KR20150058768A - 다관식 반응기 - Google Patents

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KR20150058768A
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임예훈
홍유식
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주식회사 엘지화학
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Abstract

본 발명의 일실시예에 따른 다관식 반응기는 상부판과 하부판 사이의 중앙에 구비된 지지기둥관; 상기 지지기둥관의 길이 방향을 따라 구비된 다수의 배플판; 상기 상부판과 하부판의 테두리를 따라 구비된 측면 하우징; 상기 측면 하우징의 하부 일측 또는 상기 하부판에 구비된 열매체 유입구; 상기 측면 하우징의 상부 타측 또는 상기 상부판에 구비된 열매체 배출구; 상기 열매체 유입구에 연결된 내부공간에 구비되어 상기 열매체의 이동경로를 위,아래로 반복 형성하여 온도편차를 줄이는 구조물; 및 상기 상부판, 상기 하부판, 상기 다수의 배플판 및 상기 구조물을 관통 구비한 다수의 반응관;을 포함한다.

Description

다관식 반응기{MULTITUBULAR REACTOR}
본 발명은 다관식 반응기에 관한 것이다.
일반적으로 열교환기 형태의 다관식 촉매 반응기는 반응에 의해 발생하는 열을 효율적으로 제거할 목적으로 사용되는 반응기의 한 형태이다. 이러한 형태의 반응기에서는 다수의 반응 튜브에 고체 촉매를 충진하고, 이 반응 튜브에 반응 가스를 공급해 원하는 성분을 얻기 위한 화학 반응을 일으키며, 화학 반응이 최적의 상태로 일어날 수 있도록 열매체를 반응기 쉘에 순환시킨다.
다관식 촉매 반응기에서는 반응 튜브의 국부적인 지점에서 핫 스팟(hot spot)이 발생하는 경향이 있고, 이러한 핫 스팟은 촉매의 열화에 의한 수명 단축과 원하는 목적 생성물에 대한 선택율 감소와 같은 문제를 일으키므로, 반응기 내부 다수의 반응 튜브에 효율적으로 열전달시켜 핫스팟을 감소시키기 위한 다양한 방법들이 시도되어 왔다.
예를 들어, 선행기술문헌에서는 열매체에 대한 순환장치가 구비되고 쉘에 도넛형과 원반형의 배플판이 교대로 구비된 다관식 반응기를 통해 반응기 내부의 임의 영역 내에서 열매체의 흐름 속도를 일정하게 유지시킴으로써 열전달 성능을 향상시키도록 구현한다.
또한, 상부 및 하부 튜브 시트 사이와 횡단면에서 쉘의 주변과 중앙 부분 사이의 쉘에서 반응 튜브를 갖지 않는 순환통로를 구비함으로써, 열매체가 반응 튜브 영역을 통해 흐를 때보다 순환통로를 통해 흐를 때에 짧은 시간에 주변 영역으로 이동한다.
그러므로 순환통로를 통해 통과하는 열매체는 반응 튜브와 뚜렷하게 접촉하지 않고 적은 양으로 반응열을 회수하기 때문에, 상대적으로 짧은 시간 내에 상대적으로 낮은 온도로 주변 부분에 도달할 수 있도록 상대적으로 높은 온도의 열매체와 혼합한다.
그러나 이러한 종래의 다관식 반응기는 반응 튜브에 유입되는 원료 기체가 열매체의 온도보다 낮은 온도로 유입되기 때문에, 열매체가 반응기 중심 방향을 거쳐 말단으로 갈수록 열을 잃어 열매체의 유입 부분과 말단 부분의 온도가 균일하지 않다는 문제점이 있다.
특허문헌 1: 대한민국 공개특허 제2001-0050267호
본 발명은 상기 문제점을 해소하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 내부에 발생하는 온도편차를 해소한 내부 구조물을 구비한 다관식 반응기를 제공하는 데 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 다관식 반응기는 상부판과 하부판 사이의 중앙에 구비된 지지기둥관; 상기 지지기둥관의 길이 방향을 따라 구비된 다수의 배플판; 상기 상부판과 하부판의 테두리를 따라 구비된 측면 하우징; 상기 측면 하우징의 하부 일측 또는 상기 하부판에 구비된 열매체 유입구; 상기 측면 하우징의 상부 타측 또는 상기 상부판에 구비된 열매체 배출구; 상기 열매체 유입구에 연결된 내부공간에 구비되어 상기 열매체의 이동경로를 위,아래로 반복 형성하여 온도편차를 줄이는 구조물; 및 상기 상부판, 상기 하부판, 상기 다수의 배플판 및 상기 구조물을 관통 구비한 다수의 반응관;을 포함한다.
본 발명의 일실시예에 따른 다관식 반응기에서 상기 구조물은 상기 지지기둥관으로부터 이격되어 상기 지지기둥관을 중심으로 원주를 따라 "ㄱ"자 단면 또는 "T"자 단면으로 상기 하부판에 연결 장착된 제 1 격벽; 상기 제 1 격벽에 대해 내측에 이격하여 상하 반전된 "ㄱ"자 단면 또는 "T"자 단면으로 상기 지지기둥관을 중심으로 원주를 따라 상기 배플판 중 최하부 배플판의 아래면에 연결 장착된 제 2 격벽; 및 상기 제 2 격벽에 대해 내측으로 이격하여 상기 지지기둥관에 원반형태로 구비된 제 3 격벽;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일실시예에 따른 다관식 반응기에서 상기 다수의 배플판은 상기 지지기둥관에 접합되고 상기 측면 하우징에 이격된 원반형태의 배플판; 및 상기 지지기둥관으로부터 이격되고 상기 측면 하우징에 접합된 도넛형태의 배플판;을 포함하고, 상기 원반형태의 배플판과 상기 도넛형태의 배플판은 교대로 다수 구비되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일실시예에 따른 다관식 반응기에서 상기 최하부 배플판은 상기 지지기둥관으로부터 이격되고 상기 측면 하우징에 접합된 도넛형태의 배플판인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일실시예에 따른 다관식 반응기에서 상기 다수의 배플판은 반경의 일 방향으로 절단되어 나선 형태로 상기 지지기둥관 또는 상기 측면 하우징에 접합된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일실시예에 따른 다관식 반응기에서 상기 구조물은 상기 열매체 유입구로부터 이격되어 상기 열매체 유입구를 중심으로 원주를 따라 "ㄱ"자 단면으로 상기 하부판에 연결 장착된 제 1 격벽; 상기 제 1 격벽에 대해 외측으로 이격하여 상하 반전된 "ㄱ"자 단면 또는 "T"자 단면으로 상기 열매체 유입구를 중심으로 원주를 따라 상기 배플판 중 최하부 배플판의 아래면에 연결 장착된 제 2 격벽; 및 상기 제 2 격벽에 대해 외측으로 이격하여 상기 측면 하우징에 도넛형태로 구비된 제 3 격벽;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일실시예에 따른 다관식 반응기에서 상기 지지기둥관의 하단부는 상기 열매체 유입구를 둘러싸는 다수의 하부 봉을 매개로 하여 상기 열매체 유입구에 대응 위치하고, 상기 지지기둥관의 상단부는 상기 열매체 배출구를 둘러싸는 다수의 상부 봉을 매개로 하여 상기 열매체 배출구에 대응 위치하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일실시예에 따른 다관식 반응기에서 상기 최하부 배플판은 상기 측면 하우징으로부터 이격되고 상기 지지기둥관에 접합된 원반형태의 배플판인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 특징 및 이점들은 첨부도면에 의거한 다음의 상세한 설명으로 더욱 명백해질 것이다.
이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이고, 사전적인 의미로 해석되어서는 아니 되며, 발명자가 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합되는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
본 발명의 실시예에 따른 다관식 반응기는 내부적으로 열매체의 온도편차가 심하게 발생하는 하부판 영역에 구조물을 구비하여 온도편차를 감소시킬 수 있고, 이에 따라 균일한 내부 온도를 갖는 상태에서 다수의 반응관을 통해 신뢰성을 있는 제품을 생산할 수 있는 효과가 있다.
도 1a는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 다관식 반응기의 단면도.
도 1b는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 다관식 반응기의 하부 구조를 확대한 확대도.
도 2는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 다관식 반응기의 온도 편차 효과를 설명하기 위한 이미지들.
도 3a는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 다관식 반응기의 단면도.
도 3b는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 다관식 반응기의 하부 구조를 확대한 확대도.
본 발명의 목적, 특정한 장점들 및 신규한 특징들은 첨부된 도면들과 연관되는 이하의 상세한 설명과 바람직한 실시예로부터 더욱 명백해질 것이다. 본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다. 또한, 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 도 1a는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 다관식 반응기의 단면도이고, 도 1b는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 다관식 반응기의 하부 구조를 확대한 확대도이다.
본 발명의 제 1 실시예에 따른 다관식 반응기(100)는 도 1a에 도시된 바와 같이 원통형의 외형을 갖는 구조로서, 상부판(101)과 하부판(102)의 테두리를 따라 구비된 측면 하우징(110), 측면 하우징(110)의 하부 일측에 구비된 열매체 유입구(111), 측면 하우징(110)의 상부 타측에 구비된 열매체 배출구(112), 상부판(101)과 하부판(102) 사이의 중앙에 구비된 지지기둥관(120), 지지기둥관(120)의 길이 방향을 따라 구비된 다수의 배플판(103...106), 열매체 유입구(111)에 연결된 내부공간에 구비되어 열매체의 이동 경로를 위,아래로 반복 형성하여 온도편차를 줄이는 구조물(130), 및 상부판(101)과 하부판(102)을 관통하여 다수의 배플판(103...106)에 관통 구비된 다수의 반응관(140)을 포함한다.
다수의 배플판(103...106)은 도넛형태의 배플판과 원반형태의 배플판을 교대로 구비한 형태로서, 예컨대 제 1 배플판(103)과 제 3 배플판(105)처럼 지지기둥관(120)으로부터 이격되고 측면 하우징(110)에 접합된 도넛형태의 배플판, 및 제 2 배플판(104)과 제 4 배플판(106)처럼 지지기둥관(120)에 접합하고 측면 하우징(110)에 이격된 원반형태의 배플판을 포함하고, 지지기둥관(120)을 따라 도넛형태의 배플판과 원반형태의 배플판을 교대로 장착한 형태이다.
이러한 다수의 배플판(103...106)은 지지기둥관(120) 또는 측면 하우징(110)에 접합 장착되어, 열매체 유입구(111)를 통해 유입된 냉매 또는 열매 등의 열매체가 열매체 배출구(112)로 배출되기까지 지그재그의 순환 경로를 형성한다.
다수의 반응관(140)은 열매체에 의한 냉각 또는 가열의 열전달이 이루어지는 물질이 통과하는 다수의 관으로서, 지지기둥관(120)을 중심으로 원주 방향으로 상부판(101), 하부판(102), 다수의 배플판(103...106) 및 구조물(130)을 관통하도록 다수 구비된다. 이러한 다수의 반응관(140) 내에서는 발열반응 또는 흡열반응의 화학 또는 물리반응이 일어날 수 있다. 여기서, 다수의 반응관(140)을 통과하는 물질은 화학 또는 물리반응 이전의 반응물(들), 화학 또는 물리반응 이후의 생성물(들), 또는 이들의 혼합물일 수 있으며, 화학 또는 물리반응 없이 단순히 열전달만 이루어지는 물질일 수도 있다.
구조물(130)은 다관식 반응기(100)의 내부에 발생하는 온도편차를 줄이기 위해 다관식 반응기(100)의 하부에서 열매체 유입구(111)에 연결된 내부공간에 구비되어 열매체(I)의 이동 경로를 위,아래로 반복 형성한다.
구체적으로, 구조물(130)은 도 1b에 도시된 바와 같이, 지지기둥관(120)으로부터 이격되어 지지기둥관(120)을 중심으로 원주를 따라 "ㄱ"자 단면 또는 "T"자 단면으로 하부판(102)에 연결 장착된 제 1 격벽(131), 제 1 격벽(131)에 대해 내측에 이격하여 상하 반전된 "ㄱ"자 단면 또는 "T"자 단면으로 지지기둥관(120)을 중심으로 원주를 따라 제 1 배플판(103)의 아래면에 연결 장착된 제 2 격벽(132), 및 제 2 격벽(132)에 대해 내측으로 이격하여 지지기둥관(120)에 원반형태로 구비된 제 3 격벽(133)을 포함한다.
이러한 제 1 격벽(131), 제 2 격벽(132) 및 제 3 격벽(133)은 지지기둥관(120)을 중심으로 원주 방향으로 위,아래로 분할 연결되는 공간의 이동 경로를 형성하여, 열매체 유입구(111)를 통해 유입된 열매체(I)가 위,아래로 분할 연결되는 공간의 이동 경로를 따라 이동한다.
즉, 열매체 유입구(111)를 통해 유입된 열매체(I)가 제 1 격벽(131)의 외주면을 따라 원주 순환하고, 제 1 격벽(131)과 제 2 격벽(132) 사이의 이격 공간을 따라 아래의 하부판(102)으로 원주 순환하며, 이어서 제 2 격벽(132)과 제 3 격벽(133) 사이의 이격 공간을 거쳐 상승하여 제 1 배플판(103)과 지지기둥관(120) 사이의 개구부를 통해 위로 이동한다.
이와 같이 제 1 격벽(131), 제 2 격벽(132) 및 제 3 격벽(133)에 의해 형성된 이동경로를 따라 열매체(I)가 구조물(130) 내부에서 위,아래로 이동함에 따라, 구조물(130) 상부에서 다수의 반응관(140)에 의해 가열된 열매체(I)가 낮은 온도를 갖는 아래의 하부판(102) 영역으로 이동하여 열을 전달하고 다관식 반응기(100)의 상부로 이동한다.
이와 같이 구성된 구조물(130)은 예를 들어, 열매체(I)의 온도보다 낮은 온도로 다수의 반응관(140)에 투입되는 원료 물질에 의해 지지기둥관(120) 방향으로 갈수록 열매체(I)가 열을 잃어 온도가 낮아지는 문제점을 제 1 격벽(131), 제 2 격벽(132) 및 제 3 격벽(133)에 의해 형성된 위,아래로 분할 연결되는 공간의 이동 경로를 따라 열매체(I)가 이동하도록 구현하여 해소할 수 있다.
따라서, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 다관식 반응기(100)는 내부적으로 열매체(I)의 온도편차가 심하게 발생하는 하부판(102) 영역에 구조물(130)을 구비하여 온도편차를 감소시킬 수 있고, 이에 따라 균일한 내부 온도를 갖는 상태에서 다수의 반응관(140)을 통해 신뢰성을 있는 제품을 생산할 수 있다.
이하, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 다관식 반응기의 온도 편차 효과에 대해 도 2를 참조하여 설명한다. 도 2는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 다관식 반응기의 온도 편차 효과를 설명하기 위한 이미지들이다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 다관식 반응기는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 다관식 반응기(100)와 유사한 형태를 갖지만, 다수의 배플판(103',...,107')이 반경의 일 방향으로 절단되어 나선 형태로 지지기둥관 또는 측면 하우징에 접합된 구조라는 점에서 차이가 있다. 이에 따라 본 발명의 제 2 실시예에 따른 다관식 반응기에 관한 설명 부분 중에 본 발명의 제 1 실시예에 따른 다관식 반응기(100)에 관한 설명과 동일한 부분에 대해서는 생략한다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 다관식 반응기는 도넛형태의 배플판과 원반형태의 배플판을 교대로 구비한 다수의 배플판(103',...,107')을 포함하고, 이러한 다수의 배플판(103',...,107')이 반경의 일 방향으로 절단되어 나선 형태로 지지기둥관 또는 측면 하우징에 접합된구조로 구현된다. 이러한 다수의 배플판(103',...,107')에 의해 열매체가 다관식 반응기의 내부를 원활하게 이동할 수 있다.
이때, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 다관식 반응기에 구조물(130)을 장착하지 않은 경우와 장착한 경우를 서로 비교하면, 도 2a에 도시된 구조물(130)을 장착하지 않은 다관식 반응기의 온도 분포는 A 영역과 B 영역의 온도 편차 뿐만 아니라 A 영역에서 내측과 외측의 온도편차가 10 ℃로 검출된다.
반면에, 도 2b에 도시된 구조물(130)을 장착한 다관식 반응기의 온도 분포는 도 2a의 온도 분포보다 더욱 균일하게 검출되어, A 영역의 내측과 외측의 온도편차가 4 ℃로 검출된다.
따라서, 본 발명의 제 2 실시예에 따라 구조물(130)을 하부에 장착한 다관식 반응기는 열매체가 다관식 반응기의 내부를 원활하게 이동하면서 내부적으로 상부와 하부의 온도 편차를 줄일 수 있고, 특히 하부에서 내측과 외측의 온도 편차를 줄일 수 있다.
이하, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 다관식 반응기(200)에 대해 도 3a와 도 3b를 참조하여 설명한다. 도 3a는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 다관식 반응기의 단면도이고, 도 3b는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 다관식 반응기의 하부 구조를 확대한 확대도이다.
본 발명의 제 3 실시예에 따른 다관식 반응기(200)는 도 3a에 도시된 바와 같이 원통형의 외형을 갖는 구조로서, 상부판(201)과 하부판(202)의 테두리를 따라 구비된 측면 하우징(210), 하부판(202)의 중앙에 구비된 열매체 유입구(211), 상부판(201)의 중앙에 구비된 열매체 배출구(212), 열매체 유입구(211)와 열매체 배출구(212) 사이에서 열매체 유입구(211)와 열매체 배출구(212)를 둘러싸는 다수의 봉에 의해 연결된 지지기둥관(220), 지지기둥관(220)의 길이 방향을 따라 구비된 다수의 배플판(203,..,207), 열매체 유입구(211)에 연결된 내부공간에 구비되어 열매체의 이동 경로를 위,아래로 반복 형성하여 온도편차를 줄이는 구조물(230), 및 상부판(201), 하부판(202) 및 다수의 배플판(203,..,207)을 관통 구비한 다수의 반응관(240)을 포함한다.
본 발명의 제 3 실시예에 따른 다관식 반응기(200)는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 다관식 반응기(100)와 유사한 형태를 갖지만, 열매체 유입구(211)가 하부판(202)의 중앙에 구비되고 이에 따라 구조물(230)의 구조가 다르다는 점에서 차이가 있다. 이에 따라 본 발명의 제 3 실시예에 따른 다관식 반응기(200)에 관한 설명 부분 중에 본 발명의 제 1 실시예에 따른 다관식 반응기(100)에 관한 설명과 동일한 부분에 대해서는 생략한다.
지지기둥관(220)은 열매체 유입구(211)를 둘러싸는 다수의 하부 봉(221)을 매개로 하여 열매체 유입구(211)에 하단부가 대응 위치하고, 열매체 배출구(212)를 둘러싸는 다수의 상부 봉(222)을 매개로 하여 열매체 배출구(212)에 상단부가 대응 위치한다.
구조물(230)은 도 3b에 도시된 바와 같이, 열매체 유입구(211)로부터 이격되어 열매체 유입구(211)를 중심으로 원주를 따라 "ㄱ"자 단면으로 하부판(202)에 연결 장착된 제 1 격벽(231), 제 1 격벽(231)에 대해 외측으로 이격하여 상하 반전된 "ㄱ"자 단면 또는 "T"자 단면으로 열매체 유입구(211)를 중심으로 원주를 따라 제 1 배플판(203)의 아래면에 연결 장착된 제 2 격벽(232), 및 제 2 격벽(232)에 대해 외측으로 이격하여 측면 하우징(210)에 도넛형태로 구비된 제 3 격벽(233)을 포함한다.
이러한 제 1 격벽(231), 제 2 격벽(232) 및 제 3 격벽(233)은 열매체 유입구(211)를 중심으로 원주 방향으로 위,아래로 분할 연결되는 공간의 이동 경로를 형성하여, 열매체 유입구(211)를 통해 유입된 열매체가 위,아래로 분할 연결되는 공간의 이동 경로를 따라 이동하게 한다.
즉, 열매체 유입구(211)를 통해 유입된 열매체가 다수의 하부 봉(221)을 거쳐 제 1 격벽(231)의 외주면을 따라 원주 순환하고, 제 1 격벽(231)과 제 2 격벽(232) 사이의 이격 공간을 따라 아래의 하부판(202) 방향으로 하강하여 원주 순환하며, 이어서 제 2 격벽(232)과 제 3 격벽(233) 사이의 이격 공간을 거쳐 상승하여 제 1 배플판(203)과 측면 하우징(210) 사이의 개구부를 통해 위로 이동한다.
이와 같이 구성된 구조물(230)은 예를 들어, 열매체의 온도보다 낮은 온도로 다수의 반응관(240)에 투입되는 원료 물질에 의해 온도편차가 심하게 발생하는 하부판(202) 영역에 제 1 격벽(131), 제 2 격벽(132) 및 제 3 격벽(133)에 의해 위,아래로 분할 연결되는 이동 경로 공간을 형성하여, 온도편차를 해소할 수 있다.
따라서, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 다관식 반응기(200)는 내부적으로 열매체의 온도편차가 심하게 발생하는 하부판(202) 영역에 구조물(230)을 구비하여 온도편차를 감소시킬 수 있고, 이에 따라 균일한 내부 온도를 갖는 상태에서 다수의 반응관(240)을 통해 신뢰성을 있는 제품을 생산할 수 있다.
본 발명의 기술사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 전술한 실시예들은 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다.
또한, 본 발명의 기술분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술사상의 범위 내에서 다양한 실시가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
100, 200: 다관식 반응기 101, 201: 상부판
102, 202: 하부판 103, 203: 제 1 배플판
104, 204: 제 2 배플판 105, 205: 제 3 배플판
106, 206: 제 4 배플판 110, 210: 측면 하우징
111, 211: 열매체 유입구 112, 212: 열매체 배출구
120, 220: 지지기둥관 130, 230: 구조물
131, 231: 제 1 격벽 132, 232: 제 2 격벽
133, 233: 제 3 격벽 140, 240: 반응관

Claims (8)

  1. 상부판과 하부판 사이의 중앙에 구비된 지지기둥관;
    상기 지지기둥관의 길이 방향을 따라 구비된 다수의 배플판;
    상기 상부판과 하부판의 테두리를 따라 구비된 측면 하우징;
    상기 측면 하우징의 하부 일측 또는 상기 하부판에 구비된 열매체 유입구;
    상기 측면 하우징의 상부 타측 또는 상기 상부판에 구비된 열매체 배출구;
    상기 열매체 유입구에 연결된 내부공간에 구비되어 상기 열매체의 이동경로를 위,아래로 반복 형성하여 온도편차를 줄이는 구조물; 및
    상기 상부판, 상기 하부판, 상기 다수의 배플판 및 상기 구조물을 관통 구비한 다수의 반응관;
    을 포함하는 다관식 반응기.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 구조물은
    상기 지지기둥관으로부터 이격되어 상기 지지기둥관을 중심으로 원주를 따라 "ㄱ"자 단면 또는 "T"자 단면으로 상기 하부판에 연결 장착된 제 1 격벽;
    상기 제 1 격벽에 대해 내측에 이격하여 상하 반전된 "ㄱ"자 단면 또는 "T"자 단면으로 상기 지지기둥관을 중심으로 원주를 따라 상기 배플판 중 최하부 배플판의 아래면에 연결 장착된 제 2 격벽; 및
    상기 제 2 격벽에 대해 내측으로 이격하여 상기 지지기둥관에 원반형태로 구비된 제 3 격벽;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 다관식 반응기.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 다수의 배플판은
    상기 지지기둥관에 접합되고 상기 측면 하우징에 이격된 원반형태의 배플판; 및
    상기 지지기둥관으로부터 이격되고 상기 측면 하우징에 접합된 도넛형태의 배플판;
    을 포함하고,
    상기 원반형태의 배플판과 상기 도넛형태의 배플판은 교대로 다수 구비되는 것을 특징으로 하는 다관식 반응기.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 최하부 배플판은 상기 지지기둥관으로부터 이격되고 상기 측면 하우징에 접합된 도넛형태의 배플판인 것을 특징으로 하는 다관식 반응기.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 다수의 배플판은
    반경의 일 방향으로 절단되어 나선 형태로 상기 지지기둥관 또는 상기 측면 하우징에 접합된 것을 특징으로 하는 다관식 반응기.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 구조물은
    상기 열매체 유입구로부터 이격되어 상기 열매체 유입구를 중심으로 원주를 따라 "ㄱ"자 단면으로 상기 하부판에 연결 장착된 제 1 격벽;
    상기 제 1 격벽에 대해 외측으로 이격하여 상하 반전된 "ㄱ"자 단면 또는 "T"자 단면으로 상기 열매체 유입구를 중심으로 원주를 따라 상기 배플판 중 최하부 배플판의 아래면에 연결 장착된 제 2 격벽; 및
    상기 제 2 격벽에 대해 외측으로 이격하여 상기 측면 하우징에 도넛형태로 구비된 제 3 격벽;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 다관식 반응기.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 지지기둥관의 하단부는 상기 열매체 유입구를 둘러싸는 다수의 하부 봉을 매개로 하여 상기 열매체 유입구에 대응 위치하고,
    상기 지지기둥관의 상단부는 상기 열매체 배출구를 둘러싸는 다수의 상부 봉을 매개로 하여 상기 열매체 배출구에 대응 위치하는 것을 특징으로 하는 다관식 반응기.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 최하부 배플판은
    상기 측면 하우징으로부터 이격되고 상기 지지기둥관에 접합된 원반형태의 배플판인 것을 특징으로 하는 다관식 반응기.
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