KR20150089233A - 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템 - Google Patents

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Abstract

실시 예는 발광 소자에 관한 것이다.
실시 예에 따른 발광 소자는, 캐비티를 갖는 몸체; 상기 캐비티 내에 배치된 복수의 리드 프레임; 상기 복수의 리드 프레임 중 적어도 하나의 위에 배치된 발광 칩; 상기 발광 칩을 덮는 제1수지층; 상기 제1수지층 위에 상기 발광 칩으로부터 방출된 광의 일부를 변환하는 제1양자점을 갖는 제2수지층; 및 상기 제2수지층의 상면 전체에 상기 제2수지층의 재질과 다른 재질의 제1보호층을 포함한다.

Description

발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템{LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHTING SYSTME HAVING THEREOF}
실시 예는 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템에 관한 것이다.
발광 다이오드(LED)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종이다. 발광 다이오드는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다. 이에 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내 및 실외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가되고 있는 추세이다.
실시 예는 새로운 구조의 발광 소자를 제공한다.
실시 예는 발광 칩 상에 파장을 변환하는 양자점을 갖는 발광 소자를 제공한다.
실시 예는 발광 칩 상에 양자점을 갖는 수지층 및 상기 수지층의 표면을 산소나 수소로부터 보호하는 보호층을 포함하는 발광 소자를 제공한다.
실시 예는 발광 칩 상에 양자점을 갖는 적어도 하나의 수지층의 하면 및 상면을 각각 보호하는 보호층을 갖는 발광 소자를 제공한다.
실시 예에 따른 발광 소자는, 캐비티를 갖는 몸체; 상기 캐비티 내에 배치된 복수의 리드 프레임; 상기 복수의 리드 프레임 중 적어도 하나의 위에 배치된 발광 칩; 상기 발광 칩을 덮는 제1수지층; 상기 제1수지층 위에 상기 발광 칩으로부터 방출된 광의 일부를 변환하는 제1양자점을 갖는 제2수지층; 및 상기 제2수지층의 상면 전체에 상기 제2수지층의 재질과 다른 재질의 제1보호층을 포함한다.
실시 예는 발광 칩 상에 양자점을 갖는 발광 소자를 제공할 수 있다.
실시 예는 발광 칩이 패키징된 발광 소자에 있어서, 수지층 내의 양자점의 특성 저하를 방지할 수 있다.
실시 예는 수지층 내의 양자점에 의해 파장을 변환함으로써, 고색재현이 가능한 발광 소자를 제공할 수 있다.
실시 예는 파장 변환하는 양자점을 갖는 발광 소자의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
실시 예는 발광 칩의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
실시 예는 발광 소자 및 이를 구비한 라이트 유닛의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
도 1은 제1실시 예에 따른 발광 소자의 측 단면도이다.
도 2는 제2실시 예에 따른 발광 소자의 측 단면도이다.
도 3은 제3실시 예에 따른 발광 소자의 측 단면도이다.
도 4는 제4실시 예에 따른 발광 소자의 측 단면도이다.
도 5는 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 표시장치의 일 예를 나타낸 사시도이다.
도 6은 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 표시장치의 다른 예를 나타낸 사시도이다.
도 7은 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 조명 장치를 나타낸 도면이다.
실시 예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층 또는 각 구조물의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서 각층 또는 각 구조물의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 제1실시 예에 따른 발광 소자에 대해 설명한다.
도 1은 제1실시 예에 따른 발광 소자의 측 단면도이다.
도 1을 참조하면, 발광 소자(100)는 몸체(11), 간극부(15), 제1 및 제2리드 프레임(21,31), 발광 칩(41), 상기 발광 칩(41) 위에 배치된 제1수지층(51), 상기 제1수지층(51) 위에 배치되며 양자점(quantum dot)(58)을 갖는 제2수지층(52), 및 상기 제2수지층(52) 위에 상기 제2수지층(52)의 재질과 다른 재질의 보호층(53)을 포함한다.
상기 몸체(11)는 절연 재질, 투광성 재질, 전도성 재질 중에서 선택될 수 있으며, 예컨대 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 금속 재질, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 실리콘, 에폭시, 폴리머 계열, 플라스틱 계열과 같은 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 몸체(11)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), 실리콘 또는 에폭시 재질 중에서 선택될 수 있다. 상기 몸체(11)의 형상은 위에서 볼 때, 다각형, 원형, 또는 곡면을 갖는 형상을 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
또한 상기 몸체(11) 내에는 산무수물, 산화 방지제, 이형재, 광 반사재, 무기 충전재, 경화 촉매, 광 안정제, 윤활제, 이산화티탄 중에서 선택적으로 첨가될 수 있다. 함유하고 있다. 상기 몸체(11)는 에폭시 수지, 변성 에폭시 수지, 실리콘 수지, 변성 실리콘 수지, 아크릴 수지, 우레탄 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종에 의해 성형될 수 있다. 예를 들면, 트리글리시딜이소시아누레이트, 수소화 비스페놀 A 디글리시딜에테르 등으로 이루어지는 에폭시 수지와, 헥사히드로 무수 프탈산, 3-메틸헥사히드로 무수 프탈산4-메틸헥사히드로 무수프탈산 등으로 이루어지는 산무수물을, 에폭시 수지에 경화 촉진제로서 DBU(1,8-Diazabicyclo(5,4,0)undecene-7), 조촉매로서 에틸렌 그리콜, 산화티탄 안료, 글래스 섬유를 첨가하고, 가열에 의해 부분적으로 경화 반응시켜 B 스테이지화한 고형상 에폭시 수지 조성물을 사용할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
또한 상기 몸체(11) 내에 차광성 물질 또는 확산제를 혼합하여 투과하는 광을 저감시켜 줄 수 있다. 또한 상기 몸체(11)는 소정의 기능을 갖게 하기 위해서, 열 경화성수지에 확산제, 안료, 형광 물질, 반사성 물질, 차광성 물질, 광 안정제, 윤활제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 적절히 혼합하여도 된다.
다른 예로서, 상기 몸체(11)는 투광성 물질 또는 입사 광의 파장을 변환시키는 변환 물질을 갖는 투광성 물질로 형성될 수 있다. 이러한 투광성의 몸체(11)는 일부 광을 측 방향으로 투과시켜 줄 수 있다.
상기 몸체(11)의 상측에는 캐쏘드 마크(cathode mark)가 형성될 수 있다. 상기 캐쏘드 마크는 상기 발광 소자(100)의 제1 리드 프레임(21) 또는 제2 리드 프레임(31)을 구분하여, 상기 제1,2 리드 프레임(21,31)의 극성의 방향에 대한 혼동을 방지할 수 있다.
실시 예는 캐비티(12)를 포함하며, 상기 캐비티(12)는 상기 몸체(11)에 의해 형성될 수 있다. 상기 캐비티(12)는 상기 몸체(11)의 상부가 개방된 오목한 형상을 포함한다. 상기 캐비티(12)의 측면은 상기 발광 소자(100)의 하면에 대해 경사진 면으로 형성되거나, 수직한 면으로 형성될 수 있다. 상기 캐비티(12)의 측면을 경사진 측면으로 형성한 경우, 광 추출 효율은 개선될 수 있다.
상기 캐비티(12)는 소자 탑측에서 볼 때, 원 형상, 타원 형상, 다각형 형상으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 캐비티(12)의 둘레 면은 곡면 또는 각면으로 형성될 수 있으며, 상기 캐비티(12)의 바닥부에 대해 경사지거나 수직하게 형성될 수 있다. 다른 예로서, 상기 캐비티(12)는 상기 몸체(11)와 다른 물질로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 캐비티(12) 내에는 복수의 리드 프레임(21,31)이 배치되며, 상기 복수의 리드 프레임(21,31)은 상기 몸체(11)와 결합될 수 있다. 여기서, 상기 간극부(15)는 복수의 리드 프레임(21,31) 사이에 배치되며, 복수의 리드 프레임(21,31) 사이를 이격되게 배치된다. 상기 간극부(15)는 상기 몸체(11)의 재질과 동일한 재질이거나, 다른 재질로 형성될 수 있다.
상기 복수의 리드 프레임(21,31)은 소정 두께를 갖는 금속 플레이트로 형성될 수 있으며, 상기 금속 플레이트의 표면에 다른 금속층이 도금될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 복수의 리드 프레임(21,31)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 각 리드 프레임(21,31)은 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 각 리드 프레임(21,31)의 두께는 0.3mm~1.5mm일 수 있으며, 예컨대 0.3mm~0.8mm를 포함한다.
상기 복수의 리드 프레임(21,31)은 캐비티(12) 내에 배치된 2개의 리드 프레임 예컨대, 제1 및 제2리드 프레임(21,31)으로 이루어지거나, 서로 분리된 3개의 리드 프레임이 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1리드 프레임(21)은 상기 몸체(11)에 결합되고 캐비티(12)의 제1영역에 노출되고, 상기 제2리드 프레임(31)은 상기 몸체(11)에 결합되고 캐비티(12)의 제2영역에 노출된다.
발광 칩(41)은 제2리드 프레임(31) 위에 배치되며, 상기 제2리드 프레임(31)과 접착 부재(미도시)로 접착될 수 있다. 상기 접착 부재는 절연성 또는 전도성의 재질을 포함하며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 칩(41)은 와이어(43)로 제1 및 제2리드 프레임(21,31)과 연결되거나, 플립 방식으로 연결되거나, 다이 본딩 방식으로 연결될 수 있다. 이러한 발광 칩(41)은 제1 및 제2리드 프레임(21,31)과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 발광 칩(41)은 청색, 자외선, 적색, 녹색, 청색, 백색과 같은 광을 발광할 수 있으며, 자외선 또는 청색 발광 칩을 예로 들 수 있다. 상기 발광 칩(41)은 n형 반도체층, 활성층 p형 반도체층을 포함한다. 상기 n형 및 p형 반도체층은, 예로서 II족-VI족 화합물 반도체 및 III족-V족 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 반도체층은 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, GaP 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 활성층은, 예로서 II족-VI족 및 III족-V족 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 활성층은 복수의 우물층과 복수의 장벽층이 적층되어 구현될 수 있으며, 예를 들어, InGaN/GaN, InGaN/AlGaN, InAlGaN/InAlGaN, 또는 GaN/AlGaN와 같은 주기로 구현될 수 있다.
상기 캐비티(12) 내에는 다수의 수지층이 형성될 수 있으며, 다수의 수지층 중 적어도 하나에는 양자점이 첨가될 수 있다. 상기 다수의 수지층은 예컨대, 제1 및 제2수지층(52)을 포함하며, 상기 제1수지층(51)은 투명한 층 예컨대, 실리콘 또는 에폭시와 같은 투명한 수지 재질로 형성될 수 있다. 상기 제1수지층(51)에는 양자점, 벌크 재질의 형광체나 확산제, 산란제와 같은 불순물이 첨가되지 않을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1수지층(51)은 발광 칩(41)을 커버하는 층으로서, 상기 제2리드 프레임(31)위에 배치된 발광 칩(41)의 표면을 밀봉하게 된다. 상기 제1수지층(51)의 상면은 상기 와이어(43)의 고점보다 높게 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1수지층(51)은 상기 캐비티(12)의 깊이(T1)의 20% 내지 45% 범위의 두께(T2)로 형성되거나, 200㎛ 내지 450㎛ 범위로 형성될 수 있다. 상기 제1수지층(51)의 두께(T2)는 광의 이동을 가이드하고, 또 양자점(58)을 발광 칩(41)로부터 이격시켜 줄 수 있다.
제2수지층(52)은 양자점(58)을 갖고, 제1수지층(51) 위에 접착된다. 상기 양자점(58)은 반도체 물질로 형성되거나, 단일 성분 또는 다수의 물질의 화합물로 형성될 수 있다. 상기 양자점(58)은 코어 구조만 지닌 단일 구조이거나 코어-쉘 구조의 이중 구조를 지닌 것일 수 있다.
상기 양자점(58)은 실리콘, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnTe, CdSeS, CdSeTe, ZnSeTe, GaN, GaAs, AlN, AlAs, InP, InP, InAs, GaNAs, AlNAs, GaInNP 또는 GaInNAs 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 양자점(58)은 나노 사이즈의 형광체로 정의될 수 있으며, 그 입자 사이즈를 조절하여 가시광선 영역의 광을 발광시켜 줄 수 있다. 이러한 양자점(58)의 입자 사이즈는 30nm 이하 예컨대, 1~30nm 범위이며, 입자가 작을수록 짧은 파장의 광을, 입자 사이즈가 클수록 긴 파장의 광을 발생하게 된다. 이러한 양자점(58)의 입자 사이즈에 의해 적색, 녹색, 황색, 청색과 같은 가시 광선 영역의 광을 발광시켜 줄 수 있다. 이러한 양자점(58)의 사이즈에 따라 파장 차이가 발생되므로, 양자점(58) 중 작은 입자는 큰 입자보다 상부 층에 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 여기서, 상기 입자의 사이즈는 양자점이 구 형상인 경우, 직경일 수 있다.
여기서, 양자점(58)이 아닌, 벌크(bulk) 재질의 형광체의 반치 폭을 보면, 청색 파장은 40-70nm, 녹색 파장은 45-60nm, 황색 파장은 80-110nm, 적색 파장은 80-95nm 이며, 이러한 형광체의 조합에 의한 색재현율(NTSC 기준)은 75% 이하로 구현될 수 있다. 이는 벌크 재질의 형광체는 반치 폭이 넓기 때문에 색 재현율을 높이는 데 한계가 있다. 또한 상기 벌크 재질의 형광체는 산화물계, 질화물계, 황화물계, 및 산질화물계 형광체를 포함한다.
실시 예는 양자점(58)의 형광체는 청색, 녹색, 적색, 황색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 따라서, 발광 소자(100)는 상기 발광 칩(41)로부터 방출된 광과 상기 양자점(58)의 형광체를 이용하여 90% 이상의 색 재현율을 제공할 수 있다. 실시 예에 따른 양자점(58)로부터 방출된 광의 반치 폭은 청색 파장, 녹색 파장, 황색 파장, 및 적색 파장이 각각 35-50nm 범위이며, 이러한 반치 폭은 벌크 재질의 형광체의 반치 폭보다 좁게 된다. 이에 따라 양자점(58)의 형광체의 조합에 따라 색재현율(NTSC 기준)은 90-95% 범위가 될 수 있다. 즉, 형광체의 반치 폭이 좁을수록 색재현율은 높아진다.
상기 제2수지층(52)의 두께(T3)는 상기 캐비티(12)의 깊이(T1)의 20% 내지 45% 범위의 두께로 형성되거나, 200㎛ 내지 450㎛ 범위로 형성될 수 있다.
실시 예는 상기 다수의 수지층 상에는 산소나 질소와 같은 이물질이 침투하는 것을 방지하기 위한 보호층(53)이 형성될 수 있으며, 상기 보호층(53)은 상기 다수의 수지층(51,52)의 표면에 접착된다.
이러한 양자점(58)은 외부 수분이나 공기 중에 노출시, 산소나 질소와 쉽게 반응하게 되고, 광 특성은 저하될 수 있다. 실시 예는 상기 제2수지층(52)의 전 상면 위에 보호층(53)을 형성하게 된다. 상기 보호층(53)은 산소나 질소의 침투가 낮은 물질이며, 투과율이 80% 이상인 물질을 사용할 수 있다. 또한 상기 보호층(53)의 재료는 100℃의 온도에서 재료의 특성 변화가 없어야 한다. 상기 보호층(53)은 투과성 플라스틱류 예컨대, PES(polyethersulfone), PC(poly carbonate), PEN(polyethylene naphtha late), PET(polyethylene terephthalate) 중 적어도 하나를 포함하며, 상기의 투과율 및 온도는 표 1과 같다.
재료 투과율(%) 온도(℃) 특성
PES 88 230 투명성-고/흡수성-중
PC 90 155 투명성-고/흡수성-중/열팽창성-저
PEN 85 150 투명성-고/흡수성-중/열팽창성-중
PET 88 120 투명성-고/흡수성-중/열팡창성-중
이러한 플라스틱 종류를 보호층(53)으로 사용할 수 있으며, 상기 투과율은 550nm 파장 영역에서의 투과율이다.
상기 보호층(53)은 다른 예로서, 상기 플라스틱 재질의 층과 상기 플라스틱 재질의 층 아래에 접착층을 갖는 적층 구조로 형성될 수 있다.
상기 보호층(53)은 다른 재료 예컨대, BaO, MgO, Al2O3, SiO2, BaSO4와 같은 재료 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 보호층(53)의 두께(T4)는 100㎛ 이하의 두께, 예컨대 10㎛~100㎛ 범위의 두께로 형성될 수 있다. 상기 보호층(53)의 두께(T4)는 상기 캐비티(12)의 깊이의 0.1% 내지 10% 범위로 형성될 수 있다. 이러한 보호층(53)은 상기 제2수지층(52)을 보호하게 된다. 상기 보호층(53)의 두께(T4)가 너무 얇은 경우, 수분이나 질소, 산소와 같은 이물질이 침투할 수 있고, 너무 두꺼운 경우 광 효율을 저하시킬 수 있다. 상기 보호층(53)은 상기 제1 및 제2수지층(52)의 두께보다는 얇게 형성될 수 있다.
상기 보호층(53)의 상면 면적은 상기 제2수지층(52)의 상면 면적보다 넓게 형성될 수 있으며, 상기 보호층(53)의 상면 너비(D1)는 상기 제2수지층(52)의 너비보다 넓게 형성될 수 있다. 실시 예에 따른 보호층(53)은 상기 제2수지층(52)의 전 영역을 커버함으로써, 상기 양자점(58)을 보호할 수 있다. 또한 상기 보호층(53)의 외곽부는 상기 몸체(11)의 상면으로 연장될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 보호층(53)의 상면 및 하면 중 적어도 하나에는 요철부가 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 이러한 요철부는 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다.
실시 예는 캐비티(12) 내의 양자점(58)을 보호하기 위한 보호층(53)을 갖는 발광 소자(100)를 제공함으로써, 양자점(58)의 특성 저하를 방지하고, 발광 소자(100)의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
도 2는 제2실시 예에 따른 양자점을 갖는 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다. 실시 예를 설명함에 있어서, 상기에 개시된 실시 예는 상기의 설명을 참조하기로 한다.
도 2를 참조하면, 발광 소자(100A)는 몸체(11), 복수의 리드 프레임(21,31), 발광 칩(41), 상기 발광 칩(41)을 덮는 제1수지층(61), 상기 제1수지층(61) 위에 양자점(68)을 갖는 제2수지층(62), 및 상기 제2수지층(62) 위에 보호층(63)을 포함한다.
상기 몸체(11)는 캐비티(12)를 포함하며, 상기 캐비티(12)의 측면은 경사진 면으로 형성될 수 있다. 상기 캐비티(12)의 측면과 몸체(11)의 상면 사이의 영역에 단차진 구조(13)를 포함하며, 상기 단차진 구조(13)는 상기 몸체(11)의 상면으로부터 소정 깊이(D3)로 형성될 수 있다. 상기 단차진 구조(13)의 깊이(D3)는 상기 캐비티(12)의 깊이(T1)의 10% 이하로 형성될 수 있다.
상기 보호층(63)은 상기 제2수지층(52)의 상면에 배치되며, 그 둘레는 상기 단차진 구조(13) 상에 배치된다. 상기 보호층(63)의 둘레가 상기 몸체(11)의 단차진 구조(13)에 접촉됨으로써, 상기 몸체(11)와의 접착력은 개선될 수 있다. 또한 상기 보호층(63)은 상면은 상기 몸체(11)의 상면보다 위에 배치될 수 있으며, 그 외측 단부(64)는 상기 몸체(11)의 상면에 접착될 수 있다. 이러한 보호층(63)과 몸체(11) 사이의 접착 면적이 증가됨으로써, 상기 보호층(63)과 상기 몸체(11) 사이의 계면을 통해 침투하는 습기를 차단할 수 있다.
상기 보호층(63)은 상기에 개시된 양자점(68)을 갖는 제2수지층(62)의 상면 전체를 커버하게 됨으로써, 상기 제2수지층(62)으로 습기, 질소나 산소와 같은 이물질이 침투하는 것을 차단하게 된다.
도 3는 제3실시 예에 따른 양자점을 갖는 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다. 실시 예를 설명함에 있어서, 상기에 개시된 실시 예는 상기의 설명을 참조하기로 한다.
도 3을 참조하면, 발광 소자(100B)는 몸체(11), 복수의 리드 프레임(21,31), 발광 칩(41), 제1수지층(71), 상기 제1수지층(71) 위에 제1보호층(72), 상기 제1보호층(72) 위에 양자점(78)을 갖는 제2수지층(73), 및 상기 제2수지층(73) 위에 제2보호층(74)을 포함한다.
상기 제1보호층(72)은 상기 제1수지층(71)과 제2수지층(73) 사이에 접착되며, 상기 제2보호층(74)은 상기 제2수지층(73) 위에 배치된다.
상기 제1보호층(72)은 상기 제1수지층(71)의 전 상면 위에 배치되며, 투과성 플라스틱류 예컨대, PES(polyethersulfone), PC(poly carbonate), PEN(polyethylene naphtha late), PET(polyethylene terephthalate) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1보호층(72)은 예컨대, BaO, MgO, Al2O3, SiO2, BaSO4와 같은 재료 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1보호층(72)은 상기 제1수지층(71)을 통해 투과되는 질소나 산소와 같은 이물질로부터 제2수지층(73) 내의 양자점(78)을 보호하게 된다.
상기 제2보호층(74)은 상기 제2수지층(73)의 전 상면 위에 배치되며, 투과성 플라스틱류 예컨대, PES(polyethersulfone), PC(poly carbonate), PEN(polyethylene naphtha late), PET(polyethylene terephthalate) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다른 예로서, 상기 제2보호층(74)은 예컨대, BaO, MgO, Al2O3, SiO2, BaSO4와 같은 재료 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제1보호층(72) 및 상기 제2보호층(74)은 동일한 재질이거나 서로 다른 재질일 수 있다. 예를 들면, 상기 제1보호층(72)와 제2보호층(74)가 다른 재질인 경우, 상기 제1보호층(72)은 흡수성이 좋고 열 팽창이 낮은 재질 예컨대, PC와 같은 재질로 형성될 수 있으며, 제2보호층(74)은 흡수성이 좋고 열 팽창이 중간인 재질 예컨대, PEN, PET로 형성될 수 있다.
제1 및 제2보호층(72,74)의 두께(T6,T8)는 상기 캐비티(12)의 깊이(T1)의 0.1% 내지 10% 범위이거나, 10㎛~100㎛ 범위의 두께로 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2보호층(72,74)의 동일한 두께(T6,T8)이거나 다른 두께일 수 있다.
상기 제1 및 제2보호층(72,74) 각각은 상기 제1 및 제2수지층(71,73)의 두께(T5,T7)보다는 얇게 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2보호층(72,74) 각각의 상면 및 하면 중 적어도 하나에는 요철부가 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1수지층(71)의 두께(T5)는 상기 캐비티(12)의 깊이(T1)의 20~40% 범위이거나, 200㎛~400㎛ 범위일 수 있다. 상기 제2수지층(73)의 두께(T7)은 상기 캐비티(12)의 깊이(T1)의 20~40% 범위이거나, 200㎛~400㎛ 범위일 수 있다.
도 4는 제4실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다. 실시 예를 설명함에 있어서, 상기에 개시된 실시 예는 상기의 설명을 참조하기로 한다.
도 4를 참조하면, 발광 소자(100C)는 몸체(11), 제1 및 제2리드 프레임(21,31), 발광 칩(41), 제1수지층(81), 상기 제1수지층(81) 위에 제1보호층(82), 및 상기 제1보호층(82) 위에 제1양자점(88)을 갖는 제2수지층(83), 상기 제2수지층(83) 위에 제2보호층(84), 상기 제2보호층(84) 위에 제2양자점(89)을 갖는 제3수지층(85), 및 상기 제3수지층(85) 위에 제3보호층(86)을 포함한다.
상기 발광 칩(41)은 자외선 대역의 광 또는 청색 대역의 광을 방출할 수 있다.
상기 제1보호층(82)은 상기 제1수지층(81)과 제2수지층(83) 사이에 배치되며, 상기 제2보호층(84)은 상기 제2수지층(83)과 제3수지층(85) 사이에 배치되며, 상기 제3보호층(86)은 상기 제3수지층(85) 위에 배치된다.
상기 제1수지층(81)은 양자점, 벌크 재질의 형광체, 확산제와 같은 불순물을 갖지 않는 층이며, 제1 내지 제3보호층(82,84,86)은 투과성 플라스틱류 예컨대, PES(polyethersulfone), PC(poly carbonate), PEN(polyethylene naphtha late), PET(polyethylene terephthalate), BaO, MgO, Al2O3, SiO2, BaSO4 중 중에서 적어도 하나를 포함한다. 상기 제1보호층(82)은 흡수성이 좋고 열 팽창이 낮은 재질 예컨대, PC와 같은 재질로 형성될 수 있으며, 제2 및 제3보호층(84,86)은 흡수성이 좋고 열 팽창이 중간인 재질 예컨대, PEN, PET로 형성될 수 있다. 또는 제3보호층(86)은 제2보호층(84)과 다른 PES 재질로 형성될 수 있다. 이러한 제1 내지 제3보호층(82,84,86)은 서로 동일한 재질이거나 다른 재질일 수 있다.
상기 제2수지층(83)은 파장 변환하는 제1양자점(88)을 포함하며, 상기 제3수지층(85)은 파장 변환하는 제2양자점(89)을 포함한다. 상기 제2양자점(89)은 상기 제1양자점(88)으로부터 방출된 광보다 단 파장의 광을 발광하게 된다. 상기 제1양자점(88)은 청색 형광체 또는 녹색 형광체 중 적어도 하나를 포함하며, 상기 제2양자점(89)은 녹색 형광체, 황색 형광체, 또는 적색 형광체 중 적어도 하나를 포함한다.
상기 제1 및 제2양자점(88,89)는 실리콘, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnTe, CdSeS, CdSeTe, ZnSeTe, GaN, GaAs, AlN, AlAs, InP, InP, InAs, GaNAs, AlNAs, GaInNP 또는 GaInNAs 중 적어도 하나를 포함하며, 발광되는 광은 35-50nm의 반치 폭을 갖는다.
상기 제1양자점(88)으로부터 방출된 광은 상기 제2양자점(89)으로부터 방출된 광보다 짧은 파장의 광을 발광하게 된다. 예를 들면, 상기 발광 칩(41)이 자외선 광이 방출되면, 상기 제1양자점(88)은 상기 발광 칩(41)으로부터 방출된 광을 흡수하여, 청색의 광을 방출할 수 있으며, 상기 제2양자점(89)은 상기 발광 칩(41)으로부터 방출된 광을 흡수하여, 녹색, 적색 및 황색 중 적어도 하나의 광을 방출하게 된다. 또는 상기 발광 칩(41)이 청색의 광을 방출하면, 상기 제1양자점(88)은 녹색의 광을 방출할 수 있고, 상기 제2양자점(89)은 적색의 광을 방출할 수 있다. 여기서, 상기 제2양자점(89) 중 일부는 상기 제1양자점(88)으로부터 방출된 광을 흡수하여 여기할 수 있다.
상기 제1양자점(88)의 사이즈는 상기 제2양자점(89)의 사이즈보다 작을 수 있다. 여기서, 상기 사이즈는 양자점이 구 형상인 경우, 직경일 수 있다.
<조명 시스템>
실시예에 따른 도 1의 발광 소자는 이하의 조명 시스템에 적용될 수 있다. 상기 조명 시스템은 복수의 발광 소자가 어레이된 구조를 포함하며, 도 5 및 도 6에 도시된 표시 장치, 도 7에 도시된 조명 장치를 포함하고, 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판 등이 포함될 수 있다.
도 5는 실시 예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다.
도 5를 참조하면, 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 발광 모듈(1031)와, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 발광 모듈(1031) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 바텀 커버(1011), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트 유닛(1050)으로 정의될 수 있다.
상기 도광판(1041)은 상기 발광 모듈(1031)로부터 제공된 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다.
상기 발광모듈(1031)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 배치되어 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.
상기 발광모듈(1031)은 바텀 커버(1011) 내에 적어도 하나가 배치되며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 발광 모듈(1031)은 기판(1033)과 상기에 개시된 실시 예에 따른 발광 소자(1035)를 포함하며, 상기 발광 소자(1035)는 상기 기판(1033) 상에 소정 간격으로 어레이될 수 있다. 상기 기판은 인쇄회로기판(printed circuit board)일 수 있지만, 이에 한정하지 않는다. 또한 상기 기판(1033)은 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자(1035)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 상에 탑재될 경우, 상기 기판(1033)은 제거될 수 있다. 상기 방열 플레이트의 일부는 상기 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다. 따라서, 발광 소자(1035)에서 발생된 열은 방열 플레이트를 경유하여 바텀 커버(1011)로 방출될 수 있다.
상기 복수의 발광 소자(1035)는 상기 기판(1033) 상에 빛이 방출되는 출사면이 상기 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자(1035)는 상기 도광판(1041)의 일측면인 입광부에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 상기 표시 패널(1061)로 공급함으로써, 상기 표시 패널(1061)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 발광모듈(1031) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버(미도시)와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제 1 및 제 2기판, 그리고 제 1 및 제 2기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 상기 발광 모듈(1031)로부터 제공된 광을 투과 또는 차단시켜 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비전과 같은 영상 표시 장치에 적용될 수 있다.
상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장 이상의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트(diffusion sheet), 수평 및 수직 프리즘 시트(horizontal/vertical prism sheet), 및 휘도 강화 시트(brightness enhanced sheet) 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 상기 표시 패널(1061)로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 발광 모듈(1031)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041), 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 6은 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 6을 참조하면, 표시 장치(1100)는 바텀 커버(1152), 상기에 개시된 발광 소자(1062)가 어레이된 기판(1120), 광학 부재(1154), 및 표시 패널(1155)을 포함한다.
상기 기판(1120)과 상기 발광 소자(1062)는 발광 모듈(1060)로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152), 적어도 하나의 발광 모듈(1060), 광학 부재(1154)는 라이트 유닛(미도시)으로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152)에는 수납부(1153)를 구비할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 광학 부재(1154)는 렌즈, 도광판, 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판은 PC 재질 또는 PMMA(Poly methy methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 도광판은 제거될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 상기 표시 패널(1155)으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다.
상기 광학 부재(1154)는 상기 발광 모듈(1060) 위에 배치되며, 상기 발광 모듈(1060)로부터 방출된 광을 면 광원하거나, 확산, 집광 등을 수행하게 된다.
도 7은 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 조명 장치의 사시도이다.
도 7을 참조하면, 실시 예에 따른 조명 장치는 커버(2100), 광원 모듈(2200), 방열체(2400), 전원 제공부(2600), 내부 케이스(2700), 소켓(2800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(2300)와 홀더(2500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)은 실시 예에 따른 발광 소자를 포함할 수 있다.
예컨대, 상기 커버(2100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기 시킬 수 있다. 상기 커버(2100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.
상기 커버(2100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(2100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(2100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다.
상기 커버(2100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(2100)는 외부에서 상기 광원 모듈(2200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(2100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.
상기 광원 모듈(2200)은 상기 방열체(2400)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열은 상기 방열체(2400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(2200)은 광원부(2210), 연결 플레이트(2230), 커넥터(2250)를 포함할 수 있다.
상기 부재(2300)는 상기 방열체(2400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 광원부(2210)들과 커넥터(2250)이 삽입되는 가이드홈(2310)들을 갖는다. 상기 가이드홈(2310)은 상기 광원부(2210)의 기판 및 커넥터(2250)와 대응된다.
상기 부재(2300)의 표면은 빛 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 예를 들면, 상기 부재(2300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(2300)는 상기 커버(2100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(2200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(2100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.
상기 부재(2300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)의 연결 플레이트(2230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(2400)와 상기 연결 플레이트(2230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(2300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(2230)와 상기 방열체(2400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(2400)는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(2600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.
상기 홀더(2500)는 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)의 수납홈(2719)을 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(2700)의 상기 절연부(2710)에 수납되는 상기 전원 제공부(2600)는 밀폐된다. 상기 홀더(2500)는 가이드 돌출부(2510)를 갖는다. 상기 가이드 돌출부(2510)는 상기 전원 제공부(2600)의 돌출부(2610)가 관통하는 홀을 구비할 수 있다.
상기 전원 제공부(2600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(2200)로 제공한다. 상기 전원 제공부(2600)는 상기 내부 케이스(2700)의 수납홈(2719)에 수납되고, 상기 홀더(2500)에 의해 상기 내부 케이스(2700)의 내부에 밀폐된다.
상기 전원 제공부(2600)는 돌출부(2610), 가이드부(2630), 베이스(2650), 돌출부(2670)를 포함할 수 있다.
상기 가이드부(2630)는 상기 베이스(2650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(2630)는 상기 홀더(2500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(2650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원 모듈(2200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(2200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 돌출부(2670)는 상기 베이스(2650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 돌출부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 돌출부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 돌출부(2670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결되고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(2800)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 내부 케이스(2700)는 내부에 상기 전원 제공부(2600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(2600)가 상기 내부 케이스(2700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.
이상에서 실시예 들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100, 100A, 100B, 100C: 발광 소자
11: 몸체
12: 캐비티
21, 31: 리드 프레임
41: 발광칩
51, 52, 61, 62, 72, 73, 81, 83, 85: 수지층
53, 63, 74, 82, 84, 86: 보호층
58, 68, 78, 88, 89: 양자점

Claims (11)

  1. 캐비티를 갖는 몸체;
    상기 캐비티 내에 배치된 복수의 리드 프레임;
    상기 복수의 리드 프레임 중 적어도 하나의 위에 배치된 발광 칩;
    상기 발광 칩을 덮는 제1수지층;
    상기 제1수지층 위에 상기 발광 칩으로부터 방출된 광의 일부를 변환하는 제1양자점을 갖는 제2수지층; 및
    상기 제2수지층의 상면 전체에 상기 제2수지층의 재질과 다른 재질의 제1보호층을 포함하는 발광 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1보호층은 PES(polyethersulfone), PC(poly carbonate), PEN(polyethylene naphtha late), PET(polyethylene terephthalate) 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1보호층은 BaO, MgO, Al2O3, SiO2, BaSO4 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1보호층의 외곽부는 상기 몸체의 상면에 접촉되는 발광 소자.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1수지층과 상기 제2수지층 사이에 상기 제2수지층과 다른 재질의 제2보호층을 포함하며,
    상기 제2보호층은 투과성 재질로 형성되는 발광 소자.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제2수지층과 상기 제1보호층 사이에 상기 제2양자점을 갖는 제3수지층을 포함하며,
    상기 제2양자점은 상기 제1양자점의 사이즈보다 작은 사이즈를 갖고, 상기 제1양자점으로부터 방출된 광의 파장보다 단 파장의 광을 발광하는 발광 소자.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제2수지층과 상기 제3수지층 사이에 상기 제2수지층과 다른 재질의 제3보호층을 포함하는 발광 소자.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3보호층 중 적어도 하나는 다른 재질인 발광 소자.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1양자점은 실리콘, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnTe, CdSeS, CdSeTe, ZnSeTe, GaN, GaAs, AlN, AlAs, InP, InP, InAs, GaNAs, AlNAs, GaInNP 또는 GaInNAs 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자.
  10. 제1항에 있어서, 상기 제1양자점으로부터 방출된 광은 35-50nm의 반치 폭을 갖는 발광 소자.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제1보호층은 상기 제1수지층의 두께보다 얇은 두께를 갖는 발광 소자.
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