KR20150093309A - 기판 디척킹 장치 및 기판 디척킹 방법, 이를 이용한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 디척킹 장치 및 기판 디척킹 방법, 이를 이용한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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KR20150093309A KR1020140013911A KR20140013911A KR20150093309A KR 20150093309 A KR20150093309 A KR 20150093309A KR 1020140013911 A KR1020140013911 A KR 1020140013911A KR 20140013911 A KR20140013911 A KR 20140013911A KR 20150093309 A KR20150093309 A KR 20150093309A
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Abstract

본 발명은 기판 트레이, 스테이지와 같은 기판 지지대로부터 기판을 디척킹하기 위한 챔버의 펌핑(Puming) 및 벤트(Vent) 없이도 기판이 원활하게 디척킹되도록 한 기판 디척킹 장치 및 기판 디척킹 방법, 이를 이용한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위하여, 기판을 지지하며, 핀홀이 형성되는 기판 지지부 및 상기 기판 지지부의 하측에 배치되어 상기 핀홀을 향해 승강하는 리프트 핀 및 상기 기판 지지부를 향하는 상기 리프트 핀의 일단에 배치되고, 내외부의 압력차에 의해 상기 기판과 상기 기판 지지부 사이에서 팽창하여 상기 기판 지지부로부터 상기 기판이 디척킹되도록 하는 기판 디척킹부를 포함한다. 이에, 기판의 로딩, 처리, 디척킹 및 언로딩으로 연결되는 공정 공간의 진공이 유지되므로, 챔버들 내부의 압력을 다시 조절하는 데 소요되는 불필요한 공정시간을 단축하여 생산성이 향상되는 효과가 있다.

Description

기판 디척킹 장치 및 기판 디척킹 방법, 이를 이용한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{APPARATUS FOR DECHUCKING SUBSTRATE, METHOD FOR DECHUCKING SUBSTRATE, APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE AND METHOD OF PROCESSING SUBSTRATE USING THE SAME}
본 발명은 기판 디척킹 장치 및 기판 디척킹 방법, 이를 이용한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판 지지부로부터 기판을 디척킹하는 기판 디척킹 장치 및 기판 디척킹방법, 이를 이용한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
오엘이디(OLED;Organic Light Emitting Diodes)를 이용한 디스플레이 장치는 기판에 유기화합물을 증착하는 방식으로 제조된다. 이러한 디스플레이 장치를 제조하는 데에는 클러스터 타입의 기판 처리 장치, 또는 인-라인 타입의 기판 처리 장치가 사용될 수 있다.
클러스터 타입의 기판 처리 장치는 트랜스퍼 챔버의 주변에 프로세스 챔버와, 로드락 챔버 등과 같은 다수의 챔버들이 배치된다. 이러한 클러스터 타입의 기판 처리 장치는 각 챔버들 내부에 기판을 안정적으로 지지하기 위한 스테이지가 배치되고, 트랜스퍼 챔버 내부에 설치되는 이송로봇에 의해 기판이 각 챔버들로 전달되며 공정이 수행된다.
인-라인 타입의 기판 처리 장치는 로드락 챔버, 프로세스 챔버 등과 같은 다수의 챔버들이 선형 배치되고, 챔버들 내부에서 기판을 이송하기 위한 롤러 컨베이어와 같은 이송수단이 설치된다. 이러한 인-라인 타입의 기판 처리 장치는 이송 중인 기판을 안정적으로 지지하고, 기판의 처짐 등을 방지하기 위하여 기판 트레이에 기판을 지지하고, 기판 트레이와 기판을 함께 이송하며 공정이 수행된다.
한편, 기판을 지지하는 장치로는 정전척에 비해 기판의 척킹 및 디척킹가 용이한 점착척이 개발된 바 있다. 이러한 점착척에 대해서는 본 출원인에 의해 개발되고 출원된 바 있는 '대한민국 등록특허 제1221034호;기판척 및 이를 이용한 기판처리장치'에 의해 개시된 바 있다.
이러한 점착척은 기판을 점착부재에 밀착시키기 위해 기판을 진공 흡착해야만 한다. 그리고 점착척으로부터 기판을 디척킹하기 위하여 챔버 내부의 진공압을 해제하고 챔버 내부의 펌핑(Pumping)과 벤트(Vent) 공정을 병행해야만 한다.
이와 같이 챔버 내부의 펌핑과 벤트 공정이 병행되면, 펌핑 및 벤트에 많은 시간이 소요되어 생산성이 저하될 뿐만 아니라, 또한 외부의 공기나 불순물이 유입되어 챔버 내부를 산화시키거나 오염시킬 수 있는 문제점이 있다. 특히, OLED는 유기화합물로 이루어지기 때문에 대기중에 노출될 경우, 쉽게 손상되기 때문에 품질이 저하되는 문제점이 있다.
'대한민국 등록특허 제1221034호;기판척 및 이를 이용한 기판처리장치'
본 발명의 목적은 기판 트레이, 스테이지와 같은 기판 지지대로부터 기판을 디척킹하기 위한 챔버의 펌핑(Puming) 및 벤트(Vent) 없이도 기판이 원활하게 디척킹되도록 한 기판 디척킹 장치 및 기판 디척킹 방법, 이를 이용한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명에 따른 기판 디척킹 장치는 기판을 지지하며, 핀홀이 형성되는 기판 지지부 및 상기 기판 지지부의 하측에 배치되어 상기 핀홀을 향해 승강하는 리프트 핀 및 상기 기판 지지부를 향하는 상기 리프트 핀의 일단에 배치되고, 내외부의 압력차에 의해 상기 기판과 상기 기판 지지부 사이에서 팽창하여 상기 기판 지지부로부터 상기 기판이 디척킹되도록 하는 기판 디척킹부를 포함한다.
상기 리프트 핀은 중공이 형성된 관 형태로 마련되고, 상기 기판 디척킹부는 다이아프램일 수 있다.
상기 기판 디척킹 장치는 상기 리프트 핀에 연결되어 상기 다이아프램을 팽창시키기 위해 상기 리프트 핀 내측의 압력을 변화시키는 압력 제어부를 더 포함할 수 있다.
상기 압력 제어부는 상기 리트프 핀 내측의 압력이 외부보다 고압으로 유지되도록 할 수 있다.
상기 기판 디척킹 장치는 상기 기판 지지부에 접촉되어 외부로부터 차폐되는 공간을 형성하며 내외부의 압력차에 의해 상기 기판 지지부로부터 상기 기판이 디척킹되도록 내부의 압력이 조절되는 압력차 조성부를 더 포함할 수 있다.
상기 압력차 조성부는 상기 기판이 지지되는 상기 기판 지지부의 일면에 접촉되어 외부보다 저압으로 유지될 수 있다.
상기 압력차 조성부는 상기 기판이 지지되는 상기 기판 지지부 일면의 반대면에 접촉되어 외부보다 고압으로 유지되고, 상기 압력차 조성부의 내부로는 불활성 가스가 공급될 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 기판 디척킹 방법은 (a) 기판을 지지하는 기판 지지부의 핀 홀을 향해 리프트 핀이 승강되는 단계 및 (b) 상기 기판 지지부를 향하는 상기 리프트 핀의 일단에 배치되는 기판 디척킹부가 내외부의 압력차에 의해 상기 기판과 상기 기판 지지부 사이에서 팽창하여 상기 기판 지지부로부터 상기 기판이 디척킹되도록 하는 단계를 포함한다.
상기 리프트 핀은 중공이 형성된 관 형태로 마련되고, 상기 기판 디척킹부는 다이아프램일 수 있다.
상기 (b)단계는 상기 리프트 핀에 연결된 압력 제어부가 상기 다이아프램을 팽창시키기 위해 상기 리프트 핀 내측의 압력을 변화시킬 수 있다.
상기 (b)단계는 상기 압력 제어부가 상기 리프트 핀 내측의 압력을 외부보다 고압으로 유지시킬 수 있다.
상기 (b)단계는 상기 기판을 지지하는 상기 기판 지지부에 압력차 조성부가 접촉되고, 상기 압력차 조성부 내부의 압력이 조절되어 상기 압력차 조성부 내외부의 압력차에 의해 상기 기판 지지부로부터 상기 기판이 디척킹되도록 하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 압력차 조성부는 상기 기판이 지지되는 상기 기판 지지부의 일면에 접촉되고, 상기 (b)단계는 상기 압력차 조성부의 내부 압력이 외부보다 저압으로 유지될 수 있다.
상기 압력차 조성부는 상기 기판이 지지되는 상기 기판 지지부의 일면의 반대면에 접촉되고, 상기 (b)단계는 상기 압력차 조성부의 내부 압력이 외부보다 고압으로 유지되며, 상기 압력차 조성부의 내부로 불활성 가스가 공급될 수 있다.
한편, 기판 처리 장치는 진공압이 유지되는 챔버 및 상기 챔버 내부에서 기판을 지지하며, 핀홀이 형성되는 기판 지지부 및 상기 챔버 내부에 배치되어 상기 핀홀을 향해 승강하는 리프트 핀 및 상기 기판 지지부를 향하는 상기 리프트 핀의 일단에 배치되고, 상기 챔버 내부와의 압력차에 의해 상기 기판과 상기 기판 지지부 사이에 팽창하여 상기 기판 지지부로부터 상기 기판이 디척킹되도록 하는 기판 디척킹부를 포함한다.
상기 기판 지지부는 상기 기판을 지지하고 상기 기판과 함께 이송되는 기판 트레이이며, 상기 챔버에는 상기 기판 지지대를 지지하고 상기 기판 지지대를 이송하는 컨베이어가 배치될 수 있다.
상기 기판 지지부는 상기 챔버 내부에 배치되어 상기 기판을 지지하는 스테이지일 수 있다.
상기 기판 처리 장치는 복수 개의 상기 기판이 함께 수용된 제 1카세트가 공급되는 제 1로드락 챔버 및 상기 제 1로드락 챔버에 연결되어 상기 제 1로드락 챔버로부터 상기 제 1카세트를 전달받는 로딩 챔버 및 비어있는 제 2카세트가 공급되는 제 2로드락 챔버 및 상기 제 2로드락 챔버에 연결되어 상기 제 2로드락 챔버로부터 상기 제 2카세트를 전달받는 언로딩 챔버를 더 포함하고, 상기 로딩 챔버와 상기 언로딩 챔버는 상기 제 1카세트에 수용된 상기 복수 개의 기판이 모두 상기 제 2카세트에 수용되는 동안 상기 제 1로드락 챔버와 상기 제 2로드락 챔버로부터 폐쇄되어 상기 챔버의 상압 노출을 방지할 수 있다.
상기 리프트 핀은 중공이 형성된 관 형태로 마련되고, 상기 기판 디척킹부는 다이아프램일 수 있다.
상기 기판 처리 장치는 상기 챔버 외측에서 상기 리프트 핀에 연결되어 상기 다이아프램을 팽창시키기 위해 상기 리프트 핀 내측의 압력을 변화시키는 압력 제어부를 더 포함할 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 기판 처리 방법은 (a) 진공압이 유지되는 챔버로 기판이 반입되고 상기 기판이 기판 지지부에 지지되어 처리되는 단계 및 (b)상기 챔버 내부에 배치되는 리프트 핀이 상기 기판 지지부의 핀 홀을 향해 승강되는 단계 및 (c) 상기 기판 지지부를 향하는 상기 리프트 핀의 일단에 배치되는 기판 디척킹부가 상기 챔버와의 압력차에 의해 상기 기판과 상기 기판 지지부 사이에서 팽창하여 상기 기판 지지부로부터 상기 기판이 디척킹되도록 하는 단계를 포함한다.
상기 기판 지지부는 상기 기판을 지지하고 상기 기판과 함께 이송되는 기판 트레이로 마련될 수 있다.
상기 기판 처리 방법은 상기 (a)단계 이전에 복수 개의 기판이 수용된 제 1카세트가 제 1로드락 챔버를 통해 로딩 챔버로 전달되고, 상기 기판 지지부로부터 디척킹된 상기 기판을 수용하기 위한 제 2카세트가 제 2로드락 챔버를 통해 언로딩 챔버로 공급되며, 상기 (a) 내지 상기 (c)단계는 상기 제 1카세트에 수용된 상기 기판이 상기 제 2카세트에 모두 수용되는 동안에 상기 로딩 챔버와 상기 언로딩 챔버가 상기 제 1로드락 챔버와 상기 제 2로드락 챔버로부터 각각 차폐되어 상기 챔버의 상압 노출을 방지할 수 있다.
상기 리프트 핀은 중공이 형성된 관 형태로 마련되고, 상기 기판 디척킹부는 다이아프램일 수 있다.
상기 (c)단계는 상기 리프트 핀에 연결된 압력 제어부가 상기 다이아프램을 팽창시키기 위해 상기 리프트 핀 내측의 압력을 변화시킬 수 있다.
본 발명에 따른 기판 디척킹 장치 및 기판 디척킹 방법, 이를 이용한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법은 기판의 로딩, 처리, 디척킹 및 언로딩으로 연결되는 공정 공간의 진공이 유지되므로, 챔버들 내부의 압력을 다시 조절하는 데 소요되는 불필요한 공정시간을 단축하여 생산성이 향상되는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 기판 디척킹 장치 및 기판 디척킹 방법, 이를 이용한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법은 외부의 파티클이 내부로 유입되는 것이 미연에 방지하고 기판이 대기중에 노출되는 것이 방지되어 처리된 기판의 표면, 또는 기판에 형성된 막의 품질이 손상, 또는 파괴를 방지하여 기판의 표면, 또는 기판에 형성된 막의 품질이 향상되는 효과가 있다.
이상과 같은 본 발명의 기술적 효과는 이상에서 언급한 효과로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 제 1실시예에 따른 기판 디척킹 장치를 간략하게 나타낸 측면도이고,
도 2는 제 1실시예에 따른 기판 디척킹 장치 중 도 1에 표기된 'I'를 나타낸 확대 단면도이고,
도 3은 제 1실시예에 따른 기판 디척킹 방법을 나타낸 순서도이고,
도 4 내지 제 7은 제 1실시예에 따른 기판 디척킹 장치의 기판 디척킹 동작을 나타낸 공정도이고,
도 8은 제 2실시예에 따른 기판 디척킹 장치를 간략하게 나타낸 측면도이고,
도 9는 제 1실시예에 따른 기판 처리 장치를 간략하게 나타낸 측면도이고,
도 10은 제 1실시예에 따른 기판 처리 방법을 나타낸 순서도이고,
도 11은 제 2실시예에 따른 기판 처리 장치를 간략하게 나타낸 평면도이고,
도 12는 제 2실시예에 따른 기판 처리 방법을 나타낸 순서도이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 실시예는 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 위하여 과장되게 표현된 부분이 있을 수 있으며, 도면 상에서 동일 부호로 표시된 요소는 동일 요소를 의미한다.
도 1은 제 1실시예에 따른 기판 디척킹 장치를 간략하게 나타낸 측면도이고, 도 2는 제 1실시예에 따른 기판 디척킹 장치 중 도 1에 표기된 'I'를 나타낸 확대 단면도이다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 제 1실시예에 따른 기판 디척킹 장치(100)는 챔버(110), 기판 지지부(120), 리프트 핀(130), 기판 디척킹부(140) 및 압력차 조성부(150)를 포함할 수 있다.
먼저, 챔버(110)에는 기판(10)의 출입을 위한 적어도 하나의 게이트 밸브(111)가 설치될 수 있다. 그리고 챔버(110)는 도시되지 않은 진공펌프에 의해 진공 배기되어 진공압이 유지될 수 있다.
한편, 기판 지지부(120)는 챔버(110)의 내부에서 기판(10)을 지지한다.
여기서, 기판(10)이 이송되며 처리되는 인-라인 타입의 기판 처리 장치에 제 1실시예에 따른 기판 디척킹 장치가 적용되는 경우, 기판 지지부(120)는 기판 트레이가 사용될 수 있다. 기판 트레이는 이송 중인 기판(10)이 안정적으로 이송될 수 있도록 기판(10)의 지지 상태를 유지하며 기판(10)과 함께 이송될 수 있다. 이와 같이, 기판 지지부(120)가 기판 트레이로 사용될 경우에는 챔버()의 내부에 기판 트레이를 지지하기 위한 컨베이어가 추가적으로 구성될 수 있다.
반면, 트랜스퍼 챔버를 포함하는 클러스터 타입의 기판 처리 장치에 제 1실시예에 따른 기판 디척킹 장치가 적용되는 경우, 기판 지지부(120)로 스테이지가 사용될 수 있다.
이러한, 기판 지지부(120)의 지지면에는 진공척의 배기라인, 정전척의 전력라인과 같이 별도의 동력수단 또는 압력수단들의 도움없이도 기판 지지부(120)가 독자적으로 기판(10)을 지지할 수 있도록 하는 점착부재를 포함하는 점착척(121)이 설치될 수 있다. 점착척(121)에 대해서는 본 출원인에 의해 출원되고 등록된 '대한민국 등록특허 제1221034호(2012.04.16.공개)'등에 이미 개시된 바 있으므로 상세한 설명은 생략하도록 한다.
그리고 기판 지지부(120)에는 핀 홀이 형성되고, 챔버(110) 내부에는 복수 개의 리프트 핀(130)이 배치될 수 있다.
리프트 핀(130)은 핀 홀을 통해 기판 지지부(120)를 관통하여 승강 구동되도록 설치될 수 있다. 즉, 리프트 핀(130)은 기판 지지부(120)의 하측에 배치되고 챔버(110)의 하부벽을 관통하여 챔버(110) 외측으로 연장될 수 있다.
그리고 챔버(110)의 외측 하부에는 리프트 핀(130)을 승강시키는 리프트 핀 승강모듈(131)이 배치될 수 있다. 리프트 핀 승강모듈(131)은 유/공압실린더를 포함하는 리니어 액츄에이터, 볼 스크류와 회전모터를 포함하는 리니어 액츄에이터 등의 액츄에이터가 사용될 수 있다. 물론, 리프트 핀(130)이 관통하는 챔버(110)의 하부벽의 외측에는 챔버(110) 내부의 기밀을 유시키는 벨로우즈(132)와 같은 기밀부재가 설치될 수 있다.
이러한 리프트 핀(130)은 기판 지지부(120)로부터 기판(10)이 디척킹된 후, 기판 지지부(120)가 챔버(110)로부터 원활하게 반출될 수 있도록 기판을 지지한다.
한편, 기판 디척킹부(140)는 기판(10)과 기판 지지부(120) 사이에서 팽창하여 기판 지지부(120)로부터 기판(10)이 디척킹되도록 한다. 여기서, 기판 디척킹부(140)로는 다이아프램(141)이 사용될 수 있다.
이러한 다이아프램(141)은 복수 개의 리프트 핀(130)의 상단에 각각 설치된다. 여기서, 리프트 핀(130)은 중공(130a)이 형성된 관 형태로 마련되고 다이아프램(141)은 기판(10)에 마주하는 리프트 핀(130)의 일단에 배치될 수 있다. 이때, 다이아프램(141)은 리프트 핀(130)의 상단에서 챔버(110)와 리프트 핀(130)의 내측공간의 압력차에 의해 팽창될 수 있다.
이를 위해 리프트 핀(130)의 하단에는 압력 제어부(142)가 연결될 수 있다. 여기서, 압력 제어부(142)는 챔버(110) 외측에 배치되어 리프트 핀(130)의 내측 공간 즉, 중공(130a)의 압력을 제어한다. 보다 구체적으로, 압력 제어부(142)는 리프트 핀(130)의 내측 공간이 챔버(110)의 압력보다 고압으로 유지되도록 하여, 다이아프램(141)이 챔버(110)와 리트프 핀(130)의 내측공간의 압력차에 의해 팽창되도록 한다.
더불어, 압력 제어부(142)는 리프트 핀(130)의 내측공간의 압력을 제어하며, 다이아프램(141)의 팽창 속도 및 팽창 범위가 제어되도록 할 수 있다. 이에, 다이아프램(141)은 기판 지지부(120)로부터 기판(10)이 균일하게 디척킹되도록 할 수 있으며, 다이아프램(141)이 과다한 팽창에 의해 손상 또는 파괴되는 것을 방지할 수 있다.
한편, 압력차 조성부(150)는 챔버(110) 내부에 배치된다. 압력차 조성부(150)는 기판 지지부(120)를 향한 일면이 개방되고, 기판 지지부(120)에 대하여 승강 구동되도록 설치될 수 있다. 즉, 압력차 조성부(150)는 하부면이 개방되는 함체로 마련되어 기판 지지부(120)의 상측에 배치될 수 있다. 이때, 챔버(110)의 외측 상부에는 압력차 조성부(150)를 지지하고, 압력차 조성부(150)를 승강시키는 압력차 조성부 승강 모듈(151)이 배치될 수 있다.
압력차 조성부 승강 모듈(151)로는 유/공압실린더를 포함하는 리니어 액츄에이터, 볼 스크류와 회전모터를 포함하는 리니어 액추에이터 등의 액추에이터가 사용될 수 있다. 물론, 압력차 조성부(150)에 연결되는 승강축이 관통하는 챔버(110)의 상부벽의 외측에는 챔버(110) 내부의 기밀을 유지시키는 벨로우즈(152)와 같은 기밀부재가 설치될 수 있다.
이러한 압력차 조성부(150)는 챔버(110) 내부에 위치하는 기판 지지부(120)를 향해 하강되어 기판 지지부(120)의 지지면에 접촉될 수 있다. 이에, 압력차 조성부(150)의 내부는 폐쇄되어 챔버(110) 내부와는 별로로 독립적인 압력 조절이 가능하다. 그리고 압력차 조성부(150)의 압력 조절을 위하여 압력차 조성부(150)에는 압력조절 관(153)이 연통될 수 있으며, 압력조절 관(153)의 관로에는 압력조절 펌프(154)가 설치될 수 있다.
이때, 압력차 조성부(150)의 내부 압력은 챔버(110)의 내부보다 저압으로 유지될 수 있다. 이에, 챔버(110)와 압력차 조성부(150)의 압력차가 발생되며, 챔버(110) 내부의 압력은 핀 홀과, 점착척(121)에 의한 기판 지지부(120)와 기판(10)의 이격된 공간을 통해 압력차 조성부(150)를 향해 작용한다. 이에, 압력차 조성부(150)는 다이아프램(141)에 의해 디척킹되는 기판(10)과 기판 지지부(120)의 디척킹 공정이 보다 원활하게 이루어지도록 할 수 있다.
이하, 제 1실시예에 따른 기판 디척킹 방법에 대해 첨부된 도면을 참조하여 설명하도록 한다.
도 3는 제 1실시예에 따른 기판 디척킹 방법을 나타낸 순서도이고, 도 4 내지 도 7은 제 1실시예에 따른 기판 디척킹 장치의 기판 디척킹 동작을 나타낸 공정도이다.
도 3 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 제 1실시예에 따른 기판 디척킹 방법은 먼저 챔버(110) 내부에 진공압이 유지될 수 있다(도 4참조). 이때, 챔버(110)의 게이트 밸브(111)가 개방되고 기판(10)을 지지하는 기판 지지부(120)가 반입된다. 물론, 기판(10)과 기판 지지부(120)가 반입되는 게이트 밸브(110)의 외측에는 진공압이 유지되는 챔버(예를 들어, 프로세스 챔버)가 배치될 수 있다. 기판(10)과 기판 지지부(120)가 챔버(110)의 내부로 반입되고 기판 지지부(120)가 스테이지 또는 컨베이어에 지지되면 게이트 밸브(110)가 폐쇄된다.
계속해서, 압력차 조성부 승강모듈(151)은 압력차 조성부(150)를 하강시켜 압력차 조성부(150)가 기판 지지부(120)의 상부면, 즉 기판 지지부(120)의 지지면에 접촉되도록 한다(도 5참조). 이때, 리프트 핀 승강모듈(131)은 리프트 핀(130)을 핀 홀을 향해 상승시켜 리프트 핀(130)의 상단에 배치된 다이아프램(141)이 기판(10)의 하부면에 인접하게 배치되도록 한다(S11).
이후, 압력 제어부(142)는 리프트 핀(130)의 내측공간 즉, 리프트 핀(130)의 중공(130a)의 압력을 챔버(110)의 압력보다 고압 상태로 제어하여 다이아프램(141)이 압력차에 의해 팽창되도록 한다(S13, 도 6참조). 이때, 압력조절 펌프(154)는 압력조절 관(153)을 통해 압력차 조성부(150) 내부를 배기하여, 압력차 조성부(150)의 내부 압력이 챔버(110)의 내부 압력보다 저압 상태로 유지되도록 한다(도 7참조). 이에, 압력차 조성부(150)는 다이아프램(141)에 의해 디척킹되는 기판(10)과 기판 지지부(120)의 디척킹 공정이 챔버(110) 내부공간과의 압력차로 인하여 보다 원활하게 이루어지도록 할 수 있다.
이하, 다른 실시예에 따른 기판 디척킹 장치에 대해 설명하도록 한다. 이하의 설명에서는 상술된 제 1실시예와 유사한 구성요소에 대해서는 첨부된 도면에 동일한 참조 부호를 부여하고 상세한 설명은 생략하도록 한다. 따라서, 이하의 설명에서 상세한 설명이 생략된 구성요소에 대해서는 상술된 설명을 참조하여 이해할 수 있을 것이다.
도 8은 제 2실시예에 따른 기판 디척킹 장치를 간략하게 나타낸 측면도이다.
도 8에 도시된 바와 같이, 제 2실시예에 따른 기판 디척킹 장치(100)는 상술된 제 1실시예에 따른 기판 디척킹 장치의 변형된 실시예로 압력차 조성부(150)와 압력 유지부(160)를 포함할 수 있다.
압력차 조성부(150)는 기판(10)이 지지되는 기판 지지부(120)의 지지면의 반대면, 즉 기판 지지부(120)의 하부면에 접촉되도록 배치될 수 있다. 물론, 압력차 조성부 승강모듈(131)은 챔버(110)의 외측 하부에 배치되어 압력차 조성부(150)를 승강 구동시킬 수 있다. 더불어, 압력차 조성부(150)에는 리프트 핀(130)의 승강을 위한 승강홀이 형성될 수 있다.
압력 유지부(160)는 기판(10)이 지지되는 기판 지지부(120)의 지지면, 즉 기판 지지부(120)의 상부면에 접촉되도록 배치될 수 있다. 그리고 압력 유지부(160)는 압력 유지부 승강모듈(161)에 의해 승강 가능하게 설치될 수 있다. 압력 유지부 승강모듈(161)은 챔버(110)의 외측 상부에 배치되어 압력 유지부(160)를 승강 구동시킬 수 있다.
이때, 압력차 조성부(150)의 내부 압력은 챔버(110) 내부의 압력보다 고압 상태로 유지될 수 있다. 즉, 압력차 조성부(150) 내부는 압력조절 관(153)을 통해 질소 가스와 같은 불활성 가스가 공급되어 챔버(110) 내부 압력보다 고압이 형성되며, 압력차 조성부(150) 내부의 압력이 챔버(110)를 향해 작용할 수 있다. 이에, 압력차 조성부(150)는 다이아프램(141)에 의해 디척킹되는 기판(10)과 기판 지지부(120)의 디척킹 공정이 챔버(110) 내부공간과의 압력차로 인하여 보다 원활하게 이루어지도록 할 수 있다.
그리고 압력 유지부(150)는 기판(10)이 기판 지지부(120)로부터 디척킹된 후, 챔버(110) 내부로 불활성 가스가 유입되어 챔버(110) 내부의 압력이 상승하는 것을 방지하여 진공압이 유지되도록 한다.
이에, 제 2실시예에 따른 기판 디척킹 장치의 다이아프램(141)은 압력차 조성부(150)와 압력 유지부(160)에 의해 구획된 공간 내에서 기판(10)이 기판 지지부(120)로부터 원활하게 디척킹되도록 할 수 있다.
이하, 상술된 기판 디척킹 장치를 이용한 제 1실시예에 따른 기판 처리 장치에 대해 설명하도록 한다. 기판 디척킹 장치의 여러 실시예에 대해서는 이미 상술되었으므로, 이하에서는 제 1실시예에 따른 기판 처리 장치에 적용된 기판 디척킹 장치에 대한 설명은 생략하도록 한다. 다만, 이하에서 설명될 제 1실시에에 따른 기판 처리 장치에 포함되는 다른 챔버들과, 상술된 기판 디척킹 장치에 포함되는 챔버가 혼동되는 것을 방지하기 위하여 상술된 기판 디척킹 장치의 챔버를 기판디척킹 챔버로 명명하기로 한다.
도 9는 제 1실시예에 따른 기판 처리 장치를 간략하게 나타낸 측면도이다.
도 9에 도시된 바와 같이, 제 1실시예에 따른 기판 처리 장치(200)는 제 1로드락 챔버(210), 로딩 챔버(220), 프로세스 챔버(230), 기판 디척킹 챔버(240), 언로딩 챔버(250) 및 제 2로드락 챔버(260)를 포함할 수 있다.
제 1로드락 챔버(210)에는 외부로부터 기판(10)이 반입되는 제 1게이트 밸브(271)가 설치된다. 제 1로드락 챔버(210)와 로딩 챔버(220)의 사이에는 제 2게이트 밸브(272)가 설치된다. 로딩 챔버(220)와 프로세스 챔버(230) 사이에는 제 3게이트 밸브(273)가 설치된다. 프로세스 챔버(230)와 기판디척킹 챔버(240)의 사이에는 제 4게이트 밸브(274)가 설치된다. 기판디척킹 챔버(240)와 언로딩 챔버(250) 사이에는 제 5게이트 밸브(275)가 설치된다. 언로딩 챔버(250)와 제 2로드락 챔버(260) 사이에는 제 6게이트 밸브(276)가 설치된다. 제 2로드락 챔버(260)에는 기판(10)이 외부로 반출되도록 하는 제 7게이트 밸브(277)가 설치된다.
여기서, 첨부된 도면에는 프로세스 챔버(230)가 단수로 배치되는 것을 도시하고 있지만, 프로세스 챔버(230)는 기판(10)의 처리 공정에 따라(예를 들어, 유기박막 증착 공정) 복수 개로 마련되고, 복수 개의 프로세스 챔버 사이에는 각 프로세스 챔버 내의 공정가스, 소스 및 파티클 등을 단속하기 위한 게이트 밸브가 추가로 구성될 수 있다.
한편, 로딩 챔버 내지 언로딩 챔버(220~250)는 선형으로 배치되고, 기판(10)은 로딩 챔버(220)로부터 언로딩 챔버(250)까지 연결되는 컨베이어(280)에 의해 인-라인 타입으로 이송될 수 있다. 따라서 기판(10)의 안정적인 지지와 기판(10)의 원활한 이송을 위하여, 기판(10)은 기판 트레이와 같은 기판 지지부(120)에 지지된 상태로 이송될 수 있다.
이러한 제 1실시예에 따른 기판 처리 장치(200)는 복수 개의 기판(10)이 수용된 제 1카세트(21)가 제 1로드락 챔버(210)로 공급되며, 처리를 마친 복수 개의 기판(10)이 수용될 수 있는 제 2카세트(22)가 제 2로드락 챔버(260)로 공급될 수 있다. 제 1카세트(21)는 제 1로드락 챔버(210)의 진공압이 형성된 이후에 로딩 챔버(220)로 반입되며, 제 2카세트(22)는 제 2로드락 챔버(260)의 진공압이 형성된 이후에 언로딩 챔버(250)로 반입될 수 있다.
그리고 제 1카세트(21)에 수용된 모든 기판(10)이 처리되고, 기판 지지부(120)로부터 디척킹되어 제 2카세트(22)에 모두 수용될 때까지 제 2게이트 밸브(271)와 제 6게이트 밸브(276)는 폐쇄될 수 있다. 따라서 제 1실시예에 따른 기판 처리 장치(200)는 제 1카세트(21)에 수용된 모든 기판(10)이 처리되고, 기판 지지부(120)로부터 디척킹되어 제 2카세트(22)에 모두 수용될 때까지 로딩 챔버 내지 언로딩 챔버(220~250)로 연결되는 공정 공간의 진공압이 유지될 수 있다.
도시되지 않았지만, 제 1로드락 챔버(210)와 로딩 챔버(220)의 사이에는 제 1카세트(21)를 로딩 챔버(220)로 공급하는 이송유닛이 배치될 수 있으며, 언로딩 챔버(250)와 제 2로드락 챔버(260)의 사이에는 제 2카세트(22)를 언로딩 챔버로 공급하는 이송유닛이 배치될 수 있다. 또한 로딩 챔버(220)와 프로세스 챔버(330)의 사이에는 제 1카세트(21)로부터 기판(10)을 프로세스 챔버로 이송하는 이송유닛이 배치될 수 있으며, 기판디척킹 챔버(240)와 언로딩 챔버(250)의 사이에는 기판디척킹 챔버(240)로부터 기판(10)을 언로딩하는 이송유닛이 배치될 수 있다. 이러한 이송유닛들은 다관절 이송로봇 또는 프로세스 챔버(230)에 연결되는 컨베이어의 형태로 마련될 수 있다.
또한, 프로세스 챔버(230)의 내부에는 기판(10)을 처리하기 위한 공정에 따라, 증착 소스, 샤워헤드, 플라즈마 발생장치 등이 설치될 수 있다.
한편, 기판디척킹 챔버(240)의 내부 구성에 대해서는 이미 상술된 제 1 및 제 2실시예에 따른 기판 디척킹 장치(100, 도 1 내지 도 8참조)에서 설명된 바 있으므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략하도록 한다.
이하, 제 1실시예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법에 대해 첨부된 도면을 참조하여 설명하도록 한다.
도 10은 제 1실시예에 따른 기판 처리 방법을 나타낸 순서도이다.
도 10에 도시된 바와 같이, 제 1게이트 밸브(271)가 개방되고 복수 개의 기판(10)이 수용된 제 1카세트(21)가 제 1로드락 챔버(210)로 반입된다. 제 1게이트 밸브(271)가 폐쇄되고 제 1로드락 챔버(210)가 배기되어 제 1로드락 챔버(210) 내부는 진공압이 형성된다.
이와 함께 제 7게이트 밸브(277)가 개방되고 비어 있는 제 2카세트(22)가 제 2로드락 챔버(260)로 반입된다. 제 7게이트(277)가 폐쇄되고 제 2로드락 챔버(260)가 배기되어 제 2로드락 챔버(260) 내부는 진공압이 형성된다. 그리고 나머지 챔버들의 배기가 병행되어 나머지 챔버들에서도 진공압이 형성된다.
계속해서, 제 2게이트 밸브(272)가 개방되고 제 1카세트(21)는 로딩 챔버(220)로 반입되며, 제 6게이트 밸브(276)가 개방되고 제 2카세트(22)는 언로딩 챔버(250)로 반입된다.
그리고 제 2게이트 밸브(272)와 제 6게이트 밸브(276)는 모두 폐쇄된다. 이때, 폐쇄된 제 2게이트 밸브(272)와 제 6게이트 밸브(276)는 제 1카세트(21)에 수용된 모든 기판이 처리되고, 기판 지지부(120)로부터 디척킹되어 제 2카세트(22)에 모두 수용될 때까지 폐쇄된 상태를 유지한다.
계속해서, 제 3게이트 밸브(273)가 개방되고, 제 1카세트(21)에 수용된 기판(10)이 로딩 챔버(220)로부터 프로세스 챔버(230)로 반입된다. 기판(10)은 프로세스 챔버(230)에 대기 중인 기판 지지부(120)에 지지되고 컨베이어(280)에 의해 인-라인 방식으로 이송되며 처리될 수 있다(S21).
계속해서, 제 4게이트 밸브(274)가 개방되고, 기판(10)과 기판 지지부(120)가 기판디척킹 챔버(240)로 반입된다(S23). 기판디척킹 챔버(240)의 내부에서는 상술된 바와 같은 기판 디척킹 방법에 의해 기판 지지부(120)로부터 기판(10)이 디척킹된다(S25).
계속해서, 제 5게이트 밸브(275)가 개방되고, 기판(10)은 언로딩 챔버(250)로 반입되어 제 2카세트(22)에 수용된다.
이러한 기판 로딩, 기판 처리 및 기판 언로딩 공정이 계속해서 수행되면, 제 1카세트(21)에 수용된 모든 기판(10)에 대한 처리가 완료되고, 기판 지지부(120)로부터 디척킹된 모든 기판(10)은 제 2카세트(22)에 수용될 수 있다.
이와 같이 제 2카세트(22)에 모든 기판(10)이 수용되면, 제 6게이트 밸브(276)가 개방된다. 제 2카세트(22)는 언로딩 챔버(250)로부터 제 2로드락 챔버(260)로 반입된다. 이때, 제 2로드락 챔버(260)는 제 2카세트(22)가 공급된 이후에 진공압이 유지되므로, 언로딩 챔버(250)와 마찬가지로 진공압 상태이다.
계속해서, 제 6게이트 밸브(276)가 폐쇄된 후, 제 7게이트 밸브(277)가 개방되고 제 2카세트(22)는 외부로 반출된다.
한편, 제 1실시예에 따른 기판 처리 장치에서는 기판 디척킹 장치가 별도의 챔버(기판디척킹 챔버)를 포함하여 프로세스 챔버(230)로부터 제공되는 기판 지지부(120)로부터 기판(10)을 디척킹하는 것을 설명하고 있으나, 기판 디척킹 장치는 프로세스 챔버(230)의 내측에서 구획된 공간 상에 배치되어 기판 지지부(120)로부터 기판(10)을 디척킹하는 것도 가능하다.
이하, 상술된 기판 디척킹 장치를 이용한 제 2실시예에 따른 기판 처리 장치에 대해 설명하도록 한다. 기판 디척킹 장치의 여러 실시예들에 대해서는 이미 상술되었으므로, 이하에서는 제 2실시예에 따른 기판 처리 장치에 적용된 기판 디척킹 장치에 대한 설명은 생략하도록 한다. 다만, 상술된 기판 디척킹 장치에 포함되는 챔버는 이하에서 설명될 제 2실시예에 따른 기판 처리 장치에 포함되는 프로세스 챔버와 치환될 수 있다.
도 11은 제 2실시예에 따른 기판 처리 장치를 간략하게 나타낸 평면도이다.
도 11을 참조하면, 제 2실시예에 따른 기판 처리 장치(300)는 제 1로드락 챔버(310), 로딩 챔버(320), 트랜스퍼 챔버(330), 프로세스 챔버(340), 언로딩 챔버(350) 및 제 2로드락 챔버(360)를 포함할 수 있다.
제 1로드락 챔버(310)에는 외부로부터 기판(10)이 반입되는 제 1게이트 밸브(371)가 설치된다. 제 1로드락 챔버(310)와 로딩 챔버(320)의 사이에는 제 2게이트 밸브(372)가 설치된다. 트랜스퍼 챔버(330)와 로딩 챔버(320)의 사이에는 제 3게이트 밸브(373)가 설치된다. 트랜스퍼 챔버(330)와 프로세스 챔버(340) 사이에는 제 4게이트 밸브(374)가 설치된다. 트랜스퍼 챔버(330)와 언로딩 챔버(350)의 사이에는 제 5게이트 밸브(375)가 설치된다. 언로딩 챔버(350)와 제 2로드락 챔버(360)의 사이에는 제 6게이트 밸브(376)가 설치된다. 제 2로드락 챔버(360)에는 제 7게이트 밸브(377)가 설치된다.
여기서, 첨부된 도면에는 프로세스 챔버(340)가 단수로 배치되는 것을 도시하고 있지만, 프로세스 챔버(340)는 기판의 처리 공정(예를 들어, 유기박막 증착 공정)에 따라 트랜스퍼 챔버(330)의 주변에 복수 개로 마련되고, 복수 개의 프로세스 챔버와 트랜스퍼 챔버의 사이에는 각 프로세스 챔버 내의 기판 출입 및 공정 가스, 소스 및 파티클 등을 단속하기 위한 게이트 밸브가 추가로 구성될 수 있다.
이와 같이, 제 2실시예에 따른 기판 처리 장치(300)의 챔버들은 클러스터 타입으로 배치되고, 기판(10)은 트랜스퍼 챔버(330)에 배치되는 이송유닛(335)에 의해 각 챔버로 출입될 수 있다. 그리고 각 챔버의 내부에는 기판(10)을 지지하기 위한 스테이지가 각각 배치될 수 있다.
이러한 제 2실시예에 따른 기판 처리 장치(300)는 복수 개의 기판(10)이 수용된 제 1카세트(21)가 제 1로드락 챔버(310)로 공급되며, 처리를 마친 복수 개의 기판(10)이 수용될 수 있는 제 2카세트(22)가 제 2로드락 챔버(360)로 공급될 수 있다. 제 1카세트(21)는 제 1로드락 챔버(310)의 진공압이 형성된 이후에 언로딩 챔버(350)로 반입될 수 있다. 그리고 제 1카세트(21)에 수용된 모든 기판(10)이 처리되고, 기판 지지부(120)로부터 디척킹되어 제 2카세트(22)에 모두 수용될 때까지 제 2게이트 밸브(372)와 제 6게이트 밸브(376)는 폐쇄될 수 있다. 따라서 제 2실시예에 따른 기판 처리 장치(300)는 제 1카세트(21)에 수용된 모든 기판(10)이 처리되고, 기판 지지부(120)로부터 디척킹되어 제 2카세트(22)에 모두 수용될 때까지 로딩 챔버(320) 내지 언로딩 챔버(350)로 연결되는 공정 공간의 진공압이 유지될 수 있다.
도시되지 않았지만, 제 1로드락 챔버(310)와 로딩 챔버(320)의 사이에는 제 1카세트(21)를 로딩 챔버(320)로 공급하는 이송유닛이 배치될 수 있으며, 언로딩 챔버(350)와 제 2로드락 챔버(360)의 사이에는 제 2카세트(22)를 언로딩 챔버(350)로 공급하는 이송유닛이 배치될 수 있다. 이러한 이송유닛들은 다관절 이송로봇으로 마련될 수 있다.
또한, 프로세스 챔버(340)의 내부에는 기판(10)을 처리하기 위한 공정에 따라 증착 소스, 샤워헤드, 플라즈마 발생장치 등이 설치될 수 있으며, 예를 들어, 기판(10)에 OLED를 증착하는 공정이 수행될 수 있다. 그리고 프로세스 챔버(340)에는 기판 지지부(120)로부터 기판(10)을 디척킹하기 위한 요소들이 구성되는데, 기판 지지부(120)로부터 기판(10)을 디척킹하기 위한 요소들에 대해서는 이미 상술된 제 1 및 제 2실시예에 따른 기판 디척킹 장치에서 설명된 바 있으므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략하도록 한다.
이하, 제 2실시예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법에 대해 첨부된 도면을 참조하여 설명하도록 한다.
도 12는 제 2실시예에 따른 기판 처리 방법을 나타낸 순서도이다.
도 12에 도시된 바와 같이, 제 1게이트 밸브(371)가 개방되고 복수 개의 기판이 수용된 제 1카세트(21)가 제 1로드락 챔버(310)로 반입된다. 제 1게이트 밸브(371)가 폐쇄되고 제 1로드락 챔버(310)가 배기되어 제 1로드락 챔버(310) 내부는 진공압이 형성된다.
이와 함께 제 7게이트 밸브(377)가 개방되고 비어 있는 제 2카세트(22)가 제 2로드락 챔버(360)로 반입된다. 제 7게이트 밸브(377)가 폐쇄되고 제 2로드락 챔버(360)가 배기되어 제 2로드락 챔버(360) 내부는 진공압이 형성된다. 그리고 나머지 챔버들의 배기가 병행되어 나머지 챔버들도 진공압이 형성된다.
계속해서, 제 2게이트 밸브(372)가 개방되고 제 1카세트(21)는 로딩 챔버(320)로 반입되며, 제 6게이트 밸브(376)가 개방되고 제 2카세트(22)는 언로딩 챔버(350)로 반입된다. 그리고 제 2게이트 밸브(372)와 제 6게이트 밸브(376)는 모두 폐쇄된다. 이때, 폐쇄된 제 2게이트 밸브(372)와 제 6게이트 밸브(376)는 제 1카세트(21)에 수용된 모든 기판(10)이 처리되고 기판 지지부(120)로부터 디척킹되어 제 2카세트(22)에 모두 수용될 때까지 폐쇄된 상태를 유지한다.
계속해서, 제 3게이트 밸브(373)가 개방되고 제 1카세트(21)에 수용된 기판(10)이 트랜스퍼 챔버(330)로 반입된다.
계속해서, 제 4게이트 밸브(374)가 개방되고 기판(10)은 프로세스 챔버(340)로 반입된다. 제 4게이트 밸브(374)가 폐쇄되고 기판(10)은 프로세스 챔버(340) 내의 스테이지, 즉 기판 지지부(120)에 지지되어 처리될 수 있으며, 이때, 기판(10) 상에 처리되는 공정은 OLED를 증착하기 위한 공정일 수 있다(S31).
이와 같이 기판(10)이 처리되면, 상술된 바와 같이 프로세스 챔버(340) 내측에 마련된 리프트 핀(130)의 다이아프램(141)과, 압력차 조성부(150)에 의해 기판 지지부(120)로부터 기판(10)이 디척킹된다(S33).
계속해서, 제 4게이트 밸브(374)가 개방되고 기판(10)은 트랜스퍼 챔버(330)로 반입된다. 제 6게이트 밸브(376)가 개방되고 기판(10)은 언로딩 챔버(350)로 반입되어 제 2카세트(22)에 수용된다.
이러한 기판 로딩, 기판 처리 및 기판 언로딩 공정이 계속해서 수행되면, 제 1카세트(21)에 수용된 모든 기판(10)에 대한 처리가 완료되고, 기판 지지부(120)로부터 디척킹된 모든 기판(10)은 제 2카세트(22)에 수용될 수 있다.
이와 같이 제 2카세트(22)에 모든 기판(10)이 수용되며, 제 6게이트 밸브(376)가 개방된다. 제 2카세트(22)는 언로딩 챔버(350)로부터 제 2로드락 챔버(360)로 반입된다. 이때, 제 2로드락 챔버(360)는 제 2카세트(22)가 공급된 이후에 진공압이 유지되므로, 언로딩 챔버(350)와 마찬가지로 진공압 상태이다.
계속해서 제 6게이트 밸브(376)가 폐쇄된 후, 제 7게이트 밸브(377)가 개방되고 제 2카세트(22)는 외부로 반출된다.
이에, 기판 디척킹 장치 및 기판 디척킹 방법, 이를 이용한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법은 기판의 로딩, 처리, 디척킹 및 언로딩으로 연결되는 공정 공간의 진공이 유지되므로, 챔버들 내부의 압력을 다시 조절하는 데 소요되는 불필요한 공정시간을 단축하여 생산성이 향상되는 효과가 있다.
또한, 기판 디척킹 장치 및 기판 디척킹 방법, 이를 이용한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법은 외부의 파티클이 내부로 유입되는 것이 미연에 방지하고 기판이 대기중에 노출되는 것이 방지되어 처리된 기판의 표면, 또는 기판에 형성된 막의 품질이 손상, 또는 파괴를 방지하여 기판의 표면, 또는 기판에 형성된 막의 품질이 향상되는 효과가 있다.
앞에서 설명되고, 도면에 도시된 본 발명의 일 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 한정하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 보호범위는 청구범위에 기재된 사항에 의하여만 제한되고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상을 다양한 형태로 개량 변경하는 것이 가능하다. 따라서 이러한 개량 및 변경은 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것인 한 본 발명의 보호범위에 속하게 될 것이다.
10 : 기판
100 : 기판 디척킹 장치
110 : 챔버
120 : 기판 지지부
130 : 리프트 핀
140 : 기판 디척킹부
150 : 압력차 조성부

Claims (25)

  1. 기판을 지지하며, 핀홀이 형성되는 기판 지지부;
    상기 기판 지지부의 하측에 배치되어 상기 핀홀을 향해 승강하는 리프트 핀; 및
    상기 기판 지지부를 향하는 상기 리프트 핀의 일단에 배치되고, 내외부의 압력차에 의해 상기 기판과 상기 기판 지지부 사이에서 팽창하여 상기 기판 지지부로부터 상기 기판이 디척킹되도록 하는 기판 디척킹부를 포함하는 기판 디척킹 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 리프트 핀은 중공이 형성된 관 형태로 마련되고,
    상기 기판 디척킹부는 다이아프램인 것을 특징으로 하는 기판 디척킹 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 리프트 핀에 연결되어 상기 다이아프램을 팽창시키기 위해 상기 리프트 핀 내측의 압력을 변화시키는 압력 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 디척킹 장치.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 압력 제어부는 상기 리트프 핀 내측의 압력이 외부보다 고압으로 유지되도록 하는 것을 특징으로 하는 기판 디척킹 장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 기판 지지부에 접촉되어 외부로부터 차폐되는 공간을 형성하며 내외부의 압력차에 의해 상기 기판 지지부로부터 상기 기판이 디척킹되도록 내부의 압력이 조절되는 압력차 조성부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 디척킹 장치.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 압력차 조성부는 상기 기판이 지지되는 상기 기판 지지부의 일면에 접촉되어 외부보다 저압으로 유지되는 것을 특징으로 하는 기판 디척킹 장치.
  7. 제 5항에 있어서,
    상기 압력차 조성부는 상기 기판이 지지되는 상기 기판 지지부 일면의 반대면에 접촉되어 외부보다 고압으로 유지되고,
    상기 압력차 조성부의 내부로는 불활성 가스가 공급되는 것을 특징으로 하는 기판 디척킹 장치.
  8. (a) 기판을 지지하는 기판 지지부의 핀 홀을 향해 리프트 핀이 승강되는 단계; 및
    (b) 상기 기판 지지부를 향하는 상기 리프트 핀의 일단에 배치되는 기판 디척킹부가 내외부의 압력차에 의해 상기 기판과 상기 기판 지지부 사이에서 팽창하여 상기 기판 지지부로부터 상기 기판이 디척킹되도록 하는 단계를 포함하는 기판 디척킹 방법.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 리프트 핀은 중공이 형성된 관 형태로 마련되고,
    상기 기판 디척킹부는 다이아프램인 것을 특징으로 하는 기판 디척킹 방법.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 (b)단계는 상기 리프트 핀에 연결된 압력 제어부가 상기 다이아프램을 팽창시키기 위해 상기 리프트 핀 내측의 압력을 변화시키는 것을 특징으로 하는 기판 디척킹 방법.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 (b)단계는 상기 압력 제어부가 상기 리프트 핀 내측의 압력을 외부보다 고압으로 유지시키는 것을 특징으로 하는 기판 디척킹 방법.
  12. 제 8항에 있어서,
    상기 (b)단계는 상기 기판을 지지하는 상기 기판 지지부에 압력차 조성부가 접촉되고, 상기 압력차 조성부 내부의 압력이 조절되어 상기 압력차 조성부 내외부의 압력차에 의해 상기 기판 지지부로부터 상기 기판이 디척킹되도록 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 디척킹 방법.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 압력차 조성부는 상기 기판이 지지되는 상기 기판 지지부의 일면에 접촉되고,
    상기 (b)단계는 상기 압력차 조성부의 내부 압력이 외부보다 저압으로 유지되는 것을 특징으로 하는 기판 디척킹 방법.
  14. 제 12항에 있어서,
    상기 압력차 조성부는 상기 기판이 지지되는 상기 기판 지지부의 일면의 반대면에 접촉되고,
    상기 (b)단계는 상기 압력차 조성부의 내부 압력이 외부보다 고압으로 유지되며, 상기 압력차 조성부의 내부로 불활성 가스가 공급되는 것을 특징으로 하는 기판 디척킹 방법.
  15. 진공압이 유지되는 챔버;
    상기 챔버 내부에서 기판을 지지하며, 핀홀이 형성되는 기판 지지부;
    상기 챔버 내부에 배치되어 상기 핀홀을 향해 승강하는 리프트 핀; 및
    상기 기판 지지부를 향하는 상기 리프트 핀의 일단에 배치되고, 상기 챔버 내부와의 압력차에 의해 상기 기판과 상기 기판 지지부 사이에 팽창하여 상기 기판 지지부로부터 상기 기판이 디척킹되도록 하는 기판 디척킹부를 포함하는 기판 처리 장치.
  16. 제 15항에 있어서,
    상기 기판 지지부는 상기 기판을 지지하고 상기 기판과 함께 이송되는 기판 트레이이며,
    상기 챔버에는 상기 기판 지지대를 지지하고 상기 기판 지지대를 이송하는 컨베이어가 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  17. 제 15항에 있어서,
    상기 기판 지지부는 상기 챔버 내부에 배치되어 상기 기판을 지지하는 스테이지인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  18. 제 15항에 있어서,
    복수 개의 상기 기판이 함께 수용된 제 1카세트가 공급되는 제 1로드락 챔버;
    상기 제 1로드락 챔버에 연결되어 상기 제 1로드락 챔버로부터 상기 제 1카세트를 전달받는 로딩 챔버;
    비어있는 제 2카세트가 공급되는 제 2로드락 챔버; 및
    상기 제 2로드락 챔버에 연결되어 상기 제 2로드락 챔버로부터 상기 제 2카세트를 전달받는 언로딩 챔버를 더 포함하고,
    상기 로딩 챔버와 상기 언로딩 챔버는 상기 제 1카세트에 수용된 상기 복수 개의 기판이 모두 상기 제 2카세트에 수용되는 동안 상기 제 1로드락 챔버와 상기 제 2로드락 챔버로부터 폐쇄되어 상기 챔버의 상압 노출을 방지하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  19. 제 15항에 있어서,
    상기 리프트 핀은 중공이 형성된 관 형태로 마련되고,
    상기 기판 디척킹부는 다이아프램인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  20. 제 19항에 있어서,
    상기 챔버 외측에서 상기 리프트 핀에 연결되어 상기 다이아프램을 팽창시키기 위해 상기 리프트 핀 내측의 압력을 변화시키는 압력 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  21. (a) 진공압이 유지되는 챔버로 기판이 반입되고 상기 기판이 기판 지지부에 지지되어 처리되는 단계;
    (b)상기 챔버 내부에 배치되는 리프트 핀이 상기 기판 지지부의 핀 홀을 향해 승강되는 단계;
    (c) 상기 기판 지지부를 향하는 상기 리프트 핀의 일단에 배치되는 기판 디척킹부가 상기 챔버와의 압력차에 의해 상기 기판과 상기 기판 지지부 사이에서 팽창하여 상기 기판 지지부로부터 상기 기판이 디척킹되도록 하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  22. 제 21항에 있어서,
    상기 기판 지지부는 상기 기판을 지지하고 상기 기판과 함께 이송되는 기판 트레이로 마련되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  23. 제 21항에 있어서,
    상기 (a)단계 이전에,
    복수 개의 기판이 수용된 제 1카세트가 제 1로드락 챔버를 통해 로딩 챔버로 전달되고, 상기 기판 지지부로부터 디척킹된 상기 기판을 수용하기 위한 제 2카세트가 제 2로드락 챔버를 통해 언로딩 챔버로 공급되며,
    상기 (a) 내지 상기 (c)단계는
    상기 제 1카세트에 수용된 상기 기판이 상기 제 2카세트에 모두 수용되는 동안에 상기 로딩 챔버와 상기 언로딩 챔버가 상기 제 1로드락 챔버와 상기 제 2로드락 챔버로부터 각각 차폐되어 상기 챔버의 상압 노출을 방지하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  24. 제 21항에 있어서,
    상기 리프트 핀은 중공이 형성된 관 형태로 마련되고,
    상기 기판 디척킹부는 다이아프램인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  25. 제 24항에 있어서,
    상기 (c)단계는 상기 리프트 핀에 연결된 압력 제어부가 상기 다이아프램을 팽창시키기 위해 상기 리프트 핀 내측의 압력을 변화시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
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