KR20150086127A - 액정 표시 장치 - Google Patents

액정 표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20150086127A
KR20150086127A KR1020140006317A KR20140006317A KR20150086127A KR 20150086127 A KR20150086127 A KR 20150086127A KR 1020140006317 A KR1020140006317 A KR 1020140006317A KR 20140006317 A KR20140006317 A KR 20140006317A KR 20150086127 A KR20150086127 A KR 20150086127A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
liquid crystal
forming
sacrificial layer
crystal injection
Prior art date
Application number
KR1020140006317A
Other languages
English (en)
Inventor
고이치 스기타니
정양호
강훈
주진호
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020140006317A priority Critical patent/KR20150086127A/ko
Priority to US14/338,123 priority patent/US9581848B2/en
Publication of KR20150086127A publication Critical patent/KR20150086127A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133377—Cells with plural compartments or having plurality of liquid crystal microcells partitioned by walls, e.g. one microcell per pixel

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)

Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 기판, 상기 기판 위에 배치되어 있는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터에 연결되어 있으며, 상기 박막 트랜지스터 위에 배치되어 있는 화소 전극, 상기 화소 전극과 마주보는 공통 전극, 상기 공통 전극 위에 배치되어 있는 루프층, 상기 화소 전극과 상기 공통 전극 사이에 배치되어 있는 미세 공간, 그리고 상기 미세 공간에 주입되어 있는 액정 물질을 포함하고, 상기 미세 공간의 측면 프로파일은 수평면에 대해 80도 내지 90도 이다.

Description

액정 표시 장치{LIQUID CRYSTAL DISPLAY}
본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 화소 전극과 공통 전극 등 전기장 생성 전극이 형성되어 있는 두 장의 표시판과 그 사이에 들어 있는 액정층으로 이루어진다.
전기장 생성 전극에 전압을 인가하여 액정층에 전기장을 생성하고 이를 통하여 액정층의 액정 분자들의 배향을 결정하고 입사광의 편광을 제어함으로써 영상을 표시한다.
액정 표시 장치 가운데 하나로써, 픽셀에 복수의 미세 공간(micro cavity)을 형성하고, 여기에 액정을 채워 디스플레이를 구현하는 기술이 개발되고 있다. 종래의 액정 표시 장치에서는 두 장의 기판이 사용되었으나, 이 기술은 하나의 기판 위에 구성 요소들을 형성함으로써 장치의 무게, 두께 등을 줄일 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 미세 공간을 포함하는 액정 표시장치에서, 전기장이 생성되는 미세 공간의 영역을 최대화하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 기판, 상기 기판 위에 배치되어 있는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터에 연결되어 있으며, 상기 박막 트랜지스터 위에 배치되어 있는 화소 전극, 상기 화소 전극과 마주보는 공통 전극, 상기 공통 전극 위에 배치되어 있는 루프층, 상기 화소 전극과 상기 공통 전극 사이에 배치되어 있는 미세 공간, 그리고 상기 미세 공간에 주입되어 있는 액정 물질을 포함하고, 상기 미세 공간의 측면 프로파일은 수평면에 대해 80도 내지 90도 이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 상기 루프층 위에 배치되어 있는 캐핑층을 더 포함할 수 있다.
상기 미세 공간은 상기 액정 물질이 주입되는 액정 주입구를 가지고, 상기 캐핑층은 상기 액정 주입구를 덮고 있을 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 상기 기판 위에 배치되어 있으며, 상기 박막 트랜지스터에 연결되어 있는 게이트선 및 데이터선을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 상기 데이터선이 뻗어 있는 방향을 따라 상기 미세 공간 사이에 배치되어 있는 격벽 형성부를 더 포함할 수 있다.
상기 액정 주입구는 상기 미세 공간의 측면에 위치할 수 있다.
상기 미세 공간을 복수 개로 나누는 액정 주입구 형성 영역을 더 포함하고, 상기 액정 주입구 형성 영역은 상기 게이트선이 뻗은 방향을 따라 배치되어 있을 수 있다.
상기 액정 주입구는 상기 미세 공간의 상부면에 위치할 수 있다.
상기 미세 공간을 복수 개로 나누는 미세 공간 분할 영역을 더 포함하고, 상기 미세 공간 분할 영역은 상기 게이트선이 뻗은 방향을 따라 배치되어 있을 수 있다.
상기 루프층은 상기 미세 공간 분할 영역을 채우고 있을 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법은 기판 위에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계, 상기 박막 트랜지스터의 한 단자와 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계, 상기 화소 전극 위에 희생층 및 공통 전극을 차례로 형성하는 단계, 상기 공통 전극을 패터닝하여 제1 개구부 및 제2 개구부를 형성하는 단계, 상기 공통 전극을 마스크로 하여, 상기 제1 개구부 및 상기 제2 개구부에 의해 노출된 상기 희생층을 식각하여 상기 희생층에 제1 오픈부 및 제2 오픈부를 형성하는 단계, 상기 공통 전극 위, 상기 제1 오픈부 및 상기 제2 오픈부에 하부 절연층을 형성하는 단계, 상기 희생층의 상부 및 상기 희생층의 하부를 경화시켜, 각각 상부 배향막 및 하부 배향막을 형성하는 단계, 상기 하부 절연층 위에 루프층을 형성하는 단계, 상기 제1 오픈부에 위치하는 상기 하부 절연층 및 상기 루프층을 제거한 후, 상기 희생층을 제거하여 액정 주입구가 형성된 복수의 미세 공간을 형성하는 단계, 상기 미세 공간에 액정 물질을 주입하는 단계, 그리고 상기 루프층 위에 상기 액정 주입구를 덮도록 캐핑층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제1 오픈부 및 상기 제2 오픈부에서 상기 희생층의 측면 프로파일은 수평면에 대해 80도 내지 90도 이고, 상기 미세 공간의 측면 프로파일은 수평면에 대해 80도 내지 90도 이다.
상기 희생층은 배향막 형성 물질로 형성할 수 있다.
상기 희생층의 상부 및 상기 희생층의 하부의 경화는 상기 하부 절연층을 형성할 때 이루어질 수 있다.
상기 희생층의 식각은 건식 식각을 실시할 수 있다.
상기 액정 주입구는 상기 미세 공간의 측면에 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 기판의 제조 방법은 기판 위에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계, 상기 박막 트랜지스터의 한 단자와 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계, 상기 화소 전극 위에 하부 배향막, 희생층, 상부 배향막 및 공통 전극을 차례로 형성하는 단계, 상기 공통 전극을 패터닝하여 제1 개구부 및 제2 개구부를 형성하는 단계, 상기 공통 전극을 마스크로 하여, 상기 제1 개구부 및 상기 제2 개구부에 의해 노출된 상기 상부 배향막 및 노출된 상기 상부 배향막 아래에 위치하는 상기 희생층 및 상기 하부 배향막을 제1 오픈부 및 제2 오픈부를 형성하는 단계, 상기 공통 전극 위, 상기 제1 오픈부 및 상기 제2 오픈부에 하부 절연층 및 루프층을 차례대로 형성하는 단계, 상기 희생층의 상부 및 상기 희생층의 하부를 경화시켜, 각각 상부 배향막 및 하부 배향막을 형성하는 단계, 상기 희생층 위에 위치하는 상기 하부 절연층 및 상기 루프층을 제거한 후, 상기 희생층을 제거하여 액정 주입구가 형성된 복수의 미세 공간을 형성하는 단계, 상기 미세 공간에 액정 물질을 주입하는 단계, 그리고 상기 루프층 위에 상기 액정 주입구를 덮도록 캐핑층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제1 오픈부 및 상기 제2 오픈부에서 상기 상부 배향막, 상기 희생층 및 상기 하부 배향막의 측면 프로파일은 수평면에 대해 80도 내지 90도 이고, 상기 미세 공간의 측면 프로파일은 수평면에 대해 80도 내지 90도 이다.
상기 액정 주입구는 상기 미세 공간의 상부면에 형성될 수 있다.
이와 같이 본 발명의 실시예에 따르면, 공통 전극을 마스크로 하여 희생층을 건식 식각하여 미세 공간의 측면 프로파일을 수평면에 대하여 80도 내지 90도로 할 수 있다. 이에, 공통 전극과 화소 전극에 의해 전기장이 생성되는 미세 공간의 영역이 최대화 되고, 미세 공간의 빛이 투과되는 공간을 최대화 시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 절단선 Ⅱ-Ⅱ 선을 따라 자른 단면도이다.
도 3은 도 1의 절단선 Ⅲ-Ⅲ 선을 따라 자른 단면도이다.
도 4 내지 도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 19는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 단면도이다.
도 20 내지 도 31은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장된 것이다. 또한, 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 층이 개재될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 의미한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치를 나타내는 평면도이다. 도 2는 도 1의 절단선 Ⅱ-Ⅱ 선을 따라 자른 단면도이다. 도 3은 도 1의 절단선 Ⅲ-Ⅲ 선을 따라 자른 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참고하면, 투명한 유리 또는 플라스틱 등으로 만들어진 기판(110) 위에 게이트선(121) 및 유지 전극선(131)이 배치되어 있다.
게이트선(121)은 주로 가로 방향으로 뻗어 있으며, 게이트 신호를 전달한다. 게이트선(121)은 세로 방향으로 돌출된 게이트 전극(124)을 포함한다.
유지 전극선(131)은 주로 가로 방향으로 뻗어 있으며 공통 전압(Vcom) 등의 정해진 전압을 전달한다. 유지 전극선(131)은 게이트선(121)과 실질적으로 수직하게 뻗은 한 쌍의 세로부(135a) 및 한 쌍의 세로부(135a)의 끝을 서로 연결하는 가로부(135b)를 포함한다. 유지 전극선(131)의 세로부 및 가로부(135a, 135b)는 추후 설명하는 화소 전극(191)을 둘러싸는 구조를 가진다.
게이트선(121) 및 유지 전극선(131) 위에 게이트 절연막(140)이 배치되어 있다.
게이트 절연막(140) 위에 반도체층(151)이 배치되어 있다. 반도체층(151)은 게이트 전극(124)과 중첩하는 돌출부(154)를 포함한다.
반도체층(151) 위에 소스 전극(173)을 포함하는 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)이 배치되어 있다.
데이터선(171)은 데이터 신호를 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 있으며, 게이트선(121) 및 유지 전극선(131)과 교차한다. 소스 전극(173)은 게이트 전극(124)을 향해 돌출되어 있으며, 반도체층(151)의 돌출부(154) 위에 배치되어 있다. 드레인 전극(175)은 데이터선(171)과 분리되어 있으며, 반도체층(151)의 돌출부(154) 위에 배치되어 있다. 드레인 전극(175)은 게이트 전극(124)을 중심으로 소스 전극(173)과 마주하고 있다.
게이트 전극(124), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 반도체층(151)의 돌출부(154)와 함께 하나의 박막 트랜지스터(Q)를 이루며, 박막 트랜지스터(Q)의 채널(channel)은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 반도체층(151)의 돌출부(154)에 형성된다.
반도체층(151)과 데이터선(171) 사이 및 반도체층(151)의 돌출부(154)와 소스 전극(173) 및 드레인 전극(17) 사이에는 이들 사이의 접촉 저항을 낮추는 역할은 하는 저항성 접촉 부재가 배치될 수 있다.
데이터선(171), 드레인 전극(175), 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 반도체층(151)의 돌출부(154) 및 게이트 절연막(140) 위에 제1 층간 절연막(180a)이 배치되어 있다. 제1 층간 절연막(180a)은 질화 규소(SiNx)와 산화 규소(SiOx) 따위의 무기 절연물 또는 유기 절연물을 포함할 수 있다.
제1 층간 절연막(180a) 위에 색필터(230), 가로 차광 부재(220a) 및 세로 차광 부재(220b)가 배치되어 있다.
가로 차광 부재(220a)는 게이트선(121)과 평행한 방향을 따라 배치되어 있고, 세로 차광 부재(220b)는 데이트선(171)과 평행한 방향을 따라 배치되어 있다. 가로 차광 부재(220a)와 세로 차광 부재(220b)는 서로 연결되어 화상을 표시하는 영역에 대응하는 개구부를 가지는 격자 구조로 이루어져 있으며, 빛이 투과하지 못하는 물질을 포함한다.
색필터(230)는 가로 차광 부재(220a)와 세로 차광 부재(220b)에 의한 개구부에 배치되어 있으며, 적색, 녹색 및 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 하나를 표시할 수 있다. 하지만, 적색, 녹색, 및 청색의 삼원색에 제한되지 않고, 청록색(cyan), 자홍색(magenta), 옐로(yellow), 화이트 계열의 색 중 하나를 표시할 수도 있다. 색필터(230)는 가로 방향으로 인접하는 화소마다 동일한 색을 표시하는 물질을 포함할 수 있고, 세로 방향으로 인접하는 화소마다 서로 다른 색을 표시하는 물질을 포함할 수 있다.
색필터(230), 가로 차광 부재(220a) 및 세로 차광 부재(220b) 위에 제2 층간 절연막(180b)이 배치되어 있다. 제2 층간 절연막(180b)은 질화 규소(SiNx)와 산화 규소(SiOx) 따위의 무기 절연물 또는 유기 절연물을 포함할 수 있다. 도 2의 단면도에서 도시된 바와 달리 색필터(230)와 가로 차광 부재(220a)의 두께 차이로 인하여 단차가 발생된 경우에는 제2 층간 절연막(180b)을 유기 절연물을 포함하도록 하여 단차를 줄이거나 제거할 수 있다.
가로 차광 부재(220a), 제1 및 제2 층간 절연막(180a, 180b)에는 드레인 전극(175)의 일부분을 노출하는 접촉 구멍(185)이 형성되어 있다.
제2 층간 절연막(180b) 위에 접촉 구멍(185)을 통하여 드레인 전극(175)과 연결되어 있는 화소 전극(191)이 배치되어 있다. 화소 전극(191)은 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질로 만들어질 수 있다.
화소 전극(191)은 전체적인 모양이 사각형이며 가로 줄기부(191a) 및 이와 교차하는 세로 줄기부(191b)로 이루어진 십자형 줄기부를 포함한다. 또한, 가로 줄기부(191a)와 세로 줄기부(191b)에 의해 네 개의 부영역으로 나뉘어지며 각 부영역은 복수의 미세 가지부(191c)를 포함한다. 또한, 본 실시예에서 화소 전극(191)의 외곽을 둘러싸는 외곽 줄기부를 더 포함할 수 있다.
화소 전극(191)의 미세 가지부(191c)는 게이트선(121) 또는 가로 줄기부(191a)와 대략 40도 내지 45도의 각을 이룬다. 또한, 이웃하는 두 부영역의 미세 가지부(191c)는 서로 직교할 수 있다. 또한, 미세 가지부(191c)의 폭은 점진적으로 넓어지거나 미세 가지부(191c) 간의 간격이 다를 수 있다.
화소 전극(191)은 세로 줄기부(191b)의 하단에서 연결되고, 세로 줄기부(191b)보다 넓은 면적을 갖는 연장부(197)를 포함하고, 연장부(197)에서 접촉 구멍(185)을 통하여 드레인 전극(175)과 물리적, 전기적으로 연결되어 있으며, 드레인 전극(175)으로부터 데이터 전압을 인가 받는다.
지금까지 설명한 박막 트랜지스터(Q) 및 화소 전극(191)에 관한 설명은 하나의 예시이고, 측면 시인성을 향상시키기 위해 박막 트랜지스터 구조 및 화소 전극 디자인을 변형할 수 있다.
화소 전극(191) 위에는 하부 배향막(11)이 배치되어 있고, 하부 배향막(11)과 대향하는 부분에 상부 배향막(21)이 배치되어 있고, 하부 배향막(11)과 상부 배향막(21) 사이에는 미세 공간(305)이 배치되어 있다.
하부 배향막(11) 및 상부 배향막(21)은 수직 배향막일 수 있다. 하부 배향막(11) 및 상부 배향막(21)은 폴리 아믹산(Polyamic acid), 폴리 실록산(Polysiloxane) 또는 폴리 이미드(Polyimide) 등의 액정 배향막으로써 일반적으로 사용되는 물질들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
미세 공간(305)에는 액정 분자(310)를 포함하는 액정 물질이 주입되어 있고, 미세 공간(305)은 액정 물질이 주입되는 액정 주입구(307)를 갖는다. 액정 주입구(307)는 미세 공간(305)의 측면에 위치한다.
여기서, 미세 공간(305), 상부 배향막(21) 및 하부 배향막(11)의 측면 프로파일은 수평면에 대하여 80도 내지 90도 이다.
미세 공간(305)은 게이트선(121)과 중첩하는 부분에 위치하는 복수의 액정 주입구 형성 영역(307FP)에 의해 세로 방향으로 나누어지고, 게이트선(121)이 뻗어 있는 방향을 따라 복수 개로 형성되어 있다. 복수 개로 형성된 미세 공간(305) 각각은 화소 하나 또는 둘 이상에 대응할 수 있고, 화소 영역은 화면을 표시하는 영역에 대응할 수 있다.
상부 배향막(21) 위에 공통 전극(270) 및 하부 절연층(350)이 배치되어 있다. 공통 전극(270)은 공통 전압을 인가 받고, 데이터 전압이 인가된 화소 전극(191)과 함께 전기장을 생성하여 두 전극 사이의 미세 공간(305)에 위치하는 액정 분자(310)가 기울어지는 방향을 결정한다. 공통 전극(270)은 화소 전극(191)과 축전기를 이루어 박막 트랜지스터가 턴 오프(turn-off)된 후에도 인가된 전압을 유지한다. 하부 절연층(350)은 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiO2)를 포함한다.
한편, 미세 공간(305), 상부 배향막(21) 및 하부 배향막(11)의 측면 프로파일은 수평면에 대하여 80도 내지 90도 이기 때문에, 미세 공간(305)의 측면은 수평면에 대해 거의 수직을 이룬다고 볼 수 있다. 이에, 공통 전극(270)과 화소 전극(191)에 의해 전기장이 생성되는 미세 공간(305)의 영역이 최대화 되고, 미세 공간(305)의 빛이 투과되는 공간을 최대화 시킬 수 있다.
본 실시예에서는 공통 전극(270)이 미세 공간(305) 위에 형성되는 것으로 설명하였으나, 다른 실시예로 공통 전극(270)이 미세 공간(305) 하부에 형성되어 수평 전계 모드에 따른 액정 구동도 가능하다.
하부 절연층(350) 위에 루프층(Roof Layer; 360)이 배치되어 있다. 루프층(360)은 화소 전극(191)과 공통 전극(270)의 사이 공간인 미세 공간(305)이 형성될 수 있도록 지지하는 역할을 한다. 루프층(360)은 포토 레지스트 또는 그 밖의 유기 물질을 포함할 수 있다.
루프층(360) 위에 상부 절연층(370)이 배치되어 있다. 상부 절연층(370)은 루프층(360)의 상부면과 접촉할 수 있다. 상부 절연층(370)은 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiO2)를 포함한다.
상부 절연층(370) 위 및 액정 주입구 형성 영역(307FP)에는 캐핑층(390)이 배치되어 있다. 캐핑층(390)은 액정 주입구 형성 영역(307FP)을 채우면서 액정 주입구 형성 영역(307FP)에 의해 노출된 미세 공간(305)의 액정 주입구(307)를 덮는다. 캐핑층(390)은 유기 물질 또는 무기 물질을 포함한다.
한편, 도 3에 도시한 바와 같이, 가로 방향으로 이웃하는 미세 공간(305) 사이에 격벽 형성부(PWP)가 배치되어 있다. 격벽 형성부(PWP)는 데이터선(171)이 뻗어 있는 방향을 따라 형성될 수 있고, 루프층(360)에 의해 덮일 수 있다. 격벽 형성부(PWP)에는 하부 절연층(350), 공통 전극(270), 상부 절연층(370) 및 루프층(360)이 채워져 있는데 이러한 구조물이 격벽(Partition Wall)을 형성함으로써 미세 공간(305)을 구획 또는 정의할 수 있다.
이하에서는 도 4 내지 도 16 및 도 1 내지 도 3을 참고하여 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법에 대해 설명한다. 하기에 설명하는 실시예는 제조 방법의 일 실시예로 다른 형태로 변형 실시 가능하다.
도 4 내지 도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다. 도 4, 도 6, 도 8, 도 10, 도 12, 도 14, 도 15 및 도 17은 도 1의 절단선 Ⅱ-Ⅱ 선을 따라 자른 단면도를 제조 방법의 순서대로 나타낸 것이다. 도 5, 도 7, 도 9, 도 11, 도 13, 도 16및 도 18은 도 1의 절단선 Ⅲ-Ⅲ 선을 따라 자른 단면도를 제조 방법의 순서대로 나타낸 것이다.
도 1, 도 4 및 도 5를 참고하면, 기판(110) 위에 게이트선(121) 및 유지 전극선(131)을 형성하고, 게이트선(121) 및 유지 전극선(131) 위에 게이트 절연막(140)을 형성한 후, 게이트 절연막(140) 위에 반도체층(151)을 형성한 다음, 반도체층(151) 위에 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)을 형성한다.
여기서, 게이트선(121) 및 유지 전극선(131)은 가로 방향으로 뻗어 있고, 데이터선(171)은 게이트선(121) 및 유지 전극선(131)과 교차하며, 세로 방향으로 뻗어 있다. 또한, 게이트선(121)은 세로 방향으로 돌출된 게이트 전극(124)을 포함하고, 반도체층(151)은 게이트 전극(124)과 중첩하는 돌출부(154)를 포함하고, 데이터선(171)은 게이트 전극(124)을 향해 돌출되며, 반도체층(151)의 돌출부(154) 위에 형성된 소스 전극(173)을 포함한다. 드레인 전극(175)은 데이터선(171)과 분리되고, 반도체층(151)의 돌출부(154) 위에 형성되며, 게이트 전극(124)을 중심으로 소스 전극(173)과 마주한다.
그리고, 데이터선(171), 드레인 전극(175), 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 반도체층(151)의 돌출부(154) 및 게이트 절연막(140) 위에 제1 층간 절연막(180a)을 형성하고, 제1 층간 절연막(180a) 위에 색필터(230), 가로 차광 부재(220a) 및 세로 차광 부재(220b)를 형성한다.
여기서, 가로 차광 부재(220a)는 게이트선(121)과 평행한 방향을 따라 형성되고, 세로 차광 부재(220b)는 데이터선과 평행한 방향을 따라 형성된다. 가로 차광 부재(220a) 및 세로 차광 부재(220b)는 서로 연결되어 개구부를 가지는 격자 구조를 이루고, 가로 차광 부재(220a) 및 세로 차광 부재(220b)에 의한 개구부에 색필터(230)를 형성한다.
그리고, 색필터(230), 가로 차광 부재(220a) 및 세로 차광 부재(220b) 위에 제2 층간 절연막(180b)을 형성한 후, 가로 차광 부재(220a), 제1 및 제2 층간 절연막(180a, 180b)에 드레인 전극(175)의 일부분을 노출하는 접촉 구멍(185)을 형성한다.
그리고, 제2 층간 절연막(180b) 위에 접촉 구멍(185)을 통하여 드레인 전극(175)과 연결되는 화소 전극(191)을 형성한다.
이어서, 화소 전극(191) 및 제2 층간 절연막(180b) 위에 희생층(300)을 형성하고, 희생층(300) 위에 공통 전극(270)을 형성한다. 여기서, 희생층(300)은 폴리이미드(polyimide)와 같은 배향막 형성 물질로 형성한다.
도 6 및 도 7을 참고하면, 공통 전극(270)을 패터닝하여 제1 개구부(271) 및 제2 개구부(272)를 형성한다. 제1 개구부(271)는 가로 차광 부재(220a)에 대응하는 부분에 형성되고, 제2 개구부(272)는 세로 차광 부재(220b)에 대응하는 부분에 형성된다.
도 8 및 도 9를 참고하면, 공통 전극(270)을 마스크로 하여 제1 개구부(271) 및 제2 개구부(272)에 의해 노출된 희생층(300)을 식각하여 희생층(300)에 제1 오픈부(OPN1) 및 제2 오픈부(OPN2)를 형성한다. 제1 오픈부(OPN1)는 가로 차광 부재(220a)에 대응하는 부분에 형성되고, 제2 오픈부(OPN2)는 세로 차광 부재(220b)에 대응하는 부분에 형성된다. 여기서, 식각은 건식 식각을 진행한다. 건식 식각으로 식각을 진행함에 따라, 제1 오픈부(OPN1) 및 제2 오픈부(OPN2)에서의 희생층(300)의 측면 프로파일(profile)은 수평면에 대해 80도 내지 90도가 된다.
도 10 및 도 11을 참고하면, 공통 전극(270) 및 제1 오픈부(OPN1) 및 제2 오픈부(OPN2)에 하부 절연층(350)을 형성한다. 하부 절연층(350)의 형성 시, 열이 발생하는데, 이러한 열에 의해 희생층(300)의 상부 및 하부가 경화되어 각각 상부 배향막(21) 및 하부 배향막(11)이 형성된다. 이와 같이, 별도의 상부 및 하부 배향막(21, 11) 형성 공정 없이, 희생층(300)을 배향막 형성 물질로 형성한 다음, 하부 절연층(350)의 형성 시, 상부 배향막(21) 및 하부 배향막(11)을 형성할 수 있다.
도 12 및 도 13을 참고하면, 하부 절연층(350) 위에 루프층(360) 및 상부 절연층(370)을 차례로 형성한다. 여기서, 루프층(360)은 제1 오픈부(OPN1) 및 제2 오픈부(OPN2)는 채운다. 특히, 루프층(360)은 제2 오픈부(OPN2)를 채우면서 격벽 형성부(PWP)를 형성한다.
도 14를 참고하면, 가로 차광 부재(220a)와 대응하는 부분의 상부 절연층(370), 루프층(360) 및 하부 절연층(350)을 식각하여 액정 주입구 형성 영역(307FP)을 형성한다. 여기서, 상부 절연층(370), 루프층(360) 및 하부 절연층(350)의 식각은 건식 식각을 수행할 수 있다. 또한, 액정 주입구 형성 영역(307FP)은 희생층(300)의 제1 오픈부(OPN1)에 대응할 수 있다.
도 15 및 도 16을 참고하면, 액정 주입구 형성 영역(307FP)을 통해 희생층(300)을 산소(O2) 가스를 이용한 애싱(Ashing) 처리 또는 습식 식각 방법 등으로 제거한다. 이 때, 액정 주입구(307)를 갖는 미세 공간(305)이 형성되고, 액정 주입구(307)는 미세 공간(305)의 측면에 위치한다. 미세 공간(305)은 희생층(300)이 제거되어 빈 공간 상태이다. 여기서, 미세 공간의 측면 프로파일은 수평면에 대해 80도 내지 90도 이다.
도 17 및 도 18을 참고하면, 액정 주입구(307)를 통해 미세 공간(305) 내에 잉크젯 방법 등을 사용하여 액정 분자(310)를 포함하는 액정 물질을 주입한다.
도 2 및 도 3을 참고하면, 상부 절연층(370) 위에 액정 주입구(307)를 덮도록 캐핑층(390)을 형성한다. 캐핑층(390)은 액정 주입구 형성 영역(307FP)을 덮을 수 있다. 캐핑층(390)은 바 코터(bar coater)를 사용하여 기판(110)의 한 가장자리에서부터 반대쪽 가장자리로 캐핑 물질을 밀어준 후 동시에 자외선 경화하여 형성할 수 있다.
이하에서는 도 19 내지 도 30을 참고하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대해 설명한다.
도 19는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 단면도이다.
도 19를 참고하면, 본 실시예에 따른 액정 표시 장치는 도 1 내지 도 3에 따른 액정 표시 장치와 비교할 때, 액정 주입구 형성 영역 및 액정 주입구의 위치가 다르고, 미세 공간을 나누는 것이 다를 뿐, 나머지 구성 요소를 동일하다. 이에, 동일한 구성 요소의 설명은 생략한다.
미세 공간(305)은 복수 개의 미세 공간 분할 영역(305DP)에 의해 나누어지고, 미세 공간 분할 영역(305DP)은 게이트선(121)과 중첩하는 부분에 위치한다. 미세 공간 분할 영역(305DP)은 루프층(360)이 채우고 있다.
액정 주입구 형성 영역(307FP)은 미세 공간(305) 위에 배치되어 있는 상부 배향막(21), 공통 전극(270), 하부 절연층(350), 루프층(360) 및 상부 절연층(370)에 형성되어 있다. 액정 주입구 형성 영역(307FP)은 캐핑층(390)이 채우고 있다.
액정 주입구(307)는 미세 공간(305)의 상부면에 형성되어 있고, 액정 주입구 형성 영역(307FP)에 위치한다. 본 실시예에서는 액정 주입구(307)가 하나의 미세 공간(305)을 기준으로 하나가 배치되어 있는 구조를 설명하였지만, 이에 한정하지 않고, 복수 개 배치되어 있을 수도 있다.
미세 공간(305)에는 미세 공간(305)의 상부면에 위치한 액정 주입구(307)를 통하여 액정 분자(310)를 포함하는 액정 물질이 주입되어 있다. 미세 공간의 측면 프로파일은 수평면에 대해 80도 내지 90도 이다.
그러면, 도 20 내지 도 31과 도 19 및 도 3을 참고하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다.
한편, 본 실시예에 따른 액정 표시 장치는 도 1 내지 도 3에 따른 액정 표시 장치의 구조와 액정 주입구 형성 영역 및 액정 주입구의 위치만 다르고, 다른 구성 요소는 동일하므로, 도 1 내지 도 3에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법과 동일한 부분을 간략하게 설명한다. 또한, 도 3, 도 18에 도시한 도면은 본 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법과 동일하므로, 도 3, 도 18을 본 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법에서 같이 설명한다.
도 20 내지 도 31은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다. 도 20, 도 22, 도 24, 도 26, 도 28, 도 29 및 도 31은 도 1의 절단선 Ⅱ-Ⅱ 선을 따라 자른 단면도를 제조 방법의 순서대로 나타낸 것이다. 도 21, 도 23, 도 25, 도 27 및 도 30은 도 1의 절단선 Ⅲ-Ⅲ 선을 따라 자른 단면도를 제조 방법의 순서대로 나타낸 것이다.
도 20 및 도 21을 참고하면, 기판(110) 위에 게이트선(121) 및 유지 전극선(131)을 형성하고, 게이트선(121) 및 유지 전극선(131) 위에 게이트 절연막(140)을 형성한 후, 게이트 절연막(140) 위에 반도체층(151)을 형성한 다음, 반도체층(151) 위에 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)을 형성한다.
그리고, 데이터선(171), 드레인 전극(175), 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 반도체층(151)의 돌출부(154) 및 게이트 절연막(140) 위에 제1 층간 절연막(180a)을 형성하고, 제1 층간 절연막(180a) 위에 색필터(230), 가로 차광 부재(220a) 및 세로 차광 부재(220b)를 형성한다. 가로 차광 부재(220a) 및 세로 차광 부재(220b)에 의한 개구부에 색필터(230)를 형성한다.
그리고, 색필터(230), 가로 차광 부재(220a) 및 세로 차광 부재(220b) 위에 제2 층간 절연막(180b)을 형성한 후, 가로 차광 부재(220a), 제1 및 제2 층간 절연막(180a, 180b)에 드레인 전극(175)의 일부분을 노출하는 접촉 구멍(185)을 형성한다.
그리고, 제2 층간 절연막(180b) 위에 접촉 구멍(185)을 통하여 드레인 전극(175)과 연결되는 화소 전극(191)을 형성한다.
이어서, 화소 전극(191) 및 제2 층간 절연막(180b) 위에 하부 배향막(11), 희생층(300), 상부배향막(21) 및 공통 전극(270)을 차례대로 형성한다. 여기서, 하부 배향막(11) 및 상부배향막(21)은 폴리이미드(polyimide)와 같은 배향막 형성 물질로 형성하고, 희생층(300)은 감광성 물질을 포함하지 않는 수지로 형성한다. 이와 같이, 미세 공간(305)을 형성하기 전에 하부 배향막(11) 및 상부 배향막(21)을 먼저 형성하므로, 미세 공간(305) 내에 배향막 형성 물질을 주입하는 공정을 실시하지 않아도 된다.
도 22 및 도 23을 참고하면, 공통 전극(270)을 패터닝하여 제1 개구부(271) 및 제2 개구부(272)를 형성한다. 제1 개구부(271)는 가로 차광 부재(220a)에 대응하는 부분에 형성되고, 제2 개구부(272)는 세로 차광 부재(220b)에 대응하는 부분에 형성된다.
도 24 및 도 25를 참고하면, 공통 전극(270)을 마스크로 하여 제1 개구부(271) 및 제2 개구부(272)에 의해 노출된 상부 배향막(21)과 노출된 상부 배향막(21) 아래에 위치하는 희생층(300) 및 하부 배향막(11)을 식각하여 제1 오픈부(OPN1) 및 제2 오픈부(OPN2)를 형성한다. 제1 오픈부(OPN1)는 가로 차광 부재(220a)에 대응하는 부분에 형성되고, 제2 오픈부(OPN2)는 세로 차광 부재(220b)에 대응하는 부분에 형성된다. 여기서, 식각은 건식 식각을 진행한다. 건식 식각으로 식각을 진행함에 따라, 제1 오픈부(OPN1) 및 제2 오픈부(OPN2)에서의 상부 배향막(21), 희생층(300) 및 하부 배향막(11)의 측면 프로파일(profile)은 수평면에 대해 80도 내지 90도가 된다.
도 26 및 도 27을 참고하면, 공통 전극(270) 및 제1 오픈부(OPN1) 및 제2 오픈부(OPN2)에 하부 절연층(350), 루프층(360) 및 상부 절연층(370)을 차례대로 형성한다. 여기서, 루프층(360)은 제1 오픈부(OPN1) 및 제2 오픈부(OPN2)는 채우는데, 제1 오픈부(OPN1)를 채우면서 미세 공간 분할 영역(305DP)를 형성하고, 제2 오픈부(OPN2)를 채우면서 격벽 형성부(PWP)를 형성한다.
도 28을 참고하면, 희생층(300) 위에 위치한 상부 절연층(370), 루프층(360) 및 하부 절연층(350)을 식각하여 액정 주입구 형성 영역(307FP)을 형성한다. 액정 주입구 형성 영역(307FP)은 가로 차광 부재(220a)와 대응하는 부분에 형성된다. 여기서, 상부 절연층(370), 루프층(360) 및 하부 절연층(350)의 식각은 건식 식각을 수행할 수 있다.
도 29 및 도 30을 참고하면, 액정 주입구 형성 영역(307FP)을 통해 희생층(300)을 산소(O2) 가스를 이용한 애싱(Ashing) 처리 또는 습식 식각 방법 등으로 제거한다. 이 때, 액정 주입구(307)를 갖는 미세 공간(305)이 형성된다. 미세 공간(305)은 희생층(300)이 제거되어 빈 공간 상태이다. 미세 공간의 측면 프로파일은 수평면에 대해 80도 내지 90도 이다.
도 31 및 도 18을 참고하면, 액정 주입구(307)를 미세 공간(305) 내에 잉크젯 방법 등을 사용하여 액정 분자(310)를 포함하는 액정 물질을 주입한다.
도 19 및 도 3을 참고하면, 상부 절연층(370) 위에 액정 주입구(307)를 덮도록 캐핑층(390)을 형성한다. 캐핑층(390)은 액정 주입구 형성 영역(307FP)을 덮을 수 있다. 캐핑층(390)은 바 코터(bar coater)를 사용하여 기판(110)의 한 가장자리에서부터 반대쪽 가장자리로 캐핑 물질을 밀어준 후 동시에 자외선 경화하여 형성할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
110: 기판 121: 게이트선
171: 데이터선 191: 화소 전극
230: 색필터 270: 공통 전극
271: 제1 개구부 272: 제2 개구부
300: 희생층 305: 미세 공간
305DP: 미세 공간 분할 영역 307: 액정 주입구
307FP: 액정 주입구 형성 영역 310: 액정 분자
350: 하부 절연층 360: 루프층
370: 상부 절연층 390: 캐핑층
OPN1: 제1 오픈부 OPN2: 제2 오픈부
PWP: 격벽 형성부

Claims (18)

  1. 기판,
    상기 기판 위에 배치되어 있는 박막 트랜지스터,
    상기 박막 트랜지스터에 연결되어 있으며, 상기 박막 트랜지스터 위에 배치되어 있는 화소 전극,
    상기 화소 전극과 마주보는 공통 전극,
    상기 공통 전극 위에 배치되어 있는 루프층,
    상기 화소 전극과 상기 공통 전극 사이에 배치되어 있는 미세 공간, 그리고
    상기 미세 공간에 주입되어 있는 액정 물질을 포함하고,
    상기 미세 공간의 측면 프로파일은 수평면에 대해 80도 내지 90도 인 액정 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 루프층 위에 배치되어 있는 캐핑층을 더 포함하는 액정 표시 장치.
  3. 제2항에서,
    상기 미세 공간은 상기 액정 물질이 주입되는 액정 주입구를 가지고,
    상기 캐핑층은 상기 액정 주입구를 덮고 있는 액정 표시 장치.
  4. 제3항에서,
    상기 기판 위에 배치되어 있으며, 상기 박막 트랜지스터에 연결되어 있는 게이트선 및 데이터선을 더 포함하는 액정 표시 장치.
  5. 제4항에서,
    상기 데이터선이 뻗어 있는 방향을 따라 상기 미세 공간 사이에 배치되어 있는 격벽 형성부를 더 포함하는 액정 표시 장치.
  6. 제5항에서,
    상기 액정 주입구는 상기 미세 공간의 측면에 위치하는 액정 표시 장치.
  7. 제6항에서,
    상기 미세 공간을 복수 개로 나누는 액정 주입구 형성 영역을 더 포함하고,
    상기 액정 주입구 형성 영역은 상기 게이트선이 뻗은 방향을 따라 배치되어 있는 액정 표시 장치.
  8. 제5항에서,
    상기 액정 주입구는 상기 미세 공간의 상부면에 위치하는 액정 표시 장치.
  9. 제8항에서,
    상기 미세 공간을 복수 개로 나누는 미세 공간 분할 영역을 더 포함하고,
    상기 미세 공간 분할 영역은 상기 게이트선이 뻗은 방향을 따라 배치되어 있는 액정 표시 장치.
  10. 제9항에서,
    상기 루프층은 상기 미세 공간 분할 영역을 채우고 있는 액정 표시 장치.
  11. 기판 위에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계,
    상기 박막 트랜지스터의 한 단자와 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계,
    상기 화소 전극 위에 희생층 및 공통 전극을 차례로 형성하는 단계,
    상기 공통 전극을 패터닝하여 제1 개구부 및 제2 개구부를 형성하는 단계,
    상기 공통 전극을 마스크로 하여, 상기 제1 개구부 및 상기 제2 개구부에 의해 노출된 상기 희생층을 식각하여 상기 희생층에 제1 오픈부 및 제2 오픈부를 형성하는 단계,
    상기 공통 전극 위, 상기 제1 오픈부 및 상기 제2 오픈부에 하부 절연층을 형성하는 단계,
    상기 희생층의 상부 및 상기 희생층의 하부를 경화시켜, 각각 상부 배향막 및 하부 배향막을 형성하는 단계,
    상기 하부 절연층 위에 루프층을 형성하는 단계,
    상기 제1 오픈부에 위치하는 상기 하부 절연층 및 상기 루프층을 제거한 후, 상기 희생층을 제거하여 액정 주입구가 형성된 복수의 미세 공간을 형성하는 단계,
    상기 미세 공간에 액정 물질을 주입하는 단계, 그리고
    상기 루프층 위에 상기 액정 주입구를 덮도록 캐핑층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 오픈부 및 상기 제2 오픈부에서 상기 희생층의 측면 프로파일은 수평면에 대해 80도 내지 90도 이고,
    상기 미세 공간의 측면 프로파일은 수평면에 대해 80도 내지 90도 인 액정 표시 장치의 제조 방법.
  12. 제11항에서,
    상기 희생층은 배향막 형성 물질로 형성하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  13. 제12항에서,
    상기 희생층의 상부 및 상기 희생층의 하부의 경화는 상기 하부 절연층을 형성할 때 이루어지는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  14. 제13항에서,
    상기 희생층의 식각은 건식 식각을 실시하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  15. 제14항에서,
    상기 액정 주입구는 상기 미세 공간의 측면에 형성되는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  16. 기판 위에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계,
    상기 박막 트랜지스터의 한 단자와 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계,
    상기 화소 전극 위에 하부 배향막, 희생층, 상부 배향막 및 공통 전극을 차례로 형성하는 단계,
    상기 공통 전극을 패터닝하여 제1 개구부 및 제2 개구부를 형성하는 단계,
    상기 공통 전극을 마스크로 하여, 상기 제1 개구부 및 상기 제2 개구부에 의해 노출된 상기 상부 배향막 및 노출된 상기 상부 배향막 아래에 위치하는 상기 희생층 및 상기 하부 배향막을 제1 오픈부 및 제2 오픈부를 형성하는 단계,
    상기 공통 전극 위, 상기 제1 오픈부 및 상기 제2 오픈부에 하부 절연층 및 루프층을 차례대로 형성하는 단계,
    상기 희생층의 상부 및 상기 희생층의 하부를 경화시켜, 각각 상부 배향막 및 하부 배향막을 형성하는 단계,
    상기 희생층 위에 위치하는 상기 하부 절연층 및 상기 루프층을 제거한 후, 상기 희생층을 제거하여 액정 주입구가 형성된 복수의 미세 공간을 형성하는 단계,
    상기 미세 공간에 액정 물질을 주입하는 단계, 그리고
    상기 루프층 위에 상기 액정 주입구를 덮도록 캐핑층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 오픈부 및 상기 제2 오픈부에서 상기 상부 배향막, 상기 희생층 및 상기 하부 배향막의 측면 프로파일은 수평면에 대해 80도 내지 90도 이고,
    상기 미세 공간의 측면 프로파일은 수평면에 대해 80도 내지 90도 인 액정 표시 장치의 제조 방법.
  17. 제16항에서,
    상기 상부 배향막, 상기 희생층 및 상기 하부 배향막의 식각은 건식 식각을 실시하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  18. 제17항에서,
    상기 액정 주입구는 상기 미세 공간의 상부면에 형성되는 액정 표시 장치의 제조 방법.
KR1020140006317A 2014-01-17 2014-01-17 액정 표시 장치 KR20150086127A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140006317A KR20150086127A (ko) 2014-01-17 2014-01-17 액정 표시 장치
US14/338,123 US9581848B2 (en) 2014-01-17 2014-07-22 Liquid crystal display

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140006317A KR20150086127A (ko) 2014-01-17 2014-01-17 액정 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20150086127A true KR20150086127A (ko) 2015-07-27

Family

ID=53544651

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140006317A KR20150086127A (ko) 2014-01-17 2014-01-17 액정 표시 장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9581848B2 (ko)
KR (1) KR20150086127A (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160109760A1 (en) * 2014-09-05 2016-04-21 Valerie A. Finnemeyer Methods and apparatus for liquid crystal photoalignment

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3082396B2 (ja) 1992-01-29 2000-08-28 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
US6141072A (en) 1997-04-04 2000-10-31 Georgia Tech Research Corporation System and method for efficient manufacturing of liquid crystal displays
TWI224235B (en) 2003-04-21 2004-11-21 Prime View Int Co Ltd A method for fabricating an interference display cell
KR100538230B1 (ko) 2003-09-27 2005-12-21 삼성전자주식회사 모놀리틱 잉크젯 프린트헤드의 제조방법
JP4800236B2 (ja) 2007-02-14 2011-10-26 三菱電機株式会社 薄膜トランジスタの製造方法およびこれを用いた液晶表示装置
JP2008213061A (ja) 2007-03-01 2008-09-18 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2010123840A (ja) 2008-11-21 2010-06-03 Fuji Electric Holdings Co Ltd 可動ゲート型電界効果トランジスタの製造方法
JP5630374B2 (ja) 2010-06-11 2014-11-26 信越化学工業株式会社 マイクロ構造体の製造方法及び光パターン形成性犠牲膜形成用組成物
KR101605821B1 (ko) 2010-09-10 2016-03-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101235239B1 (ko) 2011-05-20 2013-02-21 서울대학교산학협력단 반도체 박막 구조 및 그 형성 방법
KR101697703B1 (ko) 2012-01-18 2017-01-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101335642B1 (ko) 2012-02-13 2013-12-03 한국기계연구원 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101972881B1 (ko) * 2012-10-22 2019-04-26 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20140137958A (ko) * 2013-05-24 2014-12-03 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20150205153A1 (en) 2015-07-23
US9581848B2 (en) 2017-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101904211B1 (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101665558B1 (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20140112288A (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101676770B1 (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20140094217A (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20150071317A (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
US20170082891A1 (en) Liquid crystal display and method of manufacturing the same
KR20150019323A (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
US20150092131A1 (en) Liquid crystal display and method of manufacturing the same
KR20150140460A (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20150035133A (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20150047358A (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
US9341877B2 (en) Liquid crystal display and method of manufacturing the same
KR102062294B1 (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20150066977A (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
US9785002B2 (en) Liquid crystal display and method of manufacturing the same
US9696600B2 (en) Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
KR20150068156A (ko) 액정 표시 장치
KR20140112289A (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20150086127A (ko) 액정 표시 장치
KR20150097855A (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20160066536A (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
US20160202539A1 (en) Liquid crystal display and manufacturing method thereof
KR20150047357A (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
US20150234227A1 (en) Liquid crystal display and method of manufacturing the same

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination