KR20150066133A - 금속 유리의 분쇄 방법, 분쇄된 금속 유리, 도전성 페이스트 및 전자 소자 - Google Patents

금속 유리의 분쇄 방법, 분쇄된 금속 유리, 도전성 페이스트 및 전자 소자 Download PDF

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Abstract

금속 유리와 용매를 포함하는 슬러리를 준비하는 단계, 압축 공기가 통과되는 영역에 상기 슬러리를 공급하는 단계, 상기 압축 공기를 단열 팽창시켜 상기 금속 유리를 액적화하는 단계, 그리고 상기 액적화된 금속 유리를 분쇄하는 단계를 포함하는 금속 유리의 분쇄 방법, 상기 방법으로 얻어진 분쇄된 금속 유리, 상기 분쇄된 금속 유리를 포함하는 도전성 페이스트 및 상기 도전성 페이스트로부터 형성된 전극을 포함하는 전자 소자에 관한 것이다.

Description

금속 유리의 분쇄 방법, 분쇄된 금속 유리, 도전성 페이스트 및 전자 소자{METHOD OF PULVERIZING METALLIC GLASS AND PULVERIZED METALLIC GLASS AND CONDUCTIVE PASTE AND ELECTRONIC DEVICE}
금속 유리의 분쇄 방법, 분쇄된 금속 유리, 도전성 페이스트 및 전자 소자에 관한 것이다.
금속 유리는 두 종류 이상의 금속이 무질서한 원자 구조를 가지는 합금이다. 금속 유리는 유리 전이 온도(glass transition temperature, Tg)와 결정화 온도(crystalline temperature, Tx) 사이의 온도 구간인 과냉각 액체 구간(supercooled liquid region, ΔTx)을 가지며, 이 구간에서 소성되어 액체와 같은 거동을 한다.
금속 유리가 과냉각 액체 구간에서 소성되는 경우 일반 금속보다 쉽게 형태를 변형시킬 수 있으므로 가공이 용이할 뿐만 아니라 하부막에 대한 젖음성(wetting) 또한 높아져서 하부막에 대한 밀착성도 높일 수 있다.
한편 금속 유리를 전자 소자의 전극으로 사용하는 연구가 진행되고 있다. 금속 유리는 도전성을 가지는 동시에 상기와 같이 과냉각 액체 구간에서 소성되어 실리콘웨이퍼와 같은 하부막에 밀착될 수 있으므로 전자 소자의 전극으로 유용하게 사용될 수 있다.
전극의 도전성 및 하부막과의 밀착성을 높이기 위해서는 과냉각 액체 구간에서 금속 유리의 젖음성을 높일 필요가 있다. 금속 유리의 젖음성은 금속 유리 분말의 크기와 관련되어 있다. 즉 금속 유리 분말의 크기가 작을수록 접촉 면적이 증가하여 반응성이 높아지므로 금속 유리의 젖음성을 높일 수 있다.
그러나 금속 유리는 크기가 작아지면 연성(ductility)이 증가하는 고유 특성을 가진다. 또한 금속 유리는 분쇄시 결정화가 되기 쉬어 금속 유리의 특성을 잃을 수 있다. 이에 따라 금속 유리의 특성을 유지하면서 미세 분말화하기 어렵다.
일 구현예는 금속 유리의 특성을 유지하면서 미세분말화할 수 있는 금속 유리의 분쇄 방법을 제공한다.
일 구현예는 상기 방법으로 분쇄된 금속 유리를 제공한다.
다른 구현예는 상기 분쇄된 금속 유리를 포함하는 도전성 페이스트를 제공한다.
또 다른 구현예는 상기 도전성 페이스트로 형성된 전극을 포함하는 전자 소자를 제공한다.
일 구현예에 따르면, 금속 유리와 용매를 포함하는 슬러리를 준비하는 단계, 압축 공기가 통과되는 영역에 상기 슬러리를 공급하는 단계, 상기 압축 공기를 단열 팽창시켜 상기 금속 유리를 액적화하는 단계, 그리고 상기 액적화된 금속 유리를 분쇄하는 단계를 포함하는 금속 유리의 분쇄 방법을 제공한다.
상기 액적화된 금속 유리를 분쇄하는 단계는 상기 액적화된 금속 유리들 사이의 충돌에 의해 분쇄하는 단계 및 상기 액적화된 금속 유리를 대향판에 충돌시켜 분쇄하는 단계 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 액적화된 금속 유리들 사이에 충돌할 때 발생하는 열 에너지 또는 상기 액적화된 금속 유리를 대향판에 충돌시킬 때 발생하는 열 에너지는 상기 금속 유리의 결정화 에너지보다 작을 수 있다.
상기 금속 유리 및 상기 분쇄된 금속 유리는 비정질 부분을 포함할 수 있다.
상기 금속 유리 및 상기 분쇄된 금속 유리는 각각 약 80 내지 100vol%의 비정질 부분을 가질 수 있다.
상기 용매는 알코올, 터피네올, 부틸카비톨, 부틸카비톨 아세테이트, 펜테인디올, 다이펜틴, 리모닌, 에틸렌글리콜 알킬에테르, 디에틸렌글리콜 알킬에테르, 에틸렌글리콜 알킬에테르 아세테이트 디에틸렌글리콜 알킬에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜 디알킬에테르 아세테이트, 트리에틸렌글리콜 알킬에테르 아세테이트, 트리에틸렌 글리콜 알킬에테르, 프로필렌글리콜 알킬에테르, 프로필렌글리콜 페닐에테르, 디프로필렌글리콜 알킬에테르, 트리프로필렌글리콜 알킬에테르, 프로필렌글리콜 알킬에테르 아세테이트, 디프로필렌글리콜 알킬에테르 아세테이트, 트리프로필렌글리콜 알킬 에테르 아세테이트, 디메틸프탈산, 디에틸프탈산, 디부틸프탈산, 탈염수, 알칸, 톨루엔, 크실렌, 클로로포름, 아세톤, 알킬아세테이트, 메틸알킬케톤, 에틸알킬케톤, 프로필알킬케톤, 부틸알킬케톤 및 시클로알카논에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 슬러리는 약 5 내지 60중량%의 금속 유리 및 약 40 내지 95중량%의 용매를 포함할 수 있다.
상기 압축 공기는 약 0.5 내지 2.0MPa의 압력으로 분사될 수 있다.
단열 팽창 후 상기 압축 공기의 온도는 약 -60 내지 10℃일 수 있다.
상기 분쇄된 금속 유리는 입도 D50≤5㎛를 만족할 수 있다.
상기 분쇄된 금속 유리는 5㎛보다 작은 입도를 가지는 비율이 약 40% 이상일 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 80 내지 100vol%의 비정질 부분을 가지고 입도 D50≤5㎛를 만족하는 분쇄된 금속 유리를 제공한다.
상기 분쇄된 금속 유리는 5㎛보다 작은 입도를 가지는 비율이 약 40% 이상일 수 있다.
상기 분쇄된 금속 유리는 알루미늄(Al), 구리(Cu), 지르코늄(Zr), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 철(Fe), 금(Au), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 세륨(Ce), 스트론튬(Sr), 이테르븀(Yb), 아연(Zn), 백금(Pt), 코발트(Co), 팔라듐(Pd), 세륨(Ce), 란탄(La), 이트륨(Y), 가돌륨(Gd), 베릴륨(Be), 탄탈늄(Ta), 갈륨(Ga), 하프늄(Hf), 니오븀(Nb), 납(Pb), 백금(Pt), 은(Ag), 인(P), 보론(B), 규소(Si), 카본(C), 주석(Sn), 아연(Zn), 리튬(Li), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 망간(Mn), 에르븀(Er), 크롬(Cr), 프라세오디뮴(Pr), 툴륨(Tm) 및 이들의 조합 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 합금일 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 도전성 분말, 상기 분쇄된 금속 유리를 포함하는 금속 유리 및 유기 비히클을 포함하는 도전성 페이스트를 제공한다.
상기 도전성 분말은 알루미늄(Al), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 이들의 합금 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 도전성 분말, 상기 금속 유리 및 상기 유기 비히클은 상기 도전성 페이스트의 총 함량에 대하여 각각 약 30 내지 99중량%, 약 0.1 내지 20중량% 및 잔량으로 포함될 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 도전성 페이스트의 소성물을 포함하는 전극을 포함하는 전자 소자를 제공한다.
금속 유리의 비정질 특성을 유지하면서 미세분말화된 금속 유리를 제공할 수 있다.
도 1은 일 구현예에 따른 금속 유리의 분쇄 방법을 개략적으로 보여주는 모식도이고,
도 2는 분쇄되지 않은 금속 유리를 보여주는 SEM 사진이고,
도 3은 실시예 1에 따른 분쇄된 금속 유리의 SEM 사진이고,
도 4는 비교예 1에 따른 분쇄된 금속 유리의 SEM 사진이고,
도 5는 분쇄되지 않은 금속 유리의 TEM 사진이고,
도 6은 실시예 2에 따른 분쇄된 금속 유리의 TEM 사진이고,
도 7은 비교예 2에 따른 분쇄된 금속 유리의 TEM 사진이고,
도 8은 일 구현예에 따른 태양 전지를 도시한 단면도이고,
도 9 내지 도 12은 일 구현예에 따른 태양 전지의 제조 방법을 차례로 도시한 단면도이다.
이하, 본 발명의 구현예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예에 한정되지 않는다.
이하 일 구현예에 따른 금속 유리의 분쇄 방법에 대하여 도면을 참고하여 설명한다.
도 1은 일 구현예에 따른 금속 유리의 분쇄 방법을 개략적으로 보여주는 모식도이다.
먼저, 금속 유리(metallic glass)와 용매를 포함하는 슬러리를 준비한다.
상기 금속 유리는 복수의 원소들이 무질서한 원자 구조를 가지는 비정질 상태의 합금으로, 비정질 금속(amorphous metal)이라고도 부른다. 상기 금속 유리는 복수의 원소들이 급속 응고됨으로써 형성된 비정질 부분을 가진다. 상기 비정질 부분은 상기 금속 유리의 약 50 내지 100 부피%일 수 있고, 그 중에서 약 70 내지 100 부피%일 수 있고, 그 중에서 약 80 내지 100 부피%일 수 있다.
상기 금속 유리는 고온에서 액체(liquid) 상태일 때 형성된 비정질 부분을 상온(room temperature)에서도 그대로 유지할 수 있다. 따라서, 상기 금속 유리는 고상으로 응고되었을 때 원자들이 규칙적인 배열 구조를 가지는 결정질 구조의 일반 합금과 다르고, 상온에서 액체(liquid) 상태로 존재하는 액체 금속(liquid metals)과도 다르다. 또한 상기 금속 유리는 실리케이트(silicate)와 같은 일반 유리와 달리 비저항이 낮아 도전성을 나타낸다.
상기 금속 유리는 전이 금속, 귀금속, 희토류 금속, 알칼리 토금속, 반금속(semimetal)의 합금 등의 조합으로 이루어질 수 있으며, 예컨대 알루미늄(Al), 구리(Cu), 지르코늄(Zr), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 철(Fe), 금(Au), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 세륨(Ce), 스트론튬(Sr), 이테르븀(Yb), 아연(Zn), 백금(Pt), 코발트(Co), 팔라듐(Pd), 세륨(Ce), 란탄(La), 이트륨(Y), 가돌륨(Gd), 베릴륨(Be), 탄탈늄(Ta), 갈륨(Ga), 하프늄(Hf), 니오븀(Nb), 납(Pb), 백금(Pt), 은(Ag), 인(P), 보론(B), 규소(Si), 카본(C), 주석(Sn), 아연(Zn), 리튬(Li), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 망간(Mn), 에르븀(Er), 크롬(Cr), 프라세오디뮴(Pr), 툴륨(Tm) 및 이들의 조합 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 합금일 수 있다.
상기 금속 유리는 예컨대 알루미늄계 금속 유리, 구리계 금속 유리, 지르코늄계 금속 유리, 티타늄계 금속 유리, 니켈계 금속 유리, 철계 금속 유리, 세륨계 금속 유리, 스트론튬계 금속 유리, 골드계 금속 유리, 이테르븀 금속 유리, 아연계 금속 유리, 칼슘계 금속 유리, 마그네슘계 금속 유리 및 플라티늄계 금속 유리 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 알루미늄계 금속 유리, 구리계 금속 유리, 지르코늄계 금속 유리, 티타늄계 금속 유리, 니켈계 금속 유리, 철계 금속 유리, 세륨계 금속 유리, 스트론튬계 금속 유리, 골드계 금속 유리, 이테르븀 금속 유리, 아연계 금속 유리, 칼슘계 금속 유리, 마그네슘계 금속 유리 및 플라티늄계 금속 유리는 각각 알루미늄, 구리, 지르코늄, 티타늄, 니켈, 철, 세륨, 스트론튬, 골드, 이테르븀, 아연, 칼슘, 마그네슘 및 플라티늄을 주성분으로 하고, 예컨대 니켈(Ni), 이트륨(Y), 코발트(Co), 란탄(La), 지르코늄(Zr), 철(Fe), 티타늄(Ti), 칼슘(Ca), 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 나트륨(Na), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 주석(Sn), 아연(Zn), 칼륨(K), 리튬(Li), 인(P), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 루비듐(Rb), 크롬(Cr), 스트론튬(Sr), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 프로메티윰(Pm), 사마리움(Sm), 루테티움(Lu), 네오디뮴(Nd), 니오븀(Nb), 가돌리늄(Gd), 테르비움(Tb), 디스프로슘(Dy), 호르미움(Ho), 에르븀(Er), 툴륨(Tm), 도륨(Th), 스칸듐(Sc), 바륨(Ba), 이테르븀(Yb), 유로퓸(Eu), 하프늄(Hf), 비소(As), 플루토늄(Pu), 갈륨(Ga), 게르마늄(Ge), 안티몬(Sb), 규소(Si), 카드뮴(Cd), 인듐(In), 백금(Pt), 망간(Mn), 니오븀(Nb), 오스뮴(Os), 바나듐(V), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag) 및 수은(Hg)에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 합금일 수 있다. 여기서 주성분이란 금속 유리 중 가장 많은 몰 비율을 가지는 원소를 말한다.
상기 금속 유리는 유리 전이 온도(glass transition temperature, Tg) 이상에서 연화되어 액체와 같은 거동을 보일 수 있다. 이러한 액체와 같은 거동은 유리 전이 온도(Tg)와 결정화 온도(crystalline temperature, Tx) 사이에서 유지되며, 이 온도 구간을 과냉각 액체구간(ΔTx)이라 한다.
상기 금속 유리는 예컨대 약 800℃ 이하의 유리전이온도(Tg)를 가질 수 있으며, 예컨대 약 50 내지 800℃의 유리전이온도(Tg)를 가질 수 있다. 상기 금속 유리의 과냉각 액체구간(ΔTx)은 약 0K 내지 200K일 수 있고, 그 중에서 약 5K 내지 200K 일 수 있다.
상기 용매는 상기 금속 유리를 분산시킬 수 있으면 특히 한정되지 않고, 예컨대 알코올, 터피네올, 부틸카비톨, 부틸카비톨 아세테이트, 펜테인디올, 다이펜틴, 리모닌, 에틸렌글리콜 알킬에테르, 디에틸렌글리콜 알킬에테르, 에틸렌글리콜 알킬에테르 아세테이트 디에틸렌글리콜 알킬에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜 디알킬에테르 아세테이트, 트리에틸렌글리콜 알킬에테르 아세테이트, 트리에틸렌 글리콜 알킬에테르, 프로필렌글리콜 알킬에테르, 프로필렌글리콜 페닐에테르, 디프로필렌글리콜 알킬에테르, 트리프로필렌글리콜 알킬에테르, 프로필렌글리콜 알킬에테르 아세테이트, 디프로필렌글리콜 알킬에테르 아세테이트, 트리프로필렌글리콜 알킬 에테르 아세테이트, 디메틸프탈산, 디에틸프탈산, 디부틸프탈산, 탈염수, 알칸, 톨루엔, 크실렌, 클로로포름, 아세톤, 알킬아세테이트, 메틸알킬케톤, 에틸알킬케톤, 프로필알킬케톤, 부틸알킬케톤 및 시클로알카논에서 선택된 적어도 하나 이상일 수 있다. 이 중에서 상기 용매는 에틸알코올, 이소프로필 알코올, 에틸아세테이트, 헥산 또는 이들의 조합일 수 있다.
상기 슬러리는 각종 첨가제를 더 포함할 수 있다.
상기 슬러리는 예컨대 약 5 내지 60중량%의 금속 유리 및 약 40 내지 95중량%의 용매를 포함할 수 있다.
도 1을 참고하면, 금속유리의 분쇄 장치는 압축공기 공급 영역(R1), 압축공기 통과 영역(R2) 및 압축공기의 단열팽창 영역(R3)을 포함한다.
압축공기 공급 영역(R1)은 공기(50)가 소정 압력으로 공급되는 영역으로, 예컨대 약 0.5 내지 2.0MPa의 압력으로 분사될 수 있다. 압축공기 공급 영역(R1)은 상기 슬러리를 분사하기 위한 노즐(70)을 포함할 수 있다.
압축공기 통과 영역(R2)은 단면적이 작아지면서 공기(50)가 압축되어 높은 유속으로 통과하는 영역이다. 상기 슬러리는 압축공기 통과 영역(R2)에서 노즐(70)로부터 분사될 수 있다. 상기 슬러리의 분사 속도는 예컨대 약 10㎖/분 내지 200㎖/분일 수 있다.
압축공기의 단열팽창 영역(R3)은 단면적이 커지면서 압축공기가 단열팽창되는 영역이다. 이때 압축공기 통과 영역(R2)과 압축공기의 단열팽창 영역(R3)의 단면적의 직경 비율은 예컨대 약 1:30일 수 있고, 그 중에서도 약 1:10일 수 있고, 그 중에서도 약 1:5일 수 있다. 압축공기의 단열팽창 영역(R3)에서, 압축공기는 단열팽창되어 온도가 낮아지고 분사된 슬러리(60)의 금속 유리는 액적화될 수 있다. 단열 팽창 후 상기 압축공기의 온도는 약 -60 내지 10℃로 낮아질 수 있다. 이와 같이 저온으로 액적화된 금속 유리(60a)는 높은 이동성을 가지므로 액적화된 금속 유리들(60a) 사이의 충돌 횟수가 많아질 뿐만 아니라 정면에 위치한 대향판(80)에 충돌하는 횟수 또한 많아져 작은 크기로 분쇄될 수 있다.
이때 상기 액적화된 금속 유리들(60a) 사이에 충돌할 때 발생하는 열 에너지 또는 상기 액적화된 금속 유리(60a)가 대향판(80)에 충돌할 때 발생하는 열 에너지는 상기 저온으로 액적화된 금속 유리(60a)에 의해 흡수될 수 있고, 이에 따라 금속 유리의 결정화를 방지할 수 있다. 예컨대 상기 액적화된 금속 유리들(60a) 사이에 충돌할 때 발생하는 열 에너지 또는 상기 액적화된 금속 유리(60a)가 대향판(80)에 충돌할 때 발생하는 열 에너지는 금속 유리의 결정화 에너지보다 작을 수 있다.
이에 따라 분쇄된 금속 유리는 분쇄 전 금속 유리의 비정질 상을 거의 그대로 유지할 수 있으며, 예컨대 상기 비정질 부분은 상기 금속 유리의 약 50 내지 100 부피%일 수 있고, 그 중에서 약 70 내지 100 부피%일 수 있고, 그 중에서 약 80 내지 100 부피%일 수 있다.
예컨대 분쇄 전 금속 유리와 분쇄된 금속 유리는 각각 약 80 내지 100 부피%의 비정질 부분을 가질 수 있다.
상기 분쇄된 금속 유리는 모아질 수 있다.
상기 분쇄된 금속 유리는 입도 D50≤5㎛를 만족할 수 있다. 여기서 D50은 입도 분석기(particle size analyzer)를 사용하여 입도 분포를 측정시 누적 분포에서 최대값에 대하여 50%에 해당하는 입도를 가리킨다.
또한 상기 분쇄된 금속 유리는 약 5㎛보다 작은 입도를 가지는 비율이 약 40% 이상일 수 있다. 상기 범위 내에서 약 50 내지 99%일 수 있고, 상기 범위 내에서 약 50% 내지 80% 일 수 있다. 이와 같이 비교적 높은 비율의 미세 분말을 형성함으로써 분쇄 전 금속 유리와 비교하여 접촉 면적을 늘려 반응성을 높일 수 있다. 이에 따라 상기 분쇄된 금속 유리를 열처리시 하부막에 대한 젖음성을 높일 수 있다.
이하 상기 분쇄된 금속 유리를 포함하는 도전성 페이스트를 설명한다.
일 구현예에 따른 도전성 페이스트는 도전성 분말, 금속 유리 및 유기 비히클을 포함한다.
상기 도전성 분말은 은 또는 은 합금과 같은 은(Ag) 함유 금속, 알루미늄 또는 알루미늄 합금과 같은 알루미늄(Al) 함유 금속, 구리(Cu) 또는 구리 합금과 같은 구리(Cu) 함유 금속, 니켈(Ni) 또는 니켈 합금과 같은 니켈(Ni) 함유 금속 또는 이들의 조합일 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고 다른 종류의 금속일 수도 있으며 상기 금속 외에 다른 첨가물을 포함할 수도 있다.
상기 도전성 분말은 약 1nm 내지 약 50㎛의 크기를 가질 수 있으며, 1종 또는 2종 이상을 포함할 수 있다.
상기 금속 유리의 적어도 일부는 상기 분쇄된 금속 유리를 포함할 수 있으며, 상기 분쇄된 금속 유리는 예컨대 약 80 내지 100vol%의 비정질 부분을 가지고 입도 D50≤5㎛를 만족할 수 있다. 상기 분쇄된 금속 유리는 5㎛보다 작은 입도를 가지는 비율이 약 40% 이상일 수 있다.
상기 유기 비히클은 상술한 도전성 분말 및 금속 유리와 혼합되어 적절한 점도를 부여할 수 있는 유기 화합물과 이들을 용해하는 용매를 포함한다.
유기 화합물은 예컨대 (메타)아크릴레이트계 수지; 에틸 셀룰로오스와 같은 셀룰로오스 수지; 페놀 수지; 알코올 수지; 테플론; 및 이들의 조합에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 분산제, 계면활성제, 증점제 및 안정화제와 같은 첨가제를 더 포함할 수 있다.
용매는 이들을 혼합할 수 있는 형태이면 특히 한정되지 않으며, 예컨대 터피네올, 부틸카비톨, 부틸카비톨 아세테이트, 펜테인디올, 다이펜틴, 리모닌, 에틸렌글리콜 알킬에테르, 디에틸렌글리콜 알킬에테르, 에틸렌글리콜 알킬에테르 아세테이트 디에틸렌글리콜 알킬에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜 디알킬에테르 아세테이트, 트리에틸렌글리콜 알킬에테르 아세테이트, 트리에틸렌 글리콜 알킬에테르, 프로필렌글리콜 알킬에테르, 프로필렌글리콜 페닐에테르, 디프로필렌글리콜 알킬에테르, 트리프로필렌글리콜 알킬에테르, 프로필렌글리콜 알킬에테르 아세테이트, 디프로필렌글리콜 알킬에테르 아세테이트, 트리프로필렌글리콜 알킬 에테르 아세테이트, 디메틸프탈산, 디에틸프탈산, 디부틸프탈산 및 탈염수에서 선택된 적어도 하나 이상일 수 있다.
상기 도전성 분말, 상기 금속 유리 및 상기 유기 비히클은 상기 도전성 페이스트의 총 함량에 대하여 각각 약 30 내지 99중량%, 약 0.1 내지 20중량% 및 잔량으로 포함될 수 있다.
도전성 페이스트는 예컨대 스크린 인쇄(screen printing) 등의 방법으로 형성되어 전자 소자의 전극으로 사용될 수 있다. 상기 전자 소자는 예컨대 액정 표시 장치(LCD), 플라즈마 표시 장치(PDP), 유기발광장치(OLED), 태양 전지 등일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 전극은 도전성 페이스트의 소성물을 포함할 수 있다.
상기 전극은 약 1KΩ㎠ 이하의 접촉 저항을 가질 수 있다. 상기 전극의 접촉 저항이 상기 범위 내인 경우, 전극에 의한 전력 손실을 효과적으로 줄일 수 있고, 전자 소자, 구체적으로는 태양 전지의 효율을 효과적으로 개선할 수 있다. 구체적으로는 상기 전극은 약 1 μΩ㎠ 내지 약 20 mΩ㎠의 접촉 저항을 가질 수 있고, 그 중에서 약 1 μΩ㎠ 내지 약 10 mΩ㎠의 접촉 저항을 가질 수 있다.
상기 전자 소자 중의 하나는 태양 전지일 수 있다.
그러면 도 8을 참고하여 일 구현예에 따른 태양 전지에 대하여 설명한다.
도 8은 일 구현예에 따른 태양 전지를 도시한 단면도이다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
이하에서는 설명의 편의상 반도체 기판(110)을 중심으로 상하의 위치 관계를 설명하지만 이에 한정되는 것은 아니다. 또한 반도체 기판(110) 중 태양 에너지를 받는 면을 전면(front side)이라 하고 전면의 반대면을 후면(rear side)이라 한다.
도 8을 참고하면, 일 구현예에 따른 태양 전지는 p형 또는 n형 불순물로 도핑된 반도체 기판(110)을 포함한다.
반도체 기판(110)은 결정질 규소 또는 화합물 반도체로 만들어질 수 있으며, 결정질 규소인 경우 예컨대 실리콘 웨이퍼가 사용될 수 있다. 상기 p형 불순물은 붕소(B)와 같은 III족 화합물일 수 있고, n형 불순물은 인(P)과 같은 V족 화합물일 수 있다.
반도체 기판(110)의 전면은 표면 조직화(surface texturing) 되어 있을 수 있다. 표면 조직화된 반도체 기판(110)은 예컨대 피라미드 모양과 같은 요철 또는 벌집(honeycomb) 모양과 같은 다공성 구조일 수 있다. 표면 조직화된 반도체 기판(110)은 빛을 받는 표면적을 넓혀 빛의 흡수율을 높이고 반사도를 줄여 태양 전지의 효율을 개선할 수 있다.
반도체 기판(110)의 후면은 제1 도핑 영역(111a) 및 제2 도핑 영역(111b)을 포함한다. 제1 도핑 영역(111a)은 예컨대 n형 불순물로 도핑될 수 있고 제2 도핑 영역(111b)은 예컨대 p형 불순물로 도핑될 수 있다. 제1 도핑 영역(111a)과 제2 도핑 영역(111b)은 반도체 기판(110)의 후면에 교대로 배치될 수 있다.
반도체 기판(110) 위에는 절연막(112)이 형성되어 있다. 절연막(112)은 빛을 적게 흡수하고 절연성이 있는 물질로 만들어질 수 있으며, 예컨대 질화규소(SiNx), 산화규소(SiO2), 산화티타늄(TiO2), 산화알루미늄(Al2O3), 산화마그네슘(MgO), 산화세륨(CeO2) 및 이들의 조합일 수 있으며, 단일 층 또는 복수 층으로 형성될 수 있다. 절연막(112)은 예컨대 약 200Å 내지 약 1500Å의 두께를 가질 수 있다.
절연막(112)은 태양 전지 표면에서 빛의 반사율을 줄이고 특정한 파장 영역의 선택성을 증가시키는 반사 방지막(anti-reflective coating, ARC) 역할을 하는 동시에 반도체 기판(110)의 표면에 존재하는 실리콘과의 접촉 특성을 개선하여 태양 전지의 효율을 높일 수 있다.
반도체 기판(110)의 후면에는 복수의 접촉구를 가지는 패시베이션 막(130a)이 형성되어 있다. 패시베이션 막(130a)은 산화규소, 질화규소, 산화알루미늄 등으로 만들어질 수 있다.
반도체 기판(110)의 후면에는 제1 도핑 영역(111a)에 전기적으로 연결되어 있는 제1 전극(120)과 제2 도핑 영역(111b)에 전기적으로 연결되어 있는 제2 전극(140)이 각각 형성되어 있다. 제1 전극(120)은 패시베이션 막(130a)의 접촉구를 통하여 제1 도핑 영역(111a)과 접촉할 수 있으며, 제2 전극(140)은 패시베이션 막(130a)의 접촉구를 통하여 제2 도핑 영역(111b)과 접촉할 수 있다. 제1 전극(120)과 제2 전극(140)은 교대로 배치될 수 있다.
제1 전극(120)은 제1 도핑 영역(111a)과 인접한 영역에 위치하는 제1 버퍼부(115a) 및 제1 버퍼부(115a) 이외의 영역에 위치하는 제1 전극부(121)를 포함하고, 제2 전극은 제2 도핑 영역(111b)과 인접한 영역에 위치하는 제2 버퍼부(115b) 및 제2 버퍼부(115b) 이외의 영역에 위치하는 제2 전극부(141)를 포함할 수 있다.
제1 전극(120)과 제2 전극(140)은 전술한 도전성 페이스트를 사용하여 형성될 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고 제1 전극(121)과 제2 전극(140) 중 어느 하나만 전술한 도전성 페이스트를 사용하여 형성될 수 있다.
제1 버퍼부(115a) 및 제2 버퍼부(115b)는 도전성 페이스트의 금속 유리가 연화되어 형성된 층으로 도전성을 가질 수 있다. 제1 버퍼부(115a)는 제1 도핑 영역(111a)과 제1 전극부(121)에 각각 접촉하고 있으므로, 제1 도핑 영역(111a)으로부터 제1 전극부(121)로 전하가 이동할 수 있는 통로의 면적을 넓혀 전하가 손실되는 것을 줄일 수 있다. 마찬가지로, 제2 버퍼부(115b)는 제2 도핑 영역(111b)과 제2 전극부(141)에 각각 접촉하고 있으므로, 제2 도핑 영역(111b)으로부터 제2 전극부(141)로 전하가 이동할 수 있는 통로의 면적을 넓혀 전하가 손실되는 것을 줄일 수 있다.
이하 상술한 태양 전지의 제조 방법에 대하여 도 9 내지 도 12를 참고하여 설명한다.
도 9 내지 도 12는 일 구현예에 따른 태양 전지의 제조 방법을 차례로 도시한 단면도이다.
먼저, 도 9를 참고하면, 예컨대 n형 불순물로 도핑되어 있는 반도체 기판(110)을 준비한다. 이어서 반도체 기판(110)을 표면 조직화한 후, 반도체 기판(110)의 전면 및 후면에 각각 절연막(112) 및 패시베이션 막(130)을 형성한다. 절연막(112) 및 패시베이션 막(130)은 예컨대 화학 기상 증착으로 형성할 수 있다.
다음, 도 10을 참고하면, 패시베이션 막(130)을 반도체 기판(110)의 후면의 일부를 노출하는 패시베이션 막(130a)으로 패턴화한다.
다음, 도 11을 참고하면, 반도체 기판(110)의 후면 측에 예컨대 p형 불순물 및 n형 불순물을 차례로 고농도로 도핑하여 제1 도핑 영역(111a) 및 제2 도핑 영역(111b)을 형성한다. 제1 도핑 영역(111a) 및 제2 도핑 영역(111b)은 예컨대 반도체 기판(11)의 불순물 함유 농도보다 높은 농도로 불순물 도핑될 수 있다. 선택적으로, 제1 도핑 영역(111a) 및 제2 도핑 영역(111b)은 패시베이션 막(130)의 형성 전에 형성될 수도 있다.
다음, 도 12를 참고하면, 패시베이션 막(130a)의 일면에 제1 도핑 영역(111a)에 대응하는 영역에 제1 전극용 도전성 페이스트(120a)를 도포하고 제2 도핑 영역(111b)에 대응하는 영역에 제2 전극용 도전성 페이스트(140a)를 도포한다. 제1 전극용 도전성 페이스트(120a) 및 제2 전극용 도전성 페이스트(140a)는 전술한 도전성 페이스트에서 선택될 수 있다. 제1 전극용 도전성 페이스트(120a) 및 제2 전극용 도전성 페이스트(140a)는 각각 스크린 인쇄 방법으로 형성할 수 있다.
이어서 제1 전극용 도전성 페이스트(120a) 및 제2 전극용 도전성 페이스트(140a)를 함께 또는 각각 소성한다.
이때 소성은 제1 전극용 도전성 페이스트(120a) 및 제2 전극용 도전성 페이스트(140a)에 포함되어 있는 금속 유리의 유리전이온도(Tg)보다 높은 온도에서 수행함으로써 도전성 페이스트 내에 포함되어 있는 금속 유리가 소성 변형을 일으키면서 젖음성을 나타낼 수 있다.
상기에서는 상술한 도전성 페이스트를 후면 접촉 구조의 태양 전지(back contact solar cell)에 적용한 예를 설명하였지만, 이에 한정되지 않고 모든 구조의 태양 전지에 동일하게 적용될 수 있다.
또한 상기에서는 상술한 도전성 페이스트를 태양 전지의 전극으로 적용한 예만 구체적으로 예시하였지만, 이에 한정되지 않고 전극을 포함하는 모든 전자 소자에 동일하게 적용할 수 있다.
이하 본 기재의 실시예 및 비교예를 기재한다. 그러나 하기 실시예는 본 기재의 일 실시예일뿐이며, 본 기재가 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
금속 유리의 준비
제조예 1
알루미늄(Al), 니켈(Ni), 이트륨(Y) 및 코발트(Co)를 준비한 후 아크 멜터(Arc melter) 또는 인덕션 멜터(induction melter)를 사용하여 용융하여 알루미늄(Al)-니켈(Ni)-이트륨(Y)-코발트(Co) 모합금을 제조한다. 상기 알루미늄(Al)-니켈(Ni)-이트륨(Y)-코발트(Co) 모합금을 도가니에 장입한 후 이를 아토마이저(atomizer)에 장착한다. 상기 아토마이저를 진공상태로 유지한 후 챔버 내에 아르곤(Ar) 가스를 공급하여 아르곤 분위기를 형성한다. 이어서 유도가열장치를 사용하여 금속을 녹이고 고속, 고압의 불활성 가스를 용탕에 분사하여 분말(powder) 형태의 금속유리 Al85Ni5Y8Co2를 제조한다.
제조예 2
알루미늄(Al), 니켈(Ni), 이트륨(Y) 및 코발트(Co) 대신 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 이트륨(Y), 실리콘(Si), 란탄(La) 및 코발트(Co)를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 동일한 방법으로 제조하여 금속 유리 Al83Ni5 .5Y6Si1 .5La2Co2를 제조한다.
제조예 3
알루미늄(Al), 니켈(Ni), 이트륨(Y) 및 코발트(Co) 대신 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 이트륨(Y), 칼슘(Ca) 및 코발트(Co)를 사용하고 모합금을 녹일 때 AlN 파우더를 투입하여 함께 용융한 것을 제외하고는 제조예 1과 동일한 방법으로 제조하여 금속 유리 Al84Ni5Y6Ca2N1Co2를 제조한다.
금속 유리의 분쇄
실시예 1
에틸알코올 용매에 제조예 1에 따른 금속유리를 30중량% 농도로 혼합하여 금속 유리 슬러리를 준비한다.
상기 금속 유리 슬러리를 하기 조건을 가진 도 1에 도시된 금속유리의 분쇄 장치를 사용하여 분쇄하여 분쇄된 금속 유리를 얻는다.
- 압축공기 통과 영역(R2)의 직경: 2mm
- 압축공기의 단열팽창 영역(R3)의 직경: 7mm
- 압축공기의 분사압력: 1.45MPa
- 금속 유리 슬러리의 분사 속도: 100㎖/분
- 압축공기의 단열팽창 영역(R3)의 온도: -40℃
- 대향판: 다이아몬드
실시예 2
제조예 1에 따른 금속유리 대신 제조예 2에 따른 금속유리를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 분쇄된 금속 유리를 얻는다.
실시예 3
제조예 1에 따른 금속유리 대신 제조예 3에 따른 금속유리를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 분쇄된 금속 유리를 얻는다.
비교예 1
제조예 1에 따른 금속유리를 건식 분쇄 방법의 일종인 에어제트 분쇄(Air jet milling) 방법으로 분쇄하여 분쇄된 금속 유리를 얻는다. 이 때 금속유리의 공급량은 0.67g/분이고 공기 분사 압력은 1.15MPa 이다.
비교예 2
제조예 1에 따른 금속유리 대신 제조예 2에 따른 금속유리를 사용한 것을 제외하고는 비교예 1과 동일한 방법으로 분쇄된 금속 유리를 얻는다.
비교예 3
제조예 1에 따른 금속유리 대신 제조예 3에 따른 금속유리를 사용한 것을 제외하고는 비교예 1과 동일한 방법으로 분쇄된 금속 유리를 얻는다.
평가 1
실시예 1과 비교예 1에 따른 금속 유리의 취성(brittleness) 정도를 평가한다.
금속 유리의 취성 정도는 분쇄 전후의 분말 형상 변형 정도로 평가한다.
도 2는 분쇄되지 않은 금속 유리를 보여주는 SEM 사진이고, 도 3은 실시예 1에 따른 분쇄된 금속 유리의 SEM 사진이고, 도 4는 비교예 1에 따른 분쇄된 금속 유리의 SEM 사진이다.
도 2 내지 도 4를 참고하면, 실시예 1에 따른 분쇄된 금속 유리는 미세 입자로 부서진 반면 비교예 1에 따른 분쇄된 금속 유리는 부분적으로만 분쇄가 이루어지고 대부분 분쇄되지 않고 남아있는 것을 확인할 수 있다.
평가 2
실시예 1 내지 3과 비교예 1 내지 3에 따른 분쇄된 금속 유리의 입도 분포를 평가한다.
입도 분포는 입도분석기(particle size analyzer)(LA-950 Laser Particle Size Analyzer, Horiba)를 사용하여 3회 측정하고 평균값을 비교한다.
그 결과는 표 1 내지 3과 같다.
D<5㎛ (%) D50 (㎛)
분쇄 전 금속유리 4.7 17.3
실시예 1 54.0 4.61
비교예 1 18.0 11.2
D<5㎛ (%) D50 (㎛)
분쇄 전 금속유리 3.09 21.2
실시예 2 57.2 4.38
비교예 2 22.4 10.0
D<5㎛ (%) D50 (㎛)
분쇄 전 금속유리 2.01 25.6
실시예 3 58.8 4.21
비교예 3 28.0 9.12
표 1 내지 3을 참고하면, 실시예 1 내지 3에 따른 분쇄된 금속 유리는 비교예 1 내지 3에 따른 금속 유리와 각각 비교하여 미세 분말이 크게 증가한 것을 확인할 수 있다. 비교예 1 내지 3에 따른 분쇄된 금속 유리는 분쇄가 잘 이루어지지 않았을 뿐만 아니라 분쇄 중 연성(ductility)에 의해 분쇄된 분말이 부서지지 않고 찌그러져 덩어리를 형성한 것으로 예상될 수 있다.
평가 3
실시예 1 내지 3에 따른 분쇄된 금속 유리의 비정질 상(amorphous phase) 여부를 평가한다.
비정질 상은 X선 회절 분석법(x-ray diffraction, XRD)을 사용하여 평가하며, XRD 그래프에서 전체적으로 넓은 피크(broad peak)가 형성되는 경우 비정질 상이고 하나 이상의 좁은 피크(sharp peaks)가 발견되는 경우 결정상을 의미한다.
그 결과는 표 4 및 도 5 내지 7과 같다.
상(phase) 결정 상의 비율(Vc, vol%)
분쇄 전 금속유리 비정질 상 0
실시예 1 비정질 상 5% 이하
실시예 2 비정질 상 5% 이하
실시예 3 비정질 상 5% 이하
비교예 1 결정 상 55
비교예 2 결정 상 46
비교예 3 결정 상 41
표 4를 참고하면, 실시예 1 내지 3에 따른 분쇄된 금속 유리는 분쇄되지 않은 금속 유리와 거의 유사한 정도의 비정질 상을 유지하는데 반해, 비교예 1 내지 3에 따른 분쇄된 금속 유리는 분쇄 과정에서 결정화되어 결정상을 형성하는 것을 확인할 수 있다.
도 5는 분쇄되지 않은 금속 유리의 TEM 사진이고, 도 6은 실시예 2에 따른 분쇄된 금속 유리의 TEM 사진이고, 도 7은 비교예 2에 따른 분쇄된 금속 유리의 TEM 사진이다.
도 5 내지 도 7을 참고하면, 실시예 2에 따른 분쇄된 금속 유리는 분쇄되지 않은 금속 유리와 거의 유사한 정도의 비정질 상을 가지는데 반해 비교예 2에 따른 분쇄된 금속 유리는 결정 상이 많이 관찰되는 것을 확인할 수 있다.
평가 4
실시예 1 내지 3과 비교예 1 내지 3에 따른 금속 유리의 열(heat flow) 특성을 평가한다.
그 결과는 표 5 내지 7과 같다.
발열량(ΔHsum) (J/g)
분쇄 전 금속유리 74
실시예 1 70
비교예 1 33
발열량(ΔHsum) (J/g)
분쇄 전 금속유리 79
실시예 2 76
비교예 2 43
발열량(ΔHsum) (J/g)
분쇄 전 금속유리 75
실시예 3 72
비교예 3 44
표 5 내지 7을 참고하면, 실시예 1 내지 3에 따른 분쇄된 금속 유리는 분쇄 전 금속 유리와 거의 유사한 열 특성을 보이는데 반해 비교예 1 내지 3에 따른 분쇄된 금속 유리는 열 특성이 크게 변한 것을 확인할 수 있다.
평가 5
실시예 1과 비교예 1에 따른 분쇄된 금속 유리의 전기적 특성을 평가한다.
전기적 특성은 분쇄된 금속 유리를 포함하는 도전성 페이스트를 사용하여 전극 샘플을 형성한 후 상기 전극 샘플의 접촉 저항으로 평가한다.
전극 샘플 1은 다음과 같은 방법으로 형성한다.
은(Ag) 분말 및 실시예 1에 따른 분쇄된 금속 유리를 에틸셀룰로오스 바인더, 계면활성제 및 부틸카르비톨/부틸카르비톨아세테이트 혼합용매를 포함한 유기 비히클에 첨가한다. 이 때 은(Ag) 분말, 실시예 1에 따른 분쇄된 금속 유리 및 유기 비히클은 도전성 페이스트의 총 함량에 대하여 각각 82.58중량%, 3.93 중량% 및 13.49 중량%로 혼합한다. 이어서 3-롤 밀을 사용하여 반죽하여 도전성 페이스트를 제조한다. 이어서 실리콘 웨이퍼 위에 상기 도전성 페이스트를 스크린 인쇄 방법으로 도포한다. 이어서 벨트 퍼니스(belt furnace)를 사용하여 약 600℃까지 가열한다. 이후 냉각하여 전극 샘플 1을 형성한다.
전극 샘플 2는 실시예 1에 따른 분쇄된 금속 유리 대신 분쇄되지 않은 금속 유리를 포함한 도전성 페이스트를 사용한 것을 제외하고는 전극 샘플 1과 동일한 방법으로 형성한다.
전극 샘플 3은 실시예 1에 따른 분쇄된 금속 유리 대신 비교예 1에 따른 분쇄된 금속 유리를 포함한 도전성 페이스트를 사용한 것을 제외하고는 전극 샘플 1과 동일한 방법으로 형성한다.
상기 전극 샘플 1 내지 3의 접촉 저항은 투과선방법(transmission line method, TLM)으로 측정하고 총 4회 측정하여 평균값으로 비교한다.
그 결과는 표 8과 같다.
접촉저항(mΩ·㎠)
전극샘플 1 2.08
전극샘플 2 ≥100
전극샘플 3 11.30
표 8을 참고하면, 전극 샘플 1은 전극 샘플 2 및 3과 비교하여 접촉저항이 크게 낮은 것을 확인할 수 있다. 이로부터 실시예 1에 따른 분쇄된 금속 유리는 미세분말로 형성됨에 따라 전기적 특성이 개선되는 것을 확인할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.
110: 반도체 기판 112: 절연막
111a: 제1 도핑 영역 111b: 제2 도핑 영역
120: 제1 전극 120a: 제1 전극용 도전성 페이스트
121: 제1 전극부
130a, 130: 패시베이션 막
140: 제2 전극 140a: 제2 전극용 도전성 페이스트
141: 제2 전극부
115a: 제1 버퍼부 115b: 제2 버퍼부

Claims (18)

  1. 금속 유리와 용매를 포함하는 슬러리를 준비하는 단계,
    압축 공기가 통과되는 영역에 상기 슬러리를 공급하는 단계,
    상기 압축 공기를 단열 팽창시켜 상기 금속 유리를 액적화하는 단계, 그리고
    상기 액적화된 금속 유리를 분쇄하는 단계
    를 포함하는 금속 유리의 분쇄 방법.
  2. 제1항에서,
    상기 액적화된 금속 유리를 분쇄하는 단계는 상기 액적화된 금속 유리들 사이의 충돌에 의해 분쇄하는 단계 및 상기 액적화된 금속 유리를 대향판에 충돌시켜 분쇄하는 단계 중 적어도 하나를 포함하는 금속 유리의 분쇄 방법.
  3. 제2항에서,
    상기 액적화된 금속 유리들 사이에 충돌할 때 발생하는 열 에너지 또는 상기 액적화된 금속 유리를 대향판에 충돌시킬 때 발생하는 열 에너지는 상기 금속 유리의 결정화 에너지보다 작은 금속 유리의 분쇄 방법.
  4. 제1항에서,
    상기 금속 유리 및 상기 분쇄된 금속 유리는 비정질 부분을 포함하는 금속 유리의 분쇄 방법.
  5. 제4항에서,
    상기 금속 유리 및 상기 분쇄된 금속 유리는 각각 80 내지 100부피%의 비정질 부분을 가지는 금속 유리의 분쇄 방법.
  6. 제1항에서,
    상기 용매는 알코올, 터피네올, 부틸카비톨, 부틸카비톨 아세테이트, 펜테인디올, 다이펜틴, 리모닌, 에틸렌글리콜 알킬에테르, 디에틸렌글리콜 알킬에테르, 에틸렌글리콜 알킬에테르 아세테이트 디에틸렌글리콜 알킬에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜 디알킬에테르 아세테이트, 트리에틸렌글리콜 알킬에테르 아세테이트, 트리에틸렌 글리콜 알킬에테르, 프로필렌글리콜 알킬에테르, 프로필렌글리콜 페닐에테르, 디프로필렌글리콜 알킬에테르, 트리프로필렌글리콜 알킬에테르, 프로필렌글리콜 알킬에테르 아세테이트, 디프로필렌글리콜 알킬에테르 아세테이트, 트리프로필렌글리콜 알킬 에테르 아세테이트, 디메틸프탈산, 디에틸프탈산, 디부틸프탈산, 탈염수, 알칸, 톨루엔, 크실렌, 클로로포름, 아세톤, 알킬아세테이트, 메틸알킬케톤, 에틸알킬케톤, 프로필알킬케톤, 부틸알킬케톤 및 시클로알카논에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 금속 유리의 분쇄 방법.
  7. 제1항에서,
    상기 슬러리는 5 내지 60중량%의 금속 유리 및 40 내지 95중량%의 용매를 포함하는 금속 유리의 분쇄 방법.
  8. 제1항에서,
    상기 압축 공기는 0.5 내지 2.0MPa의 압력으로 분사되는 금속 유리의 분쇄 방법.
  9. 제1항에서,
    단열 팽창 후 상기 압축 공기의 온도는 -60 내지 10℃인 금속 유리의 분쇄 방법.
  10. 제1항에서,
    상기 분쇄된 금속 유리는 입도 D50≤5㎛를 만족하는 금속 유리의 분쇄 방법.
  11. 제1항에서,
    상기 분쇄된 금속 유리는 5㎛보다 작은 입도를 가지는 비율이 40% 이상인 금속 유리.
  12. 80 내지 100부피%의 비정질 부분을 가지고 입도 D50≤5㎛를 만족하는 분쇄된 금속 유리.
  13. 제12항에서,
    5㎛보다 작은 입도를 가지는 비율이 40% 이상인 분쇄된 금속 유리.
  14. 제12항에서,
    상기 분쇄된 금속 유리는 알루미늄(Al), 구리(Cu), 지르코늄(Zr), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 철(Fe), 금(Au), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 세륨(Ce), 스트론튬(Sr), 이테르븀(Yb), 아연(Zn), 백금(Pt), 코발트(Co), 팔라듐(Pd), 세륨(Ce), 란탄(La), 이트륨(Y), 가돌륨(Gd), 베릴륨(Be), 탄탈늄(Ta), 갈륨(Ga), 하프늄(Hf), 니오븀(Nb), 납(Pb), 백금(Pt), 은(Ag), 인(P), 보론(B), 규소(Si), 카본(C), 주석(Sn), 아연(Zn), 리튬(Li), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 망간(Mn), 에르븀(Er), 크롬(Cr), 프라세오디뮴(Pr), 툴륨(Tm) 및 이들의 조합 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 합금인 분쇄된 금속 유리.
  15. 도전성 분말, 금속 유리 및 유기 비히클을 포함하고,
    상기 금속 유리는 제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 따른 분쇄된 금속 유리를 포함하는 도전성 페이스트.
  16. 제15항에서,
    상기 도전성 분말은 알루미늄(Al), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 이들의 합금 또는 이들의 조합을 포함하는 도전성 페이스트.
  17. 제15항에서,
    상기 도전성 분말, 상기 금속 유리 및 상기 유기 비히클은 상기 도전성 페이스트의 총 함량에 대하여 각각 30 내지 99중량%, 0.1 내지 20중량% 및 잔량으로 포함되어 있는 도전성 페이스트.
  18. 제15항에 따른 도전성 페이스트의 소성물을 포함하는 전극을 포함하는 전자 소자.



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