KR20150050455A - Etching method, etching apparatus, and storage medium - Google Patents

Etching method, etching apparatus, and storage medium Download PDF

Info

Publication number
KR20150050455A
KR20150050455A KR1020140148291A KR20140148291A KR20150050455A KR 20150050455 A KR20150050455 A KR 20150050455A KR 1020140148291 A KR1020140148291 A KR 1020140148291A KR 20140148291 A KR20140148291 A KR 20140148291A KR 20150050455 A KR20150050455 A KR 20150050455A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
etching
concentration
liquid
solution
new
Prior art date
Application number
KR1020140148291A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101837800B1 (en
Inventor
후미히로 가미무라
히데아키 사토
유지 가미카와
히로미 하라
히로노부 햐쿠타케
츠카사 히라야마
슈우헤이 다카하시
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20150050455A publication Critical patent/KR20150050455A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101837800B1 publication Critical patent/KR101837800B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02019—Chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

An objective of the present invention is to reduce the amount of etching solution. The etching method comprises an initial preparation process for refilling an etching solution in an etching processing unit and an etching process for performing etching on a target object. The initial preparation process comprises a solution supplying process using a new etching solution with a high concentration of Si. The etching process comprises a part solution exchanging process using a new etching solution with a low concentration of Si.

Description

에칭 방법, 에칭 장치 및 기억 매체{ETCHING METHOD, ETCHING APPARATUS, AND STORAGE MEDIUM}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an etching method, an etching apparatus,

본 발명은 에칭 방법, 에칭 장치 및 기억 매체에 관한 것으로, 특히 반도체 웨이퍼 등의 피처리체에 대하여 에칭액에 의해 에칭 처리를 행하는 에칭 방법, 에칭 장치 및 기억 매체에 관한 것이다.The present invention relates to an etching method, an etching apparatus, and a storage medium. More particularly, the present invention relates to an etching method, an etching apparatus, and a storage medium for performing an etching process on an object to be processed such as a semiconductor wafer by an etching liquid.

종래, 반도체 웨이퍼 등의 피처리체에 대한 웨트 에칭 방법에 있어서는, 에칭액으로서 인산을 사용하여 질화막-산화막에 대한 에칭 처리가 행해지고 있다. 예컨대, 인산 수용액(H3PO4) 등으로 이루어진 에칭액을 처리조에 저류하여, 소정 온도 예컨대 160℃∼180℃로 가열하고, 처리조에 접속된 순환 관로 및 순환 관로에 개재된 순환 펌프 및 온도 컨트롤러 등을 통해 소정 온도의 에칭액을 순환 공급하면서 피처리체 예컨대 반도체 웨이퍼(이하에 웨이퍼라 함)를 에칭 처리하고 있다(일본 특허 공고 평성 제3-20895호 공보 참조).Conventionally, in a wet etching method for an object to be processed such as a semiconductor wafer, etching treatment is performed on the nitride film-oxide film using phosphoric acid as an etching liquid. For example, an etching solution composed of a phosphoric acid aqueous solution (H 3 PO 4 ) or the like is stored in a treatment tank and heated to a predetermined temperature, for example, 160 ° C. to 180 ° C., and a circulation pump connected to the treatment tank and a circulation pump and a temperature controller For example, a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as a wafer) while circulating and supplying an etchant at a predetermined temperature through a heater (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-20895).

상기한 에칭 방법에 있어서, 에칭액의 능력(에칭 레이트)이 에칭액 중의 실리콘 농도에 의존하기 때문에, 웨이퍼를 양호하게 처리하기 위해서는 에칭액 중의 실리콘(Si) 농도를 일정 농도 범위 내로 유지할 필요가 있다. 그러나, 에칭 처리를 반복하여 행하면, 웨이퍼의 실리콘(Si) 성분이 에칭액 중으로 용출되고, 에칭액 중의 실리콘(Si) 농도가 높아지며, 반도체 웨이퍼에 대하여 정밀도 좋게 에칭 처리를 행할 수 없게 된다. 이 때문에, 종래에서는, 정기적으로 처리조 내의 에칭액을 전부 교환하고 있었다.In the above-described etching method, since the ability (etching rate) of the etching solution depends on the silicon concentration in the etching solution, it is necessary to maintain the concentration of silicon (Si) in the etching solution within a certain concentration range in order to treat the wafer well. However, when the etching treatment is repeatedly performed, the silicon (Si) component of the wafer is eluted into the etching solution, the concentration of silicon (Si) in the etching solution becomes high, and the etching treatment can not be performed with high precision on the semiconductor wafer. For this reason, conventionally, all the etching liquid in the treatment tank has been replaced periodically.

종래, Si 농도가 낮은 신규 에칭액(Si 농도가 0)만을 이용하여 에칭 처리를 행하는 경우, 에칭 처리 준비로써 처리조 내로의 에칭액의 공급, 또는, 정기적으로 처리조 내의 에칭액을 전부 교환하는 경우, 실리콘 질화막을 형성한 더미 웨이퍼의 에칭 처리를 행하여 에칭액 중의 Si 농도를 적정 범위 내로까지 높이는 방법(시즈닝)이 행해지고 있다. 이 경우는 액 조정이 번잡해지고, 또한, 처리 시간도 장시간으로 되어 버리기 때문에, 에칭 처리의 스루풋이 저하되어 버린다. 그러나, 에칭 처리 중, 에칭액 중의 Si 농도가 높아지기 때문에 에칭액을 부분적으로 교환함으로써 에칭액 중의 Si 농도를 정해진 일정한 범위로 유지할 때에는 Si 농도를 낮추기 위한 에칭액을 배출하는 양 및 신규 에칭액을 보충하는 양은 소량으로 해결된다.Conventionally, when an etching process is performed using only a new etching liquid having a low Si concentration (Si concentration is 0), when the etching liquid is supplied into the process tank in preparation for etching, or when the etching liquid in the process tank is entirely replaced periodically, (Seasoning) is performed in which the dummy wafer on which the nitride film is formed is etched to raise the Si concentration in the etchant to an appropriate range. In this case, liquid adjustment becomes complicated, and the processing time becomes long, and the throughput of the etching process is lowered. However, when the Si concentration in the etching solution is maintained in a predetermined constant range by partially exchanging the etching solution because the Si concentration in the etching solution becomes high during the etching treatment, the amount of the etching solution for lowering the Si concentration and the amount of supplementing the new etching solution are set to a small amount do.

한편, 실리콘 농도가 높은 신규 에칭액(반도체 웨이퍼를 정밀도 좋게 에칭 처리를 행하기 위해 미리 정해진 범위의 실리콘 농도)만을 이용하여 에칭 처리를 행하는 경우, 에칭 처리 준비로써 처리조 내로의 에칭액의 공급, 또는, 정기적으로 처리조 내의 에칭액을 전부 교환하는 경우, 시즈닝을 행할 필요가 없어, 시즈닝의 시간을 단축할 수 있다. 그러나, 에칭 처리 중, 에칭액 중의 Si 농도가 높아지기 때문에 에칭액을 부분적으로 교환할 때, 다량의 에칭액을 배출하여 다량의 신규 에칭액이 필요하게 된다.On the other hand, when the etching treatment is performed using only a new etching solution having a high silicon concentration (silicon concentration in a predetermined range in order to precisely etch the semiconductor wafer), the etching solution is supplied into the treatment tank, When the etchant in the treatment tank is entirely replaced regularly, it is not necessary to perform seasoning and the time for seasoning can be shortened. However, since the Si concentration in the etching solution becomes high during the etching treatment, when a part of the etching solution is to be replaced, a large amount of etching solution is discharged and a large amount of new etching solution is required.

[특허문헌 1] 일본 특허 공고 평성 제3-20895호 공보[Patent Document 1] Japanese Patent Publication No. Hei 3-20895

본 발명은 이러한 점을 고려하여 이루어진 것으로, 에칭 처리에 있어서 스루풋을 높일 수 있고, 또한, 에칭 처리에 사용되는 에칭액의 양을 적게 억제할 수 있는 에칭 방법, 에칭 장치 및 기억 매체를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide an etching method, an etching apparatus, and a storage medium which can increase the throughput in the etching process and can suppress the amount of the etching liquid used for the etching process to a small extent, .

본 발명은, 에칭 처리부 내에 에칭액을 충전하는 초기 준비 공정과, 상기 에칭 처리부 내에 수납된 피처리체에 대하여 에칭액을 이용하여 에칭 처리를 행하는 에칭 공정을 구비하고, 상기 초기 준비 공정은, 제1 Si 농도의 신규 에칭액을 이용하여 행해지는 액 공급 공정을 포함하며, 상기 에칭 공정은, 제2 Si 농도의 신규 에칭액을 이용하여 행해지는 상기 에칭 처리부 내의 에칭액을 부분적으로 교환하는 부분 액 교환 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭 방법이다.The present invention is characterized by an initial preparation step of filling an etching solution in an etching treatment part and an etching step of performing an etching treatment on an object to be processed stored in the etching treatment part by using an etching solution, Wherein the etching step includes a partial liquid exchange step of partially replacing the etchant in the etching processing section performed using the new etching liquid of the second Si concentration Etching method.

본 발명은, 피처리체에 대하여 에칭 처리를 행하는 에칭 장치에 있어서, 피처리체를 수납하여 에칭액에 의해 에칭 처리를 행하는 에칭 처리부와, 상기 에칭 처리부에 있어서 에칭 처리에 제공된 에칭액을 배출하는 배출부와, 상기 에칭 처리부에 신규 에칭액을 공급하는 공급부와, 상기 에칭 처리부와, 상기 배출부와, 상기 공급부를 구동 제어하는 제어 장치를 구비하고, 상기 공급부는 제1 Si 농도의 신규 에칭액을 공급하는 제1 공급부와, 제2 Si 농도의 신규 에칭액을 공급하는 제2 공급부를 가지며, 상기 제어 장치는, 에칭 처리부 내에 에칭액을 충전하는 초기 준비 공정과, 상기 에칭 처리부 내에 수납된 피처리체에 대하여 에칭액을 이용하여 에칭 처리를 행하는 에칭 공정을 실행하고, 상기 초기 준비 공정은, 상기 제1 공급부로부터 공급되는 제1 Si 농도의 신규 에칭액을 이용하여 행해지는 액 공급 공정을 포함하며, 상기 에칭 공정은, 상기 제2 공급부로부터 공급되는 제2 Si 농도의 신규 에칭액을 이용하여 행해지는 상기 에칭 처리부 내의 에칭액을 부분적으로 교환하는 부분 액 교환을 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭 장치이다.The present invention relates to an etching apparatus for performing an etching process on an object to be processed, the etching apparatus comprising: an etching processing unit for storing an object to be processed and performing an etching process using an etching liquid; a discharge unit for discharging an etching liquid provided in the etching process, And a control unit for driving and controlling the supply unit, wherein the supply unit includes a first supply unit for supplying a new etchant of a first Si concentration, a second supply unit for supplying a new etchant of a first Si concentration, And a second supply part for supplying a new etching solution of a second Si concentration, wherein the control device includes: an initial preparation step of filling the etching solution in the etching treatment part; an etching step of etching the object to be processed stored in the etching treatment part using an etching solution And the initial preparation step includes a first supplying step of supplying a first Si concentration Wherein the etching step includes a step of partially replacing the etching solution in the etching treatment section which is performed using the new etching solution of the second Si concentration supplied from the second supply section, And a liquid exchange.

컴퓨터에 에칭 방법을 실행시키기 위한 컴퓨터 프로그램을 저장한 기억 매체에 있어서, 에칭 방법은, 에칭 처리부 내에 에칭액을 충전하는 초기 준비 공정과, 상기 에칭 처리부 내에 수납된 피처리체에 대하여 에칭액을 이용하여 에칭 처리를 행하는 에칭 공정을 구비하고, 상기 초기 준비 공정은, 제1 Si 농도의 신규 에칭액을 이용하여 행해지는 액 공급 공정을 포함하며, 상기 에칭 공정은, 제2 Si 농도의 신규 에칭액을 이용하여 행해지는 상기 에칭 처리부 내의 에칭액을 부분적으로 교환하는 부분 액 교환 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기억 매체이다.A computer-readable storage medium storing a computer program for causing an computer to execute an etching method, the method comprising: an initial preparation step of filling an etching solution in an etching processing part; an etching step of performing an etching process on an object to be processed stored in the etching processing part, Wherein the initial preparation step includes a liquid supply step of performing a cleaning using a new etching solution of a first Si concentration and the etching step is performed using a new etching solution of a second Si concentration And a partial liquid exchange step of partially replacing the etching liquid in the etching processing section.

이상과 같이 본 발명에 따르면, 에칭 처리에 있어서, 스루풋을 높일 수 있고, 또한, 에칭 처리에 사용되는 에칭액의 양을 적게 억제할 수 있다.As described above, according to the present invention, the throughput can be increased in the etching process, and the amount of the etching solution used in the etching process can be suppressed to a small extent.

도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 에칭 장치를 도시한 개략도.
도 2의 (a), (b), (c)는 본 발명의 에칭 방법을 도시한 도면.
도 3은 본 발명의 에칭 방법에 있어서의 인산 농도의 제어를 도시한 도면.
도 4의 (a), (b), (c)는 비교예로서의 에칭 방법을 도시한 도면.1 is a schematic view showing an etching apparatus according to an embodiment of the present invention;
2 (a), 2 (b) and 2 (c) are diagrams showing an etching method of the present invention.
3 is a view showing control of the phosphoric acid concentration in the etching method of the present invention.
4 (a), 4 (b) and 4 (c) are diagrams showing an etching method as a comparative example.

실시형태Embodiment

도 1 내지 도 4에 의해, 본 발명의 실시형태에 대해서 설명한다.An embodiment of the present invention will be described with reference to Figs. 1 to 4. Fig.

우선, 피처리체 예컨대 웨이퍼(W)에 형성된 실리콘 산화막(SiO2) 및 실리콘 질화막(Si4N3) 중 실리콘 질화막을 선택적으로 에칭 제거하는 처리가 요구되고 있고, 웨이퍼(W)를 고온, 예컨대 100℃∼180℃의 에칭액, 인산 수용액(H3PO4) 중에 침지하여 실리콘 질화막의 에칭 처리를 행한다. 이 에칭 방법에 있어서는, 실리콘 질화막을 에칭하여 실리콘 산화막의 에칭 레이트를 억제하는 것이 중요해진다.A process of selectively etching and removing a silicon nitride film in a silicon oxide film (SiO 2 ) and a silicon nitride film (Si 4 N 3 ) formed on a wafer W is required and the wafer W is heated at a high temperature, for example, 100 (H 3 PO 4 ) to etch the silicon nitride film. In this etching method, it is important to suppress the etching rate of the silicon oxide film by etching the silicon nitride film.

우선 에칭 방법을 행하는 에칭 장치에 대해서 설명한다.First, an etching apparatus that performs an etching method will be described.

에칭 장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 도시하지 않은 웨이퍼 보트에 의해 표면이 수직으로 유지되는 웨이퍼(W)를 수용하고, 에칭액을 저류하는 내부조(10a)와 내부조(10a)로부터 오버 플로우한 에칭액을 수용하는 외부조(10b)를 포함하며, 피처리체인 반도체 웨이퍼(W)[이하에 웨이퍼(W)라 함]를 내부조(10a)에 수용하고, 에칭액(E)[예컨대 인산 수용액(H3PO4)]을 내부조(10a)에 저류하는 처리조(에칭 처리부)(10)와, 외부조(10b)로부터 에칭액(E)을 방출하고, 이 에칭액(E)을 내부조(10a)로 순환 공급하는 순환 라인(20)과, 순환 라인(20)에 접속되어 처리조(10) 내의 에칭액(E)을 배출하는 제1 배출부(배출 라인)(30)와, 처리조(10) 내에 신규 에칭액(E)을 공급하는 공급부(15)를 구비하고 있다.As shown in Fig. 1, the etching apparatus includes an inner bath 10a for holding a wafer W whose surface is held vertically by a wafer boat (not shown), an inner bath 10a for storing the etching solution, And a semiconductor wafer W (hereinafter referred to as a wafer W) is placed in the inner tank 10a and an etching solution E (for example, phosphoric acid aqueous solution (H 3 PO 4)] to the treatment tank (etching processing unit) 10 for storing the inner tank (10a), emitting an etching liquid (E) from the external tank (10b), and the etching solution (E) inside the tank A first discharge unit (discharge line) 30 connected to the circulation line 20 for discharging the etching liquid E in the treatment tank 10, a circulation line 20 connected to the circulation line 20, (15) for supplying a new etching solution (E) into the etching solution (10).

이와 같이 구성되는 내부조(10a)의 측부 및 바닥부에는 패널 히터(11)가 부착되어, 처리조(10) 내의 에칭액(E)이 소정 온도 예컨대 100℃∼180℃로 설정되도록 구성되어 있다. 또한, 내부조(10a) 내의 바닥부측에는, 순환 라인(20)에 접속된 노즐(12)이 설치되고, 순환 라인(20)으로부터 순환 공급되는 에칭액(E)을 이 노즐(12)에 의해 균일하게 내부조(10a) 내로 보내도록 되어 있다.A panel heater 11 is attached to the side and bottom of the inner tank 10a thus configured so that the etchant E in the treatment tank 10 is set at a predetermined temperature, for example, 100 占 폚 to 180 占 폚. A nozzle 12 connected to the circulation line 20 is provided on the bottom side of the inner tank 10a and an etchant E circulated and supplied from the circulation line 20 is uniformly So as to be fed into the inner tank 10a.

또한, 순환 라인(20)은, 외부조(10b)의 하측부와 내부조(10a) 내에 설치된 노즐(12)에 접속되어 있고, 이 순환 라인(20)에는, 상류측에서부터, 순환 펌프(21), 온도 컨트롤러(22) 및 필터(23)가 순차 설치되어 있다. 이 중 온도 컨트롤러(22)는 에칭액(E)을 가열하는 히터를 포함하고 있다.The circulation line 20 is connected to the lower portion of the outer tank 10b and the nozzle 12 provided in the inner tank 10a and the circulation line 20 is connected to the circulation pump 21 A temperature controller 22, and a filter 23 are sequentially installed. Among them, the temperature controller 22 includes a heater for heating the etching liquid E.

다음에 공급부(15)에 대해서 설명한다. 공급부(15)는 인산 수용액(H3PO4 수용액)을 수납하여 공급하는 2개의 에칭액용 탱크(15A, 15B)를 갖고 있다. 이 중, 에칭액용 탱크(15A)는 고 Si 농도(반도체 웨이퍼를 정밀도 좋게 에칭 처리를 행하기 위해서 미리 정해진 범위의 실리콘 농도: 제1 Si 농도)의 인산 수용액을 수납하는 것으로서, 히터(15h)를 포함하고 있다. 또한, 에칭액용 탱크(15B)는 저 Si 농도(Si 농도가 0, 또는, 고 Si 농도의 농도 범위보다 낮은 실리콘 농도: 제2 Si 농도)의 인산 수용액을 수납하는 것으로서, 히터(15i)를 포함하고 있다.Next, the supply unit 15 will be described. The supply unit 15 has two etching liquid tanks 15A and 15B for storing and supplying an aqueous phosphoric acid solution (H 3 PO 4 aqueous solution). Among them, the etching tank 15A stores a phosphoric acid aqueous solution having a high Si concentration (a silicon concentration in a predetermined range in order to precisely etch a semiconductor wafer with a first Si concentration), and a heater 15h . The tank for etchant 15B stores an aqueous solution of phosphoric acid having a low Si concentration (Si concentration is zero or a silicon concentration lower than the concentration range of high Si concentration), and includes a heater 15i .

또한, 에칭액용 탱크(15A)는 고 Si 농도의 인산 수용액을 수납하여 공급하는 제1 공급부가 되고, 에칭액용 탱크(15B)는 저 Si 농도의 인산 수용액을 수납하여 공급하는 제2 공급부가 된다.The etching liquid tank 15A is a first supply section for storing and supplying a high-Si concentration aqueous phosphoric acid solution, and the etching liquid tank 15B is a second supply section for storing and supplying a low-Si concentration aqueous phosphoric acid solution.

그런데 에칭액용 탱크(15A)에는 고 Si 농도의 인산 수용액을 공급하는 고 Si 농도 인산 수용액 공급원(16A)이, 접속 라인(16a)을 통해 접속되고, 에칭액용 탱크(15B)에는 저 Si 농도의 인산 수용액을 공급하는 저 Si 농도 인산 수용액 공급원(16B)이 접속 라인(16b)을 통해 접속되어 있다.A high Si concentration aqueous phosphoric acid solution supply source 16A for supplying a high Si concentration aqueous phosphoric acid solution is connected to the etching tank 15A through a connection line 16a and a low Si concentration phosphoric acid And a low Si concentration aqueous phosphoric acid solution supply source 16B for supplying an aqueous solution is connected via a connection line 16b.

또한, Si 용액을 수납하는 Si 용액용 탱크(18)가 설치되고, 이 Si 용액용 탱크(18)에는 Si 용액 공급원(19)이 접속 라인(19a)을 통해 접속되어 있다. 게다가, Si 용액용 탱크(18)에는 밸브(V10)를 갖는 접속 라인(18a)이 접속되고, 이 접속 라인(18a)은 접속 라인(16b)에 접속되어 있다.A Si solution tank 18 for containing a Si solution is provided and the Si solution supply source 19 is connected to the Si solution tank 18 via a connection line 19a. In addition, there has been a connection line (18a) having a valve (V 10) connected to Si solution tank (18), is connected to the line (18a) is connected to a connection line (16b).

또한, 에칭액용 탱크(15A) 내의 에칭액은, 밸브(V1)를 갖는 접속 라인(15a)을 통해 내부조(10a)에 공급된다. 에칭액용 탱크(15B) 내의 에칭액은, 밸브(V4) 및 밸브(V5)를 갖는 접속 라인(15b)을 통해 외부조(10b)에 공급된다. 에칭액용 탱크(15B)의 접속 라인(15b)에는 유량 제어 기구(39)가 부착되어 있다. 또한, 에칭액용 탱크(15A)에는, 에칭액용 탱크(15B)의 접속 라인(15b)에 합류하는 접속 라인(15c)이 접속되고, 이 접속 라인(15c)에는 밸브(V2) 및 밸브(V3)가 설치되어 있다. 또한, 에칭액용 탱크(15B)에는, 에칭액용 탱크(15A)의 접속 라인(15a)에 합류하는 접속 라인(15d)이 접속되고, 이 접속 라인(15d)에는 밸브(V9)가 설치되어 있다.Further, the etching solution in the etching solution tank (15A) for is supplied to the inner tank (10a) via a valve (V 1) connected to lines (15a) having a. An etching solution in the etching liquid tank (15B) for is supplied to the external tank (10b) through a valve (V 4) and a valve (V 5) a connection line (15b) having a. A flow rate control mechanism 39 is attached to the connection line 15b of the etching liquid tank 15B. Further, the valve (V 2) and the valve has an etching solution tank (15A) for the connection line (15c) joined to the connection line (15b) of the etching liquid tank (15B) for being connected, a connection line (15c) (V 3 ) are installed. In addition, there etching liquid tank (15B) for the connection line (15d) joined to the connection line (15a) of the etching solution tank (15A) for being connected, in a connection line (15d) a valve (V 9) are provided .

또한, 순환 라인(20)의 필터(23)의 하류측에는, 분기 라인(31)이 접속되고, 분기 라인(31)은 외부조(10b)에 접속되어 있다. 이 경우, 분기 라인(31)에는, 농도 측정부(27)와, 용출 성분 측정부(26)가 순차 설치되어 있다.The branch line 31 is connected to the downstream side of the filter 23 of the circulation line 20 and the branch line 31 is connected to the outer tank 10b. In this case, the concentration measuring unit 27 and the eluted component measuring unit 26 are sequentially provided on the branch line 31. [

이 중, 용출 성분 측정부(26)는, 에칭 처리에 제공된 에칭액(E) 중의 실리콘 용출 성분의 농도를 빛의 굴절률을 이용하여 측정하는 것이고, 농도 측정부(27)는 에칭액(E)의 농도, 구체적으로는 인산 수용액의 농도를 빛의 굴절률을 이용하여 측정하는 것이다. 또한, 처리조(10)의 내부조(10a)의 바닥부에는, 밸브(V8)를 갖는 제2 배출부(배출 라인)(33)가 접속되어 있다.The elution component measuring portion 26 measures the concentration of the silicon eluting component in the etching solution E provided for the etching treatment by using the refractive index of light and the concentration measuring portion 27 measures the concentration of the etching solution E Specifically, the concentration of the aqueous phosphoric acid solution is measured by using the refractive index of light. A second discharge portion (discharge line) 33 having a valve V8 is connected to the bottom of the inner tank 10a of the treatment tank 10.

또한, 도 1에 도시된 바와 같이, 순수(DIW)를 공급하는 DIW 공급원(40)이 설치되고, 이 DIW 공급원(40)은 접속 라인(40a)을 통해 처리조(10)의 외부조(10b)에 접속되어 있다.1, a DIW supply source 40 for supplying pure water DIW is installed and the DIW supply source 40 is connected to the outer tank 10b of the treatment tank 10 via the connection line 40a .

게다가, 순환 라인(20)에는 배출 라인(30)이 접속되고, 순환 라인(20)으로부터 방출된 에칭액은 배출 라인(30)으로부터 바깥쪽으로 배출된다. 또한, 이 배출 라인(30)에는, 밸브(V6), 밸브(V7) 및 유량 제어 기구(41)가 설치되어 있다.In addition, a discharge line 30 is connected to the circulation line 20, and the etchant discharged from the circulation line 20 is discharged outwardly from the discharge line 30. Further, in the discharge line (30), a valve (V 6), the valve (V 7) and a flow rate control mechanism 41 is provided.

그런데 용출 성분 측정부(26)와 농도 측정부(27)는, 제어 장치(100)에 접속된다. 그리고 제어 장치(100)에 의해, 상기한 각 기능 부품, 예컨대 순환 라인(20)의 순환 펌프(21) 및 온도 컨트롤러(22), 에칭용 탱크(15A, 15B), 고 Si 농도 인산 수용액 공급원(16A), 저 Si 농도 인산 수용액 공급원(16B), 유량 제어 기구(39, 41), 패널 히터(11) 및 각각의 밸브(V1∼V7)가 구동 제어된다. 제어 장치(100)는 하드웨어로서, 예컨대 범용 컴퓨터와, 소프트웨어로서 상기 컴퓨터를 동작시키기 위한 프로그램(장치 제어 프로그램 및 처리 레시피 등)에 의해 실현할 수 있다. 소프트웨어는, 컴퓨터에 고정적으로 설치된 하드 디스크 드라이브 등의 기억 매체에 저장되거나, 혹은 CDROM, DVD, 플래시 메모리 등의 착탈 가능하게 컴퓨터에 세트되는 기억 매체에 저장된다. 이러한 기억 매체가 참조 부호 100a로 도시되어 있다. 프로세서(100b)는 필요에 따라 도시하지 않은 사용자 인터페이스로부터의 지시 등에 기초하여 소정의 처리 레시피를 기억 매체(100a)로부터 호출하여 실행시키고, 이것에 의해 제어 장치(100)의 제어 하에서 에칭 장치의 각 기능 부품이 동작하여 소정의 처리가 행해진다.However, the eluted component measuring unit 26 and the concentration measuring unit 27 are connected to the control device 100. Then, the control device 100 controls the circulation pump 21 and the temperature controller 22 of the circulating line 20, the etching tanks 15A and 15B, the high Si concentration aqueous phosphoric acid solution source ( The low Si concentration aqueous phosphoric acid solution supply source 16B, the flow rate control mechanisms 39 and 41, the panel heater 11 and the respective valves V 1 to V 7 are driven and controlled. The control device 100 can be implemented as hardware, for example, by a general-purpose computer and a program (such as a device control program and a process recipe) for operating the computer as software. The software is stored in a storage medium such as a hard disk drive fixedly installed in the computer or in a storage medium removably installed in the computer such as a CD ROM, a DVD, or a flash memory. This storage medium is shown at 100a. The processor 100b calls and executes a predetermined processing recipe from the storage medium 100a based on an instruction from a user interface (not shown) or the like as needed, The functional component operates and a predetermined process is performed.

다음에, 상기 에칭 장치를 이용하여 제어 장치(100)에 의해 행해지는 에칭 방법에 대해서 도 2 및 도 3에 의해 설명한다.Next, an etching method performed by the control device 100 using the etching apparatus will be described with reference to FIG. 2 and FIG. 3. FIG.

여기서 도 2의 (a)는 에칭액 중의 Si 농도를 나타낸 도면이고, 도 2의 (b)는 에칭액 중의 인산 수용액의 농도를 나타낸 도면이며, 도 2의 (c)는 에칭액의 온도를 나타낸 도면이다. 또한, 도 3은 인산 농도의 제어를 나타낸 도면이다.2 (a) shows the Si concentration in the etching solution, FIG. 2 (b) shows the concentration of the aqueous phosphoric acid solution in the etching solution, and FIG. 2 (c) shows the temperature of the etching solution. 3 is a view showing the control of the phosphoric acid concentration.

우선, 미리 고 Si 농도 인산 수용액 공급원(16A)으로부터 고 Si 농도 인산 수용액이 에칭액용 탱크(15A)에 공급되고, 저 Si 농도 인산 수용액 공급원(16B)으로부터 저 Si 농도 인산 수용액(Si 농도가 0)이 에칭액용 탱크(15B)에 공급된다.First, a high Si concentration phosphoric acid aqueous solution is supplied from the high Si concentration phosphoric acid aqueous solution supply source 16A to the etching solution tank 15A and a low Si concentration aqueous phosphoric acid aqueous solution (Si concentration is zero) is supplied from the low Si concentration phosphoric acid aqueous solution supply source 16B. Is supplied to the etchant tank 15B.

(초기 준비 공정)(Initial preparation process)

다음에 도 2의 (a)∼(c)에 도시된 바와 같이, 초기 준비 공정이 행해진다. 우선 내부조(10a) 내에 에칭액용 탱크(15A)로부터 밸브(V1)를 개방하여 신규 에칭액(E)[고 Si 농도의 인산 수용액(H3PO4)]을 공급한다. 그 후, 내부조(10a) 내의 에칭액을 오버 플로우시켜 외부조(10b)로 보낸다. 다음에, 순환 펌프(21)를 구동하여, 외부조(10b)에 오버 플로우한 에칭액(E)을 순환 라인(20)을 통해 내부조(10a)로 되돌리도록 순환시킨다. 이와 같이 하여 처리조(10) 내에 에칭액(E)이 충전된다. 처리조(10) 내로의 에칭액(E)의 충전이 완료되면 밸브(V1)를 폐쇄하여 에칭액(E)의 공급을 정지한다. 다음에, 온도 컨트롤러(22)에 의해, 에칭액(E)을 소정 온도(100℃∼180℃)까지 가열하여 비등 상태로 한다.Next, as shown in Figs. 2 (a) to 2 (c), an initial preparation step is performed. First, open the valve (V 1) from the etching solution tank (15A), into the inner tank (10a) and supplies the new etching solution (E) [and aqueous solution of phosphoric acid (H 3 PO 4) in the Si concentration]. Thereafter, the etching solution in the inner tank 10a is overflowed and sent to the outer tank 10b. Next, the circulation pump 21 is driven to circulate the etchant E overflowing the outer tank 10b to return to the inner tank 10a through the circulation line 20. Then, In this manner, the etching solution E is filled in the treatment bath 10. [ When the filling of the etching liquid E into the processing bath 10 is completed, the valve V 1 is closed to stop the supply of the etching liquid E. Next, the etchant E is heated to a predetermined temperature (100 deg. C to 180 deg. C) by the temperature controller 22 to bring it into a boiling state.

에칭액(E)이 승온하여 비등 상태가 된 후에는, 온도 컨트롤러(22)에 의해 순환 라인(20) 내의 에칭액(E)에 부여되는 열량을 조정함으로써, 내부조(10a) 내의 에칭액(E)이 비등 상태를 유지하는 소정 온도로 유지된다.The temperature controller 22 adjusts the amount of heat applied to the etchant E in the circulation line 20 so that the etchant E in the inner tank 10a is heated And is maintained at a predetermined temperature maintaining the boiling state.

또한, 원하는 에칭 레이트로 에칭을 행하기 위해서는, 에칭액(E)을 소정 농도로 유지할 필요가 있고, 또한, 에칭액(E)의 온도는 상기 소정 농도의 에칭액(E) 고유의 비점 온도로 유지한다. 이와 같이 하여, 처리조(10) 내에서 웨이퍼(W)의 에칭 처리를 할 수 있는 상태가 준비된다(초기 준비 공정).Further, in order to perform etching at a desired etching rate, it is necessary to maintain the etching liquid E at a predetermined concentration, and the temperature of the etching liquid E is maintained at the boiling point temperature inherent to the predetermined concentration of the etching liquid E. In this way, a state in which the wafer W can be etched in the treatment bath 10 is prepared (initial preparation step).

이와 같이 초기 준비 공정에서는 신규 에칭액이 고 Si 농도를 갖기 때문에, 종래의 시즈닝 시간을 없애거나 또는 단축할 수 있다.Thus, in the initial preparation step, since the new etching solution has a high Si concentration, the conventional seasoning time can be eliminated or shortened.

(에칭 공정)(Etching process)

이 상태에서, 도시하지 않은 웨이퍼 보트로써 수직으로 유지된 웨이퍼(W)가, 내부조(10a)에 수용된다. 웨이퍼(W)는, 내부조(10a) 내의 에칭액(E)에 소정 시간 침지되어 에칭된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 처리조(10)로부터 꺼내어진다. 그 후, 새로운 웨이퍼(W)가 내부조(10a)에 수용되어 처리된다. 상기 에칭 처리는, 반복하여 행해진다. 에칭 방법은 제1 에칭 공정, 제2 에칭 공정 및 제3 에칭 공정, ···을 포함하는 복수의 에칭 공정과, 이들 에칭 공정 사이의 인터벌 공정을 포함한다[도 2의 (a), (b), (c) 참조].In this state, the wafer W held vertically by a wafer boat (not shown) is accommodated in the inner tank 10a. The wafer W is immersed in the etchant E in the inner tank 10a for a predetermined time and etched. Thereafter, the wafer W is taken out from the treatment tank 10. Thereafter, a new wafer W is accommodated in the inner tank 10a and processed. The etching process is repeatedly performed. The etching method includes a plurality of etching processes including a first etching process, a second etching process and a third etching process, and an interval process between these etching processes (FIGS. 2A, 2B, ), (c)).

여기서 에칭 공정이란, 웨이퍼(W)가 내부조(10a) 내의 에칭액(E) 중에 침지되어 있는 경우를 말하고, 에칭 공정 사이의 인터벌 공정이란, 웨이퍼(W)가 내부조(10a) 내의 에칭액(E) 중에 침지되어 있지 않은 경우, 즉 제n 번째의 에칭 공정이 종료되어 1 에칭 공정 단위분의 웨이퍼(W)가 내부조(10a)로부터 꺼내어지고, 제n+1 번째의 에칭 처리를 시작하기 위해 다음 1 처리 단위분의 웨이퍼(W)가 내부조(10a)에 침지될 때까지의 사이를 말한다. 이 복수의 에칭 공정에 있어서, 에칭액(E)은, 순환 라인(20)을 통해 계속적으로 순환된다.The etching process refers to the case where the wafer W is immersed in the etching solution E in the inner bath 10a and the interval process between the etching processes means that the wafer W is etched in the etching solution E ), That is, the n-th etching process is completed, the wafer W for one etching unit is taken out from the inner bath 10a, and the (n + 1) -th etching process is started Until the wafer W of the next one processing unit is immersed in the inner tank 10a. In this plurality of etching processes, the etching liquid E is continuously circulated through the circulation line 20.

에칭 처리를 행함으로써, 내부조(10a) 내의 에칭액(E) 중에는, 웨이퍼(W)로부터 실리콘(Si)분이 용출된다.The silicon (Si) portion is eluted from the wafer W into the etching liquid E in the inner bath 10a.

이러한 에칭 처리를 반복하여 행하면, 에칭액(E) 중에 웨이퍼(W)로부터 실리콘(Si)분이 용출되고, 에칭액 중의 용출 성분 농도(Si 농도 또는 실리콘 농도)가 지나치게 높아지면 에칭액의 성형이 악화된다.If this etching treatment is repeatedly performed, the amount of silicon (Si) is eluted from the wafer W into the etching liquid E, and if the concentration of the elution component (Si concentration or silicon concentration) in the etching liquid becomes too high, the formation of the etching liquid becomes worse.

본 발명에 있어서는, 이러한 경우에 대응하기 위해, 다음과 같은 제어가 행해진다.In the present invention, in order to cope with such a case, the following control is performed.

즉, 우선 각 에칭 공정 중, 제어 장치(100)에 의해 밸브(V6) 및 밸브(V7)가 구동되어, 내부조(10a) 내에서 에칭 처리에 제공된 에칭액(E)이 제1 설정량만큼 순환 라인(20)으로부터 배출 라인(30)측으로 배출되며, 다음에 배출 라인(30)으로부터 바깥쪽으로 배출된다.In other words, first, the valve (V 6) and the valve (V 7) driven by the control device 100 of each of the etching process, the inner tank (10a) an etching solution (E) provided in the etching process in the amount of the first set And then discharged from the discharge line 30 to the outside.

동시에, 제어 장치(100)에 의해 밸브(V4, V5) 및 유량 제어 기구(39)가 구동되어, 에칭액용 탱크(15B)로부터 접속 라인(15b)을 거쳐 저 Si 농도 인산 수용액(Si 농도가 0)이 제2 설정량만큼 처리조(10)의 외부조(10b) 내로 공급된다.At the same time, by the controller 100, the valve (V 4, V 5) and the flow control mechanism 39 is driven, a low Si concentration aqueous solution of phosphoric acid (Si concentration via a connection line (15b) from the etching liquid tank (15B) for 0) is supplied into the outer tank 10b of the treatment tank 10 by the second set amount.

이와 같이 하여 처리조(10) 내의 에칭 처리에 제공된 에칭액(E)을 제1 설정량만큼 배출하고, 신규 에칭액을 제2 설정량만큼 처리조(10) 내에 공급함으로써, 처리조(10) 내의 에칭액(E)을 부분 액 교환할 수 있다. 이 경우, 에칭액(E)을 제1 설정량만큼 배출하고, 동시에 신규 에칭액(E)을 제2 설정량만큼 공급함으로써, 처리조(10) 내의 에칭액의 액면을 대략 일정하게 유지할 수 있다.The etching solution E supplied to the etching treatment in the treatment tank 10 is discharged by the first predetermined amount and the new etching solution is supplied into the treatment tank 10 by the second predetermined amount, (E) can be partially liquid exchanged. In this case, the liquid level of the etchant in the treatment tank 10 can be kept substantially constant by discharging the etchant E by the first predetermined amount and simultaneously supplying the new etchant E by the second set amount.

도 2의 (a)에 있어서, 제1 에칭 공정, 제2 에칭 공정 및 제3 에칭 공정에 있어서, 에칭액을 제1 설정량만큼 배출하고, 제2 설정량만큼 공급한 경우의 에칭액의 Si 농도가 도시되어 있다.2 (a), in the first etching step, the second etching step and the third etching step, when the etching solution is discharged by the first predetermined amount and the Si concentration of the etching solution when supplied by the second predetermined amount is Respectively.

구체적으로는 각 에칭 공정 중, 에칭 처리에 제공된 처리조(10) 내의 에칭액이 0.05 ℓ/min(제1 설정량)만큼 배출되고, 처리조(10)로 신규 에칭액이 0.05 ℓ/min(제2 설정량)만큼 공급된다.Specifically, in each of the etching processes, the etching solution in the treatment bath 10 provided in the etching process is discharged by 0.05 L / min (the first set amount), and the new etching solution is supplied to the treatment bath 10 at 0.05 L / min Set amount).

여기서, 각 에칭 공정은, 처리조(10) 내의 에칭액을 제1 설정량만큼 배출하는 공정과, 처리조(10) 내로 신규 에칭액을 제2 설정량만큼 공급하는 공정에 의해 구성된 부분 교환 패턴을 포함한다. 이 부분 교환 패턴에 있어서, 에칭 처리에 제공된 에칭액이 이 에칭 공정 중, 전체 기간에 걸쳐 연속적으로 배출되며, 신규 에칭액이 에칭 공정 중, 전체 기간에 걸쳐 연속적으로 공급된다.Here, each of the etching processes includes a partial exchange pattern configured by a process of discharging an etchant in the process bath 10 by a first predetermined amount and a process of supplying a new etchant into the process bath 10 by a second predetermined amount do. In this partial exchange pattern, the etching liquid provided in the etching process is continuously discharged during the entire etching process, and the new etching liquid is continuously supplied during the entire etching process.

도 2의 (a)에 있어서는, 연속적으로 Si 농도가 상승하는 부분 교환 패턴을 행하고 있지만, 에칭 공정 중에 있어서 미리 정해진 Si 농도 범위를 초과하지 않도록 예컨대 에칭액의 공급과 배출을 간헐적으로 행하여 단계적으로 Si 농도를 상승시킬 수도 있다. 에칭 공정 완료시의 Si 농도의 값은 에칭 처리를 행하는 웨이퍼(W)에 따라 임의로 변경할 수 있다.2 (a), a partial exchange pattern in which the Si concentration is continuously increased is performed. However, during the etching process, the supply and discharge of the etching liquid are intermittently performed so as not to exceed the predetermined Si concentration range, . The value of the Si concentration at the completion of the etching process can be arbitrarily changed according to the wafer W to be etched.

다음에, 에칭 공정 사이의 인터벌 공정 중, 제어 장치(100)에 의해 밸브(V8)가 구동되어, 내부조(10a) 내에 있어서 에칭 처리에 제공된 에칭액(E)이 배출 라인(33)을 통해 전부 배출된다.Next, during the interval process between the etching processes, the valve V8 is driven by the control device 100, and the etching solution E provided in the etching process in the inner bath 10a is discharged through the discharge line 33 All are discharged.

다음에, 제어 장치(100)에 의해 밸브(V1)가 구동되어, 에칭액용 탱크(15A)로부터 고 Si 농도 인산 수용액(고 Si 농도의 신규 에칭액)이 접속 라인(15a)을 통해 처리조(10)의 내부조(10a) 내로 공급된다.Next, through a high-Si concentration aqueous solution of phosphoric acid (and new etching solution of the Si concentration) of the connection line (15a) from the valve (V 1) is driven, the etching solution tank (15A) for the by the controller 100, the processing tank ( 10 into the inner tank 10a.

이와 같이 하여 처리조(10) 내의 에칭 처리에 제공된 에칭액(E)을 전부 배출하고, 신규 에칭액을 처리조(10) 내에 공급함으로써, 처리조(10) 내의 에칭액(E)을 고 Si 농도 인산 수용액에 의해 전부 교환할 수 있다.The etching solution E provided in the etching bath in the treating tank 10 is entirely discharged and the new etching solution is supplied into the treating bath 10 so that the etching solution E in the treating bath 10 is immersed in a high Si concentration aqueous phosphoric acid solution Can be replaced entirely.

각 인터벌 공정에 의해, 인터벌 공정 직후의 에칭 공정을 시작할 때에 있어서, 실리콘 농도를 인터벌 공정 직전의 에칭 공정을 시작할 때에 있어서의 실리콘 농도와 동일한 값까지 되돌릴 수 있다.It is possible to return the silicon concentration to the same value as the silicon concentration at the start of the etching process just before the interval process, at the start of the etching process immediately after the interval process by each interval process.

그런데 각 에칭 공정 및 인터벌 공정에 있어서, 처리조(10)로부터 순수(DIW)가 증발된다. 이 때, 농도 측정부(27)로부터의 인산 농도의 측정치에 기초하여 DIW 공급원(40)으로부터 처리조(10)의 외부조(10b)에 DIW를 보충하고, 처리조(10) 내의 인산 농도를 일정하게 유지하고 있다(도 3 참조). 이 경우, 에칭 처리에 제공된 에칭액(예컨대 인산 농도 b)을 처리조(10)로부터 배출하고, 신규 에칭액(예컨대 인산 농도 a)을 처리조(10) 내로 공급하면, 인산 농도 a와 인산 농도 b의 차이에 의해, 처리조(10) 내의 인산 농도가 변화되고, 이 때문에 DIW 공급원(40)으로부터 외부조(10b)로 보충하는 DIW의 보충량도 변화시킬 필요가 있다.In each of the etching process and the interval process, pure water (DIW) is evaporated from the treatment tank 10. At this time, DIW is supplemented to the outer tank 10b of the treatment tank 10 from the DIW supply source 40 based on the measured value of the phosphoric acid concentration from the concentration measuring unit 27, (See FIG. 3). In this case, when the etching solution (for example, phosphoric acid concentration b) provided in the etching process is discharged from the treatment tank 10 and a new etching solution (for example, phosphoric acid concentration a) is supplied into the treatment tank 10, The difference in the phosphoric acid concentration in the treatment tank 10 changes due to the difference, and therefore it is necessary to change the replenishing amount of the DIW supplemented from the DIW supply source 40 to the outer tank 10b.

본 실시형태에 있어서는, 각 에칭 공정 중에 있어서, 처리조(10) 내의 인산 농도가 일정해지도록 정해진 제1 설정량에 기초하여 에칭액을 배출하고, 동시에 처리조(10) 내의 인산 농도가 일정해지도록 정해진 제2 설정량에 기초하여 신규 에칭액을 공급하도록 하여도 좋다.In the present embodiment, the etching solution is discharged based on the first predetermined amount determined so that the phosphoric acid concentration in the treatment bath 10 becomes constant during each etching process, and at the same time, the phosphoric acid concentration in the treatment bath 10 becomes constant A new etching solution may be supplied based on the second predetermined amount.

이상과 같이 본 실시형태에 따르면, 도 2의 (a)에 도시된 바와 같이, 초기 준비 공정 및 인터벌 공정에 있어서, 에칭액용 탱크(15A)로부터 처리조(10)에 고 Si 농도 인산 수용액을 공급하여 처리조(10) 내의 전체 액 교환을 행하고, 각 에칭 공정에 있어서, 에칭액용 탱크(15B)로부터 처리조(10)에 저 Si 농도 인산 수용액을 공급하여 처리조(10) 내의 부분 액 교환을 행하고 있다. 이와 같이 초기 준비 공정 및 인터벌 공정에 있어서, 고 Si 농도 인산 수용액을 신규 에칭액으로서 이용함으로써, 초기 준비 공정 및 인터벌 공정에 있어서, 시즈닝과 같은 에칭액의 액 조정의 시간을 생략할 수 있고, 초기 준비 공정 및 인터벌 공정에 필요한 시간을 단축할 수 있어 에칭 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다. 또한, 에칭 공정에 있어서, 저 Si 농도 인산 수용액을 신규 에칭액으로서 이용함으로써, 처리조(10)로부터 에칭액을 0.05 ℓ/min과 같은 적은 제1 설정량만큼 배출하고, 처리조(10)로 에칭액을 0.05 ℓ/min과 같은 적은 제2 설정량만큼 공급하는 부분 액 교환을 행하며, 이것에 의해 Si 농도를 130 ppm 이하로 유지할 수 있다. 이와 같이 부분 액 교환에 필요한 제1 설정량 및 제2 설정량을 작게 억제할 수 있기 때문에, 처리조(10) 내의 에칭액(E)의 인산 수용액 농도를 대략 일정하게 유지할 수 있고[도 2의 (b) 참조], 또한, 처리조(10) 내의 에칭액(E)의 온도를 대략 일정하게 유지할 수 있다[도 2의 (c) 참조].As described above, according to the present embodiment, as shown in Fig. 2A, in the initial preparation step and the interval step, a high Si concentration aqueous phosphoric acid solution is supplied from the etching tank 15A to the treatment tank 10 And a low Si concentration aqueous phosphoric acid solution is supplied from the etching tank 15B to the treatment tank 10 in each etching step to perform partial liquid exchange in the treatment tank 10 I am doing. By using the high Si concentration aqueous phosphoric acid solution as the new etching solution in the initial preparation step and the interval step as described above, it is possible to omit the time for adjusting the solution of the etching solution such as seasoning in the initial preparation step and the interval step, And the time required for the interval process can be shortened, so that the throughput of the etching process can be improved. In addition, in the etching step, an etching solution is discharged from the treatment tank 10 by a first predetermined amount such as 0.05 L / min by using a low Si concentration aqueous phosphoric acid solution as a new etching solution, 0.05 L / min. The Si concentration can be maintained at 130 ppm or less. Since the first setting amount and the second setting amount necessary for the partial liquid exchange can be suppressed to be small, the concentration of the aqueous phosphoric acid solution in the etching liquid E in the treatment tank 10 can be kept substantially constant (see FIG. 2B), and the temperature of the etching solution E in the treatment bath 10 can be kept substantially constant (see FIG.

여기서 도 4의 (a), (b), (c)에, 본 발명의 비교예에 대해서 설명한다. 도 4의 (a), (b), (c)에 도시된 비교예에 있어서, 초기 준비 공정 및 인터벌 공정에 있어서, 에칭액용 탱크(15A)로부터 처리조(10)로 고 Si 농도 인산 수용액을 공급하여 처리조(10) 내의 전체 액 교환을 행하고, 각 에칭 공정에 있어서, 동시에 에칭액용 탱크(15A)로부터 처리조(10)에 고 Si 농도 인산 수용액을 공급하여 처리조 내의 부분 액 교환을 행하고 있다. 도 4의 (a), (b), (c)에 도시된 비교예에 있어서, 다른 구성은 도 1 내지 도 4에 도시된 실시형태와 대략 동일하다.4 (a), 4 (b) and 4 (c), a comparative example of the present invention will be described. 4 (a), 4 (b) and 4 (c), in the initial preparation step and the interval step, a high Si concentration aqueous phosphoric acid solution is supplied from the etching tank 15A to the treatment tank 10 The entire liquid is exchanged in the treatment tank 10 and a high Si concentration aqueous phosphoric acid solution is supplied from the etching tank 15A to the treatment tank 10 at the same time in each etching step to perform partial liquid exchange in the treatment tank have. In the comparative example shown in Figs. 4 (a), 4 (b) and 4 (c), the other configuration is substantially the same as the embodiment shown in Figs.

도 4의 (a), (b), (c)에 도시된 비교예에 있어서, 에칭 공정 중, 고 Si 농도 인산 수용액을 신규 에칭액으로서 이용하기 위해서, 처리조(10)로부터 에칭액을 0.5 ℓ/min과 같은 큰 제1 설정량만큼 배출하고, 처리조(10)로 에칭액을 0.5 ℓ/min과 같은 큰 제2 설정량만큼 공급하는 부분 액 교환을 행하며, 이것에 의해 Si 농도를 130 ppm 이하로 유지하고 있다. 이와 같이 부분 액 교환에 필요한 제1 설정량 및 제2 설정량이 커져 버리기 때문에, 처리조(10) 내의 에칭액(E)의 인산 수용액 농도가 크게 변동해 버린다[도 4의 (b) 참조]. 또한, 이 경우, 처리조(10) 내의 에칭액(E)의 온도도 크게 변동한다[도 4의 (c) 참조].4 (a), 4 (b), and 4 (c), in order to use a high Si concentration aqueous phosphoric acid solution as a new etching solution in the etching step, min and a partial liquid exchange is performed in which the etching liquid is supplied to the treatment tank 10 by a second predetermined amount as large as 0.5 L / min, whereby the Si concentration is reduced to 130 ppm or less . The concentration of the aqueous solution of the phosphoric acid in the etching solution E in the treatment tank 10 fluctuates greatly (see FIG. 4 (b)) because the first set amount and the second set amount required for the partial solution exchange become large. In this case, the temperature of the etchant E in the treatment bath 10 also fluctuates greatly (see Fig. 4 (c)).

이것에 대하여 본 실시형태에 따르면, 에칭 공정 중에 있어서의 에칭액의 부분 교환에 필요한 제1 설정량 및 제2 설정량을 작게 억제할 수 있기 때문에, 처리조(10) 내의 에칭액의 인산 수용액 농도를 대략 일정하게 유지할 수 있고, 또한, 처리조(10) 내의 에칭액(E)의 온도를 대략 일정하게 유지할 수 있다.On the other hand, according to the present embodiment, since the first setting amount and the second setting amount necessary for partial replacement of the etching liquid during the etching step can be suppressed to be small, the concentration of the aqueous phosphoric acid solution And the temperature of the etching liquid E in the treatment bath 10 can be kept substantially constant.

변형예Variation example

다음에 본 발명의 변형예에 대해서 설명한다. 상기 실시형태에 있어서, 인터벌 공정에 있어서, 에칭액용 탱크(15A)로부터 처리조(10)에 고 Si 농도 인산 수용액을 공급하여 처리조(10) 내의 전체 액 교환을 행하는 예를 나타내었지만, 이것에 한정되지 않고, 인터벌 공정에 있어서, 에칭액용 탱크(15B)로부터 처리조(10)에 저 Si 농도 인산 수용액을 공급하여 처리조(10) 내에 있어서 부분 액 교환을 행하여도 좋다. 이에 따라, 인터벌 공정에 있어서도 에칭 공정과 동일한 효과를 얻을 수 있어, 다음 새로운 웨이퍼의 에칭 공정에 대비할 수 있다.Next, a modification of the present invention will be described. In the above embodiment, the example in which the high-Si concentration aqueous phosphoric acid solution is supplied from the etching tank 15A to the treatment tank 10 to exchange the entire liquid in the treatment tank 10 is shown in the interval process, The low-Si concentration aqueous phosphoric acid solution may be supplied from the etching tank 15B to the treatment tank 10 in the interval process, and the partial solution exchange may be performed in the treatment tank 10. Thus, the same effect as that of the etching process can be obtained in the interval process, and thus it is possible to prepare for the etching process of the next new wafer.

또한, 에칭액용 탱크(15B)로부터 접속 라인(15b)을 거쳐 저 Si 농도 인산 수용액(Si 농도가 0)이 제2 설정량만큼 처리조(10)의 외부조(10b) 내로 공급되는 경우, 밸브(V2) 및 밸브(V3)를 구동시킴으로써, 접속 라인(15c)을 통해 고 Si 농도 인산 수용액을 저 Si 농도 인산 수용액에 첨가하여도 좋고, 이 때, 제2 설정량은, 저 Si 농도 인산 수용액과 고 Si 농도 인산 수용액의 합계치가 된다.When a low Si concentration aqueous phosphoric acid solution (Si concentration of 0) is supplied into the outer tank 10b of the treatment tank 10 from the etchant tank 15B through the connection line 15b by the second predetermined amount, (V 2) and by driving the valve (V 3), may be added to the connection line (15c) Si concentration phosphoric acid solution and through a low Si concentration aqueous solution of phosphoric acid, at this time, the second predetermined amount, a low Si concentration It becomes the total value of the aqueous solution of phosphoric acid and the aqueous solution of high-Si concentration phosphoric acid.

저 Si 농도 인산 수용액의 Si 농도 조정Si concentration adjustment in low Si concentration aqueous phosphoric acid solution

상기 실시형태에서는, 저 Si 농도 인산 수용액 공급원(16B)으로부터 저 Si 농도 인산 수용액(Si 농도가 0)이 에칭액용 탱크(15B)에 공급되도록 하였지만, 이것에 한정되지 않고, 필요에 따라 Si 용액용 탱크(18)로부터 에칭액용 탱크(15B)에 Si 용액이 공급되어, 저 Si 농도 인산 수용액의 Si 농도가 조정되도록 하여도 좋다. 이에 따라, 부분 교환에 있어서의 액 교환량이 지나치게 적음으로써 에칭액의 칭량 정밀도가 나빠지는 경우, Si 농도를 높임으로써 액 교환량을 늘릴 수 있다.In the above embodiment, the low Si concentration aqueous phosphoric acid solution (Si concentration is 0) is supplied from the low Si concentration phosphoric acid aqueous solution supply source 16B to the etching tank 15B. However, the present invention is not limited to this, The Si solution may be supplied from the tank 18 to the etching liquid tank 15B to adjust the Si concentration of the low Si concentration aqueous phosphoric acid solution. Thus, in the case where the accuracy of weighing of the etching solution is deteriorated by excessively reducing the liquid exchange amount in the partial exchange, the amount of liquid exchange can be increased by increasing the Si concentration.

Si 용액과 저 Si 농도 인산 수용액을 조합하여 내부조(10a)에 공급하는 패턴Si solution and a low Si concentration phosphoric acid aqueous solution are supplied to the inner tank 10a in combination

상기 실시형태에서는, 미리 고 Si 농도 인산 수용액 공급원(16A)으로부터 고 Si 농도 인산 수용액(높은 Si 농도를 갖는 인산 수용액)이 에칭액용 탱크(15A)에 공급되고, 저 Si 농도 인산 수용액 공급원(16B)으로부터 저 Si 농도 인산 수용액(Si 농도가 0인 Si 농도를 갖는 인산 수용액)이 에칭액용 탱크(15B)에 공급되도록 하였지만, 이것에 한정되지 않고, 저 Si 농도 인산 수용액 공급원(16B)으로부터 저 Si 농도 인산 수용액(Si 농도가 0인 인산 수용액)이 에칭액용 탱크(15B)에 공급되며, Si 용액용 탱크(18)로부터 에칭액용 탱크(15B)에 Si 용액이 공급되어, 고 Si 농도 인산 수용액의 Si 농도가 조정되고, 내부조(10a)에 공급하도록 하여, 고 Si 농도 인산 수용액 공급원(16A)을 Si 농도가 0인 인산 수용액 공급원으로서 외부조(10b)에 공급하도록 하여도 좋다. 이에 따라, 장치 외부로부터 공급된 고 Si 농도 인산 수용액을 사용하는 것이 아니라, 장치 내에서 원하는 고 Si 농도 인산 수용액을 생성하여 사용할 수 있다.A high Si concentration aqueous phosphoric acid solution (aqueous phosphoric acid solution having a high Si concentration) is supplied from the high Si concentration aqueous phosphoric acid solution supply source 16A to the etching solution tank 15A and the low Si concentration aqueous phosphoric acid solution supply source 16B is preliminarily supplied, Is supplied from the low Si concentration phosphoric acid aqueous solution supply source 16B to the low-Si concentration phosphoric acid aqueous solution (the phosphoric acid aqueous solution having the Si concentration of 0 at the Si concentration) is supplied to the etchant tank 15B from the low- An aqueous solution of phosphoric acid (an aqueous solution of phosphoric acid having a Si concentration of 0) is supplied to the etching solution tank 15B and a Si solution is supplied from the Si solution tank 18 to the etching solution tank 15B to form Si Concentration is adjusted and supplied to the inner tank 10a so that the high Si concentration phosphoric acid aqueous solution supply source 16A may be supplied to the outer tank 10b as a phosphoric acid aqueous solution supply source having a Si concentration of zero. Accordingly, instead of using the high Si concentration phosphoric acid aqueous solution supplied from the outside of the apparatus, a desired high Si concentration phosphoric acid aqueous solution can be generated and used in the apparatus.

W : 반도체 웨이퍼(피처리체)
E : 에칭액
10 : 처리조
10a : 내부조
10b : 외부조
11 : 패널 히터
12 : 노즐
15 : 공급부
15A : 에칭액용 탱크
15B : 에칭액용 탱크
16A : 고 Si 농도 인산 수용액 공급원
16B : 저 Si 농도 인산 수용액 공급원
18 : Si 용액용 탱크
19 : Si 용액 공급원
20 : 순환 라인
21 : 순환 펌프
22 : 온도 컨트롤러
23 : 필터
26 : 용출 성분 측정부
27 : 농도 측정부
30 : 배출 라인
40 : DIW 공급원
100 : 제어 장치
100a : 기억 매체W: semiconductor wafer (object to be processed)
E: etching solution
10: Treatment tank
10a: inner tank
10b: outer tank
11: Panel heater
12: Nozzle
15:
15A: tank for etching solution
15B: tank for etching solution
16A: High Si concentration phosphoric acid aqueous solution source
16B: Low Si concentration phosphoric acid aqueous solution source
18: tank for Si solution
19: Si solution source
20: circulation line
21: circulation pump
22: Temperature controller
23: Filter
26: elution component measuring section
27: Concentration measuring section
30: discharge line
40: DIW source
100: Control device
100a: storage medium

Claims (11)

에칭 처리부 내에 에칭액을 충전하는 초기 준비 공정과,
상기 에칭 처리부 내에 수납된 피처리체에 대하여 에칭액을 이용하여 에칭 처리를 행하는 에칭 공정을 구비하고,
상기 초기 준비 공정은, 제1 Si 농도의 신규 에칭액을 이용하여 행해지는 액 공급 공정을 포함하며,
상기 에칭 공정은, 제2 Si 농도의 신규 에칭액을 이용하여 행해지는 상기 에칭 처리부 내의 에칭액을 부분적으로 교환하는 부분 액 교환 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭 방법.An initial preparation step of filling an etchant into the etching processing section,
And an etching step of performing an etching process on an object to be processed stored in the etching processing section using an etching liquid,
Wherein the initial preparation step includes a liquid supplying step performed using a new etching solution of a first Si concentration,
Wherein said etching step includes a partial liquid exchange step of partially replacing an etching liquid in said etching processing section which is performed using a new etching liquid of a second Si concentration. 제1항에 있어서, 상기 제1 Si 농도의 신규 에칭액은, 반도체 웨이퍼를 정밀도 좋게 에칭 처리를 행하기 위해서 미리 정해진 범위의 실리콘 농도이며, 상기 제2 Si 농도의 신규 에칭액은, 상기 제1 Si 농도의 신규 에칭액보다 Si 농도가 낮은 것을 특징으로 하는 에칭 방법.The method according to claim 1, wherein the new etching solution of the first Si concentration is a silicon concentration in a predetermined range in order to precisely etch the semiconductor wafer, and the new etching solution of the second Si concentration has the first Si concentration Wherein the Si concentration is lower than that of the new etching solution. 제1항에 있어서, 상기 에칭 공정과 다음 피처리체의 에칭 공정 사이에 실행되는 인터벌 공정을 더 구비하고, 상기 인터벌 공정은, 전체 액 교환 공정 또는 부분 액 교환 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭 방법.The etching method according to claim 1, further comprising an interval process performed between the etching process and an etching process of the next object, wherein the interval process includes a total liquid exchange process or a partial liquid exchange process . 제3항에 있어서, 상기 인터벌 공정 중의 전체 액 교환 공정은, 상기 에칭 처리부 내의 에칭액을 전량 배출하고, 그 후 신규 에칭액을 상기 에칭 처리부 내에 공급하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭 방법.The etching method according to claim 3, wherein the entire liquid exchange step in the interval process includes a step of discharging the entire amount of the etching liquid in the etching processing section, and then supplying a new etching liquid into the etching processing section. 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 인터벌 공정 중의 부분 액 교환 공정은, 상기 에칭 처리부 내의 에칭액을 배출하고, 동시에 신규 에칭액을 상기 에칭 처리부 내로 공급하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭 방법.The etching method according to claim 3 or 4, wherein the partial liquid exchange step in the interval process includes a step of discharging the etching liquid in the etching processing section and simultaneously supplying a new etching liquid into the etching processing section. 피처리체에 대하여 에칭 처리를 행하는 에칭 장치에 있어서,
피처리체를 수납하여 에칭액에 의해 에칭 처리를 행하는 에칭 처리부와,
상기 에칭 처리부에 있어서 에칭 처리에 제공된 에칭액을 배출하는 배출부와,
상기 에칭 처리부에 신규 에칭액을 공급하는 공급부와,
상기 에칭 처리부와, 상기 배출부와, 상기 공급부를 구동 제어하는 제어 장치를 구비하고,
상기 공급부는 제1 Si 농도의 신규 에칭액을 공급하는 제1 공급부와, 제2 Si 농도의 신규 에칭액을 공급하는 제2 공급부를 가지며,
상기 제어 장치는,
에칭 처리부 내에 에칭액을 충전하는 초기 준비 공정과,
상기 에칭 처리부 내에 수납된 피처리체에 대하여 에칭액을 이용하여 에칭 처리를 행하는 에칭 공정을 실행하고,
상기 초기 준비 공정은, 상기 제1 공급부로부터 공급되는 제1 Si 농도의 신규 에칭액을 이용하여 행해지는 액 공급 공정을 포함하며,
상기 에칭 공정은, 상기 제2 공급부로부터 공급되는 제2 Si 농도의 신규 에칭액을 이용하여 행해지는 상기 에칭 처리부 내의 에칭액을 부분적으로 교환하는 부분 액 교환을 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭 장치.1. An etching apparatus for performing an etching process on an object to be processed,
An etching processing section for storing an object to be processed and performing an etching process with an etching liquid,
A discharging portion for discharging the etching solution supplied to the etching treatment in the etching treatment portion,
A supply part for supplying a new etching solution to the etching part,
The etching section, the discharge section, and a control device for driving and controlling the supply section,
The supply section has a first supply section for supplying a new etchant of a first Si concentration and a second supply section for supplying a new etchant of a second Si concentration,
The control device includes:
An initial preparation step of filling an etchant into the etching processing section,
An etching step of performing an etching process on an object to be processed stored in the etching processing section using an etching liquid is executed,
Wherein the initial preparation step includes a liquid supply step performed using a new etching solution of a first Si concentration supplied from the first supply part,
Wherein the etching step includes a partial liquid exchange for partially replacing an etchant in the etch processing section performed using a new etchant of a second Si concentration supplied from the second supply section. 제6항에 있어서, 상기 제1 Si 농도의 신규 에칭액은, 반도체 웨이퍼를 정밀도 좋게 에칭 처리를 행하기 위해서 미리 정해진 범위의 실리콘 농도이며, 상기 제2 Si 농도의 신규 에칭액은, 상기 제1 Si 농도의 신규 에칭액보다 Si 농도가 낮은 것을 특징으로 하는 에칭 장치.7. The method according to claim 6, wherein the new etching solution of the first Si concentration is a silicon concentration in a predetermined range in order to precisely etch the semiconductor wafer, and the new etching solution of the second Si concentration has the first Si concentration Wherein the Si concentration is lower than that of the new etching solution. 제6항에 있어서, 상기 에칭 공정과 다음 피처리체의 에칭 공정 사이에 실행되는 인터벌 공정을 더 구비하고,
상기 인터벌 공정은, 전체 액 교환 공정 또는 부분 액 교환 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭 장치.7. The method according to claim 6, further comprising an interval process executed between the etching process and an etching process of the next object to be processed,
Wherein the interval process includes a total liquid exchange process or a partial liquid exchange process. 제8항에 있어서, 상기 인터벌 공정 중의 상기 전체 액 교환 공정은, 상기 에칭 처리부 내의 에칭액을 전량 배출하고, 그 후 신규 에칭액을 상기 에칭 처리부 내에 공급하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭 장치.The etching apparatus according to claim 8, wherein the step of replacing the entire liquid in the interval process includes a step of discharging the entire amount of the etching liquid in the etching processing section, and then supplying a new etching liquid into the etching processing section. 제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 인터벌 공정 중의 상기 부분 액 교환 공정은, 상기 에칭 처리부 내의 에칭액을 배출하고, 동시에 신규 에칭액을 상기 에칭 처리부 내로 공급하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭 장치.The etching apparatus according to claim 8 or 9, wherein the partial liquid exchange step in the interval process includes a step of discharging an etching liquid in the etching processing section and simultaneously supplying a new etching liquid into the etching processing section . 컴퓨터에 에칭 방법을 실행시키기 위한 컴퓨터 프로그램을 저장한 기억 매체에 있어서,
에칭 방법은,
에칭 처리부 내에 에칭액을 충전하는 초기 준비 공정과,
상기 에칭 처리부 내에 수납된 피처리체에 대하여 에칭액을 이용하여 에칭 처리를 행하는 에칭 공정을 구비하고,
상기 초기 준비 공정은, 제1 Si 농도의 신규 에칭액을 이용하여 행해지는 액 공급 공정을 포함하며,
상기 에칭 공정은, 제2 Si 농도의 신규 에칭액을 이용하여 행해지는 상기 에칭 처리부 내의 에칭액을 부분적으로 교환하는 부분 액 교환 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기억 매체.A storage medium storing a computer program for causing an computer to execute an etching method,
In the etching method,
An initial preparation step of filling an etchant into the etching processing section,
And an etching step of performing an etching process on an object to be processed stored in the etching processing section using an etching liquid,
Wherein the initial preparation step includes a liquid supplying step performed using a new etching solution of a first Si concentration,
Wherein the etching step includes a partial liquid exchange step of partially replacing the etchant in the etching processing section which is performed using a new etching liquid having a second Si concentration.
KR1020140148291A 2013-10-30 2014-10-29 Etching method, etching apparatus, and storage medium KR101837800B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2013-225467 2013-10-30
JP2013225467A JP6177664B2 (en) 2013-10-30 2013-10-30 Etching method, etching apparatus and storage medium

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150050455A true KR20150050455A (en) 2015-05-08
KR101837800B1 KR101837800B1 (en) 2018-03-12

Family

ID=53051087

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140148291A KR101837800B1 (en) 2013-10-30 2014-10-29 Etching method, etching apparatus, and storage medium

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP6177664B2 (en)
KR (1) KR101837800B1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190044519A (en) * 2017-10-20 2019-04-30 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate processing apparatus, substrate processing method and recording medium
KR20200077719A (en) * 2018-12-21 2020-07-01 삼성전자주식회사 Operating method for wet etching system and related system

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6860447B2 (en) * 2017-02-15 2021-04-14 キオクシア株式会社 Board processing equipment
JP6776208B2 (en) * 2017-09-28 2020-10-28 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing equipment and substrate processing method
JP6777704B2 (en) * 2017-10-20 2020-10-28 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing equipment, substrate processing method and storage medium
JP6976166B2 (en) * 2017-12-28 2021-12-08 東京エレクトロン株式会社 Board processing method and board processing equipment
JP7160642B2 (en) * 2018-11-16 2022-10-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing method, three-dimensional memory device manufacturing method, and substrate processing apparatus

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06349808A (en) * 1993-06-14 1994-12-22 Hitachi Ltd Silicon nitride film removing solution and semiconductor manufacturing apparatus using it
JPH09275091A (en) * 1996-04-03 1997-10-21 Mitsubishi Electric Corp Etching device of semiconductor nitride film
JPH11279777A (en) * 1998-03-26 1999-10-12 Shin Etsu Handotai Co Ltd Method for management of etchant and etchant management system
US6399517B2 (en) * 1999-03-30 2002-06-04 Tokyo Electron Limited Etching method and etching apparatus
JP2001217219A (en) * 2000-01-31 2001-08-10 Tokyo Electron Ltd Method and device for treating liquid
JP4062419B2 (en) * 2002-05-21 2008-03-19 セイコーエプソン株式会社 Processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device
JP4966223B2 (en) * 2008-02-29 2012-07-04 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP5931484B2 (en) * 2012-02-13 2016-06-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing method and substrate processing apparatus

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190044519A (en) * 2017-10-20 2019-04-30 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate processing apparatus, substrate processing method and recording medium
KR20200077719A (en) * 2018-12-21 2020-07-01 삼성전자주식회사 Operating method for wet etching system and related system

Also Published As

Publication number Publication date
JP6177664B2 (en) 2017-08-09
JP2015088603A (en) 2015-05-07
KR101837800B1 (en) 2018-03-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101837800B1 (en) Etching method, etching apparatus, and storage medium
US9887092B2 (en) Etching method, etching apparatus, and storage medium
JP6087063B2 (en) Etching method, etching apparatus and storage medium
KR102253286B1 (en) Wet etching apparatus
US10685855B2 (en) Substrate treating device and substrate treating method
JP6454611B2 (en) Substrate processing system and substrate processing method
JP5313647B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US10923368B2 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium
JP7113952B2 (en) SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS
CN109585334B (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2010080852A (en) Heating unit, substrate processing apparatus, and method of heating fluid
US20040242004A1 (en) Substrate treating method and apparatus
JP6441422B2 (en) Etching method, etching apparatus and storage medium

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
GRNT Written decision to grant