KR20150065461A - Lift hoop for semiconductor process - Google Patents

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KR20150065461A
KR20150065461A KR1020130150817A KR20130150817A KR20150065461A KR 20150065461 A KR20150065461 A KR 20150065461A KR 1020130150817 A KR1020130150817 A KR 1020130150817A KR 20130150817 A KR20130150817 A KR 20130150817A KR 20150065461 A KR20150065461 A KR 20150065461A
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lift hoop
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lift
hoop
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KR1020130150817A
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김재민
박근배
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주식회사 썬닉스
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Abstract

The present invention relates to a lift hoop which inhibits corrosion by process gas, inhibits a generation of particles by abrasion in a transfer chamber, has a lifetime extended, and a replacement cycle extended to improve an operating rate as a Nix coating layer or a PI coating layer is formed on the surface thereof. According to the present invention, the lift hoop comprises: an organic compound monomer deposited on the surface of the lift hoop; a polyimide coating layer applied to the surface of the lift hoop after deposition; and a Nix coating layer applied to the surface of the polyimide coating layer.

Description

리프트후프{LIFT HOOP FOR SEMICONDUCTOR PROCESS}Lift Hoop {LIFT HOOP FOR SEMICONDUCTOR PROCESS}

본 발명은 리프트후프에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 공정에서 웨이퍼를 이동시키는데 사용되는 리프트후프에 관한 것이다.
The present invention relates to a lift hoop, and more particularly to a lift hoop used to move a wafer in a semiconductor process.

반도체 제조는 여러 단계의 공정을 포함하고 있으며, 특정의 목적을 위하여 가스를 주입하는 공정은 식각공정, 이온 주입공정, 금속공정, 화학 증착공정 등이다.Semiconductor manufacturing involves several steps, and the process of injecting gas for specific purposes is an etching process, an ion implant process, a metal process, or a chemical vapor deposition process.

상기 공정 중에서 금속공정은 불활성 기체인 N, Ar 등이 적용되는 것이어서 그 취급이 까다롭지 않지만, 식각공정, 이온 주입공정, 화학 증착공정은 유독성을 가진 부식성 기체가 사용되는 것이므로 공정을 거쳐 나오는 가스의 배기에 유의해야 한다.In the above process, the inert gas such as N and Ar is applied to the metal process. However, since the etching process, the ion implantation process, and the chemical vapor deposition process use a corrosive gas having toxicity, Be careful of exhaust.

한편, 반도체 공정에서는 웨이퍼를 이동시키기 위해서 리프트후프가 사용되되고, 상기 리프트후프 상측에 웨이퍼가 안착된 후, 트랜스퍼로봇 등에 의해 이동된다. On the other hand, in the semiconductor process, a lift hoop is used to move the wafer, and after the wafer is placed on the upper side of the lift hoop, it is moved by a transfer robot or the like.

그런데 반도체 공정에서는 부식성이 높은 공정가스를 사용하기 때문에, 시간이 경과됨에 따라 웨이퍼와 직접 접촉되는 리프트후프가 부식되는 문제점이 있었다. . However, since the process gas having high corrosiveness is used in the semiconductor process, there is a problem that the lift hoop, which is in direct contact with the wafer, is corroded with time. .

특히, 웨이어와 접촉되는 리프트후프의 사이드 엣지가 마모되면서 파티클이 발생되어 웨이퍼 로스가 증가되는 문제점이 있었다.
Particularly, the side edge of the lift hoop, which is in contact with the wafers, is worn out, causing particles to be generated and wafer loss is increased.

한국 등록실용신안 20-0206347Korean Registered Utility Model 20-0206347 한국 공개특허 10-2007-0054311Korean Patent Laid-Open No. 10-2007-0054311

본 발명은 표면에 닉스코팅 또는 PI 코팅층이 형성되어 공정가스에 대한 내부식성이 높고, 내구성이 강한 리프트후프를 제공하는데 목적이 있다.
An object of the present invention is to provide a lift hoop having a high nitrile coating or a PI coating layer on the surface thereof, which is highly resistant to the process gas and has high durability.

본 발명의 일측면은 반도체공정의 트랜스퍼 챔버에 설치되는 리프트후프에 있어서, CVD 챔버를 통해, 상기 리프트후프의 표면에 진공 기상 증착된 유기화합물 단량체; CVD 진공 증착에 의해, 상기 증착된 리프트후프 표면에 폴리이미드 코팅된 폴리이미드 코팅층; 및 CVD 진공 증착에 의해, 상기 폴리이미드 코팅층 표면에 닉스 코팅된 닉스 코팅층;이 형성된 리프트후프를 제공한다. One aspect of the present invention relates to a lift hoop installed in a transfer chamber of a semiconductor process, comprising: an organic compound monomer vapor-deposited on a surface of the lift hoop through a CVD chamber; A polyimide-coated polyimide coating layer on the deposited lift hoop surface by CVD vacuum deposition; And a knuckle coating layer formed on the surface of the polyimide coating layer by CVD vacuum deposition.

본 발명의 다른 측면은 반도체공정의 트랜스퍼 챔버에 설치되는 리프트후프에 있어서, CVD 챔버를 통해, 상기 리프트후프의 표면에 진공 기상 증착된 유기화합물 단량체; CVD 진공 증착에 의해, 상기 증착된 리프트후프 표면에 닉스 코팅된 닉스 코팅층; 및 CVD 진공 증착에 의해, 상기 닉스 코팅층 표면에 폴리이미드 코팅된 폴리이미드 코팅층;이 형성된 리프트후프를 제공한다. Another aspect of the present invention is a lift hoop installed in a transfer chamber of a semiconductor process, comprising: an organic compound monomer vapor-deposited on the surface of the lift hoop through a CVD chamber; A nitric coating layer on the deposited lift hoop surface by CVD vacuum deposition; And a polyimide-coated polyimide coating layer on the surface of the Knicks coating layer by CVD vacuum deposition.

상기 유기화합물 단량체는, 알킬실란, 알킬트리알콕시실란, 알콕시실란, 아미노알킬트리알콕시실란 및, 머켑토알킬알콕시실란 중 적어도 하나의 화합물을 사용하는 것을 특징으로 한다.
The organic compound monomer is characterized by using at least one compound selected from alkylsilane, alkyltrialkoxysilane, alkoxysilane, aminoalkyltrialkoxysilane and mercaptoalkylalkoxysilane.

본 발명에 따른 리프트후프는 표면에 닉스 코팅층 또는 PI 코팅층이 형성되기 때문에, 공정가스에 의한 부식을 억제할 뿐만 아니라 마모에 의해 트랜스퍼 챔버 내에서 파티클이 발생되는 것을 억제시키는 효과가 있다. The lift hoop according to the present invention has an effect of suppressing the generation of particles in the transfer chamber due to abrasion as well as suppressing corrosion due to the process gas since a nick coating layer or a PI coating layer is formed on the surface.

또한 본 발명에 따른 리프트후프는 표면에 닉스 코팅층 또는 PI 코팅층이 형성되기 때문에 수명이 연장되고, 교체 주기를 연장하여 가동율을 향상시키는 효과가 있다.
Also, since the lift hoop according to the present invention has a nickle coating layer or a PI coating layer formed on the surface thereof, it has an effect of extending the lifetime and extending the replacement period to improve the operating rate.

도 1은 본 발명의 1 실시예에 따른 닉스 및 PI 코팅 방법의 순서도
도 2는 본 발명의 2 실시예에 따른 닉스 및 PI 코팅 방법의 순서도
도 3은 본 발명의 1 실시예에 따른 리프트후프의 평면도1 is a flowchart of a knock and PI coating method according to an embodiment of the present invention
2 is a flow chart of a knock and PI coating method according to the second embodiment of the present invention
3 is a plan view of a lift hoop according to an embodiment of the present invention.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 대해 구체적으로 살펴보기로 한다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

다만, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 용어가 동일하더라도 표시하는 부분이 상이하면 도면 부호가 일치하지 않음을 미리 말해두는 바이다.In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear. Even if the terms are the same, it is to be noted that when the portions to be displayed differ, the reference signs do not coincide.

그리고 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 설정된 용어들로서 이는 실험자 및 측정자와 같은 사용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있으므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description are exemplary and explanatory and are intended to provide further explanation of the invention as claimed.

본 명세서에서 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다. The terms first, second, etc. in this specification may be used to describe various elements, but the elements should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component. And / or < / RTI > includes any combination of a plurality of related listed items or any of a plurality of related listed items.

본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다. The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가진 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다. Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the relevant art and are to be interpreted in an ideal or overly formal sense unless explicitly defined in the present application Do not.

또한, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. Also, when a part is referred to as "including " an element, it does not exclude other elements unless specifically stated otherwise.

일반적으로 반도체 디바이스는 웨이퍼 표면 상부에 여러 가지 기능을 수행하는 박막을 증착하고 이를 패터닝하여 다양한 회로 기하구조를 형성함으로써 제조하게 되는데, 이러한 반도체 디바이스를 제조하기 위한 공정은 크게 반도체 기판 내부로 불순물을 주입하는 불순물 확산 공정, 반도체 기판 상에 물질막을 형성하는 증착(deposition)공정, 상기 물질막을 소정의 패턴으로 형성하는 식각공정, 그리고 웨이퍼 상부에 층간절연막등을 증착한 후에 일괄적으로 웨이퍼 표면을 연마하여 단차를 없애는 평탄화(CMP:Chemical Mechanical Polishing) 공정을 비롯하여 불순물 제거를 위한 웨이퍼 세정공정 및 이온주입 공정등과 같은 여러 단위 공정들로 이루어져 있다.In general, a semiconductor device is manufactured by depositing a thin film that performs various functions on a surface of a wafer and patterning the thin film to form various circuit geometries. Processes for manufacturing such a semiconductor device include implanting impurities into the semiconductor substrate A process of depositing a material film on a semiconductor substrate, an etching process of forming the material film in a predetermined pattern, and a process of polishing the wafer surface collectively after depositing an interlayer insulating film or the like on the wafer A wafer cleaning process for removing impurities, an ion implantation process, and the like, as well as a planarization (CMP: Chemical Mechanical Polishing) process for eliminating steps.

통상적으로, 반도체 디바이스는 상기와 같은 여러 단위 공정들을 반복 실시함으로써 제조하게 되는데, 이러한 각각의 단위공정은 해당 공정 챔버 내부에서 진행된다. 그리고 상기 공정 챔버들이 구비된 반도체 제조 설비는, 외부의 각종 오염원으로부터 공정이 진행되는 웨이퍼를 보호하기 위하여 고청정도의 환경을 형성하고, 그러한 고청정도의 환경을 지속적으로 유지시키기 위한 각종 클리닝 장치가 설치된다.Typically, a semiconductor device is manufactured by repeating several unit processes as described above, and each of these unit processes proceeds inside the process chamber. In the semiconductor manufacturing facility equipped with the process chambers, a high cleanliness environment is formed to protect wafers which are being processed from various external pollutants, and various cleaning devices for maintaining the environment of high cleanliness are installed do.

그리고 반도체 제조 설비는 하나의 트랜스퍼 챔버를 중심으로 복수개의 로드락 챔버, 공정챔버 및 보조챔버가 도어 개폐에 따라 선택적으로 연통되는 구조를 이루고 있다.The semiconductor manufacturing facility has a structure in which a plurality of load lock chambers, process chambers, and auxiliary chambers are selectively communicated with each other by opening and closing a door around one transfer chamber.

그리고 상기 트랜스퍼 챔버의 내부는 통상적으로 진공압 상태로 유지되는데, 이러한 트랜스퍼 챔버의 소정 위치에는 로드락 챔버에 위치되는 웨이퍼를 1매씩 고정 지지하여 요구되는 위치로 이송토록 하는 로봇이 설치된다. 또한, 상기 트랜스퍼 챔버의 다른 측부에는 로딩된 웨이퍼에 대해 단위 공정이 진행되는 다수개의 공정 챔버 및 상기 공정 챔버에서의 공정 수행 전/후 처리과정을 수행하는 보조챔버가 선택적으로 연결되도록 구성되어 있다.The inside of the transfer chamber is normally kept in a vacuum pressure state. A robot is provided at a predetermined position of the transfer chamber for transferring the wafers positioned in the load lock chamber one by one to the required position. The other side of the transfer chamber is configured to selectively connect a plurality of process chambers for performing a unit process with respect to the loaded wafer and an auxiliary chamber for performing a process before and after the process in the process chamber.

여기서 상기 웨이퍼를 이동시키기 위해서, 로봇에는 상기 웨이퍼를 1매씩 고정하여 이송시키는 리프트후프가 배치되고, 상기 리프트후프의 수명을 연장시키기 위해 본 실시예에서는 상기 리프트후프의 표면을 코팅하여 공정가스에 의한 부식을 방지하고, 상기 리프트후프의 마모를 억제하여 파티클이 생성되는 것을 억제한다. In order to move the wafer, the robot is provided with a lift hoop for fixing and transferring the wafers one by one. In order to extend the service life of the lift hoop, the surface of the lift hoop is coated, Preventing corrosion, suppressing wear of the lift hoop, and suppressing generation of particles.

본 실시예에서는 상기와 같은 부식 및 마모 억제를 위해 코팅이 실시된다.In this embodiment, the coating is performed to suppress corrosion and abrasion as described above.

먼저, 상기 리프트후프 표면의 오염물을 제거하기 위한 세척 공정(또는, 진공 클리닝 공정)을 수행한다. 여기서, 상기 세척 공정은, 알코올 등의 세척제 등을 통해 수행되거나 또는, 이소프로필 알코올(Isopropyl Alcohol) 등을 통해 초음파 세척을 수행할 수 있다. First, a cleaning process (or a vacuum cleaning process) is performed to remove contaminants on the surface of the lift hoop. Here, the washing process may be performed through a detergent such as alcohol, or ultrasonic cleaning may be performed through isopropyl alcohol or the like.

일 예로, 상기 리프트후프는 비금속계 재질 또는, 금속계 재질로 형성할 수도 있다. 여기서, 상기 비금속계 재질은, 유리, 세라믹, 아크릴, 테프론(Tefron) 및, PVC(Polyvinyl Chloride : 염화 비닐) 등일 수 있고, 상기 금속계 재질은, 알루미늄, 스테인리스 스틸 등일 수 있다(S110).For example, the lift hoop may be formed of a non-metal material or a metal material. The non-metallic material may be glass, ceramic, acrylic, Teflon, PVC, or the like. The metallic material may be aluminum, stainless steel, or the like (S110).

이후, CVD(Chemical Vapor Deposition : 화학 기상 증착) 챔버(미도시)를 통한 전처리 공정/작업(또는, 프라이머(primer))에 의해, 유기화합물 단량체를 상기 리프트후프상(또는, 상기 리프트후프의 적어도 일부 표면)에 진공 기상 증착(또는, CVD 진공 증착)한다.Thereafter, the organic compound monomer is introduced into the lift hoop phase (or at least the lift hoop) by a pretreatment process / operation (or a primer) through a CVD (Chemical Vapor Deposition) (Or a part of the surface)) by vacuum vapor deposition (or CVD vacuum deposition).

즉, 상기 리프트후프가 수용된 상기 CVD 챔버 내에, 한 종류 이상의 상기 액상 유기화합물 단량체를 상기 CVD 챔버 내에 기체 상태로 주입시켜 10mTorr ~ 100 mTorr 상태로 상기 리프트후프 표면에 증착시킨다. That is, in the CVD chamber in which the lift hoop is accommodated, one or more liquid organic compound monomers are injected into the CVD chamber in a gaseous state to deposit on the surface of the lift hoop in the range of 10 mTorr to 100 mTorr.

여기서, 상기 유기화합물 단량체는, 알킬실란(Alkylsilane), 알킬트리알콕시실란(Alkyltrialkoxysilane), 알콕시실란(Alkoxysilane), 아미노알킬트리알콕시실란(Aminoalkyltrialkoxysilane) 및, 머켑토알킬알콕시실란(Mercaptoalkylalkoxysilane) 등 중에서, 적어도 하나의 화합물을 사용할 수 있다. 이때, 상기 리프트후프 표면은, 상기 리프트후프의 전체 표면 또는, 상기 리프트후프의 적어도 하나 이상의 일부 표면일 수 있다.The organic compound monomer may be at least one selected from the group consisting of alkylsilane, alkyltrialkoxysilane, alkoxysilane, aminoalkyltrialkoxysilane, and mercaptoalkylalkoxysilane. One compound can be used. At this time, the lift hoop surface may be the entire surface of the lift hoop or at least one part of the surface of the lift hoop.

일 예로, 상기 유기화합물 단량체는, 상기 CVD 챔버를 통한 CVD 진공 증착에 의해 상기 리프트후프의 표면에 진공 증착된다(S120).In one embodiment, the organic compound monomer is vacuum deposited on the surface of the lift hoop by CVD vacuum deposition through the CVD chamber (S120).

이후, 상기 전처리된 리프트후프는, 상기 CVD 챔버를 통한 CVD 진공 증착에 의해 PI 코팅(Polyimide coating :폴리이미드 코팅)한다. 이때, PI 코팅층(또는, PI 코팅막/절연 코팅막)을 형성할 때, 상기 CVD 진공 증착뿐만 아니라, 스프레이(spray) 방식 또는 웨팅(wetting) 방식 등을 통해서도 상기 전처리된 리프트후프에 상기 PI 코팅층을 형성할 수도 있다.Thereafter, the pretreated lift hoop is subjected to PI coating (polyimide coating) by CVD vacuum deposition through the CVD chamber. At this time, when the PI coating layer (or the PI coating film / insulating coating film) is formed, the PI coating layer is formed on the pretreated lift hoop through not only the CVD vacuum deposition but also spraying or wetting You may.

즉, 상기 전처리된 리프트후프의 전체 표면 또는 적어도 하나 이상의 일부 표면에, 상기 CVD 챔버를 통해 폴리이미드(PI)를 진공 기상 증착한다.That is, polyimide (PI) is vacuum vapor deposited on the entire surface or at least one surface of the pretreated lift hoop through the CVD chamber.

일 예로, 상기 전처리된 리프트후프 표면에 상기 PI 코팅층을 형성한다(S130).For example, the PI coating layer is formed on the surface of the pretreated lift hoop (S130).

이후, 상기 PI 코팅층이 형성된 리프트후프는, CVD 진공 증착에 의해 닉스 코팅(NIX Coating)(또는, 다이머(dimer))한다. 이때, 상기 닉스 코팅에 사용되는 다이머는, 패럴린 N(poly(Para-Xylene)), 패럴린C(poly(Chloro-Para-Xylylene)), 패럴린 D(poly(Di-Chloro-Para-Xylylene)) 및, 패럴린 F(poly(tetrafluoro-[2,2]para-Xylylene)) 등 중에서 적어도 하나의 다이머를 사용할 수 있다. 또한, 상기 닉스 코팅에 의해 형성되는 닉스 코팅층(또는, 닉스 코팅막)의 두께는, 약 1 ㎛ ~ 70 ㎛ 범위일 수 있으며, 상기 리프트후프의 사용 용도 등을 고려하여 설계자의 설계에 따라 다양하게 설정할 수 있다.Thereafter, the lift hoop on which the PI coating layer is formed is subjected to NIX coating (or dimmer) by CVD vacuum deposition. The dimers used in the nick coating include poly (para-xylene), poly (chloro-para-xylylene), poly (di-chloro-para-xylylene ) And poly (tetrafluoro- [2,2] para-Xylylene)), and the like. The thickness of the knuckle coating layer (or the knuckle coating layer) formed by the nick coating may range from about 1 탆 to 70 탆. The thickness of the knuckle coating layer may be variously set according to the design of the designer .

즉, 고체상 다이머를 증발기(vaporizer)(미도시) 내에 장착하고, 압력을 미리 설정된 레벨(예를 들어, 약 1Torr)로 조절하고 미리 설정된 온도(예를 들어, 170℃ ~ 200℃)로 가열하면, 상기 고체상 다이머가 기화되어 다이머 가스가 발생한다. That is, when the solid-state dimer is installed in a vaporizer (not shown) and the pressure is adjusted to a predetermined level (for example, about 1 Torr) and heated to a predetermined temperature (for example, 170 ° C to 200 ° C) , The solid-state dimer is vaporized and dimer gas is generated.

이후, 상기 기화된 다이머 가스는, 650℃ ~ 700℃로 유지되고 압력이 0.5 Torr로 조절된 열분해기(pyrolysis)(미도시)에 통과시켜 모노머(monomer)로 분해한다. Then, the vaporized dimer gas is decomposed into monomers by passing through a pyrolysis (not shown) maintained at 650 ° C to 700 ° C and a pressure of 0.5 Torr.

이후, 상기 열분해된 모노머는, 상온에 서 10 mTorr ~ 100 mTorr 압력으로 조절된 상기 CVD 챔버에서 상기 PI 코팅층이 형성된(또는, 증착된) 상기 리프트후프 표면에 고분자 상태로 증착(또는, 적층/축합)하여, 닉스 코팅층(또는, 닉스 코팅/닉스 고분자/닉스 코팅막)을 형성한다.The thermally decomposed monomer is then deposited (or laminated / condensed) on the surface of the lift hoop on which the PI coating layer is formed (or deposited) in the CVD chamber controlled at 10 mTorr to 100 mTorr pressure at room temperature ) To form a nick coating layer (or a Knicks coating / Knicks polymer / Knicks coating film).

일 예로, 상기 PI 코팅층 상부에 상기 닉스 코팅층을 형성한다.For example, the nick coating layer is formed on the PI coating layer.

이와 같이, 상기 닉스 고분자(또는, 패럴린 고분자)는, 상온 또는 진공 중에서 코팅이 이루어지므로, 열적 스트레스로 인한 모재의 변형을 방지하고, 핀홀 없이 모재의 측면뿐만 아니라 미세한 요철 부분까지 균일하게 코팅할 수 있다. As described above, since the coating of the nicks polymer (or the paraline polymer) is performed at room temperature or vacuum, it is possible to prevent the deformation of the base material due to thermal stress and uniformly coat not only the side surface of the base material but also the fine uneven portion .

또한, 상기 닉스 코팅에 의해, 내화학성, 내열성 및, 내수성 등을 향상시킬 수 있다(S140).In addition, by the nick coating, the chemical resistance, heat resistance and water resistance can be improved (S140).

또한, 상기 실시예에서는, 상기 리프트후프에 PI 코팅층과 닉스 코팅층을 순차적으로 형성하는 구성을 기재하고 있으나, 상기 닉스 코팅층을 형성하지 않을 수도 있다. In the above embodiment, the PI coating layer and the Nicks coating layer are sequentially formed on the lift hoop, but the Knicks coating layer may not be formed.

즉, 상기 리프트후프의 표면에 상기 PI 코팅층을 형성한 상태일 수도 있다.
That is, the PI coating layer may be formed on the surface of the lift hoop.

이하, 본 발명의 2 실시예에 따른 닉스 및 PI 코팅 방법을 설명한다. Hereinafter, a knock and PI coating method according to the second embodiment of the present invention will be described.

먼저, 리프트후프 표면의 오염물을 제거하기 위한 세척 공정(또는, 진공 클리닝 공정)을 수행한다. 여기서, 상기 세척 공정은, 알코올 등의 세척제 등을 통해 수행되거나 또는, 이소프로필 알코올 등을 통해 초음파 세척을 수행할 수 있다.First, a cleaning process (or a vacuum cleaning process) is performed to remove contaminants on the surface of the lift hoop. Here, the cleaning process may be performed through a cleaning agent such as alcohol, or ultrasonic cleaning may be performed through isopropyl alcohol or the like.

일 예로, 상기 리프트후프은, 비금속계 재질 또는, 금속계 재질로 형성할 수도 있다. 여기서, 상기 비금속계 재질은, 유리, 세라믹, 아크릴, 테프론 및, PVC 등일 수 있다. 또한, 상기 금속계 재질은, 알루미늄, 스테인리스 스틸 등일 수 있다(S210).For example, the lift hoop may be formed of a non-metal material or a metal material. Here, the non-metallic material may be glass, ceramic, acrylic, Teflon, PVC, or the like. The metallic material may be aluminum, stainless steel, or the like (S210).

이후, CVD 챔버(미도시)를 통한 전처리 공정/작업(또는, 프라이머)에 의해, 유기화합물 단량체를 상기 리프트후프상(또는, 상기 리프트후프의 적어도 일부 표면)에 진공 기상 증착(또는, CVD 진공 증착)한다.Thereafter, an organic compound monomer is vacuum vapor deposited (or at least partially on the surface of the lift hoop) by a pretreatment process / operation (or primer) through a CVD chamber (not shown) Deposition).

즉, 상기 리프트후프가 수용된 상기 CVD 챔버 내에, 한 종류 이상의 상기 액상 유기화합물 단량체를 상기 CVD 챔버 내에 기체 상태로 주입시켜 10mTorr ~ 100 mTorr 상태로 상기 리프트후프 표면에 증착시킨다. That is, in the CVD chamber in which the lift hoop is accommodated, one or more liquid organic compound monomers are injected into the CVD chamber in a gaseous state to deposit on the surface of the lift hoop in the range of 10 mTorr to 100 mTorr.

여기서, 상기 유기화합물 단량체는, 알킬실란, 알킬트리알콕시실란, 알콕시실란, 아미노알킬트리알콕시실란 및, 머켑토알킬알콕시실란 등 중에서, 적어도 하나의 화합물을 사용할 수 있다. 이때, 상기 리프트후프 표면은, 상기 리프트후프의 전체 표면 또는, 상기 리프트후프의 적어도 하나 이상의 일부 표면일 수 있다.The organic compound monomer may be at least one compound selected from among alkylsilane, alkyltrialkoxysilane, alkoxysilane, aminoalkyltrialkoxysilane, and mercaptoalkylalkoxysilane. At this time, the lift hoop surface may be the entire surface of the lift hoop or at least one part of the surface of the lift hoop.

일 예로, 상기 유기화합물 단량체는 상기 CVD 챔버를 통한 CVD 진공 증착에 의해 상기 리프트후프의 표면에 진공 증착된다(S220).As an example, the organic compound monomer is vacuum deposited on the surface of the lift hoop by CVD vacuum deposition through the CVD chamber (S220).

이후, 상기 전처리된 리프트후프은, CVD 진공 증착에 의해 닉스 코팅(NIX Coating)(또는, 다이머)한다. 이때, 상기 닉스 코팅에 사용되는 다이머는, 패럴린 N, 패럴린 C, 패럴린 D 및, 패럴린 F 등 중에서, 적어도 하나의 다이머를 사용할 수 있다. 또한, 상기 닉스 코팅에 의해 형성되는 닉스 코팅층(또는, 닉스 코팅막)의 두께는, 약1 ㎛ ~ 70 ㎛ 범위일 수 있으며, 상기 리프트후프의 사용 용도 등을 고려하여 설계자의 설계에 따라 다양하게 설정될 수 있다.Thereafter, the pretreated lift hoop is NIX coated (or diminished) by CVD vacuum deposition. At this time, at least one dimer may be used among the dimers used in the nick coating, such as paralin N, paralin C, paralin D, and paralin F. The thickness of the knuckle coating layer (or the knuckle coating layer) formed by the nick coating may be in the range of about 1 탆 to 70 탆. The thickness of the knuckle coating layer may be variously set according to the designer's design, .

즉, 고체상 다이머를 증발기(미도시) 내에 장착하고, 압력을 미리 설정된 레벨(예를 들어, 약 1 Torr)로 조절하고 미리 설정된 온도(예를 들어, 170℃ ~ 200℃)로 가열하면, 상기 고체상 다이머가 기화되어 다이머 가스가 발생한다. That is, when the solid-state dimer is installed in an evaporator (not shown) and the pressure is adjusted to a predetermined level (for example, about 1 Torr) and heated to a predetermined temperature (for example, 170 ° C to 200 ° C) The solid-phase dimer is vaporized and dimer gas is generated.

이후, 상기 기화된 다이머 가스는, 650℃ ~ 700℃로 유지되고 압력이 0.5 Torr로 조절된 열분해기(미도시)에 통과시켜 모노머로 분해한다. 이후, 상기 열분해된 모너머는, 상온에서 10 mTorr ~ 100 mTorr 압력으로 조절된 상기 CVD 챔버에서 상기 유기화합물 단량체가 증착된 상기 리프트후프 표면에 고분자 상태로 증착(또는, 적층/축합)하여, 닉스 코팅층(또는, 닉스 코팅/닉스 고분자/닉스 코팅막)을 형성한다.Thereafter, the vaporized dimer gas is decomposed into monomers by passing through a pyrolyzer (not shown) maintained at 650 ° C to 700 ° C and a pressure of 0.5 Torr. Thereafter, the pyrolyzed monomer is deposited (or laminated / condensed) in a polymer state on the surface of the lift hoop on which the organic compound monomer is deposited in the CVD chamber controlled at 10 mTorr to 100 mTorr pressure at room temperature, Coating layer (or a Knicks coating / Knicks polymer / Knicks coating film).

일 예로, 상기 전처리된 리프트후프 표면에 상기 닉스 코팅층을 형성한다(S230).For example, the nit coating layer is formed on the surface of the pretreated lift hoop (S230).

이후, 상기 닉스 코팅층이 형성된 리프트후프는, 상기 CVD 챔버를 통한 CVD 진공 증착에 의해 PI 코팅한다.Thereafter, the lift hoop formed with the Knicks coating layer is PI-coated by CVD vacuum deposition through the CVD chamber.

이때, PI 코팅층(또는, PI 코팅막)을 형성할 때, 상기 CVD 진공 증착뿐만 아니라, 스프레이 방식 또는 웨팅 방식 등을 통해서도 상기 닉스 코팅층이 형성된 리프트후프에 상기 PI 코팅층을 형성할 수도 있다.At this time, when forming the PI coating layer (or the PI coating layer), the PI coating layer may be formed on the lift hoop in which the nit coating layer is formed, not only by the CVD vacuum deposition but also by the spraying method or the wetting method.

즉, 상기 닉스 코팅층이 형성된 리프트후프의 전체 표면 또는 적어도 하나 이상의 일부 표면에, 상기 CVD챔버를 통해 폴리이미드(PI)를 진공 기상 증착한다.That is, polyimide (PI) is vacuum vapor deposited on the entire surface or at least one surface of the lift hoop on which the nickle coating layer is formed through the CVD chamber.

일 예로, 상기 닉스 코팅층 상부에 상기 PI 코팅층을 형성한다(S240).For example, the PI coating layer is formed on the Knicks coating layer (S240).

본 명세서의 실시예는 앞서 설명한 바와 같이, 리프트후프에 닉스(NIX) 및/또는 PI 코팅 과정(또는, 다이머 과정)을 수행하여, 내화학성, 내열성 및, 내수성을 향상시키고, 적용 온도 범위를 향상시킬 수 있다.As described above, the embodiments of the present invention can improve the chemical resistance, heat resistance, and water resistance of the lift hoop by performing the NIX and / or PI coating process (or the dimer process) .

또한, 본 명세서의 실시예는 앞서 설명한 바와 같이, CVD 진공 증착을 통해 임의의 부품에 닉스 코팅층 및/또는 PI 코팅층을 형성하여, 균일한 코팅층과, 낮은 마찰 계수와, 무정전 특성과, 유연한 기계적 특성(예를 들어, 수축, 팽창, 굴절 등 물리적 변화에 영향을 받지 않는 특성)과, 반영구적인 사용 특성 등을 제공하고, 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.Also, as described above, the embodiments of the present invention can be achieved by forming a nick coating layer and / or a PI coating layer on an arbitrary part by CVD vacuum deposition to form a uniform coating layer, a low friction coefficient, an uninterruptible characteristic, (For example, characteristics that are not affected by physical changes such as shrinkage, swelling, and refraction), semi-permanent usage characteristics, and the like, and the reliability of the product can be improved.

그래서 상술한 바와 같이, 닉스 코팅층 또는 PI 코팅층이 형성된 리프트후프는 부식성 유체가 사용되는 공간에 설치되어 사용될 수 있다.Thus, as described above, the lift hoop in which the nit coating layer or the PI coating layer is formed can be installed and used in a space where the corrosive fluid is used.

한편, 본 실시예에서는 리프트후프에 대하여 설명되었으나 본 실시예와 달리 Wafer Clamping Chuck에 닉스 코팅층 또는 PI 코팅층이 형성되어도 무방하다. Although the lift hoop is described in this embodiment, unlike the present embodiment, a nickel coating layer or a PI coating layer may be formed on the wafer clamping chuck.

이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the appended claims. It will be possible.

Claims (3)

반도체공정의 트랜스퍼 챔버에 설치되는 리프트후프에 있어서,
CVD 챔버를 통해, 상기 리프트후프의 표면에 진공 기상 증착된 유기화합물 단량체;
CVD 진공 증착에 의해, 상기 증착된 리프트후프 표면에 폴리이미드 코팅된 폴리이미드 코팅층; 및
CVD 진공 증착에 의해, 상기 폴리이미드 코팅층 표면에 닉스 코팅된 닉스 코팅층;이 형성된 리프트후프.
In a lift hoop installed in a transfer chamber of a semiconductor process,
An organic compound monomer vapor-deposited on the surface of the lift hoop through a CVD chamber;
A polyimide-coated polyimide coating layer on the deposited lift hoop surface by CVD vacuum deposition; And
A lift hoop formed by Knix coating on the surface of the polyimide coating layer by CVD vacuum deposition.
반도체공정의 트랜스퍼 챔버에 설치되는 리프트후프에 있어서,
CVD 챔버를 통해, 상기 리프트후프의 표면에 진공 기상 증착된 유기화합물 단량체;
CVD 진공 증착에 의해, 상기 증착된 리프트후프 표면에 닉스 코팅된 닉스 코팅층; 및
CVD 진공 증착에 의해, 상기 닉스 코팅층 표면에 폴리이미드 코팅된 폴리이미드 코팅층;이 형성된 리프트후프.
In a lift hoop installed in a transfer chamber of a semiconductor process,
An organic compound monomer vapor-deposited on the surface of the lift hoop through a CVD chamber;
A nitric coating layer on the deposited lift hoop surface by CVD vacuum deposition; And
A lift hoop in which a polyimide-coated polyimide coating layer is formed on the surface of the nickle coating layer by CVD vacuum vapor deposition.
청구항 1 또는 2에 있어서,
상기 유기화합물 단량체는, 알킬실란, 알킬트리알콕시실란, 알콕시실란, 아미노알킬트리알콕시실란 및, 머켑토알킬알콕시실란 중 적어도 하나의 화합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 리프트후프. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the organic compound monomer is at least one compound selected from alkyl silane, alkyltrialkoxysilane, alkoxysilane, aminoalkyltrialkoxysilane and mercaptoalkylalkoxysilane.
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