KR20150060041A - Power Module Package and Method of the Manufacturing for the same - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a power module package and a manufacturing method thereof. The power module package according to one embodiment of the present invention includes a first semiconductor device and a second semiconductor device which are mounted on one side of a first lead frame and one side of a second lead frame whose both sides are separated, a substrate which is formed on the lower side of the first lead frame, a molding part which covers a part of the first and second lead frames, the substrate, and the first and second semiconductor devices, and a bonding agent which is formed on a contact part between the molding part and the substrate.

Description

전력 모듈 패키지 및 그 제조 방법{Power Module Package and Method of the Manufacturing for the same}[0001] POWER MODULE PACKAGE AND METHOD FOR MANUFACTURING [0002]

본 발명은 전력 모듈 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a power module package and a method of manufacturing the same.

에너지 효율 규제에 따라 전력변환 및 에너지 효율에 대한 관심이 높아지고 있다. 전력반도체 모듈은 전력변환 효율의 극대화 뿐만 아니라 시장의 요구에 따라 소형화, 고방열, 고신뢰성 등이 요구되어지고 있다. 이러한 요구를 충족시키기 위해서는 안정된 특성의 전력반도체 소자 확보와 더불어 전력 반도체 모듈의 전기적연결, 방열설계, 구조설계 등이 함께 고려된 새로운 구조의 전력반도체 모듈의 개발이 필요하다.
Energy efficiency regulations are leading to increased interest in power conversion and energy efficiency. Power semiconductor modules are demanded not only for maximizing power conversion efficiency but also for miniaturization, high heat dissipation, and high reliability in accordance with market demands. In order to meet these demands, it is necessary to develop a power semiconductor module with a new structure that considers the stable connection of the power semiconductor device and the electrical connection, the heat dissipation design, and the structural design of the power semiconductor module.

일본 공개 특허 공보 2004-006905Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2004-006905

본 발명은 기판이 몰딩공정 이후에 접착되는 방식을 사용하여, 열 응력에 의한 기판의 깨짐을 해결 할 수 있는 전력 모듈 패키지 및 그 제조 방법을 제공하는데 있다.
An object of the present invention is to provide a power module package and a method of manufacturing the same that can solve the cracking of a substrate by thermal stress using a method in which a substrate is bonded after a molding process.

본 발명의 일 실시예에 따른 전력 모듈 패키지는 양단이 분리된 제 1 및 제 2 리드프레임 일측에 각각 실장된 제 1 및 제 2 반도체 소자, 상기 제 1 리드프레임 하부에 형성된 기판, 상기 제 1 및 제 2 리드프레임 일부, 상기 기판 및 상기 제 1 및 제 2 반도체 소자를 커버하도록 형성된 몰딩부 및 상기 몰딩부와 상기 기판이 접하는 부분에 형성된 접착재를 포함한다. A power module package according to an embodiment of the present invention includes first and second semiconductor elements mounted on one side of first and second lead frames separated at both ends, a substrate formed under the first lead frame, A part of the second lead frame, a molding part formed to cover the substrate and the first and second semiconductor elements, and an adhesive material formed at a part where the molding part and the substrate come into contact with each other.

상기 리드프레임은 일측과 타측을 가지며, 상기 일측은 상기 몰딩부 내부로, 상기 타측은 몰딩부 외부로 돌출되는 리드프레임을 포함할 수 있다.The lead frame may have one side and the other side, and the other side may include a lead frame protruding outside the molding part.

상기 접착재는 상기 몰딩부와 상기 기판이 접하는 양 측면부에 형성될 수 있다.The adhesive may be formed on both side portions of the molding portion and the substrate in contact with each other.

상기 접착재는 상기 제 1 리드프레임과 기판 사이에 형성될 수 있다.The adhesive may be formed between the first lead frame and the substrate.

상기 기판은 세라믹(ceramic) 기판일 수 있다.The substrate may be a ceramic substrate.

상기 반도체 소자를 전기적으로 연결하는 와이어를 더 포함할 수 있다.And a wire electrically connecting the semiconductor device.

상기 제 1 반도체 소자는 발열소자일 수 있다.The first semiconductor element may be a heating element.

상기 제 1 반도체 소자는 IGBT일 수 있다.The first semiconductor element may be an IGBT.

본 발명의 다른 실시예에 따른 전력 모듈 패키지 제조 방법은 양단이 분리된 제 1 및 제 2 리드프레임 일측에 제 1 및 제 2 반도체 소자를 실장하는 단계, 상기 제 1 리드프레임 하부를 노출 시키는 개구부를 갖는 물딩부를 형성하는 단계, 상기 몰딩부 개구부에 접착재를 형성하는 단계, 상기 접착재와 접합하도록 상기 개구부에 기판을 삽입하는 단계를 포함할 수 있다.A method of manufacturing a power module package according to another embodiment of the present invention includes the steps of mounting first and second semiconductor elements on one side of first and second lead frames separated from each other, Forming an adhesive on the opening of the molding part, and inserting the substrate into the opening to bond with the adhesive material.

상기 몰딩부를 형성하는 단계는, 기판 삽입용 돌출부를 갖는 금형몰드를 형성하는 단계, 상기 금형몰드 내부에 몰딩재를 주입하는 단계, 상기 금형몰드를 제거하는 단계를 포함할 수 있다.The forming of the molding part may include forming a mold having a projection for inserting the substrate, injecting a molding material into the mold, and removing the mold.

상기 몰딩부를 형성하는 단계에서, 상기 제 1 및 제 2 리드프레임의 일측은 상기 몰딩부 내부로 상기 제 1 및 제 2 리드프레임의 타측은 몰딩부 외부로 돌출되도록 형성할 수 있다.In the forming of the molding part, one side of the first and second lead frames may protrude into the molding part and the other side of the first and second lead frames may protrude to the outside of the molding part.

상기 몰딩부 개구부에 접착재를 형성하는 단계는, 상기 몰딩부와 상기 기판이 접하는 양 측면부에 접착재를 도포하여 수행할 수 있다.The step of forming an adhesive material on the molding part opening may be performed by applying an adhesive material to both sides of the molding part and the substrate.

상기 리드프레임 하부와 접하도록 상기 접착재를 형성할 수 있다.The adhesive may be formed to contact the bottom of the lead frame.

상기 기판은 세라믹(ceramic) 기판일 수 있다.The substrate may be a ceramic substrate.

반도체 소자를 형성하는 단계 이후에. 상기 반도체 소자를 전기적으로 연결하는 와이어를 형성하는 단계를 더 포함 할 수 있다.After the step of forming the semiconductor element. And forming a wire electrically connecting the semiconductor device.

상기 제 1 반도체 소자는 발열소자일 수 있다.The first semiconductor element may be a heating element.

상기 제 1 반도체 소자는 IGBT 일 수 있다.
The first semiconductor element may be an IGBT.

본 발명의 특징 및 이점들은 첨부도면에 의거한 다음의 상세한 설명으로 더욱 명백해질 것이다.The features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description based on the accompanying drawings.

이에 앞서 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이고 사전적인 의미로 해석되어서는 아니되며, 발명자가 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합되는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
Prior to that, terms and words used in the present specification and claims should not be construed in a conventional and dictionary sense, and the inventor may properly define the concept of the term in order to best explain its invention It should be construed as meaning and concept consistent with the technical idea of the present invention.

본 발명의 일 실시예에 따른 전력 모듈 패키지는 몰딩공정 이후에 기판을 접착시키는 방식을 사용하여, 열 응력에 의한 기판의 깨짐을 방지 할 수 있다.The power module package according to an embodiment of the present invention can prevent cracking of the substrate due to thermal stress by using a method of bonding the substrate after the molding process.

또한, 방열특성 및 절연특성을 향상 시킬 수 있다.
Further, the heat dissipation characteristics and the insulation properties can be improved.

도 1내지 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전력 모듈 패키지의 단면도이다.
도 3 내지 도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전력 모듈 패키지의 공정 흐름도이다.1 and 2 are sectional views of a power module package according to an embodiment of the present invention.
3 to 9 are process flow diagrams of a power module package according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 목적, 특정한 장점들 및 신규한 특징들은 첨부된 도면들과 연관되어지는 이하의 상세한 설명과 바람직한 실시예들로부터 더욱 명백해질 것이다. 본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다. 또한, "제1", "제2", "일면", "타면" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위해 사용되는 것으로, 구성요소가 상기 용어들에 의해 제한되는 것은 아니다. 이하, 본 발명을 설명함에 있어서, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 관련된 공지 기술에 대한 상세한 설명은 생략한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The objectives, specific advantages and novel features of the present invention will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG. It should be noted that, in the present specification, the reference numerals are added to the constituent elements of the drawings, and the same constituent elements are assigned the same number as much as possible even if they are displayed on different drawings. It will be further understood that terms such as " first, "" second," " one side, "" other," and the like are used to distinguish one element from another, no. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the following description of the present invention, detailed description of related arts which may unnecessarily obscure the gist of the present invention will be omitted.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

전력 모듈 패키지Power module package

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전력 모듈 패키지의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a power module package according to a first embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전력 모듈 패키지(1000)는 양단이 분리된 제 1 리드프레임(101) 및 제 2 리드프레임(102) 일측에 각각 실장된 제 1 반도체 소자(201) 및 제 2 반도체 소자(202), 상기 제 1 리드프레임(101) 하부에 형성된 기판(600), 상기 제 1 및 제 2 리드프레임(101,102) 일부, 상기 기판(600) 및 상기 제 1 및 제 2 반도체 소자(201,202)를 커버하도록 형성된 몰딩부(400) 및 상기 몰딩부(400)와 상기 기판(600)이 접하는 부분에 형성된 접착재(500)를 포함한다.
1, a power module package 1000 according to a first embodiment of the present invention includes a first lead frame 101 and a second lead frame 102, which are mounted on one side of the first lead frame 101 and the second lead frame 102, The first and second lead frames 101 and 102 and the substrate 600 and the first and second lead frames 101 and 102. The first and second leadframes 101 and 102 are electrically connected to the first and second lead frames 101 and 102, A molding part 400 formed to cover the first and second semiconductor elements 201 and 202 and an adhesive 500 formed at a portion where the molding part 400 and the substrate 600 are in contact with each other.

여기서, 상기 제 1 리드프레임(101) 및 상기 제 2 리드프레임(102)은 일측과 타측을 가질 수 있으며, 일측은 상기 몰딩부(400) 내부에 형성된 리드프레임(101,102)을 정의 할 수 있으며, 타측은 상기 몰딩부(400) 외부에 돌출되도록 형성된 리드프레임(101,102)을 정의 할 수 있다.Here, the first lead frame 101 and the second lead frame 102 may have one side and the other side, and one side may define lead frames 101 and 102 formed in the molding part 400, And the other side may define lead frames 101 and 102 formed to protrude outside the molding part 400.

따라서, 상기 제 1 리드프레임(101) 일측에 형성된 상기 제 1 반도체 소자(201)는 상기 몰딩부(400) 내부에 위치할 수 있다.
Therefore, the first semiconductor element 201 formed on one side of the first lead frame 101 may be located inside the molding part 400.

여기서, 상기 제 1 반도체 소자(201)는 전력소자로서, IGBT(insulated gate Bipolar Transistor)일 수 있으며, Diode(다이오드) 등과 같이 발열량이 큰 소자를 포함 할 수 있다. 상기 제 2 반도체 소자(202)는 직접 회로 칩(IC)와 같은 소자가 적용될 수 있다.Here, the first semiconductor device 201 may be an IGBT (insulated gate bipolar transistor) as a power device, or may include a device having a large heating value such as a diode (diode). As the second semiconductor element 202, an element such as a direct circuit chip (IC) may be applied.

본 실시예의 상기 도면에서는 제 1 반도체 소자(201) 및 제 2 반도체 소자(202)의 기타 상세한 구성요소를 생략하고 개략적으로 나타내었으나, 당업계에 공지된 모든 구조의 반도체 소자가 특별히 한정되지 않고, 전력 모듈 패키지에 적용될 수 있음을 당업자라면 충분히 인식 할 수 있을 것이다.Although the other elements of the first semiconductor element 201 and the second semiconductor element 202 are omitted in the drawing of this embodiment, semiconductor elements of all structures known in the art are not particularly limited, It will be appreciated by those skilled in the art that the present invention can be applied to a power module package.

그리고, 상기 제 1 반도체 소자(201) 및 상기 제 2 반도체 소자(202)를 전기적으로 연결해 주기 위해서 와이어(203)를 더 형성할 수 있으며, 당업계에 공지된 전기적 연결 수단 중 어느 하나를 선택하여 적용할 수 있음은 물론이다.A wire 203 may be further formed to electrically connect the first semiconductor element 201 and the second semiconductor element 202, and any one of electrical connecting means known in the art may be selected Of course, can be applied.

이때, 상기 와이어(203)로서 알루미늄(Al), 금(Au), 구리(Cu) 등이 사용될 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니며, 일반적으로는 전력 소자인 반도체 부품으로 고전압의 정격전압을 인가하는 와이어로는 알루미늄(Al)을 사용할 수 있다.
Aluminum (Al), gold (Au), copper (Cu), or the like may be used as the wire 203, but the present invention is not limited thereto. Generally, a high voltage rated voltage Aluminum (Al) may be used as the wire.

여기서, 상기 몰딩부(400)는 실리콘 겔(silicone gel) 또는 에폭시 몰딩 컴파운드(Epoxy Molded Compouned) 등이 사용될 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다.
Here, the molding part 400 may be made of silicone gel or epoxy molding compound, but is not limited thereto.

또한, 상기 기판(600)은 세라믹(ceramic) 기판일 수 있다.In addition, the substrate 600 may be a ceramic substrate.

본 실시예에서는 방열특성의 향상을 위하여 세라믹(ceramic) 기판을 사용하였으나, 특별히 이에 한정되지 않는다.
In this embodiment, a ceramic substrate is used for improving the heat dissipation characteristics, but the present invention is not limited thereto.

그리고, 상기 접착재(500)는 상기 제 1 리드프레임(101)과 이격되어 상기 제 1 리드프레임(101) 하부에 기판을 부착하기 위하여 형성 될 수 있다.The adhesive 500 may be spaced apart from the first lead frame 101 to attach the substrate to the lower portion of the first lead frame 101.

여기서, 상기 접착재(500)는 상기 기판(600)과 상기 몰딩부(400)가 접하는 모든 면에 형성될 수 있으나, 접착재(500) 형성 위치는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 상기 기판(600)과 상기 몰딩부(400)가 접하는 기판의 측면부 또는 상기 기판(600)과 상기 몰딩부(400)가 접하는 기판의 상면부에 형성될 수 있다.
Here, the adhesive material 500 may be formed on all surfaces of the substrate 600 contacting the molding part 400, but the position of the adhesive material 500 is not particularly limited. For example, the substrate 600 may be formed on a side surface of a substrate in contact with the molding part 400, or on a top surface part of the substrate in contact with the substrate 600 and the molding part 400.

이로 인해, 외부로부터 오는 열 응력에 의해 상기 기판(600)의 깨짐 현상을 방지 할 수 있으며, 절연불량을 개선할 수 있다. Therefore, cracking of the substrate 600 can be prevented by thermal stress from the outside, and defective insulation can be improved.

또한, 상기 접착재(500)를 상기 기판(600)과 상기 몰딩부(400)가 접하는 기판의 측면부에 형성하고, 기판의 상면부에 접착재를 형성하지 않음으로써, 상기 제 1 리드프레임(101) 하부에 형성된 상기 몰딩부(400) 높이를 축소시킬 수 있다.
The adhesive 500 may be formed on the side surface of the substrate in contact with the substrate 600 and the molding part 400 and may be formed on the lower surface of the first lead frame 101 The height of the molding part 400 formed on the mold 400 can be reduced.

도 2는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 전력 모듈 패키지의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of a power module package according to a second embodiment of the present invention.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 전력 모듈 패키지(2000)는 양단이 분리된 제 1 리드프레임(101) 및 제 2 리드프레임(102) 일측에 각각 실장된 제 1 반도체 소자(201), 상기 제 1 리드프레임(101) 하부에 형성된 기판(600), 상기 제 1 및 제 2 리드프레임(101,102) 일부, 상기 기판(600) 및 상기 제 1 및 제 2 반도체 소자(201,202)를 커버하도록 형성된 몰딩부(400) 및 상기 몰딩부(400)와 상기 기판(600)이 접하는 부분에 형성된 접착재(500)를 포함한다.
2, the power module package 2000 according to the second embodiment of the present invention includes a first lead frame 101 and a second lead frame 102 mounted on one side of the first lead frame 101 and the second lead frame 102, A semiconductor chip 201, a substrate 600 formed under the first lead frame 101, a portion of the first and second lead frames 101 and 102, a substrate 600, And an adhesive 500 formed at a portion where the molding part 400 and the substrate 600 are in contact with each other.

여기서, 상기 제 1 반도체 소자(201)는 전력소자로서, IGBT(insulated gate Bipolar Transistor)일 수 있으며, Diode(다이오드) 등과 같이 발열량이 큰 소자를 포함 할 수 있다. 상기 제 2 반도체 소자(202)는 직접 회로 칩(IC)와 같은 소자가 적용될 수 있다.Here, the first semiconductor device 201 may be an IGBT (insulated gate bipolar transistor) as a power device, or may include a device having a large heating value such as a diode (diode). As the second semiconductor element 202, an element such as a direct circuit chip (IC) may be applied.

본 실시예의 상기 도면에서는 제 1 반도체 소자(201) 및 제 2 반도체 소자(202)의 기타 상세한 구성요소를 생략하고 개략적으로 나타내었으나, 당업계에 공지된 모든 구조의 반도체 소자가 특별히 한정되지 않고, 전력 모듈 패키지에 적용될 수 있음을 당업자라면 충분히 인식 할 수 있을 것이다.Although the other elements of the first semiconductor element 201 and the second semiconductor element 202 are omitted in the drawing of this embodiment, semiconductor elements of all structures known in the art are not particularly limited, It will be appreciated by those skilled in the art that the present invention can be applied to a power module package.

그리고, 상기 제 1 반도체 소자(201) 및 상기 제 2 반도체 소자(202)를 전기적으로 연결해 주기 위해서 와이어(203)를 더 형성할 수 있으며, 당업계에 공지된 전기적 연결 수단 중 어느 하나를 선택하여 적용할 수 있음은 물론이다.A wire 203 may be further formed to electrically connect the first semiconductor element 201 and the second semiconductor element 202, and any one of electrical connecting means known in the art may be selected Of course, can be applied.

이때, 상기 와이어(203)로서 알루미늄(Al), 금(Au), 구리(Cu) 등이 사용될 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니며, 일반적으로는 전력 소자인 반도체 부품으로 고전압의 정격전압을 인가하는 와이어로는 알루미늄(Al)을 사용할 수 있다.
Aluminum (Al), gold (Au), copper (Cu), or the like may be used as the wire 203, but the present invention is not limited thereto. Generally, a high voltage rated voltage Aluminum (Al) may be used as the wire.

여기서, 상기 몰딩부(400)는 실리콘 겔(silicone gel) 또는 에폭시 몰딩 컴파운드(Epoxy Molded Compound) 등이 사용될 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다.
Here, the molding part 400 may be formed of a silicone gel or an epoxy molding compound, but is not limited thereto.

또한, 상기 기판(600)은 세라믹(ceramic) 기판일 수 있다.In addition, the substrate 600 may be a ceramic substrate.

본 실시예에서는 방열특성의 향상을 위하여 세라믹(ceramic) 기판을 사용하였으나, 특별히 이에 한정되지 않는다.
In this embodiment, a ceramic substrate is used for improving the heat dissipation characteristics, but the present invention is not limited thereto.

그리고, 상기 접착재(500)는 상기 제 1 리드프레임(101) 하부에 접하도록 상기 기판(600)을 부착하기 위하여 형성 될 수 있다.
The adhesive 500 may be formed to adhere the substrate 600 to the bottom of the first lead frame 101.

이때, 상기 기판(600)의 측면부 및 상면부를 덮도록 상기 접착재(500)가 형성될 수 있다.At this time, the adhesive material 500 may be formed to cover the side surface and the upper surface of the substrate 600.

이로 인해, 외부로부터 오는 열 응력에 의해 상기 기판(600)의 깨짐 현상을 방지 할 수 있으며, 절연불량을 개선할 수 있다.
Therefore, cracking of the substrate 600 can be prevented by thermal stress from the outside, and defective insulation can be improved.

여기서, 상기 접착재(500)는 상기 기판(600)과 상기 몰딩부(400)가 접하는 기판의 측면부에 형성될 수 있으며, 또한, 상기 기판(600)과 상기 제 1 리드프레임(101)이 접하는 기판의 상면부에 형성될 수 있다.The adhesive 500 may be formed on the side surface of the substrate 600 where the substrate 600 contacts the molding part 400 and may be formed on the side of the substrate 600 contacting the first lead frame 101. [ As shown in FIG.

이때, 상기 접착재(500)를 상기 기판(600)과 상기 몰딩부(400)가 접하는 기판의 측면부에 형성하고, 기판의 상면부에 접착재를 형성하지 않음으로써, 상기 제 1 리드프레임(101) 하부에 형성된 상기 몰딩부(400) 높이를 축소시킬 수 있다.
At this time, the adhesive material 500 is formed on the side surface of the substrate in contact with the substrate 600 and the molding part 400, and no adhesive is formed on the upper surface part of the substrate, The height of the molding part 400 formed on the mold 400 can be reduced.

전력 모듈 패키지 및 그 제조 방법Power module package and manufacturing method thereof

도 3내지 도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전력 모듈 패키지 제조 방법의 공정 흐름도이다.3 to 9 are process flow diagrams of a method of manufacturing a power module package according to another embodiment of the present invention.

도 3에 도시한 바와 같이, 양단이 분리된 제 1 리드프레임(101) 및 제 2 리드프레임(102) 일측에 제 1 반도체 소자(201) 및 제 2 반도체 소자(202)를 각각 실장한다.
The first semiconductor element 201 and the second semiconductor element 202 are respectively mounted on one side of the first lead frame 101 and the second lead frame 102 with both ends separated as shown in Fig.

여기서, 상기 리드프레임(101,102)과 상기 반도체 소자(201,202) 사이의 접합부재는 솔더(solder) 또는 전도성 에폭시(epoxy) 일 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니며, 열을 효과적으로 방출하기 위해 열전도율이 높은 접착부재를 사용하는 것이 일반적이다.
Here, the bonding material between the lead frames 101 and 102 and the semiconductor devices 201 and 202 may be a solder or a conductive epoxy. However, the bonding material is not particularly limited thereto, and may be an adhesive having a high thermal conductivity Member is generally used.

또한, 양단이 분리된 리드프레임에 실장된 각각의 상기 제 1 반도체 소자(201) 및 상기 제 2 반도체 소자(202)를 전기적으로 연결하기 위한 와이어(203)을 더 형성 할 수 있다. 이때, 상기 와이어(203)로서 알루미늄(Al), 금(Au), 구리(Cu) 등이 사용될 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니며, 일반적으로는 전력 소자인 반도체 부품으로 고전압의 정격전압을 인가하는 와이어로는 알루미늄(Al)을 사용할 수 있다.Further, wires 203 for electrically connecting each of the first semiconductor element 201 and the second semiconductor element 202 mounted on the lead frame with both ends separated can be further formed. Aluminum (Al), gold (Au), copper (Cu), or the like may be used as the wire 203, but the present invention is not limited thereto. Generally, a high voltage rated voltage Aluminum (Al) may be used as the wire.

또한, 도시하진 않았으나, 상기 제 1 리드프레임(101) 일측에 다수에 반도체 소자가 더 형성될 수 있으며, 상기 다수의 반도체 소자를 서로 연결하는 전기적 연결 수단으로서 와이어를 포함할 수 있음은 물론이다.
Although not shown, a plurality of semiconductor elements may be further formed on one side of the first lead frame 101, and wires may be included as electrical connecting means for connecting the plurality of semiconductor elements to each other.

여기서, 상기 제 1 반도체 소자(201)는 상기 제 1 반도체 소자(201)는 전력소자로서, IGBT(insulated gate Bipolar Transistor)일 수 있으며, Diode(다이오드) 등과 같이 발열량이 큰 소자를 포함 할 수 있다. 그리고, 상기 제 2 반도체 소자(202)는 직접 회로 칩(IC)와 같은 소자가 적용될 수 있다.Here, the first semiconductor element 201 may be an insulated gate bipolar transistor (IGBT) as a power element, and may include a large amount of heat such as a diode . As the second semiconductor element 202, an element such as a direct circuit chip (IC) may be applied.

본 실시예의 상기 도면에서는 제 1 반도체 소자(201) 및 제 2 반도체 소자(202)의 기타 상세한 구성요소를 생략하고 개략적으로 나타내었으나, 당업계에 공지된 모든 구조의 반도체 소자가 특별히 한정되지 않고, 전력 모듈 패키지에 적용될 수 있음을 당업자라면 충분히 인식 할 수 있을 것이다.
Although the other elements of the first semiconductor element 201 and the second semiconductor element 202 are omitted in the drawing of this embodiment, semiconductor elements of all structures known in the art are not particularly limited, It will be appreciated by those skilled in the art that the present invention can be applied to a power module package.

도 4에 도시한 바와 같이, 금형몰드(300)을 장착할 수 있다.
As shown in Fig. 4, the mold mold 300 can be mounted.

도 5에 도시한 바와 같이, 상기 금형몰드(300) 내부에 몰딩재를 충진 할 수 있다.
As shown in FIG. 5, the molding material 300 may be filled with a molding material.

도 6에 도시한 바와 같이, 상기 금형몰드(300)를 제거하여, 몰딩부(400)를 형성할 수 있다.
As shown in FIG. 6, the mold 300 may be removed to form the molding part 400.

여기서, 상기 몰딩부(400) 내부에 형성된 리드프레임(101,102)을 일측으로 정의 할 수 있으며, 상기 몰딩부(400) 외부에 돌출되도록 형성된 리드프레임(101,102)을 타측으로 정의 할 수 있다.
The lead frames 101 and 102 formed inside the molding part 400 may be defined as one side and the lead frames 101 and 102 formed to protrude outside the molding part 400 may be defined as the other side.

이때, 상기 몰딩부(400)는 실리콘 겔(silicone gel) 또는 에폭시 몰딩 컴파운드(Epoxy Molded Compouned) 등이 사용될 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다.
At this time, the molding part 400 may be made of silicone gel or epoxy molding compound, but is not limited thereto.

이 때, 상기 몰딩부(400)에 개구부(401)를 함께 형성할 수 있는데, 상기 개구부(401)는 상기 제 1 리드프레임(101) 하부에 이격되도록 형성 할 수 있다.At this time, an opening 401 may be formed in the molding part 400, and the opening part 401 may be formed to be spaced apart from the lower part of the first lead frame 101.

여기서, 상기 개구부(401)의 형상은 추후에 설명할 기판의 형상과 대응될 수 있다.
Here, the shape of the opening 401 may correspond to the shape of the substrate to be described later.

또한, 도시하진 않았으나, 상기 개구부(401)는 상기 제 1 리드프레임(101) 하면 일부분이 노출되도록 형성 할 수 있다.
Further, although not shown, the opening 401 may be formed such that a portion of the lower surface of the first lead frame 101 is exposed.

도 7에 도시한 바와 같이, 상기 개구부(401)에 접착재(500)를 형성할 수 있다.
As shown in FIG. 7, the adhesive 500 may be formed on the opening 401.

여기서, 상기 접착재(500)는 상기 개구부(401) 외곽을 따라 형성될 수 있으며, 도시하진 않았으나, 상기 개구부(401)의 상면부에 형성되거나, 상기 개구부(401)의 측면부, 둘 중 하나의 부분에 선택적으로 형성될 수 있다. The adhesive 500 may be formed along the periphery of the opening 401. The adhesive 500 may be formed on the upper surface of the opening 401 or may include a side portion of the opening 401, As shown in FIG.

또한, 도시하진 않았으나, 상기 제 1 리드프레임(101)의 하면 일부분이 노출된 상태에서, 상기 접착재(400)는 상기 제 1 리드프레임(101)의 하면과 접하여 형성될 수 있다.
Also, although not shown, the adhesive material 400 may be formed in contact with the lower surface of the first lead frame 101 in a state in which a part of the lower surface of the first lead frame 101 is exposed.

본 실시예에서는 액상형태의 접착재를 사용하였으나, 특별이 한정하지 않는다.
In this embodiment, a liquid type adhesive is used, but there is no particular limitation.

도 8에 도시한 바와 같이, 상기 접착재(500)가 개재된 상기 개구부(401)에 기판(600)을 부착시킬 수 있다.As shown in FIG. 8, the substrate 600 may be attached to the opening 401 in which the adhesive 500 is interposed.

이때, 상기 기판(600)의 하면부와 상기 몰딩부(400)의 하면부가 동일 선상에 위치하도록 형성할 수 있다.At this time, the lower surface of the substrate 600 and the lower surface of the molding part 400 may be formed so as to be aligned with each other.

여기서, 상기 기판(600)은 세라믹(ceramic) 기판일 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.
Here, the substrate 600 may be a ceramic substrate, but is not limited thereto.

도 9에 도시한 바와 같이, 트림(trim), 포밍(forming) 공정을 수행하여, 상기 제 1 리드프레임(101) 및 상기 제 2 리드프레임(102)의 타측을 한 방향으로 구부릴 수 있다. 본 실시예에서는 상기 제 1 및 제 2 리드프레임(101,102)을 상기 기판(700)과 반대 방향으로 구부렸으나, 방향은 특별히 한정하지 않는다.
The first lead frame 101 and the second lead frame 102 may be bent in one direction by performing a trim and forming process as shown in FIG. In the present embodiment, the first and second lead frames 101 and 102 are bent in a direction opposite to the substrate 700, but the direction is not particularly limited.

이상 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be construed as limiting the present invention. It is obvious that the modification or improvement is possible.

본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 모두 본 발명의 영역에 속하는 것으로 본 발명의 구체적인 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의하여 명확해질 것이다.
It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.

1000, 2000 : 전력 모듈 패키지
101 : 제 1 리드프레임
102 : 제 2 리드프레임
201 : 제 1 반도체 소자
202 : 제 2 반도체 소자
203 : 와이어
300 : 금형몰드
400 : 몰딩부
500 : 접착재
600 : 기판1000, 2000: Power module package
101: first lead frame
102: second lead frame
201: first semiconductor element
202: second semiconductor element
203: wire
300: mold mold
400: molding part
500: Adhesive
600: substrate

Claims (17)

양단이 분리된 제 1 및 제 2 리드프레임 일측에 각각 실장된 제 1 및 제 2 반도체 소자;
상기 제 1 리드프레임 하부에 형성된 기판;
상기 제 1 및 제 2 리드프레임 일부, 상기 기판 및 상기 제 1 및 제 2 반도체 소자를 커버하도록 형성된 몰딩부; 및
상기 몰딩부와 상기 기판이 접하는 부분에 형성된 접착재;
를 포함하는 전력 모듈 패키지.
First and second semiconductor elements mounted on one side of the first and second lead frames, both ends of which are separated;
A substrate formed under the first lead frame;
A molding part configured to cover a part of the first and second lead frames, the substrate, and the first and second semiconductor elements; And
An adhesive formed at a portion where the molding part and the substrate are in contact with each other;
Gt; power module package. ≪ / RTI >
청구항 1에 있어서,
상기 리드프레임은 일측과 타측을 가지며, 상기 일측은 상기 몰딩부 내부로, 상기 타측은 몰딩부 외부로 돌출되는 리드프레임;
을 포함하는 전력 모듈 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the lead frame has one side and the other side, the one side is inside the molding part, and the other side is a lead frame protruding outside the molding part;
Gt; power module package. ≪ / RTI >
청구항 1에 있어서,
상기 접착재는 상기 몰딩부와 상기 기판이 접하는 양 측면부에 형성된 전력 모듈 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the adhesive is formed on both side portions of the molding portion and the substrate in contact with each other.
청구항 1에 있어서,
상기 접착재는 상기 제 1 리드프레임과 기판 사이에 형성된 전력 모듈 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the adhesive material is formed between the first lead frame and the substrate.
청구항 1에 있어서,
상기 기판은 세라믹(ceramic) 기판인 전력 모듈 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the substrate is a ceramic substrate.
청구항 1에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 반도체 소자를 전기적으로 연결하는 와이어;
를 더 포함하는 전력 모듈 패키지.
The method according to claim 1,
A wire electrically connecting the first and second semiconductor elements;
≪ / RTI >
청구항 1에 있어서,
상기 제 1 반도체 소자는 발열소자인 전력 모듈 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the first semiconductor element is a heating element.
청구항 7에 있어서,
상기 제 1 반도체 소자는 IGBT인 전력 모듈 패키지.
The method of claim 7,
Wherein the first semiconductor device is an IGBT.
양단이 분리된 제 1 및 제 2 리드프레임 일측에 제 1 및 제 2 반도체 소자를 실장하는 단계;
상기 제 1 리드프레임 하부를 노출 시키는 개구부를 갖는 물딩부를 형성하는 단계;
상기 몰딩부 개구부에 접착재를 형성하는 단계;
상기 접착재와 접합하도록 상기 개구부에 기판을 삽입하는 단계;
를 포함하는 전력 모듈 패키지 제조 방법.
Mounting first and second semiconductor elements on one side of the first and second lead frames, both ends of which are separated;
Forming a sidewall having an opening exposing a bottom of the first lead frame;
Forming an adhesive material on the molding part opening;
Inserting the substrate into the opening to be bonded to the adhesive;
≪ / RTI >
청구항 9에 있어서,
상기 몰딩부를 형성하는 단계는,
기판 삽입용 돌출부를 갖는 금형몰드를 형성하는 단계;
상기 금형몰드 내부에 몰딩재를 주입하는 단게;
상기 금형몰드를 제거하는 단계;
를 포함하는 전력 모듈 패키지 제조 방법.
The method of claim 9,
The forming of the molding portion may include:
Forming a mold mold having a projection for inserting a substrate;
A mold for injecting a molding material into the mold mold;
Removing the mold mold;
≪ / RTI >
청구항 9에 있어서,
상기 몰딩부를 형성하는 단계에서, 상기 제 1 및 제 2 리드프레임의 일측은 상기 몰딩부 내부로 상기 제 1 및 제 2 리드프레임의 타측은 몰딩부 외부로 돌출되도록 형성하는 전력 모듈 패키지 제조 방법.
The method of claim 9,
Wherein the first and second lead frames are formed such that one side of the first and second lead frames protrudes into the molding part from the other side of the first and second lead frames to the outside of the molding part.
청구항 9에 있어서,
상기 몰딩부 개구부에 접착재를 형성하는 단계는, 상기 몰딩부와 상기 기판이 접하는 양 측면부에 접착재를 도포하여 수행하는 단계;
를 포함하는 전력 모듈 패키지 제조 방법.
The method of claim 9,
The step of forming an adhesive material on the molding part opening may include: applying an adhesive material to both side parts of the molding part and the substrate, which are in contact with each other;
≪ / RTI >
청구항 9에 있어서,
상기 리드프레임 하부와 접하도록 상기 접착재를 형성하는 전력 모듈 패키지 제조 방법.
The method of claim 9,
And forming the adhesive to abut the bottom of the lead frame.
청구항 9에 있어서,
상기 기판은 세라믹(ceramic) 기판인 전력 모듈 패키지 제조 방법.
The method of claim 9,
Wherein the substrate is a ceramic substrate.
청구항 9에 있어서,
반도체 소자를 형성하는 단계 이후에.
상기 반도체 소자를 전기적으로 연결하는 와이어를 형성하는 단계;
를 더 포함하는 전력 모듈 패키지 제조 방법.
The method of claim 9,
After the step of forming the semiconductor element.
Forming a wire electrically connecting the semiconductor device;
≪ / RTI >
청구항 9에 있어서,
상기 제 1 반도체 소자는 발열소자인 전력 모듈 패키지 제조 방법.
The method of claim 9,
Wherein the first semiconductor element is a heating element.
청구항 16에 있어서,
상기 제 1 반도체 소자는 IGBT인 전력 모듈 패키지 제조 방법.18. The method of claim 16,
Wherein the first semiconductor device is an IGBT.
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