm~150 nm의 두께, 예컨대 대략 75 nm~100 nm의 두께를 가질 수 있다. 절연층(204)는 적어도 대략 1 nm의 두께, 예컨대 적어도 대략 10 nm, 예컨대 적어도 대략 25 nm, 예컨대 적어도 대략 50 nm, 예컨대 적어도 대략 75 nm의 두께를 가질 수 있다. 절연층(204)는 대략 300 nm이하의 두께, 예컨대 대략 250 nm이하의 두께, 예컨대 대략 200 nm이하의 두께, 예컨대 대략 150 nm의 두께, 예컨대 대략 100 nm의 두께를 가질 수 있다.
다수의 실시예에 따르면, 적어도 하나의 인장용 구조체(202)는 예컨대 실리콘과 같은 반도체 재료를 포함하거나 이러한 반도체 재료로 필수적으로 구성될 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 적어도 하나의 인장용 구조체(202)는 주어진 응용에 대해 요구되는 바에 따라, 게르마늄, 실리콘 게르마늄, 실리콘 카바이드, 갈륨 나이트라이드, 인듐, 인듐 갈륨 나이트라이드, 인듐 갈륨 아르세나이드, 인듐 갈륨 아연 옥사이드, 혹은 다른 원소 및/또는 화합물 반도체(예컨대, 갈륨 아르세나이드 혹은 인듐 포스파이드와 같은 Ⅲ-Ⅴ 화합물 반도체, Ⅱ-Ⅵ 화합물 반도체 혹은 3원소 화합물 반도체 혹은 4원소 화합물 반도체)와 같은 다른 반도체 재료를 포함하거나 이러한 다른 반도체 재료로 필수적으로 구성될 수 있다. 적어도 하나의 인장용 구조체(202)는 금속, 유전 재료, 압전 재료, 압전 저항 재료 및 강자성 재료 중 적어도 하나를 포함하거나 이들 재료 중 적어도 하나로 필수적으로 구성될 수 있다.
다수의 실시예에 따르면, 적어도 하나의 인장용 구조체(202)는 대략 1㎛~300 ㎛의 두께, 예컨대 대략 10 ㎛~250 ㎛의 두께, 예컨대 대략 25 ㎛~200 ㎛의 두께, 예컨대 대략 50 ㎛~150 ㎛의 두께, 예컨대 대략 75 ㎛~100 ㎛의 두께를 가질 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 적어도 하나의 인장용 구조체(202)는 적어도 대략 1 ㎛의 두께, 예컨대 적어도 대략 10 ㎛의 두께, 예컨대 적어도 대략 25 ㎛의 두께, 예컨대 적어도 대략 50 ㎛의 두께, 예컨대 적어도 대략 75 ㎛의 두께를 가질 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 적어도 하나의 인장용 구조체(202)는 대략 300 ㎛이하의 두께, 예컨대 대략 250 ㎛이하의 두께, 예컨대 대략 200 ㎛이하의 두께, 예컨대 대략 150 ㎛이하의 두께, 예컨대 대략 100 ㎛이하의 두께를 가질 수 있다.
다수의 실시예에 따르면, 적어도 하나의 인장용 구조체(202)에 의해 변형될 수 있는 매달린 구조체(106)의 부분(106d)은 거리 P1을 가질 수 있다. 거리 P1은 대략 1 ㎛~300 ㎛, 예컨대 대략 10 ㎛~250 ㎛, 예컨대 대략 25 ㎛~200 ㎛, 예컨대 대략 50 ㎛~150 ㎛, 예컨대 대략 75 ㎛~100 ㎛일 수 있다. 다수의 실시예에서, 거리 P1은 적어도 대략 1 ㎛, 예컨대 적어도 대략 10 ㎛, 예컨대 적어도 대략 25 ㎛, 예컨대 적어도 대략 50 ㎛, 예컨대 대략 75 ㎛일 수 있다. 다수의 실시예에서, 거리 P1은 대략 300 ㎛이하, 예컨대 대략 250 ㎛이하, 예컨대 대략 200 ㎛이하, 예컨대 대략 150 ㎛이하, 예컨대 대략 100 ㎛이하일 수 있다.
다수의 실시예에 따르면, 희생층은 다양한 에칭 기술, 예컨대 등방성 기상 에칭, 증기 에칭, 습식 에칭, 등방성 건식 에칭, 플라즈마 에칭 등의 에칭 기술을 사용하여 제거될 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 희생층의 두께는 거리 D2, 따라서 매달린 구조체(106)의 바닥 표면(106b)와 캐리어(102)의 최상부 표면(102a)의 거리를 결정할 수 있다.
다수의 실시예에 따르면, 도 3a 및 3b에 도시된 바와 같이, 트랜스듀서 구조체(100)는 매달린 구조체(106)의 적어도 부분을 파형(corrugated) 구조체 및/또는 사인파 형상 구조체로서 구현하는 것을 포함할 수 있다. 매달린 구조체(106)의 파형 형상은 적어도 하나의 인장용 구조체(202)를, 매달린 구조체(106)의 바닥 표면(106b) 상에 배치된 복수의 인장용 구조체로서 구현하는 것에 의해 획득될 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 복수의 인장용 구조체를 매달린 구조체(106)의 바닥 표면(106b)을 따라 일정한 간격으로 배치하는 것은 매달린 구조체(106)의 국소적인 부분이 변형되게 하여 파형 형상이 획득될 수 있도록 한다. 다수의 실시예에 따르면, 적어도 하나의 인장용 구조체(202)를 매달린 구조체(106)의 바닥 표면(106b) 상에 배치하거나 이와 달리 적어도 하나의 인장용 구조체(202)를 매달린 구조체(106) 내에 내장하는 것에 의해, 매달린 구조체(106)이 변형되는 방식을 제어하는 것이 가능할 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 적어도 하나의 인장용 구조체(202)의 배치를 제어하는 것에 의해, 매달린 구조체(106)은 매달린 구조체(106)의 에지 영역이 도 3a에 도시된 형상에 유사한 파형 형상을 띨 수 있도록 성형(shape)될 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 적어도 하나의 인장용 구조체(202)의 배치를 제어하는 것에 의해, 매달린 구조체(106)의 중앙 부분(S1)이 분리되고/되거나 기판(102)의 최상부 표면(102a) 위로 융기될 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 적어도 하나의 인장용 구조체(202) 혹은 매달린 구조체(106) 중 어느 한쪽이 압축 응력을 받는 한편 다른 한쪽이 인장 응력을 받아야 하는 것이 아닐 수 있다. 즉, 이들 두 재료 내의 응력이 반드시 반대의 부호 및/또는 타입인 것은 아니다. 오히려, 적어도 하나의 인장용 구조체(202) 및 매달린 구조체(106)의 양쪽 모두는 인장 응력의 크기와 압축 응력의 크기가 상이하면, 인장 응력 혹은 압축 응력 중 어느 한쪽 응력을 받을 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 적어도 하나의 인장용 구조체(202)의 배치를 제어하는 것에 의해, 매달린 구조체(106)는 다양한 형상, 예컨대 실질적으로 타원 형상, 계란 형상 혹은 계란형 형상 등으로 형성될 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 적어도 하나의 인장용 구조체(202)의 배치를 제어하는 것에 의해, 매달린 구조체(106)는 주어진 응용에 대해 요구될 수 있는 임의의 형상으로 형성될 수 있다.
다수의 실시예에 따르면, 트랜스듀서 구조체(100)의 하나 이상의 실시예가 광범위(wide range) MEMS(micro-electro-mechanical system) 액츄에이터 및/또는 센서에 구현될 수 있는데, 여기서 “광범위”라는용어는 트랜스듀서의 구동 범위, 즉 멤브레인 구조체의 가능한 변위 및/또는 트랜스듀서의 동적 범위(dynamic range)를 지칭한다. 다수의 실시예에 따르면, 센서 구조체(100)는 넓은 구동 범위를 요구하는 센서/액츄에이터의 다양한 응용, 예컨대 높은 사운드 압력 레벨로부터 기인하는 보다 큰 변위에서의 높은 선형성 요구 조건을 갖는 마이크로폰 등에 구현되도록 제공될 수 있다.
다수의 실시예에 따르면, 트랜스듀서 구조체(200)은 매달린 구조체(106)의 최상부 표면(106a)의 부분 상에 배치된 마이크로미러 구조체(도시되지 않음)을 포함할 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 트랜스듀서 구조체(100)는 매달린 구조체(106)의 최상부 표면(106a)의 부분 상에 배치된 렌즈 구조체(도시되지 않음)를 포함할 수 있다. 이러한 렌즈 구조체는 마이크로카메라 구조체의 일부일 수 있다.
다수의 실시예에 따르면, 트랜스듀서 구조체(100)는 MEMS 마이크로폰으로서 구현될 수 있다. 트랜스듀서 구조체(100)가 마이크로폰으로서 구현될 수 있는 다수의 실시예에 따르면, 매달린 구조체(106)는 에어 압력 변동에 의해 변위 및/또는 변형될 수 있다. 이러한 변위는 매달린 구조체(106)의 바닥 표면(106b)과 도전층(110) 간의 거리 D2의 변화를 야기할 수 있다. 거리 D2의 변화는 매달린 구조체(106)과 도전층(110) 사이의 전기적 캐패시턴스의 변화를 야기할 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 매달린 구조체(106)과 도전층(110) 사이의 전기적 캐패시턴스는 대략 1pF~10pF, 예컨대 대략 1 pF~2pF, 예컨대 대략 2pF~3pF, 예컨대 3pF~4pF, 예컨대 대략 4 pF~5pF, 예컨대 대략 5 pF~10pF일 수 있다.
다수의 실시예에 따르면, 트랜스듀서 구조체(100)는 MEMS 스피커 구조체로서 구현될 수 있다. MEMS 스피커 구조체로서 구현될 수 있는 다수의 실시예에 따르면, 전압이 매달린 구조체(106)와 도전층(110) 사이에 형성될 수 있다. 이 전압은 매달린 구조체(106)가 기판(102)을 향하는 방향으로 변형되게 할 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 매달린 구조체(106)과 도전층(110) 사이의 전압은 매달린 구조체(106)가 주어진 응용에 대해 요구되는 바에 따른 소정의 주파수 혹은 주파수 조합에서 진동하게 하기 위해 조정될 수 있다.
다수의 실시예에 따르면, 매달린 구조체(106)과 도전층(110) 사이의 전압은 대략 10V~100V, 예컨대 대략 10V~15V, 예컨대 대략 15V~20V, 예컨대 대략 20V~25V, 예컨대 대략 25V~50V, 예컨대 대략 50V~100V일 수 있다.
다수의 실시예에 따르면, 매달린 구조체는 정적 변형 근방의 범위 내지 약 200kHz일 수 있는 공진 주파수 근방의 범위의 주파수에서 진동할 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 도 4a~도 4c에 도시된 바와 같이, 트랜스듀서 구조체를 형성하는 방법(400)이 개시된다. 방법(400)은 (402)에 도시된 바와 같이, 개구를 갖는 캐리어 상에 매달린 구조체를 실장하는 것을 포함할 수 있는데, 여기서 매달린 구조체는 캐리어의 개구 위로 적어도 부분적으로 연장한다. 방법(400)은 또한, (404)에 도시된 바와 같이, 매달린 구조체와 캐리어 사이의 거리를 변화시키는 것에 의해 매달린 구조체의 부분과 캐리어 사이에 정전계를 제공하도록 매달린 구조체를 구성하는 것을 포함하거나, (406)에 도시된 바와 같이, 매달린 구조체의 부분과 캐리어 사이에 제공되는 정전기력에 응답하여 매달린 구조체와 캐리어 간의 거리를 변화시키도록 매달린 구조체를 구성하는 것을 포함할 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, (408)에 도시된 바와 같이, 매달린 구조체의 변형은 매달린 구조체의 부분과 캐리어 사이의 정전계에서의 측정가능한 변화를 제공할 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, (410)에 도시된 바와 같이, 매달린 구조체의 부분과 캐리어 사이에 제공되는 정전기력은 매달린 구조체가 정전기력의 변화에 따른 주파수로 진동하게 할 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 방법(400)은 (412)에 도시된 바와 같이, 매달린 구조체의 표면 위에 배치되는 인장용 구조체를 형성하는 것을 더 포함할 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 방법(400)은 (414)에 도시된 바와 같이, 매달린 구조체를 캐리어로 실장하도록 구성된 스페이서 구조체를 제공하는 것을 더 포함할 수 있다. 다수의 실시예에 따르면 방법(400)은 (416)에 도시된 바와 같이, 캐리어의 표면 위에 도전층을 배치하고 그 도전층을, 정전계를 검출하거나 정전기력을 생성하도록 구성하는 것을 더 포함할 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 방법(400)은 (418)에 도시된 바와 같이, 매달린 구조체의 부분을 통하여 적어도 하나의 공동을 형성하는 것을 더 포함할 수 있는데, 여기서 상기 적어도 하나의 공동은 매달린 구조체의 중앙 부분을 통하여 연장되지 않는다. 다수의 실시예에서, (420)에 도시된 바와 같이, 인장용 구조체는 상기 적어도 하나의 공동을 포함하는 매달린 구조체의 부분이 변형되게 하여 매달린 구조체가 캐리어 위에 아치형 구조체를 형성하도록 구성될 수 있다. 다수의 실시예에서, (422)에 도시된 바와 같이, 인장용 구조체는 상기 적어도 하나의 공동을 포함하는 매달린 구조체의 부분이 실질적으로 사인파 형상으로 변형되게 하도록 구성될 수 있다. 다수의 실시예에서, (424)에 도시된 바와 같이, 매달린 구조체의 중앙 부분은 캐리어의 개구 위에서 이 개구와 실질적으로 평행하게 배치될 수 있다.
다수의 실시예에 따르면, 트랜스듀서 구조체가 개시된다. 트랜스듀서 구조체는 매달리지 않은(non-suspended) 전극을 갖는 캐리어와, 상기 캐리어 상에 실장되고 상기 매달리지 않은 전극 위로 적어도 부분적으로 연장하는 매달린 구조체를 포함할 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 상기 매달린 구조체는 매달린 전극을 구비하거나 매달린 전극으로서 구현될 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 상기 매달리지 않은 전극과 상기 매달린 전극은 상기 매달리지 않은 전극과 상기 매달린 전극 간에 정전기력을 제공하여 상기 매달린 구조체와 상기 캐리어 간의 거리를 변화시키도록 구성될 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 상기 매달리지 않은 전극과 상기 매달린 전극은 상기 매달리지 않은 전극과 상기 매달린 전극 간에 제공되는 정전기력의 변화에 응답하여 상기 매달리지 않은 전극과 상기 매달린 전극 간의 거리를 변화시키도록 구성될 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 상기 캐리어의 부분을 관통하여 형성된 개구(opening)을 더 포함할 수 있다. 다수의 실시예에서, 상기 매달린 구조체의 적어도 부분이 상기 캐리어의 상기 개구 위로 연장할 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 트랜스듀서 구조체는 상기 매달린 구조체의 표면 위에 배치되고 적어도 제 1 방향으로 상기 매달린 구조체의 변형(deflection)을 야기하도록 구성된 인장용 구조체(tensioning structure)을 더 포함할 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 트랜스듀서 구조체는 상기 매달린 구조체를 상기 캐리어로 실장하도록 구성된 스페이서 구조체를 더 포함할 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 트랜스듀서 구조체는 상기 캐리어 위에 배치되고 정전계를 검출하거나 상기 정전기력을 생성하도록 구성된 도전층을 더 포함할 수 있다. 다수의 실시예에서, 상기 매달린 구조체는 다이어프램 구조체로서 구현될 수 있다. 다수의 실시예에서, 상기 매달린 구조체는 멤브레인 구조체로서 구현될 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 상기 캐리어는 마이크로 전자기계 시스템(MEMS : micro-elector-mechanical system)로서 구현될 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 트랜스듀서 구조체는 상기 매달린 구조체의 부분을 통하여 형성된 적어도 하나의 공동(void)을 더 포함할 수 있다. 다수의 실시예에서, 상기 적어도 하나의 공동은 상기 매달린 구조체의 에지 영역에 배치될 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 상기 인장용 구조체는 상기 적어도 하나의 공동을 포함하는 상기 매달린 구조체의 부분이 변형되게 하여 상기 매달린 구조체가 상기 캐리어 위로 아치형 구조체를 형성하도록 구성될 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 상기 인장용 구조체는 상기 적어도 하나의 공동을 포함하는 상기 매달린 구조체의 부분으로 하여금 상기 매달린 구조체의 상기 부분을 실질적으로 사인파 형상으로 변형시키게 하도록 구성될 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 상기 적어도 하나의 공동은 상기 매달린 구조체의 중앙 부분을 통하여 연장되지 않을 수 있다. 다수의 실시예에서, 상기 매달린 구조체의 상기 중앙 부분은 상기 캐리어의 개구 위에서 상기 개구에 실질적으로 평행하게 배치될 수 있다.
다수의 실시예에 따르면, 트랜스듀서 구조체가 개시된다. 트랜스듀서 구조체는 개구를 갖는 캐리어와, 상기 캐리어 상에 실장되고 상기 캐리어 위로 적어도 부분적으로 연장하는 매달린 구조체를 포함할 수 있는데, 상기 매달린 구조체는 매달린 구조체와 캐리어 간의 거리를 변화시키는 것에 의해 상기 매달린 구조체의 부분과 캐리어 사이에 정전기력을 제공하도록 구성되거나, 상기 매달린 구조체는 상기 매달린 구조체의 부분과 상기 캐리어 사이에 제공되는 정전기력에 응답하여 상기 매달린 구조체와 상기 캐리어 간의 변화시키도록 구성될 수 있다.
다수의 실시예에 따르면, 트랜스듀서 구조체는 상기 매달린 구조체의 표면 위에 배치되고 적어도 제 1 방향으로 상기 매달린 구조체의 변형(deflection)을 야기하도록 구성된 인장용 구조체(tensioning structure)을 더 포함할 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 트랜스듀서 구조체는 상기 매달린 구조체를 상기 캐리어로 실장하도록 구성된 스페이서 구조체를 더 포함할 수 있다. 트랜스듀서 구조체는 상기 캐리어 위에 배치되고 정전계를 검출하거나 상기 정전기력을 생성하도록 구성된 도전층을 더 포함할 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 상기 매달린 구조체는 멤브레인 구조체로서 구현될 수 있다. 상기 캐리어는 마이크로 전자기계 시스템(MEMS : micro-elector-mechanical system)로서 구현될 수 있다. 트랜스듀서 구조체는 상기 매달린 구조체의 부분을 통하여 형성된 적어도 하나의 공동(void)을 더 포함할 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 상기 적어도 하나의 공동은 상기 매달린 구조체의 에지 영역에 배치될 수 있다. 상기 인장용 구조체는 상기 적어도 하나의 공동을 포함하는 상기 매달린 구조체의 부분이 변형되게 하여 상기 매달린 구조체가 상기 캐리어 위로 아치형 구조체를 형성하도록 구성될 수 있다. 게다가, 상기 인장용 구조체는 상기 적어도 하나의 공동을 포함하는 상기 매달린 구조체의 부분으로 하여금 상기 매달린 구조체의 상기 부분을 실질적으로 사인파 형상으로 변형시키게 하도록 구성될 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 상기 적어도 하나의 공동은 상기 매달린 구조체의 중앙 부분을 통하여 연장되지 않을 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 상기 매달린 구조체의 상기 중앙 부분은 상기 캐리어의 개구 위에서 상기 개구에 실질적으로 평행하게 배치될 수 있다.
다수의 실시예에 따르면, 트랜스듀서 구조체가 개시된다. 트랜스듀서 구조체는 캐리어와, 상기 캐리어 상에 실장된 매달린 구조체와, 상기 매달린 구조체의 표면 위에 배치되고 상기 매달린 구조체의 변형을 적어도 제 1 방향으로 야기하도록 구성된 인장용 구조체를 포함할 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 상기 매달린 구조체는 상기 매달린 구조체의 적어도 부분과 상기 캐리어 간에 정전계를 제공하여 상기 매달린 구조체와 상기 캐리어 간의 거리를 변화시키도록 구성될 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 상기 매달린 구조체는 상기 매달린 구조체의 부분과 상기 캐리어 간에 제공되는 정전기력에 응답하여 상기 매달린 구조체와 상기 캐리어 간의 거리를 변화시키도록 구성될 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 트랜스듀서 구조체는 상기 캐리어의 부분을 통하여 형성된 개구(opening)을 더 포함할 수 있다. 다수의 실시예에서, 상기 매달린 구조체의 적어도 부분이 상기 캐리어의 상기 개구 위로 연장할 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 트랜스듀서 구조체는 상기 캐리어 위에 배치되고 상기 정전계를 검출하거나 상기 정전기력을 생성하도록 구성된 도전층을 더 포함할 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 상기 매달린 구조체의 부분을 관통하여 형성된 적어도 하나의 공동(void)을 더 포함할 수 있다. 다수의 실시예에서, 상기 인장용 구조체는 상기 적어도 하나의 공동을 포함하는 상기 매달린 구조체의 부분이 변형되게 하여 상기 매달린 구조체가 상기 캐리어 위로 아치형 구조체를 형성하도록 구성될 수 있다. 다수의 실시예에서, 상기 인장용 구조체는 상기 적어도 하나의 공동을 포함하는 상기 매달린 구조체의 부분으로 하여금 상기 매달린 구조체의 상기 부분을 실질적으로 사인파 형상으로 변형시키게 하도록 구성될 수 있다.
다수의 실시예에 따르면, 트랜스듀서 구조체를 동작시키는 방법이 개시된다. 상기 방법은 개구를 갖는 캐리어 상에 매달린 구조체를 실장하는 것을 포함할 수 있는데, 여기서 매달린 구조체는 캐리어의 개구 위로 적어도 부분적으로 연장한다. 상기 매달린 구조체는 매달린 구조체와 캐리어 사이의 거리를 변화시키는 것에 의해 매달린 구조체의 부분과 캐리어 사이에 정전계를 제공하도록 구성된다. 대안으로서, 상기 매달린 구조체는 매달린 구조체의 부분과 캐리어 사이에 제공되는 정전기력에 응답하여 매달린 구조체와 캐리어 간의 거리를 변화시키도록 구성된다.
상기 방법의 다수의 실시예에 따르면, 매달린 구조체에 입사하는 압력파는 상기 매달린 구조체의 변형을 야기하여, 매달린 구조체의 부분과 캐리어 사이의 정전계에서의 측정가능한 변화를 제공할 수 있다. 매달린 구조체의 부분과 캐리어 사이에 제공되는 정전기력은 매달린 구조체가 정전기력의 변화에 따른 주파수로 진동하게 할 수 있다. 상기 방법은 매달린 구조체의 표면 위에 배치되는 인장용 구조체를 형성하는 것을 더 포함할 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 상기 방법은 매달린 구조체를 캐리어로 실장하도록 구성된 스페이서 구조체를 제공하는 것을 더 포함할 수 있다. 다수의 실시예에 따르면 상기 방법은 캐리어의 표면 위에 도전층을 배치하고 그 도전층을, 정전계를 검출하거나 정전기력을 생성하도록 구성하는 것을 더 포함할 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 상기 방법은 매달린 구조체의 부분을 통하여 적어도 하나의 공동을 형성하는 것을 더 포함할 수 있는데, 여기서 상기 적어도 하나의 공동은 매달린 구조체의 중앙 부분을 통하여 연장되지 않는다. 게다가, 상기 인장용 구조체는 상기 적어도 하나의 공동을 포함하는 매달린 구조체의 부분이 변형되게 하여 매달린 구조체가 캐리어 위에 아치형 구조체를 형성하도록 구성될 수 있다. 상기 인장용 구조체는 상기 적어도 하나의 공동을 포함하는 매달린 구조체의 부분이 실질적으로 사인파 형상으로 변형되게 하도록 구성될 수 있다. 다수의 실시예에 따르면, 매달린 구조체의 중앙 부분은 캐리어의 개구 위에서 해당 개구와 실질적으로 평행하게 배치될 수 있다.
본 발명은 특정한 실시예를 참조하여 특히 서술되고 도시되었지만, 당업자라면, 첨부된 청구범위에 정의된 바와 같은 본 개시의 사상 및 범위를 벗어나지 않은 범위 내에서 형태 및 세부 사항에 대한 다양한 변형이 이루어질 수 있음을 이해할 것이다. 따라서, 본 개시의 범위는 첨부된 청구범위에 의해 나타내어지고 청구항의 균등물의 의미 및 범위 내에 들어오는 모든 변형이 포함되는 것으로 의도된다.
100: 트랜스듀서 구조체 102: 캐리어
102a: 최상부 표면 104: 개구
104a: 에지 106: 매달린 구조체
108: 실장 구조체 110: 도전층
112: 핑거형 구조체 114: 중앙 부분
202: 인장용 구조체 204: 절연층

Claims (21)

  1. 트랜스듀서 구조체로서,
    매달리지 않은(non-suspended) 전극을 포함하는 캐리어와,
    상기 캐리어 상에 실장되고 상기 매달리지 않은 전극 위로 적어도 부분적으로 연장하는 매달린 구조체(suspended structure)를 포함하되,
    상기 매달린 구조체는 적어도 매달린 전극을 포함하고,
    상기 매달리지 않은 전극과 상기 매달린 전극은 상기 매달리지 않은 전극과 상기 매달린 전극 간에 정전기력을 제공하여 상기 매달린 구조체와 상기 캐리어 간의 거리를 변화시키도록 구성되거나, 혹은
    상기 매달리지 않은 전극과 상기 매달린 전극은, 상기 매달리지 않은 전극과 상기 매달린 전극 간에 제공되는 정전기력의 변화에 응답하여, 상기 매달리지 않은 전극과 상기 매달린 전극 간의 거리를 변화시키도록 구성되는
    트랜스듀서 구조체.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 캐리어의 부분을 통하여 형성된 개구(opening)를 더 포함하는
    트랜스듀서 구조체.
  3. 제 2 항에 있어서,
    적어도 상기 매달린 구조체의 부분은 상기 캐리어 내의 상기 개구 위로 연장하는
    트랜스듀서 구조체.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 매달린 구조체의 표면 위에 배치되고 적어도 제 1 방향으로 상기 매달린 구조체의 변형(deflection)을 야기하도록 구성된 인장용 구조체(tensioning structure)를 더 포함하는
    트랜스듀서 구조체.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 매달린 구조체를 상기 캐리어로 실장하도록 구성된 스페이서 구조체를 더 포함하는
    트랜스듀서 구조체.

  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 캐리어의 표면 위에 배치되고 정전계를 검출하거나 상기 정전기력을 생성하도록 구성된 도전층을 더 포함하는
    트랜스듀서 구조체.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 매달린 구조체는 다이어프램(diaphragm) 구조체를 포함하는
    트랜스듀서 구조체.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 캐리어는 마이크로 전자기계 시스템(MEMS:micro-electro-mechanical system)을 포함하는
    트랜스듀서 구조체.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 매달린 구조체의 부분을 통하여 형성된 적어도 하나의 공동(void)을 더 포함하는
    트랜스듀서 구조체.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 공동은 상기 매달린 구조체의 에지 영역에 배치되는
    트랜스듀서 구조체.
  11. 제 9 항에 있어서,
    인장용 구조체는 상기 적어도 하나의 공동을 포함하는 상기 매달린 구조체의 부분이 변형되게 하여 상기 매달린 구조체가 상기 캐리어 위로 아치형(arch-like) 구조체를 형성하도록 구성되는
    트랜스듀서 구조체.
  12. 제 9 항에 있어서,
    인장용 구조체는 상기 적어도 하나의 공동을 포함하는 상기 매달린 구조체의 부분으로 하여금 상기 매달린 구조체의 상기 부분을 실질적으로 사인파 형상으로 변형시키게 하도록 구성되는
    트랜스듀서 구조체.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 공동은 상기 매달린 구조체의 중앙 부분을 통하여 연장되지 않는
    트랜스듀서 구조체.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 매달린 구조체의 상기 중앙 부분은 상기 캐리어의 개구 위에서 상기 개구에 실질적으로 평행하게 배치되는
    트랜스듀서 구조체.
  15. 트랜스듀서 구조체로서,
    캐리어와,
    상기 캐리어 상에 실장된 매달린 구조체와,
    상기 매달린 구조체의 표면 위에 배치되고 상기 매달린 구조체의 변형을 적어도 제 1 방향으로 야기하도록 구성된 인장용 구조체를 포함하며,
    상기 매달린 구조체는 상기 매달린 구조체와 상기 캐리어 간의 거리를 변화시킴으로써 적어도 상기 매달린 구조체의 부분과 상기 캐리어 간에 정전계를 제공하도록 구성되거나, 혹은
    상기 매달린 구조체는 상기 매달린 구조체의 부분과 상기 캐리어 간에 제공되는 정전기력에 응답하여 상기 매달린 구조체와 상기 캐리어 간의 거리를 변화시키도록 구성되는
    트랜스듀서 구조체.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 캐리어의 부분을 통하여 형성된 개구를 더 포함하는
    트랜스듀서 구조체.
  17. 제 16 항에 있어서,
    적어도 상기 매달린 구조체의 부분은 상기 캐리어 내의 상기 개구 위로 연장하는
    트랜스듀서 구조체.

  18. 제 15 항에 있어서,
    상기 캐리어의 표면 위에 배치되고 상기 정전계를 검출하거나 상기 정전기력을 생성하도록 구성된 도전층을 더 포함하는
    트랜스듀서 구조체.
  19. 제 15 항에 있어서,
    상기 매달린 구조체의 부분을 통하여 형성된 적어도 하나의 공동을 더 포함하는
    트랜스듀서 구조체.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 인장용 구조체는 상기 적어도 하나의 공동을 포함하는 상기 매달린 구조체의 부분이 변형되게 하여 상기 매달린 구조체가 상기 캐리어 위로 아치형 구조체를 형성하도록 구성되는
    트랜스듀서 구조체.

  21. 제 19 항에 있어서,
    상기 인장용 구조체는 상기 적어도 하나의 공동을 포함하는 상기 매달린 구조체의 부분으로 하여금 상기 매달린 구조체의 상기 부분을 실질적으로 사인파 형상으로 변형시키게 하도록 구성되는
    트랜스듀서 구조체.
KR1020150030994A 2014-03-06 2015-03-05 단일 다이어프램 트랜스듀서 구조체 KR101672628B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/198,609 US9448126B2 (en) 2014-03-06 2014-03-06 Single diaphragm transducer structure
US14/198,609 2014-03-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150105234A true KR20150105234A (ko) 2015-09-16
KR101672628B1 KR101672628B1 (ko) 2016-11-03

Family

ID=53884149

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150030994A KR101672628B1 (ko) 2014-03-06 2015-03-05 단일 다이어프램 트랜스듀서 구조체

Country Status (4)

Country Link
US (2) US9448126B2 (ko)
KR (1) KR101672628B1 (ko)
CN (2) CN104902412B (ko)
DE (1) DE102015103311B4 (ko)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10322481B2 (en) * 2014-03-06 2019-06-18 Infineon Technologies Ag Support structure and method of forming a support structure
US9745188B1 (en) * 2016-02-26 2017-08-29 Infineon Technologies Ag Microelectromechanical device and method for forming a microelectromechanical device
DE102017102545B4 (de) 2017-02-09 2018-12-20 Infineon Technologies Ag Halbleitervorrichtung, Drucksensor, Mikrofon, Beschleunigungssensor und Verfahren zum Bilden einer Halbleitervorrichtung
US10017380B1 (en) * 2017-08-14 2018-07-10 Robert Bosch Gmbh Combined laser drilling and the plasma etch method for the production of a micromechanical device and a micromechanical device
FR3074793B1 (fr) * 2017-12-12 2021-07-16 Commissariat Energie Atomique Dispositif microelectromecanique et/ou nanoelectromecanique offrant une robustesse augmentee
DE112019005997T5 (de) 2018-12-01 2021-09-16 Knowles Electronics, Llc Verbundmembran mit ausgeglichener Spannung
US11098672B2 (en) 2019-08-13 2021-08-24 GM Global Technology Operations LLC Coated cylinder liner
US11028217B1 (en) 2020-03-13 2021-06-08 Biocellection Inc. Thermoplastic polyurethane compositions comprising nitro-substituted polyester diols
US11111334B1 (en) 2020-03-13 2021-09-07 Biocellection Inc. Polymerizable compositions comprising nitro substituted polyester diols
DE102020210135A1 (de) 2020-08-11 2022-02-17 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Mikroelektromechanisches System, Verfahren zur Herstellung eines mikroelektromechanischen Systems
US20230421968A1 (en) * 2022-06-28 2023-12-28 Aac Acoustic Technologies (Shenzhen) Co., Ltd. Electrostatic clutch

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020135440A1 (en) * 2000-02-16 2002-09-26 Nokia Mobile Phones Ltd. Micromechanical tunable capacitor and an integrated tunable resonator
JP2003163998A (ja) * 2001-11-27 2003-06-06 Seiko Epson Corp コンデンサマイクロホンの製造方法、コンデンサマイクロホンおよび電子機器
US20060076648A1 (en) * 2004-09-27 2006-04-13 Brian Gally System and method for protecting microelectromechanical systems array using structurally reinforced back-plate
US20090238394A1 (en) * 2008-03-18 2009-09-24 Masanori Minamio Microphone and method for fabricating the same

Family Cites Families (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3559491A (en) * 1969-03-10 1971-02-02 Weyerhaeuser Co Gas sampling probe
US4279142A (en) * 1975-09-25 1981-07-21 Westinghouse Electric Corp. Technique for in situ calibration of a gas detector
US4856352A (en) * 1988-08-23 1989-08-15 The Babcock & Wilcox Company Gas sampling system for reactive gas-solid mixtures
US5103212A (en) * 1989-07-03 1992-04-07 Worcester Polytechnic Institute Balanced fluid flow delivery system
US5417111A (en) * 1990-08-17 1995-05-23 Analog Devices, Inc. Monolithic chip containing integrated circuitry and suspended microstructure
DE4106288C2 (de) * 1991-02-28 2001-05-31 Bosch Gmbh Robert Sensor zur Messung von Drücken oder Beschleunigungen
GB2274333B (en) * 1993-01-07 1996-12-11 Hochiki Co Smoke detecting apparatus capable of detecting both smoke and fine particles
US6125710A (en) * 1997-04-15 2000-10-03 Phoenix Controls Corporation Networked air measurement system
US5844148A (en) * 1997-07-30 1998-12-01 Pittway Corporation Detector with adjustable sampling tubes
US5959188A (en) * 1997-12-08 1999-09-28 Leon Cooper Method and apparatus for testing of carbon monoxide detectors
EP1322951A2 (en) * 2000-09-20 2003-07-02 Molecular Reflections Microfabricated ultrasound array for use as resonant sensors
DE10125687B4 (de) * 2001-05-25 2005-06-16 Wagner Alarm- Und Sicherungssysteme Gmbh Vorrichtung zum Detektieren von Brandherden oder Gasverunreinigungen
US7023066B2 (en) * 2001-11-20 2006-04-04 Knowles Electronics, Llc. Silicon microphone
WO2003047307A2 (en) * 2001-11-27 2003-06-05 Corporation For National Research Initiatives A miniature condenser microphone and fabrication method therefor
DE10247487A1 (de) * 2002-10-11 2004-05-06 Infineon Technologies Ag Membran und Verfahren zu deren Herstellung
AU2003902318A0 (en) * 2003-05-14 2003-05-29 Vision Fire And Security Pty Ltd Improved Sensing Apparatus And Method
DE602004031347D1 (de) * 2003-09-24 2011-03-24 Xtralis Technologies Ltd Verfahren und vorrichtung zur bestimmung des betriebszustands von verschmutzungsüberwachungseinrichtungen
US7265477B2 (en) * 2004-01-05 2007-09-04 Chang-Feng Wan Stepping actuator and method of manufacture therefore
US7402425B2 (en) * 2004-03-02 2008-07-22 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Stress-based electrostatic monitoring of chemical reactions and binding
US7119942B2 (en) * 2004-06-30 2006-10-10 Northrop Gruman Corporation Side spring micro-mirror
US7375642B2 (en) * 2004-08-24 2008-05-20 Wagner Alarm- Und Sicherungssysteme Gmbh Method and device for identifying and localizing a fire
JP4641217B2 (ja) * 2005-06-08 2011-03-02 株式会社豊田中央研究所 マイクロホンとその製造方法
JP4211060B2 (ja) * 2005-08-29 2009-01-21 ヤマハ株式会社 コンデンサマイクロホン及びコンデンサマイクロホンの製造方法
FR2896635A1 (fr) * 2006-01-23 2007-07-27 Commissariat Energie Atomique Procede et dispositif de conversion d'energie mecanique en energie electrique
TW200746868A (en) 2006-02-24 2007-12-16 Yamaha Corp Condenser microphone
US7497138B2 (en) * 2006-03-16 2009-03-03 Ford Global Technologies, Llc System and method for improving performance of a fluid sensor for an internal combustion engine
DE102006055147B4 (de) * 2006-11-03 2011-01-27 Infineon Technologies Ag Schallwandlerstruktur und Verfahren zur Herstellung einer Schallwandlerstruktur
WO2008123954A1 (en) 2007-04-06 2008-10-16 Novusonic Corporation Miniature capacitive acoustic sensor with stress-relieved actively clamped diaphragm
JP5029147B2 (ja) * 2007-06-04 2012-09-19 オムロン株式会社 音響センサ
JP5034692B2 (ja) * 2007-06-04 2012-09-26 オムロン株式会社 音響センサ
US7661290B2 (en) * 2007-07-20 2010-02-16 Honeywell International Inc. Gas sensor test and calibration system
US8208662B2 (en) * 2008-09-16 2012-06-26 United Microelectronics Corp. Microelectromechanical system microphone structure and microelectromechanical system microphone package structure
CN102066239A (zh) 2009-01-09 2011-05-18 松下电器产业株式会社 微电子机械系统器件
US20100194575A1 (en) * 2009-01-30 2010-08-05 Carlos Pedrejon Rodriguez Dual channel aspirated detector
US8087307B2 (en) * 2009-02-10 2012-01-03 General Electric Company Removal of particulates from gas sampling stream
CN101588529A (zh) * 2009-06-30 2009-11-25 瑞声声学科技(深圳)有限公司 硅基电容麦克风及其制造方法
TWI444052B (zh) * 2009-12-17 2014-07-01 Ind Tech Res Inst 電容式傳感器及其製造方法
US8617960B2 (en) * 2009-12-31 2013-12-31 Texas Instruments Incorporated Silicon microphone transducer
CN101835078A (zh) * 2010-03-29 2010-09-15 瑞声声学科技(深圳)有限公司 硅麦克风及其制造方法
JP5402823B2 (ja) * 2010-05-13 2014-01-29 オムロン株式会社 音響センサ
US9148712B2 (en) * 2010-12-10 2015-09-29 Infineon Technologies Ag Micromechanical digital loudspeaker
EP2679024B1 (en) 2011-02-25 2020-01-08 Nokia Technologies Oy A transducer apparatus with a tension actuator
US8461655B2 (en) * 2011-03-31 2013-06-11 Infineon Technologies Ag Micromechanical sound transducer having a membrane support with tapered surface
EP2520333B1 (fr) * 2011-05-04 2014-09-03 Sorin CRM SAS Dispositif de récupération d'énergie pour capsule intracorporelle autonome
US8975107B2 (en) * 2011-06-16 2015-03-10 Infineon Techologies Ag Method of manufacturing a semiconductor device comprising a membrane over a substrate by forming a plurality of features using local oxidation regions
US20120328132A1 (en) * 2011-06-27 2012-12-27 Yunlong Wang Perforated Miniature Silicon Microphone
US8811635B2 (en) * 2011-07-06 2014-08-19 Robert Bosch Gmbh Apparatus and method for driving parasitic capacitances using diffusion regions under a MEMS structure
US9148726B2 (en) 2011-09-12 2015-09-29 Infineon Technologies Ag Micro electrical mechanical system with bending deflection of backplate structure
US9031266B2 (en) * 2011-10-11 2015-05-12 Infineon Technologies Ag Electrostatic loudspeaker with membrane performing out-of-plane displacement
US9402137B2 (en) 2011-11-14 2016-07-26 Infineon Technologies Ag Sound transducer with interdigitated first and second sets of comb fingers
US8723277B2 (en) * 2012-02-29 2014-05-13 Infineon Technologies Ag Tunable MEMS device and method of making a tunable MEMS device
US9409763B2 (en) * 2012-04-04 2016-08-09 Infineon Technologies Ag MEMS device and method of making a MEMS device
US9728653B2 (en) * 2013-07-22 2017-08-08 Infineon Technologies Ag MEMS device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020135440A1 (en) * 2000-02-16 2002-09-26 Nokia Mobile Phones Ltd. Micromechanical tunable capacitor and an integrated tunable resonator
JP2003163998A (ja) * 2001-11-27 2003-06-06 Seiko Epson Corp コンデンサマイクロホンの製造方法、コンデンサマイクロホンおよび電子機器
US20060076648A1 (en) * 2004-09-27 2006-04-13 Brian Gally System and method for protecting microelectromechanical systems array using structurally reinforced back-plate
US20090238394A1 (en) * 2008-03-18 2009-09-24 Masanori Minamio Microphone and method for fabricating the same

Also Published As

Publication number Publication date
DE102015103311A1 (de) 2015-09-10
CN108966101B (zh) 2020-10-20
US20150253208A1 (en) 2015-09-10
CN108966101A (zh) 2018-12-07
US9816881B2 (en) 2017-11-14
CN104902412B (zh) 2018-08-14
KR101672628B1 (ko) 2016-11-03
CN104902412A (zh) 2015-09-09
DE102015103311B4 (de) 2021-11-11
US9448126B2 (en) 2016-09-20
US20160341619A1 (en) 2016-11-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101672628B1 (ko) 단일 다이어프램 트랜스듀서 구조체
KR101740113B1 (ko) 주변압에서의 변화 및 압력파를 센싱하기 위한 mems 센서 구조체
KR102579503B1 (ko) Mems 구성 요소 및 mems 구성 요소의 제조 방법
US20220388105A1 (en) Support structure and method of forming a support structure
KR102269119B1 (ko) 이중 진동막을 포함하는 차동 콘덴서 마이크
KR101787187B1 (ko) 마이크로폰용 시스템 및 방법
US9264814B2 (en) Microphone
US8588435B2 (en) Microphone
US20120091546A1 (en) Microphone
US9670059B2 (en) Sensor structure for sensing pressure waves and ambient pressure
US8415717B2 (en) Acoustic sensor
JP2008259061A (ja) 静電型トランスデューサ
US20070222006A1 (en) Micromechanical component and corresponding manufacturing method
CN107396276B (zh) 微机电设备、微机电设备的阵列、制造微机电设备的方法以及操作微机电设备的方法
CN209897223U (zh) Mems麦克风
KR20180124421A (ko) 마이크로폰 및 그 제조 방법
JP2007194913A (ja) コンデンサマイクロホン及びその製造方法
KR102091854B1 (ko) 콘덴서 마이크로폰 및 그 제조방법
US20210139319A1 (en) Membrane Support for Dual Backplate Transducers
US20110141854A1 (en) Acoustic sensor and method of fabricating the same
CN112913261A (zh) 带有波纹膜片的传感器

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)