KR20150048679A - Semiconductor light emitting diode - Google Patents

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KR20150048679A
KR20150048679A KR1020150047060A KR20150047060A KR20150048679A KR 20150048679 A KR20150048679 A KR 20150048679A KR 1020150047060 A KR1020150047060 A KR 1020150047060A KR 20150047060 A KR20150047060 A KR 20150047060A KR 20150048679 A KR20150048679 A KR 20150048679A
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light emitting
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전수근
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주식회사 세미콘라이트
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Abstract

Disclosed is a semiconductor light emitting diode comprising: a first reflection layer formed on the opposite side of an active layer around a first semiconductor layer, and reflecting light generated in the active layer; a second reflection layer formed on the opposite side of an active layer around a second semiconductor layer, and reflecting light generated in the active layer; and a lateral light-extraction enhancer changing paths of light generated from the active layer and made of a transparent material.

Description

반도체 발광다이오드{SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE}Technical Field [0001] The present invention relates to a semiconductor light emitting diode

본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광다이오드에 관한 것으로, 특히 상방으로 방출되는 빛의 양을 조절할 수 있는 반도체 발광다이오드에 관한 것이다.The present disclosure relates generally to semiconductor light emitting diodes, and more particularly to semiconductor light emitting diodes capable of controlling the amount of light emitted upward.

여기서, 반도체 발광다이오드는 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 반도체 광소자를 의미하며, 3족 질화물 반도체 발광다이오드를 예로 들 수 있다. 3족 질화물 반도체는 Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)로 된 화합물로 이루어진다. 이외에도 적색 발광에 사용되는 GaAs계 반도체 발광다이오드 등을 예로 들 수 있다.Here, the semiconductor light emitting diode refers to a semiconductor optical device that generates light through recombination of electrons and holes, for example, a group III nitride semiconductor light emitting diode. The Group III nitride semiconductor is made of a compound of Al (x) Ga (y) In (1-x-y) N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? A GaAs-based semiconductor light-emitting diode used for red light emission, and the like.

여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).Herein, the background art relating to the present disclosure is provided, and these are not necessarily meant to be known arts.

도 1은 미국 등록특허공보 제5,264,715호에 제시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 제1 반도체층(300; 예: n형 반도체층), 전자와 정공의 재결합을 이용하여 빛을 생성하는 활성층(400), 제2 반체층(500; 예: p형 반도체층) 그리고 제1 반도체층(300)과 제2 반도체층(500) 각각에 구비되는 반사층(310,510)을 포함한다. 반사층(310,510)을 구비함으로써, 반도체 발광소자의 상방 또는 하방으로 향하던 빛이 반도체 발광소자의 측면을 통해 외부로 방출된다. 예를 들어, 활성층(400)에서 생성된 빛(L1)은 그냥 측면을 통해 방출되며, 빛(L2)은 반사층(510)에 의해 반사된 다음 측면을 통해 방출된다. 그러나 이 반도체 발광소자는 반도체 발광소자 측면으로의 발광을 원리적으로 제시하고 있을 뿐 실제 효율적인 반도체 발광소자를 제시하고 있지 못하다.1 is a diagram showing an example of a semiconductor light emitting device disclosed in U.S. Patent No. 5,264,715, wherein a semiconductor light emitting device includes a first semiconductor layer 300 (for example, an n-type semiconductor layer) A second semiconductor layer 500 (e.g., a p-type semiconductor layer), and reflective layers 310 and 510 provided on the first semiconductor layer 300 and the second semiconductor layer 500, respectively, . By providing the reflective layers 310 and 510, the light directed upward or downward from the semiconductor light emitting device is emitted to the outside through the side surface of the semiconductor light emitting device. For example, the light L1 generated in the active layer 400 is emitted only through the side surface, and the light L2 is reflected by the reflective layer 510 and then emitted through the side surface. However, this semiconductor light emitting device basically shows the light emission to the side of the semiconductor light emitting device, and does not propose a semiconductor light emitting device which is actually efficient.

도 2는 미국 등록특허공보 제6,563,142호에 제시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 제1 반도체층(300), 활성층(400), 제2 반도체층(500) 그리고, 금속 반사막인 전극(510)을 포함하며, 활성층(400)에서 생성되는 빛(L1)과 반사층(510)에서 반사된 빛 (L2)이 서로 간섭하여 배광 특성이 너무 민감하게 변하는 문제점이 발생하는데, 이러한 문제점을 해소하기 위해, 반도체층(300 또는 500)에 요철, 계단 또는 거친 표면을 형성하는 방안을 제시하고 있다. 그러나, 반도체층(300 또는 500)에 요철을 형성하는 과정에서, 반도체층의 막질이 손상되는 문제점을 야기할 수 있다.The semiconductor light emitting device includes a first semiconductor layer 300, an active layer 400, a second semiconductor layer 500, and a metal layer (not shown) The light L1 generated in the active layer 400 and the light L2 reflected from the reflective layer 510 interfere with each other to cause a problem that the light distribution characteristic changes too sensitively. In order to solve the problem, a method of forming a concavo-convex, stepped or rough surface on the semiconductor layer 300 or 500 is proposed. However, in the process of forming the irregularities in the semiconductor layer 300 or 500, the film quality of the semiconductor layer may be damaged.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).SUMMARY OF THE INVENTION Herein, a general summary of the present disclosure is provided, which should not be construed as limiting the scope of the present disclosure. of its features).

본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 발광다이오드에 있어서, 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층, 활성층의 상방에 구비되며 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층 및 활성층의 하방에 구비되며 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층을 가지는 복수의 반도체층; 제1 반도체층을 기준으로 활성층의 반대 측에 구비되어, 활성층에서 생성된 빛을 반사하도록 제1 반사율을 가지는 제1 반사층; 그리고, 제2 반도체층을 기준으로 활성층의 반대 측에 구비되어, 활성층에서 생성된 빛을 반사하는 제2 반사층;으로서, 활성층에서 생성된 빛의 일부가 제2 반사층을 관통하여 상방으로 방출되도록 제1 반사율보다 낮은 제2 반사율을 가지는 제2 반사층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광다이오드가 제공된다.According to one aspect of the present disclosure, there is provided a semiconductor light emitting diode comprising: an active layer that generates light through recombination of electrons and holes; an active layer that is provided above the active layer, A plurality of semiconductor layers provided below the first semiconductor layer and the active layer and including a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity; A first reflective layer provided on an opposite side of the active layer with respect to the first semiconductor layer and having a first reflectivity so as to reflect light generated in the active layer; And a second reflective layer provided on the opposite side of the active layer with respect to the second semiconductor layer and reflecting the light generated in the active layer, And a second reflective layer having a second reflectance lower than the first reflectivity of the first reflective layer.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

도 1은 미국 등록특허공보 제5,264,715호에 제시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 미국 등록특허공보 제6,563,142호에 제시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 3은 본 개시에 따른 반도체 발광다이오드의 일 예를 나타내는 도면,
도 4는 도 3에 도시된 반도체 발광다이오드의 전체 형상의 일 예를 나타내는 도면,
도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광다이오드의 다른 일 예를 나타내는 도면,
도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광다이오드의 또 다른 일 예를 나타내는 도면,
도 7은 반사층 구조 변경에 따른 각도에 따른 반사율 변화를 나타내는 도면.1 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device disclosed in U.S. Patent No. 5,264,715,
2 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device disclosed in U.S. Patent No. 6,563,142,
3 is a view showing an example of a semiconductor light emitting diode according to the present disclosure,
FIG. 4 is a view showing an example of the overall shape of the semiconductor light emitting diode shown in FIG. 3,
5 is a view showing another example of a semiconductor light emitting diode according to the present disclosure,
6 is a view showing another example of the semiconductor light emitting diode according to the present disclosure,
7 is a view showing a change in reflectance according to an angle in accordance with a change in the structure of a reflection layer.

이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 개시에 따른 반도체 발광다이오드의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광다이오드는 제1 반도체층(30; 예: n형 GaN), 전자와 정공의 재결합을 이용하여 빛을 생성하는 활성층(40; 예: InGaN/(In)GaN 다중양자우물 구조), 제2 반체층(50; 예: p형 GaN) 그리고 제1 반도체층(30)과 제2 반도체층(50) 각각의 측에 구비되는 반사층(31,51)을 필수적으로 포함한다. 제1 반도체층(30)과 제2 반도체층(50)의 도전성을 바뀔 수 있으며, 각각은 복수의 레이어로 이루어질 수 있고, 3족 질화물 반도체의 경우에, 녹색, 청색, 자외선의 발광이 가능하다.3 is a diagram showing an example of a semiconductor light emitting diode according to the present disclosure. The semiconductor light emitting diode includes a first semiconductor layer 30 (for example, n-type GaN), an active layer for generating light by recombination of electrons and holes (For example, InGaN / (In) GaN multiple quantum well structure) 40, a second semiconductor layer 50 (for example, p-type GaN), and a first semiconductor layer 30 and a second semiconductor layer 50 (31, 51). The conductivity of the first semiconductor layer 30 and the second semiconductor layer 50 can be changed. Each of the first and second semiconductor layers 30 and 50 can be formed of a plurality of layers. In the case of a Group III nitride semiconductor, green, blue, .

(1) 본 개시에 따른 반도체 발광다이오드의 첫 번째 특징으로서, 반도체 발광다이오드는 복수의 반도체층(30,40,50)과 반사층(31) 사이에 광 산란면(1)을 구비한다. 광 산란면(1)이 복수의 반도체층(30,40,50)과 반사층(51) 사이에 구비될 수 있음은 물론이다. 즉, 광 산란면(1)은 복수의 반도체층(30,40,50)의 일 측 또는 양 측에 구비될 수 있다. 광 산란면(1)을 구비함으로써, 활성층(30)에서 생성된 빛(L30)이 광 산란면(1)에 의해 산란되어 효과적으로 반도체 발광다이오드의 측면으로 방출될 수 있게 된다. 또한 반사층(31)에 반사시 간섭을 줄일 수 있게 된다. 또한 반사층(31)과 광 산란면(1)을 서로 거리를 두고 구비함으로써, 빛의 반사와 빛의 산란이라는 이질적인 구성을 하나의 반도체 발광다이오드에 구현할 수 있게 된다.(1) As a first feature of the semiconductor light emitting diode according to the present disclosure, a semiconductor light emitting diode has a light scattering surface 1 between a plurality of semiconductor layers 30, 40, and 50 and a reflection layer 31. It goes without saying that the light scattering surface 1 may be provided between the plurality of semiconductor layers 30, 40, and 50 and the reflective layer 51. That is, the light scattering surface 1 may be provided on one side or both sides of the plurality of semiconductor layers 30, 40, and 50. By providing the light scattering surface 1, the light L30 generated in the active layer 30 is scattered by the light scattering surface 1 and can be effectively emitted to the side of the semiconductor light emitting diode. In addition, it is possible to reduce the reflection interference to the reflection layer 31. Also, by providing the reflective layer 31 and the light scattering surface 1 at a distance from each other, it is possible to realize a heterogeneous structure of light reflection and light scattering in one semiconductor light emitting diode.

(2) 본 개시에 따른 반도체 발광다이오드의 두 번째 특징으로서, 반사층(31)과 반사층(51) 중의 적어도 하나가 분포 브래그 리플렉터(Distributed Bragg Reflector)를 구비한다. 분포 브래그 리플렉터는 굴절률을 달리하는 두 개의 물질을 반복 적층함으로써 형성되는 반사층으로서, 금속 반사막과 달리 복수의 반도체층(30,40,50)과의 경계에서만 반사가 일어나는 것이 아니라, 분포 브래그 리플렉터를 구성하는 각각의 층의 경계에서 반사가 일어나므로, 반사로 인한 간섭을 줄일 수 있는 이점을 가진다. 분포 브래그 리플렉터는 복수의 반도체층(30,40,50)과 다른 물질로 구성된다. 분포 브래그 리플렉터를 반도체로 구성하는 경우에 반도체간의 굴절률의 차가 적어 반사층으로서의 기능이 떨어진다. 예를 들어, 비도전성 물질이나, 유전체 물질(SiO2의 경우 1.5, TiO2의 경우에 2.4)로 구성될 수 있다.(2) As a second feature of the semiconductor light emitting diode according to the present disclosure, at least one of the reflection layer 31 and the reflection layer 51 has a distributed Bragg reflector. The distribution Bragg reflector is a reflection layer formed by repeatedly laminating two materials having different refractive indexes. Unlike the metal reflection film, reflection does not occur only at the boundary with the plurality of semiconductor layers 30, 40 and 50, but constitutes a distributed Bragg reflector Reflection occurs at the boundaries of the respective layers, and therefore, interference due to reflection can be reduced. The distributed Bragg reflector is composed of a plurality of semiconductor layers (30, 40, 50) and other materials. In the case where the distributed Bragg reflector is made of a semiconductor, the difference in the refractive index between the semiconductors is small, and the function as the reflective layer is deteriorated. For example, it may be of a non-conductive material or dielectric material (in the case of SiO 2 1.5, 2.4 in the case of TiO 2).

(3) 본 개시에 따른 반도체 발광다이오드의 세 번째 특징으로서, 반도체 발광다이오드는 복수의 반도체층(30,40,50)과 반사층(31) 사이에 투광성 물질층(1)을 구비한다. 투광성 물질층(1)을 구비함으로써, 반도체 발광다이오드 전체의 측면 길이가 확장되고, 따라서, 측면으로의 광 취출 효율이 향상될 수 있게 된다. 투광성 물질층(1)은 복수의 반도체층(30,40,50)과 다른 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 복수의 반도체층(30,40,50)이 3족 질화물 반도체인 경우에 상용의 3족 질화물 반도체 발광다이오드에서 복수의 반도체층(30,40,50)의 두께는 10㎛이하의 두께를 가진다. 투광성 물질층(1)을 이용함으로써, 반도체 발광다이오드의 측면 두께를 50㎛이상, 바람직하게는 80㎛이상, 더욱 바람직하게는 100㎛이상으로 할 수 있게 된다. 투광성 물질층(1)으로 복수의 반도체층(30,40,50)이 성장되는 기판을 이용할 수 있다. 이 때, 복수의 반도체층(30,40,50)과 기판인 투광성 물질층(1) 사이에 추가의 반도체층(20)이 구비될 수 있다. 예를 들어, 3족 질화물 반도체 발광다이오드의 경우에, 저온 성장된 씨앗층(Seed Layer)과 도핑되지 않은 GaN을 제1 반도체층(30; 예: n형 GaN)을 성장하기에 앞서 성장하는 것이 일반적이다. 이 또한 반도체 발광다이오드의 전체 측면 길이를 늘이는데 일조한다.(3) As a third feature of the semiconductor light emitting diode according to the present disclosure, the semiconductor light emitting diode has the light transmitting material layer 1 between the plurality of semiconductor layers 30, 40, 50 and the reflective layer 31. By providing the light-transmissive material layer 1, the side length of the entire semiconductor light-emitting diode can be extended, and the light extraction efficiency to the side can be improved. The light transmissive material layer 1 may be formed of a material different from that of the plurality of semiconductor layers 30, 40, For example, in a case where the plurality of semiconductor layers 30, 40, and 50 are III-nitride semiconductors, the thickness of the plurality of semiconductor layers 30, 40, and 50 in a commercially available Group III nitride semiconductor light- Thickness. By using the light-transmissive material layer 1, the side thickness of the semiconductor light-emitting diode can be set to 50 탆 or more, preferably 80 탆 or more, and more preferably 100 탆 or more. A substrate on which a plurality of semiconductor layers 30, 40, and 50 are grown with the light transmitting material layer 1 can be used. At this time, an additional semiconductor layer 20 may be provided between the plurality of semiconductor layers 30, 40, and 50 and the light-transmitting material layer 1 as a substrate. For example, in the case of a group III nitride semiconductor light-emitting diode, it is preferable to grow the low-temperature grown seed layer and the undoped GaN prior to growing the first semiconductor layer 30 (for example, n-type GaN) It is common. This also helps to increase the overall lateral length of the semiconductor light emitting diode.

(4) 본 개시에 따른 반도체 발광다이오드의 네 번째 특징으로서, 반사층(51)이 비도전성 물질로 구성되며, 반도체 발광다이오드는 반사층(51)을 관통하는 전기적 연결(71,81)을 구비하는 전극(70,80)을 구비한다. 전극(70)이 전기적 연결(71)을 통해 제2 반도체층(50)과 전기적으로 연결되며, 전극(80)이 전기적 연결(81)을 통해 제1 반도체층(30)과 전기적으로 연결된다. 전극(80) 측에는 전기단락을 방지하기 위해, 절연층(82)이 구비된다. 전극(80)은 식각되어 노출되는 제1 반도체층(30) 위에 형성되어 절연층(82)이 생략되는 구성도 가능하다. 예를 들어, 반사층(51)은 SiO2/TiO2의 반복 적층으로 형성될 수 있다. 전극(70,80)을 외부 전극(패키지, PCB, COB 등에 마련된 리드 프레임 또는 전극 패턴)에 연결함으로써, 반도체 발광다이오드는 전체적으로 플립 칩(Flip Chip) 형태를 가지게 된다. 반도체 발광다이오드는 와이어 본딩을 이용하지 않는 이점을 가지면서도, 반사층(31)을 구비하여 반도체 발광다이오드의 상방이 아니라 측방으로 빛을 방출한다는 점에서 종래의 플립 칩(Flip Chip) 형태의 반도체 발광다이오드와 구분된다. 반사층(51)은 활성층(40)에 인접하여 위치하므로, 도 2와 관련하여 지적된 문제점(간섭)을 야기할 수 있지만, 반사층(31)이 분포 브래그 리플렉터로 이루어지는 경우에, 전술한 바와 같이, 금속 반사막과 달리 복수의 반도체층(30,40,50)과의 경계에서만 반사가 일어나는 것이 아니라, 적층의 각 경계에서 반사가 일어나므로, 반사로 인한 간섭을 줄일 수 있게 된다. 반사층(51)이 단일의 유전체층 또는 ODR(Omni-Directional Reflector; 예: 두꺼운 SiO2/TiO2/SiO2의 적층 구조물)로 구성될 수 있다. 반사층(51)의 반사율이 떨어지는 경우에, 전극(70,80)이 반사막의 기능을 보조할 수 있다. 이때 전극(70,80) 간의 거리를 좁게 하거나, 양자 사이에 별도의 반사 금속을 구비하는 것도 가능하다.(4) As a fourth characteristic of the semiconductor light emitting diode according to the present disclosure, the reflective layer 51 is made of a non-conductive material, and the semiconductor light emitting diode is an electrode having an electrical connection 71, 81 penetrating the reflection layer 51 (70, 80). The electrode 70 is electrically connected to the second semiconductor layer 50 through the electrical connection 71 and the electrode 80 is electrically connected to the first semiconductor layer 30 through the electrical connection 81. On the electrode 80 side, an insulating layer 82 is provided to prevent electrical short circuit. The electrode 80 may be formed on the exposed first semiconductor layer 30 so that the insulating layer 82 may be omitted. For example, the reflection layer 51 may be formed of a repeated lamination of SiO 2 / TiO 2 . By connecting the electrodes 70 and 80 to an external electrode (a lead frame or an electrode pattern provided on a package, a PCB, a COB, or the like), the semiconductor light emitting diode has a flip chip shape as a whole. The semiconductor light emitting diode is advantageous in that it does not use wire bonding but also has a reflective layer 31 to emit light laterally rather than above the semiconductor light emitting diode. Therefore, the conventional semiconductor light emitting diode has a flip chip type semiconductor light emitting diode . Since the reflective layer 51 is located adjacent to the active layer 40, it may cause the problem (interference) pointed out in connection with FIG. 2, but in the case where the reflective layer 31 is made of a distributed Bragg reflector, Unlike the metal reflection film, reflection does not occur only at the boundary with the plurality of semiconductor layers 30, 40 and 50, but reflection occurs at each boundary of the lamination, so that interference due to reflection can be reduced. Reflective layer 51 is a single dielectric layer or ODR (Omni-Directional Reflector; for example, a thick stack of SiO 2 / TiO 2 / SiO 2 ) may be of a. When the reflectance of the reflective layer 51 is lowered, the electrodes 70 and 80 can assist the function of the reflective film. At this time, it is also possible to narrow the distance between the electrodes 70 and 80 or to provide a separate reflective metal between them.

(5) 본 개시에 따른 반도체 발광다이오드의 다섯 번째 특징으로서, 반도체 발광다이오드는 상방으로의 방 광출이 조절가능하도록 반사층(31)을 구성하는 것이다. 반사층(51)을 측면 방향의 반사층으로 기능유지하되, 반사층(31) 상면으로의 광 방출이 일부 가능하도록 설계하는 것이다.(5) As a fifth characteristic of the semiconductor light emitting diode according to the present disclosure, the semiconductor light emitting diode constitutes the reflection layer 31 so that the upward radiation can be controlled. The reflective layer 51 is designed to function as a reflective layer in the side direction and partially emit light to the upper surface of the reflective layer 31.

(6) 상기 특징들이 조합(6)

도 4는 도 3에 도시된 반도체 발광다이오드의 전체 형상의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광다이오드는 전체적으로 육면체의 형상을 가진다. 투광성 물질층(10)은 투명한 물질이라면 어떠한 물질이라도 좋으며, 에폭시 수지, 실리콘, Al2O3, SiC, ZnO 등을 예로 들 수 있다. 에폭시 수지, 실리콘의 경우에, 복수의 반도체층(30,40,50)을 형성한 다음, 그 위에 도포함으로써 형성할 수 있다. 광 산란면(1)이 형성되는 경우에, 성장 기판(도시 생략)을 이용하여 복수의 반도체층(30,40,50)을 형성한 다음, 주지의 공정(Laser Lift-off법, 습식 식각법 등)을 거쳐 성장 기판을 제거할 수 있으며, 성장 기판이 제거된 제1 반도체층(30)에 습식 식각을 통해 거친 표면, 즉 광 산란면(1)을 형성하는 것이 가능하다. 성장 기판을 제거하는 경우에, 제2 반도체층(51)에는 지지 기판이 구비되는 것이 일반적이다. 3족 질화물 반도체 발광다이오드의 경우에, 투광성 물질층(10)을 성장 기판으로 이용할 수 있으며, 주지의 PSS(Patterned Sapphire Substrate) 기술을 이용하여 Al2O3 기판 위에 요철을 형성한 다음, 복수의 반도체층(30,40,50)을 성장시킴으로써, 투광성 물질층(10) 및 광 산란면(1)을 동시에 구비하는 것이 가능해진다. 바람직하게는, 추가의 반도체층(20)이 구비된다. 반사층(31,51)은 도전성 물질(예: Ag, Al와 같은 반사율이 높은 금속) 또는 비도전성 물질(예: SiOx, TiOx, Ta2O5, MgF2와 같은 투광성 유전체 물질)로 구성될 수 있다. 바람직하게는, 반사층(31,51)은 광 흡수가 적고 비도전성인 투광성 유전체 물질로 된 분포 브래그 리플렉터를 포함한다. 예를 들어, 반사층(31,51)이 SiO2/TiO2로 된 분포 브래그 리플렉터인 경우에, 전자선 증착법(E-Beam Evaporation) 등과 같은 물리 증착법(PVD; Physical Vapor Deposition)에 의해 형성하는 것이 가능하다. 분포 브래그 리플렉터를 구성하는 각각의 층의 두께는 λActive의/4n1, λActive/4n2(여기서, λActive는 활성층(40)의 파장, n1, n2는 분포 브래그 리플렉터 물질들의 굴절률)를 기준으로 설계된다. 여기서 기준으로 설계된다는 것의 의미는 분포 브래그 리플렉터가 반드시 이 기준에 맞는 두께를 가져야 한다는 것을 의미하는 것은 아니다. 분포 브래그 리플렉터는 필요에 따라 기준 두께보다 약간 두껍거나 얇게 형성하는 것이 가능하다. 그러나 이러한 필요가 분포 브래그 리플렉터가 Active/4n1, Active/4n2를 기준으로 설계되어야 한다는 사실을 변경하는 것은 아니다. 분포 브래그 리플렉터가 TiO2/SiO2로 구성되는 경우 각 층은 주어진 파장의 1/4의 광학 두께를 가지도록 설계되며, 적층의 수를 증가시킴으로써, 90%이상의 광 반사율을 가질 수 있다. 통상 20페어 이내의 적층의 가진다. 반사층(51)이 비도전성 물질로 이루어지는 경우에, 복수의 반도체층(30,40,50)으로의 전류를 공급하기 위해 전극(70,80)의 형성이 필요하다. 전극(70,80)은 반사층(51)에 홀 또는 슬릿을 형성한 다음, 이를 도전성 물질로 메워 전기적 연결(71,81)을 복수의 반도체층(30,40,50)과 전기적으로 연통할 수 있게 된다. 두 개의 전극(70,80) 모두가 제2 반도체층(50) 측에 구비되어야 하는 것은 아니지만, 두 개의 전극(70,80) 모두를 제2 반도체층(50) 측에 구비함으로써, 와이어 본딩을 없애는 이점과 방열 효율을 높이는 이점을 가진다. 전극(70,80)은 반도체 발광소자에 이용되는 통상의 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, Ti/Ni/Au의 적층, Cr/Ni/Au의 적층, Ti/Al/Ni/Au의 적층 등으로 형성될 수 있으며, 전기적 연결(71,81)과 함께 형성하는 것이 가능하다.FIG. 4 is a diagram showing an example of the overall shape of the semiconductor light emitting diode shown in FIG. 3. The semiconductor light emitting diode has a hexahedral shape as a whole. The transparent material layer 10 may be any material as long as it is a transparent material, and examples thereof include epoxy resin, silicon, Al 2 O 3 , SiC, ZnO, and the like. In the case of epoxy resin or silicon, a plurality of semiconductor layers 30, 40, and 50 may be formed and then formed thereon. In the case where the light scattering surface 1 is formed, a plurality of semiconductor layers 30, 40 and 50 are formed using a growth substrate (not shown), and then a known process (Laser Lift-off method, wet etching method Etc.), and it is possible to form the rough surface, that is, the light scattering surface 1, through the wet etching on the first semiconductor layer 30 from which the growth substrate has been removed. In the case of removing the growth substrate, the second semiconductor layer 51 is generally provided with a supporting substrate. In the case of a Group III nitride semiconductor light emitting diode, the light transmissive material layer 10 may be used as a growth substrate, and concavities and convexities may be formed on an Al 2 O 3 substrate by using a well-known PSS (Patterned Sapphire Substrate) By growing the semiconductor layers 30, 40, and 50, it becomes possible to simultaneously provide the light-transmitting material layer 10 and the light scattering surface 1. Preferably, a further semiconductor layer 20 is provided. The reflective layers 31 and 51 may be made of a conductive material such as a metal having a high reflectance such as Ag or Al or a non-conductive material such as a translucent dielectric material such as SiO x , TiO x , Ta 2 O 5 and MgF 2 . . Preferably, the reflective layer 31, 51 comprises a distributed Bragg reflector made of a translucent dielectric material that is less light absorptive and non-conductive. For example, when the reflective layers 31 and 51 are distributed Bragg reflectors made of SiO 2 / TiO 2 , they can be formed by physical vapor deposition (PVD) such as E-Beam Evaporation Do. Each thickness of the layers of constituting the distributed Bragg reflector are λ Active of / 4n 1, λ Active / 4n 2 ( where, λ Active is a wavelength of the active layer (40), n 1, n 2 is the refractive index of the distributed Bragg reflector material) . The meaning of being designed here as a reference does not mean that the distributed Bragg reflector must necessarily have a thickness that meets this criterion. The distribution Bragg reflector can be formed to be slightly thicker or thinner than the reference thickness if necessary. However, this need not change the fact that the distributed Bragg reflector must be designed on the basis of Active / 4n 1 , Active / 4n 2 . When the distributed Bragg reflector is composed of TiO 2 / SiO 2 , each layer is designed to have an optical thickness of 1/4 of a given wavelength and can have a light reflectance of 90% or more by increasing the number of layers. It usually has a lamination within 20 pairs. In the case where the reflective layer 51 is made of a non-conductive material, it is necessary to form the electrodes 70 and 80 in order to supply current to the plurality of semiconductor layers 30, 40 and 50. The electrodes 70 and 80 may be formed by forming holes or slits in the reflective layer 51 and then filling the holes or slits with a conductive material so that the electrical connections 71 and 81 can be electrically connected to the plurality of semiconductor layers 30, . All of the two electrodes 70 and 80 need not be provided on the side of the second semiconductor layer 50 but the two electrodes 70 and 80 are provided on the side of the second semiconductor layer 50, And has an advantage of improving heat dissipation efficiency. The electrodes 70 and 80 may be formed of a common material used for a semiconductor light emitting device. For example, it can be formed by stacking Ti / Ni / Au, laminating Cr / Ni / Au, laminating Ti / Al / Ni / Au, etc. and forming it with the electrical connections 71 and 81 .

도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광다이오드의 다른 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광다이오드는 반도체 발광다이오드 상방으로 빛(Lu) 방출량을 조절할 수 있는 반사층(31)을 포함한다. 측면 발광다이오드를 구현한다는 것은 금속으로 된 반사층 또는 금속으로 된 반사층의 반사율에 대응하는 물질 또는 구성으로 된 반사층을 구비한 반도체 발광다이오드를 의미하지만, 이러한 종래의 반도체 발광다이오드의 Far Field Pattern을 살펴보면 반도체 발광다이오드 상방으로의 광량이 제한되어, 반도체 발광다이오드 상방으로 일정량의 빛이 필요한 경우에 이에 적절히 대응하는 수단을 갖지 못한다. 본 실시예에서, 반사층(31)을 투명한 물질로 구성하고, 반사층(31)의 반사율을 반사층(51)의 반사율보다 낮게 구성함으로써, 이러한 필요에 대응을 할 수 있게 된다. 5 is a view showing another example of the semiconductor light emitting diode according to the present disclosure, wherein the semiconductor light emitting diode includes a reflection layer 31 capable of adjusting the amount of light emission (Lu) above the semiconductor light emitting diode. Implementing the side light emitting diode means a semiconductor light emitting diode having a reflective layer made of a metal or a reflective layer made of a metal or a material corresponding to the reflectance of a reflective layer made of metal. However, as far as the Far Field Pattern of the conventional semiconductor light emitting diode is concerned, The amount of light directed upward of the light emitting diode is limited so that when a certain amount of light is required upwardly of the semiconductor light emitting diode, In this embodiment, the reflective layer 31 is made of a transparent material and the reflectance of the reflective layer 31 is made lower than that of the reflective layer 51, so that it is possible to cope with this need.

예를 들어, 반도체 발광다이오드가 450nm 파장의 빛을 발광하는 반도체 발광다이오드이고, 반사층(31)이 SiO2/TiO2로 된 분포 브래그 리플렉터를 가지는 경우에, 다음과 같이 구성할 수 있다.For example, in the case where the semiconductor light emitting diode is a semiconductor light emitting diode that emits light with a wavelength of 450 nm, and the reflective layer 31 has a distributed Bragg reflector made of SiO 2 / TiO 2 , the following structure can be constructed.

0.35L/0.35H:6pair + 0.30L/0.30H:6pair + 0.25L/0.25H:7pair0.35L / 0.35H: 6pair + 0.30L / 0.30H: 6pair + 0.25L / 0.25H: 7pair

(L은 SiO2, H는 TiO2를 나타내는 광학 두께를 의미하고, 파장은 450nm에서 사용되었으며, 도 7에 0.25L/0.25H의 주기수를 줄여가면서 시행한 시뮬레이션 결과를 나타내었다. 이 때, DBR의 수직 방향으로 기준으로 0°를 이미하고 90°는 수평방향으로 입사되는 각도를 의미한다.)(L means SiO 2 , H means optical thickness indicating TiO 2 , wavelength is 450 nm, and simulation results are shown in FIG. 7 while reducing the number of cycles of 0.25 L / 0.25 H. In this case, It means that the reference angle is 0 ° in the vertical direction of the DBR and 90 ° is the angle in the horizontal direction.)

이들의 페어(pair) 수를 4개이상으로 함으로써, 반사층(51)이 90%이상의 반사율을 가지도록 할 수 있으며, 이들의 페어(pair) 수를 3개 이상으로 함으로써, 반사층(51)이 80%이상의 반사율을 가지도록 할 수 있고, 이들의 페이(pair) 수를 2개 이상으로 함으로써, 반사층(51)이 50%이상의 반사율을 가지도록 할 수 있다.By setting the number of pairs thereof to four or more, the reflection layer 51 can have a reflectance of 90% or more. By setting the number of pairs of the reflection layer 51 to three or more, % Or more. By setting the number of pairs of these two or more, the reflection layer 51 can have a reflectance of 50% or more.

또한 굴절률의 차이가 작은 물질들로 분포 브래그 리플렉터를 구성하여, 반사율ㅇ르 조절하는 것도 가능하다. 예를 들어, SiN/TiO2, Ta3O5/TiO2, SiO2/SiN, SiO2/Al2O3와 같은 조합으로 분포 브래그 리플렉터를 구성할 수 있다.It is also possible to construct a distributed Bragg reflector with materials with small refractive index differences and to adjust the reflectance. For example, a distributed Bragg reflector can be constructed with combinations such as SiN / TiO 2 , Ta 3 O 5 / TiO 2 , SiO 2 / SiN, SiO 2 / Al 2 O 3 .

또한 분포 브래그 리플렉터를 구성하는 pairs의 수의 조절과 분포 브래그 리플렉터를 구성하는 각 층간의 굴절률의 차이의 조절의 조절을 이용하는 것도 가능하다.It is also possible to use the adjustment of the number of pairs constituting the distributed Bragg reflector and the adjustment of the difference of the refractive index between the layers constituting the distributed Bragg reflector.

도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광다이오드의 또 다른 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 반사층(31)에 적어도 하나의 개구(32)를 포함한다. 개구(32)를 통해 활성층(40)에서 생성된 빛의 일부가 반사층(31) 상부로 방출된다. 개구(32)의 수, 크기, 갯수, 위치 등을 조절함으로써, 상방으로 방출되는 광량을 조절할 수 있게 된다. 개구(32)는 구멍, 슬릿 등 다양한 형태를 가질 수 있다. 이때 반사층(31)은 도전성 물질(예: Ag, Al) 또는 비도전성 물질(예: SiO2/TiO2로 된 분포 브래그 리플렉터)로 이루어질 수 있다.6 is a diagram showing another example of the semiconductor light emitting diode according to the present disclosure, in which the semiconductor light emitting element includes at least one opening 32 in the reflection layer 31. In Fig. A part of the light generated in the active layer 40 through the opening 32 is emitted to the upper portion of the reflection layer 31. By adjusting the number, size, number, position, etc. of the openings 32, the amount of light emitted upward can be controlled. The openings 32 may have various shapes such as holes, slits, and the like. The reflective layer 31 may be made of a conductive material (e.g., Ag, Al) or a non-conductive material (e.g., a distributed Bragg reflector made of SiO 2 / TiO 2 ).

도 7은 반사층 구조 변경에 따른 각도에 따른 반사율 변화를 나타내는 도면으로서, 조건은 전술한 바와 같으며, 페어(pair)의 수가 감소할수록 반사율이 감소하는 것을 알 수 있다. 위의 경우 DBR을 구성하는 것 중에 450nm에 해당되는 층의 변동을 통해서 빛의 상방과 측방의 비율을 예시한 것으로, 0.35 광학두께와 0.30 광학 두께의 주기나 조성들의 변화를 통해서도 상방과 측방의 파워비를 조절할 수 있다. 이는 본 개시의 요지가 DBR의 구성 요소들의 조합과 변형으로 통해서 상방과 측방의 광량의 차이를 조절이 가능함을 의미하는 것으로 본 예시에 한정되는 것은 아니다. FIG. 7 is a graph showing changes in reflectance according to an angle according to a change in the structure of a reflective layer. The conditions are as described above, and the reflectance decreases as the number of pairs decreases. In the above case, the ratio of the upper and the side of the light through the variation of the layer corresponding to 450 nm is exemplified in the DBR, and the change of the upper and lower power The ratio can be adjusted. This means that the gist of the present disclosure means that it is possible to control the difference in the amount of light between the upper side and the lateral side through combination and modification of the constituent elements of the DBR, and the present invention is not limited to this example.

이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.Various embodiments of the present disclosure will be described below.

(1) 반도체 발광다이오드에 있어서, 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층, 활성층의 상방에 구비되며 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층 및 활성층의 하방에 구비되며 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층을 가지는 복수의 반도체층; 제1 반도체층을 기준으로 활성층의 반대 측에 구비되어, 활성층에서 생성된 빛을 반사하는 제1 반사층; 그리고, 제2 반도체층을 기준으로 활성층의 반대 측에 구비되어, 활성층에서 생성된 빛을 반사하는 제2 반사층;을 포함하고, 활성층으로부터 생성된 빛의 경로를 변경하며, 투광성 물질로 된 측방 광 취출 향상 구조물(Lateral Light-Extraction Enhancer)이 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광다이오드. 측방 광 취출 향상 구조물(Lateral Light-Extraction Enhancer)은 광 경로 변환으로서 광 산란을 이용하여 빛이 반도체 발광다이오드 측면으로 방출되는 효율을 높이거나, 광 경로 변환으로서 광 반사를 이용하여 빛이 반도체 발광다이오드의 상부 및 하부로 방출되는 것을 줄임으로서 빛이 반도체 발광다이오드 측면으로 방출되는 효율을 높이거나, 측면의 길이를 확장하여 빛이 방출된 확률을 높이거나, 이들의 조합을 통해 빛이 반도체 발광다이오드 측면으로 방출되는 효율을 높이는 구조물을 의미한다.(1) A semiconductor light emitting diode comprising: an active layer which generates light through recombination of electrons and holes; a first semiconductor layer provided above the active layer and having a first conductivity; and a second semiconductor layer provided below the active layer, 2. A semiconductor device comprising: a plurality of semiconductor layers having a second semiconductor layer having conductivity; A first reflective layer provided on an opposite side of the active layer with respect to the first semiconductor layer, the first reflective layer reflecting light generated in the active layer; And a second reflective layer which is provided on the opposite side of the active layer with respect to the second semiconductor layer and reflects light generated in the active layer, changes a path of light generated from the active layer, (Lateral Light-Extraction Enhancer) is provided on the semiconductor light-emitting diode. The Lateral Light-Extraction Enhancer is a light-path-changing structure in which light is scattered to increase the efficiency of light emitted to the side of the semiconductor light-emitting diode, or light is reflected by the semiconductor light-emitting diode The efficiency of emitting light to the side of the semiconductor light emitting diode may be increased or the length of the side may be increased to increase the probability that light is emitted. Alternatively, light may be emitted from the side of the semiconductor light emitting diode To increase the efficiency of emission to the outside.

(2) 반도체 발광다이오드에 있어서, 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층, 활성층의 상방에 구비되며 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층 및 활성층의 하방에 구비되며 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층을 가지는 복수의 반도체층; 제1 반도체층을 기준으로 활성층의 반대 측에 구비되어, 활성층에서 생성된 빛을 반사하도록 제1 반사율을 가지는 제1 반사층; 그리고, 제2 반도체층을 기준으로 활성층의 반대 측에 구비되어, 활성층에서 생성된 빛을 반사하는 제2 반사층;으로서, 활성층에서 생성된 빛의 일부가 제2 반사층을 관통하여 상방으로 방출되도록 제1 반사율보다 낮은 제2 반사율을 가지는 제2 반사층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광다이오드. 여기서 제2 반사율이 제1 반사율보다 낮다는 것의 의미는 제2 반사층을 구성하는 물질(들)의 반사율이 제1 반사층을 구성하는 물질(들)의 반사율보다 낮은 경우가, 제2 반사층을 구성하는 물질(들)의 반사율이 제1 반사층을 구성하는 물질(들)의 반사율과 같거나 높은 경우에라도 도 6에서와 같이, 개구와 같은 수단을 통해 제2 반사층의 반사량이 제1 반사층의 반사량보다 작은 경우를 포함한다.(2) A semiconductor light emitting diode comprising: an active layer which generates light through recombination of electrons and holes; a first semiconductor layer provided above the active layer and having a first conductivity; and a second semiconductor layer provided below the active layer, 2. A semiconductor device comprising: a plurality of semiconductor layers having a second semiconductor layer having conductivity; A first reflective layer provided on an opposite side of the active layer with respect to the first semiconductor layer and having a first reflectivity so as to reflect light generated in the active layer; And a second reflective layer provided on the opposite side of the active layer with respect to the second semiconductor layer and reflecting the light generated in the active layer, And a second reflective layer having a second reflectance lower than the first reflectivity. Here, the second reflectance is lower than the first reflectivity, which means that when the reflectance of the material (s) constituting the second reflective layer is lower than that of the substance (s) constituting the first reflective layer, Even if the reflectance of the substance (s) is equal to or higher than that of the substance (s) constituting the first reflective layer, the amount of reflection of the second reflective layer is smaller than the amount of reflection of the first reflective layer ≪ / RTI >

(3) 제2 반사층은 분포 브래그 리플렉터를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광다이오드.(3) The semiconductor light emitting diode according to claim 1, wherein the second reflective layer has a distributed Bragg reflector.

(4) 제1 반사층과 제2 반사층은 각각 분포 브래그 리플렉터를 가지며, 제2 반사층의 분포 브래그 리플렉터의 페어(pair) 수가 제1 반사층의 분포 브래그 리플렉터의 페어(pair) 수보다 작은 것을 특징으로 하는 반도체 발광다이오드.(4) The first reflective layer and the second reflective layer each have a distributed Bragg reflector, and the number of pairs of distributed Bragg reflectors of the second reflective layer is smaller than the number of pairs of distributed Bragg reflectors of the first reflective layer. Semiconductor light emitting diode.

(5) 제1 반사층과 제2 반사층은 각각 분포 브래그 리플렉터를 가지며, 제2 반사층의 분포 브래그 리플렉터를 이루는 물질들의 굴절율의 차이가 제1 반사층의 분포 브래그 리플렉터를 이루는 물질들의 굴절율의 차이보다 작은 것을 특징으로 하는 반도체 발광다이오드.(5) The first reflective layer and the second reflective layer each have a distributed Bragg reflector, and the difference in the refractive indexes of the materials constituting the distributed Bragg reflector of the second reflective layer is smaller than the refractive index difference of the materials constituting the distributed Bragg reflector of the first reflective layer Wherein the semiconductor light emitting diode is a semiconductor light emitting diode.

(6) 제2 반사층은 활성층에서 생성된 빛의 일부가 제2 반사층을 관통하여 상방으로 방출되도록 개구를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광다이오드.(6) The semiconductor light emitting diode according to (6), wherein the second reflective layer has an opening through which a part of the light generated in the active layer passes through the second reflective layer and is emitted upward.

(7) 제2 반사층이 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광다이오드.(7) The semiconductor light-emitting diode according to any one of (1) to (7), wherein the second reflective layer is made of metal.

(8) 제2 반사층은 50%이상의 빛을 반사하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광다이오드. 이러한 구성을 가짐으로써, 반도체 발광다이오드는 측면 발광이 더 강한 반도체 발광다이오드라 할 수 있게 된다.(8) The semiconductor light emitting diode according to any one of (1) to (5), wherein the second reflective layer reflects light of 50% or more. With this configuration, the semiconductor light emitting diode can be a semiconductor light emitting diode having a stronger side emission.

(9) 제2 반사층은 80%이상의 빛을 반사하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광다이오드.(9) The semiconductor light-emitting diode according to any one of (1) to (3), wherein the second reflective layer reflects 80% or more of light.

(10) 제2 반사층과 복수의 반도체층 사이에 광 산란면;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광다이오드.(10) A semiconductor light emitting diode comprising a light scattering surface between a second reflective layer and a plurality of semiconductor layers.

(11) 제2 반사층과 복수의 반도체층 사이에 투광성 물질층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광다이오드.(11) A semiconductor light-emitting diode comprising a light-transmissive material layer between a second reflective layer and a plurality of semiconductor layers.

본 개시에 따른 하나의 반도체 발광다이오드에 의하면, 상방으로 방출되는 빛의 양을 조절할 수 있게 된다.According to one semiconductor light emitting diode according to the present disclosure, the amount of light emitted upward can be controlled.

본 개시에 따른 다른 하나의 반도체 발광다이오드에 의하면, 측면으로의 발광을 향상할 수 있게 된다.According to another semiconductor light emitting diode according to the present disclosure, it is possible to improve the light emission to the side.

본 개시에 따른 또 다른 하나의 반도체 발광다이오드에 의하면, 반사막에 의한 간섭 현상을 줄일 수 있게 된다.According to another semiconductor light emitting diode according to the present disclosure, it is possible to reduce the interference phenomenon caused by the reflective film.

본 개시에 따른 또 다른 하나의 반도체 발광다이오드에 의하면, 플립 칩 형태의 측면 발광 반도체 발광다이오드를 구현할 수 있게 된다.According to another semiconductor light emitting diode according to the present disclosure, a flip chip type side light emitting semiconductor light emitting diode can be realized.

본 개시에 따른 또 다른 하나의 반도체 발광다이오드에 의하면, 플립 칩 내에 광 산란면을 구비한 반도체 발광다이오드를 구현할 수 있게 된다.According to another semiconductor light emitting diode according to the present disclosure, a semiconductor light emitting diode having a light scattering surface in a flip chip can be realized.

제1 반도체층(30), 활성층(40), 제2 반도체층(50), 반사층(31), 반사층(51)The first semiconductor layer 30, the active layer 40, the second semiconductor layer 50, the reflective layer 31, the reflective layer 51,

Claims (10)

반도체 발광다이오드에 있어서,
전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층, 활성층의 상방에 구비되며 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층 및 활성층의 하방에 구비되며 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층을 가지는 복수의 반도체층;
제1 반도체층을 기준으로 활성층의 반대 측에 구비되어, 활성층에서 생성된 빛을 반사하도록 제1 반사율을 가지는 제1 반사층; 그리고,
제2 반도체층을 기준으로 활성층의 반대 측에 구비되어, 활성층에서 생성된 빛을 반사하는 제2 반사층;으로서, 활성층에서 생성된 빛의 일부가 제2 반사층을 관통하여 상방으로 방출되도록 제1 반사율보다 낮은 제2 반사율을 가지는 제2 반사층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광다이오드.In a semiconductor light emitting diode,
A first semiconductor layer provided above the active layer and having a first conductivity and a second semiconductor layer provided below the active layer and having a second conductivity different from the first conductivity, A plurality of semiconductor layers,
A first reflective layer provided on an opposite side of the active layer with respect to the first semiconductor layer and having a first reflectivity so as to reflect light generated in the active layer; And,
A second reflective layer provided on the opposite side of the active layer with respect to the second semiconductor layer and reflecting the light generated in the active layer, the first reflective layer having a first reflectance such that a part of light generated in the active layer passes through the second reflective layer, And a second reflective layer having a second reflectance lower than that of the second reflective layer. 청구항 1에 있어서,
제2 반사층은 분포 브래그 리플렉터를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광다이오드.The method according to claim 1,
And the second reflective layer has a distributed Bragg reflector. 청구항 1에 있어서,
제1 반사층과 제2 반사층은 각각 분포 브래그 리플렉터를 가지며, 제2 반사층의 분포 브래그 리플렉터의 페어(pair) 수가 제1 반사층의 분포 브래그 리플렉터의 페어(pair) 수보다 작은 것을 특징으로 하는 반도체 발광다이오드.The method according to claim 1,
Wherein the first reflective layer and the second reflective layer each have a distributed Bragg reflector and the number of pairs of distributed Bragg reflectors of the second reflective layer is smaller than the number of pairs of distributed Bragg reflectors of the first reflective layer. . 청구항 1에 있어서,
제1 반사층과 제2 반사층은 각각 분포 브래그 리플렉터를 가지며, 제2 반사층의 분포 브래그 리플렉터를 이루는 물질들의 굴절율의 차이가 제1 반사층의 분포 브래그 리플렉터를 이루는 물질들의 굴절율의 차이보다 작은 것을 특징으로 하는 반도체 발광다이오드.The method according to claim 1,
The first reflective layer and the second reflective layer each have a distributed Bragg reflector and the difference in the refractive indexes of the materials constituting the distributed Bragg reflector of the second reflective layer is smaller than the refractive index difference of the materials constituting the distributed Bragg reflector of the first reflective layer. Semiconductor light emitting diode. 청구항 1에 있어서,
제2 반사층은 활성층에서 생성된 빛의 일부가 제2 반사층을 관통하여 상방으로 방출되도록 개구를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광다이오드.The method according to claim 1,
And the second reflective layer has an opening so that a part of the light generated in the active layer passes through the second reflective layer and is emitted upward. 청구항 1에 있어서,
제2 반사층이 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광다이오드.The method according to claim 1,
And the second reflective layer is made of metal. 청구항 1에 있어서,
제2 반사층은 50%이상의 빛을 반사하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광다이오드.The method according to claim 1,
And the second reflective layer reflects 50% or more of light. 청구항 1에 있어서,
제2 반사층은 80%이상의 빛을 반사하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광다이오드.The method according to claim 1,
And the second reflective layer reflects 80% or more of light. 청구항 1에 있어서,
제2 반사층과 복수의 반도체층 사이에 광 산란면;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광다이오드.The method according to claim 1,
And a light scattering surface between the second reflective layer and the plurality of semiconductor layers. 청구항 1에 있어서,
제2 반사층과 복수의 반도체층 사이에 투광성 물질층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광다이오드.The method according to claim 1,
And a light-transmissive material layer between the second reflective layer and the plurality of semiconductor layers.
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