KR20150089750A - Micro electro mechanical systems magnetic field sensor package - Google Patents
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Abstract
Description
실시 예는, 자계 센서 패키지에 관한 것으로, 특히 멤스 자계 센서 패키지에 관한 것이다.Embodiments relate to a magnetic sensor package, and more particularly to a MEMS magnetic sensor package.
MEMS(MICRO ELECTRO MECHANICAL SYSTEMS) 용량형 센싱 기술 기반의 자계 센서의 경우 일반적으로 자계에 반응하여 움직임이 가능한 구동 전극과 이에 대응하여 용량의 변화를 센싱할 수 있는 고정전극으로 구성되어 있다. MEMS (MICRO ELECTRO MECHANICAL SYSTEMS) In the case of a magnetic sensor based on capacitive sensing technology, it is generally composed of a driving electrode capable of moving in response to a magnetic field and a fixed electrode capable of sensing a change in capacitance corresponding thereto.
자계 센서의 원리는 구동 전극에 일정방향으로 기준전류를 흘려주게 되면 외부에서 들어오는 자계 방향과 세기에 따라 로렌츠의 힘에 의해 구동 전극이 고정전극에 대해서 양이나 음의 방향으로 움직이게 된다. The principle of the magnetic field sensor is that when the reference current is supplied to the driving electrode in a predetermined direction, the driving electrode moves in the positive or negative direction with respect to the fixed electrode by the Lorentz force according to the magnetic field direction and intensity from the outside.
이때 두 전극 간의 거리나 오버랩 면적의 변화가 발생하여 커패시턴스가 변화하게 된다. 이러한 커패시턴스의 변화 또는 이와 상응하여 변화하는 신호를 검출함으로써 자계를 센싱하게 된다. At this time, the distance between the two electrodes and the overlap area change, and the capacitance changes. And sensing the magnetic field by detecting such a change in capacitance or correspondingly changing signal.
그러나, 자계를 센싱하기 위해 이용되는 로렌츠의 힘은 중력과 비교해서 상대적으로 매우 작기 때문에 스프링 등의 센서구조 설계의 제한으로 인해 충분한 기계적 변위량을 얻기 어렵다.However, since the Lorentz force used to sense the magnetic field is relatively small compared with gravity, it is difficult to obtain a sufficient mechanical displacement amount due to restriction of the sensor structure design such as a spring.
또한, 측정 대상의 전류가 흐르는 도체와 센서 사이의 거리가 멀어질수록 자계 감도가 작아져 정확한 신호를 검출하는 것이 용이하지 않다.Further, as the distance between the conductor through which the current to be measured flows and the sensor becomes longer, the magnetic field sensitivity becomes smaller and it is not easy to detect an accurate signal.
한편, 최근에는 상기 도체와 자계 센서를 하나의 패키지로 구성하여, 하나의 수용 공간 내에 상기 도체와 자계 센서를 함께 배치하여, 상기 자계의 강도를 높이고 있다.On the other hand, in recent years, the conductor and the magnetic field sensor are formed as one package, and the conductor and the magnetic field sensor are disposed together in one receiving space, thereby enhancing the strength of the magnetic field.
이때, 자계 센서의 경우, 센서 구조체로 들어오는 자계의 방향에 따라 구동 전극의 변위량의 차이가 발생하기 때문에, 상기 센서 구조체와 도체의 배치를 적절히 해야 한다.At this time, in the case of the magnetic field sensor, the displacement amount of the driving electrode varies depending on the direction of the magnetic field entering the sensor structure. Therefore, the sensor structure and the conductor should be arranged properly.
도 1은 종래 기술에 따른 센서 패키지 내에서, 측정 대상의 전류가 흐르는 도체와, 상기 센서 구조체의 배치를 나타낸 도면이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a diagram showing a conductor in which a current to be measured flows in the sensor package according to the prior art, and the arrangement of the sensor structure. Fig.
도 1을 참조하면, 종래 기술에 따른 센서 패키지는, 센서 구조체(20)를 포함하는 자계 센서(10), 상기 자계 센서(10) 위에 배치되어, 측정 대상의 전류가 유동하는 도선(30)을 포함한다.Referring to FIG. 1, a sensor package according to the related art includes a
상기 도선(30)은 상기 센서 구조체(20)와 일정 간격 이격된 상태에서, 상기 센서 구조체(20)와 상하로 평행하게 배치된다.The
그러나, 상기와 같은 센서 패키지에 의하면, 도선(30)과 센서 구조체(20)가 상하로 평행하게 배치되기 때문에, 상기 센서 구조체(20)로 들어오는 자계 방향이 수평 또는 경사를 가지게 된다.However, according to the sensor package as described above, since the
따라서, 상기 자계 방향이 수평 또는 경사를 가진 상태이기 때문에 로렌츠의 힘이 상기 센서 구조체(20)의 수직 방향으로 작용하여, 상기 센서 구조체(20)의 변위량이 감소하거나, 이상구동을 발생하게 된다.Therefore, since the magnetic field is horizontal or inclined, the force of the Lorentz acts in the vertical direction of the
상기와 같이, 센서 구조체(20)의 변위량이 감소하거나 이상구동이 발생하게 되면, 동일 전류 세기에도 상기 자계 센서의 출력 신호가 감소하게 되며, 또한 상기 자계 센서의 출력 값이 불안정하게 나타나는 문제점이 있다.As described above, when the amount of displacement of the
본 발명에 따른 실시 예에서는, 새로운 구조의 센서 패키지 및 이의 제조 방법을 제공하도록 한다.In the embodiment according to the present invention, a sensor package of a new structure and a manufacturing method thereof are provided.
또한, 본 발명에 따른 실시 예에서는, 측정 대상의 전류가 흐르는 도선으로부터 발생하는 자기장이 센서 구조체의 수직 방향으로 발생하는 센서 패키지 및 이의 제조 방법을 제공하도록 한다.Further, in an embodiment according to the present invention, a sensor package in which a magnetic field generated from a conductor through which a current to be measured flows is generated in the vertical direction of the sensor structure, and a method of manufacturing the same are provided.
제안되는 실시 예에서 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 제안되는 실시 예가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.It is to be understood that the technical objectives to be achieved by the embodiments are not limited to the technical matters mentioned above and that other technical subjects not mentioned are apparent to those skilled in the art to which the embodiments proposed from the following description belong, It can be understood.
실시 예에 따른 멤스 자계 센서 패키지는 패키지 몸체; 상기 패키지 몸체 위에 배치되며, 자기장에 의해 변위가 발생하는 센서 구조체를 포함하는 자계 센서; 및 상기 패키지 몸체 위에 형성되며, 측정 대상의 전류를 유동시켜 상기 센서 구조체의 변위를 위한 자기장을 발생하는 도선을 포함하며, 상기 도선 및 상기 센서 구조체는, 서로 동일한 평면상에 형성된다.A MEMS sensor package according to an embodiment includes a package body; A magnetic sensor disposed on the package body and including a sensor structure in which a displacement is generated by a magnetic field; And a conductor formed on the package body and generating a magnetic field for displacement of the sensor structure by flowing a current of the measurement object, wherein the conductor and the sensor structure are formed on the same plane.
또한, 상기 도선은, 상기 측정 대상 전류에 의해 발생하는 자기장이 상기 센서 구조체의 수직 방향으로 발생하도록 한다.Further, the conductor causes a magnetic field generated by the measurement subject current to be generated in the vertical direction of the sensor structure.
또한, 상기 센서 구조체는, 상기 자계 센서를 구성하는 몸체의 내부에서 부유하며 형성된다.In addition, the sensor structure is formed by floating inside the body constituting the magnetic field sensor.
또한, 상기 패키지 몸체에는, 상기 자계 센서가 삽입되는 제 1 홈과, 상기 도선이 매립되는 제 2 홈을 포함하며, 상기 제 1 홈과 제 2 홈의 깊이는 서로 다르다.In addition, the package body may include a first groove into which the magnetic sensor is inserted and a second groove into which the conductive line is embedded, and the depths of the first groove and the second groove are different from each other.
또한, 상기 제 2 홈은, 상기 제 1 홈의 깊이로부터 상기 센서 구조체의 부유 높이만큼 얕은 깊이를 가진다.The second groove has a shallower depth from the depth of the first groove by the floating height of the sensor structure.
또한, 상기 자계 센서는 상기 패키지 몸체의 상면에 부착되고, 상기 도선은, 상기 패키지 몸체의 상면 위로 돌출된 돌기 위에 형성된다.The magnetic sensor is attached to the upper surface of the package body, and the conductor is formed on the protrusion protruding from the upper surface of the package body.
또한, 상기 돌기의 높이는, 상기 센서 구조체의 부유 높이에 상응한다.The height of the protrusion corresponds to the floating height of the sensor structure.
또한, 상기 도선은, 상기 자계 센서와 일정 간격 이격되어, 상기 자계 센서 내에 형성되는 상기 센서 구조체의 배치 방향과 평행한 방향으로 연장되는 직선 형상을 가진다.The conductor has a linear shape spaced apart from the magnetic sensor by a predetermined distance and extending in a direction parallel to the arrangement direction of the sensor structure formed in the magnetic sensor.
또한, 상기 도선은, 상기 자계 센서와 일정 간격 이격되어, 상기 자계 센서 내에 형성되는 상기 센서 구조체의 배치 방향의 수직 방향으로 연장되는 직선 형상을 가진다.The conductor has a linear shape spaced apart from the magnetic sensor by a predetermined distance and extending in a direction perpendicular to the direction of arrangement of the sensor structure formed in the magnetic sensor.
한편, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 멤스 자계 센서 패키지는 패키지 몸체; 상기 패키지 몸체 위에 배치되며, 자기장에 의해 변위가 발생하는 센서 구조체를 포함하는 자계 센서; 및 상기 패키지 몸체에 형성되며, 측정 대상의 전류를 유동시켜 상기 센서 구조체의 변위를 위한 자기장을 발생하는 도선을 포함하며, 상기 도선은, 상기 센서 구조체의 수직 방향으로 인가되는 자기장을 발생한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a MEMS magnetic sensor package including: a package body; A magnetic sensor disposed on the package body and including a sensor structure in which a displacement is generated by a magnetic field; And a conductor formed on the package body and generating a magnetic field for displacement of the sensor structure by flowing a current of the measurement object, wherein the conductor generates a magnetic field applied in the vertical direction of the sensor structure.
또한, 상기 도선은, 상기 패키지 몸체의 내부에 형성되는 제 1 영역의 주위를 둘러싸며 형성되고, 상기 제 1 영역은, 상기 패키지 몸체상에서, 상기 자계 센서가 형성되는 제 2 영역의 연직 하방에 위치하여, 상기 제 2 영역의 적어도 일부와 중첩된다.The conductor may be formed so as to surround the first region formed in the package body, and the first region may be formed on the package body such that the conductor is located at a position below the second region, And overlaps at least a part of the second region.
또한, 상기 제 1 영역은, 상기 패키지 몸체상에서, 상기 센서 구조체가 형성되는 제 3 영역의 연직 하방에 위치하여, 상기 제 3 영역의 전체 영역과 중첩되는 제 1 중첩 영역과, 상기 제 1 중첩 영역으로부터 연장되어, 상기 제 2 영역의 일부와 중첩되는 제 2 중첩 영역을 포함한다.The first region may include a first overlapping region located on the package body and vertically below a third region where the sensor structure is formed and overlapping the entire region of the third region, And overlaps with a portion of the second region.
또한, 상기 도선은, 상기 제 1 영역의 연직 상방에 위치하는 제 2 영역과는 중첩되면서, 상기 제 3 영역과는 비중첩된다.In addition, the conductor overlaps with the second region located above the first region in the vertical direction, and is not overlapped with the third region.
또한, 상기 도선은, 제 1 영역의 주위를 둘러싸며 형성되고, 상기 제 1 영역은, 상기 패키지 몸체상에서, 상기 자계 센서가 형성되는 제 2 영역의 연직 상방에 위치하여, 상기 제 2 영역의 적어도 일부와 중첩된다.The conductive line is formed so as to surround the first region, and the first region is located on the package body in the vertical direction above the second region in which the magnetic field sensor is formed, It overlaps with a part.
또한, 상기 제 1 영역은, 상기 패키지 몸체상에서, 상기 센서 구조체가 형성되는 제 3 영역의 연직 상방에 위치하여, 상기 제 3 영역의 전체 영역과 중첩되는 제 1 중첩 영역과, 상기 제 1 중첩 영역으로부터 연장되어, 상기 제 2 영역의 일부와 중첩되는 제 2 중첩 영역을 포함한다.The first region may include a first overlapping region located on the package body and vertically above a third region where the sensor structure is formed and overlapping the entire region of the third region, And overlaps with a portion of the second region.
또한, 상기 도선은, 상기 제 1 영역의 연직 하방에 위치하는 제 2 영역과는 중첩되면서, 상기 제 3 영역과는 비중첩된다.Further, the lead wire overlaps with the second region located vertically below the first region, and is not overlapped with the third region.
또한, 상기 제 1 영역의 주위를 둘러싸는 도선은, 삼각 형상, 사각 형상, 원 형상, 타원 형상 및 다각 형상 중 적어도 하나의 절곡 부위를 포함하는 형상을 가진다.In addition, the conductor surrounding the periphery of the first region has a shape including at least one bent portion of a triangular shape, a square shape, a circular shape, an elliptical shape, and a polygonal shape.
본 발명에 따른 실시 예에 의하면, 측정 대상의 전류가 흐르는 도선과 센서 구조체의 배치를 최적화함에 따라 자기장이 센서 구조체의 수직 방향으로 발생하도록 함으로써, 로렌츠 힘을 발생시키는데 필요한 자기장 세기의 손실을 최소화할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the magnetic field is generated in the vertical direction of the sensor structure by optimizing the arrangement of the conductor and the sensor structure through which the current to be measured flows, thereby minimizing the loss of the strength of the magnetic field required to generate Lorentz force .
또한, 본 발명에 따른 실시 예에 의하면, 자기장의 방향이 구동 전극의 기준 전류 도선과 수직을 이루도록 함으로써, 구동 전극이 수평 방향 이외의 방향으로 로렌츠 힘을 받아 이상구동할 수 있는 확률을 줄이면서 안정적인 출력 값을 얻을 수 있다.In addition, according to the embodiment of the present invention, by making the direction of the magnetic field perpendicular to the reference current conductor of the driving electrode, it is possible to reduce the probability that the driving electrode receives the Lorentz force in a direction other than the horizontal direction, You can get the output value.
또한, 본 발명에 따른 실시 예에 의하면, 로렌츠 힘을 수평 방향으로 집중함으로써, 구동 전극의 변위량을 최대화할 수 있으며, 이에 따라 동일 전류량 및 동일 자기장 세기에 대해서 출력 값을 최대화시키고 분해능을 향상시킬 수 있다.According to the embodiment of the present invention, by concentrating the Lorentz force in the horizontal direction, it is possible to maximize the amount of displacement of the driving electrode, thereby maximizing the output value and improving the resolution with respect to the same current amount and the same magnetic field intensity have.
도 1은 종래 기술에 따른 센서 패키지 내에서, 측정 대상의 전류가 흐르는 도체와, 상기 센서 구조체의 배치를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 멤스 자계 센서 패키지의 상면도이다.
도 3은 도 2의 멤스 자계 센서 패키지를 A-A'로 절단한 제 1 단면도이다.
도 4는 도 2의 멤스 자계 센서 패키지를 A-A'로 절단한 제 2 단면도이다.
도 5는 도 2의 자계 센서 패키지 내의 자계 센서를 나타내는 상면도이다.
도 6 내지 9는 도 2 및 3에 도시된 자계 센서 패키지의 제조 방법을 공정 순으로 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 멤스 자계 센서 패키지의 상면도이다.
도 11은 도 10에 도시된 도선과 센서 구조체를 확대한 상면도이다.
도 12는 도 10의 멤스 자계 센서 패키지를 A-A'로 절단한 제 2 단면도이다.
도 13은 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 멤스 자계 센서 패키지의 상면도이다.
도 14는 도 13의 멤스 자계 센서 패키지를 A-A'로 절단한 단면도이다.
도 15는 도 13의 멤스 자계 센서 패키지의 변형 예를 보여주기 위한 단면도이다.
도 16은 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 멤스 자계 센서 패키지의 상면도이다.
도 17은 본 발명의 제 5 실시 예에 따른 멤스 자계 센서 패키지의 상면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a diagram showing a conductor in which a current to be measured flows in the sensor package according to the prior art, and the arrangement of the sensor structure. Fig.
2 is a top view of the MEMS magnetic sensor package according to the first embodiment of the present invention.
3 is a first cross-sectional view of the MEMS magnetic sensor package of FIG. 2 taken along line A-A '.
4 is a second cross-sectional view of the MEMS magnetic sensor package of FIG. 2 taken along line A-A '.
5 is a top view of the magnetic field sensor in the magnetic sensor package of FIG.
FIGS. 6 to 9 are views for explaining the manufacturing method of the magnetic sensor package shown in FIGS. 2 and 3 in the process order.
10 is a top view of a MEMS magnetic sensor package according to a second embodiment of the present invention.
11 is an enlarged top view of the conductor and sensor structure shown in Fig.
12 is a second cross-sectional view of the MEMS magnetic sensor package of FIG. 10 taken along line A-A '.
13 is a top view of a MEMS magnetic sensor package according to a third embodiment of the present invention.
14 is a cross-sectional view of the MEMS magnetic sensor package of FIG. 13 taken along line A-A '.
15 is a cross-sectional view showing a modified example of the MEMS magnetic sensor package of FIG.
16 is a top view of a MEMS magnetic sensor package according to a fourth embodiment of the present invention.
17 is a top view of a MEMS magnetic sensor package according to a fifth embodiment of the present invention.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. Throughout the specification, when an element is referred to as "comprising ", it means that it can include other elements as well, without excluding other elements unless specifically stated otherwise.
그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하고, 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.In order to clearly illustrate the present invention in the drawings, thicknesses are enlarged in order to clearly illustrate various layers and regions, and parts not related to the description are omitted, and like parts are denoted by similar reference numerals throughout the specification .
층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.Whenever a portion of a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "on" another portion, it includes not only the case where it is "directly on" another portion, but also the case where there is another portion in between. Conversely, when a part is "directly over" another part, it means that there is no other part in the middle.
본 발명은 센서의 감지 능력이 향상된 멤스 자계 센서 패키지를 제공한다.The present invention provides a MEMS magnetic sensor package with improved sensing capability of the sensor.
이하에서는, 도 2 내지 5를 참조하며, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 멤스 자계 센서 패키지를 설명한다.Hereinafter, a MEMS magnetic sensor package according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
도 2는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 멤스 자계 센서 패키지의 상면도이고, 도 3은 도 2의 멤스 자계 센서 패키지를 A-A'로 절단한 제 1 단면도이고, 도 4는 도 2의 멤스 자계 센서 패키지를 A-A'로 절단한 제 2 단면도이며, 도 5는 도 2의 자계 센서 패키지 내의 자계 센서를 나타내는 상면도이다.FIG. 2 is a top view of a MEMS magnetic sensor package according to a first embodiment of the present invention, FIG. 3 is a first sectional view taken along line A-A 'of the MEMS magnetic sensor package of FIG. 2, Sectional view of the MEMS magnetic sensor package taken along line A-A ', and FIG. 5 is a top view showing the magnetic sensor in the magnetic sensor package of FIG.
상기에서, 도 3은 일 실시 예에 따른 도 2의 멤스 자계 센서 패키지를 A-A'로 절단한 단면도이고, 도 4는 도 3과는 다른 실시 예로, 도 2의 멤스 자계 센서 패키지를 A-A'로 절단한 단면도이다.3 is a cross-sectional view of the MEMS magnetic sensor package of FIG. 2 according to an embodiment of the present invention taken along line A-A '. FIG. 4 is a view of another embodiment of the MEMS magnetic sensor package of FIG. A 'in Fig.
도 2 내지 4를 참조하면, 실시 예에 따른 자계 센서 패키지(300)는 멤스 소자의 자계 센서(100), 패키지 몸체(210), 도선 패드(220), 도선(230), 제어 소자(240), 연결선(250), 보호층(260)을 포함한다.2 through 4, the
패키지 몸체(210)는 지지기판으로서, 절연성 물질로 형성될 수 있다. 구체적으로, 패키지 몸체(210)는 MLC(Multi Layer ceramic), 글라스 기판, 수지 기판 또는 고농도 실리콘 기판 등으로 형성될 수 있다.The
상기 패키지 몸체(210)는 복수의 소자가 배치되어 있다. 즉, 상기 패키지 몸체(210) 위에는 복수의 소자가 부착되어 있으며, 상기 복수의 소자는 상기 연결선(250)을 통해 상호 전기적으로 연결된다.In the
상기 복수의 소자는, 자계 센서(100) 및 제어 소자(240)를 포함할 수 있다.The plurality of elements may include a
상기 자계 센서(100)와 제어 소자(240)는 도 2와 같이 일렬로 배치될 수 있으나, 이에 한정되지 않고, 디자인에 따라 다양하게 배치될 수 있다.The
자계 센서(100)는 내부에 자기장을 감지하는 센서 구성요소들이 포함되어 있는데, 상기 센서 구성요소에는 상기 자기장의 세기에 따라 변위가 발생하는 센서 구조체(120, 130)를 포함한다. 자계 센서(100)는 이웃하는 제어 소자(240)와 연결선(250)을 통해 연결되어 상호 신호를 수신할 수 있다.The
바람직하게, 상기 제어 소자(240)는 상기 자계 센서(100)를 구성하는 복수의 감지 전극(113, 114, 118, 119)과 이웃하게 배치되며, 상기 복수의 감지 전극(113, 114, 118, 119)과 전기적으로 연결될 수 있다. The
또한, 이와 다르게 상기 제어 소자(240)는 상기 자계 센서(100)를 구성하는 복수의 전원전극(111, 112, 116, 117)과 이웃하게 배치되어, 상기 복수의 전원전극(111, 112, 116, 117)과 전기적으로 연결될 수 있다.Alternatively, the
제어 소자(240)는 상기 자계 센서(100)와 연결되어, 상기 자계 센서(100)로 기준 전원을 공급하고, 상기 자계 센서(100)로부터 송신되는 감지 신호를 수신하고, 상기 감지 신호를 분석하여 자기장의 세기에 대한 신호를 생성한다.The
도 2에서는, 하나의 제어 소자(240)와 상기 자계 센서(100) 사이의 연결이 하나의 연결선(250)을 통해 이루어지는 것으로 도시하였으나, 이에 한정되지 않고 복수의 연결선(250)을 통해 상기 하나의 제어 소자(240)와 자계 센서(100)가 연결될 수 있을 것이다.2, the connection between one
상기 연결선(250)은 도 2에 도시된 바와 같이 와이어로 구성될 수 있으나, 이에 한정되지 않고, 상기 자계 센서(100)에 형성되는 전극과, 상기 제어 소자(240)의 전극을 가로지르는 연결 패드(도시하지 않음)로 구현될 수도 있을 것이다.The
보호층(260)은 상기 패키지 몸체(210) 위에 형성된다. 바람직하게, 상기 보호층(260)은 상기 패키지 몸체(210) 위에서 상기 자계 센서(100)와 제어 소자(240)를 둘러싸며 형성된다.A
상기 보호층(260)은 도 3과 같이 상기 패키지 몸체(210) 위에 형성되어, 상기 패키지 몸체(210)의 상부 공간을 밀봉한다.3, the
상기 패키지 몸체(210)에는 측정 대상의 전류를 전달하기 위한 도선(230)이 형성된다. 바람직하게, 상기 도선(230)은 상기 자계 센서(100)에서 감지할 자기장을 생성한다.The
상기 패키지 몸체(210)에는 복수의 도선 패드(220)가 형성되는데, 이때 상기 도선(230)은 일단이 하나의 도선 패드(220)와 연결되고 타단이 다른 하나의 도선 패드(220)와 연결된다.A plurality of
이때, 본 발명의 제 1 실시 예에서의 도선(230)은 일단이 상기 하나의 도선 패드(220)와 연결되고, 타단이 상기 다른 하나의 도선 패드(220)와 연결되도록 대략 직선 형상으로 연장된다.In this case, the
이때, 도선(230)은 상기 자계 센서(100)와 일정 간격 이격된다.At this time, the
상기 도선(230)에는 측정 대상의 전류가 흐르게 되는데, 상기 도선(230)에 측정 대상의 전류가 흐르게 되면, 상기 도선(230)의 주위로 자기장이 발생하게 된다.A current to be measured flows through the
한편, 상기 자계 센서(100)에 기준 전류를 발생시키면, 상기 자계 센서(100) 를 구성하는 센서 구조체(120, 130)는 상기 도선(230)에 의해 발생한 자기장에 반응하여 변위 한다.Meanwhile, when the reference current is generated in the
즉, 상기 센서 구조체(120, 130)에는 상기 도선(230)에 의해 발생한 자기장의 방향 및 세기에 따라 로렌츠 힘이 발생하게 되며, 상기 발생하는 로렌츠 힘에 의해 움직이게 된다. 이때, 상기 센서 구조체(120, 130)의 거리나 오버랩 면적에 변화가 발생하며 용량 값이 변화하게 된다.That is, Lorentz force is generated in the
이에 따라, 상기 제어 소자(240)는 상기와 같은 용량 값의 변화 또는 이와 상응하여 변화하는 전기적인 신호를 검출하여 전류의 세기를 감지하게 된다.Accordingly, the
이때, 상기 도선(230)에 흐르는 전류에 의해 발생하는 자기장의 세기는 수학식 1과 같다.At this time, the intensity of the magnetic field generated by the current flowing in the
이때, 는 자기장의 세기를 의미하고, 는 비투자율(relative permeability)을 의미하며, 는 상기 도선(230)에 흐르는 전류를 의미하고, 은 상기 도선(230)과 상기 자계 센서(100) 사이의 거리이다.At this time, Means the intensity of the magnetic field, Refers to relative permeability, Means a current flowing in the
상기에서, 상기 자계 센서(100)와 도선(230) 사이의 거리는 작으면 작을수록, 상기 도선(230)에서 발생하는 자기장의 세기가 커지게 되며, 이에 따라 상기 도선(230)과 자계 센서(100)의 이격 거리는 5㎛ 내지 20 ㎛, 바람직하게는 10 ㎛ 내지 15 ㎛를 충족할 수 있다.The smaller the distance between the
한편, 상기 자계 센서(100)에 발생하는 로렌츠의 힘이 상기 자계 센서(100)를 구성하는 센서 구조체(120, 130)의 수평방향으로 작용하여야, 동일한 자기장의 세기에서도 상기 센서 구조체(120, 130)의 변위량을 최대화할 수 있다.It should be noted that the Lorentz force generated in the
이때, 상기 로렌츠의 힘의 작용 방향은 상기 도선(230)에서 발생하는 자기장의 방향에 의해 결정된다.At this time, the direction of the force of the Lorentz is determined by the direction of the magnetic field generated in the
이에 따라, 본 발명에서는 상기 로렌츠의 힘이 수평 방향으로 작용하도록, 또는 상기 자기장의 방향이 상기 자계 센서(100)의 수직 방향으로 발생하도록, 상기 도선(230)과 상기 자계 센서(100)를 배치한다.Accordingly, in the present invention, the
이때, 상기 자기장의 방향은 상기 도선(230)을 통해 흐르는 전류의 방향에 의해 결정된다. 즉, 앙페르 법칙에 따르면, 전류가 흐르는 도선(230)을 오른손으로 감아쥐고, 엄지 손가락을 전류가 흐르는 방향으로 향하게 하면, 상기 엄지 손가락을 제외한 나머지 손가락은 자기장의 방향을 나타낸다. 이때, 상기 자기장은 전류와 수직인 면에서 동심원의 모양을 이루고, 그 방향은 오른쪽 나사를 전류의 방향으로 진행시킬 때, 나사를 돌리는 방향이 된다.At this time, the direction of the magnetic field is determined by the direction of the current flowing through the
상기와 같이, 상기 도선(230)에 흐르는 전류에 의해 발생하는 자기장의 방향이 상기 자계 센서(100)를 구성하는 센서 구조체(120, 130)의 수직인 방향이 되도록 하려면, 상기 도선(230)을 상기 자계 센서(100)와 동일 평면상에 형성하면서, 상기 자계 센서(100)의 배치 방향과 평형한 방향으로 형성해야 한다.In order to make the direction of the magnetic field generated by the current flowing in the
이때, 상기 도선(230)을 상기 자계 센서(100)와 동일 평면상에 형성한다 하더라도, 상기 도선(230)에 흐르는 전류에 의해 발생하는 자기장이 상기 센서 구조체(120, 130)의 수직 방향으로 발생하지는 않는다. 다시 말해서, 상기 도선(230)은 상기 자계 센서(100)가 아닌, 상기 자계 센서(100)를 구성하는 센서 구조체(120, 130)와 동일 평면상에 형성하면서, 상기 센서 구조체(120, 130)의 배치 방향과 평행하도록 형성해야만, 상기 자기장이 상기 센서 구조체(120, 130)의 수직 방향으로 발생하게 된다.At this time, even if the
따라서, 본 발명에 따른 제 1 실시 예에서는, 상기 도선(230)을 상기 센서 구조체(120, 130)와 동일 평면상에 놓이도록 하면서, 상기 센서 구조체(120, 130)의 배치 방향과 평행을 이루도록 배치한다.Therefore, in the first embodiment of the present invention, the
상기와 같은 도선(230)과 센서 구조체(120, 130)의 배치에 의해, 상기 도선(230)을 통해 흐르는 전류에 의해 발생하는 자기장이 상기 센서 구조체(120, 130)의 수직 방향으로 발생하도록 하며, 이에 따라 로렌츠의 힘이 수평 방향으로 작용하여 상기 센서 구조체(120, 130)의 변위량을 최대화하도록 한다.The magnetic field generated by the current flowing through the
상기와 같은 배치를 위해, 패키지 몸체(210)에는 제 1 홈(270) 및 제 2 홈(280)이 형성된다.For such an arrangement, a
상기 제 1 홈(270)에는 자계 센서(100)가 삽입된다. 즉, 본 발명에서는, 상기 자계 센서 패키지의 부피를 최소화하기 위하여, 상기 패키지 몸체(210)에 홈을 형성하고, 그에 따라 상기 형성한 홈 내에 상기 자계 센서(100)를 삽입할 수 있다.The
이때, 상기 자계 센서(100)에는 센서 구조체(120, 130)가 형성되는데, 상기 센서 구조체(120, 130)는 상기 자계 센서(100) 내에서 일정 높이 부양된 상태로 형성된다.The
이에 따라, 상기 센서 구조체(120, 130)와 도선(230)을 동일한 평면상에 형성하기 위해서는, 상기 제 1 홈(270)의 형성은 필수적이라 할 수 있다.Accordingly, in order to form the
이때, 상기 제 1 홈(270)의 깊이는, 상기 자계 센서(100) 내에 배치되는 상기 센서 구조체(120, 130)의 높이에 의해 결정될 수 있다.At this time, the depth of the
예를 들어, 상기 센서 구조체(120, 130)가 상기 자계 센서(100)의 하면으로부터 A만큼 떨어진 높이에 형성되는 경우, 상기 제 1 홈(270)은 상기 A에 상응하는 높이로 형성될 수 있다.For example, when the
이와 같은 경우, 상기 패키지 몸체(210)에 형성되는 제 2 홈(280)은 삭제될 수 있다. 즉, 상기 제 1 홈(270)의 깊이를 상기 센서 구조체(120, 130)의 높이에 대응하도록 형성하였기 때문에, 상기 도선(230)을 상기 패키지 몸체(210)의 상면에 직접 형성해야만 상기 도선(230)과 상기 센서 구조체(120, 130)가 동일 평면상에 놓이게 된다.In this case, the
다만, 상기와 같은 경우, 상기 도선(230)의 측면이 외부로 노출될 수 있으며, 이는 상기 도선(230)을 통해 흐르는 전류의 세기를 감소시키는 요인으로 작용할 수 있다.However, in such a case, the side surface of the
따라서, 본 발명에서, 상기 도선(230)을 상기 패키지 몸체(210) 내에 매립하도록 한다.Accordingly, in the present invention, the
이를 위해, 상기 패키지 몸체(210)에는 제 2 홈(280)이 형성되고, 상기 형성된 제 2 홈(280) 내에 상기 도선(230)이 매립된다.A
이때, 상기 제 2 홈(280)의 깊이는 제 1 홈(270)의 깊이 및 상기 자계 센서(100)에서 상기 센서 구조체(120, 130)가 형성된 높이에 의해 결정될 수 있다.At this time, the depth of the
상기 제 2 홈(280)의 높이는 다음 식에 의해 결정할 수 있다.The height of the
여기에서, 상기 D1은 상기 제 1 홈(270)의 깊이를 의미하고, 상기 D3는 상기 자계 센서(100) 내에서 상기 센서 구조체(120, 130)의 부양 높이를 의미하며, 상기 D2는 상기 제 2 홈(280)의 깊이를 나타낸다.Herein, D1 denotes a depth of the
상기와 같이, 제 1 홈(270)에 자계 센서(100)를 삽입하고, 제 2 홈(280)에 도선(230)을 매립하도록 하며, 이때, 상기 도선(230)이 상기 자계 센서(100) 내에 구성되는 센서 구조체(120, 130)와 동일 평면상에 놓이도록 상기 제 1 홈(270)과 제 2 홈(280)의 깊이를 결정한다.The
따라서, 상기와 같은 도선(230)과 센서 구조체(120, 130)의 배치에 의해, 상기 자기장(290)이 상기 센서 구조체(120, 130)의 수직 방향으로 발생할 수 있도록 한다.Accordingly, the magnetic field 290 can be generated in the vertical direction of the
한편, 이와 다르게 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 자계 센서(100)는 상기 패키지 몸체(210) 위에 바로 부착될 수 있다. 즉, 상기 제 1 홈(270)은 삭제될 수 있다.Alternatively, as shown in FIG. 4, the
이때, 상기 자계 센서(100)의 센서 구조체(120, 130)와 상기 도선(230)을 동일 평면상에 형성하기 위하여, 상기 패키지 몸체(210)에는 돌기(215)가 형성될 수 있다.The
상기 돌기(215)는 상기 도선(230)의 형성 공간을 제공하면서, 상기 도선(230)과 센서 구조체(120, 130)를 동일 평면상에 놓이도록 한다.The
이를 위해, 상기 돌기(215)가 가지는 높이는 상기 자계 센서(100) 내에서 상기 센서 구조체(120, 130)의 부양 높이와 동일하게 된다.The height of the
한편, 상기에서는 도선(230)이 직선 형상을 가지며 연장되는데, 상기 연장되는 방향은 상기 자계 센서(100)를 구성하는 센서 구조체(120, 130)의 배치 방향과 평행한 방향이라 하였다. In the above description, the
그러나, 상기 도선(230)이 상기 센서 구조체(120, 130)와 일정 간격 이격된 상태에서, 상기 센서 구조체(120, 130)가 배치된 평면과 동일 평면에 형성되고, 또한, 상기 도선의 연장 방향이 상기 센서 구조체(120, 130)의 배치 방향과 수직 방향을 가져도 상기 도선(230)에서 발생한 자기장이 상기 센서 구조체(120, 130)의 수직 방향으로 작용하게 된다.However, the
따라서, 상기 도선(230)은 도 2에 도시된 제어 소자의 위치에서, 상기 센서 구조체(120, 130)의 배치 방향과 수직 방향으로 형성할 수도 있을 것이다.Accordingly, the
본 발명에 따른 실시 예에 의하면, 측정 대상의 전류가 흐르는 도선과 센서 구조체의 배치를 최적화함에 따라 자기장이 센서 구조체의 수직 방향으로 발생하도록 함으로써, 로렌츠 힘을 발생시키는데 필요한 자기장 세기의 손실을 최소화할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the magnetic field is generated in the vertical direction of the sensor structure by optimizing the arrangement of the conductor and the sensor structure through which the current to be measured flows, thereby minimizing the loss of the strength of the magnetic field required to generate Lorentz force .
또한, 본 발명에 따른 실시 예에 의하면, 자기장의 방향이 구동 전극의 기준 전류 도선과 수직을 이루도록 함으로써, 구동 전극이 수평 방향 이외의 방향으로 로렌츠 힘을 받아 이상구동할 수 있는 확률을 줄이면서 안정적인 출력 값을 얻을 수 있다.In addition, according to the embodiment of the present invention, by making the direction of the magnetic field perpendicular to the reference current conductor of the driving electrode, it is possible to reduce the probability that the driving electrode receives the Lorentz force in a direction other than the horizontal direction, You can get the output value.
또한, 본 발명에 따른 실시 예에 의하면, 로렌츠 힘을 수평 방향으로 집중함으로써, 구동 전극의 변위량을 최대화할 수 있으며, 이에 따라 동일 전류량 및 동일 자기장 세기에 대해서 출력 값을 최대화시키고 분해능을 향상시킬 수 있다.According to the embodiment of the present invention, by concentrating the Lorentz force in the horizontal direction, it is possible to maximize the amount of displacement of the driving electrode, thereby maximizing the output value and improving the resolution with respect to the same current amount and the same magnetic field intensity have.
이하, 도 5를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 자계 센서(100)에 대해 설명하기로 한다.Hereinafter, the
상기에서, 자계 센서(100) 내에 배치되는 센서 구조체(120, 130)는 아래에서 구동 전극부를 의미한다. 즉, 구동 전극부와 센서 구조체는 동일한 의미로 작성되었으며, 이에 따라 자계 센서(100) 내의 동일한 구성요소를 가리킨다.In the above, the
도 5를 참조하면, 자계 센서(100)는 멤스 소자로서, 고정 기판(110), 구동 전극부(120, 130), 및 복수의 탄성부(140, 150, 160, 170)를 포함한다.5, the
멤스 소자(MICRO ELECTRO MECHANICAL SYSTEMS)는 실리콘이나 수정, 유리 등을 가공해 초고밀도 집적회로, 초소형 기어, 하드디스크 등 초미세 기계구조물을 만드는 기술을 말한다. 멤스로 만든 미세 기계는 마이크로미터(100만분의 1 미터) 이하의 정밀도를 갖는다. 구조적으로는 증착과 식각 등의 과정을 반복하는 반도체 미세공정기술을 적용하며, 구동력은 전하간에 서로 당기는 힘인 정전기력과 표면장력 등을 이용해 전류를 발생시켜 전력소비량을 크게 낮추는 원리를 적용한 것이다.MICRO ELECTRO MECHANICAL SYSTEMS (MICRO ELECTRO MECHANICAL SYSTEMS) is a technology for fabricating ultra-fine mechanical structures such as ultra-high density integrated circuits, ultra-small gears, and hard disks by processing silicon, quartz, and glass. Micromachines made with MEMS have a precision of micrometers (less than one millionth of a meter). Structurally, semiconductor microprocessing technology is used to repeat deposition and etching processes. The driving force is applied to the principle of reducing electric power consumption by generating electric current using electrostatic force and surface tension which are attracted to each other between charges.
이러한 멤스 소자로 이루어진 자계 센서(100)의 상기 고정 기판(110)은 구동전극부(120, 130) 및 복수의 탄성부(140, 150, 160, 170)를 지지한다.The fixed
상기 고정 기판(110)은 플레이트 형상을 가지며, 사각형의 프레임 형상을 가질 수 있다. 이러한 고정 기판(110)은 가로로 긴 사각형일 수 있으며, 3mm·1mm의 면적을 가질 수 있다.The fixed
상기 고정 기판(110)은 복수의 층상 구조를 가지며, 전극층(115a, 115b)을 포함할 수 있다.The fixed
상기 지지 기판(110)은 실리콘 기판, 유리기판 또는 폴리머 기판일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.The
상기 고정 기판(110)은 중앙에 구동 전극부(120, 130)를 수용하는 수용공간을 가지는 지지기판(명시되지 않음) 위에 전극층을 패터닝하여 사각형의 각 변을 따라 배치되어 있으며, 서로 분리되어 있는 복수의 전극(111-119)을 포함한다.The fixed
복수의 전극(111-119)은 실리콘, 구리, 알루미늄, 몰리브덴, 텅스텐 등의 전도성 물질일 수 있다. 상기 전극(111-119)은 10㎛ 내지 100㎛의 두께를 가지며, 바람직하게는 50㎛내외의 두께를 가질 수 있다.The plurality of electrodes 111-119 may be a conductive material such as silicon, copper, aluminum, molybdenum, or tungsten. The electrodes 111-119 have a thickness of 10 to 100 탆, and preferably have a thickness of about 50 탆.
상기 전극(111-119)은 4개의 모서리 영역에 배치되어 있는 4개의 감지 전극(113, 114, 118, 119) 및 상기 감지 전극(113, 114, 118, 119)과 이웃하여 상기 수용 공간을 향하여 돌출되는 전원 전극(111, 112, 116, 117)을 포함한다.The electrodes 111-119 are adjacent to the four
상세하게는, y축을 따라 일직선상에서 각각 모서리 영역에 배치되는 제1 감지 전극(113) 및 제2 감지 전극(114)이 형성되며, 제1 감지 전극(113)과 이웃하여 x축 방향으로 제1 감지 전극(113)보다 작은 폭을 갖도록 제1 전원 전극(111)이 형성되고, 제1 전원 전극(111)과 일직선을 이루며, 제2 감지 전극(114)과 이웃하여 x축 방향으로 제2 감지 전극(114)보다 작은 폭을 갖도록 제2 전원전극(112)이 형성되어 있다. In detail, the
실시 예에서는 제1 및 제2 감지 전극(113, 114)이 모서리 영역에 배치된 것으로 도시하였으나, 제1 및 제2 전원 전극(111, 112)이 모서리 영역까지 확장되고, 제1 및 제2 전원 전극(111, 112)이 제1 및 제2 감지 전극(113, 114)과 이웃하게 형성되는 경우, 제1 및 제2 감지 전극(113, 114)의 폭은 제1 및 제2 전원 전극(111, 112)보다 크지 않을 수도 있다.Although the first and
제1 전원 전극(111)과 제2 전원 전극(112)은 소정의 이격 거리를 포함하며, 상기 이격 거리가 소정 범위 이상인 경우, 도 5와 같이 제1 및 제2 전원 전극(112) 사이에 더미 전극(115a)이 더 형성될 수 있다.The
상기 더미 전극(115a)이 형성되는 경우, 더미 전극(115a)은 x축 방향으로 제1 및 제2 전원 전극(111, 112)보다 작은 폭을 갖도록 형성된다.When the
한편, 제1 감지 전극(113)과 x축으로 일직선상에 배치되는 제3 감지 전극(118) 및 제3 감지 전극(118)과 y축을 따라 일직선상에서 모서리 영역에 배치되는 제4 감지 전극(119)을 포함한다.The
또한, 제3 감지 전극(118)과 이웃하여 제3 감지 전극(118)보다 작은 폭을 갖도록 제3 전원 전극(116)이 형성되고, 제3 전원 전극(116)과 일직선을 이루며, 제4 감지 전극(119)과 이웃하여 제4 감지 전극(119)보다 작은 폭을 갖도록 제4 전원 전극(117)이 형성되어 있다.A
제3 전원 전극(116)과 제4 전원 전극(117)은 소정의 이격 거리를 포함하며, 상기 이격 거리가 소정 범위 이상인 경우, 도 5와 같이 제3 및 제4 전원 전극(117) 사이에 더미 전극(115b)이 더 형성될 수 있다.The
상기 더미 전극(115b)이 형성되는 경우, 더미 전극(115b)은 제3 및 제4 전원 전극(116, 117)보다 작은 폭을 갖도록 형성된다.When the
각 감지 전극(113, 114, 118, 119)과 그에 이웃한 전원 전극(111, 112, 116, 117)의 폭 차에 의하여 작은 수용 공간이 각각 더 형성되며, 각각의 작은 수용 공간 내에 탄성부(140, 150, 160, 170)가 배치된다.A small accommodation space is further formed by the difference in width between the sensing
이웃한 탄성부(140, 150, 160, 170)를 지지하기 위하여 각각의 감지 전극(113, 114, 118, 119)으로부터 수용공간을 향하여 돌출되어 상기 전원 전극(111, 112, 116, 117)과 작은 수용 공간을 이루는 돌출부가 더 형성될 수 있다.112, 116, 117, and 118 protruding from the
상기 고정 기판(110)의 수용 공간 내에 구동 전극부(120, 130)가 배치된다.The driving
상기 구동 전극부(120, 130)는 제1, 제2 감지 전극(113, 114) 및 제1, 2 전원 전극(111, 112) 사이에 둘러싸여 전원을 공급받는 제1 구동 전극(120), 및 상기 제3, 제4 감지 전극(118, 119) 및 제3, 4 전원전극(116, 117) 사이에 둘러싸여 전원을 공급받는 제2 구동 전극(130)을 포함한다.The driving
상기 제1 구동 전극(120)은 수용 공간 내에서 y축으로 연장되어 있는 제1 기준 전극(121), 제1 가변 전극(126) 및 둘을 연결하는 적어도 하나의 제1 연결부(180)를 포함한다.The
제1 기준 전극(121)과 제1 가변 전극(126)은 두 개의 탄성부(140, 150)로부터 연장되는 전극층으로 형성된다.The
제1 기준 전극(121)은 제1 및 제2 탄성부(140, 150) 사이를 연결하는 바(bar) 타입의 몸체를 포함하며, 제1 및 제2 탄성부(140, 150)보다 큰 폭을 갖도록 형성된다.The
상기 몸체는 x축 방향으로 돌출되어 확장되며, 이러한 확장은 제1 및 제2 전원 전극(111, 112)과 더미 전극(115a) 사이에서 형성되는 x축 방향으로의 단차에 의한 공간으로의 확장을 의미한다.The body is extended and extended in the x-axis direction. The extension extends to the space formed by the step in the x-axis direction formed between the first and second
상기 제1 기준 전극(121)의 길이는 500㎛ 내지 5000㎛, 바람직하게는 1500㎛ 내지 2500㎛일 수 있다. The length of the
상기 제1 기준 전극(121)은 더미 전극(115a)을 향하여 돌출되어 있는 복수의 제1 기준 전극 돌기(122)를 포함한다.The
상기 제1 기준 전극 돌기(122)는 빗살(comb) 형상으로 형성될 수 있으며, 소정의 길이를 가지는 제1 기준 전극 돌기(212)의 폭은 1㎛ 내지 30㎛, 바람직하게는 3㎛ 내지 4㎛를 충족할 수 있다.The first reference electrode protrusion 122 may be formed in a comb shape and the width of the first reference electrode protrusion 212 having a predetermined length may be 1 탆 to 30 탆, Mu m.
제1 기준 전극(121)의 길이, 제1 기준 전극 돌기(112)의 폭 및 이격 거리에 따라 제1 기준 전극 돌기(122)의 수효가 결정된다.The number of the first reference electrode protrusions 122 is determined according to the length of the
한편, 제1 가변 전극(126)은 제1 기준 전극(121)과 동일한 형상을 가지며, 제1 연결부(180)를 기준으로 서로 대칭적으로 배치된다. 따라서, 제1 구동 전극(120)은 x축 방향의 무게 중심을 유지할 수 있다.The first
즉, 제1 가변 전극(126)은 제1 및 제2 탄성부(140, 150) 사이를 연결하는 바타입의 몸체로 형성되어 있으며, 제1 및 제2 탄성부(140, 150의 다리보다 큰 폭을 갖도록 형성된다.That is, the first
상기 폭은 x축 방향으로 돌출되어 확장되며, 이러한 확장은 제1 및 제2 감지 전극(113, 114)의 돌출부에 의한 수용공간으로의 단차로의 확장을 의미한다.The width is extended in the x-axis direction, and this extension means extension to the stepped portion into the receiving space by the projecting portions of the first and
상기 제1 가변 전극(126)의 길이는 500㎛ 내지 5000㎛, 바람직하게는 1500㎛ 내지 2500㎛일 수 있다. The length of the first
상기 제1 가변 전극(126)은 제2 가변 전극(136)을 향하여 돌출되어 있는 복수의 제1 가변 전극 돌기(127)를 포함한다.The first
상기 제1 가변 전극 돌기(127)는 빗살(comb) 형상으로 형성될 수 있으며, 제1 가변 전극 돌기(127)의 폭은 1㎛ 내지 30㎛, 바람직하게는 3㎛ 내지 4㎛를 충족할 수 있다.The first
제1 기준 전극(121)의 길이, 제1 가변 전극 돌기(127)의 폭 및 이격 거리에 따라 제1 가변 전극 돌기(127)의 수효가 결정된다.The number of the first
한편, 제1 연결부(180)는 제1 기준 전극(121) 및 제1 가변 전극(126)의 몸체 사이에 노출되는 영역을 가지며, 제1 기준 전극(121) 및 제1 가변 전극(126)의 몸체의 일부 또는 전부에 걸치도록 형성된다. The first connection unit 180 has a region exposed between the
제1 연결부(180)는 도 5와 같이 적어도 하나일 수 있으며, 이와 달리 복수 개의 제1 연결부(180)가 일정한 간격을 가지며 배치될 수 있다.As shown in FIG. 5, the first connection unit 180 may be at least one, and the plurality of first connection units 180 may be disposed at a predetermined interval.
상기 제1 연결부(180)는 제1 기준 전극(121)과 제1 가변 전극(126)을 전기적으로 절연하면서 물리적으로 연결한다.The first connection unit 180 physically connects the
상기 제1 연결부(180)는 100㎛·300㎛의 면적을 가질 수 있으며, 장변이 제1 기준 전극(121)과 제1 가변 전극(126)의 몸체를 가로지르도록 배치된다.The first connection part 180 may have an area of 100 탆 and 300 탆 and the long side is arranged to cross the body of the
한편, 상기 제2 구동 전극(130)은 수용공간 내에서 y축으로 연장되어 있는 제2 기준 전극(131), 제2 가변 전극(136) 및 둘을 연결하는 적어도 하나의 제2 연결부(190)를 포함한다.The
제2 기준 전극(131)과 제2 가변 전극(136)은 탄성부(160, 170)로부터 연장되는 전극층으로 형성된다.The
제2 기준 전극(131)은 제1 기준 전극(121)과 동일한 형상을 가지며, 대칭적으로 형성된다.The
상기 제2 기준 전극(131)은 제3 및 제4 탄성부 (160, 170)사이를 연결하는 바(bar) 타입의 몸체를 포함하며, 몸체의 장변으로부터 더미 전극(150b)을 향하여 돌출되어 있는 복수의 제2 기준 전극 돌기(132)를 포함한다.The
제2 가변 전극(136)은 제2 기준 전극(131)과 동일한 형상을 가지며, 제2 연결부(190)를 기준으로 서로 대칭적으로 배치된다. 따라서, 제2 구동 전극(130)은 x축 방향의 무게 중심을 유지할 수 있다.The second
즉, 제2 가변 전극(136)은 제3 및 제4 탄성부(160, 170) 사이를 연결하는 바타입의 몸체로 형성되어 있으며, 제1 가변 전극(126)을 향하여 돌출되어 있는 복수의 제2 가변 전극 돌기(137)를 포함한다.That is, the second
제1 가변 전극 돌기(127)와 제2 가변 전극 돌기(137)는 서로 교차하도록 배치된다.The first
이때, 상기 제1 가변 전극(126)과 제2 가변 전극(136)의 각 전극 돌기(127, 137)가 자계 센서의 중앙 영역에서 서로 마주보도록 배치되어 가변 커패시터를 형성한다.At this time, the
상기 가변 커패시터는 제1 가변 전극(126)의 제1 가변 전극 돌기(127)와, 제2 가변 전극(136)의 제2 가변 전극 돌기(137)가 서로 교차하도록 배치되어 교차되는 돌기(127, 137)의 면적에 따라 커패시터의 용량이 가변한다. 본 실시 예에서는 이러한 빗살모양의 구동기인 콤 드라이브(Comb drive)에 의하여 가변 커패시터를 구현하였으나, 본 발명의 사상은 이에 한정하지 않으며 마주보는 편의 거리 차를 이용하는 구조 등 가변 커패시터를 구현할 수 있는 다양한 구조에 의해 실현될 수 있다.The variable capacitor includes
상기 제1 가변 전극 돌기(127)와 제2 가변 전극 돌기(137)는 제1 내지 제4 전원 전극(111, 112, 116, 117)에 전압이 인가되지 않은 상태 또는 로렌츠 힘이 발생하지 않은 상태에서 약 30㎛ 내외의 중첩 거리를 가진다.The first
하나의 제1 가변 전극 돌기(127)와 이웃한 제2 가변 전극 돌기(137) 사이의 이격거리는 1㎛ 내지 10㎛, 바람직하게는 2㎛ 내지 3㎛일 수 있다.The distance between one first
한편, 제2 연결부(190)는 제1 연결부(180)와 동일하게 형성되며, 제2 기준 전극(131) 및 제2 가변 전극(136)의 몸체 사이에 노출되는 영역을 가지며, 제2 기준 전극(131) 및 제2 가변 전극(136)의 일부 또는 전부에 걸치도록 형성된다. The
상기 제2 연결부(190)는 제2 기준 전극(131)과 제2 가변 전극(136)을 전기적으로 절연하면서 물리적으로 연결한다.The
한편, 자계 센서(100)는 고정 기판(110)과 제1 구동 전극(120)을 연결하는 제1 탄성부(140) 및 제2 탄성부(150), 고정 기판(110)과 제2 구동 전극(130)을 연결하는 제3 탄성부(160) 및 제4 탄성부(170)를 포함한다. The
제1 탄성부 내지 제4 탄성부(140, 150, 160, 170)는 더블 폴디드 타입(double folded type)의 스프링으로 구성된다. The first to fourth
제1 내지 제4 탄성부(140, 150, 160, 170)는 각각의 전원 전극(111, 112, 116, 117) 및 감지 전극(113, 114, 118, 119)이 형성하는 작은 수용 공간 내에 각각 배치된다.The first to fourth
즉, 제1 전원 전극(111) 및 제1 감지 전극(113)이 형성하는 작은 수용 공간 내에 제1 탄성부(140)가 배치되고, 제2 전원 전극(112) 및 제2 감지 전극(114)이 형성하는 작은 수용 공간 내에 제2 탄성부(150)가 배치된다. 또한, 제3 전원 전극(116) 및 제3 감지 전극(118)이 형성하는 작은 수용 공간 내에 제3 탄성부(160)가 배치되며, 제4 전원 전극(117) 및 제4 감지 전극(119)이 형성하는 작은 수용 공간 내에 제4 탄성부(170)가 배치된다. That is, the first
제1 탄성부(140)는 두 개의 고정부를 포함한다.The first
각각의 고정부는 두 개의 스프링을 포함하며, 제1 감지 전극(114)과 제1 가변 전극(126)을 연결하고, 제1 전원 전극(111)과 제1 기준 전극(121)을 연결한다.Each fixing part includes two springs and connects the
제1 탄성부(140)에 의해 고정 기판(110)과 제1 구동 전극(120)이 전기적 물리적으로 연결되어 있다. The first
제2 탄성부(150)의 고정부는 제2 감지 전극(114)과 제2 가변 전극(136)을 연결하고, 제2 전원 전극(112)과 제1 기준 전극(121)을 연결한다.The fixing part of the second
제2 탄성부(150)에 의해 고정 기판(110)과 제1 구동 전극(120)이 전기적 물리적으로 연결되어 있다. The fixed
제3 탄성부(1600)의 고정부는 제3 감지 전극(118)과 제2 가변 전극(136)을 연결하고, 제3 전원 전극(116)과 제2 기준 전극(131)을 연결한다.The fixing part of the third elastic part 1600 connects the
제3 탄성부(160)에 의해 고정 기판(110)과 제2 구동 전극(130)이 전기적 물리적으로 연결되어 있다. The fixed
제4 탄성부(170)의 고정부는 제4 감지 전극(119)과 제2 가변 전극(136)을 연결하고, 제4 전원 전극(117)과 제2 기준 전극(131)을 연결한다.The fixed part of the fourth
제4 탄성부(170)에 의해 고정 기판(110)과 제2 구동 전극(130)이 전기적 물리적으로 연결되어 있다. And the fixed
도 6 내지 9는 도 2 및 3에 도시된 자계 센서 패키지의 제조 방법을 공정 순으로 설명하기 위한 도면이다.FIGS. 6 to 9 are views for explaining the manufacturing method of the magnetic sensor package shown in FIGS. 2 and 3 in the process order.
먼저, 도 6을 참조하면, 자계 센서 패키지 제조를 위한 기초가 되는 패키지 몸체(210)를 준비한다.First, referring to FIG. 6, a
상기 패키지 몸체(210)는 지지기판으로서, 절연성 물질로 형성될 수 있으며, 구체적으로 MLC(multi layer ceramic), 글라스 기판, 수지 기판 또는 고농도 실리콘 기판 등일 수 있다. The
그리고, 상기 준비된 패키지 몸체(210)에 제 1 홈(270) 및 제 2 홈(280)을 각각 형성한다.A
상기 제 1 홈(270) 및 제 2 홈(280)은 기계적 드릴이나 레이저에 의해 형성할 수 있다.The
이때, 상기 제 1 홈(270)과 제 2 홈(280)은 서로 다른 깊이를 가지며 형성된다. 즉, 상기 제 1 홈(270)은 제 1 깊이(D1)를 가지고, 상기 제 2 홈(280)은 제 2 깊이(D2)를 가진다.At this time, the
상기 제 1 홈(270)과, 제 2 홈(280)은, 상기 자계 센서(100) 내에 형성된 센서 구조체(120, 130)와 도선(230)을 동일한 평면상에 형성시키기 위한 깊이를 각각 가진다.The
즉, 상기 제 2 홈(280)의 깊이는 제 1 홈(270)의 깊이 및 상기 자계 센서(100)에서 상기 센서 구조체(120, 130)가 형성된 높이에 의해 결정될 수 있다.That is, the depth of the
이는, 상기에서 이미 상세히 설명하였으므로, 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.This has already been described in detail above, and a description thereof will be omitted.
다음으로, 도 8을 참조하면, 상기 형성된 제 1 홈(270) 내에 자계 센서(100)를 삽입하고, 그에 따라 상기 제 1 홈(270) 내에 상기 삽입된 자계 센서(100)를 고정시킨다.Referring to FIG. 8, the
이후, 상기 형성된 제 2 홈(280)을 매립하는 도선(230)을 형성한다.Thereafter, a
이때, 상기 제 2 홈(280)은 상기 패키지 몸체(210) 위에 형성되는 복수의 도선 패드를 서로 연결하기 위한, 대략 직선 형상으로 연장되게 형성되며, 상기 도선(230)은 상기 직선 형상으로 연장된 제 2 홈(280) 내를 매립하며 형성된다.The
상기 도선(230)은 구리와 같은 전도성 금속 물질을 가지고, 스퍼터링 또는 도금 공정을 진행하여 형성할 수 있다. The
다음으로, 도 9를 참조하면, 상기 패키지 몸체(210)의 상부를 덮는 보호층(260)을 형성한다.Next, referring to FIG. 9, a
상기와 같이, 도선(230)에서 발생하는 자기장이 상기 센서 구조체(120, 130)의 수직방향으로 발생하도록, 상기 도선(230)과 센서 구조체(120, 130)를 동일 평면상에서 서로 평행이 되도록 배치한다.As described above, the
상기와 같이, 제 1 홈(270)에 자계 센서(100)를 삽입하고, 제 2 홈(280)에 도선(230)을 매립하도록 하며, 이때, 상기 도선(230)이 상기 자계 센서(100) 내에 구성되는 센서 구조체(120, 130)와 동일 평면상에 놓이도록 상기 제 1 홈(270)과 제 2 홈(280)의 깊이를 결정한다.The
따라서, 상기와 같은 도선(230)과 센서 구조체(120, 130)의 배치에 의해, 상기 자기장(290)이 상기 센서 구조체(120, 130)의 수직 방향으로 발생할 수 있도록 한다.Accordingly, the magnetic field 290 can be generated in the vertical direction of the
본 발명에 따른 실시 예에 의하면, 측정 대상의 전류가 흐르는 도선과 센서 구조체의 배치를 최적화함에 따라 자기장이 센서 구조체의 수직 방향으로 발생하도록 함으로써, 로렌츠 힘을 발생시키는데 필요한 자기장 세기의 손실을 최소화할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the magnetic field is generated in the vertical direction of the sensor structure by optimizing the arrangement of the conductor and the sensor structure through which the current to be measured flows, thereby minimizing the loss of the strength of the magnetic field required to generate Lorentz force .
또한, 본 발명에 따른 실시 예에 의하면, 자기장의 방향이 구동 전극의 기준 전류 도선과 수직을 이루도록 함으로써, 구동 전극이 수평 방향 이외의 방향으로 로렌츠 힘을 받아 이상구동할 수 있는 확률을 줄이면서 안정적인 출력 값을 얻을 수 있다.In addition, according to the embodiment of the present invention, by making the direction of the magnetic field perpendicular to the reference current conductor of the driving electrode, it is possible to reduce the probability that the driving electrode receives the Lorentz force in a direction other than the horizontal direction, You can get the output value.
또한, 본 발명에 따른 실시 예에 의하면, 로렌츠 힘을 수평 방향으로 집중함으로써, 구동 전극의 변위량을 최대화할 수 있으며, 이에 따라 동일 전류량 및 동일 자기장 세기에 대해서 출력 값을 최대화시키고 분해능을 향상시킬 수 있다.According to the embodiment of the present invention, by concentrating the Lorentz force in the horizontal direction, it is possible to maximize the amount of displacement of the driving electrode, thereby maximizing the output value and improving the resolution with respect to the same current amount and the same magnetic field intensity have.
도 10은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 멤스 자계 센서 패키지의 상면도이고, 도 11은 도 10에 도시된 도선과 센서 구조체를 확대한 상면도이며, 도 12는 도 10의 멤스 자계 센서 패키지를 A-A'로 절단한 제 2 단면도이다.FIG. 10 is a top view of the MEMS magnetic sensor package according to the second embodiment of the present invention, FIG. 11 is a top view of the sensor and the conductor shown in FIG. 10, Sectional view taken along line A-A 'in Fig.
도 10을 참조하면, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 멤스 자계 센서 패키지는 자계 센서(100), 패키지 몸체(210), 배선 패드(220), 도선(430), 제어 소자(240), 연결선(250), 보호층(260)을 포함한다.10, the MEMS magnetic sensor package according to the second embodiment of the present invention includes a
이때, 도 10에 도시된 본 발명의 제2 실시 예에 따른 멤스 자계 센서 패키지(400)에서, 도 2에 도시된 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 멤스 자계 센서 패키지와 동일한 구성에 대해서는 동일 부호를 부여하기로 한다.In this case, in the MEMS
멤스 자계 센서 패키지(400)를 구성하는 자계 센서(100), 패키지 몸체(210), 배선 패드(220), 제어 소자(240), 연결선(250) 및 보호층(260)은 도 2에 도시된 멤스 자계 센서 패키지(300)에 포함된 구성요소와 실질적으로 동일하므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The
도선(430)은 자계 센서(100)의 하부에 형성된다.A
이를 위해, 상기 패키지 몸체(210)에는 상기 도선(430)이 삽입되는 홈이 형성되어 있으며, 상기 형성된 홈 내에 상기 도선(430)이 매립 형성된다.For this purpose, the
그리고, 상기 자계 센서(100)는 상기 패키지 몸체(210)의 상면에 부착된다.The
이때, 상기에서, 상기 제 1 실시 예의 도선(230)과 다르게, 제 2 실시 예의 도선(430)은 상기 자계 센서(100), 명확하게는 상기 자계 센서(100) 내에 포함된 센서 구조체(120, 130)와 서로 다른 평면상에 배치된다.The
이때, 상기와 같이 도선(430)과 센서 구조체(120, 130)가 서로 다른 평면상에 형성되기 때문에, 상기 제 1 실시 예와 같은 형상으로 도선(430)을 형성한다면, 상기 도선(430)을 통해 발생하는 자기장이 상기 센서 구조체(120, 130)의 수직 방향이 아닌 수평 방향으로 발생하게 된다.Since the
따라서, 본 발명의 제 2 실시 예에서는, 상기 도선(430)의 형상을 변경하여, 상기 도선(430)에 의해 발생하는 자기장이 상기 센서 구조체(120, 130)의 수직 방향으로 발생하도록 한다.Accordingly, in the second embodiment of the present invention, the shape of the
이를 위해, 도 11을 참조하면, 도선(430)은 도선 패드(220) 중 어느 하나와 연결되는 제 1 파트(432), 상기 제 1 파트(432)로부터 연장되어 상기 자계 센서(100)의 하부 영역을 감싸는 제 2 파트(434)와, 상기 제 2 파트(434)로부터 연장되어 상기 도선 패드(220)의 다른 하나와 연결되는 제 3 파트(436)를 포함한다.11, the
상기와 같은 도선(430) 중 제 1 파트(432)와 제3 파트(436)는 상기 도선 패드(220)와의 연결을 위한 것이며, 이에 따라 상기 제 1 파트(432)와 제3 파트(436)의 형상이나 위치는 도 11에 도시된 것에 한정되지 않고 변형될 수 있을 것이다.The
그리고, 본 발명의 제 2 실시 예에서는, 상기 도선(430)에 제 2 파트(434)와 같은 부분을 포함시켜, 상기 도선(430)에 의해 발생하는 자기장이 상기 센서 구조체(120, 130)의 수직 방향으로 발생하도록 한다.In the second embodiment of the present invention, a portion such as the
상기 제 2 파트(434)는 제 1 영역(R1)의 주위를 둘러싸며 형성된다. 이때, 상기 제 1 영역(R1)은 상기 자계 센서(100)가 형성된 제 2 영역을 중심으로 결정된다.The
즉, 제 2 영역의 하부에는 제 1 영역(R1)이 위치한다. 여기에서, 상기 제 1 영역(R1)은 상기 제 2 영역의 연직 하방에 위치한다. That is, the first region R1 is located under the second region. Here, the first region (R1) is located vertically below the second region.
즉, 상부 또는 하부에서 볼 때, 상기 제 1 영역(R1)의 적어도 일부는 상기 제 2 영역의 적어도 일부와 서로 중첩(overlap)된다.That is, as viewed from the top or bottom, at least a portion of the first region R1 overlaps with at least a portion of the second region.
이때, 상기 제 1 영역(R1)은 상부 또는 하부에서 볼 때, 상기 제 2 영역의 내측에 위치할 수 있으며, 이와 반대로, 상기 제 2 영역이 상기 제 1 영역(R1)의 내측에 위치할 수 있다.At this time, the first region R1 may be located inside the second region when seen from the top or bottom, and conversely, the second region may be located inside the first region R1 have.
다시 말해서, 상기 제 1 영역(R1)은 상기 제 2 영역과 중첩되는데, 이때, 상기 제 1 영역(R1)의 사이즈는 상기 제 2 영역의 사이즈보다 클 수 있으며, 이에 따라 상기 제 1 영역(R1)은 상기 제 2 영역과 중첩되는 1-1 영역과, 상기 1-1 영역으로부터 연장되어, 상기 제 2 영역의 연직 하방의 주위에 위치하는 1-2 영역을 포함할 수 있다.In other words, the first area R1 is overlapped with the second area, and the size of the first area R1 may be larger than the size of the second area R1, May include a 1-1 region overlapping with the second region and a 1-2 region extending from the 1-1 region and located around the vertical lower portion of the second region.
이에 따라, 상기 자계 센서(100)와 도선(430)은 서로 다른 평면상에 형성된다. 이때, 상기 도선(430)의 일부는 상기 자계 센서(100)와 동일한 평면상에 형성될 수도 있다. 즉, 상기 도선(430)을 구성하는 제 1 파트(432)와, 제 3 파트(436)는 상기 자계 센서(100)와 동일한 평면상에 형성될 수 있다. 그러나, 상기 도선(430)을 구성하는 제 2 파트(434)는 상기와 같이 정의한 제 1 영역(R1)의 주위를 둘러싸며 형성된다.Accordingly, the
이때, 상기 제 2 파트(434)는 상기 자계 센서(100)와 접촉할 수 있다.At this time, the
즉, 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 파트(434)의 상면은 상기 자계 센서(100)의 하면과 접촉할 수 있다. 그러나, 이는 일 실시 예에 불과할 뿐, 상기 제 2 파트(434)가 상기 자계 센서(100)로부터 연직한 방향으로 일정 거리 이격된 영역에 형성될 수도 있을 것이다. That is, as shown in FIG. 10, the upper surface of the
상기 제 2 파트(434)는 도 10에 도시된 바와 같이 원형 형상을 가질 수 있다. 그리고, 상기 원형 형상을 가지는 제 2 파트(434)로 둘러싸인 내부 영역의 연직 상방에는 상기 자계 센서(100)가 놓이게 된다.The
한편, 상기 제 2 파트(434)가 형성되는 기준이 되는 제 1 영역(R1)은 상기 자계 센서(100) 내에서 센서 구조체(120, 130)가 형성되는 제 3 영역보다 크게 형성하는 것이 바람직하다.The first region R1 as a reference for forming the
즉, 상기 제 1 영역(R1) 내에는 상기 제 3 영역이 모두 포함되도록 하며, 이에 따라 제 2 파트(434)가 상기 제 3 영역의 하부 영역과는 중첩되지 않도록 한다.That is, the third region is included in the first region R1 so that the
따라서, 상기 도선(430)의 제 2 파트(434)를 통해 발생하는 자기장은, 상기 센서 구조체(120, 130)의 하부에서, 상기 센서 구조체(120, 130)의 수직 방향으로 발생하게 된다.Accordingly, the magnetic field generated through the
한편, 상기 제 2 파트(434)가 형성되는 제 1 영역은, 상기 제 3 영역과 일부만이 중첩될 수 있다. 이때, 상기 제 2 파트(434)가 상기 제 3 영역과 일부 중첩되는 제 1 영역의 주위를 감싸게 되면, 상기 제 2 파트(434)는 상기 센서 구조체(120, 130)가 형성된 제 3 영역과 중첩되는 하부 영역에 배치된다.Meanwhile, the first area where the
이와 같은 경우에도, 상기 제 2 파트(434)를 통해 발생하는 자기장은 상기 센서 구조체(120, 130)의 수직 방향으로 작용할 수 있다.In this case, the magnetic field generated through the
그러나, 상기 제 2 파트(434)가 상기 자계 센서(100)가 형성되는 제 1 영역과 중첩되지 않는 영역에 형성되거나(이는, 상기 제 1 영역 내에 상기 제 2 영역이 모두 포함되며, 상기 제 1 영역이 상기 제 2 영역보다 큰 경우에 해당함), 상기 제 2 파트(434)가 상기 제 3 영역과 중첩되는 영역에 형성되는 경우(이는, 상기 제 3 영역 내에 상기 제 1 영역이 모두 포함되며, 상기 제 3 영역이 상기 제 1 영역보다 큰 경우에 해당함)는, 상기 기재한 조건보다는 자기장의 세기가 떨어지게 된다.However, the
따라서, 상기 제 2 파트(434)가 상기 자계 센서(100)가 형성되는 제 1 영역과는 중첩하면서, 상기 센서 구조체(120, 130)가 형성되는 제 3 영역과는 중첩하지 않는 영역에 배치함으로써, 상기 센서 구조체(120, 130)의 수직 방향으로 강도가 높은 자기장이 발생하도록 한다.Accordingly, the
도 13은 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 멤스 자계 센서 패키지의 상면도이고, 도 14는 도 13의 멤스 자계 센서 패키지를 A-A'로 절단한 단면도이며, 도 15는 도 13의 멤스 자계 센서 패키지의 변형 예를 보여주기 위한 단면도이다.FIG. 13 is a top view of a MEMS magnetic sensor package according to a third embodiment of the present invention, FIG. 14 is a cross-sectional view of the MEMS magnetic sensor package of FIG. 13 taken along line A-A ' Sectional view for showing a modification example of the sensor package.
도 13을 참조하면, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 멤스 자계 센서 패키지는 자계 센서(100), 패키지 몸체(210), 배선 패드(220), 도선(530), 제어 소자(240), 연결선(250), 보호층(260)을 포함한다.13, a MEMS magnetic sensor package according to a third embodiment of the present invention includes a
이때, 도 13에 도시된 본 발명의 제3 실시 예에 따른 멤스 자계 센서 패키지(500)에서, 도 2 및 10에 도시된 본 발명의 제 1 및 2 실시 예에 따른 멤스 자계 센서 패키지와 동일한 구성에 대해서는 동일 부호를 부여하기로 한다.In this case, in the MEMS
멤스 자계 센서 패키지(500)를 구성하는 자계 센서(100), 패키지 몸체(210), 배선 패드(220), 제어 소자(240), 연결선(250) 및 보호층(260)은 도 2에 도시된 멤스 자계 센서 패키지(300)에 포함된 구성요소와 실질적으로 동일하므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The
도선(530)은 자계 센서(100)의 상부에 형성된다.A
즉, 상기 본 발명의 제 2 실시 예에서는, 도선(430)이 상기 자계 센서(100)의 하부 영역에 형성된다고 하였지만, 본 발명의 제 3 실시 예에서는 상기 도선(530)이 상기 자계 센서(100)의 상부 영역에 형성된다.That is, in the second embodiment of the present invention, the
이를 위해, 상기 패키지 몸체(210)에는 상기 도선(530)이 안착되는 복수의 돌기(540, 550)가 형성되며, 그에 따라 상기 도선(530)은 상기 돌기(540, 550) 위에 안착된 상태에서, 상기 자계 센서(100)의 상부에 배치된다.A plurality of
이때, 상기 도선(530)의 형상은 도 10 및 11에 도시된 바와 같은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 도선(430)과 동일한 형상을 갖는다.At this time, the shape of the
이에 따라, 상기 도선(530)은 도선 패드(220) 중 어느 하나와 연결되는 제 1 파트(532), 상기 제 1 파트(532)로부터 연장되어 상기 자계 센서(100)의 하부 영역을 감싸는 제 2 파트(534)와, 상기 제 2 파트(534)로부터 연장되어 상기 도선 패드(220)의 다른 하나와 연결되는 제 3 파트(536)를 포함한다.The
상기와 같은 도선(530) 중 제 1 파트(532)와 제3 파트(536)는 상기 도선 패드(220)와의 연결을 위한 것이며, 이에 따라 상기 제 1 파트(532)와 제3 파트(536)의 형상이나 위치는 도 13 및 14에 도시된 것에 한정되지 않고 변형될 수 있을 것이다.The
즉, 도 15에 도시된 바와 같이, 상기 도선 패드(220)는 상기 보호층(260)의 외부로 노출된 상태로 구비될 수 있으며, 이에 따라 상기 제 1 파트(532)와 제3 파트(536)는 상기 도선 패드(220)에 연결되어 상기 보호층(260) 내부로 수직 연장되는 형상을 가질 수 있다.That is, as shown in FIG. 15, the
그리고, 본 발명의 제 3 실시 예에서는, 상기 도선(530)에 제 2 파트(534)와 같은 부분을 포함시켜, 상기 도선(530)에 의해 발생하는 자기장이 상기 센서 구조체(120, 130)의 수직 방향으로 발생하도록 한다.In the third embodiment of the present invention, a portion such as the
상기 제 2 파트(534)는 제 1 영역의 주위를 둘러싸며 형성된다. 이때, 상기 제 1 영역은 상기 자계 센서(100)가 형성된 제 2 영역을 중심으로 결정된다.The
즉, 제 2 영역의 상부에는 가상의 제 1 영역이 위치한다. 여기에서, 상기 제 1 영역은 상기 제 2 영역의 연직 상방에 위치한다. That is, a virtual first region is located above the second region. Here, the first region is located vertically above the second region.
즉, 상부 또는 하부에서 볼 때, 상기 제 1 영역의 적어도 일부는 상기 제 2 영역의 적어도 일부와 서로 중첩(overlap)된다.That is, as viewed from the top or bottom, at least a portion of the first region overlaps with at least a portion of the second region.
이때, 상기 제 1 영역은 상부 또는 하부에서 볼 때, 상기 제 2 영역의 내측에 위치할 수 있으며, 이와 반대로, 상기 제 2 영역이 상기 제 1 영역의 내측에 위치할 수 있다.At this time, the first region may be located inside the second region when viewed from the top or bottom, and conversely, the second region may be located inside the first region.
다시 말해서, 상기 제 1 영역은 상기 제 2 영역과 중첩되는데, 이때, 상기 제 1 영역의 사이즈는 상기 제 2 영역의 사이즈보다 클 수 있다.In other words, the first area overlaps with the second area, wherein the size of the first area may be larger than the size of the second area.
이에 따라, 상기 자계 센서(100)와 도선(530)은 서로 다른 평면상에 형성된다. Accordingly, the
이때, 상기 도선(530)의 제 1 파트(532)와 제3 파트(536)는 상기 돌기(540, 550) 위에 안착되어 있고, 상기 제 2 파트(534)는 상기 제 1 파트(532)와 제3 파트(536)로부터 연장되기 때문에, 상기 제 2 파트(534)는 상기 자계 센서(100)가 형성된 영역의 상부 영역에 부양된 상태로 형성되게 된다.The
상기 제 2 파트(534)는 도 13에 도시된 바와 같이 원형 형상을 가질 수 있다. The
한편, 상기 제 2 파트(534)가 형성되는 제 1 영역은, 상기 자계 센서(100) 내에서 센서 구조체(120, 130)가 형성되는 제 3 영역과 일부만이 중첩될 수 있다. The first region in which the
결론적으로 상기 본 발명의 제2 실시 예에서는, 도선(430)의 제 2 파트(436)를 상기 자계 센서(100)의 연직 하방에 형성하였지만, 본 발명의 제 3 실시 예에서는, 도선(530)의 제 2 파트(534)를 상기 자계 센서(100)의 연직 상방에 형성한다.In the second embodiment of the present invention, the
이때, 상기 제 2 실시 예에서의 제 2 파트(436)를 통해 발생하는 자기장과, 상기 제 3 실시 예에서의 제 2 파트(534)를 통해 발생하는 자기장은 상하 방향만이 바뀔 뿐, 상기 자계 센서(100)의 센서 구조체(120, 130)를 중심으로 보았을 때 모두 수직 방향으로 작용하게 된다.At this time, the magnetic field generated through the
도 16은 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 멤스 자계 센서 패키지의 상면도이다.16 is a top view of a MEMS magnetic sensor package according to a fourth embodiment of the present invention.
도 16을 참조하면, 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 멤스 자계 센서 패키지(600)는 자계 센서(100), 패키지 몸체(210), 배선 패드(220), 도선(630), 제어 소자(240), 연결선(250), 보호층(260)을 포함한다.16, a MEMS
이때, 도 16에 도시된 본 발명의 제4 실시 예에 따른 멤스 자계 센서 패키지(600)에서, 도 10에 도시된 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 멤스 자계 센서 패키지와 동일한 구성에 대해서는 동일 부호를 부여하기로 한다.In this case, in the MEMS
멤스 자계 센서 패키지(600)를 구성하는 자계 센서(100), 패키지 몸체(210), 배선 패드(220), 제어 소자(240), 연결선(250) 및 보호층(260)은 도 10에 도시된 멤스 자계 센서 패키지(400)에 포함된 구성요소와 실질적으로 동일하므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The
도선(630)은 자계 센서(100)의 하부에 형성된다.The
이를 위해, 상기 패키지 몸체(210)에는 상기 도선(630)이 삽입되는 홈이 형성되어 있으며, 상기 형성된 홈 내에 상기 도선(630)이 매립 형성된다.For this, a groove for inserting the
그리고, 상기 자계 센서(100)는 상기 패키지 몸체(210)의 상면에 부착된다.The
또한, 상기 도선(630)에 포함되는 절곡 부위는, 상기 설명한 바와 같이 제 1 영역의 주위를 둘러싸며 형성된다. 이때, 상기 제 1 영역은 상기 자계 센서(100)가 형성된 제 2 영역을 중심으로 결정된다. 즉, 제 2 영역의 하부에는 제 1 영역이 위치한다. 여기에서, 상기 제 1 영역은 상기 제 2 영역의 연직 하방에 위치한다. The bending portion included in the
즉, 상부 또는 하부에서 볼 때, 상기 제 1 영역의 적어도 일부는 상기 제 2 영역의 적어도 일부와 서로 중첩(overlap)된다.That is, as viewed from the top or bottom, at least a portion of the first region overlaps with at least a portion of the second region.
이때, 상기 제 1 영역은 상부 또는 하부에서 볼 때, 상기 제 2 영역의 내측에 위치할 수 있으며, 이와 반대로, 상기 제 2 영역이 상기 제 1 영역의 내측에 위치할 수 있다.At this time, the first region may be located inside the second region when viewed from the top or bottom, and conversely, the second region may be located inside the first region.
다만, 도 10에 도시된 도선(430)의 제 2 파트는 원형 형상을 가지지만, 본 발명의 제4 실시 예에 따른 도선(630)의 제 2 파트는 사각 형상을 가지며 형성된다.The second part of the
도 17은 본 발명의 제 5 실시 예에 따른 멤스 자계 센서 패키지의 상면도이다.17 is a top view of a MEMS magnetic sensor package according to a fifth embodiment of the present invention.
도 17을 참조하면, 본 발명의 제 5 실시 예에 따른 멤스 자계 센서 패키지(700)는 자계 센서(100), 패키지 몸체(210), 배선 패드(220), 도선(730), 제어 소자(240), 연결선(250), 보호층(260)을 포함한다.17, a MEMS
이때, 도 17에 도시된 본 발명의 제5 실시 예에 따른 멤스 자계 센서 패키지(700)에서, 도 13에 도시된 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 멤스 자계 센서 패키지와 동일한 구성에 대해서는 동일 부호를 부여하기로 한다.Here, in the MEMS
멤스 자계 센서 패키지(700)를 구성하는 자계 센서(100), 패키지 몸체(210), 배선 패드(220), 제어 소자(240), 연결선(250) 및 보호층(260)은 도 13에 도시된 멤스 자계 센서 패키지(500)에 포함된 구성요소와 실질적으로 동일하므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The
그리고, 상기 도선(730)은 자계 센서(100)의 상부에 형성된다.The
이때, 상기 본 발명의 제 3 실시 예에서의 도선의 제 2 파트는 사각 형상을 가지며 상기 자계 센서(100)의 상부 영역에 형성되었다.In this case, the second part of the conductor in the third embodiment of the present invention has a rectangular shape and is formed in the upper region of the
그러나, 본 발명의 제 5 실시 예에서의 도선의 제 2 파트는 원형 형상을 가지며, 상기 자계 센서(100)의 상부 영역에 형성된다.However, the second part of the conductor in the fifth embodiment of the present invention has a circular shape and is formed in the upper region of the
한편, 상기와 같은 도선은, 도면에 도시한 바와 같은 원형 형상이나 사각 형상뿐 아니라, 삼각 형상, 타원 형상 및 다각 형상 중 적어도 하나의 절곡 부위를 포함하는 형상을 가질 수 있다.The conductor may have a shape including at least one of a triangular shape, an elliptical shape, and a polygonal shape as well as a circular shape or a rectangular shape as shown in the figure.
본 발명에 따른 실시 예에 의하면, 측정 대상의 전류가 흐르는 도선과 센서 구조체의 배치를 최적화함에 따라 자기장이 센서 구조체의 수직 방향으로 발생하도록 함으로써, 로렌츠 힘을 발생시키는데 필요한 자기장 세기의 손실을 최소화할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the magnetic field is generated in the vertical direction of the sensor structure by optimizing the arrangement of the conductor and the sensor structure through which the current to be measured flows, thereby minimizing the loss of the strength of the magnetic field required to generate Lorentz force .
또한, 본 발명에 따른 실시 예에 의하면, 자기장의 방향이 구동 전극의 기준 전류 도선과 수직을 이루도록 함으로써, 구동 전극이 수평 방향 이외의 방향으로 로렌츠 힘을 받아 이상구동할 수 있는 확률을 줄이면서 안정적인 출력 값을 얻을 수 있다.In addition, according to the embodiment of the present invention, by making the direction of the magnetic field perpendicular to the reference current conductor of the driving electrode, it is possible to reduce the probability that the driving electrode receives the Lorentz force in a direction other than the horizontal direction, You can get the output value.
또한, 본 발명에 따른 실시 예에 의하면, 로렌츠 힘을 수평 방향으로 집중함으로써, 구동 전극의 변위량을 최대화할 수 있으며, 이에 따라 동일 전류량 및 동일 자기장 세기에 대해서 출력 값을 최대화시키고 분해능을 향상시킬 수 있다.According to the embodiment of the present invention, by concentrating the Lorentz force in the horizontal direction, it is possible to maximize the amount of displacement of the driving electrode, thereby maximizing the output value and improving the resolution with respect to the same current amount and the same magnetic field intensity have.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The foregoing description is merely illustrative of the technical idea of the present invention and various changes and modifications may be made by those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.
100: 자계 센서
120, 130: 센서 구조체
210: 패키지 몸체
220: 전극 패트
230, 430, 530, 630, 730: 도선
240: 제어 소자
250: 연결선
260: 보호층100: magnetic field sensor
120, 130: sensor structure
210: Package body
220: electrode pad
230, 430, 530, 630, 730:
240: Control element
250: connection line
260: protective layer
Claims (17)
상기 패키지 몸체 위에 배치되며, 자기장에 의해 변위가 발생하는 센서 구조체를 포함하는 자계 센서; 및
상기 패키지 몸체 위에 형성되며, 측정 대상의 전류를 유동시켜 상기 센서 구조체의 변위를 위한 자기장을 발생하는 도선을 포함하며,
상기 도선 및 상기 센서 구조체는,
서로 동일한 평면상에 배치되는
멤스 자계 센서 패키지.A package body;
A magnetic sensor disposed on the package body and including a sensor structure in which a displacement is generated by a magnetic field; And
And a conductor formed on the package body for generating a magnetic field for displacement of the sensor structure by flowing a current to be measured,
Wherein the conductor and the sensor structure are formed of a metal,
Arranged on the same plane as each other
MEMS magnetic field sensor package.
상기 도선은,
상기 측정 대상 전류에 의해 발생하는 자기장이 상기 센서 구조체의 수직 방향으로 발생하도록 하는
멤스 자계 센서 패키지.The method according to claim 1,
The lead wire
So that a magnetic field generated by the measurement subject current is generated in the vertical direction of the sensor structure
MEMS magnetic field sensor package.
상기 센서 구조체는,
상기 자계 센서를 구성하는 몸체의 내부에서 부유하며 형성되는
멤스 자계 센서 패키지.The method according to claim 1,
The sensor structure includes:
And is formed to float inside the body constituting the magnetic field sensor
MEMS magnetic field sensor package.
상기 패키지 몸체에는,
상기 자계 센서가 삽입되는 제 1 홈과,
상기 도선이 매립되는 제 2 홈을 포함하며,
상기 제 1 홈과 제 2 홈의 깊이는 서로 다른
멤스 자계 센서 패키지.The method of claim 3,
In the package body,
A first groove into which the magnetic field sensor is inserted,
And a second groove in which the lead wire is embedded,
The depths of the first groove and the second groove are different from each other
MEMS magnetic field sensor package.
상기 제 2 홈은,
상기 제 1 홈의 깊이로부터 상기 센서 구조체의 부유 높이만큼 얕은 깊이를 가지는
멤스 자계 센서 패키지.5. The method of claim 4,
The second groove
Wherein the sensor structure has a shallower depth from the depth of the first groove by the floating height of the sensor structure
MEMS magnetic field sensor package.
상기 자계 센서는 상기 패키지 몸체의 상면에 부착되고,
상기 도선은, 상기 패키지 몸체의 상면 위로 돌출된 돌기 위에 형성되는
멤스 자계 센서 패키지.The method of claim 3,
Wherein the magnetic sensor is attached to an upper surface of the package body,
The lead wire is formed on a protrusion protruding above the upper surface of the package body
MEMS magnetic field sensor package.
상기 돌기의 높이는,
상기 센서 구조체의 부유 높이에 상응하는
멤스 자계 센서 패키지.The method according to claim 6,
The height of the projection
Corresponding to the floating height of the sensor structure
MEMS magnetic field sensor package.
상기 도선은,
상기 자계 센서와 일정 간격 이격되어, 상기 자계 센서 내에 형성되는 상기 센서 구조체의 배치 방향과 평행한 방향으로 연장되는 직선 형상을 가지는
멤스 자계 센서 패키지.The method according to claim 1,
The lead wire
And a linear shape extending in a direction parallel to the arrangement direction of the sensor structure formed in the magnetic field sensor,
MEMS magnetic field sensor package.
상기 도선은,
상기 자계 센서와 일정 간격 이격되어, 상기 자계 센서 내에 형성되는 상기 센서 구조체의 배치 방향의 수직 방향으로 연장되는 직선 형상을 가지는
멤스 자계 센서 패키지.The method according to claim 1,
The lead wire
And a linear sensor which is spaced apart from the magnetic sensor by a predetermined distance and extends in a direction perpendicular to the direction of arrangement of the sensor structures formed in the magnetic sensor
MEMS magnetic field sensor package.
상기 패키지 몸체 위에 배치되며, 자기장에 의해 변위가 발생하는 센서 구조체를 포함하는 자계 센서; 및
상기 패키지 몸체에 형성되며, 측정 대상의 전류를 유동시켜 상기 센서 구조체의 변위를 위한 자기장을 발생하는 도선을 포함하며,
상기 도선은,
상기 센서 구조체의 수직 방향으로 인가되는 자기장을 발생하는
멤스 자계 센서 패키지.A package body;
A magnetic sensor disposed on the package body and including a sensor structure in which a displacement is generated by a magnetic field; And
And a conductor formed on the package body for generating a magnetic field for displacement of the sensor structure by flowing a current to be measured,
The lead wire
Generating a magnetic field applied in the vertical direction of the sensor structure
MEMS magnetic field sensor package.
상기 도선은,
상기 패키지 몸체의 내부에 형성되는 제 1 영역의 주위를 둘러싸며 형성되고,
상기 제 1 영역은,
상기 패키지 몸체상에서, 상기 자계 센서가 형성되는 제 2 영역의 연직 하방에 위치하여, 상기 제 2 영역의 적어도 일부와 중첩되는
멤스 자계 센서 패키지.11. The method of claim 10,
The lead wire
A package body formed to surround the first region formed in the package body,
Wherein the first region comprises:
And a second area on the package body, the second area being vertically below the second area on which the magnetic field sensor is formed,
MEMS magnetic field sensor package.
상기 제 1 영역은,
상기 패키지 몸체상에서, 상기 센서 구조체가 형성되는 제 3 영역의 연직 하방에 위치하여, 상기 제 3 영역의 전체 영역과 중첩되는 제 1 중첩 영역과, 상기 제 1 중첩 영역으로부터 연장되어, 상기 제 2 영역의 일부와 중첩되는 제 2 중첩 영역을 포함하는
멤스 자계 센서 패키지.12. The method of claim 11,
Wherein the first region comprises:
A first overlapping region located on the package body and vertically below a third region in which the sensor structure is formed and overlapping the entire region of the third region; and a second overlapping region extending from the first overlapping region, And a second overlap region overlapping a portion of the first overlap region
MEMS magnetic field sensor package.
상기 도선은,
상기 제 1 영역의 연직 상방에 위치하는 제 2 영역과는 중첩되면서, 상기 제 3 영역과는 비중첩되는
멤스 자계 센서 패키지.13. The method of claim 12,
The lead wire
Overlapping with a second region located vertically above the first region, and overlapping with the third region
MEMS magnetic field sensor package.
상기 도선은,
제 1 영역의 주위를 둘러싸며 형성되고,
상기 제 1 영역은,
상기 패키지 몸체상에서, 상기 자계 센서가 형성되는 제 2 영역의 연직 상방에 위치하여, 상기 제 2 영역의 적어도 일부와 중첩되는
멤스 자계 센서 패키지.11. The method of claim 10,
The lead wire
A second region formed around the first region,
Wherein the first region comprises:
And a second area on the package body, the first area being vertically above a second area where the magnetic field sensor is formed,
MEMS magnetic field sensor package.
상기 제 1 영역은,
상기 패키지 몸체상에서, 상기 센서 구조체가 형성되는 제 3 영역의 연직 상방에 위치하여, 상기 제 3 영역의 전체 영역과 중첩되는 제 1 중첩 영역과, 상기 제 1 중첩 영역으로부터 연장되어, 상기 제 2 영역의 일부와 중첩되는 제 2 중첩 영역을 포함하는
멤스 자계 센서 패키지.15. The method of claim 14,
Wherein the first region comprises:
A first overlapping region located on the package body and vertically above a third region in which the sensor structure is formed and overlapping with the entire region of the third region and a second overlapping region extending from the first overlapping region, And a second overlap region overlapping a portion of the first overlap region
MEMS magnetic field sensor package.
상기 도선은,
상기 제 1 영역의 연직 하방에 위치하는 제 2 영역과는 중첩되면서, 상기 제 3 영역과는 비중첩되는
멤스 자계 센서 패키지.15. The method of claim 14,
The lead wire
Overlapping with a second region located below the first region in the vertical direction, and being overlapped with the third region
MEMS magnetic field sensor package.
상기 제 1 영역의 주위를 둘러싸는 도선은,
삼각 형상, 사각 형상, 원 형상, 타원 형상 및 다각 형상 중 적어도 하나의 절곡 부위를 포함하는 형상을 가지는
멤스 자계 센서 패키지.13. A method according to any one of claims 11 and 14,
And a conductor surrounding the first region,
And has a shape including at least one bending portion of a triangular shape, a square shape, a circular shape, an elliptical shape, and a polygonal shape
MEMS magnetic field sensor package.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020140010735A KR20150089750A (en) | 2014-01-28 | 2014-01-28 | Micro electro mechanical systems magnetic field sensor package |
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020140010735A KR20150089750A (en) | 2014-01-28 | 2014-01-28 | Micro electro mechanical systems magnetic field sensor package |
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Publication Number | Publication Date |
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KR20150089750A true KR20150089750A (en) | 2015-08-05 |
Family
ID=53886126
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020140010735A KR20150089750A (en) | 2013-08-21 | 2014-01-28 | Micro electro mechanical systems magnetic field sensor package |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR20150089750A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20230143778A (en) * | 2022-04-06 | 2023-10-13 | 연세대학교 산학협력단 | Electrostatically Driven 2-Axis MEMS Magnetometer Using Electromagnetic Inductor on Eccentric Resonator and manufacturing method thereof |
-
2014
- 2014-01-28 KR KR1020140010735A patent/KR20150089750A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20230143778A (en) * | 2022-04-06 | 2023-10-13 | 연세대학교 산학협력단 | Electrostatically Driven 2-Axis MEMS Magnetometer Using Electromagnetic Inductor on Eccentric Resonator and manufacturing method thereof |
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