KR20150083151A - 발광 소자 패키지 및 발광 소자 패키지의 제조 방법 - Google Patents
발광 소자 패키지 및 발광 소자 패키지의 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 디스플레이 용도나 조명 용도로 사용할 수 있는 발광 소자 패키지 및 발광 소자 패키지의 제조 방법에 관한 것으로서, 금속 재질의 원판을 준비하는 원판 준비 단계; 상기 원판을 기판 스트립으로 성형하는 원판 성형 단계; 상기 기판 스트립을 표면 처리하는 표면 처리 단계; 표면 처리된 상기 기판 스트립에 절연층을 형성하는 절연층 형성 단계; 상기 기판 스트립의 상기 다이부에 형성된 상기 절연층 상에 전극 분리선이 형성된 제 1 전극층 및 제 2 전극층을 형성하는 전극층 형성 단계; 상기 발광 소자를 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층에 안착시키는 발광 소자 안착 단계; 및 상기 발광 소자 및 상기 기판 스트립의 다이부를 발광 소자 패키지로 개별화할 수 있도록 상기 제 1 브릿지부의 절단선 및 상기 제 2 브릿지부의 절단선을 절단하는 브릿지부 절단 단계;를 포함할 수 있다.
Description
본 발명은 발광 소자 패키지 및 발광 소자 패키지의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 디스플레이 용도나 조명 용도로 사용할 수 있는 발광 소자 패키지 및 발광 소자 패키지의 제조 방법에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED)는 화합물 반도체(compound semiconductor)의 PN 다이오드 형성을 통해 발광원을 구성함으로써, 다양한 색의 광을 구현할 수 있는 일종의 반도체 소자를 말한다. 이러한 발광 소자는 수명이 길고, 소형화 및 경량화가 가능하며, 저전압 구동이 가능하다는 장점이 있다. 또한, 이러한 LED는 충격 및 진동에 강하고, 예열시간과 복잡한 구동이 불필요하며, 다양한 형태로 기판이나 리드프레임에 실장한 후, 패키징할 수 있어서 여러 가지 용도로 모듈화하여 백라이트 유닛(backlight unit)이나 각종 조명 장치 등에 적용할 수 있다.
그러나, 종래의 발광 소자 패키지는 금속 재질의 기판을 사용하는 경우, 기판의 표면에 절연층을 필수적으로 형성해야 하지만, 이러한 절연층은 구조적으로 취약한 모서리 부분이나 절단 부분 등에서 미세 크랙이 발생되어 절연층 또는 기판 전체에 전파되고, 이로 인하여 제품 특성이 크게 떨어지는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 절연층에 발생될 수 있는 미세 크랙을 최대한 방지할 수 있고, 절단면에 형성되는 미세 크랙이 다른 부위로 전파되는 것을 방지할 수 있게 하는 발광 소자 패키지 및 발광 소자 패키지의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법은, 금속 재질의 원판을 준비하는 원판 준비 단계; 상기 원판의 일측과 타측에 각각 제 1 레일부 및 제 2 레일부가 형성되고, 중간에 다이부가 형성되며, 상기 제 1 레일부와 상기 다이부 사이에 적어도 하나의 제 1 브릿지부가 형성되고, 상기 제 2 레일부와 상기 다이부 사이에 적어도 하나의 제 2 브릿지부가 형성되도록 상기 원판을 기판 스트립으로 성형하는 원판 성형 단계; 상기 기판 스트립을 표면 처리하는 표면 처리 단계; 표면 처리된 상기 기판 스트립에 절연층을 형성하는 절연층 형성 단계; 및 상기 기판 스트립의 상기 다이부에 형성된 상기 절연층 상에 전극 분리선이 형성된 제 1 전극층 및 제 2 전극층을 형성하는 전극층 형성 단계;를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 표면 처리 단계는, 상기 기판 스트립의 상기 다이부의 모서리가 둥글게 라운딩 처리될 수 있도록 상기 기판 스트립을 식각액에 침지하고, 상기 기판 스트립의 길이 방향에 수직한 방향으로 상기 기판 스트립을 왕복운동시키는 것일 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 절연층 형성 단계는, 양극산화방식으로 알루미늄 재질의 상기 기판 스트립의 표면을 산화시켜서 절연층을 형성하는 것일 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 전극층 형성 단계는, 상기 기판 스트립의 상기 다이부의 상면에 형성된 상기 절연층에 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층의 상부가 형성되도록 상기 절연층에 제 1 패턴이 형성된 제 1 마스크를 설치하는 제 1 마스크 설치 단계; 상기 제 1 마스크의 제 1 패턴을 통해서 상기 절연층에 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층의 상부를 스퍼터링 방식으로 형성하는 상부 전극 형성 단계; 상기 기판 스트립의 상기 다이부의 하면에 형성된 상기 절연층에 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층의 하부가 형성되도록 상기 절연층에 제 2 패턴이 형성된 제 2 마스크를 설치하는 제 2 마스크 설치 단계; 및 상기 제 2 마스크의 제 2 패턴을 통해서 상기 절연층에 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층의 하부를 스퍼터링 방식으로 형성하는 하부 전극 형성 단계;를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 제 1 마스크 설치 단계에서, 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층의 상부와 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층의 하부가 전기적으로 서로 연결될 수 있도록 상기 제 1 마스크의 제 1 패턴에 측면 대응 여유홀을 형성하고, 상기 상부 전극 성형 단계에서, 상기 측면 대응 여유홀을 통해 상기 기판 스트립의 상기 다이부의 측면에 제 1 측면 전극을 형성하며, 상기 제 2 마스크 설치 단계에서, 상기 제 2 마스크의 제 2 패턴에 측면 대응 여유홀을 형성하고, 상기 하부 전극 성형 단계에서, 상기 제 1 측면 전극과 전기적으로 연결될 수 있도록 상기 측면 대응 여유홀을 통해 상기 기판 스트립의 상기 다이부의 측면에 제 2 측면 전극을 형성하는 것일 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 전극층 형성 단계 이후에, 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층의 반사부 둘레에 링형상의 댐부를 형성하는 댐부 형성 단계;상기 발광 소자를 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층에 안착시키는 발광 소자 안착 단계; 및 상기 발광 소자를 렌즈 또는 형광체가 둘러쌀 수 있도록 상기 댐부의 내부에 렌즈 소재 또는 형광체 소재를 도포 또는 디스펜싱하는 렌즈 형성 단계;를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 발광 소자를 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층에 안착시키는 발광 소자 안착 단계; 및 상기 발광 소자 및 상기 기판 스트립의 다이부를 발광 소자 패키지로 개별화할 수 있도록 상기 제 1 브릿지부의 절단선 및 상기 제 2 브릿지부의 절단선을 절단하는 브릿지부 절단 단계;를 더 포함하고, 상기 브릿지부 절단 단계에서, 상기 브릿지부 절단시 발생된 미세 크랙이 상기 다이부로 전파되는 것을 방지할 수 있도록 상기 다이부로부터 여유 길이만큼 이격된 상기 브릿지부의 절단선을 절단하는 것일 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 절연층 형성 단계에서, 상기 기판 스트립의 표면 중 일부에 절연층이 형성되지 않도록 절연층 마스크가 설치되는 것일 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 전극층 형성 단계는, 상기 제 1 전극층 및 제 2 전극층을 형성되도록 도전성 패이스트를 프린팅하는 것일 수 있다.
한편, 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 발광 소자 패키지는, 모서리가 둥글게 라운딩 처리된 금속 재질의 기판; 상기 기판의 표면에 형성되는 절연층; 상기 절연층에 형성되고, 전극 분리선이 형성된 제 1 전극층 및 제 2 전극층; 상기 제 1 전극층과 상기 제 2 전극층에 안착되는 발광 소자; 및 측면에 절단면이 형성되고, 기판 스트립 절단시 발생된 미세 크랙이 상기 기판 또는 상기 절연층으로 전달되는 것을 방지하도록 상기 기판의 측면 또는 상기 절연층의 측면으로부터 여유 길이만큼 돌출되게 형성되는 브릿지부;를 포함할 수 있다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 기판의 모서리를 둥글게 처리하여 미세 크랙이 발생되는 것을 방지할 수 있고, 절단면에서 발생될 수 있는 미세 크랙이 다른 부위로 전파되는 것을 방지하여 제품의 성능과 내구성을 크게 향상시키고, 양질의 제품을 생산할 수 있는 효과를 갖는 것이다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1의 발광 소자 패키지의 II-II 절단면을 나타내는 단면도이다.
도 3은 도 1의 발광 소자 패키지의 측면도이다.
도 4는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 제조 과정에서 원판 준비 단계를 나타내는 평면도이다.
도 5는 도 4의 V-V 절단면을 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 제조 과정에서 원판을 성형하는 원판 성형 단계를 나타내는 평면도이다.
도 7은 도 6의 VII-VII 절단면을 나타내는 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 제조 과정에서 표면 처리 단계를 나타내는 평면도이다.
도 9는 도 8의 IX-IX 절단면을 나타내는 단면도이다.
도 10은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 제조 과정에서 절연층 형성 단계를 나타내는 평면도이다.
도 11은 도 10의 XI-XI 절단면을 나타내는 단면도이다.
도 12는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 제조 과정에서 전극층 형성 단계의 제 1 마스크 설치 단계를 나타내는 평면도이다.
도 13은 도 12의 XIII-XIII 절단면을 나타내는 단면도이다.
도 14는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 제조 과정에서 전극층 형성 단계의 상부 전극 형성 단계 또는 하부 전극 형성 단계를 나타내는 평면도이다.
도 15는 도 14의 XV-XV 절단면을 나타내는 단면도이다.
도 16은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 제조 과정에서 댐부 형성 단계를 나타내는 평면도이다.
도 17은 도 16의 XVII-XVII 절단면을 나타내는 단면도이다.
도 18은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 제조 과정에서 렌즈 형성 단계를 나타내는 평면도이다.
도 19는 도 18의 XIX-XIX 절단면을 나타내는 단면도이다.
도 20은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 제조 과정에서 브릿지부 절단 단계를 나타내는 평면도이다.
도 21은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 제조 방법을 나타내는 순서도이다.
도 2는 도 1의 발광 소자 패키지의 II-II 절단면을 나타내는 단면도이다.
도 3은 도 1의 발광 소자 패키지의 측면도이다.
도 4는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 제조 과정에서 원판 준비 단계를 나타내는 평면도이다.
도 5는 도 4의 V-V 절단면을 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 제조 과정에서 원판을 성형하는 원판 성형 단계를 나타내는 평면도이다.
도 7은 도 6의 VII-VII 절단면을 나타내는 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 제조 과정에서 표면 처리 단계를 나타내는 평면도이다.
도 9는 도 8의 IX-IX 절단면을 나타내는 단면도이다.
도 10은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 제조 과정에서 절연층 형성 단계를 나타내는 평면도이다.
도 11은 도 10의 XI-XI 절단면을 나타내는 단면도이다.
도 12는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 제조 과정에서 전극층 형성 단계의 제 1 마스크 설치 단계를 나타내는 평면도이다.
도 13은 도 12의 XIII-XIII 절단면을 나타내는 단면도이다.
도 14는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 제조 과정에서 전극층 형성 단계의 상부 전극 형성 단계 또는 하부 전극 형성 단계를 나타내는 평면도이다.
도 15는 도 14의 XV-XV 절단면을 나타내는 단면도이다.
도 16은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 제조 과정에서 댐부 형성 단계를 나타내는 평면도이다.
도 17은 도 16의 XVII-XVII 절단면을 나타내는 단면도이다.
도 18은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 제조 과정에서 렌즈 형성 단계를 나타내는 평면도이다.
도 19는 도 18의 XIX-XIX 절단면을 나타내는 단면도이다.
도 20은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 제조 과정에서 브릿지부 절단 단계를 나타내는 평면도이다.
도 21은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 제조 방법을 나타내는 순서도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.
본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.
명세서 전체에 걸쳐서, 막, 영역 또는 기판과 같은 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "상에", "연결되어", "적층되어" 또는 "커플링되어" 위치한다고 언급할 때는, 상기 하나의 구성요소가 직접적으로 다른 구성요소 "상에", "연결되어", "적층되어" 또는 "커플링되어" 접촉하거나, 그 사이에 개재되는 또 다른 구성요소들이 존재할 수 있다고 해석될 수 있다. 반면에, 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "직접적으로 상에", "직접 연결되어", 또는 "직접 커플링되어" 위치한다고 언급할 때는, 그 사이에 개재되는 다른 구성요소들이 존재하지 않는다고 해석된다. 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
본 명세서에서 제 1, 제 2 등의 용어가 다양한 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들을 설명하기 위하여 사용되지만, 이들 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들은 이들 용어에 의해 한정되어서는 안됨은 자명하다. 이들 용어는 하나의 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 다른 영역, 층 또는 부분과 구별하기 위하여만 사용된다. 따라서, 이하 상술할 제 1 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분은 본 발명의 가르침으로부터 벗어나지 않고서도 제 2 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 지칭할 수 있다.
또한, "상의" 또는 "위의" 및 "하의" 또는 "아래의"와 같은 상대적인 용어들은 도면들에서 도해되는 것처럼 다른 요소들에 대한 어떤 요소들의 관계를 기술하기 위해 여기에서 사용될 수 있다. 상대적 용어들은 도면들에서 묘사되는 방향에 추가하여 소자의 다른 방향들을 포함하는 것을 의도한다고 이해될 수 있다. 예를 들어, 도면들에서 소자가 뒤집어 진다면, 다른 요소들의 상부의 면 상에 존재하는 것으로 묘사되는 요소들은 상기 다른 요소들의 하부의 면 상에 방향을 가지게 된다. 그러므로, 예로써 든 "상의"라는 용어는, 도면의 특정한 방향에 의존하여 "하의" 및 "상의" 방향 모두를 포함할 수 있다. 소자가 다른 방향으로 향한다면(다른 방향에 대하여 90도 회전), 본 명세서에 사용되는 상대적인 설명들은 이에 따라 해석될 수 있다.
본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및/또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.
이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명 사상의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.
도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)를 나타내는 사시도이다. 그리고, 도 2는 도 1의 발광 소자 패키지(100)의 II-II 절단면을 나타내는 단면도이고, 도 3은 도 1의 발광 소자 패키지(100)의 측면도이다.
먼저, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)는, 크게 기판(10)과, 절연층(11)과, 제 1 전극층(20-1)과, 제 2 전극층(20-2)과, 발광 소자(30) 및 브릿지부(40)를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 기판(10)은, 모서리가 둥글게 라운딩 처리된 금속 재질의 구조물일 수 있다.
이러한, 상기 기판(10)의 모서리가 둥글게 라운딩 처리되는 이유는, 후술될 상기 절연층(11)이 상기 기판(10)의 둥근 모서리에 쉽게 형성되게 하는 것은 물론이고, 모서리를 구조적으로 강한 완만한 곡면 또는 돔형상으로 형성하여 외부의 충격이나 내부 스트레스가 발생되더라도 모서리에 집중적으로 미세 크랙이 발생되는 현상을 원천적으로 방지할 수 있게 하기 위함이다.
이러한, 라운딩 처리된 상기 모서리의 곡률 반경은, 상기 기판(10)의 크기나 형상이나 재질이나 가공 환경 등에 의해서 달라질 수 있다. 따라서, 설계자는 이러한 변수들을 고려하여 상기 모서리의 곡률 반경을 최적화 설계할 수 있다.
예컨데, 상기 모서리의 곡률 반경이 크면 클수록 미세 크랙을 방지하는 효과는 커질 수 있다. 그러나, 상기 모서리의 곡률 반경이 너무 커지면 라운딩 처리 과정에서 소요되는 가공 비용이나 가공 시간이 낭비될 수 있다. 역으로, 상기 모서리의 곡률 반경이 너무 작으면 미세 크랙을 방지하는 효과가 작아질 수 있다.
따라서, 경험적으로 예를 들면, 경제적으로 미세 크랙을 방지하기 위해서 상기 모서리의 곡률 반경은, 3 마이크로미터 보다 크고 상기 기판(10) 두께의 절반 보다 작을 수 있다. 아울러, 이러한 상기 모서리의 곡률 반경은 3차원적으로 구성되는 것으로서, 상기 모서리는 돔형상의 구형 표면이 형성될 수 있다. 그러나, 이러한 상기 모서리의 곡률 반경이나 형상은 도 1에 국한되지 않고 매우 다양한 형상으로 형성될 수 있다.
이렇게, 상기 기판(10)의 모서리를 둥글게 라운딩 처리하는 방법으로, 상기 기판(10)을 식각액에 침지하여 화학적으로 모서리를 깍아내는 방법이 있다.
여기서, 상기 모서리의 라운딩 처리를 활성화할 수 있도록 상기 기판(10)의 길이 방향에 수직한 방향으로 상기 기판(10)을 왕복운동시켜서 상대적으로 상기 기판(10)의 모서리에서의 식각액 흐름을 빠르게 하여 상기 기판(10)의 모서리를 더욱 쉽게 라운딩 처리할 수 있다.
이외에도, 상술된 화학적 방법 대신 각종 연마 장치를 이용하여 상기 기판(10)의 모서리를 물리적으로 깍아내는 것도 가능하다.
또한, 상기 기판(10)은, 상기 발광 소자(30)를 수용할 수 있고, 상기 절연층(11)에 의해서 상기 발광 소자(30)와 전기적으로 절연되는 것으로서, 상기 발광 소자(30)를 지지할 수 있도록 적당한 기계적 강도를 갖는 재료로 제작될 수 있다.
예를 들어서, 상기 기판(10)은, 열전도성이 우수하고, 절연 처리될 수 있는 알루미늄, 구리, 아연, 주석, 납, 금, 은 등의 기판 등이 적용될 수 있으며, 플레이트 형태나 리드 프레임 형태의 기판들이 적용될 수 있다.
이외에도, 상기 기판(10)은, 두께가 얇은 연성 재질의 플랙서블 인쇄 회로 기판(FPCB: Flexible Printed Circuit Board)일 수 있다.
이외에도, 상기 기판(10)은, 금속을 포함하면서, 부분적으로는 레진, 글래스 에폭시 등의 합성 수지나, 열전도율을 고려하여 세라믹(ceramic) 재질이 포함될 수 있고, 가공성을 향상시키기 위해서 적어도 EMC(Epoxy Mold Compound), PI(polyimide), 그래핀, 유리합성섬유 및 이들의 조합들 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어지는 재질을 포함할 수 있다.
또한, 상기 절연층(11)은, 상기 기판(10)의 표면에 형성되어 상기 기판(10)을 전체적 또는 부분적으로 둘러싸는 절연체로서, 상기 기판(10)을 산화시켜서 형성할 수 있다. 상기 기판(10)이 금속 중 알루미늄을 포함하는 경우에는, 상기 절연층(11)은 알루미늄 산화물인 알루미나를 포함할 수 있다. 이러한 산화 방법으로는 여러 가지 방법이 가능하지만, 아노다이징(anodizing)법을 이용해서 상기 기판(10)의 표면 알루미늄 성분을 산화시켜서 상기 절연층(11)을 형성할 수 있다.
즉, 상기 기판(10)은, 알루미늄 성분을 포함할 수 있고, 상기 절연층(11)은, 알루미늄 산화막일 수 있다. 이 때, 상기 기판(10)의 모서리를 포함하는 모든 표면에 전체적으로 상기 절연층(11)을 형성할 수 있고, 이외에도, 산화 작업하기 위하여 상기 기판(10)을 고정하는 후술될 상기 기판 스트립의 브릿지부의 절단면을 제외하고 전체적으로 상기 절연층(11)을 형성할 수 있다. 이외에도, 상기 절연층(11)은, 실리콘옥사이드나 실리콘나이트라이드 등으로 형성될 수 있고, 제트프린팅법과 같은 프린팅법을 이용하여 형성할 수 있다.
또한, 상기 제 1 전극층(20-1) 및 상기 제 2 전극층(20-2)은, 상기 발광 소자(30)와 대향되는 상기 절연층(11)에 형성될 수 있고, 상기 제 1 전극층(20-1)와 상기 제 2 전극층(20-2) 사이에는 전극 분리선(L)이 형성될 수 있다.
더욱 구체적으로 예를 들면, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 전극층(20-1) 및 상기 제 2 전극층(20-2)은 상기 기판(10)을 둘러싸는 상기 절연층(11)의 상면과 양측면과 하면에 각각 설치될 수 있다.
즉, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 기판(10)을 둘러싸는 상기 절연층(11)의 상면에는 상기 전극 분리선(L)을 기준으로 양측에 각각 반원 형상으로 형성되는 반사부(R1)(R2)를 갖는 상기 제 1 전극층(20-1) 및 상기 제 2 전극층(20-2)의 상부가 형성될 수 있다.
또한, 상기 기판(10)을 둘러싸는 상기 절연층(11)의 하면에는 상기 제 1 전극층(20-1) 및 상기 제 2 전극층(20-2)의 하부가 형성될 수 있다. 여기서, 상기 제 1 전극층(20-1) 및 상기 제 2 전극층(20-2)의 하부는 도시하지 않았지만, 외부의 전원 연결 단자나 모듈 기판 등에 전기적으로 연결될 수 있도록 외부의 전원 연결 단자나 모듈 기판의 형상에 대응되도록 형성될 수 있다.
또한, 상기 기판(10)을 둘러싸는 상기 절연층(11)의 측면에는, 상기 제 1 전극층(20-1) 및 상기 제 2 전극층(20-2)의 상부와 상기 제 1 전극층(20-1) 및 상기 제 2 전극층(20-2)의 하부가 전기적으로 서로 연결될 수 있도록 제 1 측면 전극(21) 및 제 2 측면 전극(22)이 형성될 수 있다.
여기서, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 측면 전극(21) 및 상기 제 2 측면 전극(22)이 각각 서로 대칭되는 마름모꼴 형상인 이유는, 상기 제 1 측면 전극(21) 및 상기 제 2 측면 전극(22)을 형성하기 위한 스퍼터링 공정시, 전극층을 형성하는 금속 입자들이 평면 형태의 마스크들의 여유홀을 통과하면서 하방으로 마름모꼴 형태로 퍼져서 형성되기 때문이다.
이러한, 상기 제 1 측면 전극(21) 및 상기 제 2 측면 전극(22)의 형성 방법은, 스퍼터링 방식에 국한되지 않고, 이외에도 상기 절연층(11)에 솔더 패이스트 등 도전성 패이스트를 도팅하거나, 초정밀 전사하거나, 초정밀 스템핑(stamping)할 수 있고, 이외에도 잉크젯 프린팅(inkjet printing) 방식, 스텐실 프린팅(stencil printing) 방식, 스퀴즈 프린팅(squeeze printing) 방식 등 각종 프린트 방식으로 형성할 수 있다.
이러한, 상기 제 1 전극층(20-1) 및 상기 제 2 전극층(20-2)은 구리(Cu), 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 솔더(Solder) 등 도전성 재질일 수 있고, 이외에도 각종 증착 공정, 펄스 도금이나 직류 도금 등의 도금 공정, 솔더링 공정, 접착 공정, 스프레이 공정 등 다양한 공정을 이용하여 형성될 수 있다.
한편, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 발광 소자(30)는, 제 1 단자(31)와 상기 제 1 전극층(20-1)이 전기적으로 연결되고, 제 2 단자(32)와 상기 제 2 전극층(20-2)이 전기적으로 연결될 수 있도록 상기 제 1 전극층(20-1)과 상기 제 2 전극층(20-2)에 안착되는 LED일 수 있다.
여기서, 상기 발광 소자(30)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 본딩 와이어가 불필요한 플립칩(flip chip) 형상일 수 있다.
이외에도, 상기 발광 소자(30)는 일면에 와이어(W)가 연결될 수 있는 제 1 전극 패드 및 제 2 전극 패드가 형성될 수 있고, 타면에 절연성 본딩 매체가 설치될 수 있다.
또한, 상기 발광 소자(30)는, 수평형 또는 수직형이거나, 각종 범프나 솔더 등의 신호전달매체가 구비될 수 있고, 다양한 형태의 발광 소자들이 적용될 수 있다.
또한, 상기 발광 소자(30)는, 상기 제 1 전극층(20-1) 및 상기 제 2 전극층(20-2)의 상면에 안착될 수 있는 것으로서, 도 1에서는 1개의 상기 발광 소자(30)가 안착된 상태를 예시하였지만, 이외에도, 상기 기판(10)의 상방에 복수개의 발광 소자(30)들이 안착될 수 있다.
이러한, 상기 발광 소자(30)는, 반도체로 이루어질 수 있다. 예를 들어서, 질화물 반도체로 이루어지는 청색, 녹색, 적색, 황색 발광의 LED, 자외 발광의 LED, 적외 발광의 LED 등이 적용될 수 있다. 질화물 반도체는, 일반식이 AlxGayInzN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1, x+y+z=1)으로 나타내진다.
또한, 상기 발광 소자(30)는, 예를 들면, MOCVD법 등의 기상성장법에 의해, 성장용 사파이어 기판이나 실리콘 카바이드 기판 상에 InN, AlN, InGaN, AlGaN, InGaAlN 등의 질화물 반도체를 에피택셜 성장시켜 구성할 수 있다. 또한, 상기 발광 소자(30)는, 질화물 반도체 이외에도 ZnO, ZnS, ZnSe, SiC, GaP, GaAlAs, AlInGaP 등의 반도체를 이용해서 형성할 수 있다. 이들 반도체는, n형 반도체층, 발광층, p형 반도체층의 순으로 형성한 적층체를 이용할 수 있다. 상기 발광층(활성층)은, 다중 양자웰 구조나 단일 양자웰 구조를 한 적층 반도체 또는 더블 헤테로 구조의 적층 반도체를 이용할 수 있다. 또한, 상기 발광 소자(30)는, 디스플레이 용도나 조명 용도 등 용도에 따라 임의의 파장의 것을 선택할 수 있다.
여기서, 상기 성장용 기판으로는 필요에 따라 절연성, 도전성 또는 반도체 기판이 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 성장용 기판은 사파이어, SiC, Si, MgAl2O4, MgO, LiAlO2, LiGaO2, GaN일 수 있다. GaN 물질의 에피성장을 위해서는 동종 기판인 GaN 기판이 좋으나, GaN 기판은 그 제조상의 어려움으로 생산단가가 높은 문제가 있다.
이종 기판으로는 사파이어, 실리콘 카바이드(SiC) 기판 등이 주로 사용되고 있으며. 가격이 비싼 실리콘 카바이드 기판에 비해 사파이어 기판이 더 많이 활용되고 있다. 이종 기판을 사용할 때는 기판 물질과 박막 물질 사이의 격자상수의 차이로 인해 전위(dislocation) 등 결함이 증가한다. 또한, 기판 물질과 박막 물질 사이의 열팽창계수의 차이로 인해 온도 변화시 휨이 발생하고, 휨은 박막의 균열(crack)의 원인이 된다. 기판과 GaN계인 발광 적층체 사이의 버퍼층을 이용해 이러한 문제를 감소시킬 수도 있다.
또한, 상기 성장용 기판은 LED 구조 성장 전 또는 후에 LED 칩의 광 또는 전기적 특성을 향상시키기 위해 칩 제조 과정에서 완전히 또는 부분적으로 제거되거나 패터닝하는 경우도 있다.
예를 들어, 사파이어 기판인 경우는 레이저를 기판을 통해 반도체층과의 계면에 조사하여 기판을 분리할 수 있으며, 실리콘이나 실리콘 카바이드 기판은 연마/에칭 등의 방법에 의해 제거할 수 있다.
또한, 상기 성장용 기판 제거 시에는 다른 지지 기판을 사용하는 경우가 있으며 지지 기판은 원 성장 기판의 반대쪽에 LED 칩의 광효율을 향상시키게 위해서, 반사 금속을 사용하여 접합하거나 반사구조를 접합층의 중간에 삽입할 수 있다.
또한, 상기 성장용 기판 패터닝은 기판의 주면(표면 또는 양쪽면) 또는 측면에 LED 구조 성장 전 또는 후에 요철 또는 경사면을 형성하여 광 추출 효율을 향상시킨다. 패턴의 크기는 5nm ~ 500㎛ 범위에서 선택될 수 있으며 규칙 또는 불규칙적인 패턴으로 광 추출 효율을 좋게 하기 위한 구조면 가능하다. 모양도 기둥, 산, 반구형, 다각형 등의 다양한 형태를 채용할 수 있다.
상기 사파이어 기판의 경우, 육각-롬보형(Hexa-Rhombo R3c) 대칭성을 갖는 결정체로서 c축 및 a측 방향의 격자상수가 각각 13.001과 4.758 이며, C면, A면, R면 등을 갖는다. 이 경우, 상기 C면은 비교적 질화물 박막의 성장이 용이하며, 고온에서 안정하기 때문에 질화물 성장용 기판으로 주로 사용된다.
또한, 상기 성장용 기판의 다른 물질로는 Si 기판을 들 수 있으며, 대구경화에 보다 적합하고 상대적으로 가격이 낮아 양산성이 향상될 수 있다.
또한, 상기 실리콘(Si) 기판은 GaN계 반도체에서 발생하는 빛을 흡수하여 발광소자의 외부 양자 효율이 낮아지므로, 필요에 따라 상기 기판을 제거하고 반사층이 포함된 Si, Ge, SiAl, 세라믹, 또는 금속 기판 등의 지지기판을 추가로 형성하여 사용한다.
상기 Si 기판과 같이 이종 기판상에 GaN 박막을 성장시킬 때, 기판 물질과 박막 물질 사이의 격자 상수의 불일치로 인해 전위(dislocation) 밀도가 증가하고, 열팽창 계수 차이로 인해 균열(crack) 및 휨이 발생할 수 있다. 발광 적층체의 전위 및 균열을 방지하기 위한 목적으로 성장용 기판과 발광적층체 사이에 버퍼층을 배치시킬 수 있다. 상기 버퍼층은 활성층 성장시 기판의 휘는 정도를 조절해 웨이퍼의 파장 산포를 줄이는 기능도 한다.
여기서, 상기 버퍼층은 AlxInyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, x+y≤1), 특히 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, 또는 InGaNAlN를 사용할 수 있으며, 필요에 따라 ZrB2, HfB2, ZrN, HfN, TiN 등의 물질도 사용할 수 있다. 또한, 복수의 층을 조합하거나, 조성을 점진적으로 변화시켜 사용할 수도 있다.
한편, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 브릿지부(40)는, 측면에 절단면(40a)이 형성되고, 기판 스트립(1000) 절단시 발생된 미세 크랙이 상기 기판(10) 또는 상기 절연층(11)으로 전달되는 것을 방지하도록 상기 기판(10)의 측면 또는 상기 절연층(11)의 측면으로부터 여유 길이(D)만큼 돌출되게 형성되는 돌기 형상의 구조물일 수 있다.
여기서, 상기 여유 길이(D)는 상기 기판(10)의 크기나 형상이나 재질이나 가공 환경 등에 의해서 달라질 수 있다. 따라서, 설계자는 이러한 변수들을 고려하여 상기 여유 길이(D)를 최적화 설계할 수 있다.
예컨데, 상기 여유 길이(D)가 길면 길수록 미세 크랙의 전파 방지 효과는 커질 수 있다. 그러나, 상기 여유 길이(D)가 너무 길어지면 제품의 크기가 커지고, 재료가 낭비될 수 있다. 역으로, 상기 여유 길이(D)가 너무 짧으면 미세 크랙의 전파 방지 효과가 작아질 수 있다.
따라서, 경험적으로 예를 들면, 경제적으로 미세 크랙의 전파를 방지하기 위해서 상기 여유 길이(D)는 적어도 3 마이크로미터 보다 크고 상기 기판(10) 두께의 절반 보다 작을 수 있다. 아울러, 이러한 상기 여유 길이(D)는 3차원적으로 높이와 폭에 모두 적용될 수 있는 것으로서, 더욱 구체적으로 예를 들면, 상기 브릿지부(40)는 폭이 100 내지 600 마이크로미터이고, 상기 여유 길이(D)는 200 내지 300 마이크로미터인 전체적으로 육면체 형상의 돌기로 형성될 수 있다. 그러나, 이러한 상기 브릿지부(40)의 크기나 형상은 도 1에 국한되지 않고 경사진 형상이나 매우 얇은 형상 등 매우 다양한 형상으로 형성될 수 있다.
이러한 상기 브릿지부(40)는 절단 장비에 의해 후술될 도 20의 절단선(C1)(C2)을 따라 절단되고 남은 상기 기판(10) 및 상기 절연층(11)의 상기 절단면(40a)이 외부로 노출될 수 있다.
따라서, 절단 장비가 도 20의 상기 절단선(C1)(C2)을 따라 상기 기판 스트립(1000)을 절단할 때, 상기 기판(10) 또는 상기 절연층(11)의 일부에 미세 크랙(crack)이 발생되더라도 상기 미세 크랙은 상기 브릿지부(40)에만 발생되고 더 이상 전파되지 않을 수 있다. 그 이유는, 직진성은 강하나 절곡된 표면에서는 잘 전파되지 않는 크랙의 특성 때문이다.
즉, 상기 미세 크랙은 상기 브릿지부(40)의 상기 절단면(40a) 부근에서만 머무를 뿐, 더 이상 전파되지 않는 것으로, 이로 인하여 단자의 쇼트나 단락 등 오동작을 미리 예방할 수 있고, 제품의 강도나 내구성이나 특성을 크게 향상시킬 수 있다.
한편, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 전극층(20-1) 및 상기 제 2 전극층(20-2)의 전체적으로 원형을 이루는 반사부(R1)(R2)의 둘레에 링형상의 댐부(50)를 몰딩이나 프린팅이나 디스펜싱하거나 식각하는 등 다양한 방법으로 형성할 수 있다.
또한, 상기 댐부(50)의 내부에 상기 발광 소자(30)를 둘러싸는 렌즈(60) 또는 형광체를 설치할 수 있다.
여기서, 상기 렌즈(60) 또는 형광체가 상기 댐부(50) 내부에 쉽게 형성될 수 있도록 상기 댐부(50)의 내부에 렌즈 소재 또는 형광체 소재를 도포 또는 디스펜싱할 수 있다.
그러나, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)는 상기 댐부(50) 내부에 도포 또는 디스펜싱되는 상기 렌즈(60) 또는 형광체에 국한되지 않고, 상기 댐부(50) 없이 상기 렌즈(60) 또는 형광체를 몰딩 성형하는 것도 가능하다.
한편, 상기 렌즈(60)는 상기 발광 소자(30)에서 발생된 빛의 경로를 안내할 수 있는 것으로서, 유리, 에폭시 수지 조성물, 실리콘 수지 조성물, 실리콘 변성 에폭시 수지 등의 변성 에폭시 수지 조성물, 에폭시 변성 실리콘 수지 등의 변성 실리콘 수지 조성물, 폴리이미드 수지 조성물, 변성 폴리이미드 수지 조성물, 폴리프탈아미드(PPA), 폴리카보네이트 수지, 폴리페닐렌 설파이드(PPS), 액정 폴리머(LCP), ABS 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지, PBT 수지 등이 적용될 수 있다.
또한, 상기 형광체는, 상기 렌즈(60)와 같은 형상으로 형성되어 상기 렌즈(60)의 기능을 대신하거나, 상기 렌즈(60) 내부에 포함되거나, 상기 발광 소자(30)의 주변에 설치되는 것이 모두 가능하다.
이러한, 상기 형광체는 아래와 같은 조성식 및 컬러를 가질 수 있다.
산화물계: 황색 및 녹색 Y3Al5O12:Ce, Tb3Al5O12:Ce, Lu3Al5O12:Ce
실리케이트계: 황색 및 녹색 (Ba,Sr)2SiO4:Eu, 황색 및 등색 (Ba,Sr)3SiO5:Ce
질화물계: 녹색 β-SiAlON:Eu, 황색 L3Si6O11:Ce, 등색 α-SiAlON:Eu, 적색 CaAlSiN3:Eu, Sr2Si5N8:Eu, SrSiAl4N7:Eu
이러한, 상기 형광체의 조성은 기본적으로 화학양론(Stoichiometry)에 부합하여야 하며, 각 원소들은 주기율표상 각 족들 내 다른 원소로 치환이 가능하다. 예를 들어 Sr은 알카리토류(II)족의 Ba, Ca, Mg 등으로, Y은 란탄계열의 Tb, Lu, Sc, Gd 등으로 치환이 가능하다, 또한 활성제인 Eu 등은 원하는 에너지 준위에 따라 Ce, Tb, Pr, Er, Yb 등으로 치환이 가능하며, 활성제 단독 또는 특성 변형을 위해 부활성제등이 추가로 적용될 수 있다.
또한, 상기 형광체의 대체 물질로 양자점(Quantum Dot) 등의 물질들이 적용될 수 있으며, LED에 형광체와 QD를 혼합 또는 단독으로 사용될 수 있다.
QD는 CdSe, InP 등의 코어(3 ~ 10nm)와 ZnS, ZnSe 등의 쉘(0.5 ~ 2nm)및 코어, 쉘의 안정화를 위한 리간드(Ligand)의 구조로 구성될 수 있으며, 크기에 따라 다양한 칼라를 구현할 수 있다.
또한, 상기 형광체 또는 양자점(Quantum Dot)의 도포 방식은 크게 LED 칩 또는 발광소자에 뿌리는 방식, 또는 막 형태로 덮는 방식, 필름 또는 세라믹 형광체 등의 시트 형태를 부착하는 방식 중 적어도 하나를 사용 할 수 있다.
뿌리는 방식으로는 디스펜싱, 스프레이 코팅 등이 일반적이며 디스펜싱은 공압방식과 스크류(Screw), 리니어 타입(Linear type) 등의 기계적 방식을 포함한다. 제팅(Jetting) 방식으로 미량 토출을 통한 도팅량 제어 및 이를 통한 색좌표 제어도 가능하다. 웨이퍼 레벨 또는 발광 소자 기판상에 스프레이 방식으로 형광체를 일괄 도포하는 방식은 생산성 및 두께 제어가 용이할 수 있다.
상기 발광 소자(30) 또는 LED 칩 위에 막 형태로 직접 덮는 방식은 전기영동, 스크린 프린팅 또는 형광체의 몰딩 방식으로 적용될 수 있으며 LED 칩 측면의 도포 유무 필요에 따라 해당 방식의 차이점을 가질 수 있다.
발광 파장이 다른 2종 이상의 형광체 중 단파장에서 발광하는 광을 재 흡수하는 장파장 발광 형광체의 효율을 제어하기 위하여 발광 파장이 다른 2종 이상의 형광체층을 구분할 수 있으며, LED 칩과 형광체 2종 이상의 파장 재흡수 및 간섭을 최소화하기 위하여 각 층 사이에 DBR(ODR)층을 포함 할 수 있다.
균일 도포막을 형성하기 위하여 형광체를 필름 또는 세라믹 형태로 제작 후 LED 칩 또는 발광 소자 위에 부착할 수 있다.
광 효율, 배광 특성에 차이점을 주기 위하여 리모트 형식으로 광변환 물질을 위치할 수 있으며, 이 때 광변환 물질은 내구성, 내열성에 따라 투광성 고분자, 유리등의 물질 등과 함께 위치한다.
이러한, 상기 형광체 도포 기술은 발광 소자에서 광특성을 결정하는 가장 큰 역할을 하게 되므로, 형광체 도포층의 두께, 형광체 균일 분산 등의 제어 기술들이 다양하게 연구되고 있다. QD 또한 형광체와 동일한 방식으로 LED 칩 또는 발광 소자에 위치할 수 있으며, 유리 또는 투광성 고분자 물질 사이에 위치하여 광 변환을 할 수 있다.
또한, 도시하지 않았지만, 이외에도, 상기 발광 소자(30)의 주변에 각종 반사 부재나, 투광 봉지재나, 불투광 봉지재나 필터나 도광판이나 디스플레이 패널 등 매우 다양한 형태의 부재들이 추가로 설치될 수 있다.
그러므로, 상기 기판(10)의 모서리를 둥글게 처리하여 미세 크랙이 발생되는 것을 방지할 수 있고, 상기 절단면(40a)에서 발생될 수 있는 미세 크랙이 다른 부위로 전파되는 것을 방지하여 제품의 성능과 내구성을 크게 향상시키고, 양질의 제품을 생산할 수 있다.
도 4 내지 도 20은 상술된 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 제조 과정을 단계적으로 나타내는 도면들이다.
도 4는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 제조 과정에서 원판(1)을 준비하는 원판 준비 단계를 나타내는 평면도이고, 도 5는 도 4의 V-V 절단면을 나타내는 단면도이다.
도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 먼저, 금속 재질의 원판(1)을 준비할 수 있다.
여기서, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 원판(1)은 기판 스트립(1000)의 소재가 될 수 있는 얇은 판 형상인 것으로서, 예를 들어서, 산화층 형성이 용이하고, 가공성과 열전도성이 우수한 1000이나 5000 계열의 알루미늄 재질일 수 있다.
도 6은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 제조 과정에서 원판(1)을 성형하는 원판 성형 단계를 나타내는 평면도이고, 도 7은 도 6의 VII-VII 절단면을 나타내는 단면도이다.
이어서, 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 원판(1)의 일측과 타측에 각각 제 1 레일부(2-1) 및 제 2 레일부(2-2)가 형성되고, 중간에 다이부(3)가 형성되며, 상기 제 1 레일부(2-1)와 상기 다이부(3) 사이에 적어도 하나의 제 1 브릿지부(41)가 형성되고, 상기 제 2 레일부(2-2)와 상기 다이부(3) 사이에 적어도 하나의 제 2 브릿지부(42)가 형성되도록 상기 원판(1)을 기판 스트립(1000)으로 성형할 수 있다.
여기서, 상기 다이부(3)의 전면과 후면에는 각각 상기 제 1 브릿지부(41) 및 상기 제 2 브릿지부(42)가 형성될 수 있고, 상기 다이부(3)의 좌측면 및 우측면에는 측면 전극을 형성하기 위한 전극 형성 공간을 마련할 수 있다.
도 8은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 제조 과정에서 표면 처리 단계를 나타내는 평면도이고, 도 9는 도 8의 IX-IX 절단면을 나타내는 단면도이다.
이어서, 도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 기판 스트립(1000)의 상기 다이부(3)의 모서리가 둥글게 라운딩 처리될 수 있도록 상기 기판 스트립(1000)을 식각액에 침지하고, 상기 기판 스트립(1000)의 길이 방향에 수직한 방향으로 상기 기판 스트립(1000)을 왕복운동시켜서 상기 기판 스트립(1000)을 표면 처리할 수 있다.
여기서, 상기 기판 스트립(1000)을 왕복운동시키는 방법 이외에도 상기 기판 스트립(1000)을 회전운동시키는 등 매우 다양한 이동 방법을 이용할 수 있고, 상술된 화학적 식각 방법 이외에도 기계적으로 연마하는 방법 등 다양한 방법으로 모서리를 둥글게 표면 처리할 수 있다.
이러한 상기 기판 스트립(1000)의 표면 처리를 통해서 모서리에 이미 형성된 미세 크랙을 제거하거나 모서리를 둥글게 하여 미세 크랙이 발생되지 않도록 예방할 수 있다.
이외에도, 상술된 표면 처리를 통해 상기 기판 스트립(1000)의 표면 조도를 향상시킬 수 있고, 가공 불량으로 모서리에서 흔하게 발생될 수 있는 버(Burr) 부분이나 플래시(flash) 등 각종 흠집이나 짜투리 부분을 말끔하게 제거할 수 있다.
도 10은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 제조 과정에서 절연층 형성 단계를 나타내는 평면도이고, 도 11은 도 10의 XI-XI 절단면을 나타내는 단면도이다.
이어서, 도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이, 모서리가 둥글게 표면 처리된 상기 기판 스트립(1000)에 절연층(11)을 형성할 수 있다.
여기서, 상기 절연층(11)은 알루미늄 산화물인 알루미나를 포함할 수 있다. 이러한 산화 방법으로는 여러 가지 방법이 가능하지만, 아노다이징(anodizing)법을 이용해서 상기 기판(10)의 표면 알루미늄 성분을 산화시켜서 상기 절연층(11)을 형성할 수 있다.
즉, 상기 절연층(11)은 양극산화방식으로 알루미늄 재질의 상기 기판 스트립(1000)의 표면을 산화시켜서 절연층(11)을 형성할 수 있다.
여기서, 양극산화방식이란 금속을 양극으로 하여 전기질 수용액에 전기 분해를 행함으로써 금속 표면에 내식성 산화 피막이 생성되는 방식으로 주로 알루미늄 산화막을 형성하는 데에 널리 사용되는 방식일 수 있다.
이러한, 상기 전기질 수용액은, 옥살산, 황산, 술폰산, 인산 및 크롬산 등 산성 전해질 수용액이 사용될 수 있다.
한편, 상기 기판 스트립(1000)의 표면 중 일부에 절연층(11)이 형성되지 않도록 절연층 마스크가 선택적으로 설치될 수 있다.
여기서, 상기 기판 스트립(1000)의 표면 중 일부에 절연층(11)을 형성하지 않는 이유는, 이를 통해서 열전도성을 높이거나 광 반사율을 높일 수 있기 때문이다.
도 12는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 제조 과정에서 전극층 형성 단계의 제 1 마스크 설치 단계를 나타내는 평면도이고, 도 13은 도 12의 XIII-XIII 절단면을 나타내는 단면도이다.
또한, 도 14는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 제조 과정에서 전극층 형성 단계의 상부 전극 형성 단계 또는 하부 전극 형성 단계를 나타내는 평면도이고, 도 15는 도 14의 XV-XV 절단면을 나타내는 단면도이다.
이어서, 도 12 내지 도 15에 도시된 바와 같이, 상기 기판 스트립(1000)의 상기 다이부(3)에 형성된 상기 절연층(11) 상에 전극 분리선(L)이 형성된 제 1 전극층(20-1) 및 제 2 전극층(20-2)을 형성할 수 있다.
즉, 도 12 및 도 13에 도시된 바와 같이, 상기 기판 스트립(1000)의 상기 다이부(3)의 상면에 형성된 상기 절연층(11)에 상기 제 1 전극층(20-1) 및 상기 제 2 전극층(20-2)의 상부가 형성되도록 상기 절연층(11)에 제 1 패턴이 형성된 제 1 마스크(M1)를 설치하고, 상기 제 1 마스크(M1)의 제 1 패턴을 통해서, 도 14 및 도 15에 도시된 바와 같이, 상기 절연층(11)에 상기 제 1 전극층(20-1) 및 상기 제 2 전극층(20-2)의 상부를 스퍼터링 방식으로 형성할 수 있다.
여기서, 도시하지 않았지만, 상기 기판 스트립(1000)의 상기 다이부(3)의 하면에 형성된 상기 절연층(11)에 상기 제 1 전극층(20-1) 및 상기 제 2 전극층(20-2)의 하부가 형성되도록 상기 절연층(11)에 제 2 패턴이 형성된 제 2 마스크를 설치하고, 상기 제 2 마스크의 제 2 패턴을 통해서 상기 절연층(11)에 상기 제 1 전극층(20-1) 및 상기 제 2 전극층(20-2)의 하부를 스퍼터링 방식으로 형성할 수 있다.
여기서, 도 12 및 도 13에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 전극층(20-1) 및 상기 제 2 전극층(20-2)의 상부와 상기 제 1 전극층(20-1) 및 상기 제 2 전극층(20-2)의 하부가 전기적으로 서로 연결될 수 있도록 상기 제 1 마스크(M1)의 제 1 패턴에 측면 대응 여유홀(H)을 형성하고, 상기 측면 대응 여유홀(H)을 통해 상기 기판 스트립(1000)의 상기 다이부(3)의 측면에 제 1 측면 전극(21)을 형성할 수 있다.
마찬가지로, 상기 제 2 마스크의 제 2 패턴에 측면 대응 여유홀을 형성하고, 상기 제 1 측면 전극(21)과 전기적으로 연결될 수 있도록 상기 측면 대응 여유홀을 통해 상기 기판 스트립(1000)의 상기 다이부(3)의 측면에 제 2 측면 전극(22)을 형성할 수 있다.
이외에도, 도시하지 않았지만, 상기 제 1 전극층(20-1) 및 제 2 전극층(20-2)을 형성되도록 도전성 패이스트를 프린팅 또는 패드(PAD) 인쇄하는 것도 가능하다.
여기서, 상기 패드 인쇄란, 곡면 또는 3차원적인 표면을 포함하는 대상물의 표면에 인쇄가 가능하도록 먼저, 탄성 재질의 패드 표면에 인쇄 안료를 전사한 후, 상기 패드를 대상물에 압박하여 인쇄하는 방법을 말한다. 따라서, 이러한 패드 인쇄법을 이용하면 상기 절연층(11)의 측면에도 상기 제 1 전극층(20-1) 및 제 2 전극층(20-2)을 형성할 수 있다.
이외에도, 상기 제 1 마스크(M1) 상기 제 2 마스크 대신 3차원(3 Dimensions) 마스크를 이용하여 1회 또는 2회에 걸쳐서 상기 제 1 전극층(20-1) 및 제 2 전극층(20-2)의 측면 전극을 형성하는 것도 가능하다.
여기서, 이러한 3차원 마스크는 3차원 프린터나 몰딩이나 접착이나 패드 인쇄나 도포나 기타 프린팅 방법 등에 의해서 상기 절연층(11)의 표면에 설치될 수 있다.
도 16은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 제조 과정에서 댐부 형성 단계를 나타내는 평면도이고, 도 17은 도 16의 XVII-XVII 절단면을 나타내는 단면도이다.
이어서, 도 16 및 도 17에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 전극층(20-1) 및 상기 제 2 전극층(20-2)의 전체적으로 원형을 이루는 반사부(R1)(R2)의 둘레에 링형상의 댐부(50)를 몰딩이나 프린팅이나 디스펜싱하거나 식각하는 등 다양한 방법으로 형성할 수 있다.
도 18은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 제조 과정에서 렌즈 형성 단계를 나타내는 평면도이고, 도 19는 도 18의 XIX-XIX 절단면을 나타내는 단면도이다.
이어서, 도 18 및 도 19에 도시된 바와 같이, 상기 발광 소자(30)의 제 1 단자(31)와 상기 제 1 전극층(20-1)이 전기적으로 연결되고, 상기 발광 소자(30)의 제 2 단자(32)와 상기 제 2 전극층(20-2)이 전기적으로 연결되도록 상기 발광 소자(30)를 상기 제 1 전극층(20-1) 및 상기 제 2 전극층(20-2)에 안착시킬 수 있다.
이어서, 도 18 및 도 19에 도시된 바와 같이, 상기 발광 소자(30)를 렌즈(60) 또는 형광체가 둘러쌀 수 있도록 상기 댐부(50)의 내부에 렌즈 소재 또는 형광체 소재를 도포 또는 디스펜싱할 수 있다.
도 20은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 제조 과정에서 브릿지부 절단 단계를 나타내는 평면도이다.
이어서, 도 20에 도시된 바와 같이, 상기 발광 소자(30) 및 상기 기판 스트립(1000)의 다이부(3)를 발광 소자 패키지(100)로 개별화할 수 있도록 상기 제 1 브릿지부(41)의 절단선(C1) 및 상기 제 2 브릿지부(42)의 절단선(C2)을 절단할 수 있다.
여기서, 상기 브릿지부(40) 절단시 발생된 미세 크랙이 상기 다이부(3)로 전파되는 것을 방지할 수 있도록 상기 다이부(3)로부터 여유 길이(D)만큼 이격된 상기 브릿지부(40)의 절단선(C1)(C2)을 소윙(Sawing) 공정이나 트림(Trim) 공정을 이용하여 절단할 수 있다.
도 21은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 제조 방법을 나타내는 순서도이다.
도 1 내지 도 21에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 제조 방법은, 금속 재질의 원판(1)을 준비하는 원판 준비 단계(S1)와, 이어서, 상기 원판(1)의 일측과 타측에 각각 제 1 레일부(2-1) 및 제 2 레일부(2-2)가 형성되고, 중간에 다이부(3)가 형성되며, 상기 제 1 레일부(2-1)와 상기 다이부(3) 사이에 적어도 하나의 제 1 브릿지부(41)가 형성되고, 상기 제 2 레일부(2-2)와 상기 다이부(3) 사이에 적어도 하나의 제 2 브릿지부(42)가 형성되도록 상기 원판(1)을 기판 스트립(1000)으로 성형하는 원판 성형 단계(S2)와, 이어서, 상기 기판 스트립(1000)을 표면 처리하는 표면 처리 단계(S3)와, 이어서, 표면 처리된 상기 기판 스트립(1000)에 절연층(11)을 형성하는 절연층 형성 단계(S4)와, 이어서, 상기 기판 스트립(1000)의 상기 다이부(3)에 형성된 상기 절연층(11) 상에 전극 분리선(L)이 형성된 제 1 전극층(20-1) 및 제 2 전극층(20-2)을 형성하는 전극층 형성 단계(S5)와, 이어서, 상기 제 1 전극층(20-1) 및 상기 제 2 전극층(20-2)의 반사부(R1)(R2) 둘레에 링형상의 댐부(50)를 형성하는 댐부 형성 단계(S6)와, 이어서, 발광 소자(30)의 제 1 단자(31)와 상기 제 1 전극층(20-1)이 전기적으로 연결되고, 상기 발광 소자(30)의 제 2 단자(32)와 상기 제 2 전극층(20-2)이 전기적으로 연결되도록 상기 발광 소자(30)를 상기 제 1 전극층(20-1) 및 상기 제 2 전극층(20-2)에 안착시키는 발광 소자 안착 단계(S7)와, 이어서, 상기 발광 소자(30)를 렌즈(60) 또는 형광체가 둘러쌀 수 있도록 상기 댐부(50)의 내부에 렌즈 소재 또는 형광체 소재를 도포 또는 디스펜싱하는 렌즈 형성 단계(S8) 및 이어서, 상기 발광 소자(30) 및 상기 기판 스트립(1000)의 다이부(3)를 발광 소자 패키지(100)로 개별화할 수 있도록 상기 제 1 브릿지부(41)의 절단선(C1) 및 상기 제 2 브릿지부(42)의 절단선(C2)을 절단하는 브릿지부 절단 단계(S9)를 포함하는 일련의 과정을 수행하여 이루어질 수 있다.
더욱 구체적으로 예를 들면, 상기 표면 처리 단계(S3)는, 상기 기판 스트립(1000)의 상기 다이부(3)의 모서리가 둥글게 라운딩 처리될 수 있도록 상기 기판 스트립(1000)을 식각액에 침지하고, 상기 기판 스트립(1000)의 길이 방향에 수직한 방향으로 상기 기판 스트립(1000)을 왕복운동시키는 과정을 수행하여 이루어질 수 있다.
또한, 상기 절연층 형성 단계(S4)는, 양극산화방식으로 알루미늄 재질의 상기 기판 스트립(1000)의 표면을 산화시켜서 절연층(11)을 형성할 수 있다.
또한, 상기 절연층 형성 단계(S4)에서, 상기 기판 스트립(1000)의 표면 중 일부에 절연층(11)이 형성되지 않도록 절연층 마스크가 설치될 수 있다.
또한, 상기 전극층 형성 단계(S5)는, 상기 기판 스트립(1000)의 상기 다이부(3)의 상면에 형성된 상기 절연층(11)에 상기 제 1 전극층(20-1) 및 상기 제 2 전극층(20-2)의 상부가 형성되도록 상기 절연층(11)에 제 1 패턴이 형성된 제 1 마스크(M1)를 설치하는 제 1 마스크 설치 단계(S5-1)와, 상기 제 1 마스크(M1)의 제 1 패턴을 통해서 상기 절연층(11)에 상기 제 1 전극층(20-1) 및 상기 제 2 전극층(20-2)의 상부를 스퍼터링 방식으로 형성하는 상부 전극 형성 단계(S5-2)와, 상기 기판 스트립(1000)의 상기 다이부(3)의 하면에 형성된 상기 절연층(11)에 상기 제 1 전극층(20-1) 및 상기 제 2 전극층(20-2)의 하부가 형성되도록 상기 절연층(11)에 제 2 패턴이 형성된 제 2 마스크를 설치하는 제 2 마스크 설치 단계(S5-3) 및 상기 제 2 마스크의 제 2 패턴을 통해서 상기 절연층(11)에 상기 제 1 전극층(20-1) 및 상기 제 2 전극층(20-2)의 하부를 스퍼터링 방식으로 형성하는 하부 전극 형성 단계(S5-4)을 포함할 수 있다.
이러한, 상기 제 1 마스크 설치 단계(S5-1)에서, 상기 제 1 전극층(20-1) 및 상기 제 2 전극층(20-2)의 상부와 상기 제 1 전극층(20-1) 및 상기 제 2 전극층(20-2)의 하부가 전기적으로 서로 연결될 수 있도록 상기 제 1 마스크(M1)의 제 1 패턴에 측면 대응 여유홀(H)을 형성하고, 상기 상부 전극 성형 단계(S5-2)에서, 상기 측면 대응 여유홀(H)을 통해 상기 기판 스트립(1000)의 상기 다이부(3)의 측면에 제 1 측면 전극(21)을 형성하며, 상기 제 2 마스크 설치 단계(S5-3)에서, 상기 제 2 마스크의 제 2 패턴에 측면 대응 여유홀을 형성하고, 상기 하부 전극 성형 단계(S5-4)에서, 상기 제 1 측면 전극(21)과 전기적으로 연결될 수 있도록 상기 측면 대응 여유홀을 통해 상기 기판 스트립(1000)의 상기 다이부(3)의 측면에 제 2 측면 전극(22)을 형성할 수 있다.
한편, 상기 전극층 형성 단계(S5)는, 상기 제 1 전극층(20-1) 및 제 2 전극층(20-2)을 형성되도록 도전성 패이스트를 프린팅 또는 패드(PAD) 인쇄하는 것도 가능하다.
여기서, 상기 패드 인쇄란, 곡면 또는 3차원적인 표면을 포함하는 대상물의 표면에 인쇄가 가능하도록 먼저, 탄성 재질의 패드 표면에 인쇄 안료를 전사한 후, 상기 패드를 대상물에 압박하여 인쇄하는 방법을 말한다. 따라서, 이러한 패드 인쇄법을 이용하면 상기 절연층(11)의 측면에도 상기 제 1 전극층(20-1) 및 제 2 전극층(20-2)을 형성할 수 있다.
또한, 상기 브릿지부 절단 단계(S9)에서, 상기 브릿지부(40) 절단시 발생된 미세 크랙이 상기 다이부(3)로 전파되는 것을 방지할 수 있도록 상기 다이부(3)로부터 여유 길이(D)만큼 이격된 상기 브릿지부(40)의 절단선(C1)(C2)을 절단하는 것도 가능하다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
1: 원판
2-1: 제 1 레일부
2-2; 제 2 레일부
3: 다이부
10: 기판
11: 절연층
20-1: 제 1 전극층
20-2: 제 2 전극층
30: 발광 소자
40: 브릿지부
100: 발광 소자 패키지
1000: 기판 스트립
2-1: 제 1 레일부
2-2; 제 2 레일부
3: 다이부
10: 기판
11: 절연층
20-1: 제 1 전극층
20-2: 제 2 전극층
30: 발광 소자
40: 브릿지부
100: 발광 소자 패키지
1000: 기판 스트립
Claims (10)
- 금속 재질의 원판을 준비하는 원판 준비 단계;
상기 원판의 일측과 타측에 각각 제 1 레일부 및 제 2 레일부가 형성되고, 중간에 다이부가 형성되며, 상기 제 1 레일부와 상기 다이부 사이에 적어도 하나의 제 1 브릿지부가 형성되고, 상기 제 2 레일부와 상기 다이부 사이에 적어도 하나의 제 2 브릿지부가 형성되도록 상기 원판을 기판 스트립으로 성형하는 원판 성형 단계;
상기 기판 스트립을 표면 처리하는 표면 처리 단계;
표면 처리된 상기 기판 스트립에 절연층을 형성하는 절연층 형성 단계; 및
상기 기판 스트립의 상기 다이부에 형성된 상기 절연층 상에 전극 분리선이 형성된 제 1 전극층 및 제 2 전극층을 형성하는 전극층 형성 단계;
를 포함하는, 발광 소자 패키지 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 표면 처리 단계는,
상기 기판 스트립의 상기 다이부의 모서리가 둥글게 라운딩 처리될 수 있도록 상기 기판 스트립을 식각액에 침지하고, 상기 기판 스트립의 길이 방향에 수직한 방향으로 상기 기판 스트립을 왕복운동시키는 것인, 발광 소자 패키지 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 절연층 형성 단계는,
양극산화방식으로 알루미늄 재질의 상기 기판 스트립의 표면을 산화시켜서 절연층을 형성하는 것인, 발광 소자 패키지 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 전극층 형성 단계는,
상기 기판 스트립의 상기 다이부의 상면에 형성된 상기 절연층에 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층의 상부가 형성되도록 상기 절연층에 제 1 패턴이 형성된 제 1 마스크를 설치하는 제 1 마스크 설치 단계;
상기 제 1 마스크의 제 1 패턴을 통해서 상기 절연층에 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층의 상부를 스퍼터링 방식으로 형성하는 상부 전극 형성 단계;
상기 기판 스트립의 상기 다이부의 하면에 형성된 상기 절연층에 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층의 하부가 형성되도록 상기 절연층에 제 2 패턴이 형성된 제 2 마스크를 설치하는 제 2 마스크 설치 단계; 및
상기 제 2 마스크의 제 2 패턴을 통해서 상기 절연층에 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층의 하부를 스퍼터링 방식으로 형성하는 하부 전극 형성 단계;
를 포함하는, 발광 소자 패키지 제조 방법. - 제 4 항에 있어서,
상기 제 1 마스크 설치 단계에서,
상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층의 상부와 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층의 하부가 전기적으로 서로 연결될 수 있도록 상기 제 1 마스크의 제 1 패턴에 측면 대응 여유홀을 형성하고,
상기 상부 전극 성형 단계에서,
상기 측면 대응 여유홀을 통해 상기 기판 스트립의 상기 다이부의 측면에 제 1 측면 전극을 형성하며,
상기 제 2 마스크 설치 단계에서,
상기 제 2 마스크의 제 2 패턴에 측면 대응 여유홀을 형성하고,
상기 하부 전극 성형 단계에서,
상기 제 1 측면 전극과 전기적으로 연결될 수 있도록 상기 측면 대응 여유홀을 통해 상기 기판 스트립의 상기 다이부의 측면에 제 2 측면 전극을 형성하는 것인, 발광 소자 패키지 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 전극층 형성 단계 이후에,
상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층의 반사부 둘레에 링형상의 댐부를 형성하는 댐부 형성 단계;
상기 발광 소자를 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층에 안착시키는 발광 소자 안착 단계; 및
상기 발광 소자를 렌즈 또는 형광체가 둘러쌀 수 있도록 상기 댐부의 내부에 렌즈 소재 또는 형광체 소재를 도포 또는 디스펜싱하는 렌즈 형성 단계;
를 더 포함하는, 발광 소자 패키지 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 발광 소자를 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층에 안착시키는 발광 소자 안착 단계; 및
상기 발광 소자 및 상기 기판 스트립의 다이부를 발광 소자 패키지로 개별화할 수 있도록 상기 제 1 브릿지부의 절단선 및 상기 제 2 브릿지부의 절단선을 절단하는 브릿지부 절단 단계;를 더 포함하고,
상기 브릿지부 절단 단계에서, 상기 브릿지부 절단시 발생된 미세 크랙이 상기 다이부로 전파되는 것을 방지할 수 있도록 상기 다이부로부터 여유 길이만큼 이격된 상기 브릿지부의 절단선을 절단하는 것인, 발광 소자 패키지 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 절연층 형성 단계에서,
상기 기판 스트립의 표면 중 일부에 절연층이 형성되지 않도록 절연층 마스크가 설치되는 것인, 발광 소자 패키지 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 전극층 형성 단계는,
상기 제 1 전극층 및 제 2 전극층을 형성되도록 도전성 패이스트를 프린팅 또는 패드(PAD) 인쇄하는 것인, 발광 소자 패키지 제조 방법. - 모서리가 둥글게 라운딩 처리된 금속 재질의 기판;
상기 기판의 표면에 형성되는 절연층;
상기 절연층에 형성되고, 전극 분리선이 형성된 제 1 전극층 및 제 2 전극층;
상기 제 1 전극층과 상기 제 2 전극층에 안착되는 발광 소자; 및
측면에 절단면이 형성되고, 기판 스트립 절단시 발생된 미세 크랙이 상기 기판 또는 상기 절연층으로 전달되는 것을 방지하도록 상기 기판의 측면 또는 상기 절연층의 측면으로부터 여유 길이만큼 돌출되게 형성되는 브릿지부;
를 포함하는, 발광 소자 패키지.
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