KR20150060536A - Touch sensor - Google Patents

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KR20150060536A
KR20150060536A KR1020140158922A KR20140158922A KR20150060536A KR 20150060536 A KR20150060536 A KR 20150060536A KR 1020140158922 A KR1020140158922 A KR 1020140158922A KR 20140158922 A KR20140158922 A KR 20140158922A KR 20150060536 A KR20150060536 A KR 20150060536A
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KR
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diffusion barrier
electrode
barrier film
diffusion
film
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KR1020140158922A
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Korean (ko)
Inventor
이태경
박장호
오덕석
오범석
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삼성전기주식회사
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Abstract

A touch sensor in accordance with an embodiment of the present invention comprises: a substrate and an electrode on the substrate, wherein the electrode includes a first diffusion barrier layer formed in contact with the substrate, an interlayer formed on the first diffusion barrier layer, and a second diffusion barrier layer formed on the interlayer. According to the present invention, the touch sensor has an effect of preventing the performance degradation due to corrosion and diffusion of the interlayer by forming the structure of the electrode with the interlayer on the first diffusion barrier layer in contact with the substrate and the second diffusion barrier layer on the interlayer.

Description

터치센서{Touch sensor}[0001]

본 발명은 터치센서에 관한 것이다.
The present invention relates to a touch sensor.

디지털 기술을 이용하는 컴퓨터가 발달함에 따라 컴퓨터의 보조 장치들도 함께 개발되고 있으며, 개인용 컴퓨터, 휴대용 전송장치, 그 밖의 개인 전용 정보처리장치 등은 키보드, 마우스와 같은 다양한 입력장치(Input Device)를 이용하여 텍스트 및 그래픽 처리를 수행한다.With the development of computers using digital technology, auxiliary devices of computers are being developed together. Personal computers, portable transmission devices, and other personal information processing devices use various input devices such as a keyboard and a mouse And performs text and graphics processing.

하지만, 정보화 사회의 급속한 진행에 따라 컴퓨터의 용도가 점점 확대되는 추세에 있는 바, 현재 입력장치 역할을 담당하는 키보드 및 마우스만으로는 효율적인 제품의 구동이 어려운 문제점이 있다. 따라서, 간단하고 오조작이 적을 뿐 아니라, 누구라도 쉽게 정보입력이 가능한 기기의 필요성이 높아지고 있다.However, as the use of computers is gradually increasing due to the rapid progress of the information society, there is a problem that it is difficult to efficiently operate a product by using only a keyboard and a mouse which are currently playing an input device. Therefore, there is an increasing need for a device that is simple and less error-prone, and that allows anyone to easily input information.

또한, 입력장치에 관한 기술은 일반적 기능을 충족시키는 수준을 넘어서 고신뢰성, 내구성, 혁신성, 설계 및 가공 관련기술 등으로 관심이 바뀌고 있으며, 이러한 목적을 달성하기 위해서 텍스트, 그래픽 등의 정보 입력이 가능한 입력장치로서 터치스크린패널(Touch screen panel)이 개발되었다.In addition, the technology related to the input device is shifting beyond the level that satisfies the general functions, such as high reliability, durability, innovation, design and processing related technology, etc. In order to achieve this purpose, As a possible input device, a touch screen panel has been developed.

게다가 스마트 (Smart) 기기의 등장으로 터치스크린패널 (TSP)의 시장이 확대되고 있으며, 이러한 터치패널은 전자수첩, 액정표시장치(LCD; Liquid Crystal Display Device), PDP(Plasma Display Panel), El(Electroluminescence) 등의 평판 디스플레이 장치 및 CRT(Cathode Ray Tube)와 같은 화상표시장치의 표시면에 설치되어, 사용자가 영상표시장치를 보면서 원하는 정보를 선택하도록 하는데 이용되는 도구이다.In addition, the market of touch screen panels (TSP) is expanding due to the emergence of smart devices. Such touch panels include electronic notebooks, liquid crystal display devices (LCDs), plasma display panels (PDP) A cathode ray tube (CRT), and the like, and is a tool used by a user to select desired information while viewing the image display apparatus.

터치패널의 종류는 저항막방식(Resistive Type), 정전용량방식(Capacitive Type), 전기자기장방식(Electro-Magnetic Type), 소오방식(SAW type; Surface Acoustic Wave Type) 및 인프라레드방식(Infrared Type)으로 구분된다. 이러한 다양한 방식의 터치패널은 신호 증폭의 문제, 해상도의 차이, 설계 및 가공 기술의 난이도, 광학적 특성, 전기적 특성, 기계적 특성, 내환경 특성, 입력 특성, 내구성 및 경제성을 고려하여 전자제품에 채용되는데, 현재 가장 광범위한 분야에서 사용하는 방식은 저항막방식 터치패널과 정전용량방식 터치패널이다.Types of touch panel include Resistive Type, Capacitive Type, Electro-Magnetic Type, SAW (Surface Acoustic Wave Type) and Infrared Type. . These various types of touch panels are employed in electronic products in consideration of problems of signal amplification, differences in resolution, difficulty in design and processing technology, optical characteristics, electrical characteristics, mechanical characteristics, environmental characteristics, input characteristics, durability and economical efficiency Currently, the most widely used methods are resistive touch panels and capacitive touch panels.

정전 방식의 금속 (metal)센서는 금속의 종류와 구조가 다양하지만 시인성 등의 문제로 투명전도성 금속인 ITO (In-Sn-Oxide)가 주류를 이루었다. 하지만 최근 ITO의 인듐은 희토류 금속의 가격상승으로 원가 상승의 요인이 되고 있고, ITO는 또한 고온 공정 필요로 하기 때문에 열에 취약한 기판에 사용하기에는 불리한 요건을 갖고 있다. 게다가 ITO는 취성 (brittle)이 약하다는 깨지기 쉬운 단점이 있다. 이로 인해 다른 전도성 금속에 대한 금속 센서로 사용하기 위해 금속을 메쉬 (mesh)형상 (이하 "메탈 메쉬")으로 제조된 센서가 개발되고 있다. Electrostatic metal sensors have various types and structures of metals, but ITO (In-Sn-Oxide), which is a transparent conductive metal, has become mainstream due to problems such as visibility. Recently, however, ITO indium has been a cause of cost rises due to the rise in the price of rare earth metals, and ITO also has a high temperature process, which is a disadvantage for use on heat-sensitive substrates. In addition, ITO has a fragile disadvantage that it is weak in brittle. As a result, a sensor made of metal in the form of a mesh (hereinafter referred to as "metal mesh") for use as a metal sensor for other conductive metals has been developed.

향후 메탈 메쉬 (metal mesh)의 시장은 점점 확대될 것으로 판단된다. 그러나 터치센서를 포함하는 소자들의 고집적화로 인해 상기 소자들에서 박막층들의 선폭은 더욱 줄어들고 있으며, 박막층들은 더욱 다층화되어 가고 있다. 이와 같은 상화에서 금속 배선과 실리콘을 포함하는 기판 사이에서는 확산에 의한 많은 문제점들이 발생하고 있다. 이러한 이유로 금속과 실리콘 사이에 확산을 방지하려는 시도가 시도가 계속 되고 있다. The market for metal mesh is expected to expand gradually. However, due to the high integration of devices including touch sensors, the line width of the thin film layers in these devices is further reduced, and the thin film layers are becoming more multilayered. In such an image, many problems arise due to diffusion between the metal wiring and the substrate including silicon. For this reason, attempts have been made to prevent diffusion between metal and silicon.

현재 메탈 메쉬는 알루미늄 (Al), 은 (Ag), 구리 (Cu) 등의 전도성 금속으로 터치센서가 개발되고 있다. 이중 메탈 메쉬에 구리 (Cu)를 사용하는 경우 전기전도도가 알루미늄 (Al) 보다 우수하며, 가격 또한 은 (Ag) 보다 저렴하여 최근 각광을 받고 있다. Currently, metal meshes are being developed as conductive metals such as aluminum (Al), silver (Ag), and copper (Cu). When copper (Cu) is used for the double metal mesh, the electric conductivity is superior to aluminum (Al), and the price is lower than silver (Ag), and it is getting popular spotlight recently.

그러나 구리의 단점으로 인해 어려운 점이 있다. 구리는 열역학적으로 불안정하여 접합 (contact) 물질과의 반응이 용이하며 산화성 분위기에서 쉽게 산화되며, 대부분의 절연물질과 접착 (adhesion)특성이 좋지 않은 단점이 있다. 또한 구리의 경우 부식이 쉬우며 구리 고유의 붉은 색상으로 인해 메탈 메쉬의 시인성 향상에 문제가 있다. 게다가 구리의 경우 타 매질로의 확산 (diffusion)이 가장 잘 되는 금속으로 알려져 있다. 따라서 상기한 단점을 극복하기 위해 구리층의 상부 또는 하부에 배리어 금속 (barrier metal)을 증착하는 경우가 일반적이다.However, there are difficulties due to the disadvantages of copper. Copper is thermodynamically unstable and easily reacts with the contact material. It is easily oxidized in an oxidizing atmosphere and has a disadvantage of poor adhesion with most insulating materials. In addition, copper is easily corroded and has a problem in improving the visibility of the metal mesh due to the red color inherent in copper. In addition, copper is known to be the best metal to diffusion into the substrate. Therefore, in order to overcome the disadvantages described above, it is common to deposit a barrier metal on the upper or lower part of the copper layer.

특히 윈도우 일체형 터치센서의 경우 산화규소를 포함하는 유리 (SiO2 glass) 상에 메탈 메쉬 센서를 형성하게 되는데 이때 구리와 실리콘 (Si)과의 반응성이 문제가 될 수 있다. Solubilites of 3d metals in silicon SJ.D. McBrayer, R.M.Swanson, and T.W.Sigmon, J. Electrochem. Soc., Vol. 133, pp 1242-1246, 1986에 도시된 그래프를 보면, 실리콘 (Si)과의 용해도 (solubility)가 구리, 니켈 (Ni) 경우 다른 금속들보다 높은 것을 볼 수 있다. 게다가 선폭이 줄어듦에 따라 고열이 발생하고 상기한 열은 확산을 가속화시킬 수 있다. 이러한 확산은 비저항을 증가시키는 원인이 되고 전극뿐만 아니라 회로 전체의 신뢰성을 저하시키는 원인이 된다. In particular, in the case of a window-integrated touch sensor, a metal mesh sensor is formed on a glass (SiO 2 glass) including silicon oxide, where reactivity between copper and silicon (Si) may become a problem. Solubilites of 3d metals in silicon SJ.D. McBrayer, RMSwanson, and TWSigmon, J. Electrochem. Soc., Vol. 133, pp. 1242-1246, 1986, it can be seen that the solubility with silicon (Si) is higher than the other metals in case of copper and nickel (Ni). Furthermore, as the linewidth decreases, a high temperature is generated and the above-mentioned heat can accelerate diffusion. This diffusion causes the resistivity to increase and causes the reliability of the entire circuit as well as the electrode to deteriorate.

또한 구리와 니켈 서로 간의 확산 계수 (diffusion coefficient)도 다른 금속에 비해 높은 편이다. 즉, 낮은 온도에서도 그레인 바운더리 확산 (grain boundary diffusion)을 통해서 상호 확산 (diffusion)이 발생하여 성능 저하의 원인이 될 수 있다. 따라서 상기한 확산을 방지할 수 있는 확산방지막이 필요하다.
Also, diffusion coefficient between copper and nickel is higher than other metals. That is, even at a low temperature, diffusion may occur due to grain boundary diffusion, which may cause performance degradation. Therefore, there is a need for a diffusion preventing film capable of preventing diffusion.

이에 본 발명에서는 터치센서의 전극에 전이금속이면서 녹는점 2000℃ 이상인 확산방지막을 중간층의 상부와 하부에 배치함으로써, 중간층의 부식을 방지하고 확산에 의한 성능저하가 방지됨을 확인하였고, 본 발명은 이에 기초하여 완성되었다. In the present invention, it is confirmed that the diffusion barrier preventing diffusion of the intermediate layer is prevented by disposing a diffusion barrier layer having a melting point of 2000 ° C or more on the electrodes of the touch sensor on the upper and lower portions of the intermediate layer, ≪ / RTI >

따라서 본 발명의 하나의 관점은 확산방지막으로 확산에 의한 중간층의 부식 및 성능저하를 방지할 수 있는 터치센서를 제공하는데 있다.Accordingly, one aspect of the present invention is to provide a touch sensor capable of preventing corrosion and degradation of an intermediate layer due to diffusion of a diffusion barrier film.

본 발명의 다른 관점은 확산에 따른 성능저하를 방지함으로써 작동 신뢰성을 향상시킬 수 있는 터치센서를 제공하는데 있다.
Another aspect of the present invention is to provide a touch sensor capable of improving operational reliability by preventing performance degradation due to diffusion.

본 발명의 하나의 관점을 달성하기 위한 터치센서 (이하 "제1 발명"이라 함)는 기판 및 상기 기판 상의 전극; 을 포함하며, 상기 전극은, 상기 기판과 접촉형성되는 제1 확산배리어막, 상기 제1 확산배리어막 상에 형성되는 중간층, 상기 중간층 상에 형성되는 제2 확산배리어막을 구비한다. A touch sensor (hereinafter referred to as "first invention") for achieving one aspect of the present invention includes a substrate and electrodes on the substrate; The electrode includes a first diffusion barrier film formed in contact with the substrate, an intermediate layer formed on the first diffusion barrier film, and a second diffusion barrier film formed on the intermediate layer.

제1 발명에 있어서, 상기 제1, 2 확산배리어막은 전이 금속으로 형성된다. In the first invention, the first and second diffusion barrier films are formed of a transition metal.

제1 발명에 있어서, 상기 제1, 2 확산배리어막은 녹는점 (melting point)이 2000℃ 이상인 금속으로 형성된다. In the first invention, the first and second diffusion barrier films are formed of a metal having a melting point of 2000 ° C or higher.

제1 발명에 있어서, 상기 제1, 2 확산배리어막은 망간 (Mn), 니오비움 (Nb), 몰리브덴 (Mo), 루테늄 (Ru), 하프늄 (Hf), 탄탈 (Ta), 텅스텐 (W), 이리늄 (Ir), 및 이들 중 적어도 하나를 포함하는 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나로 형성된다. The first and second diffusion barrier films may be formed of at least one of manganese (Mn), niobium (Nb), molybdenum (Mo), ruthenium (Ru), hafnium (Hf), tantalum (Ta), tungsten Iridium (Ir), and alloys containing at least one of them.

제1 발명에 있어서, 상기 제1 확산배리어막과 상기 제2 확산배리어막은 서로 동일한 물질로 형성된다. In the first invention, the first diffusion barrier film and the second diffusion barrier film are formed of the same material.

제1 발명에 있어서, 상기 제1 확산배리어막과 상기 제2 확산배리어막은 서로 다른 물질로 형성된다. In the first invention, the first diffusion barrier film and the second diffusion barrier film are formed of different materials.

제1 발명에 있어서, 상기 중간층은 구리 (Cu), 은 (Ag), 금 (Au), 알루미늄 (Al), 및 이들 중 적어도 하나를 포함하는 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나로 형성된다. In the first invention, the intermediate layer is formed of any one selected from the group consisting of copper (Cu), silver (Ag), gold (Au), aluminum (Al), and an alloy containing at least one of these.

제1 발명에 있어서, 상기 기판은 윈도우기판 또는 절연필름이다. In the first invention, the substrate is a window substrate or an insulating film.

제1 발명에 있어서, 상기 기판은 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 폴리카보네이트 (PC), 폴리메틸메타아크릴레이트 (PMMA), 폴리에틸렌나프탈레이트 (PEN), 폴리에테르술폰 (PES), 고리형 올레핀 고분자 (COC), TAC (Triacetylcellulose) 필름, 폴리비닐알코올 (Polyvinyl alcohol; PVA) 필름, 폴리이미드 (Polyimide; PI) 필름, 폴리스틸렌 (Polystyrene; PS), 이축연신폴리스틸렌 (K레진 함유 biaxially oriented PS; BOPS), 및 유리 또는 강화유리로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나로 형성된다. In the first invention, the substrate may be at least one selected from the group consisting of polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), polymethylmethacrylate (PMMA), polyethylene naphthalate (PEN), polyether sulfone (PES) CO), TAC (Triacetylcellulose) film, polyvinyl alcohol (PVA) film, polyimide (PI) film, polystyrene (PS), biaxially oriented PS And glass or tempered glass.

제1 발명에 있어서, 상기 전극의 선폭은 1 내지 5㎛ 범위로 형성된다. In the first invention, the line width of the electrode is formed in the range of 1 to 5 mu m.

제1 발명에 있어서, 상기 전극의 두께는 0.05 내지 3㎛ 범위로 형성된다. In the first invention, the thickness of the electrode is in the range of 0.05 to 3 mu m.

제1 발명에 있어서, 상기 제1 확산배리어막의 두께는 1 내지 500nm 범위로 형성된다. In the first invention, the thickness of the first diffusion barrier film is in the range of 1 to 500 nm.

제1 발명에 있어서, 상기 제2 확산배리어막의 두께는 1 내지 500nm 범위로 형성된다. In the first invention, the thickness of the second diffusion barrier film is in the range of 1 to 500 nm.

제1 발명에 있어서, 상기 중간층의 두께는 0.03 내지 2㎛ 범위로 형성된다. In the first invention, the thickness of the intermediate layer is in the range of 0.03 to 2 mu m.

제1 발명에 있어서, 상기 전극은 전극패턴 또는 전극배선이다. In the first invention, the electrode is an electrode pattern or an electrode wiring.

제1 발명에 있어서, 상기 전극패턴은 메쉬형상으로 형성된다.
In the first invention, the electrode pattern is formed in a mesh shape.

본 발명의 다른 관점을 달성하기 위한 표시장치 (이하 "제2 발명"이라 함)는: 영상을 표시하는 표시패널, 상기 표시패널을 수납하는 하우징 및 상기 표시패널 상에 배치되며, 제1 발명으로 형성된 터치센서를 포함한다.
A display device (hereinafter referred to as "second invention") for achieving another aspect of the present invention includes: a display panel for displaying an image; a housing for housing the display panel; And a touch sensor formed thereon.

본 발명의 특징 및 이점들은 첨부도면에 의거한 다음의 상세한 설명으로부터 더욱 명백해질 것이다.The features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description based on the accompanying drawings.

이에 앞서 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이고 사전적인 의미로 해석되어서는 아니 되며, 발명자가 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합되는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
Prior to that, terms and words used in the present specification and claims should not be construed in a conventional and dictionary sense, and the inventor may properly define the concept of the term in order to best explain its invention It should be construed as meaning and concept consistent with the technical idea of the present invention.

본 발명에 따르면, 전극의 구조를 기판에 접하는 제1 확산배리어막 상에 중간층, 상기 중간층 상에 제2 확산배리어막을 형성함으로써 중간층의 부식과 확산에 의한 성능저하를 방지할 수 있는 효과가 있다. According to the present invention, by forming the intermediate layer on the first diffusion barrier film that contacts the substrate with the structure of the electrode and the second diffusion barrier film on the intermediate layer, it is possible to prevent performance degradation due to corrosion and diffusion of the intermediate layer.

또한, 중간층의 상/하부에 배치된 확산배리어막들로 인해 확산에 따른 성능저하를 방지함으로써 작동 신뢰성을 향상시킬 수 있어, 보다 안정적인 터치센서의 작동을 가능하게 할 수 있는 효과가 있다.
In addition, since the diffusion barrier films disposed on the upper and lower sides of the intermediate layer prevent performance degradation due to diffusion, operational reliability can be improved, and more stable operation of the touch sensor can be achieved.

도 1은 본 발명의 예시적인 구체 예에 따른 터치센서를 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I'에 따른 단면도이다.
도 3은 도 2의 "A" 영역을 확대한 확대도이다.
도 4는 본 발명의 예시적인 구체 예에 따른 확산배리어막 금속의 온도에 따른 확산 계수를 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 예시적인 구체 예에 따른 터치센서를 포함하는 표시장치를 도시한 분해사시도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예 및 비교 예에 따라 제조된 전극의 면저항 변화를 비교한 그래프이다.
1 is a plan view showing a touch sensor according to an exemplary embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view taken along line I-I 'of Fig.
3 is an enlarged view of the area "A" in Fig. 2.
FIG. 4 is a graph showing the temperature-dependent diffusion coefficient of a diffusion barrier metal film according to an exemplary embodiment of the present invention. FIG.
5 is an exploded perspective view showing a display device including a touch sensor according to an exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a graph comparing changes in sheet resistance of an electrode manufactured according to an embodiment of the present invention and a comparative example.

본 발명의 목적, 특정한 장점들 및 신규한 특징들은 첨부된 도면들과 연관되어지는 이하의 상세한 설명과 바람직한 실시 예들로부터 더욱 명백해질 것이다. 본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다. 또한, "일면", "타면", "제1", "제2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위해 사용되는 것으로, 구성요소가 상기 용어들에 의해 제한되는 것은 아니다. 이하, 본 발명을 설명함에 있어서, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 관련된 공지 기술에 대한 상세한 설명은 생략한다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The objectives, specific advantages, and novel features of the present invention will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG. It should be noted that, in the present specification, the reference numerals are added to the constituent elements of the drawings, and the same constituent elements are assigned the same number as much as possible even if they are displayed on different drawings. Also, the terms "one side,"" first, ""first,"" second, "and the like are used to distinguish one element from another, no. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the following description of the present invention, detailed description of related arts which may unnecessarily obscure the gist of the present invention will be omitted.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 예시적인 구체 예를 상세히 설명하기로 한다.
Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 예시적인 구체 예에 따른 터치센서를 도시한 평면도이고, 도 2는 도 1의 I-I'에 따른 단면도이고, 도 3은 도 2의 "A" 영역의 확대도이다. 여기서 용이한 설명을 위해 도 2는 터치센서의 일부를 도시한다. FIG. 1 is a plan view showing a touch sensor according to an exemplary embodiment of the present invention, FIG. 2 is a sectional view taken along line I-I 'of FIG. 1, and FIG. 3 is an enlarged view of an area labeled "A" of FIG. For ease of illustration, FIG. 2 shows a portion of the touch sensor.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 예시적인 구체 예에 따른 터치센서 (1)는 기판 (10) 상에 메쉬형상으로 형성된 제1 메쉬전극 (110), 제1 메쉬전극 (110)과 교차하게 메쉬형상으로 형성된 제2 메쉬 전극 (120)을 포함한다. 제1 메쉬전극 (110) 및 제2 메쉬전극 (120)에 각각 연결되는 제1 전극배선 (150) 및 제2 전극배선 (160)이 연장형성될 수 있다. 상기 제1, 2 전극배선 (150, 160)은 비표시영역인 베젤영역에 형성될 수 있다. 1 and 2, a touch sensor 1 according to an exemplary embodiment of the present invention includes a substrate 10, a first mesh electrode 110, a first mesh electrode 110, And a second mesh electrode 120 formed in a crossed mesh shape. The first electrode wiring 150 and the second electrode wiring 160 connected to the first mesh electrode 110 and the second mesh electrode 120 may be extended. The first and second electrode wirings 150 and 160 may be formed in a bezel region which is a non-display region.

이러한 제1 메쉬전극 (110)과 제1 전극배선 (150), 제2 메쉬전극 (120)과 제2 전극배선 (160)은 일체로 형성될 수도 있고, 메쉬전극들 (110, 120)과 전극배선들 (150, 160) 간에 연결전극을 더 구비하여 연결할 수도 있다. 여기서 제1 메쉬전극 (110)은 X축 전극, 제2 메쉬전극 (120)은 Y축 전극일 수 있다. The first mesh electrode 110 and the first electrode wiring 150 may be formed integrally with the second mesh electrode 120 and the second electrode wiring 160 may be formed integrally with the mesh electrodes 110 and 120, A connection electrode may be additionally provided between the wirings 150 and 160 to connect them. Here, the first mesh electrode 110 may be an X-axis electrode, and the second mesh electrode 120 may be a Y-axis electrode.

이와 같이 상기 제1, 2 메쉬전극 (110, 120)은 전극패턴으로 통칭하고, 제1, 2 전극배선 (150, 160)은 전극배선으로 통칭한다. 그리고 상기 전극패턴과 전극배선는 전극 (100)으로 통칭한다. 이러한 터치센서 (1)은 전극 (100)의 배치방식에 따라 윈도우기판 상에 형성될 수도 있고, 절연필름 상에 형성될 수도 있다. Thus, the first and second mesh electrodes 110 and 120 are collectively referred to as electrode patterns, and the first and second electrode wires 150 and 160 are collectively referred to as electrode wires. The electrode pattern and the electrode wiring are collectively referred to as an electrode 100. The touch sensor 1 may be formed on a window substrate or on an insulating film according to a method of arranging the electrodes 100.

본 발명의 기판 (10)은 전극 (100)을 지지할 수 있는 지지력 및 디스플레이에서 제공하는 영상을 사용자가 인식할 수 있도록 하는 투명성을 갖는 재질로 형성될 수 있다. The substrate 10 of the present invention may be formed of a material having transparency to allow the user to recognize the supporting force for supporting the electrode 100 and the image provided by the display.

상기 기판 (10)은 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 폴리카보네이트 (PC), 폴리메틸메타아크릴레이트 (PMMA), 폴리에틸렌나프탈레이트 (PEN), 폴리에테르술폰 (PES), 고리형 올레핀 고분자 (COC), TAC (Triacetylcellulose) 필름, 폴리비닐알코올 (Polyvinyl alcohol; PVA) 필름, 폴리이미드 (Polyimide; PI) 필름, 폴리스틸렌 (Polystyrene; PS), 이축연신폴리스틸렌 (K레진 함유 biaxially oriented PS; BOPS), 및 유리 또는 강화유리로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나로 형성될 수 있으며, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. The substrate 10 may be formed of a material selected from the group consisting of polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), polymethylmethacrylate (PMMA), polyethylene naphthalate (PEN), polyether sulfone (PES), cyclic olefin polymer (TAC), polyvinyl alcohol (PVA) film, polyimide (PI) film, polystyrene (PS), biaxially oriented PS (BO resin containing K resin) Reinforced glass, and the like, but the present invention is not limited thereto.

상기 전극 (100)은 전극패턴과 전극배선의 선폭과 형성 두께는 서로 다르게 형성될 수 있다. 예를 들어, 전극패턴의 선폭은 1 내지 5㎛ 범위로 형성될 수 있고, 두께는 0.05 내지 3㎛ 범위로 형성될 수 있다. 그리고 전극배선의 두께는 전극패턴의 두께보다 크거나 동일한 크기로 형성될 수 있다.
The line width and the thickness of the electrode pattern of the electrode 100 may be different from each other. For example, the line width of the electrode pattern may be in the range of 1 to 5 mu m, and the thickness may be in the range of 0.05 to 3 mu m. The thickness of the electrode wiring may be greater than or equal to the thickness of the electrode pattern.

도 3을 참조하면, 터치센서 (1)는 기판 (10) 상에 형성되는 전극 (100)을 포함하고, 상기 전극 (100)은 상기 기판 (10) 상에 형성되는 제1 확산배리어막 (310), 상기 제1 확산배리어막 (310) 상에 중간층 (350), 상기 중간층 (350) 상에 형성되는 제2 확산배리어막 (320)을 포함한다. 3, the touch sensor 1 includes an electrode 100 formed on a substrate 10, and the electrode 100 includes a first diffusion barrier film 310 formed on the substrate 10, An intermediate layer 350 on the first diffusion barrier layer 310 and a second diffusion barrier layer 320 formed on the intermediate layer 350.

상기 중간층 (350)은 구리 (Cu), 금 (Au), 은 (Ag), 알루미늄 (Al), 및 이들 중 적어도 하나를 포함하는 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나로 형성될 수 있다. 여기서 중간층 (350)은 가격적인 측면이나 전도도 면에서 구리가 유리하여 예시적으로 설명한다. The intermediate layer 350 may be formed of any one selected from the group consisting of copper (Cu), gold (Au), silver (Ag), aluminum (Al), and an alloy including at least one of these. Here, the intermediate layer 350 is illustratively illustrated in terms of cost and copper in terms of conductivity.

상기 제1, 2 확산배리어막 (310, 320)은 전이금속 (transition metal)으로 형성될 수 있다. 또한 제1, 2 확산배리어막 (310, 320)은 녹는점이 2000℃ 이상인 전이금속 중에서 선택하여 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1, 2 확산배리어막 (310, 320)은 망간 (Mn), 니오비움 (Nb), 몰리브덴 (Mo), 루테늄 (Ru), 하프늄 (Hf), 탄탈 (Ta), 텅스텐 (W), 이리늄 (Ir), 및 이들 중 적어도 하나를 포함하는 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나로 형성될 수 있다. The first and second diffusion barrier layers 310 and 320 may be formed of a transition metal. Also, the first and second diffusion barrier films 310 and 320 can be formed by selectively selecting transition metals having a melting point of 2000 ° C or higher. For example, the first and second diffusion barrier layers 310 and 320 may be formed of at least one of manganese (Mn), niobium (Nb), molybdenum (Mo), ruthenium (Ru), hafnium (Hf), tantalum (W), iridium (Ir), and alloys containing at least one of them.

여기서 상기 제1 확산배리어막 (310)과 상기 제2 확산배리어막 (320)은 서로 동일한 물질로 형성될 수도 있고, 상기 제1 확산배리어막 (310)과 상기 제2 확산배리어막 (320)은 서로 다른 물질로 형성될 수 있다. The first diffusion barrier layer 310 and the second diffusion barrier layer 320 may be formed of the same material. The first diffusion barrier layer 310 and the second diffusion barrier layer 320 may be formed of the same material, And may be formed of different materials.

여기서 녹는점이 낮은 전이금속은 온도가 증가함에 따라 용해성 (solubility)이 향상되어 구리 이온이 전이금속으로 확산될 수 있다. 여기서 전극 (100)들은 고집적화되는 추세에 따라 선폭 및 적층 두께가 더욱 박형화되고 있다. 이런 추세에 따라 전극 (100)은 더욱 많은 열을 발생시키고 있고, 발생된 열은 전극 (100)을 형성하고 있는 전극물질들은 용해성 증가로 인해 확산 발생확률이 증가할 수 있다. Here, the transition metal having a low melting point has solubility as the temperature is increased, so that the copper ion can diffuse into the transition metal. Here, as the electrodes 100 are becoming highly integrated, the line width and the lamination thickness are becoming thinner. According to this trend, the electrode 100 generates more heat, and the generated heat may increase the probability of diffusion due to an increase in the solubility of the electrode materials forming the electrode 100.

이에 따라 상기한 확산은 전극 (100)의 성능을 저하시켜 터치센서 (1)의 신뢰성을 저하시킬 수 있다. 따라서 열에 대한 강한 장점을 갖을 수 있는 금속을 확산배리어막 (310, 320)으로 이용하여 확산을 방지할 수 있다. Accordingly, the above-described diffusion may deteriorate the performance of the electrode 100 and deteriorate the reliability of the touch sensor 1. Therefore, it is possible to prevent diffusion by using a metal having a strong heat resistance as the diffusion barrier films 310 and 320.

이와 같이, 녹는점이 2000℃ 이상인 제1, 2 확산배리어막 (310, 320)들 사이에 중간층 (350)을 개재함으로써 중간층 (350)의 구리 이온이 접촉물질로 확산되는 것을 방지할 수 있다. As described above, the intermediate layer 350 is interposed between the first and second diffusion barrier films 310 and 320 having a melting point of 2000 ° C or higher, so that the copper ions in the intermediate layer 350 can be prevented from diffusing into the contact material.

따라서, 상기 중간층 (350)에서 구리 이온의 확산을 방지하기 위해서 제1, 2 확산배리어막 (310, 320)은 소정의 두께를 갖도록 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 확산배리어막 (310)의 두께는 1 내지 500nm 범위로 형성될 수 있다. 또한 상기 제2 확산배리어막 (320)의 두께는 1 내지 500nm 범위로 형성될 수 있다. 그리고 제1 확산배리어막 (310)과 제2 확산배리어막 (320) 사이에 개재되는 중간층 (350)의 두께는 0.03 내지 2㎛ 범위로 형성될 수 있다. 여기서, 상기 중간층의 두께가 0.03㎛ 이하인 경우 결정성이 떨어져 중간층의 금속 비저항이 높아지며, 2㎛ 이상의 두께는 일반적인 스퍼터링에 의한 증착 공정으로는 형성하기 어려운 문제가 있다.Therefore, the first and second diffusion barrier layers 310 and 320 may be formed to have a predetermined thickness in order to prevent diffusion of copper ions in the intermediate layer 350. For example, the first diffusion barrier layer 310 may have a thickness ranging from 1 to 500 nm. Also, the thickness of the second diffusion barrier layer 320 may be in the range of 1 to 500 nm. The thickness of the intermediate layer 350 interposed between the first diffusion barrier layer 310 and the second diffusion barrier layer 320 may be in the range of 0.03 to 2 μm. Here, when the thickness of the intermediate layer is 0.03 탆 or less, the crystallinity is deteriorated and the metal resistivity of the intermediate layer becomes high, and a thickness of 2 탆 or more is difficult to be formed by a deposition process by a general sputtering.

금속층 간의 확산 (diffusion)은 표면확산 (surface diffusion), 그레인 바운더리 확산 (grain boundary diffusion), 벌크확산 (bulk diffusion)으로 나눌 수 있다. 이러한 확산 (diffusion)의 유형 (type)은 어느 특정 하나에만 국한되는 것은 아니며 대부분 이종 금속 간 계면에서 가장 많이 발생하며, 이후는 그레인 바운더리 (grain boundary)를 통해 확산 (diffusion)이 될 수 있다. Diffusion between metal layers can be divided into surface diffusion, grain boundary diffusion, and bulk diffusion. The type of diffusion is not limited to any particular one but is most likely to occur at the interface between the dissimilar metals and may then be diffused through grain boundaries.

게다가 각 금속의 확산 (diffusion)의 잘 되는 정도를 나타내는 확산율 (diffusivity)이 있으며 금속의 종류에 따라 값 차이가 크다. In addition, there is a diffusivity that indicates the degree of diffusion of each metal, and there is a large difference in value depending on the type of metal.

상기한 물질의 이동은 Fick's의 법칙에서와 같이 나타낼 수 있으며, 물질의 이동 J는 The transfer of the above material can be expressed as in Fick's law,

Figure pat00001

Figure pat00001

여기서 D는 확산계수 (diffusion coefficient), dc는 농도 변화, dx는 위치변화를 나타낸다. Where D is the diffusion coefficient, dc is the concentration change, and dx is the position change.

이와 같이, 확산 (diffusion)의 정도는 D에 비례하며, 확산계수 (diffusion coefficient)가 낮은 물질일수록 확산(diffusion)의 발생확률이 낮을 수 있다.
Thus, the degree of diffusion is proportional to D, and the lower the diffusion coefficient, the lower the probability of occurrence of diffusion.

도 4는 본 발명의 예시적인 구체 예에 따른 확산배리어막 금속의 온도에 따른 확산계수를 도시한 도면이다. 중복 설명을 회피하기 위해 도 1 내지 도 3을 인용하여 설명하기로 한다. FIG. 4 is a graph showing the temperature-dependent diffusion coefficient of a diffusion barrier metal film according to an exemplary embodiment of the present invention. FIG. To avoid redundant description, a description will be made with reference to Figs. 1 to 3.

먼저, 확산계수는 아레니우스식 (Arrhenius equation)으로 표시 가능하다. First, the diffusion coefficient can be expressed by the Arrhenius equation.

Figure pat00002

Figure pat00002

여기서 D는 반응속도상수, T는 절대온도, R은 기체정수, D0는 빈도계수 또는 빈도인자, Ea는 활성화에너지 (activation energy) 를 나타낸다. 여기서 D0의 단위는 속도상수 단위와 같다. Where D is the reaction rate constant, T is the absolute temperature, R is the gas constant, D 0 is the frequency coefficient or frequency factor, and Ea is the activation energy. Where the unit of D 0 is equal to the rate constant unit.

도 4를 참조하면, 접합 금속들 간의 즉, 분자들 간의 충돌에 의해 반응이 일어나지만, 분자들 간의 충돌 중에서 최소값 Ea 이상의 에너지를 가진 충돌만이 반응을 일으킬 수 있다. 상기 Ea 이상의 에너지를 가진 충돌수의 비율은 볼쯔만 분포 (Boltzmann distribution)에 의해 근사적으로 exp(-Ea/RT)로 나타내진다. 즉, 반응속도의 대수를 절대온도의 역수에 대하여 그리면 직선이 되며 이 직선의 기울기와 절편 (intercept)으로부터 활성화에너지 Ea와 빈도인자 D0를 얻을 수 있다. Referring to FIG. 4, although a reaction occurs due to a collision between molecules of a bonding metal, that is, between molecules, only a collision with energy of a minimum value Ea among molecules can cause a reaction. The ratio of the number of impacts with energy above Ea is expressed by exp (-Ea / RT) approximately by the Boltzmann distribution. That is, when the logarithm of the reaction rate is plotted against the reciprocal of the absolute temperature, it becomes a straight line, and the activation energy Ea and the frequency factor D 0 can be obtained from the slope and the intercept of this straight line.

따라서, 물질의 고유한 D0 값이 낮을수록 D값도 낮게 된다. 즉, 녹는점이 높은 물질일수록 상기 Ea 값이 높아 확산이 잘 발생하지 않는다. Therefore, the lower the D 0 value inherent to the material, the lower the D value. That is, the higher the melting point, the higher the Ea value and the less diffusing occurs.

이와 같이, 구리로 형성된 중간층 (350)을 사이에 두고 상하에 확산배리어막들 (310, 320)을 녹는점 2000℃이상 의 전이금속을 사용함으로써 확산으로 인한 전극 (100)의 성능저하를 방지할 수 있다.
By using a transition metal having a melting point of 2000 ° C or higher at which the diffusion barrier films 310 and 320 melt above and below the intermediate layer 350 formed of copper, the performance of the electrode 100 due to diffusion can be prevented .

도 5는 본 발명의 예시적인 구체 예에 따른 터치센서를 포함하는 표시장치를 도시한 분해사시도이다. 여기서 터치센서 (1)를 포함하는 표시장치는 중복설명을 회피하기 위해 도 1 내지 4를 인용하여 설명한다. 5 is an exploded perspective view showing a display device including a touch sensor according to an exemplary embodiment of the present invention. Here, the display device including the touch sensor 1 will be described with reference to Figs. 1 to 4 in order to avoid redundant explanations.

도 5를 참조하면, 본 발명의 예시적인 구체 예에 따른 표시장치 (5)는 표시패널 (550)과, 상기 표시패널 (550)을 수납하는 하우징 (570), 상기 표시패널 (550) 상에 배치되는 터치센서 (1)를 구비한다. 여기서 터치센서 (1)는 전극 (100)을 포함하고, 상기 전극 (100)은 제1, 2 확산배리어막 (310, 320)을 구비하고 상기 제1, 2 확산배리어막 (310, 320) 사이에 개재되는 중간층 (350)을 구비한다. 5, a display device 5 according to an exemplary embodiment of the present invention includes a display panel 550, a housing 570 housing the display panel 550, And a touch sensor 1 disposed therein. Wherein the touch sensor 1 comprises an electrode 100 and the electrode 100 comprises first and second diffusion barrier layers 310 and 320 and between the first and second diffusion barrier layers 310 and 320 And an intermediate layer 350 interposed in the intermediate layer 350.

본 발명의 예시적인 구체 예로써 표시장치 (5)는 텔레비젼, 네비게이션, 컴퓨터 모니터, 게임기, 휴대폰 등 다양한 정보 제공장치 등을 포함한다. 여기서 용이한 설명을 위해 휴대폰을 예시적으로 도시한다. As an exemplary embodiment of the present invention, the display device 5 includes various information providing devices such as a television, a navigation system, a computer monitor, a game machine, and a mobile phone. The mobile phone is illustratively shown here for ease of explanation.

상기 표시패널 (5)은 영상을 표시할 수 있다. 표시패널 (5)은 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, 유기발광 표시패널 (organic light emitting display panel), 액정 표시패널(liquid crystal display panel), 플라즈마 표시장치 (plasma display panel), 전기영동 표시패널 (electrophoretic display panel), 및 일렉트로웨팅 표시패널 (electrowetting display panel) 등의 다양한 표시패널을 포함할 수 있다.The display panel 5 can display an image. The display panel 5 is not particularly limited and includes, for example, an organic light emitting display panel, a liquid crystal display panel, a plasma display panel, A display panel, an electrophoretic display panel, and an electrowetting display panel.

상기 하우징 (570)은 상기 표시패널 (550)을 수납할 수 있다. 도면에서는 1개의 부재로 구성된 하우징을 예시적으로 도시하였으나, 하우징 (570)는 2개 이상의 부재가 결합되어 구성될 수도 있다. 또한, 하우징 (570)은 표시패널 (550) 이외에 복수의 능동소자 (미도시) 및/또는 복수의 수동소자 (미도시)가 실장된 회로기판 등을 더 수납할 수 있다. 또한, 표시장치 (5)의 종류에 따라 배터리와 같은 전원부 (미도시)를 더 수납할 수도 있다. The housing 570 can house the display panel 550. Although the housing including one member is illustrated as an example in the drawing, the housing 570 may be formed by combining two or more members. In addition, the housing 570 can further contain a circuit board on which a plurality of active elements (not shown) and / or a plurality of passive elements (not shown) are mounted in addition to the display panel 550. Depending on the type of the display device 5, a power source (not shown) such as a battery may be further housed.

터치센서 (1)는 표시패널 (550) 상에 배치되며, 하우징 (570)에 결합되어 하우징 (570)과 함께 표시장치 (1)의 외면을 구성할 수 있다. 이때, 표시패널 (550)은 터치센서 (1)에 결합될 수 있다.The touch sensor 1 is disposed on the display panel 550 and may be coupled to the housing 570 to configure the outer surface of the display device 1 together with the housing 570. At this time, the display panel 550 may be coupled to the touch sensor 1.

터치센서 (1)는 평면상으로 표시패널 (550)에서 생성된 영상이 표시되는 표시영역과, 상기 표시영역의 적어도 일부에 인접한 비표시 영역을 포함한다. 여기서 상기 비표시 영역은 상기 표시영역의 테두리부에 형성될 수 있다. The touch sensor 1 includes a display area in which an image generated in the display panel 550 is displayed on a plane, and a non-display area adjacent to at least a part of the display area. The non-display area may be formed at the edge of the display area.

터치센서 (1)는 표시장치 (5)에서 표시되는 영상을 보고 터치를 통해 명령을 입력할 수 있다. 이때, 상기한 명령은 터치를 통해서 명령이 제어부에 전달되는데 상기 전달신호는 터치센서 (1)의 전극 (100)을 통해서 전달된다. 이때, 전달신호를 전달되기 위해서 전극 (100)의 성능이 우수해야 한다. The touch sensor 1 can display an image displayed on the display device 5 and input a command through a touch. At this time, the command is transmitted to the control unit through the touch, and the transfer signal is transmitted through the electrode 100 of the touch sensor 1. At this time, the performance of the electrode 100 must be excellent in order to transmit the transmission signal.

이러한 전극 (100)으로 사용되는 구리가 용해성이 높아 접합하고 있는 기판 (10)의 실리콘 이온, 접합하고 있는 접합금속들에 구리 이온이 확산될 수 있다. 상기한 구리 이온의 확산은 전극 (100)의 성능 저하를 발생시키고, 결국 표시장치 (5)의 성능 저하를 야기할 수 있다. Since the copper used as the electrode 100 has high solubility, copper ions can be diffused into the bonding metals to which the silicon ions of the bonding substrate 10 are bonded. The diffusion of copper ions causes the performance of the electrode 100 to deteriorate, which may result in deterioration of the performance of the display device 5.

그러나 본 발명의 예시적인 구체 예에 따른 터치센서 (1)를 포함하는 표시장치 (5)는 제1, 2 확산배리어막 (310, 320)을 구비하고 상기 제1, 2 확산배리어막 (310, 320) 사이에 구리로 형성되는 중간층 (350)을 형성함으로써 구리 이온의 확산을 방지할 수 있다. However, the display device 5 including the touch sensor 1 according to the exemplary embodiment of the present invention has the first and second diffusion barrier films 310 and 320 and the first and second diffusion barrier films 310 and 320, The diffusion of copper ions can be prevented by forming the intermediate layer 350 formed of copper.

이에 따라 구리 이온의 확산을 방지함으로 전극 (100)의 부식 및 성능저하를 방지하여 보다 안정적인 터치센서 (1)의 작동을 가능하게 할 수 있는 효과가 있다.
Accordingly, corrosion of the electrode 100 and deterioration of the performance of the electrode 100 can be prevented by preventing the diffusion of copper ions, thereby making it possible to operate the touch sensor 1 more stably.

이하 실시 예 등을 통하여 본 발명을 좀 더 구체적으로 살펴보지만, 하기 예에 본 발명의 범주가 한정되는 것은 아니다.
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the following examples, but the scope of the present invention is not limited to the following examples.

실시 예Example

100㎛ 두께를 갖는 PET 필름상에 DC pulsed sputter를 이용하여 Ta층을 20nm 두께로 증착하였고, 그 다음 상기 Ta층 상에 중간층인 Cu층을 100nm 두께로 증착한 후, 마지막으로 상기 Cu층 상에 Ta층을 60nm 증착하여 샘플을 제작하였다.
A Ta layer was deposited to a thickness of 20 nm on a PET film having a thickness of 100 mu m by DC pulsed sputtering, and then a Cu layer as an intermediate layer was deposited to a thickness of 100 nm on the Ta layer, A Ta layer was deposited to a thickness of 60 nm to prepare a sample.

비교 예Comparative Example

100㎛ 두께를 갖는 PET 필름상에 DC pulsed sputter를 이용하여 Ni층을 20nm 두께로 증착하였고, 그 다음 상기 Ni층 상에 중간층인 Cu층을 100nm 두께로 증착한 후, 마지막으로 상기 Cu층 상에 Ni층을 60nm 증착하여 샘플을 제작하였다.
A Ni layer was deposited to a thickness of 20 nm on a PET film having a thickness of 100 mu m using DC pulsed sputtering, a Cu layer as an intermediate layer was deposited on the Ni layer to a thickness of 100 nm, Ni layer was deposited to a thickness of 60 nm to prepare a sample.

상기 실시 예 및 비교 예를 통하여 제작된 샘플을 4 point probe를 이용하여 초기 면저항을 측정한 후, 챔버에 넣고 85℃, 85% 습도를 갖는 환경 신뢰성 조건하에서 1 주일 경과 후 4 point probe를 이용하여 면저항의 변화를 측정하였고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.The samples prepared through the above Examples and Comparative Examples were measured for initial sheet resistance using a 4-point probe, placed in a chamber, and after one week under environmental reliability conditions of 85 ° C and 85% humidity, The change in sheet resistance was measured, and the results are shown in Table 1 below.

초기 면저항(Moh/ㅁ)Initial sheet resistance (Moh / ㅁ) 1일차 면저항(Moh/ㅁ)1st floor sheet resistance (Moh / ㅁ) 실시 예의 샘플(Ta/Cu/Ta)The sample of the example (Ta / Cu / Ta) 301.5333301.5333 290.8290.8 비교 예의 샘플(Ni/Cu/Ni)The comparative sample (Ni / Cu / Ni) 312.3333312.3333 347.6347.6

상기 표 1 및 상기 실시 예 및 비교 예에 따라 제조된 전극의 면저항 변화를 비교한 그래프인 도 6을 참조하면, 85℃, 85% 습도의 환경 신뢰성 조건 하에서 면저항의 변화를 비교한 결과, Ni/Cu/Ni 샘플의 경우 면저항 변화율이 약 11% 증가한 것을 알 수 있고, 이것은 Ni층이 Cu 이온의 확산을 효과적으로 막아주지 못하였기 때문이다. 반면, Ta/Cu/Ta 샘플의 경우에는 초기 면저항에 비하여 1일차 면저항이 오히려 감소한 것을 알 수 있다. 이것은 Ta층이 확산방지 역할을 완벽하게 하여 Cu 이온의 확산을 막아주고, 이와 함께 85℃, 85% 습도의 환경 신뢰성 조건 하에서 Cu 결정이 커지면서 결정립계가 줄어들었기 때문이다.
Referring to FIG. 6, which is a graph comparing the sheet resistance changes of the electrodes manufactured according to Table 1 and the Examples and Comparative Examples, changes in sheet resistance under environmental reliability conditions of 85 ° C. and 85% In the case of the Cu / Ni sample, the rate of change in sheet resistance was increased by about 11%, because the Ni layer could not effectively prevent diffusion of Cu ions. On the other hand, in the case of Ta / Cu / Ta sample, the first-order sheet resistance decreases rather than the initial sheet resistance. This is because the Ta layer completely prevents the diffusion of Cu ions and prevents the diffusion of Cu ions. In addition, under the environmental reliability condition of 85 ° C and 85% humidity, Cu crystals become larger and grain boundaries are reduced.

이상 본 발명을 구체적인 실시 예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명에 따른 터치센서는 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당해 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함은 명백하다고 할 것이다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. It will be apparent that modifications and improvements can be made by those skilled in the art.

본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 모두 본 발명의 영역에 속하는 것으로 본 발명의 구체적인 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의하여 명확해질 것이다.
It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.

1: 터치센서 5: 표시장치
10: 기판 100: 전극
110: 제1 메쉬전극 120: 제 메쉬전극
150: 제1 전극배선 160: 제2 전극배선
310: 제1 확산배리어막 320: 제2 확산배리어막
350: 중간층 550: 표시장치
570: 하우징
1: touch sensor 5: display device
10: substrate 100: electrode
110: first mesh electrode 120: mesh electrode
150: first electrode wiring 160: second electrode wiring
310: first diffusion barrier film 320: second diffusion barrier film
350: intermediate layer 550: display device
570: housing

Claims (17)

기판; 및
상기 기판 상의 전극; 을 포함하며,
상기 전극은,
상기 기판과 접촉형성되는 제1 확산배리어막,
상기 제1 확산배리어막 상에 형성되는 중간층,
상기 중간층 상에 형성되는 제2 확산배리어막을 구비하는 터치센서.
Board; And
An electrode on the substrate; / RTI >
The electrode
A first diffusion barrier film formed in contact with the substrate,
An intermediate layer formed on the first diffusion barrier film,
And a second diffusion barrier film formed on the intermediate layer.
청구항 1에 있어서,
상기 제1, 2 확산배리어막은 전이금속으로 형성된 터치센서.
The method according to claim 1,
Wherein the first and second diffusion barrier films are formed of a transition metal.
청구항 1에 있어서,
상기 제1, 2 확산배리어막은 녹는점 (melting point)이 2000℃ 이상인 금속으로 형성된 터치센서.
The method according to claim 1,
Wherein the first and second diffusion barrier layers are formed of a metal having a melting point of 2000 ° C or higher.
청구항 1에 있어서,
상기 제1, 2 확산배리어막은 망간 (Mn), 니오비움 (Nb), 몰리브덴 (Mo), 루테늄 (Ru), 하프늄 (Hf), 탄탈 (Ta), 텅스텐 (W), 이리늄 (Ir), 및 이들 중 적어도 하나를 포함하는 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나로 형성된 터치센서.
The method according to claim 1,
The first and second diffusion barrier films may be formed of at least one of manganese (Mn), niobium (Nb), molybdenum (Mo), ruthenium (Ru), hafnium (Hf), tantalum (Ta), tungsten (W), iridium And an alloy including at least one of these.
청구항 1에 있어서,
상기 제1 확산배리어막과 상기 제2 확산배리어막은 서로 동일한 물질로 형성된 터치센서.
The method according to claim 1,
Wherein the first diffusion barrier film and the second diffusion barrier film are formed of the same material.
청구항 1에 있어서,
상기 제1 확산배리어막과 상기 제2 확산배리어막은 서로 다른 물질로 형성된 터치센서.
The method according to claim 1,
Wherein the first diffusion barrier film and the second diffusion barrier film are formed of different materials.
청구항 1에 있어서,
상기 중간층은 구리 (Cu), 은 (Ag), 금 (Au), 알루미늄 (Al), 및 이들 중 적어도 하나를 포함하는 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나로 형성된 터치센서.
The method according to claim 1,
Wherein the intermediate layer is formed of any one selected from the group consisting of copper (Cu), silver (Ag), gold (Au), aluminum (Al), and an alloy containing at least one of the foregoing.
청구항 1에 있어서,
상기 기판은 윈도우기판 또는 절연필름인 터치센서.
The method according to claim 1,
Wherein the substrate is a window substrate or an insulating film.
청구항 1에 있어서,
상기 기판은 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 폴리카보네이트 (PC), 폴리메틸메타아크릴레이트 (PMMA), 폴리에틸렌나프탈레이트 (PEN), 폴리에테르술폰 (PES), 고리형 올레핀 고분자 (COC), TAC (Triacetylcellulose) 필름, 폴리비닐알코올 (Polyvinyl alcohol; PVA) 필름, 폴리이미드 (Polyimide; PI) 필름, 폴리스틸렌 (Polystyrene; PS), 이축연신폴리스틸렌 (K레진 함유 biaxially oriented PS; BOPS), 및 유리 또는 강화유리로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나로 형성된 터치센서.
The method according to claim 1,
The substrate may be formed of at least one selected from the group consisting of polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), polymethylmethacrylate (PMMA), polyethylene naphthalate (PEN), polyether sulfone (PES), cyclic olefin polymer (COC), triacetylcellulose ) Film, a polyvinyl alcohol (PVA) film, a polyimide (PI) film, polystyrene (PS), biaxially oriented PS (BO resin containing K resin) A touch sensor formed of any one selected from the group consisting of:
청구항 1에 있어서,
상기 전극의 선폭은 1 내지 5㎛ 범위로 형성된 터치센서.
The method according to claim 1,
Wherein the line width of the electrode is in the range of 1 to 5 mu m.
청구항 1에 있어서,
상기 전극의 두께는 0.05 내지 3㎛ 범위로 형성된 터치센서.
The method according to claim 1,
Wherein the thickness of the electrode is in the range of 0.05 to 3 mu m.
청구항 1에 있어서,
상기 제1 확산배리어막의 두께는 1 내지 500nm 범위로 형성된 터치센서.
The method according to claim 1,
Wherein the thickness of the first diffusion barrier film is in the range of 1 to 500 nm.
청구항 1에 있어서,
상기 제2 확산배리어막의 두께는 1 내지 500nm 범위로 형성된 터치센서.
The method according to claim 1,
Wherein the second diffusion barrier film has a thickness ranging from 1 to 500 nm.
청구항 1에 있어서,
상기 중간층의 두께는 0.03 내지 2㎛ 범위로 형성된 터치센서.
The method according to claim 1,
Wherein the thickness of the intermediate layer is in the range of 0.03 to 2 mu m.
청구항 1에 있어서,
상기 전극은 전극패턴 또는 전극배선인 터치센서.
The method according to claim 1,
Wherein the electrode is an electrode pattern or an electrode wiring.
청구항 15에 있어서,
상기 전극패턴은 메쉬형상으로 형성된 터치센서.
16. The method of claim 15,
Wherein the electrode pattern is formed in a mesh shape.
영상을 표시하는 표시패널;
상기 표시패널을 수납하는 하우징; 및
상기 표시패널 상에 배치되며, 청구항 1로 형성된 터치센서; 를 포함하는 표시장치.
A display panel for displaying an image;
A housing for housing the display panel; And
A touch sensor disposed on the display panel and formed according to claim 1; .
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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