KR20150094011A - 저온 소결법을 이용한 전극 제조장치 - Google Patents

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    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors

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Abstract

저온 소결법을 이용한 전극 제조장치는 금속 나노입자 잉크를 형성하는 금속 나노잉크 형성부, 상기 금속 나노입자 잉크를 공급하는 금속 나노잉크 공급부, 베이스 기판을 공급하는 기판 공급부, 및 전극을 형성하는 전극 형성부를 포함한다. 상기 전극 형성부는 금속패턴 형성 유닛, 세척 유닛 및 저온소결 유닛을 포함한다. 상기 금속패턴 형성 유닛은 상기 베이스 기판 상에 상기 금속 나노입자 잉크로 금속 패턴을 형성한다. 상기 세척 유닛은 상기 금속 패턴을 세척한다. 상기 저온소결 유닛은 상기 금속 패턴을 저온 소결하여 전극을 형성한다.

Description

저온 소결법을 이용한 전극 제조장치{MANUFACTURING EQUIPMENT FOR AN ELECTRODE WITH LOW-TEMPERATURE SINTERING}
본 발명은 저온 소결법을 이용한 전극 제조장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 저온 소결법을 이용하여 나노입자를 포함한 잉크로 인쇄 공정을 수행하여 전극을 제조하기 위한 전극 제조장치에 관한 것이다.
표시장치용 패널, 태양전지, RFID 등에 사용되는 베젤, 메쉬형 전극, 안테나용 전극 등을 인쇄 공정으로 제작하기 위해서는, 나노 입자 크기의 예를 들어, 은(Silver)과 같은 금속 재료를 잉크화한 금속 잉크를 사용한다.
나아가, 상기 나노 입자 크기의 금속을 잉크화하는 경우, 미세한 금속입자들이 서로 엉겨붙는 것을 최소화하기 위해, 상기 나노 입자의 표면에 폴리비닐피롤리돈(polyvinylpyrrolidone, PVP)과 같은 고분자 물질을 캐핑(capping)하는 기술도 제안되고 있다.
한편, 상기와 같이 금속 나노 잉크를 사용하거나 캐핑된 금속 나노 잉크를 사용하여 전극을 형성하기 위해서는 금속 나노 입자의 소결 공정이 필요하며, 이러한 소결 공정을 위한 장치, 나아가 금속 나노 잉크를 이용한 전극 제조 장치에 대하여도 기술 개발이 진행되고 있다.
예를 들어, 대한민국 특허출원 제10-2009-0043310호는 금속 미립자를 소결시키는 도전 패턴 형성장치에 관한 것으로, 플라즈마를 발생하는 처리실에서 금속 미립자를 플라즈마로 소결하는 기술을 개시하고 있다. 또한, 대한민국 특허출원 제10-2010-0132178호는 냉각롤을 구비한 롤 프린트장치에 관한 것으로, 후처리부를 포함하여 인쇄된 필름을 소결 및 건조하는 롤 프린트장치에 관한 기술을 개시하고 있다.
그러나, 금속 나노 입자의 경우, 캐핑을 통해 분산 안전성을 향상시킬 수는 있으나 전도성이 감소하는 문제가 발생하므로, 전극으로 형성된 이후에 상기 캐핑된 고분자 물질을 제거하는 별도의 공정이 필요하다. 나아가, 현재까지 상기 캐핑된 고분자 물질을 제거하고 금속 나노 입자의 소결 공정을 수행하는 제조 장치에 관한 기술에 대한 개발은 매우 미진하며, 이의 필요성이 증가하는 상황이다.
이에, 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로 본 발명의 목적은 공정의 효율성을 향상시킬 수 있는 저온 소결법을 이용한 전극 제조장치에 관한 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 저온 소결법을 이용한 전극 제조장치는 금속 나노입자 잉크를 공급하는 금속 나노잉크 공급부, 베이스 기판을 공급하는 기판 공급부, 및 전극을 형성하는 전극 형성부를 포함한다. 상기 전극 형성부는 금속패턴 형성 유닛, 세척 유닛 및 저온소결 유닛을 포함한다. 상기 금속패턴 형성 유닛은 상기 베이스 기판 상에 상기 금속 나노입자 잉크로 금속 패턴을 형성한다. 상기 세척 유닛은 상기 금속 패턴을 세척한다. 상기 저온소결 유닛은 상기 금속 패턴을 저온 소결하여 전극을 형성한다.
일 실시예에서, 상기 금속 나노입자 잉크는, 표면이 고분자 물질로 캐핑된 금속 나노입자를 잉크화하여 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 세척 유닛은, 상기 금속 패턴 중 상기 고분자 물질을 세척할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 세척 유닛은, 상기 금속 패턴의 상부에 형성된 잉크의 고분자 물질만 세척하고, 상기 금속 패턴의 하부에 형성된 잉크의 고분자 물질은 세척하지 않고 잔류시킬 수 있다.
일 실시예에서, 상기 세척 유닛은, 세척액이 담겨진 적어도 하나 이상의 린스 유닛을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 세척 유닛은, 딥핑(dipping), 초음파 세척, 훨링(whirling) 중 적어도 하나 이상의 세척 방법을 수행하는 적어도 하나 이상의 린스 유닛을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 고분자 물질의 세척액은 아세톤(acetone)과 테트라히드로푸란(tetrahydrofuran) 혼합액일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 금속 나노입자는 은(Ag) 나노입자이며, 상기 고분자 물질은 폴리비닐피롤리돈(polyvinylpyrrolidone, PVP)일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 저온소결 유닛은, 상기 금속 패턴이 형성된 베이스 기판을 80~180도 범위의 온도에서 가열할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 전극 형성부는, 상기 금속 패턴의 세척 전에 상기 금속 패턴에 포함된 용매를 증발시키는 후처리 유닛을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면, 금속 나노입자의 표면에 캐핑된 고분자 물질을 용이하게 제거하면서도 금속 패턴을 저온 소결을 통해 전극을 형성할 수 있는 전극 제조장치를 통해 전극 제조공정의 효율성을 향상시키고, 제조된 전극의 전기 전도성 등의 성질을 우수하게 유지할 수 있다.
특히, 세척 유닛을 통해 상기 금속 패턴의 상부에 형성된 잉크의 고분자 물질만 세척되고, 상기 금속 패턴의 하부에 형성된 잉크의 고분자 물질을 잔류하므로, 고분자 물질을 제거하기 위해 고온의 소결 공정이 불필요하고, 연속되는 저온소결 유닛을 통한 저온 소결 공정만으로도 상기 고분자 물질이 제거된 금속 패턴의 상부가 충분이 소결되므로, 전극의 전도성을 충분히 유지할 수 있다.
또한, 상기 세척 유닛은 세척액을 포함하거나 딥핑(dipping), 초음파 세척, 훨링(whirling) 중 적어도 하나 이상의 세척 방법을 수행하는 적어도 하나 이상의 린스 유닛들을 포함하므로 효율적인 세척 공정을 수행할 수 있다.
나아가, 세척 유닛 전에 후처리 유닛을 통해 금속 패턴의 용매를 1차적으로 제거하므로, 연속되는 세척 및 소결 공정에서의 고분자 물질 제거 및 소결을 보다 효과적으로 수행할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 전극 제조장치를 도시한 블록도이다.
도 2는 도 1의 전극 형성부를 도시한 블록도이다.
도 3은 도 1의 전극 제조장치를 이용하여 전극을 제조하는 공정을 나타낸 순서도이다.
도 4a 내지 도 4d는 도 1의 전극 제조장치를 이용하여 전극을 제조하는 공정을 나타낸 공정도들이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 실시예들을 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다.
상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "이루어진다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 전극 제조장치를 도시한 블록도이다. 도 2는 도 1의 전극 형성부를 도시한 블록도이다. 도 3은 도 1의 전극 제조장치를 이용하여 전극을 제조하는 공정을 나타낸 순서도이다. 도 4a 내지 도 4d는 도 1의 전극 제조장치를 이용하여 전극을 제조하는 공정을 나타낸 공정도들이다.
우선, 도 1을 참조하면, 본 실시예에 의한 전극 제조장치(100)는 금속 나노잉크 공급부(200), 전극 형성부(300) 및 기판 공급부(400)를 포함한다.
도 1, 도 3 및 도 4a를 참조하면, 우선, 표면이 고분자 물질로 캐핑된 금속 나노입자를 잉크화하여, 금속 나노입자 잉크(10)를 형성한다(단계 S10).
구체적으로, 상기 금속 나노입자 잉크(10)의 형성시, 금속 나노입자들(11) 사이의 접착을 방지하기 위해 고분자 물질을 상기 금속 나노입자들(11)의 표면에 캐핑(capping)하며, 이 경우, 상기 금속 나노입자의 대표적인 예로, 은(Ag) 나노입자가 사용될 수 있고, 상기 캐핑을 위한 고분자 물질로 폴리비닐피롤리돈(polyvinylpyrrolidone, PVP)이 사용될 수 있다.
이와 같이, 상기 금속 나노입자 잉크(10)의 형성시, 상기 금속 나노입자를 고분자 물질로 캐핑하므로, 상기 금속 나노입자들의 분산성은 향상되지만, 상기 고분자 물질이 전도성을 저해할 수 있으므로, 상기 전극 형성부(300)는 상기 고분자 물질을 제거하기 위한 별도의 유닛을 포함하며, 이는 후술한다.
도 1을 다시 참조하면, 상기 금속 나노잉크 공급부(200)는 상기 고분자 물질로 캐핑된 금속 나노입자 잉크를 상기 전극 형성부(300)로 제공한다.
한편, 상기 기판 공급부(400)는 전극으로 형성되기 위한 금속 패턴이 상면에 형성되는 베이스 기판(20)을 상기 전극 형성부(300)로 제공한다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 전극 형성부(300)는 상기 금속 나노잉크 공급부(200)로부터 고분자 물질로 캐핑된 금속 나노입자 잉크(10)를 제공받아, 상기 기판 공급부(400)로부터 공급된 베이스 기판(20) 상에 전극(40)을 형성한다.
구체적으로, 상기 전극 형성부(300)는 언와인더 유닛(310), 기판처리 유닛(320), 금속패턴 형성 유닛(330), 후처리 유닛(340), 세척 유닛(350), 저온소결 유닛(360) 및 리와인더 유닛(370)을 포함한다.
상기 언와인더 유닛(310)은 상기 기판 공급부(400)로부터 공급된 상기 베이스 기판(20)을 상기 기판처리 유닛(320)으로 제공하여, 전극 형성 공정을 개시한다.
이에 따라, 상기 기판처리 유닛(320)은 상기 베이스 기판(20)에 대한 전처리 작업을 진행하여 상기 베이스 기판(20)에 대한 세정작업 또는 상기 베이스 기판(20)의 검사 작업 등을 수행한다.
이 후, 도 2, 도 3 및 도 4b를 참조하면, 상기 금속패턴 형성 유닛(330)은 상기 금속 나노입자 잉크(10)를 이용하여 전처리 작업이 수행된 상기 베이스 기판(20) 상에 소정의 금속 패턴(30)을 형성한다(단계 S20). 이 경우, 상기 금속 패턴(30)은 잉크를 이용하여 형성되는 공정으로, 슬롯다이코팅, 바코팅, 마이크로 그라비아 코팅, 코마 코팅, 딥핑, 스프레이 등의 코팅 유닛, 또는 잉크젯, 그라비아, 플렉소 등의 인쇄 유닛을 통한 코팅 또는 인쇄 공정으로 형성될 수 있다.
이 경우, 상기 코팅 또는 인쇄 공정으로 상기 베이스 기판(20) 상에 형성된 금속 패턴(30)의 내부에는, 고분자 물질(32)로 캐핑된 금속 나노잉크(31)가 균일하게 분산된다.
이 후, 도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 후처리 유닛(340)은 상기 금속 패턴(30)이 형성된 베이스 기판(20)을 후처리 한다.
즉, 상기 베이스 기판(20) 상에 형성된 금속 패턴(30)은 금속 나노입자 잉크(10)로 형성한 것으로, 상기 금속 나노입자 잉크(10)는 용매를 포함하게 되며, 상기 후처리 유닛(340)은 상기 금속 패턴(30)에 포함된 용매를 증발시킨다. 이를 위해, 상기 후처리 유닛(340)은 가열 유닛을 포함할 수 있으며, 예를 들어 핫 플레이트(hot plate)일 수 있다. 그리하여, 상기 금속 패턴(30)이 형성된 상기 베이스 기판(20)은 상기 핫 플레이트 상에서 소정시간 배치되어 용매가 증발될 수 있다. 예를 들어, 상기 후처리 유닛(340)은 약 100도의 온도로 상기 용매를 증발시킬 수 있다.
이 후, 도 2, 도 3 및 도 4c를 참조하면, 상기 세척유닛(350)은 상기 금속 패턴(30)에 포함된 상기 고분자 물질(32)을 세척한다(단계 S30).
이 경우, 상기 고분자 물질(32)은 상기 세척유닛(350)에서 공급되는 세척액을 통해 제거되며, 상기 고분자 물질(32)의 세척액은 유기물의 용해가 가능한 아세톤(acetone) 혼합액을 사용한다. 예를 들어, 상기 세척액은 아세톤과 테트라히드로푸란(tetrahydrofuran)의 혼합액일 수 있다.
한편, 상기 세척유닛(350)은 도 2에 도시된 바와 같이, 복수의 린스유닛들(351, 352, 353, ...)이 일렬로 배열되고 각각의 린스유닛들에서 상기 고분자 물질의 세척단계가 연속적으로 수행될 수 있다. 물론, 상기 세척유닛(350)은 하나의 린스유닛만을 포함하여, 상기 고분자 물질의 세척단계는 하나의 린스 유닛에서만 1회 수행될 수도 있다.
이 경우, 상기 린스유닛들(351, 352, 353, ...)의 배열이나 개수 등은 세척이 필요한 고분자 물질의 종류, 패턴의 크기나 형태 등에 따라 다양하게 변형될 수 있다.
세척 방법의 일례로, 상기 린스유닛들(351, 352, 353, ...) 각각에 세척액이 저장되며, 상기 금속 패턴(30)이 형성된 베이스 기판(20)을 상기 세척액에 담가 상기 고분자 물질(32)을 세척할 수 있다. 이 경우, 상기 금속 패턴(30) 상에 잔류한 세척액은 별도의 세척액 제거유닛에 의해 제거될 수 있다.
따라서, 상기 린스유닛들(351, 352, 353, ...)은 세척액 제거유닛을 포함할 수 있으며, 세척액이 저장된 린스유닛과 세척액을 제거하는 린스유닛들은 교번적으로 배열되어 복수의 세척 및 세척액 제거 공정이 수행될 수 있다.
이와 달리, 세척 방법의 또 다른 예로, 상기 린스유닛들(351, 352, 353, ...) 각각에서는, 딥핑(dipping), 초음파 세척, 훨링(whirling) 중 적어도 하나 이상의 세척 방법을 수행할 수 있다. 그리하여, 상기 린스유닛들을 통한 세척을 통해 세척 공정의 효율성이 향상될 수 있다.
한편, 상기 세척 유닛(350)에서의 상기 고분자 물질의 세척 공정에서는, 상기 금속 패턴(30)으로 형성된 상기 금속 나노입자들(31) 전부에 캐핑된 고분자 물질(32)을 제거하지는 않고, 상기 금속 패턴(30)의 상부에 캐핑된 고분자 물질(32)만 부분적으로 제거하여, 상기 금속 패턴(30)의 하부에 캐핑된 고분자 물질(32)은 잔류시킨다.
즉, 상기 세척 유닛(350)을 통한 세척 공정에서 상기 세척액은 상기 금속 나노입자들(31) 사이의 결합으로 상기 금속 나노입자들(31)의 상기 금속 패턴(30)의 내부까지 깊숙하게 침투하지 못하며, 이에 따라 상기 금속 패턴(30)의 상부 표면의 고분자 물질이 세척되게 된다.
이를 위해, 상기 세척 유닛(350)이 포함하는 상기 적어도 하나 이상의 린스 유닛들은 상기 세척액을 상기 금속 패턴(30)의 내부까지 깊숙이 침투시키지 않고, 상대적으로 간단한 세척 공정을 수행하도록 설계되며, 이에 따라 상기 세척 유닛(350)의 구성 및 공정이 상대적으로 단순해 질 수 있다.
이 후, 도 2, 도 3 및 도 4d를 참조하면, 상기 저온소결 유닛(360)은 상부의 고분자 물질이 제거된 금속 패턴을 저온 소결한다(단계 S40). 그리하여, 상기 베이스 기판(20) 상에는 전극(40)이 형성된다.
상기 저온소결 유닛(360)은 상기 금속 패턴(30)이 형성된 상기 베이스 기판(20)을 80~180도 범위의 온도에서 가열하여 상기 금속 패턴(30)의 고분자 물질이 제거된 금속 나노입자들(41)을 소결한다.
한편, 상기 저온소결 유닛(360)은 80~180도의 범위로 소결을 수행하는 것으로, 200도 이상의 고온에서 수행되는 소결과 비교하여 상대적으로 저온의 범위에서 소결을 수행한다.
상기 저온소결 유닛(360)은 예를 들어, 소결로(sintering furnace)일 수 있으며, 내부에 핫 플레이트가 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 금속 패턴(30)이 형성된 베이스 기판(20)은 상기 소결로의 내부의 핫 플레이트 상에 배치되어 소결이 수행될 수 있다.
이와 같이, 상기 저온소결 유닛(360)은 고분자 물질(42)을 제거하기 위한 고온 소결을 수행하지 않고 고분자 물질이 제거된 금속 나노입자들(41) 만을 소결하여 전체적으로 상기 전극(40)의 전도성을 향상시키는 것으로, 저온의 범위에서 소결을 수행할 수 있어, 가열을 위한 장치의 구성 등을 상대적으로 용이하게 할 수 있다.
이 후, 상기 리와인더 유닛(370)은 상기 저온소결 유닛(360)을 통과하여 최종적으로 상기 베이스 기판(20) 상에 형성된 상기 전극(40)을 상기 전극 형성부(300)의 외부로 반출하여, 필요한 경우 후속 공정을 수행하게 한다.
상기와 같은 본 발명의 실시예들에 의하면, 금속 나노입자의 표면에 캐핑된 고분자 물질을 용이하게 제거하면서도 금속 패턴을 저온 소결을 통해 전극을 형성할 수 있는 전극 제조장치를 통해 전극 제조공정의 효율성을 향상시키고, 제조된 전극의 전기 전도성 등의 성질을 우수하게 유지할 수 있다.
특히, 세척 유닛을 통해 상기 금속 패턴의 상부에 형성된 잉크의 고분자 물질만 세척되고, 상기 금속 패턴의 하부에 형성된 잉크의 고분자 물질을 잔류하므로, 고분자 물질을 제거하기 위해 고온의 소결 공정이 불필요하고, 연속되는 저온소결 유닛을 통한 저온 소결 공정만으로도 상기 고분자 물질이 제거된 금속 패턴의 상부가 충분이 소결되므로, 전극의 전도성을 충분히 유지할 수 있다.
또한, 상기 세척 유닛은 세척액을 포함하거나 딥핑(dipping), 초음파 세척, 훨링(whirling) 중 적어도 하나 이상의 세척 방법을 수행하는 적어도 하나 이상의 린스 유닛들을 포함하므로 효율적인 세척 공정을 수행할 수 있다.
나아가, 세척 유닛 전에 후처리 유닛을 통해 금속 패턴의 용매를 1차적으로 제거하므로, 연속되는 세척 및 소결 공정에서의 고분자 물질 제거 및 소결을 보다 효과적으로 수행할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
본 발명에 따른 전극 제조장치는 표시패널, 태양전지, RFID 등에 사용되는 베젤, 메쉬형 전극, 안테나 전극 등 전도성 전극의 제조에 사용될 수 있는 산업상 이용 가능성을 갖는다.
100 : 전극 제조장치 200 : 금속 나노 잉크 공급부
300 : 전극 형성부 320 : 기판처리 유닛
330 : 금속패턴 형성 유닛 350 : 세척 유닛
360 : 저온소결 유닛 400 : 기판 공급부

Claims (10)

  1. 금속 나노입자 잉크를 공급하는 금속 나노잉크 공급부, 베이스 기판을 공급하는 기판 공급부, 및 전극을 형성하는 전극 형성부를 포함하며,
    상기 전극 형성부는,
    상기 베이스 기판 상에 상기 금속 나노입자 잉크로 금속 패턴을 형성하는 금속패턴 형성 유닛;
    상기 금속 패턴을 세척하는 세척 유닛; 및
    상기 금속 패턴을 저온 소결하여 전극을 형성하는 저온소결 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 전극 제조장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 금속 나노입자 잉크는,
    표면이 고분자 물질로 캐핑된 금속 나노입자를 잉크화하여 형성된 것을 특징으로 하는 전극 제조장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 세척 유닛은,
    상기 금속 패턴 중 상기 고분자 물질을 세척하는 것을 특징으로 하는 전극 제조장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 세척 유닛은,
    상기 금속 패턴의 상부에 형성된 잉크의 고분자 물질만 세척하고, 상기 금속 패턴의 하부에 형성된 잉크의 고분자 물질은 세척하지 않고 잔류시키는 것을 특징으로 하는 전극 제조장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 세척 유닛은,
    세척액이 담겨진 적어도 하나 이상의 린스 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 전극 제조장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 세척 유닛은,
    딥핑(dipping), 초음파 세척, 훨링(whirling) 중 적어도 하나 이상의 세척 방법을 수행하는 적어도 하나 이상의 린스 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 전극 제조장치.
  7. 제3항에 있어서, 상기 고분자 물질의 세척액은 아세톤(acetone)과 테트라히드로푸란(tetrahydrofuran) 혼합액인 것을 특징으로 하는 전극 제조장치.
  8. 제2항에 있어서, 상기 금속 나노입자는 은(Ag) 나노입자이며, 상기 고분자 물질은 폴리비닐피롤리돈(polyvinylpyrrolidone, PVP)인 것을 특징으로 하는 전극 제조장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 저온소결 유닛은,
    상기 금속 패턴이 형성된 베이스 기판을 80~180도 범위의 온도에서 가열하는 것을 특징으로 하는 전극 제조장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 전극 형성부는,
    상기 금속 패턴의 세척 전에 상기 금속 패턴에 포함된 용매를 증발시키는 후처리 유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전극 제조장치.
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