KR20150091627A - Deporation apparatus - Google Patents

Deporation apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR20150091627A
KR20150091627A KR1020140012074A KR20140012074A KR20150091627A KR 20150091627 A KR20150091627 A KR 20150091627A KR 1020140012074 A KR1020140012074 A KR 1020140012074A KR 20140012074 A KR20140012074 A KR 20140012074A KR 20150091627 A KR20150091627 A KR 20150091627A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
sub
main body
heating
disposed
heating unit
Prior art date
Application number
KR1020140012074A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김창우
목진일
문봉석
한승헌
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020140012074A priority Critical patent/KR20150091627A/en
Publication of KR20150091627A publication Critical patent/KR20150091627A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0749—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type including a AIBIIICVI compound, e.g. CdS/CulnSe2 [CIS] heterojunction solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

According to an embodiment of the present invention, a deposition apparatus includes: a main body part; an accepting part provided inside the main body part to accept raw materials; and a heating part provided outside the main body part to cover the main body part. The heating part includes two or more sub heating parts.

Description

증착장치{DEPORATION APPARATUS}[0001] DEPORATION APPARATUS [0002]

실시예는 태양전지 제조공정에 이용되는 증착장치에 관한 것이다.The embodiment relates to a deposition apparatus used in a solar cell manufacturing process.

최근 심각한 환경 오염 문제와 화석 에너지 고갈로 인해, 신재생에너지에 대한 필요성 및 관심이 고조되고 있다. 그 중에서도 태양전지는 공해가 적고, 자원이 무한하며 반 영구적인 수명을 가지고 있어 미래 에너지 문제를 해결할 수 있는 무공해 에너지 원으로 기대되고 있다. Recently, due to serious environmental pollution problems and fossil energy depletion, the need for and interest in renewable energy is rising. Among them, solar cells are expected to be pollution-free energy sources that can solve future energy problems because they have few pollution, have infinite resources and have a semi-permanent lifetime.

태양전지는 p-n 접합 다이오드에 빛을 쪼이면 전자가 생성 되는 광기전력 효과(photovoltaic effect)를 이용하여 빛 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 소자로 정의할 수 있다. 태양전지는 접합 다이오드로 사용되는 물질에 따라, 실리콘 태양전지, I-III-VI족 또는 III-V족 화합물로 대표되는 화합물 반도체 태양전지, 염료감응 태양전지, 유기물 태양전지로 나눌 수 있다. A solar cell can be defined as a device that converts light energy into electric energy by using a photovoltaic effect that generates electrons when light is applied to a p-n junction diode. The solar cell can be classified into a silicon solar cell, a compound semiconductor solar cell represented by group I-III-VI or III-V, a dye-sensitized solar cell, and an organic solar cell, depending on materials used as a junction diode.

I-III-VI족 Chalcopyrite계 화합물 반도체 중 하나인 CIGS(CuInGaSe) 태양전지는 광 흡수가 뛰어나고, 얇은 두께로도 높은 광전 변환효율을 얻을 수 있으며, 전기 광학적 안정성이 매우 우수하여 기존 실리콘 태양전지를 대체할 수 있는 태양전지로 부각되고 있다.CIGS (CuInGaSe) solar cell, one of the I-III-VI family chalcopyrite compound semiconductors, has excellent light absorption, high photoelectric conversion efficiency even at a thin thickness, and excellent electro- It is emerging as an alternative solar cell.

이러한 CIGS 태양전지는 지지기판 상에 CIGS 박막을 증착하여 제조할 수 있으며, 다양한 증착장치를 이용하여 지지기판 상에 증착될 수 있다. 이때, CIGS 박막의 두께 균일도는 태양전지 효율에 영향을 주며, CIGS 박막의 두께는 증착장치의 온도 균일도와 밀접한 관계가 있다.Such a CIGS solar cell can be manufactured by depositing a CIGS thin film on a supporting substrate, and can be deposited on a supporting substrate using various deposition apparatuses. At this time, the uniformity of the thickness of the CIGS thin film affects the solar cell efficiency, and the thickness of the CIGS thin film is closely related to the temperature uniformity of the deposition apparatus.

이에 따라, 증착장치에 의한 CIGS 박막 증착시 CIGS 박막의 두께를 균일하게 할 수 있는 새로운 증착장치가 요구된다.Accordingly, there is a need for a new deposition apparatus capable of uniformizing the thickness of the CIGS thin film when the CIGS thin film is deposited by the deposition apparatus.

실시예는 향상된 신뢰성 및 효율을 가지는 태양전지를 제조할 수 있는 증착장치를 제공하고자 한다.The embodiments are directed to a deposition apparatus capable of manufacturing a solar cell having improved reliability and efficiency.

실시예에 따른 증착장치는, 본체부; 상기 본체부의 내부에 배치되고, 원료를 수용하는 수용부; 및 상기 본체부의 외부에 배치되어, 상기 본체부를 감싸는 가열부를 포함하고, 상기 가열부는 적어도 2개 이상의 서브 가열부를 포함한다.A deposition apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a main body; A receiving portion disposed inside the main body portion and containing a raw material; And a heating unit disposed outside the main body unit and surrounding the main body unit, wherein the heating unit includes at least two sub-heating units.

실시예에 따른 증착장치는 본체부를 가열하는 적어도 2개 이상의 서브 가열부들 포함할 수 있다.The deposition apparatus according to the embodiment may include at least two sub-heating units for heating the main body.

이에 따라, 실시예에 따른 증착장치는 본체부 내부의 온도를 본체부 전 영역에 걸쳐 균일하게 제어할 수 있다.Accordingly, the deposition apparatus according to the embodiment can uniformly control the temperature inside the main body portion over the entire region of the main body portion.

종래에는, 본체부를 가열하는 가열부가 본체부의 외부에서 본체부를 감싸는 일체형으로 형성되었다. 즉, 하나의 전원부에서 가열부에 전원을 공급하였고, 하나의 가열부에 의해 본체부들이 가열되었다.Conventionally, a heating part for heating the main body part is integrally formed to surround the main body part from the outside of the main body part. That is, power is supplied from one power source to the heating unit, and the main body units are heated by one heating unit.

이에 따라, 본체부의 전 영역 중 중앙 영역 또는 양 끝단 영역의 온도가 높거나 또는 낮게되어 본체부의 전 영역에서 온도가 불균일하게 되어, 증착장치에 의해 증착되는 박막 두께가 균일하지 못하는 문제점이 있었다. 또한, 하나의 가열부에 의해 본체부가 가열되므로, 온도 불균일을 제어하지 못하는 문제점이 있었다.As a result, the temperature of the central region or both end regions of the entire region of the main body portion becomes high or low, and the temperature becomes uneven throughout the main body portion, resulting in a problem that the thickness of the thin film deposited by the vapor deposition apparatus is not uniform. Further, since the main body portion is heated by one heating portion, temperature unevenness can not be controlled.

이러한 문제점을 해결하기 위해, 실시예에 따른 증착장치는, 본체부를 가열하는 가열부가 각각의 영역을 가열하는 복수 개의 서브 가열부들을 포함할 수 있다. 이에 따라, 본체부의 각각의 영역마다 서브 가열부들에 의해 개별적으로 가열하므로, 본체부 전 영역에 걸쳐 온도를 균일하게 유지할 수 있다. 또한, 각각의 서브 가열부들에 전원을 인가하는 각각의 전원부들을 포함함으로써, 서브 가열부들의 가열 온도를 개별적으로 제어할 수 있으므로, 가열부의 가열 온도를 용이하게 제어할 수 있다.In order to solve such a problem, the deposition apparatus according to the embodiment may include a plurality of sub-heating sections for heating respective regions of the heating section for heating the main body section. As a result, the sub heating portions are individually heated for each region of the main body portion, so that the temperature can be uniformly maintained over the entire region of the main body portion. In addition, by including the respective power supply sections for applying power to the respective sub heating sections, the heating temperatures of the sub heating sections can be individually controlled, so that the heating temperature of the heating section can be easily controlled.

따라서, 실시예에 따른 증착장치는 가열부의 온도를 용이하게 제어할 수 있고, 본체부 전 영역의 온도를 균일하게 유지할 수 있으므로, 이에 의해, 기판 등에 증착되는 박막 두께를 균일하게 할 수 있다.Therefore, the deposition apparatus according to the embodiment can easily control the temperature of the heating section and can uniformly maintain the temperature of the entire area of the main body section, thereby making it possible to uniform the thickness of the thin film deposited on the substrate or the like.

도 1은 제 1 실시예에 따른 증착장치의 개략적인 사시도를 도시한 도면이다.
도 2는 도 1의 A-A'를 따라서 절단한 단면을 도시한 도면이다.
도 3은 제 2 실시예에 따른 증착장치의 개략적인 사시도를 도시한 도면이다.
도 4는 실시예에 따른 증착장치에 의해 제조되는 태양전지의 단면을 도시한 도면이다.1 is a schematic perspective view of a deposition apparatus according to the first embodiment.
2 is a cross-sectional view taken along the line A-A 'in Fig.
3 is a schematic perspective view of a deposition apparatus according to the second embodiment.
4 is a cross-sectional view of a solar cell manufactured by a deposition apparatus according to an embodiment.

실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 “상/위(on)”에 또는 “하/아래(under)”에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), area, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under / under" Quot; includes all that is formed directly or through another layer. The criteria for top / bottom or bottom / bottom of each layer are described with reference to the drawings.

도면에서 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
The thickness or the size of each layer (film), region, pattern or structure in the drawings may be modified for clarity and convenience of explanation, and thus does not entirely reflect the actual size.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

이하, 도 1 내지 도 4를 참조하여, 제 1 실시예에 따른 증착장치(1000)를 설명한다.Hereinafter, a deposition apparatus 1000 according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 4. FIG.

도 1 및 도 2를 참조하면, 제 1 실시예에 따른 증착장치는 본체부(100), 수용부(200) 및 가열부(300)를 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 1 and 2, the deposition apparatus according to the first embodiment may include a main body 100, a receiving portion 200, and a heating portion 300.

상기 본체부(100)는 다양한 형상을 가질 수 있다. 자세하게, 상기 본체부(100)는 상기 본체부(100)는 삼각 또는 사각 등 다양한 다각 형상 및 원형의 형상을 가질 수 있다. 그러나, 실시예는 이에 제한되지 않고, 상기 본체부(100)는 용도에 따라 다양한 형상을 포함할 수 있다.The main body 100 may have various shapes. In detail, the main body 100 may have various polygonal or circular shapes such as triangular or square. However, the embodiment is not limited thereto, and the main body 100 may include various shapes depending on the use.

상기 본체부(100)는 고온에 견딜 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 일례로, 상기 본체부(100)는 금속 또는 탄화규소 등 고온에 의해 변형되지 않는 다양한 물질을 포함할 수 있다.The main body 100 may include a material capable of withstanding high temperatures. For example, the body 100 may include a variety of materials that are not deformed by high temperatures, such as metal or silicon carbide.

상기 수용부(200)는 상기 본체부(100)의 내부에 배치될 수 있다. 일례로, 상기 수용부(200)는 상기 본체부(100) 중앙 또는 상기 본체부(100)의 양단에 배치될 수 있다. 상기 수용부(100)는 상기 본체부(100) 내부에 적어도 1개 이상 배치될 수 있다.The receiving portion 200 may be disposed inside the main body 100. For example, the receiving portion 200 may be disposed at the center of the main body 100 or at both ends of the main body 100. At least one or more accommodating portions 100 may be disposed inside the main body 100.

상기 수용부(200)는 원료를 수용할 수 있다. 즉, 상기 수용부(200)는 원료를 수용하기 위한 도가니 등을 포함할 수 있다.The receiving part 200 can receive the raw material. That is, the accommodating unit 200 may include a crucible for accommodating the raw material.

상기 수용부(200)에는 상기 증착장치에 의해 기판 등에 증착하고자 하는 원료(R)들이 수용될 수 있다. 일레로, 상기 증착장치는 태양전지 제조에 사용될 수 있으며, 구체적으로, 상기 증착장치는 기판에 광 흡수층을 증착하기 위해 상기 수용부(200)에 다양한 금속들을 수용할 수 있다.The material R to be deposited on a substrate or the like may be accommodated in the container 200 by the deposition apparatus. In addition, the deposition apparatus can be used for manufacturing solar cells. Specifically, the deposition apparatus can accommodate various metals in the receptacle 200 for depositing a light absorption layer on the substrate.

자세하게, 상기 증착장치는 상기 기판 등에 CIGS 박막을 증착하기 위해, 상기 수용부(200)에 구리(Cu), 인듐(In), 갈륨(Ga) 및 셀레늄(Se) 중 적어도 하나의 금속을 포함할 수 있다.In detail, the deposition apparatus includes at least one metal of copper (Cu), indium (In), gallium (Ga), and selenium (Se) in the accommodating portion 200 for depositing a CIGS thin film on the substrate or the like .

상기 수용부(200)는 고온에 결딜 수 있는 다양한 물질들을 포함할 수 있다. 일례로, 상기 수용부(200)는 금속 또는 탄화규소 등 고온에 의해 변형되지 않는 다양한 물질들을 포함할 수 있다.The receptacle 200 may include a variety of materials that can withstand high temperatures. For example, the receptacle 200 may include a variety of materials that are not deformed by high temperatures, such as metal or silicon carbide.

상기 가열부(300)는 상기 본체부(100)의 외부에 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 가열부(300)는 상기 본체부(100)의 외부를 감싸면서 배치될 수 있다. 더 자세하게, 상기 가열부(300)는 상기 본체부(100)의 상면, 하면, 좌측면 및 우측면을 감싸면서 배치될 수 있다. 즉, 상기 가열부(300)는 상기 본체부(100) 외부의 전(全)면을 감싸면서 배치될 수 있다.The heating unit 300 may be disposed outside the main body 100. In detail, the heating unit 300 may be disposed while enclosing the outside of the main body 100. In more detail, the heating unit 300 may be disposed while covering the upper surface, the lower surface, the left surface, and the right surface of the main body 100. That is, the heating unit 300 may be disposed while covering all the outer surfaces of the main body 100.

상기 가열부(300)는 다양한 열원을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 가열부(300)는 탄소, 세라믹 및 석영 중 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다. 상기 가열부(300)는 외부의 전원부를 통해 전원을 인가받을 수 있다.The heating unit 300 may include various heat sources. In detail, the heating unit 300 may include at least one of carbon, ceramic, and quartz. The heating unit 300 may be powered by an external power source.

상기 가열부(300)는 상기 본체부(100)를 가열할 수 있다. 자세하게, 상기 가열부(300)는 상기 본체부(100) 내에 배치되는 상기 수용부(200) 내에 수용된 원료들의 증발 온도 이상으로 가열될 수 있다. 이에 따라, 상기 수용부(200)내의 원료들은 기화될 수 있고, 기화된 원료들은 도 2의 화살표 방향을 따라 이동하여 상기 본체부(100) 내에서 노즐(400) 방향으로 이동되고, 증착 장치 하부에 배치되는 기판(S) 등에 박막층을 증착시킬 수 있다.The heating unit 300 may heat the main body 100. In detail, the heating unit 300 may be heated to a temperature higher than the evaporation temperature of the raw materials contained in the receiving unit 200 disposed in the main body 100. Accordingly, the raw materials in the accommodating portion 200 can be vaporized, and the vaporized raw materials move in the direction of the arrow in FIG. 2 and are moved in the direction of the nozzle 400 in the main body 100, A thin film layer can be deposited on the substrate S or the like.

상기 가열부(300)는 복수 개의 서브 가열부들을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 가열부(300)는 적어도 2개 이상의 서브 가열부들을 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 가열부(300)는 상기 본체부(100)의 외부에 배치되어, 상기 본체부(100)를 감싸는 적어도 2개 이상의 서브 가열부들을 포함할 수 있다.The heating unit 300 may include a plurality of sub-heating units. In detail, the heating unit 300 may include at least two sub-heating units. In more detail, the heating unit 300 may include at least two sub-heating units disposed outside the main body 100 and surrounding the main body 100.

도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 가열부(300)는 제 1 서브 가열부(310) 및 제 2 서브 가열부(320)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 서브 가열부(310) 및 상기 제 2 가열부(320)는 상기 본체부(100)의 제 1 영역 및 제 2 영역에 각각 배치될 수 있다.Referring to FIGS. 1 and 2, the heating unit 300 may include a first sub-heating unit 310 and a second sub-heating unit 320. The first sub heating part 310 and the second heating part 320 may be disposed in the first area and the second area of the main body 100, respectively.

일례로, 상기 제 1 서브 가열부(310)는 상기 본체부(100)의 좌측 영역인 제 1 영역(1 area)에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 2 서브 가열부(320)는 상기 본체부(100)의 우측 영역인 제 2 영역(2 area)에 배치될 수 있다.For example, the first sub-heating part 310 may be disposed in a first area (left area) of the main body 100. In addition, the second sub heating unit 320 may be disposed in a second area (right area) of the main body 100.

상기 제 1 서브 가열부(310) 및 상기 제 2 서브 가열부(320)는 상기 제 1 영역 및 상기 제 2 영역에 각각 배치되고, 서로 일정 거리만큼 이격하여 배치될 수 있다.The first sub heating part 310 and the second sub heating part 320 may be disposed in the first area and the second area, respectively, and may be spaced apart from each other by a certain distance.

상기 제 1 서브 가열부(310) 및 상기 제 2 서브 가열부(320)에는 개별적으로 전원이 공급되어 상기 본체부(100)를 가열할 수 있다. 자세하게, 상기 본체부(100)의 외부에는 상기 가열부(300) 즉, 상기 제 1 서브 가열부(310) 및 상기 제 2 서브 가열부(320)에 각각 전원을 인가하는 전원부들(도면에 미도시)이 배치될 수 있고, 상기 전원부들은 상기 제 1 서브 가열부(310) 및 상기 제 2 서브 가열부(320)에 각각 개별적인 전원을 인가하여 상기 제 1 서브 가열부(310) 및 상기 제 2 서브 가열부(320)를 구동시킬 수 있다.Power is supplied to the first sub-heating unit 310 and the second sub-heating unit 320, respectively, so that the main body unit 100 can be heated. Power supply units (not shown) for applying power to the heating unit 300, that is, the first sub-heating unit 310 and the second sub-heating unit 320, respectively, And the power supply units may apply power to the first sub heating unit 310 and the second sub heating unit 320 to supply power to the first sub heating unit 310 and the second sub heating unit 320, The sub heating unit 320 can be driven.

이에 따라, 상기 제 1 서브 가열부(310)에 의해 가열되는 상기 본체부(100)의 상기 제 1 영역의 온도가 상기 제 2 영역보다 높은 경우, 상기 제 1 서브 가열부(310)에 전원을 인가하는 전원부를 제어하여, 온도를 낮추거나, 또는 상기 제 2 서브 가열부(320)에 전원을 인가하는 전원부를 제어하여, 온도를 높일 수 있다.Accordingly, when the temperature of the first region of the main body 100 heated by the first sub-heating portion 310 is higher than that of the second region, power is supplied to the first sub-heating portion 310 The temperature can be lowered by controlling the power source unit to which the power is applied, or by controlling the power source unit that applies power to the second sub-heating unit 320. [

또는, 상기 제 2 서브 가열부(320)에 의해 가열되는 상기 본체부(100)의 상기 제 2 영역의 온도가 상기 제 1 영역보다 높은 경우, 상기 제 2 서브 가열부(320)에 전원을 인가하는 전원부를 제어하여, 온도를 낮추거나, 또는 상기 제 1 서브 가열부(310)에 전원을 인가하는 전원부를 제어하여, 온도를 높일 수 있다.Alternatively, when the temperature of the second region of the main body 100 heated by the second sub-heating portion 320 is higher than the first region, power is applied to the second sub-heating portion 320 The temperature can be lowered by controlling the power supply unit for controlling the power supply unit, or the power supply unit for applying power to the first sub-heating unit 310 can be controlled.

이에 따라, 실시예에 따른 증착장치는 본체부 내부의 온도를 본체부 전 영역에 걸쳐 균일하게 제어할 수 있다.Accordingly, the deposition apparatus according to the embodiment can uniformly control the temperature inside the main body portion over the entire region of the main body portion.

종래에는, 본체부를 가열하는 가열부가 본체부의 외부에서 본체부를 감싸는 일체형으로 형성되었다. 즉, 하나의 전원부에서 가열부에 전원을 공급하였고, 하나의 가열부에 의해 본체부들이 가열되었다.Conventionally, a heating part for heating the main body part is integrally formed to surround the main body part from the outside of the main body part. That is, power is supplied from one power source to the heating unit, and the main body units are heated by one heating unit.

이에 따라, 본체부의 전 영역 중 중앙 영역 또는 양 끝단 영역의 온도가 높거나 또는 낮게되어 본체부의 전 영역에서 온도가 불균일하게 되어, 증착장치에 의해 증착되는 박막 두께가 균일하지 못하는 문제점이 있었다. 또한, 하나의 가열부에 의해 본체부가 가열되므로, 온도 불균일을 제어하지 못하는 문제점이 있었다.As a result, the temperature of the central region or both end regions of the entire region of the main body portion becomes high or low, and the temperature becomes uneven throughout the main body portion, resulting in a problem that the thickness of the thin film deposited by the vapor deposition apparatus is not uniform. Further, since the main body portion is heated by one heating portion, temperature unevenness can not be controlled.

이러한 문제점을 해결하기 위해, 실시예에 따른 증착장치는, 본체부를 가열하는 가열부가 각각의 영역을 가열하는 복수 개의 서브 가열부들을 포함할 수 있다. 이에 따라, 본체부의 각각의 영역마다 서브 가열부들에 의해 개별적으로 가열하므로, 본체부 전 영역에 걸쳐 온도를 균일하게 유지할 수 있다. 또한, 각각의 서브 가열부들에 전원을 인가하는 각각의 전원부들을 포함함으로써, 서브 가열부들의 가열 온도를 개별적으로 제어할 수 있으므로, 가열부의 가열 온도를 용이하게 제어할 수 있다.In order to solve such a problem, the deposition apparatus according to the embodiment may include a plurality of sub-heating sections for heating respective regions of the heating section for heating the main body section. As a result, the sub heating portions are individually heated for each region of the main body portion, so that the temperature can be uniformly maintained over the entire region of the main body portion. In addition, by including the respective power supply sections for applying power to the respective sub heating sections, the heating temperatures of the sub heating sections can be individually controlled, so that the heating temperature of the heating section can be easily controlled.

따라서, 실시예에 따른 증착장치는 가열부의 온도를 용이하게 제어할 수 있고, 본체부 전 영역의 온도를 균일하게 유지할 수 있으므로, 이에 의해, 기판 등에 증착되는 박막 두께를 균일하게 할 수 있다.
Therefore, the deposition apparatus according to the embodiment can easily control the temperature of the heating section and can uniformly maintain the temperature of the entire area of the main body section, thereby making it possible to uniform the thickness of the thin film deposited on the substrate or the like.

이하, 도 3을 참조하여, 제 2 실시예에 따른 증착장치(2000)를 설명한다. 제 2 실시예에 따른 증착장치에 대한 설명에서는 앞서 설명한 제 1 실시예에 따른 증착장치에 대한 설명과 동일 유사한 부분에 대한 설명은 생략한다. 즉, 제 2 실시예에 따른 증착장치에 대한 설명은 앞서 설명한 제 1 실시예에 따른 증착장치에 대한 설명과 본질적으로 결합된다.Hereinafter, a deposition apparatus 2000 according to the second embodiment will be described with reference to FIG. In the description of the deposition apparatus according to the second embodiment, description of parts similar to those of the deposition apparatus according to the first embodiment described above will be omitted. That is, the description of the deposition apparatus according to the second embodiment is essentially combined with the description of the deposition apparatus according to the first embodiment described above.

도 3을 참조하면, 제 2 실시예에 따른 증착장치는 제 1 서브 가열부(310), 제 2 서브 가열부(320) 및 제 3 서브 가열부(330)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3, the deposition apparatus according to the second embodiment may include a first sub-heating unit 310, a second sub-heating unit 320, and a third sub-heating unit 330.

상기 제 1 서브 가열부(310)는 상기 본체부(100)의 제 1 영역에 배치되고, 상기 제 2 서브 가열부(320)는 상기 본체부(100)의 제 2 영역에 배치되며, 상기 제 3 가열부(3300는 상기 본체부(100)의 제 3 영역에 배치될 수 있다.The first sub-heating part 310 is disposed in a first area of the main body 100 and the second sub-heating part 320 is disposed in a second area of the main body 100, 3 heating unit 3300 may be disposed in the third region of the main body 100. [

자세하게, 상기 제 1 서브 가열부(310)는 상기 본체부(100)의 좌측 영역인 제 1 영역(1 area)에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 2 서브 가열부(320)는 상기 본체부(100)의 우측 영역인 제 2 영역(2 area)에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 3 서브 가열부(330)는 상기 본체부(100)의 중앙 영역인 제 3 영역(3 area)에 배치될 수 있다.In detail, the first sub-heating unit 310 may be disposed in a first area (left area) of the main body 100. In addition, the second sub heating unit 320 may be disposed in a second area (right area) of the main body 100. The third sub-heating unit 330 may be disposed in a third area, which is a central area of the main body 100.

상기 제 1 서브 가열부(310), 상기 제 2 서브 가열부(320) 및 상기 제 3 서브 가열부(330)는 상기 제 1 영역, 상기 제 2 영역 및 상기 제 3 영역에 각각 배치되고, 서로 일정 거리만큼 이격하여 배치될 수 있다.The first sub-heating unit 310, the second sub-heating unit 320, and the third sub-heating unit 330 are disposed in the first region, the second region, and the third region, respectively, They can be arranged apart by a certain distance.

상기 제 1 서브 가열부(310), 상기 제 2 서브 가열부(320) 및 상기 제 3 서브 가열부(330)에는 개별적으로 전원이 공급되어 상기 본체부(100)를 가열할 수 있다. 자세하게, 상기 본체부(100)의 외부에는 상기 가열부(300) 즉, 상기 제 1 서브 가열부(310), 상기 제 2 서브 가열부(320) 및 상기 제 3 서브 가열부(330)에 각각 전원을 인가하는 전원부들(도면에 미도시)이 배치될 수 있고, 상기 전원부들은 상기 제 1 서브 가열부(310), 상기 제 2 서브 가열부(320) 및 상기 제 3 서브 가열부(330)에 각각 개별적인 전원을 인가하여 상기 제 1 서브 가열부(310), 상기 제 2 서브 가열부(320) 및 상기 제 3 서브 가열부(330)를 구동시킬 수 있다.Power may be separately supplied to the first sub-heating unit 310, the second sub-heating unit 320, and the third sub-heating unit 330 to heat the main body 100. In detail, the heating unit 300, that is, the first sub-heating unit 310, the second sub-heating unit 320, and the third sub-heating unit 330 are provided outside the main body 100, respectively (Not shown in the drawing) for applying power to the first sub heating unit 310, the second sub heating unit 320, and the third sub heating unit 330, The second sub heating unit 320, and the third sub heating unit 330 by applying power to the first sub heating unit 310, the second sub heating unit 320, and the third sub heating unit 330, respectively.

이에 따라, 상기 제 1 서브 가열부(310)에 의해 가열되는 상기 본체부(100)의 상기 제 1 영역의 온도가 다른 영역보다 높은 경우, 상기 제 1 서브 가열부(310)에 전원을 인가하는 전원부를 제어하여, 온도를 낮추거나, 또는 상기 제 2 서브 가열부(320) 및/또는 상기 제 3 서브 가열부(330)에 전원을 인가하는 전원부를 제어하여, 온도를 높일 수 있다.Accordingly, when the temperature of the first region of the main body 100 heated by the first sub-heating portion 310 is higher than the temperature of the other region, power is applied to the first sub-heating portion 310 The temperature can be increased by controlling the power supply unit to lower the temperature or to control the power supply unit that applies power to the second sub-heating unit 320 and / or the third sub-heating unit 330. [

또는, 상기 제 2 서브 가열부(320)에 의해 가열되는 상기 본체부(100)의 상기 제 2 영역의 온도가 다른 영역보다 높은 경우, 상기 제 2 서브 가열부(320)에 전원을 인가하는 전원부를 제어하여, 온도를 낮추거나, 또는 상기 제 1 서브 가열부(310) 및/또는 상기 제 3 서브 가열부(330)에 전원을 인가하는 전원부를 제어하여, 온도를 높일 수 있다.Alternatively, when the temperature of the second region of the main body 100 heated by the second sub-heating portion 320 is higher than the temperature of the second region, The temperature can be lowered by controlling the power supply unit for lowering the temperature or for applying power to the first sub-heating unit 310 and / or the third sub-heating unit 330.

또는, 상기 제 3 서브 가열부(330)에 의해 가열되는 상기 본체부(100)의 상기 제 3 영역의 온도가 다른 영역보다 높은 경우, 상기 제 3 서브 가열부(330)에 전원을 인가하는 전원부를 제어하여, 온도를 낮추거나, 또는 상기 제 1 서브 가열부(310) 및/또는 상기 제 2 서브 가열부(320)에 전원을 인가하는 전원부를 제어하여, 온도를 높일 수 있다.Alternatively, when the temperature of the third region of the main body 100 heated by the third sub-heating portion 330 is higher than the temperature of the third region, The temperature can be lowered by controlling the power supply unit for lowering the temperature or for applying power to the first sub-heating unit 310 and / or the second sub-heating unit 320.

이에 따라, 실시예에 따른 증착장치는 본체부 내부의 온도를 본체부 전 영역에 걸쳐 균일하게 제어할 수 있다.
Accordingly, the deposition apparatus according to the embodiment can uniformly control the temperature inside the main body portion over the entire region of the main body portion.

도 4에는 실시예에 따른 증착장치에 의해 제조되는 태양전지의 일례가 도시되어 있다.4 shows an example of a solar cell manufactured by the deposition apparatus according to the embodiment.

도 4를 참조하면, 실시예에 따른 증착장치에 의해 제조되는 태양전지는 유리 또는 플라스틱을 포함하는 기판(S) 상에 후면 전극층(510), CIGS 광 흡수층(520), 버퍼층(530) 및 전면 전극층(530)을 순차적으로 적층하여 제조될 수 있다.4, a solar cell manufactured by the deposition apparatus according to the embodiment includes a back electrode layer 510, a CIGS light absorbing layer 520, a buffer layer 530, and a front surface layer 530 on a substrate S including glass or plastic. And an electrode layer 530 in this order.

상기 후면 전극층(510)은 도전층일 수 있다. 상기 후면 전극층(510)으로 사용되는 물질의 예로서는 몰리브덴 등의 금속을 들 수 있다.The rear electrode layer 510 may be a conductive layer. Examples of the material used for the rear electrode layer 510 include metals such as molybdenum.

상기 광 흡수층(520)은 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족 계 화합물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 광 흡수층(520)은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계) 결정 구조, 구리-인듐-셀레나이드계 또는 구리-갈륨-셀레나이드계 결정 구조를 가질 수 있다.The light absorption layer 520 may include an I-III-VI group compound. For example, the light absorbing layer 520 is copper-indium-gallium-selenide-based (Cu (In, Ga) Se 2; CIGS-based) crystal structure, a copper-indium-selenide-based or copper-gallium-selenide Crystal structure.

상기 버퍼층(530)은 황화 카드뮴(CdS) 또는 산화아연(ZnO) 등을 포함할 수 있다.The buffer layer 530 may include cadmium sulfide (CdS) or zinc oxide (ZnO).

상기 전면 전극층(540)은 산화물을 포함할 수 있다. 일례로, 상기 전면 전극층(540)으로 사용되는 물질의 예로서는 알루미늄이 도핑된 징크 옥사이드(Al doped ZnC;AZO), 인듐 징크 옥사이드(indium zinc oxide;IZO) 또는 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide;ITO) 등을 들 수 있다.
The front electrode layer 540 may include an oxide. Examples of the material used for the front electrode layer 540 include Al doped ZnC (indium zinc oxide), indium zinc oxide (IZO), indium tin oxide (ITO) And the like.

실시예에 따른 증착장치는 태양전지 제조에 사용될 수 있다. 특히, 실시예에 따른 증착장치는 태양전지 제조시 광 흡수층 형성에 사용될 수 있다. 더 자세하게, 실시예에 따른 증착장치는 CIGS계 태양전지 제조에 사용될 수 있다. 즉, 실시예에 따른 증착장치는 수용부 내에 구리(Cu), 인듐(In), 갈륨(Ga) 및 셀레늄(Se) 중 적어도 하나의 금속을 수용하고, 각각의 금속들을 증발 온도까지 가열하여 기판 등에 CIGS 박막층을 형성할 수 있다.The deposition apparatus according to the embodiment can be used for manufacturing a solar cell. In particular, the deposition apparatus according to the embodiment can be used for forming a light absorbing layer in manufacturing a solar cell. More specifically, the deposition apparatus according to the embodiment can be used for manufacturing a CIGS-based solar cell. That is, in the deposition apparatus according to the embodiment, at least one metal of copper (Cu), indium (In), gallium (Ga), and selenium (Se) is contained in the accommodating portion, A CIGS thin film layer can be formed.

이에 따라, 실시예에 따른 증착장치는 CIGS계 태양전지 제조시 증착장치의 온도를 제어함으로써, CIGS 광 흡수층의 두께가 균일하도록 증착할 수 있고, 이에 따라, 향상된 신뢰성 및 효율을 가지는 CIGS계 태양전지를 제조할 수 있다.
Accordingly, the deposition apparatus according to the embodiment can deposit the CIGS light absorbing layer so that the thickness of the CIGS light absorbing layer is uniform by controlling the temperature of the vapor deposition apparatus when manufacturing the CIGS type solar cell. Accordingly, the CIGS solar cell having improved reliability and efficiency Can be produced.

상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. The features, structures, effects and the like described in the foregoing embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified in other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be construed as limiting the scope of the present invention. It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments may be modified and implemented. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.

Claims (10)

본체부;
상기 본체부의 내부에 배치되고, 원료를 수용하는 수용부; 및
상기 본체부의 외부에 배치되어, 상기 본체부를 감싸는 가열부를 포함하고,
상기 가열부는 적어도 2개 이상의 서브 가열부를 포함하는 증착장치.A body portion;
A receiving portion disposed inside the main body portion and containing a raw material; And
And a heating unit disposed outside the main body unit and surrounding the main body unit,
Wherein the heating section includes at least two sub heating sections. 제 1항에 있어서,
상기 가열부는, 제 1 서브 가열부 및 제 2 서브 가열부를 포함하고,
상기 제 1 서브 가열부는 상기 본체의 좌측 영역에 배치되고,
상기 제 2 서브 가열부는 상기 본체의 우측 영역에 배치되는 증착장치.The method according to claim 1,
The heating section includes a first sub-heating section and a second sub-heating section,
The first sub-heating section is disposed in the left region of the main body,
And the second sub-heating part is disposed in the right region of the main body. 제 2항에 있어서,
상기 제 1 서브 가열부 및 상기 제 2 서브 가열부는 서로 이격하여 배치되는 증착장치.3. The method of claim 2,
Wherein the first sub-heating part and the second sub-heating part are disposed apart from each other. 제 1항에 있어서,
상기 가열부는, 제 서브 1 가열부, 제 2 서브 가열부 및 제 3 서브 가열부를 포함하고,
상기 제 1 서브 가열부는 상기 본체의 좌측 영역에 배치되고,
상기 제 2 서브 가열부는 상기 본체의 우측 영역에 배치되고,
상기 제 3 서브 가열부는 상기 본체의 중앙 영역에 배치되는 증착장치.The method according to claim 1,
The heating section includes a first sub-heating section, a second sub-heating section, and a third sub-heating section,
The first sub-heating section is disposed in the left region of the main body,
The second sub-heating section is disposed in the right region of the main body,
And the third sub-heating section is disposed in a central region of the main body. 제 4항에 있어서,
상기 제 1 서브 가열부, 상기 제 2 서브 가열부 및 상기 제 3 서브 가열부는 서로 이격하여 배치되는 증착장치.5. The method of claim 4,
Wherein the first sub-heating section, the second sub-heating section, and the third sub-heating section are disposed apart from each other. 제 1항에 있어서,
상기 가열부는 탄소, 세라믹 및 석영 중 적어도 하나의 물질을 포함하는 증착장치.The method according to claim 1,
Wherein the heating unit includes at least one of carbon, ceramic, and quartz. 제 1항에 있어서,
상기 가열부는 상기 본체부의 전(全)면을 감싸면서 배치되는 증착장치.The method according to claim 1,
Wherein the heating unit is disposed while covering the entire surface of the main body. 제 1항에 있어서,
상기 본체부의 외부에 배치되고, 상기 가열부에 전원을 인가하는 전원부들을 더 포함하고,
상기 전원부들은 상기 서브 가열부들에 개별적으로 전원을 인가하는 증착장치.The method according to claim 1,
Further comprising power supply units disposed outside the main body unit and configured to apply power to the heating unit,
Wherein the power supply units individually apply power to the sub-heating units. 제 1항에 있어서,
상기 원료는 구리(Cu), 인듐(In), 갈륨(Ga) 및 셀레늄(Se) 중 적어도 하나의 금속을 포함하는 증착장치.The method according to claim 1,
Wherein the raw material includes at least one of copper (Cu), indium (In), gallium (Ga), and selenium (Se). 제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 따른 증착장치를 이용하여 제조되는 태양전지.
A solar cell manufactured using the deposition apparatus according to any one of claims 1 to 9.
KR1020140012074A 2014-02-03 2014-02-03 Deporation apparatus KR20150091627A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140012074A KR20150091627A (en) 2014-02-03 2014-02-03 Deporation apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140012074A KR20150091627A (en) 2014-02-03 2014-02-03 Deporation apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20150091627A true KR20150091627A (en) 2015-08-12

Family

ID=54056402

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140012074A KR20150091627A (en) 2014-02-03 2014-02-03 Deporation apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20150091627A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103283031A (en) Photovoltaic device containing an n-ype dopant source
KR101012847B1 (en) manufacturing method of compound sollar cell using ??? nanorod and the compound sollar cell
US20140345668A1 (en) Solar cell module and method of fabricating the same
US20130092236A1 (en) Solar cells
KR101210046B1 (en) Solar cell and method of fabricating the same
KR101734362B1 (en) Forming method for acigs film at low temperature and manufacturing method for solar cell by using the forming method
KR20100096642A (en) Manufacturing method of compound sollar cell using window layer by atmospheric plasma treatment and the compound sollar cell
KR20100058751A (en) Method of fabricating absorption layer of solar cell
US9076917B2 (en) Method of manufacturing photovoltaic cell
KR101210110B1 (en) Solar cell and method of fabricating the same
KR101154696B1 (en) Solar cell apparatus and method of fabricating the same
KR101504343B1 (en) Manufacturing method of compound semiconductor solar cell
KR20150091627A (en) Deporation apparatus
CN103840020A (en) Solar call and method of manufacturing the same
KR101210034B1 (en) Solar cell and method of fabricating the same
KR20150089871A (en) Deporation apparatus
KR20190118379A (en) Multilayer transparent electrodes and organic solar cells having the same
KR102076544B1 (en) Method of fabricating absorption layer
KR101403288B1 (en) System for rapid thermal process of solar cell films
KR20150089872A (en) Deporation apparatus
KR20150091624A (en) Deporation apparatus
KR20150089873A (en) Deporation apparatus
KR101306459B1 (en) Solar cell apparatus and method of fabricating the same
KR101327010B1 (en) Solar cell and method of fabricating the same
CN108922944B (en) Method for manufacturing solar battery

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination