KR20150051486A - 포텐셜이 제어되는 플라즈마를 발생시키는 대기압 플라즈마 발생장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 목적은 플라즈마의 포텐셜이 제어되며 특히 감전 등의 전기 쇼크를 방지하기 위하여 포텐셜이 낮은 플라즈마를 발생시키는 대기압 플라즈마 발생장치를 제공하는 것으로, 하나의 직류 파워써플라이와, 하나의 발진기와, 상기의 발진기에 연결되는 하나의 게이트 드라이버와, 상기의 게이트 드라이버에 의하여 구동되는 하나의 트랜지스터와, 상기 트랜지스터의 드레인에 연결되는 하나의 커패시터와, 상기의 커패시터와 공진하는 하나의 변압기와, 상기의 변압기의 출력에 연결되는 하나의 전극과, 하나의 기체 주입구와, 하나의 플라즈마 분사 노즐과, 대기압 플라즈마와 접촉하여 상기의 대기압 플라즈마의 포텐셜을 샘플링하는 하나의 프로브와, 상기의 프로브의 신호를 증폭하는 증폭기와, 상기의 증폭기와 연결되는 하나의 전극을 포함하여 구성되며, 상기의 대기압 플라즈마의 포텐셜이 제어된다.

Description

포텐셜이 제어되는 플라즈마를 발생시키는 대기압 플라즈마 발생장치 {Atmospheric pressure plasma generator to generate plasma of controlled potential}
본 발명은 상처 치료 등의 의료 목적 혹은 다양한 생체 실험을 위하여 진공이 아닌 대기압에서 플라즈마를 발생시키기 위한 장치로서, 더욱 상세하게는 플라즈마의 포텐셜이 제어되며 특히 감전 등의 전기 쇼크를 방지하기 위하여 포텐셜이 낮은 플라즈마를 발생시키는 대기압 플라즈마 발생장치에 관한 것이다.
주로 반도체 공정 등에 사용되는 플라즈마는 낮은 진공 상태에서 발생시킨다. 그러나 최근 대기압에서의 코팅 및 표면처리는 물론 살균, 소독, 및 상처처리 및 생체 실험 등의 의용 생체 분야에서 대기압 플라즈마의 응용이 높아지고 있다. 그러나 대기압 플라즈마는 높은 전압을 인가하여 발생시키므로 일반적으로 발생된 플라즈마의 포텐셜은 높을 가능성이 크다. 따라서 Zuo 등(비특허문헌 1)이 지적한 바와 같이 높은 포텐셜의 플라즈마에 의하여 인체에 대한 전기 쇼크(electric shock)가 발생할 위험성이 있으며 이것은 극복되어야 할 과제로 남아있다. 종래의 기술, 예를 들면 Anghel 등(비특허문헌 2)이 대기압 플라즈마 발생장치를 설계하는 방법을 제시하고 있으나 이 방법에서 전기쇼크의 위험성이 제거되는 기술이 제공되고 있지 못하다.
도 1은 Anghel 등이 제공하는 종래의 기술에 의한 대기압 플라즈마 발생장치이다. 변압기(150)과 변압기 출력 측의 기생 커패시턴스는 공진을 일으켜서 전극(172)와 전극(173)사이에 고전압이 인가된다. 이때 발생되는 플라즈마(176)의 포텐셜은 일반적으로 높다. 도 1에서 상기의 두 개의 전극은 플라즈마의 분사방향과 평행하게 배열되어 있다.
도 2는 상기의 종래의 기술을 사용하되 전극(272)와 전극(273)이 플라즈마의 분사방향과 수직하게 배열되어 있는 예이다. 이 경우에도 발생되는 플라즈마(276)의 포텐셜은 일반적으로 높다.
이와 같이 종래의 기술에 의하여 발생되는 플라즈마의 포텐셜은 일반적으로 높다. 따라서 대기압 플라즈마에 의한 전기 쇼크를 방지하기 위해서는 포텐셜이 낮은 혹은 포텐셜이 제어되는 플라즈마 발생장치가 필요하다.
(선행기술문헌)
(비특허문헌)
(비특허문헌 1) X. Zuo, Y. Wei, L.W. Chen, Y.D. Meng, and Plasma Medicine Team, "Non-equilibrium atmospheric pressure microplasma jet: An approach to endoscopic therapies", Physics of Plasmas, Vol. 20, 083507, 2013.
(비특허문헌 2) S.D. Anghel, and A. Simon, "Measurement of electrical characteristics of atmospheric pressure non-thermal He plasma", Measurement Science and Technology, Vol. 18, pp. 2642-2648, 2007.
플라즈마의 포텐셜이 제어되며 특히 감전 등의 전기 쇼크를 방지하기 위하여 포텐셜이 낮은 플라즈마를 발생시키는 대기압 플라즈마 발생장치를 제공하는 것이 본 발명의 목적이다.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제 1측면은,
플라즈마를 발생시키는 대기압 플라즈마 발생장치로서,
하나의 직류 파워써플라이(310)와,
하나의 발진기(320)와,
상기의 발진기(320)에 연결되는 하나의 게이트 드라이버(330)와,
상기의 게이트 드라이버(330)에 의하여 구동되는 하나의 트랜지스터(340)와,
상기 트랜지스터(340)의 드레인에 연결되는 하나의 커패시터(342)와,
상기의 커패시터(342)와 공진하는 하나의 변압기(350)와,
상기의 변압기(350)의 출력에 연결되는 하나의 전극(373)과,
하나의 기체 주입구(360)와,
하나의 플라즈마 분사 노즐(371)과,
대기압 플라즈마(376)와 접촉하여 상기의 대기압 플라즈마(376)의 포텐셜을 샘플링하는 하나의 프로브(380)와,
상기의 프로브(380)의 신호를 증폭하는 증폭기(390)와,
상기의 증폭기(390)와 연결되는 하나의 전극(372)을 포함하여 구성되며,
상기의 대기압 플라즈마(376)의 포텐셜이 제어되는 특징을 갖는 장치를 제공하는 것이다.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제 2측면은,
플라즈마를 발생시키는 대기압 플라즈마 발생장치로서,
하나의 직류 파워써플라이(410)와,
하나의 발진기(420)와,
상기의 발진기(420)에 연결되는 하나의 게이트 드라이버(430)와,
상기의 게이트 드라이버(430)에 의하여 구동되는 하나의 트랜지스터(440)와,
상기 트랜지스터(440)에 연결되는 하나의 변압기(450)와,
상기의 변압기(450)의 출력에 연결되는 하나의 전극(473)과,
하나의 기체 주입구(460)와,
하나의 플라즈마 분사 노즐(471)과,
상기의 트랜지스터(440)와 평형되며 상기의 게이트 드라이버(430)에 의하여 구동되는 하나의 트랜지스터(441)와,
상기의 변압기(450)와 반대 극성을 출력하는 하나의 변압기(451)와,
상기의 변압기(450)과 상기 반대 극성의 변압기(451)와 공진하는 하나의 커패시터(442)와,
상기의 반대 극성의 변압기(451)의 출력에 연결되는 하나의 전극(472)와,
상기의 반대 극성의 변압기(451)의 입력에 연결되며 출력이 가변되는 하나의 직류 파워써플라이(411)를 포함하여 구성되며,
상기의 출력이 가변되는 직류 파워써플라이(411)에 의하여 대기압 플라즈마(476)의 포텐셜이 제어되는 특징을 갖는 장치를 제공하는 것이다.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제 3측면은,
플라즈마를 발생시키는 대기압 플라즈마 발생장치로서,
하나의 직류 파워써플라이(510)와,
하나의 발진기(520)와,
상기의 발진기(520)에 연결되는 하나의 게이트 드라이버(530)와,
상기의 게이트 드라이버(430)에 의하여 구동되는 하나의 트랜지스터(540)와,
상기 트랜지스터(440)에 연결되는 하나의 변압기(550)와,
상기의 변압기(550)의 출력에 연결되는 하나의 전극(573)과,
하나의 기체 주입구(560)와,
하나의 플라즈마 분사 노즐(571)과,
상기 트랜지스터(540)와 평형되며 상기의 게이트 드라이버(530)에 의하여 구동되는 하나의 트랜지스터(541)와,
상기의 변압기(550)와 반대 극성을 출력하는 하나의 변압기(551)와,
상기의 변압기(550)과 상기 반대 극성의 변압기(551)와 공진하는 하나의 커패시터(542)와,
상기의 반대 극성의 변압기(551)의 입력에 연결되는 하나의 직류 파워써플라이(511)와,
상기의 반대 극성의 변압기(551)의 출력에 연결되는 하나의 전극(572)과,
대기압 플라즈마(576)와 접촉하여 상기의 대기압 플라즈마(576)의 포텐셜을 샘플링하는 하나의 프로브(580)와,
상기의 프로브(580)의 신호를 검출하는 검출기(590)와,
상기의 검출기(590)에 의하여 출력이 제어되는 하나의 직류 파워써플라이(511)를 포함하여 구성되며,
대기압 플라즈마(576)의 포텐셜이 제어되는 특징을 갖는 장치를 제공하는 것이다.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제 4측면은,
플라즈마를 발생시키는 대기압 플라즈마 발생장치로서,
하나의 직류 파워써플라이(610)와,
하나의 발진기(620)와,
상기의 발진기(620)에 연결되는 하나의 게이트 드라이버(630)와,
상기의 게이트 드라이버(630)에 의하여 구동되는 하나의 트랜지스터(640)와,
상기 트랜지스터(640)의 드레인에 연결되는 하나의 커패시터(642)와,
상기의 커패시터(642)와 공진하며 센터탭이 접지된 하나의 센터탭 변압기(650)와,
상기의 센터탭 변압기(650)의 출력에 연결되는 하나의 전극(673)과,
상기의 센터탭 변압기(650)의 다른 쪽 출력에 연결되는 하나의 가변저항(680)과,
상기의 가변저항(680)과 연결되는 하나의 전극(672)과,
하나의 기체 주입구(660)와,
하나의 플라즈마 분사 노즐(671)을 포함하여 구성되며,
상기의 센터탭 변압기(650)에 연결되는 전극(673)과 상기의 가변저항(680)과 연결되는 전극(672)는 플라즈마의 분사 방향에 수직한 평면(690)에 대칭적인 구조를 갖는 특징과 상기의 대기압 플라즈마(676)의 포텐셜이 제어되는 특징을 갖는 장치를 제공하는 것이다.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제 5측면은,
플라즈마를 발생시키는 대기압 플라즈마 발생장치로서,
하나의 직류 파워써플라이(710)와,
하나의 발진기(720)와,
상기의 발진기(720)에 연결되는 하나의 게이트 드라이버(730)와,
상기의 게이트 드라이버(730)에 의하여 구동되는 하나의 트랜지스터(740)와,
상기 트랜지스터(740)의 드레인에 연결되는 하나의 커패시터(742)와,
상기의 커패시터(742)와 공진하며 센터탭이 접지된 하나의 센터탭 변압기(750)와,
상기의 센터탭 변압기(750)의 출력에 연결되는 하나의 전극(773)과,
상기의 센터탭 변압기(750)의 다른 쪽 출력에 연결되는 하나의 전극(772)과,
하나의 기체 주입구(760)와,
하나의 플라즈마 분사 노즐(771)을 포함하여 구성되며,
상기의 센터탭 변압기(750)에 연결되는 상기의 전극(773)과 상기의 전극(772)는 플라즈마의 분사 방향에 평행한 평면(790)에 대칭적인 구조를 갖는 특징과 상기의 대기압 플라즈마(776)의 포텐셜이 제어되는 특징을 갖는 장치를 제공하는 것이다.
종래의 대기압 플라즈마 발생장치에 의하여 발생되는 플라즈마는 포텐셜이 높은 경우에 감전의 위험과 인가하는 플라즈마의 효과가 부정확하다는 불편함이 있다. 본 발명에 의한 대기압 플라즈마 발생장치는 플라즈마의 포텐셜을 일정한 값으로 제어하는 효과가 있다.
특히 상처 치료 등을 위하여 플라즈마를 인가할 때 감전 등의 전기 쇼크를 방지하기 위하여 포텐셜이 낮은(바람직하게는 포텐셜이 영인) 플라즈마를 발생시키는 효과가 있다. 또한 미생물 등에 플라즈마를 조사시킬 때 미생물이 포텐셜의 영향을 받지 않도록(감전되지 않도록) 하는 효과가 있다. 또한 상처 치료나 미생물에 대한 플라즈마의 조사 효과를 극대화시키기 위하여 플라즈마의 포텐셜을 가변시킬 수 있다.
도 1은 종래 기술에 의한 대기압 플라즈마 발생 장치
도 2는 종래 기술에 의한 대기압 플라즈마 발생 장치
도 3은 본 발명에 의한 포텐셜이 제어되는 플라즈마를 발생시키는 대기압 플라즈마 발생장치의 제 1 실시예
도 4는 본 발명에 의한 포텐셜이 제어되는 플라즈마를 발생시키는 대기압 플라즈마 발생장치의 제 2 실시예
도 5는 본 발명에 의한 포텐셜이 제어되는 플라즈마를 발생시키는 대기압 플라즈마 발생장치의 제 3 실시예
도 6은 본 발명에 의한 포텐셜이 제어되는 플라즈마를 발생시키는 대기압 플라즈마 발생장치의 제 4 실시예
도 7은 본 발명에 의한 포텐셜이 제어되는 플라즈마를 발생시키는 대기압 플라즈마 발생장치의 제 5 실시예
본 발명에 의한 대기압 플라즈마 발생장치의 실시예를 도 3부터 도 7까지에 나타내었다. 각 그림에 나타낸 발명의 모든 실시예는 각각의 특징 혹은 장단점을 갖는다. 본 발명의 실시예에서 제공하는 모든 장치는 두 개의 전극을 사용하며 두 개의 전극에는 부호가 서로 반대인 극성의 전압이 인가된다. 따라서 두 개의 전극에 인가되는 전압의 크기에 따라서 플라즈마의 포텐셜의 극성이 바뀔수 있으며 영(zero)에 가까워질 수도 있다.
또한, 모든 본 발명의 실시예에서 변압기와 커패시터는 공진을 일으켜서 두 개의 전극에 높은 전압을 인가한다. 이때 공진 주파수
Figure pat00001
이며 여기서 L=변압기의 2차(출력)측 누설 인덕턴스와 2차측으로 투영한 1차(입력)측 누설 인덕턴스의 합이다. C는 변압기 2차 측에 존재하는 기생 커패시턴스와 트랜지스터에 병렬로 연결된 커패시터(342 등)를 2차측으로 투영시킨 커패시턴스의 합이다. 상기의 트랜지스터에 병렬로 연결된 커패시터(342 등)의 커패시턴스 값을 변화시키면 공진주파수를 바꿀 수 있다. 변압기의 출력 측과 입력측의 전압비는 권선비에 비례한다. 그러므로 본 발명의 실시예에서 입력 측에 커패시터를 사용하는 것은 내압이 낮은 커패시터를 사용할 수 있다는 장점이 있다. 발진기(320)의 주파수를 공진 주파수에 맞추는 경우 전극 간의 전압은 최대로 된다.
본 발명의 실시예에서 안정된 플라즈마의 발생을 위하여 유전체((374), (474), (574), (674), (774))를 삽입할 수 있다.
도 3, 도 4, 도 5, 도 6에 나타낸 본 발명의 실시예에서 두 개의 전극은 플라즈마 분사 방향과 평행한 방향으로 배치된다. 한편 도 7에 나타낸 실시예에서 두 개의 전극은 플라즈마 분사 방향과 수직한 방향으로 배치된다.
본 발명을 도면과 실시예를 통하여 설명한다.
(제 1 실시예)
도 3에 나타낸 본 발명의 제 1 실시예에서는 프로브(380)에서 플라즈마(375)의 포텐셜을 샘플링하여 증폭기(390)에서 증폭한 후 증폭기(390)의 출력을 플라즈마가 분사되는 쪽의 전극(372)에 인가한다. 플라즈마(375)의 포텐셜은 증폭기(390)의 이득에 비례하여 줄어들게 된다. 이때 프로브(380)와 증폭기(390)는 부궤환 루프의 일부로 작동하므로 프로브(380)와 증폭기(390)전달함수를 루프가 안정되도록 설계하여야 한다. 프로브(380)는 고전압 측정용 오실로스코프 프로브 혹은 이와 유사한 성능의 회로를 사용할 수 있다.
(제 2 실시예)
도 4에 나타낸 본 발명의 제 2 실시예에서는 두 개의 트랜지스터들, 2 개의 변압기들, 2 개의 직류 파워써플라이들은 평형(balanced) 구조를 이룬다. 두 개의 트랜지스터들에는 하나의 게이트 드라이버(430)로 같은 신호를 인가한다. 두 개의 변압기의 출력은 반대의 극성을 가지므로 두 개의 전극에 부호가 반대인 전압이 인가된다. 직류 파워써플라이(411)을 조정하여 플라즈마(476)의 포텐셜을 제어한다. 변압기 입력 측에 연결되는 커패시터(442)를 사용하여 공진주파수를 조절할 수 있다.
(제 3 실시예)
도 5에 나타낸 본 발명의 제 3 실시예는 도 4에 나타낸 제 2 실시예와 매우 유사하다. 다만 직류 파워써플라이(411)의 출력을 조정하기 위하여 프로브(580)을 사용하여 플라즈마(476)의 포텐셜을 샘플링한다. 샘플링된 신호는 검출기(590)에서 검출되며 검출된 신호를 직류 파워써플라이(411)에 인가한다. 상기의 프로브(580), 검출기(590), 직류 파워써플라이(411)는 부궤환 루프의 일부이므로 루프의 안정도를 고려하여야 한다. 프로브(580)는 고전압 측정용 오실로스코프 프로브 혹은 이와 유사한 성능의 회로를 사용할 수 있다. 검출기(590)로는 다이오드 검출기를 사용할 수 있다.
(제 4 실시예와 제 5 실시예)
도 6에 나타낸 본 발명의 제 4 실시예와 도 7에 나타낸 본 발명의 제 5 실시예는 센터탭이 접지된 센터탭 변압기((650) 혹은 (750))를 사용한다. 또한 두 개의 전극((672)와 (673) 혹은 (772)와 (773))은 하나의 기체 주입구((660) 혹은 (760))와 하나의 플라즈마 분사 노즐((671) 혹은 (771)) 사이에 존재하는 특징을 갖는다. 이것은 플라즈마의 포텐셜이 두 개의 전극에 인가되는 전압의 중간값에 가깝게 하기 위함이다.
도 6의 제 4 실시예에서 두 개의 전극((672)와 (673))은 플라즈마 분사 방향과 평행하게 배치되며 플라즈마 분사 방향에 수직한 평면(690)을 대칭면으로 하여 대칭적인 구조를 이룬다. 제 4 실시예에서 전극의 구조는 대칭이지만 플라즈마의 흐름에 의하여 대칭이 조금 어긋날 수 있으므로 가변저항(680)을 사용하여 플라즈마(676)의 포텐셜을 제어한다. 가변저항(680)은 플라즈마가 분사되는 쪽의 전극(673)에 연결된다.
도 7의 제 5 실시예에서 두 개의 전극((772)와 (773))은 플라즈마 분사 방향과 평행하게 배치되며 플라즈마 분사 방향에 평행한 평면(790)을 대칭면으로 하여 대칭적인 구조를 이룬다. 전극의 구조는 플라즈마의 흐름과도 완벽한 대칭을 이룬다. 플라즈마는 대칭면을 중심으로 존재하므로 플라즈마의 포텐셜은 낮아진다.

Claims (5)

  1. 플라즈마를 발생시키는 대기압 플라즈마 발생장치로서,
    하나의 직류 파워써플라이(310)와,
    하나의 발진기(320)와,
    상기의 발진기(320)에 연결되는 하나의 게이트 드라이버(330)와,
    상기의 게이트 드라이버(330)에 의하여 구동되는 하나의 트랜지스터(340)와,
    상기 트랜지스터(340)의 드레인에 연결되는 하나의 커패시터(342)와,
    상기의 커패시터(342)와 공진하는 하나의 변압기(350)와,
    상기의 변압기(350)의 출력에 연결되는 하나의 전극(373)과,
    하나의 기체 주입구(360)와,
    하나의 플라즈마 분사 노즐(371)과,
    대기압 플라즈마(376)와 접촉하여 상기의 대기압 플라즈마(376)의 포텐셜을 샘플링하는 하나의 프로브(380)와,
    상기의 프로브(380)의 신호를 증폭하는 증폭기(390)와,
    상기의 증폭기(390)와 연결되는 하나의 전극(372)을 포함하여 구성되며,
    상기의 대기압 플라즈마(376)의 포텐셜이 제어되는 특징을 갖는 대기압 플라즈마 발생장치.
  2. 플라즈마를 발생시키는 대기압 플라즈마 발생장치로서,
    하나의 직류 파워써플라이(410)와,
    하나의 발진기(420)와,
    상기의 발진기(420)에 연결되는 하나의 게이트 드라이버(430)와,
    상기의 게이트 드라이버(430)에 의하여 구동되는 하나의 트랜지스터(440)와,
    상기 트랜지스터(440)에 연결되는 하나의 변압기(450)와,
    상기의 변압기(450)의 출력에 연결되는 하나의 전극(473)과,
    하나의 기체 주입구(460)와,
    하나의 플라즈마 분사 노즐(471)과,
    상기의 트랜지스터(440)와 평형되며 상기의 게이트 드라이버(430)에 의하여 구동되는 하나의 트랜지스터(441)와,
    상기의 변압기(450)와 반대 극성을 출력하는 하나의 변압기(451)와,
    상기의 변압기(450)과 상기 반대 극성의 변압기(451)와 공진하는 하나의 커패시터(442)와,
    상기의 반대 극성의 변압기(451)의 출력에 연결되는 하나의 전극(472)와,
    상기의 반대 극성의 변압기(451)의 입력에 연결되며 출력이 가변되는 하나의 직류 파워써플라이(411)를 포함하여 구성되며,
    상기의 출력이 가변되는 직류 파워써플라이(411)에 의하여 대기압 플라즈마(476)의 포텐셜이 제어되는 특징을 갖는 대기압 플라즈마 발생장치.
  3. 플라즈마를 발생시키는 대기압 플라즈마 발생장치로서,
    하나의 직류 파워써플라이(510)와,
    하나의 발진기(520)와,
    상기의 발진기(520)에 연결되는 하나의 게이트 드라이버(530)와,
    상기의 게이트 드라이버(430)에 의하여 구동되는 하나의 트랜지스터(540)와,
    상기 트랜지스터(440)에 연결되는 하나의 변압기(550)와,
    상기의 변압기(550)의 출력에 연결되는 하나의 전극(573)과,
    하나의 기체 주입구(560)와,
    하나의 플라즈마 분사 노즐(571)과,
    상기 트랜지스터(540)와 평형되며 상기의 게이트 드라이버(530)에 의하여 구동되는 하나의 트랜지스터(541)와,
    상기의 변압기(550)와 반대 극성을 출력하는 하나의 변압기(551)와,
    상기의 변압기(550)과 상기 반대 극성의 변압기(551)와 공진하는 하나의 커패시터(542)와,
    상기의 반대 극성의 변압기(551)의 입력에 연결되는 하나의 직류 파워써플라이(511)와,
    상기의 반대 극성의 변압기(551)의 출력에 연결되는 하나의 전극(572)과,
    대기압 플라즈마(576)와 접촉하여 상기의 대기압 플라즈마(576)의 포텐셜을 샘플링하는 하나의 프로브(580)와,
    상기의 프로브(580)의 신호를 검출하는 검출기(590)와,
    상기의 검출기(590)에 의하여 출력이 제어되는 하나의 직류 파워써플라이(511)를 포함하여 구성되며,
    대기압 플라즈마(576)의 포텐셜이 제어되는 특징을 갖는 대기압 플라즈마 발생장치.
  4. 플라즈마를 발생시키는 대기압 플라즈마 발생장치로서,
    하나의 직류 파워써플라이(610)와,
    하나의 발진기(620)와,
    상기의 발진기(620)에 연결되는 하나의 게이트 드라이버(630)와,
    상기의 게이트 드라이버(630)에 의하여 구동되는 하나의 트랜지스터(640)와,
    상기 트랜지스터(640)의 드레인에 연결되는 하나의 커패시터(642)와,
    상기의 커패시터(642)와 공진하며 센터탭이 접지된 하나의 센터탭 변압기(650)와,
    상기의 센터탭 변압기(650)의 출력에 연결되는 하나의 전극(673)과,
    상기의 센터탭 변압기(650)의 다른 쪽 출력에 연결되는 하나의 가변저항(680)과,
    상기의 가변저항(680)과 연결되는 하나의 전극(672)과,
    하나의 기체 주입구(660)와,
    하나의 플라즈마 분사 노즐(671)을 포함하여 구성되며,
    상기의 센터탭 변압기(650)에 연결되는 전극(673)과 상기의 가변저항(680)과 연결되는 전극(672)는 플라즈마의 분사 방향에 수직한 평면(690)에 대칭적인 구조를 갖는 특징과 상기의 대기압 플라즈마(676)의 포텐셜이 제어되는 특징을 갖는 대기압 플라즈마 발생장치.
  5. 플라즈마를 발생시키는 대기압 플라즈마 발생장치로서,
    하나의 직류 파워써플라이(710)와,
    하나의 발진기(720)와,
    상기의 발진기(720)에 연결되는 하나의 게이트 드라이버(730)와,
    상기의 게이트 드라이버(730)에 의하여 구동되는 하나의 트랜지스터(740)와,
    상기 트랜지스터(740)의 드레인에 연결되는 하나의 커패시터(742)와,
    상기의 커패시터(742)와 공진하며 센터탭이 접지된 하나의 센터탭 변압기(750)와,
    상기의 센터탭 변압기(750)의 출력에 연결되는 하나의 전극(773)과,
    상기의 센터탭 변압기(750)의 다른 쪽 출력에 연결되는 하나의 전극(772)과,
    하나의 기체 주입구(760)와,
    하나의 플라즈마 분사 노즐(771)을 포함하여 구성되며,
    상기의 센터탭 변압기(750)에 연결되는 상기의 전극(773)과 상기의 전극(772)는 플라즈마의 분사 방향에 평행한 평면(790)에 대칭적인 구조를 갖는 특징과 상기의 대기압 플라즈마(776)의 포텐셜이 제어되는 특징을 갖는 대기압 플라즈마 발생장치.
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