KR20150084699A - The bending deformation of graphene, position movement, that at least one of the one or more selected from one or more of controlling the work function of the transistor - Google Patents
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- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 356
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 299
- 238000005452 bending Methods 0.000 title claims abstract description 188
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 title abstract description 46
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 273
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 150
- 239000006249 magnetic particle Substances 0.000 claims abstract description 140
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 87
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 56
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims description 9
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 claims description 9
- 229920002994 synthetic fiber Polymers 0.000 claims description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 abstract description 84
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 44
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 33
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 18
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 17
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 14
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 14
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 238000004141 dimensional analysis Methods 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 9
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 8
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 7
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 6
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 6
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical group [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000002121 nanofiber Substances 0.000 description 3
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 230000002085 persistent effect Effects 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- HBAQYPYDRFILMT-UHFFFAOYSA-N 8-[3-(1-cyclopropylpyrazol-4-yl)-1H-pyrazolo[4,3-d]pyrimidin-5-yl]-3-methyl-3,8-diazabicyclo[3.2.1]octan-2-one Chemical class C1(CC1)N1N=CC(=C1)C1=NNC2=C1N=C(N=C2)N1C2C(N(CC1CC2)C)=O HBAQYPYDRFILMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 239000012711 adhesive precursor Substances 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 2
- 150000002344 gold compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 2
- 238000010146 3D printing Methods 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000252506 Characiformes Species 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical group [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 description 1
- 241000027294 Fusi Species 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-NJFSPNSNSA-N Tritium Chemical group [3H] YZCKVEUIGOORGS-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012620 biological material Substances 0.000 description 1
- 238000010170 biological method Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 238000000541 cathodic arc deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 1
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005328 electron beam physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000001523 electrospinning Methods 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 description 1
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- QUCZBHXJAUTYHE-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au].[Au] QUCZBHXJAUTYHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002483 hydrogen compounds Chemical group 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- -1 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000000155 isotopic effect Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 231100000518 lethal Toxicity 0.000 description 1
- 230000001665 lethal effect Effects 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000006740 morphological transformation Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000002114 nanocomposite Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 238000005316 response function Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 description 1
- 238000013518 transcription Methods 0.000 description 1
- 230000035897 transcription Effects 0.000 description 1
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052722 tritium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
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- H01L41/18—
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- C01B31/0438—
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- H—ELECTRICITY
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract
Description
본 발명은 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터 및 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 그래핀, 플러렌, 반도체회로, 마이크로단위, 나노단위 중 하나 이상 선택되는 단위를 구비하는 구조물 및 조성물, 유연성, 탄성, 신축성 중 하나 이상 선택되는 것 을 구비 하는 1차원적, 2차원적, 3차원적, n차원적 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 구조물)등이 가지고 있던 공간, 중공, 탄성, 신축성, 유연성 중 하나 이상 선택되는 것을 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터을 하나 이상 구비하여 하나 이상의 전자을 연결하는 것이다. The present invention relates to a transistor and a manufacturing method for controlling at least one work function using at least one selected from bending and position shifting of graphene, and more particularly, to a transistor and a manufacturing method using graphene, fullerene, , Nano units, and a composition having one or more selected from the group consisting of flexibility, elasticity, stretchability, and the like selected from one or more of two-dimensional, two-dimensional, A transistor that controls one or more work functions using at least one of bending and position shifting of the graphene selected from at least one of space, hollow, elasticity, elasticity and flexibility possessed by the graphene One or more electrons are provided to connect one or more electrons.
1. 실리콘(Si) 소재의 트랜지스터가 수십 억개씩 들어가 있는 현행 반도체로는 `10나노급`이 미세공정의 한계로 꼽힌다. 하지만 전자 이동속도가 100배 이상 빠른 그래핀을 활용하면 7나노, 3나노대의 반도체를 만드는 데 힘을 받을 수 있다는 게 전자업계 설명이다. 1. As for the current semiconductors, which contain billions of transistors of silicon (Si), `10 nm` is considered to be the limit of microprocessing. The electronics industry, however, explains that using graphene, which has an electron migration speed of 100 times or more, can help build 7nm and 3nm semiconductors.
2. 또한 그래핀 소재로 반도체의 용량과 처리속도를 확 높이면 차세대 반도체 시장의 주도권을 쥘 수 있다. 그래핀은 값비싼 물질이 아니어서 생산원가에 부담이 없는 반면 반도체 공급가격을 높일 수 있는 여지가 큰 것으로 파악된다. 2. By increasing the capacity and processing speed of semiconductors with graphene materials, they can take the lead in the next-generation semiconductor market. Graphene is not an expensive material, so there is no burden on the production cost, but it is possible to increase the semiconductor supply price.
3.그래핀은 탄소 원자 한층으로 이뤄진 육각형 구조의 물질로 실리콘보다 100배 이상 빠르게 전자를 전달하는 특성을 지니고 있다. 3. Graphene is a hexagonal material consisting of a single layer of carbon atoms, which transports electrons 100 times faster than silicon.
4. 반도체 성능을 높이려면 트랜지스터 크기를 줄여 전자의 이동거리를 좁히거나 전자의 이동도가 더 높은 소재를 사용해 전자가 빠르게 움직이도록 해야 한다. 4. To improve semiconductor performance, we need to reduce the size of the transistor to narrow the moving distance of the electrons, or to move the electrons faster by using materials with higher electron mobility.
5. 높은 전자 이동도를 갖고 있는 그래핀은 실리콘을 대체할 물질로 주목받고 있지만 문제는 그래핀이 `도체` 특성을 갖고 있다는 점이다. 그래핀이 금속성을 지니고 있어 전류를 차단할 수 없다는 얘기다. 트랜지스터는 전류의 흐름과 차단으로 디지털 신호인 0과 1을 나타낸다. 그래핀을 사용하려면 이를 `반도체화`하는 과정이나 충분한 진공 gap, Band gap, Air gap, 중 선택되는 것을 가져야 한다. 5. Graphene, which has high electron mobility, is attracting attention as a substitute for silicon, but the problem is that graphene has `conductor 'properties. The graphene is metallic and can not block current. The transistors represent digital signals 0 and 1 due to current flow and interruption. To use graphene, it has to be either a process of `semiconducting ', or a choice of sufficient vacuum gap, band gap, or air gap.
6. 그래핀이 자랑하는 전자의 이동속도를 유지하면서도 그동안 난제로 인식됐던 대기 전력 문제를 `쇼키 장벽(Schottky Barrier)의 높이 또는 Fermi level을 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하여 해결하는데 있다. 6. The graphene problem, while maintaining the moving speed of the proud electrons, is the problem of the standby power, which has been recognized as a difficulty, to be selected as either the Schottky Barrier height or the Fermi level, And to resolve one or more work functions by adjusting one or more of them.
7. 그래핀으로 만든 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터가 기존 트랜지스터와 다른 점은 전하량 조절(그래핀 트랜지스터 방식)이나 채널 전위조절(실리콘 트랜지스터 방식)이 아닌 쇼키 장벽을 통해 전자 이동속도가 빠르면서도 전류를 차단할 수 있게 한 것이며 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하여 해결하는데 있다. 7. A transistor that controls more than one work function by using one or more of the bending and position shifting of graphene graphene is different from the conventional transistor in that the charge control (graphene transistor method) or channel potential (Silicon transistor type), but it can cut the current at high speed with electron movement speed. It can control at least one work function by using at least one of bending and position shifting of graphene. To solve it.
8. 또한 그래핀으로 만든 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터가 Fermi level을 하나 이상 조절하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하여 전자 이동속도가 빠르면서도 전류를 차단할 수 있게 한 것이다. 8. A transistor that controls one or more work functions using one or more of the bending, position shifting, and graphene graphene grades can be controlled by adjusting one or more work functions by adjusting one or more Fermi levels And the current can be blocked while the electron moving speed is high.
9. 종래 반도체 제조공정을 바꿀 필요가 없다. 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것을 그래핀의 하단부에 구비하면 되므로 반도체 공정에서 크게 달라지는 게 없다. 9. There is no need to change the conventional semiconductor manufacturing process. One or more Piezo materials, graphenes having Piezo characteristics, magnetic particles, particles having electric charge, or particles having electric charge can be selected at the lower end of the graphene, so that there is not much difference in the semiconductor process.
10. 발명의 한 실시적인 예로, Piezo 특성을 갖는 그래핀을 사용하였을 경우 별도의 그래핀 없이 자체적으로 구비하여 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절, Fermi level을 하나 이상 조절, 중 하나 이상 선택되는 것으로 구성되어 볼 수 있다. 10. In an embodiment of the present invention, when a graphen having a Piezo characteristic is used, it may be provided with its own graphene without any graphene to control at least one height of one or more Schottky barriers, Or the like.
본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 그래핀을 상부에 교차되어 지나가는 장벽조정용인 교차회로의 정전기적인 준위로 인하여, 하나 이상 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것을 일으켜 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것이 가해진 그래핀이 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level, 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것은 shockley equation으로 설명되어 질 수 있다. In one embodiment of the present invention, at least one of bending deformation and position movement is selected due to the electrostatic level of the crossing circuit for adjusting the barrier crossing over the at least one graphene, One or more of the selected graphenes can be described as a shockley equation for adjusting one or more of the height of one or more selected Schottky Barrier, Fermi level, or more.
본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 그래핀을 상부에 교차되어 지나가는 장벽조정용인 교차회로의 정전기적인 준위로 인하여, 하나 이상 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것을 일으켜 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것이 가해진 그래핀이 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level, 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비할 수 있다.In one embodiment of the present invention, at least one of bending deformation and position movement is selected due to the electrostatic level of the crossing circuit for adjusting the barrier crossing over the at least one graphene, At least one selected graphene may have transistors that control one or more of the at least one work function by adjusting one or more of the height of one or more of a Schottky barrier, a Fermi level, and the like.
1. 실리콘(Si) 소재의 트랜지스터가 수십 억개씩 들어가 있는 현행 반도체로는 `10나노급`이 미세공정의 한계로 꼽힌다. 하지만 전자 이동속도가 100배 이상 빠른 그래핀을 활용하면 7나노, 3나노대의 반도체를 만드는 데 힘을 받을 수 있다는 게 전자업계 설명이다. 1. As for the current semiconductors, which contain billions of transistors of silicon (Si), `10 nm` is considered to be the limit of microprocessing. The electronics industry, however, explains that using graphene, which has an electron migration speed of 100 times or more, can help build 7nm and 3nm semiconductors.
2. 또한 그래핀 소재로 반도체의 용량과 처리속도를 확 높이면 차세대 반도체 시장의 주도권을 쥘 수 있다. 그래핀은 값비싼 물질이 아니어서 생산원가에 부담이 없는 반면 반도체 공급가격을 높일 수 있는 여지가 큰 것으로 파악된다. 2. By increasing the capacity and processing speed of semiconductors with graphene materials, they can take the lead in the next-generation semiconductor market. Graphene is not an expensive material, so there is no burden on the production cost, but it is possible to increase the semiconductor supply price.
3.그래핀은 탄소 원자 한층으로 이뤄진 육각형 구조의 물질로 실리콘보다 100배 이상 빠르게 전자를 전달하는 특성을 지니고 있다. 3. Graphene is a hexagonal material consisting of a single layer of carbon atoms, which transports electrons 100 times faster than silicon.
4. 반도체 성능을 높이려면 트랜지스터 크기를 줄여 전자의 이동거리를 좁히거나 전자의 이동도가 더 높은 소재를 사용해 전자가 빠르게 움직이도록 해야 한다.4. To improve semiconductor performance, we need to reduce the size of the transistor to narrow the moving distance of the electrons, or to move the electrons faster by using materials with higher electron mobility.
[문헌1] Published Online, May 17 2012, Science 1 June 2012:Vol. 336 no. 6085 pp. 1140-1143, DOI: 10.1126/science.1220527, Graphene Barristor, a Triode Device with a Gate-Controlled Schottky Barrier, Heejun Yang, Jinseong Heo, Seongjun Park, Hyun Jae Song, David H. Seo, Kyung-Eun Byun, Philip Kim, InKyeong Yoo, Hyun-Jong Chung, Kinam Kim [Document 1] Published Online, May 17 2012, Science 1 June 2012: Vol. 336 no. 6085 pp. 1140-1143, DOI: 10.1126 / science.1220527, Graphene Barristor, a Triode Device with a Gate-Controlled Schottky Barrier, Heejun Yang, Jinseong Heo, Seongjun Park, Hyun Jae Song, David H. Seo, Kyung-Eun Byun, Philip Kim, InKyeong Yoo, Hyun-Jong Chung, Kinam Kim
그러나, 상기 그래핀의 뛰어난 전도도를 활용하고자 하는 경우, 너무 뛰어난 전도도로 인해 종래의 트랜지스터 방식으로는 전류의 흐름과 차단을 조절하기가 어려운 문제점이 발생하게 되었다. However, in order to utilize the excellent conductivity of the graphene, there is a problem that it is difficult to control the flow and interruption of the current in the conventional transistor method due to an excessively high conductivity.
따라서, 본 발명은 그래핀의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절, Fermi level을 하나 이상 조절, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를 갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것을 그래핀의 하단부에 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 전정기적 준위로 인하여 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀을 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 제공함에 그 목적이 있다. Accordingly, the present invention provides a method of controlling at least one of a height of at least one Schottky barrier, a height of at least one of a Fermi level, and at least one of a bending deformation and a movement of graphene, One or more Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a particle having a charge, At least one of a piezoelectric material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a charged particle, or a charged particle is selected from one or more of graphene bending deformation and position movement. And more particularly, to a transistor for controlling at least one transistor.
1. 그래핀이 자랑하는 전자의 이동속도를 유지하면서도 그동안 난제로 인식됐던 대기 전력 문제를 `쇼키 장벽(Schottky Barrier)의 높이 또는 Fermi level을 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하여 해결하는데 있다. 1. The graphene problem, which has been recognized as a difficult problem while maintaining graphene's speed of movement of the electrons, is defined as the height of the Schottky Barrier or the Fermi level selected from one or more of graphene bending, And to resolve one or more work functions by adjusting one or more of them.
2. 그래핀으로 만든 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터가 기존 트랜지스터와 다른 점은 전하량 조절(그래핀 트랜지스터 방식)이나 채널 전위조절(실리콘 트랜지스터 방식)이 아닌 쇼키 장벽을 통해 전자 이동속도가 빠르면서도 전류를 차단할 수 있게 한 것이며 이는 그래핀으로 만든 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하여 해결하는데 있다. 2. A transistor that controls one or more work functions by using one or more of the bending and position shifting of graphene graphene is different from the conventional transistor in that the charge control (graphene transistor method) or the channel potential (Silicon transistor type), but it can block the current at a high speed of electron movement through a Schottky barrier. This can be achieved by using one or more of the bending, To control more than one.
3. 또한 그래핀으로 만든 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터가 쇼키 장벽(Schottky Barrier)의 높이 또는 Fermi level을 하나 이상 조절하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하여 전자 이동속도가 빠르면서도 전류를 차단할 수 있게 한 것이다. 3. A transistor that controls one or more of the work functions using one or more of the bending, locating, and graphen graphene graphenes may also be used to control one or more of the Schottky Barrier height or Fermi levels One or more work functions can be controlled to block the current at a high speed.
4. 또한 그래핀으로 만든 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터가 Fermi level을 하나 이상 조절하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하여 전자 이동속도가 빠르면서도 전류를 차단할 수 있게 한 것이다. 4. A transistor that controls more than one work function using one or more of the bending, position shifting, and graphen graphene grains may also control one or more work functions by adjusting one or more Fermi levels And the current can be blocked while the electron moving speed is high.
5. 그래핀으로 만든 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하여 전자 이동속도가 빠르면서도 전류를 차단할 수 있게 한 것이다.5. By using at least one of bending and moving of graphene made by graphene, one or more work function can be adjusted by one or more to block electric current at high speed.
발명의 한 실시예에서, 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다.In one embodiment of the invention, a transistor is provided that controls one or more of the at least one work function using at least one of bending, locating, graphene, and the like.
발명의 한 실시예에서, 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다. In one embodiment of the invention, a transistor is provided that adjusts one or more height of the Schottky barrier to adjust one or more of the at least one work function.
발명의 한 실시예에서, Fermi level을 하나 이상 조절하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다. In one embodiment of the invention, a transistor is provided that adjusts one or more Fermi levels to adjust one or more of the at least one work function.
발명의 한 실시예에서, 그래핀의 굴곡지는 특성을 이용하여 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것을 그래핀의 하단부에 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다.In one embodiment of the present invention, a graft material is selected from among at least one Piezo material, graphen having a Piezo characteristic, magnetic particle, particle having charge, or charged particle using a bending characteristic of graphene, The electrostatic level of the intersecting barrier regulating circuit causes one or more Piezo material, graphen having Piezo characteristic, magnetic particle, particle having electric charge, or electric charge particle to be selected, And at least one of the at least one work function is selected by selecting at least one of a transformation, a transformation, and a position movement.
상기에서 설명한 바와 같이 이루어진 본 발명에 따르면, 대기 전력 문제를 쇼키 장벽(Schottky Barrier)의 높이 또는 Fermi level을 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하여 해결하면 종래의 트랜지스터보다 100배 이상 처리속도가 빠른 트랜지스터를 개발 할 수 있는 효과가 있게 된다. According to the present invention as described above, the atmospheric power problem can be solved by using at least one of a height of a Schottky barrier or a fermi level of the graphene, It is possible to develop a transistor having a processing speed that is 100 times higher than that of the conventional transistor.
도 1
a. 1 내지 3으로 구성되는, 110(하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것과 그래핀이 상부에 구비된) 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
b. 1 내지 3으로 구성되는, 교차되어 지나가는 300(빗금쳐져 있는 부위)의 정전기적 준위로 인하여 110(하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것과 그래핀이 상부에 구비된) 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
c. 1 내지 3으로 구성되는, 하나 이상의 그래핀이 하나 이상의 300(빗금쳐져 있지 않은)과의 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)을 구성하고, 교차되어 지나가는 300(빗금쳐져 있는 부위)의 정전기적 준위로 인하여 110(하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것과 그래핀이 상부에 구비된) 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면
d. 1 내지 3으로 구성되는, 하나 이상의 그래핀이 하나 이상의 300(빗금쳐져 있지 않은)과의 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)을 구성하고, 교차되어 지나가는 300(빗금쳐져 있는 부위)의 정전기적 준위로 인하여 110(그래핀이 상부에 구비된) 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면
도 2
a. 하나 이상의 그래핀(200)이 하나 이상의 300과의 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)을 구성하고, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀(200)을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
b. 하나 이상의 그래핀(200)이 하나 이상의 300과의 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)을 구성하고, 교차되어 지나가는 300(도면속의 구성이 교차되어 포함되어 있는)의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀(200)을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 300으로 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 조절하여 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
c. 전극자유회로기능은 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 의미한다.
d. 하나 이상의 그래핀(200)이 하나 이상의 300과의 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)을 구성하고, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀(200)을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 Fermi level을 조절하여, 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
도 3
a. 1 내지 3으로 구성되는, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
b. 1 내지 3으로 구성되는, 300(빗금쳐져 있는 부위)의 정전기적 준위로 인하여 90 또는 100(하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것과 그래핀이 상부에 구비된) 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
c. 1 내지 3으로 구성되는, 도면에서 통로는 접착물질, 엘라스토머, 반도체, 부도체, 중 하나 이상 선택되는 것을 의미하며, 도면에서 빈공간은 진공층, 또는 Air층 또는 쇼키장벽(Schottky Barrier), 또는 Fermi Level의 높이를 조절할 수 있는 것, 중 하나 이상 선택되는 것을 의미한다.
d. 1 내지 3으로 구성되는, 하나 이상의 그래핀이 하나 이상의 300(빗금쳐져 있지 않은)과의 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)을 구성하고, 교차되어 지나가는 300(빗금쳐져 있는 부위)의 정전기적 준위로 인하여 110(그래핀이 상부에 구비된) 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면
e. 1 내지 3 로 구성되는, 90 또는 100(하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것)이 하나 이상의 200(그래핀)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여, 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다. 본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 조절할 수 있는 것, Fermi Level의 높이를 조절할 수 있는 것, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면을 의미할 수 있다.
도 4
a. 하나 이상의 그래핀(200)이 하나 이상의 300과의 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)을 구성하고, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀(200)을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
b. 하나 이상의 그래핀(200)이 하나 이상의 300과의 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)을 구성하고, 교차되어 지나가는 300(도면속의 구성이 교차되어 포함되어 있는)의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀(200)을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
c. 하나 이상의 그래핀(200)이 하나 이상의 300과의 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)을 구성하고, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀(200)을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 Fermi level을 조절하여, 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
도 5
a. 1 내지 3 으로 구성되는, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀(200)을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
b. 1 내지 3 으로 구성되는, 교차되어 지나가는 300(도면속의 구성이 교차되어 포함되어 있는 빗금쳐져 있는 부위-장벽조정)의 정전기적 준위로 인하여 110(하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것)이 그래핀(200)을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다.
c. 1 내지 3 으로 구성되는, 도면에서 통로는 접착물질, 엘라스토머, 반도체, 부도체, 중 하나 이상 선택되는 것을 의미하며, 도면에서 빈공간은 진공층, 또는 Air층 또는 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 조절할 수 있는 것, Fermi Level의 높이를 조절할 수 있는 것, 중 하나 이상 선택되는 것을 의미한다.
d. 1 내지 3 으로 구성되는, 하나 이상의 그래핀이 하나 이상의 300(빗금쳐져 있지 않은)과의 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)을 구성하고, 교차되어 지나가는 300(빗금쳐져 있는 부위)의 정전기적 준위로 인하여 110(하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것)이 하나 이상의 200(그래핀)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여, 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면
e. 1 내지 3 로 구성되는, 110(하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것)이 하나 이상의 200(그래핀)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여, 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다. 본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 조절할 수 있는 것, Fermi Level의 높이를 조절할 수 있는 것, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면을 의미할 수 있다.
도 6
a. 1 내지 4 로 구성되는, 110(하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것)이 하나 이상의 200(그래핀)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여, 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다. 본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 조절할 수 있는 것, Fermi Level의 높이를 조절할 수 있는 것, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면을 의미할 수 있다.
b. 1 내지 4 로 구성되는, 교차되어 지나가는 300(도면의 구성이 포함되어 있는 회로)의 정전기적 준위로 인하여 110(하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것)이 하나 이상의 200(그래핀)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여, 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다. 본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 조절할 수 있는 것, Fermi Level의 높이를 조절할 수 있는 것, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면을 의미할 수 있다.
c. 1 내지 4 로 구성되는, 하나 이상의 200(그래핀)이 하나 이상의 300(도면의 구성이 포함되어 있는)과의 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)을 구성하고, 교차되어 지나가는 300(도면의 구성이 포함되어 있는)의 정전기적 준위로 인하여 110(하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것)이 하나 이상의 200(그래핀)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여, 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면. 본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 조절할 수 있는 것, Fermi Level의 높이를 조절할 수 있는 것, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 300으로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면을 의미할 수 있다.
도 7
a. 교차되어 지나가는 회로(장벽조정)의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것(맨 밑에 하단부에 구비되어 있는)이 그래핀(변형이 가해져 있는 상부층)을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 회로로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다
b. 교차되어 지나가는 회로(장벽조정)의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것(맨 밑에 하단부에 구비되어 있는)이 그래핀(변형이 가해져 있는 상부층)을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 구비하여, 본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 조절할 수 있는 것, Fermi Level의 높이를 조절할 수 있는 것, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 Work funiction 조절으로 연결되는 도면을 의미할 수 있다.
도 8
a. 교차되어 지나가는 회로(장벽조정)의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것(맨 밑에 하단부에 구비되어 있는)이 그래핀(변형이 가해져 있는 상부층)을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 회로로 Work funiction 조절으로 연결되는 도면, 여기서는 하나 이상의 회로로 연결될 수 있음을 의미한다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 원리로서 하나의 회로로만도 전자의 이동이 가능함을 의미한다
b. 교차되어 지나가는 회로(장벽조정)의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것(맨 밑에 하단부에 구비되어 있는)이 그래핀(변형이 가해져 있는 상부층)을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 구비하여, 본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 조절할 수 있는 것, Fermi Level의 높이를 조절할 수 있는 것, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 Work funiction 조절으로 연결되는 도면을 의미할 수 있다. 1
a. (One having at least one Piezo material, graphen having Piezo characteristics, magnetic particles, particles having electric charge or particles having electric charge, and graphene being provided at the upper part) More than 300 means that the drawing connected to the work funiction control, in this case, can be connected to more than one circuit. This means that electrons can move only by one circuit as a principle of a transistor in general.
b. Due to the electrostatic levels of the crossed 300 (shaded areas), consisting of 1 to 3, there are at least one piezoelectric material, graphen having a Piezo characteristic, magnetic particles, charged particles, or charged particles , One or more of which is selected, and graphene is provided at the top). In this figure, it can be connected to one or more circuits. This means that electrons can move only by one circuit as a principle of a transistor in general.
c. One or more graphens, comprised of 1 to 3, constitute one or more schottky barriers with one or more 300 (non-hatched), and the electrostatic levels of 300 (hatched areas) Work function control with one or more of 110 (one or more Piezo materials, graphene with Piezo characteristics, magnetic particles, charged particles or charged particles, and graphene on top) Drawing connected to
d. One or more graphens, comprised of 1 to 3, constitute one or more schottky barriers with one or more 300 (non-hatched), and the electrostatic levels of 300 (hatched areas) Drawings connected by 110 (with graphene on top) to one or more 300 work function controls
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a. Wherein at least one
b. One or more graphenes 200 constitute one or more Schottky Barriers with 300 and an electrostatic level of 300 (including crossed configurations in the figures) crossing over constitutes one or more Piezo , At least one of graphen having a Piezo characteristic, magnetic particles, charged particles, or charged particles is selected from at least one of 300 or more selected from bending deformation, This means that the height of the Schottky barrier can be adjusted to connect to the work funiction control, which can be connected to one or more circuits. This means that electrons can move only by one circuit as a principle of a transistor in general.
c. The electrode free circuit function means that at least one of magnetic particles, particles having electric charges, or particles having electric charges is selected.
d. Wherein at least one
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a. 1 to 3, graphen having at least one Piezo substance, graphen having a Piezo characteristic, magnetic particle, particle having charge, or charged particle is selected from graphene, bending deformation, Or more than 300, which is connected to one or more of the 300 work function controls, which means that more than one circuit can be connected. This means that electrons can move only by one circuit as a principle of a transistor in general.
b. (One or more Piezo-substances, graphenes having Piezo characteristics, magnetic particles, particles having electric charges, or particles having electric charges, or the like) due to the electrostatic levels of 300 (hatched areas) And at least one 300 with graphene at the top) is connected to the work funiction control, here it can be connected to more than one circuit. This means that electrons can move only by one circuit as a principle of a transistor in general.
c. 1 to 3, the passageway in the figure means that at least one of an adhesive material, an elastomer, a semiconductor, and an insulator is selected, wherein the empty space is a vacuum layer, or an Air layer or a Schottky barrier, The height of the level can be adjusted, or at least one of them is selected.
d. One or more graphens, comprised of 1 to 3, constitute one or more schottky barriers with one or more 300 (non-hatched), and the electrostatic levels of 300 (hatched areas) Drawings connected by 110 (with graphene on top) to one or more 300 work function controls
e. (Graphene having at least one Piezo substance, gravure having Piezo characteristics, magnetic particles, particles having electric charge, or particles having electric charge) selected from the group consisting of 1 to 3, Means that at least one of more than one bending deformation, position movement, or the like is selected and connected to one or more of the 300 work function controls, wherein one or more circuits can be connected. This means that electrons can move only by one circuit as a principle of a transistor in general. In one embodiment of the present invention, one or more of at least one of the Schottky Barrier height adjustable, the Fermi Level adjustable height, May refer to drawings.
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a. Wherein at least one
b. One or more graphenes 200 constitute one or more Schottky Barriers with 300 and an electrostatic level of 300 (including crossed configurations in the figures) crossing over constitutes one or more Piezo , At least one of graphen having a Piezo characteristic, magnetic particles, charged particles, or charged particles is selected from at least one of 300 or more selected from bending deformation, It means that the drawing connected to the work funiction control, in this case, can be connected to more than one circuit. This means that electrons can move only by one circuit as a principle of a transistor in general.
c. Wherein at least one
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a. 1 to 3,
b. (At least one Piezo substance, graphene having a Piezo characteristic, magnetic property (magnetic field)) due to the electrostatic level of the crossed passing 300 (the hatched area including the intersection of the constituents in the figure and the barrier adjustment) A particle having charge, a particle having charge, or a particle having charged particles). This
c. 1 to 3, the passageway in the figure means that at least one of an adhesive material, an elastomer, a semiconductor, and an insulator is selected, and the empty space in the drawing is a vacuum layer, or a height of an air layer or a Schottky barrier It means that one or more of the following can be selected: one that can be adjusted, one that can control the height of the Fermi Level.
d. One or more graphens, comprised of 1 to 3, constitute one or more schottky barriers with one or more 300 (non-hatched), and the electrostatic levels of 300 (hatched areas) (At least one Piezo substance, at least one of graphen having a Piezo characteristic, magnetic particles, charged particles, or charged particles) is at least one 200 (graphene) bending deformation, One or more of which are selected during the movement of the position,
e. (Graphen having at least one Piezo characteristic, graphene having magnetic properties, magnetic particles, particles having electric charge, or particles having electric charge) selected from the group consisting of 1 to 3 Ideal bending deformation, and position shifting, and is connected to at least one 300 by Work function adjustment, which means that more than one circuit can be connected. This means that electrons can move only by one circuit as a principle of a transistor in general. In one embodiment of the present invention, one or more of at least one of the Schottky Barrier height adjustable, the Fermi Level adjustable height, May refer to drawings.
6
a. (Graphen having at least one Piezo characteristic, graphene having magnetic properties, magnetic particles, particles having charge or particles having electric charge) selected from the group consisting of 1 to 4 Ideal bending deformation, and position shifting, and is connected to at least one 300 by Work function adjustment, which means that more than one circuit can be connected. This means that electrons can move only by one circuit as a principle of a transistor in general. In one embodiment of the present invention, one or more of at least one of the Schottky Barrier height adjustable, the Fermi Level adjustable height, May refer to drawings.
b. Due to the electrostatic levels of the crossed 300 (circuitry in which the diagrams are included) consisting of 1 to 4, 110 (one or more Piezo materials, graphene with Piezo characteristics, magnetic particles, , Wherein at least one of more than one 200 (graphene) is selected from at least one of bending deformation, position shifting, and is connected to at least one 300 with work function adjustment, wherein one Or more of the circuit. This means that electrons can move only by one circuit as a principle of a transistor in general. In one embodiment of the present invention, one or more of at least one of the Schottky Barrier height adjustable, the Fermi Level adjustable height, May refer to drawings.
c. One or more 200 (graphens), consisting of 1 to 4, constitute one or more schottky barriers with one or more 300 (including the configuration of the drawing), and 300 (Including at least one Piezo material, graphene with Piezo characteristics, magnetic particles, charged particles, or charged particles) due to the electrostatic level of one or more 200 ) With at least one of bending deformation, position shifting, and so on. In one embodiment of the present invention, one or more of at least one of the Schottky Barrier height adjustable, the Fermi Level adjustable height, May refer to drawings.
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a. At least one of magnetic particles, particles with charge or charged particles due to the electrostatic level of the passing circuit (barrier adjustment) is selected (at the bottom of the bottom) Is applied to one or more circuits, which is connected to the circuit by way of work function control, in which one or more of bending deformation and position movement are selected. This means that electrons can move only by one circuit as a principle of a transistor in general
b. At least one of magnetic particles, particles with charge or charged particles due to the electrostatic level of the passing circuit (barrier adjustment) is selected (at the bottom of the bottom) A bending deformation, and a position movement. In one embodiment of the present invention, the height of one or more Schottky barriers can be adjusted, the height of the Fermi Level can be adjusted Which can be controlled by one or more work funiction controls.
8
a. At least one of magnetic particles, particles with charge or charged particles due to the electrostatic level of the passing circuit (barrier adjustment) is selected (at the bottom of the bottom) Is applied to one or more circuits, which is connected to the circuit by way of work function control, in which one or more of bending deformation and position movement are selected. This means that electrons can move only by one circuit as a principle of a transistor in general
b. At least one of magnetic particles, particles with charge or charged particles due to the electrostatic level of the passing circuit (barrier adjustment) is selected (at the bottom of the bottom) A bending deformation, and a position movement. In one embodiment of the present invention, the height of one or more Schottky barriers can be adjusted, the height of the Fermi Level can be adjusted Which can be controlled by one or more work funiction controls.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것을 그래핀의 하단부에 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 시켜 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절하여 하나 이상의 Work function를 조절하고자 하는 트랜지스터의 원리이다. 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)는 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것으로 인하여 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 조절하게 되며, 이는 Fermi level을 하나 이상 조절하여 Work function(일함수)를 조절하는 방법으로도 활용될 수 있다. 이는 상부의 교차되어 지나가는 회로(장벽조정)의 정전기적인 힘으로 인하여 조절이 가능합니다. 이러한 모델은 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것이 상부에 덮여진 그래핀을 굽힘변형을 일으켜 굽힘변형이 가해진 그래핀이 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절하는 것으로 이해되어 질 수 있습니다. 이는 그래핀의 빠른 전도도를 이용하여 트랜지스터를 개발 할 수 있으며, 종래의 구조가 어려웠던 그래핀을 충분히 진공 gap, Band gap, Air gap, 중 선택되는 것을 유지한 상태로 종래 전계효과트랜지스터보다 전도속도가 빠른 트랜지스터를 개발 할 수 있다. In one embodiment of the present invention, a barrier regulating circuit, which is crossed with one or more Piezo materials, graphene with Piezo characteristics, magnetic particles, particles with charge, or charged particles at the lower end of the graphene, One or more of Piezo material, graphen having Piezo characteristic, magnetic particle, charged particle, or charged particle is selected because of the electrostatic level of graphene, bending deformation, It is the principle of the transistor that one or more of the Schottky Barriers are adjusted by adjusting one or more of the height of the Schottky Barrier to make one or more work functions. One or more Schottky Barriers may control the height of the Schottky Barrier by selecting between one or more Piezo materials, graphene with Piezo characteristics, magnetic particles, charged particles, or charged particles. This can also be used as a way to adjust the work function (work function) by adjusting one or more Fermi levels. This can be controlled by the electrostatic force of the crossing circuit (barrier adjustment) at the top. Such a model may be applied to a case where one or more Piezo material, graphen having a Piezo characteristic, magnetic particle, charged particle or charged particle, Can be understood as adjusting one or more of the height of one or more Schottky Barriers. It can develop a transistor by using the fast conductivity of graphene, and it is possible to develop a transistor with a conduction velocity higher than that of a conventional field effect transistor in a state in which graphen which is difficult in the conventional structure is sufficiently selected as a vacuum gap, a band gap, Fast transistors can be developed.
본 발명은 그래핀이 자랑하는 전자의 이동속도를 유지하면서도 그동안 난제로 인식됐던 대기 전력 문제를 `쇼키 장벽(Schottky Barrier)의 높이 또는 Fermi level을 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하여 해결한다. The present invention relates to a method and apparatus for controlling graphene while maintaining the moving speed of graphene while at the same time recognizing the standby power problem that has been recognized as a difficulty by selecting at least one of the height of the Schottky barrier or the Fermi level as the bending, Use one or more work functions to solve one or more problems.
그리고, 그래핀으로 만든 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터가 기존 트랜지스터와 다른 점은 전하량 조절(그래핀 트랜지스터 방식)이나 채널 전위조절(실리콘 트랜지스터 방식)이 아닌 쇼키 장벽을 통해 전자 이동속도가 빠르면서도 전류를 차단할 수 있게 한 것이며 이는 그래핀으로 만든 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하여 해결한다. The transistor that controls one or more of the work functions by using one or more of the bending and position shifting of the graphene graphene is different from the conventional transistor in that the charge control (graphene transistor method) or the channel potential (Silicon transistor type), but it can block the current at a high speed of electron movement through a Schottky barrier. This can be achieved by using one or more of the bending, By adjusting one or more.
또한, 그래핀으로 만든 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터가 기존 트랜지스터와 다른 점은 전하량 조절(그래핀 트랜지스터 방식)이나 채널 전위조절(실리콘 트랜지스터 방식)이 아닌 Fermi level를 하나 이상 조절하는 것을 통해 전자 이동속도가 빠르면서도 전류를 차단할 수 있게 한 것이다. In addition, the transistor that controls one or more of the work functions by using one or more of the bending and position shifting of the graphene graphene is different from the conventional transistor in that the charge control (graphene transistor method) or the channel potential By controlling one or more of the Fermi levels rather than the control (silicon transistor type), it is possible to cut off the current with a fast electronic movement speed.
또한, 그래핀으로 만든 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터가 쇼키 장벽(Schottky Barrier)의 높이 또는 Fermi level을 하나 이상 조절하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하여 전자 이동속도가 빠르면서도 전류를 차단할 수 있게 한 것이다. Also, a transistor that controls one or more work functions using one or more of the bending, locating, and grafting of graphene graphenes can be controlled by adjusting one or more of the Schottky Barrier height or Fermi level One or more of the above work functions can be adjusted so that the current can be cut off while the electron moving speed is high.
또, 그래핀으로 만든 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터로 이해되어 질 수 있음이다.
It can also be understood as a transistor that regulates one or more work functions using one or more of the following: graphene graphene bending and position shifting.
* 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 제공한다.* In one embodiment of the present invention, one or more of the at least one work function is controlled using at least one of bending, locating, and graphene selection.
본 발명의 한 실시예에서, 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 제공한다. In one embodiment of the present invention, a transistor is provided that adjusts one or more height of a Schottky barrier to adjust one or more of the at least one work function.
본 발명의 한 실시예에서, Fermi level을 하나 이상 조절하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 제공한다. In one embodiment of the present invention, a transistor is provided that adjusts one or more Fermi levels to regulate one or more work functions.
본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 굴곡지는 특성을 이용하여 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것을 그래핀의 하단부에 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 제공한다. In one embodiment of the present invention, one or more Piezo materials, graphenes having Piezo characteristics, magnetic particles, particles having electric charges, or particles having electric charges are selected using the bending characteristic of graphene, Due to the electrostatic level of the intersecting barrier regulating circuit at the bottom, one or more of Piezo material, graphen having Piezo characteristic, magnetic particle, particle having electric charge or particles having electric charge, Bending deformation, position shifting, or the like.
본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것을 그래핀의 하단부에 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를 갖는 입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 시켜 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절하여 하나 이상의 Work function를 조절하고자 하는 트랜지스터의 원리이다. 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)는 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것으로 인하여 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 조절하게 되며, 이는 Fermi level을 하나 이상 조절하여 Work function(일함수)를 조절하는 방법으로도 활용될 수 있다. 이는 상부의 교차되어 지나가는 회로(장벽조정)의 정전기적인 준위로 인하여 조절이 가능하다. 이러한 모델은 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것이 상부에 덮여진 그래핀을 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것을 일으켜 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것이 가해진 그래핀이 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level, 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것으로 이해되어 질 수 있다. 이는 그래핀의 빠른 전도도를 이용하여 트랜지스터를 개발 할 수 있으며, 종래의 구조가 어려웠던 그래핀을 충분히 진공 gap, Band gap, Air gap, 중 선택되는 것을 유지한 상태로 종래 전계효과트랜지스터보다 전도속도가 빠른 트랜지스터를 개발 할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the present invention provides a method of manufacturing a thin film magnetic head comprising at least one piezoelectric material, graphene having Piezo characteristics, magnetic particles, particles having charge, or particles having electric charge, Due to the electrostatic level of the barrier regulating circuit, one or more of Piezo material, graphen having Piezo characteristic, magnetic particle, particle having electric charge, or electric charge particle can be selected from graphene due to bending deformation, Is selected so that at least one Schottky barrier can be adjusted by adjusting one or more heights of the Schottky barrier to control one or more work functions. One or more Schottky Barriers may control the height of the Schottky Barrier by selecting between one or more Piezo materials, graphene with Piezo characteristics, magnetic particles, charged particles, or charged particles. This can also be used as a way to adjust the work function (work function) by adjusting one or more Fermi levels. This can be controlled by the electrostatic level of the crossing circuit (barrier adjustment) at the top. Such a model may include one or more of Piezo material, graphene with Piezo characteristics, magnetic particles, charged particles or charged particles, one or more of bending deformation, , One or more of which may be selected from one or more of a Schottky barrier, a Fermi level, and the like. It can develop a transistor by using the fast conductivity of graphene, and it is possible to develop a transistor with a conduction velocity higher than that of a conventional field effect transistor in a state in which graphen which is difficult in the conventional structure is sufficiently selected as a vacuum gap, a band gap, Fast transistors can be developed.
본 발명의 한 실시예에서, 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다. In one embodiment of the present invention, a transistor is provided that adjusts one or more height of a Schottky barrier to adjust one or more of the at least one work function.
본 발명의 한 실시예에서, Fermi level을 하나 이상 조절하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다 In one embodiment of the present invention, a transistor is provided that adjusts one or more Fermi levels to adjust one or more of the at least one work function
본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 굴곡지는 특성을 이용하여 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를 갖는 입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것을 그래핀의 하단부에 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다. In one embodiment of the present invention, one or more Piezo materials, graphenes having Piezo characteristics, magnetic particles, particles having electric charges, or particles having electric charges are selected using the bending characteristic of graphene, Due to the electrostatic level of the intersecting barrier regulating circuit at the bottom, one or more of Piezo material, graphen having Piezo characteristic, magnetic particle, particle having electric charge or particles having electric charge, Bending deformation, position shifting, or the like.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하는것은 그래핀의 상단부에 접착물질이나 엘라스토머 등이 구비되어 있는 상황에서도 그래핀과 함께 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 할 수 있는 것을 의미한다. In one embodiment of the invention, at least one of Piezo material, graphene with Piezo characteristics, magnetic particles, particles with charge or charged particles is selected from graphene, bending deformation, The selection of one or more means that at least one of bending deformation and position movement can be selected together with the graphene even in the case where an adhesive material or an elastomer is provided on the upper end of the graphene.
본 발명의 한 실시예에서, 그래핀를 구비하는데 있어서 전사기술, 리소그래피기술을 사용할 수 있으며, 교차되는 회로를 꾸미는데 있어서, 오버레이 기술등 통용되는 종래의 반도체 제조기술을 사용하여 제작 할 수 있음이다. 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀이 전사되는데 있어서 하나 이상의 자성입자가 함께 구비되어 있는 상태로 같이 전사되어 회로를 구성할 수 있다. In one embodiment of the present invention, transcription technology, lithography technology can be used to provide graphene, and it can be fabricated using conventional semiconductor fabrication techniques commonly used in overlay technology, such as in overlay technology. In an embodiment of the present invention, in transferring graphene, one or more magnetic particles may be transferred together to form a circuit.
본 발명의 한 실시예에서, 진공층이나 Air층을 구비하는데 있어서 해체층으로서 구비할 수 있으며, 해체층은 분열이나 분해시켜 사용할 수 있는 종래의 반도체 공정에서 사용하는 해체층을 의미한다. In one embodiment of the present invention, the disassembly layer can be provided as a disassembly layer when a vacuum layer or an air layer is provided, and the disassembly layer means a disassembly layer used in a conventional semiconductor process that can be used after being divided or decomposed.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀의 상부에 접착물질, 엘라스토머, 중 하나 이상 선택되는 것이 구비되는 다층상태에서 굽힘변형이 구비되어, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level, 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것으로 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다. 이는 도면에서 접착물질, 엘라스토머, 반도체, 부도체, 중 하나 이상 선택되는 것이 통로로 이어지는 것을 의미할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the upper portion of one or more graphenes, where one or more of the Piezo material, graphene with Piezo characteristics, magnetic particles, particles with charge, or charged particles, Wherein at least one of a Schottky barrier and a Fermi level is provided with a bending deformation in a multi-layer state in which at least one selected from an adhesive material, an elastomer, And a transistor for adjusting at least one work function. This may mean that in the figure one or more of the adhesive material, elastomer, semiconductor, nonconductor, is selected leading to the passage.
본 발명의 한 실시예에서, 굽힘변형은 영률(Yong's Module)로서 설명될 수 있다. 본 발명의 한 실시예에서, 곡률반경 1/2 R 값으로서도 이해되어 질 수 있다. In one embodiment of the present invention, the bending strain may be described as a Young's modulus. In one embodiment of the present invention, the radius of curvature can also be understood as a value of R / 2.
본 발명의 한 실시예에서, 자성입자는 하나 이상의 나노 자성입자를 의미한다. In one embodiment of the invention, the magnetic particles mean one or more nanomagnetic particles.
본 발명의 한 실시예에서, 자성입자는 Magnet 성질을 구비하는 모든 합성물질을 포함하는 것으로 이해되어져야 한다. In one embodiment of the present invention, the magnetic particles should be understood to include all synthetic materials having a Magnet nature.
본 발명의 한 실시예에서, 자성입자는 Magnet 성질을 구비하는 모든 나노 합성물질을 포함하는 것으로 이해되어져야 한다. In one embodiment of the present invention, the magnetic particles should be understood to include all nanosynthesized materials having a magnet nature.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를 갖는 입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 비선형 버커링 물리학적 원리와 관련된 복잡한 하나 이상의 형태, 하나 이상의 레이아웃를 하나 이상 구비할 수 있으며, 하나 이상의 초기변형률(prestrain)의 크기(εpre)가 증가할수록 상기 비선형 버커링 물리학적 원리와 관련된 복잡한 하나 이상의 형태, 하나 이상의 레이아웃 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비한다. In one embodiment of the invention, at least one of Piezo material, graphene with Piezo characteristics, magnetic particles, particles with charge or charged particles is selected from graphene, bending deformation, One or more of these can be one or more complex shapes or more than one layout associated with the nonlinear buckling physics principle, and as the magnitude of one or more prestrains (epsilon) increases, the nonlinear buckering physical principles One or more complex one or more forms associated with the layout, or one or more layouts.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 구부러짐과 관계된 곡률 반경(r)의 두배로 나누어줌으로써 표면 변형률이 결정되는 박막, 초박막, 초경박 중 하나 이상 선택되는 것에서의 기초적인 굽힘 역학을 하나 이상 규칙적, 불규칙적, 균일, 불균일, 다공성 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 1차원적, 2차원적, 3차원적, n차원적 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비, 포함, 동일, 비동일, 전체적, 부분적, 방향, 역방향, 지속적, 비지속적, 조합, set theory, Combinatorics, equation, function, Sequence, Set, Geometry, Group, scalar, vector, Tensor, Dimensional analysis, formulation, 변화, 변환, 조절 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비하여 유도된다. In one embodiment of the invention, at least one of Piezo material, graphene with Piezo characteristics, magnetic particles, particles with charge or charged particles is selected from graphene, bending deformation, One or more selected bending dynamics are selected from one or more of thin film, ultra thin film, and carbide thin film whose surface strain is determined by dividing by the curvature radius (r) which is related to bending, and the basic bending dynamics of one or more of regular, irregular, uniform, , Porosity, and the like, one or more of which may be selected from one or more one-dimensional, two-dimensional, three-dimensional, or n-dimensional, Continuous, non-continuous, combination, set theory, Combinatorics, equation, function, Sequence, Set, Geometry, Group, scalar, vector, Tensor, Dimensional analysis, formulation Or it is derived comprises at least one or more that are selected.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 하나 이상 구비하는 하나 이상의 층에서 하나 이상의 구부림 모멘트<M>은 하나 이상 규칙적, 불규칙적, 균일, 불균일, 다공성 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 1차원적, 2차원적, 3차원적, n차원적 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비, 포함, 동일, 비동일, 전체적, 부분적, 방향, 역방향, 지속적, 비지속적, 조합, set theory, Combinatorics, equation, function, Sequence, Set, Geometry, Group, scalar, vector, Tensor, Dimensional analysis, formulation, 변화, 변환, 조절 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비하는 하나 이상의 곡률로부터 얻어지고, 그것은 하나 이상 규칙적, 불규칙적, 균일, 불균일, 다공성 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 1차원적, 2차원적, 3차원적, n차원적 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비, 포함, 동일, 비동일, 전체적, 부분적, 방향, 역방향, 지속적, 비지속적, 조합, set theory, Combinatorics, equation, function, Sequence, Set, Geometry, Group, scalar, vector, Tensor, Dimensional analysis, formulation, 변화, 변환, 조절 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비하는 하나 이상의 <u>의 2차 도함수이다. In one embodiment of the invention, at least one of Piezo material, graphene with Piezo characteristics, magnetic particles, particles with charge or charged particles is selected from graphene, bending deformation, At least one bending moment <M> may be selected from one or more of regular, irregular, uniform, non-uniform, and porous in one or more layers selected from one or more layers. Set theory, Combinatorics, equation, function, Sequence, Set, set, non-continuous, non-continuous, Obtained from at least one curvature having at least one selected from the group consisting of geometry, Group, scalar, vector, Tensor, Dimensional analysis, formulation, transformation, One or more of one or more of regular, irregular, uniform, irregular, and porous selected from one or more of one or more one dimensional, two dimensional, three dimensional, Set theory, Combinatorics, Equation, Function, Sequence, Set, Geometry, Group, Scalar, Vector, Tensor, Dimensional analysis, formulation, Change, Transformation, Adjustment Is a second derivative of one or more < u >
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 하나 이상 구비하는 평면에서 수행되며, 종래 전자장치 제조공정과 하나 이상 선택적으로 호환될 수 있다. In one embodiment of the invention, at least one of Piezo material, graphene with Piezo characteristics, magnetic particles, particles with charge or charged particles is selected from graphene, bending deformation, One or more selected are performed in one or more of the planes and may be optionally compatible with one or more of the conventional electronics manufacturing processes.
본 발명의 한 실시예에서, 종래 평면 형상 제조 시스템을 비선형 형태를 필요로 하는 적용에 사용하기 위해 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 평면으로 제조되는 기하학적 한계를 극복할 수 있는 형태를 구비할 수 있다. In one embodiment of the present invention, a conventional planar fabrication system may be fabricated using one or more Piezo materials, graphene with Piezo characteristics, magnetic particles, particles having charge, or charged particles , And graphene is selected from at least one of bending deformation, position shifting, and the like, the shape of which can overcome the geometric limitation of being manufactured in a plane.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 하나 이상의 양의 곡률을 하나 이상 구비하는 표면과 관련됨에 불구하고 음의 곡률을 하나 이상 구비하는 것들 역시 가능하다. In one embodiment of the invention, at least one of Piezo material, graphene with Piezo characteristics, magnetic particles, particles with charge or charged particles is selected from graphene, bending deformation, One or more selected are those that are associated with a surface having more than one positive curvature, but also those that have one or more negative curvatures.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀을 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 하나 이상의 비동일 평면을 하나 이상 구비하고 하나 이상 상호연결된 형태를 구비할 수 있다. In one embodiment of the invention, at least one of Piezo material, graphene with Piezo characteristics, magnetic particles, particles with charge or charged particles is selected from graphene, bending deformation, At least one selected may have at least one non-coplanar plane and at least one interconnected form.
본 발명의 한 실시예에서, 그래핀을 하나 이상 구비하는데 있어서, 하나 이상의 캐리어 유동체나 용매와 같은 하나 이상의 캐리어 매개물로 확산되는 공정을 구비할 수 있다. In one embodiment of the present invention, one or more graphenes may be provided with a process that diffuses into one or more carrier media, such as one or more carrier fluids or solvents.
본 발명의 한 실시예에서, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 mobility로서 설명된다. In one embodiment of the present invention, at least one graphene having at least one selected from among magnetic particles, particles having electric charges, and particles having electric charges is selected at least one of bending deformation, Is described as mobility.
본 발명의 한 실시예에서, mobility는 기체, 액체, 고체 내에서 이온, 전자, 콜로이드입자 등 전하를 가진 입자가 전기장 때문에 힘을 받을 때, 그 평균이동속도 v와 전기장의 세기 E의 관계 v=uE로 정의되는 계수 u이다. 전기장의 세기가 크지 않을 때만 성립하며, u의 단위는 cm2 s-1 V-1이다. In one embodiment of the present invention, mobility is defined as the relationship between the mean moving velocity v and the magnitude E of the electric field when particles charged with ions such as ions, electrons, colloidal particles in a gas, liquid, u < / RTI > It is established only when the electric field intensity is not large, and the unit of u is cm2 s-1 V-1.
본 발명의 한 실시예에서, 이 비례관계는 E가 그다지 크지 않을 때 성립하며, 등방성 매질에서는 u는 스칼라상수이다. u의 단위는 cm2 s-1 V-1이다. 특히 홀이동도(Hall mobility)와 구분할 때는 유동이동도라 한다. 단위부피당의 입자수를n, 입자의 전하를 e라 하면, 입자의 운동에 따른 전기전도도 σ는 σ=neu이다. 입자의 확산계수 D는 일반적으로 아인슈타인의 관계식 u=eD/kT(k는 볼츠만상수, T는 절대온도)가 성립한다. In one embodiment of the present invention, this proportional relationship is established when E is not very large, and in an isotropic medium, u is a scalar constant. The unit of u is cm2 s-1 V-1. In particular, when it is distinguished from the Hall mobility, it is called the flow mobility. When the number of particles per unit volume is n, and the charge of the particles is e, the electric conductivity σ according to the motion of the particles is σ = neu. The diffusion coefficient D of a particle is generally defined by Einstein's relation u = eD / kT, where k is a Boltzmann constant and T is an absolute temperature.
본 발명의 한 실시예에서, mobility는 임피던스의 역수를 말한다. 단(單)진동하는 기계시스템의 어떤 점 속도와 같은 점 또는 다른 점의 힘과의 복소수 비를 이동도라 한다. (1) 세기 E의 전장에서 전하를 갖는 입자가 힘을 받을 때 평균 이동속도 V와 E의 비 V/E를 이동도 라고 한다. (2) 주파수 응답 함수의 일종이며, 어떤 점의 속도와 그와 같은 점 또는 다른 점의 여자력의 비이다. 기계 임피던스의 역수이며 주파수의 복소 함수가 된다. In one embodiment of the invention, mobility is the inverse of the impedance. The complex ratio of a point to a point of a single vibrating mechanical system or to a point at another point is called the motion. (1) When the particles carrying charge in the whole field of intensity E are subjected to force, the ratio V / E of the average moving velocity V and E is called the mobility. (2) A type of frequency response function, which is the ratio of the velocity of a point to the excitation force of such point or other point. It is the inverse of the mechanical impedance and is a complex function of frequency.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비할때 발생하는 그래핀의 굽힘역학은 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것에 비하여 그래핀이 하나 이상의 영률(Young's modulus)를 구비하는 것으로 이해되어 질 수 있다. In one embodiment of the present invention, at least one graphene is provided underneath which is selected from at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a particle having a charge, The bending dynamics of graphene generated when at least one of the bending deformation, the position shift, and the bending deformation is selected can be achieved by using one or more Piezo materials, graphen having a Piezo characteristic, magnetic particles, particles having electric charge, It can be understood that graphene has at least one Young's modulus as compared to at least one of the graphenes.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 (1) 하나 이상의 1 마이크론 이상 100 마이크론 이하의 범위, (2) 하나 이상의 1 나노미터 이상 100 나노미터 이하의 범위, 로 구성되는 상기 (1) 내지 (2) 중 하나 이상 선택되는 범위를 구비할 수 있다. In one embodiment of the present invention, at least one graphene is provided underneath which is selected from at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a particle having a charge, (1) a range of not less than 1 micron and not more than 100 microns, and (2) a range of not less than 1 nanometer but not more than 100 nanometers. (1) to (2).
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비할때 발생하는 변형으로 부터 자유로운 변형 고립층를 본 발명의 트랜지스터는 구비할 수 있다. In one embodiment of the present invention, at least one graphene is provided underneath which is selected from at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a particle having a charge, The present invention's transistor can be provided with a strained isolation layer that is free from deformation that occurs when at least one of the above-mentioned bending deformation, positional bending, and the like is selected.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 구부러짐과 관계된 곡률 반경(r)의 두배로 나누어줌으로써 표면 변형률이 결정되는 박막, 초박막, 초경박 중 하나 이상 선택되는 것에서의 기초적인 굽힘 역학으로 해석되어 질 수 있다. 또한 박리 등의 치명적인 변형을 피하기 위하여 변형이 영인 구조를 본 발명의 트랜지스터는 구비할 수 있다. 본 발명의 한 실시예에서, 상기 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 기하학적인 형태를 구비할 수 있다. In one embodiment of the present invention, at least one graphene is provided underneath which is selected from at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a particle having a charge, The ideal bending deformation, and the position displacement are selected by dividing the bending radius by a curvature radius r, and the basic bending in the case of selecting at least one of a thin film, an ultra thin film, It can be interpreted as mechanics. In addition, in order to avoid lethal deformation such as peeling, the transistor of the present invention can be provided with a structure in which strain is zero. In one embodiment of the present invention, at least one graphene having at least one selected from the one or more Piezo-substances, graphene with Piezo characteristics, magnetic particles, particles with electric charge, At least one of bending deformation, position movement, and the like may be selected to have a geometric shape.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 하나 이상의 다층구조, 다층 스택, 네트, 단일, 스택, 계층, 셀, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것으로 이해되어 질 수 있다. In one embodiment of the present invention, at least one graphene is provided underneath which is selected from at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a particle having a charge, One or more of a bending deformation, a positional movement, and a bending deformation, a positional movement, and a bending deformation, a position movement, Or more can be selected.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level, 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것은 하나 이상의 변형이 발생하는 면적으로 인하여 조절되어지지만, 본 발명의 한 실시예에서, 변형이 발생하지 않는 면적에 의하여 영향을 받을 수 있다. In one embodiment of the present invention, at least one graphene is provided underneath which is selected from at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a particle having a charge, A bending deformation, and a position shifting, and adjusting at least one height of a selected one or more of at least one Schottky barrier, a Fermi level, or the like, But in an embodiment of the present invention, it can be influenced by the area where deformation does not occur.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level, 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것은 공간적으로 균일하지 않은 특성을 구비하여 구비된다. In one embodiment of the present invention, at least one graphene is provided underneath which is selected from at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a particle having a charge, The bending deformation, and the positional movement of the at least one selected from the at least one of the at least one Schottky barrier and the Fermi level, do.
본 발명의 한 실시예에서, 이미 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 공간적으로 균일한 특성을 구비하는 것으로 해석되어 질 수 있다. 상기 공간적으로 균일한 특성, 공간적으로 뷸균일한 특성은 (평면-변형) 계수들로서 설명되어 진다. In an embodiment of the present invention, it may be interpreted that one or more of graphene already has at least one of bending deformation, position shifting, and the like selected to have spatially uniform characteristics. The spatially uniform properties and the spatially uniform properties are described as (plane-strain) coefficients.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level, 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것은 하나 이상 공간적으로 균일하지 않은 특성, 하나 이상 공간적으로 균일한 특성, 중 하나 이상 선택되는 특성을 하나 이상 구비한다. In one embodiment of the present invention, at least one graphene is provided underneath which is selected from at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a particle having a charge, The bending deformation, and the position shifting, so that adjusting at least one height of the selected one or more of the one or more Schottky barriers, the Fermi level, or one or more spatially non-uniform characteristics, More uniform spatial characteristics, and at least one characteristic selected from among the above.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 상부 표면으로부터 변형이 발생하는 거리(d)로서 설명되어 진다. In one embodiment of the present invention, at least one graphene is provided underneath which is selected from at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a particle having a charge, Bending deformation, positional displacement, or the like is selected as the distance d at which the deformation occurs from the upper surface.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 구부림 강성도 및 효과적인 신장성을 가지는 합성보의 굽힙역학으로 설명되어 진다. In one embodiment of the present invention, at least one graphene is provided underneath which is selected from at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a particle having a charge, Ideal bending deformation, position shifting, or the like, is described by the bending dynamics of the composite beams having bending stiffness and effective elongation.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 하나 이상의 구부림 모멘트<M> (하나 이상의 굽힘 에너지, 축방향 힘 F 중 하나 이상 선택되는 것)은 플레이트 이론을 통하여 그것의 하나 이상 규칙적, 불규칙적, 균일, 불균일, 다공성 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 1차원적, 2차원적, 3차원적, n차원적 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비, 포함, 동일, 비동일, 전체적, 부분적, 방향, 역방향, 지속적, 비지속적, 조합, set theory, Combinatorics, equation, function, Sequence, Set, Geometry, Group, scalar, vector, Tensor, Dimensional analysis, formulation, 변화, 변환, 조절 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비하는 하나 이상의 평면밖 변위 <u>의 항으로 얻어진다. 또한 그것의 변형 에너지는 <u>의 항으로 얻어진다. 더하여 상기 변위 <u>는 전체 에너지를 최소화하는 것에 의해 결정되어질 계수들과 함께 푸리에 급수로 확장된다. In one embodiment of the present invention, at least one graphene is provided underneath which is selected from at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a particle having a charge, One or more bending moments < M > (one or more bending energies, one or more of the axial forces F selected) of the at least one bending moment, , Irregular, uniform, irregular, or porous, and may include one or more selected from one or more one-dimensional, two-dimensional, three-dimensional, or n-dimensional, Set theory, Combinatorics, Equation, Function, Sequence, Set, Geometry, Group, Scalar, Vector, Tensor, Dimensional analysis, formulat out-of-plane displacement < u > having at least one ion selected from at least one of ion, change, transformation and control. Its strain energy is also obtained in terms of <u>. In addition, the displacement < u > extends to the Fourier series with the coefficients to be determined by minimizing the total energy.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 하나 이상의 곡률로부터 얻어지고, 그것은 하나 이상 규칙적, 불규칙적, 균일, 불균일, 다공성 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 1차원적, 2차원적, 3차원적, n차원적 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비, 포함, 동일, 비동일, 전체적, 부분적, 방향, 역방향, 지속적, 비지속적, 조합, set theory, Combinatorics, equation, function, Sequence, Set, Geometry, Group, scalar, vector, Tensor, Dimensional analysis, formulation, 변화, 변환, 조절 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비하는 하나 이상의 <u>의 2차 도함수이다. In one embodiment of the present invention, at least one graphene is provided underneath which is selected from at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a particle having a charge, Dimensional bending, bending deformation, and positional displacement is selected from one or more curvatures, and it may be selected from one or more one-dimensional, two-dimensional , 3-dimensional, and n-dimensional, one or more of which are selected, include, equal, non-identical, total, partial, direction, reverse, continuous, non-continuous, combination, set theory, Combinatorics, equation, function, Sequence And one or more selected from among at least one of a set, a geometry, a group, a scalar, a vector, a tensor, a dimensional analysis, a formulation, It is a second derivative.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level, 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것은 하나 이상 가깝게, 일치하며, 인접하게 위치시키는, 근접하게, 충분히 가깝게, 밀접하게 붙는, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비할 수 있다. 본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 10 ㎛, 1 ㎛, 100 ㎚, 3 ㎚ 중 하나 이상 선택되는 수치보다 적은 수학 값, 물리적 치수 중 하나 이상 선택되는 것으로 정의된다. In one embodiment of the present invention, at least one graphene is provided underneath which is selected from at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a particle having a charge, One or more of at least one of a Schottky barrier, a Fermi level, and a Fermi level, wherein at least one of the at least two selected at least one of the Schottky barrier, the Fermi level, , Close enough, close enough, close together, or more. In one embodiment of the present invention, at least one graphene is provided underneath which is selected from at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a particle having a charge, The ideal bending deformation, and the positional displacement are selected to be selected from at least one of a mathematical value less than a selected numerical value of at least one of 10 탆, 1 탆, 100 ㎚, 3 ㎚, and a physical dimension.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level, 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것을 구비할때 발생하는 변형에 민감한 층을 보호하기 위하여 충분히 단단한 재질이 사용될 수 있다. In one embodiment of the present invention, at least one graphene is provided underneath which is selected from at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a particle having a charge, A bending deformation, and a position shifting, so that at least one of the at least one Schottky barrier, the Fermi level, and the Fermi level, A sufficiently hard material can be used to protect it.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 하나 이상의 그래핀을 100%, 75%, 50%, 25%, 10%, 100% 내지 3% 의 범위, 중 하나 이상 선택되는 범위에서 굽힘변형을 구비하는 것으로 해석되어 질 수 있다. In one embodiment of the present invention, at least one graphene is provided underneath which is selected from at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a particle having a charge, Or more of the graphene is selected from one or more of the following ranges: 100%, 75%, 50%, 25%, 10%, 100% to 3% It can be interpreted as having a bending deformation.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 하나 이상의 다층구조, 다층 스택, 네트, 단일, 스택, 계층, 셀, 중 하나 이상 선택되는 것으로 구비하되, 등가 장력 강도 및 등가 굽힘 강도로서 설명될 수 있다. In one embodiment of the present invention, at least one graphene is provided underneath which is selected from at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a particle having a charge, Wherein at least one of the at least one selected from the group consisting of at least one of a tensile strength, an ideal bending deformation, and a position movement is selected from at least one of a multilayer structure, a multilayer stack, a net, As shown in FIG.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 해체층은 하나 이상의 PMMA를 하나 이상 구비, 이용 중 하나 이상 선택되는 것으로, 하나 이상의 이탈, 박리, 분열, 분해, 제거 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하는 것으로 해석되어 질 수 있다. In one embodiment of the present invention, one or more disintegration layers are selected from one or more of one or more PMMAs, and one or more of them are selected, and one or more of at least one of separation, separation, dissociation, Can be interpreted as.
본 발명의 한 실시예에서, 본 발명의 제조방법은 전자 구성 요소 배열 또는 요소의 패턴 배열과 같이(예를 들어, 반도체) 고정확성 리프트오프 인쇄 요소들을 가능하게 하기 위해 하나 이상의 고정 및 지지 구조(fixture)를 구비할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the manufacturing method of the present invention includes one or more stationary and support structures (e.g., semiconductors) to enable high accuracy lift-off printing elements, such as electronic component arrangements or pattern arrangements of elements a fixture may be provided.
본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 접착층, 접착영역은 본 발명에서 제시하는 접착영역, 접착제, 접착 전구체 중 하나 이상 선택되는 것의 결합력보다 적은 결합력을 의미할 수 있으며, 본 발명에서 제시하는 접착영역, 접착제, 접착 전구체 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상 구비되지 않는 영역을 의미할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the one or more adhesive layers, the adhesive regions, may mean a bonding force that is less than the bonding force of one or more of the adhesive regions, adhesives, and adhesive precursors selected in the present invention, , An adhesive, and an adhesive precursor may be selected.
본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 접착층, 접착영역은 접착영역, 접착제, 접착 전구체 중 하나 이상 선택되는 것이 구비되는 것을 의미할 수 있다. In one embodiment of the present invention, at least one adhesive layer, the adhesive area may mean that at least one of the adhesive area, the adhesive, and the bonding precursor is selected.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 하나 이상의 유한 요소 시뮬레이션을 만족하는 하나 이상의 재질, 구조, 형태, 장치, 구성요소 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비한다. 본 발명의 한 실시예에서, 유한 요소 시뮬레이션은 하나 이상의 8-노드, 4-노드 다층 쉘 요소 중 하나 이상 선택되는 것을 가진 육면체 요소를 이용하여 실행될 수 있다. 본 발명의 한 실시형태에서, 유한 요소 시뮬레이션은, 역학적으로 독립적 방식으로 행동하기 위해 하나 이상의 유한요소법(FEM), 유한차분법(FDM), 유한체적법(Finite Volume Method), 다구찌 기법(Taguchi method), 로버스트 설계(Robust Design) 중 하나 이상 선택되는 것을 구비한다. In one embodiment of the present invention, at least one graphene is provided underneath which is selected from at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a particle having a charge, An ideal bending deformation, a position movement, or the like may include one or more selected from one or more of materials, structures, shapes, devices, and components satisfying one or more finite element simulations. In one embodiment of the invention, the finite element simulation may be performed using a hexahedral element having one or more of the one or more 8-node, 4-node multilayer shell elements selected. In one embodiment of the present invention, the finite element simulation is performed using one or more finite element method (FEM), finite difference method (FDM), finite volume method, Taguchi method ), And a robust design.
본 발명의 한 실시예에서, 본 발명의 트랜지스터를 제조하기 위해서 정렬 유지 소자를 사용할 수 있다. In one embodiment of the present invention, an alignment and holding element may be used to fabricate the transistor of the present invention.
본 발명의 한 실시예에서, 본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 하나 이상의 버클링변형을 구비할 수 있다. 본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 버클링변형은 작은 다수의 파장들이 함께 융합되는 것과 같이 발생할 수 있다. In one embodiment of the present invention, in one embodiment of the present invention, at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a particle having a charge, The at least one graphene provided may have at least one selected from bending deformation, position shifting, and the like, may be provided with at least one buckling deformation. In one embodiment of the present invention, one or more buckling deformations may occur such that a small number of wavelengths are fused together.
본 발명의 한 실시예에서, 본 발명의 트랜지스터는 a. 하나 이상의 비동일 평면의 설계를 위하여, b. 하나 이상의 기계적인 변형격리를 위하여, 로 구성되는 상기 a 내지 b, 중 하나 이상 선택되는 것을 위하여, 본 발명에서 제시하는 제조방법을 하나 이상 사용할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the transistor of the present invention comprises: a. For one or more non-coplanar designs, b. For one or more mechanical strain isolation, one or more of the manufacturing methods proposed in the present invention may be used for the purpose of selecting at least one of the above-mentioned a to b constituted of.
본 발명의 한 실시예에서, 본 발명의 한 실시예에서, 본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 하나 이상의 점, 리본, 띠, 디스크, 작은 판, 블럭, 기둥, 원통 또는 이들 형상의 모든 조합중 하나 이상 선택되는 형태를 구비할 수 있다. In one embodiment of the invention, in one embodiment of the present invention, in one embodiment of the invention, one or more Piezo materials, graphene with Piezo characteristics, magnetic particles, particles with charge or charged particles, One or more of graphene having at least one selected from among at least one of bending deformation and position shifting may be selected from one or more of dots, ribbons, strips, disks, small plates, blocks, columns, May be selected from one or more of all combinations of < RTI ID = 0.0 >
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 a. 변형두께가 대략 1 나노미터 ~ 100 마이크론, b. 변형폭이 대략 1 나노미터 ~ 1 밀리미터 c. 변형길이가 대략 1 마이크론 ~ 1 밀리미터, d. 변형길이가 10 마이크론 이상 또는 이하, e. 변형폭이 1 마이크론 이상 또는 이하, f. 마이크로스트립변형(두께 340 나노미터, 폭 5 마이크론, 길이 15밀리미터 이하), g. 변형간격(2 마이크론 이상 또는 이하), h. 하나 이상의 변형길이, 변형넓이, 변형면적, 변형부피, 변형폭, 변형높이, 변형두께, 변형단면적, 변형간격, 표면 거칠기, 표면 활성화범위, 표면 비활성화범위, 편평도, 중 하나 이상 선택되는 것의 하나 이상의 물리적 치수가 1 나노미터 ~ 200 마이크론, 로 구성되는 상기 a 내지 h, 로 구성되는 것중 하나 이상 선택되는 것을 구비한다. In one embodiment of the present invention, at least one graphene is provided underneath which is selected from at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a particle having a charge, Abnormal bending deformation, position movement, or the like is selected a. A deformation thickness of about 1 nanometer to 100 microns, b. The deformation width is approximately 1 nanometer to 1 millimeter c. A deformation length of about 1 micron to 1 millimeter, d. A deformation length of 10 microns or more, e. Deformation width greater than or equal to 1 micron, f. Microstrip strain (340 nanometers thick, 5 microns wide, 15 millimeters or less in length), g. Deformation spacing (2 microns or greater), h. One or more selected from the group consisting of one or more of at least one strain length, a strain width, a strain area, a strain volume, a deformation width, a deformation height, a deformation thickness, a deformation cross section, a deformation interval, a surface roughness, a surface activation range, a surface deactivation range, And a to h, wherein the physical dimensions are from 1 nanometer to 200 microns.
본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것은 (a). 4 ~ 20 ppma(parts per million atoms) 미만의 포함도, (b). 100만 원자 당 대략 1 ~ 4 ppma 미만의 포함도, (c). 대략 1 ppma 이하의 포함도, (d). 바람직하게는 일부 제품을 위해 대략 100 ppba(parts per billionatoms) 이하의 포함도, (e). 더 바람직하게는 일부 제품을 위해 대략 1 ppba 이하의 포함도를 하나 이상 구비할 수 있다. (f). 더 바람직하게는 일부 제품을 위해 대략 1 내지 10-50 ppba 이하의 포함도의 범위중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비할 수 있다, (g). 더 바람직하게는 일부 제품을 위해 대략 1 내지 10-50 ppmv(parts per million by volume) 이하의 포함도의 범위중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비할 수 있다, (h). 더 바람직하게는 일부 제품을 위해 대략 1 내지 10-50 ppbv(parts per billion by volume) 이하의 포함도의 범위중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비할 수 있다,In one embodiment of the present invention, (a) at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge or a particle having a charge is selected. Including less than 4 to 20 ppma (parts per million atoms), (b). An inclusion of less than about 1 to less than 4 ppma per million atoms, (c). Including less than about 1 ppma, (d). (E) an inclusion angle of not more than about 100 ppba (parts per billion atoms), preferably for some products; More preferably at least about 1 ppba inclusions for some products. (f). (G) more preferably at least one selected from the range of inclusions below about 1 to 10 -50 ppba for some products. More preferably, the selected at least one of about 1 to about 10 -50 ppmv (parts per million by volume) in the range it includes the following can be provided with one or more for some products, (h). More preferably, the selected at least one of about 1 to about 10 -50 ppbv (parts per billion by volume) range includes the following can be provided with one or more for some products,
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 a. 적어도 하나이상 매끄러운 표면을 하나 이상 구비하며, b. 바람직하게는 하나 이상의 10 나노미터 미만의 평균 표면 위치에서 편차를 하나 이상 구비하며, c. 더 바람직하게는 일부 제품을 위해 하나 이상의 1 Augstrom 미만의 평균 표면 위치에서 편차를 하나 이상 구비하며, 로 구성되는 상기 a 내지 c 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비한다. In one embodiment of the present invention, at least one graphene is provided underneath which is selected from at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a particle having a charge, Abnormal bending deformation, position movement, or the like is selected a. At least one smooth surface; b. Preferably one or more deviations at an average surface location of less than one ten nanometers, c. More preferably at least one deviation from an average surface position of less than 1 Augstrom for some products, and at least one selected from the above a to c consisting of.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 하나 이상의 버클링 변형, 맴브레인 변형, 굽힘 변형 중 하나 이상 선택되는 하나 이상의 변형을 하나 이상 구비한다. In one embodiment of the present invention, at least one graphene is provided underneath which is selected from at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a particle having a charge, At least one of at least one of ideal bending deformation, position deformation, and so on is selected from one or more of at least one of buckling deformation, membrane deformation, and bending deformation.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 하나 이상의 사인파, 스퀘어파, 아리에스(Aries) 함수, 가우시안(Gaussian)파, 로렌츠형(Lorentzian)파, 주기적인파, 비주기적인파, 중 하나 이상 선택되는 파 형태를 구비할 수 있다. In one embodiment of the present invention, at least one graphene is provided underneath which is selected from at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a particle having a charge, A bending deformation, and a position movement may be selected from one or more of at least one sine wave, a square wave, an Aries function, a Gaussian wave, a Lorentzian wave, a periodic wave, Wave form.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 그래핀 및 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것은 나노결정과 같은 "상향식" 공정 기술에 의해 생성된 반도체 재료 기반 장치에 관한 강화된 신뢰성을 보이는 기능적인 장치의 제조를 용이하게 하는 공정 플랫폼을 하나 이상 구비하여 하나 이상 제조할 수 있다. 더하여 상기 신뢰성은 확장된 작동 기간에 걸쳐 우수한 전자 특성을 보이기 위한 기능적인 장치의 성능을 나타내고, 본 발명의 방법 및 조성을 사용하여 제조된 장치의 총체의 전기적 특성에 관한 각각에 대한(piece-to-piece) 획일성을 나타낼 수 있다. In one embodiment of the invention, one or more of graphene and one or more Piezo materials, graphene with Piezo characteristics, magnetic particles, particles with charge, or particles with charge are selected, One or more process platforms may be fabricated with one or more process platforms that facilitate the fabrication of functional devices that exhibit enhanced reliability with respect to semiconductor material-based devices produced by " bottom-up " In addition, the reliability is indicative of the performance of functional devices to exhibit good electronic properties over extended operating periods, and is based on a piece-to-piece design of the overall electrical characteristics of devices manufactured using the methods and compositions of the present invention. piece) uniformity.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 a. 하나 이상 물리적으로 접촉하지 않고(즉, 오버랩되지 않는), 하나 이상의 제1 및 제2 전극과 전기적으로 하나 이상 접촉하는 구성, b. 하나 이상 물리적으로 접촉하고, 하나 이상의 제1 및 제2 전극과 전기적으로 하나 이상 접촉하는 구성, c. 하나 이상의 전기적인 접촉, 로 구성되는 상기 a 내지 c 중 하나 이상 선택되는 것으로 이해될 수 있다. In one embodiment of the present invention, at least one graphene is provided underneath which is selected from at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a particle having a charge, Abnormal bending deformation, position movement, or the like is selected a. A configuration in which one or more electrodes are physically in contact (i.e., not overlapped) and electrically one or more contacts with at least one of the first and second electrodes; b. At least one physical contact and at least one electrical contact with at least one of the first and second electrodes, c. And one or more of the above-mentioned a to c composed of one or more electrical contacts.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 하나 이상의 기울기를 구비하는 형태로 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것으로 이해되어 질 수 있다. In one embodiment of the present invention, at least one graphene is provided underneath which is selected from at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a particle having a charge, It is understood that at least one of the ideal bending deformation and the position shifting is selected so that at least one of graphene and bending deformation and position shifting is selected in a form having at least one inclination.
본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터는 a. 그래핀의 굴곡지는 특성을 이용하여 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것을 그래핀의 하단부에 하나 이상 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하되, b. 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절, 하나 이상의 Fermi level을 하나 이상 조절, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다. 상기 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터는 CPU, 메모리, 반도체 집적회로, 마이크로프로세서, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것에 하나 이상 1차원적, 2차원적, 3차원적, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비될 수 있다. In one embodiment of the present invention, a transistor that regulates one or more work functions using one or more of bending, locating, graphene, By using the bending characteristic of graphene, one or more Piezo material, graphen having Piezo characteristic, magnetic particle, charged particle, or charged particle can be selected by using one or more at the lower end of graphene, Due to the electrostatic level of the barrier-regulating circuit, one or more of the Piezo-materials, graphene with Piezo characteristics, magnetic particles, particles with charge, or charged particles are selected, , And position movement, one or more of which may be selected. B. A transistor having one or more of the at least one Fermi level, and at least one of the at least one Fermi level being at least one of a Schottky barrier and a Schottky barrier. A transistor for controlling at least one work function using at least one of bending and position shifting of graphene may be selected from one or more of a CPU, a memory, a semiconductor integrated circuit, and a microprocessor At least one or more of one-dimensional, two-dimensional, or three-dimensional can be selected.
본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터는 CPU, 메모리, 반도체 집적회로, 마이크로프로세서, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것에 하나 이상 1차원적, 2차원적, 3차원적, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비될 수 있다. In one embodiment of the present invention, a transistor that controls one or more work functions using one or more of bending, position shifting, etc. of graphene is selected from a CPU, a memory, a semiconductor integrated circuit, and a microprocessor Dimensional, two-dimensional, or three-dimensional, one or more of which may be selected from one or more of the two or more selected from among the one or more.
본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터는 a. 그래핀의 굴곡지는 특성을 이용하여 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것을 그래핀의 하단부에 하나 이상 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하되, b. 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절, 하나 이상의 Fermi level을 하나 이상 조절, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절, 하나 이상의 Fermi level을 하나 이상 조절, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것이 구비되어 있는 상태에서 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절, 하나 이상의 Fermi level을 하나 이상 조절, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것이 구비되는 것을 의미할 수 있다. 덧붙여 설명하자면 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 Work function을 하나 이상 조절하는데 있어서 도움을 주는것으로 해석될 수 있다. In one embodiment of the present invention, a transistor that regulates one or more work functions using one or more of bending, locating, graphene, By using the bending characteristic of graphene, one or more Piezo material, graphen having Piezo characteristic, magnetic particle, charged particle, or charged particle can be selected by using one or more at the lower end of graphene, Due to the electrostatic level of the barrier-regulating circuit, one or more of the Piezo-materials, graphene with Piezo characteristics, magnetic particles, particles with charge, or charged particles are selected, , And position movement, one or more of which may be selected. B. Having at least one selected from the group consisting of at least one height adjustment of a Schottky barrier, at least one adjustment of one or more Fermi levels, or the like, may include adjusting the height of one or more Schottky Barriers to one or more One or more gravitational bending deformation, one or more gravitational bending deformation, one or more gravitational deformation, one or more gravitational bending deformation, A Schottky barrier), one or more Fermi levels, or one or more of the Fermi levels. In addition, the choice of one or more of Piezo material, graphene with Piezo characteristics, magnetic particles, charged particles, or charged particles can be interpreted as helping to control more than one work function have.
본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터는 a. 그래핀의 굴곡지는 특성을 이용하여 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것을 그래핀의 하단부에 하나 이상 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 것은 Fermi-level pinning이 고려되어 설계되어 질 수 있다. In one embodiment of the present invention, a transistor that regulates one or more work functions using one or more of bending, locating, graphene, By using the bending characteristic of graphene, one or more Piezo material, graphen having Piezo characteristic, magnetic particle, charged particle, or charged particle can be selected by using one or more at the lower end of graphene, Due to the electrostatic level of the barrier-regulating circuit, one or more of the Piezo-materials, graphene with Piezo characteristics, magnetic particles, particles with charge, or charged particles are selected, , Position shifting, and one or more of the at least one work function can be designed with Fermi-level pinning in mind.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비할때 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것은 하나 이상의 그래핀과 하나 이상의 접촉각(Contect Angle)로서 설명되어 질 수 있다. 중요한 요점은 그래핀과 접촉각(Contect Angle)을 하나 이상 구비하면서, 이것으로 인하여 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level, 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것으로 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다는 점이다. 본 발명의 한 실시예에서, 자성입자가 점 접촉, 면 접촉, 날카로운 접촉, 둥근면접촉, 날카로운면접촉, ,규칙적인 형태의 점접촉, 불규칙적인 형태의 점접촉, 규칙적인 형태의 선접촉, 불규칙적인 형태의 선접촉, 규칙적인 형태의 면접촉, 불규칙적인 형태의 면접촉, 규칙적인 형태의 접촉, 불규칙적인 형태의 접촉, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것으로 이해되어 질 수 있음이다. 본 발명의 한 실시예에서, 상기 하나 이상의 그래핀과 하나 이상의 접촉각(Contect Angle)은 나노단위에서의 하나 이상의 접촉각(Contect Angle)을 의미한다. In one embodiment of the present invention, at least one graphene is provided underneath which is selected from at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a particle having a charge, One or more Piezo materials, graphenes having a Piezo characteristic, magnetic particles, particles having electric charges, or particles having electric charges are selected so that at least one of Piezoelectric material, At least one piezoelectric material, Atomic bending deformation, Can be described as one or more contact angles with the graphene (Contect Angle). An important point is to have more than one work function by having more than one contine angle with the graphene, thereby adjusting one or more of the heights of one or more of the Schottky Barrier, Fermi level, And one or more transistors for regulating. In one embodiment of the present invention, the magnetic particles are selected from the group consisting of point contact, surface contact, sharp contact, round face contact, sharp face contact, regular contact point contact, irregular contact point contact, One or more graphenes may be bent or deformed by one or more of the following: irregularly shaped line contact, regularly shaped surface contact, irregularly shaped surface contact, regularly shaped contact, irregularly shaped contact, And / or one or more of the following conditions may be selected. In one embodiment of the present invention, the at least one graphene and one or more contact angles (Contect Angle) refer to one or more contact angles in the nano unit.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 연속체 역학으로서 설명될 수 있다. 본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 코시 탄성체로서 설명되어 질 수 있다. In one embodiment of the present invention, at least one graphene is provided underneath which is selected from at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a particle having a charge, Ideal bending deformation, position shifting, or the like can be described as continuum dynamics. In one embodiment of the present invention, at least one graphene is provided underneath which is selected from at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a particle having a charge, An ideal bending deformation, a position shift, or the like can be described as a co-elastic material.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 탄성을 구비하며 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것으로 의미될 수 있으며, 탄성(elasticity)이란 물체에 가해진 힘이 사라졌을 때 물체가 원래의 모양으로 복구되고자 하는 성질이다. In one embodiment of the present invention, at least one graphene is provided underneath which is selected from at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a particle having a charge, (Bending deformation), and / or position shifting can be defined as having elasticity and having at least one of bending deformation and position shifting selected, and the elasticity means that the elasticity When the force disappears, the object is going to be restored to its original shape.
본 발명의 한 실시예에서, 연속체 역학은 더 작은 요소로 무한히 나누어도 그 각각의 요소가 원래의 전체로서의 물질의 성질을 그대로 유지한다고 가정하는 연속체의 개념을 기반으로 한다. 실제로 물질은 연속적인 것이 아니라 원자로 이루어져 있다는 점, 그래서 불균일한 미시 구조를 갖고 있다는 점은 무시된다. 본 발명의 한 실시예에서, 연속체에서는 물체 내에 물질이 균일하게 분포되어 있고, 물체가 차지한 공간을 완전히 꽉 채우고 있으며, 따라서 에너지나 운동량 등의 물리량들이 극소 극한에서도 그대로 유지된다고 가정한다. 본 발명의 한 실시예에서, 연속체 역학에서는 본 발명을 설명하는데에 미분 방정식을 사용할 수 있다. In one embodiment of the present invention, continuum mechanics is based on the concept of a continuum assuming that each element retains the properties of the material as a whole as it is, even though it is infinitely divided into smaller elements. In fact, it is ignored that the material is composed of atoms, not continuous, and thus has a heterogeneous microstructure. In one embodiment of the present invention, it is assumed that the continuum is uniformly distributed in the object, completely occupies the space occupied by the object, and thus the physical quantities such as energy and momentum are maintained at the minimum. In one embodiment of the present invention, continuum mechanics can use differential equations to describe the present invention.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는데 있어서, 도면에서 보았을때 하부라 표현하였지만 본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 그래핀의 상부에 하나 이상 구비되어 그래핀이 하부로 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비할 수 있다. 이는 본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 그래핀의 측면에 하나 이상 구비되어 그래핀이 하부로 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비할 수 있다. 따라서, 본 발명에서 하부에 구비되는 것으로 표현하는 것은 상부나 측면에 구비되는 것을 포함하는 의미로 해석될 수 있으며, 중요한 요점은 그래핀이 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것이다. In one embodiment of the present invention, at least one graphene is provided underneath which is selected from at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a particle having a charge, The bending deformation, and the position movement. In the embodiment of the present invention, one or more graphenes are provided on the upper portion of the graphene, Abnormal bending deformation, positional displacement, or the like. In one embodiment of the present invention, one or more graphenes may be provided on one side of the graphene, and one or more graphenes may be selected from among at least one of bending deformation, positioning, and the like. Therefore, it should be understood that the expression 'being provided at the bottom' in the present invention may be interpreted to mean that it is provided at the upper portion or the side portion, and the important point is that at least one of graphene is selected from at least one of bending deformation, .
본 발명의 한 실시형태에서,그래핀의 Bending, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터는 (Ⅰ). 하나 이상의 가공, 증착, 스퍼터증착, 음극 아크 증착, 전자빔 물리 기상 증착, 증발 증착, 펄스 레이저 증착, 진동증착, 마스크, 광학적필터, 마스킹, 에칭, 패터닝, 측면 패터닝, 한 방향 이상의 패터닝, 전사, 전이, 재생, 오버레이(over lay), 전자기 방사, 프린팅, 3D Print, 샘플회전, 기울기, Gradient, 산화, 롤러, 주조, 인쇄, 캐스팅, 경화, 응고, 부유, 발열체사용, 프레싱, 롤 프레싱, 연마, 예비 변형, 트렌치(trench)의 시리즈, 큐어링, 몰딩, 회로를들어올림, 혼합, 채움, 반데르발스 결합, 봉지화, METAL, CLEAN, IMP, DIFF, PHOTO, CVD, CMP, DEPOSITION, ANNEALING, WET, 식각, 반도체 용융블로잉 방사, 반도체 전기방사, 반도체 일렉트로브로운방사, 반도체 부직포를 하나 이상 제조하는 방사법, 방사를 이용한 반도체 나노섬유 제조기술, 반도체 나노섬유 웹 방사제조기술, 반도체 극세 섬유 부직포 제조기술, 반도체 초극세 나노섬유 부직포 제조기술, 반도체 섬유 웹 제조기술, 반도체 초극세 나노섬유 웹 제조기술, 반도체 극세 섬유 웹 제조기술, 반도체 플래시 방사 제조기술, 반도체 정전 방사제조기술, 반도체 멜트브로운 방사제조기술, 레이저, 용접, 응축, FUSI, 이중확산, packaging, Bangding Wire, Wide Square, Analog Pond, Digital Area, Wire Bonding, Bonding, Soldering, wave Soldering, BRAZING, Manual Soldering, 융착, 리프트오프(lift off), 물질 성장, 도핑, 코팅, 증발, 담금, 금속증발, 용융, 분말코팅, 함침, 젤화, 필터, 절단, 용해, 세척, 건조, 전처리, 포토리소그래피, 리소그래피, 리토그라피, 광학적 리토그라피, 형상식각, 금속증착, 절연막 형성, 선택적 식각, 마스크를 사용하지 않는 전자빔 리토그라피, FIB(focused-ion-beam)공정, 제거, HMDS, BOE, 스핀-온-도판트, PECVD, RIE, 피라나처리, HF, 스핀코팅, 자외선오존처리, PR패턴, PR제거, 아세톤세척, 에탄올세척, 융합, UVO처리, 배열제조, 전자빔, 이온빔, 성형, 초음파, 빛, 노광, 광, 집광, 램프, 레이저 파동 시리즈(광핀셋)로 위치이동, 리플로우(reflow), 현상, 플라즈마, 접착, 정전기력, 자기력, 정자기력, 음파, 압착, 압축, 전자파, 변형, 고주파, 침투, 확산, 산란, 분리, 분해, 화학적활성, 분열, 노출, 가열, 흡수, 방출, 냉각, 균열, 이용, 하나 이상의 고정 및 지지 구조(fixture), 비결합, 결합, 분사, 부착, 접촉, 밀착, 메니스커스원리, 박리, DNA사슬접기, 배열, 배치, 합성, 연결, 적층, 형상만들기, 조립, 음각, 양각, 조합, 형태변형, 위치시킴, 조직화, 조합, 교차, 근접, 밀접, 밀착, 통과, 공급, 패턴, 집적, 부각, 위치결정공정, 용액 인쇄, 제조 단계로부터 개별한 제조 단계에서 실시될 공간적으로 제어된 도핑과 같은 반도체 공정의 사실상 어떠한 유형, 중 선택되는 것으로 구성되는 것은 각각의 선택되는 방법이 하나 이상 규칙적, 불규칙적, 균일, 불균일, 다공성 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 1차원적, 2차원적, 3차원적, n차원적 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비, 포함, 동일, 비동일, 전체적, 부분적, 방향, 역방향, 지속적, 비지속적, 조합, set theory, Combinatorics, equation, function, Sequence, Set, Geometry, Group, scalar, vector, Tensor, Dimensional analysis, formulation, 변화, 변환, 조절 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비되는 각각의 선택되는 하나 이상의 방법(예를들어, 상기 집적은 하나 이상의 동일한, 상이한 중 하나 이상 선택되는 특성을 하나 이상 규칙적, 불규칙적, 균일, 불균일, 다공성 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 1차원적, 2차원적, 3차원적, n차원적 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비, 포함, 동일, 비동일, 전체적, 부분적, 방향, 역방향, 지속적, 비지속적, 조합, set theory, Combinatorics, equation, function, Sequence, Set, Geometry, Group, scalar, vector, Tensor, Dimensional analysis, formulation, 변화, 변환, 조절 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비하는 집적)을 의미하되, Ⅰ. (a) 하나 이상 1차원적, 2차원적, 3차원적, n차원적 중 하나 이상 선택되는 것으로, (b) 한 방향 이상에서, (c) 하나 이상 지속적, 비지속적 중 하나 이상 선택되는 것으로, (d) 하나 이상 전체적, 부분적 중 하나 이상 선택되는 것으로, (e) 하나 이상 규칙적, 불규칙적, 균일, 불균일, 다공성 중 하나 이상 선택되는 것으로, 로 구성되는 상기 (a) 내지 (e) 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비, 포함, 동일, 비동일, 전체적, 부분적, 방향, 역방향, 지속적, 비지속적, 조합, set theory, Combinatorics, equation, function, Sequence, Set, Geometry, Group, scalar, vector, Tensor, Dimensional analysis, formulation, 변화, 변환, 조절 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비되며, Ⅱ. 상기 Ⅰ 에서 (a) 내지 (e) 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비, 포함, 동일, 비동일, 전체적, 부분적, 방향, 역방향, 지속적, 비지속적, 조합, set theory, Combinatorics, equation, function, Sequence, Set, Geometry, Group, scalar, vector, Tensor, Dimensional analysis, formulation, 변화, 변환, 조절 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비하되, ⓐ. 상기 각각의 선택되는 하나 이상의 방법은 제조 단계로부터 개별한 제조 단계에서 실시될 공간적으로 제어된 도핑과 같은 반도체 공정의 사실상 어떠한 유형도 하나 이상 구비, 포함, 동일, 비동일, 전체적, 부분적, 방향, 역방향, 지속적, 비지속적, 조합, set theory, Combinatorics, equation, function, Sequence, Set, Geometry, Group, scalar, vector, Tensor, Dimensional analysis, formulation, 변화, 변환, 조절 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하는 하나 이상의 공정의 하나 이상의 공간적으로 제어되는 특성, ⓑ. 상기 각각의 선택되는 하나 이상의 방법의 지속시간, ⓒ. 상기 각각의 선택되는 하나 이상의 방법이 적용되는 환경의 온도, ⓓ. 상기 각각의 선택되는 하나 이상의 방법이 적용되는 환경의 압력, ⓔ. 상기 각각의 선택되는 하나 이상의 방법이 적용되는 환경의 전력, ⓕ. 상기 각각의 선택되는 하나 이상의 방법이 적용되는 환경의 기체, 액체, 고체 중 하나 이상 선택되는 것의 농도, ⓖ. 상기 각각의 선택되는 하나 이상의 방법이 적용되는 공간, ⓗ. 상기 ⓐ 내지 ⓖ 중 하나 이상 선택되는 것이 상기 (a) 내지 (e) 중 하나 이상 선택되는 것에 하나 이상 규칙적, 불규칙적, 균일, 불균일, 다공성 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비, 포함, 동일, 비동일, 전체적, 부분적, 방향, 역방향, 지속적, 비지속적, 조합, set theory, Combinatorics, equation, function, Sequence, Set, Geometry, Group, scalar, vector, Tensor, Dimensional analysis, formulation, 변화, 변환, 조절 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비되는 단계, (Ⅱ). 상기 (Ⅰ) 에서 하나 이상 선택된 방법을 하나 이상 구비, 포함, 동일, 비동일, 전체적, 부분적, 방향, 역방향, 지속적, 비지속적, 조합, set theory, Combinatorics, equation, function, Sequence, Set, Geometry, Group, scalar, vector, Tensor, Dimensional analysis, formulation, 변화, 변환, 조절 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비하여, ①. 하나 이상 1차원적, 2차원적, 3차원적, n차원적 중 하나 이상 선택되는 것으로, ②. 한 방향 이상에서, ③. 하나 이상 지속적, 비지속적 중 하나 이상 선택되는 것으로, ④. 하나 이상 전체적, 부분적 중 하나 이상 선택되는 것으로, ⑤. 하나 이상 규칙적, 불규칙적, 균일, 불균일, 다공성 중 하나 이상 선택되는 것으로, 로 구성되는 상기 ① 내지 ⑤ 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비, 포함, 동일, 비동일, 전체적, 부분적, 방향, 역방향, 지속적, 비지속적, 조합, set theory, Combinatorics, equation, function, Sequence, Set, Geometry, Group, scalar, vector, Tensor, Dimensional analysis, formulation, 변화, 변환, 조절 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비되되, 하나 이상 규칙적, 불규칙적, 균일, 불균일, 다공성 중 하나 이상 선택된 특성을 하나 이상 구비되는 것; 을 특징으로 한다. In one embodiment of the present invention, a transistor (I) that modulates one or more work functions using at least one of bending, locating, and graphene selection. One or more processing, deposition, sputter deposition, cathodic arc deposition, electron beam physical vapor deposition, evaporation deposition, pulsed laser deposition, vibration deposition, mask, optical filter, masking, etching, patterning, lateral patterning, patterning over one direction, , Overlay, electromagnetic radiation, printing, 3D printing, sample rotation, tilt, gradient, oxidation, roller, casting, printing, casting, curing, coagulation, floating, use of heating elements, pressing, roll pressing, polishing, DIFF, PHOTO, CVD, CMP, DEPOSITION, ANNEALING, CMP, DEPOSITION, ANNEALING, CMP, DEPOSITION, ANNEALING, Wet, Etching, Semiconductor melt blowing, Semiconductor electrospinning, Semiconducting electrobond spinning, Spinning to manufacture more than one semiconductor nonwoven fabric, Semiconductor nanofiber manufacturing technology using spinning, Semiconductor nanofiber web spinning manufacturing technology, Semiconductor pole Semiconductor nonwoven fabric manufacturing technology, semiconductor microfibrous nonwoven fabric manufacturing technology, semiconductor fiber web manufacturing technology, semiconductor microfine nanofiber web manufacturing technology, semiconductor microfibrous web manufacturing technology, semiconductor flash spinning manufacturing technology, semiconductor static spinning manufacturing technology, semiconductor meltblown Laser manufacturing, Laser welding, Condensation, FUSI, Double diffusion, Packaging, Banging wire, Wide square, Analog pond, Digital area, Wire bonding, Bonding, Soldering, Wave soldering, BRAZING, Manual soldering, a photolithography, a lithography, an optical lithography, a photolithography, a photolithography, a photolithography, a photolithography, a photolithography, a photolithography, Electron beam lithography without a mask, focused-ion-beam (FIB) process, removal, HMDS, BOE, spin-on-dopant, PECV D, RIE, Piranha treatment, HF, spin coating, ultraviolet ozone treatment, PR pattern, PR removal, acetone cleaning, ethanol washing, fusion, UVO treatment, array manufacturing, electron beam, ion beam, molding, ultrasonic, , Refraction, development, plasma, adhesion, electrostatic force, magnetic force, sperm energy, sound wave, compression, compression, electromagnetic wave, transformation, high frequency, penetration, spreading , Scattering, separation, decomposition, chemical activity, fragmentation, exposure, heating, absorbing, releasing, cooling, cracking, using one or more fixing and supporting fixtures, non-bonding, bonding, DNA chain folding, arrangement, arrangement, synthesis, connection, lamination, forming, assembly, engraving, embossing, combination, morphological transformation, positioning, organization, combination, intersection, close, close, close, pass , The supply, the pattern, the integration, the relief, the positioning process, the solution printing, Substantially any type of semiconductor process, such as spatially controlled doping, may be performed by selecting one or more of one or more of regular, irregular, uniform, heterogeneous, , Set, theory, Combinatorics, Equation, Equation, Equation, Equality, Non-uniform, Whole, Partial, Direction, Reverse, Continuous, Non-Continuous, Combination, one or more selected at least one method selected from at least one of a function, a sequence, a set, a geometry, a group, a scalar, a vector, a tensor, a dimensional analysis, a formulation, The integration may be performed by selecting one or more of at least one of the same, different, or at least one of the selected properties of regular, irregular, uniform, heterogeneous, porous The same, non-identical, total, partial, directional, reverse, continuous, non-continuous combination of at least one selected from one or more one dimensional, two dimensional, three dimensional, which consists of at least one selected from the set theory, the Combinatorics, the equation, the function, the Sequence, the Set, the Geometry, the Group, the scalar, the vector, the Tensor, the Dimensional analysis, . (a) one or more selected from one or more dimensions, two-dimensional, three-dimensional or n-dimensional, (b) one or more directions, (c) one or more continuous or non- (e) one or more of (a) to (e) consisting of at least one of (a) at least one of Set theory, Combinatorics, equation, function, Sequence, Set, Geometry, Group, scalar, vector, and more. , Tensor, Dimensional analysis, formulation, change, transformation, and control. Ⅱ. Equation (1) includes at least one of (a) to (e) above, and includes at least one of the same, non-identical, total, partial, directional, reverse, continuous, non-continuous combination, set theory, Combinatorics, equation, function Ⓐ One or more of the following can be selected: Sequence, Set, Geometry, Group, Scalar, Vector, Tensor, Dimensional analysis, formulation, Each of the one or more methods selected may include one or more of substantially any type of semiconductor process, such as spatially controlled doping, to be performed in a separate fabrication step from the fabrication step, the same, non-identical, overall, One or more of the following can be selected: at least one of reverse, continuous, non-continuous, combination, set theory, Combinatorics, equation, function, Sequence, Set, Geometry, Group, scalar, vector, Tensor, One or more spatially controlled properties of one or more processes to be provided; The duration of each of said one or more methods selected, ⓒ. The temperature of the environment to which each of the at least one selected method is applied; The pressure of the environment to which each of the above selected one or more methods applies; The power of the environment to which each of the selected one or more methods is applied; The concentration of one or more of the gases, liquids, and solids in the environment to which each of the selected methods is applied; A space to which each of the selected one or more methods is applied; At least one of (a) to (e) is selected from one or more of the above (a) to (e), and at least one of regular, irregular, uniform, Set theory, Combinatorics, Equation, Function, Sequence, Set, Geometry, Group, Scalar, Vector, Tensor, Dimensional analysis, formulation, Change, Transformation, Adjustment At least one of which is selected, (II). Equation (1) includes at least one method selected from the above (I), including the same, non-identical, whole, partial, direction, reverse, continuous, non-persistent, combination, set theory, Combinatorics, equation, function, Sequence, Set, Geometry One or more selected from the group, scalar, vector, tensor, dimensional analysis, formulation, change, transformation, and adjustment. One or more one dimensional, two dimensional, three dimensional, or n dimensional. In more than one direction, ③. One or more of the persistent, non-persistent, or more than one is selected. ⑤ More than one of the whole or partial is selected. At least one selected from the group consisting of at least one of regular, irregular, uniform, irregular, and porous is selected from at least one of the above-mentioned (1) to (5) One or more of at least one of continuous, non-continuous, combination, set theory, Combinatorics, equation, function, Sequence, Set, Geometry, Group, scalar, vector, Tensor, Dimensional analysis, formulation, One or more selected features of one or more of regular, irregular, uniform, non-uniform, porous; .
본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것이 상부에 덮여진 그래핀을 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것을 일으켜 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것이 가해진 그래핀이 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level, 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것은 shockley equation으로 설명되어 질 수 있다. In one embodiment of the present invention, graphene having one or more Piezo materials, graphene having Piezo characteristics, magnetic particles, particles having charge, or charged particles, , One or more of which may be selected from one or more of the following: a bending deformation, a position shift, or the like, wherein the graphene is subjected to at least one of a Schottky barrier, a Fermi level, Can be explained.
본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 그래핀을 상부에 교차되어 지나가는 장벽조정용인 교차회로의 정전기적인 준위로 인하여, 하나 이상 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것을 일으켜 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것이 가해진 그래핀이 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level, 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것은 shockley equation으로 설명되어 질 수 있다. In one embodiment of the present invention, at least one of bending deformation and position movement is selected due to the electrostatic level of the crossing circuit for adjusting the barrier crossing over the at least one graphene, One or more of the selected graphenes can be described as a shockley equation for adjusting one or more of the height of one or more selected Schottky Barrier, Fermi level, or more.
본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 그래핀을 상부에 교차되어 지나가는 장벽조정용인 교차회로의 정전기적인 준위로 인하여, 하나 이상 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것을 일으켜 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것이 가해진 그래핀이 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level, 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하여 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비할 수 있다. In one embodiment of the present invention, at least one of bending deformation and position movement is selected due to the electrostatic level of the crossing circuit for adjusting the barrier crossing over the at least one graphene, At least one selected graphene may have transistors that control one or more of the at least one work function by adjusting one or more of the height of one or more of a Schottky barrier, a Fermi level, and the like.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀의 상부에 반도체, 부도체, 접착물질, 엘라스토머, 중 하나 이상 선택되는 것이 구비되는 다층상태에서, 상기 그래핀의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것이 구비되어, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level, 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것으로 하나 이상의 Work function을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 구비한다. 이는 도면에서 접착물질, 엘라스토머, 반도체, 부도체, 중 하나 이상 선택되는 것이 통로로 이어지는 것을 의미할 수 있다. 본 발명의 한 실시예에서, 본 발명의 도면 300은 다층상태의 300을 의미할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the upper portion of one or more graphenes, where one or more of the Piezo material, graphene with Piezo characteristics, magnetic particles, particles with charge, or charged particles, Wherein at least one of a bending deformation and a movement of the graphene is selected in a multi-layer state in which at least one selected from a semiconductor, an insulator, an adhesive material, and an elastomer is provided, and at least one Schottky barrier, Fermi level, one or more work functions by adjusting one or more of the selected height. This may mean that in the figure one or more of the adhesive material, elastomer, semiconductor, nonconductor, is selected leading to the passage. In one embodiment of the present invention, Figure 300 of the present invention may mean 300 in a multi-layered state.
본 발명의 한 실시형태에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것이 상부에 덮여진 그래핀을 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것을 일으켜 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것이 가해진 그래핀이 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level, 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것에서, Fermi level은 a. 페르미 레벨보다 높은 곳에 state와 전자를 동시에 공급해주면 페르미 레벨은 올라간다. b. state와 전자를 동시에 제공한다. C. 결정의 공간적인 왜곡, d. 결정의 공간적으로 왜곡시키되 state와 전자를 동시에 제공한다, 으로 구성되는 a 내지 d 로 구성되는 것 을 하나 이상 구비한다.In one embodiment of the present invention, graphene having one or more Piezo materials, graphene having Piezo characteristics, magnetic particles, particles having charge, or charged particles, In which at least one of the bending deformation and the position shifting is selected so that the applied graphene is at least one of a Schottky barrier, a Fermi level, A. The Fermi level is raised if the state and the electron are supplied at a higher level than the Fermi level. b. state and electrons simultaneously. C. Spatial distortion of crystals, d. And a to d composed of spatially distorting the crystal, and simultaneously providing the state and the electron.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 a. 적어도 하나이상 매끄러운 표면을 하나 이상 구비하며, b. 바람직하게는 하나 이상의 100 나노미터 미만의 평균 표면 위치에서 편차를 하나 이상 구비하며, c. 바람직하게는 하나 이상의 1 나노미터 미만의 평균 표면 위치에서 편차를 하나 이상 구비하며, d. 더 바람직하게는 일부 제품을 위해 하나 이상의 1 Augstrom 미만의 평균 표면 위치에서 편차를 하나 이상 구비하며, 로 구성되는 상기 a 내지 d 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비한다.In one embodiment of the present invention, at least one graphene is provided underneath which is selected from at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a particle having a charge, Abnormal bending deformation, position movement, or the like is selected a. At least one smooth surface; b. Preferably at least one deviation at an average surface location of less than one hundred nanometers, c. Preferably at least one deviation at an average surface position of less than 1 nanometer, d. More preferably one or more deviations at an average surface position of less than 1 Augstrom for some products, and at least one selected from the above a to d constituted by.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 하나 이상의 그래핀의 탄성을 구비한다. 상기 탄성은 그래핀의 고유한 성질이며, 상기 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것이 구비된 이후 그래핀의 형태변형이 되돌아 오는 것으로 의미될 수 있다. In one embodiment of the present invention, at least one graphene is provided underneath which is selected from at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a particle having a charge, An ideal bending deformation, a position shift, or the like, is provided with elasticity of at least one graphene. The elasticity is an intrinsic property of graphene, and it can be said that the shape deformation of graphene is returned after the at least one of the at least one bending deformation and the position movement is selected.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 접촉 면적을 증가시키는 표면 구조를 하나 이상 규칙적, 불규칙적, 균일, 불균일, 다공성 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 1차원적, 2차원적, 3차원적, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비한다. 본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 "표면 구조(Surface texture)"는 증가된 표면 영역에 작용상 나타나는 어떠한 기술, 기능, 작용, 작동, 형태, 특징을 총칭하여 사용할 수 있다. 본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 "표면 구조(Surface texture)"는 내적, 외적 중 하나 이상 선택되는 것으로 돌출 형상(relief feature) 또는 또 다른 표면 거칠기(surface roughness)를 하나 이상 구비할 수 있다. In one embodiment of the present invention, at least one graphene is provided underneath which is selected from at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a particle having a charge, The bending deformation and the position movement are selected from at least one of a surface structure increasing the contact area, at least one of regular, irregular, uniform, nonuniform, and porous, one or more one dimensional, two dimensional, three dimensional One or more selected from among the following. In one embodiment of the present invention, one or more "surface texture" can be used generically to refer to any technique, function, action, action, form, or characteristic that occurs operationally in an increased surface area. In one embodiment of the present invention, one or more "Surface texture" may be one or more of internal or external, and may include one or more of a relief feature or another surface roughness .
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 하나 이상의 표면 거칠기(surface roughness)를 구비한다. 본 발명의 한 실시예에서, 표면 거칠기(surface roughness)는, (a). 100 nm rms 이하의 하나 이상 선택되는 범위, (b). 10 nm rms 이하의 하나 이상 선택되는 범위, (c). 1 nm rms 이하의 하나 이상 선택되는 범위, (d). 0.1 nm rms 이하의 하나 이상 선택되는 범위, 로 구성되는 상기 (a) 내지 (d) 중 하나 이상 선택되는 것을 구비한다. In one embodiment of the present invention, at least one graphene is provided underneath which is selected from at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a particle having a charge, At least one selected from abnormal bending deformation, position shifting, and the like has at least one surface roughness. In one embodiment of the present invention, the surface roughness is defined as (a). 100 nm rms or less, (b). 10 nm rms or less, (c). 1 nm rms or less, (d). 0.1 nm rms or less; and (a) to (d).
본 발명의 한 실시예에서, 영률은 0.1 MPa 이상과 5 MPa 사이, 100 Mpa 이하, 하나 이상의 5 MPa 이상, 1 MPa 이상, 로 구성되는 영률을 하나 이상 구비한다. 본 발명의 한 실시예에서, 영률은 그래핀 또는 그래핀과 상부에 구비되는 다층형태에서 영률을 의미할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the Young's modulus comprises at least one Young's modulus comprised between 0.1 MPa and 5 MPa, 100 MPa or less, at least 5 MPa, at least 1 MPa. In one embodiment of the present invention, the Young's modulus can mean Young's modulus in a multilayered form provided on top with graphene or graphene.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 (a). 1 마이크론 이하의 횡단면, 종단면, 한 방향 이상의 단면, 단면적 중 하나 이상 선택되는 것, (b). 500 나노미터 이하의 횡단면, 종단면, 한 방향 이상의 단면, 단면적 중 하나 이상 선택되는 것, (c). 1 마이크론 이상의 횡단면, 종단면, 한 방향 이상의 단면, 단면적 중 하나 이상 선택되는 것, (d). 500 나노미터 이상의 횡단면, 종단면, 한 방향 이상의 단면, 단면적 중 하나 이상 선택되는 것, (e). 100 나노미터 이상의 횡단면, 종단면, 한 방향 이상의 단면, 단면적 중 하나 이상 선택되는 것, (f). 10 나노미터 이상의 횡단면, 종단면, 한 방향 이상의 단면, 단면적 중 하나 이상 선택되는 것, (g). 1 나노미터 이상의 횡단면, 종단면, 한 방향 이상의 단면, 단면적 중 하나 이상 선택되는 것, 로 구성되는 상기 (a) 내지 (g) 중 하나 이상 선택되는 것을 구비한다. 본 발명의 한 실시예에서, 상기 하나 이상의 물리적 치수에 한정되지 않고 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비할 수 있다. In one embodiment of the present invention, at least one graphene is provided underneath which is selected from at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a particle having a charge, (B) one or more of the following: One or more cross - sectional areas less than 1 micron, longitudinal cross - section, cross - section more than one direction, cross - sectional area, or (b). A cross section of 500 nanometers or less, a longitudinal section, a cross section of more than one direction, or a cross section; (c). One or more cross-sections of 1 micron or more, longitudinal cross-section, cross-section more than one direction, or cross-sectional area, (d). At least one of a cross section of 500 nanometers or more, a longitudinal section, a cross section of more than one direction, or a cross section is selected; (e). One or more of a cross section of 100 nanometers or more, a longitudinal section, a cross section of more than one direction, or a cross section, (f). A cross section of 10 nanometers or more, a longitudinal section, a cross section of more than one direction, or a cross section is selected, (g). (A) to (g) consisting of a cross section of 1 nm or more, a longitudinal section, a cross section of more than one direction, and a cross sectional area. In one embodiment of the present invention, it is preferable that at least one of Piezo material, Piezoelectric graphene, Magnetic particle, Charged particle, or Charged particle is selected not to be limited to one or more physical dimensions, One or more of graphene provided in the bending part may be selected from at least one of bending deformation, position shifting and the like.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀이 갖는 고유한 유연성은 종래 깨지기 쉬운 실리콘 기반의 전자 장치들에는 가능하지 않은 사용가능한 수많은 장치배열 위해 제공되는 다양한 형태로 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 구비되게 할 수 있다. 또한 공정가능한 구성재료들과 하나 이상의 그래핀과 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 구비되도록 한다. 본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것과 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀은 적은 비용으로 큰 기판영역에 전자 장치들을 제조할 수 있는 인쇄 기술로 제조 가능하다. In one embodiment of the invention, one or more graphenes having at least one selected from at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a charged particle, Unique flexibility is achieved by providing one or more Piezo materials, graphene with Piezo characteristics, magnetic particles, charged particles or charges in various forms provided for a number of usable device arrangements which are not possible with conventional fragile silicon- And at least one selected from the group consisting of a band, a particle, and the like. Also provided are processable constituent materials, at least one selected from graphene and one or more Piezo materials, graphene with Piezo characteristics, magnetic particles, charged particles, or charged particles. In one embodiment of the present invention, at least one of the selected one or more of Piezo material, graphene with Piezo characteristic, magnetic particle, charged particle or charged particle, Can be manufactured with a printing technique capable of manufacturing electronic devices in a large substrate area at a cost.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 구비하는 것은 하나 이상의 전사 프린트하는 제조방법을 하나 이상 구비하여 구비할 수 있다. In one embodiment of the present invention, at least one graphene is provided below which at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a charged particle, or a charged particle is selected May be provided with one or more manufacturing methods of one or more transfer printing.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 파괴점(failure point)을 특징짖는 하나 이상의 변형, 파괴점(failure point)을 특징짖는 하나 이상의 기계적 충격 중 하나 이상 선택되는 것과 같은 심각한 변형을 유도하지 않고 구비되는 것을 의미한다. In one embodiment of the present invention, at least one graphene is provided underneath which is selected from at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a particle having a charge, One or more of the above bending strains, position shifting, or the like may result in a severe deformation such as one or more mechanical strains selected to characterize the failure point, one or more mechanical strains that characterize the failure point, And the like.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은 (a). 변형률이 약 100%으로, (b). 변형률이 약 50% 미만으로, (c). 변형률이 약 10% 미만으로, (d). 바람직하게는 가해지는 변형률이 약 1% 미만으로, (e) 더욱 바람직하게는 가해지는 변형률이 약 0.5% 미만으로, 로 선택되는 상기 (a) 내지 (e) 중 하나 이상 선택되는 것으로, 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level, 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것으로 의미될 수 있다. In one embodiment of the present invention, at least one graphene is provided underneath which is selected from at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a particle having a charge, (B) one or more of the following: Strain is about 100%, (b). Strain less than about 50%, (c). Strain less than about 10%, (d). (A) to (e), wherein the strain to be applied is preferably selected to be less than about 1%, (e) more preferably less than about 0.5% And at least one of at least one Schottky barrier, a Fermi level, having at least one selected from at least one of bending deformation, movement of graphene, and the like.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위는 펄스형태나 테라헤르쯔, 기가헤르쯔, 등의 헤르쯔 형태로 구비될 수 있다. In one embodiment of the present invention, at least one graphene is provided underneath which is selected from at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a particle having a charge, The electrostatic levels of the crossbar barrier control circuit comprising one or more of the following: ideal bending deformation, positional movement, etc. may be provided in pulse form or in Hertz form, such as terahertz, gigahertz,
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 상기 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 간격조정하는 것으로 의미될 수 있다. In one embodiment of the present invention, at least one graphene is provided underneath which is selected from at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a particle having a charge, The ideal bending deformation, the position shifting, or the like may be referred to as spacing one or more of the graphenes.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 하나 이상 파손되지 않고 약 1% 이상, 약 10% 이상, 약 30% 이상, 약 100% 이상, 중 하나 이상 선택되는 것의 변형을 하나 이상 구비할 수 있다. In one embodiment of the present invention, at least one graphene is provided underneath which is selected from at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a particle having a charge, A bending deformation, and a position shifting can be selected from one or more of not less than about 1%, not less than about 10%, not less than about 30%, not less than about 100%, without breaking one or more Or more.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것과 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀, 그래핀 상부에 교차되어 지나가는 장벽조정회로는 본 발명에서 제시하는 제조방법으로 하나 이상 패턴화할 수 있다. In one embodiment of the present invention, one or more of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge or a charged particle, and at least one graphene provided at the bottom, The barrier regulating circuit crossing over the pin can be patterned more than once by the manufacturing method proposed in the present invention.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 하나 이상의 굽힘 역학으로 설명될 수 있으며, 상기 하나 이상의 굽힘 역학은 본 발명에서 제시, 청구하고자 하는 하나 이상의 구조의 하나 이상의 설계 및 하나 이상의 효율의 관점에 있어서 고려될 수 있다 In one embodiment of the present invention, at least one graphene is provided underneath which is selected from at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a particle having a charge, Bending deformation, position shifting, or the like, may be described in terms of one or more bending dynamics, and the one or more bending dynamics may be used to design one or more of the one or more structures to be presented and claimed in the present invention, Can be considered in terms of efficiency
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 임의의 적은 곡률반경(r)에 대한 변형이 영인 구조를 구비할 수 있다. In one embodiment of the present invention, at least one graphene is provided underneath which is selected from at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a particle having a charge, Bending deformation, position shifting, or the like can be provided that the deformation for any small radius of curvature r is zero.
본 발명의 한 실시예에서, 임의의 적은 곡률반경(r)의 하나 이상 위치한 기하학적 면에서부터 변형이 발생하는 거리(d)로서 설명되며, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 선택되는 것이 상부에 덮여진 그래핀을 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것을 일으켜 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것이 가해진 그래핀이 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level, 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것에서, 임의의 적은 곡률반경(r)의 하나 이상 위치한 기하학적 면에서부터 변형이 발생하는 거리(d)로 인하여 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi level, 중 하나 이상 선택되는 것의 높이를 하나 이상 조절하는 것으로 설명되어 진다. 본 발명의 한 실시예에서, 상기에서 설명하는 거리(d)는 효과적인 신장성 강성도를 가지는 합성보로서 설계되어질 수 있다. In one embodiment of the present invention, it is described as a distance d from which a deformation occurs from at least one geometric plane of at least one radius of curvature r, and is defined as one or more Piezo material, graphene with Piezo characteristic, Graphene grains which are selected from among grains having charged particles or charged grains are selected from at least one of bending deformation and position shifting caused by selection of at least one of bending deformation and position deformation, Due to the distance (d) at which the deformation occurs from the geometric plane located at least one of the arbitrary small radius of curvature (r), in adjusting at least one of the heights of at least one of the Schottky Barrier, Fermi level, One or more Schottky barriers, a Fermi level, or one or more of the selected heights. In one embodiment of the present invention, the distance d described above can be designed as a composite bow having an effective stretch stiffness.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 하나 이상의 구부림 모멘트<M> (하나 이상의 굽힘 에너지, 축방향 힘 F 중 하나 이상 선택되는 것)은 플레이트 이론을 통하여 하나 이상 구비하는 하나 이상의 평면밖 변위 <u>의 항으로 얻어진다. 본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 하나 이상의 표면 변위 <u>에 영향을 받는 변형 에너지는 <u>의 항으로 얻어진다. 더하여 상기 변위 <u>는 전체 에너지를 최소화하는 것에 의해 결정되어질 계수들과 함께 푸리에 급수로 확장된다. 본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것에서 각각의 층에서 하나 이상의 구부림 모멘트<M>은 하나 이상의 곡률로부터 얻어지고, 하나 이상의 <u>의 2차 도함수로서 풀이된다. In one embodiment of the present invention, at least one graphene is provided underneath which is selected from at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a particle having a charge, One or more bending moments < M > (one or more bending energies, one or more of the axial forces F being selected) may be provided by one or more of the plate theory Plane displacement < u >. In one embodiment of the present invention, at least one graphene is provided underneath which is selected from at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a particle having a charge, Bending deformation, positional displacement, or the like, the strain energy which is affected by at least one surface displacement u is obtained in terms of <u>. In addition, the displacement < u > extends to the Fourier series with the coefficients to be determined by minimizing the total energy. In one embodiment of the present invention, at least one graphene is provided underneath which is selected from at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a particle having a charge, One or more bending moments < M > in each layer are obtained from one or more curvatures and are solved as a second order derivative of one or more < u >.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 기계적 변형을 도모할 수 있는 구조적 모양을 하나 이상 규칙적, 불규칙적, 균일, 불균일, 다공성 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 1차원적, 2차원적, 3차원적, n차원적 중 하나 이상 선택되는 것으로, 하나 이상 구비하는 것으로 이해되어 질 수 있다. In one embodiment of the present invention, at least one graphene is provided underneath which is selected from at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a particle having a charge, Dimensional bending deformation, positional bending, or the like can be selected from at least one of at least one of irregular, irregular, uniform, irregular, and porous structural shapes capable of achieving mechanical deformation. Dimensional, three-dimensional, or n-dimensional, and may be understood to include one or more.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 작동하기 전과 비교하여, 하나 이상 공간적으로 균일하지 않은 특성을 하나 이상 구비하는 적어도 하나이상의 층을 의미할 수 있다. 하지만 공간적으로 균일한 특성이 Fermi level의 높이를 조절하는데 있어서 영향을 줄 수 있다. In one embodiment of the present invention, at least one graphene is provided underneath which is selected from at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a particle having a charge, An ideal bending deformation, a position movement, or the like may mean at least one layer having at least one or more spatially non-uniform characteristics as compared with before the operation. However, spatially uniform properties can affect the height of the Fermi level.
본 발명의 한 실시예에서, 본 발명의 고정 및 지지 구조(fixture)를 구비하는 제조방법은 고정확성 리프트오프 배열을 용이하게하기 위한 앵커(anchor)를 발생시키고, 이에 의해 지지 기판으로부터 폴리머 재료에 고정된 배열을 제거시키는 공정을 구비할 수 있다. In one embodiment of the invention, the manufacturing method with the fixation and support fixtures of the present invention generates an anchor for facilitating high accuracy lift-off arrangement, thereby producing an anchor from the support substrate to the polymer material And removing the fixed array.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하는 것은 유한 요소 시뮬레이션을 수행하는 데 있어서 하나 이상의 좌굴(buckling)시트의 유한 요소 모델를 만족하며, 상기 유한 요소 모델은 본 발명의 한 실시형태에서, 상기 하나 이상의 8-노드, 4-노드 다층 쉘 요소 중 하나 이상 선택되는 것을 가진 육면체 요소는 유사한 버클링 패턴을 나타내며, 역학적으로 독립적 방식으로 행동하기 위해 충분하게 이격된다. In one embodiment of the present invention, at least one graphene is provided underneath which is selected from at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a particle having a charge, A bending deformation, a positional bending, a bending deformation, a bending deformation, a positional bending, a finite element model of one or more buckling sheets in performing a finite element simulation, , Hexahedral elements having one or more of the one or more 8-node, 4-node multi-layered shell elements selected exhibit a similar buckling pattern and are sufficiently spaced to act in a mechanically independent manner.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것과 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀의 제조방법은 하나 이상의 특정 평면 공정 단계들, 회로 리프트오프(liftoff) 전략, 압축성 연결체 레이아웃, 반구형 PDMS 전이 요소들, 방사성 장력을 인가하는 단계, 고정장치(fixture), 제조 단계로부터 개별한 제조 단계에서 실시될 공간적으로 제어된 도핑과 같은 반도체 공정의 사실상 어떠한 유형, 중 하나 이상 선택되는 제조방법을 구비하여 구비될 수 있다. In one embodiment of the invention, the manufacture of at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a charged particle, and at least one graphene The method may include one or more specific planar processing steps, a circuit lift-off strategy, a compressible connector layout, hemispherical PDMS transition elements, applying a radial tension, a fixture, Virtually any type of semiconductor process, such as spatially controlled doping, to be implemented.
본 발명의 한 실시예에서, 사용될 제조방법에는 소수성영역과 친수성영역을 구분하여 캐리어 매개물로 인해 확산하는 공정을 구비할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the manufacturing method to be used may include a process of diffusing the carrier medium by separating the hydrophobic region and the hydrophilic region.
본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 상부에는 경화제 없이 경화되지 않는 액체 고분자 또는 엘라스토머가 상기 하나 이상의 상부 표면에 하나 이상 구비되는 형태를 취할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the graphene may take on the form of having at least one liquid polymer or elastomer on its upper surface, which is not cured without a curing agent.
본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것과 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀의 제조방법은 반도체 웨이퍼와 같은 모체 기판으로 기계적으로 결합시키는 하나 이상의 정렬 유지 소자와 함께 제공될 수 있다. 본 발명의 한 실시예에서, 하나 이상의 정렬 유지 소자는 또한 하나 이상의 전사, 조립, 집적, 본 발명에서 제시하는 하나 이상의 제조방법 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하는 공정 단계 중에 반도체 소자의 선택된 패턴을 정의하는 복수의 반도체 소자의 관련된 위치 및 배향을 유지하는데 유용하다.
In one embodiment of the invention, the manufacture of at least one of a Piezo material, a graphen having a Piezo characteristic, a magnetic particle, a particle having a charge, or a charged particle, and at least one graphene The method may be provided with one or more alignment holding elements that mechanically couple to a mother substrate, such as a semiconductor wafer. In one embodiment of the present invention, the one or more alignment holding elements may also be formed of a selected pattern of semiconductor elements during a process step comprising one or more of at least one of transfer, assembly, integration, Lt; RTI ID = 0.0 > and / or < / RTI >
본 발명에 특별히 기술된 것보다, 일반적으로 알려진 방법, 알려진 수학식, 알려진 법칙, 알려진 논문, 알려진 설명, 장치, 장치 소자, 재료, 순서 및 기술은 불필요한 실험에 의지하지 않고 넓게 드러나 있는 본 발명의 실시에 적용될 수 있다. 여기서 기술된 방법, 장치, 장치 소자, 재료, 순서 그리고 특히 기술적으로 동일하게 알려진 모든 기술은 본 발명에 의해 포함되는 경향이 있다.Known methods, known mathematical formulas, known laws, known papers, known descriptions, devices, device elements, materials, sequences, and techniques, rather than those specifically described herein, will be apparent to those skilled in the art, Can be applied to implementation. The methods, devices, devices, materials, sequences, and particularly all techniques known in the art, such as those described herein, tend to be encompassed by the present invention.
여기서 채용된 용어 및 표현들은 발명의 상세한 설명의 용어로써 사용되나 의미를 제한하는 것은 아니며, 설명되거나 도시된 특징과의 임의의 등가물의 용어나 표현을 제한할 의도는 없다. 다만, 본 발명의 청구된 범위 안에서 다양한 변형들이 가능하다. 그러므로, 본 발명이 몇몇 바람직한 실시예들에 의해 개시되었음에 불구하고 대표적 실시예 및 선택적 특징들, 여기서 개시된 개념의 수정 및 변화가 종래 기술등에 의해 재분류될 수 있다고 이해되어야 하며, 이러한 수정 및 변화들은 첨부된 청구항에 의해 정의된 바와 같이 본 발명의 범위 안에서 고려될 수 있다.The terms and expressions employed herein are used as terms of description of the invention but are not intended to be limiting and are not intended to limit the terms or expressions of any equivalents to the features described or shown. However, various modifications are possible within the scope of the present invention. It is therefore to be understood that, although the present invention has been disclosed by some preferred embodiments, it is to be understood that the exemplary embodiments and optional features, modifications and variations of the concepts disclosed herein may be reclassified by conventional techniques and the like, May be considered within the scope of the invention as defined by the appended claims.
여기서 제공된 특정 실시예는 본 발명의 유용한 실시예의 예시이고, 본 발명이 장치들, 장치 구성요소들, 방법단계들의 많은 변화들을 사용하여 수행되어질 수 있다는 것은 명백하다.It is to be understood that the specific embodiments provided herein are illustrative of useful embodiments of the invention and that the present invention may be practiced using many variations of the devices, device components, method steps.
본 발명의 방법 및 상기 방법을 위해 유용한 장치는 다양한 선택적 구성 및 절차 구성요소 및 단계들을 포함할 수 있다.The inventive method and apparatus useful for the method may include various optional configuration and procedural components and steps.
여기서 치환된 구성요소들이 개시될 때, 그것은 그룹 멤버들의 임의의 이성질체, 경상 이성질체, 및 부분입체 이성질체을 포함하는 모든 하위 그룹 및 그룹의 모든 개별 멤버들이 각각 개시된 것으로 이해되어야 한다.When substituted components are disclosed herein, it should be understood that all individual members of all subgroups and groups, including any isomers, enantiomers, and diastereomers of group members, are disclosed herein.
여기서 마쿠쉬 그룹 또는 다른 그룹들이 사용될 때, 상기 그룹의 모든 개별 멤버들 및 모든 조합과 상기 그룹의 가능한 하위 조합은 개시된 범위 안에서 개별적으로 포함된다.When a mask group or other groups are used herein, all individual members and all combinations of the groups and possible sub-combinations of the groups are individually included within the disclosed ranges.
여기서 혼합물의 특정 이성질체, 경상 이성질체 또는 부분입체 이성질체가 구체적으로 명시되지 않는 방법으로 혼합물이 설명될 때, 예를 들어 화학명 또는 화학식으로 설명될 때, 이러한 설명은 개별적 또는 임의의 조합으로 개시된 혼합물의 각 이성질체 및 경상 이성질체를 포함하는 것으로 의도된다. When the mixture is described in such a way that the specific isomer, enantiomer or diastereomer of the mixture is not specifically specified, the description, for example, by chemical name or by chemical formula, Isomers and enantiomers.
부가적으로, 다른 설명이 필요하지 않은 경우, 여기서 개시된 혼합물의 모든 동이원소 변이체는 개시된 바에 의해 망라되는 것으로 의도된다. 예를 들어, 하나 이상의 수소는 중수소, 삼중수소, 수소화합물, 수소결합물, 수소합금, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것으로 대체될 수 있는 것으로 이해될 수 있다. In addition, where no further description is required, all of the elemental variants of the mixtures disclosed herein are intended to be encompassed by the disclosure. For example, it is understood that one or more hydrogen may be replaced by one or more selected from the group consisting of deuterium, tritium, hydrogen compounds, hydrogen bonds, hydrogen alloys, and the like.
본 발명의 한 실시형태에서, 개시된 혼합물의 모든 동이원소 변이체는 개시된 바에 의해 망라되는 것으로 의도된다. 예를 들어 하나 이상의 금은 금, 금 원자, 금 입자, 금 나노 입자, 금 화합물, 금 결합물, 금 합금, 나노 금 화합물, 나노 금 결합물, 나노 금 합금중 하나 이상 선택되는 것으로 대체될 수 있는 것으로 이해될 수 있다. In one embodiment of the present invention, all of the elemental variants of the disclosed mixtures are intended to be encompassed by the disclosure. For example, one or more of gold gold, gold atoms, gold particles, gold nanoparticles, gold compounds, gold alloys, gold alloys, nano gold compounds, nanocomposites, .
본 발명의 한 실시형태에서, 단수개로 설명된 것은 복수개를 의미할 수 있다. 본 발명의 한 실시형태에서, 자성입자는 하나 이상의 자성입자를 의미할 수 있다. In an embodiment of the present invention, what has been described in the singular may mean plural. In one embodiment of the present invention, the magnetic particles may mean one or more magnetic particles.
분자의 동위원소 변이체는 일반적으로 분자의 순도분석 및 분자 또는 그것의 사용과 관련된 화학적 및 생물학적연구에서 기준으로 유용하다. 이와 같은 동위원소 변이체를 만드는 방법은 이미 알려져 있다. 혼합물의 구체적 이름은 본 발명이 속하는 기술분야의 일반적 기술을 가진자가 같은 혼합물을 다르게 부를 수도 있는 점에서 임의의 예시로서 불려질 수 있다.Isotope variants of molecules are generally useful as a basis for chemical and biological studies involving the analysis of molecules and the use of molecules or their use. Methods of making such isotopic variants are already known. The specific name of the mixture may be referred to as an arbitrary illustration insofar as those having ordinary skill in the art to which the same compound may be referred to differently.
여기서 개시되거나 설명된 구성요소의 모든 화학식 또는 조합은 달리 언급되지 않더라도 본 발명을 실시하기 위하여 사용되어질 수 있다. 예를 들어 온도, 시간, 농도, 전압, 전기 등과 같은 범위가 상세하게 주어질 때 뿐만 아니라 상기 범위들에 포함된 모든 개별 값들은 개시된 범위에 포함되는 것으로 의도된다.All formulas or combinations of elements disclosed or described herein can be used to practice the invention, although not otherwise mentioned. It is intended that all individual values contained in such ranges as well as ranges such as, for example, temperature, time, concentration, voltage, electricity, etc., will be included in the disclosed range.
본 발명의 한 실시형태에서, 여기서 개시되거나 설명된 구성요소의 모든 분자구조 또는 합성분자조합은 달리 언급되지 않더라도 본 발명을 실시하기 위하여 사용되어질 수 있다.In one embodiment of the present invention, all molecular structures or synthetic molecule combinations of the components disclosed or described herein can be used to practice the present invention, unless otherwise stated.
여기서 개시된 설명에 포함된 임의의 범위 또는 범위, 하위 범위 내의 개별 값들은 여기서 청구된 청구항에는 나타나지 않을 수 있다고 이해되어질 수 있다.It is to be understood that any ranges or ranges included in the description disclosed herein, individual values within a subrange may not appear in the claims claimed herein.
본 발명의 한 실시형태에서, 본 발명의 내용은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자의 레벨에서 설명되었다. 더하여, 중요한 조합이 청구된 때, 본 발명의 한 실시형태에서, 제공되는 혼합물을 포함하며 출원인의 종래 기술에서 활용가능하고 알려진 혼합물은 여기서 청구된 중요한 조합에 의도되지 않게 포함된 것으로 이해될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the contents of the present invention have been described at the level of those skilled in the art. In addition, when an important combination is claimed, it is understood that, in one embodiment of the present invention, the mixture comprising the mixture provided and known in the prior art of the applicant is included unintentionally in the important combination claimed here .
본 발명의 한 실시형태에서, 여기서 임의의 범위 또는 범위, 하위 범위로 설명된 본 발명은 임의의 구성요소 또는 구성요소들, 상세하게 개시되지 않은 제한 또는 제한들이 없는 경우에도 실현될 수 있다.In an embodiment of the present invention, the present invention, which is herein described as any range or range, subrange, can be realized without any elements or components, without the limitations or limitations not disclosed in detail.
본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자는 시작 재료들, 생물학적 재료들, 시약들, 합성 방법들, 정제 방법들, 분석 방법들, 순도분석 방법들 및 상세하게 예시된 것과 다른 생물학적 방법들이 과도한 실험에 기대지 않고도 본 발명의 실시에 채용될 수 있다는 것을 알 수 있을 것이다. 임의의 재료들 및 방법들의 기능적으로 등가인 알려진 모든 기술들은 본 발명의 한 실시형태에서, 포함되어질 수 있다.Those skilled in the art will recognize that starting materials, biological materials, reagents, synthetic methods, purification methods, analytical methods, purity analysis methods and other biological methods other than those illustrated in detail It will be apparent to those skilled in the art that the invention may be embodied in the practice of this invention without departing from the invention itself. Any known and functional equivalents of any materials and methods may be included in one embodiment of the present invention.
이상, 본 발명을 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 내용에 한정되지 않으며, 여러 가지 하나 이상의 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 많은 변형이 가능함이 명백하다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but many variations and modifications can be made by one of ordinary skill in the art It is evident that many variations are possible.
또한 적당하게 도식적으로 설명된 본 발명은 임의의 구성요소 또는 구성요소들, 상세하게 개시되지 않은 제한 또는 제한들이 없는 경우에도 실현될 수 있다.Also, the present invention, which is appropriately and diagrammatically illustrated, can be realized without the need of any elements or components, or restrictions or limitations not disclosed in detail.
임의의 재료들 및 방법들의 기능적으로 등가인 알려진 모든 기술들은 본 발명에서 포함되어질 수 있다.
Any known and functional equivalents of any materials and methods may be included in the present invention.
<참고문헌><References>
[문헌1] Published Online, May 17 2012, Science 1 June 2012:Vol. 336 no. 6085 pp. 1140-1143, DOI: 10.1126/science.1220527, Graphene Barristor, a Triode Device with a Gate-Controlled Schottky Barrier, Heejun Yang, Jinseong Heo, Seongjun Park, Hyun Jae Song, David H. Seo, Kyung-Eun Byun, Philip Kim, InKyeong Yoo, Hyun-Jong Chung, Kinam Kim[Document 1] Published Online, May 17 2012, Science 1 June 2012: Vol. 336 no. 6085 pp. 1140-1143, DOI: 10.1126 / science.1220527, Graphene Barristor, a Triode Device with a Gate-Controlled Schottky Barrier, Heejun Yang, Jinseong Heo, Seongjun Park, Hyun Jae Song, David H. Seo, Kyung-Eun Byun, Philip Kim, InKyeong Yoo, Hyun-Jong Chung, Kinam Kim
90 : 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 의미한다.
100 : 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 의미한다.
110 : 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 의미한다.
200 : 하나 이상의 그래핀을 의미한다.
300 : 그래핀과 쇼키장벽(Schottky Barrier), Fermi Level, 중 하나 이상 선택되는 것의 높낮이를 조절할 수 있게 구성되는 물질, 본 발명의 한 실시형태에서다층상태의 300을 의미할 수 있다. 본 발명의 한 실시형태에서, 300 은 실리콘을 의미할 수 있다.
500 : 본 발명의 한 실시형태에서, 도면의 구성이 포함되어 있는 주위 환경(예를들어 90, 100, 110, 중 하나 이상 선택되는 것이 포함되는 물질)을 의미한다. 본 발명의 한 실시형태에서, 500 은 실리콘을 의미할 수 있다.
전극자유회로기능 : 자성입자, 전하를 갖는 입자, 전하를띠는입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 의미한다.
(◆본 발명에서 제시하는 기능들◆) : 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 의미한다.
(◆액추에이터기능◆) : 하나 이상의 Piezo 물질, Piezo 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 의미한다.
(◆300, 500◆) : 300 또는 500을 의미한다.90: means that at least one of Piezo material, Grain with Piezo characteristic, Magnetic particle, Charged particle or Charged particle is selected.
100: means that at least one of Piezo material, Piezoelectric graphene, Magnetic particle, Charged particle or Charged particle is selected.
110: One or more of Piezo material, Gravure having Piezo characteristic, Magnetic particle, Charged particle or Charged particle is selected.
200: More than one graphene.
300: material that is configured to control the height of one or more of the selected graphene and Schottky Barrier, Fermi Level, or 300 in a multilayer state in one embodiment of the present invention. In one embodiment of the invention, 300 can mean silicon.
500: In one embodiment of the present invention, it means an environment (for example, a material including at least one selected from 90, 100, 110, or the like) in which the constitution of the drawings is included. In one embodiment of the invention, 500 may mean silicon.
Electrode free circuit function: means that at least one of magnetic particles, particles having electric charge, particles having electric charge is selected.
(◆ Functions proposed by the present invention): means that at least one of Piezo material, Grain with Piezo characteristic, Magnetic particle, Charged particle or Charged particle is selected.
(◆ Actuator function ◆): It means that at least one of Piezo material, Grain with Piezo characteristic, Magnetic particle, Charged particle or Charged particle is selected.
(◆ 300, 500 ◆): means 300 or 500.
Claims (9)
a. 하나 이상의 그래핀, 및
b. 상기 하나 이상의 그래핀의 하부에 하나 이상 구비되는 피에조(Piezo) 물질, 및
c. 상기 하나 이상의 그래핀의 하부에 하나 이상 구비되는 피에조(Piezo) 물질의 하부에 구비되며, 상기 하나 이상의 그래핀과 교차되는 회로를 포함하고,
이에따라, 그래핀의 굴곡지는 특성을 이용하여 하나 이상의 피에조(Piezo) 물질을 그래핀의 하부에 구비하여 교차되는 회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 피에조(Piezo) 물질이 하나 이상의 그래핀을 하나 이상의 굽힘변형으로 구비하는 것; 을
특징으로 하는 그래핀의 굽힘변형(Bending)을 이용하는 트랜지스터.
In transistors using bending of graphene,
a. One or more graphenes, and
b. A piezoelectric material provided at least one below the at least one graphene, and
c. And at least one graphene disposed at a lower portion of the at least one graphene, the graphen graphen intersecting the at least one graphene,
Accordingly, by using the bending characteristic of graphene, one or more piezo materials may be provided at the bottom of the graphene so that the electrostatic level of the intersecting circuit causes one or more piezo materials to transfer one or more graphenes to one or more Provided with bending deformation; of
A transistor using bending of graphene as a feature.
a. 하나 이상의 그래핀, 및
b. 상기 하나 이상의 그래핀의 하부에 하나 이상 구비되는 자성입자, 및
c. 상기 하나 이상의 그래핀의 상부에 구비되며, 상기 하나 이상의 그래핀과 교차되는 회로를 포함하고,
이에따라, 그래핀의 굴곡지는 특성을 이용하여 하나 이상의 자성입자를 그래핀의 하부에 구비하여 교차되는 회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 자성입자가 하나 이상의 그래핀을 하나 이상의 굽힘변형으로 구비하는 것; 을
특징으로 하는 그래핀의 굽힘변형(Bending)을 이용하는 트랜지스터.
In transistors using bending of graphene,
a. One or more graphenes, and
b. At least one magnetic particle provided at the lower portion of the at least one graphene, and
c. A circuit disposed on the at least one graphene and intersecting the at least one graphene,
Thus, by using the bending characteristics of graphene, one or more magnetic grains may be provided at the bottom of the graphene, and one or more magnetic grains may have at least one graphene as one or more bending deformation due to the electrostatic level of the intersecting circuit ; of
A transistor using bending of graphene as a feature.
a. 하나 이상의 그래핀, 및
b. 상기 하나 이상의 그래핀의 하부에 하나 이상 구비되는 전하를갖는입자, 및
c. 상기 하나 이상의 그래핀의 상부에 구비되며, 상기 하나 이상의 그래핀과 교차되는 회로를 포함하고,
이에따라, 그래핀의 굴곡지는 특성을 이용하여 하나 이상의 전하를갖는입자을 그래핀의 하부에 구비하여 교차되는 회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 전하를갖는입자가 하나 이상의 그래핀을 하나 이상의 굽힘변형으로 구비하는 것; 을
특징으로 하는 그래핀의 굽힘변형(Bending)을 이용하는 트랜지스터.
In transistors using bending of graphene,
a. One or more graphenes, and
b. Particles having charge at least one of which is provided under the at least one graphene, and
c. A circuit disposed on the at least one graphene and intersecting the at least one graphene,
Thus, using the bending characteristics of graphene, it is possible to provide particles having one or more charges at the bottom of the graphene so that the electrostatic level of the crossed circuit causes the particles having at least one charge to deform one or more graphenes with one or more bending deformation Having; of
A transistor using bending of graphene as a feature.
상기 하나 이상의 그래핀 상부에 엘라스토머층, 진공층, 에어층(Air층), 중 선택되는 어느 하나의 층을 구비하는 것; 을
특징으로 하는 그래핀의 굽힘변형(Bending)을 이용하는 트랜지스터
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
And at least one layer selected from the group consisting of an elastomer layer, a vacuum layer, and an air layer on the at least one graphene layer; of
A transistor using a bending strain of graphene
상기 자성입자는 자석(Magnet) 성질을 구비하는 합성물질인 것; 을
특징으로 하는 그래핀의 굽힘변형(Bending)을 이용하는 트랜지스터
3. The method of claim 2,
The magnetic particles are synthetic materials having a magnet property; of
A transistor using a bending strain of graphene
a. 하나 이상의 그래핀, 및
b. 상기 하나 이상의 그래핀의 상부에 구비되며, 상기 하나 이상의 그래핀과 교차되어 지나가는 교차회로를 포함하고,
이에따라, 하나 이상의 그래핀이 상부에 교차되어 지나가는 장벽조정용인 교차회로의 정전기적인 준위로 인하여, 굽힘변형을 구비하는 것; 을
특징으로 하는 그래핀의 굽힘변형(Bending)을 이용하는 트랜지스터
In transistors using bending of graphene,
a. One or more graphenes, and
b. A crossing circuit provided on the one or more graphenes and crossing the one or more graphenes,
Thus, due to the electrostatic level of the crossover circuit for the adjustment of the barrier crossing over one or more graphenes, one having bending deformation; of
A transistor using a bending strain of graphene
상기 굽힘변형은
곡률을 구비하는 것; 을
특징으로 하는 그래핀의 굽힘변형(Bending)을 이용하는 트랜지스터
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The bending deformation
Having curvature; of
A transistor using a bending strain of graphene
상기 굽힘변형은
곡률을 구비하는 것; 을
특징으로 하는 그래핀의 굽힘변형(Bending)을 이용하는 트랜지스터
The method according to claim 6,
The bending deformation
Having curvature; of
A transistor using a bending strain of graphene
상기 그래핀의 굽힘변형(Bending)을 이용하는 트랜지스터는
CPU, 메모리, 마이크로프로세서, 로 구성되는 것 중 선택되는 어느 하나의 것에 하나 이상 구비되는 것; 을
특징으로 하는 그래핀의 굽힘변형(Bending)을 이용하는 트랜지스터.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The transistor using bending of the graphene
One or more selected from among a CPU, a memory, and a microprocessor; of
A transistor using bending of graphene as a feature.
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