KR20150073708A - Etchant spill module used in the apparatus for sliming glass - Google Patents

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KR20150073708A KR1020130161703A KR20130161703A KR20150073708A KR 20150073708 A KR20150073708 A KR 20150073708A KR 1020130161703 A KR1020130161703 A KR 1020130161703A KR 20130161703 A KR20130161703 A KR 20130161703A KR 20150073708 A KR20150073708 A KR 20150073708A
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Abstract

The present invention relates to an enchant outflow module used in an apparatus for thinning a substrate in a top-down manner. Particularly, an etchant free falls along a surface of a substrate in a vertical direction from an upper portion of the substrate, thereby thinning the substrate. Accordingly, particles and scratches of the substrate generated when etched by an etchant injection, or deposition and bubbles can be prevented, and a cross-section of an accommodation unit for accommodating the etchant and flowing the etchant downward to the substrate is formed in a flat and smooth square shape. Also, flow rate and flow velocity of the etchant are controlled to be flowed to the substrate, whereby uniform thinning of the substrate can be performed. The enchant outflow module used in an apparatus for thinning a substrate in a top-down manner comprises: accommodation units which have square cross-sections and an opened, long hexagonal shaped-upper surface, which accommodates an etchant introduced from the outside through an etchant inlet formed on a side surface, and which flows the etchant out through an opening unit of the opened upper surface when the accommodated etchant is flowed upward; and a guide unit which is attached and connected to a bottom surface of the accommodation unit in order to guide the etchant overflowing along an outer surface of the accommodation unit into a vertically upward direction of the substrate.

Description

하향식 기판 박형화 장치용 에칭액 유출 모듈{ETCHANT SPILL MODULE USED IN THE APPARATUS FOR SLIMING GLASS}[0001] ETCHANT SPILL MODULE USED IN THE APPARATUS FOR SLIMING GLASS [0002] FIELD OF THE INVENTION [0003]

본 발명은 하향식 기판 박형화 장치용 에칭액 유출 모듈에 관한 것으로, 특히 기판의 상부에서 수직으로 기판의 면을 따라 에칭액을 자유낙하 하여 기판을 박형화함으로써, 에칭액 분사식이나 침적 및 기포(버블)에 의한 에칭시 발생하는 기판의 파티클 발생 및 스크래치 발생을 제거할 수 있고, 상기 에칭액을 수용하여 상기 기판으로 하향 유출시키는 수용부의 단면을 굴곡이 없는 사각형으로 구성하고, 상기 에칭액의 유량 및 유속이 조절되어 상기 기판으로 유출함으로써, 균일한 기판 박형화를 수행할 수 있는 하향식 기판 박형화 장치용 에칭액 유출 모듈에 관한 것이다.More particularly, the present invention relates to an etching solution outflow module for a top down substrate thinning apparatus, and more particularly, to an etching solution outflow module for a top down type substrate thinning apparatus, in which an etching liquid is freely dropped vertically along the surface of a substrate, And a cross section of the accommodating portion accommodating the etchant and flowing downward to the substrate is formed into a quadrilateral shape without bending, and the flow rate and the flow rate of the etchant are adjusted to the substrate To an etchant efflux module for a top-down substrate thinning apparatus capable of performing uniform substrate thinning.

최근 반도체, 디스플레이장비 산업의 발전과 경박단소한 제품을 원하는 소비자들의 요구에 발맞추어 글라스가 합착된 형태로 제조되는 디스플레이 패널(Panel)을 박형화하는 기술의 발전이 절실하게 요구되고 있다. 2. Description of the Related Art In recent years, in order to meet the needs of consumers who desire small and light-weight products in the development of the semiconductor and display equipment industries, development of a technology for thinning a display panel manufactured in the form of glass lapping is urgently required.

즉, LCD 의 기판 등에 사용되는 글라스의 두께는 장비의 박형화의 흐름에 맞추어 초박형화가 요구되고 있으며, 이러한 박형화의 기술은 디스플레이 패널(Panel)의 에칭을 통하여 이루어지고 있다. That is, the thickness of the glass used for the substrate of the LCD is required to be thin in accordance with the thinning of the equipment, and such thinning technique is performed through etching of the display panel.

종래 화학적 에칭방법을 이용하여 패널을 박형화하는 종래의 기술로 널리 알려진 것이, 침적법(Dip), 분사법(Spray)등 이 있다. 그러나 이러한 구조의 에칭방법은 외부에서 필연적으로 에칭액을 분사하거나 침적을 하되 에칭을 위한 버블을 제공하여야 하는바, 에칭면에 미세한 파티클이나 스크레치가 발생하여 정밀한 글라스 에칭 및 이를 통한 박형화 공정의 구현이 어려운 단점이 있었다.Conventionally known techniques for thinning a panel using a conventional chemical etching method include a dipping method and a spraying method. However, the etching method of such a structure requires that an etchant is injected from the outside or a bubble for etching is provided while depositing the etchant. As a result, fine particles or scratches are generated on the etched surface and it is difficult to realize a precision glass etching and a thinning process There were disadvantages.

아울러 에칭공정에 따른 에칭액의 수세와 정밀 에칭이 이루어지지 않은 경우에 다시 에칭공정을 수행하는 작업 공정상의 불편함으로 인해 대량 작업이 어려워 생산성이 낮아지는 단점도 존재하였다.In addition, when the etching solution is washed with water and precise etching is not performed, there is a disadvantage in that productivity is lowered due to difficulty in mass-production due to inconvenience in a process of performing an etching process again.

상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명의 출원인은 "하향식 기판 박형화 장치 및 이를 이용한 박형화 시스템"(등록번호 10-0889949)을 출원하여 특허등록을 받은 상태이다.In order to solve the problems of the related art as described above, the applicant of the present invention has filed a patent application for "a top-down type substrate thinning apparatus and a thinning system using the same" (Registration No. 10-0889949).

그런데, 상기 "하향식 기판 박형화 장치 및 이를 이용한 박형화 시스템"(등록번호 10-0889949)에서 사용하는 하향식 기판 박형화 장치용 에칭액 유출 모듈(등록번호 10-0889949)에서는 "노즐부"라 표현함)은 에칭액을 수용하는 수용부의 단면 형상이 굴곡져 있기 때문에, 수용부의 상부로부터 유출되는 에칭액의 유량 및 유속이 일정하지 않은 문제점이 있다.However, in the "top-down type substrate thinning apparatus and thinning system using the same" (Registration No. 10-0889949), the etching liquid spill module (registration number 10-0889949) for top down substrate thinning apparatus There is a problem that the flow rate and the flow rate of the etching liquid flowing out from the upper portion of the accommodating portion are not constant.

즉, 수용부의 긴 양 측면이 바깥쪽으로 볼록하기 때문에, 수용부에서 차오르는 에칭액의 유량 및 유속이 일정하지 않은 현상이 발생한다. 이로 인하여, 수용부 상부에서 유출되는 에칭액의 유속 및 유량이 일정하지 않은 현상이 발생할 수 있는 문제점이 있다.That is, since the long both side surfaces of the accommodating portion are convex outward, a phenomenon occurs in which the flow rate and the flow rate of the etching liquid flowing in the accommodating portion are not constant. As a result, there is a problem that the flow rate and the flow rate of the etching liquid flowing out from the upper portion of the receiving portion are not constant.

국내 등록번호 제10-0889949호Domestic Registration No. 10-0889949

본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로, 기판의 상부에서 수직으로 기판의 면을 따라 에칭액을 자유낙하 하여 기판을 박형화함으로써, 에칭액 분사식이나 침적 및 기포(버블)에 의한 에칭시 발생하는 기판의 파티클 발생 및 스크래치 발생을 제거할 수 있고, 상기 에칭액을 수용하여 상기 기판으로 하향 유출시키는 수용부의 단면을 굴곡이 없는 사각형으로 구성하고, 상기 에칭액의 유량 및 유속이 조절되어 상기 기판으로 유출함으로써, 균일한 기판 박형화를 수행할 수 있는 하향식 기판 박형화 장치용 에칭액 유출 모듈을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the problems of the related art as described above, and it is an object of the present invention to provide a method of etching a substrate by vertically dropping an etchant along a surface of the substrate, Wherein a cross section of the accommodating portion accommodating the etchant and flowing downward to the substrate is formed into a quadrilateral shape without bending, and the flow rate and the flow rate of the etchant are controlled, It is an object of the present invention to provide an etching solution outflow module for a top down substrate thinning apparatus capable of uniformly thinning a substrate by flowing out through a substrate.

상기와 같은 과제를 해결하기 위하여 제안된 본 발명인 하향식 기판 박형화 장치용 에칭액 유출 모듈을 이루는 구성수단은, 하향식 기판 박형화 장치용 에칭액 유출 모듈에 있어서, 단면이 사각형이고 상면이 완전 개방된 긴 육각형 형상이되, 측면에 형성된 에칭액 유입구를 통하여 외부에서 주입되는 에칭액을 수용하고, 상기 수용된 에칭액이 차올라서 상기 개방된 상면의 개방부를 통하여 유출시키는 수용부, 상기 수용부의 겉면을 따라 넘쳐흐르는 에칭액을 상기 기판의 수직 상부 방향으로 가이드하기 위하여 상기 수용부의 밑면에 부착 연결되는 가이드부를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.In order to solve the above-described problems, the present invention provides an etching solution outflow module for a top down substrate thinning apparatus, comprising: a top surface of the top surface of the bottom surface An accommodating portion for accommodating an etchant injected from the outside through an etchant inlet formed on a side surface of the accommodating portion, an accommodating portion for accommodating the etchant accommodated therein and allowing the etchant to flow out through the open portion of the open upper surface, And a guiding part attached to the bottom surface of the receiving part to be guided in the vertical upward direction.

또한, 상기 개방부를 구획하는 상기 수용부의 최상단은 볼록면으로 형성된 것을 특징으로 한다.Further, the upper end of the accommodating portion for partitioning the opening portion is formed as a convex surface.

또한, 상기 수용부 내부에는 외부에서 주입되는 에칭액의 급격한 유량 증가를 방지하기 위하여 수평 방향으로 배치되는 완충 격벽이 구비되는 것을 특징으로 한다.In addition, the accommodating portion is provided with a buffering barrier disposed in a horizontal direction to prevent an abrupt increase in flow rate of an etchant injected from the outside.

여기서, 상기 완충 격벽은 상기 수용부에 형성된 에칭액 주입구보다 더 상측에 배치되는 것을 특징으로 한다.Here, the buffer partition may be disposed on the upper side of the etchant injection port formed in the receiving portion.

여기서, 상기 완충 격벽은 박판의 부재에 다수의 에칭액 완충 투과공이 형성되는 것을 특징으로 한다.The buffering barrier is characterized in that a plurality of etch buffer penetration holes are formed in the thin plate member.

여기서, 상기 완충 격벽은 상기 수용부 내부에서 적어도 2개 이상 구비되는 것을 특징으로 한다.Here, the buffer partition may be provided at least two in the receiving portion.

여기서, 상기 가이드부는 수직 하부로 갈수록 점차 경사를 이루는 구조로, 그 말단은 상기 기판의 상부면의 수직 상부방향과 대응되도록 정렬되는 것을 특징으로 한다.Here, the guide portion may have a gradually tapered shape toward a vertical lower portion, and the ends of the guide portion may be aligned with a vertical upper direction of the upper surface of the substrate.

상기와 같은 과제 및 해결 수단을 가지는 본 발명인 하향식 기판 박형화 장치용 에칭액 유출 모듈에 의하면, 기판의 상부에서 수직으로 기판의 면을 따라 에칭액을 자유낙하 하여 기판을 박형화하기 때문에, 에칭액 분사식이나 침적 및 기포(버블)에 의한 에칭시 발생하는 기판의 파티클 발생 및 스크래치 발생을 제거할 수 있는 장점이 있다.According to the etching solution spout module for a top down type substrate thinning apparatus of the present invention having the above-described problems and the solution, since the etching solution is freely dropped vertically along the surface of the substrate at the top of the substrate to thin the substrate, There is an advantage that particle generation and scratch generation on the substrate occurring during etching by bubbles can be eliminated.

또한, 상기 에칭액을 수용하여 상기 기판으로 하향 유출시키는 수용부의 단면을 굴곡이 없는 사각형으로 구성하고, 상기 에칭액의 유량 및 유속이 조절되어 상기 기판으로 유출함으로써, 균일한 기판 박형화를 수행할 수 있는 장점이 있다.In addition, it is possible to uniformly thin the substrate by constituting a cross section of the accommodating portion accommodating the etchant and flowing downward to the substrate with a rectangular shape without bending, and controlling the flow rate and flow rate of the etchant to flow out to the substrate. .

도 1은 본 발명인 하향식 기판 박형화 장치용 에칭액 유출 모듈이 적용된 하향식 기판 박형화 장치의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 하향식 기판 박형화 장치용 에칭액 유출 모듈의 투명 사시도이다.
도 3은 하향식 기판 박형화 장치용 에칭액 유출 모듈의 단면도이다.
도 4는 본 발명에 적용되는 완충격벽의 상세도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 하향식 기판 박형화 장치용 에칭액 유출 모듈의 사시도이다.1 is a perspective view of a top down substrate thinning apparatus to which an etchant effusion module for a top down substrate thinning apparatus of the present invention is applied.
2 is a transparent perspective view of an etchant efflux module for a top down substrate thinning apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of an etchant effluent module for a top down substrate thinning device.
4 is a detailed view of a shock absorbing barrier applied to the present invention.
5 is a perspective view of an etchant efflux module for a top down substrate thinning apparatus according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 상기와 같은 과제, 해결 수단 및 효과를 가지는 본 발명인 하향식 기판 박형화 장치용 에칭액 유출 모듈에 관한 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT Hereinafter, a preferred embodiment of an etching solution outflow module for a top down substrate thinning apparatus according to the present invention having the above-described problems, solutions, and effects will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

이하에서 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야할 것이다.It is to be understood that the terminology or words used herein are not to be construed in an ordinary sense or a dictionary, and that the inventor can properly define the concept of a term to describe its invention in the best possible way And should be construed in accordance with the meaning and concept consistent with the technical idea of the present invention.

도 1은 본 발명인 하향식 기판 박형화 장치용 에칭액 유출 모듈(100)이 적용된 하향식 기판 박형화 장치의 사시도이다.1 is a perspective view of a top down substrate thinning apparatus to which an etching solution outflow module 100 for a top down substrate thinning apparatus of the present invention is applied.

도 1을 참조하면, 본 발명이 적용되는 하향식 기판 박형화 장치는 글라스 또는 액정패널(이하, '기판'이라 한다.)(20)을 수직으로 세운 상태에서 기판의 상부에서 기판의 표면을 따라 에칭액을 자유낙하시키며 식각하여 박형화하는 장치이다. Referring to FIG. 1, a top down substrate thinning apparatus to which the present invention is applied includes an etchant (not shown) disposed on a substrate in a state where a glass or liquid crystal panel It is a device that makes free fall and thinning by etching.

상기 하향식 기판 박형화 장치는 기판이 에칭되는 에칭 챔버(10)가 구비되며, 그 내부에 기판을 수직으로 세울 수 있는 고정부(30)가 구비된다. 상기 고정부(30)는 기판을 수직으로 세울 수 있는 구조로 형성되며, 기판을 좌우에서 그립하는 구조나 클램프구조 등 기판을 삽입하거나 세워 고정할 수 있는 구조물이면 다양한 구조로 변형될 수 있다. The top down type substrate thinning apparatus is provided with an etching chamber 10 in which a substrate is etched, and a fixing unit 30 is provided inside the etching chamber 10 so that the substrate can be vertically erected. The fixing portion 30 is formed to vertically erect the substrate. The fixing portion 30 can be modified into various structures as long as it is a structure capable of inserting or fixing the substrate such as a structure for gripping the substrate from the left and right or a clamp structure.

예를 들어, 상기 고정부(30)는 기판이 상부에서 하부로 삽입하여 고정할 수 있는 지그를 형성한다. 상기 지그는 적어도 1 이상의 기판이 삽입되어 고정될 수 있는 구조로, 그 하부에는 상기 에칭 챔버 내부로 기판이 고정된 상태로 로딩되거나 언로딩 될 수 있도록 이동 유닛(50)과 연결된다. For example, the fixing portion 30 forms a jig in which the substrate can be inserted and fixed from the top to the bottom. The jig is connected to the moving unit 50 so that the substrate can be loaded or unloaded while the substrate is fixed into the etching chamber.

상기 이동유닛(50)은 에칭 챔버와 에칭 공정 후에 기판 수세를 위한 수세챔버가 하나 또는 다수 연결되는 경우에 각 챔버 간에 상기 기판을 이송할 수 있도록 이송레일을 구비하고 타이밍 밸트를 통해 이동이 가능할 수 있도록 함이 바람직하나, 개별 이송 롤러, 고무 벨트 등 여러 가지 방법으로 구동을 구현할 수 있다.The moving unit 50 may include a transferring rail for transferring the substrate between the etching chambers and the chambers when one or more flushing chambers for flushing the substrate are connected after the etching process and may be movable through the timing belt However, it is possible to implement driving by various methods such as an individual transport roller, a rubber belt, and the like.

물론 에칭액의 공급이나 기판을 이동유닛을 따리 이동, 에칭의 속도의 전반적인 조절이 가능하게 하는 제어부(미도시)가 형성됨이 바람직하다. 또한, 상기 이동 유닛(50)은 마그네틱 기어 등을 이용하여 부상 이동을 통하여 기판을 적재한 가세트 또는 지그를 이동시킬 수도 있다.Of course, it is preferable that a control unit (not shown) is provided to enable the supply of the etching liquid, the movement of the substrate along the moving unit, and the overall adjustment of the etching speed. In addition, the moving unit 50 may move a cassette or a jig on which a substrate is loaded through floating movement using a magnetic gear or the like.

이상과 같이 설명한 하향식 기판 박형화 장치는 기판 상부에 배치되어 기판에 에칭액을 수직 하향식으로 흘러준다. 따라서, 상기 하향식 기판 박형화 장치는 본 발명의 실시예에 따라, 상기 에칭 챔버 상부에 배치되어 상기 기판의 수직상부에서 에칭액을 공급할 수 있는 하향식 기판 박형화 장치용 에칭액 유출 모듈(100)을 구비한다.The top-down type substrate thinning apparatus described above is disposed on the top of the substrate to vertically flow the etching liquid on the substrate. Thus, the top down substrate thinning apparatus comprises an etchant efflux module 100 for a top down substrate thinning apparatus, which is disposed above the etch chamber and can supply an etchant at a vertical top of the substrate, according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 하향식 기판 박형화 장치용 에칭액 유출 모듈(100)의 투명 사시도이고 도 3은 단면도이다. 이를 참조하여 본 발명인 하향식 기판 박형화 장치용 에칭액 유출 모듈(100)에 대하여 설명하면 다음과 같다.FIG. 2 is a transparent perspective view of an etchant effusion module 100 for a top down substrate thinning apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a cross-sectional view. The etchant efflux module 100 for a top down substrate thinning apparatus according to the present invention will now be described with reference to FIG.

본 발명에 따른 하향식 기판 박형화 장치용 에칭액 유출 모듈(100) 외부의 에칭액 공급관(P, 도 1 참조)에서 공급되는 에칭액을 수용하는 수용부(110)와, 상기 수용부(110)에 수용되는 에칭액이 수용부(110)를 빠져나와 넘쳐흘러 상기 기판의 수직상부 방향으로 흐르도록 가이드 하는 가이드부(150)를 포함하여 형성된다.A receiving portion 110 for receiving an etchant supplied from an etchant supply pipe P (see FIG. 1) outside the etchant solution outflow module 100 for a top down substrate thinning apparatus according to the present invention; And a guiding part 150 which protrudes out of the accommodating part 110 and flows so as to flow in the vertical direction of the substrate.

상기 수용부(110)는 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 한 쪽 측면에 에칭액 공급관(10)으로부터 유입되는 에칭액을 상기 수용부(110) 내부로 안내하는 에칭액 유입구(111)가 형성되어 있다. 상기 에칭액 유입구(111)는 상기 수용부(110)의 측면의 중앙 아래, 즉 측면 하단쪽에 형성되는 것이 바람직하다.2 and 3, the accommodating portion 110 is formed with an etchant inlet 111 for guiding the etchant flowing from the etchant supply pipe 10 into the receptacle 110 on one side thereof have. It is preferable that the etchant solution inlet 111 is formed under the center of the side surface of the accommodating portion 110, that is, on the lower side of the side surface.

상기 수용부(110)는 상기 에칭액 유입구(111)를 통하여 외부에서 주입되는 상기 에칭액을 수용한다. 상기 에칭액을 수용하는 과정에서, 상기 에칭액은 상기 수용부(110) 내부에서 차오르게 된다.The accommodating portion 110 receives the etchant injected from the outside through the etchant inlet 111. In the process of accommodating the etching solution, the etching solution is heated inside the accommodating portion 110.

상기 수용부(110)로 차오르게 되는 상기 에칭액은 상기 수용부(110)의 상부를 통해 넘쳐 흐르게 되고, 이 넘쳐 흐르는 에칭액은 상기 수용부(110)의 겉면을 타고 하방향으로 흘러 내려간다. 이 흘러 내려오는 에칭액은 후술할 가이드부(150)를 따라 상기 기판 상부로 전달된다.The etchant flowing into the accommodating portion 110 flows over the upper portion of the accommodating portion 110 and the overflowing etchant flows downward along the surface of the accommodating portion 110. The etchant flowing downward is transferred to the upper portion of the substrate along the guide portion 150, which will be described later.

여기서 중요한 특징은 수용부(110)의 형상이 종래와 달리 굴곡이 없다는 것이다. 즉, 수용부(110)의 내부가 굴곡진 경우에는, 즉 수용부(110)의 내부 너비가 일정하지 않고 다른 경우에는, 수용부(110) 내부에서 차오르는 상기 에칭액의 유량과 유속이 일정하지 않을 수 있다. An important feature here is that the shape of the accommodating portion 110 is not curved unlike the conventional case. That is, when the inside of the accommodating portion 110 is curved, that is, when the inside width of the accommodating portion 110 is not constant and the flow rate and flow rate of the etchant flowing in the accommodating portion 110 are not constant .

구체적으로 설명하면, 상기 수용부(110) 내부에서 차오르는 에칭액의 속도가 상기 수용부(110) 내부의 다른 너비 때문에, 에칭액이 차오르는 구간마다 서로 다르게 된다. 따라서, 상기 수용부(110)의 상부를 통해 넘쳐 흐르는 에칭액의 유량 및 유속이 일정하지 않은 문제점이 발생한다. 이로 인하여, 기판의 균일한 박형화에 문제가 발생한다.Specifically, the speed of the etching liquid flowing in the accommodating portion 110 is different from each other in the interval where the etching liquid flows due to the different width of the inside of the accommodating portion 110. Accordingly, there is a problem that the flow rate and the flow rate of the etching solution overflowing through the upper portion of the accommodating portion 110 are not constant. As a result, a problem arises in uniformly thinning the substrate.

따라서, 본 발명에서의 상기 수용부(110)는 상기 에칭액이 차오르는 수용부의 너비가 각 구간마다 동일하다. 즉, 상기 수용부(110)의 마주보는 측면이 서로 평행하면서 수직하게 형성된다.Accordingly, the width of the accommodating portion 110 in the present invention is the same for each section. That is, opposite sides of the receiving portion 110 are formed parallel to each other and perpendicular to each other.

결과적으로, 상기 본 발명에 따른 상기 수용부(110)는 단면이 사각형이고 상면이 완전 개방된 긴 육각형 형상인 것이 바람직하다. 상기 수용부(110)의 상면은 완전 개방되어, 상기 에칭액이 균일하게 넘쳐 흐를 수 있도록 한다.As a result, it is preferable that the receiving portion 110 according to the present invention has a long hexagonal shape with a rectangular cross section and a completely opened upper surface. The upper surface of the accommodating portion 110 is completely opened, so that the etchant can be uniformly overflowed.

상기 수용부(110)는 상기 측면에 형성된 에칭액 유입구(111)를 통하여 외부에서 주입되는 에칭액을 수용하고 상기 수용된 에칭액이 차올라서 상기 개방된 상면의 개방부(130)를 통하여 유출시킨다.The accommodating portion 110 receives the etchant injected from the outside through the etchant inlet 111 formed on the side surface and discharges the etched etchant through the open top 130 of the open top.

상기 수용부(110) 내부의 너비가 일정하기 때문에, 상기 수용부 내부에서 차오르는 상기 에칭액의 차오름 속도는 일정하다. 따라서, 상기 수용부(110)의 상면이 개방되어 형성된 개방부(130)를 통하여 넘쳐 흐르는 에칭액의 유량 및 유속은 일정하게 된다.Since the width of the inside of the accommodating portion 110 is constant, the speed of heat of the etchant flowing in the accommodating portion is constant. Accordingly, the flow rate and flow rate of the overflowing etchant through the open portion 130 formed by opening the upper surface of the receiving portion 110 become constant.

상기 개방부(130)를 통하여 넘쳐 흐르는 에칭액의 일정함을 보장하기 위하여 상기 개방부(130)를 구획하는 상기 수용부(110)의 최상단은 볼록면으로 형성된 것이 바람직하다. In order to ensure uniformity of the etching solution flowing over the opening 130, it is preferable that the top end of the accommodating portion 110 for defining the opening 130 is formed as a convex surface.

상기 수용부(110)의 최상단이 평평하게 형성된다면, 상기 에칭액이 상기 최상단을 넘어가는 과정에서 유속 및 유량의 일정함이 깨질 수도 있다. 물론, 상기 최상단이 오목하게 형성된 경우에도 마찬가지이다. 따라서, 상기 수용부(110)의 최상단의 형상은 볼록 형상인 것이 가장 바람직하다.If the uppermost end of the accommodating portion 110 is formed flat, the flow rate and the flow rate may be unstable in the course of the etching liquid passing over the uppermost stage. The same is true of the case where the uppermost end is concave. Therefore, it is most preferable that the top end of the accommodating portion 110 has a convex shape.

상기 수용부(110)의 개방부(130)를 통해 넘쳐 흐르는 에칭액은 상기 수용부(110)의 겉면을 타고 흘러서 상기 가이드부(150)로 유도된다.The etchant flowing over the open portion 130 of the accommodating portion 110 flows along the surface of the accommodating portion 110 and is guided to the guide portion 150.

상기 가이드부(150)는 상기 수용부(110)의 겉면을 따라 넘쳐 흐르는 에칭액을 상기 기판의 수직 상부 방향으로 가이드하기 위하여 상기 수용부(110)의 밑면에 부착 연결되어 있다. The guide part 150 is attached to the bottom surface of the receiving part 110 to guide the etching solution flowing over the surface of the receiving part 110 in the vertical direction of the substrate.

상기 수용부(110)의 밑면과 접촉하여 결합되는 상기 가이드부(150)의 면은 상기 수용부(110)의 밑면과 동일한 크기 및 면적을 가지는 것이 바람직하다. 이와 같이, 상기 수용부(110)의 밑면과 상기 가이드부(150)의 접촉되는 면이 동일한 것이 바람직한 이유는, 상기 수용부(110)의 겉면을 타고 흐르는 에칭액이 상기 가이드부(150)로 넘어가는 과정에서 유속 및 유량의 변화를 최소화하기 위해서이다.It is preferable that the surface of the guide part 150, which is in contact with the bottom surface of the receiving part 110, is the same size and area as the bottom surface of the receiving part 110. The reason why the bottom surface of the receiving portion 110 and the surface of the guide portion 150 are preferably the same is that the etching solution flowing on the surface of the receiving portion 110 passes through the guide portion 150 Is to minimize changes in flow rate and flow rate during the process.

상기 가이드부(150)는 에칭액이 상기 수용부(110)의 외주면을 따라 이동하여 자연스럽게 기판의 상부로 전달될 수 있도록, 상기 수용부(110)의 밑면과 연결되는 부분에서 기판 방향으로 이어지는 부분이 경사를 이루는 형상으로 이루어짐이 바람직하다(도 2 및 도 3 참조).The guide part 150 is formed to have a portion extending in the substrate direction at a portion connected to the bottom surface of the receiving part 110 so that the etching solution can move along the outer circumferential surface of the receiving part 110 and be naturally transferred to the upper part of the substrate (See Figs. 2 and 3).

기본적으로 상기 가이드부(150)는, 상기 간격(S)이 없는 구조로 형성하여 기판의 바로 상부에서 에칭액을 흘려주는 것도 가능하다. 또한, 다른 적용례로는 상기 가이드부(150)는 중심부가 간격(S)이 형성되는 구조로 형성하여 상기 간격(S) 사이에 기판의 상부가 일정부분 삽입될 수 있도록 형성할 수 있다. 이렇게 기판이 상기 가이드부(150) 사이 간격(S)에 그 상부가 삽입되면, 기판의 양쪽 표면으로 고르게 에칭액이 공급되어 에칭의 효율성을 증진할 수 있다.Basically, the guide part 150 may be formed in a structure without the gap S, and the etching solution may be allowed to flow right above the substrate. Further, in another application example, the guide portion 150 may have a structure in which a central portion is formed with a gap S, and the upper portion of the substrate may be inserted into the gap S at a predetermined position. When the upper portion of the substrate is inserted into the gap S between the guide portions 150, the etching solution is uniformly supplied to both surfaces of the substrate, thereby improving the etching efficiency.

이상에서 설명한 본 발명인 하향식 기판 박형화 장치용 에칭액 유출 모듈(100)에 의하면, 상기 수용부(110)의 단면을 사각형으로 구성하여, 수용부 내부에서 차오로는 에칭액의 차오름 속도 및 유량을 일정하게 함으로써, 상기 수용부(110)의 개방부(130)를 통해 유출되는 에칭액의 양을 일정하게 유지할 수 있고, 급속한 에칭액의 유출을 방지할 수 있다. 결국, 기판 박형화 공정의 효율을 증대시킬 수 있다.According to the above-described etching solution outflow module 100 for a top down substrate thinning apparatus of the present invention, the cross section of the accommodating portion 110 is formed in a quadrangle, and the coolant speed and flow rate of the etchant are constant in the inside of the accommodating portion , The amount of the etching liquid flowing out through the opening portion 130 of the accommodating portion 110 can be kept constant, and the outflow of the etching liquid can be prevented rapidly. As a result, the efficiency of the substrate thinning process can be increased.

한편, 상기 수용부(110)에서의 에칭액 유출 속도 및 유출량을 완만하게 하고, 유출 균일도를 더 증대시키기 위하여, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 완충 격벽(160)을 더 구비시키는 것이 바람직하다.2 and 3, it is preferable to provide a buffering barrier 160 in order to smooth the flow rate and flow rate of the etching liquid in the accommodating portion 110 and to further increase the uniformity of the outflow Do.

상기 완충 격벽(160)은 상기 수용부(110) 내부에 배치된다. 그리고, 외부에서 주입되는 에칭액의 급격한 유량 증가를 방지하기 위하여, 상기 수용부(110) 내부에서 수평 방향으로 배치된다.The buffering barrier 160 is disposed inside the receiving portion 110. In order to prevent an abrupt increase in the flow rate of the etchant injected from the outside, it is arranged in the horizontal direction within the accommodating portion 110.

즉, 상기 수용부(110)의 내부에는 에칭액을 공급하는 관(P)으로부터 유입되는 에칭액의 급격한 유입으로 상기 수용부의 개방부(130)을 통해 에칭액이 급격히 유출되는 것을 방지하기 위하여, 상기 수용부(110) 내부에 완충격벽(160)을 구비한다.That is, in order to prevent the etching liquid from rapidly flowing out through the opening portion 130 of the accommodating portion due to abrupt inflow of the etching liquid flowing from the pipe P for supplying the etching liquid into the accommodating portion 110, And a buffering barrier 160 is provided inside the buffer layer 110.

여기서 중요한 사항은, 상기 완충 격벽(160)의 설치 위치이다. 상기 완충 격벽(160)은 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 수용부(110)의 한 쪽 측면에 형성된 상기 에칭액 주입구(111)보다 더 상측에 배치된다. 따라서, 상기 에칭액 주입구(111)를 통해 유입되는 에칭액이 우선적으로, 상기 수용부(110) 내부에 수평하게 배치되는 상기 완충 격벽(160)의 하측으로부터 유입되면서 차오르게 한다.An important point here is the installation position of the shock absorbing partition 160. 2 and 3, the buffering barrier 160 is disposed on the upper side of the etchant injection port 111 formed on one side surface of the accommodating portion 110. As shown in FIG. Therefore, the etchant flowing through the etchant injection port 111 is preferentially introduced from the lower side of the buffer partition 160 disposed horizontally inside the storage unit 110, and is heated.

결과적으로, 상기 완충 격벽(160)의 하측에서 상측으로 차오르는 에칭액은 상기 완충 격벽(160)에 의하여, 유속 및 유량이 완만해지고, 이 완만해진 유속 및 유량으로 상기 수용부(110)의 내부 상단까지 차오른다. 이 과정에서, 상기 에칭액은 차오르는 유량 및 속도가 완화된다. 결국, 상기 에칭액은 상기 수용부(110)의 개방부(130)를 통해 천천히 일정하게 유출될 수 있다. As a result, the etchant rising upward from the lower side of the buffering partition wall 160 is gradually reduced in flow velocity and flow rate by the buffering partition wall 160 and reaches the inner upper end of the storage unit 110 at the gentle flow velocity and flow rate. It flares up. In this process, the etching liquid is relieved of the flow rate and the speed. As a result, the etchant can be slowly and uniformly flowed out through the opening portion 130 of the accommodating portion 110.

상기와 같은 완충격벽(160)은 상기 수용부(110)의 내부에 배치되며, 첨부된 도 4의 (a)에 도시된 바와 같이, 얇은 박판 형상에 에칭액 완충 투과공(161)이 형성됨이 바람직하다. 이를 통해 수용부(110)에 공급되는 에칭액의 급격한 상승을 막아 에칭액의 공급속도와 유량을 조절할 수 있고, 에칭액의 고른 흐름을 유도할 수 있도록 한다.4 (a), it is preferable that the buffering barrier rib 160 is formed in a thin thin plate-like shape and the etchant buffering through hole 161 is formed in the receiving part 110 Do. The supply speed and flow rate of the etching solution can be controlled by preventing the etching solution supplied to the accommodating part 110 from being abruptly raised, and the uniform flow of the etching solution can be induced.

특히 상기 에칭액 완충 투과공(161)은 단순히 완충격벽의 두께에 해당하는 관통공을 구비할 수 있으며, 나아가 상기 관통공의 형상을 도 4의 (b)처럼 원통형으로 하거나, 또는 도 4의 (c)처럼 쐐기 형상으로 하여 보다 효율적인 에칭액의 상승속도의 제어를 할 수 있도록 함이 바람직하며, 필요에 따라 상기 관통공의 단면 형상은 사각 모양이나 마름모, 타원 등 여러 형태의 타공 모양을 사용할 수 있다.In particular, the etchant buffer penetration hole 161 may have a through hole corresponding to the thickness of the buffer partition, and the shape of the through hole may be a cylindrical shape as shown in FIG. 4 (b) The shape of the through hole may be a rectangular shape, a rhombus shape, or an elliptical shape. The shape of the through hole may be various shapes such as an elliptical shape.

한편, 상기 수용부(110)의 상부면에 형성된 개방부(130)를 통해 흘러나가는 에칭액의 유속 및 유량을 더 완만하고 정밀하게 조절하기 위하여, 상술한 완충 격벽(160)을 상기 수용부(110) 내부에 복수개 배치할 수도 있다. 즉, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 완충 격벽(160)은 상기 수용부(110) 내부에서 적어도 2개 이상 구비될 수 있다. 도 5에서는 2개의 완충 격벽이 상기 수용부(110) 내부에 배치된 것을 예시한다.In order to control the flow rate and the flow rate of the etching liquid flowing through the open portion 130 formed on the upper surface of the receiving portion 110 more gently and precisely, ). That is, as shown in FIG. 5, at least two or more of the buffering partitions 160 may be provided in the receiving part 110. 5 illustrates that two shock absorbing partitions are disposed inside the accommodating part 110. FIG.

한편, 상기 가이드부(150)는 수직 하부로 갈수록 점차 경사를 이루는 구조로, 그 말단은 상기 기판의 상부면의 수직 상부 방향과 대응되도록 정렬되는 것이 바람직하다. 이와 같은 구조 및 배치를 통하여 상기 기판의 박형화 품질을 향상시킬 수 있다.Meanwhile, the guide unit 150 may be inclined gradually toward the vertical lower part, and its end may be aligned with the vertical upper direction of the upper surface of the substrate. Through such a structure and arrangement, the thinning quality of the substrate can be improved.

이상에서와 같이 본 발명은 특정의 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시예에 한정하는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 요지를 변경하지 않는 범위 내에서 단순한 설계변경이나 관용수단의 치환 등의 경우에도 본 발명의 보호범위에 속함을 분명히 한다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, Is also within the scope of protection of the present invention.

10 : 에칭 챔버 20 : 기판
30 : 고정부 50 : 이동 유닛
P : 에칭액 공급관 S : 간격
100 : 하향식 기판 박형화 장치용 에칭액 유출 모듈
110 : 수용부 111 : 에칭액 유입구
130 : 수용부의 개구부 150 : 가이드부
160 : 완충 격벽 161 : 에칭액 완충 투과공10: etching chamber 20: substrate
30: Fixing unit 50: Mobile unit
P: etchant supply pipe S: interval
100: Etchant outflow module for top down substrate thinning device
110: accommodating portion 111: etchant inlet
130: opening of the receptacle 150:
160: buffering barrier 161: etchant buffer penetration hole

Claims (7)

하향식 기판 박형화 장치용 에칭액 유출 모듈에 있어서,
단면이 사각형이고 상면이 완전 개방된 긴 육각형 형상이되, 측면에 형성된 에칭액 유입구를 통하여 외부에서 주입되는 에칭액을 수용하고, 상기 수용된 에칭액이 차올라서 상기 개방된 상면의 개방부를 통하여 유출시키는 수용부;
상기 수용부의 겉면을 따라 넘쳐흐르는 에칭액을 상기 기판의 수직 상부 방향으로 가이드하기 위하여 상기 수용부의 밑면에 부착 연결되는 가이드부를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 하향식 기판 박형화 장치용 에칭액 유출 모듈.1. An etchant efflux module for a top down substrate thinning device,
An accommodating portion for accommodating an etchant injected from the outside through an etchant inlet formed on the side surface and having a cup shape and having a rectangular cross section and a top surface that is completely opened and discharging the etched etchant through the open portion of the open top surface;
And a guide part attached to a bottom surface of the accommodating part to guide the etching solution flowing over the surface of the accommodating part in the vertical direction of the substrate. 청구항 1에 있어서,
상기 개방부를 구획하는 상기 수용부의 최상단은 볼록면으로 형성된 것을 특징으로 하는 하향식 기판 박형화 장치용 에칭액 유출 모듈.The method according to claim 1,
Wherein the upper end of the accommodating portion for defining the opening is formed in a convex surface. 청구항 1에 있어서,
상기 수용부 내부에는 외부에서 주입되는 에칭액의 급격한 유량 증가를 방지하기 위하여 수평 방향으로 배치되는 완충 격벽이 구비되는 것을 특징으로 하는 하향식 기판 박형화 장치용 에칭액 유출 모듈.The method according to claim 1,
Wherein the accommodating portion is provided with a buffering barrier disposed in a horizontal direction to prevent an abrupt increase in flow rate of an etchant injected from the outside. 청구항 3에 있어서,
상기 완충 격벽은 상기 수용부에 형성된 에칭액 주입구보다 더 상측에 배치되는 것을 특징으로 하는 하향식 기판 박형화 장치용 에칭액 유출 모듈.The method of claim 3,
Wherein the buffer partition is disposed on an upper side of the etchant injection port formed in the accommodating portion. 청구항 4에 있어서,
상기 완충 격벽은 박판의 부재에 다수의 에칭액 완충 투과공이 형성되는 것을 특징으로 하는 하향식 기판 박형화 장치용 에칭액 유출 모듈.The method of claim 4,
Wherein the buffer barrier is formed of a plurality of etch buffer penetration holes in a member of the thin plate. 청구항 3 내지 청구항 5 중, 어느 한 항에 있어서,
상기 완충 격벽은 상기 수용부 내부에서 적어도 2개 이상 구비되는 것을 특징으로 하는 하향식 기판 박형화 장치용 에칭액 유출 모듈.The method according to any one of claims 3 to 5,
Wherein the at least two buffering partitions are provided in the accommodating part. 청구항 3 내지 청구항 5 중, 어느 한 항에 있어서,
상기 가이드부는 수직 하부로 갈수록 점차 경사를 이루는 구조로, 그 말단은 상기 기판의 상부면의 수직 상부방향과 대응되도록 정렬되는 것을 특징으로 하는 하향식 기판 박형화 장치용 에칭액 유출 모듈.The method according to any one of claims 3 to 5,
Wherein the guide portion is inclined gradually toward the vertical lower portion, and the end of the guide portion is aligned with the vertical upper direction of the upper surface of the substrate.
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