KR20150089595A

KR20150089595A - Lighting device

Info

Publication number: KR20150089595A
Application number: KR1020140010414A
Authority: KR
Inventors: 정재민; 김범준; 김창수; 유병수; 이범연
Original assignee: 엘지이노텍 주식회사
Priority date: 2014-01-28
Filing date: 2014-01-28
Publication date: 2015-08-05
Also published as: KR102288069B1

Abstract

A lighting apparatus according to an embodiment includes: a substrate; a light source unit arranged on the substrate; a reflector arranged on the substrate and around the light source unit; and a cover arranged on the reflector to be placed a certain distance apart from the light source unit, and having an aperture smaller than a luminous area of the light source unit. The reflector includes an upper end part and a lower end part, and the thickness of the lower end part of the reflector is different from that of the upper end part of the reflector.

Description

LIGHTING DEVICE

실시 형태는 조명 장치에 관한 것이다.An embodiment relates to a lighting device.

발광 다이오드(LED)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종이다. 발광다이오드는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다. 이에 기존의 재래식 광원을 발광다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광다이오드는 실내외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가되고 있는 추세이다.Light emitting diodes (LEDs) are a type of semiconductor devices that convert electrical energy into light. The light emitting diode has advantages of low power consumption, semi-permanent lifetime, fast response speed, safety, and environmental friendliness compared with conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps. Therefore, much research has been conducted to replace conventional light sources with light emitting diodes. Light emitting diodes are increasingly used as light sources for various lamps used in indoor / outdoor, liquid crystal display devices, electric sign boards, streetlights, and the like .

조명 장치는 사용되는 국가, 장소, 용도 등에 따라 각각 광원의 크기, 밝기 등의 규격이 정해질 수 있다. 따라서, 발광다이오드(LED)와 같은 발광 소자를 이용하여 조명 장치의 광원으로 사용하기 위해서는 발광 소자의 크기를 조명 장치가 사용되는 용도에서 채용한 규격에 맞추어야 한다. 하지만, 조명 장치는 광범위하게 사용되기 때문에 발광 소자를 각 용도의 맞는 규격으로 제조하는 것은 곤란하다. 그리고, 다양한 규격의 발광 소자 중 특정 규격의 발광 소자가 많이 사용되는 경우 사용이 적은 발광 소자는 재고로 쌓이게 되어 비용이 발생하는 문제점이 있다. 특히, 조명 장치를 자동차의 헤드 램프에 사용하는 경우 일반적으로 사용되는 조명 장치의 광원의 규격과 자동차 헤드 램프의 광원의 규격이 달라 자동차 헤드 램프에 사용될 발광 소자는 새롭게 설계 제작해야 한다. The size of the light source, the brightness, etc., can be determined according to the country, place, and purpose of the lighting apparatus. Therefore, in order to use a light emitting device such as a light emitting diode (LED) as a light source of an illumination device, the size of the light emitting device must be adjusted to the standard used in the application in which the lighting device is used. However, since the lighting device is widely used, it is difficult to manufacture the light emitting device with a suitable standard for each application. When a light emitting device having a specific standard is used in a wide variety of light emitting devices of various sizes, a light emitting device having a small amount of use is accumulated in an inventory, resulting in a cost incurred. Particularly, when a lighting device is used for a head lamp of an automobile, a specification of a light source of a lighting device generally used is different from a standard of a light source of an automobile head lamp, and a light emitting device to be used for an automobile head lamp should be newly designed and manufactured.

실시 형태가 이루고자 하는 기술적 과제는, 발광 효율이 높은 조명 장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a lighting apparatus having high luminous efficiency.

또한, 실시 형태가 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 다양한 규격에 적용할 수 있는 조명 장치를 제공하는 것이다.Further, another technical problem to be achieved by the embodiments is to provide a lighting device applicable to various standards.

또한, 실시 형태가 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 광변환층을 안정적으로 지지할 수 있는 조명 장치를 제공하는 것이다.In addition, another technical problem to be achieved by the embodiments is to provide a lighting device capable of stably supporting the light conversion layer.

또한, 실시 형태가 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 커버를 안정적으로 지지할 수 있는 조명 장치를 제공하는 것이다.It is another object of the present invention to provide a lighting device capable of stably supporting a cover.

일 실시 형태에 따른 조명 장치는 기판; 상기 기판 상에 배치된 광원부; 상기 기판 상에 배치되고, 상기 광원부 주위에 배치된 리플렉터; 및 상기 리플렉터 상에 배치되고, 상기 광원부와 소정 간격을 이격되고, 상기 광원부의 발광 면적보다 작은 개구를 갖는 커버;를 포함하고, 상기 리플렉터는 상단부와 하단부를 포함하고, 상기 리플렉터의 하단부의 두께는 상기 리플렉터의 상단부의 두께와 서로 다르다. An illumination device according to an embodiment includes a substrate; A light source unit disposed on the substrate; A reflector disposed on the substrate and disposed around the light source; And a cover disposed on the reflector, the cover being spaced apart from the light source part by a predetermined distance and having an opening smaller than the light emitting area of the light source part, wherein the reflector includes an upper end portion and a lower end portion, the thickness of the lower end portion of the reflector is Is different from the thickness of the upper end of the reflector.

실시 형태에 따른 조명 장치에 의하면, 발광 소자의 전류 밀도가 낮아지면 발광 효율이 높아져 소비전력을 낮출 수 있다.According to the lighting apparatus according to the embodiment, when the current density of the light emitting element is lowered, the light emitting efficiency is increased and the power consumption can be lowered.

실시 형태에 따른 조명 장치에 의하면, 발광 소자의 크기를 발광 소자를 사용하는 조명 장치에 적용되는 규격에 맞출 필요가 없어 기존의 발광 소자를 사용할 수 있어 원가를 절감할 수 있다. According to the lighting apparatus according to the embodiment, since it is not necessary to match the size of the light emitting element to the standard applied to the lighting apparatus using the light emitting element, the existing light emitting element can be used, and the cost can be reduced.

실시 형태에 따른 조명 장치에 의하면, 광변환층 또는 커버를 안정적으로 지지할 수 있다.According to the lighting apparatus according to the embodiment, the light conversion layer or the cover can be stably supported.

도 1은 조명 장치의 제1 실시 형태를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 조명 장치에서 채용된 기판에 발광 소자가 배치되어 있는 것을 나타내는 평면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 조명 장치의 Ⅲ-Ⅲ` 방향의 단면도이다.
도 4는 도 3에 도시된 리플렉터(120)의 변형 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 5의 (a) 내지 (b)는 도 3에 도시된 리플렉터(120)의 또 다른 변형 예들을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 도 3에 도시된 커버(130)와 광변환층(140)의 연결의 변형 예를 보여주는 단면도이다.
도 7은 도 3에 도시된 광변환층(140)의 다양한 배치의 예들을 보여주는 도면이다.
도 8은 전류밀도와 광속의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 9는 조명 장치의 제2 실시 형태를 나타내는 단면도이다.
도 10은 조명 장치의 제3 실시 형태를 나타내는 단면도이다.
도 11은 조명 장치의 제4 실시 형태를 나타내는 단면도이다.
도 12는 조명 장치의 제5 실시 형태를 나타내는 평면도이다.
도 13a는 조명 장치의 제6 실시 형태를 나타내는 평면도이다.
도 13b는 도 13a에 도시된 조명 장치의 b-b`단면도이다.
도 13c는 도 13a에 도시된 조명 장치의 c방향에서 바라본 정면도이다.
도 14a는 조명 장치의 제7 실시 형태를 나타내는 분해 정면도이다.
도 14b는 도 14a에 도시된 조명 장치의 분해 사시도이다.
도 14c는 도 14a에 도시된 조명 장치의 결합 사시도이다.
도 14d는 도 14c에 도시된 조명 장치를 A-A`로 절단한 단면도이다.
도 15a는 조명 장치의 제8 실시 형태를 나타내는 분해 정면도이다.
도 15b는 도 15a에 도시된 조명 장치의 분해 사시도이다.
도 15c는 도 15a에 도시된 조명 장치의 결합 사시도이다.
도 16a는 조명 장치의 제9 실시 형태를 나타내는 분해 정면도이다.
도 16b는 도 16a에 도시된 조명 장치의 분해 사시도이다.
도 16c는 도 16a에 도시된 조명 장치의 결합 사시도이다.
도 17은 패키지에 사용되는 물질의 반사율과 파장에 관한 그래프이다.1 is a plan view showing a first embodiment of a lighting apparatus.
2 is a plan view showing that a light emitting element is disposed on a substrate employed in the illumination apparatus shown in Fig.
3 is a sectional view in the III-III direction of the lighting apparatus shown in Fig.
FIG. 4 is a view for explaining a modified example of the reflector 120 shown in FIG.
5 (a) to 5 (b) are views for explaining still another modification of the reflector 120 shown in FIG.
6 is a cross-sectional view showing a modification of the connection of the cover 130 and the light conversion layer 140 shown in FIG.
FIG. 7 is a view showing examples of various arrangements of the light conversion layer 140 shown in FIG.
8 is a graph showing the relationship between the current density and the luminous flux.
9 is a cross-sectional view showing a second embodiment of the lighting apparatus.
10 is a sectional view showing a third embodiment of the lighting apparatus.
11 is a cross-sectional view showing a fourth embodiment of the lighting apparatus.
12 is a plan view showing a fifth embodiment of the lighting apparatus.
13A is a plan view showing a sixth embodiment of the lighting apparatus.
13B is a cross-sectional view of the illumination device shown in FIG. 13A.
13C is a front view of the lighting apparatus shown in Fig.
14A is an exploded front view showing a seventh embodiment of the lighting apparatus.
14B is an exploded perspective view of the illumination device shown in Fig. 14A.
Fig. 14C is an assembled perspective view of the illumination device shown in Fig. 14A. Fig.
14D is a cross-sectional view of the illumination device shown in FIG. 14C cut into AA '.
15A is an exploded front view showing the eighth embodiment of the lighting apparatus.
Fig. 15B is an exploded perspective view of the illumination device shown in Fig. 15A.
Fig. 15C is an assembled perspective view of the illumination device shown in Fig. 15A.
16A is an exploded front view showing a ninth embodiment of the lighting apparatus.
16B is an exploded perspective view of the illumination device shown in Fig. 16A.
16C is an assembled perspective view of the illumination device shown in Fig. 16A.
17 is a graph relating to reflectance and wavelength of a material used in a package.

이하, 실시 형태에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 다만, 첨부된 도면은 본 발명의 내용을 보다 쉽게 개시하기 위하여 설명되는 것일 뿐, 실시 형태의 범위가 첨부된 도면의 범위로 한정되는 것이 아님은 이 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 용이하게 알 수 있을 것이다.Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It is to be understood, however, that the appended drawings illustrate the use of the present invention in order to more easily explain the present invention, and the scope of the embodiments is not limited to the range of the accompanying drawings. You will know.

또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한, 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.In addition, the upper or lower reference of each component is described with reference to the drawings. The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size.

실시 형태의 설명에 있어서, 각 엘리먼트(element)의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 배치되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 엘리먼트(element)가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 엘리먼트(element)가 상기 두 엘리먼트(element) 사이에 배치되어(indirectly) 배치되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"으로 표현되는 경우 하나의 엘리먼트(element)를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiments, in the case of being described as being placed on "above or below" each element, the upper (upper) or lower (lower) or under includes both two elements being directly in contact with each other or one or more other elements being disposed indirectly between the two elements. Also, when expressed as "on or under", it may include not only an upward direction but also a downward direction with respect to one element.

이하, 실시 형태에서 실시하고자 하는 구체적인 기술내용에 대해 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 조명 장치의 제1 실시 형태를 나타내는 평면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 조명 장치에서 채용된 기판에 광원부가 배치되어 있는 것을 나타내는 평면도이고, 도 3은 도 1에 도시된 조명 장치의 Ⅲ-Ⅲ`의 단면도이다.FIG. 1 is a plan view showing a first embodiment of the lighting apparatus, FIG. 2 is a plan view showing that a light source unit is arranged on a substrate employed in the illumination apparatus shown in FIG. 1, Sectional view of III-III of Fig.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 조명 장치(1000)는 기판(100)과, 기판(100) 상에 배치되는 광원부(110)와, 기판(100) 상에서 광원부(110) 주위에 배치되고 광원부(110)에서 방출되는 빛을 반사하는 내측면이 기판(100)과 소정의 각도를 갖도록 형성되는 리플렉터(120)와, 리플렉터(120) 상에 배치되어 광원부(110)와 소정의 간격을 갖고 광원부(110)의 발광 면적보다 작은 면적을 갖는 개구(131)를 구비하는 커버(130)를 포함할 수 있다. 1 to 3, an illumination apparatus 1000 includes a substrate 100, a light source unit 110 disposed on the substrate 100, and a light source unit 110 disposed around the light source unit 110 on the substrate 100, A reflector 120 disposed on the reflector 120 and having a predetermined distance from the light source 110 to reflect light emitted from the light source 110, (130) having an opening (131) having an area smaller than the light emitting area of the light emitting element (110).

기판(100)은 광원부(110)에 전기적인 신호가 전달될 수 있도록 한다. 기판(100)은 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 기판 등을 포함할 수 있다. 또한, 기판(100)은 패키지 하지 않은 발광 소자(LED) 칩을 직접 본딩할 수 있는 COB(Chip On Board) 타입을 사용할 수 있다. 기판(100)은 방열이 뛰어난 금속 재질을 사용할 수도 있다. 또한, 세라믹을 사용할 수 있다. 예를 들어, 기판(100)은 질화알루미늄(AlN), 산화알루미늄(Al2O3), 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 주석(Sn) 및 마그네슘(Mg) 및 그 화합물 또는 산화물 중 하나를 포함하여 형성할 수 있다. The substrate 100 allows electrical signals to be transmitted to the light source unit 110. The substrate 100 may include a printed circuit board (PCB), a metal core PCB, a flexible PCB, and a ceramic substrate. In addition, the substrate 100 may be a COB (Chip On Board) type that can directly bond a light emitting device (LED) chip not packaged. The substrate 100 may be made of a metal material having excellent heat dissipation. Ceramics can also be used. For example, the substrate 100 may be formed of a material selected from the group consisting of AlN, Al2O3, Si, Al, Ni, Cu, Ag, Sn, And magnesium (Mg) and a compound or oxide thereof.

일 실시 형태에 있어서, 광원부(110)가 배치되는 기판(100)의 면을 백색으로 제조하여, 광원부(110)에서 방출되는 빛을 흡수하지 않고 반사시킴으로써 광효율을 향상시킬 수 있다. 기판(100)은 사각형의 판 형상을 갖는 것으로 도시되어 있지만, 이에 한정되지 않고 다양한 형태를 가질 수 있다. 예를 들면, 원형, 타원형 또는 다각형의 판 형상일 수 있다.In one embodiment, the surface of the substrate 100 on which the light source unit 110 is disposed may be made white, and the light emitted from the light source unit 110 may be reflected without being absorbed, thereby improving the light efficiency. Although the substrate 100 is shown as having a rectangular plate shape, it is not limited thereto and may have various shapes. For example, it may be a circular, oval or polygonal plate shape.

광원부(110)는 전기적인 신호를 빛으로 변환하여 방출하는 역할을 수행할 수 있다. 광원부(110)에 전기적인 신호를 전달하기 위해 기판(100)은 회로 패턴(미도시)을 가질 수 있다. 그리고, 광원부(110)는 복수의 발광 소자를 포함할 수 있다. 발광 소자는 발광다이오드(LED)를 예로 들을 수 있다. 광원부(110)가 발광 소자를 포함하면, 광원부(110)의 하부가 기판(100)에 안착되고, 상부가 와이어(115)를 통해 기판(100)과 연결됨으로써, 전기적인 신호를 기판(100)의 회로 패턴과 와이어(115)를 통해 전달받을 수 있다. 도 2에 복수의 발광 소자(110a, 110b, 110c, 110d)는 4개가 도시되어 있지만 이에 한정되지 않으며 조명 장치(1000)의 크기 등에 따라 위치와 개수가 정해질 수 있다. The light source unit 110 may convert an electrical signal into light and emit the light. The substrate 100 may have a circuit pattern (not shown) to transmit an electrical signal to the light source 110. The light source unit 110 may include a plurality of light emitting devices. The light emitting device may be a light emitting diode (LED). The lower part of the light source 110 is mounted on the substrate 100 and the upper part of the light source 110 is connected to the substrate 100 through the wire 115, Lt; / RTI > and the wire 115, respectively. Although the number of the plurality of light emitting devices 110a, 110b, 110c, and 110d is shown in FIG. 2, the number and positions of the light emitting devices 110a, 110b, 110c, and 110d may be determined according to the size of the illumination device 1000.

일 실시 형태에 있어서, 기판(100)에 복수의 발광 소자들(110a, 110b, 110c, 110d)을 배치하는 경우, 각 발광 소자들(110a, 110b, 110c, 110d) 간의 간격을 유지하여 배치할 수 있다. 예를 들어, 각 발광 소자들(110a, 110b, 110c, 110d)의 간격은 5~10μm 범위 내에서 배치할 수 있다. 각 발광 소자들(110a, 110b, 110c, 110d)의 간격이 10μm 이상으로 배치될 경우 기판(100), 리플렉터(120), 커버(130)에 의해 형성되고 광원부(110)가 배치되어 있는 공간에서 광손실이 발생될 수 있다. 그리고, 각 발광 소자들(110a, 110b, 110c, 110d)의 간격이 5μm 이하로 배치될 경우 각 발광 소자들(110a, 110b, 110c, 110d) 간의 간격 제어가 힘들고 정상적인 구동이 어려울 수 있다. In one embodiment, when a plurality of light emitting elements 110a, 110b, 110c, and 110d are disposed on the substrate 100, the spacing between the light emitting elements 110a, 110b, 110c, and 110d may be maintained . For example, the spacing of each of the light emitting elements 110a, 110b, 110c, and 110d may be within a range of 5 to 10 mu m. When the spacing between the light emitting elements 110a, 110b, 110c and 110d is 10 μm or more, the space formed by the substrate 100, the reflector 120, and the cover 130, Optical loss may occur. If the spacing between the light emitting elements 110a, 110b, 110c, and 110d is less than 5 占 퐉, the distance between the light emitting elements 110a, 110b, 110c, and 110d may be difficult to control and normal operation may be difficult.

광원부(110)에 채용된 발광 소자(110a, 110b, 110c, 110d)는 적색(red), 녹색(green), 청색(blue), 황색(yellow) 등의 색을 갖는 빛을 방출할 수 있다. 또한, 발광 소자(110a, 110b, 110c, 110d)는 자외선을 방출할 수 있다. 여기서, 발광 소자(110a, 110b, 110c, 110d)는 수평형(Lateral Type), 수직형(Vertical Type) 또는 플립칩형(Flip-chipType) 일 수 있지만 이에 한정하지는 않는다.The light emitting devices 110a, 110b, 110c, and 110d employed in the light source unit 110 may emit light having colors such as red, green, blue, and yellow. Further, the light emitting devices 110a, 110b, 110c, and 110d may emit ultraviolet rays. Here, the light emitting devices 110a, 110b, 110c, and 110d may be a lateral type, a vertical type, or a flip-chip type, but are not limited thereto.

리플렉터(120)는 광원부(110)의 주변에 배치되어 광원부(110)에서 방출된 빛을 반사하여 광효율을 증가시킬 수 있다. 리플렉터(120)는 기판(100) 상에 배치될 수 있다. 리플렉터(120)는 다양한 형태로 배치될 수 있는데 예를 들어 기판(100) 상에 도 1에 도시되어 있는 것과 같은 링 형태로 배치될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니며 광원부(110)에 대응하여 원형, 다각형, 또는 여러 형태의 조합으로 배치가 가능하다. The reflector 120 may be disposed around the light source unit 110 to reflect light emitted from the light source unit 110 to increase light efficiency. The reflector 120 may be disposed on the substrate 100. The reflector 120 may be disposed in various forms, for example, on the substrate 100 in the form of a ring as shown in FIG. 1, but the present invention is not limited thereto. The reflector 120 may be circular, Polygons, or combinations of various shapes.

도 3에서와 같이, 기판(100)의 측단면에서 볼 때,서로 마주보는 두 리플렉터(120)의 간격(S)은 기판(100)에서 위쪽 방향으로 멀어질수록 좁아지는 형태일 수 있다. 또한, 리플렉터(120)는 광원부(110)가 배치된 기판(100)의 상면을 기준으로 0도 이상 90도 이하의 범위 내에서 기울어진 상태로 기판(100) 상에 배치될 수 있다. 이로 인해, 리플렉터(120)의 경사 방향이 와이어(115)의 경사 방향에 대응될 수 있어 와이어(115)가 리플렉터(120)에 접촉되어 손상되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 리플렉터(120)가 기판(100) 쪽으로 넓어지는 형상을 갖게 되면 집광효과로 인해 광원부(110)의 발광 면적보다 작은 크기를 갖는 개구(131)를 가질 수 있어 조명 장치(100)는 광원부(110)보다 작은 크기의 발광 면적을 가질 수 있다. 여기서, 리플렉터(120)와 기판(100) 사이의 배치 형태는 상기의 기재에 한정되는 것은 아니다. As shown in FIG. 3, the spacing S between two reflectors 120 facing each other, as seen from the side surface of the substrate 100, may become narrower toward the upper side in the substrate 100. The reflector 120 may be disposed on the substrate 100 in a state where the reflector 120 is inclined within a range of 0 to 90 degrees with respect to the upper surface of the substrate 100 on which the light source unit 110 is disposed. This makes it possible to prevent the wire 115 from being damaged by contact with the reflector 120 because the inclination direction of the reflector 120 can correspond to the inclination direction of the wire 115. When the reflector 120 has a shape that widens toward the substrate 100, the reflector 120 may have an opening 131 having a size smaller than the light emitting area of the light source 110 due to the light condensing effect. 110). &Lt; / RTI > Here, the arrangement form between the reflector 120 and the substrate 100 is not limited to the above description.

도 3에 도시된 바와 같이, 리플렉터(120)의 두께는 일정할 수 있다. 즉, 리플렉터(120)의 하단부, 중단부 및 상단부 각각의 두께가 서로 동일할 수 있다. 여기서, 리플렉터(120)의 두께는 일정하지 않을 수 있다. 구체적으로, 도 4 내지 도 5를 참조하여 설명하도록 한다.As shown in Fig. 3, the thickness of the reflector 120 may be constant. That is, the thicknesses of the lower end portion, the middle portion, and the upper end portion of the reflector 120 may be equal to each other. Here, the thickness of the reflector 120 may not be constant. More specifically, the description will be made with reference to Figs. 4 to 5. Fig.

도 4는 도 3에 도시된 리플렉터(120)의 변형 예를 설명하기 위한 도면이다.FIG. 4 is a view for explaining a modified example of the reflector 120 shown in FIG.

도 4를 참조하면, 리플렉터(120’)의 두께는 기판(100)의 상면에서 위쪽으로 멀어질수록 두꺼워질 수 있다. 또는 리플렉터(120’)의 두께는 커버(130)의 하면에서 아래쪽으로 멀어질수록 얇아질 수 있다. 또는, 리플렉터(120’)의 하단부의 두께(t1)는 상단부의 두께(t2)보다 얇다. Referring to FIG. 4, the thickness of the reflector 120 'may become thicker toward the upper side of the upper surface of the substrate 100. Or the reflector 120 'may become thinner toward the lower side of the lower surface of the cover 130. Alternatively, the thickness t1 of the lower end portion of the reflector 120 'is thinner than the thickness t2 of the upper end portion.

리플렉터(120’)의 내측면(121’)의 상단은 광변환층(140)과 연결될 수 있다. 리플렉터(120’)의 내측면(121’)의 상단이 광변환층(140)과 연결되면, 리플렉터(120’)가 광원부(110)와 커버(130)에 배치되기 때문에, 광원부(110)로부터의 광이 커버(130)에 닿지 못하므로, 커버(130)에 의한 광 흡수 또는 광 손실을 막을 수 있는 이점이 있다. 또한, 리플렉터(120’)가 광변환층(140)을 가이드하기 때문에, 광변환층(140)을 더욱 안정적으로 지지할 수 있는 이점도 있다.The top of the inner surface 121 'of the reflector 120' may be connected to the light conversion layer 140. Since the reflector 120 'is disposed on the light source 110 and the cover 130 when the upper end of the inner surface 121' of the reflector 120 'is connected to the light conversion layer 140, It is possible to prevent light absorption or light loss due to the cover 130. In addition, In addition, since the reflector 120 'guides the light conversion layer 140, there is an advantage that the light conversion layer 140 can be supported more stably.

도 5의 (a) 내지 (b)는 도 3에 도시된 리플렉터(120)의 또 다른 변형 예들을 설명하기 위한 도면이다.5 (a) to 5 (b) are views for explaining still another modification of the reflector 120 shown in FIG.

도 5의 (a)를 참조하면, 리플렉터(120’’)는 하단부(123’’)와 상단부(125’’)를 포함할 수 있다. Referring to Figure 5 (a), the reflector 120 "may include a lower end 123" and an upper end 125 ".

하단부(123’’)는, 도 3에 도시된 리플렉터(120)와 같이, 서로 마주보는 두 리플렉터(120)의 간격이 기판(100)에서 위쪽 방향으로 멀어질수록 좁아지는 형태일 수 있다. 또는 하단부(123’’)는 광원부(110)가 배치된 기판(100)의 상면을 기준으로 0도 이상 90도 이하의 범위 내에서 기울어진 상태로 기판(100) 상에 배치될 수 있다. The lower end 123 '' may be formed such that the distance between the two reflectors 120 facing each other becomes narrower as the distance from the substrate 100 increases in the upward direction, as in the reflector 120 shown in FIG. Or the lower end 123 '' may be disposed on the substrate 100 in an inclined state within a range of 0 ° to 90 ° with respect to the upper surface of the substrate 100 on which the light source unit 110 is disposed.

상단부(125’’)는 하단부(123’’) 상에 배치되고, 상단부(125’’)는 하단부(123’’)의 상면에서 수직방향으로 연장된 형상을 가질 수 있다. The upper portion 125 '' may be disposed on the lower end portion 123 '' and the upper portion 125 '' may have a shape extending vertically on the upper surface of the lower end portion 123 ''.

또한, 하단부(123’’)의 내측면은 광원부(110)가 배치된 기판(100)의 상면과 예각을 이루고, 상단부(125’’)이 내측면은 광원부(110)가 배치된 기판(100)의 상면과 수직을 이룰 수 있다.The inner surface of the lower end portion 123 '' forms an acute angle with the upper surface of the substrate 100 on which the light source portion 110 is disposed, and the inner surface of the upper end portion 125 ' ) Perpendicular to the upper surface.

이러한 리플렉터(120’’)는, 도 3에 도시된 리플렉터(120)와 대비하여, 커버(130)를 더 안정적으로 지지할 수 있는 이점이 있다. Such a reflector 120 '' has an advantage in that it can more stably support the cover 130 as compared with the reflector 120 shown in FIG.

또한, 리플렉터(120’’)가 광변환층(140)과 연결될 경우에는, 광변환층(140)을 안정적으로 지지할 수 있는 이점도 있다.In addition, when the reflector 120 '' is connected to the light conversion layer 140, there is an advantage that the light conversion layer 140 can be stably supported.

도 5의 (b)를 참조하면, 리플렉터(120’’’)는 내측면(121’’’)은 곡면일 수 있다. 내측면(121’’’)은, 외측면(127’’’) 방향 또는 도 3에 도시된 광원부(110)에서 멀어지는 방향으로 볼록할 수 있다.Referring to FIG. 5B, the reflector 120 '' 'may have a curved inner surface 121' ''. The inner surface 121 '' 'may be convex in the direction of the outer surface 127' '' or in the direction away from the light source unit 110 shown in FIG.

리플렉터(120’’’)의 외측면(127’’’)은 곡면일 수 있다. 외측면(127’’’)은, 바깥 방향 또는 도 3에 도시된 광원부(110)에서 멀어지는 방향으로 볼록할 수 있다. 여기서, 외측면(127’’’)은 곡면이 아닌, 도 3에 도시된 바와 같이, 평면일 수도 있다.The outer surface 127 '' 'of the reflector 120' '' may be curved. The outer surface 127 '' 'may be convex in the outward direction or in a direction away from the light source unit 110 shown in FIG. Here, the outer surface 127 '' 'may not be a curved surface, but may be plane, as shown in FIG.

리플렉터(120’’’)의 내측면(121’’’)과 외측면(127’’’)은 도면에 도시된 바와 같이, 서로 다른 곡률을 가질 수 있다. 이 경우, 리플렉터(120’’’)의 하단부와 상단부의 두께는 서로 다를 수 있다. The inner surface 121 '' 'and the outer surface 127' '' of the reflector 120 '' 'may have different curvatures as shown in the figure. In this case, the thickness of the lower end portion and the upper end portion of the reflector 120 '' 'may be different from each other.

여기서, 리플렉터(120’’’)의 내측면(121’’’)과 외측면(127’’’)은 서로 동일한 곡률을 가질 수도 있다. 이 경우, 리플렉터(120’’’)의 하단부와 상단부의 두께는 서로 같을 수 있다.Here, the inner surface 121 '' 'and the outer surface 127' '' of the reflector 120 '' 'may have the same curvature. In this case, the thickness of the lower end portion and the upper end portion of the reflector 120 '' 'may be equal to each other.

이러한 리플렉터(120’’’)는 내측면(121’’’)이 곡면이기 때문에, 도 3에 도시된 광원부(110)와 리플렉터(120’’’) 및 광변환층(140)에 의해 구획되는 소정의 공간이, 도 3에 도시된 공간보다 더 넓다. 따라서, 광원부(110)로부터의 광이 리플렉터(120’’’)와 광변환층(140)에서 반사되어 믹싱되는 공간이 더 넓어지므로, 조명 장치에서 방출되는 광의 효율 및 색의 구현이 개선될 수 있는 이점이 있다.Since the inner surface 121 '' 'of the reflector 120' '' is curved, the reflector 120 '' 'is divided by the light source unit 110, the reflector 120' '', and the light conversion layer 140 The predetermined space is wider than the space shown in Fig. Therefore, since the space from which the light from the light source unit 110 is reflected and mixed by the reflector 120 '' 'and the light conversion layer 140 is widened, the efficiency and color of light emitted from the lighting apparatus can be improved There is an advantage.

도 1 내지 도 5를 참조하면, 리플렉터(120, 120’, 120’’, 120’’’)는 광효율이 증가되도록 하기 위해 반사율이 높은 재질이 사용될 수 있다. 이를 위해, 리플렉터(120, 120’, 120’’, 120’’’)는 금속, 유리, 세라믹 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들면, 리플렉터(120, 120’, 120’’, 120’’’)는 세라믹 중 산화알루미늄(Al2O3)을 포함할 수 있다. 또한, 리플렉터(120, 120’, 120’’, 120’’’)의 적어도 한 쪽 측면에 별도의 반사층(미도시)이 배치되어 광효율을 증가시킬 수 있다.1 to 5, a material having high reflectance may be used to increase the light efficiency of the reflectors 120, 120 ', 120 ", 120' ''. To this end, the reflectors 120, 120 ', 120 ", 120' '' may comprise at least one of metal, glass, and ceramic. For example, the reflectors 120, 120 ', 120 ", 120 "' may comprise ceramic aluminum oxide (Al2O3). Further, a separate reflective layer (not shown) may be disposed on at least one side of the reflectors 120, 120 ', 120' ', 120' '' to increase the light efficiency.

다시, 도 1 내지 도 3을 참조하면, 커버(130)는 광원부(110) 상에 배치되고 소정의 면적을 갖는 개구(131)가 형성될 수 있다. 개구(131)의 면적은 광원부(110)의 발광 면적보다 작게 형성될 수 있다. 광원부(110)의 발광 면적은 발광 소자의 면적 또는 면적의 합을 의미할 수 있다. 발광 소자의 면적은 기판(100)과 수평인 평면에서의 발광 소자의 면적을 의미할 수 있다. 또한, 광원부(110)의 발광 면적은 기판(100) 상에 배치된 발광 소자의 최외곽을 이은 선으로 형성되는 폐곡면을 의미할 수 있다. 예를 들면, 도 2에 도시되어 있는 것과 같이 광원부(110)의 발광 면적이 사각형인 경우 발광 소자의 최상단의 수평 연장된 선(a-a`)과 발광 소자의 최하단의 수평 연장선(b-b`)에 각각 교차하는 발광 소자의 좌측의 수직 연장선(c-c`)과 발광 소자의 우측의 수직 연장선(d-d`)으로 형성되는 폐곡면을 의미할 수 있다. 여기서, 광원부(110)의 발광 면적은 직사각형으로 표시되어 있지만 이에 한정되지 않으며 발광 소자의 기판(100) 상의 배치에 따라 다르게 형성될 수 있다.1 to 3, the cover 130 may be formed on the light source 110 and have an opening 131 having a predetermined area. The area of the opening 131 may be smaller than the light emitting area of the light source 110. The light emitting area of the light source 110 may mean the sum of areas or areas of the light emitting devices. The area of the light emitting device may be the area of the light emitting device in a plane horizontal to the substrate 100. In addition, the light emitting area of the light source 110 may be a closed curve formed by lines connecting the outermost portions of the light emitting devices disposed on the substrate 100. For example, as shown in FIG. 2, when the light emitting area of the light source unit 110 is a quadrangle, the uppermost horizontal extended line aa 'of the light emitting element and the lowermost horizontal extended line bb' May be a closed curved surface formed by a vertical extension line cc 'on the left side of the intersecting light emitting element and a vertical extension line dd` on the right side of the light emitting element. Here, the light emitting area of the light source 110 is rectangular, but is not limited thereto, and may be formed differently depending on the arrangement of the light emitting device on the substrate 100.

그리고, 커버(130)는 광투과율이 낮은 물질로 형성될 수 있다. 광투과율이 낮은 물질로는 예를 들어 반사율이 높은 물질일 수 있다. 반사율이 높은 물질은 예를 들어, 은, 은을 포함하는 합금, 알루미늄 등을 포함하는 금속성 물질과, 광학다층막(유전체 다층막)을 포함하는 비금속성 물질을 포함할 수 있다. 또한, 산화티탄, 산화 알루미늄, 산화 지르코늄, 하프늄 산화물 등을 포함할 수 있는 금속 산화물 일 수 있다. 본 발명에 따른 조명 장치(1000)는 광원부(110)의 주변에는 각각 광원부(110)를 둘러 쌓은 리플렉터(120)와 개구(131)가 형성된 커버(130)가 배치되어 있기 때문에 광원부(110)에서 방출된 빛은 커버(130)에 형성된 개구(131)를 통해서만 외부로 방출될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 조명 장치(1000)의 발광 면적은 개구(131)의 면적에 해당될 수 있다. 따라서, 개구(131)의 면적은 조명 장치(1000)가 사용될 용도에 따른 규격에 의해 정해질 수 있다. 즉, 규격에 발광 면적의 크기가 가로로 1mm, 세로로 8mm로 설정되어 있는 경우, 개구(131)의 크기를 가로 1mm, 세로 8mm로 하면 규격에 맞는 조명 장치(1000)가 될 수 있다. 이렇게 개구(131)이 조명 장치(1000)의 발광 면적의 규격에 맞게 제작되면, 발광 소자로 이루어진 광원부(110)의 크기가 개구(131)의 크기보다 더 크더라도 빛은 개구(131)을 통해서만 방출되기 때문에 조명 장치(1000)는 규격에 맞는 효과를 얻을 수 있다. 예를 들어 설명하면, 도 2에 도시되어 있는 것과 같이 기판(110) 상에 각각 가로, 세로 각각 1.45mm의 크기를 갖는 발광 소자(110a, 110b, 110c, 110d)를 4개를 일렬로 배치하더라도 개구(131)의 면적이 규격에 맞기 때문에 조명 장치(1000)는 규격에 맞을 수 있다. 또한, 가로, 세로 각각 1.45mm의 크기를 갖는 발광 소자(110a, 110b, 110c, 110d)는 널리 사용되는 발광 소자이기 때문에 별도로 개구(131)의 면적에 맞는 발광 소자를 설계할 필요가 없다. The cover 130 may be formed of a material having a low light transmittance. A material having a low light transmittance may be, for example, a substance having a high reflectivity. The material having a high reflectance may include a metallic material including, for example, silver, an alloy including silver, aluminum and the like, and a non-metallic material including an optical multilayer film (dielectric multilayer film). Further, it may be a metal oxide which may include titanium oxide, aluminum oxide, zirconium oxide, hafnium oxide and the like. Since the cover 130 having the reflector 120 and the opening 131 surrounding the light source unit 110 is disposed around the light source unit 110 in the lighting apparatus 1000 according to the present invention, The emitted light can be emitted to the outside only through the opening 131 formed in the cover 130. Accordingly, the light emitting area of the illumination device 1000 according to the present invention may correspond to the area of the opening 131. [ Therefore, the area of the opening 131 can be determined by the specification according to the use in which the illumination device 1000 is used. That is, when the size of the light emitting area is set to 1 mm horizontally and 8 mm vertically in the standard, if the size of the opening 131 is 1 mm in width and 8 mm in length, the lighting apparatus 1000 can be a standard. If the size of the light source 110 including the light emitting element is larger than the size of the opening 131, the light can be emitted only through the opening 131 So that the lighting apparatus 1000 can obtain effects meeting the standard. For example, as shown in FIG. 2, even if four light emitting devices 110a, 110b, 110c, and 110d having a size of 1.45 mm on both sides of the substrate 110 are arranged in a row Since the area of the opening 131 meets the standard, the lighting apparatus 1000 may conform to the standard. In addition, since the light emitting devices 110a, 110b, 110c, and 110d having a width of 1.45 mm and a width of 1.45 mm are widely used, there is no need to design a light emitting device corresponding to the area of the opening 131 separately.

발광 소자(110a, 110b, 110c, 110d)는 전류밀도가 낮을수록 광효율이 더 높기 때문에 전류 밀도를 낮추게 되면 조명 장치(1000)의 소비전력을 낮출 수 있고 발광 소자의 발광 효율 및 수명 등이 향상될 수 있다. 따라서, 광원부(110)의 발광 면적을 크게 할 경우 전류 밀도를 낮출 수 있고 이를 통해 발광 효율을 개선할 수 있다. 예를 들어, 조명 장치(1000)에서 광원부(110)의 발광 소자의 크기를 크게 하여 발광 면적을 크게 할 경우 전류밀도를 낮출 수 있고 이를 통해 광원부(110)의 발광 효율을 예를 들어, 최대 30% 범위로 향상되도록 할 수 있다. 즉, 조명 장치(1000)에서 개구(131)의 면적을 규격에 맞추고 광원부(110)의 발광 면적을 개구(131)의 면적보다 크게 하여 발광 효율을 향상시킬 경우 광학 손실율을 30% 보다 낮아지도록 할 수 있어 종합적으로 발광 효율 개선의 효과를 기대할 수 있다. 바꾸어 말하면, 광학 손실율을 30% 이내가 되도록 할 수 있어 조명 장치(1000)의 전체적인 광 추출 효율이 70% 이상이면 되어 조명 장치(1000)의 성능이 향상되었다고 할 수 있다. 더욱 자세하게는 광학 손실율이 25% 이내가 되어 조명 장치(1000)의 발광 효율이 75% 이상이 될 경우 더 큰 조명 장치(1000)의 성능 향상이 가능할 수 있다.Since the luminous efficiency of the light emitting devices 110a, 110b, 110c, and 110d is lower as the current density is lowered, the power consumption of the lighting apparatus 1000 can be lowered and the luminous efficiency and lifetime of the light emitting device can be improved . Therefore, when the light emitting area of the light source 110 is increased, the current density can be lowered and the luminous efficiency can be improved. For example, when the size of the light emitting element of the light source unit 110 is increased to increase the light emitting area in the lighting apparatus 1000, the current density can be lowered and the light emitting efficiency of the light source unit 110 can be reduced to, for example, %. &Lt; / RTI > That is, when the area of the opening 131 in the lighting apparatus 1000 is adjusted to the standard and the light emitting area of the light source 110 is made larger than the area of the opening 131, the light loss efficiency is lowered to 30% And the effect of improving the luminous efficiency can be expected comprehensively. In other words, the optical loss factor can be reduced to 30% or less, and the overall light extraction efficiency of the lighting apparatus 1000 is 70% or more, which means that the performance of the lighting apparatus 1000 is improved. More specifically, if the optical loss factor is less than 25% and the luminous efficiency of the lighting apparatus 1000 is 75% or more, the performance of the larger illuminating apparatus 1000 can be improved.

일 실시 형태에 있어서, 커버(130)의 개구(131)에는 광원부(110)에서 방출되는 빛의 파장을 변환시키는 광변환층(140)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 광변환층(140)은 개구(131)가 형성된 커버(130)의 하면에 배치될 수 있다. In one embodiment, the opening 131 of the cover 130 may be provided with a light conversion layer 140 for converting the wavelength of light emitted from the light source unit 110. For example, the light conversion layer 140 may be disposed on the lower surface of the cover 130 where the opening 131 is formed.

광변환층(140)이 개구(131)에 배치되면 광변환층(140)이 광원부(110)와 일정한 간격을 갖게 된다. 이렇게 광변환층(140)이 광원부(110)에 직접 접촉되지 않고 일정한 간격을 갖게 되면, 광원부(120)에서 발생한 열이 광변환층(140)에 직접적으로 영향을 미치지 않아 광변환층(140)의 내열성이 향상될 수 있다. 또한, 휘도 균일성이 향상될 수 있다. 그리고, 광변환층(140)은 빛의 파장을 변화시키는 광변환물질이 유리판, 실리콘, PMMA, PC, 아크릴판 등에 분산되도록 하여 형성할 수 있다. 광변환층(140)은 커버(130)에 접착제를 이용하여 고정될 수 있으며 접착제는 열에 안정적인 것을 사용할 수 있다. When the light conversion layer 140 is disposed in the opening 131, the light conversion layer 140 is spaced apart from the light source 110 by a predetermined distance. When the light conversion layer 140 is not directly contacted with the light source 110 but has a certain distance therebetween, heat generated in the light source 120 does not directly affect the light conversion layer 140, Can be improved. Also, the luminance uniformity can be improved. The light conversion layer 140 may be formed by dispersing a light conversion material that changes the wavelength of light on a glass plate, silicon, PMMA, PC, acrylic plate, or the like. The photo-conversion layer 140 may be fixed to the cover 130 using an adhesive, and a heat-stable adhesive may be used.

도 3에 도시된 바와 같이, 커버(130)에 있어서 광변환층(140)이 접착되는 부분은 커버(130)와 다른 재질 또는 재료로 구성될 수 있다. 구체적으로, 도 6을 참조하여 설명하도록 한다.3, the portion of the cover 130 where the light conversion layer 140 is adhered may be made of a material or material different from that of the cover 130. FIG. This will be described in detail with reference to Fig.

도 6은 도 3에 도시된 커버(130)와 광변환층(140)의 연결의 변형 예를 보여주는 단면도이다.6 is a cross-sectional view showing a modification of the connection of the cover 130 and the light conversion layer 140 shown in FIG.

도 6을 참조하면, 광변환층(140)은, 커버(130)가 아닌, 광투과부(150)에 접착될 수 있다. 광투과부(150)는 커버(130)에 배치되며, 개구(131)를 정의한다. Referring to FIG. 6, the light conversion layer 140 may be adhered to the light transmitting portion 150, not the cover 130. The light transmitting portion 150 is disposed on the cover 130, and defines the opening 131.

광투과부(150)는 커버(130)의 개구(131)를 정의하는 커버(130)의 가장자리에 연결 또는 가장자리에서 연장된 것일 수 있다. 이러한 광투과부(150)는 광변환층(140)을 통과하는 광을 투과시킬 수 있다. The light transmitting portion 150 may be connected to the edge of the cover 130 defining the opening 131 of the cover 130 or may extend from the edge. The light transmitting portion 150 can transmit the light passing through the light converting layer 140.

광변환층(140)의 중심부는 커버(130)의 개구(131) 아래에 배치되고, 광변환층(140)의 중심부를 제외한 가장자리는 광투과부(150) 아래에 배치된다.The central portion of the light conversion layer 140 is disposed below the opening 131 of the cover 130 and the edge of the light conversion layer 140 excluding the central portion thereof is disposed below the light transmission portion 150.

이러한 광투과부(150)를 포함하는 조명 장치는, 도 3에 도시된 조명 장치와 대비하여, 더 많은 광을 밖으로 방출할 수 있는 이점이 있다. The illuminating device including such a light transmitting portion 150 has an advantage in that it can emit more light in comparison with the illuminating device shown in Fig.

즉, 도 3에 도시된 개구(131)와 도 6에 도시된 개구(131)가 동일한 크기일 경우, 광투과부(150)에 의해 도 6에 도시된 개구(131)에서 더 많은 광이 방출되므로, 조명 장치의 발광 효율이 향상되는 이점이 있다.That is, when the opening 131 shown in FIG. 3 and the opening 131 shown in FIG. 6 are the same size, more light is emitted from the opening 131 shown in FIG. 6 by the light transmitting portion 150 , There is an advantage that the luminous efficiency of the lighting apparatus is improved.

도 6에서, 광변환층(140)이 커버(130) 또는 개구(131) 아래에 배치된 것으로 도시되어 있으나, 광변환층(140)은 커버(130) 또는 개구(131) 상에 배치될 수도 있다.6, the light conversion layer 140 is shown as being disposed under the cover 130 or the opening 131, but the light conversion layer 140 may be disposed on the cover 130 or the opening 131 have.

한편, 광변환층(140)의 다양한 배치의 예들을 도 7을 참조하여 설명하도록 한다.On the other hand, examples of various arrangements of the light conversion layer 140 will be described with reference to FIG.

도 7은 도 3에 도시된 광변환층(140)의 다양한 배치의 예들을 보여주는 도면이다.FIG. 7 is a view showing examples of various arrangements of the light conversion layer 140 shown in FIG.

도 7의 (a)를 참조하면, 광변환층(140)은 개구(131)가 형성된 커버(130)의 상면에 배치될 수도 있다.Referring to FIG. 7A, the photo-conversion layer 140 may be disposed on the upper surface of the cover 130 having the openings 131 formed thereon.

도 7의 (b)를 참조하면, 광변환층(140)은 개구(131)가 형성된 커버(130’)의 하단부에 삽입될 수 있다. 광변환층(140)은 커버(130’)의 하단부에 일 부분이 삽입될 수 있다. 여기서, 광변환층(140)은 커버(130’)의 하단부에 전부가 삽입될 수도 있다. Referring to FIG. 7 (b), the photo-conversion layer 140 may be inserted into the lower end of the cover 130 'having the openings 131 formed thereon. The light conversion layer 140 may be partially inserted into the lower end of the cover 130 '. Here, the light conversion layer 140 may be entirely inserted into the lower end of the cover 130 '.

도 7의 (c)를 참조하면, 광변환층(140)은 개구(131)가 형성된 커버(130’’)의 상단부에 삽입될 수 있다 광 변환층(140)은 커버(130’’)의 상단부에 일 부분이 삽입될 수 있다. 여기서, 광 변환층(140)은 커버(130’’)의 상단부에 전부가 삽입될 수도 있다.Referring to FIG. 7C, the light conversion layer 140 may be inserted into the upper end of the cover 130 '' formed with the opening 131. The light conversion layer 140 may be formed on the cover 130 ' A portion can be inserted into the upper end. Here, the light conversion layer 140 may be entirely inserted into the upper end of the cover 130 ''.

일 실시 형태에 있어서, 리플렉터(120)와 커버(130)는 하나의 몸체로 이루어질 수 있다. 리플렉터(120)와 커버(130)가 하나의 몸체로 이루어지는 경우 리플렉터(120)와 커버(130)가 하나의 공정을 통해 배치될 수 있어서, 리플렉터(120)에 커버(130)를 부착하는 공정을 생략할 수 있어 공정상 이점이 있을 수 있다. 또한, 리플렉터(120)와 커버(130)가 하나의 몸체로 이루어질 경우 리플렉터(120)와 커버(130)가 별도로 이루어져 결합 시 발생할 수 있는 오부착 등의 문제점을 줄일 수 있다. In one embodiment, the reflector 120 and the cover 130 may be formed as a single body. When the reflector 120 and the cover 130 are formed as a single body, the reflector 120 and the cover 130 can be disposed through a single process, thereby attaching the cover 130 to the reflector 120 It can be omitted, and there may be a process advantage. In addition, when the reflector 120 and the cover 130 are formed as a single body, the reflector 120 and the cover 130 are separately formed, and problems such as erroneous attachment that may occur when the reflector 120 and the cover 130 are combined can be reduced.

하기의 표 1은 리플렉터(120), 커버(130), 기판(100)의 및 광원부(110)의 발광 소자의 반사율에 따른 조명 장치의 발광 효율에 관한 실험 데이터를 나타낸다. 여기서, 광원부(110)의 발광 소자에서 방출된 빛은 리플렉터(120), 커버(130), 기판(100)에서 반사될 수 있고, 또한, 발광 소자에서 방출된 빛은 리플렉터(120), 커버(130), 기판(100) 등에 의해 반사되어 다시 발광 소자의 표면에 도달되어 발광 소자의 표면에서 반사될 수 있다. 또한, 광원부(110)는 4개의 발광 소자를 포함하고 각 발광 소자는 광출력이 1W인 것으로 실험을 하였다. 그리고, 리플렉터(120)의 반사면과 발광 소자가 배치되는 기판(100) 사이의 각도는 25°가 되도록 하였다. 4개의 발광 소자의 각각의 광출력이 1W 이기 때문에 광원부(110)의 광출력은 4W가 된다. 따라서, 개구(131)을 통해 방출되는 되는 빛의 도달 광량이 3W 이상이면, 개구(131)에서 방출되는 빛의 도달 광량이 광원부(110)에서 방출되는 광량의 75% 이상이 될 수 있어 전류 밀도 저감에 따른 광효율의 증가가 빛의 도달 광량의 저감을 보상할 수 있다. Table 1 below shows experimental data on the luminous efficiency of the illumination device according to the reflectance of the reflector 120, the cover 130, the substrate 100, and the light emitting element of the light source part 110. The light emitted from the light emitting element of the light source unit 110 may be reflected by the reflector 120, the cover 130 and the substrate 100 and the light emitted from the light emitting element may be reflected by the reflector 120, 130, the substrate 100, and the like, may reach the surface of the light emitting device again and be reflected at the surface of the light emitting device. Also, the light source unit 110 includes four light emitting devices, and each light emitting device has an optical output of 1W. The angle between the reflective surface of the reflector 120 and the substrate 100 on which the light emitting element is disposed was set to 25 degrees. Since the light output of each of the four light emitting devices is 1W, the light output of the light source unit 110 becomes 4W. Therefore, if the amount of light reaching the opening 131 is 3 W or more, the amount of light emitted from the opening 131 may be 75% or more of the amount of light emitted from the light source 110, An increase in the light efficiency due to the reduction can compensate for the reduction in the amount of light reaching the light.

상기의 표 1에서, 리플렉터(120), 커버(130), 기판(100)의 반사율의 평균을 패키지 반사율이라 칭하고 Rp로 표시하였고 발광 소자의 반사율을 칩 반사율이라 칭하고 Rc로 표시하였다.In Table 1, the average reflectance of the reflector 120, the cover 130, and the substrate 100 is referred to as package reflectance Rp and the reflectance of the light emitting device is referred to as chip reflectance Rc.

상기의 표 1을 보면, 패키지 반사율이 99%인 경우 칩의 반사율이 98-88% 이면, 개구(131)를 통해 방출되는 빛의 도달 광량은 3.511~3.020 W이고, 패키지 반사율이 98%인 경우 칩의 반사율이 98-92% 이면, 개구(131)를 통해 방출되는 빛의 도달 광량은 3.283~3.019 W 이다. 따라서, 패키지 반사율이 98% 이상이고 칩반사율이 92% 이상이거나 패키지 반사율이 99% 이상이고 칩반사율이 88% 이상이면 개구(131)에서 방출되는 빛의 도달 광량은 광원부(110)에서 방출되는 광량의 75% 이상이 될 수 있다.As shown in Table 1, when the package reflectance is 99%, the reflectance of the chip is 98-88%, the amount of light emitted through the opening 131 is 3.511-3.020 W, and the package reflectance is 98% When the reflectance of the chip is 98-92%, the amount of light emitted through the opening 131 reaches 3.283-3.019 W. Therefore, when the package reflectance is 98% or more, the chip reflectance is 92% or more, the package reflectance is 99% or more, and the chip reflectance is 88% or more, the amount of light emitted from the opening 131 is the light amount emitted from the light source 110 Or more.

도 8은 전류밀도와 광속의 관계를 나타내는 그래프이다. 8 is a graph showing the relationship between the current density and the luminous flux.

도 8을 참조하면, 전류밀도가 높아질수록 광속이 점차 낮아지는 것이 개시되어 있다. 예를 들어, 전류밀도가 250mA/mm2인 경우 광속은 1.35이고 전류밀도가 500mA/mm2인 경우 광속은 1.00임을 알 수 있다. 즉, 전류밀도가 500mA/mm2에서 250mA/mm2로 1/2배가 되면 광속은 1.00에서 1.35로 1.35배가 됨을 알 수 있다. 따라서, 전류밀도가 절반이 되면 광효율이 30% 이상 증가됨을 알 수 있다. Referring to FIG. 8, it is disclosed that the luminous flux gradually decreases as the current density increases. For example, if the current density is 250 mA / mm < 2 >, the luminous flux is 1.35 and the luminous flux is 1.00 when the current density is 500 mA / mm < That is, when the current density is 1/2 times the current density from 250 mA / mm 2 to 250 mA / mm 2, the luminous flux is 1.35 times from 1.00 to 1.35. Therefore, it can be seen that when the current density is halved, the light efficiency is increased by 30% or more.

도 9는 조명 장치의 제2 실시 형태를 나타내는 단면도이다.9 is a cross-sectional view showing a second embodiment of the lighting apparatus.

도 9를 참조하면, 조명 장치(5000)는 기판(500)과, 기판(500) 상에 발광 소자를 포함하는 광원부(510)와, 광원부(510)의 주위로 형성되어 광원부(510)에서 방출되는 빛을 반사하는 리플렉터(520)를 포함할 수 있다. 그리고, 리플렉터(520)에 의해 광원부(510)와 일정한 간격을 갖고 배치되는 커버(530)를 포함할 수 있다. 커버(530)에는 광원부(510)의 발광 면적보다 작은 면적을 갖는 개구(531)가 형성되고, 개구(531)에는 글래스(540a)가 형성되어 광원부(510)에서 방출되는 빛을 확산시킬 수 있다. 예를 들어, 글래스(540a)는 개구(531)가 형성된 커버(530)의 하면 또는 상면에 배치될 수 있다. 9, the illumination device 5000 includes a substrate 500, a light source 510 including a light emitting device on the substrate 500, and a light source 510 formed around the light source 510 to emit light from the light source 510 And a reflector 520 that reflects the light. The cover 530 may be disposed at a predetermined distance from the light source unit 510 by the reflector 520. An opening 531 having an area smaller than the light emitting area of the light source 510 is formed in the cover 530 and a glass 540a is formed in the opening 531 to diffuse the light emitted from the light source 510 . For example, the glass 540a may be disposed on the lower surface or the upper surface of the cover 530 on which the opening 531 is formed.

글래스(540a)는 빛의 확산을 더욱 향상시킬 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 글래스(540a)는 아르곤(Ar)을 포함하여 빛의 확산을 향상시킬 수 있다. 그리고, 광원부(510)상에 광변환층(511)이 접촉하는 형태로 배치될 수 있다. 또한, 조명 장치(5000)는 와이어(515)를 이용하여 광원부(510)와 기판(500)이 전기적으로 연결될 수 있다. 이때, 광원부(510)와기판(500)이 와이어(515)를 통해 전기적으로 연결하기 위해 예를 들어, 광원부(510) 상에 광원부(510)의 상면과 접촉하여 배치된광변환층(511)이 광원부(510) 상면 중 일부를 덮지 않도록 배치할 수 있고 광변환층(511)이 배치되어 있지 않은 광원부(510)의 상면에 와이어(515)가 연결할 수 있다. The glass 540a may include a material capable of further improving the diffusion of light. For example, glass 540a can include argon (Ar) to enhance light diffusion. The light conversion layer 511 may be disposed on the light source 510. In addition, the illumination device 5000 can be electrically connected to the light source unit 510 and the substrate 500 using a wire 515. [ A light conversion layer 511 disposed on the light source unit 510 in contact with the upper surface of the light source unit 510 to electrically connect the light source unit 510 and the substrate 500 through the wire 515, A wire 515 can be connected to the upper surface of the light source unit 510 where the light conversion unit 511 is not disposed,

도 10은 조명 장치의 제3 실시 형태를 나타내는 단면도이다. 10 is a sectional view showing a third embodiment of the lighting apparatus.

도 10을 참조하면, 조명 장치(6000)는 기판(600)과, 기판(600) 상에 발광 소자로 형성된 광원부(610)와, 기판(600) 상에 배치되어 광원부(610)의 주위와 상부를 덮는 리플렉터(621)를 포함할 수 있다. 리플렉터(621)는 예를 들어 금속과 같은 반사율이 높은 물질을 포함하여 형성될 수 있다. 리플렉터(621)의 형태는 도 10에 도시된 모양으로 형성이 가능하나 이에 한정되는 것은 아니며 여러 가지 모양으로 형성될 수 있다. 여기서, 리플렉터(621)와 기판(600) 사이의 각도가 90도로 되어 있지만 이에 한정되는 것은 아니며, 90도 보다 작은 각도로 될 수 있다. 리플렉터(621)가 기판(600)과 90도 보다 작은 각도로 형성되면, 광 반사 효율이 더 향상될 수도 있다. 그리고, 리플렉터(621)의 상부에는 개구(631)가 형성될 수 있다. 개구(631)는 조명 장치(6000)의 규격에 맞춰 면적이 결정될 수 있으며, 개구(631)의 면적은 광원부(610)의 발광 면적보다 작게 형성될 수 있다. 그리고, 개구(631)에는 광변환층(640)이 형성되어 조명 장치(6000)의 광효율이 향상될 수 있도록 한다. 예를 들어 광변환층(640)은 개구(631)가 형성된 리플렉터(621)의 상면 또는 하면에 배치될 수 있다. 또한, 발광 소자의 상면과 기판(600)이 전기적으로 연결되는 와이어(615)를 더 포함할 수 있다. 10, a lighting apparatus 6000 includes a substrate 600, a light source unit 610 formed of a light emitting element on the substrate 600, a light source unit 610 disposed on the substrate 600 to surround the light source unit 610, And a reflector 621 covering the reflector 621. The reflector 621 may be formed to include a material having a high reflectance such as a metal, for example. The shape of the reflector 621 can be formed as shown in FIG. 10, but it is not limited thereto and may be formed in various shapes. Here, the angle between the reflector 621 and the substrate 600 is 90 degrees, but it is not limited thereto and may be less than 90 degrees. If the reflector 621 is formed at an angle smaller than 90 degrees with the substrate 600, the light reflection efficiency may be further improved. An opening 631 may be formed in the upper portion of the reflector 621. The area of the opening 631 may be determined according to the size of the illumination device 6000 and the area of the opening 631 may be smaller than the area of light emission of the light source 610. A light conversion layer 640 is formed in the opening 631 so that the light efficiency of the illumination device 6000 can be improved. For example, the light conversion layer 640 may be disposed on the upper surface or the lower surface of the reflector 621 where the opening 631 is formed. The light emitting device may further include a wire 615 electrically connected to the substrate 600 and the upper surface of the light emitting device.

도 11은 조명 장치의 제4 실시 형태를 나타내는 단면도이다.11 is a cross-sectional view showing a fourth embodiment of the lighting apparatus.

도 11을 참조하면, 조명 장치(7000)는 기판(700)과, 기판(700) 상에 발광 소자로 형성된 광원부(710)와, 기판(700) 상에 배치되어 광원부(710)의 주위와 상부를 덮는 형태의 리플렉터(721)를 포함할 수 있다. 그리고, 리플렉터(721)의 상부에는 개구(731)가 형성될 수 있다. 개구(731)는 조명 장치(7000)의 규격에 맞춰 면적이 결정될 수 있으며, 개구(731)의 면적은 광원부(710)의 발광 면적보다 작게 형성될 수 있다. 그리고, 개구(731)에는 광변환층(740)이 형성되어 광효율이 향상될 수 있다. 또한, 발광 소자의 상면과 기판(700)이 전기적으로 연결되는 와이어(715)를 더 포함할 수 있다.11, the illumination device 7000 includes a substrate 700, a light source 710 formed on the substrate 700, and a light source 710 disposed on the substrate 700 to surround the light source 710, And a reflector 721 that covers the reflector 721. An opening 731 may be formed in the upper portion of the reflector 721. The area of the opening 731 may be determined according to the standard of the lighting device 7000 and the area of the opening 731 may be smaller than the light emitting area of the light source 710. A light conversion layer 740 is formed in the opening 731 to improve light efficiency. The light emitting device may further include a wire 715 electrically connected to the upper surface of the light emitting device and the substrate 700.

여기서, 기판(700)은 세라믹으로 형성될 수 있다. 세라믹으로 기판(700)을 형성하면 기판(700)이 광원부(710)에서 발생되는 열 등에 의해 변색되는 것을 방지할 수 있다. 기판(700)에 사용될 수 있는 세라믹재료로는 질화알루미늄(AlN), 산화알루미늄(Al2O3), 이산화규소(SiO2), SixOy, SI3N4, SixNy, SiOxNy 등을 예로 들을 수 있고 열전도도가 140w/mK 이상인 금속 산화물을 포함할 수 있다. 기판(700)이 세라믹 중 열전도도가 낮은 것으로 형성되면 기판(700)의 방열성능이 저하될 수 있다. 따라서, 기판(700)의 방열성능이 저하되는 것을 방지하기 위해 기판(700)에 비아홀(701a, 701c)과, 홈부(701b)를 형성하고 비아홀(701a, 701c)과 홈부(701b)에 각각 기판(700)보다 열전도성이 높은 물질을 채워 기판(700)의 방열성능을 개선할 수 있다. 열전도성이 높은 물질은 질화알루미늄(AlN), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 주석(Sn) 및 마그네슘(Mg) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이때, 광원부(710)의 하부에 형성되어 있는 홈부(701b)는 기판(700)을 관통하지 않게 형성될 수 있고 기판(700)의 외곽에 형성되어 있는 비아홀(701a, 701c)은 기판(700)을 관통하여 형성될 수 있다. Here, the substrate 700 may be formed of ceramic. When the substrate 700 is formed of ceramics, it is possible to prevent the substrate 700 from being discolored due to heat generated in the light source unit 710 or the like. Examples of the ceramic material that can be used for the substrate 700 include aluminum nitride (AlN), aluminum oxide (Al2O3), silicon dioxide (SiO2), SixOy, SI3N4, SixNy, SiOxNy, etc. and a thermal conductivity of 140w / Metal oxides. If the substrate 700 has low thermal conductivity among the ceramics, the heat radiation performance of the substrate 700 may be deteriorated. Holes 701a and 701c and a trench 701b are formed in the substrate 700 and the via holes 701a and 701c and the trench 701b are formed on the substrate 700 in order to prevent the heat dissipation performance of the substrate 700 from being degraded, The heat dissipation performance of the substrate 700 can be improved by filling the substrate 700 with a material having higher thermal conductivity than the substrate 700. The high thermal conductivity material may include at least one of aluminum nitride (AlN), aluminum (Al), nickel (Ni), copper (Cu), silver (Ag), tin (Sn), and magnesium (Mg). The groove 701b formed in the lower portion of the light source 710 may be formed so as not to penetrate the substrate 700 and the via holes 701a and 701c formed in the outer portion of the substrate 700 may be formed on the substrate 700, As shown in FIG.

도 12는 조명 장치의 제5 실시 형태를 나타내는 평면도이다.12 is a plan view showing a fifth embodiment of the lighting apparatus.

도 12를 참조하면, 조명 장치(8000)는 기판(800)과, 기판(800) 상에 발광 소자를 포함하는 광원부(810)와, 광원부(810)의 주위로 형성되어 광원부(810)에서 방출되는 빛을 반사하는 리플렉터(820)를 포함할 수 있다. 리플렉터(820)는 기판(800) 상에 상부에 개구(831)이 형성된 사각뿔대 형태로 배치될 수 있다. 개구(831)는 광원부(810)의 발광 면적보다 작은 면적을 갖도록 형성될 수 있다. 그리고, 개구(831)에는 광원부(810)에서 방출되는 빛의 파장을 변화시키는 광변환층(840)이 배치될 수 있다. 하지만, 이에 한정되는 것은 아니고 개구(831)에는 글래스가 배치될 수 있다. 개구(831)에 글래스가 배치되게 되면 광원부(810)에 광변환층이 접촉하는 형태로 배치될 수 있다. 예를 들어, 광변환층(840) 또는 글래스는 개구(831)가 형성된 리플렉터(820)의 상면 또는 하면에 배치될 수도 있다.12, a lighting apparatus 8000 includes a substrate 800, a light source unit 810 including a light emitting element on the substrate 800, and a plurality of light sources 810 formed around the light source unit 810, And a reflector 820 that reflects the light. The reflector 820 may be disposed on the substrate 800 in the form of a quadrangular pyramid with openings 831 formed thereon. The opening 831 may be formed to have an area smaller than the light emitting area of the light source unit 810. A light conversion layer 840 for changing the wavelength of light emitted from the light source unit 810 may be disposed in the opening 831. However, the present invention is not limited to this, and a glass may be disposed in the opening 831. When the glass is disposed in the opening 831, the light conversion layer may be disposed in contact with the light source portion 810. For example, the photo-conversion layer 840 or glass may be disposed on the top or bottom surface of the reflector 820 where the opening 831 is formed.

상기와 같이 형성된 조명 장치(800)는 광원부(810)에서 빛이 발광되면, 빛은 리플렉터(820)에 의해 반사되어 경로가 바뀌어 개구(831)를 통해 외부로 방출되게 된다. 이때, 개구(831)에 광변환층(840)이 배치되어 있으면 광변환층(840)에 의해 광원부(810)에서 방출되는 빛의 파장이 변화될 수 있다. When the light is emitted from the light source unit 810, the reflected light is reflected by the reflector 820, and the path is changed to be emitted to the outside through the opening 831. At this time, if the light conversion layer 840 is disposed in the opening 831, the wavelength of the light emitted from the light source portion 810 may be changed by the light conversion layer 840.

도 13a는 조명 장치의 제6 실시 형태를 나타내는 평면도이고, 도 13b는 도 13a에 도시된 조명 장치의 b-b`단면도이다. 또한, 도 13c는 도 13a에 도시된 조명 장치의 c방향에서 바라본 정면도이다.FIG. 13A is a plan view showing a sixth embodiment of the lighting apparatus, and FIG. 13B is a cross-sectional view taken along line b-b 'of the lighting apparatus shown in FIG. 13A. Fig. 13C is a front view of the lighting apparatus shown in Fig.

도 13a 내지 도 13c를 참조하면, 조명 장치(9000)는 기판(900) 상에 광원부(910)가 배치된다. 광원부(910)는 2×2 형태로 배열되는 4개의 발광 소자를 포함할 수 있다. 또한, 광원부(910)에서 방출된 빛을 반사하여 광효율이 향상될 수 있게 하는 리플렉터(920)가 배치될 수 있다. 리플렉터(920)는 기판(900) 상에서 광원부(910)의 하나의 일측면에 개구(931)가 형성되고 개구(931)가 형성된 일측면을 제외한 나머지 측면과 상면을 덮는 형태로 배치될 수 있다. 일 실시 형태에 있어서, 리플렉터(920)가 덮지 않은 일측면에는 광변환층(940)이 형성될 수 있다.13A to 13C, a lighting apparatus 9000 includes a light source section 910 disposed on a substrate 900. The light source unit 910 may include four light emitting devices arranged in a 2x2 form. Also, a reflector 920 may be disposed to reflect light emitted from the light source unit 910 to improve light efficiency. The reflector 920 may be disposed on the substrate 900 so as to cover the other side surface and the upper surface except for one side where the opening 931 is formed on one side surface of one side of the light source portion 910 and the opening 931 is formed. In one embodiment, a light conversion layer 940 may be formed on one side of the reflector 920 that is not covered by the reflector 920.

그리고, 광원부(910)의 4개의 발광 소자는 개구(931)쪽에 인접한 2개의 발광 소자와 리플렉터(920) 사이의 거리(d1)는 개구쪽에 인접하지 않은 2개의 발광 소자와 리플렉터(920) 사이의 거리(d2) 보다 더 길게 되도록 배치될 수 있다. 이러한 거리 차이가 발생하는 이유는 출사구 표면의 광 분포가 발광 소자의 배치에 영향을 받기 때문이다. 즉, 발광 소자의 배치에 따라 출사구 표면의 광 분포가 달라질 수 있는데, 발광 소자들은 출사구 표면의 광 분포가 평탄하도록 배치될 수 있다. 따라서, d1 < d2의 관계가 될 수도 있다. 그리고, 출사구 표면의 광 분포가 중요하지 않은 경우에는 d1 = d2의 관계를 가질 수도 있다. 아울러, 발광 소자와 리플렉터(920)사이의 거리 이외에도 발광 소자가 배치된 기판(900)의 높이 조절을 통해서도 광 분포 조절을 할 수 있다.The distance d1 between the two light emitting elements adjacent to the opening 931 side and the reflector 920 is smaller than the distance d1 between the two light emitting elements not adjacent to the opening side and the reflector 920 Can be arranged to be longer than the distance d2. This distance difference occurs because the light distribution on the surface of the emitting orifice is affected by the arrangement of the light emitting element. That is, the light distribution on the surface of the emitting hole may be varied depending on the arrangement of the light emitting elements, and the light emitting elements may be arranged such that the light distribution on the surface of the emitting port is flat. Therefore, d1 < d2 may be satisfied. If the light distribution on the surface of the exit aperture is not important, the relationship d1 = d2 may be satisfied. In addition to the distance between the light emitting device and the reflector 920, the light distribution can be adjusted by adjusting the height of the substrate 900 on which the light emitting device is disposed.

하기의 표 2는 리플렉터(920), 커버(930), 기판(900) 및 발광 소자의 반사율에 따른 조명 장치의 발광 효율에 관한 실험 데이터를 나타낸다. 또한, 광원부(910)는 2×2 형태로 배열되는 각각의 발광 소자가 1W인 것으로 실험을 하였다. 4개의 발광 소자의 각각의 광출력이 1W 이기 때문에 광원부(110)의 광출력은 4W가 된다. 따라서, 개구(131)를 통해 방출되는 되는 빛의 도달 광량이 3W 이상이면, 개구(131)에서 방출되는 빛의 도달 광량이 광원부(110)에서 방출되는 광량의 75% 이상이 될 수 있다. 따라서, 전류 밀도 저감에 따른 광효율의 증가가 빛의 도달 광량의 저감을 보상할 수 있다.Table 2 below shows experimental data on the luminous efficiency of the illuminator according to the reflectance of the reflector 920, the cover 930, the substrate 900 and the light emitting device. In addition, the light source unit 910 has been experimented such that each light emitting element arranged in 2x2 form has 1W. Since the light output of each of the four light emitting devices is 1W, the light output of the light source unit 110 becomes 4W. Accordingly, the amount of light emitted from the opening 131 may be 75% or more of the amount of light emitted from the light source 110 if the amount of light reaching the opening 131 is 3 W or more. Therefore, the increase of the light efficiency due to the reduction of the current density can compensate the reduction of the amount of light reaching the light.

상기의 표 2에서, 리플렉터(120), 커버(130), 기판(100)의 반사율의 평균을 패키지 반사율이라 칭하고 Rp로 표시하였고 발광 소자의 반사율을 칩 반사율이라 칭하고 Rc로 표시하였다.In Table 2, the average reflectance of the reflector 120, the cover 130, and the substrate 100 is referred to as package reflectance Rp and the reflectance of the light emitting device is referred to as chip reflectance Rc.

상기의 표 2를 보면, 패키지의 반사율이 99%인 경우 칩의 반사율이 80-98% 이면, 개구(931)를 통해 방출되는 빛의 도달 광량은 3.778~3.074 W이고, 패키지의 반사율이 98%인 경우 칩의 반사율이 85-98% 이면, 개구(931)를 통해 방출되는 빛의 도달 광량은 3.668~3.165 W 이고, 패키지의 반사율이 96%인 경우 칩의 반사율이 85-98%이면, 개구(931)를 통해 방출되는 빛의 도달 광량은 3.462~3.004 W이고, 패키지의 반사율이 94%인 경우 칩의 반사율이 90-98%이면, 개구(931)를 통해 방출되는 빛의 도달 광량은 3.272~3.005 W이고, 패키지의 반사율이 92%인 경우 칩의 반사율이 96-98% 이면, 개구(931)를 통해 방출되는 빛의 도달 광량은 3.102~3.023 W 이다. 따라서, 패키지 반사율이 92% 이상이고 칩반사율이 96% 이상이거나 패키지 반사율이 94% 이상이고 칩반사율이 90% 이상이거나 패키지 반사율이 96% 이상이고 칩반사율이 85% 이상이거나 패키지 반사율이 98% 이상이고 칩반사율이 85% 이상이거나 패키지 반사율이 99% 이상이고 칩반사율이 80% 이상이면, 개구(131)에서 방출되는 빛의 도달 광량은 광원부(110)에서 방출되는 광량의 75% 이상이 될 수 있다.As shown in Table 2, when the reflectance of the package is 99%, the reflectance of the package is 80-98%, the amount of light emitted through the opening 931 is 3.778-3.074 W, the reflectivity of the package is 98% , If the reflectance of the chip is 85-98%, the amount of light emitted through the opening 931 reaches 3.668-3.165 W, and if the reflectivity of the package is 96%, the reflectivity of the chip is 85-98% The amount of light emitted through the opening 931 is 3.462 to 3.004 W, and when the reflectance of the package is 94%, the reflectance of the chip is 90-98%, the amount of light emitted through the opening 931 is 3.272 To 3.005 W, and the reflectance of the package is 92%. If the reflectivity of the chip is 96-98%, the amount of light emitted through the opening 931 is 3.102-3.023 W. Thus, if the package reflectance is greater than or equal to 92%, the chip reflectance is greater than or equal to 96%, the package reflectance is greater than or equal to 94%, the chip reflectance is greater than or equal to 90%, the package reflectivity is greater than or equal to 96%, the chip reflectivity is greater than or equal to 85% And the chip reflectance is 85% or more, or the package reflectance is 99% or more and the chip reflectance is 80% or more, the amount of light emitted from the opening 131 may be 75% or more of the amount of light emitted from the light source 110 have.

도 14a는 조명 장치의 제7 실시 형태를 나타내는 분해 정면도이고, 도 14b는 도 14a에 도시된 조명 장치의 분해 사시도이고, 도 14c는 도 14a에 도시된 조명 장치의 결합 사시도이고, 도 14d는 도 14c에 도시된 조명 장치를 A-A`로 절단한 단면도이다.14A is an exploded perspective view showing the seventh embodiment of the lighting apparatus, Fig. 14B is an exploded perspective view of the lighting apparatus shown in Fig. 14A, Fig. 14C is a combined perspective view of the lighting apparatus shown in Fig. 14A, 14C is a cross-sectional view of the illumination device taken along line AA '.

도 14a 내지 도 14d를 참조하면, 조명 장치(10000)는 제1 광원부(1010a)가 상면에 배치되어 있는 제1 기판(1000a)과, 제2 광원부(1010b)가 상면에 배치되어 있는 제2 기판(1000b)과, 제1 광원부(1010a)와 제2 광원부(1010b)에서 조사되는 빛을 반사하는 복수의 리플렉터(1020a, 1020b, 1020c)를 포함하며, 일면에 개구가 형성되어 있는 입체형상을 갖고, 제1 기판(1000a)과 제2 기판(1000b)과 각각의 복수의 리플렉터(1020a, 1020b, 1020c)가 입체형상의 한 면이 될 수 있다. 즉, 복수의 리플렉터(1020a, 1020b, 1020c)는 각각 조명 장치(10000)의 전면과 후면과 하부면에 배치되고 제1 기판(1000a)과 제2 기판(1000b)은 조명 장치(10000)의 양측면에 각각 배치될 수 있다. 이때, 제1 기판(1000a)과 제2 기판(1000b)의 측면과 하부면은 리플렉터(1020a, 1020b, 1020c)에 부착될 수 있다. 14A to 14D, the illumination apparatus 10000 includes a first substrate 1000a on which a first light source unit 1010a is disposed on an upper surface, a second substrate 1000a on which a second light source unit 1010b is disposed on an upper surface, And a plurality of reflectors 1020a, 1020b, and 1020c that reflect light emitted from the first light source unit 1010a and the second light source unit 1010b, and has a three-dimensional shape having an opening formed on one surface thereof The first substrate 1000a, the second substrate 1000b, and the plurality of reflectors 1020a, 1020b, and 1020c, respectively, may be one surface in a stereoscopic shape. That is, the plurality of reflectors 1020a, 1020b, and 1020c are disposed on the front, back, and bottom surfaces of the illumination device 10000, respectively, and the first substrate 1000a and the second substrate 1000b are disposed on both sides of the illumination device 10000 Respectively. At this time, the side surfaces and the lower surfaces of the first substrate 1000a and the second substrate 1000b may be attached to the reflectors 1020a, 1020b, and 1020c.

그리고, 조명 장치(1000)의 상부면은 개구가 될 수 있다. 또한, 제1 기판(1000a)과 제2 기판(1000b)은 입체 형상 내부에서 제1 광원부(1010a)와 제2 광원부(1010b)이 마주보도록 배치될 수 있다. And, the upper surface of the lighting apparatus 1000 may be an opening. In addition, the first substrate 1000a and the second substrate 1000b may be disposed such that the first light source unit 1010a and the second light source unit 1010b face each other within a three-dimensional shape.

제1 광원부(1010a)와 제2 광원부(1010b)는 각각 2개의 발광 소자를 포함할 수 있어 조명 장치(10000)는 총 4개의 발광 소자를 포함할 수 있다. 또한, 제1 기판(1000a)에 배치된 2개의 발광 소자는 간격이 좁게 배치될 수 있지만, 제2 기판(1000b) 상에 배치된 2개의 발광 소자는 간격이 넓게 배치될 수 있다. The first light source unit 1010a and the second light source unit 1010b may include two light emitting devices, and the lighting device 10000 may include four light emitting devices in total. Further, two light emitting elements arranged on the first substrate 1000a may be arranged with a narrow gap, but two light emitting elements arranged on the second substrate 1000b may be arranged with a wide gap.

발광 소자의 배치에 따라 광이 출사되는 부분의 광 분포가 달라질 수 있다. 즉, 광이 출사되는 부분은 발광 소자의 간격이 좁으면 출사 부분의 양쪽 끝이 어두워지고, 발광 소자의 간격이 넓으면 출사 부분의 중심부가 어두워질 수 있다. 따라서, 4개의 발광 소자가 존재하는 경우, 2개의 발광 소자는 간격을 좁게 배치하고, 다른 2개의 발광 소자는 간격을 넓게 배치하여, 출사 부분에서 빛이 균일하게 분포되도록 할 수 있다.이상에서는 발광 소자가 각 기판상에 2개씩 배치된 것으로 설명하였으나 이에 한정하지 않으며 기판상에 배치되는 발광 소자의 개수 및 배치 등은 변경이 가능하다.The light distribution at the portion where the light is emitted may be varied depending on the arrangement of the light emitting elements. That is, at the portion where light is emitted, both ends of the emitting portion become dark when the interval of the light emitting elements is narrow, and the center portion of the emitting portion can be dark when the interval of the light emitting elements is wide. Accordingly, when four light emitting elements are present, the two light emitting elements may be arranged with a narrow space, and the other two light emitting elements may be arranged with a wide interval so that light is uniformly distributed in the light emitting portion. It is to be understood that the present invention is not limited thereto and the number and arrangement of the light emitting elements disposed on the substrate can be changed.

그리고, 제1 기판(1000a)과 제2 기판(1000b)이 V 자 형태로 배치되고, 정면과 후면은 제1 기판(1000a)과 제2 기판(1000b)사이로 빛이 방출되는 것을 방지하고 발광 소자에서 방출되는 빛을 반사하는 리플렉터(1020a, 1020b)가 각각 배치될 수 있다. 그리고, 조명 장치(10000)의 상면에는 개구가 형성될 수 있다. 또한, 제1 기판(1000a)과 제2 기판(1000b)이 V 자형태로 배치되어 제1 광원부(1010a)와 제2 광원부(1010b) 사이의 거리는 개구쪽으로 가까워질 수록 길어질 수 있다. 즉, 발광 소자간의 거리 중 개구에 인접한 부분의 거리(d3)가개구와 떨어져 있는 부분의 거리(d4)보다 더 길 수 있다. 이때, 조명 장치(10000)의 하부에 배치되어 있는 리플렉터(1020c)는 상면이 제1 기판(1000a)과 제2 기판(1000b)이 이루는 각도에 대응되는 소정의 각도로 경사져 있는 부분이 있고 경사진 부분에 리플렉터(1020c)가 배치됨으로써,V 자 형태로 배치된 제1 기판(1000a)과 제2 기판(1000b)이 서로 이루는 각도가 결정될 수 있다. 또한, 제1 기판(1000a)과 제2 기판(1000b)이 리플렉터(1020c)와 접할 때 틈이 발생하지 않도록 함으로써 제1 광원부(1010a)와 제2 광원부(1010b)에서 방출되는 빛이 조명 장치(10000)의 하부에서새는 것을 방지할 수 있다. 또한, 조명 장치(10000)의 규격에서 발광 면적의 크기가 1mm×4mm 이면, 제1 기판(1000a)과 제2 기판(1000b)의 제1방향(a)의 길이를 4mm가 되도록 하고, 개구부분에서 제2방향(b)인 제1 기판(1000a)과 제2 기판(1000b)의 간격을 1mm가 되도록하면 조명 장치(10000)는 규격에 맞게 될 수 있다. 하지만, 조명 장치(10000)의 크기는 이에 한정되는 것은 아니며, 규격에 따라 제1 기판(1000a)과 제2 기판(1000b)의 제1방향(a)의 길이와 제2방향(b)인 개구부분에서의 제1 기판(1000a)과 제2 기판(1000b)의 간격이 결정될 수 있다. 일 실시 형태에 있어서, 제1 기판(1000a) 및 제2 기판(1000b) 중 적어도 하나는 세라믹 기판일 수 있다. 세라믹 기판은 수명이 길고, 우수한 방열 효과를 가질 수 있다. 따라서, 세라믹 기판을 사용하면, 제1 기판(1000a) 및 제2 기판(1000b)이 배치되어 있는 발광 소자에서 발생되는 열 등에 의해 변색되는 것을 방지할 수 있다.The first substrate 1000a and the second substrate 1000b are arranged in a V-shape. The front and back surfaces of the first substrate 1000a and the second substrate 1000b prevent light from being emitted between the first substrate 1000a and the second substrate 1000b, And reflectors 1020a and 1020b, respectively, which reflect light emitted from the reflector. An opening may be formed on the upper surface of the illumination device 10000. In addition, the first substrate 1000a and the second substrate 1000b are arranged in a V-shape so that the distance between the first light source part 1010a and the second light source part 1010b becomes longer toward the opening side. That is, the distance d3 between the portion adjacent to the opening of the distance between the light emitting elements can be longer than the distance d4 between the portion apart from the opening. At this time, the reflector 1020c disposed at the lower portion of the illumination device 10000 has a portion whose upper surface is inclined at a predetermined angle corresponding to the angle formed by the first substrate 1000a and the second substrate 1000b, The angle formed by the first substrate 1000a and the second substrate 1000b arranged in a V-shape can be determined by arranging the reflector 1020c. In addition, since the first substrate 1000a and the second substrate 1000b are not in contact with the reflector 1020c, the gap between the first substrate 1000a and the reflector 1020c can be prevented from being generated by the light emitted from the first and second light sources 1010a and 1010b. 10000 can be prevented from leaking. The length of the first substrate 1000a and the second substrate 1000b in the first direction a is 4 mm when the size of the light emitting area is 1 mm x 4 mm in the standard of the lighting apparatus 10000, The distance between the first substrate 1000a and the second substrate 1000b in the second direction b may be set to 1 mm so that the illumination device 10000 can conform to the standard. However, the size of the illumination device 10000 is not limited to this, and the length of the first substrate 1000a and the second substrate 1000b in the first direction a and the length of the opening in the second direction b The distance between the first substrate 1000a and the second substrate 1000b in the portion where the first substrate 1000a is formed can be determined. In one embodiment, at least one of the first substrate 1000a and the second substrate 1000b may be a ceramic substrate. The ceramic substrate has a long life and can have an excellent heat radiation effect. Therefore, when the ceramic substrate is used, it is possible to prevent the first substrate 1000a and the second substrate 1000b from being discolored due to heat generated in the light emitting element in which the first substrate 1000a and the second substrate 1000b are disposed.

하기의 표 3은 리플렉터(1020a, 1020b, 1020c), 제1 기판(1000a), 제2 기판(1000b), 제1 광원부(1010a) 및 제2 광원부(1010b)의 반사율에 따른 조명 장치의 발광 효율에 관한 실험 데이터를 나타낸다. 또한, 광원부(1010a, 1010b)에 포함되는 각 발광 소자의 광출력이 1W인 것으로 실험을 하였다. 4개의 발광 소자의 각각의 광출력이 1W 이기 때문에 광원부(110)의 광출력은 4W가 된다. 따라서, 개구을 통해 방출되는 되는 빛의 도달 광량이 3W 이상이면, 개구(131)에서 방출되는 빛의 도달 광량이 광원부(110)에서 방출되는 광량의 75% 이상이 될 수 있다. 따라서, 도 8의 설명부분에 기재되어 있는 것과 같이 전류밀도가 절반이 되면 광효율이 30% 이상 증가되기 때문에 개구(131)에서 방출되는 빛의 도달 광량이 광원부(110)에서 방출되는 광량의 75% 이상되면, 전류 밀도저감에 따른 광효율의 증가로 인해 빛의 도달 광량의 저감을 보상할 수 있다.Table 3 below shows the luminous efficiencies of the illuminating devices according to the reflectances of the reflectors 1020a, 1020b and 1020c, the first substrate 1000a, the second substrate 1000b, the first light source part 1010a and the second light source part 1010b Lt; / RTI > Also, experiments were performed such that the light output of each light emitting element included in the light source portions 1010a and 1010b is 1W. Since the light output of each of the four light emitting devices is 1W, the light output of the light source unit 110 becomes 4W. Accordingly, the amount of light emitted from the opening 131 may be 75% or more of the amount of light emitted from the light source 110 if the amount of light reaching the opening is 3 W or more. 8, when the current density is halved, the light efficiency is increased by 30% or more, so that the amount of light reaching the opening 131 is 75% of the amount of light emitted from the light source 110, , It is possible to compensate for the reduction of the amount of light reaching the light due to the increase of the light efficiency due to the reduction of the current density.

상기의 표3에서, 리플렉터(1020a, 1020b, 1020c),제1 기판(1000a), 제2 기판(1000b)의 반사율의 평균을 패키지 반사율이라 칭하고 Rp로 표시하였고 발광 소자의 반사율을 칩 반사율이라 칭하고 Rc로 표시하였다.In Table 3, the average reflectance of the reflectors 1020a, 1020b, and 1020c, the first substrate 1000a, and the second substrate 1000b is referred to as a package reflectance Rp and the reflectance of the light emitting device is referred to as chip reflectance Rc.

상기의 표 3를 보면, 패키지의 반사율이 99%인 경우 칩의 반사율이 85-98% 이면, 개구를 통해 방출되는 빛의 도달 광량은 3.201~3.833 W이고, 패키지의 반사율이 98%인 경우 칩의 반사율이 85-98% 이면, 개구를 통해 방출되는 빛의 도달 광량은 3.166~3.803 W 이고, 패키지의 반사율이 96%인 경우 칩의 반사율이 85-98%이면, 개구를 통해 방출되는 빛의 도달 광량은 3.113~3.744 W이고, 패키지의 반사율이 94%인 경우 칩의 반사율이 85-98%이면, 개구를 통해 방출되는 빛의 도달 광량은 3.071~3.674 W이고, 패키지의 반사율이 92%인 경우 칩의 반사율이 85-98% 이면, 개구를 통해 방출되는 빛의 도달 광량은 3.026~3.607 W 이고, 패키지의 반사율이 90%인 경우 칩의 반사율이 88-98% 이면, 개구를 통해 방출되는 빛의 도달 광량은 3.110~3.550 W 이고, 패키지의 반사율이 88%인 경우 칩의 반사율이 88-98% 이면, 개구를 통해 방출되는 빛의 도달 광량은 3.056~3.493 W 이고, 패키지의 반사율이 85%인 경우 칩의 반사율이 90-98% 이면, 개구를 통해 방출되는 빛의 도달 광량은 3.069~3.414 W 이고, 패키지의 반사율이 80%인 경우 칩의 반사율이 92-98% 이면, 개구를 통해 방출되는 빛의 도달 광량은 3.039~3.304 W 이고, 패키지의 반사율이 75%인 경우 칩의 반사율이 94-98% 이면, 개구를 통해 방출되는 빛의 도달 광량은 3.014~3.179 W 이고, 패키지의 반사율이 70%인 경우 칩의 반사율이 98% 이면, 개구를 통해 방출되는 빛의 도달 광량은 3.069 W 이다. In Table 3, when the reflectance of the package is 99%, the reflectance of the chip is 85-98%, the light amount of the light emitted through the opening is 3.201 ~ 3.833 W, and when the reflectance of the package is 98% Of the light emitted from the opening is in the range of 3.166 to 3.803 W and the reflectance of the chip is 85 to 98% when the reflectance of the package is 96%, the light emitted through the opening is 85-98% If the reflectance of the chip is 85-98% when the reflectance of the package is 94%, the amount of light emitted through the aperture is 3.071 ~ 3.674 W, and the reflectance of the package is 92% , If the reflectivity of the chip is 85-98%, the amount of light emitted through the opening is 3.026 ~ 3.607 W, and if the reflectivity of the package is 90%, the reflectivity of the chip is 88-98% The amount of light reached is 3.110 ~ 3.550 W, and when the reflectance of the package is 88%, the reflectance of the chip is 88-98% , The amount of light emitted through the opening is in the range of 3.056 to 3.493 W, and when the reflectance of the package is 85%, the reflectance of the chip is 90-98%, the amount of light emitted through the opening is 3.069 to 3.414 W , When the reflectance of the package is 80%, the reflectance of the chip is 92-98%. If the reflectivity of the package is 75%, the reflectance of the chip is 94-98 %, The transmitted light amount of the light emitted through the opening is 3.014 to 3.179 W, and when the reflectance of the package is 70%, the reflectance of the chip is 98%, and the light amount of light emitted through the opening is 3.069 W.

따라서, 패키지 반사율이 70% 이상이고 칩반사율이 98% 이상이거나 패키지 반사율이 75% 이상이고 칩반사율이 94% 이상이거나 패키지 반사율이 80% 이상이고 칩반사율이 92% 이상이거나 패키지 반사율이 85% 이상이고 칩반사율이 90% 이상이거나 패키지 반사율이88% 이상이고 칩반사율이 88% 이상이거나 패키지 반사율이 90% 이상이고 칩반사율이 88% 이상이거나 패키지 반사율이 92% 이상이고 칩반사율이 85% 이상이면 개구에서 방출되는 빛의 도달 광량은 제1 광원부(1010a) 및 제2 광원부(1010b)에서 방출되는 광량의 75% 이상이 될 수 있다.Therefore, when the package reflectance is 70% or more, the chip reflectance is 98% or more, the package reflectance is 75% or more, the chip reflectance is 94% or more, the package reflectance is 80% , The chip reflectance is at least 90%, the package reflectance is at least 88%, the chip reflectance is at least 88%, the package reflectance is at least 90%, the chip reflectance is at least 88%, the package reflectance is at least 92% The amount of light reaching the opening can be 75% or more of the amount of light emitted from the first light source part 1010a and the second light source part 1010b.

도 15a는 조명 장치의 제8 실시 형태를 나타내는 분해 정면도이고, 도 15b는 도 15a에 도시된 조명 장치의 분해사시도이고, 도 15c는 도 15a에 도시된 조명 장치의 결합 사시도이다.Fig. 15A is an exploded front view showing an eighth embodiment of the illumination device, Fig. 15B is an exploded perspective view of the illumination device shown in Fig. 15A, and Fig. 15C is an assembled perspective view of the illumination device shown in Fig.

도 15a 내지 도 15c를 참조하면, 조명 장치(11000)는 상면에 제1 광원부(1110a)를 포함하는 제1 기판(1100a)과 제2 광원부(1110b)를 포함하는 제2 기판(1100b)을 포함하되, 제1 기판(1100a)과 제2 기판(1100b)은 각각 하면에 방열판(1101a, 1101b)이 배치될 수 있다. 방열판(1101a, 1101b)에 의해 제1 광원부(1110a)와 제2 광원부(1110b)에서 발생된 열을 보다 효과적으로 방출할 수 있다. 또한, 방열판(1101a, 1101b)은 면적을 넓히기 위해서 복수의 핀을 포함할 수 있다. 제1 기판(1100a)과 제2 기판(1100b)이 방열판(1101a, 1101b)에 안착하는 것을 용이하게 하기 위해 방열판(1101a, 1101b)의 크기는 제1 기판(1100a) 또는 제2 기판(1100b)과 같거나 조금 더 클 수 있다.15A to 15C, the illumination device 11000 includes a first substrate 1100a including a first light source portion 1110a and a second substrate 1100b including a second light source portion 1110b on an upper surface thereof The heat sinks 1101a and 1101b may be disposed on the lower surfaces of the first substrate 1100a and the second substrate 1100b, respectively. The heat generated by the first light source unit 1110a and the second light source unit 1110b can be more effectively emitted by the heat sinks 1101a and 1101b. In addition, the heat radiating plates 1101a and 1101b may include a plurality of pins to widen the area. The sizes of the heat sinks 1101a and 1101b may be different from those of the first substrate 1100a or the second substrate 1100b in order to facilitate mounting of the first substrate 1100a and the second substrate 1100b on the heat sinks 1101a and 1101b. Or slightly larger.

조명 장치(11000)을 제조하는 과정의 일 실시 형태는 다음과 같다. 발광 소자를 포함하는 제1 광원부(1110a)와 제2 광원부(1110b)가 각각 상면에 배치되어 있는 제1 기판(1100a)과 제2 기판(1100b)을 각각 방열판(1101a, 1101b)의 상부에 배치한다. 그리고, 제1 기판(1100a)과 제2 기판을 V 자 형태로 배치하되, 제1 광원부(1110a)와 제2 광원부(1110b)가 조명 장치(11000)의 내부에 위치하도록 제1 기판(1100a)과 제2 기판(1100b)을 배치한다. 그리고, 조명 장치(11000)의 전면, 후면 및 하면에 각각 리플렉터(1120a, 1120b, 1120c)를 배치한다. 이때, 조명 장치(11000)의 하면에 배치되는 리플렉터(1120c)는 제1 기판(1100a)과 제2 기판(1100b)의 측면이 이루는 각도에 대응되도록 상면에 경사진 부분이 있다. 제1 기판(1100a) 및 제2 기판(1100b)가 리플렉터(1120c)에 접하게 되면, 조명 장치(11000)의하면에 배치된 리플렉터(1120c)의 경사진 부분으로 인해 제1 기판(1100a) 및 제2 기판(1100b)이루는 각도가 결정될 수 있고 리플렉터(1120c)가 제1 기판(1100a)과 제2 기판(1100b)에 접하는 면은 틈이 발생하지 않게 되어 조명 장치(11000)의 하면에서 빛이 세는 것을 방지할 수 있다. 또한, 조명 장치(11000)의 전면과 후면에 각각 배치된 리플렉터(1120a, 1120b)에 의해 빛이 전면과 후면으로 세는 것을 방지하여 빛이 개구로만 방출될 수 있다.One embodiment of the process of manufacturing the lighting apparatus 11000 is as follows. The first substrate 1100a and the second substrate 1100b on which the first light source unit 1110a and the second light source unit 1110b including the light emitting element are respectively disposed on the upper surface of the heat sinks 1101a and 1101b do. The first substrate 1100a and the second substrate are arranged in a V shape so that the first light source unit 1110a and the second light source unit 1110b are located inside the illumination apparatus 11000. [ And the second substrate 1100b are arranged. Reflectors 1120a, 1120b, and 1120c are disposed on the front, rear, and bottom surfaces of the lighting apparatus 11000, respectively. At this time, the reflector 1120c disposed on the lower surface of the illumination device 11000 has an inclined portion on the upper surface corresponding to the angle formed by the side surfaces of the first substrate 1100a and the second substrate 1100b. When the first substrate 1100a and the second substrate 1100b are brought into contact with the reflector 1120c, due to the inclined portion of the reflector 1120c disposed on the lower surface of the illuminator 11000, The angle formed by the substrate 1100b can be determined and the surface of the reflector 1120c contacting the first substrate 1100a and the second substrate 1100b does not generate a gap, . In addition, the reflectors 1120a and 1120b disposed on the front and rear surfaces of the illumination device 11000 prevent the light from being reflected on the front and back surfaces, respectively, so that the light can be emitted only to the opening.

도 16a는 조명 장치의 제9 실시 형태를 나타내는 분해 정면도이고, 도 16b는 도 16a에 도시된 조명 장치의 분해 사시도이고, 도 16c는 도 16a에 도시된 조명 장치의 결합 사시도이다.FIG. 16A is an exploded front view showing the ninth embodiment of the illumination device, FIG. 16B is an exploded perspective view of the illumination device shown in FIG. 16A, and FIG. 16C is an assembled perspective view of the illumination device shown in FIG. 16A.

도 16a 내지 도 16c를 참조하면, 조명 장치(12000)는 제1 광원부(1210a)가 상면에 배치되어 있는 제1 기판(1200a)과 제2 광원부(1210b)가 상면에 배치되어 있는 제2 기판(1210b)과 복수의 리플렉터(1220a, 1220b, 1220c)를 포함하며, 일면에 개구가 형성되어 있는 입체 형상을 갖고, 제1 기판(1200a)과 제2 기판(1200b)과 각각의 복수의 리플렉터(1220a, 1220b, 1220c)가 입체형상의 한 면이 될 수 있다. 제1 광원부(1210a)와 제2 광원부(1210b)는 서로 마주보도록 배치될 수 있다. 또한, 개구에는 형광체층(1230)이 배치될 수 있다. 제1 광원부(1210a)와 제2 광원부(1210b)는 각각 2개의 발광 소자를 포함할 수 있어, 조명 장치(12000)는 총 4개의 발광 소자를 포함할 수 있다. 또한, 제1 기판(1200a)에 배치된 2개의 발광 소자는 간격이 좁게 배치될 수 있지만, 제2 기판(1200b) 상에 배치된 2개의 발광 소자는 간격이 넓게 배치될 수 있다.16A to 16C, the illumination apparatus 12000 includes a first substrate 1200a on which a first light source unit 1210a is disposed on an upper surface thereof, and a second substrate 1200a on which a second light source unit 1210b is disposed on an upper surface A plurality of reflectors 1220a and 1220b and a plurality of reflectors 1220a and 1220b and 1220c and a plurality of reflectors 1220a and 1220b having a three-dimensional shape having openings formed on one surface thereof and having a first substrate 1200a and a second substrate 1200b, , 1220b, and 1220c may be one surface in a three-dimensional shape. The first light source unit 1210a and the second light source unit 1210b may be disposed to face each other. Further, the phosphor layer 1230 may be disposed in the opening. The first light source unit 1210a and the second light source unit 1210b may include two light emitting devices, and the lighting device 12000 may include a total of four light emitting devices. Further, two light emitting elements arranged on the first substrate 1200a may be arranged with a narrow gap, but two light emitting elements arranged on the second substrate 1200b may be arranged with a wide gap.

발광 소자의 배치에 따라 광이 출사되는 부분의 광 분포가 달라질 수 있다. 즉, 광이 출사되는 부분은 발광 소자의 간격이 좁으면 출사 부분의 양쪽 끝이 어두워지고, 발광 소자의 간격이 넓으면 출사 부분의 중심부가 어두워질 수 있다. 따라서, 4개의 발광 소자가 존재하는 경우, 2개의 발광 소자는 간격을 좁게 배치하고, 다른 2개의 발광 소자는 간격을 넓게 배치하여, 출사 부분에서 빛이 균일하게 분포되도록 할 수 있다. 이상에서는 발광 소자가 각 기판상에 2개씩 배치된 것으로 설명하였으나 이에 한정하지 않으며 기판상에 배치되는 발광 소자의 개수 및 배치 등은 변경이 가능하다.The light distribution at the portion where the light is emitted may be varied depending on the arrangement of the light emitting elements. That is, at the portion where light is emitted, both ends of the emitting portion become dark when the interval of the light emitting elements is narrow, and the center portion of the emitting portion can be dark when the interval of the light emitting elements is wide. Therefore, when four light emitting elements are present, the two light emitting elements may be arranged with narrow intervals, and the other two light emitting elements may be arranged with a wide interval so that light is uniformly distributed in the emitting portion. In the above description, two light emitting devices are disposed on each substrate, but the present invention is not limited thereto. The number and arrangement of the light emitting devices disposed on the substrate can be changed.

그리고, 개구에는 수평 방향으로 평평한 형광체층(1230)이 배치될 수 있다. 형광체층(1230)과 제1 기판(1200a)과 제2 기판(1200b) 사이의 틈이 발생되지 않도록 하기 위해 제1 기판(1200a)과 제2 기판(1200b)의 측면은 제1 기판(1200a)과 제2 기판(1200b)이 이루는 각도에 대응하여 경사지게 될 수 있다. 즉, 제1 기판(1200a)과 제2 기판(1200b)의 측면이 경사지도록 형성하고 제1 기판(1200a)과 제2 기판(1200b)이 V 자 형태로 배치되는 각도에 의해 조명 장치(12000)의 상부면이 수평이 될 수 있다. 따라서, 형광체층(1230)은 제1 기판(1200a)와 제2 기판(1200b)의 상부면에 안정적으로 배치될 수 있다. The phosphor layer 1230, which is flat in the horizontal direction, may be disposed in the opening. The side surfaces of the first substrate 1200a and the second substrate 1200b are bonded to the first substrate 1200a in order to prevent the gap between the phosphor layer 1230 and the first substrate 1200a and the second substrate 1200b from being generated, And the second substrate 1200b may be inclined. That is, the side surfaces of the first substrate 1200a and the second substrate 1200b are inclined, and the angle of the first substrate 1200a and the second substrate 1200b are V- So that the upper surface of the base plate can be horizontal. Accordingly, the phosphor layer 1230 can be stably disposed on the upper surfaces of the first substrate 1200a and the second substrate 1200b.

수평 방향으로 평평한 형광체층(1230)은 제조가 용이 할 수 있다. 일 실시 형태에 있어서, 형광체층(1230)은 빛이 방출되는 부분에만 형광물질로 이루어지는 형광체막(1230c)가 형성되고 제1 기판(1200a)과 제2 기판(1200b)과 접하는 접촉부(1230a, 1230b)는 형광체막(1230c)이 형성되지 않도록 하여 형광체의 소비를 줄일 수 있도록 할 수 있다. The phosphor layer 1230 flat in the horizontal direction can be easily manufactured. In one embodiment, the phosphor layer 1230 includes a phosphor layer 1230c made of a fluorescent material only at a portion where light is emitted, and contact portions 1230a and 1230b Can prevent the phosphor film 1230c from being formed, so that the consumption of the phosphor can be reduced.

또한, 제1 기판(1200a)과 제2 기판(1200b)이 형광체층(1230)과 접하는 면의 반대편에 위치하는 측면도 경사져 있도록 하여 경사진 부분이 없는 리플렉터(1220c)를 이용하더라도 조명 장치(12000)의 하면에서 빛이 세는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제1 기판(1200a)과 제2 기판(1200b)이 리플렉터(1220c)와 접하는 면의 경사 각도에 의해 조명 장치(12000)의 개구의 폭이 결정될 수 있다. 또한, 리플렉터(1220c)에 경사진 부분을 만들기 위해 리플렉터(1220c)의 일부를 두껍게 하여야 하는데, 경사진 부분이 필요 없기 때문에 리플렉터(1220c)를 더 얇게 제조할 수 있다. Even if the reflector 1220c having no tilted portion is used so that the side surfaces of the first substrate 1200a and the second substrate 1200b opposite to the side in contact with the phosphor layer 1230 are inclined, It is possible to prevent the light from being underexposed on the lower surface of the light guide plate. The width of the opening of the illumination device 12000 can be determined by the inclination angle of the surface where the first substrate 1200a and the second substrate 1200b are in contact with the reflector 1220c. In addition, a part of the reflector 1220c must be made thick to make the inclined part in the reflector 1220c, but the reflector 1220c can be made thinner because the inclined part is unnecessary.

도 17은 패키지에 사용되는 물질의 반사율과 파장에 관한 그래프이다. 17 is a graph relating to reflectance and wavelength of a material used in a package.

도 17을 참조하여 설명하면, 리플렉터와 기판은 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 동(Cu), 및 철 등의 금속물질을 포함할 수 있다. 또한, 리플렉터와 기판은 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 동(Cu), 및 철(Fe) 등으로 이루어진 얇은 막이 배치되어 있을 수도 있다.알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 동(Cu), 철의 반사율은 빛의 파장이 길어질수록 반사율이 높아진다. 보다 상세히 설명하면, 빛의 파장이 400nm이하인 경우에는 반사율은 알루미늄과 은은 90% 이하이고, 금, 동, 철의 반사율은 60% 이하이다. 빛의 파장이 400nm를 넘는 경우 은은 약 98%의 반사율을 기대할 수 있고 알루미늄은 90% 이상의 반사율을 기대할 수 있다. 그리고, 금은 빛의 파장이 500nm 이상이 되면 80% 이상의 반사율을 갖게 된다. 그리고, 구리는 빛의 파장이 600nm의 이상이 되면 80% 이상의 반사율을 갖게 된다. 즉, 광원부에서 방출되는 빛의 파장에 따라 리플렉터 또는 기판의 재질을 다르게 할 수 있다. Referring to FIG. 17, the reflector and the substrate may include a metal material such as aluminum (Al), gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), and iron. A thin film made of aluminum (Al), gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), iron (Fe) or the like may be disposed on the reflector and the substrate. ), Silver (Ag), copper (Cu), and iron have higher reflectance as the wavelength of light becomes longer. More specifically, when the wavelength of light is 400 nm or less, the reflectance is 90% or less of aluminum and silver, and the reflectance of gold, copper, and iron is 60% or less. When the wavelength of light exceeds 400 nm, the reflectance of about 98% can be expected, and the reflectance of aluminum can be expected to be 90% or more. When the wavelength of gold or silver is 500 nm or more, the reflectance is 80% or more. And, copper has a reflectance of 80% or more when the wavelength of light exceeds 600 nm. That is, the material of the reflector or the substrate may be different depending on the wavelength of the light emitted from the light source unit.

하기의 표 4는 알루미늄, 금,은, 동과 기타 다른 금속들의 반사율을 나타낸다. Table 4 below shows the reflectance of aluminum, gold, silver, copper and other metals.

상기의 표 4를 보면, 은(Ag)은 빛의 파장이 280nm 대의 자외선 영역에서 반사율이 25.2(%)이고, 빛의 파장이 400nm 대인 자색 영역에서 반사율이 94.8(%)이고, 빛의 파장이 700nm 대인 적색 영역에서 반사율이 98.5(%)이고, 빛의 파장이 1000nm 대인 적외선 영역에서 반사율이 98.9(%)임을 알 수 있다. 즉, 은(Ag)은 자외선 영역을 제외한 부분에서 반사율이 94(%) 이상임을 알 수 있다. 그리고, 알루미늄(Al)은 빛의 파장이 280nm 대의 자외선 영역에서 반사율이 92.3(%)이고, 빛의 파장이 400nm 대인 자색 영역에서 반사율이 92.4(%)이고, 빛의 파장이 700nm 대인 적색 영역에서 반사율이 89.9(%)이고, 빛의 파장이 1000nm 대인 적외선 영역에서 반사율이 93.9(%)임을 알 수 있다. 즉, 전체적으로 은(Ag)보다 반사율이 낮지만 자외선 영역에서는 은보다 반사율이 더 높다. 따라서, 발광 소자가 자외선을 방출하는 경우 은보다 알루미늄을 이용하여 패키지의 반사율을 높일 수 있다. 그리고, 금은 빛의 파장이 700nm 대인 적색 영역과 빛의 파장이 1000nm 대인 적외선 영역에서 반사율이 97(%) 이상인 것을 알 수 있고, 구리는 빛의 파장이 700nm 대인 적색 영역과 빛의 파장이 1000nm 대인 적외선 영역에서 반사율이 97.5(%) 이상인 것을 알 수 있다. 하지만, 카드뮴(Cd), 니켈(Ni), 백금(Pt), 로듐(Rh), 주석(Sn)의 경우는 반사율이 알루미늄, 금, 은, 동 보다 낮음을 알 수 있다. In Table 4, silver (Ag) has a reflectance of 25.2 (%) in the ultraviolet region of 280 nm wavelength, reflectance of 94.8 (%) in the purple region of 400 nm wavelength of light, It can be seen that the reflectance is 98.5 (%) in the red region of 700 nm and the reflectance is 98.9 (%) in the infrared region where the wavelength of the light is 1000 nm. That is, it can be seen that the reflectance of silver (Ag) is higher than 94 (%) at the portion excluding the ultraviolet ray region. Aluminum (Al) had a reflectance of 92.3 (%) in the ultraviolet region of 280 nm in wavelength, a reflectance of 92.4 (%) in the purple region of 400 nm in wavelength of light and a red region of 700 nm in wavelength of light It can be seen that the reflectance is 89.9 (%) and the reflectance in the infrared region where the wavelength of light is 1000 nm is 93.9 (%). That is, the reflectance is lower than that of silver as a whole, but the reflectance is higher than that of silver in the ultraviolet region. Therefore, when the light emitting element emits ultraviolet rays, the reflectance of the package can be increased by using aluminum. It can be seen that the reflectance is 97% or more in the infrared region where the wavelength of the gold silver light is 700 nm and the infrared region where the wavelength of the light is 1000 nm. Copper has a red region with a wavelength of 700 nm and a wavelength of light of 1000 nm It can be seen that the reflectance is 97.5% or more in the infra-red region. However, the reflectance of cadmium (Cd), nickel (Ni), platinum (Pt), rhodium (Rh) and tin (Sn) is lower than that of aluminum, gold, silver and copper.

이상에서 실시 형태들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 하나의 실시 형태에 포함되며, 반드시 하나의 실시 형태에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 형태에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 형태들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 형태들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시 형태를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 형태의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 형태에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the inventions. It will be appreciated that many variations and applications not illustrated are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

1000a: 제1 기판 1000b: 제2 기판
1010a: 제1 광원부 1010b: 제2 광원부
1020a, 1020b, 1020c: 리플렉터1000a: first substrate 1000b: second substrate
1010a: first light source part 1010b: second light source part
1020a, 1020b, 1020c: reflector

Claims

Board;
A light source unit disposed on the substrate;
A reflector disposed on the substrate and disposed around the light source; And
And a cover disposed on the reflector and spaced apart from the light source part by a predetermined distance and having an opening smaller than the light emitting area of the light source part,
Wherein the reflector includes an upper end portion and a lower end portion,
Wherein the thickness of the lower end of the reflector is different from the thickness of the upper end of the reflector.

The method according to claim 1,
Wherein the thickness of the lower end of the reflector is thinner than the thickness of the upper end of the reflector.

The method according to claim 1,
Wherein the inner surface of the reflector is curved.

The method according to claim 1,
Wherein an inner surface of the reflector forms an acute angle with an upper surface of the substrate.

The method according to claim 1,
The inner surface of the lower end of the reflector is at an acute angle with the upper surface of the substrate,
Wherein the inner surface of the upper end of the reflector is perpendicular to the upper surface of the substrate.

6. The method according to any one of claims 1 to 5,
And a light conversion layer disposed below the opening of the cover and disposed on a lower surface of the cover,
And an upper end of the inner surface of the reflector is connected to the light conversion layer.

6. The method according to any one of claims 1 to 5,
And a light conversion layer disposed above or below the opening of the cover.

8. The method of claim 7,
Wherein at least a portion of the light conversion layer is inserted into the cover.

8. The method of claim 7,
Further comprising a light transmitting portion connected to an edge of the cover defining the opening of the cover or extending from an edge of the cover,
Wherein a central portion of the light conversion layer is disposed above or below an opening of the cover and an edge of the light conversion layer is disposed above or below the light transmission portion.

6. The method according to any one of claims 1 to 5,
The light source unit includes a plurality of light emitting elements,
Wherein an interval between two adjacent light emitting elements of the light emitting elements is 5 占 퐉 or more and 10 占 퐉 or less.